CN1206737C - 半导体器件及其制造方法 - Google Patents

半导体器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1206737C
CN1206737C CNB971022801A CN97102280A CN1206737C CN 1206737 C CN1206737 C CN 1206737C CN B971022801 A CNB971022801 A CN B971022801A CN 97102280 A CN97102280 A CN 97102280A CN 1206737 C CN1206737 C CN 1206737C
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor device
film
silicon film
crystal silicon
oxide film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB971022801A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1160936A (zh
Inventor
山﨑舜平
寺本聡
小山润
尾形靖
早川昌彦
纳光明
大谷久
滨谷敏次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN1160936A publication Critical patent/CN1160936A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1206737C publication Critical patent/CN1206737C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02488—Insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02672—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using crystallisation enhancing elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • H01L21/02686—Pulsed laser beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
    • H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
    • H01L21/3226—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering of silicon on insulator
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • H01L27/1277—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using a crystallisation promoting species, e.g. local introduction of Ni catalyst
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT

Abstract

本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。

Description

半导体器件及其制造方法
技术领域
本说明书公开的发明涉及具有结晶性的薄膜半导体。还涉及薄膜半导体的制造方法。还涉及利用该薄膜半导体的半导体器件。还涉及该半导体器件的制造方法。
背景技术
已知在玻璃基板、石英基板上形成具有结晶性的硅膜并用该硅膜制造薄膜晶体管(以下称之为TFT)的技术。
将该薄膜晶体管称之为高温多晶硅TFT、低温多晶硅TFT。
高温多晶硅TFT是利用800℃、900℃以上的比较高的温度的加热处理作为结晶性硅膜的制造方法的技术。该技术可以说是利用单晶硅晶片的IC的制造工艺的派生技术。
当然，作为制造高温多晶硅TFT的基板，要利用能耐受上述加热温度的石英基板。
另一方面，低温多晶硅TFT利用廉价的玻璃基板(当然其耐热性相对于石英基板是较差的)作为基板。
在构成低温多晶硅TFT的结晶性硅膜的制造方面，利用玻璃基板能耐受的600℃以下的加热或相对于玻璃基板来说几乎没有热损伤的激光退火技术。
高温多晶硅TFT具有能在基板上集成特性一致的TFT的特征。
另一方面，低温多晶硅TFT具有能利用廉价且容易大面积化的玻璃基板作为基板的特征。
还有，在目前的技术中，高温多晶硅TFT也好，低温多晶硅TFT也好，其特性没有大的差别。
即，在两者中都可得到迁移率约为50～100(cm2/Vs)，S值约为200～400(mV/dec)(VD＝1V)的特性。
该特性与利用单晶硅晶片的MOS型晶体管的特性比较大为逊色。一般来说，利用单晶硅晶片的MOS型晶体管的S值约为60～70(mV/dec)。
在目前情况下，为了在同一基板上将有源矩阵型液晶显示装置的有源矩阵电路和周边驱动电路进行集成而利用TFT。即，在同一基板上用TFT来制成有源矩阵电路和周边驱动电路。
在这种构成中，要求周边电路的源驱动器进行十几MHz以上的工作。但目前的用高温单晶硅TFT和低温多晶硅TFT构成的电路的工作速度的界限只达到几MHz。
因而，目前的解决办法是将工作进行分割(称之为分割驱动)来构成液晶显示。但是，该方法存在由于分割的定时的微妙的偏移等原因而在画面上出现条状花纹等问题。
此外，正在考虑除了周边驱动电路以外，再将振荡电路、D/A转换器、A/D转换器、还有进行各种图象处理的数字电路集成于同一基板上。
但是，上述振荡电路、D/A转换器、A/D转换器、还有进行各种图象处理的数字电路需要在比周边驱动电路更高的频率下工作。
因而，用由目前的技术得到的高温多晶硅TFT、低温多晶硅TFT来构成这些电路是困难的。
还有，能进行100MHz以上的工作的由利用单晶硅晶片的MOS晶体管构成的集成电路已达到实用化。
发明内容
在本说明书中公开的发明的一个目的是得到能构成上述那种高速工作(一般来说是几十MHz以上的工作速度)所要求的电路的薄膜晶体管。
此外，本发明的另一个目的是提供能得到与利用单晶硅晶片制造的MOS晶体管比美的那种特性的薄膜晶体管。另一个目的是提供该薄膜晶体管的制造方法。再一个目的是用具有那种良好特性的薄膜晶体管提供具有必要的功能的半导体器件。
在本说明书中公开的发明之一的特征在于这是一种利用了将在具有绝缘表面的基板上形成的结晶性硅膜作为有源层的薄膜晶体管的半导体器件：
该结晶性硅膜在预定的方向上具有带有连续性的结晶结构，并在上述预定的方向上具有延伸的结晶粒界；
在上述薄膜晶体管中，将联结源区和漏区的方向与上述预定方向形成为具有一个预定角度；
在上述结晶粒界处杂质偏析。
具有上述那种结晶状态的结晶性硅膜的例子在图6和图7中示出。在图7中示出的是将图6的一部分进一步放大了的图。图6和图7中所示的是用透射电子显微镜(TEM)观察到的厚度为250埃的结晶性硅膜的表面的照片。
为了得到图6和图7示出的那种硅膜，通过采用实施例1中示出的那种制造工序来实现。
在图6和图7中，示出从图的左下朝向右上具有连续性的结晶结构延伸的状态。此外也示出在该结晶结构的连续性延伸的方向上大体平行地形成多个结晶粒界的状态。
从图7示出的结晶结构可清楚看出，该结晶性硅膜是由多个具有在特定的方向上延伸的结晶结构的结晶体的集合来构成的。该结晶体的宽度约为500埃～2000埃，或从约等于结晶性硅膜的膜厚～2000埃。
即，在相对于结晶结构的连续性存在的方向成直角或大体直角的方向上，存在多个以一定间隔分开的清晰的结晶粒界，该方向成为结晶结构不连续的方向。即，在该方向上结晶结构的连续性受到损害。
在该结晶结构的连续性延伸的方向上大体上保持晶格结构的连续性，与其他方向比较，在载流子移动时的散射和陷阱等非常少。即，对于载流子来说，可看作是上述结晶结构连续的方向已变成为不受到或难以受到来自结晶粒界的散射的实质上的单晶状态。
而且已确认在上述结晶粒界处氧、卤族元素偏析的状态。这是通过分析使电子束聚焦进行照射时产生的X射线谱而确认的。一般认为，该氧、卤族元素在结晶化后的热氧化膜的形成时在结晶粒界处偏析。
上述发明的构成规定了该结晶结构的连续方向与联结薄膜晶体管的源区和漏区的方向的关系。如要达到高速工作的目标，则使上述的结晶结构的连续方向与联结源区和漏区的方向一致或大体一致是较为理想的。通过这样做，在MOS型的薄膜晶体管的工作中，可做成载流子最容易移动的结构。
此外，通过将上述两个方向的夹角设定为预定的角度，可控制要得到的薄膜晶体管的特性。例如，在同一基板上制造多个薄膜晶体管群时，通过形成多个使上述两个角度的夹角不同的晶体管群，可使该晶体管群的特性不同。
此外，在具有N字型、コ字型、还有M字型等形状的有源层弯曲的那种薄膜晶体管的情况下，可如下述那样来做。即，在联结源区和漏区的线不是直线而是曲线的那种薄膜晶体管情况下，可如下述那样来做。此时，将上述的结晶结构的连续性的方向设定为与沟道区中的载流子的移动方向(对于作为整体来观察时的载流子的移动方向)一致。
在该情况下也可预期在载流子的移动方向与结晶结构的连续性的方向的夹角做成0度时可望得到最高速的工作。
本发明的另一种构成的特征在于：这是一种利用了将在具有绝缘表面的基板上形成的结晶性硅膜作为有源层的薄膜晶体管的半导体器件；
该结晶性硅膜在结晶粒界的延伸方向上具有各向异性；
在上述薄膜晶体管中，使联结源区和漏区的方向与上述延伸方向形成为具有一个预定角度；
在上述结晶粒界处杂质偏析。
本发明的另一种构成特征在于：这是一种利用了将在具有绝缘表面的基板上形成的结晶性硅膜作为有源层的薄膜晶体管的半导体器件；
该结晶性硅膜在结晶粒界的延伸方向上具有各向异性；
在上述薄膜晶体管中，使沟道区中载流子的移动方向与上述延伸方向形成为具有一个预定角度；
在上述结晶粒界处杂质偏析。
在本说明书中公开的发明的结晶性硅膜中，需要对于非晶硅膜导入以镍为代表的有助于硅的结晶化的金属元素，再进行加热处理，和在含有卤素的气氛中的加热处理。在用于形成该热氧化膜的加热处理的阶段中进行气氛中的氧和卤族元素朝向粒界的析出。
作为上述金属元素，在重现性和效果等方面来看，镍是极为理想的。一般来说，作为这种金属元素，可利用从Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Au等选出的一种或多种金属。
在利用镍元素时，在硅膜中最终残留的镍的浓度约为1×1014原子/cm3～5×1018原子/cm3。如缩短热氧化膜的吸杂条件，该浓度的上限可降低到约5×1017原子/cm3。可利用SIMS(2次离子分析法)来进行该浓度的监测。
一般来说，上述镍浓度的下限为1×1016原子/cm3。这是因为在考虑与成本的兼顾时，要排除附着于基板、器件上的镍元素的影响通常是困难的。
因而，在按照一般的制造工序的情况下，残留的镍元素的浓度为1×1016原子/cm3～5×1017原子/cm3。
此外，在热氧化膜的制造工序中，由于该金属元素在热氧化膜中移动的原因，在所得到的结晶性硅膜的厚度方向上的镍元素的浓度分布中产生梯度或分布。
一般来说，可观察到，结晶性硅膜中的该金属元素的浓度在朝向形成热氧化膜的界面时该金属元素的浓度有变高的趋势。此外，也观察到，在某些条件，在朝向基板或衬底时，即，朝向背面一侧的界面时，该金属元素的浓度有变高的趋势。
此外，在热氧化膜的形成时气氛中含有卤族元素的情况下，该卤族元素也显示出与上述金属元素同样的浓度分布。即，显示出在朝向结晶性硅膜的表面和/或背面时含有浓度变高的浓度分布。本说明书中公开的发明的结晶性硅膜的膜厚做成100埃～750埃较为理想，做成150埃～450埃更为理想。通过做成这样的膜厚，就能以更清晰的形状，并以良好的重现性得到图6、图7所示出的那种在一个方向上结晶性连续的独特的结晶结构。
该最终的结晶性硅膜的膜厚，要考虑因热氧化膜的形成而引起的膜厚的减少来决定。
本发明的另一种构成的特征是具有：
在具有绝缘表面的基板上边形成非晶硅膜的工序；
在上述非晶硅膜上局部地有选择地导入有助于硅的结晶化的金属元素的工序；
进行加热处理，在与基板平行的方向上从有选择地导入了金属元素的区域朝向其他区域进行结晶生长的工序；
通过在含有卤族元素的氧化性气氛中用电热炉进行800℃～1100℃下的30分钟以上的加热处理来形成热氧化膜的工序；
除去上述热氧化膜的工序；以及：
使联结源区与漏区的方向与进行上述结晶生长的方向一致或大体一致的工序；
使杂质沿上述结晶生长方向偏析。
倘采用上述那种工序，可得到本说明书中公开的结晶性硅膜，还可得到利用该结晶结构的独特性的MOS型薄膜晶体管。
作为金属元素的导入方法，可举出涂敷含有该金属元素的溶液的方法，用CVD法的方法，用溅射法和蒸发法等的方法，利用含有该金属的电极进行等离子处理的方法。气体吸附法的方法等。
作为导入卤族元素的方法，可利用使氧化性气氛中(例如氧气氛)含有HCL、HF、HBr、CL2、F2、Br2、CF4等的方法。
此外，在热氧化膜形成时的气氛中同时进行氢气的导入，利用湿法氧化的作用也是有效的。
用于热氧化膜的形成的温度是极为重要的。如要得到用下述的那种单个元件可进行几十MHz以上的工作、S值在100(mV/dec)以下的TFT的话，有必要使热氧化膜的形成时的加热温度为800℃以上或900℃以上，前者较为理想，后者更为理想。
退火温度比该温度低的话，吸杂效果显著降低。而且，下限由被吸杂的物质的卤化物的蒸气压与退火时气氛的压力决定。即，卤化物的蒸气压比退火气氛的压力低时，吸杂效果变小。例如，在大气压(760mmHg)下进行退火时，氯化镍的蒸气压在541度下是38.9mmHg，与此相比，在994度蒸气压是820.6mmHg，因此在高温下吸杂效果显著提高。
还有，把该加热温度的上限为定为本身即是石英基板的耐热温度的上限的约1100℃是适当的。
本发明的另一种构成的特征是具有：
在具有绝缘表面的基板上形成非晶硅膜的工序；
在上述非晶硅膜上局部地有选择地导入有助于硅的结晶化的金属元素的工序；
进行加热处理，在与基板平行的方向上从有选择地导入了金属元素的区域朝向其他区域进行结晶生长的工序；
通过在含有卤族元素的氧化性气氛中用电热炉进行800℃～1100℃下的30分钟以上的加热处理来形成热氧化膜的工序；
除去上述热氧化膜的工序；以及：
使沟道区中的载流子的移动方向与进行上述结晶生长的方向一致或大体一致的工序；并
使杂质沿上述结晶生长方向偏析。
上述构成着眼于沟道区的载流子的移动方向，规定了该方向与结晶生长方向(结晶结构中具有连续性的方向或结晶粒界延伸的方向)之间的关系。
该构成在联结源区与漏区的线部分是弯曲的情况下是有效的。
附图说明
图1是示出薄膜晶体管的制造工序的图。
图2是示出薄膜晶体管的制造工序的图。
图3是示出薄膜晶体管的制造工序的图。
图4是示出薄膜晶体管的制造工序的图。
图5是示出薄膜晶体管的制造工序的图。
图6是电子显微镜拍摄的硅薄膜的照片。
图7是电子显微镜拍摄的硅薄膜的照片。
图8是示出利用了TFT的各种半导体器件的概要图。
图9是示出结晶生长的状态的模式图。
具体实施方式
在通过对非晶硅膜进行加热使之结晶化从而得到结晶化硅膜的技术中，通过在使非晶硅膜的表面的一部分区域保持与镍元素相接的状态下进行加热处理，进行从上述一部分区域向其他区域和向与基板平行的方向的结晶生长。
而且，在进行上述结晶生长的硅膜表面上形成热氧化膜。该热氧化膜是通过在含有卤族元素的氧化性气氛中用电热炉进行800℃～1100℃下的30分钟以上的加热处理来形成的。
然后除去该热氧化膜。在这样得到的结晶性硅膜中，结晶粒界在图6和图7中示出的那种特定的方向上延伸，在该方向上具有结晶结构连续的结构。
而且通过制造使结晶生长连续的方向与工作时载流子的移动方向一致的TFT，可得到具有良好性能的TFT。
〖实施例1〗
本实施例涉及对于非晶硅膜通过有选择地导入有助于硅的结晶化的金属元素，进行称之为横向生长的、朝向与基板平行的方向的结晶生长。
图1中示出本实施例的制造工序。首先，在石英基板201上形成厚度为3000埃的氧化硅膜作为基底膜202。还有，如石英基板的表面平滑性良好并且清洗得很干净的话，该衬底膜202不是特别必要。
还有，在目前情况下利用石英基板作为基板是较理想的选择，但如果是能耐受加热处理温度的基板，则不限定于石英。
其次，用减压CVD法形成厚度为600埃的作为结晶性硅膜的起始膜的非晶硅膜203。将该非晶硅膜的厚度做成2000埃以下是较为理想的。
其次，形成图中未示出的厚度为1500埃的氧化硅膜，通过对其刻蚀图形形成用204示出的掩模。该掩模在用205示出的区域中形成开口。在形成该开口205的区域中露出非晶硅膜203。
开口205具有长边在图面的深度和眼前方向上的细长的长方形形状。该开口205的宽度做成在20微米以上是适当的。并且可以必要的长度来形成该长边的长度。
然后涂敷含有以换算成重量的为10ppm的镍元素的醋酸镍溶液。然后用图中未示出的旋转器进行旋转干燥以除去多余的溶液。
由此得到镍元素以用图1(A)的点线206示出的状态存在的状态。在该状态下得到镍元素在开口205的底部保持与非晶硅膜的一部分有选择地相接的状态。
其次在含有3％的氢的、尽可能不含有氧的氮气氛中进行640℃、4小时的加热处理。之后进行用图1(B)的207示出的朝向与基板201平行的方向的结晶生长。在图9中示出从上面观察该结晶生长的状态的模式图。
该结晶生长是从导入镍元素的开口205的区域向周围进行的。将朝向与该基板平行的方向的生长称为横向生长或lateral生长。
用该结晶生长得到的横向生长的结晶性硅膜的表面，与以往的低温多晶硅、高温多晶硅比较，可得到平滑性非常好的表面。这是因为结晶粒界的延伸方向大体一致的缘故。
一般称之为多晶硅或polysilicon的硅膜，其表面的凹凸有±100埃以上。但是在本实施例中示出的横向生长的情况下，观察到其表面的凹凸在±30埃以下。该凹凸使得与栅绝缘膜之间的界面特性变坏，故尽可能减小该凹凸是较为理想的。
在上述的用于结晶化的加热处理条件中，可进行100微米以上的横向生长。故得到具有以这种方式横向生长的区域的硅膜208。
可在450℃～1100℃(上限由基板的耐热性来限定)下进行用于这种结晶生长的加热处理。如要确保某种程度的横向生长距离，则加热处理的温度在600℃以上是较为理想的。但是，由将温度提高到该温度以上引起的结晶生长距离或结晶性的提高并不是那么大。
然后除去由用于有选择地导入镍元素的氧化硅膜构成的掩模204。这样就得到图1(C)示出的状态。
在该状态中，镍元素在膜中是不均匀的。特别是在形成了开口205的区域和用207示出的结晶生长的前端部分，镍元素以较高的浓度存在。因而，在有源层的形成中，避开那些区域是重要的。即，在有源层中不存在上述镍元素超常的区域是重要的。
在得到图1(C)的状态后，可进行激光的照射。即，提高激光的照射，可进一步有助于结晶化。该激光的照射使膜中存在的镍元素的结块分散开，具有在其后容易除去镍元素的效果。还有，在该阶段中即使进行激光的照射，也不会再进行横向生长。
作为激光，可利用具有紫外区域的波长的准分子激光。例如，可利用KrF准分子激光(波长248nm)、XeCl准分子激光(波长308nm)。
其次在还有3％(体积)的氧气氛中用电热炉进行950℃的加热处理30分钟以上，形成200埃厚度的热氧化膜209。随着热氧化膜的形成，硅膜208的膜厚减少约100埃。即，硅膜的膜厚为500埃。
在该工序中，随着热氧化膜的形成，膜中的具有不稳定的结合状态的硅元素在热氧化膜的形成中被利用。这样，膜中的缺陷减少，可得到更好的结晶性。
而且同时通过热氧化膜的形成和氯的作用从膜中进行镍元素的吸杂。
当然，在热氧化膜中，以较高的浓度引入镍元素。而相对来说硅膜208中的镍元素减少。
在热氧化膜209形成了之后，将该热氧化膜209除去。通过这样做来得到使镍元素的含有浓度减少的结晶性硅膜208。这样得到的结晶性硅膜具有如图6或图7所示的在一个方向上结晶结构延伸(该方向与结晶生长方向一致)的结构。即，多个细长的圆柱形结晶体通过多个在一个方向上延伸的结晶粒界具有平行排列的结构。在该一个方向(该方向与结晶生长方向一致)上延伸的结晶粒界处氧和氯偏析。
上述的杂质偏析的结晶粒界部分成为势垒，具有限制载流子向结晶生长方向移动的功能。
其次进行图形刻蚀，形成在横向生长区域构成的图形210。该岛状的区域210以后成为TFT的有源层。
在这里，进行图形的位置选择，使得联结源区和漏区的方向与结晶生长的方向一致。通过这样做，可使载流子的移动方向与结晶晶格连续地延伸方向一致，结果可得到具有良好特性的TFT。
然后，在形成用210构成的图形后，形成厚度为300埃的热氧化膜211。所形成的热氧化膜的膜厚的总计比最终的结晶性硅膜的膜厚要厚。该热氧化膜通过在含有3％的HCL的氧气氛中用电热炉进行950℃、30分钟以上的加热处理来得到。
通过形成热氧化膜211，图形(将成为有源层的图形)210的膜厚为350埃。
在该工序中也可得到与形成热氧化膜209时同样的效果。再者，该热氧化膜209将成为TFT的栅氧化膜的一部分。
其后，用等离子CVD法形成与热氧化膜一起构成栅绝缘膜的、厚度为1000埃的氧化硅膜304。(图2(A))
其次，用溅射法形成厚度为4000埃的用于形成栅电极的铝膜。使该铝膜中含有0.2％(重量)的钪。
使该铝膜中含有钪是为了在以后的工序中抑制突起(hillock)、金属须等的产生。所谓突起、金属须等是因加热时的铝的异常生长而引起的针状或刺状的突出部分。
形成了铝膜后，形成图中未示出的致密的阳极氧化膜。该阳极氧化膜是以含有3％的酒石酸的乙二醇溶液为电解溶液，以铝膜为阳极，以铂为阴极来进行的。在该工序中，在铝膜上形成厚度为100埃的、具有致密膜质的阴极氧化膜。
该图中未示出的阳极氧化膜具有提高与以后形成的光致抗蚀剂掩模的贴紧性的作用。
该阳极氧化膜的膜厚可通过阳极氧化时的外加电压来控制。
其次形成光致抗蚀剂掩模306。然后利用该光致抗蚀剂掩模对铝膜进行图形刻蚀使之形成用305示出的图形。这样就得到图2(B)示出的状态。
进行再一次的阳极氧化。在这里，以3％的草酸水溶液为电解溶液来使用。在该电解溶液中，通过进行以铝的图形305为阳极的阳极氧化，形成用308示出的多孔状的阳极氧化膜。
在该工序中，由于在上部存在贴紧性高的光致抗蚀剂掩模306，故在铝图形的侧面有选择地形成阳极氧化膜308。
可使该阳极氧化膜的膜厚生长到几微米。在这里，将该膜厚做成6000埃。再有，该生长距离可通过阳极氧化时间来控制。
然后除去光致抗蚀剂掩模306。其次进行再一次的致密的阳极氧化膜的形成。即，再次进行上述的以含有3％的酒石酸的乙二醇溶液为电解溶液的阳极氧化。
在该工序中，由于电解溶液进入多孔状的阳极氧化膜308中，故形成用309示出的具有致密的膜质的阳极氧化膜。
将该致密的阳极氧化膜309的膜厚做成1000埃。通过外加电压进行该膜厚的控制。
在这里，对露出的氧化硅膜304进行刻蚀。而且同时刻蚀热氧化膜300。该刻蚀利用干法刻蚀。然后，用混合了醋酸、硝酸和磷酸的混合酸除去多孔状的阳极氧化膜308。这样就得到图2(B)示出的状态。
在得到图2(D)的状态后，进行杂质离子的注入。在这里，为了制造N沟型的薄膜晶体管，用等离子掺杂法进行P(磷)离子的注入。
在该工序中，形成重掺杂的311和315的区域及轻掺杂的312和314的区域。这是因为残存的氧化硅膜310起到半透过的掩模的作用，注入的离子的一部分在该处受到遮蔽。
然后通过进行激光(或使用灯的强光)的照射，进行杂质离子注入区域的活性化。这样就以自对准方式形成源区311、沟道形成区313、漏区315、低浓度杂质区312和314。
在这里，用314示出的是称为LDD(轻掺杂漏)区的区域。(图2(D))
还有，在形成2000埃以上的那样厚的致密的阳极氧化膜309的膜厚时，可用该膜厚在沟道形成区313的外侧形成补偿(offset)栅区。
在本实施例中也形成补偿(offset)栅区，但由于其尺寸较小，故其存在引起的影响较小，而且由于图面变得复杂，故在图中未示出。
还有，在形成2000埃以上的那样厚的致密的阳极氧化膜309的膜厚时，由于需要200V以上的外加电压，故涉及重现性和安全性等，有必要加以注意。
其次，形成氧化硅膜、或氮化硅膜、或其叠层膜作为层间绝缘膜316。也可使用在氧化硅膜或氮化硅膜上用树脂材料构成的层作为层间绝缘膜。
然后进行接触孔的形成，进行源电极317和漏电极318的形成。这样就完成了图3(E)示出的薄膜晶体管。
本实施例中示出的TFT可得到在以往不能得到的极为良好的特性。
例如，在NTFT(N沟型的TFT)中，可得到迁移率为200～300(cm2/Vs)，S值为75～90(mV/dec)(VD＝1V)这样的高性能。在PTFT(P沟型的TFT)中，可得到迁移率为120～180(cm2/Vs)，S值为75～100(mV/dec)(VD＝1V)这样的高性能。
特别是S值，与以往的高温多晶硅TFT和低温多晶硅TFT的值比较，是1/2以下的令人惊异的良好的值。
〖实施例2〗
本实施例涉及在实施例1中示出的构成中对栅绝缘膜的形成方法加以改进的例子。
图3中示出本实施例的制造工序。首先按照图1(A)和(B)中示出的工序得到具有横向生长区域的结晶性硅膜208。还有，在这里将起始膜的非晶硅膜做成500埃。
在得到结晶性硅膜后，通过在含有3％的HCL的氧气氛中用电热炉进行950℃、30分钟以上的加热处理，形成厚度为200埃的热氧化膜209。(图3(A))
其次除去热氧化膜209。然后，通过进行图形刻蚀，形成以后称为薄膜晶体管的有源层的图形210。(图3(B))
其次通过等离子CVD法，形成厚度为1000埃的栅绝缘膜304。(图3(C))
其次通过在含有3％的HCL的氧气氛中用电热炉进行950℃、30分钟以上的加热处理，形成厚度为300埃的热氧化膜211。(图3(D))
此时，热氧化膜在CVD氧化膜304的内侧生长，在图3(D)所示的状态下进行成膜。
所形成的热氧化膜的膜厚的总计比最终的结晶性硅膜的膜厚要厚。
在采用本实施例示出的制造工序时，栅绝缘膜用热氧化膜211和CVD氧化膜304的叠层膜来构成。
在采用本实施例示出的制造工序时，可使栅绝缘膜与有源层的界面处的界面态密度变低。
〖实施例3〗
本实施例示出有源矩阵型的液晶显示装置的有源矩阵电路部分的制造工序。
图4中示出本实施例的制造工序的概略。首先，按照图1和图2示出的工序得到图2(D)示出的状态。(图4(A)示出的状态)
其次用等离子CVD法形成厚度为2000埃的氮化硅膜401作为第一层间绝缘膜。再用旋转涂敷法形成聚酰亚胺膜402。这样，得到图4(B)中示出的状态。再有，除了聚酰亚胺以外可利用聚酰胺、聚酰亚胺酰胺(polyimideamide)作为树脂材料。
其次形成到达源区311和漏区315的接触孔，形成源电极403和漏电极403。这些电极用钛膜和铝膜和钛膜的叠层膜来形成。还有，源电极403作为从源线延伸的电极来形成。(图4(C))
漏电极403的一部分作为用于形成辅助电容的电极来形成。
在形成源和漏电极后，形成聚酰亚胺膜404作为第二层间绝缘膜。这样得到图4(C)示出的状态。
其次在树脂层间绝缘膜404中形成开口，在形成用钛膜和铝膜的叠层膜构成的黑色矩阵(BM)405。该黑色矩阵405除了原来的作为遮光膜的功能外，起到作为用于形成辅助电容的电极的功能。
形成黑色矩阵405后，形成聚酰亚胺树脂膜406作为第三层间绝缘膜。然后，形成通向漏电极403的接触孔，形成用ITO构成的像素电极407。
这样就能得到在起到辅助电容的功能的黑色矩阵405的图形与像素电极407的图形之间夹着聚酰亚胺树脂膜406的结构。
〖实施例4〗
本实施例是在实施例1示出的构成中对栅电极或由栅电极延伸的栅极布线的接触孔的形成方法进行改进的例子。
在实施例1(参照图2)或实施例3示出的构成中，成为用栅电极的侧面和上面具有致密的膜质的阳极氧化膜覆盖的状态。
这种结构在形成以铝为材料的电极时，对于抑制突起、抑制布线之间的短路具有很大的效果。
但是存在因其牢固的膜质的缘故接触孔的形成比较困难的问题。
本实施例涉及解决该问题的构成。图5示出本实施例的制造工序。
首先，如图5(A)所示，得到由结晶性硅膜构成的有源层图形210。然后，得到热氧化膜211与CVD氧化膜304叠层的状态。
在这里，采用首先形成CVD氧化膜，其后形成热氧化膜的工序。
得到图5(A)示出的状态后，形成铝膜，再形成厚度为500埃的氮化硅膜。然后，用光致抗蚀剂掩模306进行图形刻蚀，得到形成了305中示出的铝图形和其上的氮化硅膜501的状态。(图5(B))
在得到图5(B)示出的状态后，在配置了光致抗蚀剂掩模306的状态下形成多孔状的阳极氧化膜308，再形成具有致密的膜质的阳极氧化膜309。
这些阳极氧化膜只在构成栅电极的铝图形307的侧面有选择地形成。这是因为在铝图形的上面已存在氮化硅膜501的缘故。
阳极氧化膜的形成结束后，除去光致抗蚀剂掩模306。然后再除去露出的氧化硅膜304，再除去热氧化膜211的一部分。
这样就得到图5(C)示出的状态。得到图5(C)的状态后，除去光致抗蚀剂掩模306，再除去多孔状的阳极氧化膜308。
然后，再除去氮化硅膜501。这样得到图5(D)示出的状态。在该状态下用等离子掺杂法进行赋予导电类型的杂质的掺杂。
其结果是以自对准的方式形成源区311、低浓度杂质区312和314、沟道区313、漏区315。
杂质的掺杂结束后，通过进行激光的照射，进行掺杂时产生的损伤的退火和所掺杂的杂质的活性化。
这样就得到图5(D)所示的状态。其次形成层间绝缘膜502。然后形成接触孔，形成源电极317、栅引出电极503、漏电极318，得到图5(E)示出的状态。
在该工序中，通向栅电极307的接触孔的形成由于在栅电极的上面不存在阳极氧化膜，故能比较容易地进行。
还有，在图中是以在相同的截面上形成源/漏电极和栅电极那种方式来记述的，但实际上栅引出电极在从栅电极307延伸部分处形成。
〖实施例5〗
本实施例是在实施例1示出的构成中利用玻璃基板作为基板的例子。
本实施例中利用变形点为667℃的康宁1737玻璃基板作为基板。而且将用于结晶化的加热处理在600℃、4小时的条件下进行。
将用于热氧化膜的形成的加热处理在含有3％的HCL的氧气氛中使用电热炉的640℃的条件下进行。此时，所形成的热氧化膜的膜厚在处理时间2小时的情况下为约30埃。此时，与加入实施例1中示出的那种950℃的加热处理时相比，其效果很小。
〖实施例6〗
本实施例是在实施例1示出的构成中热氧化膜形成时的气氛中不含有HCL的情况下的例子。此时，与气氛中含有HCL的情况相比，镍的吸杂效果较小。
〖实施例7〗
本实施例是在实施例1示出的构成中在热氧化膜的形成后进行激光的照射时的例子。这样做的话，可进一步有助于结晶化。
〖实施例8〗
本实施例是示出利用了TFT的半导体器件的例子。图8中示出各种半导体器件的例子。
图8(A)中示出的是称之为携带信息终端的装置，在主机2001中具备的有源矩阵型的液晶显示装置2005中可将需要的信息从内部的存储装置调出并进行显示，或可利用电话线显示所访问的信息。
作为显示装置的一种形态，也可考虑利用有源矩阵型的EL显示装置。在构成显示装置的有源矩阵电路与同一基板上，各种信息处理电路、存储电路做成集成化电路2006并利用TFT进行集成化。
此外，在主机2001上设有摄像机部分2002，通过对操作开关2004进行操作，可摄入所需要的图象信息。用摄像机部分2002摄入的图象从图象接受部分2003摄入装置内。
图8(B)示出的是称之为头载显示器的显示装置。该装置将主机2101装于头部，借助于两个有源矩阵型液晶显示2102，具有在眼前几个厘米的部位处显示图象的功能。在该装置中能以虚拟现实的方式见到图象。
图8(C)示出的是车辆导航系统。该装置使用由天线2204接收的来自人造卫星的信号，具有监测位置的功能。而且在有源矩阵型的液晶显示装置显示监测的位置。并且，显示信息的选择通过操作开关2203来进行。
再者，可利用有源矩阵型的EL显示装置来代替液晶显示装置。
图8(D)示出的是携带电话的例子。该装置的主机2301中设有天线2306，并设有声音输入部分2303和声音输入部分2302。
在打电话时，通过操作操作开关2305来进行。并且，在显示装置上显示各种图象信息。作为携带型的显示装置，利用有源矩阵型的液晶显示装置或有源矩阵型的EL显示装置。
图8(E)示出的是携带型的电视摄像机。该装置具备将由图象接收部分2406摄入的图象存储于主机2401内放置的磁带的功能。
在集成化电路2407中对图象，进行各种数字处理。该集成化电路2407可由将以往利用的IC芯片组合起来的电路来构成，也可使用本说明书公开的那种TFT来构成。并且可用上述电路和TFT的组合来构成。
用图象接收部分2406接收的图象或内部磁带中存储的图象，在有源矩阵型的液晶显示装置2402中进行显示。装置的操作通过操作开关2404来进行。又，装置的电力通过电池2405来供给。
图8(F)示出的是投影型的显示装置。该装置具有将由本体2501投影的图象在屏幕上显示的功能。
在主机2501上设有：光源2502、将来自该光源的光进行光调制而形成图象的有源矩阵型的液晶显示装置2503、用于对图象进行投影的光学系统2504。
再有，作为液晶显示装置的形式，除了(B)中示出的装置之外，还可利用透射型或反射型的形式的任一种。
将利用本说明书中公开的发明而得到的PTFT和NTFT组合起来构成9级环形振荡器时，可进行400MHz以上的振荡。
一般来说，如考虑用环形振荡器的振荡频率的10％进行实际电路的设计的话，则用上述的TFT应该可构成在约40MHz频率下工作的电路。
因此，通过利用本说明书中公开的发明，可得到能构成要求高速工作(一般是几十MHz以上的工作速度)的电路的薄膜晶体管。
特别是关于S值，可得到100(mV/dec)以下的、可与利用单晶硅晶片制造的MOS型晶体管比美的特性。
通过利用本说明书中公开的发明，可提供用TFT将要求各种高速工作的电路在同一基板上进行集成化的构成。并可提供其制造方法。

Claims (20)

1.一种半导体器件，该器件具有在具有绝缘表面的基板上形成的包括结晶硅膜作为有源层的薄膜晶体管，
其中所述结晶硅膜在预定的方向上具有带有连续性的结晶结构，并在上述预定的方向上具有延伸的结晶粒界；
其中将联结该薄膜晶体管的源区和漏区的方向与上述预定方向形成为具有一个预定角度；
其中在上述结晶粒界处杂质偏析，并且
其中所述结晶硅膜包括浓度为1×1017原子/cm3或更少的用于促进半导体膜结晶的金属元素。
2.按照权利要求1的半导体器件，其特征在于：上述预定角度是0度。
3.按照权利要求1的半导体器件，其特征在于：所述金属元素包括镍。
4.按照权利要求3的半导体器件，其特征在于：结晶硅膜以1×1014原子/cm3～1×1017原子/cm3的浓度含有镍元素。
5.按照权利要求3的半导体器件，其特征在于：结晶硅膜以1×1016原子/cm3～1×1017原子/cm3的浓度含有镍元素。
6.按照权利要求1的半导体器件，其特征在于：利用从Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Au等中选出的一种或多种元素作为所述金属元素。
7.按照权利要求1的半导体器件，其特征在于：所述金属元素的含有浓度具有朝向所述结晶硅膜的上表面和/或下表面变高的浓度分布。
8.按照权利要求1的半导体器件，其特征在于：所述结晶硅膜中含有卤族元素，该卤族元素具有朝向所述结晶硅膜的上表面和/或下表面含有浓度变高的浓度分布。
9.按照权利要求1的半导体器件，其特征在于：所述结晶硅膜的膜厚是100埃～750埃。
10.按照权利要求1的半导体器件，其特征在于：所述结晶性硅膜是由多个具有在特定的方向上延伸的结晶结构的结晶体的集合来构成的，该结晶体的宽度约为500-2000埃。
11.按照权利要求1的半导体器件，其特征在于：所述结晶性硅膜是由多个具有在特定的方向上延伸的结晶结构的结晶体的集合来构成的，该结晶体的宽度约为从结晶硅膜的厚度到为2000埃。
12.一种有源矩阵液晶显示器件，包括根据权利要求1的半导体器件。
13.一种有源矩阵EL显示器件，包括根据权利要求1的半导体器件。
14.一种便携式信息终端，包括根据权利要求1的半导体器件。
15.一种头戴显示器，包括根据权利要求1的半导体器件。
16.一种车辆导航系统，包括根据权利要求1的半导体器件。
17.一种携带电话，包括根据权利要求1的半导体器件。
18.一种照相机，包括根据权利要求1的半导体器件。
19.根据权利要求18的照相机，其中该照相机是便携视频摄像机。
20.一种投影显示器件，包括根据权利要求1的半导体器件。
CNB971022801A 1996-01-19 1997-01-20 半导体器件及其制造方法 Expired - Lifetime CN1206737C (zh)

Applications Claiming Priority (24)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26210/96 1996-01-19
JP2621096 1996-01-19
JP26210/1996 1996-01-19
JP26037/1996 1996-01-20
JP26037/96 1996-01-20
JP2603796 1996-01-20
JP32875/96 1996-01-26
JP32874/96 1996-01-26
JP3287496 1996-01-26
JP3287596 1996-01-26
JP32874/1996 1996-01-26
JP32875/1996 1996-01-26
JP3298196 1996-01-27
JP32981/96 1996-01-27
JP32981/1996 1996-01-27
JP58334/96 1996-02-20
JP5833496 1996-02-20
JP58334/1996 1996-02-20
JP88759/1996 1996-03-17
JP8875996 1996-03-17
JP88759/96 1996-03-17
JP32464596A JP3645379B2 (ja) 1996-01-19 1996-11-19 半導体装置の作製方法
JP324645/96 1996-11-19
JP324645/1996 1996-11-19

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101016286A Division CN1901205B (zh) 1996-01-19 1997-01-20 半导体装置及其制造方法
CNB2005100657955A Division CN100444406C (zh) 1996-01-19 1997-01-20 半导体器件及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1160936A CN1160936A (zh) 1997-10-01
CN1206737C true CN1206737C (zh) 2005-06-15

Family

ID=27572020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB971022801A Expired - Lifetime CN1206737C (zh) 1996-01-19 1997-01-20 半导体器件及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6093934A (zh)
JP (1) JP3645379B2 (zh)
KR (1) KR100299207B1 (zh)
CN (1) CN1206737C (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100444406C (zh) * 1996-01-19 2008-12-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6300659B1 (en) 1994-09-30 2001-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin-film transistor and fabrication method for same
KR100265179B1 (ko) * 1995-03-27 2000-09-15 야마자끼 순페이 반도체장치와 그의 제작방법
JP4056571B2 (ja) 1995-08-02 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3729955B2 (ja) 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645379B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645378B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6478263B1 (en) 1997-01-17 2002-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
JP3645380B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置
US5888858A (en) 1996-01-20 1999-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US6465287B1 (en) 1996-01-27 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device using a metal catalyst and high temperature crystallization
US6555449B1 (en) 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
US6590230B1 (en) 1996-10-15 2003-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6011275A (en) * 1996-12-30 2000-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
CN100533528C (zh) * 1997-02-17 2009-08-26 精工爱普生株式会社 显示装置
US6462722B1 (en) * 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
JP4180689B2 (ja) 1997-07-24 2008-11-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW408351B (en) * 1997-10-17 2000-10-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4236722B2 (ja) * 1998-02-05 2009-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4073533B2 (ja) 1998-02-09 2008-04-09 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置
US7248232B1 (en) 1998-02-25 2007-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Information processing device
US6617648B1 (en) 1998-02-25 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Projection TV
JP2000039628A (ja) 1998-05-16 2000-02-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置
US7294535B1 (en) 1998-07-15 2007-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same
US7153729B1 (en) * 1998-07-15 2006-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same
US7084016B1 (en) * 1998-07-17 2006-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device, and method of fabricating the same
US7282398B2 (en) * 1998-07-17 2007-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Crystalline semiconductor thin film, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same
US6559036B1 (en) 1998-08-07 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6656779B1 (en) * 1998-10-06 2003-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor apparatus having semiconductor circuits made of semiconductor devices, and method of manufacture thereof
JP3658213B2 (ja) * 1998-11-19 2005-06-08 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US7235810B1 (en) 1998-12-03 2007-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US6830993B1 (en) 2000-03-21 2004-12-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method
US7525165B2 (en) * 2000-04-17 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
CN1404627A (zh) 2000-10-10 2003-03-19 纽约市哥伦比亚大学托管会 处理薄金属层的方法与设备
US7045444B2 (en) * 2000-12-19 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device that includes selectively adding a noble gas element
US6858480B2 (en) * 2001-01-18 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
TWI221645B (en) * 2001-01-19 2004-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US7115453B2 (en) * 2001-01-29 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2002231627A (ja) 2001-01-30 2002-08-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
US7141822B2 (en) * 2001-02-09 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4993810B2 (ja) 2001-02-16 2012-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5088993B2 (ja) 2001-02-16 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4718700B2 (ja) 2001-03-16 2011-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7052943B2 (en) 2001-03-16 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6812081B2 (en) * 2001-03-26 2004-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co.,.Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
KR100916281B1 (ko) * 2001-08-27 2009-09-10 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 미세구조의 임의 배치를 통하여 다결정성 박막 트랜지스터균일성을 향상시키는 방법
TWI282126B (en) * 2001-08-30 2007-06-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
US20030103022A1 (en) * 2001-11-09 2003-06-05 Yukihiro Noguchi Display apparatus with function for initializing luminance data of optical element
JP2003186437A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003255899A (ja) * 2001-12-28 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP3953330B2 (ja) * 2002-01-25 2007-08-08 三洋電機株式会社 表示装置
JP3723507B2 (ja) * 2002-01-29 2005-12-07 三洋電機株式会社 駆動回路
JP2003295825A (ja) * 2002-02-04 2003-10-15 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003308030A (ja) * 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003257645A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2003332058A (ja) * 2002-03-05 2003-11-21 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
JP2003258094A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 配線構造、その製造方法、および表示装置
JP3671012B2 (ja) * 2002-03-07 2005-07-13 三洋電機株式会社 表示装置
CN100517422C (zh) * 2002-03-07 2009-07-22 三洋电机株式会社 配线结构、其制造方法、以及光学设备
JP3837344B2 (ja) * 2002-03-11 2006-10-25 三洋電機株式会社 光学素子およびその製造方法
TWI288443B (en) 2002-05-17 2007-10-11 Semiconductor Energy Lab SiN film, semiconductor device, and the manufacturing method thereof
WO2004017380A2 (en) 2002-08-19 2004-02-26 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York A single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns
TWI360707B (en) 2002-08-19 2012-03-21 Univ Columbia Process and system for laser crystallization proc
US6861338B2 (en) * 2002-08-22 2005-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
US7374976B2 (en) 2002-11-22 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating thin film transistor
US20040125093A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Serge Rutman Micro-controller with integrated light modulator
KR101191837B1 (ko) 2003-02-19 2012-10-18 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 순차적 측면 고상화 기술을 이용하여 결정화되는 복수의 반도체 박막을 가공하는 방법 및 장치
TW594343B (en) * 2003-05-23 2004-06-21 Toppoly Optoelectronics Corp Color filter structure and method of fabrication
JP4350465B2 (ja) * 2003-09-05 2009-10-21 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
WO2005029546A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
WO2005029549A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for facilitating bi-directional growth
WO2005029547A2 (en) 2003-09-16 2005-03-31 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Enhancing the width of polycrystalline grains with mask
TWI359441B (en) 2003-09-16 2012-03-01 Univ Columbia Processes and systems for laser crystallization pr
US7964925B2 (en) * 2006-10-13 2011-06-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Photodiode module and apparatus including multiple photodiode modules
KR100600878B1 (ko) * 2004-06-29 2006-07-14 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR100626007B1 (ko) * 2004-06-30 2006-09-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 제조방법, 이박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치, 및 이평판표시장치의 제조방법
US7560789B2 (en) 2005-05-27 2009-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7683429B2 (en) * 2005-05-31 2010-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Microstructure and manufacturing method of the same
US7642612B2 (en) * 2005-06-17 2010-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5500771B2 (ja) * 2006-12-05 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びマイクロプロセッサ
TWI624878B (zh) 2011-03-11 2018-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置的製造方法
JP2013149953A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US9735280B2 (en) 2012-03-02 2017-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
US9178042B2 (en) * 2013-01-08 2015-11-03 Globalfoundries Inc Crystalline thin-film transistor

Family Cites Families (244)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3389024A (en) 1964-05-12 1968-06-18 Licentia Gmbh Method of forming a semiconductor by diffusion through the use of a cobalt salt
USRE28385E (en) * 1968-03-20 1975-04-08 Method of treating semiconductor devices
US3556880A (en) * 1968-04-11 1971-01-19 Rca Corp Method of treating semiconductor devices to improve lifetime
US3783049A (en) * 1971-03-31 1974-01-01 Trw Inc Method of platinum diffusion
US3890632A (en) 1973-12-03 1975-06-17 Rca Corp Stabilized semiconductor devices and method of making same
US4174217A (en) 1974-08-02 1979-11-13 Rca Corporation Method for making semiconductor structure
DE2508802A1 (de) * 1975-02-28 1976-09-09 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von elementarem silicium
US4059461A (en) 1975-12-10 1977-11-22 Massachusetts Institute Of Technology Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof
US4132571A (en) * 1977-02-03 1979-01-02 International Business Machines Corporation Growth of polycrystalline semiconductor film with intermetallic nucleating layer
SE7800261L (sv) * 1977-02-28 1978-08-29 Rca Corp Sett att tillverka en halvledaranordning
US4226898A (en) 1978-03-16 1980-10-07 Energy Conversion Devices, Inc. Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process
US4140548A (en) 1978-05-19 1979-02-20 Maruman Integrated Circuits Inc. MOS Semiconductor process utilizing a two-layer oxide forming technique
US4309224A (en) * 1978-10-06 1982-01-05 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a semiconductor device
US4231809A (en) 1979-05-25 1980-11-04 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of removing impurity metals from semiconductor devices
DE2932569C2 (de) * 1979-08-10 1983-04-07 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Reduzierung der Dichte der schnellen Oberflächenzustände bei MOS-Bauelementen
US4300989A (en) 1979-10-03 1981-11-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fluorine enhanced plasma growth of native layers on silicon
US4379020A (en) * 1980-06-16 1983-04-05 Massachusetts Institute Of Technology Polycrystalline semiconductor processing
US5262350A (en) 1980-06-30 1993-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Forming a non single crystal semiconductor layer by using an electric current
US4277884A (en) * 1980-08-04 1981-07-14 Rca Corporation Method for forming an improved gate member utilizing special masking and oxidation to eliminate projecting points on silicon islands
US4330363A (en) 1980-08-28 1982-05-18 Xerox Corporation Thermal gradient control for enhanced laser induced crystallization of predefined semiconductor areas
US4409724A (en) 1980-11-03 1983-10-18 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating display with semiconductor circuits on monolithic structure and flat panel display produced thereby
US4534820A (en) * 1981-10-19 1985-08-13 Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation Method for manufacturing crystalline film
DE3202484A1 (de) * 1982-01-27 1983-08-04 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Metallisierte halbleiter und verfahren zu ihrer herstellung
US4466073A (en) 1982-04-26 1984-08-14 The Perkin Elmer Corporation Wafer prealigner using pulsed vacuum spinners
US4481121A (en) 1982-05-17 1984-11-06 Hughes Tool Company Viscosifier for oil base drilling fluids
US4511800A (en) 1983-03-28 1985-04-16 Rca Corporation Optical reflectance method for determining the surface roughness of materials in semiconductor processing
JPS6045219A (ja) 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
US4546376A (en) 1983-09-30 1985-10-08 Citizen Watch Co., Ltd. Device for semiconductor integrated circuits
US4544418A (en) 1984-04-16 1985-10-01 Gibbons James F Process for high temperature surface reactions in semiconductor material
US4727044A (en) 1984-05-18 1988-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain
US4735824A (en) * 1985-05-31 1988-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing an MOS capacitor
US5962869A (en) 1988-09-28 1999-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor material and method for forming the same and thin film transistor
US5753542A (en) 1985-08-02 1998-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for crystallizing semiconductor material without exposing it to air
US5296405A (en) * 1985-08-02 1994-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co.., Ltd. Method for photo annealing non-single crystalline semiconductor films
US4597160A (en) * 1985-08-09 1986-07-01 Rca Corporation Method of fabricating a polysilicon transistor with a high carrier mobility
US4634473A (en) * 1985-09-09 1987-01-06 Rca Corporation Method for fabricating a radiation hardened oxide having structural damage
DE3689843T2 (de) 1986-03-06 1994-09-01 Toshiba Kawasaki Kk Steuerschaltung einer Flüssigkristallanzeige.
US4755481A (en) * 1986-05-15 1988-07-05 General Electric Company Method of making a silicon-on-insulator transistor
US5221423A (en) * 1986-05-20 1993-06-22 Fujitsu Limited Process for cleaning surface of semiconductor substrate
US4911781A (en) * 1987-05-05 1990-03-27 The Standard Oil Company VLS Fiber growth process
GB2205191A (en) * 1987-05-29 1988-11-30 Philips Electronic Associated Active matrix display system
JPH07114184B2 (ja) 1987-07-27 1995-12-06 日本電信電話株式会社 薄膜形シリコン半導体装置およびその製造方法
US4959247A (en) 1987-12-14 1990-09-25 Donnelly Corporation Electrochromic coating and method for making same
US5225355A (en) * 1988-02-26 1993-07-06 Fujitsu Limited Gettering treatment process
US5043224A (en) * 1988-05-12 1991-08-27 Lehigh University Chemically enhanced thermal oxidation and nitridation of silicon and products thereof
US5173446A (en) 1988-06-28 1992-12-22 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor substrate manufacturing by recrystallization using a cooling medium
US4996077A (en) * 1988-10-07 1991-02-26 Texas Instruments Incorporated Distributed ECR remote plasma processing and apparatus
US4996523A (en) * 1988-10-20 1991-02-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent storage display with improved intensity driver circuits
EP0390608B1 (en) * 1989-03-31 1999-06-09 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming semiconductor thin-film and resulting semiconductor thin-film
US5200630A (en) * 1989-04-13 1993-04-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
US5075259A (en) 1989-08-22 1991-12-24 Motorola, Inc. Method for forming semiconductor contacts by electroless plating
US5278093A (en) * 1989-09-23 1994-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming semiconductor thin film
US5358907A (en) 1990-01-30 1994-10-25 Xerox Corporation Method of electrolessly depositing metals on a silicon substrate by immersing the substrate in hydrofluoric acid containing a buffered metal salt solution
JP2622183B2 (ja) * 1990-04-05 1997-06-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
US5089441A (en) * 1990-04-16 1992-02-18 Texas Instruments Incorporated Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafers
EP0456199B1 (en) 1990-05-11 1997-08-27 Asahi Glass Company Ltd. Process for preparing a polycrystalline semiconductor thin film transistor
DE69125886T2 (de) * 1990-05-29 1997-11-20 Semiconductor Energy Lab Dünnfilmtransistoren
JP3186096B2 (ja) * 1990-06-14 2001-07-11 アジレント・テクノロジーズ・インク 感光素子アレイの製造方法
US5147826A (en) 1990-08-06 1992-09-15 The Pennsylvania Research Corporation Low temperature crystallization and pattering of amorphous silicon films
JP2973492B2 (ja) 1990-08-22 1999-11-08 ソニー株式会社 半導体薄膜の結晶化方法
US5112764A (en) * 1990-09-04 1992-05-12 North American Philips Corporation Method for the fabrication of low leakage polysilicon thin film transistors
US5210050A (en) 1990-10-15 1993-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device comprising a semiconductor film
TW237562B (zh) 1990-11-09 1995-01-01 Semiconductor Energy Res Co Ltd
EP0486047B1 (en) * 1990-11-16 1999-09-01 Seiko Epson Corporation Process for fabricating a thin film semiconductor device
KR950013784B1 (ko) * 1990-11-20 1995-11-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터
KR950001360B1 (ko) * 1990-11-26 1995-02-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기 광학장치와 그 구동방법
JP2838318B2 (ja) 1990-11-30 1998-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 感光装置及びその作製方法
US5289030A (en) * 1991-03-06 1994-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide layer
JPH0828520B2 (ja) 1991-02-22 1996-03-21 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体装置およびその製法
JP2794678B2 (ja) * 1991-08-26 1998-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
JPH0824104B2 (ja) 1991-03-18 1996-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体材料およびその作製方法
JP2794499B2 (ja) * 1991-03-26 1998-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH05182923A (ja) 1991-05-28 1993-07-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザーアニール方法
JPH05183141A (ja) 1991-07-12 1993-07-23 Fuji Xerox Co Ltd カラーイメージセンサ
EP0530972B1 (en) * 1991-08-02 1997-11-05 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal image display unit
DE69230988T2 (de) 1991-09-23 2000-11-30 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren zum Herstellen einer Anordnung, bei dem ein Stoff in einen Körper implantiert wird
US6979840B1 (en) * 1991-09-25 2005-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring
JP2784615B2 (ja) 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
SG81187A1 (en) * 1991-11-29 2001-06-19 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device and manufacturing method therefor
US5244836A (en) 1991-12-30 1993-09-14 North American Philips Corporation Method of manufacturing fusible links in semiconductor devices
TW215967B (en) * 1992-01-17 1993-11-11 Seiko Electron Co Ltd MOS Poly-Si thin film transistor with a flattened channel interface and method of producing same
US5485019A (en) 1992-02-05 1996-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5424230A (en) * 1992-02-19 1995-06-13 Casio Computer Co., Ltd. Method of manufacturing a polysilicon thin film transistor
US5254480A (en) 1992-02-20 1993-10-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for producing a large area solid state radiation detector
JP2779289B2 (ja) * 1992-05-11 1998-07-23 シャープ株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US5288662A (en) * 1992-06-15 1994-02-22 Air Products And Chemicals, Inc. Low ozone depleting organic chlorides for use during silicon oxidation and furnace tube cleaning
JP2560178B2 (ja) * 1992-06-29 1996-12-04 九州電子金属株式会社 半導体ウェーハの製造方法
CN1052569C (zh) * 1992-08-27 2000-05-17 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
JPH06177034A (ja) * 1992-12-03 1994-06-24 Sony Corp 半導体単結晶の成長方法
TW226478B (en) * 1992-12-04 1994-07-11 Semiconductor Energy Res Co Ltd Semiconductor device and method for manufacturing the same
US5604360A (en) * 1992-12-04 1997-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including a plurality of thin film transistors at least some of which have a crystalline silicon film crystal-grown substantially in parallel to the surface of a substrate for the transistor
US6323071B1 (en) * 1992-12-04 2001-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor device
US5403762A (en) 1993-06-30 1995-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a TFT
JP3240719B2 (ja) * 1992-12-10 2001-12-25 ソニー株式会社 半導体薄膜結晶の成長方法
US5902993A (en) 1992-12-28 1999-05-11 Kyocera Corporation Image scanner for image inputting in computers, facsimiles word processor, and the like
US5843225A (en) 1993-02-03 1998-12-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating semiconductor and process for fabricating semiconductor device
JP3497198B2 (ja) * 1993-02-03 2004-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および薄膜トランジスタの作製方法
JPH06296023A (ja) * 1993-02-10 1994-10-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
US6997985B1 (en) * 1993-02-15 2006-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same
US5639698A (en) 1993-02-15 1997-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same
JP3662263B2 (ja) 1993-02-15 2005-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3562588B2 (ja) * 1993-02-15 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
US5275851A (en) * 1993-03-03 1994-01-04 The Penn State Research Foundation Low temperature crystallization and patterning of amorphous silicon films on electrically insulating substrates
JP3107941B2 (ja) 1993-03-05 2000-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよびその作製方法
US5624851A (en) * 1993-03-12 1997-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process of fabricating a semiconductor device in which one portion of an amorphous silicon film is thermally crystallized and another portion is laser crystallized
TW241377B (zh) * 1993-03-12 1995-02-21 Semiconductor Energy Res Co Ltd
JP3193803B2 (ja) * 1993-03-12 2001-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体素子の作製方法
US5569936A (en) * 1993-03-12 1996-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device employing crystallization catalyst
KR100203982B1 (ko) * 1993-03-12 1999-06-15 야마자끼 순페이 반도체장치 및 그의 제작방법
US6413805B1 (en) * 1993-03-12 2002-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device forming method
US5501989A (en) * 1993-03-22 1996-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer
EP0642179B1 (en) 1993-03-23 1999-02-03 TDK Corporation Solid state imaging device and process for production thereof
JP3345089B2 (ja) 1993-03-26 2002-11-18 株式会社半導体エネルギー研究所 カラーフィルタ基板の作製方法
US5612732A (en) * 1993-03-31 1997-03-18 Casio Computer Co., Ltd. Portable compact imaging and displaying apparatus with rotatable camera
US5818076A (en) 1993-05-26 1998-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transistor and semiconductor device
US5481121A (en) * 1993-05-26 1996-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having improved crystal orientation
KR100186886B1 (ko) 1993-05-26 1999-04-15 야마자끼 승페이 반도체장치 제작방법
US6875628B1 (en) * 1993-05-26 2005-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method of the same
KR100355938B1 (ko) 1993-05-26 2002-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치제작방법
US5366926A (en) 1993-06-07 1994-11-22 Xerox Corporation Low temperature process for laser dehydrogenation and crystallization of amorphous silicon
JP3450376B2 (ja) 1993-06-12 2003-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH06349735A (ja) 1993-06-12 1994-12-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US5488000A (en) 1993-06-22 1996-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor using a nickel silicide layer to promote crystallization of the amorphous silicon layer
US6713330B1 (en) * 1993-06-22 2004-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a thin film transistor
TW295703B (zh) * 1993-06-25 1997-01-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5895933A (en) * 1993-06-25 1999-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for its preparation
US5387530A (en) * 1993-06-29 1995-02-07 Digital Equipment Corporation Threshold optimization for soi transistors through use of negative charge in the gate oxide
US5372860A (en) 1993-07-06 1994-12-13 Corning Incorporated Silicon device production
JP3288490B2 (ja) 1993-07-09 2002-06-04 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP2789293B2 (ja) 1993-07-14 1998-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
KR0141659B1 (ko) 1993-07-19 1998-07-15 가나이 쓰토무 이물제거 방법 및 장치
TW357415B (en) 1993-07-27 1999-05-01 Semiconductor Engrgy Lab Semiconductor device and process for fabricating the same
US5663077A (en) 1993-07-27 1997-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor in which the gate insulator comprises two oxide films
US5985704A (en) 1993-07-27 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US5492843A (en) * 1993-07-31 1996-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device and method of processing substrate
JP2975973B2 (ja) 1993-08-10 1999-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US5580815A (en) 1993-08-12 1996-12-03 Motorola Inc. Process for forming field isolation and a structure over a semiconductor substrate
JP2762215B2 (ja) * 1993-08-12 1998-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよび半導体装置の作製方法
JPH0766424A (ja) 1993-08-20 1995-03-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
EP0640864B1 (en) * 1993-08-25 2001-12-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display apparatus and fabrication method thereof
JP2814049B2 (ja) * 1993-08-27 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
JP2536426B2 (ja) 1993-09-21 1996-09-18 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
TW264575B (zh) * 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3562590B2 (ja) * 1993-12-01 2004-09-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
US5612250A (en) * 1993-12-01 1997-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a catalyst
US5654203A (en) * 1993-12-02 1997-08-05 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film transistor using catalyst elements to promote crystallization
CN1328761C (zh) * 1993-12-02 2007-07-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
JP2860869B2 (ja) * 1993-12-02 1999-02-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US5869362A (en) * 1993-12-02 1999-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US5535471A (en) 1993-12-15 1996-07-16 Texas Instruments Incorporated Tool for cleaning LPCVD furnace tube
TW272319B (zh) * 1993-12-20 1996-03-11 Sharp Kk
KR100319332B1 (ko) * 1993-12-22 2002-04-22 야마자끼 순페이 반도체장치및전자광학장치
TW279275B (zh) * 1993-12-27 1996-06-21 Sharp Kk
JPH07199150A (ja) 1993-12-28 1995-08-04 Canon Inc 液晶表示装置
JP3108296B2 (ja) 1994-01-26 2000-11-13 三洋電機株式会社 表示装置の製造方法
JP3221473B2 (ja) * 1994-02-03 2001-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6884698B1 (en) * 1994-02-23 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device with crystallization of amorphous silicon
JP3378078B2 (ja) * 1994-02-23 2003-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5610737A (en) 1994-03-07 1997-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film transistor with source and drain regions having two semiconductor layers, one being fine crystalline silicon
JP3150840B2 (ja) 1994-03-11 2001-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3195157B2 (ja) 1994-03-28 2001-08-06 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法およびその製造装置
KR100279217B1 (ko) 1994-04-13 2001-02-01 야마자끼 순페이 반도체 장치 형성 방법, 결정성 반도체 막 형성 방법, 박막 트랜지스터 형성 방법 및 반도체 장치 제조 방법
JP3192546B2 (ja) * 1994-04-15 2001-07-30 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH07302912A (ja) 1994-04-29 1995-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP3540012B2 (ja) 1994-06-07 2004-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
JP3190520B2 (ja) * 1994-06-14 2001-07-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US6337232B1 (en) 1995-06-07 2002-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabrication of a crystalline silicon thin film semiconductor with a thin channel region
JPH07335906A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体装置およびその作製方法
JP3504336B2 (ja) 1994-06-15 2004-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3067949B2 (ja) 1994-06-15 2000-07-24 シャープ株式会社 電子装置および液晶表示装置
JP3072000B2 (ja) * 1994-06-23 2000-07-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW273639B (en) 1994-07-01 1996-04-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk Method for producing semiconductor device
US5898188A (en) * 1994-07-06 1999-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for its fabrication
TW406861U (en) 1994-07-28 2000-09-21 Semiconductor Energy Lab Laser processing system
KR0136932B1 (ko) 1994-07-30 1998-04-24 문정환 반도체 소자 및 그의 제조방법
JP3464285B2 (ja) 1994-08-26 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW403993B (en) * 1994-08-29 2000-09-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor circuit for electro-optical device and method of manufacturing the same
JP3442500B2 (ja) * 1994-08-31 2003-09-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体回路の作製方法
TW374247B (en) 1994-09-15 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of fabricating semiconductor device
US5712191A (en) * 1994-09-16 1998-01-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
JP3600326B2 (ja) 1994-09-29 2004-12-15 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法
JP3942651B2 (ja) * 1994-10-07 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3486240B2 (ja) * 1994-10-20 2004-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP3474286B2 (ja) 1994-10-26 2003-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
JP3535241B2 (ja) 1994-11-18 2004-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体デバイス及びその作製方法
US6008101A (en) 1994-11-29 1999-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method of semiconductor device
US5756364A (en) * 1994-11-29 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method of semiconductor device using a catalyst
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
TW297950B (zh) * 1994-12-16 1997-02-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6006763A (en) 1995-01-11 1999-12-28 Seiko Epson Corporation Surface treatment method
JPH08255907A (ja) 1995-01-18 1996-10-01 Canon Inc 絶縁ゲート型トランジスタ及びその製造方法
US5929464A (en) * 1995-01-20 1999-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-optical device
JP4130237B2 (ja) 1995-01-28 2008-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性珪素膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
US6165876A (en) 1995-01-30 2000-12-26 Yamazaki; Shunpei Method of doping crystalline silicon film
TW344901B (en) 1995-02-15 1998-11-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Active matrix display device
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3778456B2 (ja) 1995-02-21 2006-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
JPH08241997A (ja) 1995-03-03 1996-09-17 Tdk Corp 薄膜トランジスタ
JPH08241057A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Tdk Corp 画像表示装置
JP3675886B2 (ja) 1995-03-17 2005-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体デバイスの作製方法
TW355845B (en) * 1995-03-27 1999-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP3499327B2 (ja) 1995-03-27 2004-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JP3292657B2 (ja) 1995-04-10 2002-06-17 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置の製造法
US6069674A (en) * 1995-05-19 2000-05-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus
US5696338A (en) * 1995-06-23 1997-12-09 Grissom; Pinkney O'shaughnessy Cello, bass and bass drum floor protector
US5704986A (en) 1995-09-18 1998-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd Semiconductor substrate dry cleaning method
JPH1056180A (ja) * 1995-09-29 1998-02-24 Canon Inc 半導体装置及びその製造方法
JPH09191111A (ja) 1995-11-07 1997-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US5940732A (en) 1995-11-27 1999-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Method of fabricating semiconductor device
US5734179A (en) * 1995-12-12 1998-03-31 Advanced Micro Devices, Inc. SRAM cell having single layer polysilicon thin film transistors
JP3124480B2 (ja) 1995-12-12 2001-01-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW309633B (zh) 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
TW319912B (zh) 1995-12-15 1997-11-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US5782665A (en) 1995-12-29 1998-07-21 Xerox Corporation Fabricating array with storage capacitor between cell electrode and dark matrix
JP3645379B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6478263B1 (en) * 1997-01-17 2002-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
US5985740A (en) 1996-01-19 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst
JP3729955B2 (ja) 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645378B2 (ja) * 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5888858A (en) * 1996-01-20 1999-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
KR100440083B1 (ko) * 1996-01-23 2004-10-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체박막제작방법
US7056381B1 (en) * 1996-01-26 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication method of semiconductor device
US6180439B1 (en) 1996-01-26 2001-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device
US6465287B1 (en) 1996-01-27 2002-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device using a metal catalyst and high temperature crystallization
US6063654A (en) 1996-02-20 2000-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a thin film transistor involving laser treatment
JP3476320B2 (ja) 1996-02-23 2003-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法
TW317643B (zh) 1996-02-23 1997-10-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6100562A (en) 1996-03-17 2000-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP3727416B2 (ja) 1996-05-31 2005-12-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JPH1012889A (ja) 1996-06-18 1998-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体薄膜および半導体装置
JP3519214B2 (ja) 1996-06-20 2004-04-12 株式会社半導体エネルギー研究所 集積回路およびその作製方法
US6005648A (en) 1996-06-25 1999-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TW556263B (en) 1996-07-11 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3759999B2 (ja) 1996-07-16 2006-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、液晶表示装置、ｅｌ装置、ｔｖカメラ表示装置、パーソナルコンピュータ、カーナビゲーションシステム、ｔｖプロジェクション装置及びビデオカメラ
JP4086925B2 (ja) 1996-12-27 2008-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクスディスプレイ
US6011275A (en) 1996-12-30 2000-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH10200114A (ja) 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜回路
JPH10223532A (ja) 1997-02-10 1998-08-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体の作製方法及び半導体装置の作製方法
JP3942683B2 (ja) 1997-02-12 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
JP4831850B2 (ja) * 1997-07-08 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタの作製方法
US5846857A (en) 1997-09-05 1998-12-08 Advanced Micro Devices, Inc. CMOS processing employing removable sidewall spacers for independently optimized N- and P-channel transistor performance
US6294441B1 (en) 1998-08-18 2001-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP3425392B2 (ja) * 1999-05-27 2003-07-14 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
CN1109212C (zh) 2000-10-30 2003-05-21 甘国工 管壁有空心增强结构的高分子拉伸定向复合塑料管

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100444406C (zh) * 1996-01-19 2008-12-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6093934A (en) 2000-07-25
CN1160936A (zh) 1997-10-01
JPH09312403A (ja) 1997-12-02
JP3645379B2 (ja) 2005-05-11
US7709837B2 (en) 2010-05-04
KR970060531A (ko) 1997-08-12
US20060249730A1 (en) 2006-11-09
KR100299207B1 (ko) 2001-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1206737C (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1218403C (zh) 半导体装置
CN1901205A (zh) 半导体装置及其制造方法
CN1206738C (zh) 半导体器件及其制作方法
CN1129955C (zh) 半导体器件的制造方法
CN1165976C (zh) 半导体薄膜以及半导体器件
CN1277312C (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1135608C (zh) 半导体器件的制造方法
CN1292489C (zh) 半导体装置及其制造方法
CN1293647C (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1041872C (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1276486C (zh) 激光辐照装置、激光辐照方法和制作半导体器件的方法
CN1146955C (zh) 半导体器件的制造方法
CN1161566A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN100350617C (zh) 半导体元件和使用半导体元件的半导体装置
CN1207777C (zh) 半导体基片制造方法、半导体基片、电光学装置及电子设备
CN1346152A (zh) 薄膜晶体管及半导体器件
CN1378276A (zh) 布线和制造布线的方法以及布线板和制造布线板的方法
CN1913105A (zh) 激光辐照方法和激光辐照装置以及制造半导体器件的方法
CN1168148C (zh) 制造半导体装置和液晶显示装置的方法
CN1673815A (zh) 显示装置及其制造方法
CN1825598A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN101075622A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1862769A (zh) 半导体器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20050615

EXPY Termination of patent right or utility model