CN102456460A - 具有冷铁匀场能力的超导磁体 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及具有冷铁匀场能力的超导磁体。一种对超导磁体组件(11)进行匀场的方法(100)，该超导磁体组件(11)包括低温恒温器和配置成装设在该低温恒温器中的超导磁体(12)。该方法(100)包括：当该超导磁体(12)在室温时并且在该超导磁体(12)被密封在该低温恒温器中之前，确定该超导磁体(12)的多个场不均匀特性；以及当该超导磁体(12)在室温时，将初始一组被动匀场片(64、66)装设在所述低温恒温器内部，当该超导磁体(12)在正常的操作温度操作时该初始一组被动匀场片(64、66)降低所确定的场不均匀特性。

Description

具有冷铁匀场能力的超导磁体
技术领域
本文公开的主旨大体上涉及超导磁体，并且更特别地涉及在成像系统中对超导磁体进行被动匀场的方法。
背景技术
磁共振成像(MRI)系统典型地包括超导磁体，其在成像体积内产生一次磁场。该一次磁场中的不均匀性可能由磁体的制造公差以及设备和场地条件而引起。在操作中，磁场不均匀性可使该成像体积中的位置信息失真并且降低图像质量。该成像体积必须具有低的磁场不均匀性来产生高质量的图像。
匀场是用于降低一次磁场的不均匀性的已知技术。一次磁场本质上是大的恒定场，其具有叠加在该恒定场上的小的不均匀的场分量。如果可以产生负的该不均匀的场分量，可以使得净场是均匀的并且然后磁体称为是匀场的。
已知使用主动或被动匀场片用于降低磁场不均匀性。主动匀场可使用电阻和/或超导匀场线圈以产生设计成抵消不均匀的场分量的磁场来实现。已知的被动匀场在已经将磁体装设在成像系统中之后来实现。具体地，装设之后，在磁体中感生磁场来识别不均匀的场分量。然后识别抵消不均匀的场分量的被动匀场片。然后将这些被动匀场片装设在常规的匀场片托盘中，匀场片托盘位于产生用于MR成像的x、y和z梯度磁场的梯度线圈结构附近或内部。
然而，在操作期间，常规的被动匀场片与梯度线圈结构(例如位于MRI成像系统的暖的膛区中)热接触。具体地，使梯度线圈脉冲导致由于焦耳损失而产生热。产生的热的一部分被转移到被动匀场片，从而引起被动匀场片温度增加。被动匀场片增加的温度减小了匀场片材料的磁化并且削弱被动匀场片产生的磁场，从而引起磁场不均匀性增加。因此，装设在匀场片托盘(其装设在暖的膛区中)中的被动匀场片经受变化的温度，其影响被动匀场片的导磁性并且因此在操作期间可能不能充分补偿磁场不均匀性。此外，匀场片托盘中可能没有足够的空间来装设在操作期间补偿磁场不均匀性所需要的被动匀场片。
发明内容
在一个实施例中，提供对超导磁体组件匀场的方法，该超导磁体组件包括低温恒温器和配置成装设在该低温恒温器中的超导磁体。该方法包括：当该超导磁体处于室温时并且在该超导磁体被密封在该低温恒温器中之前，确定该超导磁体的多个场不均匀特性；以及当该超导磁体处于室温时将初始一组被动匀场片装设在该低温恒温器内部，当该超导磁体在正常的操作温度操作时，该初始一组被动匀场片降低所确定的场不均匀特性。
在另一个实施例中，提供超导磁体组件。该超导磁体组件包括超导磁体以及装设在该超导磁体上的初始一组被动匀场片，所述超导磁体包括线圈架和在该线圈架上形成的多个磁性线圈。
在另外的实施例中，提供磁共振成像(MRI)系统。该MRI系统包括：超导磁体组件，其包括超导磁体，该超导磁体包括线圈架和在该线圈架上形成的多个磁性线圈，以及安装在该超导磁体上的初始一组被动匀场片。
附图说明
图1是根据各种实施例形成的示范性成像系统的示意框图。
图2是根据各种实施例的在图1中示出的成像系统的一部分的剖视图。
图3是根据各种实施例的用于对超导磁体组件进行被动匀场的示范性方法的流程图。
图4是根据各种实施例的在图1中示出的成像系统的一部分的另一个剖视图。
图5是根据各种实施例的在图4中示出的超导磁体组件的端视图。
图6是图示根据各种实施例的各种被动匀场片位点的平面图。
图7-14是图示根据各种实施例的可被装设的各种被动匀场片的平面图。
具体实施方式
本发明的实施例当与附图结合阅读时将更好理解。就图图示各种实施例的功能框的图来说，功能框不必定指示硬件电路之间的划分。从而，例如，功能框(例如处理器、控制器或存储器)中的一个或多个可采用单件硬件(例如，通用信号处理器或随机存取存储器、硬盘或类似物)或多件硬件实现。相似地，程序可以是独立程序，可作为子例程包含在操作系统中，可以是安装的软件包中的功能等。应该理解各种实施例不限于图中示出的设置和工具。
如本文使用的，采用单数列举的并且具有单词“一”在前的元件或步骤应该理解为不排除复数个所述元件或步骤，除非这样的排除明确地陈述。此外，对“一个实施例”的引用不意在解释为排除也包含列举的特征的另外的实施例的存在。此外，除非相反地明确陈述，“包括”或“具有”具有特定性质的元件或多个元件的实施例可包括不具有该性质的另外的这样的元件。
本文描述的各种实施例提供超导磁体和用于对超导磁体进行被动匀场的方法。通过实践至少一个实施例和各种实施例的至少一个技术效果，使人员能够在将该超导磁体装设在成像系统中之前且同时该超导磁体在室温时，确定该超导磁体的场不均匀特性。基于这些特性，然后可将被动匀场片装设在该超导磁体上。
本文描述的超导磁体和方法的各种实施例可提供为例如图1中示出的成像系统10等医学成像系统的一部分，或与其一起使用。应该意识到尽管该成像系统10图示为单形态成像系统，各种实施例可在多形态成像系统中或用多形态成像系统实现。例如，该成像系统10图示为MRI成像系统，并且可与不同类型的医学成像系统结合，例如计算机断层摄影(CT)、正电子发射断层摄影(PET)、单光子发射计算机断层摄影(SPECT)以及超声系统，或能够产生(特别地人的)图像的任何其他系统等。此外，各种实施例不限于用于对受检人成像的医学成像系统，而可包括用于对非人类对象、行李等成像的兽医或非医学系统。
在示范性实施例中，成像系统10包括超导磁体组件11，其包括超导磁体12。该超导磁体12由靠磁体线圈支撑结构支撑的多个磁性线圈形成，该磁体线圈支撑结构在下文更详细论述。在一个实施例中，该超导磁体组件11还可包括热屏蔽13。氦容器14环绕超导磁体12，并且该热屏蔽13环绕该氦容器14。外真空容器15环绕该热屏蔽13。上文描述的该氦容器14、该热屏蔽13和该外真空容器15一起形成低温恒温器17。在操作中，该容器14填充有液氦来冷却该导磁体12的线圈。可在该液氦容器14和该外真空容器15之间的空间中提供热绝缘(没有示出)。成像系统10还包括主梯度线圈18、屏蔽梯度线圈19和RF发送线圈20。成像系统10一般还包括控制器30、主磁场控制32、梯度场控制34、存储器36、显示装置38、发送-接收(T-R)开关40、RF发送器42和接收器44。
在操作中，例如要成像的患者(没有示出)或人体模型等对象的身体放置在例如电动台架(没有示出)或其他患者台架的合适支撑物上且置于膛46中。超导磁体12产生横跨该膛46的均匀和静态的主磁场Bo。由控制器30通过主磁场控制32控制在该膛46中并且对应地在该患者中的电磁场的强度，主磁场控制32还控制到超导磁体12的激励电流的供应。
提供可包括一个或多个梯度线圈元件的主梯度线圈18使得磁梯度可以在三个正交方向x、y和z中的任意一个或多个方向上施加在膛46中的磁场Bo上。主梯度线圈18由梯度场控制34激励并且还由控制器30控制。
设置可包括多个线圈(例如共振表面线圈)的RF发送线圈20来发送磁脉冲和/或如果还提供收容线圈元件则可选地同时检测来自患者的MR信号。RF发射线圈20和接收表面线圈(如果提供的话)可以可选地通过T-R开关40分别互连到RF发送器42或接收器44中之一。RF发送器42以及T-R开关40由控制器30控制使得RF场脉冲或信号由RF发送器42产生并且选择性地施加于患者用于在患者中激发磁共振。
施加RF脉冲之后，再次开动T-R开关40以将RF发送线圈20从RF发送器42去耦合。检测的MR信号进而传送到控制器30。控制器30包括处理器48，其控制MR信号的处理以产生表示患者的图像的信号。表示该图像的处理过的信号还发送到显示装置38以提供图像的视觉显示。具体地，MR信号填充或形成k-space，将其傅立叶变换以获得可视图像。然后表示该图像的处理过的信号发送到显示装置38。
图2是在图1中示出的超导磁体组件11的一部分的剖视图。如上文论述的，超导磁体12装设在容器14中，容器14典型地填充有液氦以在操作期间便于冷却超导磁体12。在一些实施例中，在操作期间液氦使超导磁体12维持在大约4开氏度。
超导磁体12包括多个磁性线圈50，其靠磁体线圈支撑结构或线圈架52支撑。超导磁体12还包括多个磁性线圈60(也称为屏蔽线圈)，其靠磁体线圈支撑结构或屏蔽线圈架61支撑。在示范性实施例中，超导磁体12包括六个磁性线圈50和两个磁性线圈60总共八个磁性线圈。然而，应该认识到超导磁体12可包括任何数量的磁性线圈50和磁性线圈60用于在膛46内限定的成像体积54中产生均匀磁场。
在操作期间，当对主梯度线圈18施加电力脉冲时，在环绕主梯度线圈18的导电圆柱体中的任何圆柱体中因而发生的时变磁通量感生涡流。这些涡流进而可产生它们自己的磁场，其在空间和时间上降低期望的梯度场的质量。因此，在示范性实施例中，成像系统10还可包括补偿脉冲序列的屏蔽梯度线圈13。该屏蔽梯度线圈13建立场，该场抵制由主梯度线圈18在该屏蔽线圈13的外部区域中产生的场，从而降低与例如热屏蔽等传导构件的任何互感并且降低合成的涡流。
此外，成像系统10还可包括一组被动匀场片64(本文中称为托盘匀场片64)，其装设在托住这些托盘匀场片64的可移动的匀场片抽屉62或托盘中。这些托盘匀场片64按厚度和/或位点设置在抽屉62中以降低由超导磁体12产生的一次磁场的不均匀性。如上文论述的，降低或消除任何磁场不均匀性来提高图像质量，这是可取的。然而，在操作期间，装设在容器14的外部的在匀场片托盘62中的这些托盘匀场片64与例如在成像系统10的暖的膛区中的梯度线圈结构的外面部分热接触。因此，这些托盘匀场片64的温度增加可降低匀场片材料的磁化并且削弱这些托盘匀场片64产生的磁场，从而引起磁场不均匀性增加。在示范性实施例中，成像系统10还可包括多个匀场片66，其装设在屏蔽线圈19和超导磁体12之间。
图3是图示用于对例如在图2中示出的超导磁体组件11等超导磁体组件进行被动匀场以便于降低和/或消除磁场不均匀性并且提高图像质量的示范性方法100的流程图。该方法利用托盘匀场片64和另外的一组被动匀场片(本文中称为磁体匀场片并且在下文更详细论述)这两者来便于降低和/或消除磁场不均匀性。
在102，例如超导磁体12等超导磁体的场均匀特性例如在当超导磁体12在室温时被确定。超导磁体12的场均匀特性可使用装设在例如处理器48上的计算机匀场片代码或任何其他合适的过程或方法而确定。在示范性实施例中，超导磁体12的场均匀特性在超导磁体12被密封在低温恒温器17内(其是在本文中也称为冷铁安装的程序)之前被确定。具体地，当制作超导磁体12时并且在超导磁体12被密封在低温恒温器17内之前，优选地确定场均匀特性。因此，室温可表示为大于如上文论述的大约4开氏度的正常操作温度的温度。例如，室温可在大约60华氏度和大约100华氏度之间。
在示范性实施例中，超导磁体12的场不均匀特性可利用若干不同方法而确定。场不均匀特性可包括，例如线圈50的场分布、场的绘图和/或磁场的谐波。如在下文更详细论述的，场均匀特性可从超导磁体12自身直接测量。场均匀特性还可基于几何特性间接测量。例如，在组装期间，线圈架52的大小可对于每个被制造的超导磁体而不同。另外，磁性线圈50的宽度和周长可不同。从而，在一个实施例中，测量几何特性包括例如获取线圈架52的特定测量，其包括配置成将磁性线圈50收容在其中的槽的宽度和周长。另外，测量几何特性还可包括，例如在每个线圈50缠绕在线圈架52上之后测量每个线圈50的宽度、直径和/或周长。应该认识到尽管制作具有大致上相同的几何特性的每个超导磁体是可取的，在实践中，每个超导磁体的几何特性可不同。一旦确定每个线圈50的确切位点，可利用这些位点来确定超导磁体当以正常的操作配置操作时的场特性，如在下文更详细论述的。
为了从超导磁体12直接测量场均匀特性，多个磁性线圈50初始串联耦合在一起。然后相对小的电流输入串联的磁性线圈50来产生磁场。然后通过在多个预定点(其典型地全部位于成像体积54的表面上)测量磁场强度来测量或绘制该磁场。绘制进一步包括使用测量的磁场来识别磁场不均匀性。空间场绘制可使用例如霍尔探头、磁通门、旋转线圈或任何其他合适的磁场测量装置来进行。
在104，利用场不均匀特性来识别在超导磁体12正常操作期间期望获得的一组磁场特性。更具体地，在102，确定构造时的超导磁体12的实际的场不均匀特性。构造时的场不均匀特性然后用于推断当超导磁体12被密封在低温恒温器17内时其在正常的操作温度操作时超导磁体12的场不均匀特性会是什么。
在106，利用在步骤104确定的场不均匀特性来确定用于获得超导磁体12在正常的操作温度期望的磁场特性而要装设的补偿。更具体地，在106，可利用例如匀场片代码(shim code)来确定使超导磁体12能够具有在104确定的期望的磁场特性所需要的磁场补偿。
在108，利用在106确定的补偿来确定匀场片材料、匀场片大小和/或匀场片位点，其对当超导磁体12在它的正常的操作状态操作时预计发生的磁场中的不均匀性进行校正。在示范性实施例中，补偿、匀场片大小、位点等可使用上文论述的匀场片代码而确定。
在110，将在106计算的第一组或初始一组被动匀场片162(例如磁体匀场片162)装设在超导磁体12上。应该认识到磁体匀场片162不同于装设在匀场片托盘62中的托盘匀场片64。具体地，托盘匀场片64被装设在匀场片托盘62中，匀场片托盘62位于容器14外部在超导磁体组件11的暖的膛区中。而在一个实施例中，磁体匀场片162直接机械安装到容器14内部的超导磁体12。从而，磁体匀场片162一般不受暖的膛温度在操作期间变化的影响。在一个示范性实施例中，再次参照图2，磁体匀场片162安装到线圈架52。可选地，如在图4中示出的，磁体匀场片162可安装到单独的匀场片结构或匀场片支持器166，其然后安装到线圈架52。从而，该匀场片支持器166也起到超导磁体12的承载结构部件的作用。具体地，在操作期间，相对大的磁力可引起最外面的线圈50互相移位。因此，该匀场片支持器166也起到补偿这些磁力并且因此限制最外面线圈的运动的结构夹板的作用。在示范性实施例中，磁体匀场片162用铁磁性材料和/或亚铁磁性材料制作。
在一个实施例中，每个磁体匀场片162由相同的材料制作并且具有相同的大小(例如长度和宽度)和相同的厚度。可选地，磁体匀场片162可用不同的磁性材料制作并且具有不同的大小(例如长度和宽度)和不同的厚度。例如，图5是在图4中示出的超导磁体组件11的一部分的端视图，其图示磁体匀场片162的各种示范性尺寸。在该实施例中，磁体匀场片162安装到匀场片支持器166。如在图5中示出的，磁体匀场片162可具有周向围绕超导磁体12延伸大约90度的长度170。可选地，磁体匀场片162可具有周向围绕超导磁体12延伸大约180度的长度170。在其他实施例中，磁体匀场片162可具有任何长度170。例如，磁体匀场片162可具有周向围绕超导磁体12延伸五度、10度、30度的长度或具有便于降低或去除在绘制程序期间识别的场谐波的任何其他长度。
此外，磁体匀场片162可具有预定厚度以便使一个或多个磁体匀场片162能够在超导磁体12上的相同位点叠放在一起(如在图2和图4中示出的)以产生期望的厚度。可选地，磁体匀场片162可制作成具有一定厚度使得利用仅单个磁体匀场片162来便于去除在绘制程序期间识别的场谐波。因此，再次参照图5，磁体匀场片162可具有总的组合厚度172，其基于当磁体匀场片162安装到超导磁体12时该磁体匀场片162的位点而不同。例如，如在图2和4中示出的，可存在装设在其他径向位置的单个磁体匀场片162，如位置3和6指示的。可存在装设在相同的径向位置的两个磁体匀场片162，如位置1、2和4指示的。可存在装设在一些其他径向位置的三个磁体匀场片162，如位置5指示的。还可存在装设在一些径向位置的四个磁体匀场片162，如位置7指示的。应该认识到磁体匀场片162的位点和数量在上文论述的绘制程序期间被确定。此外，应该认识到尽管多个磁体匀场片162可示出为装设在单个径向位点，还可利用具有便于降低或去除在绘制过程程序识别的场谐波的期望的厚度的单个磁体匀场片162。
在操作中，利用形成环176的多个匀场片162提供成实现涡流中断。更具体地，如在图5中示出的，相邻匀场片162之间的间隙174便于中断涡流。此外，叠放匀场片162通过改变匀场片162的环176的厚度或宽度便于提供匀场片可调节性并且还便于补偿轴向谐波。另外，横向谐波可通过利用在不同的轴向位点的不同数量的匀场片162而补偿。
例如，图6图示示范性位点180在超导磁体12上的位点的平面图，这些位点可选择成收容上文描述的磁体匀场片162。超导磁体12上的物理位点在本文中还可称为匀场片盒180。如在图6中示出的，超导磁体12一般是圆柱形的，从而列A...M沿着Z轴(例如成像轴)排列，并且在用度数指示的径向方向周向地围绕线圈架52排列行。在该实施例中，存在沿着Z轴指示为A...M的十二个匀场片位点。此外，对于沿着Z轴的每个位点，存在指示为0...24的径向位点。从而，对于每个轴向位点，存在24个单独的径向位点或匀场片盒180，可利用这些径向位点或匀场片盒180来装设匀场片162。因此，在该实施例中，每个匀场片162具有径向围绕超导磁体12的周围延伸大约15度的长度。然而，可利用如上文论述的具有其他长度的这些匀场片162。应该认识到在图6中示出的轴向和径向位点或匀场片盒180的数量是示范性的并且用于解释各种磁体匀场片162的定位来对轴向和横向谐波进行校正。然而，在其他实施例中，可存在选择的不同数量的轴向和径向位点。还应该认识到，相似的匀场片位点还可处于匀场片支持器166上。
图7-14图示示范性匀场片盒180的平面图，匀场片盒180可在线圈架52上形成并且配置成收容如上文论述的一个或多个匀场片162。此外，图7-14图示各种示范性匀场设置，可利用该示范性匀场设置来补偿轴向和横向场谐波这两者。例如，图7图示装设在处于行1-24的径向位置、处于列A、B和E的轴向位置的多个匀场片162。每个匀场片(例如匀场片181)的确切位置可指示为10A1，其中10是行数、A是列数并且1指示该匀场片181的厚度。图7还图示装设在处于行6的径向位置、处于列E的轴向位置并且具有2毫米厚度的第二匀场片182。从而匀场片182可指示为6E2。从而，图7、8、9和10图示可被装设以分别补偿在Z1、Z2、Z3和Z4方向识别的不均匀性或轴向谐波的示范性匀场片162。图11-14图示被装设以分别补偿在X、Y、ZX和ZY方向识别的不均匀性或横向谐波的示范性匀场片162。
再次参照图3，在110，如在图7-14中示出的装设匀场片162之后完成被动匀场过程以补偿不均匀性。在一个实施例中，超导磁体12可选地可以重新绘制以识别在108装设磁体匀场片162之后没有被校正的任何剩余的不均匀性。如上文所述的在步骤102-108校正任何新识别的不均匀性。可选地，方法100可进入步骤112。方法100可重复直到测量的成像体积中的磁场的不均匀性降低至预定规范内为止。
在112，超导磁体处于操作配置中。例如，如上文论述的，在室温、例如冷铁匀场时绘制超导磁体12。基于该冷铁匀场，匀场片162被装设在超导磁体12上。从而，在112，超导磁体12的温度通过将超导磁体12装设进入容器14、用液氦填充容器14并且然后将超导磁体12密封在液氦容器14内而降低。超导磁体12被装设并且密封在容器14内之后，成像系统10可在执行成像程序所需要的典型的操作温度(即正常的操作状态)操作。因为磁体匀场片162淹没在液氦中，磁体匀场片162的温度在成像过程期间大致上不变化。从而，利用磁体匀场片162来抵消在102绘制期间并且在超导磁体12被装设在容器14中之前识别的不均匀的场分量的很大一部分。
在114，使用上文论述的计算机匀场片代码再次绘制超导磁体12来识别使用上文论述的匀场片162没有被校正的任何残余不均匀性。
在116，在114的绘制程序期间识别的第二组被动匀场片(例如托盘匀场片64)被装设在匀场片托盘62上。从而，磁体匀场片162在制作过程期间被装设在超导磁体12上来降低或消除在制作期间识别的不均匀性。超导磁体12被装设在成像系统10中之后，再次绘制超导磁体12来识别任何剩余的残余不均匀性。然后可通过将托盘匀场片64装设在匀场片托盘62中来校正或降低残余均匀性。
从而，提供超导磁体，其包括直接安装到该超导磁体的多个被动磁体匀场片。在操作中，这些磁体匀场片便于校正在该超导磁体的构造期间识别的不均匀性。然后可利用第二不同组的被动匀场片(例如托盘匀场片)来对在将该超导磁体装设在冷却容器中之后识别的任何剩余的不均匀性进行校正。
因此，在一些实施例中，装设在超导磁体上的磁体匀场片可形成环，其中每个环可包括多个独立的磁体匀场片分段。每个环中的这些磁体匀场片分段可由间隙分开以提供涡流中断。可使用能够将磁体匀场片安装到超导磁体的机械安装装置将这些环/分段定位在预定的位点。优选地通过将多个被动匀场片叠放在超导磁体上的相同的位点而改变这些环的厚度或宽度来提供磁体匀场片可调节性。轴向谐波使用一致层叠的匀场片分段来补偿，这些匀场片分段径向从0-360度围绕超导磁体设置在各个位点。横向谐波通过改变叠放在每个轴向位点的匀场片分段的数量来补偿。
要理解上文的说明意为说明性而非限制性的。例如，上文描述的实施例(和/或其方面)可互相结合使用。另外，可做出许多修改以使特定情况或材料适应各种实施例的教导而没有偏离它们的范围。尽管本文描述的材料的尺寸和类型意在限定各种实施例的参数，它们绝不是限制性的而仅仅是示范性的。当回顾上文的说明时，许多其他的实施例对于本领域内技术人员将是明显的。各种实施例的范围因此应该参照附上的权利要求连同这样的权利要求拥有的等同物的全范围来确定。在附上的权利要求中，术语“包含”和“在...中”用作相应术语“包括”和“其中”的易懂语言等同物。此外，在下列权利要求中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅仅用作标号，并且不意在对它们的对象施加数值要求。此外，下列权利要求的限制没有采用装置加功能格式来撰写并且不意在基于35U.S.C§112的第六段来解释，除非并且直到这样的权利要求限制明确地使用这样的短语：带有没有其他结构的功能陈述的“用于...的部件”。
该书面说明使用示例来公开各种实施例，其包括最佳模式，并且还使本领域内技术人员能够实践各种实施例，包括制作和使用任何装置或系统和进行任何包含的方法。各种实施例的专利范围由权利要求限定，并且可包括本领域内技术人员想到的其他示例。这样的其他示例如果具有不与权利要求的书面语言不同的结构元件，或者如果包括与权利要求的书面语言无实质区别的等同结构元件则这些示例规定在权利要求的范围内。
部件列表
  10   成像系统   11   超导磁体组件
  12   超导磁体   13   高次梯度线圈
  14   容器   18   主梯度线圈
  19   屏蔽线圈   20   RF发送线圈
  30   控制器   32   主磁场控制
  34   梯度场控制   36   存储器
  38   显示装置   40   T-R开关
  42   RF发送器   44   接收器
  46   膛   48   处理器
  50   磁性线圈   52   线圈架
  54   成像体积   60   屏蔽线圈
  62   匀场片托盘   64、66   被动匀场片
  100   方法   102   步骤
  104   步骤   106   步骤
  108   步骤   110   步骤
  112   步骤   162   匀场片
  166   匀场片板   170   长度
  172   厚度   174   间隙
  176   环   180   匀场片盒
  181   匀场片   182   匀场片

Claims (10)

1.一种超导磁体组件(11)，其包括：
超导磁体(12)；和
初始一组被动匀场片(64、66)，其在所述超导磁体(12)处于室温时装设在低温恒温器内的所述超导磁体(12)上，当所述超导磁体(12)在正常的操作温度操作时，所述初始一组被动匀场片(64、66)降低确定的场均匀特性。
2.如权利要求1所述的超导磁体组件(11)，其中所述超导磁体(12)包括线圈架(52)和由所述线圈架(52)支撑的多个磁性线圈(50)，所述初始一组被动匀场片(64、66)被安装到所述线圈架(52)。
3.如权利要求1所述的超导磁体组件(11)，其中所述超导磁体(12)包括线圈架(52)和由所述线圈架(52)支撑的多个磁性线圈(50)，所述初始一组被动匀场片(64、66)被安装到匀场片支持器(166)，所述匀场片支持器(166)安装到所述线圈架(52)。
4.如权利要求3所述的超导磁体组件(11)，其中所述匀场片支持器(166)是所述超导磁体(12)的承载结构元件。
5.如权利要求1所述的超导磁体组件(11)，其进一步包括低温恒温器、装设在所述低温恒温器中的所述超导磁体(11)。
6.如权利要求1所述的超导磁体组件(11)，其进一步包括匀场片托盘(62)和装设在所述匀场片托盘(62)中的不同的第二组被动匀场片(181、182)。
7.如权利要求1所述的超导磁体组件(11)，其中所述初始一组被动匀场片(64、66)包括由间隙(174)分开以提供涡流中断的多个匀场片分段(64、66)。
8.一种磁共振成像MRI系统(10)，其包括：
超导磁体组件(11)，其包括超导磁体(12)，该超导磁体(12)包括线圈架(52)和在所述线圈架(52)上形成的多个磁性线圈(50)；和
当所述超导磁体(12)在室温时装设在其低温恒温器内的所述超导磁体(12)上的初始一组被动匀场片(64、66)，当所述超导磁体(12)在正常的操作温度操作时，所述初始一组被动匀场片(64、66)降低所确定的场均匀特性。
9.如权利要求8所述的MRI系统(10)，其中所述初始一组被动匀场片(64、66)被安装到所述线圈架(52)，所述初始一组被动匀场片(64、66)由间隙(174)分开以提供涡流中断。
10.如权利要求8所述的MRI系统(10)，其中所述初始一组被动匀场片(64、66)被安装到匀场片支持器(166)，所述匀场片支持器(166)安装到所述线圈架(52)，所述初始一组被动匀场片(64、66)由间隙(174)分开以提供涡流中断。
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