CN101127368B - 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管 - Google Patents
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- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title description 78
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 47
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 96
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 28
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 5
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N gallium nitrate Chemical compound [Ga+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 3
- 229940044658 gallium nitrate Drugs 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N [Au]=O Chemical compound [Au]=O KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aluminium gallium nitride Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 3-(trimethylsilyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound C[Si](C)(C)CCCS(O)(=O)=O TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N bromo(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)Br IYYIVELXUANFED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
- H01L29/475—Schottky barrier electrodes on AIII-BV compounds
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
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- H01L29/872—Schottky diodes
- H01L29/8725—Schottky diodes of the trench MOS barrier type [TMBS]
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
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- H01L29/88—Tunnel-effect diodes
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
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Abstract
本发明揭示了具有低通态压(Vf)和可将反向电流(Irev)维持在相对低的结构的创新的以III族为基的二极管。本发明的一实施例是由费米能级(或表面电势)不固定的氮化镓材料系统制成的肖特基势垒二极管(10)。在金属-半导体接面的势垒电压(33)随所使用的金属(16)类型而改变，而使用特定的金属会降低二极管的肖特基势垒电压(33)并使Vf落在0.1-0.3伏特的范围内。在另一实施例(40)中，一沟槽结构(45)在肖特基二极管半导体材料(44)上形成以降低反向漏电电流，其含有多个在相邻沟槽之间具有平台区域(49)的互相平行、间距相等的沟槽(46)。本发明的第三实施例提供一具有起因于电子穿隧过而非超越过势垒电压(81)的低Vf的氮化镓隧道二极管。一实施例(120)也可以有一沟槽结构(121)来降低漏电电流。
Description
本发明专利申请是国际申请号为PCT/US02/21702，国际申请日为2002年7月8日，进入中国国家阶段的申请号为02817912.9，名称为“具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及二极管，更明确地说，本发明涉及显示出改善的正向电压和反向漏电电流特性的氮化镓基底的二极管。
背景技术
整流二极管是低电压转换、电源供应、电源转换器和相关的应用中最广为使用的器件之一。要达到最有效率的操作，最好能使二极管有低通态压(0.1-0.2伏特或更低)、低反向漏电电流、高电压阻断能力(20-30伏特)和高转换速度。
最常见的二极管是由具有引入不纯成分的硅(Si)，在一控制的模式下来调整该二极管的操作特性所制成的pn接面二极管。二极管也可以由例如砷化镓(GaAs)和碳化硅(SiC)等其他半导体材料来形成。接面二极管的一个缺点是在正向传导期间，二极管的电力损失在大电流量时会变得相当大。
肖特基整流二极管是一种特别形式的整流二极管，其由一可整流的金属-半导体势垒区域所构成，而非一pn接面。当金属接触半导体，一势垒区域会被形成在两者间的接面处。当被正确地制造时，该势垒区域会将电荷储存效应降到最小并藉由缩短关闭(turn-off)时间来促进二极管的转换[L.P.Hunter，半导体器件第1-10页(1970年)的半导体材料、器件、和电路物理]。常见的肖特基二极管具有比pn接面二极管低的开启电压(约0.5伏特)，并且二极管中的能量损失会对系统造成显著冲击的应用上(例如转换电源供应内的输出整流器)是较希望被使用的。
传统的肖特基二极管将通态压降至低于0.5伏特的方法之一是降低它们的表面势垒电压。但是，这会导致反向漏电电流的增加。此外，降低的势垒位能差会降低高温操作的品质并且导致反向偏压操作下的软性崩溃特性(soft breakdowncharacteristics)。
并且，肖特基二极管通常是由砷化镓所制成，这种材料的一个缺点是其费米能级(或表面电势)是不变的或固定在约0.7伏特左右。因此，开启状态正向电压(Vf)是固定的。无论用来接触半导体的金属是何种型式，表面电势都无法降低至低于Vf。
近来，硅基底的肖特基整流二极管已被发展成具有较低的Vf。(IXYS公司，硅基底电源肖特基整流器，零件编号DSS 20-0015B；国际整流器，硅基底肖特基整流器，零件编号11DQ09)。这些装置的肖特基势垒表面电势约在0.4伏特，且具有约在0.3-0.4伏特的较低极限的Vf。在实际的效用上以正规的使用钛的金属化方法处理时最低可达到的肖特基势垒电压在0.4伏特左右。这导致电流密度在100安培/平方厘米的约在0.25伏特的Vf。
其他具有操作电流密度在100安培/平方厘米的约0.25伏特的Vf的混合结构(具有0.58伏特的势垒位能)也有披露。(M.Mehrotra、B.J.Baliga，「沟槽金氧半势垒肖特基(TMBS)整流器」，国际电子器件会议，1993年)。这样的一个设计是具有用来修饰电场以最小化反向漏电的pn接面的接面势垒控制的肖特基整流器。另一种装置是沟槽金氧半势垒整流器，其中沟槽和金氧半势垒的功能是用来调整电场量变(profile)。此装置的一个缺点是由pn接面所导致的电容。并且，在以III族氮化物为基的装置内制造pn接面是有点困难的。
氮化镓(GaN)材料系统已被使用在例如高效蓝光和绿光发光二极管和雷射的光电装置内，以及例如高功率微波电晶体的电子装置内。氮化镓有3.4电子伏特(eV)宽的直接能隙，高电子速度(2×107厘米/秒)，高崩溃场(breakdown field)(2×106伏特/厘米)和异质结构的可得性。
发明内容
本发明提供具有低Vf的创新的以III族氮化物为基的二极管。创新的二极管的实施例也包括用来保持相对低的反向电流(Irev)的结构。
创新的二极管较佳者是由氮化镓材料系统形成，并且不像由例如砷化镓的材料所制造的传统的二极管一般，氮化镓的费米能级(或表面电势)并不固定在其表面能态。在氮化镓肖特基二极管中，金属-半导体接面的势垒高度是依据使用的金属类型而定。使用特别的金属将会降低二极管的肖特基势垒高度并使Vf落在0.1-0.3伏特的范围内。
创新的氮化镓肖特基二极管通常包含一n+的氮化镓层在衬底上，以及一n-的氮化镓层在该n+的氮化镓层的相对于该衬底的一侧上。电阻金属接点是包含在该n+氮化镓层上，与该n-氮化镓层隔离，并且一肖特基金属层是被包含在该n-氮化镓层上。要被整流的讯号通过该肖特基金属和电阻金属接点施加至该二极管。当该肖特基金属被沉积在该n-氮化镓层上时，一势垒电压便在该n-氮化镓在两者之间的表面上形成。该肖特基金属层有一功函数，其决定了该势垒电压的高度。
使用可以降低肖特基势垒电压的金属会导致低的Vf，但也会导致Irev不想要的增加。本发明的第二实施例藉由在该二极管的表面上包含一沟槽结构来降低Irev。本结构防止了该创新的二极管在反向偏压下电场的增加。因此，肖特基势垒电压降低了，因而有助于降低Irev。
该沟槽结构较佳者是形成在该n-氮化镓层上，而且含有一些在相邻沟槽之间具有平台区域的互相平行、间距相等的沟槽。每一个沟槽的侧壁和底表面上都有一绝缘层。一连续的肖特基金属层是在该沟槽结构上，覆盖该绝缘层和沟槽之间的平台。或者，每一个沟槽的侧壁和底表面可以用金属而非绝缘体来覆盖，并且该金属与该肖特基金属是电隔离的。该平台区域选用的掺杂浓度和宽度可在该金属-半导体接点下产生想要的电场重新分配。
本发明的第三实施例提供一具有因电子穿隧过(而非越过)该势垒电压而形成低Vf的氮化镓隧道二极管(tunnel diode)。本实施例具有一衬底，一n+氮化镓层夹在该衬底和一n-氮化镓层之间。一氮化铝镓(AlGaN)势垒层被包含在与该n+氮化镓层相对的该n-氮化镓层上。一电阻接点被包含在该n+氮化镓层上，并且一顶部接点是被包含在该氮化铝镓层上。待整流的讯号被施加在该电阻和顶部接点之间。
在该势垒层不同的厚度和铝摩尔系数导致不同的正向和反向操作特性下，该势垒层的设计可将正向穿隧可能性最大化。在一特定的厚度和铝摩尔系数下，该二极管有低的Vf和低的Irev。使用较厚的势垒层和/或增加铝克分子浓度则降低了Vf并增加了Irev。当厚度或克分子比进一步增加，该创新的二极管会呈现电阻操作特性，或变成一传统的肖特基二极管。
本发明的这些和其他进一步的特色和优点由如下的详细说明，与附随的图示一起，对那些熟知技艺者来说会变得显而易见，其中：
附图说明
图1是本发明的一氮化镓肖特基二极管实施例的剖面图；
图2是一图表，其显示一般金属的功函数与其原子序的关系；
图3是图1中所示的二极管的能带图；
图4是图1的氮化镓肖特基二极管的另一个实施例的剖面图，具有一沟槽结构以降低反向漏电电流；
图5是本发明的一隧道二极管实施例的剖面图；
图6是图5的隧道二极管具有一22埃厚度和30％铝摩尔系数的势垒层的能带图；
图7是一图表，其显示具有图6的能带图的该创新的隧道二极管的电压/电流特性；
图8是图5的隧道二极管具有一30埃厚度和30％铝摩尔系数的势垒层的能带图；
图9是一图表，其显示具有图8的能带图的该创新的隧道二极管的电压/电流特性；
图10是图5的隧道二极管具有一38埃厚度和30％铝摩尔系数的势垒层的能带图；
图11是一图表，其显示具有图10的能带图的该创新的隧道二极管的电压/电流特性；及
图12是本发明的一隧道二极管实施例的剖面图，具有一沟槽结构以降低反向漏电电流。
较佳实施例的描述
图1显示一根据本发明所制造的具有降低的金属至半导体势垒电压的肖特基二极管10。该创新的二极管是由以III族氮化物为基的材料系统或其他费米能级不固定在其表面能态的材料系统所形成。III族氮化物是指那些由氮和周期表的III族内的元素，通常是铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)所形成的半导体化合物。该词也指三元(ternary)和特(tertiary)化合物，例如氮化铝镓和氮化铝铟镓(AlInGaN)。对于该创新的二极管来说较佳的材料是氮化镓和氮化铝镓。
该创新的二极管10含有一衬底11，其若不是蓝宝石(Al2O3)、硅，就是碳化硅，且较佳的衬底是一4H多型结构(polytype)的碳化硅。其他多型结构的碳化硅也可以被使用，包含3C、6H和15R多型结构。一AlxGa1-xN缓冲层12(其中x在0和1之间)被包含在衬底11上，并在碳化硅衬底和二极管10的其他的结构之间提供一适当的晶格结构过渡。
碳化硅对III族氮化物有比蓝宝石更为接近的晶格结构匹配并使III族氮化物薄膜具有较高的品质。碳化硅也有非常高的热传导性以至于在碳化硅上的III族氮化物元件的总输出功率不会被衬底的散热所限制(如一些在蓝宝石上所形成的元件的情况)。并且，碳化硅衬底的实用性为元件隔离和降低的寄生电容提供了空间，使得元件商业化成为可能。碳化硅衬底可自北卡罗莱纳州(North Caro1ina)达拉谟(Durham)的克里研究公司(Cree Research，Inc.)取得，其制造方法在科学文摘(scientific literature)以及美国专利第34,861、4,946,547和5,200,022中被提到。
该创新的二极管10在衬底11上有一n+氮化镓层12，以及一n-氮化镓层13在该n+氮化镓层12相对衬底11的另一侧上。n+层12被高度掺杂至浓度为至少每立方厘米(cm3)1018，而较佳浓度是这个数目的5至10倍。n-层13有较低的掺杂浓度，但仍然是n-型并且杂质浓度最好是在每立方厘米5×1014至5×1017的范围内。n-层13的厚度最好为0.5至1微米，且n+层12的厚度为0.1至1.5微米，虽然其他厚度也可以使用。
n-氮化镓层13的某些部分被蚀刻至n+层的位置，并且电阻金属接点14a和14b是被包含在蚀刻区域内的n+氮化镓层上，以使其与n-氮化镓层13电隔离。在另一个实施例中，一或多个电阻接点可以被包含在没有被n+氮化镓层12所覆盖的衬底的表面上。该实施例对并非n型的衬底特别适用。一肖特基金属层16被包含在n-氮化镓层13相对n+氮化镓层12的一侧上。
金属的功函数是在一真空中自金属除去一电子所需要的能量，而材料的费米能级是有50％可能性找到带电载子的能级。半导体的电子亲和力是真空能级和导带能级之间的差异。
如上所述，氮化镓的表面费米能级是不固定的，因此，有不同功函数的肖特基金属会导致不同的势垒电压。势垒电压由以下公式估计：
势垒高度＝功函数-半导体的电子亲和力
图2是一图表20，显示了真空内各种金属表面的金属功函数21与个别金属原子序22之间的关系。选择的金属应该具有低的肖特基势垒电压和低的Vf、但要高到足以使反向电流维持在低的程度。例如，若被选择的金属具有与半导体的电子亲和力相当的功函数，势垒电压则会接近零。这会导致Vf接近零，同时也增加了二极管的反向电流，使得该二极管在本质上成为电阻的并且无法提供整流的作用。
可以使用许多不同的金属以达到低的势垒高度，较佳的金属包括钛(4.6功函数)23、铬(4.7)24、铌(4.3)25、锡(4.4)26、钨(4.6)27和钽(4.3)28。铬24导致可接受的势垒电压并且可藉由传统的方法轻易地沉积。
图3显示了一从该创新的肖特基势垒二极管穿过的一垂直线上得到的典型的能带图30。该图显示了肖特基金属31、氮化镓半导体层32和肖特基势垒电压33的能级。
在用肖特基金属接点氮化镓半导体材料之前，两者的费米能级是不同的。一旦发生接触且两种材料变成一单一热力系统后，该系统的单一的费米能级就会产生。这是藉由电子从具有较高的费米能级的半导体材料流动到具有较低的费米能级的肖特基金属所导致。半导体的电子藉由流动至金属来降低他们的能量。这使得半导体的离子化施体能级数稍微超过其自由电子数，因此该半导体会有净正电荷。自半导体流至金属内的电子致使该金属具有负静电荷。半导体的能级因此被降低，而金属的则提高了。此电子表面电荷的存在以及半导体的非中和的电荷离子化施体能级的存在产生形成势垒电压的偶极层。
在操作上，待由该创新的肖特基二极管10整流的讯号通过肖特基金属层16和电阻接点14a和14b被施加。讯号整流起因于n-氮化镓层13表面的势垒电压的存在，其抑制了半导体内电荷粒子的流动。当肖特基金属层16相对于半导体是正的时(正向偏压)，势垒的半导体侧上的能量会提高。然后，导带上大量的自由电子于是可以流动至金属内。半导体侧的能量升得越高，势垒顶部上面的一能量处电子就越多，直到最后，在大的偏压电压下，半导体内自由电子的整个分布可以超越势垒。电压对电流的特性在本质上成为电阻。势垒越低，需要超越势垒的Vf就越低。
但是，如上所讨论，降低势垒能级也会增加反向漏电电流。当半导体相对于金属是正的时(反向偏压)，势垒的半导体侧相对于金属侧是低的，以至于电子能够自由流动通过势垒的顶部无阻碍地到达半导体。在势垒顶部上方的金属中存在的电子数量与半导体内的电子总数比较起来通常是非常少的。结果导致非常低的电流特性。当电压大到足够可以切断所有流动的电子时，电流会饱和。势垒电压越低，需要用来使电流饱和的反向偏压就越低。
图4显示了该创新的氮化镓肖特基二极管40的另一个实施例，其利用降低势垒高度来处理反向电流增加的问题。二极管40与上面的实施例是相似的，具有一相似的衬底41、n+氮化镓层42、和电阻金属接点43a和43b，它们也可以被包含在衬底的表面上。其也具有一n-氮化镓层44，但是此层并非是平面的，其具有在n-氮化镓层内包含沟槽46的二维沟槽结构45。较佳的沟槽结构45包含互相平行且间距相等并具有保留在相邻沟槽之间的平台区域49的沟槽46。每一沟槽46都有一覆盖其侧壁46a和底表面46b的绝缘层47。许多不同的绝缘材料可以被使用，较佳的材料是氮化硅(SiN)。一肖特基金属层48被包含在整个沟槽结构45上方，将绝缘层夹在肖特基金属和沟槽侧壁及底表面之间，并覆盖住平台区域49。该平台区域在肖特基金属和n-氮化镓层44之间提供直接接触区域。或者，每一个沟槽可以用金属代替绝缘体来覆盖。在此实施例中，肖特基金属应该是与沟槽金属绝缘和/或隔离开来。
平台区域49具有被选择以在平台的金属-半导体接面下产生电场重新分配的掺杂浓度和宽度。这导致二极管电场的峰值被推移开肖特基势垒并且强度减少。这在减少势垒降低的同时增加了反向偏压电压，其帮助防止反向漏电电流急速增加。
此重新分配的发生是因为在平台49内的电荷与在顶表面上的肖特基金属层48以及与在沟槽侧壁46a和底表面46b上的金属的耦合。然后，该损耗从顶表面(如在一传统的肖特基整流器内)和沟槽侧壁46a延伸，从侧壁损耗传导区域。该侧壁损耗降低了肖特基金属层48下的电场，并且也可以被想成是『去掉』了反向漏电电流。沟槽结构45将该反向漏电电流保持在相对低的程度，甚至包括低的势垒电压和低的Vf。
较佳的沟槽结构45具有宽度为该肖特基势垒区域宽度的一至两倍的沟槽46。因此，若势垒区域是0.7至1.0微米，沟槽宽度可以在0.7至2微米的范围内。
上述的二极管10和40是利用已知技术来制造。它们的n+和n-氮化镓层藉由已知的沈积技术沉积在衬底上，包括但不限于有机金属化学气相沉积(MOCVD)。对于二极管10，n-氮化镓层13藉由已知的蚀刻技术蚀刻至n+氮化镓层12的位置，例如化学、反应离子蚀刻(RIE)、或离子研磨蚀刻(ion mill etching)。肖特基金属层16和电阻金属层14a和14b是藉由标准金属化技术形成在该二极管10上。
至于二极管40，在n+和n-层42和44被沉积在衬底上之后，n-氮化镓层44藉由化学或离子研磨蚀刻来蚀刻以形成沟槽46。n-氮化镓层44为了电阻金属43a和43b进一步被蚀刻至n+氮化镓层42的位置。然后，氮化硅绝缘层47被沉积在整个沟槽结构45的上方，且将该氮化硅层在平台49的部分蚀刻掉。作为最后一个步骤，一连续的肖特基金属层48利用标准金属化技术被形成在沟槽结构45的上方，覆盖绝缘层47和暴露出来的沟槽平台49。电阻金属也利用标准金属化技术被形成在n+氮化镓层42上。在以金属覆盖沟槽的沟槽二极管的实施例中，该金属也可以利用标准金属化技术来沉积。
隧道二极管
图5显示了该创新的二极管的另一个实施例50，其中Vf是低的，因为在正向偏压下电子穿隧通过势垒区域。藉由穿隧通过该势垒，电子不需要藉由传统热电子放射越过势垒的方式来通过该势垒。
就像图1和图4中的实施例，该创新的隧道二极管50是由以III族氮化物为基的材料系统所形成，并且较佳者是由氮化镓、氮化铝镓、或氮化铟镓形成，但是其他的材料系统也可以使用。极性和非极性材料的组成物可以被使用，包括极性材料在极性材料上和极性材料在非极性材料上。这些材料的一些例子包括复合极性氧化物，例如钛酸锶、铌酸锂、钛酸铅锆，以及非复合/二元氧化物，例如氧化锌。材料可以被用在硅或任何硅/介电质堆叠，只要穿隧电流是许可的。
该二极管50具有一个若不是由蓝宝石、碳化硅(SiC)，就是由硅所组成的衬底51，其中基于上面所述的原因，碳化硅是较佳的衬底材料。该衬底上具有一n+氮化镓层52，在n+氮化镓层52相对衬底51的一侧上具有一n-氮化镓层53。一氮化铝镓势垒层54被包含在n-氮化镓层相对n+氮化镓模板层52的一侧上。在二极管50的边缘上，势垒层54和n-氮化镓层53被向下蚀刻至n+氮化镓层52处，并且电阻金属接点55a和55b被包含在n+氮化镓层52上的蚀刻区域内。如前面的结构般，该电阻接点也可以被包含在衬底的表面上。一金属接点层56被包含在氮化铝镓势垒层54上相对n-氮化镓层53的一侧上。待整流的讯号通过该电阻接点55a和55b以及顶部金属接点56被施加。
该氮化铝镓势垒层54起穿隧势垒的作用。通过势垒的隧道效应是一个量子力学的现象，并且可以使势垒层54的厚度和铝摩尔系数两者皆不同，使正向穿隧性能达到最大。氮化铝镓-氮化镓材料系统具有内嵌的压电应力，其导致压电偶极。通常压电应力和诱导电荷两者会随着势垒层的厚度而增加。在正向偏压时，来自该压电电荷的电子加强了穿隧，因为它们对传导来说是有助益的，以至于可以发生穿隧的能态数目增加了。因此，该创新的隧道二极管可以由其他显示此类型压电电荷的极性材料来制造。
但是，在反向偏压下，压电电荷也容许反向漏电电流增加。势垒层的厚度越厚或增加的铝摩尔系数越多，会导致Vf降低，但是也导致Irev增加。因此，该势垒层的一特定的铝摩尔系数具有一较佳的势垒层厚度，可以达到低Vf和相当低的Irev的操作特性。
图6-11显示该创新的二极管在具有30％的铝的三种不同的氮化铝镓势垒层厚度下的整流特性。每一个厚度都有一能带图和一相应的电压与电流的关系图。
图6显示该隧道二极管50具有22埃厚的势垒层54的能带图60。图中示出在势垒层63和n-氮化镓半导体层62之间的接面处的典型的势垒电压61。顶部接点金属64是在势垒层63相对半导体层的一侧上。图7显示一图表70，该图绘制出图6中的二极管相应的电流对电压特性。其具有一约在0.1伏特的Vf71和低反向电流(Irev)72。
图8显示相同的隧道二极管具有30埃厚的势垒层的能带图80。增加的势垒层厚度增加了势垒区域的压电电荷，从而增强穿透势垒的隧道效应。这使得在势垒层82和n-氮化镓层83之间的接面处的势垒电压81变平。当施加正向偏压时电荷不需要克服该势垒，大幅地降低了二极管的Vf。但是，变平的势垒也容许了反向漏电电流(Irev)的增加。图9是一图表90，它显示Vf91比图7中的Vf要低。并且，Irev92与图7中的Irev相较是增加的。
图10显示相同的隧道二极管具有38埃厚的势垒层的能带图100。再一次，增加的势垒层厚度增加了势垒区域的压电电荷。在此厚度下，在势垒层102和n-氮化镓层103之间的势垒电压101缩小接近该势垒层和n-氮化镓层之间接面处，这导致对于正向和反向偏压两者的电荷来说皆没有势垒。图11显示一相应的电流对电压特性的图表110。二极管100在正向和反向偏压下经受了直接的正向和反向电流，使得该二极管本质上变为电阻。
在势垒层中的铝克分子浓度不同的情况下，要达到图6至11中所示的特性时，该势垒层的厚度就会不同。
图12显示具有一沟槽结构121以降低漏电电流的创新的隧道二极管120。如上面的肖特基二极管40，该沟槽结构包含一些互相平行、间距相等的沟槽122，但是在这个隧道二极管中，它们被蚀刻穿过氮化铝镓势垒层123和n-氮化镓层124，至n+氮化镓层125(AP氮化镓模板)。在相邻的沟槽122之间有平台区域126。沟槽侧壁和底表面具有一绝缘层127，并有顶部肖特基金属层128覆盖住整个沟槽结构121。该沟槽结构的作用方式与上述的实施例相同，降低了反向电流。这对具有一在正向一电压下会产生直接正向电流的势垒层厚度的隧道二极管来说是有用的。藉由使用沟槽结构，该二极管也可以有改善的反向漏电电流。也如同上述般，沟槽侧壁和底表面也可以被一金属覆盖，只要其与该肖特基金属层128隔离开来。
虽然已参照特定的较佳实施样态对本发明作了相当详细的描述，其他的变型是可能的。因此，附加的权项的精神和范围不应该被限制在说明书内所描述的较佳实施样态。
图中标号的简单说明
10 肖特基二极管
11，41，51 衬底
12，42，52，125 n+氧化镓层
13，44，53，62，83，103，124 n-氧化镓层
14a，14b，43a，43b，55a，55b 电阻金属接点
16，48，128 肖特基金属层
20，70，90，110 图表
21 金属功函数
22 金属原子序
23 钛
24 铬
25 铌
26 锡
27 钨
28 钽
30，60，80，100 能带图
31 肖特基金属
32 氧化镓半导体层
33，61，81，101 肖特基势垒电压
40 氧化镓肖特基二极管
45，121 沟槽结构
46，122 沟槽
46a 侧壁
46b 底表面
47，127 绝缘层
49，126 平台区域
50，120 隧道二极管
54，63，82，102，123 势垒层
56 金属接点层
64 顶部接点金属
71，91 通态压
72，92 反向电流
Claims (7)
1.一种隧道二极管，其包括：
一n+掺杂层(52)；
一邻接于所述n+掺杂层(52)的n-掺杂层(53)；
一位于所述n-掺杂层(53)上，与所述n+层(52)相对的势垒层(54)；以及
一在所述势垒层(54)上与所述n-掺杂层(53)相对的金属层(56)，所述n+掺杂层(52)、n-掺杂层(53)、以及势垒层(54)由III族氮化物材料系统制成，所述n-掺杂层(53)与所述势垒层(54)形成一接面，该接面具有一势垒电压(81)，由于在正向偏压下通过所述势垒电压(81)的电子隧道效应的结果，使所述隧道二极管的通态压降低。
2.如权利要求1所述的隧道二极管，其特征在于，所述势垒层(54)具有压电偶极，藉由增强电子隧道效应使该隧道二极管的通态压降低。
3.如权利要求2所述的隧道二极管，其特征在于，所述压电偶极的数目随着所述势垒层厚度的增加而增加，同时仍然允许穿隧电流。
4.如权利要求1所述的隧道二极管，其特征在于，所述n+掺杂层(52)，n-掺杂层(53)和势垒层(54)包括极性材料。
5.如权利要求1所述的隧道二极管，其特征在于，所述n+掺杂层(52)，n-掺杂层(53)和势垒层(54)包括来自AlGaN-GaN材料系统的材料。
6.如权利要求1所述的隧道二极管，其特征在于，所述n+掺杂层(52)包括GaN，所述n-掺杂层(53)包括GaN，所述势垒层(54)包括AlGaN。
7.如权利要求1所述的隧道二极管，其特征在于，还包括在所述势垒层和所述所述n-掺杂层(123、124)内的沟槽结构(121)，所述沟槽结构(121)包括相互平行、间距相等的多个沟槽(122)，所述多个沟槽被蚀刻穿过所述势垒层和所述n-掺杂层，至所述n+掺杂层，其中相邻沟槽(122)间有平台区域(126)，每一所述沟槽(122)有相对的侧壁和一底表面，所述侧壁和底表面覆盖有一层绝缘层(127)，金属层(128)覆盖每一沟槽(122)内的所述绝缘层(127)并覆盖每一所述平台区域(126)，所述隧道二极管在反向偏压下经受一反向漏电电流，所述沟槽结构(121)降低了所述反向漏电电流量。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/911,155 | 2001-07-23 | ||
| US09/911,155 US20030015708A1 (en) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB028179129A Division CN100373634C (zh) | 2001-07-23 | 2002-07-08 | 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101127368A CN101127368A (zh) | 2008-02-20 |
| CN101127368B true CN101127368B (zh) | 2010-08-25 |
Family
ID=25429819
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB028179129A Expired - Lifetime CN100373634C (zh) | 2001-07-23 | 2002-07-08 | 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管 |
| CN2007101422176A Expired - Lifetime CN101127368B (zh) | 2001-07-23 | 2002-07-08 | 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB028179129A Expired - Lifetime CN100373634C (zh) | 2001-07-23 | 2002-07-08 | 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US20030015708A1 (zh) |
| EP (2) | EP2315256B1 (zh) |
| JP (2) | JP4874518B2 (zh) |
| KR (1) | KR100917699B1 (zh) |
| CN (2) | CN100373634C (zh) |
| AT (1) | ATE515803T1 (zh) |
| CA (1) | CA2454310C (zh) |
| TW (1) | TW564486B (zh) |
| WO (1) | WO2003026021A2 (zh) |
Families Citing this family (109)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002084745A2 (en) | 2001-04-11 | 2002-10-24 | Silicon Wireless Corporation | Power semiconductor devices and methods of forming same |
| US20030015708A1 (en) | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Primit Parikh | Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation |
| EP1561247B1 (en) * | 2002-11-16 | 2012-07-25 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and fabrication method thereof |
| US7115896B2 (en) * | 2002-12-04 | 2006-10-03 | Emcore Corporation | Semiconductor structures for gallium nitride-based devices |
| TW591217B (en) * | 2003-07-17 | 2004-06-11 | South Epitaxy Corp | UV detector |
| KR100586678B1 (ko) * | 2003-07-30 | 2006-06-07 | 에피밸리 주식회사 | 반도체 엘이디 소자 |
| USRE42955E1 (en) * | 2003-12-04 | 2011-11-22 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | GaN-based permeable base transistor and method of fabrication |
| CN100462699C (zh) * | 2004-01-06 | 2009-02-18 | 晶元光电股份有限公司 | 紫外光检测器 |
| US7084475B2 (en) * | 2004-02-17 | 2006-08-01 | Velox Semiconductor Corporation | Lateral conduction Schottky diode with plural mesas |
| US7253015B2 (en) * | 2004-02-17 | 2007-08-07 | Velox Semiconductor Corporation | Low doped layer for nitride-based semiconductor device |
| US7229866B2 (en) * | 2004-03-15 | 2007-06-12 | Velox Semiconductor Corporation | Non-activated guard ring for semiconductor devices |
| JP4398780B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2010-01-13 | 古河電気工業株式会社 | ＧａＮ系半導体装置 |
| US7417266B1 (en) | 2004-06-10 | 2008-08-26 | Qspeed Semiconductor Inc. | MOSFET having a JFET embedded as a body diode |
| US7534633B2 (en) | 2004-07-02 | 2009-05-19 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
| JP2006114886A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-04-27 | Showa Denko Kk | ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体 |
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- 2002-07-08 AT AT02798906T patent/ATE515803T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-07-08 EP EP11154411.0A patent/EP2315256B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-08 WO PCT/US2002/021702 patent/WO2003026021A2/en active Application Filing
- 2002-07-08 CN CNB028179129A patent/CN100373634C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-08 CA CA2454310A patent/CA2454310C/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-08 KR KR1020047001033A patent/KR100917699B1/ko active IP Right Grant
- 2002-07-08 CN CN2007101422176A patent/CN101127368B/zh not_active Expired - Lifetime
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- 2002-07-08 JP JP2003529535A patent/JP4874518B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-23 TW TW091116362A patent/TW564486B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
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| US20040080010A1 (en) | 2004-04-29 |
| US20030015708A1 (en) | 2003-01-23 |
| CN1555581A (zh) | 2004-12-15 |
| KR20040030849A (ko) | 2004-04-09 |
| US7994512B2 (en) | 2011-08-09 |
| EP2315256A2 (en) | 2011-04-27 |
| JP2005503675A (ja) | 2005-02-03 |
| CN101127368A (zh) | 2008-02-20 |
| CA2454310C (en) | 2015-07-07 |
| US20030062525A1 (en) | 2003-04-03 |
| US20050242366A1 (en) | 2005-11-03 |
| CN100373634C (zh) | 2008-03-05 |
| EP2315256B1 (en) | 2015-04-08 |
| US6949774B2 (en) | 2005-09-27 |
| EP1410445A2 (en) | 2004-04-21 |
| TW564486B (en) | 2003-12-01 |
| JP2009016875A (ja) | 2009-01-22 |
| ATE515803T1 (de) | 2011-07-15 |
| WO2003026021A3 (en) | 2003-11-20 |
| JP4874518B2 (ja) | 2012-02-15 |
| EP2315256A3 (en) | 2011-06-29 |
| JP5032436B2 (ja) | 2012-09-26 |
| KR100917699B1 (ko) | 2009-09-21 |
| US7476956B2 (en) | 2009-01-13 |
| WO2003026021A2 (en) | 2003-03-27 |
| CA2454310A1 (en) | 2003-03-27 |
| EP1410445B1 (en) | 2011-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20100825 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |