CN101506863B - 显示装置及显示装置的驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种减少因外界气体温度变化或显示面板内的局部温度变化而引起的电光学元件亮度不均匀、且不随之增加成本和增大安装面积的显示装置及显示装置的驱动方法。为了根据通过数据线提供的信号电压而进行相应的灰度等级显示，驱动晶体管使对应于信号电压的驱动电流流过电光学元件，电光学元件利用驱动电流发光，并且以驱动电流在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的98％～102％的范围的电压区域，将显示全显示灰度等级的中间灰度时的信号电压提供给驱动晶体管。

Description

显示装置及显示装置的驱动方法
技术领域
本发明涉及使用有机EL(Electro Luminescence：电致发光)元件、FED(Field Emission Display：场发射显示)元件、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)元件等电流控制型电光学元件的显示装置以及显示装置的驱动。
背景技术
近年来，提出了使用有机EL元件、FED元件、LED元件等电流控制型自发光电光学元件的有源矩阵型显示装置。使用该电流控制型自发光电光学元件的优点在于：因不需要背光源而能减少零部件数量；视野角依存性小；耗电量低等。
这里，所谓电流控制型自发光电光学元件，是指电光学元件自发光、具有其发光亮度取决于电流的性质的电光学元件。
一般来说，电流控制型自发光电光学元件的亮度和电流的关系为正比关系，与此不同的是，亮度和电压的关系容易因驱动时间和周边温度等而变动。因此，用电压控制型的驱动方法来驱动有机EL元件等电流控制型自发光电光学元件，就会难以抑制亮度偏差。
因此，对于具有亮度取决于电流的性质的电流控制型自发光电光学元件，最好是用电流控制型的驱动方法进行驱动。
另外，通过有源矩阵来驱动使用电流控制型自发光电光学元件的显示装置时，能够利用构成有源矩阵的晶体管进行电压-电流的转换。其结果，能够进行亮度的电流控制，同时通过组合开关元件，能够自由地控制发光时间，而且能够实现低耗电量和电光学元件的长寿命。
以往，作为构成有源矩阵的晶体管，是使用在基板上形成的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)。由于使用该薄膜晶体管的有源矩阵能够实现显示装置的轻量、薄型、高图像质量，因此能够以驱动电光学元件为目的而得到广泛应用。另外，作为薄膜晶体管的材料，使用非晶态硅、低温多晶硅或CG(Continuous Grain：连续晶界)硅等。
接着，对于使用电流控制型自发光电光学元件的已有的有源矩阵型显示装置，说明其驱动方法。
作为采用薄膜晶体管的有源矩阵型驱动电路，提出了多种结构，但最简单的结构是被称为2TFT+1C(Condenser：电容器)型的驱动电路。
图3是表示2TFT+1C型驱动电路中的一个像素的等效电路图。
如图3所示，像素10中，在连接供电线4和接地50的路径上，串联设置有第二TFT32和EL元件20。另外，在供电线4和数据线(Sj)2之间，还串联设置有保持电容21和第一TFT31。此外，上述第一TFT31以及第二TFT32都是p沟道型的晶体管。
还有，上述第一TFT31的栅极电极71与扫描线(Gi)3连接，第二TFT32的栅极电极74与第一TFT31的漏极电极73连接。这里，第二TFT32作为控制流过EL元件20的电流量的驱动用TFT发挥作用。
然后，在以对应于图像数据的亮度而使各像素10发光时，对扫描线(Gi)3提供低电平电位，对数据线(Sj)2提供与图像数据对应的电位(以下称为电位Da)。这时，第一TFT31为导通状态，第二TFT32的栅极电极电位与电位Da相等。
然后，扫描线(Gi)3的电位变为高电平电位时，第一TFT31变为非导通状态，第二TFT32的栅极电极电位通过保持电容21的作用而固定在电位Da。
然后，通过第二TFT32提供给EL元件20的驱动电流的量随着第二TFT32的栅极电极电位而变化，EL元件20以与通过第二TFT32提供的驱动电流量对应的亮度发光。
这时的驱动电流在第二TFT32处于饱和区域工作时，以下式提供。
IOLED＝1/2μ·COx·W/L(Da-Vth)2
(IOLED：驱动电流、μ：迁移率、Cox：电导、W：沟道宽度、L：沟道长度、Da：与图像数据对应的电位；Vth：阈值)
这样，EL元件20以对应于电位Da的亮度发光。
此外，对于各个数据线2和扫描线3的控制方法，采用通用的方法。另外，上述电路中的各部分的电压条件等的一个例子，例如在专利文献1中揭示。
专利文献1：日本专利公报“特许第3528182号公报(注册日：2004年3月5日)”
专利文献2：日本公开专利公报“特开2006-215296号公报(公开日：2006年8月17日)”
专利文献3：日本公开专利公报“特开2006-47984号公报(公开日：2006年2月16日)”
发明内容
然而，在上述已有的使用电流控制型自发光电光学元件的有源矩阵型显示装置中，由于薄膜晶体管的电流-电压特性具有温度依赖性，因此存在显示中发生亮度不均匀的问题。
即，存在以下情况：例如由于外界气温的影响、或部分点亮的电光学元件的发热等，显示画面内局部驱动元件的周边温度上升，从而在显示画面内产生温度梯度。
然后，在产生上述温度梯度的情况下，即使对驱动元件写入相同的信号电压时，也由于驱动元件的电导因温度而异，因此产生亮度不均匀。
换言之，即使想要显示相同灰度等级的图像，但是例如如果驱动元件周围的温度因在这之前刚点亮的灰度等级的不同而不同，就会产生亮度不均匀的问题。下面进一步进行说明。
该问题对于在像素驱动电路和驱动器等周边电路等中实现元件公用化的显示装置，为了降低耗电量而将提供给像素驱动电路中的驱动元件的接通电压的范围(Da的范围)设定得低且窄时，尤为明显。例如，如专利文献2中所记载的，将数据电压振幅、即驱动电压范围设定为0～2V或0～3V左右的情况与此相当。
也就是说，在这样低的驱动电压范围内，若驱动元件温度上升，则由于阈值的绝对值向变小的方向偏移，因此电流变大，其结果亮度变高。而且，由于亮度高的像素与亮度低的像素相比，人更容易识别亮度不均匀，因此亮度不均匀变得更加明显。以下，用图进行说明。
图6是表示以往的驱动电路中的驱动电压和电流的关系、以及驱动电压范围的图。
如图6所示，在以往的驱动电路中，由于Da的范围(提供给驱动元件的驱动TFT的栅极-源极间电压：Vgs)从低耗电量的观点来看是低电压区域，而且该范围很窄，因此在整个灰度等级范围内上述温度系数都是正的(随着温度升高而使得电流变大)。特别是在低亮度侧、即Vgs为低电压的区域内的亮度对温度的依赖性变大。因而，对于温度变化尤其是温度上升，亮度不均匀变得更加明显。
因此，作为抑制因温度变化而导致亮度变动的方法，例如专利文献3中记载了附加限幅用晶体管等机构的技术。但是在该技术中存在的问题是，无法对显示面板内的局部温度上升进行补偿，还必须设置新的控制单元，从而导致成本增加、和安装面积增大。
本发明是鉴于上述以往的问题而完成的，其目的在于提供一种减少因外界气体温度变化或显示面板内的局部温度变化而产生的电光学元件亮度不均匀、且不随之增加成本和增大安装面积的显示装置以及显示装置的驱动方法。
为了解决上述问题，本发明的显示装置具备至少形成有驱动晶体管和电光学元件的像素、以及数据线，该显示装置的特征在于，为了根据通过上述数据线提供的信号电压而进行相应的灰度等级显示，上述驱动晶体管使与上述信号电压对应的驱动电流流过上述电光学元件，上述电光学元件利用上述驱动电流发光，并且以上述驱动电流在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的98％～102％的范围的电压区域，将显示全显示灰度等级的中间灰度时的上述信号电压提供给上述驱动晶体管。
另外，为了解决上述问题，本发明的显示装置的驱动方法是在具备至少形成有驱动晶体管和电光学元件的像素、以及数据线的显示装置中，为了根据通过数据线提供的信号电压进行相应的灰度等级显示，而利用上述驱动晶体管使与上述信号电压对应的驱动电流流过上述电光学元件，从而使上述电光学元件发光，该显示装置的驱动方法的特征在于，在显示全显示灰度等级的中间灰度时，以流过上述电光学元件的上述驱动电流在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的98％～102％的范围的电压区域，将上述信号电压提供给上述驱动晶体管。
根据上述结构，由于为了显示全显示灰度等级的中间灰度(以下，称为中间灰度)而提供给驱动晶体管的上述信号电压，设定在驱动电流在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的98％～102％的范围的电压区域内，因此亮度的温度依赖性变小。下面进行说明。
一般在晶体管中，其电流-电压特性容易随着温度而变化。这里，所谓电流-电压特性的温度特性，是表示从晶体管流过的电流对于施加在晶体管上的电压会随着温度的变化而产生怎样的变化。
上述电流-电压特性因温度而发生的变化(以下，称为电流-电压特性的温度依赖性)认为是由以下产生的：若温度发生变化，则由于耗尽层电容的增减而使得阈值发生变化，或者由于平均自由程的伸缩而导致迁移率的变化。
而且，在利用晶体管进行驱动的显示元件为EL元件等电流驱动型电光学元件的情况下，由于晶体管的上述电流-电压特性的温度依赖性，会因温度而产生亮度不均匀。
因此，针对晶体管的电流-电压特性的温度依赖性进行研究的结果，发现了存在上述温度依赖性小的电压区域。即，在晶体管中，一般认为，如果温度上升，则由于耗尽层电容增大而使得阈值降低，并且由于平均自由程缩短而导致迁移率减小。
而且，在低电压区域内，由于相较于迁移率，电流值主要是由阈值的变化决定的，因此温度上升则电流值上升。
另一方面，在高电压的电压区域内，由于相较于阈值，电流值主要是由迁移率的变化决定的，因此温度上升则电流值降低。
因而，在随着上述温度上升而获得的电流值上升和电流值下降的平衡点，因温度变化产生的电流值变化、即电流值的温度依赖性为零，而且在其附近存在电流值的温度依赖性小的电压区域。
因此，在上述发明中，在上述电流值的温度依赖性小的电压区域、即在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的98％～102％的范围的电压区域内，设定为了显示中间灰度而提供给驱动晶体管的信号电压。也就是说，将用来显示正好是全显示灰度等级数的1/2的灰度等级的信号电压，设定在电流-电压特性的温度依赖性最小的区域内，其结果，能够减少整个全灰度等级范围内的亮度不均匀。
此外，之所以将电流变动的范围设定为98％～102％的范围、即将电流值的差异设定为-2％～+2％的范围，是因为在该范围内产生的亮度差异是人眼难以识别的亮度差异。以下进行说明。
即，作为色差值的评价标准，采用美国标准局的NBS(National Bureau ofStandard：(美国)国家标准局)单位。由此，可感知程度(noticeable)的色差的上限以L*a*b*色立体中的偏移量定义为ΔL*＜1.5。在单色的情况下，若根据L*＝116(Y-Yo)1/3-16的式子进行计算，则在ΔY＝4％时，ΔL*大约为1.5。因此，若假定亮度和电流值成正比，则为了不感知亮度差，只要将电流值的偏差设定在-2％～+2％的范围内即可。此外，Y是对象物的刺激值，Yo是完全扩散反射面的刺激值。
因此，根据上述结构，由于中间灰度的信号电压设定为使得驱动电流在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的98％～102％的范围，因此不仅是中间灰度，在全灰度等级范围内亮度的温度依赖性也变小。
另外，在上述结构中，为了降低亮度的温度依赖性，也不需要其它零部件。
从而，能够提供减少了因外界气体温度变化或显示面板内的局部温度变化而引起的电光学元件亮度不均匀、且不随之增加成本和增大安装面积的显示装置以及显示装置的驱动方法。
此外，平均驱动温度以外的温度(0℃～40℃)下的驱动电流与上述平均驱动温度下的驱动电流的比例，可通过平均驱动温度下的电流(Id1)和平均驱动温度以外的温度下的电流(Id2)的关系：〔{(Id2-Id1)÷Id1}-1)×100而计算出。
另外，所谓“全显示灰度等级的中间灰度”，例如在全显示灰度等级数为偶数的情况下，是指对于全显示灰度等级数N的第N/2号灰度等级，而在全显示灰度等级数为奇数的情况下，是指对于全显示灰度等级数N的第(N+1)/2号灰度等级。以下，将“全显示灰度等级的中间灰度”称为“中间灰度”。
另外，上述“温度”是指形成晶体管的位置的基板表面温度。例如，TFT晶体管在玻璃基板上形成时，是测定该玻璃基板的表面温度所得的温度。
另外，所谓“平均驱动温度”，是根据显示装置的使用环境等预测的工作温度的平均温度，例如设为25℃或27℃。
另外，0℃～40℃是根据显示装置的平均工作范围决定的。
另外，所谓信号电压，是指为了传递信号而施加的电压。
另外，在本发明的显示装置中，最好是以上述驱动电流在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的{1-(1/全显示灰度等级数)}×100％～{1+(1/全显示灰度等级数)}×100％的范围的电压区域，将显示全显示灰度等级的中间灰度时的上述信号电压提供给上述驱动晶体管。
根据上述结构，由于电流变动的范围是{1-(1/全显示灰度等级数)}×100％～{1+(1/全显示灰度等级数)}×100％的范围、即电流差异是在-(1/全显示灰度等级数)×100％～-(1/全显示灰度等级数)×100％的范围内，因此能够抑制灰度等级反转的发生，能够进一步减少亮度不均匀的发生。
另外，在本发明的显示装置中，上述温度范围最好是0℃～80℃。
根据上述结构，对于认为是显示装置的平均工作温度值的0℃～40℃，加上经验估计为40℃左右的EL元件等电光学元件产生的发热，从而确定温度范围的上限温度。因此，即使是在例如使显示装置长时间点亮的情况下，也能够减少亮度不均匀的发生。
另外，在本发明的显示装置中，上述平均驱动温度最好是25℃。
根据上述结构，由于平均驱动温度设定为标准工作温度即25℃，因此在许多使用场合下都能减少亮度不均匀的发生。
另外，在本发明的显示装置中，最好是通过振幅调制进行灰度等级显示。
根据上述结构，一般在通过电压振幅来显示亮度的振幅调制(模拟灰度等级驱动)中，由于电流值的温度依赖性容易变大，但在中间灰度下的上述温度依赖性极小，因此在整个全电压范围(全灰度等级范围)内能够减小温度依赖性，其结果，能够进一步减少亮度不均匀的发生。
另外，在本发明的显示装置中，最好是通过时间调制来进行灰度等级显示。
在时间调制、即分时数字灰度等级驱动的情况下，虽然瞬间的发光亮度在全灰度等级是相同的，但可通过使发光时间不同来实现灰度等级。
根据上述结构，由于将产生上述一个发光亮度的电压即发光点，设定在晶体管的电流值的温度依赖性小的电压区域内，因此流过电光学元件的电流的温度依赖性几乎为零，即使温度变化也能够显示亮度不均匀较少的图像。
此外，在这种情况下，由于在全显示灰度等级中施加在晶体管上的电压是一定的，因此用于显示中间灰度的信号电压也能包括在驱动电流为平均驱动温度下的驱动电流的98％～102％的范围的电压区域、即{1-(1/全显示灰度等级数)}×100％～{1+(1/全显示灰度等级数)}×100％的范围的电压区域内。
另外，在本发明的显示装置中，在将根据为了显示全显示灰度等级的中间灰度而提供给驱动晶体管的上述信号电压而在0℃下流过的上述驱动电流和在40℃下流过的上述驱动电流的差异、与根据为了显示比全显示灰度等级的中间灰度亮一个灰度等级的灰度而提供给驱动晶体管的上述信号电压而在0℃下流过的上述驱动电流和在40℃下流过的上述驱动电流的差异进行比较时，最好是将为了显示上述中间灰度而提供给驱动晶体管的上述信号电压设定于使得上述比中间灰度亮一个灰度等级的灰度的上述色差ΔL*较小的电压区域内。
在显示明亮度时，由于大量电流流过电光学元件，因此因点亮引起的温度上升要比暗亮度的大。因此，在明亮度侧容易产生因温度上升而引起的亮度不均匀。因而，能够有效地使明亮度侧的电流值的温度依赖性小于暗亮度侧。
按照这一点，根据上述结构，设定中间灰度的信号电压，使得比中间灰度亮一个灰度等级的灰度的电流值的温度依赖性小于中间灰度的电流值的温度依赖性。因此，容易抑制明亮度侧的亮度不均匀的发生，其结果，能够进一步减少画面整体的亮度不均匀的发生。下面详细说明。
一般在晶体管的电流-电压特性中，在低电压区域，温度升高则电流值升高(电流值的温度依赖性为正)，另一方面在高电压区域，温度升高则电流值降低(电流值的温度依赖性为负)。因此，在低电压区域和高电压区域的交界处，存在温度高时的电流值和温度低时的电流值相同的电压(电流值的温度依赖性为零的电压)。而且，随着电压从电流值的温度依赖性为零的电压向低电压方向或高电压方向远离，上述温度依赖性变大。即，高温下的电流值和低温下的电流值的差异变大。
换言之，在横轴为电压、纵轴为电流的坐标轴中，将高温下的电流和电压的关系所绘的曲线设为高温曲线，另一方面，将低温下的关系设为低温曲线，这时，高温曲线和低温曲线有交叉点，而且在比交叉点要低的电压的一侧。高温曲线位于低温曲线的上侧的位置。
在具有这样的电流-电压特性的晶体管中，设定中间灰度的信号电压，使得比中间灰度亮一个灰度等级的灰度的电流值的温度依赖性要小于中间灰度的电流值的温度依赖性，这意味着将中间灰度的信号电压设定在电流的温度依赖性为正的电压区域内。
因此，在上述电压区域内设定中间灰度的信号电压时，由于在比中间灰度要亮的灰度等级侧，电流值的温度依赖性变小，因此能够进一步减少亮度不均匀的发生。
另外，在本发明的显示装置中，最好是对上述驱动晶体管形成栅极电极和源极电极，在上述数据线和上述驱动晶体管的栅极电极之间形成有开关晶体管，在上述驱动晶体管的栅极电极和上述驱动晶体管的源极电极之间形成有保持电容，在上述开关晶体管导通期间，提供给上述驱动晶体管的信号电压通过上述开关晶体管提供，另一方面，在上述开关晶体管断开期间，利用上述保持电容中存储的电容，保持与上述开关晶体管导通期间提供给上述驱动晶体管的信号电压相同的信号电压。
根据上述结构，由于能够通过保持电容而使驱动晶体管保持，因此能够降低瞬间亮度，而使驱动晶体管长寿命化，并且由于中间灰度的电流值的温度依赖性小，因此能够实现低功耗，而且能够进一步减少亮度不均匀的发生。
另外，在本发明的显示装置中，上述电光学元件最好是有机EL元件。
根据上述结构，能够提高显示装置的显示效率，而且能够实现显示装置的长寿命化。另外，由于有机EL元件的驱动电流和发光亮度的关系与温度无关而大致是一定的，因此能够进一步减少亮度不均匀的发生。
另外，本发明的显示装置中，上述驱动晶体管最好是薄膜晶体管，包含由多晶硅形成的沟道区域。
根据上述结构，由于多晶硅形成的薄膜晶体管的电流值的温度依赖性特别是在过驱动电压为数V的电压区域内很小，因此在用于显示装置时，其设计十分容易。
另外，本发明的显示装置中，上述像素最好有显示红色的像素、显示绿色的像素、显示蓝色的像素的至少三种像素。
在单色显示中，显示质量的不均匀仅仅是由各像素的亮度不均匀引起的，但是在彩色显示中，各像素的色度不均匀也会产生显示质量的不均匀。因此，在彩色显示中，与单色显示相比，各像素的亮度偏差的容限要小。
这一点在本发明的显示装置中，由于能够抑制亮度的偏差，因此在彩色显示中能够进一步抑制显示质量的降低。
另外，为了解决上述问题，本发明的显示装置具备至少形成有驱动晶体管和电光学元件的像素、以及数据线，该显示装置的特征在于，为了根据通过上述数据线提供的信号电压而进行相应的灰度等级显示，上述驱动晶体管使与上述信号电压对应的驱动电流流过上述电光学元件，上述电光学元件利用上述驱动电流发光，并且以在0℃～40℃的温度范围内发光的光和平均驱动温度下发光的光的色差在L*a*b*色立体中为ΔL*＜1.5的电压区域内，将显示全显示灰度等级的中间灰度时的信号电压提供给上述驱动晶体管。
根据上述结构，设定信号电压，使得由温度变化所产生的色差在人难以感知的范围内。
因此，能够提供减少了因外界气体温度变化或显示面板内的局部温度变化而引起的电光学元件亮度不均匀、且不随之增加成本和增大安装面积的显示装置。
另外，在本发明的显示装置中，在将根据为了显示全显示灰度等级的中间灰度而提供给驱动晶体管的上述信号电压而在0℃下发光的光和在40℃下发光的光的上述色差ΔL*、与根据为了显示比全显示灰度等级的中间灰度亮一个灰度等级的灰度而提供给驱动晶体管的上述信号电压而在0℃下发光的光和在40℃下发光的光的上述色差ΔL*进行比较时，最好是将为了显示上述中间灰度而提供给驱动晶体管的上述信号电压设定于使得所述比中间灰度亮一个灰度等级的灰度的所述色差ΔL*较小的电压区域内。
根据上述结构，因温度变化所产生的色差在明灰度等级侧要比暗灰度等级侧小。
其结果，由于能够减小人的视觉灵敏度更敏感的明灰度等级侧(明亮度侧)的色差的温度依赖性，因此能够进一步减少亮度不均匀的发生。
此外，色差的计算是根据上文所述美国标准局的L*＝116(Y-Yo)1/3-16的式子进行计算。
如上所述，本发明的显示装置为了根据通过上述数据线提供的信号电压而进行相应的灰度等级显示，上述驱动晶体管使与上述信号电压对应的驱动电流流过上述电光学元件，上述电光学元件利用上述驱动电流发光，并且以上述驱动电流在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的98％～102％的范围的电压区域，将显示全显示灰度等级的中间灰度时的上述信号电压提供给上述驱动晶体管。
另外，如上所述，本发明的显示装置为了根据通过上述数据线提供的信号电压而进行相应的灰度等级显示，上述驱动晶体管使与上述信号电压对应的驱动电流流过上述电光学元件，上述电光学元件利用上述驱动电流发光，并且以0℃～40℃的温度范围内发光的光和在平均驱动温度下发光的光的色差在L*a*b*色立体中为ΔL*＜1.5的电压区域内，将显示全显示灰度等级的中间灰度时的上述信号电压提供给上述驱动晶体管。
另外，如上所述，本发明的显示装置的驱动方法是在显示全显示灰度等级的中间灰度时，以流过上述电光学元件的上述驱动电流在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的98％～102％的范围的电压区域，向上述驱动晶体管提供上述信号电压的方法。
因此，具有以下效果：能够提供减少了因外界气体温度变化或显示面板内的局部温度变化而引起的电光学元件亮度不均匀、且不随之增加成本和增大安装面积的显示装置以及显示装置的驱动方法，即，能够提供亮度的温度依赖性小的显示装置以及显示装置的驱动方法。
附图说明
图1是表示本发明显示装置的驱动TFT中的、栅极-源极间电压和漏极电流的关系以及驱动电压范围的图。
图2是表示本发明显示装置的电路结构图。
图3是表示像素中的2TFT+1C型电路的等效电路图。
图4是本实施方式的显示装置的像素平面图。
图5是图4中的A-A’线的剖面图。
图6是表示以往显示装置的驱动TFT中的、栅极-源极间电压和漏极电流的关系以及驱动电压范围的图。
图7是表示显示装置的驱动TFT中的、栅极-源极间电压和漏极电流的关系以及驱动电压范围的图。
标号说明
1    显示装置
2    数据线
3    扫描线
4    供电线
6    旁路线
10   像素
11   控制电路
12   源极驱动器电路
13   栅极驱动器电路
16   移位寄存器
17   寄存器
18   锁存器
19   D/A转换器
20   EL元件
21   保持电容
31   第一TFT(开关晶体管)
32    第二TFT(驱动晶体管)
50    接地
61    透明基板
62    栅极绝缘膜
63    有源层
64    层间绝缘膜
65    接触点
66    接触点
67    接触点
68    钝化膜
69    遮光膜
70    平坦化膜
71    栅极电极
72    源极电极
73    漏极电极
74    栅极电极
75    源极电极
76    漏极电极
80    透明电极
91    空穴传输层
92    发光层
93    电子传输层
94    电子注入层
95    背面电极
A     像素电路
CLK   时钟
DA    显示数据
DLP   定时脉冲
G     扫描线
LP    锁存脉冲
OE    定时信号
S      数据线
SP     起始脉冲
Vgs    栅极-源极间电压
Id     漏极电流
YI     起始脉冲
YCK    时钟
具体实施方式
根据图1～图5说明本发明的一个实施方式，如下所述。
本实施方式的显示装置1使用电流控制型自发光电光学元件即有机EL(Electro Luminescence)元件作为电光学元件。
(电路结构)
图2是表示本实施方式的显示装置1的电路结构图。
本实施方式的显示装置1中，具备：多个像素电路Aij(i＝1～n、j＝1～m)；控制电路11；源极驱动器电路12；以及栅极驱动器电路13。
上述像素电路Aij对应于多个互相平行配置的数据线Sj、和与之正交且互相平行配置的多个扫描线Gi的各个交叉点而配置为矩阵状。另外，数据线Sj为了向像素电路Aij提供信号，与源极驱动器电路12连接，另外扫描线Gi与栅极驱动器电路13连接。
该源极驱动器电路12具有：m比特的移位寄存器16；寄存器17；锁存器18；以及m个D/A(Digital/Analog：数字/模拟)转换器19。另外，寄存器17包括m个寄存元件(未图示)，锁存器18包括m个锁存元件(未图示)。
该源极驱动器电路12中，移位寄存器16与m个寄存元件串级连接。换言之，移位寄存器16分别和与上述各数据线Sj对应的m个寄存元件的各个寄存元件连接。而且，上述寄存元件分别与m个锁存元件的各个锁存元件连接，还分别与m个D/A转换器19的各个D/A转换器19连接。
另一方面，栅极驱动器电路13包括：移位寄存器电路(未图示)；逻辑运算电路(未图示)；以及缓冲器(未图示)。
而且，上述源极驱动器电路12和栅极驱动器电路13通过上述控制电路11进行控制。即，上述控制电路11对源极驱动器电路12输出起始脉冲SP、时钟CLK、显示数据DA和锁存脉冲LP，另一方面对栅极驱动器电路13输出定时信号OE、起始脉冲YI和时钟YCK。
(显示装置的电路动作)
接着，具体说明本实施方式的显示装置1的电路动作。
(控制电路)
首先，控制电路11对移位寄存器16输出起始脉冲SP和时钟CLK。
(移位寄存器)
然后，移位寄存器16使得从控制电路11输入到移位寄存器16的最前端的起始脉冲SP与时钟CLK同步并传送，将其作为定时脉冲DLP而从移位寄存器16中包括的各个输出级(未图示)向寄存器17输出。
(寄存器)
从上述移位寄存器16输入定时脉冲DLP的寄存器17中，在输入定时脉冲DLP的时刻，同时从控制电路11输入显示数据DA。
然后，若在寄存器17中存储一列大小、即m个显示数据DA，则与从控制电路11输入到锁存器18的锁存脉冲LP同步，向锁存器18输入上述一列大小的显示数据DA。
(锁存器)
输入到锁存器18的上述显示数据DA分别输出到与之对应的D/A转换器19。
(D/A转换器)
上述D/A转换器19对各个数据线Sj都设置一个，将从锁存器18输入的显示数据DA作为模拟信号电压Da而输出到对应的数据线Sj。
在本实施方式的显示装置中，上述D/A转换器输出的模拟信号电压Da的范围设定为后述的驱动元件的电流-电压特性的温度依赖性小的电压区域。因此，源极驱动器电路12和栅极驱动器电路13等驱动器都是由具有与上述电压范围对应的耐压性的TFT等构成。
(栅极驱动器电路)
接着，说明栅极驱动器电路13的动作。该栅极驱动器电路13如前所述，包括：移位寄存器电路(未图示)；逻辑运算电路(未图示)；以及缓冲器(未图示)。
在该栅极驱动器电路13中，从控制电路11输入的起始脉冲YI与时钟YCK同步而在上述移位寄存器电路内传输。
然后，在上述逻辑运算电路中，利用从上述移位寄存器电路内设置的各个输出级输出的脉冲、和从控制电路11输入的定时信号OE，进行逻辑运算，通过上述缓冲器向对应的扫描线Gi输出所需的电压。
与各扫描线Gi连接有多个像素电路Aij，像素电路Aij以连接于同一扫描线Gi的像素电路Aij组为单位而通过扫描线Gi进行扫描。
这样，本实施方式的源极驱动器电路12是向某一扫描线Gi的一行像素电路Aij一次性发送数据的线顺序扫描型电路。此外，源极驱动器电路12并不限定于上述结构，例如也可以是对像素电路Aij逐个依次发送数据的点顺序扫描型电路。
(像素电路的动作)
接着，根据图3说明显示装置1中具有的各个像素电路Aij的动作。本实施方式中的像素电路Aij具有2TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)+1C(Condenser：电容器)型的电路结构。图3是表示像素中的2TFT+1C型电路的等效电路图。
上述像素电路Aij中，若从栅极驱动器电路(未图示)经扫描线Gi向像素电路Aij发送选择信号，则作为开关Sw的第一TFT31变为导通，对作为驱动TFT的第二TFT32的栅极电极74写入模拟信号电压Da，同时对作为驱动TFT的第二TFT32产生栅极-源极间电压Vgs。然后，电流流过EL元件20，EL元件20发光。另外，在保持电容21中保持与模拟信号电压Da对应的电位差。
然后，上述选择信号为断开，由此使得作为开关Sw的第一TFT31断开，作为驱动TFT的第二TFT32继续由保持电容21中存储的电荷驱动。
在该驱动为采用振幅调制的驱动时，通过模拟信号电压Da的振幅来使亮度发生变化。即，亮度取决于模拟信号电压Da。
另一方面，在上述驱动为采用分时的驱动时，使模拟信号电压Da为固定之后，通过使发光时间每隔一帧发生变化来改变亮度。即，亮度取决于每一帧的发光时间。
此外，在显示装置1为全彩色显示装置时，该像素电路Aij对于R(Red：红色)、G(Green：绿色)、B(Blue：蓝色)三色分别独立地设置。然后，通过利用源极驱动器电路12对每一种颜色分别独立地控制与各色对应的像素电路Aij，能够实现任意色度及亮度。
(温度依赖性)
接着，说明亮度和温度的关系。
图1是表示本实施方式中作为驱动TFT的第二TFT32的、栅极-源极间电压Vgs和漏极电流Id之间的关系以及驱动电压范围的图。
一般在TFT中，其电流-电压特性容易随温度而变化。可认为这是由于，若温度变化，则因耗尽层电容的增减而导致阈值Vth变化，或者是因平均自由程的伸缩而导致迁移率μ变化。
而且，在采用TFT驱动的显示元件为EL元件等电流控制型自发光电光学元件的情况下，当TFT的上述电流-电压特性的温度依赖性大时，存在因温度的不同而导致亮度不均匀等问题。
因此，研究上述驱动TFT中的电流-电压特性的温度依赖性，结果发现存在上述温度依赖性小的电压(Vgs)区域。图1的虚线圆形区域就是上述温度依赖性小的电压(Vgs)区域。以下进行说明。
TFT中，一般来说，若温度上升，则因耗尽层电容增大而使得阈值Vth降低，同时因平均自由程缩短而使得迁移率μ减小。
而且，在低电压的电压(Vgs)区域中，由于相较于迁移率μ，电流值主要是由阈值Vth的变化决定，因此若温度上升电流值就上升。
另一方面，在高电压的电压(Vgs)区域中，由于相较于上述阈值Vth，电流值主要是由迁移率μ的变化决定，因此若温度上升电流值就下降。
因而，在随着上述温度上升而获得的电流值上升和电流值下降的平衡点，因温度变化而产生的电流值变化即电流值的温度依赖性为零。
从上述理由可知，形成图1的虚线圆形区域所示的、电流-电压特性的温度依赖性小的电压(Vgs)区域。
此外，电流值的温度依赖性小的电压取决于对TFT的半导体区域的掺杂条件、和TFT中的绝缘膜压等。因此，在以同一工艺制造同一结构的TFT时，制造得到的各个TFT中电流值的温度依赖性小的电压区域大致是一定的。
(电压值的设定)
本实施方式的显示装置1中，如图1所示，在驱动EL元件20的驱动TFT即第二TFT32中，将相当于全灰度等级的1/2的灰度等级(中间灰度)的模拟信号电压Da，设定于上述电流-电压特性的温度依赖性小的电压(Vgs)区域内。
具体地说，将上述中间灰度的模拟信号电压Da设定在以下范围的电压区域内：驱动TFT的电流-电压特性的温度依赖性在0℃～40℃中的相对于平均驱动温度(25℃)的电流值的温度依赖性为-2％～+2％的范围。
这里，所谓电流值的温度依赖性为-2％～+2％的范围，是指平均驱动温度以外的温度下的驱动电流为平均驱动温度下的驱动电流的98％～102％。
更好的是，设定中间灰度的模拟信号电压Da，使得电流值的温度依赖性在0℃～80℃为-2％～+2％的范围，即平均驱动温度以外的温度下的驱动电流为平均驱动温度下的驱动电流的98％～102％的范围。
而且，希望使得上述温度依赖性小的电压(Vgs)区域对应于人对亮度的灵敏度敏感的、比中间灰度稍亮的灰度等级侧的电压。具体地说，是将上述中间灰度的模拟信号电压Da设定为比上述温度依赖性小的电压(Vgs)区域中的电压宽度的中间电压值(该区域中的最大电压和最小电压的平均电压值)稍低的电压侧。即，上述区域设定为对应于比显示灰度等级的中间灰度要亮的亮度侧。从而，能够对显示灰度等级的整个全灰度等级范围达到视觉上温度依赖性小的驱动。
下面，详细说明电压值的设定。
通过对多种电压条件等利用实验来研究其温度依赖性等，结果是电流值的温度依赖性小的过驱动电压在使用CG硅的TFT的情况下为3～5V左右。因此，较好的是设定驱动电压范围为Vgs-Vth＝3～5V。
因此，若将该过驱动电压与上述中间灰度中的模拟信号电压Da相对应，则驱动电压范围变为4～7V左右，得到比以往要高的驱动电压范围。
表1
本实施方式与已有例比较
  最亮时的驱动电压(Vgs)   最亮时的电流值温度依赖性   中间灰度时的电流值温度依赖性
  本实施方式   ＞4V   负   近似为零
  已有例   ＜2～3V   正   正
表1是本实施方式的显示装置1和以往的显示装置(已有例)的比较表。
这里，本实施方式的显示装置1中，设定驱动电压为图1所示的驱动电压范围A。
具体地说，上述中间灰度的模拟信号电压(Vgs-Vth)为4.2V，全灰度等级的驱动电压范围设定为0～6.0V。
另一方面，已有例中，驱动电压设定为图6所示的驱动电压范围B。
具体地说，上述中间灰度的模拟信号电压(Vgs-Vth)为2.1V，全灰度等级的驱动电压范围设定为0～3.1V。
此外，图6是表示已有例的驱动TFT中、栅极-源极间电压和漏极电流的关系以及驱动电压范围的图。
已有例中，驱动电压范围即驱动电压振幅很窄，且设定在低电压区域内。因此，驱动电压范围不包括上述TFT的电流温度依赖性小的电压(Vgs)区域。因此，包括最亮时以及中间灰度在内，通常电流的温度依赖性为正，温度上升则亮度变大。因该温度变动而引起的亮度变化在低灰度等级侧特别大。其结果，因温度变化而产生的电光学元件的亮度不均匀很多。
与上述已有例不同，本实施方式的显示装置1中，使TFT的电流温度依赖性小的电压(Vgs)区域与相当于全灰度等级的1/2的灰度等级附近的电压范围对应。而且，设定比中间灰度要亮的灰度等级侧的模拟信号电压Da为上述温度依赖性小的电压(Vgs)区域的中心电压。从而减少因温度变化而产生的电光学元件的亮度不均匀。
此外，如图7所示，不仅仅是将驱动电压范围设定为不包括TFT的电流值的温度依赖性小的区域的范围(图6的驱动电压范围B以及图7的驱动电压范围C)，而且即使是设定为包括温度依赖性小的区域的范围，但当中间灰度附近的模拟信号电压Da不在温度依赖性小的区域的范围内时(图7的驱动电压范围E)，也无法减少因温度变化而产生的电光学元件的亮度不均匀。也就是说，高灰度等级侧和低灰度等级侧都会使因温度变化而产生的亮度不均匀变大。此外，图7是表示显示装置的驱动TFT中的、栅极-源极间电压和漏极电流的关系以及驱动电压范围的图，所谓图7的驱动电压范围C和驱动电压范围E，表示以往的驱动电压范围，驱动电压范围D表示本实施方式的驱动电压范围。
(制造方法)
接着，根据图4和图5说明本实施方式的显示装置1的制造方法。
图4是本实施方式的显示装置的像素平面图。另外，图5是图4中的A-A’线的剖面图，是以像素10中的第二TFT32为中心来表示的。此外，图5的左侧对应于图4的A侧。
本实施方式的显示装置1是从基板的背面出射光的底部发射(BottomEmission)型EL显示装置。另外，该EL显示装置中包括的TFT是在基板的底面侧设置栅极电极的底栅型晶体管。
本实施方式的显示装置1如图5所示，利用已有技术，通过在作为至少表面有绝缘性的透明的基板即透明基板61的基材上层叠各种层而形成。作为该透明基板61的材料，例如使用玻璃或合成树脂等。
详细地说，在上述透明基板61上依次设置第一布线层、栅极绝缘膜62、有源层63、层间绝缘膜64、和第二布线层，主要由这些形成图4所示的像素10。
(第一布线层)
上述第一布线层包括：第二TFT32的栅极电极74；旁路线6；扫描线3(参照图4)；第一TFT31的栅极电极71(参照图4)；以及保持电容21的下部电极。
另外，如图4所示，在扫描线3和第一TFT31的栅极电极71之间、以及第二TFT32的栅极电极74和保持电容21的下部电极之间进行电连接。
此外，对于第一布线层的材料，对应于上层使用的多晶硅或非晶硅，使用铬、铊等高熔点金属。
(栅极绝缘膜和有源层)
接着，如图5所示，在上述透明基板61的几乎整个面上形成栅极绝缘膜62，然后层叠有源层63。该栅极绝缘膜62和有源层63的膜厚都是数十纳米左右。
该有源层63通过使用光掩膜有选择地进行刻蚀，从而形成第一TFT的沟道和第二TFT32的沟道。
(层间绝缘膜)
接着，在上述透明基板61的几乎整个面上层叠层间绝缘膜64。然后，在设置电连接上述第一布线层、和后文说明的第二布线层用的接触点65的位置上，形成贯通栅极绝缘膜62和层间绝缘膜64的通孔，相应地在设置电连接有源层63和第二布线层用的接触点66的位置上，形成贯通层间绝缘膜64的通孔。
(第二布线层)
接着，在上述透明基板61的几乎整个面上设置第二布线层。该第二布线层中包括：供电线4；数据线2；保持电容21的上部电极；以及与第二TFT32的漏极电极76连接的布线等。
相应地形成用于形成电连接第一布线层和第二布线层的上述接触点65、电连接有源层63和第二布线层的上述接触点66、和电连接下文说明的透明电极80和第二布线层的接触点67的配置区域。
然后，在形成上述第二布线层时，对于形成上述接触点65·66用的通孔，利用和形成第二布线层的金属材料相同的材料进行填埋。由此，如图5所示，供电线4和旁路线6通过接触点65电连接，另外，第二TFT32的源极电极75以及漏极电极76通过接触点66分别与第二布线层电连接。
另外，该第二布线层中，在供电线4与保持电容21的上部电极之间、供电线4与第二TFT32的源极电极75之间、第二TFT32的漏极电极76与上述接触点67的配置区域之间、数据线2与第一TFT31的源极电极72之间、以及第一TFT31的漏极电极73和第二TFT32的栅极电极74之间进行电连接。
(钝化膜等)
接着，在上述透明基板61的几乎整个面上设置钝化膜68、遮光膜69以及平坦化膜70。该钝化膜68的膜厚约为0.3μm，遮光膜69的膜厚约为1.5μm，平坦化膜70的膜厚约为3.5μm。另外，将该遮光膜69成形为覆盖第一TFT31和第二TFT32。
接着，在设置上述接触点67的位置上，形成贯通钝化膜68、遮光膜69以及平坦化膜70的通孔。
(透明电极)
接着，在上述透明基板61的几乎整个面上设置透明电极80，并成形为所期望的形状。这时，通过用与透明电极80相同的材料填埋上述通孔，形成接触点67。透明电极80的材料采用例如ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等。
(EL元件)
然后，形成构成EL元件20的层。
具体地说，在上述透明电极80上形成空穴传输层91、发光层92、电子传输层93、以及电子注入层94。
(背面电极)
然后，在上述透明基板61的几乎整个面上，用金属材料形成背面电极95。背面电极95起到作为EL元件20的阴极的功能。
最后，为了保护EL元件20使其不受水分等的影响，密封透明基板61。通过上述工序，能够制造本实施方式的具有EL元件20的显示装置1。
此外，本发明并不限于上述实施方式，在本发明的范围内可以进行种种变更。
例如，中间灰度的模拟信号电压Da也可以设定在以下范围的电压区域内：驱动TFT的电流-电压特性的温度依赖性中，在0℃～40℃中的相对于平均驱动温度的电流的温度依赖性成为-(1/全显示灰度等级数)×100％～+(1/全显示灰度等级数)×100％的范围。
这里，所谓电流的温度依赖性为-(1/全显示灰度等级数)×100％～+(1/全显示灰度等级数)×100％的范围，是指平均驱动温度以外的温度下的驱动电流为平均驱动温度的驱动电流的{1-(1/全显示灰度等级数)}×100％～{1+(1/全显示灰度等级数)}×100％的范围。
另外，对于温度依赖性的平均驱动温度并不限于25℃，例如也可以设为27℃等其它温度。
另外，驱动电压范围不限于4～7V，可以根据各自的工艺，设定为满足权利要求所述的条件的驱动电压。
另外，用于开关和驱动用等的TFT并没有特别限定，例如可以是用低温多晶硅TFT、CG(Continuous Grain：连续晶界)硅TFT或非晶硅TFT等构成。此外，所谓CG硅，是指在玻璃基板上形成近似单晶的Si膜的技术。
工业上的实用性
本发明能够适用于有机EL(Electro Luminescence：电致发光)元件、FED(Field Emission Display：场发射显示)元件、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等电流控制型电光学元件。

Claims (14)

1.一种显示装置，具备至少形成有驱动晶体管和电光学元件的像素以及数据线，其特征在于，
为了根据通过所述数据线提供的信号电压而进行相应的灰度等级显示，所述驱动晶体管使与所述信号电压对应的驱动电流流过所述电光学元件，
所述电光学元件利用所述驱动电流发光，
并且，以所述驱动电流在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的98％～102％的范围的电压区域，将显示全显示灰度等级的中间灰度时的所述信号电压提供给所述驱动晶体管，
所述中间灰度，在全显示灰度等级数为偶数的情况下，是指对于全显示灰度等级数N的第N/2号灰度等级，而在全显示灰度等级数为奇数的情况下，是指对于全显示灰度等级数N的第(N+1)/2号灰度等级，
所述平均驱动温度是根据显示装置的使用环境等预测的工作温度的平均温度。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
以所述驱动电流在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的{1-(1/全显示灰度等级数)}×100％～{1+(1/全显示灰度等级数)}×100％的范围的电压区域，将显示全显示灰度等级的中间灰度时的所述信号电压提供给所述驱动晶体管。
3.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述温度范围为0℃～80℃。
4.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述平均驱动温度为25℃。
5.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
通过振幅调制进行灰度等级显示。
6.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
通过时间调制进行灰度等级显示。
7.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
在将根据为了显示全显示灰度等级的中间灰度而提供给驱动晶体管的所述信号电压而在0℃下流过的所述驱动电流和在40℃下流过的所述驱动电流的差异、
与根据为了显示比全显示灰度等级的中间灰度亮一个灰度等级的灰度而提供给驱动晶体管的所述信号电压而在0℃下流过的所述驱动电流和在40℃下流过的所述驱动电流的差异进行比较时，
将为了显示所述中间灰度而提供给驱动晶体管的所述信号电压设定于所述比中间灰度亮一个灰度等级的灰度的所述差异较小的电压区域内。
8.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
在所述驱动晶体管形成有栅极电极和源极电极，
在所述数据线和所述驱动晶体管的栅极电极之间形成有开关晶体管，
在所述驱动晶体管的栅极电极和所述驱动晶体管的源极电极之间形成有保持电容，
在所述开关晶体管导通期间，提供给所述驱动晶体管的信号电压通过所述开关晶体管提供，
另一方面，在所述开关晶体管断开期间，利用所述保持电容中存储的电容，保持与所述开关晶体管导通期间提供给所述驱动晶体管的信号电压相同的信号电压。
9.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述电光学元件为有机EL元件。
10.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述驱动晶体管为薄膜晶体管，包含由多晶硅形成的沟道区域。
11.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
所述像素有显示红色的像素、显示绿色的像素和显示蓝色的像素的至少三种像素。
12.一种显示装置，具备至少形成有驱动晶体管和电光学元件的像素以及数据线，其特征在于，
为了根据通过所述数据线提供的信号电压而进行相应的灰度等级显示，所述驱动晶体管使与所述信号电压对应的驱动电流流过所述电光学元件，
所述电光学元件利用所述驱动电流发光，
并且，以0℃～40℃的温度范围内发光的光与平均驱动温度下发光的光的色差在L*a*b*色立体中为ΔL*＜1.5的电压区域，将显示全显示灰度等级的中间灰度时的所述信号电压提供给所述驱动晶体管，
所述中间灰度，在全显示灰度等级数为偶数的情况下，是指对于全显示灰度等级数N的第N/2号灰度等级，而在全显示灰度等级数为奇数的情况下，是指对于全显示灰度等级数N的第(N+1)/2号灰度等级，
所述平均驱动温度是根据显示装置的使用环境等预测的工作温度的平均温度。
13.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
在将根据为了显示全显示灰度等级的中间灰度而提供给驱动晶体管的所述信号电压而在0℃下发光的光和在40℃下发光的光的所述色差ΔL*、
与根据为了显示比全显示灰度等级的中间灰度亮一个灰度等级的灰度而提供给驱动晶体管的所述信号电压而在0℃下发光的光和在40℃下发光的光的所述色差ΔL*进行比较时，
将为了显示所述中间灰度而提供给驱动晶体管的所述信号电压设定于使得所述比中间灰度亮一个灰度等级的灰度的所述色差ΔL*较小的电压区域内。
14.一种显示装置的驱动方法，它是在具备至少形成有驱动晶体管和电光学元件的像素以及数据线的显示装置中，为了根据通过数据线提供的信号电压进行相应的灰度等级显示，利用所述驱动晶体管使与所述信号电压对应的驱动电流流过所述电光学元件，从而使所述电光学元件发光的显示装置的驱动方法，其特征在于，
在显示全显示灰度等级的中间灰度时，在流过所述电光学元件的所述驱动电流在0℃～40℃的温度范围内为平均驱动温度下流过的驱动电流的98％～102％的范围的电压区域，将所述信号电压提供给所述驱动晶体管，
所述中间灰度，在全显示灰度等级数为偶数的情况下，是指对于全显示灰度等级数N的第N/2号灰度等级，而在全显示灰度等级数为奇数的情况下，是指对于全显示灰度等级数N的第(N+1)/2号灰度等级，
所述平均驱动温度是根据显示装置的使用环境等预测的工作温度的平均温度。
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