DE10019359C2 - SPR-Sensor - Google Patents
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
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- G01N21/552—Attenuated total reflection
- G01N21/553—Attenuated total reflection and using surface plasmons
Description
Die Erfindung betrifft einen SPR-Sensor, insbesondere zur De
tektion einer Stoffschicht, im Wesentlichen bestehend aus ei
ner Quelle für kohärente monochromatische elektromagnetische
Wellen, einem optischen Bauelement zur Einkopplung kohärenter
monochromatischer elektromagnetischer Wellen, einem Medium
mit abstimmbarem Brechungsindex und einem Detektor.
Im Leitungsband elektrisch leitfähiger Festkörper, wie Gold,
Silber, oder Kupfer, befinden sich frei bewegliche Elektro
nen, die nicht an bestimmte Punkte des Festkörpergitters ge
bunden sind. Dieses "Elektronengas" kann unter der Einwirkung
eines äußeren elektromagnetischen Feldes räumlich verschoben
werden. Dabei tritt an der Oberfläche des Festkörpers je nach
Polarität des Feldes eine Komprimierung oder Verdünnung des
Elektronengases auf. Es entsteht ein periodisches Raumla
dungsmuster, dessen Wechselwirkung mit dem angelegten elekt
rischen Feld das Elektronengas mit einer Resonanzfrequenz os
zillieren lässt. Diese Schwingungen, die nur unmittelbar an
der Oberfläche auftreten, werden Oberflächenplasmonen ge
nannt.
Voraussetzung für das Entstehen der Oberflächenplasmonenreso
nanz (englisch: surface plasmon resonance, abgekürzt SPR)
ist, dass Wellenvektor und Energie der einwirkenden elektro
magnetischen Welle mit dem Wellenvektor der Oberflächenplasmonen
übereinstimmt. Der Wellenvektor einer elektromagneti
schen Welle ist gegeben durch ke = (ω/c)n sinΘ, mit der Kreis
frequenz der einfallenden Welle ω, der Lichtgeschwindigkeit
c, dem Brechungsindex n und dem Einfallswinkel Θ.
Der Wellenvektor der Oberflächenplasmonen ist gegeben durch
ks = (ω/c)(1/εm + 1/εs)-1/2. Dabei sind εm und εs die Dielektrizi
tätskonstanten des leitfähigen Festkörpers, etwa eine dünne
Metallschicht und einer auf den Festkörper aufgebrachten zu
untersuchenden Substanz, etwa ein Reaktionsprodukt.
Das Prinzip der SPR-Sensoren wird bei Kretschmann (Opt. Comm.
6 (2), S. 185 ff, 1972) beschrieben. Eine kohärente p-
polarisierte Welle trifft unter dem Winkel der Totalreflexion
aus einem optisch dichten Medium mit dem Brechungsindex n1 in
ein optisch dünnes Medium mit dem Brechungsindex n2 < n1. Die
Grenzfläche ist dabei mit einem dünnen Metallfilm beschichtet
in dem die Welle gedämpft wird. Bei geeigneten Parametern
(Einfallswinkel, Wellenlänge, Brechungsindex) stimmt der Wel
lenvektor mit der Resonanzfrequenz der Oberflächenplasmonen
überein und regt diese zum Schwingen an. Im Idealfall wird
die gesamte eingestrahlte Energie zur Aufrechterhaltung der
Schwingungen absorbiert, was eine vollständige Unterdrückung
der Totalreflexion bedeutet. Dieser Zustand des Systems ist
gleichbedeutend mit der maximalen SPR.
Die Sensitivität der Messung eines SPR-Sensors ist durch die
Ableitung der Reflexion R nach dem Einfallswinkel Θ, dR/dΘ,
bestimmt und ist daher in den Wendepunkten der Flanken der
Reflexionswelle am größten. Noch sensibler wird der SPR-
Sensor, wenn die bei der Reflexion erzeugte ellipsometrische
Phasenverschiebung Λ betrachtet wird. Hierbei ist die Sensi
tivität der Messung durch die Ableitung dΛ/dΘ gegeben. Die
Sensitivität kann bei vollständiger Unterdrückung der Totalreflexion
durch geeignete Wahl der Schichtdicke bei gegebenen
Materialparametern (Schichtdicke, Brechungsindex, Absorption)
des zu detektierenden Stoffes theoretisch unendlich groß wer
den (Bortchagovsky, Polarimetry and Ellipsometry, Proc. SPIE
3094, S. 239 ff, 1997).
SPR-Sensoren werden vorwiegend zur Messung von Schichtdicken
änderungen und Brechungsindexänderungen dünner Schichten ver
wendet. Insbesondere kommen sie in der Biochemie zur Untersu
chung chemischer Reaktionen als hochempfindliche Detektoren
zum Einsatz.
Problematisch bei den herkömmlichen SPR-Sensoren ist die Ab
weichung bzw. Veränderung der Ausgangsparameter (Schichtdi
cke, Brechungsindezes), die während der Messung zu einer Her
absetzung der Empfindlichkeit im Vergleich zu derjenigen, die
eine maximale SPR ergeben würde, führt. Weiterhin können her
kömmliche SPR-Sensoren nur bei einem bestimmten Einfallswin
kel, z. B. 75° bei dem System Gold/Glas mit einem Brechungs
index von n = 1,52, arbeiten. Dies stellt insbesondere bei der
parallelen Detektion mehrerer Detektionskanäle mittels abbil
dender SPR-Detektion oder abbildender Ellipsometrie (Hoenig,
Optoelectr. World, S. 37, Oct. 1998) ein Problem dar, da die
Oberfläche des Sensors verzerrt abgebildet wird, wenn der
Strahl nicht senkrecht zur Oberfläche der Einkoppeloptik,
i. a. ein Prisma, einfällt.
Aus der US 5,351,127 ist ein SPR-Sensor bekannt, der ein Me
dium mit einem durch Anlegen einer elektrischen Spannung va
riierbaren Brechungsindex aufweist. Das Medium weist an einer
Endfläche eine metallische Beschichtung auf, auf deren Ober
fläche sich eine zu untersuchende Probe befindet. Durch Ein
strahlung einer elektromagnetischen Welle, z. B. mittels einer
Laserdiode, werden bei geeigneten Bedingungen an der Oberflä
che (Metallschicht/Stoffschicht) des Sensors Oberflä
chenplasmonen erzeugt. Die Resonanzen können mit einem Detektor,
z. B. einem Diodenarray, über Messung der Intensität der
reflektierten Welle nachgewiesen werden. Änderungen in der
Stoffschicht bewirken eine Änderung der Resonanzbedingung zur
Erzeugung von Oberflächenplasmonen. Entsprechend ändert sich
die gemessene Intensität am Detektor.
Diese Anordnung kann zwar theoretisch die Empfindlichkeit des
Sensors durch Abstimmen des Brechungsindex verbessern, jedoch
steht kein Material mit genügend großer Brechungsindexände
rung zur Verfügung.
Besonders nachteilig wirkt sich bei dieser Anordnung aus,
dass Oberflächenplasmonenresonanzen nur in einem sehr kleinen
Einfallswinkelbereich der elektromagnetischen Welle erzeugt
werden können. Dies bedeutet eine eingeschränkte Verwendbar
keit insbesondere für abbildende Detektionsmethoden. Bei ei
ner abbildenden Detektionsmethode kann ein SPR-Sensor nur bei
senkrechtem Einfallswinkel der einfallenden elektromagneti
schen Welle zur Einkoppeloptik optimal betrieben werden. Dies
ist bei der bekannten Vorrichtung nicht ohne weiteres mög
lich.
Nachteilig ist auch, dass die Detektion ausschließlich über
die Messung der Intensität der reflektierten Welle erfolgt,
wodurch die Empfindlichkeit des Sensors nicht optimiert ist.
Weiterhin ist aus der US 5,986,808 ein durchstimmbares O
berflächenplasmonenfilter bekannt. Das Filter weist eine die
lektrische Schicht, z. B. aus Flüssigkristallen, auf, deren
Endflächen jeweils mit Metallschichten versehen sind und zu
sammen einen optischen Resonator bilden. Der Brechungsindex
des Resonators kann durch Anlegen einer Spannung oder Verän
derung der Dicke der dielektrischen Schicht beeinflusst wer
den.
Voraussetzung für das Entstehen einer Oberflächenplasmonenre
sonanz ist, dass Wellenvektor und Energie der einwirkenden
elektromagnetischen Welle mit dem Wellenvektor der Oberflä
chenplasmonen übereinstimmt. Da der Wellenvektor von der Wel
lenlänge abhängt, ist die Resonanzbedingung jeweils nur für
bestimmte Wellenlängen bei sonst gleichen Parametern erfüllt.
Dieser Effekt wird in der US 5,986,808 ausgenutzt, um die
spektrale Zusammensetzung einer eingestrahlten Welle zu än
dern. Dazu wird als einstrahlende Welle weißes Licht verwen
det. Das reflektierte, bzw. transmittierte Licht weist dann
diejenigen Wellenlängen, die die Resonanzbedingung erfüllen
nicht, oder nur mit stark abgeschwächter Intensität auf.
Durch die Brechungsindexvariation kann die Filterwirkung
bzgl. der Farben verändert werden.
Eine analytische Detektion des reflektierten oder transmit
tierten Lichtes ist in der US 5,986,808 hier nicht vorgese
hen. Die vollständige Absorption des eingestrahlten Lichtes
ist zudem in dieser Druckschrift nicht erwünscht und auch
nicht möglich, da die Resonanzbedingung nicht gleichzeitig
für alle Wellenlängen des weißen Lichtes erfüllt sein kann.
Aus der US 5,451,980 ist ein Farb-Flachbildschirm bekannt,
dessen Funktionsweise auf der wellenlängenselektiven Streuung
von weißem Licht durch Anregung von Oberflächenplasmonen be
ruht. Die Vorrichtung weist eine Flüssigkristallschicht auf,
deren eine Endfläche mit einer Metallbeschichtung versehen
ist. An der zweiten Endfläche der LC-Schicht ist eine Matrix
aus einer Vielzahl von Einzelelektroden angeordnet. Alterna
tiv kann auch die Metallschicht durch eine zweite Elektro
denmatrix ersetzt sein. Die Farbzusammensetzung des gestreu
ten Lichtes kann über einen Farbmodulator der einerseits über
einen Kontaktleiter mit der Metallschicht und andererseits
mit der Matrix aus (transparenten) Elektroden elektrisch ver
bunden ist, verändert werden. Für jedes Pixel des Displays
kann sequentiell die Resonanzbedingung für Oberflächenplasmo
nen verändert werden, um dem Pixel eine bestimmte Farbe zu
zuordnen. Eine Detektion der über die Matrix erzeugten farbi
gen Pixel ist nicht vorgesehen und auch wenig sinnvoll.
Als einfallende Welle wird in der US 5,451,980 weißes Licht
verwendet, um gestreutes Licht mit bestimmten örtlich aufge
lösten Farbeigenschaften zu erzeugen. Gegenstand der vorlie
genden Erfindung ist es hingegen, kohärentes monochromati
sches Licht, vorzugsweise Laserlicht, als einfallende Welle
zu verwenden, und diese Welle möglichst durch ideale Erfül
lung der Resonanzbedingung vollständig im Resonator zu absor
bieren. Ziel des Anmeldungsgegenstandes ist es weiter, eine
Stoffschicht zu untersuchen, und dabei den SPR-Sensor bei
möglichst hoher Empfindlichkeit betreiben zu können. Eine
Stoffschicht ist bei der US 5,541,980 nicht vorgesehen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, den aus der
US 5,351,127 bekannten SPR-Sensor zur Detektion einer Stoff
schicht so zu verbessern, dass er bei möglichst hoher Emp
findlichkeit über einen großen Einfallswinkelbereich, O
berflächenplasmonenresonanzen erzeugen kann.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß in Verbindung mit dem Ober
begriff des Anspruchs 1 dadurch gelöst, dass das Medium als
optischer Resonator ausgebildet ist, der eine erste und eine
gegenüberliegende zweite Endfläche aufweist, auf denen je
weils mindestens eine, für bestimmte Wellenlängen semitrans
parente und zur Erzeugung von Oberflächenplasmonenresonanzen
geeignete Beschichtung aufgebracht ist, und dass der SPR-
Sensor derart ausgebildet ist, dass eine durch den SPR-Sensor
erzeugte ellipsometrische Größe des reflektierten Teils der
eingekoppelten kohärenten monochromatischen elektromagneti
schen Welle detektierbar ist.
Da die Resonanzen eines optischen Resonators in regelmäßigen
Winkelabständen auftreten und jede dieser Resonanzen als SPR
benutzt werden kann, ist es möglich, den Einfallswinkel der
SPR typischerweise im Bereich 45° < Θ < 90° zu wählen. Die
Einkopplung der elektromagnetischen Welle in die Einkoppelop
tik kann somit insbesondere immer senkrecht oder nahezu senk
recht erfolgen. Dadurch entstehen bei abbildenden Detektions
methoden keine Abbildungsverzerrungen, was sich besonders
vorteilhaft auf die parallele Detektion mehrerer Detekti
onskanäle mittels abbildender Ellipsometrie auswirkt. Grund
sätzlich steigern ellipsometrische Detektionsmethoden, wie
z. B. die Analyse einer erzeugten Phasenverschiebung der re
flektierten Welle, gegenüber der herkömmlichen Detektion
(Messung der Intensität der reflektierten Welle) die Empfind
lichkeit und die Messgenauigkeit des Sensors.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung hat die
einfallende elektromagnetische Welle eine vorgebbare Polari
sationsrichtung. Mit kohärenter, polarisierter Strahlung ist
es möglich, Oberflächenplasmonenresonanzen besonders effektiv
anzuregen und je nach eingestellter Polarisation mit ver
schiedenen Detektionsmethoden nachzuweisen.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfin
dung kann sich die Wellenlänge der elektromagnetischen Welle
im sichtbaren Spektralbereich befinden. Es ist aber auch mög
lich, dass sich die Wellenlänge im ultravioletten oder im
infraroten Bereich befindet.
Dadurch, dass Wellenlängen aus einem sehr großen Bereich vom
Ultravioletten bis zum Infraroten verwendet werden können, be
steht eine hohe Flexibilität im Aufbau des SPR-Sensors aus ver
schiedenen geeigneten Materialien.
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
besteht die Beschichtung der Endflächen des Resonators aus e
lektrisch leitenden Schichten. Auch eine Beschichtung aus einem
Schichtsystem von leitenden und nicht leitenden Schichten ist
möglich. Durch die verschiedenen Beschichtungsmöglichkeiten,
kann der SPR-Sensor für eine große Vielfalt von Stoffen verwen
det werden.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
ist der Resonator mit einer Endfläche auf ein geeignetes Sub
strat aufgebracht. Diese Anordnung erleichtert die Handhabung
des Sensors und schützt ihn vor Beschädigungen.
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
kann die Einkopplung der elektromagnetischen Welle mit einer
geeigneten Optik in den Resonator durch das Substrat erfolgen,
oder auch über die Optik direkt in den Resonator. Dies erwei
tert die Möglichkeiten verschiedene Einkopplungsvorrichtungen
zu verwenden.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
besteht das Medium des Resonators aus einem Material mit nicht
linearer elektrischer oder magnetischer Suszeptibilität. Da
durch wird eine relativ einfache Einstellbarkeit ermöglicht.
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
besteht das Medium aus einem elektro-optischen Polymer oder aus
einem elektro-optischen Kristall. Diese Materialien eignen sich
besonders zur Abstimmung des Brechungsindex in optischen Reso
natoren von SPR-Sensoren.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
kann an das Medium zur Einstellung des Brechungsindex ein e
lektrisches Feld mittels einer Spannungsversorgung angelegt
werden. Dadurch, dass der Brechungsindex einstellbar ist, kann
bei elektro-optischen Resonator-Medien der SPR-Sensor, bei ei
ner Messung durch Abstimmen der Spannung während einer Änderung
der zu detektierenden Schichtdicke oder des zu detektierenden
Brechungsindex, permanent bei nahezu maximaler Sensitivität be
trieben werden.
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
besteht das Medium aus einem elasto-optischen Material. Durch
die Möglichkeit äußere mechanische Kräfte auf das Medium auszu
üben, eignet sich ein derartiges Material ebenso zur Abstimmung
des Brechungsindex in SPR-Sensoren.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
ist der SPR-Sensor in separate Zellen eingeteilt, die mit einer
geeigneten elektromagnetischen Welle gleichzeitig anregbar und
einzeln abstimmbar und detektierbar sind. Dadurch ist es mög
lich, parallel mehrere Detektionskanäle der zu detektierenden
Schicht zu registrieren und gleichzeitig jede einzelne Sensor
zelle bei hoher Sensitivität zu betreiben.
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
ist der Detektor so ausgebildet, dass er die Intensität der re
flektierten Welle misst, oder so ausgebildet, dass er die Pha
senverschiebung der reflektierten Welle oder eine andere el
lipsometrische Größe detektieren kann. Die Intensitätsmessung
stellt eine besonders einfache Detektionsmethode dar, mit der
Messung ellipsometrischer Größen wird eine besonders hohe Sen
sitivität des SPR-Sensors erreicht.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
kann auf die zweite, d. h. auf die Beschichtung der oberen End
fläche des Resonators, ein oder mehrere Indikatorstoffe aufgebracht
werden. Mit Hilfe eines Indikatorstoffes kann sich durch
Reaktion mit einem Umgebungsmedium auf dem Sensor eine zu un
tersuchende Stoffschicht bilden. Bei mehreren Indikatorstoffen
können sich mehrere Reaktionsprodukte bilden, die mit dem SPR-
Sensor gleichzeitig untersucht werden können.
Weitere Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nach
folgenden ausführlichen Beschreibung und den beigefügten Zeich
nungen, in denen bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
beispielsweise veranschaulicht sind.
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 Eine Seitenansicht im Schnitt eines SPR-Sensors,
Fig. 2 eine Seitenansicht im Schnitt einer zweiten Ausfüh
rungsform des SPR-Sensors und
Fig. 3 ein Diagramm zur prinzipiellen Veranschaulichung
der Resonanzen im optischen Resonator eines SPR-
Sensors.
Ein SPR-Sensor 1 (Fig. 1) zur Messung von Schichtdickenänderun
gen und Brechungsindexänderungen dünner Schichten besteht im
wesentlichen aus einer Quelle 3 für elektromagnetische p-
polarisierte Wellen, einem optischen Bauelement 6 zur Einkopp
lung elektromagnetischer Wellen, einem optischen Resonator 2
mit einem Medium 7, dessen gegenüberliegende Endflächen jeweils
mit einer geeigneten Beschichtung 8, 9 versehen sind und einem
Detektor 5.
Die Beschichtungen 8, 9 des Resonators 2 sind semitransparente
Goldschichten, die eine nicht verschwindende Extinktion aufwei
sen. Das Medium 7 des Resonators 2 besteht aus einem elektro
optischen Polymer, dessen Brechungsindex n durch Anlegen eines
elektrischen Feldes mittels einer Spannungsversorgung 11 um maximal
den Faktor 0,01 variierbar ist. Der Resonator 2 hat mit
den Beschichtungen 8, 9 eine Stärke von mehreren µm. Er ist auf
ein wenige mm starkes Glassubstrat 10 aufgebracht, durch das
ein p-polarisierter Laserstrahl 4 in den Resonator 2 mittels
eines Immersionsöls 16 und eines handelsüblichen Prismas 6 ein-
und auskoppelt. Die Intensität der reflektierten Welle wird mit
dem Detektor 5 gemessen.
Zunächst wird die einfallende Welle 4 durch eine geeignete Vor
richtung (nicht dargestellt) so justiert, dass sie senkrecht in
das Prisma 6 eintritt, durch das sie in den Resonator 2 einge
koppelt wird. Dann wird der Winkelbereich einige Grad um den
Einfallswinkel 15 herum variiert.
Der optische Resonator 2 weist in regelmäßigen Winkelabständen
Resonanzen 24 auf (Fig. 3). Bei genügend großem Einfallswinkel
15 (etwa 45° < Θ < 90°) ist jede dieser Resonanzen 24 eine O
berflächenplasmonenresonanz. Die Oberflächenplasmonenresonanzen
entstehen in den Beschichtungen 8, 9 des Resonators. Bei der
Winkelvariation des senkrecht in das Prisma 6 eingekoppelten
Laserstrahls 4 um einige Grad, findet man also mindestens eine
Oberflächenplasmonenresonanz, die sich durch einen Intensitäts
abfall der reflektierten Intensität 17 beobachten lässt. Das
Minimum der reflektierten Intensität 23 entspricht dann der
maximalen SPR.
Da die SPR-Anregung im wesentlichen vom Einfallswinkel 15 und
vom Brechungsindex abhängt, kann man nun den SPR-Sensor 1 mit
hoher Sensitivität betreiben, indem man iterativ Einfallswinkel
15 und Brechungsindex des Resonatormediums 7 nachführt. Das
Einstellen des Brechungsindex des Resonatormediums 7 kann er
folgen, indem die angelegte elektrische Spannung 11 entspre
chend nachgeregelt wird.
Hat sich durch eine chemische Reaktion des Indikatorstoffes 13
mit dem Umgebungsmedium (z. B. Wasser, DNA) 12 eine zu detektie
rende Stoffschicht 14 gebildet, wird nun der SPR-Sensor 1 als
hochempfindliches Messgerät benutzt, um minimale Schichtdicken
änderungen oder Brechungsindexänderungen dieser Schicht 14 zu
messen. Eine Dicken- oder Brechungsindexänderung auf oder in
der Nähe der Oberfläche des SPR-Sensors 1 kann durch eine Ände
rung der Spannung gemessen werden, die nötig ist, um die re
flektierte Intensität 17 bei Veränderung der zu detektierenden
Größen konstant zu halten.
Eine zweite Ausführungsform der Erfindung ist in Fig. 2 darge
stellt. Die Polarisation wird hier durch einen vor dem Prisma 6
angeordneten Polarisator 18, zusammen mit einem Kompensator 19,
eingestellt. Die reflektierte Intensität 17' wird mit einem vor
dem Detektor 5' angeordneten Analysator 20 im Hinblick auf In
tensität, und Orientierungswinkeln von Polarisator 18, Kompen
sator 19 und Analysator 20 hin, ausgewertet und aus dem Ergeb
nis die ellipsometrische Phasenverschiebung Λ ermittelt. Der
Wendepunkt (nicht dargestellt) des phasenverschobenen Signals
markiert den Einfallswinkel 15, bei dem die SPR auftritt. Die
Steilheit dieses Signals als Funktion des Einfallswinkels 15 im
Wendepunkt, kann durch Nachregeln des Brechungsindex wie oben
beschrieben, erhöht werden. Dies ist gleichbedeutend mit einer
Steigerung der Sensitivität und der relativen Messgenauigkeit
der SPR-Messung.
Eine Dicken- oder Brechungsindexänderung auf oder in der Nähe
der Oberfläche des SPR-Sensors 1 kann durch eine Änderung der
Spannung gemessen werden, die nötig ist, um die ellipsometri
sche Phasenverschiebung bei Veränderung der zu detektierenden
Größen konstant zu halten. Die Umrechnung von Spannung in Di
cken- oder Brechungsindexänderung kann nach der Theorie der El
lipsometrie von Azzam (R. M. A. Azzam et. al., Ellipsometry and
polarized light, Elsevier, Amsterdam, 1987) erfolgen.
1
SPR-Sensor
2
Optischer Resonator
3
,
3
' Quelle für elektromagnetische Strahlung
4
,
4
' Einfallende elektromagnetische Welle
5
,
5
' Detektor
6
,
6
' Optisches Bauelement
7
Medium
8
Zweite Beschichtung
9
Erste Beschichtung
10
Substrat
11
Elektrische Spannungsversorgung
12
Umgebungsmedium
13
Indikatorstoff
14
Zu detektierende Schicht
15
Einfallswinkel Θ
16
Immersionsöl
17
,
17
' Reflektierte elektromagnetische Welle
18
Polarisator
19
Kompensator
20
Analysator
21
Richtung des Einfallswinkels Θ
22
Amplitude der reflektierten Welle
17
,
17
'
23
Maximale SPR (min. reflektierte Intensität)
24
Resonanzen des Optischen Resonators
Claims (26)
1. SPR-Sensor, insbesondere zur Detektion einer Stoff
schicht, im Wesentlichen bestehend aus einer Quelle für kohä
rente monochromatische elektromagnetische Wellen, einem opti
schen Bauelement zur Einkopplung kohärenter monochromatischer
elektromagnetischer Wellen, einem Medium mit abstimmbarem
Brechungsindex und einem Detektor, dadurch gekennzeichnet,
dass das Medium (7) als optischer Resonator (2) ausgebildet
ist, der eine erste und eine gegenüberliegende zweite Endflä
che aufweist, auf denen jeweils mindestens eine, für bestimm
te Wellenlängen semitransparente und zur Erzeugung von O
berflächenplasmonenresonanzen geeignete Beschichtung (8, 9)
aufgebracht ist, und dass der SPR-Sensor (1) derart ausgebil
det ist, dass eine durch den SPR-Sensor (1) erzeugte ellipso
metrische Größe des reflektierten Teils (17, 17') der einge
koppelten kohärenten monochromatischen elektromagnetischen
Welle (4, 4') detektierbar ist.
2. SPR-Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass
die verwendete elektromagnetische Welle (4, 4') eine vorgeb
bare Polarisationsrichtung aufweist.
3. SPR-Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, dass die Wellenlänge der verwendeten elektromagnetischen
Welle (4, 4') im ultravioletten Spektralbereich liegt.
4. SPR-Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, dass die Wellenlänge der verwendeten elektromagnetischen
Welle (4, 4') im sichtbaren Spektralbereich liegt.
5. SPR-Sensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, dass die Wellenlänge der verwendeten elektromagnetischen
Welle (4, 4') im infraroten Spektralbereich liegt.
6. SPR-Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge
kennzeichnet, dass die Beschichtung der Endflächen des Reso
nators (2) jeweils aus einer zur Erzeugung von Oberflä
chenplasmonenresonanzen geeigneten elektrisch leitenden
Schicht (8, 9) besteht.
7. SPR-Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge
kennzeichnet, dass die Beschichtung der Endflächen des Reso
nators (2) jeweils aus einem zur Erzeugung von Oberflä
chenplasmonenresonanzen geeigneten Schichtsystem aus leiten
den und nichtleitenden Schichten besteht.
8. SPR-Sensor nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekenn
zeichnet, dass der Resonator (2) mit der Endfläche mit der
ersten Beschichtung (9) auf ein für elektromagnetische Wellen
(4, 4') durchlässiges Substrat (10) aufgebracht ist.
9. SPR-Sensor nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekenn
zeichnet, dass durch geeignete Ausbildung des optischen Bau
elementes (6) die Einkopplung der elektromagnetischen Welle
(4, 4') durch das Substrat (10) in den Resonator (2) erfolgt.
10. SPR-Sensor nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch gekenn
zeichnet, dass durch geeignete Ausbildung des optischen Bau
elementes (6) die Einkopplung der elektromagnetischen Welle
(4, 4') direkt in den Resonator (2) erfolgt.
11. SPR-Sensor nach den Ansprüchen 1 bis 10, dadurch gekenn
zeichnet, dass das Medium (7) des Resonators (2) aus einem
optisch nichtlinearen Material besteht und eine nichtlineare
elektrische Suszeptibilität aufweist.
12. SPR-Sensor nach den Ansprüchen 1 bis 10, dadurch gekenn
zeichnet, dass das Medium (7) des Resonators (2) aus einem
optisch nichtlinearen Material besteht und eine nichtlineare
magnetische Suszeptibilität aufweist.
13. SPR-Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch ge
kennzeichnet, dass das Medium (7) aus einem elektro-optischen
Polymer besteht.
14. SPR-Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch ge
kennzeichnet, dass das Medium (7) aus einem elektro-optischen
Kristall besteht.
15. SPR-Sensor nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeich
net, dass der Brechungsindex des Mediums (7) durch Anlegen
eines elektrischen Feldes über eine Spannungsversorgung (11)
einstellbar ist.
16. SPR-Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch ge
kennzeichnet, dass das Medium (7) aus einem elasto-optischen
Material besteht.
17. SPR-Sensor nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass
der Brechungsindex des Mediums (7) durch Einwirkung äußerer
mechanischer Kräfte einstellbar ist.
18. SPR-Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, da
durch gekennzeichnet, dass mindestens eine der semi
transparenten Beschichtungen (8, 9) in lateral getrennte Zel
len eingeteilt ist, die jeweils separate SPR-Sensoren bilden.
19. SPR-Sensor nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass
die separaten SPR-Sensoren jeweils einzeln abstimmbar sind.
20. SPR-Sensor nach den Ansprüchen 18 und 19, dadurch gekenn
zeichnet, dass die elektromagnetische Wellen (4, 4') erzeu
gende Quelle (3, 3') derart ausgebildet ist, dass alle sepa
raten SPR-Sensoren gleichzeitig angeregt werden können.
21. SPR-Sensor nach einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch
gekennzeichnet, dass der Detektor (5, 5') derart ausgebildet
ist, dass alle separaten SPR-Sensoren gleichzeitig detektiert
werden können.
22. SPR-Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch ge
kennzeichnet, dass der Detektor (5, 5') derart ausgebildet
ist, dass die Intensität des reflektierten Teils (17, 17')
der eingekoppelten Welle (4, 4') detektiert wird.
23. SPR-Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch ge
kennzeichnet, dass der Detektor (5, 5') derart ausgebildet
ist, dass die durch den SPR-Sensor (1) erzeugte ellipsometri
sche Phasenverschiebung des reflektierten Teils (17, 17') der
eingekoppelten Welle (4, 4') detektiert wird.
24. SPR-Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch ge
kennzeichnet, dass der Detektor (5, 5') derart ausgebildet
ist, dass eine durch den SPR-Sensor (1) erzeugte von der el
lipsometrischen Phasenverschiebung verschiedene ellipsometri
sche Größe des reflektierten Teils (17, 17') der eingekoppel
ten Welle (4, 4') detektiert wird.
25. SPR-Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 24, dadurch ge
kennzeichnet, dass auf die zweite mit einer semitransparenten
Beschichtung (8) versehene Endfläche des Resonators (2) ein
Indikatorstoff (13) aufbringbar ist, auf dessen Oberfläche
sich durch Reaktion mit einem Umgebungsmedium (12) eine zu
detektierende Schicht (14) ausbilden kann.
26. SPR-Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 25, dadurch ge
kennzeichnet, dass auf die zweite Endfläche des Resonators
(2) eine Mehrzahl von Indikatorstoffen (13) aufbringbar ist.
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---|---|---|---|---|
US7399445B2 (en) * | 2002-01-11 | 2008-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Chemical sensor |
US6956221B2 (en) * | 2003-02-03 | 2005-10-18 | Agilent Technologies, Inc. | Tunable cross-coupling evanescent mode optical devices and methods of making the same |
US7362442B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-04-22 | The University Of Maryland | Far-field optical microscope with a nanometer-scale resolution based on the in-plane image magnification by surface plasmon polaritons |
US7027676B2 (en) * | 2004-03-08 | 2006-04-11 | Agilent Technologies, Inc. | Optical phase measurement of target |
GB0405815D0 (en) * | 2004-03-15 | 2004-04-21 | Evanesco Ltd | Evanescent wave sensing apparatus and methods using surface |
US7586097B2 (en) | 2006-01-05 | 2009-09-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Switching micro-resonant structures using at least one director |
US7626179B2 (en) | 2005-09-30 | 2009-12-01 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Electron beam induced resonance |
US7791290B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-09-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Ultra-small resonating charged particle beam modulator |
US7336062B2 (en) * | 2004-11-08 | 2008-02-26 | Lucent Technologies Inc. | Optically measuring electric field intensities |
US7373058B2 (en) * | 2005-04-21 | 2008-05-13 | California Institute Of Technology | Apparatus and method for detecting optical radiation |
WO2007015556A1 (en) * | 2005-08-01 | 2007-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Target substance detecting device, target substance detecting method using the same, and detecting apparatus and kit therefor |
US7443358B2 (en) * | 2006-02-28 | 2008-10-28 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Integrated filter in antenna-based detector |
US20070200071A1 (en) * | 2006-02-28 | 2007-08-30 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling output from a micro resonator to a plasmon transmission line |
US7558490B2 (en) * | 2006-04-10 | 2009-07-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Resonant detector for optical signals |
US7646991B2 (en) | 2006-04-26 | 2010-01-12 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Selectable frequency EMR emitter |
US7876793B2 (en) | 2006-04-26 | 2011-01-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Micro free electron laser (FEL) |
US7443577B2 (en) * | 2006-05-05 | 2008-10-28 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Reflecting filtering cover |
US7746532B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-29 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Electro-optical switching system and method |
US7436177B2 (en) | 2006-05-05 | 2008-10-14 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | SEM test apparatus |
US7728397B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-01 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupled nano-resonating energy emitting structures |
US7741934B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-22 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling a signal through a window |
US7359589B2 (en) * | 2006-05-05 | 2008-04-15 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling electromagnetic wave through microcircuit |
US8188431B2 (en) | 2006-05-05 | 2012-05-29 | Jonathan Gorrell | Integration of vacuum microelectronic device with integrated circuit |
US7710040B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-04 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Single layer construction for ultra small devices |
US20070258492A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Light-emitting resonant structure driving raman laser |
US7986113B2 (en) | 2006-05-05 | 2011-07-26 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Selectable frequency light emitter |
US7718977B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-18 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Stray charged particle removal device |
US7732786B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-08 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Coupling energy in a plasmon wave to an electron beam |
US7728702B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-06-01 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Shielding of integrated circuit package with high-permeability magnetic material |
US7342441B2 (en) | 2006-05-05 | 2008-03-11 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Heterodyne receiver array using resonant structures |
US7656094B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-02-02 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Electron accelerator for ultra-small resonant structures |
US7723698B2 (en) | 2006-05-05 | 2010-05-25 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Top metal layer shield for ultra-small resonant structures |
US7679067B2 (en) | 2006-05-26 | 2010-03-16 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Receiver array using shared electron beam |
US7592826B1 (en) * | 2006-05-31 | 2009-09-22 | Lockheed Martin Corporation | Method and apparatus for detecting EM energy using surface plasmon polaritons |
US7655934B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-02-02 | Virgin Island Microsystems, Inc. | Data on light bulb |
US7450794B2 (en) * | 2006-09-19 | 2008-11-11 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Microcircuit using electromagnetic wave routing |
SE531493C2 (sv) * | 2006-10-31 | 2009-04-28 | Knut Johansen | Sensor |
US7820990B2 (en) * | 2006-12-11 | 2010-10-26 | Lockheed Martin Corporation | System, method and apparatus for RF directed energy |
US7659513B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-02-09 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Low terahertz source and detector |
US7990336B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-08-02 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Microwave coupled excitation of solid state resonant arrays |
WO2009030071A1 (fr) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | National Center For Nanoscience And Technology, China | Puce de capteur spr de couplage entre guide d'ondes et réseau de puces de capteur correspondant |
US7791053B2 (en) | 2007-10-10 | 2010-09-07 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Depressed anode with plasmon-enabled devices such as ultra-small resonant structures |
WO2009132262A1 (en) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Arizona Board Of Regents And On Behalf Of Arizona State University | Surface impedance imaging methods and apparatuses |
DE102008041825A1 (de) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | Manroland Ag | Zerstörungsfreies Prüfverfahren des Aushärtungs- oder Trocknungsgrades von Farben und Lacken |
US8941831B2 (en) * | 2009-05-04 | 2015-01-27 | Theodore Peter Rakitzis | Intra-cavity ellipsometer system and method |
US9772305B2 (en) | 2011-09-15 | 2017-09-26 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | System and method for small molecule detection |
US9360302B2 (en) * | 2011-12-15 | 2016-06-07 | Kla-Tencor Corporation | Film thickness monitor |
US8976359B2 (en) * | 2012-12-15 | 2015-03-10 | Board Of Trustees Of The University Of Alabama, For And On Behalf Of The University Of Alabama In Huntsville | Nanostructure diffraction gratings for integrated spectroscopy and sensing |
US9134249B2 (en) * | 2013-01-25 | 2015-09-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electric field generating apparatus for performing spectroscopy |
JP6372186B2 (ja) * | 2014-06-19 | 2018-08-15 | コニカミノルタ株式会社 | 検出装置、検出方法、検出チップおよびキット |
DE102014222257A1 (de) * | 2014-10-31 | 2016-05-04 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Analysieren zumindest eines Analyten |
US11231365B2 (en) * | 2019-07-08 | 2022-01-25 | Hanwha Systems Co., Ltd. | Apparatus and method for infrared imaging |
CN111795947B (zh) * | 2020-06-28 | 2022-09-09 | 武汉邮电科学研究院有限公司 | 具有共振腔的等离激元波导传感器及其使用和制备方法 |
TWI797631B (zh) * | 2021-05-28 | 2023-04-01 | 國立成功大學 | 在金屬表面電漿原理(spp)中透過改變折射率以檢測待測物的方法及生物檢測器 |
US11828911B1 (en) * | 2022-11-08 | 2023-11-28 | Northeast Normal University | Metamaterial absorber integrated long-wave infrared focal plane array (LWIRFPA) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5451980A (en) * | 1993-10-19 | 1995-09-19 | The University Of Toledo | Liquid crystal flat panel color display with surface plasmon scattering |
US5986808A (en) * | 1996-10-11 | 1999-11-16 | California Institute Of Technology | Surface-plasmon-wave-coupled tunable filter |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5351127A (en) * | 1992-06-17 | 1994-09-27 | Hewlett-Packard Company | Surface plasmon resonance measuring instruments |
US5926284A (en) * | 1997-04-30 | 1999-07-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Surface plasmon sensor |
JP3399836B2 (ja) * | 1998-05-21 | 2003-04-21 | 富士写真フイルム株式会社 | 表面プラズモンセンサー |
-
2000
- 2000-04-18 DE DE10019359A patent/DE10019359C2/de not_active Expired - Fee Related
-
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- 2001-04-13 US US10/258,028 patent/US6867865B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-13 WO PCT/DE2001/001451 patent/WO2001079817A1/de active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5451980A (en) * | 1993-10-19 | 1995-09-19 | The University Of Toledo | Liquid crystal flat panel color display with surface plasmon scattering |
US5986808A (en) * | 1996-10-11 | 1999-11-16 | California Institute Of Technology | Surface-plasmon-wave-coupled tunable filter |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Opt. Comm. 6 (2), 1972, S. 185 ff. * |
Optoelectr. World, Oct. 1998, S. 37 * |
Proc. SPIE 3094, 1997, S. 239 ff. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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