DE06000614T1 - Halbleiteranordnungen mit Molybdänoxid und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

Halbleiteranordnungen mit Molybdänoxid und Verfahren zur Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE06000614T1
DE06000614T1 DE06000614T DE06000614T DE06000614T1 DE 06000614 T1 DE06000614 T1 DE 06000614T1 DE 06000614 T DE06000614 T DE 06000614T DE 06000614 T DE06000614 T DE 06000614T DE 06000614 T1 DE06000614 T1 DE 06000614T1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
molybdenum oxide
semiconductor device
oxide layer
electronic
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE06000614T
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Kochi-shi Katoda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of DE06000614T1 publication Critical patent/DE06000614T1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/26—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys
    • H01L29/267—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, elements provided for in two or more of the groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22, H01L29/24, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/22—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/47—Schottky barrier electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/732—Vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
    • H01L29/812—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a Schottky gate

Abstract

Ein elektronisches Halbleiterbauelement, das eine Schicht aus Molybdänoxid aufweist, gebildet auf einem Substrat, das Material aus IV-Elementhalbleitern, III-V- oder II-IV-Verbindungshalbleitern, IV-Verbindungshalbleitern, organischen Halbleitern, Metallkristallen und ihren Derivaten oder Gläsern umfasst.

Claims (16)

  1. Ein elektronisches Halbleiterbauelement, das eine Schicht aus Molybdänoxid aufweist, gebildet auf einem Substrat, das Material aus IV-Elementhalbleitern, III-V- oder II-IV-Verbindungshalbleitern, IV-Verbindungshalbleitern, organischen Halbleitern, Metallkristallen und ihren Derivaten oder Gläsern umfasst.
  2. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauelement ein Widerstandsbauelement, eine Diode, ein Transistor, ein Hall-Effekt-Bauelement, ein Varaktor, ein Thermistor, ein Thyristor oder ein Speicherbauelement ist.
  3. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Molybdänoxid ein hochreines Molybdänoxid ist, das einen Bandabstand von gleich oder größer 3,45eV aufweist.
  4. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Molybdänoxid ein hochreines Molybdänoxid ist, das durch die Gasphasenabscheidung gebildet wird.
  5. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Substrat, auf dem die Molybdänoxidschicht gebildet wird, ein Siliziumsubstrat ist.
  6. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauelement ein Thyristor ist mit einer Bauelementstruktur, bestehend aus einer ersten p-leitenden Molybdänoxidschicht, einer ersten n-leitenden Molybdänoxidschicht, einer zweiten p-leitenden Molybdänoxidschicht und einer zweiten n-leitenden Molybdänoxidschicht, in dieser Reihenfolge auf besagtem Substrat aufgeschichtet.
  7. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauelement ein Thyristor ist mit einer Bauelementstruktur, bestehend aus einer Pufferschicht aus Molybdänoxid, einer ersten p-leitenden Molybdänoxidschicht, einer ersten n-leitenden Molybdänoxidschicht, einer zweiten p-leitenden Molybdänoxidschicht und einer zweiten n-leitenden Molybdänoxidschicht, in dieser Reihenfolge auf besagtem Substrat aufgeschichtet.
  8. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauelement ein Thyristor ist mit einer Bauelementstruktur, bestehend aus einer ersten n- leitenden Molybdänoxidschicht, einer ersten p-leitenden Molybdänoxidschicht, einer zweiten n-leitenden Molybdänoxidschicht und einer zweiten p-leitenden Molybdänoxidschicht, in dieser Reihenfolge auf besagtem Substrat aufgeschichtet.
  9. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauelement ein Thyristor ist mit einer Bauelementstruktur, bestehend aus einer Pufferschicht aus Molybdänoxid, einer ersten n-leitenden Molybdänoxidschicht, einer ersten p-leitenden Molybdänoxidschicht, einer zweiten n-leitenden Molybdänoxidschicht und einer zweiten p-leitenden Molybdänoxidschicht, in dieser Reihenfolge auf besagtem Substrat aufgeschichtet.
  10. Das elektronische Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 6–9, wobei das Substrat Silizium umfasst.
  11. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauelement ein Feldeffekttransistor ist, in dem die Molybdänoxidschicht zumindest als Kanalschicht des Feldeffekttransistors verwendet wird.
  12. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauelement ein Feldeffekttransistor ist, in dem die Molybdänoxidschicht auf einem Siliziumsubstrat gebildet ist.
  13. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauelement ein Feldeffekttransistor ist, in dem zumindest eine Pufferschicht aus Molybdänoxid zwischen Kanalschicht und Substrat eingefügt ist.
  14. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauelement ein bipolarer Transistor ist, in dem die Molybdänoxidschicht in mindestens einer Emitterzone, einer Basiszone und einer Kollektorzone in dem bipolaren Transistor verwendet wird.
  15. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauelement ein bipolarer Transistor ist, in dem die Molybdänoxidschicht auf einem Siliziumsubstrat gebildet ist.
  16. Das elektronische Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das elektronische Bauelement ein bipolarer Transistor ist, in dem zumindest eine Pufferschicht aus Molybdänoxid zwischen Kollektor und Substrat oder zwischen Emitter und Substrat eingefügt ist.
DE06000614T 2005-01-19 2006-01-12 Halbleiteranordnungen mit Molybdänoxid und Verfahren zur Herstellung Pending DE06000614T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005011248 2005-01-19
JP2005011248A JP5089020B2 (ja) 2005-01-19 2005-01-19 基板上に作製された半導体電子デバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE06000614T1 true DE06000614T1 (de) 2007-01-18

Family

ID=36143331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE06000614T Pending DE06000614T1 (de) 2005-01-19 2006-01-12 Halbleiteranordnungen mit Molybdänoxid und Verfahren zur Herstellung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7557385B2 (de)
EP (1) EP1684355A3 (de)
JP (1) JP5089020B2 (de)
KR (2) KR101240700B1 (de)
CN (1) CN1828930A (de)
DE (1) DE06000614T1 (de)
TW (1) TWI413250B (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4519423B2 (ja) * 2003-05-30 2010-08-04 創世理工株式会社 半導体を用いた光デバイス
JP4351869B2 (ja) * 2003-06-10 2009-10-28 隆 河東田 半導体を用いた電子デバイス
JP4603370B2 (ja) * 2005-01-18 2010-12-22 創世理工株式会社 基板上に作製された半導体光デバイスおよびその作製方法
JP5214194B2 (ja) * 2007-08-10 2013-06-19 住友化学株式会社 金属ドープモリブデン酸化物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法
EP2674992A1 (de) 2012-06-15 2013-12-18 Imec LED und Verfahren zur Herstellung einer LED
CN107946322A (zh) * 2017-12-15 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR972330A (fr) 1941-02-01 1951-01-29 Redresseurs statiques de courant et leur procédé de fabrication
JPS5128983B1 (de) * 1966-10-28 1976-08-23
US3728594A (en) * 1971-11-17 1973-04-17 Rca Corp Electroluminescent device comprising a transition metal oxide doped with a trivalent rare earth element
JPS597719B2 (ja) 1975-10-11 1984-02-20 田辺製薬株式会社 シチジン誘導体の製法
US4373145A (en) * 1979-06-18 1983-02-08 Ford Motor Company Thin film electroluminescent device
US4965594A (en) * 1986-02-28 1990-10-23 Canon Kabushiki Kaisha Liquid jet recording head with laminated heat resistive layers on a support member
JPH0663799B2 (ja) * 1987-10-05 1994-08-22 株式会社村田製作所 熱型流量検出装置
US5401587A (en) * 1990-03-27 1995-03-28 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Anisotropic nanophase composite material and method of producing same
DE69123422T2 (de) * 1990-04-24 1997-06-05 Ramtron Int Corp Halbleiteranordnung mit ferroelektrischem material und verfahren zu deren herstellung
US5838029A (en) * 1994-08-22 1998-11-17 Rohm Co., Ltd. GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate
US6202471B1 (en) * 1997-10-10 2001-03-20 Nanomaterials Research Corporation Low-cost multilaminate sensors
JP4183299B2 (ja) * 1998-03-25 2008-11-19 株式会社東芝 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
DE69904332T2 (de) * 1999-10-22 2003-10-02 Tesa Brown & Sharpe Sa Vorrichtung zur Messung der Linear- oder Winkelverschiebung
JP2002055226A (ja) 2000-08-07 2002-02-20 Nippon Sheet Glass Co Ltd 偏光素子及びその製造方法
JP2002217425A (ja) 2001-01-16 2002-08-02 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置用電極、半導体装置及びその製造方法
US6498358B1 (en) * 2001-07-20 2002-12-24 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating an electro-optic system having an electrochromic diffraction grating
US7956349B2 (en) * 2001-12-05 2011-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor element
US6627959B1 (en) * 2002-04-16 2003-09-30 Boston Microsystems, Inc. P-n junction sensor
JP4519423B2 (ja) 2003-05-30 2010-08-04 創世理工株式会社 半導体を用いた光デバイス
JP4351869B2 (ja) * 2003-06-10 2009-10-28 隆 河東田 半導体を用いた電子デバイス
US7520790B2 (en) * 2003-09-19 2009-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of display device
US20050240501A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Liang-Jung Huang Global financial commodity bull/bear positioning device
US7372070B2 (en) * 2004-05-12 2008-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic field effect transistor and method of manufacturing the same
US7378286B2 (en) * 2004-08-20 2008-05-27 Sharp Laboratories Of America, Inc. Semiconductive metal oxide thin film ferroelectric memory transistor
JP4603370B2 (ja) * 2005-01-18 2010-12-22 創世理工株式会社 基板上に作製された半導体光デバイスおよびその作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1828930A (zh) 2006-09-06
TW200701450A (en) 2007-01-01
EP1684355A3 (de) 2009-03-18
EP1684355A2 (de) 2006-07-26
KR20060084366A (ko) 2006-07-24
KR101240700B1 (ko) 2013-03-18
KR20130006584A (ko) 2013-01-17
TWI413250B (zh) 2013-10-21
US7557385B2 (en) 2009-07-07
JP5089020B2 (ja) 2012-12-05
US20060157695A1 (en) 2006-07-20
JP2006202872A (ja) 2006-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE06000614T1 (de) Halbleiteranordnungen mit Molybdänoxid und Verfahren zur Herstellung
US3987480A (en) III-V semiconductor device with OHMIC contact to high resistivity region
JP6266485B2 (ja) 半導体装置
DE102019120731A1 (de) Elektronische Vorrichtung, einschliesslich eines Transistors und eines variablen Kondensators
US11817481B2 (en) Method for reducing Schottky barrier height and semiconductor device with reduced Schottky barrier height
DE102014116091A1 (de) Halbleiterbauelement
CN105874604A (zh) 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN108342685A (zh) 电镀掩模、利用其制造的有机发光显示装置及其制造方法
DE102016209024A1 (de) Halbleiterbauelemente, einschließlich Halbleiterstrukturen und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102013224856A1 (de) Schottky-Sperrschichtdiode und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102016104446B4 (de) Kontakt mit geringem Widerstand für Halbleiter-Einheiten
CN105321994B (zh) 一种氮化镓二极管及其制备方法
DE102019004646A1 (de) Schaltung und elektronsiche Vorrichtung einschließlich eines Verstärkungs-Modus-Transistors
DE102016015475B3 (de) IGBT Halbleiterstruktur
DE04012914T1 (de) Elektronische Bauelemente aus hochreinem Molybdänoxid
Makino et al. Device design of diamond Schottky-pn diode for low-loss power electronics
EP2398057A2 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit zweistufigem Dotierungsprofil
DE102009058428B4 (de) Halbleitervorrichtung mit anorganischer Überzugsschicht, integrierter Schaltungschip mit dieser Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung dieser Halbleitervorrichtung
CN103996671B (zh) 多层衬底
DE2731443C2 (de)
DE1514082B2 (de) Feldeffekt-Transistor und Planar-Transistor
KR102012191B1 (ko) 배리어를 구비한 열전소자 및 이의 제조 방법
DE112009005412T5 (de) Bipolartransistor mit seitlichem Emitter und Kollektor und Herstellungsverfahren
KR100232170B1 (ko) 반도체 소자의 에피택셜 성장공정
DE1489188C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit mehreren Halbleitersegmenten