Die Dicke von Halbleiterchipmodulen, die aus einem Halblei
terchip und einem Träger zusammengesetzt sind, zum Beispiel
von Controller-Modulen oder Speichermodulen, liegt derzeit
bei typisch etwa 185 µm. Der Halbleiterchip macht den wesent
lichen Anteil der Dicke des Chipmoduls aus. Aus verschiedenen
Gründen (unter anderem zur Kosteneinsparung durch Reduzierung
der Abdeckmasse der Gehäuse und zur Erhöhung der Stabilität)
ist es wünschenswert, die Gesamtdicke eines Chipmoduls deut
lich zu verringern.The thickness of semiconductor chip modules that consist of a half lead
terchip and a carrier are composed, for example
of controller modules or memory modules, is currently
typically around 185 µm. The semiconductor chip does the essential
share of the thickness of the chip module. From different
Reasons (among other things to save costs by reducing
the covering mass of the housing and to increase stability)
it is desirable to indicate the total thickness of a chip module
diminish.
Bei den üblichen automatischen Herstellungsverfahren werden
die Chips in einem Wafer hergestellt, der anschließend in die
einzelnen Chips zersägt wird. Nach dem Zersägen des Wafers
werden die Chips von einem Automaten (Pick-up-Tool) aufgenom
men und auf einem für das Chipmodul vorgesehenen Träger ange
bracht. Ein schneller und sicherer Pick-up-Prozess ist bis
lang nur bis zu Chipdicken von etwa 120 µm möglich. Ein z. B.
auf 90 µm gedünnter Chip würde bei einer automatischen Auf
nahme zerbrechen. Die mögliche Reduzierung der Chipdicke ist
daher durch die Fertigungstechnologie begrenzt.The usual automatic manufacturing processes
the chips are made in a wafer, which is then placed in the
individual chips is sawn. After sawing the wafer
the chips are picked up by a machine (pick-up tool)
men and on a carrier provided for the chip module
introduced. A quick and safe pick-up process is up
long only possible up to chip thicknesses of around 120 µm. A z. B.
chip thinned to 90 µm would automatically open
break break. The possible reduction in chip thickness is
therefore limited by manufacturing technology.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Halbleiter
chip reduzierter Dicke bei geringer Bruchempfindlichkeit an
zugeben, mit dem insbesondere gehäuste Chips oder Chipmodule
reduzierter Dicke einfach herstellbar sind.The object of the present invention is a semiconductor
chip of reduced thickness with low sensitivity to breakage
admit, in particular, packaged chips or chip modules
reduced thickness are easy to manufacture.
Diese Aufgabe wird mit dem Halbleiterchip mit den Merkmalen
des Anspruches 1 gelöst. Ausgestaltungen ergeben sich aus den
abhängigen Ansprüchen.This task is accomplished with the semiconductor chip with the features
of claim 1 solved. Refinements result from the
dependent claims.
Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterchip ist auf einer Haupt
seite, z. B. auf der Rückseite eines bei der Herstellung ver
wendeten Halbleiterkörpers oder Substrates, eine elastische
Folie auflaminiert. Damit ist es möglich, die gesamte Dicke
des Halbleiterchips einschließlich der Folie auf höchstens
150 µm zu reduzieren, wobei diese gesamte Dicke bei bevorzug
ten Ausführungsformen typisch nur höchstens etwa 100 µm be
trägt. Als Folie wird vorzugsweise kupferkaschiertes Polyimid
verwendet. Bei einer bevorzugten Ausgestaltung des Halblei
terchips besitzen die Folie und/oder der damit versehene
restliche Anteil des Halbleiterchips (das heißt, der eigent
liche Halbleiterkörper oder ein mit einer Halbleiterschicht
struktur versehenes Substrat) je eine Dicke von höchstens
50 µm.In the semiconductor chip according to the invention is on one main
side, e.g. B. on the back of a ver in the manufacture
applied semiconductor body or substrate, an elastic
Laminated film. It is possible to use the entire thickness
of the semiconductor chip including the film to at most
To reduce 150 microns, this total thickness is preferred
Embodiments typically only be at most about 100 microns
wearing. The foil is preferably copper-clad polyimide
used. In a preferred embodiment of the half lead
Terchips have the film and / or the film provided with it
remaining portion of the semiconductor chip (that is, the actual
Liche semiconductor body or one with a semiconductor layer
structure-provided substrate) each has a maximum thickness
50 µm.
Die beigefügte Figur zeigt einen erfindungsgemäßen Halblei
terchip in einer seitlichen Ansicht oder in einem Quer
schnitt. Der eigentliche Halbleiterchip, das heißt im Wesent
lichen ein Halbleiterkörper oder ein mit einer Halbleiter
schichtstruktur versehenes Substrat 3, besitzt zwei Hauptsei
ten 1, 2, die üblicherweise von einer nicht mit Bauelementen
einer Schaltung versehenen Rückseite 1 eines bei der Ferti
gung verwendeten Substrates und einer mit den Bauelementen
versehenen Oberseite 2 gebildet werden. Die für einen Betrieb
des Bauelementes oder der integrierten Schaltung erforderli
chen elektrischen Anschlüsse werden daher, mit Ausnahme eines
möglicherweise vorhandenen Substratkontaktes, üblicherweise
durch Anschlusskontakte auf der Oberseite 2 gebildet.The attached figure shows a semiconductor terchip according to the invention in a side view or in a cross section. The actual semiconductor chip, that is to say essentially a semiconductor body or a substrate 3 provided with a semiconductor layer structure, has two main sides 1 , 2 , which are usually provided by a circuit 1 not provided with components of a circuit 1 of a substrate used in production and one with the components provided top 2 are formed. The electrical connections required for operation of the component or the integrated circuit are therefore, with the exception of a substrate contact that may be present, usually formed by connection contacts on the upper side 2 .
Der eigentliche Halbleiterchip, das heißt im Wesentlichen der
Halbleiterkörper oder das mit einer Halbleiterschichtstruktur
versehene Substrat 3, besitzt eine Dicke 5, die bislang ty
pisch bei 185 µm liegt. Bei dem erfindungsgemäßen Halbleiter
chip ist diese Dicke 5 auf typisch etwa 50 µm reduziert. Auf
der einen Hauptseite 1, vorzugsweise der Rückseite des Halb
leiterkörpers oder Substrates, ist eine elastische Folie 4
auflaminiert, die eine Dicke 6 von typisch etwa 40 µm auf
weist. Die gesamte Dicke des erfindungsgemäßen Halbleiter
chips beträgt bei diesem Ausführungsbeispiel daher etwa
90 µm.
The actual semiconductor chip, that is to say essentially the semiconductor body or the substrate 3 provided with a semiconductor layer structure, has a thickness 5 which has hitherto been typically 185 μm. In the semiconductor chip according to the invention, this thickness 5 is reduced to typically about 50 μm. On one main side 1 , preferably the back of the semiconductor body or substrate, an elastic film 4 is laminated, which has a thickness 6 of typically about 40 microns. The total thickness of the semiconductor chips according to the invention is therefore about 90 microns in this embodiment.
Diese gesamte Dicke 5, 6 liegt bei dem erfindungsgemäßen
Halbleiterchip allgemein in dem Bereich von 70 µm bis 100 µm.
Wegen der somit geringen Dicke und der mechanischen Unter
stützung durch die auflaminierte Folie ist der erfindungsge
mäße Halbleiterchip daher besonders elastisch und bruchunemp
findlich. Die Folie schützt die betreffende Hauptseite des
Halbleiterchips außerdem vor Beschädigungen. Die Folie wird
z. B. auf die Hauptseite 1 aufgeklebt. Wenn die von dem Halb
leiterchip abgewandte Oberseite der Folie ebenfalls mit einem
Kleber beschichtet wird, kann der erfindungsgemäße Halblei
terchip damit direkt auf einen Träger aufgeklebt werden und
auf diese Weise ein Chipmodul hergestellt werden.In the semiconductor chip according to the invention, this total thickness 5 , 6 is generally in the range from 70 μm to 100 μm. Because of the small thickness and the mechanical support from the laminated film, the semiconductor chip according to the invention is therefore particularly elastic and sensitive to breakage. The film also protects the relevant main side of the semiconductor chip from damage. The film is z. B. glued to the main page 1 . If the upper side of the film facing away from the semiconductor chip is also coated with an adhesive, the semiconductor chip according to the invention can thus be glued directly onto a carrier and a chip module can be produced in this way.
Die Herstellung eines Chipmoduls unter Verwendung eines er
findungsgemäßen Halbleiterchips unterscheidet sich nicht
grundsätzlich von der Herstellung bisheriger Chipmodule; ein
mit einem erfindungsgemäßen Halbleiterchip versehenes Chip
modul kann aber, und zwar auch unter Einsatz automatisierter
Fertigungsverfahren, in einer gegenüber herkömmlichen Chipmo
dulen wesentlich reduzierten Dicke hergestellt werden. Eine
reduzierte Dicke eines gehäusten Chips ist mit dieser Erfin
dung bei allen an sich für Halbleiterchips bekannten Gehäuse
formen problemlos realisierbar.The manufacture of a chip module using a he
Semiconductor chips according to the invention do not differ
basically from the production of previous chip modules; on
chip provided with a semiconductor chip according to the invention
module can, however, and also using automated
Manufacturing process, in a compared to conventional Chipmo
dulen significantly reduced thickness. A
reduced thickness of a packaged chip is with this inven
in all cases known per se for semiconductor chips
shapes can be easily realized.