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VeröffentlichungsnummerCN101896831 B
PublikationstypErteilung
AnmeldenummerCN 200880120250
PCT-NummerPCT/IB2008/055234
Veröffentlichungsdatum28. Jan. 2015
Eingetragen12. Dez. 2008
Prioritätsdatum12. Dez. 2007
Auch veröffentlicht unterCN101896831A, EP2223135A1, US8441259, US20110115483, WO2009074965A1
Veröffentlichungsnummer200880120250.1, CN 101896831 B, CN 101896831B, CN 200880120250, CN-B-101896831, CN101896831 B, CN101896831B, CN200880120250, CN200880120250.1, PCT/2008/55234, PCT/IB/2008/055234, PCT/IB/2008/55234, PCT/IB/8/055234, PCT/IB/8/55234, PCT/IB2008/055234, PCT/IB2008/55234, PCT/IB2008055234, PCT/IB200855234, PCT/IB8/055234, PCT/IB8/55234, PCT/IB8055234, PCT/IB855234
ErfinderZ·翟, R·C·高斯, E·Y·P·王, M·莫里希, K·M·尼曼, G·德梅斯泰
Antragsteller皇家飞利浦电子股份有限公司
Zitat exportierenBiBTeX, EndNote, RefMan
Externe Links:  SIPO, Espacenet
用于超高场mri的发射/接收线圈
CN 101896831 B
Zusammenfassung  auf Chinesisch verfügbar
Beschreibung  auf Chinesisch verfügbar
Ansprüche(14)  auf Chinesisch verfügbar
Patentzitate
Zitiertes PatentEingetragen Veröffentlichungsdatum Antragsteller Titel
CN1954230A *11. Mai 200525. Apr. 2007皇家飞利浦电子股份有限公司用于超高磁场mr的短元件tem线圈
*US2003/0122546 Titel nicht verfügbar
*US2007/0241753 Titel nicht verfügbar
*WO2006/114749A1 Titel nicht verfügbar
Klassifizierungen
Internationale KlassifikationG01R33/3415
UnternehmensklassifikationG01R33/3415, G01R33/5659
Juristische Ereignisse
DatumCodeEreignisBeschreibung
24. Nov. 2010C06Publication
2. Febr. 2011C10Request of examination as to substance
28. Jan. 2015C14Granted