DE10112596C2 - Verfahren zum Herstellen von Oberflächenwellenvorrichtungen - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verfahren zum Herstellen von Oberflächenwellenvorrichtungen, die durch Bilden einer Mehrzahl von Oberflächenwellenelementen aufge­ baut werden, die Elektrodenschichten mit unterschiedlichen Dicken auf dem gleichen piezoelektrischen Substrat aufwei­ sen, und eignet sich besonders zum zum Herstel­ len von Oberflächenwellenvorrichtungen, bei denen eine Mehrzahl von Oberflächenwellenfilterelementen mit unter­ schiedlichen Bändern auf dem piezoelektrischen Substrat an­ geordnet sind.

In jüngerer Zeit wurden bei mobilen Kommunikationsvorrich­ tungen, wie z. B. Mobiltelefonen, die Vorrichtungen, die Mehrbandübertragungen unterstützen, überdacht, um eine höhere Leistung zu erreichen. Zusätzlich werden die Übertra­ gungsfrequenzen der Mobiltelefone höher.

Deshalb benötigt ein Mobiltelefon, das bei einem 800 MHz- Band funktioniert, genauso wie ein Mobiltelefon mit einem 1,5 GHz-Frequenzband oder einem höheren Frequenzband, HF- Bandpaßfilter, wobei jedes Filter den zwei unterschiedli­ chen Frequenzbändern entspricht.

Um eine Miniaturisierung und ein niedriges Gesamtgewicht einer Anschlußvorrichtung, wie z. B. dieser Art von Mobil­ telefonen, zu erreichen, muß eine Miniaturisierung der dar­ in angebrachten Komponenten erreicht werden. Da die Kompo­ nenten jedoch nicht beliebig klein sein können, ist es sehr erwünscht, daß eine einzige Komponente die Funktion der zwei HF-Bandpaßfilter durchführt.

In der ungeprüften japanischen Patentanmeldungsveröffentli­ chung Nr. 10-190390 ist ein Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung offenbart, bei der eine Mehr­ zahl von Oberflächenwellenfilterelementen auf dem gleichen piezoelektrischen Substrat angeordnet ist.

Fig. 10A bis 10E sind Schnittansichten zur Erläuterung des Verfahrens zum Herstellen der Oberflächenwellenvorrichtung gemäß dieser bekannten Technik. Bei diesem Verfahren wird eine leitfähige Schicht 104 auf einem piezoelektrischen Substrat 103 gebildet, dann wird ein Resist entlang der gesamten Oberfläche der leitfähigen Schicht 104 gebildet. Das Struk­ turieren des Resistes wird durchgeführt, um eine Re­ sistschicht 105 (Fig. 10A) zu bilden. Trockenätzen bildet Elektroden 101a eines ersten Oberflächenwellenelements (Fig. 10B). Danach bilden Aufbringung des Resistes und Strukturieren des Resistes eine Resistschicht 106' bei ei­ nem Abschnitt, bei dem ein zweites Oberflächenwellenelement vorgesehen ist. In diesem Fall wird ein Abschnitt, in dem das erste Oberflächenwellenelement vorgesehen ist, mit ei­ ner Resistschicht 106 (Fig. 10C) beschichtet. Ferner wird, wie in den Fig. 10D und 10E gezeigt ist, eine leitfähige Schicht 107 ganz gebildet, dann wird ein Abheben bezüglich der Resistschichten 106 und 106' durchgeführt, und die leitfähige Schicht 107 wird darauf laminiert, um Elektroden 102a des zweiten Oberflächenwellenelements zu bilden.

Gemäß diesem Verfahren werden die Elektroden des zweiten Elektronikkomponentenelements in einem Zustand durch Photo­ lithographie oder Ätzen gebildet, in dem die Elektroden des ersten Elektronikkomponentenelements durch das Resist ge­ schützt werden. Folglich wird, wenn die Elektroden des er­ sten und zweiten Elektronikkomponentenelements gebildet werden, keine hohe Genauigkeit erzielt. Deshalb kann, wenn dieses Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvor­ richtung verwendet wird, obwohl die Breite der Elektroden­ finger nur ca. 1 µm beträgt, der Effizienzanteil des Her­ stellens der Vorrichtung erhöht werden.

Bei dem Verfahren, das in der verwandten Technik beschrie­ ben ist, wird jedoch Trockenätzen, das durchgeführt wird, wenn die Elektroden 101a eines ersten Oberflächenwellenele­ ments anfänglich gebildet werden, auch bei einer Region durchgeführt, wo ein zweites Oberflächenwellenelement auf einem piezoelektrischen Substrat 103 aufgebaut wird. Das bedeutet, daß eine Region, die in Fig. 10B durch einen Pfeil A angezeigt ist, ebenfalls dem Trockenätzen unterzo­ gen wird.

Wenn Trockenätzen in einem Fall durchgeführt wird, in dem ein Elektrodenfingerabstand wegen Mikroladephänomenen ca. 1 µm oder weniger ist, ist ein Mikrozwischenraumabschnitt allgemein das Letzte, was geätzt werden soll. Bei dem Troc­ kenätzen folgt nach dem Ätzen der Elektroden allgemein ein Überätzen.

Deshalb wird, wenn die Elektroden 101a des ersten Oberflä­ chenwellenelements gebildet werden, bei der Region, die durch den Pfeil A angezeigt wird, das Ätzen eher beendet. Folglich dauert es länger, bis die Oberfläche des piezo­ elektrischen Substrats der Region, die durch den Pfeil A angezeigt wird, dem Plasma, wie z. B. F, ausgesetzt wird, das benutzt wird, wenn Trockenätzen durchgeführt wird, das Überätzen umfaßt. Da die Oberfläche des Substrates, das durch den Pfeil A angezeigt wird, dem Plasma eine ver­ gleichsweise längere Zeit ausgesetzt wird, gibt es ein Pro­ blem, daß der Einfügungsverlust des zweiten Oberflächenwel­ lenelements verschlechtert wird und ein Stehwellenverhält­ nis (VSWR = voltage standing wave ratio) erhöht wird.

Ferner wird, da die Region, die durch den Pfeil A angezeigt ist, auch geätzt wird, der Bereich der geätzten Region er­ höht. Folglich gibt es, wenn eine Mehrzahl von Oberflächen­ wellenvorrichtungen aus einem piezoelektrischen Muttersub­ strat aufgebaut wird, ein Problem, das eine Abweichung der Charakteristik der Oberflächenwellenvorrichtung in dem pie­ zoelektrischen Muttersubstrat zunimmt.

Zusätzlich entsteht, wenn das Herstellungsverfahren gemäß der oben beschriebenen verwandten Technik auf ein Verfahren zum Herstellen der Oberflächenwellenvorrichtung angewendet wird, die ein piezoelektrisches Substrat mit Pyroelektrizi­ tät verwendet, das folgende Problem.

Im allgemein wird nämlich, wenn das Resist aufgebracht wird, das Resist mehrfach erwärmt, um seine Adhäsion und die Beständigkeit der Resiststruktur gegen das Plasma zu verbessern. Wenn jedoch ein piezoelektrisches Substrat mit dar Pyroelektrizität verwendet wird, entsteht wegen der Temperaturänderung während des Erwärmens des Resistes ein Spannungsabfall zwischen einem Paar von kammförmigen Elek­ troden, die die IDT(Interdigitalwandler)-Elektroden des er­ sten Oberflächenwellenelements bilden, was zu einer Entla­ dung führt. Diese Entladung erzeugt manchmal pyroelektri­ sche Zerstörung bei den Elektroden. Obwohl die Entladung zu klein ist, um die pyroelektrische Zerstörung hervorzurufen, wird das Resist manchmal zerbrochen, was einen Kurzschluß bei den IDT-Elektroden des ersten Oberflächenwellenelements nach dem Abhebeprozeß zu dem Bilden der Elektroden des Oberflächenwellenelements verursacht.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Verfahren zum Herstellen von Oberflächenwellenvorrichtungen zu schaffen, mit denen sich bessere charakteristische Daten wie Einführungsverlust und Stehwellen­ verhältnis erzielen lassen und das die Gefahr der pyroelektrischen Zerstörung mindert.

Diese Aufgabe wird durch Verfahren zum Herstellen von Ober­ flächenwellenvorrichtungen gemäß den Ansprüchen 1, 6 und 10 gelöst.

Somit werden Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvor­ richtung beansprucht, bei denen, auch wenn ein pyroelektrisches Substrat verwendet wird, um eine Mehrzahl von Oberflächenwellenele­ menten durch Bilden von Elektroden mit unterschiedlichen Dicken auf dem gleichen piezoelektrischen Substrat zu bil­ den, verhindert wird, daß Kurzschlüsse oder andere Fehler auftreten, daß eine Verschlechterung des piezoelektrischen Substrats in einem Elektrodenbereich des aufeinanderfolgend gebildeten Oberflächenwellenelements auftritt, und daß eine Verschlechterung des Einfügungsverlustes und eine Ver­ schlechterung der VSWR-Charakteristika auftreten.

Mit dem Anspruch 1 ist ein Verfahren zum Herstellen ei­ ner Oberflächenwellenvorrichtung beansprucht, die erste und zweite Oberflächenwellenelemente mit unterschiedlichen Elektroden­ schichtdicken auf einem piezoelektrischen Substrat auf­ weist, die Schritte des Bereitstellens eines piezoelektri­ schen Substrates, des Bildens einer ersten leitfähigen Schicht auf einer Gesamtoberfläche des piezoelektrischen Substrates, des Aufbringens eines ersten Resistes auf die gesamte Oberfläche der ersten leitfähigen Schicht, des Durchführens von Strukturieren und Trockenätzen auf dem er­ sten Resist, um auf dem piezoelektrischen Substrat IDT- Elektroden des ersten Oberflächenwellenelements, eine Kurz­ schlußverdrahtungselektrode zum Bilden einer elektrischen Verbindung zwischen kammförmigen Elektroden der IDT- Elektroden, und eine leitfähige Schicht zu bilden, die in einer Region vorgesehen ist, die den gesamten Bereich um­ faßt, in dem das zweite Oberflächenwellenelement aufgebaut wird, des Durchführens von Naßätzen, um die leitfähige Schicht zu entfernen, die in der Region vorgesehen ist, die den Gesamtbereich umfaßt, in dem das zweite Oberflächenwel­ lenelement aufgebaut wird, des Aufbringens eines zweiten Resistes auf die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrates und des Erwärmens des Substrates, des Entfernens des zweiten Resistes an einer Stelle, an der sich die Elek­ troden des zweiten Oberflächenwellenelements befinden, des Bildens einer zweiten leitfähigen Schicht mit der gleichen Schichtdichte wie die Elektrodenschichtdichte des zweiten Oberflächenwellenelements, des Abhebens des zweiten Resi­ stes und der zweiten leitfähigen Schicht, die auf das zweite Resist aufgebracht wurde, des Bildens der Elektroden des zweiten Oberflächenwellenelements, während die Elektroden des ersten Oberflächenwellenelements freiliegen, und des Abtrennens der Kurzschlußverdrahtungselektrode in der er­ sten Oberflächenwellenvorrichtung.

Mit dem Anspruch 6 (zweite Ausgestaltung der Erfindung) ist ein Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung beansprucht, die erste und zweite Oberflä­ chenwellenelemente mit unterschiedlichen Elektrodenschicht­ dicken auf einem piezoelektrischen Substrat umfaßt, wobei das Verfahren die Schritte des Bereitstellens eines piezo­ elektrischen Substrates, des Aufbringens eines ersten Resi­ stes auf eine Gesamtoberfläche des piezoelektrischen Sub­ strates, des Entfernens des ersten Resistes in einem Be­ reich, in dem Elektroden des ersten Oberflächenwellenele­ ments gebildet werden sollen und in einem Bereich, in dem eine Verdrahtungselektrode zu dem Kurzschließen zwischen den kammförmigen Elektroden der IDT-Elektroden des ersten Oberflächenwellenelements gebildet werden soll, des Bildens einer ersten leitfähigen Schicht mit im wesentlichen der gleichen Schichtdicke wie die Elektrodenschichtdicke des ersten Oberflächenwellenelements, des Abhebens des ersten Resistes und der ersten leitfähigen Schicht, die auf dem ersten Resist aufgebracht ist, des Bildens der Elektroden des ersten Oberflächenwellenelements und der Verdrahtungse­ lektrode, des Aufbringens eines zweiten Resistes auf die Gesamtoberfläche des piezoelektrischen Substrates und des Erwärmens des Substrates, des Entfernens des zweiten Resi­ stes in einem Bereich, in dem die Elektroden des zweiten Oberflächenwellenelements gebildet werden, des Aufbringens einer zweiten leitfähigen Schicht mit im wesentlichen der gleichen Schichtdicke wie die Elektrodenschichtdicke des zweiten Oberflächenwellenelements, des Abhebens des zweiten Resistes und der zweiten leitfähigen Schicht, die auf das zweite Resist aufgebracht wurde, des Bildens der Elektroden des zweiten Oberflächenwellenelements, und des Abtrennens der Kurzschlußverdrahtungselektrode bei dem ersten Oberflä­ chenwellenelement umfaßt.

Mit dem Anspruch 10 (dritte Ausgestaltung der Erfindung) ist ein Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung beansprucht, die erste und zweite Oberflä­ chenwellenelemente mit unterschiedlichen Elektrodenschicht­ dicken auf einem piezoelektrischen Substrat umfaßt, wobei das Verfahren die Schritte des Bereitstellens eines piezo­ elektrischen Substrates, des Aufbringens eines ersten Resi­ stes auf eine Gesamtoberfläche des piezoelektrischen Sub­ strates, des Entfernens des ersten Resistes in einem Be­ reich, in dem Elektroden das erste und zweite Oberflächen­ wellenelement gebildet werden soll, des Bildens einer er­ sten leitfähigen Schicht mit im wesentlichen der gleichen Schichtdicke wie die Elektrodenschichtdicke des zweiten Oberflächenwellenelements, des Aufbringens eines zweiten Resistes, des Entfernens des zweiten Resistes in einem Be­ reich, in dem zumindest die Elektroden des ersten Oberflä­ chenwellenelements gebildet werden, mit Ausnahme eines Be­ reiches, in dem das zweite Oberflächenwellenelement aufge­ baut wird, des Aufbringens einer zweiten leitfähigen Schicht mit im wesentlichen der gleichen Schichtdichte wie die Elektrodenschichtdicke des ersten Oberflächenwellenele­ ments, und des Abhebens des ersten Resistes, des zweiten Resistes und der leitfähigen Schichten, die gleichzeitig darauf laminiert wurden, umfaßt.

Die Unteransprüche gehen Ausführungsarten der Erfindung an.

Es wird bevorzugt, daß ein Negativ-Typ-Resist bzw. negati­ ves Resist bei der dritten Ausgestaltung der Erfindung als das erste Resist verwendet wird.

Bei einer anderen Modifizierung des dritten Ausgestaltung der Erfindung wird ein Positiv-Typ-Resist bzw. positives Resist vorzugsweise als das erste Resist und das negative Resist als das zweite Resist verwendet. Bei dem Abhebeprozeß wird die Trennflüssig­ keit zum Trennen des ersten und zweiten Resistes geteilt.

Bei Herstellungsverfahren der Oberflächenwellenvorrichtun­ gen gemäß den verschiedenen Ausgestaltungen der Erfindung wird, wenn ein erstes und zwei­ tes Oberflächenwellenelement mit unterschiedlichen Elektro­ denschichtdicken auf einem gemeinsamen piezoelektrischen Substrat gebildet werden, eine Kurzschlußverdrahtungselek­ trode zum elektrischen Verbinden zwischen Ein­ gangs/Ausgangsanschlüssen der IDT-Elektroden und Erdungsan­ schlüssen gebildet, während die IDT-Elektroden des ersten Oberflächenwellenelements gebildet werden. Nachdem die IDT- Elektroden des zweiten Oberflächenwellenfilterelements ge­ bildet sind, wird die Kurzschlußverdrahtungselektrode abge­ trennt. Dadurch wird, obwohl das zweite Resist aufgebracht wird, und Adhäsion und Beständigkeit des zweiten Resistes gegen Wärme aufgrund von Erwärmen ansteigen, der Kurzschluß bei den IDT-Elektroden des ersten Oberflächenwellenfil­ terelements positiv verhindert.

Deshalb können, während Fehler der IDT-Elektroden des er­ sten Oberflächenwellenfilterelements verhindert werden, die Elektroden des zweiten Oberflächenwellenfilters mit hoher Genauigkeit gebildet werden.

Bei der ersten Ausgestaltung der Erfindung wird, wenn während der Bildung der IDT- Elektroden des ersten Oberflächenwellenfilterelements Troc­ kenätzen durchgeführt wird, ein piezoelektrischer Substra­ tabschnitt, in dem das zweite Oberflächenwellenfilterele­ ment gebildet wird, durch das erste Resist geschützt. Nach dem Trockenätzen wird eine leitfähige Schicht, die in einer Region vorgesehen ist, die den Abschnitt umfaßt, in dem das zweite Oberflächenwellenelement gebildet wird, unter Ver­ wendung eines Naßätzverfahrens entfernt. Folglich kann ver­ hindert werden, daß der Bereich, in dem das zweite Oberflä­ chenwellenfilterelement des piezoelektrischen Substrates gebildet wird, einem Plasma, wie z. B. F, unterzogen wird, das bei dem Trockenätzen verwendet wird. Dies ermöglicht, daß eine Verschlechterung des Einfügungsverlustes und des VSWR des zweiten Oberflächenwellenfilterelements zuverläs­ sig und positiv verhindert wird.

Bei dem Herstellungsverfahren gemäß der zweiten und dritten Ausgestaltung der Erfindung werden, wenn das erste und zweite Oberflächenwel­ lenelement mit unterschiedlichen Elektrodenschichtdicken auf dem piezoelektrischen Substrat gebildet werden, die Bildung der Elektroden des ersten Oberflächenwellenfil­ terelements unter Verwendung des Abhebeverfahrens durchge­ führt und die Region, in der das zweite Oberflächenwellen­ filterelement gebildet wird, wird durch das Resist ge­ schützt. Dadurch wird, verglichen mit dem herkömmlichen Verfahren, bei dem das erste Oberflächenwellenfilterelement unter Verwendung des Trockenätzverfahrens gebildet wird, eine Verschlechterung des Einfügungsverlustes und des VSWR des zweiten Oberflächenwellenfilterelements zuverlässig verhindert.

Ferner kann gemäß der dritten Ausgestaltung der Erfindung die Erwärmungstemperatur des Resistes sehr niedrig sein, was das Auftreten von pyro­ elektrischer Zerstörung verhindert, da kein Bedarf besteht, die Genauigkeit während des zweiten Photolithographiepro­ zesses zu erhöhen. Dadurch kann, weil eine Bildung der. Kurzschlußverdrahtungselektrode und ein Abtrennungsprozeß nicht benötigt werden, eine Vereinfachung der Herstellungs­ prozesse erreicht werden.

Zusätzlich kann, weil das Abheben gleichzeitig während des letzten Prozesses durchgeführt wird, bei dem die Elektroden des ersten und zweiten Oberflächenwellenfilterelements ge­ bildet werden, eine Vereinfachung der Prozesse erreicht werden.

Durch Bewirken von unterschiedlichen Polaritäten der ersten und zweiten Resiste kann, wenn das Strukturieren bei dem zweiten Resist durchgeführt wird, eine Verformung des er­ sten Resistes verhindert werden. Dadurch wird die Elektro­ dengenauigkeit des ersten Oberflächenwellenfilterelements erhöht.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1A bis 1F Schnittansichten eines Herstellungsverfah­ rens gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbei­ spiel der Erfindung;

Fig. 2A bis 2D Draufsichten jedes Schrittes des Herstel­ lungsverfahrens gemäß dem ersten bevorzugten Aus­ führungsbeispiel;

Fig. 3 ein Graph der Einfügungsverlust-Frequenz­ charakteristik eines zweiten Oberflächenwellen­ filterelements einer Oberflächenwellenvorrich­ tung, die gemäß einem herkömmlichen Verfahren er­ halten wurde;

Fig. 4 ein Graph der VSWR-Charakteristik des zweiten Wellenfilterelements der Oberflächenwellenvor­ richtung, die unter Verwendung des herkömmlichen Verfahrens erhalten wurde;

Fig. 5 ein Graph der Einfügungsverlust- Frequenzcharakteristika des zweiten Oberflächen­ wellenfilterelements der Oberflächenwellenvor­ richtung gemäß dem ersten bevorzugte Ausführungs­ beispiel;

Fig. 6 ein Graph der VSWR-Charakteristik des Oberflä­ chenwellenfilterelements der Oberflächenwellenvorrichtung gemäß dem ersten bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel;

Fig. 7A bis 7F schematische Schnittansichten, wobei jede einen Schritt im Herstellungsverfahren gemäß dem zweiten be­ vorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;

Fig. 8 eine schematische Seitenansicht einer bevorzugten Form eines Resistes bei dem zweiten Ausführungsbeispiel bei einem Fall, bei dem das Resist gebildet wird;

Fig. 9A bis 9E schematische Schnittansichten zum Herstel­ lungsverfahrens gemäß dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung; und

Fig. 10A bis 10E Schnittansichten des Herstellungsverfah­ rens der herkömmlichen Oberflächenwellenvorrich­ tung.

Fig. 1A bis 1F sind jeweils Schnittansichten eines Verfah­ rens zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung ge­ mäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.

Bei dem vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Oberflächenwellenvorrichtung, die schematisch in einer Schnittansicht in Fig. 1F dargestellt ist, hergestellt. Wie Fig. 1F zeigt, umfaßt bei dieser Oberflächenwellenvorrich­ tung ein Oberflächenwellenfilterelement 1 Elektroden 1a und ein zweites Oberflächenwellenfilterelement 2 umfaßt Elek­ troden 2a, wobei die Oberflächenwellenelemente 1 und 2, die die Elektroden 1a und 2a umfassen, die auf einem gemeinsa­ men piezoelektrischen Substrat 3 angeordnet sind.

Die Oberflächenwellenfilterelemente 1 und 2, die in Fig. 1 schematisch dargestellt sind, haben vorzugsweise im wesent­ lichen flache Formen, wie Fig. 2D zeigt. Das heißt, daß die IDT-Elektroden 1a und Reflektoren 1c und 1d, die sich an beiden Enden der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwel­ le der IDT-Elektroden 1a befinden, auf dem piezoelektri­ schen Substrat 3 angeordnet sind, und dadurch das erste Oberflächenwellenfilterelement 1 definieren. Die IDT- Elektroden 2a und Reflektoren 2c und 2d, die sich an beiden Enden der Ausbreitungsrichtung einer Oberflächenwelle der IDT-Elektrode 2a befinden, sind auf dem piezoelektrischen Substrat 3 angeordnet, und definieren so das zweite Ober­ flächenfilterelement.

Die Dicke jeder der IDT-Elektroden 1a ist vorzugsweise dic­ ker als die jeder der IDT-Elektroden 2a.

Die IDT-Elektroden 1a und 2a umfassen ein Paar von kammför­ migen Elektroden, die Elektrodenfinger aufweisen, die ge­ genseitig ineinander greifen. Eine Verdrahtungselektrode 1b ist in dem Oberflächenwellenfilterelement 1 angeordnet. In Fig. 2D ist die Verdrahtungselektrode 1b abgetrennt. Bei einem Zustand, der in Fig. 2C gezeigt wird, ist die Ver­ drahtungselektrode 1b wie unten beschrieben elektrisch mit beiden kammförmigen Elektroden der IDT-Elektroden 1a und den Reflektoren verbunden.

Zu Beginn wird, wie Fig. 1a zeigt, eine leitfähige Schicht 4 mit im wesentlichen der gleichen Schichtdicke wie die je­ der der IDT-Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfil­ terelements 1 auf der Gesamtoberfläche des piezoelektri­ schen Substrates 3 gebildet. Das piezoelektrische Substrat 3 kann aus einem piezoelektrischen Einkristall, wie z. B. LiTaO₃, LiNbO₃, Kristall, Lithiumtetraborat oder Langasit aufgebaut sein oder aus einer piezoelektrischen Keramik, wie z. B. Keramiken der Bleizirkoniumtitanatserien.

Alternativ kann das piezoelektrische Substrat 3 durch Bil­ den einer piezoelektrischen Dünnschicht, wie z. B. ZnO, auf einem Isolierungssubstrat, das aus einem isolierenden Mate­ rial, wie z. B. Aluminiumoxid oder einem anderen geeigneten Material besteht, aufgebaut werden.

Die leitfähige Schicht 4 kann unter Verwendung eines leit­ fähigen Materials, wie z. B. Al, aufgebaut werden. Um die leitfähige Schicht 4 zu bilden, kann ein geeignetes Verfah­ ren, wie z. B. Verdunsten, Zerstäuben bzw. Sputtern oder Plattieren verwendet werden.

Als nächstes wird eine positive erste Photoresistschicht auf der Gesamtoberfläche der leitfähigen Schicht 4 gebil­ det. Die erste Photoresistschicht wird unter Verwendung ei­ ner Maske mit einem Abschirmabschnitt, der der Form jeder der IDT-Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfil­ terelements und der gesamten Region des zweiten Oberflä­ chenwellenfilterelements 2 entspricht, freigelegt, die ei­ nen Abschnitt umfaßt, in dem alle Elektroden gebildet wer­ den, die die Reflektoren des zweiten Oberflächenwellenfil­ terelements 2 umfassen. Danach wird der freigelegte Resi­ stabschnitt entfernt.

Folglich kann, wie in Fig. 1A dargestellt ist, das Resist 5 mit Strukturierung erhalten werden. Wie aus Fig. 1A hervor geht, wird das Strukturieren so durchgeführt, daß das Re­ sist eine Form aufweist, die einem Teil entspricht, in dem die IDT-Elektroden 1a des Oberflächenwellenfilterelements 1 (siehe Fig. 1F) und die Verdrahtungselektrode 1b gebildet werden und daß das Resist 5 in einem Bereich bleibt, der die gesamte Region mit den Elektroden des Wellenfilterele­ ments 2 umfaßt, die darauf gebildet sind, wie im rechten Teil von Fig. 1A gezeigt ist.

Als nächstes wird Ätzen unter Verwendung eines Ätzmittels durchgeführt, das die leitfähige Schicht 4 entfernen kann, ohne das Resist 5 zu beeinflussen. Danach führt das Entfernen des Resistes 5 zur Bildung der IDT-Elektroden 1a, der Verdrahtungselektrode 1b und der leitfähigen Schicht 2b, wie in Fig. 1B dargestellt. Fig. 2A zeigt eine Planansicht dieses Zustandes.

Wie aus den Fig. 1B und 2A hervor geht, werden nach dem obigen Prozeß die IDT-Elektroden 1a des ersten Oberflächen­ wellenfilterelements 1, die Reflektoren 1c und 1d und die Verdrahtungselektrode 1b gebildet. Die leitfähige Schicht 2b wird auf der gesamten Region des Oberflächenwellenfil­ terelements 2 gebildet, die eine Region umfaßt, in der die Elektroden derselben gebildet werden. Das Ätzen kann mit­ tels Trockenätzen unter Verwendung des Plasmas, wie z. B. F oder Cl, oder eines anderen geeigneten Materials durchge­ führt werden.

Wenn das Ätzen durchgeführt wird, wird eine Region, in der die Elektroden des zweiten Oberflächenwellenfilterelements des piezoelektrischen Substrates 3 gebildet werden, mit der leitfähigen Schicht 2b beschichtet. Folglich ist es unwahr­ scheinlich, daß der Abschnitt der oberen Oberfläche des piezoelektrischen Substrates 3, das mit der leitfähigen Schicht 2b beschichtet ist, beschädigt wird, wenn das Troc­ kenätzen durchgeführt wird.

Als nächstes wird ein positives Photoresist auf der Gesam­ toberfläche des piezoelektrischen Substrates 3 aufgebracht. Auf der Seite, auf der das zweite Oberflächenwellenfil­ terelement 2 hergestellt wird, wird eine Maske, in der eine Region entsprechend der leitfähigen Schicht 2b als eine Öffnung gesetzt wird, auf dem Resist laminiert und freige­ legt. Der freiliegende Resistabschnitt wird entfernt, au­ ßerdem wird die leitfähige Schicht 2b durch Naßätzen ent­ fernt. Zusätzlich kann durch die Entfernung des übrigge­ bliebenen Resistes die leitfähige Schicht 2b wie in Fig. 1C gezeigt entfernt werden. Da wie oben beschrieben die Ent­ fernung der leitfähigen Schicht 2b unter Verwendung des Naßätzens durchgeführt wird, wird die obere Oberfläche des piezoelektrischen Substrates 3 in der Region, in der die leitfähige Schicht 2b gebildet wird, kaum beschädigt. Fig. 2B zeigt eine Planansicht dieses Zustandes.

Als nächstes wird das positive zweite Photoresist auf die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrates 3 auf­ gebracht. Auf der Seite, auf der das zweite Oberflächenwel­ lenfilterelement 2 hergestellt wird, wird eine Maske, in der Elektroden-gebildete Komponenten, wie z. B. die IDT- Elektroden oder die Reflektoren ein Öffnungsteil sind, auf dem Photoresist laminiert und freigelegt. Bei dieser Stufe werden Adhäsion und Beständigkeit des Photoresistes gegen­ über Wärme stark erhöht.

Da die Verdrahtungselektrode 1b ein Paar von kammförmigen Elektroden der IDT-Elektroden 1a kurzschließt, tritt zwi­ schen den kammförmigen Elektroden der IDT-Elektroden keine Entladung auf. Folglich wird ein Schaden an den IDT- Elektroden 1a und dem Resist verhindert.

Insbesondere ist die Verdrahtungselektrode 1b mit Ein­ gangs/Ausgangsanschlußflächen 13 und 14 und dem Reflektor 1d verbunden. Jede der Eingangs/Ausgangsanschlußflächen 13 und 14 ist elektrisch mit den entsprechenden kammförmigen Elektroden der IDT-Elektroden 1a verbunden.

Danach wird der freiliegende Resistabschnitt entfernt, wo­ durch, wie Fig. 1D zeigt, ein zweites Photoresist 6 mit Strukturierung erhalten werden kann. Wie aus Fig. 1D her­ vorgeht, werden auf der Seite des ersten Oberflächenwellen­ filterelements 1 die IDT-Elektroden 1a, die Verdrahtungse­ lektrode 1b und andere Elemente beschichtet und durch das Photoresist 6 mit Strukturierung geschützt. Auf der Seite des zweiten Oberflächenwellenfilterelements wird das Photo­ resist 6 mit Strukturierung gebildet mit Ausnahme des Ab­ schnittes mit den IDT-Elektroden 2a des zweiten Oberflä­ chenwellenfilterelements, die darauf gebildet ist.

Danach wird, wie Fig. 1E zeigt, eine leitfähige Schicht bzw. Film 7 auf der gesamten Oberfläche des Photoresistes 6 laminiert, die vorzugsweise im wesentlichen die gleiche Schichtdicke wie jede der IDT-Elektroden 2a des zweiten Oberflächenwellenfilterelements 2 aufweist.

Als nächstes wird die leitfähige Schicht 7, die auf dem Photoresist 6 angeordnet ist, mittels Abheben entlang des Photoresistes 6 entfernt. Dieser Zustand wird in einer Planansicht in Fig. 2C gezeigt.

Wie oben beschrieben werden auf der Seite des zweiten Ober­ flächenwellenfilterelements 2 die IDT-Elektroden 2a, die Reflektoren 2c und 2d und die Ein­ gangs/Ausgangsanschlußflächen 23 und 24 gebildet.

Als nächstes wird, wie in Fig. 2D gezeigt, die Verdrah­ tungselektrode 1b bei einem Abschnitt abgetrennt, der durch einen Pfeil B angezeigt ist. Dadurch kann die Oberflächen­ wellenfiltervorrichtung gemäß dem vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel erhalten werden, was schematisch in der Schnittansicht aus Fig. 1F gezeigt ist sowie in der Planan­ sicht aus Fig. 2B.

Die Verdrahtungselektrode 1b kann unter Verwendung des Pho­ toresistes mittels eines Photolithographieätzverfahrens oder mittels eines Laserverfahrens oder einem anderen ge­ eigneten Verfahren abgetrennt werden.

Wie oben beschrieben sind das erste und zweite Oberflächen­ wellenelement 1 und 2, die IDT-Elektroden mit jeweils un­ terschiedlichen Dicken umfassen, auf dem gleichen piezo­ elektrischen Substrat 3 angeordnet.

Ferner wird bei dem Herstellungsverfahren gemäß dem vorlie­ genden bevorzugten Ausführungsbeispiel, wenn die Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfilterelements 1 gebildet werden, das Trockenätzen vorzugsweise unter Verwendung des Plasmas durchgeführt. Während dieses Prozesses wird die Re­ gion, in der das zweite Oberflächenwellenfilterelement ge­ bildet wird, mit der leitfähigen Schicht 2b beschichtet, so daß es geschützt ist. Folglich tritt kaum eine Verschlech­ terung des piezoelektrischen Substrates auf.

Zusätzlich werden beim Bilden des ersten und zweiten Ober­ flächenwellenfilters 1 und 2 anfänglich die IDT-Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfilterelements gebildet. Durch die Verdrahtungselektrode 1b werden ein Paar von kammförmigen Elektroden und die Reflektoren der IDT- Elektroden 1a elektrisch miteinander verbunden und kurzge­ schlossen. Deshalb werden, obwohl Adhäsion und Beständig­ keit gegen Wärme wegen des Erwärmens oder anderen Konditio­ nen erhöht werden, da kaum Entladen auftritt, Abtrennen oder Kurzschluß oder andere Fehler der IDT-Elektroden 1a zuverlässig verhindert.

Wie oben beschrieben wird die Oberflächenwellenvorrichtung durch Bilden der Oberflächenwellenfilterelemente 1 und 2 mit bestimmten Abmessungen (z. B. 1,5 mm × 2,1 mm × 0,35 mm = 1,10 mm³) auf dem piezoelektrischen Substrat 3 erhalten. Die Amplitudencharakteristik und die Reflexionscharakteri­ stik des zweiten Oberflächenwellenfilterelements werden ge­ messen. Zum Vergleich werden bei der Oberflächenwellenvor­ richtung, die unter Verwendung des oben beschriebenen her­ kömmlichen Verfahrens erhalten wird, die Amplitudencharak­ teristik und die Reflexionscharakteristik des zweiten Ober­ flächenwellenfilterelements gemessen. Die Ergebnisse sind in Fig. 3 und Fig. 6 dargestellt. Die gestrichelten Linien in Fig. 3 und Fig. 5 stellen Charakteristika dar, die ent­ sprechend der Skala auf der rechten Seite der vertikalen Achse in Fig. 3 vergrößert sind. In Fig. 4 und Fig. 6 stel­ len die durchgezogenen Linien Charakteristika des Eingang­ stors dar und die gestrichelten Linien stellen Charakteri­ stika des Ausgangstors dar.

Fig. 3 und Fig. 4 zeigen die Amplitudencharakteristik und die Reflexionscharakteristik des zweiten Oberflächenwellen­ filterelements der Oberflächenwellenvorrichtung, die unter Verwendung des herkömmlichen Verfahrens erhalten wurde, wo­ bei die Vorrichtung, die zum Vergleich vorgesehen ist. Fig. 5 und Fig. 6 zeigen die Amplitudencharakteristik und die Reflexionscharakteristik des zweiten Oberflächenwellenfil­ terelements der Oberflächenwellenvorrichtung, die bei dem oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiel erhalten wurde.

Wie aus dem Vergleich der Ergebnisse aus Fig. 3, Fig. 4, Fig. 5 und Fig. 6 hervorgeht, ist es klar, daß gemäß dem Herstellungsverfahren des vorliegenden bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiels der Einfügungsverlust und das VSWR sehr ver­ bessert sind. Die Ergebnisse, die in Fig. 3 und Fig. 6 an­ gezeigt sind, werden in der nachfolgenden Tabelle 1 ge­ zeigt.

Tabelle 1

Fig. 7A bis 7F sind jeweils Schnittansichten des Herstel­ lungsverfahrens der Oberflächenwellenvorrichtung gemäß ei­ nem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegen­ den Erfindung. Elemente, die identisch zu ihren Gegenstüc­ ken bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel sind, sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen wie jene entsprechenden Elemente, die detaillierte Beschreibung der identischen Elemente wird weggelassen.

Bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Oberflächenwellenvorrichtung mit den gleichen Elektroden­ konstruktionen wie bei dem ersten bevorzugten Ausführungs­ beispiel hergestellt.

Zu Beginn wird ein negatives erstes Photoresist auf der ge­ samten oberen Oberfläche des piezoelektrischen Substrates aufgebracht. Eine Maske, in der ein Abschirmungsabschnitt der Abschnitt ist, bei dem die Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfilterelements 1 gebildet werden, wird auf dieser Resistschicht laminiert und freigelegt. Als nächstes wird durch Entfernen des freigelegten Resistabschnittes, wie in Fig. 7A gezeigt, das Resist 5 mit Strukturierung er­ halten. Die Strukturierung wird so durchgeführt, daß dieses Resist 5 bei einem Abschnitt nicht besteht, an dem die Kurzschlußverdrahtungselektrode 1b vorgesehen ist. Das Re­ sist 5 bleibt bei einem Abschnitt, der die Gesamtheit des Bereiches umfaßt, in dem die Elektroden des zweiten Ober­ flächenwellenfilterelements gebildet werden.

Als nächstes wird eine leitfähige Schicht mit im wesentli­ chen der gleichen Schichtdicke wie die der IDT-Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfilterelements auf der ge­ samten Oberfläche des piezoelektrischen Substrates 3 (Fig. 7B) gebildet.

Danach wird die leitfähige Schicht 4, die auf dem Resist 5 laminiert ist, mittels Abheben entlang des Resistes 5 ent­ fernt, wodurch sowohl die IDT-Elektroden 1a als auch die Verdrahtungselektrode 1b (Fig. 7C) gebildet werden. In die­ sem Fall werden, obwohl dies nicht in Fig. 7 gezeigt ist, die Reflektoren 1c und 1d aus Fig. 2B auf die gleiche Weise gebildet. Die Elektrodenschicht wird nicht in der Region gebildet, in der das zweite Oberflächenwellenfilterelement 2 hergestellt wird.

Da, wie oben beschrieben, die IDT-Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfilterelements 1 und die Verdrahtungselek­ trode 1b unter Verwendung des Abhebeverfahrens gebildet werden, wird die Region, in der die Elektroden des zweiten Oberflächenwellenfilterelements des piezoelektrischen Sub­ strates 3 gebildet werden, keinem Trockenätzen unterzogen, wodurch jeglicher Schaden an dem piezoelektrischen Substrat 3 beseitigt wird.

Danach wird das positive zweite Photoresist vorzugsweise auf der gesamten oberen Oberfläche des piezoelektrischen Substrates 3 angeordnet. Als nächstes wird auf der Seite, auf der das zweite Oberflächenwellenfilterelement 2 gebil­ det wird, die Maske, bei der ein Strukturabschnitt, wie z. B. jede der IDT-Elektroden 2a oder der Reflektor 2c oder 2d, als die Öffnung fungiert, auf dem Resist laminiert und freigelegt. Bei diesem Stadium erhöht Wärmebehandlung des Resistes 6 Adhäsion und Beständigkeit desselben gegen Wärme sehr.

Während des Erwärmens dieses Resistes 6 wird, da die Elek­ troden auf der Seite des ersten Oberflächenwellenfilterele­ ments 1, wie z. B. die IDT-Elektroden 1a und die Verdrah­ tungselektrode 1b, mit dem Resist 6 beschichtet werden, die obere Oberfläche des piezoelektrischen Substrates 3 auf der Seite des ersten Oberflächenwellenfilterelements 1 kaum be­ schädigt.

Auf die gleiche Weise wie bei dem ersten bevorzugten Aus­ führungsbeispiel werden, da durch die Verdrahtungselektrode 1b die Eingangs/Ausgangsanschlußflächen 13 und 14 und die Reflektoren 1c und 1d kurzgeschlossen werden, verhindert, daß Entladen während des Wärmens auftritt. Folglich wird Schaden an den IDT-Elektroden 1a und an dem Resist 6 ver­ hindert.

Danach kann durch Entfernen des freigelegten Resistes das Resist 6 mit Strukturierung wie in Fig. 7D erhalten werden.

Als nächstes wird die leitfähigen Schicht 7, die vorzugs­ weise im wesentlichen die gleiche Schichtdicke wie die Dic­ ke jeder der IDT-Elektroden 2a des zweiten Oberflächenwel­ lenfilterelements aufweist, ganz aufgebracht. In diesem Fall werden wegen der Aufbringung der leitfähigen Schicht 7 die IDT-Elektroden 2a, die die leitfähige Schicht 7 umfas­ sen, und, obwohl dies in Fig. 7 nicht gezeigt ist, die Re­ flektoren 2c und 2d und die Elektrodenanschlußflächen 23 und 24 in einer Region gebildet, in der das Resist 6 nicht vorhanden ist. Dadurch wird die Elektrodenkonstruktion auf der Seite des zweiten Oberflächenwellenfilterelements 2 ge­ bildet. Danach kann durch Abheben des Resistes 6 und der leitfähigen Schicht 7 auf dem Resist 6 und durch Abtrennen der Verdrahtungselektrode 1b auf die gleiche Weise wie bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel die Oberflächen­ wellenvorrichtung erhalten werden.

Bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel kann die Bildung der Elektroden des ersten Oberflächenwellenfil­ terelements unter Verwendung des Abhebeverfahrens durchge­ führt werden. Deshalb besteht während des Prozesses des Bildens der Elektroden auf der Seite des ersten Oberflä­ chenwellenfilterelements wegen des Trockenätzens oder eines anderen geeigneten Prozesses kein Risiko der Verschlechte­ rung des Abschnitts des piezoelektrischen Substrates auf der Seite, auf der das zweite Oberflächenwellenfilterele­ ment hergestellt wird. Entsprechend kann verglichen mit den herkömmlichen Verfahren eine Verschlechterung des Einfü­ gungsverlustes oder des VSWR auf der zweiten Oberflächen­ wellenfilterelementseite verhindert werden.

Bei dem Herstellungsverfahren gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel ist es vorzugsweise durch Beseitigen von Graten an dem Kantenabschnitt der IDT-Elektroden, um das Abheben zu erleichtern, vorzuziehen, daß das Resist 5 so aufgebaut ist, daß es einen nach unten hin spitz zulau­ fenden bzw. zum Substrat hin spitz zulaufenden Querschnitt hat, wie in Fig. 8A dargestellt. Das bedeutet, daß das Re­ sist 5 vorzugsweise so gebildet ist, daß mit zunehmender Annäherung an das piezoelektrische Substrat 3 die Breite jedes Elektrodenfingers zunimmt.

Bei dem Herstellungsverfahren gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel wird kein Trockenätzen benötigt. Nur die Ausführung eines zweistufigen Abhebeverfahrens ist nö­ tig. Folglich kann gegenüber dem ersten bevorzugten Ausfüh­ rungsbeispiel eine Vereinfachung des Prozesses erreicht werden.

Fig. 9A bis 9E sind jeweils Schnittansichten eines Herstel­ lungsverfahrens der Oberflächenwellenvorrichtung gemäß ei­ nem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegen­ den Erfindung.

Elemente, die mit ihren Gegenstücken in dem ersten bevor­ zugten Ausführungsbeispiel identisch sind, werden mit den gleichen Bezugszeichen wie ihre Gegenstückelemente ange­ zeigt, eine detaillierte Beschreibung derselben wird wegge­ lassen.

Bei dem vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel wer­ den, wie unter Verwendung der schematischen Schnittansicht aus Fig. 9E dargestellt ist, das erste und zweite Oberflä­ chenwellenfilterelement 1 und 2 auf dem piezoelektrischen Substrat 3 hergestellt. Die IDT-Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfilterelements 1 weisen einen Aufbau auf, bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenschichten laminiert werden, wobei die Elektrodenschicht jeder der IDT- Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfilterelements 1 vorzugsweise dicker ist als jede der IDT-Elektroden 2a des zweiten Oberflächenwellenfilterelements 2.

Zu Beginn wird ein negatives erstes Resist auf der gesamten oberen Oberfläche des piezoelektrischen Substrates 3 aufge­ bracht. Eine Maske, bei der ein Abschirmungsabschnitt ein Abschnitt ist, in dem die IDT-Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfilterelements 1, die IDT-Elektroden 2a des zweiten Oberflächenwellenfilterelements und die Reflek­ toren dieser Oberflächenwellenfilterelemente gebildet wer­ den, wird auf diesem ersten Resist laminiert und freige­ legt. Danach wird durch Entfernen des freiliegenden ersten Resistteiles die erste Resistschicht 5 mit der Strukturie­ rung aus Fig. 9A erhalten.

Als nächstes wird die leitfähige Schicht 4 mit im wesentli­ chen der gleichen Schichtdicke wie die jeder der IDT- Elektroden 2a des zweiten Oberflächenwellenfilterelements 2 auf der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substra­ tes 3 (Fig. 9B) gebildet.

Danach wird das positive zweite Resist auf der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrates 3 aufgebracht. Danach wird eine Maske laminiert und freigelegt, bei der ein Öffnungsabschnitt eine Region ohne eine Region ist, in der die Elektroden des zweiten Oberflächenwellenfilterele­ ments vorgesehen sind und mit einer Region ist, in der zu­ mindest das erste Oberflächenwellenfilterelement gebildet wird. Durch Entfernen des freigelegten Resistabschnittes wird die zweite Resistschicht 6 mit Strukturierung erhalten (Fig. 9C).

Da das Strukturieren dieser zweiten Resistschicht 6 kein Strukturieren zum Bilden des IDT-Elektrodenabschnittes ist, muß hohe Genauigkeit nicht unbedingt erforderlich sein.

Wie in Fig. 9C dargestellt, werden die IDT-Elektroden 2a durch das zweite Resist 6 auf der Seite des zweiten Ober­ flächenwellenfilterelements 2 geschützt.

Als nächstes wird die zweite leitfähigen Schicht 7 auf der gesamten Oberfläche der leitfähigen Schicht 4 laminiert. Die Dicke der zweiten leitfähigen Schicht 7 wird vorzugs­ weise so gewählt, daß die Gesamtdicke der zweiten leitfähi­ gen Schicht 7 und der leitfähigen Schicht 4 im wesentlichen genauso groß ist wie die Dicke der IDT-Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfilterelements oder wie die der Re­ flektoren 1c oder 1d (Fig. 9D).

Die Anzahl der laminierten leitfähigen Schichten wird nicht besonders eingeschränkt. Andere leitfähigen Schichten kön­ nen auch auf der leitfähigen Schicht 7 gebildet werden.

Alternativ kann eine Zwischenschicht, die Ti, NiCr oder ein anderes geeignetes Material umfaßt, zwischen der leitfähi­ gen Schicht 4 und der leitfähigen Schicht 7 aufgebracht werden, um deren Adhäsion zu erhöhen.

In beiden Fällen ist die Gesamtdicke der laminierten leit­ fähigen Schichten, die eine Zwischenschicht umfassen kön­ nen, vorzugsweise im wesentlichen genauso dick wie die IDT- Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellenfilterelements.

Danach werden die leitfähigen Schichten 4 und 7, die auf das erste und zweite Resist 5 und 6 aufgebracht sind, mit­ tels Abheben entlang des ersten und zweiten Resistes 5 und 6 entfernt. Auf diese Weise werden, wie in Fig. 9E darge­ stellt, die IDT-Elektroden 1a des ersten Oberflächenwellen­ filterelements 1 gebildet. In diesem Fall wird, wenn das Abheben durchgeführt wird, eine Trennflüssigkeit, die so­ wohl bei dem positiven Resist als auch bei dem negativen Resist wirksam ist, erwünschterweise benutzt, um die Pro­ zesse zu vereinfachen.

Obwohl das erste Resist das negative und das zweite Resist das positive ist, kann alternativ das erste Resist das po­ sitive Resist und das zweite Resist das negative Resist sein. In diesem Fall wird, wenn das Strukturieren bei dem zweiten Resist durchgeführt wird, die Region, in der die Elektroden des ersten Oberflächenwellenfilterelements 1 ge­ bildet werden, mit der Maske abgeschirmt, und die Freile­ gung des ersten Resistes wird verhindert, was eine Verfor­ mung des ersten Resistes 5 verhindert.

Bei dem Herstellungsverfahren gemäß dem vorliegenden bevor­ zugten Ausführungsbeispiel wird, da die Bildung der Elek­ troden des ersten Oberflächenwellenfilterelements unter Verwendung des Abhebeverfahrens durchgeführt wird, wenn die Elektroden des ersten Oberflächenwellenfilterelements ge­ bildet werden, die Region, in der das piezoelektrische Sub­ strat auf dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement gebil­ det wird, durch das Resist geschützt. Folglich wird vergli­ chen mit dem herkömmlichen Verfahren, bei dem die Bildung des ersten Oberflächenwellenfilterelements unter Verwendung des Trockenätzverfahrens durchgeführt wird, eine Ver­ schlechterung des Einfügungsverlustes und des VSWR des zweiten Oberflächenwellenfilterelements 2 verhindert.

Zusätzlich besteht, da während des zweiten Photolithogra­ phieprozesses nur Strukturieren durchgeführt wird, um die Seite des zweiten Oberflächenwellenfilterelements zu schüt­ zen, kein Bedarf, die Genauigkeit während des zweiten Pho­ tolithographieprozesses zu erhöhen. Folglich kann die Er­ wärmungstemperatur des Resistes 6 relativ niedrig sein, so daß pyroelektrische Zerstörung der IDT-Elektroden verhin­ dert wird. Deshalb besteht, obwohl die Verdrahtungselektro­ de bei dem ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsbei­ spiel vorzugsweise gebildet und abgetrennt wird, kein Be­ darf, eine derartige Kurzschlußverdrahtungselektrode zu bilden und dadurch kein Bedarf, den Abtrennungsprozeß aus­ zuführen.

Dennoch kann bei dem dritten bevorzugten Ausführungsbei­ spiel auf die gleiche Weise wie bei dem ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der Prozeß ausgeführt werden, bei dem die Kurzschlußverdrahtungselektrode gebildet und schließlich abgetrennt wird.

Ferner kann bei dem Herstellungsverfahren gemäß dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel, da die Resiste bei dem Elektrodenaufbau des ersten und zweiten Oberflächenwellen­ filterelements und den leitfähigen Schichten daran gleich­ zeitig mittels Abheben entfernt werden, der Prozeß verein­ facht werden.

Wenn das erste Resist 5 das positive Resist ist, wird eine Verformung des ersten Resistes während des Strukturierens des zweiten Resistes dadurch zuverlässig verhindert, daß das zweite Resist das negative Resist ist.

Claims (17)

1. Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvor­ richtung, die ein erstes (1) und ein zweites (2) Ober­ flächenwellenelement mit Interdigitalwandlern (IDT), die voneinander unterschiedliche Dicken aufweisen, auf einem einzelnen piezoelektrischen Substrat (3) umfaßt, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Bereitstellen eines piezoelektrischen Substrates (3);
Bilden einer ersten leitfähigen Schicht (4) auf der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrates (3);
Aufbringen eines ersten Resistes (5) auf der gesamten Oberfläche der ersten leitfähigen Schicht (4) und Strukturieren des ersten Resistes;
Trockenätzen der ersten leitfähigen Schicht (4) unter Verwendung des strukturierten ersten Resistes (5), um auf dem piezoelektrischen Substrat IDT-Elektroden (1a) eines ersten Oberflächenwellenelements (1), eine Kurz­ schlußverdrahtungselektrode (1b) zum Bilden einer elektrischen Verbindung zwischen kammförmigen Elektro­ den der IDT-Elektroden, und eine leitfähige Schicht zu bilden, die in einer Region vorgesehen ist, die den gesamten Bereich umfaßt, in dem das zweite Oberflä­ chenwellenelement hergestellt wird;
Entfernen der leitfähigen Schicht (4) in der Region, die den gesamten Bereich umfaßt, in dem das zweite Oberflächenwellenelement (2) hergestellt wird;
Aufbringen eines zweiten Resistes (6) auf der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrates (3) und Erwärmen des zweiten Resistes;
Strukturieren des zweiten Resistes (6) in einem Ab­ schnitt, in dem die Elektroden des zweiten Oberflä­ chenwellenelements (2) gebildet werden;
Bilden einer zweiten leitfähigen Schicht (7) mit einer Dicke, die sich von der der ersten leitfähigen Schicht (4) unterscheidet, und mit im wesentlichen der glei­ chen Schichtdicke wie die Elektrodenschichtdicke des zweiten Oberflächenwellenelements (2) auf der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrates (3);
Entfernen des zweiten Resistes (6) durch ein Abhebe­ verfahren, um die Elektroden des zweiten Oberflächen­ wellenelements (2) zu bilden und um die Elektroden des ersten Oberflächenwellenelements (1) freizulegen; und
Abtrennen der Kurzschlußverdrahtungselektrode (1b) in dem ersten Oberflächenwellenelement (1).

2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem der Schritt des Entfernens der leitfähigen Schicht in der Region, die den gesamten Bereich umfaßt, in dem das zweite Ober­ flächenwellenelement (2) hergestellt wird, mittels ei­ nes Naßätzens durchgeführt wird.

3. Verfahren gemäß Anspruch 2, bei dem das Trockenätzen unter Verwendung eines Ätzmittels durchgeführt wird, das die leitfähige Schicht entfernen kann, ohne das zweite Resist (6) zu beeinflussen.

4. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das piezoelektri­ sche Substrat (3) aus einem piezoelektrischen Einkri­ stall, einer piezoelektrischen Keramik oder einem iso­ lierenden Substrat mit einer darauf angeordneten pie­ zoelektrischen Dünnschicht besteht.

5. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem der Schritt des Bildens der ersten leitfähigen Schicht (4) auf, der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrates (3) mittels einer Verdampfung, eines Zerstäubens bzw. Sputterns oder eines Plattierens durchgeführt wird.

6. Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvor­ richtung, die ein erstes (1) und ein zweites (2) Ober­ flächenwellenelement mit Interdigitalwandlern, die voneinander unterschiedliche Dicken aufweisen, auf ei­ nem einzelnen piezoelektrischen Substrat (3) umfaßt, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Bereitstellen eines piezoelektrischen Substrates (3);
Aufbringen eines ersten Resistes (5) auf der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrates (3);
Entfernen des ersten Resistes (5) in einem Bereich, in dem Elektroden des ersten Oberflächenwellenelements (1) gebildet werden sollen und in einem Bereich, in dem eine Verdrahtungselektrode (1b) zum Kurzschließen zwischen den kammartigen Elektroden der IDT-Elektroden des ersten Oberflächenwellenelements (1) gebildet wer­ den soll;
Bilden einer ersten leitfähigen Schicht (4) mit im we­ sentlichen der gleichen Schichtdicke wie die Elektro­ denschichtdichte des ersten Oberflächenwellenelements (1) auf der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrates (3);
Abheben des ersten Resistes (5) und der ersten leitfä­ higen Schicht (4), die auf das erste Resist aufge­ bracht ist, um die Elektroden des ersten Oberflächen­ wellenelements (1) und die Verdrahtungselektrode (1b) zu bilden;
Aufbringen eines zweiten Resistes (6) auf der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrates (3) und Erwärmen des piezoelektrischen Substrates;
Entfernen des zweiten Resistes (6) in einem Bereich, in dem die Elektroden des zweiten Oberflächenwel­ lenelements (2) gebildet werden;
Aufbringen einer zweiten leitfähigen Schicht (7) mit im wesentlichen der gleichen Schichtdicke wie die Elektrodenschichtdicke des zweiten Oberflächenwel­ lenelements (2) auf der gesamten Oberfläche des piezo­ elektrischen Substrates;
Abheben des zweiten Resistes (6) und der zweiten leit­ fähigen Schicht (7), die auf das zweite Resist aufge­ bracht ist, um die Elektroden des zweiten Oberflächen­ wellenelements (2) zu bilden; und
Abtrennen der Kurzschlußverdrahtungselektrode (1b) in dem ersten Oberflächenwellenelement (1).

7. Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem das piezoelektri­ sche Substrat (3) aus einem piezoelektrischen Einkri­ stall, einer piezoelektrischen Keramik oder einem iso­ lierenden Substrat mit einer darauf angeordneten pie­ zoelektrischen Dünnschicht besteht.

8. Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem nach dem Schritt des Entfernens des ersten Resistes (5) in einem Be­ reich, in dem Elektroden des ersten Oberflächenwel­ lenelements (1) gebildet werden sollen und in einem Bereich, in dem eine Verdrahtungselektrode (1b) zum Kurzschließen zwischen den kammförmigen Elektroden der IDT-Elektroden des ersten Oberflächenwellenelements (1) gebildet werden soll, das erste Resist (5) in ei­ nem Abschnitt bleibt, der den gesamten Bereich umfaßt, in dem die Elektroden des zweiten Oberflächenwellen­ filterelements (2) gebildet werden.

9. Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem das erste Resist (5) einen zum Substrat hin schmaler werdenden Quer­ schnitt aufweist.

10. Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvor­ richtung, die ein erstes (1) und ein zweites (2) Ober­ flächenwellenelement mit Interdigitalwandlern, die voneinander unterschiedliche Dicken aufweisen, auf ei­ nem einzelnen piezoelektrischen Substrat umfaßt, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Bereitstellen eines piezoelektrischen Substrates (3);
Aufbringen eines ersten Resistes (5) auf der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrates (3);
Entfernen des ersten Resistes (5) in einem Bereich, in dem Elektroden des ersten und zweiten Oberflächenwel­ lenelements gebildet werden sollen;
Bilden einer ersten leitfähigen Schicht (4) mit im we­ sentlichen der gleichen Schichtdicke wie die Elektro­ denschichtdicke des zweiten Oberflächenwellenelements (2) auf der gesamten Oberfläche des piezoelektrischen Substrates (3);
Aufbringen eines zweiten Resistes (6) auf der gesamten Oberfläche der piezoelektrischen Oberfläche;
Entfernen des zweiten Resistes (6) in einem Bereich, in dem zumindest die Elektroden des ersten Oberflä­ chenwellenelements (1) gebildet werden, mit Ausnahme eines Abschnitts, in dem sich das zweite Oberflächen­ wellenelement (2) befindet;
Aufbringen einer zweiten leitfähigen Schicht (7) auf der ersten leitfähigen Schicht (4) unter Verwendung des ersten und zweiten Resistes; und
Entfernen des ersten Resistes (5) und des zweiten Re­ sistes (6) durch ein Abhebeverfahren, um Interdigital­ wandler des ersten (1) und zweiten (2) Oberflächenwel­ lenelements zu bilden.

11. Verfahren gemäß Anspruch 10, bei dem das piezoelektri­ sche Substrat (3) aus einem piezoelektrischen Einkri­ stall, einer piezoelektrischen Keramik oder einem iso­ lierenden Substrat mit einer darauf angeordneten pie­ zoelektrischen Dünnschicht besteht.

12. Verfahren gemäß Anspruch 10, bei dem das erste Resist (5) ein negatives Resist ist.

13. Verfahren gemäß Anspruch 10, bei dem das erste Resist (5) ein positives Resist und das zweite Resist (6) ein negatives Resist ist, und bei dem nur eine Trennflüs­ sigkeit zum Abheben des ersten und des zweiten Resi­ stes verwendet wird.

14. Verfahren gemäß Anspruch 10, das ferner den Schritt des Bildens von zusätzlichen leitfähigen Schichten zu­ sätzlich zu der ersten (4) und zweiten (7) leitfähigen Schicht auf dem piezoelektrischen Substrat (3) auf­ weist.

15. Verfahren gemäß Anspruch 10, bei dem die Gesamtdicke aller leitfähigen Schichten im wesentlichen genauso groß wie die Dicke der IDT-Elektroden des ersten Ober­ flächenwellenfilterelements (1) ist.

16. Verfahren gemäß Anspruch 10, das ferner den Schritt des Bildens einer Zwischenschicht zwischen der ersten leitfähigen Schicht (4) und der zweiten leitfähigen Schicht (7) aufweist.

17. Verfahren gemäß Anspruch 16, bei dem die Gesamtdicke der ersten (4) und der zweiten (7) leitfähigen Schicht und der Zwischenschicht im wesentlichen genauso groß wie die Dicke der IDT-Elektroden des ersten Oberflä­ chenwellenfilterelements (1) ist.