DE10107380C1 - Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen und mit diesem Verfahren beschreibbarer magnetoresistiver Speicher - Google Patents

Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen und mit diesem Verfahren beschreibbarer magnetoresistiver Speicher

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen eines MRAM-Speichers, bei dem Schreibströme (I¶WL¶, I¶BL¶) jeweils einer Wortleitung (WL) und einer Bitleitung (BL) aufgeschaltet werden, wobei eine Überlagerung der durch die Schreibströme erzeugten Magnetfelder in jeder durch die entsprechende Wort- und Bitleitung selektierten Speicherzelle zur Änderung ihrer Magnetisierungsrichtung führt. Bei dem Verfahren werden die Schreibströme (I¶WL¶, I¶BL¶) zeitlich gegeneinander versetzt der jeweiligen Wortleitung (WL) und Bitleitung (BL) so aufgeschaltet, dass die Magnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten (a-h) in die zum Schreiben einer logischen "0" oder "1" gewünschte Richtung gedreht wird.

Description

Bei magnetoresistiven Speichern (MRAM) liegt der Speicheref­ fekt im magnetisch veränderbaren elektrischen Widerstand der Speicherzelle (MTJ). Bei einer Ausführung liegt eine magne­ toresistive Speicherzelle an der Kreuzung zweier Leiter, ei­ ner Bitleitung BL und einer Wortleitung WL, die im allgemei­ nen orthogonal zueinander angeordnet sind. An der Kreuzungs­ stelle zwischen diesen Leitern befindet sich ein Mehr­ schichtsystem, welches aus der Übereinanderstapelung eines weich- und hartmagnetischen Materials (ML-free und ML-fixed) besteht, zwischen denen sich ein Tunneloxid (TL) befindet (Crosspoint-Konzept). Die Informationsspeicherung geschieht dadurch, dass die Magnetisierung der weichmagnetischen Schicht (ML-free) gegenüber der Magnetisierungsrichtung der hartmagnetischen Schicht (ML-fixed) gedreht wird. Die hierzu erforderlichen Magnetfelder werden durch Ströme IWL und IBL erzeugt, die jeweils durch die Wortleitung WL und die Bit­ leitung BL fließen und sich an deren Kreuzungspunkt überla­ gern.
In der beiliegenden Fig. 1 ist ein Abschnitt einer derart aufgebauten MRAM-Speicheranordnung gezeigt, die aus einer Matrixanordnung der oben beschriebenen Speicherzellen be­ steht. Um sicherzustellen, dass nur eine gewählte Zelle MTJ beschrieben wird, muss das Magnetfeld genau so groß gewählt werden, dass die Überlagerung der Magnetfelder der Ströme IWL und IBL durch die selektierte Wortleitung und Bitleitung zum Schalten der Magnetisierung ausreicht, jedoch so klein ge­ wählt werden, dass weder benachbarte Zellen, noch Zellen, die sich an den selektierten Leitungen befinden, geschaltet werden. Dieses Verfahren wird auch als "Half-Select"- Verfahren) bezeichnet.
Das Lesen von MRAM-Zellen erfolgt über die Bestimmung des Widerstands der jeweiligen MTJs. Bei paralleler Orientierung der Magnetisierungsrichtungen von ML-free und ML-fixed ist der (Tunnel-)Widerstand der Zelle klein, während bei anti­ paralleler Orientierung dieser Widerstand groß ist. Somit kann man, wie in Fig. 1 angedeutet, der parallelen Orientie­ rung der Magnetisierungsrichtungen von ML-free und ML-fixed eine logische "1" und der antiparallelen Orientierung der Magnetisierungsrichtungen eine logische "0" zuordnen.
Bei häufigem Beschreiben eines MTJs wurde eine Alterung der Zellen registriert. Dies bedeutet, dass mit steigender An­ zahl von Schreibzyklen der Unterschied des Widerstands der MTJs jeweils zwischen paralleler Orientierung ("1") und an­ tiparalleler Orientierung ("0") sinkt und somit der Informa­ tionsinhalt der Zelle immer schwieriger zu bestimmen wird. Außerdem wird häufig beobachtet, dass zu beschreibende Zel­ len nicht zuverlässig schalten. Diese Probleme lassen sich mit dem bisher verwendeten "Half-Select"-Verfahren nicht lö­ sen, und es sind auch keine anderen Lösungen bekannt.
Nachstehend werden die im Stand der Technik auftretenden Probleme noch genauer bezogen auf die Fig. 2 beispielhaft beim Einschreiben einer logischen "1" erläutert. Ohne äuße­ res Feld ist die Magnetisierung in dünnen magnetischen Schichten (hier von ML-free) entlang einer ausgezeichneten Richtung orientiert, der sogenannten leichten Achse, die in Fig. 2 gestrichelt gezeichnet ist. Der stark ausgezogen ge­ zeichnete Pfeil in den Fig. 2a und 2b gibt somit die Magne­ tisierungsrichtung (von ML-free) der magnetoresistiven Spei­ cherzelle MTJ solange keine Einwirkung eines durch einen Strom in der Bitleitung BL und/oder der Wortleitung WL er­ zeugten äußeren Magnetfeldes auftritt. Um die durch den stark ausgezogenen Pfeil in Fig. 2a und 2b angedeutete (Ru­ he-)Magnetisierungsrichtung zu ändern, muss ein äußeres Feld angelegt werden, welches außerhalb des durch die schraffier­ te Fläche angedeuteten Schaltbereichs (der sogenannten Aste­ roide) liegt. Schaltet man mit nur einer Feldkomponente (beispielsweise Hx) benötigt man relativ große Felder. Nutzt man dagegen beide Feldkomponenten Hx und Hy, benötigt man be­ tragsmäßig kleinere Felder zum Schalten.
Somit wird gemäß den Fig. 2b und 2c ein Magnetfeld mit einer Komponente Hx und Hy durch einen in der Wortleitung WL flie­ ßenden Strom IWL und einen in der Bitleitung BL fließenden Strom IBL erzeugt (gestrichelter Pfeil in Fig. 2b). Dieses Feld muss solange anliegen, bis die Magnetisierungsrichtung (stark ausgezogener Pfeil) entlang der Richtung des durch IWL und IBL erzeugten Magnetfelds orientiert ist (Fig. 2c). Dann werden beide Ströme IWL und IBL ausgeschaltet, und es liegt kein Magnetfeld mehr von außen an (Fig. 2d). Man hofft dann, dass die Magnetisierungsrichtung (stark ausgezogener Pfeil) nun die in Fig. 2e skizzierte Ausrichtung, antiparallel zum Ausgangszustand (der Ruhe-Magnetisierungsrichtung gemäß Fig. 2a) einnimmt.
Da dieses Verfahren, wie schon erwähnt, nicht zuverlässig ist und zum Altern der Zelle führt, ist es Aufgabe der Er­ findung, ein Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen eines MRAM-Speichers zu ermöglichen, welches das Alterungsphänomen vermeidet, damit die Lebensdauer eines MRAM-Speichers vergrößert und verglichen mit dem üblichen Half-Select-Verfahren zuverlässiger schaltet sowie einen mit einem erfindungsgemäßen Verfahren beschreibbaren MRAM- Speicher anzugeben.
Diese Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst.
DE 198 23 826 A1 beschreibt eine bekannte magnetoresistive Speicheranordnung, bei der Umschaltmittel zum Umschalten der Magnetisierung wenigstens einer der magnetischen Schichten von einer parallelen in eine antiparallele Ausrichtung und umgekehrt Einrichtungen zum Erzeugen von Strömen und/oder Stromimpulsen auf einer ersten und einer zweiten quer dazu laufenden Leiterbahn (Bitleitung und Wortleitung) umfassen. Diese Einrichtungen stellen das Verhältnis der Stärke der Ströme und/oder Stromimpulse zueinander derart ein, dass das Magnetfeld zum Umschalten der Magnetisierung einen vorbe­ stimmten Winkel Θ zur leichten Richtung der Magnetisierung der anisotropen Schicht aufweist und dass die Stromimpulse eine vorbestimmte Impulsdauer aufweisen, sodass ein vollstän­ diges Umschalten der Magnetisierung in der Speicherzellenein­ richtung von der parallelen in die antiparallele Ausrichtung und umgekehrt erreicht wird. Die Pulsdauer der Stromimpulse zum Umschalten beträgt bei der bekannten MRAM-Speicherzelle z. B. maximal 100 nsec. Durch die Optimierung dieser Pulsdau­ er wird die Leistungsaufnahme der in dieser Druckschrift be­ schriebenen MRAM-Speicherzelle minimiert.
Ein gattungsgemäßes Verfahren zum Beschreiben magnetoresi­ stiver Speicherzellen eines MRAM-Speichers zeichnet sich ge­ mäß einem wesentlichen Aspekt der Erfindung dadurch aus, dass die Schreibströme IWL und IBL zeitlich gegeneinander ver­ setzt der Wortleitung WL und der Bitleitung BL so aufge­ schaltet werden, dass die Magnetisierungsrichtung der selek­ tierten Speicherzelle in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten in die zum Schreiben einer logischen "0" oder "1" gewünschte Richtung gedreht wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann dadurch vorteilhaft wei­ tergebildet werden, dass die Schreibströme IWL und IBL der ge­ wählten Speicherzelle jeweils in annähernd gleicher Impuls­ dauer und zeitlich gegeneinander versetzt aufgeschaltet wer­ den.
Dann kann das erfindungsgemäße Verfahren so durchgeführt werden, dass zum Schreiben einer logischen "1" der Schreibstrom IBL in der Bitleitung BL in der gleicheh Strom­ flussrichtung wie der Schreibstrom IWL in der Wortleitung WL fließt und gegenüber dem Schreibstrom IWL der Wortleitung WL verzögert aufgeschaltet wird.
Ein mit diesem Verfahren beschreibbarer MRAM-Speicher mit einem Array aus magnetoresistiven Speicherzellen und mit Wortleitungen und Bitleitungen ist mit einer Schreibsteuer­ schaltung versehen, die zum Aufschalten von Schreibströmen IWL und IBL jeweils auf die Wortleitung WL und Bitleitung BL einer zum Schreiben ausgewählten Speicherzelle MTJ einge­ richtet ist, und zeichnet sich dadurch aus, dass die Schreibsteuerschaltung Schaltungsmittel aufweist, die die Schreibströme IWL und IBL zeitlich gegeneinander versetzt der Wortleitung WL und der Bitleitung BL so aufschalten, dass die Magnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten in die zum Schreiben einer logischen "0" oder "1" gewünschte Richtung gedreht wird.
Nachstehend wird das erfindungsgemäße Verfahren in einem Ausführungsbeispiel bezogen auf die Zeichnung näher erläu­ tert. Die Zeichnungsfiguren zeigen im einzelnen:
Fig. 1 schematisch und perspektivisch den grundsätzli­ chen Aufbau einer MRAM-Speicheranordnung,
Fig. 2a-2e grafisch das Schalten der Magnetisierungsrichtung beim bekannten Half-Select-Verfahren,
Fig. 3a-3h ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Schreibverfahrens durch Anlegen eines zeitgesteu­ erten äußeren Magnetfeldes, und
Fig. 4 die Umsetzung des in Fig. 3 grafisch dargestell­ ten Verfahrens in ein Impuls-Zeitdiagramm, wel­ ches die gegeneinander zeitversetzten Stromimpul­ se durch die Wortleitung und die Bitleitung je­ weils beim Schreiben einer logischen "1" und ei­ ner logischen "0" veranschaulicht.
Die nachstehende Beschreibung setzt beispielhaft eine gemäß Fig. 1 aufgebaute MRAM-Speicheranordnung voraus. Es muß je­ doch bemerkt werden, dass das erfindungsgemäße Verfahren auch bei anders aufgebauten MRAMs anwendbar ist, bei denen die magnetoresistive Speicherzelle nicht ummittelbar am Kreuzungspunkt der Bitleitung mit der Wortleitung angeordnet ist und bei denen zusätzlich ein Auswahltransistor oder eine Auswahldiode durch eine entsprechende Auswahlleitung ange­ steuert werden.
Bei dem in Fig. 3 grafisch und in Fig. 4 durch ein Impuls- Zeitdiagramm veranschaulichten erfindungsgemäßen Schreibverfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen ei­ nes MRAM-Speichers werden die Feldkomponenten Hx und Hy bzw. die Zeiten des Aufschaltens der Wortleitungs- und Bitlei­ tungsströme IWL und IBL exakt so kontrolliert, dass das im be­ kannten Half-Select-Verfahren stattfindende "Schalten" der Magnetisierung in einen Rotationsprozess der Magnetisierung überführt wird, der wesentlich zuverlässiger und langlebiger arbeitet.
In den grafischen Darstellungen der Fig. 3a bis Fig. 3h, die die zeitliche Abfolge der Rotation der Magnetisierung beim Schreiben einer logischen "1" veranschaulichen, ist zur Ver­ einfachung die Asteroide weggelassen und nur die leichte Achse durch eine gestrichelte Gerade angedeutet. Wie in Fig. 2 ist die Magnetisierung der Speicherzelle MTJ durch einen stark schwarz gezeichneten Pfeil und das sich aus den Ma­ gnetfeldkomponenten Hy und Hx zusammensetzende durch den Wortleitungsstrom IWL und den Bitleitungsstrom IBL induzierte Magnetfeld durch einen doppelt gestrichelten Pfeil darge­ stellt. Fig. 3a veranschaulicht die Ausgangssituation, die der in Fig. 2a dargestellten Ausgangssituation entspricht. In den Fig. 3b und 3c liegt zunächst, induziert durch die Ströme IWL und IBL, ein Magnetfeld Hy nur in y-Richtung an, welches die Magnetisierung der MRAM-Speicherzelle MTJ zu­ nächst um einen Winkel zwischen 0° und 90° dreht (Fig. 3c). Dann wird, wenn beide Ströme IWL und IBL fließen, das Magnet­ feld mit etwa gleich großen Komponenten Hx und Hy in x- und y-Richtung erzeugt, wodurch sich die Magnetisierungsrichtung (starker Pfeil) weiter dreht und einen Winkel im Bereich zwischen 90° und 180° annimmt (Fig. 3e). Endlich wird durch ein Magnetfeld, das eine lediglich in x-Richtung weisende Komponente Hx hat, die Magnetisierungsrichtung gemäß den Fig. 3f und 3g weiter gedreht, bis sie schließlich in x-Richtung (180°) gedreht ist. Fig. 3h zeigt den stromlosen Endzustand, der den Informationsgehalt gemäß einer logischen "1" der MRAM-Speicherzelle MTJ angibt.
Das Zeitdiagramm in Fig. 4 zeigt in seiner linken Hälfte die Zeitfolge a-h des Wortleitungsstroms IWL und des Bitlei­ tungsstroms IBL zum Schreiben einer logischen 1, und die Zeitpunkte a-h entsprechen der in Fig. 3a-h gezeigten Folge der dadurch sich drehenden Magnetisierung, wie sie oben beschrieben wurde.
Die rechte Hälfte der Fig. 4 zeigt in gleicher Weise Schrit­ te a'-h' der zeitlichen Abfolge der Ströme IWL und IBL zum Schreiben einer logischen "0" in eine MRAM-Speicherzelle MTJ. Es ist ersichtlich, dass zwischen den Zeitpunkten i' und h' der Bitleitungsstrom IBL in umgekehrter Richtung durch die Bitleitung BL fließt.
Zur Durchführung der erfindungsgemäß vorgeschlagenen schrittweisen Rotation der Magnetisierung ist es somit unbe­ dingt nötig, dass der Strom IWL durch die Wortleitung WL und der Strom IBL durch die Bitleitung BL zeitlich gegeneinander definiert versetzt sind. Wenn zum Beispiel der Wortleitungs­ strom und der Bitleitungsstrom gleiche Einschaltdauer haben, so kann der Bitleitungsstrom IBL z. B. etwa um die halbe Ein­ schaltdauer gegenüber dem Wortleitungsstrom IWL verzögert an­ gelegt werden, wobei die Stromflussrichtung des Bitleitungs­ stroms IBL beim Schreiben einer logischen "0" umgekehrt ist gegenüber der Stromflussrichtung von IBL beim Schreiben einer logischen "1".
Die erfindungsgemäße und oben anhand der Figuren beschriebe­ ne kontrollierte Rotation der Magnetisierung der MRAM- Speicherzelle MTJ vermeidet das beim bekannten Half-Select- Verfahren auftretende Alterungsphänomen, verlängert dadurch die Lebensdauer der MRAM-Zellen und schaltet zuverlässiger im Vergleich mit dem herkömmlichen Verfahren.
Mit Kenntnis des oben beschriebenen erfindungsgemäßen Ver­ fahrens kann ein Fachmann ohne weiteres eine Schreibsteuer­ schaltung für einen nach dem erfindungsgemäßen Verfahren be­ schreibbaren MRAM-Speicher, das heißt Schaltungsmittel ange­ ben, die die Schreibströme IWL und IBL durch die Wortleitung WL und die Bitleitung BL zeitlich gegeneinander versetzt aufschalten, so wie es beispielhaft in Fig. 4 dargestellt ist, so dass die Magnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten in die jeweils zum Schreiben einer logischen "0" oder "1" ge­ wünschte Richtung gedreht wird.
Bezugszeichenliste
BL Bitleitung
WL Wortleitung
ML-free freie Magnetlage (weichmagnetische Schicht)
ML-fixed feste Magnetlage (hartmagnetische Schicht)
TL Tunnellage (Tunneloxid)
MTJ Magnetic Tunnel Junction (magnetoresistive Speicherzelle)
IBL
Strom durch die Bitleitung BL
IWL
Strom durch die Wortleitung WL
Hx
Magnetfeldkomponente in x-Richtung
Hy
Magnetfeldkomponente in y-Richtung
a-h aufeinander Schritte beim Drehen der Magneti­ sierungsrichtung
a'-h' aufeinander Schritte beim Drehen der Magneti­ sierungsrichtung

Claims (4)

1. Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzel­ len eines MRAM-Speichers, bei dem Schreibströme (IWL, IBL) je­ weils einer Wortleitung (WL) und einer Bitleitung (BL) so aufgeschaltet werden, dass eine Überlagerung der durch die Schreibströme erzeugten Magnetfelder (Hx(IBL), Hy(IWL)) in je­ der durch die entsprechende Wort- und Bitleitung (WL, BL) selektierten Speicherzelle (MTJ) zur Änderung ihrer Magneti­ sierungsrichtung führt, dadurch gekennzeichnet, dass die Schreibströme (IWL, IBL) zeitlich gegeneinander ver­ setzt der jeweiligen Wortleitung (WL) und Bitleitung (BL) so aufgeschaltet werden, dass die Magnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle (MTJ) in mehreren aufeinanderfol­ genden Schritten in die zum Schreiben einer logischen "0" oder "1" gewünschte Richtung gedreht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schreibströme (IWL, IBL) für die gewählte Speicher­ zelle (MTJ) jeweils in annähernd gleicher Dauer und gegen­ einander zeitlich versetzt aufgeschaltet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zum Schreiben einer logischen "1" in die gewählte Spei­ cherzelle (MTJ) der Schreibstrom (IBL) in der Bitleitung (BL) in der gleichen Stromflussrichtung wie der Schreibstrom (IWL) der Wortleitung (WL) fließt und gegenüber dem Schreibstrom (IWL) der Wortleitung (WL) verzögert aufgeschaltet wird.
4. MRAM-Speicheranordnung mit einem Array aus magnetoresi­ stiven Speicherzellen (MTJ) und mit Wortleitungen (WL) und Bitleitungen (BL), wobei eine Schreibsteuerschaltung zum Aufschalten von Schreibströmen (IWL und IBL) jeweils auf die Wortleitung (WL) und Bitleitung (BL) einer zum Schreiben ausgewählten Speicherzelle (MTJ) eingerichtet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Schreibsteuerschaltung Schaltungsmittel aufweist, die die Schreibströme (IWL, IBL) zeitlich gegeneinander ver­ setzt jeweils der entsprechenden Wortleitung (WL) und der entsprechenden Bitleitung (BL) so aufschalten, dass die Ma­ gnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle in meh­ reren aufeinanderfolgenden Schritten in die zum Schreiben einer logischen "0" oder "1" gewünschte Richtung gedreht wird.
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KR1020037010703A KR100615741B1 (ko) 2001-02-16 2002-01-24 Ｍｒａｍ 메모리 장치 및 ｍｒａｍ 메모리의 자기 저항성 메모리 셀에 기록하는 방법
DE50207435T DE50207435D1 (de) 2001-02-16 2002-01-24 Verfahren zum beschreiben magnetoresistiver speicherzellen und mit diesem verfahren beschreibbarer magnetoresistiver speicher
CNA028051106A CN1515010A (zh) 2001-02-16 2002-01-24 磁阻性存储器胞元的写入方法及可由此方法写入的磁阻性存储器
PCT/DE2002/000255 WO2002067266A2 (de) 2001-02-16 2002-01-24 Verfahren zum beschreiben magnetoresistiver speicherzellen und mit diesem verfahren beschreibbarer magnetoresistiver speicher
EP02701239A EP1360692B1 (de) 2001-02-16 2002-01-24 Verfahren zum beschreiben magnetoresistiver speicherzellen und mit diesem verfahren beschreibbarer magnetoresistiver speicher
JP2002566499A JP3909292B2 (ja) 2001-02-16 2002-01-24 磁気抵抗メモリセルに書き込む方法および本方法によって書き込まれ売る磁器抵抗性メモリ
TW091101384A TWI306254B (en) 2001-02-16 2002-01-28 Method for writing to magnetoresistive memory cells and magnetoresistive memory which can be written to by this method
US10/642,856 US7408803B2 (en) 2001-02-16 2003-08-18 Method for writing to magnetoresistive memory cells and magnetoresistive memory which can be written to by the method

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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7931533B2 (en) 2001-09-28 2011-04-26 Igt Game development architecture that decouples the game logic from the graphics logics
US8708828B2 (en) 2001-09-28 2014-04-29 Igt Pluggable modular gaming modifiers and configuration templates for gaming environments
US6902481B2 (en) 2001-09-28 2005-06-07 Igt Decoupling of the graphical presentation of a game from the presentation logic
JP3808799B2 (ja) 2002-05-15 2006-08-16 株式会社東芝 磁気ランダムアクセスメモリ
US6507513B1 (en) * 2002-06-20 2003-01-14 Hewlett-Packard Company Using delayed electrical pulses with magneto-resistive devices
US6693824B2 (en) * 2002-06-28 2004-02-17 Motorola, Inc. Circuit and method of writing a toggle memory
JP4655936B2 (ja) * 2003-09-16 2011-03-23 日本電気株式会社 半導体記憶装置及び半導体記憶装置のデータ書き込み方法
CN100429721C (zh) * 2004-04-01 2008-10-29 中国科学院物理研究所 一种基于垂直电流写入的磁随机存取存储器及其控制方法
US7269685B2 (en) * 2004-09-02 2007-09-11 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for storing data in a magnetic random access memory (MRAM)
US7722468B2 (en) * 2005-03-09 2010-05-25 Igt Magnetoresistive memory units as read only memory devices in gaming machines
US7736234B2 (en) * 2005-03-09 2010-06-15 Igt MRAM as critical event storage for powered down gaming machines
US20060205513A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 Igt MRAM as nonvolatile safe storage for power hit and ESD tolerance in gaming machines
US7362644B2 (en) * 2005-12-20 2008-04-22 Magic Technologies, Inc. Configurable MRAM and method of configuration
CN101354908B (zh) * 2007-07-23 2011-01-19 财团法人工业技术研究院 栓扣式磁性存储器的数据写入控制电路及数据写入方法
JP4553927B2 (ja) * 2007-08-10 2010-09-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2010134986A (ja) * 2008-12-03 2010-06-17 Sony Corp 抵抗変化型メモリデバイス
JP2011119028A (ja) * 2011-03-25 2011-06-16 Renesas Electronics Corp 薄膜磁性体記憶装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19823826A1 (de) * 1998-05-28 1999-12-02 Burkhard Hillebrands MRAM-Speicher sowie Verfahren zum Lesen/Schreiben digitaler Information in einen derartigen Speicher

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3375503A (en) * 1963-09-13 1968-03-26 Ibm Magnetostatically coupled magnetic thin film devices
JPS5033623A (de) 1973-07-28 1975-03-31
US4547866A (en) * 1983-06-24 1985-10-15 Honeywell Inc. Magnetic thin film memory with all dual function films
US6256224B1 (en) * 2000-05-03 2001-07-03 Hewlett-Packard Co Write circuit for large MRAM arrays
US5864498A (en) * 1997-10-01 1999-01-26 High Density Circuits Ferromagnetic memory using soft magnetic material and hard magnetic material
JP3593652B2 (ja) * 2000-03-03 2004-11-24 富士通株式会社 磁気ランダムアクセスメモリ装置
US6606262B2 (en) * 2002-01-10 2003-08-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magnetoresistive random access memory (MRAM) with on-chip automatic determination of optimized write current method and apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19823826A1 (de) * 1998-05-28 1999-12-02 Burkhard Hillebrands MRAM-Speicher sowie Verfahren zum Lesen/Schreiben digitaler Information in einen derartigen Speicher

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