DE10040853A1 - Anode für Elektrolytkondensatoren, Elektrolyt-Kondensator und Verfahren zur Herstellung der Anode - Google Patents
Anode für Elektrolytkondensatoren, Elektrolyt-Kondensator und Verfahren zur Herstellung der AnodeInfo
- Publication number
- DE10040853A1 DE10040853A1 DE10040853A DE10040853A DE10040853A1 DE 10040853 A1 DE10040853 A1 DE 10040853A1 DE 10040853 A DE10040853 A DE 10040853A DE 10040853 A DE10040853 A DE 10040853A DE 10040853 A1 DE10040853 A1 DE 10040853A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- anode
- tantalum
- conductor
- paste
- anode conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Anode für einen Kondensator, bei der ein Anodenableiter (9) flächig gestaltet ist und für eine großflächige Verbindung mit einem Anodenkörper (1) sorgt. Das aus dem Anodenkörper (1) herausgeführte Ende des Anodenableiters (9) ist zu einer Anschlußlasche gebogen. Für die Herstellung des Anodenkörpers werden drei verschiedene Verfahren der Verarbeitung einer Paste (18), einer Grünfolie und eines Pulvers vorgestellt.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anode für Elektrolyt
kondensatoren mit einem Anodenkörper und einem Anodenablei
ter. Ferner betrifft die Erfindung einen Elektrolyt-
Kondensator mit der Anode, einem die Anode umgebenden Dielek
trikum, einer auf dem Dielektrikum vorgesehenen Schichtkatho
de, einer aus dem Anodenableiter geformten ersten Anschlußla
sche und einer mit der Schichtkathode verbundenen zweiten An
schlußlasche. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung Ver
fahren zur Herstellung der Anode.
Bei dem Kondensator handelt es sich vorzugsweise um einen
Chipkondensator. Jedoch ist die vorliegende Erfindung ohne
weiteres auch auf andere Kondensatoren, wie beispielsweise
gehäuselose Kondensatoren, anwendbar. Ein gehäuseloser Kon
densator hat eine geringe Bauhöhe und wird beispielsweise in
eine Hybridschaltung integriert. Im folgenden soll jedoch da
von ausgegangen werden, daß der erfindungsgemäße Kondensator
ein Chipkondensator ist.
Chipkondensatoren, insbesondere Tantal-Chipkondensatoren
zeichnen sich durch ein hohes volumenspezifisches Kapazitäts-
Spannungs-Produkt, auch "CV-Produkt" genannt, aus. Das heißt,
bei diesen Kondensatoren ist der Wert des auf das Volumen be
zogenen Produktes aus Kapazität und an den Kondensator anleg
barer Spannung besonders groß. Weitere vorteilhafte Eigen
schaften von Chipkondensatoren liegen in einem stabilen Tem
peratur- und Frequenzverhalten, einem niedrigen Reststrom und
einem kleinen Verlustfaktor.
Infolge dieser hervorragenden Eigenschaften werden speziell
Tantal-Chipkondensatoren für eine Vielzahl von Anwendungen
auf den verschiedensten Gebieten eingesetzt. Neue Anwendun
gen, anspruchsvolle Einsatzbedingungen und eine zunehmende
Miniaturisierung in der Elektronik lassen die Anforderungen
an Chipkondensatoren ständig größer werden.
Fig. 24 zeigt den Aufbau eines herkömmlichen Tantal-Chipkon
densators in einem schematischen Schnitt, während in Fig. 25
der Anodenkörper dieses Chipkondensators in seitlicher An
sicht und in Fig. 26 der Anodenkörper in Draufsicht gezeigt
ist.
Dieser herkömmliche Chipkondensator besteht aus dem Anoden
körper 1, einem Dielektrikum 2 und einer Schichtkathode 3,
die ein eigentliches Kondensatorelement bilden.
Außerdem ist ein Gehäuse 4 vorgesehen, das wichtige Schutz
funktionen für das Kondensatorelement übernimmt.
Zu dem Kondensatorelement aus dem Anodenkörper 1, dem Dielek
trikum 2 und der Schichtkathode 3 führt ein Tantaldraht 5,
der im Inneren des Gehäuses 4 mit einer ersten Metallasche 6
verbunden ist. Mittels eines Leitklebers 8 ist die Schichtka
thode 3 an eine zweite Metallasche 7 angeschlossen, die wie
die Metallasche 6 aus dem Gehäuse 4 herausgeführt ist.
Derartige Chipkondensatoren werden in unterschiedlichen Grö
ßen des Gehäuses 4 mit meist genormten Grundflächenmaßen und
Bauhöhen gefertigt. Folglich muß zur Erzielung eines höheren
CV-Produktes der Volumenanteil des Kondensatorelementes bzw.
des in diesem enthaltenen Anodenkörpers 1 gesteigert werden.
Aufgrund der Verwendung des Tantaldrahtes 5 im Anodenkörper 1
(vgl. hierzu insbesondere auch die Fig. 25 und 26) als an
odenseitigem Ableiter kann die Gehäuseausnutzung kaum noch
gesteigert werden. Das freie Ende des Tantaldrahtes 5 wird
nämlich an die Metallasche 6 geschweißt, die beim fertigen
Chipkondensator den elektrischen Anschluß an eine elektroni
sche Schaltung auf einer Leiterplatte zusammen mit der ande
ren Metallasche übernehmen soll. Bei einer derartigen Bauwei
se ist speziell plusseitig der Abstand zwischen dem Kondensa
torelement und der Gehäusewand besonders groß. Der durch den
Tantaldraht 5 gebildete Abstand zwischen der plusseitigen Me
tallasche 6 und dem Kondensatorelement bzw. dem Anodenkörper
1 kann fertigungsbedingt kaum weiter verringert werden. Mit
anderen Worten, bei dem bekannten Chipkondensator wird das
Gehäusevolumen nur unzureichend ausgenutzt.
Aus der Druckschrift DD-PS 215 420 ist ein Tantal-Chip-
Kondensator bekannt, bei dem ein Anodenableiter in einen
zweiteiligen, durch Strangpressen vorgefertigten Anodenkörper
eingebettet wird. Anschließend wird der Anodenkörper mit dem
Anodenableiter gesintert. Die Verwendung von zwei vorgepress
ten Teil-Anodenkörpern hat den Nachteil, daß aufgrund ferti
gungsbedingter Toleranzen keine exakte Formschlüssigkeit des
Anodenkörpers mit dem Anodenableiter erreicht werden kann.
Dadurch verschlechtert sich der elektrische Kontakt zwischen
Anodenkörper und Anodenableiter.
Aus der Druckschrift DE 36 34 103 A1 ist ferner ein Tantal
kondensator bekannt, bei dem ein drahtförmiger Anodenableiter
von einem Tantalpulver umpresst ist. Dieser Kondensator hat
den Nachteil einer geringen Kontaktfläche zwischen dem draht
förmigen Anodenableiter und dem Anodenkörper. Daraus resul
tiert ein erhöhter ohmscher Widerstand des Kondensators, der
die elektrischen Werte des Kondensators negativ beeinflussen
kann. Dieser Effekt ist unerwünscht.
Es ist ferner aus der Druckschrift US 3,903,589 ein Tantal
kondensator bekannt, dessen Anode durch Eintauchen des An
odenableitets in eine metallpulverhaltige Dispersion herge
stellt wird. Beim Herausziehen des Anodenableiters aus der
Dispersion bleibt ein Tropfen auf dem Anodenableiter hängen,
der danach getrocknet und gesintert wird. Dieser Tantalkon
densator hat den Nachteil, daß der Anodenkörper nicht mit ei
ner definierten Geometrie herstellbar ist. Der bekannte Kon
densator hat aufgrund der fehlenden optimierten Anodengeome
trie und der weiten Toleranzen eine schlechte Volumenausnut
zung.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Anode an
zugeben, die eine große Kontaktfläche zwischen dem Anodenab
leiter und dem Anodenkörper aufweist, deren Anodenkörper eine
fest vorgegebene Form hat und bei der ein guter elektrischer
Kontakt zwischen dem Anodenkörper und dem Anodenableiter be
steht.
Die Erfindung gibt eine Anode für einen Elektrolyt-
Kondensator an mit einem Anodenkörper einer fest vorgegebenen
Form und mit einem flächigen Anodenableiter, bei der der An
odenkörper aus einem kontinuierlich verformbaren Material,
das verfestigt werden kann, an den Anodenableiter angeformt
ist.
Ferner gibt die Erfindung einen Kondensator an, bei dem der
Anodenkörper von einem Dielektrikum umgeben ist, bei dem auf
dem Dielektrikum eine Schichtkathode vorgesehen ist, bei dem
ein weiterer Endabschnitt des Anodenableiters zu einer ersten
Anschlußlasche geformt ist und bei dem die Schichtkathode mit
einer zweiten Anschlußlasche verbunden ist.
Die erfindungsgemäße Anode hat den Vorteil, daß durch Anfor
men des gesamten Anodenkörpers in Form eines kontinuierlich
verformbaren Materials an den Anodenableiter ein homogener
Anodenkörper mit einer guten Formschlüssigkeit zum Anodenab
leiter sowie mit einem guten elektrischen Kontakt zum Anoden
ableiter gestaltet werden kann.
Ferner hat die erfindungsgemäße Anode den Vorteil, daß durch
die Formgebung des Anodenkörpers mit Hilfe eines kontinuier
lich verformbaren Materials eine beliebige Formgebung mit
Hilfe entsprechender Formen, die vor oder nach dem Verfesti
gen des Anodenkörpers entfernt werden, erfolgen kann. Das Ma
terial, aus dem der Anodenkörper gebildet wird, kann bei
spielsweise eine metallpulverhaltige Paste, eine aus der Pa
ste hergestellte Grünfolie oder ein geeignetes Metallpulver
selbst sein.
Durch die flächige Gestaltung des Anodenableiters, der in den
Anodenkörper aus beispielsweise gesintertem Tantalpulver ein
gesintert ist, wird im Vergleich zu einem eingesinterten Tan
taldraht bei gleicher Querschnittsfläche eine größere Kon
taktfläche zwischen Anodenableiter und Anodenkörper erreicht.
Die Anzahl der Pulverpartikel, die die Oberfläche des Anoden
ableiters berühren, ist erhöht, und damit wird die durch
schnittliche Länge der aus miteinander versinterten Tantal
partikeln bestehenden Strompfade zwischen dem Dielektrikum
und dem Anodenableiter reduziert. Als Folge hiervon können
verringerte Widerstandswerte und eine erhöhte Kapazität bei
hohen. Frequenzen erreicht werden.
Die Verwendung eines flächigen Anodenableiters im Anodenkör
per verringert außerdem bei Stromfluß die Gefahr einer loka
len Überhitzung an den Übergängen zwischen dem Anodenableiter
und Einem durch die versinterten Tantalpartikel gebildeten
feinen Netzwerk. An diesen Übergängen treten nämlich höhere
Stromdichten als im sich anschließenden Netzwerk auf. Solche
lokalen Überhitzungen können eine Ursache für plötzlich auf
tretendes und dramatisch verlaufendes Abbrennen von Chipkon
densatoren sein.
Wesentlich an dem erfindungsgemäßen Kondensator bzw. Anode
ist insbesondere die Verwirklichung einer festen und großflä
chigen Verbindung zwischen dem Anodenkörper aus einem kapazi
tätsbildenden, offenporigen Sinterkörper und einem Anodenab
leiter mit großer Oberfläche. Für alle diese Komponenten wird
bevorzugt Tantal oder auch ein anderes geeignetes Metall wie
Niob oder ein Material eingesetzt, das die Ausbildung einer
Schicht mit einer hohen Dielektrizitätskonstante gestattet.
Es ist darüber hinaus eine Anode vorteilhaft, bei der der An
odenkörper einen Endabschnitt des Anodenableiters vollständig
umschließt. Dadurch kann eine optimale Ausnutzung der Ober
fläche des Anodenableiters zur Kontaktierung des Anodenkör
pers erzielt werden. Des weiteren ist dadurch eine hohe me
chanische Stabilität der Anode gewährleistet.
Ferner gibt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der
erfindungsgemäßen Anöde an, wobei ein kontinuierlich verform
bares Material, das verfestigt werden kann, unter gleichzei
tiger äußerer Formgebung an einen flächigen Anodenableiter
angeformt und anschließend zur Bildung eines Anodenkörpers
verfestigt wird. Durch das gleichzeitige Anformen des Materi
als an den Anodenableiter und das Definieren der äußeren Form
des Anodenkörpers mit Hilfe eines kontinuierlich verformbaren
Materials entfallen aufwendige Nachbearbeitungsprozesse zur
Formgebung des Anodenkörpers.
Es ist ein Verfähren besonders vorteilhaft, wobei eine Paste,
die ein Bindersystem und ein Pulver enthält, auf den Anoden
ableiter aufgetragen und sodann getrocknet und gesintert
wird. Die Paste kann dabei mittels unterschiedlicher Methoden
mit dem Anodenableiter zu einer Anode gestaltet werden. Es
kann beispielsweise eine aus der Druckschrift DE 199 27 909
A1 bekannte Paste, bestehend aus einer diskreten Phase mit
einem Metallpulver und einer kontinuierlichen Phase mit orga
nischen Verbindungen verwendet werden.
Der erfindungsgemäße Kondensator ist SMD-fähig (SMD = Surface
Mounted Device). Durch die Verwendung einer Paste ist die
Verarbeitung von hoch- und höchstkapazitiven Tantalpulvern
vereinfacht.
Ferner gibt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der
erfindungsgemäßen Anode an, wobei ein flächiger Anodenablei
ter mit einem Pulver umpresst wird, aus dem der Anodenablei
ter an einer Seite herausragt. Anschließend wird der Preßling
gesintert. Das erfindungsgemäße Verfahren kann vorteilhaft so
durchgeführt werden, daß ein Anodenableiter in Form eines
streifenförmigen Blechs in eine in einer Preßmatrize befind
lichen Schüttung aus dem Pulver eingeschoben wird und danach
der Preßvorgang erfolgt.
Das für den Anodenableiter bevorzugt verwendete Material Tan
tal ist sehr teuer, so daß der für das Verfahren verwendete
Streifen möglichst dünn sein sollte. Andererseits muß das
verwendete Tantalblech eine ausreichende mechanische Stabili
tät aufweisen, so daß es in die Pulverschüttung eingeschoben
und später zu einer mechanisch stabilen Lasche gebogen werden
kann. Unter diesen Randbedingungen haben sich streifenförmige
Anodenableiter einer Breite zwischen 0,3 und 5 mm und einer
Dicke zwischen 50 und 150 µm als geeignet erwiesen. Diese An
odenableiter weisen ein Verhältnis Breite/Dicke zwischen 2
und 100 auf.
Das Pressen des Pulvers kann besonders vorteilhaft durch
Querpressen erfolgen, d. h. durch Pressen quer zu der Rich
tung, in der sich der streifenförmige Anodenableiter er
streckt.
Die weiteren Fertigungsschritte entsprechen der konventionel
len Tantal-Chipkondensatorfertigung. So wird in der Formie
rung genannten Prozedur auf der inneren und äußeren Oberflä
che des gesinterten Anodenkörpers das Dielektrikum aus Tan
talpentoxid gebildet. Nach dem Aufbringen der Kathodenschich
ten folgt die Herstellung von Kathodenanschluß und Gehäuse.
Die dem plusseitigen elektrischen Anschluß dienende Anodenla
sche aus Tantal kann in der erfindungsgemäßen Ausführung zum
Zwecke der Löt- oder Verklebbarkeit nachbehandelt werden, was
auch für die anderen Ausführungsbeispiele gilt.
In Abwandlung der obigen erfindungsgemäßen Ausführung des
Tantal-Chipkondensators wird das Tantalpulver noch mit einem
Additiv versetzt, das aufgrund seiner Schmierwirkung den
Preßvorgang leichter gestaltet und das Preßwerkzeug schont.
Auch werden die Rieselfähigkeit des Pulvers und die mechani
sche Stabilität des Preßlings durch die Bindewirkung des Ad
ditivs verbessert. Ein übliches Additiv ist Campher. Es soll
te vor dem Sintern des Preßlings nach Möglichkeit rückstands
frei entfernt werden.
Anstelle von Tantal können auch andere geeignete Metalle, wie
beispielsweise Niob, oder auch Legierungen von geeigneten Me
tallen oder auch andere Materialien, die die Fähigkeit zur
Ausbildung eines Dielektrikums besitzen, verwendet werden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 bis 3 schematische Darstellungen zur Erläuterung
eines ersten Ausführungsbeispiels der Erfin
dung,
Fig. 4 bis 6 schematische Darstellungen zur Erläuterung
eines zweiten Ausführungsbeispiels der Erfin
dung,
Fig. 7 bis 13 schematische Darstellungen zur Erläuterung
eines ersten Verfahrens zum Herstellen eines
Anodenkörpers,
Fig. 14 und 15 schematische Darstellungen zur Erläuterung
einer Abwandlung des Verfahrens nach den Fig.
7 bis 13,
Fig. 16 bis 23 schematische Darstellungen zur Erläuterung
eines zweiten Verfahrens zum Herstellen eines
Anodenkörpers und
Fig. 24 bis 26 schematische Darstellungen zur Erläuterung
eines herkömmlichen Chipkondensators.
Die Fig. 24 bis 26 sind bereits eingangs beschrieben worden.
In den Figuren werden einander entsprechende Bauteile jeweils
mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Fig. 1 zeigt einen erfindungsgemäßen Chipkondensator mit ei
nem eigentlichen Kondensatorelement aus einem Anodenkörper 1,
einem Dielektrikum 2, einer Schichtkathode 3 und einem flä
chigen Anodenableiter 9, der in den Anodenkörper 1 hinein
reicht. Der Anodenkörper 1 besteht aus einem porösen Metall
sinterkörper, der, wie weiter unten noch näher erläutert wer
den wird, aus einer metallpulverhaltigen Paste, die getrock
net und gesintert ist, aufgebaut wird und dabei eine feste
und großflächige Verbindung mit dem Anodenableiter 9 her
stellt.
Der Anodenableiter 9 wird vorzugsweise aus Tantal herge
stellt, das in vorteilhafter Weise auch als Metall für das
Metallpulver der Paste verwendet wird.
Die Schichtkathode 3 ist wie bei dem herkömmlichen Chipkon
densator der Fig. 24 über einen Leitkleber 8 mit der Metalla
sche 7 verbunden.
Der Anodenableiter 9 erfüllt die Funktionen des Tantaldrahtes
5 sowie der Metallasche 6 des herkömmlichen Chipkondensators
von Fig. 24: er ist hierzu zu einer Kontaktlasche gebogen
bzw. ausgebildet (vgl. insbesondere Fig. 2 und 3), wodurch
plusseitig der Abstand zwischen dem Kondensatorelement und
dem Rand des Gehäuses 4 verringert werden kann. Das Volumen
des Gehäuses 4 des Bauelementes wird somit besser ausgenutzt,
um in vorteilhafter Weise ein höheres CV-Produkt zu erzielen.
Auch kann bei gleichbleibendem Volumen des Anodenkörpers 1
eine kleinere Größe für das Gehäuse 4 gewählt werden. Bei
gleicher Größe des Gehäuses 4 kann durch die Erfindung das
Kondensatorelement bzw. der Anodenkörper 1 größer gestaltet
werden als beim Stand der Technik nach den Fig. 24 bis 26.
Der erfindungsgemäße Chipkondensator mit dem flächigen An
odenableiter 9 im Anodenkörper 1 erlaubt die Herstellung äu
ßerst flacher Kondensatorelemente, wie dies schematisch aus
den Fig. 4 bis 6 zu ersehen ist. Die Fig. 5 zeigt dabei wie
die Fig. 2 eine seitliche Ansicht des Anodenkörpers 1 mit dem
Anodenableiter 9, während in der Fig. 6, ähnlich wie in der
Fig. 3, eine Draufsicht auf den Anodenkörper 1 mit dem An
odenableiter 9 dargestellt ist. Allerdings ist in den Fig. 3
und 6 der Anodenableiter 9 in seiner gesamten Ausdehnung dar
gestellt, obwohl er an sich teilweise durch den Anodenkörper
1 abgedeckt ist.
Durch die flache Ausführung entsprechend dem Ausführungsbei
spiel der Fig. 4 bis 6 wird eine besonders große Mantelfläche
erhalten, was kurze Strompfade ermöglicht und eine Verbesse
rung der elektrischen Eigenschaften bewirkt. Auch können die
äußerst flachen Kondensatorelemente gegebenenfalls ohne Ge
häuse in Hybridschaltungen integriert werden.
Für die Herstellung eines Anodenkörpers wird eine Paste aus
einem Bindersystem und einem Tantalpulver auf eine Tantalfo
lie oder ein Tantalblech 10 der Dicke 50 bis 150 µm unter
Verwendung einer Schablone 11 gedruckt. Fig. 7 zeigt eine
Draufsicht dieser Schablone 11, während in Fig. 8 eine Sei
tensicht des Tantalbleches 10 zusammen mit der Schablone 11
gezeigt und in Fig. 9 die Schablone 11 mit Tantalpaste 12 ge
füllt ist. Das Tantalblech 10 zusammen mit der aufgerakelten
bzw. aufgedruckten Tantalpaste 12 wird nach Entfernen der
Schablone 11 getrocknet und gesintert, so daß die in Fig. 10
in Seitenansicht gezeigte Anordnung erhalten wird.
Die Anordnung von Fig. 10 wird schließlich längs der Punktli
nien (vgl. Fig. 11) zugeschnitten, so daß auf diese Weise An
odenkörper erhalten werden, die mit dem Tantalblech 10 ver
bunden sind. Fig. 12 zeigt eine Seitensicht eines solchen An
odenkörpers mit einem Tantalblech 10, während in Fig. 13 eine
Draufsicht hiervon dargestellt ist.
Gegebenenfalls kann das Zuschneiden in die einzelnen Anoden
körper (vgl. Fig. 11) bei ausreichender Trocknung auch vor
dem Sintern erfolgen.
Die sich anschließenden Verfahrensschritte entsprechen der
herkömmlichen Tantal-Chipkondensatorfertigung. So wird in ei
ner Formierung genannten Prozedur auf der inneren und äußeren
Oberfläche des gesinterten Anodenkörpers 1 das Dielektrikum 2
aus Tantalpentoxid gebildet. Nach dem Aufbringen der Schicht
kathode 3 folgt die Herstellung von Kathodenanschluß bzw. Me
tallasche 7 und Gehäuse 4. Die als plusseitiger elektrischer
Anschluß dienende Anodenlasche aus dem Anodenableiter 9 aus
Tantal kann zum Zwecke der Verbesserung der Löt- bzw. Ver
klebbarkeit noch nachbehandelt werden.
In Abwandlung des Ausführungsbeispiels der Fig. 7 bis 13 ist
es möglich, das Tantalblech 10 beidseitig mit der Tantalpaste
12 zu bedrucken, was in einem Arbeitsgang erfolgen kann. Beim
Bedrucken in zwei Schritten wird nach dem Bedrucken der er
sten Seite des Tantalbleches 10 die auf diese Seite aufgetra
gene Paste vorgetrocknet. Unabhängig davon, ob das Bedrucken
in einem Arbeitsgang oder in zwei Arbeitsgängen vorgenommen
wird, wird schließlich eine Anordnung erhalten, wie diese in
den Fig. 14 und 15 dargestellt ist, wobei Fig. 14 eine Sei
tensicht zeigt, während in Fig. 15 eine Draufsicht auf das
Tantalblech 10 mit dem aus zwei Teilen bestehenden Anodenkör
per gezeigt ist.
Die Herstellung des Anodenkörpers für den Chipkondensator ist
auch durch Siebdrucken möglich, wozu eine Paste aus einem.
Bindersystem und Tantalpulver auf eine Tantalfolie oder ein
Tantalblech 10 der Dicke 50 bis 150 µm siebgedruckt wird. Das
Tantalblech 10 mit der siebgedruckten Tantalpaste 12 wird wie
in den vorangehenden Beispielen getrocknet und gesintert.
Nach dem Sintern wird das Tantalblech 10 zugeschnitten. Auf
diese Weise werden einzelne Anodenkörper mit einem Anodenab
leiter aus Tantalblech 10 oder Tantalfolie entsprechend den
Fig. 12 und 13 erhalten. Auch hier kann das Zuschneiden bei
ausreichender Trocknung vor dem eigentlichen Sintern erfol
gen.
Die weiteren Verfahrensschritte werden in der oben erläuter
ten Weise ausgeführt.
Das Siebdrucken auf das Tantalblech 10 ist auch beidseitig
möglich, was gegebenenfalls in einem Arbeitsgang erfolgen
kann. Wird das Drucken in zwei Schritten vorgenommen, so kann
nach dem Bedrucken der ersten Seite des Tantalbleches 10 mit
der Paste ein Vortrocknen vorgenommen werden. Auf diese Weise
wird schließlich die in den Fig. 14 und 15 gezeigte Anordnung
mit dem Tantalblech 10 und den zu Anodenkörpern gesinterten
Tantalpasten 12 erhalten.
Bei einem anhand der Fig. 16 bis 23 erläuterten Ausführungs
beispiel der Erfindung wird ein Anodenableiter von einer Me
tallpulverpaste komplett eingefaßt, so daß der Anodenableiter
nur auf einer Seite aus einem aus der Metallpulverpaste durch
Trocknen und Sintern erzeugten Anodenkörper 20 herausragen
kann, wie dies zunächst in den Fig. 22 und 23 in Seitensicht
bzw. Draufsicht gezeigt ist. Für die Herstellung einer sol
chen Anordnung kann ein mehrstufiges Schablonenverfahren ein
gesetzt werden, bei dem zunächst zwischen zwei Lochmasken 13,
14 Streifen 15 aus Tantalfolie oder Tantalblech mit einer
Dicke von 50 bis 150 µm plaziert werden. Fig. 16 zeigt eine
Draufsicht auf die Lochmaske 13 mit den Streifen 15, während
in Fig. 17 eine Seitensicht der Lochmasken 13, 14 mit den
Streifen 15 auf einer ersten Basisplatte 16 dargestellt ist.
Der Anteil des Streifens 15, der in das Loch der Lochmasken
13, 14 hineinragt, kann durch einen Abstandhalter 17 abge
stützt werden (vgl. Fig. 17). Dieser Abstandhalter 17 kann
gegebenenfalls auch Teil der Basisplatte 16 sein oder auf ihr
fixiert werden.
Nach dem Vortrocknen einer eingerakelten Paste 18 (vgl. Fig.
18) wird eine weitere Basisplatte 19 aufgelegt (vgl. Fig.
19), die erste Basisplatte 16 mit den Abstandhaltern 17 wird
entfernt (vgl. Fig. 20), und es wird ein zweites Mal Metall
pulverpaste eingerakelt (vgl. Fig. 21). Nach dem Ausformen
werden ein Trocknen und Sintern vorgenommen. Auf diese Weise
können die Anordnungen der Fig. 22 und 23 mit dem Anodenkör
per 20 erhalten werden.
Alternativ ist es für die Herstellung eines Chipkondensators
auch möglich, einen Streifen aus Tantalfolie oder Tantalblech
mit einer Dicke von 50 bis 150 µm mit einer Paste aus einem
Bindersystem und einem Tantalpulver zu umspritzen, zu umpres
sen oder zu umgießen. Nach einem Ausformen wird der so erhal
tene Anodenkörper getrocknet und gesintert. Auf diese Weise
werden einzelne Anodenkörper mit einem Anodenableiter aus
Tantalfolie oder Tantalblech entsprechend den Fig. 22 (Sei
tensicht) und 23 (Draufsicht) erhalten, welche in der oben
erläuterten Weise weiterbehandelt werden.
Schließlich kann zur Herstellung eines Anodenkörpers auch aus
einer Paste, die aus einem Bindersystem und Tantalpulver be
steht, eine elastische, folienartige Masse (Grünfolie) vorge
fertigt werden, welche zugeschnitten und mit der Tantalfolie
oder dem Tantalblech mit einer Dicke von 50 bis 150 µm ver
klebt wird. Nach einem Trocknen und Sintern werden einzelne
Anodenkörper mit einem Anodenableiter aus Tantalfolie oder
Tantalblech erhalten, wie diese in den Fig. 22 und 23 darge
stellt sind.
Die durch das weiter oben beschriebene Preßverfahren mit Pul
ver hergestellten Anodenkörper sehen genauso aus, wie die in
Fig. 22 und Fig. 23 dargestellten.
Claims (23)
1. Anode für einen Elektrolyt-Kondensator mit einem Anoden
körper (1; 20) einer fest vorgegebenen Form und mit einem
flächigen Anodenableiter (9), bei der der Anodenkörper
(1; 20) aus einem kontinuierlich verformbaren Material,
das verfestigt werden kann, an den Anodenableiter (9) an
geformt ist.
2. Anode nach Anspruch 1,
bei der der Anodenkörper (1; 20) einen Endabschnitt des
Anodenableiters (9) vollständig umschließt.
3. Anode nach Anspruch 1 oder 2,
bei der der Anodenkörper (1; 20) aus einem offenporigen
Sinterkörper besteht.
4. Anode nach Anspruch 3,
bei der der Sinterkörper aus einem geeigneten Metall wie
Tantal oder Niob oder einer geeigneten Metall-Legierung
oder einem anderen zur Ausbildung eines Dielektrikums fä
higen Material hergestellt ist.
5. Anode nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
bei der der Anodenableiter (9) aus einem geeigneten Me
tall wie Tantal oder Niob oder einer geeigneten Metall-
Legierung oder einem anderen zur Ausbildung eines Dielek
trikums fähigen Material hergestellt ist.
6. Anode nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
bei der der Anodenableiter (9) die Form eines Blechstrei
fens mit einem Verhältnis Breite/Dicke zwischen 2 und 100
aufweist.
7. Kondensator mit einer Anode nach Anspruch 1 bis 6,
bei dem der Anodenkörper (1; 20) von einem Dielektrikum
(2) umgeben ist, bei dem auf dem Dielektrikum (2) eine
Schichtkathode (3) vorgesehen ist, bei dem ein weiterer
Endabschnitt des Anodenableiters (9) zu einer ersten An
schlußlasche geformt ist und bei dem die Schichtkathode
(3) mit einer zweiten Anschlußlasche verbunden ist.
8. Verfahren zur Herstellung einer Anode nach einem der An
sprüche 1 bis 6,
wobei ein kontinuierlich verformbares Material, das ver
festigt werden kann, unter gleichzeitiger äußerer Formge
bung an einen flächigen Anodenableiter (9) angeformt und
anschließend zur Bildung eines Anodenkörpers (1; 20) ver
festigt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
wobei eine Paste (18) aus einem Bindersystem und einem
Pulver auf den Anodenableiter (9) aufgetragen und sodann
getrocknet und gesintert wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
wobei die Paste (18) unter Verwendung einer Schablone
(11) durch Drucken aufgetragen wird.
11. Verfahren nach Anspruch 9,
wobei die Paste (18) durch Siebdrucken aufgetragen wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11,
wobei die Paste (18) beidseitig auf den Anodenableiter
(9) aufgetragen wird.
13. Verfahren nach Anspruch 9,
wobei die Paste (18) mittels zweier Masken, von denen je
de jeweils einer Seite des Anodenableiters (9) zugeordnet
ist, auf den Anodenableiter (9) aufgetragen wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13,
wobei ein einen Rand eines Loches der Maske überragendes
Ende des Anodenableiters (9) mit einem Abstandhalter (17)
abgestützt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 9,
wobei die Paste (18) durch Umspritzen, Umpressen oder Um
gießen auf den Anodenableiter (9) aufgetragen wird.
16. Verfahren nach Anspruch 9,
wobei aus der Paste (18) eine Grünfolie gefertigt wird,
die zugeschnitten und mit dem Anodenableiter (9) verklebt
wird.
17. Verfahren nach Anspruch 8,
wobei der Anodenableiter (9) mit einem Pulver umpreßt
wird, so daß ein Preßling entsteht, aus dem der Anodenab
leiter (9) an einer Seite herausragt, und wobei der Preß
ling anschließend gesintert wird.
18. Verfahren nach Anspruch 17,
wobei der flächige Anodenableiter (9) vor dem Pressen in
eine Pulverschüttung des Pulvers eingeschoben wird.
19. Verfahren nach Anspruch 17 oder 18,
wobei für den Anodenableiter (9) ein streifenförmiges
Blech mit einem Verhältnis Breite/Dicke zwischen 2 und
100 verwendet wird.
20. Verfahren nach Anspruch 17 bis 19,
wobei für den Anodenableiter (9) eine Tantalfolie oder
ein Tantalblech (10) vorgesehen wird.
21. Verfahren nach Anspruch 17 bis 20,
wobei für das Pulver ein Tantalpulver vorgesehen wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 21,
wobei dem Pulver ein Additiv mit Schmierwirkung, insbe
sondere Campher, beigefügt wird.
23. Verfahren nach Anspruch 22,
wobei das Additiv vor dem Sintern entfernt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10040853A DE10040853A1 (de) | 1999-08-30 | 2000-08-21 | Anode für Elektrolytkondensatoren, Elektrolyt-Kondensator und Verfahren zur Herstellung der Anode |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19941094A DE19941094A1 (de) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | Kondensator und Verfahren zum Herstellen eines Anodenkörpers und eines Anodenableiters hierfür |
DE10040853A DE10040853A1 (de) | 1999-08-30 | 2000-08-21 | Anode für Elektrolytkondensatoren, Elektrolyt-Kondensator und Verfahren zur Herstellung der Anode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10040853A1 true DE10040853A1 (de) | 2001-04-26 |
Family
ID=7920074
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19941094A Withdrawn DE19941094A1 (de) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | Kondensator und Verfahren zum Herstellen eines Anodenkörpers und eines Anodenableiters hierfür |
DE50008616T Expired - Fee Related DE50008616D1 (de) | 1999-08-30 | 2000-08-21 | Anode für elektrolytkondensatoren, elektrolyt-kondensator und verfahren zur herstellung der anode |
DE10040853A Withdrawn DE10040853A1 (de) | 1999-08-30 | 2000-08-21 | Anode für Elektrolytkondensatoren, Elektrolyt-Kondensator und Verfahren zur Herstellung der Anode |
DE10082598T Expired - Lifetime DE10082598D2 (de) | 1999-08-30 | 2000-08-21 | Anode für Elektrolytkondensatoren, Elektrolyt-Kondensator und Verfahren zur Herstellung der Anode |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19941094A Withdrawn DE19941094A1 (de) | 1999-08-30 | 1999-08-30 | Kondensator und Verfahren zum Herstellen eines Anodenkörpers und eines Anodenableiters hierfür |
DE50008616T Expired - Fee Related DE50008616D1 (de) | 1999-08-30 | 2000-08-21 | Anode für elektrolytkondensatoren, elektrolyt-kondensator und verfahren zur herstellung der anode |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10082598T Expired - Lifetime DE10082598D2 (de) | 1999-08-30 | 2000-08-21 | Anode für Elektrolytkondensatoren, Elektrolyt-Kondensator und Verfahren zur Herstellung der Anode |
Country Status (18)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6493213B1 (de) |
EP (2) | EP1208573B1 (de) |
JP (1) | JP2003508907A (de) |
KR (1) | KR100730916B1 (de) |
CN (1) | CN1258786C (de) |
AT (1) | ATE282244T1 (de) |
AU (1) | AU7269300A (de) |
BR (1) | BR0013708A (de) |
CA (1) | CA2379305A1 (de) |
CZ (1) | CZ2002701A3 (de) |
DE (4) | DE19941094A1 (de) |
HU (1) | HUP0202307A2 (de) |
IL (2) | IL147352A0 (de) |
MX (1) | MXPA02002153A (de) |
NO (1) | NO20021016D0 (de) |
PT (1) | PT1208573E (de) |
TW (1) | TW455894B (de) |
WO (1) | WO2001016973A1 (de) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19941094A1 (de) * | 1999-08-30 | 2003-07-10 | Epcos Ag | Kondensator und Verfahren zum Herstellen eines Anodenkörpers und eines Anodenableiters hierfür |
DE10057488B4 (de) * | 2000-11-20 | 2006-05-24 | Epcos Ag | Kondensator |
DE10131236B4 (de) | 2001-06-28 | 2006-03-30 | Epcos Ag | Kondensator |
DE10244713A1 (de) * | 2002-07-18 | 2004-02-05 | Epcos Ag | Oberflächenmontierbares Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
TWI226648B (en) | 2002-07-18 | 2005-01-11 | Epcos Ag | Surface-mountable component and its production method |
WO2004111288A2 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-23 | Sunel Technologies, Llc | Fabrication of titanium and titanium alloy anode for dielectric and insulated films |
US20040264704A1 (en) * | 2003-06-13 | 2004-12-30 | Camille Huin | Graphical user interface for determining speaker spatialization parameters |
WO2006035846A1 (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | 多孔質金属焼結体の製造方法 |
DE102005007583A1 (de) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines Anodenkörpers und Anodenkörper |
DE102005007582A1 (de) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Epcos Ag | Kondensator mit einem niedrigen Ersatzserienwiderstand und Kondensatoranordung |
US7554792B2 (en) * | 2007-03-20 | 2009-06-30 | Avx Corporation | Cathode coating for a wet electrolytic capacitor |
US7460356B2 (en) * | 2007-03-20 | 2008-12-02 | Avx Corporation | Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor |
US7649730B2 (en) * | 2007-03-20 | 2010-01-19 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes |
CN101345139B (zh) * | 2007-07-12 | 2011-10-05 | 电子科技大学 | 一种固体钽电解电容器及其制造方法 |
JP4999673B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2012-08-15 | ニチコン株式会社 | 固体電解コンデンサ素子およびその製造方法 |
DE102008063853B4 (de) * | 2008-12-19 | 2012-08-30 | H.C. Starck Gmbh | Kondensatoranode |
US8218292B2 (en) * | 2009-07-31 | 2012-07-10 | Avx Corporation | Dry powder stencil printing of solid electrolytic capacitor components |
US8139344B2 (en) * | 2009-09-10 | 2012-03-20 | Avx Corporation | Electrolytic capacitor assembly and method with recessed leadframe channel |
DE102011116939A1 (de) | 2011-10-26 | 2013-05-02 | H.C. Starck Gmbh | Verzugsfreie schablonengedruckte Anoden auf Ta-/Nb-Blech |
US8675349B2 (en) * | 2011-12-14 | 2014-03-18 | Kennet Electronics Corporation | Stack capacitor having high volumetric efficiency |
US10290429B2 (en) * | 2017-01-17 | 2019-05-14 | Kemet Electronics Corporation | Wire to anode connection |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE215420C (de) | ||||
US3465426A (en) * | 1966-05-02 | 1969-09-09 | Mallory & Co Inc P R | Powder on foil capacitor |
US3412444A (en) * | 1966-05-02 | 1968-11-26 | Mallory & Co Inc P R | Method for making capacitor having porous electrode of sintered powder on foil |
US3579813A (en) | 1968-12-23 | 1971-05-25 | Matsuo Electric Co | Method of making electronic components on comblike metal fingers and severing the fingers |
US3903589A (en) | 1972-01-31 | 1975-09-09 | Mallory & Co Inc P R | Method for fabrication of anodes |
GB2110878B (en) * | 1981-12-01 | 1986-02-05 | Standard Telephones Cables Ltd | Batch process for making capacitors |
JPS5934625A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-25 | 松尾電機株式会社 | チツプ型固体電解コンデンサの製造方法 |
DD215420A1 (de) * | 1983-05-11 | 1984-11-07 | Teltow Elektronik Forschzent | Verfahren zur herstellung eines tantal-chip-kondensators |
US4603467A (en) * | 1984-05-25 | 1986-08-05 | Marcon Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing chip-type aluminum electrolytic capacitor |
US4544403A (en) * | 1984-11-30 | 1985-10-01 | Fansteel Inc. | High charge, low leakage tantalum powders |
DD244926B1 (de) * | 1985-10-04 | 1988-11-23 | Hermsdorf Keramik Veb | Zweiseitiges pressverfahren zur herstellung von sinteranoden fuer festelektrolytkondensatoren |
US4660127A (en) * | 1985-12-17 | 1987-04-21 | North American Philips Corporation | Fail-safe lead configuration for polar SMD components |
FR2602907B1 (fr) * | 1986-08-05 | 1988-11-25 | Sprague France | Anode de condensateur, procede de fabrication de cette anode, et condensateur la comportant |
FR2625602B1 (fr) * | 1987-12-30 | 1994-07-01 | Europ Composants Electron | Procede de fabrication de condensateurs electrolytiques a l'aluminium et condensateur a anode integree obtenu par ce procede |
US5001607A (en) * | 1989-11-13 | 1991-03-19 | Tansistor Electronics, Inc. | Tantalum capacitor with non-contiguous cathode elements and method for making |
US5122931A (en) * | 1989-12-27 | 1992-06-16 | Nippon Chemi-Con Corporation | Solid electrolytic capacitor and a method of producing the same |
JPH0787171B2 (ja) * | 1990-04-06 | 1995-09-20 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US5357399A (en) | 1992-09-25 | 1994-10-18 | Avx Corporation | Mass production method for the manufacture of surface mount solid state capacitor and resulting capacitor |
DE19525143A1 (de) * | 1995-07-11 | 1997-01-16 | Biotronik Mess & Therapieg | Elektrolytkondensator, insbesondere Tantal-Elektrolytkondensator |
WO1998028805A1 (en) * | 1996-12-23 | 1998-07-02 | Aer Energy Resources, Inc. | Mercury-free zinc anode for electrochemical cell and method for making same |
JP3233084B2 (ja) * | 1997-11-06 | 2001-11-26 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの陽極体の製造方法 |
DE19927909A1 (de) * | 1998-09-10 | 2000-03-16 | Starck H C Gmbh Co Kg | Paste zur Herstellung von gesinterten Refraktärmetallschichten, insbesondere Erdsäuremetall-Elektrolytkondensatoren oder -anoden |
DE19941094A1 (de) * | 1999-08-30 | 2003-07-10 | Epcos Ag | Kondensator und Verfahren zum Herstellen eines Anodenkörpers und eines Anodenableiters hierfür |
-
1999
- 1999-08-30 DE DE19941094A patent/DE19941094A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-08-21 WO PCT/DE2000/002845 patent/WO2001016973A1/de active IP Right Grant
- 2000-08-21 CA CA002379305A patent/CA2379305A1/en not_active Abandoned
- 2000-08-21 CZ CZ2002701A patent/CZ2002701A3/cs unknown
- 2000-08-21 EP EP00960356A patent/EP1208573B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-21 IL IL14735200A patent/IL147352A0/xx active IP Right Grant
- 2000-08-21 KR KR1020027002599A patent/KR100730916B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-08-21 CN CNB008122482A patent/CN1258786C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-21 DE DE50008616T patent/DE50008616D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-21 EP EP04017526A patent/EP1477998A3/de not_active Withdrawn
- 2000-08-21 AU AU72693/00A patent/AU7269300A/en not_active Abandoned
- 2000-08-21 HU HU0202307A patent/HUP0202307A2/hu unknown
- 2000-08-21 MX MXPA02002153A patent/MXPA02002153A/es active IP Right Grant
- 2000-08-21 AT AT00960356T patent/ATE282244T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-08-21 PT PT00960356T patent/PT1208573E/pt unknown
- 2000-08-21 BR BR0013708-1A patent/BR0013708A/pt not_active IP Right Cessation
- 2000-08-21 DE DE10040853A patent/DE10040853A1/de not_active Withdrawn
- 2000-08-21 DE DE10082598T patent/DE10082598D2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-21 JP JP2001520427A patent/JP2003508907A/ja not_active Withdrawn
- 2000-08-29 TW TW089117476A patent/TW455894B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-08-30 US US09/651,600 patent/US6493213B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-12-27 IL IL147352A patent/IL147352A/en not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-02-20 US US10/079,113 patent/US6699431B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-28 NO NO20021016A patent/NO20021016D0/no unknown
-
2003
- 2003-12-24 US US10/746,185 patent/US20040136857A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020027594A (ko) | 2002-04-13 |
US6493213B1 (en) | 2002-12-10 |
NO20021016L (no) | 2002-02-28 |
PT1208573E (pt) | 2005-03-31 |
NO20021016D0 (no) | 2002-02-28 |
BR0013708A (pt) | 2002-05-07 |
CA2379305A1 (en) | 2001-03-08 |
ATE282244T1 (de) | 2004-11-15 |
DE10082598D2 (de) | 2002-08-14 |
EP1477998A3 (de) | 2007-09-05 |
US20020075628A1 (en) | 2002-06-20 |
WO2001016973A1 (de) | 2001-03-08 |
EP1208573B1 (de) | 2004-11-10 |
EP1477998A2 (de) | 2004-11-17 |
DE50008616D1 (de) | 2004-12-16 |
CZ2002701A3 (cs) | 2002-09-11 |
DE19941094A1 (de) | 2003-07-10 |
TW455894B (en) | 2001-09-21 |
CN1258786C (zh) | 2006-06-07 |
CN1371522A (zh) | 2002-09-25 |
EP1208573A1 (de) | 2002-05-29 |
US20040136857A1 (en) | 2004-07-15 |
HUP0202307A2 (en) | 2002-10-28 |
IL147352A0 (en) | 2002-08-14 |
MXPA02002153A (es) | 2002-09-18 |
AU7269300A (en) | 2001-03-26 |
KR100730916B1 (ko) | 2007-06-22 |
US6699431B2 (en) | 2004-03-02 |
JP2003508907A (ja) | 2003-03-04 |
IL147352A (en) | 2006-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1208573B1 (de) | Anode für elektrolytkondensatoren, elektrolyt-kondensator und verfahren zur herstellung der anode | |
DE2725137C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Festelektrolyt-Kondensatoren | |
DE4091418C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtkondensators | |
DE69636710T2 (de) | Festelektrolytkondensator und dessen herstellungsverfahren | |
DE102005009507A1 (de) | Oberflächenmontierbarer Chip-Kondensator | |
DE60019592T2 (de) | Festelektrolytkondensatoren und herstellungsverfahren | |
EP0249277B1 (de) | Passives elektrisches Bauelement | |
DE102005009508A1 (de) | Oberflächenmontierbarer Flipchip-Kondensator | |
WO2000004577A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines keramischen körpers mit einem integrierten passiven elektronischen bauelement, derartiger körper und verwendung des körpers | |
DE10060653A1 (de) | Elektrischer Doppelschicht-Kondensator | |
DE10057488B4 (de) | Kondensator | |
DE69935767T2 (de) | Metallisches elektrodenmaterial, dieses verwendender kondensator und herstellungsverfahren | |
DE4312409B4 (de) | Einstellbarer Kondensator | |
DE4423561C2 (de) | Oberflächenmontage-Elektronikbauteil mit Schmelzsicherung und entsprechendes Herstellungsverfahren | |
DE60211628T2 (de) | Zusammengesetzte elektronische bauteile | |
DE10131236B4 (de) | Kondensator | |
EP1425167A2 (de) | Verfahren zur herstellung eines keramischen substrats und keramisches substrat | |
WO2006105766A1 (de) | Anode für einen festelektrolytkondensator | |
EP1445795B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Schaltungsträgern mit integrierten passiven Bauelementen | |
WO2002091408A1 (de) | Keramisches vielschichtbauelement und verfahren zur herstellung | |
DE4408579C2 (de) | Festelektrolytkondensator und Verfahren zur Herstellung dieses Kondensators | |
EP3433911A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines ableiters und ableiter | |
DE2616563A1 (de) | Kondensator und dergleichen bauelement sowie deren herstellungsverfahren | |
EP4080564A1 (de) | Elektrischer kontakt eines auf einen schaltungsträger aufbringbaren schaltungselements oder eines elektrischen verbinders sowie verfahren zum herstellen einer elektrisch leitenden verbindung | |
WO2003028085A2 (de) | Verfahren zur herstellung eines keramischen substrats |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8130 | Withdrawal | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: KEMET ELECTRONICS CORP., SIMPSONVILLE, S.C., US |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCHAFT |