CN101952763B - 具有电力产生黑色掩模的装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电力产生黑色掩模，其包含沉积于衬底上方的抗反射层、沉积于所述抗反射层上方的第一电极层、沉积于所述第一电极层上方的半导体层及沉积于所述半导体层上方的第二电极层。

Description

具有电力产生黑色掩模的装置及其制造方法
技术领域
本发明的领域涉及微机电系统(MEMS)。
背景技术
微机电系统(MEMS)包括微机械元件、激活器及电子元件。可使用沉积、蚀刻及/或其它蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的部分或添加若干层以形成电气及机电装置的微机械加工工艺来产生微机械元件。一种类型的MEMS装置称作干涉式调制器。如本文中所使用，术语“干涉式调制器”或“干涉式光调制器”指代使用光学干涉的原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在某些实施例中，干涉式调制器可包含一对导电板，所述对导电板中的一者或两者可为完全或部分透明及/或反射的，且能够在施加适当电信号后即进行相对运动。在特定实施例中，一个板可包含沉积于衬底上的静止层，且另一板可包含通过气隙与所述静止层分离的金属膜。如本文中更详细地描述，一个板相对于另一板的位置可改变入射于干涉式调制器上的光的光学干涉。所述装置具有广泛范围的应用，且在此项技术中利用及/或修改这些类型的装置的特性以使得可采用其特征来改进现有产品及产生尚未开发的新产品将是有益的。
发明内容
在一个实施例中，一种电子装置包含包括多个光学显示元件的显示区域及沉积于所述显示区域的在所述光学显示元件之间的区域中的光伏黑色掩模，其中所述光伏黑色掩模包含至少一个经配置以吸收光的层及至少一个经配置以产生电力的层。
在另一实施例中，一种制造光伏黑色掩模的方法包含：在衬底上方沉积抗反射层；在所述抗反射层上方沉积第一电极；在所述第一电极层上方沉积半导体层；在所述半导体层上方沉积第二电极；及对抗反射层、第一电极层、半导体层及第二电极层的一部分进行图案化。
在另一实施例中，一种电子装置包含包括多个光学显示元件的显示区域、用于吸收光的装置及用于产生电力的装置，其中所述吸收装置及所述电力产生装置沉积于所述显示区域的在所述光学显示元件之间的区域中。
附图说明
图1为描绘干涉式调制器显示器的一个实施例的一部分的等距视图，其中第一干涉式调制器的可移动反射层处于松弛位置中且第二干涉式调制器的可移动反射层处于激活位置中。
图2为说明并入有3×3干涉式调制器显示器的电子装置的一个实施例的系统框图。
图3为图1的干涉式调制器的一个示范性实施例的可移动反射镜位置与施加电压的图。
图4为可用来驱动干涉式调制器显示器的一组行及列电压的说明。
图5A说明图2的3×3干涉式调制器显示器中的一个示范性显示数据帧。
图5B说明可用来写入图5A的帧的行及列信号的一个示范性时序图。
图6A及6B为说明包含多个干涉式调制器的视觉显示装置的实施例的系统框图。
图7A为图1的装置的横截面。
图7B为干涉式调制器的替代性实施例的横截面。
图7C为干涉式调制器的另一替代性实施例的横截面。
图7D为干涉式调制器的又一替代性实施例的横截面。
图7E为干涉式调制器的额外替代性实施例的横截面。
图8A为说明含有多个光学显示元件中所包括的结构的非有源区域的干涉式调制器阵列的一部分的俯视图。
图8B为说明含有多个光学显示元件中所包括的结构的非有源区域的干涉式调制器阵列的一部分的顶部正视图。
图9展示穿过根据一个实施例的具有掩模或吸光区的MEMS装置的横截面。
图10说明根据一实施例的电力产生黑色遮蔽。
图11A-11G说明根据一实施例的电力产生黑色掩模的制造方法。
图12A-12B说明根据另一实施例的电力产生黑色掩模。
图13说明根据另一实施例的串联连接的电力产生黑色掩模。
图14A为说明由电力产生黑色掩模的实施例反射及吸收的光量的曲线图。
图14B为说明电力产生黑色的实施例的层的材料及厚度的表。
具体实施方式
以下详细描述是针对某些具体实施例。然而，可使用其它实施例，且一些元件可以众多不同方式来体现。在此描述中，参看图式，其中始终以相同标号指定相同部分。如将从以下描述显而易见，所述实施例可在经配置以显示无论运动(例如，视频)还是静止(例如，静态图像)及无论文本还是图形的图像的任何装置中实施。更明确地说，预期所述实施例可实施于例如(但不限于)以下各者等多种电子装置中或与其相关联：移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航仪、相机、MP3播放器、可携式摄像机、游戏控制台、腕表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、驾驶舱控制器及/或显示器、相机视野显示器(例如，交通工具中的后视相机的显示器)、电子照片、电子广告牌或标牌、投影仪、建筑结构、封装及美学结构(例如，一件珠宝上的图像显示)。与本文所描述的那些MEMS装置结构类似的MEMS装置还可用于非显示应用中，例如用于电子开关装置中。
对在维持先前显示器的视觉质量的同时更具电力效益的移动装置显示器的需要是由具有电力产生能力的光学掩模来促进的。出于这些及其它原因，需要降低装置所使用的电力量或甚至产生足够电力以为额外组件充电，同时使显示器中的额外无源或非有源光学内含物的量降到最低。在一个实施例中，多用途光学组件充当电力产生光学掩模(例如，“黑色掩模”)以吸收周围光或杂散光且通过增加对比率来改进显示装置的光学响应，且还使用所述黑色掩模产生供所述装置用的电力。电力产生黑色掩模可在视觉显示器中使用且可产生电力以便降低装置的总体电力消耗。另外，电力产生黑色掩模可产生足够电力以为装置的组件充电。在一些应用中，黑色掩模可反射预定波长的光以呈现出除黑色以外的色彩。在一个实施例中，MEMS显示装置(例如，干涉式调制器阵列)包含动态光学组件(例如，动态干涉式调制器)及与所述动态光学组件横向偏移的静态光学组件(例如，静态干涉式调制器)。静态光学组件充当“黑色掩模”以吸收显示器的非有源区域中的周围光或杂散光以改进动态光学组件的光学响应，且充当电力产生组件。举例来说，非有源区域可包括MEMS显示装置的除对应于可移动反射层的区域以外的一个或一个以上区域。非有源区域还可包括显示装置的未用于显示所述显示装置上所呈现的图像或数据的区域。
尽管将使用包括干涉式调制器的MEMS装置来说明一个实施例，但应了解，本发明的若干部分可应用于例如各种成像显示器及光电装置等其它光学装置，一般来说，所述装置具有要求具吸光性的非有源区域但不包括干涉式调制器(例如，LCD、LED及等离子体显示器)。如从以下描述将显而易见，本发明的若干部分可在经配置以显示无论运动(例如，视频)还是静止(例如，静态图像)及无论文本还是图形的图像的任何装置中实施。更明确地说，本发明可应用于多种电子装置，例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航仪、相机、MP3播放器、可携式摄像机、游戏控制台、腕表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、驾驶舱控制器及/或显示器、相机视野显示器(例如，交通工具中的后视相机的显示器)、电子照片、电子广告牌或标牌、投影仪、建筑结构、封装及美学结构(例如，一件珠宝上的图像显示)。与本文所描述的那些MEMS装置结构类似的MEMS装置还可用于非显示应用中，例如用于电子开关装置中。另外，本发明不以任何方式限于在视觉显示装置中使用。
图1中说明包含干涉式MEMS显示元件的一个干涉式调制器显示器实施例。在这些装置中，像素处于亮或暗状态。在亮(“接通”或“开启”)状态中，显示元件将大部分入射可见光反射到用户。在处于暗(“断开”或“关闭”)状态中时，显示元件将极少入射可见光反射到用户。依据实施例而定，可逆转“接通”与“断开”状态的光反射性质。MEMS像素可经配置以主要反射选定色彩，从而允许除黑及白以外的色彩显示。
图1为描绘视觉显示器的一系列像素中的两个邻近像素的等距视图，其中每一像素包含MEMS干涉式调制器。在一些实施例中，干涉式调制器显示器包含这些干涉式调制器的行/列阵列。每一干涉式调制器包括一对反射层，所述反射层以彼此相距可变及可控距离定位以形成具有至少一个可变尺寸的共振光学间隙。在一个实施例中，所述反射层中的一者可在两个位置之间移动。在本文中称为松弛位置的第一位置中，可移动反射层定位于距固定的部分反射层的相对较大距离处。在本文中称为激活位置的第二位置中，可移动反射层较紧密地邻近于部分反射层而定位。依据可移动反射层的位置而定，从两个层反射的入射光相长或相消地干涉，从而产生每一像素的全反射或非反射状态。
图1中的像素阵列的所描绘部分包括两个邻近干涉式调制器12a及12b。在左侧的干涉式调制器12a中，可移动反射层14a经说明为处于距包括部分反射层的光学堆叠16a预定距离处的松弛位置中。在右侧的干涉式调制器12b中，可移动反射层14b经说明为处于邻近于光学堆叠16b的激活位置中。
如本文中参考的光学堆叠16a及16b(共同称为光学堆叠16)通常包含若干熔合层，所述熔合层可包括例如氧化铟锡(ITO)等电极层、例如铬等部分反射层及透明电介质。光学堆叠16因此为导电的、部分透明的及部分反射的，且可(例如)通过将以上层中的一者或一者以上沉积到透明衬底20上来制造。部分反射层可由部分反射的多种材料(例如，各种金属、半导体及电介质)形成。部分反射层可由一个或一个以上材料层形成，且所述层中的每一者可由单一材料或材料组合形成。
在一些实施例中，光学堆叠16的层经图案化成平行条带，且可形成显示装置中的行电极，如下文进一步描述。可移动反射层14a、14b可形成为沉积于柱18及在柱18之间沉积的居间牺牲材料的顶部上的沉积金属层的一系列平行条带(与16a、16b的行电极正交)。在蚀刻掉牺牲材料时，可移动反射层14a、14b通过经界定的间隙19与光学堆叠16a、16b分隔。例如铝等高导电及反射材料可用于反射层14，且这些条带可形成显示装置中的列电极。
如图1中的像素12a所说明，在无施加电压的情况下，间隙19保留在可移动反射层14a与光学堆叠16a之间，其中可移动反射层14a处于机械松弛状态中。然而，在将电位差施加到选定行及列时，在对应像素处在行与列电极的交点处形成的电容器变得带电，且静电力将电极牵拉在一起。如果电压为足够高的，则可移动反射层14变形且被迫使抵靠光学堆叠16。光学堆叠16内的电介质层(此图中未说明)可防止短路且控制层14与16之间的分隔距离，如由图1中右侧的像素12b所说明。不管所施加电位差的极性如何，所述行为均为相同的。以此方式，可控制反射与非反射像素状态的行/列激活在许多方面与常规LCD及其它显示技术中使用的行/列激活类似。
图2到图5B说明用于在显示应用中使用干涉式调制器阵列的一个示范性工艺及系统。
图2为说明可并入有本发明的若干方面的电子装置的一个实施例的系统框图。在示范性实施例中，电子装置包括处理器21，其可为：任何通用单或多芯片微处理器，例如ARM、Pentium
Figure BPA00001201697900051
、Pentium II
Figure BPA00001201697900052
、Pentium III、Pentium IV
Figure BPA00001201697900054
、PentiumPro、8051、MIPS、Power PC
Figure BPA00001201697900057
、ALPHA
Figure BPA00001201697900058
；或任何专用微处理器，例如数字信号处理器、微控制器或可编程门阵列。如在此项技术中为常规的，处理器21可经配置以执行一个或一个以上软件模块。除执行操作系统以外，处理器还可经配置以执行一个或一个以上软件应用程序，包括网络浏览器、电话应用程序、电子邮件程序或任何其它软件应用程序。
在一个实施例中，处理器21还经配置以与阵列驱动器22通信。在一个实施例中，阵列驱动器22包括向显示阵列或面板30提供信号的行驱动器电路24及列驱动器电路26。图1中说明的阵列的横截面是通过图2中的线1-1来展示。对于MEMS干涉式调制器来说，行/列激活协议可利用图3中说明的这些装置的滞后性质。可能需要(例如)10伏电位差以致使可移动层从松弛状态变形到激活状态。然而，在电压从所述值减小时，可移动层随着电压降低回到10伏以下而维持其状态。在图3的示范性实施例中，可移动层直到电压降低到2伏以下时才完全松弛。因此，在图3中说明的实例中存在约3V到7V的施加电压窗，在所述窗内，装置稳定于松弛或激活状态中。这在本文中称为“滞后窗”或“稳定窗”。对于具有图3的滞后特性的显示阵列来说，可设计行/列激活协议以使得在行选通期间，经选通行中待激活的像素暴露于约10伏的电压差，且待松弛的像素暴露于接近于零伏的电压差。在选通之后，像素暴露于约5伏的稳态电压差，使得其保持于行选通使其处于的任何状态中。在被写入之后，每一像素经历此实例中为3到7伏的“稳定窗”内的电位差。此特征使得图1中说明的像素设计在相同施加电压条件下稳定于激活或松弛的预先存在的状态中。由于干涉式调制器的每一像素(无论处于激活还是松弛状态中)本质上为由固定及移动反射层形成的电容器，所以此稳定状态可在几乎无功率耗散的情况下保持于滞后窗内的电压下。如果施加电位固定，则本质上无电流流入到像素中。
在典型应用中，可通过根据第一行中的所要激活像素集合来断言列电极集合而形成显示帧。接着将行脉冲施加到第1行电极，从而激活对应于所断言列线的像素。接着将所断言列电极集合改变为对应于第二行中的所要激活像素集合。接着将脉冲施加到第2行电极，从而根据所断言列电极激活第2行中的适当像素。第1行像素不受第2行脉冲影响，且保持在其在第1行脉冲期间所设定的状态中。这可以顺序型式针对整个系列的行来重复以产生帧。一般来说，通过以每秒某所要数目的帧连续地重复此过程来以新显示数据刷新及/或更新帧。用于驱动像素阵列的行及列电极以产生显示帧的广泛多种协议也为众所周知的且可结合本发明使用。
图4、图5A及图5B说明用于在图2的3×3阵列上形成显示帧的一种可能激活协议。图4说明可用于展现图3的滞后曲线的像素的列及行电压电平的可能集合。在图4的实施例中，激活像素涉及将适当列设定为-Vbias且将适当行设定为+ΔV，-Vbias及+ΔV可分别对应于-5伏及+5伏。使像素松弛是通过将适当列设定为+Vbias且将适当行设定为相同+ΔV从而跨越像素产生零伏电位差来实现。在行电压保持于零伏的那些行中，无论列处于+Vbias还是-Vbias，像素均稳定于其最初所处的任何状态中。如图4中还说明，将了解，可使用具有与上文所述的那些电压相反的极性的电压，例如，激活像素可涉及将适当列设定为+Vbias且将适当行设定为-ΔV。在此实施例中，释放像素是通过将适当列设定为-Vbias且将适当行设定为相同-ΔV从而跨越像素产生零伏电位差来实现。
图5B为展示施加到图2的3×3阵列的将产生图5A中说明的显示布置的一系列行及列信号的时序图，其中激活像素为非反射的。在写入图5A中说明的帧之前，像素可处于任何状态，且在此实例中，所有行处于0伏，且所有列处于+5伏。在这些施加电压下，所有像素稳定于其现有激活或松弛状态中。
在图5A帧中，像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)及(3，3)被激活。为了实现此，在用于第1行的“线时间”期间，将第1列及第2列设定为-5伏，且将第3列设定为+5伏。这不改变任何像素的状态，因为所有像素保持在3到7伏稳定窗中。接着以从0伏开始达到5伏且返回到零的脉冲来选通第1行。这激活了(1，1)及(1，2)像素且使(1，3)像素松弛。阵列中的其它像素不受影响。为了按需要设定第2行，将第2列设定为-5伏，且将第1列及第3列设定为+5伏。施加到第2行的相同选通将接着激活像素(2，2)且使像素(2，1)及(2，3)松弛。再次，阵列的其它像素不受影响。第3行是通过将第2列及第3列设定为-5伏且将第1列设定为+5伏来类似地设定。如图5A中所示，第3行选通设定第3行像素。在写入帧之后，行电位为零，且列电位可保持在+5或-5伏，且接着显示器稳定于图5A的布置中。将了解，相同程序可用于几十或几百个行及列的阵列。还将了解，用于执行行及列激活的电压的时序、序列及电平可在以上概述的一般原理内广泛变化，且以上实例仅为示范性的，且任何激活电压方法可与本文中描述的系统及方法一起使用。
图6A及图6B为说明显示装置40的实施例的系统框图。显示装置40可为(例如)蜂窝式或移动电话。然而，显示装置40的相同组件或其轻微变化还说明例如电视及便携式媒体播放器等各种类型的显示装置。
显示装置40包括外壳41、显示器30、天线43、扬声器45、输入装置48及麦克风46。外壳41大体上由所属领域的技术人员所众所周知的多种制造工艺中的任一者(包括注射模制及真空成形)形成。另外，外壳41可由包括(但不限于)塑料、金属、玻璃、橡胶及陶瓷或其组合的多种材料中的任一者制成。在一个实施例中，外壳41包括可与具有不同色彩或含有不同标志、图片或符号的其它可移除部分互换的可移除部分(未图示)。
示范性显示装置40的显示器30可为包括双稳态显示器(如本文中描述)的多种显示器中的任一者。在其它实施例中，显示器30包括：如上所述的平板显示器，例如等离子体、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD；或所属领域的技术人员所众所周知的非平板显示器，例如CRT或其它管装置。然而，出于描述本实施例的目的，显示器30包括如本文中描述的干涉式调制器显示器。
示范性显示装置40的一个实施例的组件示意性地说明于图6B中。所说明的示范性显示装置40包括外壳41且可包括至少部分封闭于其中的额外组件。举例来说，在一个实施例中，示范性显示装置40包括网络接口27，其包括耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，所述处理器21连接到调节硬件52。调节硬件52可经配置以调节信号(例如，对信号进行滤波)。调节硬件52连接到扬声器45及麦克风46。处理器21还连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱动器控制器29耦合到帧缓冲器28及阵列驱动器22，所述阵列驱动器22又耦合到显示阵列30。如特定示范性显示装置40设计所需要，电源50向所有组件提供电力。
网络接口27包括天线43及收发器47，使得示范性显示装置40可经由网络与一个或一个以上装置通信。在一个实施例中，网络接口27还可具有减轻处理器21的需求的一些处理能力。天线43为所属领域的技术人员已知的用于发射及接收信号的任何天线。在一个实施例中，天线根据IEEE 802.11标准(包括IEEE 802.11(a)、(b)或(g))发射及接收RF信号。在另一实施例中，天线根据蓝牙标准发射及接收RF信号。在蜂窝式电话的情况下，天线经设计以接收用来在无线蜂窝式电话网络内通信的CDMA、GSM、AMPS或其它已知信号。收发器47预处理从天线43接收的信号，使得所述信号可由处理器21接收且进一步操纵。收发器47还处理从处理器21接收的信号，使得所述信号可从示范性显示装置40经由天线43发射。
在替代性实施例中，收发器47可由接收器替换。在又一替代性实施例中，网络接口27可由图像源替换，所述图像源可存储或产生待发送到处理器21的图像数据。举例来说，图像源可为含有图像数据的数字视频光盘(DVD)或硬盘驱动器或者产生图像数据的软件模块。
处理器21通常控制示范性显示装置40的总体操作。处理器21接收来自网络接口27或图像源的例如压缩图像数据等数据，且将数据处理成原始图像数据或处理成容易处理成原始图像数据的格式。处理器21接着将经处理数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以用于存储。原始数据通常指代识别图像内的每一位置处的图像特性的信息。举例来说，此类图像特性可包括色彩、饱和度及灰度级。
在一个实施例中，处理器21包括微控制器、CPU或逻辑单元以控制示范性显示装置40的操作。调节硬件52大体上包括用于将信号发射到扬声器45及用于从麦克风46接收信号的放大器及滤波器。调节硬件52可为示范性显示装置40内的离散组件，或可并入于处理器21或其它组件内。
驱动器控制器29直接从处理器21或从帧缓冲器28取得由处理器21产生的原始图像数据，且适当地将原始图像数据重新格式化以供高速发射到阵列驱动器22。具体地说，驱动器控制器29将原始图像数据重新格式化成具有光栅状格式的数据流，使得其具有适合于跨越显示阵列30扫描的时间次序。接着，驱动器控制器29将经格式化的信息发送到阵列驱动器22。尽管例如LCD控制器等驱动器控制器29常常作为独立的集成电路(IC)与系统处理器21相关联，但是此类控制器可以许多方式实施。其可作为硬件嵌入于处理器21中，作为软件嵌入于处理器21中，或与阵列驱动器22一起完全集成于硬件中。
通常，阵列驱动器22接收来自驱动器控制器29的经格式化的信息且将视频数据重新格式化成每秒多次施加到来自显示器的x-y像素矩阵的数百及有时数千个引线的平行波形集合。
在一个实施例中，驱动器控制器29、阵列驱动器22及显示阵列30适于本文中描述的所述类型的显示器中的任一者。举例来说，在一个实施例中，驱动器控制器29为常规显示器控制器或双稳态显示器控制器(例如，干涉式调制器控制器)。在另一实施例中，阵列驱动器22为常规驱动器或双稳态显示器驱动器(例如，干涉式调制器显示器)。在一个实施例中，驱动器控制器29与阵列驱动器22集成。此实施例在例如蜂窝式电话、手表及其它小面积显示器等高度集成系统中为常见的。在又一实施例中，显示阵列30为典型显示阵列或双稳态显示阵列(例如，包括干涉式调制器阵列的显示器)。
输入装置48允许用户控制示范性显示装置40的操作。在一个实施例中，输入装置48包括例如QWERTY键盘或电话小键盘等小键盘、按钮、开关、触敏屏幕或者压敏或热敏膜。在一个实施例中，麦克风46为示范性显示装置40的输入装置。在使用麦克风46将数据输入到装置时，可由用户提供语音命令以用于控制示范性显示装置40的操作。
电源50可包括如在此项技术中众所周知的多种能量存储装置。举例来说，在一个实施例中，电源50为可再充电电池，例如镍镉电池或锂离子电池。在另一实施例中，电源50为可再生能源、电容器或包括塑料太阳能电池及太阳能电池涂料的太阳能电池。在另一实施例中，电源50经配置以从壁式插座接收电力。
在一些实施例中，如上所述，控制可编程性驻留于可位于电子显示系统的若干位置中的驱动器控制器中。在一些实施例中，控制可编程性驻留于阵列驱动器22中。所属领域的技术人员将认识到，以上描述的优化可在任何数目的硬件及/或软件组件中且以各种配置来实施。
根据以上阐述的原理操作的干涉式调制器的结构的细节可广泛地变化。举例来说，图7A到图7E说明可移动反射层14及其支撑结构的五个不同实施例。图7A为图1的实施例的横截面，其中金属材料条带14沉积于正交延伸的支撑物18上。在图7B中，可移动反射层14仅在隅角处在栓绳32上附接到支撑物。在图7C中，可移动反射层14从可包含柔性金属的可变形层34悬置。可变形层34围绕可变形层34的周边直接或间接地连接到衬底20。这些连接在本文中称为支柱。图7D中说明的实施例具有可变形层34搁置于上面的支柱塞42。如在图7A到图7C中，可移动反射层14保持悬置于间隙上方，但是可变形层34并未通过填充可变形层34与光学堆叠16之间的孔而形成支柱。而是，支柱由用来形成支柱塞42的平面化材料形成。图7E中说明的实施例是基于图7D中展示的实施例，但是还可适于与图7A到图7C中说明的实施例中的任一者以及未展示的额外实施例一起工作。在图7E中展示的实施例中，额外金属或其它导电材料层已用来形成总线结构44。这允许沿干涉式调制器的背部路由信号，从而消除可能原本必须在衬底20上形成的多个电极。
在例如图7中展示的那些实施例等实施例中，干涉式调制器充当直观式装置，其中从透明衬底20的前侧(与上面布置有调制器的侧相对的侧)观看图像。在这些实施例中，反射层14在光学上屏蔽反射层的与衬底20相对的侧上的干涉式调制器的部分，包括可变形层34。这允许在不负面影响图像质量的情况下配置及操作屏蔽区域。此屏蔽允许图7E中的总线结构44，其提供将调制器的光学性质与调制器的机电性质(例如，寻址及由所述寻址引起的移动)分离的能力。此可分离的调制器架构允许用于调制器的机电方面及光学方面的结构设计及材料彼此独立地选择及起作用。此外，图7C到图7E中展示的实施例具有从反射层14的光学性质与其由可变形层34实行的机械性质的分离得到的额外益处。这允许用于反射层14的结构设计及材料相对于光学性质来优化，且用于可变形层34的结构设计及材料相对于所要机械性质来优化。
图8A及图8B说明具有可并入有黑色掩模的显示元件的显示器的一部分的实例。图8A及图8B说明包括干涉式调制器阵列的显示器的示范性部分。黑色掩模可在图8A及图8B中所示的阵列中及在其中黑色掩模可用于为显示器的某些区域遮蔽掉周围光的任何类型的显示器中使用。图8A展示阵列的多个像素12。图8B从与显示器的观察“正”侧相对的衬底“背”侧展示位于干涉式调制器阵列的多个像素上的支撑物18的实例，所述支撑物18可经遮蔽以改进显示器的光学响应。为了改进显示器的光学响应(例如，对比度)，可需要使从阵列的某些区域反射的光减到最少。可使用黑色掩模将增加处于暗状态的显示器的反射率的干涉式调制器的任何区域遮蔽(例如，通过将掩模安置于结构与进入干涉式调制器的光之间)以便增加对比率。可经遮蔽以有利地影响显示器的一些区域包括(但不限于)干涉式调制器之间的行切口72(图8A)、支撑物18、从显示器的观察侧可见的连接到支撑物18及/或在支撑物18周围的可移动反射镜层的弯曲区域及相邻干涉式调制器的可移动反射镜层之间的区域76(图8A)。掩模可安置于所述区域中，使得所述掩模与干涉式调制器的可移动反射镜间隔开(例如，使得周围光可传播到可移动反射镜及从可移动反射镜反射)，而除可移动反射镜以外的区域被遮蔽，因而抑制周围光从经遮蔽区域中的任何其它结构反射。这些经遮蔽的区域可称为“非有源区域”，因为其为静态的或不希望提供光调制，例如，所述区域不包括可移动反射镜。在一些实施例中，掩模可经安置以使得进入干涉式调制器的光落在经遮蔽区域或可移动反射镜上。在其它实施例中，非有源区域的至少一部分被遮蔽。
图9展示根据一个实施例的多元件显示器100的两个元件的简化表示的横截面视图。所述显示器包含两个光学组件(其它光学组件出于清楚起见而未展示)，所述光学组件在此实施例中为干涉式调制器104。如上所述，干涉式调制器装置104包含反射膜及/或透射膜的布置，当在箭头106所指示的方向上驱动可移动有源区域朝向衬底202时，所述反射膜及/或透射膜产生所要光学响应。在图9中，参考标号108指示干涉式调制器104的非有源区域。通常，需要非有源区域108具吸光性或充当黑色掩模，使得当观察者从观察箭头110所指示的方向观看显示器100时，由干涉式调制器装置104产生的光学响应并未因周围光从非有源区域108反射而降级。在其它实施例中，可需要用除黑色以外的有色掩模(例如，绿色、红色、蓝色、黄色等)遮蔽非有源区域108。
用于非有源区域108的掩模可由经选择以具有吸收光或使光衰减的光学响应的材料制造。用于制造掩模的材料可为导电的。根据本文中的实施例，用于每一非有源区域108的掩模可制造成薄膜堆叠。举例来说，在一个实施例中，薄膜堆叠可包含定位于吸收体层上方的反射体层，所述吸收体层定位于非吸光性电介质层上方。在其它实施例中，非有源区域108可包含使光衰减或吸收光的有机材料或无机材料的单个层及例如铬或铝等导电材料的层。
图10说明根据一实施例的电力产生黑色掩模1024。所述电力产生黑色掩模1024包含衬底1004、定位于所述衬底1004上方的抗反射层1008、定位于所述抗反射层1008上方的第一电极层1012、定位于所述第一电极层1012上方的半导体层1016及定位于所述半导体层1016上方的第二电极层1020。黑色掩模改进显示装置的视觉质量。此改进由黑色掩模的多种特征提供。举例来说，黑色掩模使显示器中的额外无源或非有源光学内含物的量降到最低。另外，黑色掩模吸收周围光或杂散光且通过增加对比率来改进显示装置的光学响应。根据一实施例的电力产生黑色掩模提供上文所列的所有益处且提供额外益处。黑色掩模的电力产生组件可允许装置使用较少电力。另外，黑色掩模的电力产生组件可用于产生电力以为装置中的至少一个组件充电。举例来说，电力产生黑色掩模可产生足够电力以为装置所使用的电池充电。或者，电力产生黑色掩模可向装置中的其它组件提供电力。
图11A-11G说明根据一实施例的制造电力产生黑色掩模1128的方法。在此实施例中，电力产生黑色掩模1128经制造以供在显示装置中使用。在图11A中，所述方法始于衬底1104。所述衬底1104可包含玻璃或适于用作衬底的任何其它材料。在图11B中，抗反射层1108定位于衬底1104上方。所述抗反射层1108通过在光学上匹配衬底1104及后续层1112而减少从装置中反射回的入射光的量。抗反射层1108可包含多个具有交替的高折射率及低折射率的层。另外，抗反射层可包含SiO2、SiNx、MgF2、ITO、Al2O3、Yi2O3、ZnO或适于用作抗反射层的任何其它材料。在图11C中，第一电极层1112定位于抗反射层1108上方。所述第一电极层1112可包含ITO或适于用作电极的其它大体上透明材料。在图11D中，半导体层堆叠1116定位于第一电极层1112上方。所述半导体层堆叠1116可包含对应于典型Si、CdTe或适用于光伏电池的任何其它半导体材料集合的p-n或p-i-n结集合的层。在图11E中，第二电极层1120定位于半导体层1116上方。所述第二电极层1120可包含ITO、Al或适于用作电极的任何其它材料。第二电极层1120可为透明或反射的。电力产生黑色掩模1128包含抗反射层1108、第一电极层1112、半导体层1116及第二电极层1120。在图11F中，电力产生黑色掩模1128经图案化。在此实施例中，电力产生黑色掩模1128经图案化以允许视觉显示器的像素元件定位于电力产生黑色掩模1128中的间隙上方。如图11G中所示，平面化层1124可沉积于经图案化的电力产生黑色掩模1128上方。平面化层1124允许将经图案化的电力产生黑色掩模1128在其它制造工艺中用作经设计的衬底1132。制造工艺可在经设计的衬底1132之上建造结构，如同所述结构直接建造到平面衬底(例如，玻璃、塑料等)上一般。举例来说，包含IMOD的视觉显示器可建造于经设计的衬底1132的表面之上。
图12A展示根据另一实施例的电力产生黑色掩模。在此实施例中，制造方法类似于图11A-11E。绝缘体层1224沉积于电力产生黑色掩模1228上方。绝缘体1224接着经图案化以使得形成到达第二电极层1220的开口。这暴露第二电极层1220且允许其它结构连接到所述第二电极层1220。
图12B展示根据又一实施例的电力产生黑色掩模。在此实施例中，制造方法类似于图11A-11E。电力产生黑色掩模1228经图案化以使得形成到达第一电极层1212的开口。绝缘体层1224沉积于到第一电极层形成的所述开口上方。绝缘体层1224接着经图案化以使得形成到达第一电极层1212的开口。这暴露第一电极层1212且允许其它结构连接到所述第一电极层1212。
图13说明根据另一实施例的电力产生黑色掩模。此实施例使用图12A-12B中所描述的实施例。从俯视图展示电力产生黑色掩模1300。电力产生黑色掩模1300经图案化以对应于位于开口1320周围的像素元件且经划分成离散区段1304、1308、1312及1316。区段1304、1308、1312及1316可如图12B中所说明经配置以暴露第一电极层1212或可如图12A中所说明经配置以暴露第二电极层1220。或者，区段1304、1308、1312及1316可经配置以使得区段的一部分暴露第一电极层且区段1312的一部分暴露第二电极层。这允许所述区段串联或并联连接。在图13中，区段1312由若干列对串联连接。区段1316串联连接到区段1312，且区段1308与区段1304串联连接。本说明书决不限制经暴露电极层的连接配置或配置。电力产生黑色掩模的区段1304、1308、1312及1316可串联、并联或以两者的组合连接。电力产生黑色掩模的区段可暴露第一电极层1212、第二电极层1330或两者的组合。区段及电极层的配置对于使用电力产生黑色掩模1300的装置来说可为特定的。举例来说，需要较高电压的装置可串联连接区段1304、1308、1312及1316且如图13中所示连接电极层。
以下为根据一实施例的电力产生黑色掩模所产生的电力量的保守估计。电力产生黑色掩模占1.8英寸对角线IMOD显示器的显示区域的约10％。显示器的宽度为0.035米且显示器的高度为0.040米，使得显示区域为0.0014平方米。黑色掩模覆盖显示区域的约10％，其为0.00014平方米。电力产生黑色掩模的电效率为10％。入射太阳光的量为1000W/m2，且出于保守估计，假定仅50％的入射太阳光到达电力产生黑色掩模。1000W/m2为在最佳条件下所接收的太阳光的量。最佳条件可包括在午时期间、在较接近赤道的区域中且在无云或雾的区域中接收太阳光。在以下实例中所给出的条件下，1.8英寸对角线显示器所产生的据估计电力量为7毫瓦或0.007瓦。这经计算为500W/m2乘以黑色掩模面积0.00014m2、接着乘以电力产生黑色掩模的电效率10％。黑色掩模可覆盖显示区域的约10％-30％。电力产生黑色掩模可具有在5％-20％范围内的电效率。到达电力产生黑色掩模的入射光的量可取决于一天中的时间、天气(即，云或雾)、地理位置及可影响可到达装置的太阳光的量的多种其它条件。以下实例仅说明电力产生黑色掩模所产生的电力量的保守估计且决不限制可由电力产生黑色掩模产生的电力量。所产生的电力量对于不同实施例来说可为不同的。
图14A为说明由电力产生黑色掩模反射及吸收的光量的曲线图。所述曲线图的x轴代表入射光的不同波长。y轴代表百分比。y轴以1为标度，这意味着在0.10处百分比为10％。如曲线图中所示，电力产生黑色掩模一般反射少量入射光且吸收大部分入射光。举例来说，在550nm波长的光下，反射约0.5％的入射光且吸收99.5％的入射光。
图14B为说明根据一实施例的电力产生黑色掩模的电极层及半导体层的厚度及所用材料的表。第一电极层为透明的并包含ITO且为约72nm厚。半导体层包含a-Si且为约15nm厚。第二电极层为反射性的并包含Cr且为约100nm厚。此实施例中所说明的电力产生黑色掩模反射约0.5％的入射光。
上述实施例提供黑色掩模的功能性，同时提供额外益处。根据一实施例的电力产生黑色掩模允许使用黑色掩模的装置更具电力效益，同时反射少于1％的入射光。电力产生黑色掩模可用于减少使用所述电力产生黑色掩模的装置所使用的电力量。另外，电力产生黑色掩模可用于产生电力以运行使用所述电力产生黑色掩模的装置的至少一个组件或为所述至少一个组件充电。在另一实施例中，电力产生黑色掩模可经图案化以提供到第一电极层或第二电极层或两者的开口。在另一实施例中，电力产生黑色掩模可划分成离散区段且所述区段可串联或并联或以所述两种方式连接。尽管本文所描述的各个实施例是关于MEMS或视觉显示器，但将了解，本发明并不限于在所述装置中使用。使用黑色掩模的任何装置均可使用本发明的实施例。
将了解，可从那些先前所描述的实施例做出大量及各种修改，且本文所描述的本发明的形式仅为说明性的且不希望限制本发明的范围。某些实施例的详细描述呈现对本发明的特定实施例的各种描述。然而，本发明可以如权利要求书所界定及涵盖的众多不同方式来体现。
本文所呈现的描述中所使用的术语不希望以任何受限或约束性方式来解释，仅仅是因为其正与本发明的某些特定实施例的详细描述结合使用。此外，本发明的实施例可包括若干新颖特征，没有单一新颖特征单独对其合乎需要的属性负责或为实践本文所描述的发明所必需的。

Claims (17)

1.一种电子装置，其包含：
显示区域，其包含多个光学显示元件，及
光伏黑色掩模，其被图案化为多个区段并沉积于所述显示区域的所述光学显示元件之间的区域中且定位于衬底与所述光学显示元件之间，其中所述光伏黑色掩模包含：
至少一个经配置以吸收光的层，
至少一个经配置以产生电力的层，及
至少第一电极层和第二电极层，其中所述多个区段当中的至少第一区段和第二区段各自包括所述第一电极层和所述第二电极层当中的至少一个的暴露部分，其中所述第一区段的所述第一电极层和所述第二电极层当中的所述至少一个的所述暴露部分经配置以连接于所述第二区段的所述第一电极层和所述第二电极层当中的所述至少一个的所述暴露部分。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述光伏黑色掩模占所述显示区域的至少10％。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述光伏黑色掩模包含：
沉积于衬底上方的抗反射层，
沉积于所述抗反射层上方的所述第一电极层，
沉积于所述第一电极层上方的半导体层，及
沉积于所述半导体层上方的所述第二电极层。
4.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述抗反射层包含至少一个材料层。
5.根据权利要求3所述的电子装置，其中：
所述光伏黑色掩模经图案化以使得穿过所述第二电极层及所述半导体层形成到达所述第一电极层的开口，
绝缘体定位于所述第二电极层及半导体层上方，且
所述绝缘体经图案化以使得穿过所述绝缘体形成到达所述第一电极层的开口。
6.根据权利要求3所述的电子装置，其中：
绝缘体定位于所述第二电极层上方，且
所述光伏黑色掩模经图案化以使得穿过所述绝缘体形成到达所述第二电极层的开口。
7.根据权利要求3所述的电子装置，其中所述光伏黑色掩模被图案化成离散区段。
8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述区段中的所述第一电极层和所述第二电极层被串联或并联连接。
9.一种制造光伏黑色掩模的方法，所述方法包含：
在衬底上方沉积抗反射层；
在所述抗反射层上方沉积第一电极层；
在所述第一电极层上方沉积半导体层；
在所述半导体层上方沉积第二电极层；及
对所述抗反射层、所述第一电极层、所述半导体层及所述第二电极层的一部分进行图案化，其中至少第一区段和第二区段各自包括所述第一电极层和所述第二电极层当中的至少一个的暴露部分，其中所述第一区段的所述第一电极层和所述第二电极层当中的所述至少一个的所述暴露部分经配置以连接于所述第二区段的所述第一电极层和所述第二电极层当中的所述至少一个的所述暴露部分。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述抗反射层包含至少一个材料层。
11.根据权利要求9所述的方法，所述方法进一步包含在所述第一电极层、所述半导体层及所述第二电极层的一部分上方沉积平面化层。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一电极层为透明的。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述平面化层被配置为电绝缘的。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述平面化层被配置为透明的。
15.根据权利要求9所述的方法，所述方法进一步包含：
对所述第二电极层及所述半导体层进行图案化以使得形成到达所述第一电极层的开口，
在所述第一电极层、所述第二电极层及所述半导体层上方沉积电绝缘平面化层，及
对所述平面化层进行图案化以使得穿过所述平面化层形成到达所述第一电极层的开口。
16.根据权利要求11所述的方法，所述方法进一步包含：
对所述平面化层进行图案化以使得形成到达所述第二电极层的开口。
17.一种电子装置，其包含：
显示区域，其包含多个光学显示元件；
用于吸收光的装置；及
电力产生黑色掩膜，其被图案化为多个区段，其中所述电力产生黑色掩膜包括至少第一电极层和第二电极层，其中至少第一区段和第二区段各自包括所述第一电极层和所述第二电极层当中的至少一个的暴露部分，其中所述第一区段的所述第一电极层和所述第二电极层当中的所述至少一个的所述暴露部分经配置以连接于所述第二区段的所述第一电极层和所述第二电极层当中的所述至少一个的所述暴露部分；
其中所述吸收装置及所述电力产生黑色掩膜沉积于所述显示区域的所述光学显示元件之间的区域中。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070009899A1 (en) * 2003-10-02 2007-01-11 Mounts William M Nucleic acid arrays for detecting gene expression in animal models of inflammatory diseases
US8094358B2 (en) * 2008-03-27 2012-01-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dimming mirror
US7660028B2 (en) * 2008-03-28 2010-02-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method of dual-mode display
US7787130B2 (en) * 2008-03-31 2010-08-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US7852491B2 (en) 2008-03-31 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US7787171B2 (en) * 2008-03-31 2010-08-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US8077326B1 (en) 2008-03-31 2011-12-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US7860668B2 (en) * 2008-06-18 2010-12-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pressure measurement using a MEMS device
US8711361B2 (en) * 2009-11-05 2014-04-29 Qualcomm, Incorporated Methods and devices for detecting and measuring environmental conditions in high performance device packages
US20110176196A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods and devices for pressure detection
KR101113467B1 (ko) * 2010-04-01 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널
US8390916B2 (en) 2010-06-29 2013-03-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for false-color sensing and display
US8904867B2 (en) 2010-11-04 2014-12-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display-integrated optical accelerometer
US8714023B2 (en) 2011-03-10 2014-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for detecting surface perturbations
US20130003158A1 (en) * 2011-06-28 2013-01-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for optical decoupling
US20130113810A1 (en) * 2011-11-04 2013-05-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Sidewall spacers along conductive lines
WO2014017341A1 (ja) * 2012-07-24 2014-01-30 シャープ株式会社 発電機能付き表示装置
JP6653696B2 (ja) * 2015-04-09 2020-02-26 シャープ株式会社 光電変換素子
US9496230B1 (en) * 2015-04-30 2016-11-15 International Business Machines Corporation Light sensitive switch for semiconductor package tamper detection
CN104867964B (zh) * 2015-05-18 2019-02-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制造方法以及有机发光二极管显示装置
US20170355591A1 (en) * 2016-06-08 2017-12-14 Infineon Technologies Ag Microelectromechanical device and a method of manufacturing a microelectromechanical device
US11881539B2 (en) 2020-11-20 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structure and method of advanced LCoS back-plane having highly reflective pixel via metallization
US11880052B2 (en) 2020-11-20 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structure and method of mirror grounding in LCoS devices
US11586067B2 (en) 2020-11-20 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Structure and method of advanced LCoS back-plane having robust pixel via metallization
US11908678B2 (en) 2021-01-14 2024-02-20 Applied Materials, Inc. Method of CMP integration for improved optical uniformity in advanced LCOS back-plane

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1854822A (zh) * 2005-04-18 2006-11-01 京东方显示器科技公司 平板液晶显示装置
US20070102035A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-10 Xiai (Charles) Yang Method and Structure for Integrated Solar Cell LCD Panel
KR20080001515A (ko) * 2006-06-29 2008-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4441791A (en) 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
US4571603A (en) 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
US4859060A (en) 1985-11-26 1989-08-22 501 Sharp Kabushiki Kaisha Variable interferometric device and a process for the production of the same
US4748366A (en) 1986-09-02 1988-05-31 Taylor George W Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects
US4954789A (en) 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5083857A (en) 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
US5216537A (en) 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5526688A (en) 1990-10-12 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Digital flexure beam accelerometer and method
JPH04190323A (ja) * 1990-11-26 1992-07-08 Hitachi Ltd 太陽電池セル付液晶ディスプレイ
US5226099A (en) 1991-04-26 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror shutter device
JPH0580721A (ja) * 1991-09-18 1993-04-02 Canon Inc 表示制御装置
JPH06160889A (ja) * 1992-11-20 1994-06-07 Fujitsu Ltd 液晶表示装置
US5285060A (en) 1992-12-15 1994-02-08 Donnelly Corporation Display for automatic rearview mirror
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5489952A (en) 1993-07-14 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and device for multi-format television
US5526172A (en) 1993-07-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same
JP3106805B2 (ja) * 1993-10-14 2000-11-06 富士電機株式会社 圧力差測定方法及び変位変換装置
US5894686A (en) * 1993-11-04 1999-04-20 Lumitex, Inc. Light distribution/information display systems
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US6040937A (en) 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7138984B1 (en) 2001-06-05 2006-11-21 Idc, Llc Directly laminated touch sensitive screen
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5550373A (en) 1994-12-30 1996-08-27 Honeywell Inc. Fabry-Perot micro filter-detector
JPH08202318A (ja) * 1995-01-31 1996-08-09 Canon Inc 記憶性を有する表示装置の表示制御方法及びその表示システム
US5584117A (en) 1995-12-11 1996-12-17 Industrial Technology Research Institute Method of making an interferometer-based bolometer
US6014121A (en) * 1995-12-28 2000-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Display panel and apparatus capable of resolution conversion
US5815141A (en) 1996-04-12 1998-09-29 Elo Touch Systems, Inc. Resistive touchscreen having multiple selectable regions for pressure discrimination
JPH09325352A (ja) * 1996-06-07 1997-12-16 Sharp Corp 液晶表示装置
KR100703140B1 (ko) * 1998-04-08 2007-04-05 이리다임 디스플레이 코포레이션 간섭 변조기 및 그 제조 방법
JP2000019983A (ja) * 1998-07-07 2000-01-21 Sharp Corp 画像表示装置
US6304297B1 (en) 1998-07-21 2001-10-16 Ati Technologies, Inc. Method and apparatus for manipulating display of update rate
US6295048B1 (en) 1998-09-18 2001-09-25 Compaq Computer Corporation Low bandwidth display mode centering for flat panel display controller
US6556515B1 (en) * 1999-03-25 2003-04-29 Citizen Watch Co., Ltd. Watch with liquid crystal display panel
US6307194B1 (en) 1999-06-07 2001-10-23 The Boeing Company Pixel structure having a bolometer with spaced apart absorber and transducer layers and an associated fabrication method
EP1334623A2 (en) 2000-10-12 2003-08-13 Reveo, Inc. 3d projection system with a digital micromirror device
TW574512B (en) * 2001-03-14 2004-02-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electrophoretic display device
US6737979B1 (en) * 2001-12-04 2004-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Micromechanical shock sensor
US20030117382A1 (en) 2001-12-07 2003-06-26 Pawlowski Stephen S. Configurable panel controller and flexible display interface
US7012610B2 (en) 2002-01-04 2006-03-14 Ati Technologies, Inc. Portable device for providing dual display and method thereof
US20030191623A1 (en) 2002-02-25 2003-10-09 Oak Technology, Inc. Computer system capable of executing a remote operating system
US7145143B2 (en) * 2002-03-18 2006-12-05 Honeywell International Inc. Tunable sensor
US7425749B2 (en) * 2002-04-23 2008-09-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. MEMS pixel sensor
US6666561B1 (en) 2002-10-28 2003-12-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Continuously variable analog micro-mirror device
KR20050092779A (ko) 2003-01-23 2005-09-22 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 쌍안정 매트릭스 디스플레이 디바이스의 구동
JP4190323B2 (ja) 2003-03-24 2008-12-03 旭化成ホームズ株式会社 土間の気密構造及び土間の気密構造形成方法
US6829132B2 (en) 2003-04-30 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control of micro-electromechanical device
US6819469B1 (en) 2003-05-05 2004-11-16 Igor M. Koba High-resolution spatial light modulator for 3-dimensional holographic display
US7190337B2 (en) * 2003-07-02 2007-03-13 Kent Displays Incorporated Multi-configuration display driver
WO2005022501A1 (en) * 2003-08-27 2005-03-10 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Method and apparatus for updating sub-pictures in a bi-stable electronic reading device
US20050068254A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Booth Lawrence A. Display control apparatus, systems, and methods
US7586484B2 (en) 2004-09-27 2009-09-08 Idc, Llc Controller and driver features for bi-stable display
US7679627B2 (en) * 2004-09-27 2010-03-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controller and driver features for bi-stable display
US7460246B2 (en) 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
US7920135B2 (en) 2004-09-27 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving a bi-stable display
US7808703B2 (en) 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for implementation of interferometric modulator displays
US7535466B2 (en) 2004-09-27 2009-05-19 Idc, Llc System with server based control of client device display features
US7551246B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-23 Idc, Llc. System and method for display device with integrated desiccant
US7653371B2 (en) 2004-09-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US7657242B2 (en) 2004-09-27 2010-02-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US20060176241A1 (en) 2004-09-27 2006-08-10 Sampsell Jeffrey B System and method of transmitting video data
US7317568B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-08 Idc, Llc System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors
US7369294B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Ornamental display device
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7583429B2 (en) * 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US20060066596A1 (en) 2004-09-27 2006-03-30 Sampsell Jeffrey B System and method of transmitting video data
WO2007095127A1 (en) 2006-02-10 2007-08-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for updating of displays showing deterministic content
US7903047B2 (en) 2006-04-17 2011-03-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mode indicator for interferometric modulator displays
US20080241356A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Jianming Fu Photovoltaic devices manufactured using crystalline silicon thin films on glass
US7595926B2 (en) * 2007-07-05 2009-09-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated IMODS and solar cells on a substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1854822A (zh) * 2005-04-18 2006-11-01 京东方显示器科技公司 平板液晶显示装置
US20070102035A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-10 Xiai (Charles) Yang Method and Structure for Integrated Solar Cell LCD Panel
KR20080001515A (ko) * 2006-06-29 2008-01-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자

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Publication number Publication date
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