CN100512585C - 双板型有机电致发光显示器件及其制造方法 - Google Patents

双板型有机电致发光显示器件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

双板型有机电致发光显示器件及其制造方法。一种双板型有机电致发光显示器件，包括第一基板，其上有相互交叉的选通线和数据线以限定子像素。在第一基板上的至少一个子像素处设置阵列元件。在与第一基板相对的第二基板的基本整个表面上设置第一电极。在第一电极上设置绝缘图案，在第一电极上设置有机电致发光层，在有机电致发光层上设置第二电极。在各个子像素处，连接图案连接阵列元件和第二电极。该连接图案接触绝缘图案下的第二电极。

Description

双板型有机电致发光显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示器件，更具体地，涉及双板型有机电致发光显示器件及其制造方法。
背景技术
在平板显示器中，液晶显示(LCD)器件由于其外型薄，重量轻以及能耗低而得到了普遍使用。然而，LCD器件不是自发光的，并且具有亮度低、对比度低、视角窄以及整体尺寸大的缺点。
有机电致发光显示(OELD)器件由于其自发光性而具有宽视角和优良的对比度。此外，由于OELD器件不需要诸如背光的附加光源，因此与LCD器件相比，OELD器件具有较小的尺寸，而且重量轻且能耗低。此外，OELD器件可被低压直流电(DC)驱动，并具有短的毫秒级响应时间。由于OELD器件是固态器件，所以OELD器件足够承受外部冲击并具有较大的工作温度范围。此外，OELD器件可以低成本制造，因为制造OELD器件只需要淀积和封装装置，从而简化了制造工艺。
OELD器件一般根据发光方向被分为顶部发光型和底部发光型。此外，OELD器件可以根据驱动该器件的方法分为无源矩阵型OELD器件或有源矩阵型OELD器件。无源矩阵型OELD器件因其制造简单容易而得到普遍使用。然而，无源矩阵型OELD器件具有以矩阵结构互相垂直交叉的扫描线和信号线。由于对扫描线依次提供扫描电压来操作各个像素，所以为了得到所需平均亮度，各个像素在选中期间的瞬时亮度应当达到由扫描线的数目乘以平均亮度而得到的值。因此，随着扫描线数目的增加，所施加的电压和电流也将增加。因此，由于无源矩阵型OELD器件容易在使用期间劣化，并且能耗高，所以其不适合作为高分辨率显示和大尺寸显示器。
由于无源矩阵型OELD器件具有与图像分辨率，能耗和使用寿命有关的很多缺点，所以开发出了有源矩阵型OELD器件来在大面积显示器上产生高的图像分辨率。在有源矩阵型OELD器件中，在各个子像素处设置薄膜晶体管(TFT)来用作接通或断开各个子像素的开关元件。从而，连接到TFT的第一电极被子像素接通/断开，面向第一电极的第二电极用作公共电极。此外，施加给像素的电压被存储在一存储电容器中，由此保持该电压并驱动该器件，直到提供了下一帧的电压，而与扫描线的数目无关。结果，由于通过施加低电压可得到相等的亮度，所以有源矩阵型OELD设备具有低能耗和在大面积上的高图像分辨率。
图1是根据现有技术的有源矩阵型OELD器件的像素结构的示意性电路图。在图1中，选通线GL沿第一方向排列，彼此隔开的数据线DL和电源线CSL沿垂直于第一方向的第二方向排列。数据线DL及电源线CSL与选通线GL交叉，从而限定了子像素区域SP。开关薄膜晶体管(TFT)SwT，即，选址元件，形成在选通线GL和数据线DL的交叉处，存储电容器CST与开关TFT SwT及电源线CSL连接。驱动薄膜晶体管(TFT)DrT，即，电流源元件，连接到存储电容器CST及电源线CSL，并且有机电致发光(EL)二极管E连接到驱动TFT DrT。
当对有机EL二极管E提供正向电流时，电子和空穴通过提供空穴的阳极与提供电子的阴极之间的P(正)-N(负)结而复合，来产生电子空穴对。由于电子空穴对的能量比分开的电子和空穴低，因此在复合与分开的电子空穴对之间存在能量差，因此由于该能量差而发光。
图2是根据现有技术的底部发光型有机电致发光显示(OELD)器件的剖视图。在图2中，第一和第二基板10和30间隔开并且通过密封剂图案40接合在一起。各个像素P包括红光、绿光和蓝光的子像素SbP。在第一基板10的内表面上的各个子像素SbP处形成驱动薄膜晶体管(TFT)DrT，构成有机电致发光二极管的第一电极12连接到TFTT。有机电致发光层14包括红、绿、蓝发光材料，并且形成在驱动TFT DrT上。此外，在有机电致发光层14上形成第二电极16，由此第一和第二电极12和16在有机电致发光层14中产生电场。
在第二基板30的内表面中形成干燥剂，以保护OELD器件的内部不受外部湿气的影响(未示出)。通过诸如半透明带的粘合剂将干燥剂粘在第二基板30上。
在底部发光型OELD器件中，例如，第一电极12用作阳极并由透明导电材料制成，第二电极16用作阴极并由功函数低的金属材料构成。因此，有机电致发光层14由形成在第一电极12上的空穴注入层14a、空穴传输层14b、发光层14c和电子传输层14d构成。发光层14c具有红、绿、蓝发光材料交替设置在各个子像素SbP处的结构。
图3是根据现有技术的底部发光型有机电致发光显示器件的子像素区域的剖视图。在图3中，在基板10上限定薄膜晶体管区TrA、发光区EmA和存储电容区StgA。在薄膜晶体管区TrA中，依次形成半导体层62、栅绝缘层63、栅极68，以及源极80和漏极82。存储电容和有机电致发光(EL)二极管E分别连接到源极80和漏极82。存储电容设置在存储电容区StgA中，而有机EL二极管E设置在发光区EmA中。存储电容包括相互面对的电源电极72和电容电极64，在电源电极72和电容电极64之间插入绝缘层。电容电极64由与半导体层62相同的材料构成。电源电极从电源线(未示出)延伸出。薄膜晶体管和存储电容一般称作阵列元件A。有机EL二极管E包括相互面对的第一电极12和第二电极16，其间插入有机EL层14。薄膜晶体管的源极80连接到存储电容的电源电极72，薄膜晶体管的漏极82连接到有机EL二极管E的第一电极12。此外，在同一基板10上形成阵列元件A和有机EL二极管E。
通过将包括阵列元件A和有机EL二极管E的第一基板10与第二基板30进行封装来制造出OELD器件。此外，有源矩阵OELD器件的合格率依赖于薄膜晶体管和有机EL二极管E各自的合格率。尽管薄膜晶体管可以充分工作，但有源矩阵OELD器件的合格率会因为在生产有机层的处理期间引入了杂质而发生变化。因此，有源矩阵型OELD器件的合格率由于这些杂质而降低，并且导致生产成本和原材料的损耗。
此外，虽然有源矩阵OELD是在制造过程中具有高稳定性和可变自由度的底部发光型器件，但是其孔径比却减小了。因此，将底部发光型有源矩阵型OELD器件用作大孔径器件是有问题的。
为了解决这些问题，提出并开发了一种顶部发光型有源矩阵型OELD器件，其中阵列元件和有机EL二极管形成在不同的基板上。
图4是现有技术的顶部发光型有源矩阵OELD器件的剖视图，图5是图4的区域L的放大视图。
在图4和图5中，第一基板110和第二基板130相互隔开并且通过密封剂图案140接合在一起。各像素P包括三个子像素SbP。在第一基板110上的各子像素SbP处形成阵列元件120。在各子像素SbP处形成的阵列元件120包括驱动薄膜晶体管(TFT)DrT，以及与该驱动薄膜晶体管TFT DrT相连的连接电极112。在第二基板130的内表面上形成有机EL二极管E以对应于各子像素SbP。有机EL二极管E包括在各子像素SbP处独立形成的用作公共电极的第一电极132、位于第一电极132上的有机EL层134以及第二电极136。此外，在第二基板130上的第二电极136与第一基板110上的连接电极112之间形成连接图案114，以将第二电极136与阵列元件120电连接。
在有机EL二极管E和阵列元件120形成在不同基板上的顶部发光型OELD器件中，在约10-2托(Torr)至约10-3托的真空下进行将第一基板110与第二基板130接合的过程。在上述真空条件下，连接图案114支撑位于第一基板110上的连接电极112和位于第二基板130上的第二电极136。连接图案114具有大约10μm2至大约20μm2的接触面积。此时，内部压力集中在接触连接图案114的局部，并且该内部压力通过第二电极136传递给有机EL层134。
同时，第二电极136一般通过热蒸镀法形成，而且第二电极可能具有非常粗糙的表面和低膜密度。由此，由于连接图案114接触第二电极136表面，更具体地，由于来自连接图案114的压力，可能使第二电极136变形或损坏。
而且，第二电极136的变形引起有机EL层134的变形。有机EL层134的物理变形导致有机EL层134表面上的应力并使分子结构变化。因此，有机EL层134可能劣化并且有机EL层134的特性可能下降。
发明内容
仅供介绍，在一个实施例中，一种双板型有机电致发光显示器件包括第一基板，该第一基板上具有相互交叉的选通线和数据线以限定子像素。在第一基板上的至少一个子像素处设置阵列元件。第二基板与第一基板相对。在第二基板的基本整个表面上设置第一电极。在第一电极上的所述至少一个子像素处设置绝缘图案。在第一电极上的所述至少一个子像素内设置有机电致发光层。在所述至少一个子像素处的有机电致发光层上设置第二电极。连接图案电连接阵列元件和第二电极。该连接图案具有接触第二电极的接触区域。所述绝缘图案在第一和第二电极之间的接触区域处。
在另一个实施例中，一种制造双板型有机电致发光显示器件的方法包括：在第一基板上形成相互交叉的选通线和数据线以限定子像素，在第一基板上的至少一个子像素处形成阵列元件，所述阵列元件包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管；在第二基板的基本整个表面上形成第一电极；在第一电极上的所述至少一个子像素处形成绝缘图案；在第一电极上的所述至少一个子像素内形成有机电致发光层；在所述至少一个子像素处的有机电致发光层上形成第二电极；在所述至少一个子像素处形成与驱动薄膜晶体管连接的连接图案；以及将第一基板与第二基板接合使得连接图案与绝缘图案上的第二电极接触。
在又一个实施例中，顶部发光有机电致发光显示器件包括第一基板，该第一基板上具有彼此交叉的选通线和数据线以限定子像素。在第一基板上设置阵列元件。第二基板与第一基板相对。在第二基板的表面上设置第一电极。在第一电极上设置有机电致发光层。在该有机电致发光层上设置第二电极。连接图案电连接阵列元件和第二电极。该连接图案在子像素中的显示区域以外的位置处接触第二电极。
应当理解以上一般描述和以下具体描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供权利要求所述的本发明的进一步解释。
附图说明
所包括的附图用来提供对发明的进一步理解，其被并入并构成本申请的一部分，其示出了本发明的实施例并与说明书一起用来解释本发明的原理。图中：
图1是根据现有技术的有源矩阵型OELD器件的像素结构的示意性电路图；
图2是根据现有技术的底部发光型OELD器件的剖视图；
图3是根据现有技术的底部发光型OELD器件的子像素区域的剖视图；
图4是现有技术的顶部发光型有源矩阵OELD器件的剖视图；
图5是图4的区域L的放大视图；
图6A是根据本发明的双板型OELD器件的剖视图；
图6B是双板型OELD器件的子像素的剖视图；
图7是图6A的区域“M”的放大视图；
图8是示出根据本发明的制造OELD器件的方法的流程图；
图9是根据本发明的OELD器件的第一基板上的阵列元件剖视图；
图10是根据本发明的OELD器件的剖视图；以及
图11是OELD器件的另一实施例的剖视图。
具体实施方式
下面将具体说明本发明的实施例，其示例在附图中示出。
图6A是根据本发明的双板型有机电致发光显示器件的剖视图，图6B是双板型有机电致发光显示器件的子像素的剖视图。图7是图6A的区域“M”的放大视图。
如图中所示，第一基板210和第二基板230间隔开并且通过密封图案240相互接合。虽然图中未示出，但是在第一基板210的内表面上形成选通线和数据线以限定子像素SbP。在各子像素SbP中形成阵列元件220。阵列元件220包括用作开关元件的至少一个开关薄膜晶体管(未示出)、至少一个控制有机电致发光(EL)二极管的驱动TFT DrT以及与驱动TFT DrT连接的连接电极212。连接电极212可以从驱动TFT DrT的漏极(未示出)延伸出，或者可以是形成为连接到驱动TFT DrT的漏极的独立图案。
在第二基板230的内表面上的各子像素SbP中形成有机EL二极管E。该有机EL二极管E包括依次排列的红光、绿光或蓝光有机EL层234a、234b和234c。有机EL二极管还包括第一电极232和第二电极236。第一电极232形成在第二基板230的基本整个表面上，在第一电极232上的各个子像素SbP中形成各个有机EL层234a、234b和234c，并且在各个有机EL层234a、234b和234c上形成第二电极236。在各个子像素SbP中分别形成有机EL层234a，234b和234c以及第二电极236。绝缘图案235形成在相邻的有机EL层234a、234b和234c之间，并且位于第一电极232和第二电极236之间，从而第二电极236的面积大于各个有机EL层234a、234b和234c。第一电极232可用作公共电极。由此，将显示区域设置在相邻的绝缘图案235之间。将使用者能看到的图像设置在显示区域中。
将参照图6B对有机EL二极管E进行更详细的说明。在图6B中，有机EL层234b由发光层254、第一有机层255和第二有机层256组成。发光层254发出红光、蓝光或绿光，并且位于第一有机层255和第二有机层256之间。第一有机层255和第二有机层256的材料根据阳极和阴极的排列而定。例如，当第一电极232用作阴极而第二电极236用作阳极时，第一有机层255包括电子注入层和电子传输层，第二有机层256包括空穴注入层和空穴传输层。另一方面，当第一电极232和第二电极236分别用作阳极和阴极时，第一有机层255包括空穴注入层和空穴传输层，第二有机层256包括电子注入层和电子传输层。
在第一基板210的连接电极212和第二基板230的第二电极236之间形成连接图案214，以连接第二电极236和驱动TFT DrT。连接图案214为柱状。连接图案214由具有延展性和较低电阻率的导电材料形成。另选地，连接图案214由有机材料和覆盖该有机材料的导电材料形成。
如上所述，绝缘图案235形成在相邻的有机EL层234a、234b和234c之间，并且位于第一电极232和第二电极236之间。绝缘图案235与连接图案214对应。即，有机EL层234a、234b和234c不与连接图案214对应。因此，虽然由于连接图案214而引起的接触压力被施加给第二电极236，但是该接触压力对绝缘层235也有影响，而对有机EL层234a、234b和234c没有影响。这防止了234a、234b和234c的变形和劣化，从而增加了有机EL二极管E的使用寿命。
有利的是，OELD器件是顶部发光型OELD，其中从有机EL层234a、234b和234c发出的光透过第二基板230。因此，第一电极232由透明导电材料构成。例如，当第一电极232用作阳极时，第一电极232由具有较高功函数的氧化铟锡(ITO)或几十埃厚的金属形成。
当第二电极236用作阴极时，第二电极236可以由诸如铝(Al)或铝合金的具有较低功函数的不透明金属材料形成，以防止由于从有机EL层234a、234b和234c发出的光的反射而引起的相长干涉。
当在大约10-2托至大约10-3托的真空下将第一基板210和第二基板230进行接合时，第一基板和第二基板之间的一间隔I处于真空下。尽管未在图中示出，阵列元件220还包括相互交叉的选通线和数据线、与选通线交叉并与数据线平行的电源线、在选通线和数据线交叉处的开关TFT，以及存储电容。
在现有技术中，有机EL层具有与第二电极基本相同的尺寸并且与连接图案对应，并且有机EL层受连接图案的接触压力的影响。因此，有机EL层会变形或者有机EL层的使用寿命会缩短。此外，器件的显示质量可能下降。另一方面，在本发明中，有机EL层不与连接图案交叠，并且绝缘图案对应于连接图案。因此，由于有机EL层不受连接图案的接触压力的影响，所以有机EL层不变形，并且有机EL层的使用寿命和器件的显示质量得到改善。
此外，在本发明中，由于有机EL二极管和薄膜晶体管形成在不同基板上，并且OELD器件是顶部发光型的，所以增加了生产率。
将参照附图描述一种制造具有上述结构的有机电致发光显示器件的方法。
图8是示出根据本发明的制造有机电致发光显示(OELD)器件的方法的流程图。图9是根据本发明的OELD设备的第一基板上的阵列元件的剖视图。图10是根据本发明的OELD器件的示意性剖视图。
在步骤ST1中，在第一基板上形成阵列元件。更具体地，如图9所示，在第一基板210上形成缓冲层270，并在缓冲层270上形成半导体层272。在缓冲层270上形成电容电极(未示出)以及半导体层272。在半导体层272上形成栅绝缘层274，并在位于半导体层272上的栅绝缘层274上形成栅极276。接着，在栅极276上形成中间绝缘层278，并在中间绝缘层278上形成源极280和漏极282。源极280和漏极282与半导体层272的掺入杂质的两侧相连。在源极280和漏极282上形成钝化层284，并在钝化层284上形成连接电极212。连接电极212通过形成在钝化层284中的接触孔连接到漏极282。半导体层272、栅极276以及源极280和漏极282组成了OELD器件的驱动薄膜晶体管(TFT)DrT。具有与图9的驱动TFT DrT相同结构的开关TFT(未示出)也形成在第一基板210上。此外，与驱动TFT DrT的电极(即，源极280)相连的电源电极(未示出)形成在第一基板210上。电源电极与电容电极交叠，其间有绝缘层由此形成存储电容。
在本发明中，驱动TFT DrT和开关TFT具有顶栅结构，其中半导体层272由多晶硅构成。然而，驱动TFT DrT和开关TFT可以具有栅极直接形成在基板上的底栅结构。在这种情况下，半导体层可以由非晶硅或多晶硅构成。
在步骤ST2中，在第二基板230的基本整个表面上形成第一电极232。因此，可以选择各种材料作为第一电极232，并且容易进行这些处理。优选地，第一电极232由具有较高功函数的透明导电材料形成。
在步骤ST3中，在第一电极232上形成绝缘图案235。该绝缘图案235与形成连接图案214的区域对应。连接图案214将第一基板210的连接电极212与随后要形成的第二基板230的第二电极相连。考虑到接合边缘，连接图案214的面积等于或大于形成有连接图案214的区域的面积。
同时，可在绝缘图案235上形成隔墙239。在这种情况下，隔墙239可沿着子像素的外缘部分形成。绝缘图案235具有与隔墙239相同的形状，并具有更大的尺寸。可在对应于隔墙239的垂直部分或水平部分或者仅在对应于连接图案214的部分中形成绝缘图案235。绝缘图案235可由无机材料形成并且可以通过使用遮挡掩模在期望的区域中形成。
此外，在步骤ST3中，在绝缘图案235上形成隔墙239。隔墙239可以具有围绕子像素的矩阵形式或者具有设置在垂直相邻的子像素或水平相邻的子像素之间的线形。如上所述，隔墙239具有比绝缘图案235小的尺寸。
在步骤ST4中，依次在第一电极232上形成红光、绿光和蓝光有机EL层234a、234b和234c。有机EL层234a、234b和234c可以利用遮挡掩模通过喷墨法、喷嘴涂覆法或淀积法而形成。有机EL层234a、234b和234c可以是分别对应于各个子像素的图案或者可以是相邻的相同颜色子像素中的线形连接层。有机EL层234a、234b和234c没有形成在形成有绝缘图案235的区域。因此，绝缘层235设置在相邻的有机EL层234a、234b和234c之间。
各个有机EL层234a、234b和234c包括发光层，空穴注入层，空穴传输层，电子注入层和电子传输层。
在步骤ST5中，在各个有机EL层234a、234b和234c上形成第二电极236。第二电极236可以通过使用遮挡掩模在各个子像素处分别形成，该第二电极236被形成为覆盖有机EL层234a、234b、234c中的一个和绝缘图案235。另一方面，当隔墙239被形成为矩阵形式时，由于隔墙239，可以将第二电极236形成为淀积在第二基板230的基本整个表面上。第二电极236可以由具有较低功函数的不透明金属材料形成。
在步骤ST6中，形成连接图案214来电连接第一基板210和第二基板230，更具体地，电连接TFT DrT和第二电极236。连接图案214可以形成在第一基板210和第二基板230之一上。即，连接图案214可以形成在第一基板210的连接电极212上或者可以形成在第二基板230的第二电极236上，以使得连接图案214对应于绝缘图案235。
在一个实施例中，为了防止有机EL层234a、234b和234c的损坏，在第一基板210上形成连接图案214。下面说明在第一基板210上形成连接图案214的情况。
连接图案214形成在与驱动TFT DrT的漏极(未示出)相连的连接电极212上，并接触连接电极212。连接图案214的预定厚度使得第一基板210和第二基板230之间的间隔保持一致。由此，可以通过在第一基板210的整个表面上淀积具有一定厚度的金属材料，然后通过掩模工艺对该金属材料构图，来形成连接图案214，该掩模工艺包括涂覆光刻胶、使用掩模使光刻胶曝光，对曝光后的光刻胶进行显影，以及对金属材料进行蚀刻。一个实施例的连接图案214具有大约10μm2至大约20μm2的接触面积。如果连接图案214具有更大的接触面积，则子像素的孔径比将进一步降低。
在步骤ST7中，将第一基板210和第二基板230接合。首先，在第一基板210和第二基板230的外缘部分之一上形成密封剂图案(未示出)。接着，在大约10-2托至大约10-3托的真空下将第一基板210和第二基板230面对面排列，以使得接触连接电极212的连接图案214对应于绝缘层235上的第二电极236。通过在第一基板210和第二基板230的外缘部分上使用密封剂图案将第一基板210和第二基板接合，以完成有机电致发光显示(OELD)器件。连接图案214与绝缘图案235交叠。此外，在步骤ST7中，在OELD器件内部形成干燥剂以防止湿气透入OELD器件。
图11示出了OELD器件的另一实施例。与其它实施例类似，第一基板210和第二基板230间隔开并通过密封剂图案(图6A中的240)互相接合。在第一基板的内表面上形成选通线和数据线，以限定子像素SbP。在各个子像素SbP中，形成阵列元件220。阵列元件220包括用作开关元件的至少一个开关薄膜晶体管(TFT)(未示出)、控制有机电致发光(EL)二极管的至少一个驱动TFT DrT，以及连接到驱动TFT DrT的连接电极212。连接电极212可以从驱动TFT DrT的漏极(未示出)延伸出，或者可以是形成为与驱动TFT DrT的漏极相连的独立图案。
在第二基板230的内表面上的各个子像素中形成有机EL二极管E。有机EL二极管E包括依次排列的红光、绿光或蓝光有机EL层234a、234b和234c。有机EL二极管还包括第一电极232和第二电极236。第一电极232形成在第二基板230的基本整个表面上，各个有机EL层234a、234b和234c形成在第一电极232上的各个子像素中，第二电极236形成在各个有机EL层234a、234b和234c上。第一电极232可用作公共电极。有机EL层234a、234b和234c与第二电极236分别形成各个子像素SbP中。在各个子像素SbP中形成绝缘图案235以及形成在该绝缘图案235上的隔墙239。
如图所示，隔墙239沿着子像素的外缘部分形成。如图11所示，隔墙239被设置为与绝缘图案235相邻但并不超过绝缘图案235，然而在与图10相似的另一实施例中，隔墙239可以被设置为超过绝缘图案235。隔墙239既隔开了相邻的第二电极236，又隔开了相邻的有机EL层234a、234b和234c。即，与图10中所示的实施例不同，有机EL层234a、234b和234c不在绝缘图案235处终止。相反，有机EL层234a、234b和234c在绝缘图案235上延伸至连接图案214与第二电极236接触的区域中。尽管有机EL层234a、234b和234c延伸到接触点中，但是其下方的绝缘图案235用作缓冲层并且有效地减少了有机EL层234a、234b和234c上的应力。此外，尽管这会对位于该接触点和绝缘图案235之间的有机EL层234a、234b和234c的特性产生不利的影响，但由于绝缘图案235是不透明的，对有机EL层234a、234b和234c产生影响的区域位于子像素的非显示区中，即，使用者能够看到图像的子像素的显示区以外的区域。此外，由于有机EL层234a、234b和234c具有由于绝缘图案235而产生的台阶，所以可以有效地减小其上的应力和不利影响。
如图10中的实施例所示，绝缘图案235具有与隔墙239相同的形状和更大的尺寸。可以在对应于隔墙239的垂直部分或水平部分，或者仅在对应于连接图案214的部分中形成绝缘图案235。绝缘图案235可以由无机材料形成，并且可以通过使用遮挡掩模在所期望的区域中形成。
类似地，连接图案214由具有延展性和较低的电阻率的导电材料构成。另选地，连接图案214由有机材料和覆盖该有机材料的导电材料构成。当第二电极236用作阴极时，第二电极236可以由具有较低功函数的不透明金属材料构成，例如，铝或铝合金，以防止由于从有机EL层234a、234b和234c发出的光的反射而引起的相长干涉。
根据本发明，由于有机EL二极管和薄膜晶体管形成在不同的基板上，所以可以提高器件的生产率和生产控制效率。此外，有机EL层不与连接有机EL二极管和薄膜晶体管的连接图案交叠，从而防止由于连接图案的接触压力而引起有机EL层的损坏。因此，可以延长有机EL二极管的使用寿命。此外，由于OELD器件是顶部发光型，因此可以容易地设计薄膜晶体管，并可以达到高孔径比和高图像分辨率。
对本领域技术人员来说，在不偏离本发明的精神和范围的情况下对本发明的有机电致发光显示器件及其制造方法进行各种修改和变型是显而易见的。因此，本发明旨在覆盖所附权利要求及其等价物的范围之内的本发明的修改和变型。
本发明要求2004年9月17日在韩国提交的韩国专利申请No.P2004-0074393号的优先权，在此通过引用将其并入。

Claims (42)

1、一种双板型有机电致发光显示器件，包括：
第一基板，其上有互相交叉的选通线和数据线以限定子像素；
阵列元件，设置在所述第一基板上的至少一个子像素处；
与所述第一基板相对的第二基板；
第一电极，设置在所述第二基板的基本整个表面上；
绝缘图案，设置在所述第一电极上的所述至少一个子像素处；
有机电致发光层，设置在所述第一电极上的所述至少一个子像素内；
第二电极，设置在所述至少一个子像素处的所述有机电致发光层上；以及
连接图案，电连接所述阵列元件和所述第二电极，并具有与所述第二电极接触的接触区域，所述绝缘图案在所述接触区域处位于所述第一电极和所述第二电极之间，
其中，所述有机电致发光层不与所述连接图案交叠。
2、根据权利要求1所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述阵列元件包括与所述连接图案接触的连接电极。
3、根据权利要求2所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述阵列元件包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管。
4、根据权利要求3所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述连接电极连接到所述驱动薄膜晶体管的漏极。
5、根据权利要求3所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述连接电极延伸自所述驱动薄膜晶体管的漏极。
6、根据权利要求1所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述绝缘图案具有第一宽度并具有矩阵形式。
7、根据权利要求6所述的双板型有机电致发光显示器件，进一步包括所述绝缘图案上的隔墙，所述隔墙具有比所述绝缘图案的第一宽度窄的第二宽度，以露出子像素内的一部分绝缘图案。
8、根据权利要求7所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述第二电极覆盖子像素内的所述一部分绝缘图案。
9、根据权利要求8所述的双板型有机电致发光显示器件，其中子像素内的所述一部分绝缘图案比所述连接图案的接触区域宽。
10、根据权利要求1所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述绝缘图案的尺寸比所述连接图案的接触区域大。
11、根据权利要求1所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述连接图案的接触区域在大约10μm2至大约20μm2的范围内。
12、根据权利要求1所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述连接图案由延性导电材料形成。
13、根据权利要求1所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述连接图案由有机材料和覆盖该有机材料的导电材料形成。
14、根据权利要求1所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述第一电极具有比所述第二电极高的功函数，并且所述第一电极由透明导电材料形成。
15、根据权利要求1所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述第二电极具有比所述第一电极小的功函数，并且所述第二电极由不透明的导电材料形成。
16、根据权利要求1所述的双板型有机电致发光显示器件，其中在各个子像素内设置有有机电致发光层，各个有机电致发光层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层，以及红光、绿光、蓝光发光层。
17、根据权利要求1所述的双板型有机电致发光显示器件，进一步包括在所述第一基板和所述第二基板的外缘部分上的密封剂图案。
18、根据权利要求1所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述有机电致发光层设置在所述绝缘图案和所述连接图案之间。
19、一种制造双板型有机电致发光显示器件的方法，所述方法包括：
在第一基板上形成互相交叉的选通线和数据线以限定子像素；
在所述第一基板上的至少一个子像素处形成阵列元件，所述阵列元件包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管；
在第二基板的基本整个表面上形成第一电极；
在所述至少一个子像素处，在所述第一电极上形成绝缘图案；
在所述至少一个子像素内，在所述第一电极上形成有机电致发光层；
在所述至少一个子像素处，在所述有机电致发光层上形成第二电极；
在所述至少一个子像素处形成与所述驱动薄膜晶体管连接的连接图案；以及
将所述第一基板和第二基板接合，以使得所述连接图案接触所述绝缘图案上的所述第二电极。
20、根据权利要求19所述的方法，进一步包括形成与所述驱动薄膜晶体管和所述连接图案连接的连接电极。
21、根据权利要求20所述的方法，其中所述连接电极与所述驱动薄膜晶体管的漏极电连接。
22、根据权利要求19所述的方法，其中所述绝缘图案具有第一宽度，并具有矩阵形式。
23、根据权利要求22所述的方法，进一步包括在所述绝缘图案上形成隔墙，所述隔墙具有比所述绝缘图案的第一宽度窄的第二宽度，以露出子像素内的一部分绝缘图案。
24、根据权利要求23所述的方法，其中所述第二电极覆盖子像素内的所述一部分绝缘图案。
25、根据权利要求19所述的方法，其中通过利用遮挡掩模的淀积方法将所述有机电致发光层形成为使其不与所述绝缘图案交叠。
26、根据权利要求19所述的方法，其中在所述至少一个子像素处，所述第二电极比所述有机电致发光层大。
27、根据权利要求19所述的方法，进一步包括在所述第一基板和第二基板的外缘部分上形成密封剂图案。
28、根据权利要求19所述的方法，其中所述有机电致发光层设置在所述绝缘图案和所述连接图案之间。
29、一种双板型有机电致发光显示器件，包括：
第一基板，其上有互相交叉的选通线和数据线以限定子像素；
在所述第一基板上设置的阵列元件；
与所述第一基板相对的第二基板；
在所述第二基板上设置的第一电极；
在所述第一电极上设置的有机电致发光层；
在所述有机电致发光层上设置的第二电极；以及
电连接所述阵列元件和所述第二电极的连接图案，所述连接图案在子像素中的显示区域以外的一位置处与所述第二电极接触。
30、根据权利要求29所述的双板型有机电致发光显示器件，其中在各个子像素处设置有阵列元件、第一电极、有机电致发光层、第二电极和连接图案。
31、根据权利要求30所述的双板型有机电致发光显示器件，其中相邻的第二电极由真空隔开。
32、根据权利要求30所述的双板型有机电致发光显示器件，进一步包括隔开相邻的第二电极的绝缘隔墙。
33、根据权利要求32所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述连接图案与所述绝缘隔墙相邻。
34、根据权利要求30所述的双板型有机电致发光显示器件，其中相邻的阵列元件由真空隔开。
35、根据权利要求29所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述阵列元件包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管，并且所述连接电极连接到所述驱动薄膜晶体管的漏极。
36、根据权利要求29所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述连接图案由延性导电材料形成。
37、根据权利要求29所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述连接图案由有机材料和覆盖该有机材料的导电材料形成。
38、根据权利要求29所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述第一电极具有比所述第二电极高的功函数，并且所述第一电极由透明导电材料形成。
39、根据权利要求29所述的双板型有机电致发光显示器件，进一步包括在所述第一基板和所述第二基板的外缘部分上的密封剂图案。
40、根据权利要求29所述的双板型有机电致发光显示器件，其中在所述第一电极和所述第二电极之间的所述连接图案接触所述第二电极的位置处，没有设置有机电致发光层。
41、根据权利要求29所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述第二电极具有比所述第一电极小的功函数，并且所述第二电极由不透明的导电材料形成。
42、根据权利要求29所述的双板型有机电致发光显示器件，其中所述有机电致发光层设置在所述绝缘图案和所述连接图案之间。
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