CN1540621A - 动态自刷新显示存储器 - Google Patents

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Abstract

一种用于在具有每一个像素至少一个MEMS器件的显示器中存储数据的动态存储单元(10)，其具有每像素至少两个动态存储元件(130，135)，包括第一和第二动态存储元件(A，B)，每一个元件包括至少一个电容器，第一和第二存储元件都电耦合至单一像素的MEMS器件(20)。读出放大器(140，150，160)被配置成放大数据信号和响应差分数据信号(60，70)和时钟信号(40，50)来锁存数据，按照需要自刷新该数据和装载数据给MEMS器件。

Description

动态自刷新显示存储器
技术领域
本发明涉及显示存储器，尤其涉及用于在具有每一个像素至少一个MEMS器件的显示器中存储数据的动态存储器。
背景技术
使用例如数字微镜器件TM(DMD)的微镜的MEMS器件阵列的显示器和投光器已经发展到多个应用领域。(“数字微镜器件TM”是德州仪器的商标。)对于一些应用，DMD包括静态随机存取存储器(SRAM)用于存储图像数据和寻址微镜阵列。因此，DMD的SRAM使用具有每像素单一静态存储单元的存储单元。通常，在微镜阵列中的每一个微镜被悬在对应的存储单元阵列的单个SRAM单元上面。地址电极连接到SRAM节点，在该节点处设置“1”或“0”电压。
施加在地址电极和反射镜之间的静电力使得反射镜绕轴旋转。在预定角度停止旋转，通过在衬底上接触反射镜的边缘限制。使用每一个反射镜的二进制开(1)和关(0)时间的脉冲宽度调制来实现图像中的灰度级。这种DMD的数字操作和其它基于MEMS的显示器阵列在显示电路上强加带宽要求以便用要显示的每一帧的数据填充阵列。
一些DMD显示器采用反射镜的机械锁存，一些DMD显示器使用具有小于微镜阵列的SRAM的体系结构，在具有大量SRAM单元的意义上，这是在微镜阵列中的微镜数量的一小部分。在这样的体系结构中，峰值数据率可以和平均数据率相差不大。当更快、更大的MEMS器件阵列被用于显示器和其它应用中时，带宽的进一步减少是很希望的目的，特别是在如果可以不依赖阵列中的MEMS器件的特定物理特征的方式实现的情况下。
发明内容
根据本发明，提供一种存储单元，用于具有对应于每一个像素至少一个MEMS器件的类型的显示器，该存储单元响应数据信号和时钟信号来存储数据，该存储单元包括：每像素至少两个动态存储元件，包括第一和第二动态存储元件，第一和第二动态存储元件的每一个都包括至少一个电容器，第一和第二存储元件都电耦合至单一像素的MEMS器件；和读出放大器，被配置成放大数据信号和响应数据信号和时钟信号来锁存数据。
根据本发明，提供一种存储单元，用于具有对应于每一个像素至少一个MEMS器件的类型的显示器，该存储单元响应差分数据信号和时钟信号存储数据，该存储单元包括：第一和第二动态存储元件，第一和第二存储元件都电耦合至对应于单一像素的MEMS器件，第一动态存储元件包括第一存储电容器和第二动态存储元件包括第二存储电容器，在时钟信号的第一相位根据电容器选择信号数据被有选择地存储在第一和第二存储电容器中选定的一个中，和在时钟信号的第二相位根据电容器选择信号数据被选择地从第一和第二存储电容器中选定的一个装载到MEMS器件；以及读出放大器，被配置成放大差分数据信号至适合于启动该至少一个MEMS器件的预定电平并响应差分数据信号和时钟信号来锁存数据。
根据本发明，提供一种存储单元，用于具有对应于每一个像素至少一个MEMS器件的类型的显示器，该存储单元包括：第一和第二装置，用于响应数据信号和时钟信号来动态存储数据，用于动态存储数据的第一和第二装置的每一个都包括至少一个电容器，用于动态存储数据的第一和第二装置都电耦合至对应于单一像素的至少一个MEMS器件；和放大装置，被配置成放大该数据信号并响应该数据信号和时钟信号来锁存数据。
根据本发明，提供一种制造具有多个像素的显示器的方法，该方法包括下列步骤：提供衬底；在衬底上形成MEMS器件阵列，对应于每一个像素至少一个MEMS器件，阵列的每一个MEMS器件被配置成由在至少一个激励电极上的电信号来启动；和在衬底上形成每一个像素的动态存储单元，每一个动态存储单元包括第一和第二动态存储元件，第一和第二动态存储元件的每一个都包括至少一个电容器，第一和第二动态存储元件都电耦合至对应于单一像素的至少一个MEMS器件的激励电极，和每一个动态存储单元包括读出放大器，该读出放大器被配置成放大数据信号并响应数据信号和时钟信号来锁存该数据。
根据本发明，提供一种在具有对应于每一个像素至少一个MEMS器件的类型的显示器中使用动态存储单元的方法，该方法包括下列步骤：a)为每一个像素提供动态存储单元，每一个动态存储单元包括每像素至少两个动态存储元件，包括第一和第二动态存储元件，第一和第二存储元件的每一个都包括至少一个电容器；b)将第一和第二存储元件都电耦合至对应于单一像素的至少一个MEMS器件；c)提供差分数据信号、时钟信号和电容器选择信号给每一个动态存储单元；d)响应差分数据信号、电容器选择信号和时钟信号的第一相位，将数据存储在第一和第二动态存储元件中选定的一个的至少一个电容器中；e)刷新和放大存储在该至少一个电容器中的数据；和f)响应电容器选择信号和时钟信号的第二相位，根据差分数据信号将选择的数据装载到对应于每一个像素的至少一个MEMS器件以便显示信息。
附图说明
本领域的技术人员通过结合附图阅读下面的详细实施例可以很容易的理解本发明的特征和优点，其中：
图1是根据本发明的存储单元的实施例的示意图。
图2是图1中所示的存储单元实施例的时序图。
具体实施方式
为清楚起见，下面的详细描述集中在对于MEMS器件阵列的MEMS器件的动态自刷新存储单元的特定的简单实施例。本领域的技术人员将意识到，本发明可以在其它相似的实施例中易于实施。出于具体化的目的，使用本发明的MEMS器件可以考虑是数字微镜器件(DMD)，但是本发明可以应用于任何种类的MEMS器件和任何种类的MEMS器件阵列。
说明书和附属的权利要求书的全篇中，术语“MEMS”具有其微机电系统的常规意义。其中为了特定实例实施例的具体描述，特定器件被设计为“P沟道”或“N沟道”等，本领域的技术人员将认识到，双极型器件或器件类型的其它组合可以与适合的信号一起使用。
根据本发明的实施例具有动态存储单元用于在具有每一个像素至少一个MEMS器件的显示器中存储数据。动态存储单元具有每像素至少两个动态存储元件，包括第一和第二动态存储元件，每一个元件具有至少一个用于存储电荷的电容器。第一和第二存储元件两者都电耦合至单一像素的MEMS器件。读出放大器被配置成放大数据信号和根据差分数据信号和时钟信号锁存数据，按要求自刷新数据和将数据装载到MEMS器件。相同的读出放大器可以用来读取被存储的数据(例如，用于测试)，如下面详细讨论的那样。
根据本发明的其它实施例具有每像素N个动态存储元件，其中N大于2。具有每像素恰好两个动态存储元件的实施例将数据带宽减小到1/2。本领域的技术人员将认识到，类似地，具有每像素N个动态存储元件的实施例可以将数据带宽减小到2(N-1)分之一。对于很多这样的应用来说，对N取偶数是很方便的。当然，很大值的数字N要求更大量的晶体管或其它有源器件，并存在与附加有源器件相关的成本，包括制造成本，和产量有关的成本以及和可靠性有关的成本。因此，在实际应用中，在带宽减少、器件制造成本、以及本领域的技术人员熟悉的各种其它成本因素中要进行折衷。
显示器件的存储器具有大量存储单元，显示器的每一个像素具有至少一个存储单元。存储单元或存储单元的整个阵列可以结合在集成电路中，可以结合在承载微电子器件的衬底上，并可以结合在电子器件中。
图1示出了根据本发明的存储单元10的简单实施例的示意图。图2中示出了图1的存储单元实施例的典型时序图。该示意图示出了两存储元件的动态存储单元，该动态存储单元具有十三个晶体管和四个电容器，用于驱动显示器或其它MEMS器件阵列的单一像素的MEMS器件20。
存储单元10可以用在具有对应于每一个像素至少一个MEMS器件20类型的显示器。可以理解，MEMS器件20可以比单一微镜更复杂，并且实际上可以包括多于一个的MEMS器件，但是出于对图1和2所示的实施例理解的目的，MEMS器件20可以被认为是简单的MEMS微镜。
存储单元10用于响应作为包括真数据线和互补数据线(真信号60和其互补信号70)的差分信号和时钟信号50(ΦS)提供的数据信号来存储数据。该特定实施例具有每像素恰好两个动态存储元件。该两个动态存储元件的每一个都具有用于电荷存储的电容器。(图1中，电容器被表示为A或B电容器，对应于在其关联的晶体管130的栅极80或90处的表示)。这两个动态存储元件都电耦合至单一像素的MEMS器件20，如图1所示。读出放大器(由器件140、150和160定义，如下文所述)被配置成放大数据信号和响应由时钟信号50计时的数据信号60和70来锁存数据。出于说明的目的，图1中示出的VDD电源线30供应+5V；该电源电压被选择为适合于应用和适合所用的有源器件类型。
执行动态存储器方法的问题之一是刷新存储单元中的电荷存储电容器。每一个像素的相同读出放大器被用于刷新本地电荷存储元件。因此，图1的动态存储元件10是自刷新存储单元。
存储数据的读取不是必须要快速，因为读取仅被要求用于测试目的。对读取操作，读出放大器也被用于驱动位线上的读取数据。
在读出放大器中，当ΦL被确定为低时使能P沟道器件140。器件140允许信号Q和/Q(在图中用上划线示出)通过高阻抗负载连接至VDD以便放大该Q和/Q信号值。仅在两个存储电容器之一被器件130或135使能以及器件125和150同时被使能之后进行放大。当ΦS被确定为高时使能N沟道器件150。器件150允许信号通路接地用于交叉耦合的器件160，使得在器件140被使能时可以放大Q和/Q。N沟道器件160形成读出放大器的交叉耦合的器件。器件160被用于在Q和/Q上的信号正反馈，使得在首先使能器件150然后其次使能器件140时，可以放大这些信号。
具有每像素两个存储元件的动态存储单元要求至少两个电容器并要求少于SRAM存储单元所要求的晶体管。(具有每像素两个存储元件的静态SRAM方法要求大约二十个晶体管)。该动态存储单元具有每像素一个读出放大器以便锁存合适的输入数据和放大该数据信号至适于启动MEMS器件所适合的幅度电压。如果MEMS器件是微镜，例如，来自读出放大器的电压电平适于启动微镜器件。出于简化，在描述中假定当数值被装载之后，MEMS器件保持装载在其中的二进制值至少一个合适的预定时间。
通过结合图1的示意图参考图2中的时序图，将更容易理解下面的描述。在图1中，用分别在每一个对应的FET器件130或135的栅极处示出的参考字母A或B将电荷存储电容器识别为A或B电容器。存储器的位线由常规互补信号对构成，在图1中分别用垂直线60和70表示DATA和其互补/DATA(在图中用上划线示出)。如在图1中的DATA和/DATA线的下端处指示的那样，它们可以延伸到阵列的其它存储单元。图1中的其它元件在下面被更详细的描述。
在时序图图2中，垂直的虚线将时间分开以便区分存储部分(左)和装载部分(右)。图2示出了DATA和/DATA信号(分别是200和210)和其在不同时间的值310和360，存储信号220和其确定时的值320，装载信号230和其确定时的值370，A或B选择信号240和其用于存储操作的值330和用于装载操作的值380，具有代表值340的电容器存储值250和260，存储时钟信号ΦS(270)和其在一定时间处的值390，以及装载时钟信号ΦL(280)和其在随后时间处的值400。图2还示出了MEMS器件值Q(290)和其在将新值装载进MEMS器件20之前的特定时间处的值350，并且图2示出了互补/Q(300)和在装载新值到MEMS器件20中之后的在另一时间处的/Q的值410。参考号420表示渡越时间间隔，其间Q和/Q的值不确定。
当存储信号被确定为高时N沟道FET器件120被使能。器件120允许在A或B电容器选择信号被确定为高时存储DATA和其互补/DATA的数值。通过确定存储信号220为高值并通过用栅极80或90(图2中的线240)选择330A或B存储电容器来存储像素值。用DATA200和互补/DATA210值来差分驱动位线，在任一侧上将对应的数据值存储在被选择的电容器(A或B)之一中。在将存储电荷装载进读出放大器中之后，器件120允许读取在两个电容器存储单元中选定的一个上的存储电荷。接着通过使能器件125和器件130或135，以及然后在读出放大器放大存储节点电荷信号之后使能器件120来进行读取。当装载信号230(图1中的端子110)被确定为高时使能N沟道FET器件125。
当信号A被确定为高时使能N沟道FET器件130。当同时也使能器件120时，器件130允许DATA和/DATA上的信号存储在相应的电容器上。当器件125和130被使能时，器件130也允许存储电容器值被放大和刷新。
当信号B被确定为高时使能N沟道FET器件135。当同时还使能器件120时，器件135允许DATA和/DATA上的信号存储在各自的电容器上。当启动器件125和135时，器件135也允许存储电容器值被读出放大器放大和刷新。
通过首先去确定(de-assert)该两个读出放大器时钟信号270(ΦS)和280(ΦL)，确定装载信号230在高值，并选择两个存储的值之一：A或B(300)，在MEMS锁存器中装载存储的存储元件。
当A或B信号被确定为高并且装载信号230(图1中的端子110)被确定为高时，N沟道FET器件125允许在两个存储电容器之一中的充电信号被读出放大器放大。
FET器件125也允许读取在两个电容器存储单元之一上存储电荷。通过使能器件125和器件130或135来选择A或B电容器，然后在读出放大器已放大存储节点电荷信号之后使能器件120来进行读取。
一旦交叉耦合读出放大器有充足的时间来区分信号，N沟道器件160的时钟信号50(ΦS)确定在高值以便解决差分输入信号。在随后的时间处，P沟道器件140都导通，将高输入侧拉至VDD。为减少功率耗散，一旦得到所要求的电压，就关断P沟道器件140。装载信号保持被确定(图2中的370)，直到导通P沟道器件140之后。这允许读出放大器刷新被选择的A或B存储电容器。
相同的读出放大器还被用来驱动位线上的数据用于读取操作。读取存储的像素值要求选择两个像素值之一以被装载进读出放大器中并且被锁存。一旦锁存该值，存储线220被确定为高(图2中的320)以便允许数据在位线上被驱动。位线的末端具有另一个读出放大器(未示出)以便读出数据和提供足够的增益用于快速锁存该读取数据。
因此，在图1和2的实施例中，第一动态存储元件包括第一存储电容器A，第二动态存储元件包括第二存储电容器B，响应电容器选择信号，数据被有选择地存储在被选择的存储电容器A或B中。读出放大器根据电容器选择信号刷新在选择的电容器中存储的数据。类似的，根据电容器选择信号将数据选择地从存储电容器A或B中的选定的一个装载到MEMS器件。因此，读出放大器适用于根据读取信号来读取存储在存储电容器A或B的选定的一个中的数据。正如上面描述的，通过使能器件125和器件130或135来选择A或B电容器，并然后在读出放大器放大存储节点电荷信号后还使能器件120，来发送读取信号。
制造
使用本发明并且具有在阵列中布置的所要求数量的像素的显示器可以通过以下制造：提供衬底和在衬底上形成MEMS器件阵列，至少一个MEMS器件对应每一个像素。阵列的每一个MEMS器件被配置成通过在至少一个激励电极上的电信号来启动。该制造还包括在衬底上形成每一个像素的动态存储单元，每一个动态存储单元包括第一和第二动态存储元件，每一个元件包括至少一个电容器，第一和第二存储元件都被电耦合至对应于单一像素的MEMS器件的激励电极。形成的每一个动态存储单元还包括读出放大器，该读出放大器被配置成放大数据信号和根据数据信号和时钟信号来锁存数据。使用本领域的技术人员都公知的常规MEMS工艺，选择和动态存储元件的半导体处理相兼容的那些基本工艺，来实现形成MEMS器件。这样的MEMS工艺的例子是在数字微镜器件阵列的衬底上制作，一个或多个数字微镜器件对应每一个像素。通过常规的半导体制作工艺，例如常规的CMOS工艺来形成动态存储元件。而且，选择基本工艺以便和MEMS处理兼容。
工业应用
根据本发明制造的动态自刷新存储单元可以用于各种MEMS阵列，包括数字微镜显示器件阵列。具有每像素多于一个存储元件减少了MEMS器件所要求的数据带宽，和等效的两存储器常规静态方法相比，该动态方法要求更少的晶体管和由此更小的面积。每一个像素的本地读出放大器允许刷新被选择的像素值和在读取操作中允许驱动位线。
根据本发明的有益方面，提供了一种方法用于在具有对应每一个像素至少一个MEMS器件类型的显示器中使用动态存储单元：为每一个像素提供动态存储单元，每一个动态存储单元包括第一和第二动态存储元件，第一和第二动态存储元件中的每一个都包括至少一个电容器。第一和第二存储元件两者都电耦合至对应单一像素的MEMS器件。给每一个动态存储单元提供差分数据信号、时钟信号和电容器选择信号。响应差分数据信号、电容器选择信号和时钟信号的第一相位，将数据存储在动态存储元件中选定的一个的至少一个电容器中。数据被存储在至少一个电容器中，被刷新和被放大。响应电容器选择信号和时钟信号的第二相位，将选择的数据装载到对应每一个像素的MEMS器件中以便根据差分数据信号显示信息。如果需要的话，该方法还能够包括读取存储的数据。如果使用每像素恰好两个存储元件，该方法可以将具有每像素一个存储元件的存储单元所要求的带宽减小到大约一半。如果使用每像素大于2的N个存储元件，可以进一步减少带宽要求。
尽管前面已经描述和说明了本发明的具体实施例，但是本领域的技术人员在不脱离由附属的权利要求书限定的本发明的范围和精神的情况下可以做出各种修改和变化。例如，包括显示器件和其它(非显示)MEMS器件的各种MEMS器件可以和根据本发明制作的存储单元一起使用，或者单独使用，或者布置在阵列中，其它MOS或双极型晶体管或其它有源器件可以用来替代所示实施例中使用的CMOS。

Claims (20)

1.一种存储单元，用于具有对应于每一个像素至少一个MEMS器件的类型的显示器，该存储单元响应数据信号和时钟信号来存储数据，该存储单元包括：
每像素至少两个动态存储元件，包括第一和第二动态存储元件，第一和第二动态存储元件的每一个都包括至少一个电容器，第一和第二存储元件都电耦合至单一像素的MEMS器件；和
读出放大器，被配置成放大数据信号和响应数据信号和时钟信号来锁存数据。
2.根据权利要求1的存储单元，其中该至少两个动态存储元件包括每像素N个动态存储元件，其中N是等于或大于2的整数。
3.用于显示器的存储器，该存储器包括多个存储单元，对该显示器的每一个像素有权利要求1中所述的至少一个存储单元。
4.包括权利要求1的存储单元的显示器件。
5.包括权利要求1的存储单元的集成电路。
6.包括权利要求1的存储单元的承载微电子器件的衬底。
7.包括权利要求1的存储单元的电子器件。
8.根据权利要求1的存储单元，其中该至少一个MEMS器件包括微镜器件。
9.根据权利要求1的存储单元，其中读出放大器放大数据信号至适合于启动该至少一个MEMS器件的预定电平。
10.根据权利要求9的存储单元，其中预定电平适用于启动微镜器件。
11.根据权利要求1的存储单元，其中第一动态存储元件包括第一存储电容器，第二动态存储元件包括第二存储电容器，根据电容器选择信号将数据有选择地存储在第一和第二存储电容器中选定的一个中。
12.根据权利要求11的存储单元，其中读出放大器进一步被配置成根据电容器选择信号刷新在第一和第二电容器中选定的一个中存储的数据。
13.一种存储单元，用于具有对应于每一个像素至少一个MEMS器件的类型的显示器，该存储单元响应差分数据信号和时钟信号存储数据，该存储单元包括：
第一和第二动态存储元件，第一和第二存储元件都电耦合至对应于单一像素的MEMS器件，第一动态存储元件包括第一存储电容器和第二动态存储元件包括第二存储电容器，在时钟信号的第一相位根据电容器选择信号数据被有选择地存储在第一和第二存储电容器中选定的一个中，和在时钟信号的第二相位根据电容器选择信号数据被选择地从第一和第二存储电容器中选定的一个装载到MEMS器件；以及
读出放大器，被配置成放大差分数据信号至适合于启动该至少一个MEMS器件的预定电平并响应差分数据信号和时钟信号来锁存数据。
14.一种存储单元，用于具有对应于每一个像素至少一个MEMS器件的类型的显示器，该存储单元包括：
第一和第二装置，用于响应数据信号和时钟信号来动态存储数据，用于动态存储数据的第一和第二装置的每一个都包括至少一个电容器，用于动态存储数据的第一和第二装置都电耦合至对应于单一像素的至少一个MEMS器件；和
放大装置，被配置成放大该数据信号并响应该数据信号和时钟信号来锁存数据。
15.一种制造具有多个像素的显示器的方法，该方法包括下列步骤：
提供衬底；
在衬底上形成MEMS器件阵列，对应于每一个像素至少一个MEMS器件，阵列的每一个MEMS器件被配置成由在至少一个激励电极上的电信号来启动；和
在衬底上形成每一个像素的动态存储单元，每一个动态存储单元包括第一和第二动态存储元件，第一和第二动态存储元件的每一个都包括至少一个电容器，第一和第二动态存储元件都电耦合至对应于单一像素的至少一个MEMS器件的激励电极，和每一个动态存储单元包括读出放大器，该读出放大器被配置成放大数据信号并响应数据信号和时钟信号来锁存该数据。
16.根据权利要求15的方法制作的显示器。
17.一种在具有对应于每一个像素至少一个MEMS器件的类型的显示器中使用动态存储单元的方法，该方法包括下列步骤：
a)为每一个像素提供动态存储单元，每一个动态存储单元包括每像素至少两个动态存储元件，包括第一和第二动态存储元件，第一和第二存储元件的每一个都包括至少一个电容器；
b)将第一和第二存储元件都电耦合至对应于单一像素的至少一个MEMS器件；
c)提供差分数据信号、时钟信号和电容器选择信号给每一个动态存储单元；
d)响应差分数据信号、电容器选择信号和时钟信号的第一相位，将数据存储在第一和第二动态存储元件中选定的一个的至少一个电容器中；
e)刷新和放大存储在该至少一个电容器中的数据；和
f)响应电容器选择信号和时钟信号的第二相位，根据差分数据信号将选择的数据装载到对应于每一个像素的至少一个MEMS器件以便显示信息。
18.根据权利要求17的方法，还包括以下步骤：
g)读取在数据存储步骤d)中存储的数据。
19.根据权利要求17的方法，其中数据存储步骤d)的特征在于要求的带宽并且该要求的带宽是具有每像素一个存储元件的存储单元所要求带宽的大约一半。
20.根据权利要求17的方法，其中每一个动态存储单元具有每像素N个动态存储元件，其中N是等于或大于2的整数，并且其中数据存储步骤d)的特征在于要求的带宽并且该要求的带宽是具有每像素一个存储元件的存储单元所要求带宽的大约1/2(N-1)。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103137188A (zh) * 2011-11-23 2013-06-05 阿尔特拉公司 具有中继器件的存储器元件
CN103797400A (zh) * 2011-06-01 2014-05-14 皮克斯特隆尼斯有限公司 Mems显示像素控制电路及方法
US9135867B2 (en) 2013-04-01 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Display element pixel circuit with voltage equalization

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2817936A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-31 Pixtronix, Inc. A display utilizing a control matrix to control movement of mems-based light modulators
US9158106B2 (en) 2005-02-23 2015-10-13 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US9229222B2 (en) 2005-02-23 2016-01-05 Pixtronix, Inc. Alignment methods in fluid-filled MEMS displays
US7999994B2 (en) 2005-02-23 2011-08-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US8310442B2 (en) 2005-02-23 2012-11-13 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US8159428B2 (en) 2005-02-23 2012-04-17 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US9261694B2 (en) 2005-02-23 2016-02-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US8482496B2 (en) 2006-01-06 2013-07-09 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling MEMS display apparatus on a transparent substrate
US8519945B2 (en) 2006-01-06 2013-08-27 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US20070205969A1 (en) 2005-02-23 2007-09-06 Pixtronix, Incorporated Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon
US7742016B2 (en) 2005-02-23 2010-06-22 Pixtronix, Incorporated Display methods and apparatus
US9082353B2 (en) 2010-01-05 2015-07-14 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US7755582B2 (en) 2005-02-23 2010-07-13 Pixtronix, Incorporated Display methods and apparatus
WO2007037926A2 (en) * 2005-09-23 2007-04-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. Mems pixel sensor
US8526096B2 (en) 2006-02-23 2013-09-03 Pixtronix, Inc. Mechanical light modulators with stressed beams
EP2527903A1 (en) * 2006-06-05 2012-11-28 Pixtronix Inc. Circuits for controlling display apparatus
US20080001934A1 (en) * 2006-06-28 2008-01-03 David Anthony Wyatt Apparatus and method for self-refresh in a display device
US9176318B2 (en) 2007-05-18 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays
US8169679B2 (en) 2008-10-27 2012-05-01 Pixtronix, Inc. MEMS anchors
TWI392231B (zh) * 2009-08-04 2013-04-01 Raydium Semiconductor Corp 電路結構
CN102834859B (zh) 2010-02-02 2015-06-03 皮克斯特罗尼克斯公司 用于控制显示装置的电路
JP2013519121A (ja) 2010-02-02 2013-05-23 ピクストロニックス・インコーポレーテッド 低温封孔流体充填ディスプレイ装置を製造するための方法
US9134552B2 (en) 2013-03-13 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators
WO2016067154A1 (ja) * 2014-10-29 2016-05-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示素子、表示装置、または電子機器
US9703208B2 (en) 2014-12-08 2017-07-11 Samsung Electronics Co., Ltd. MQW devices and methods for semiconductor patterning systems
JP2020109450A (ja) * 2019-01-07 2020-07-16 ソニー株式会社 空間光変調システム、空間光変調デバイス及び表示装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4910708A (en) * 1987-07-02 1990-03-20 Ramtron Corporation Dram with programmable capacitance divider
US5079544A (en) * 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
GB9024978D0 (en) * 1990-11-16 1991-01-02 Rank Cintel Ltd Digital mirror spatial light modulator
US5307056A (en) * 1991-09-06 1994-04-26 Texas Instruments Incorporated Dynamic memory allocation for frame buffer for spatial light modulator
US5285407A (en) * 1991-12-31 1994-02-08 Texas Instruments Incorporated Memory circuit for spatial light modulator
TW356546B (en) * 1993-08-10 1999-04-21 Sharp Kk An image display apparatus and a method for driving the same
US6300924B1 (en) * 1994-01-03 2001-10-09 Texas Instruments Incorporated Displaying video data on a spatial light modulator
US5442588A (en) * 1994-08-16 1995-08-15 Cirrus Logic, Inc. Circuits and methods for refreshing a dual bank memory
US5519450A (en) * 1994-11-14 1996-05-21 Texas Instruments Incorporated Graphics subsystem for digital television
US5677703A (en) * 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5612713A (en) * 1995-01-06 1997-03-18 Texas Instruments Incorporated Digital micro-mirror device with block data loading
US5670977A (en) * 1995-02-16 1997-09-23 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator having single bit-line dual-latch memory cells
JP3734853B2 (ja) * 1995-06-27 2006-01-11 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
US5751264A (en) * 1995-06-27 1998-05-12 Philips Electronics North America Corporation Distributed duty-cycle operation of digital light-modulators
US6191883B1 (en) * 1998-12-30 2001-02-20 Texas Instruments Incorporated Five transistor SRAM cell for small micromirror elements
JP2001249287A (ja) * 1999-12-30 2001-09-14 Texas Instr Inc <Ti> 双安定マイクロミラー・アレイを動作させる方法
JP3664059B2 (ja) * 2000-09-06 2005-06-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動方法、駆動回路及び電気光学装置並びに電子機器
JP2002100748A (ja) 2000-09-25 2002-04-05 Thine Electronics Inc マトリックス画像表示装置用ダイナミック記憶装置．
US6775174B2 (en) * 2000-12-28 2004-08-10 Texas Instruments Incorporated Memory architecture for micromirror cell
US6625047B2 (en) * 2000-12-31 2003-09-23 Texas Instruments Incorporated Micromechanical memory element
TW536689B (en) * 2001-01-18 2003-06-11 Sharp Kk Display, portable device, and substrate
JP2002351430A (ja) * 2001-05-30 2002-12-06 Mitsubishi Electric Corp 表示装置
US7230597B2 (en) * 2001-07-13 2007-06-12 Tpo Hong Kong Holding Limited Active matrix array devices
US6545899B1 (en) * 2001-12-12 2003-04-08 Micron Technology, Inc. ROM embedded DRAM with bias sensing
US6812669B2 (en) * 2002-06-14 2004-11-02 Texas Instruments Incorporated Resonant scanning mirror driver circuit
US6865100B2 (en) * 2002-08-12 2005-03-08 Micron Technology, Inc. 6F2 architecture ROM embedded DRAM

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103797400A (zh) * 2011-06-01 2014-05-14 皮克斯特隆尼斯有限公司 Mems显示像素控制电路及方法
US9235047B2 (en) 2011-06-01 2016-01-12 Pixtronix, Inc. MEMS display pixel control circuits and methods
CN103797400B (zh) * 2011-06-01 2016-02-03 皮克斯特隆尼斯有限公司 Mems显示像素控制电路及方法
CN103137188A (zh) * 2011-11-23 2013-06-05 阿尔特拉公司 具有中继器件的存储器元件
US9520182B2 (en) 2011-11-23 2016-12-13 Altera Corporation Memory elements with relay devices
CN103137188B (zh) * 2011-11-23 2017-09-19 阿尔特拉公司 具有中继器件的存储器元件
US9135867B2 (en) 2013-04-01 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Display element pixel circuit with voltage equalization

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