DE102004055463B4

DE102004055463B4 - Integrierte Schaltungsvorrichtung mit Kondensatorelektroden mit darauf befindlichen Isolier-Spacern und Verfahren zur Herstellung derselben

Info

Publication number: DE102004055463B4
Application number: DE102004055463A
Authority: DE
Inventors: In-joon Suwon Yeo; Tae-hyuk Yongin Ahn; Kwang-wook Seongnam Lee; Jeong-sic Hwaseong Jeon; Jung-woo Suwon Seo
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-11-17
Filing date: 2004-11-17
Publication date: 2011-05-12
Anticipated expiration: 2024-11-18
Also published as: US7314795B2; US20060180843A1; JP2005150747A; KR100546395B1; US20080096347A1; US20050104110A1; US7053435B2; KR20050055077A; US20090032905A1; US7491601B2; US7888725B2; DE102004055463A1

Abstract

Integrierte Schaltungsvorrichtung, mit:
einem Substrat (500, 600);
einer ersten auf dem Substrat (500, 600) vorgesehenen Kondensatorelektrode (505', 605'), wobei die erste Kondensatorelektrode (505', 605') eine Elektrodenwand aufweist, welche sich weg von dem Substrat (500, 600) erstreckt;
einem an dem Endbereich der Elektrodenwand, welcher von dem Substrat (500, 600) abliegt, vorgesehenen Isolier-Spacer (508', 608'), wobei Abschnitte der Elektrodenwand zwischen dem Substrat (500, 600) und dem Isolier-Spacer (508', 608') frei von dem Isolier-Spacer (508', 608') sind;
einer dielektrischen Kondensatorschicht auf der ersten Kondensatorelektrode (508', 608'); und
einer zweiten Kondensatorelektrode, welche auf der dielektrischen Kondensatorschicht gegenüberliegend der ersten Kondensatorelektrode (505', 605') vorgesehen ist, wobei Isolier-Spacer (508', 608') jeweils auf Außen- und Innenoberflächen der ersten Kondensatorelektrode (505', 605') und zwischen der ersten und zweiten Kondensatorelektrode (505', 605') ausgebildet sind und eine Dicke des Isolier-Spacers (508', 608') zwischen der ersten und der zweiten Kondensatorelektrode größer als eine Dicke der dielektrischen...

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Elektronik und insbesondere eine integrierte Schaltungsvorrichtung nach dem Anspruch 1, sowie ein Verfahren zum Ausbilden einer integrierten Schaltungsvorrichtung nach dem Anspruch 5.
Aus der US 6 617 222 B1 ist ein Verfahren zur Ausbildung einer Halbleitervorrichtung bekannt, gemäß welchem eine Schicht in Form einer behälterförmigen Kondensatorschicht mit einer Bodenplattenschicht auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet wird. Die Bodenplattenschicht wird so ausgebildet, dass ein Behältnis mit einem Randabschnitt definiert wird, der eine Öffnung festlegt, die zum Inneren des Behältnisses führt. Die Bodenplattenschicht wird so ausgebildet, daß sie eine glatte Struktur besitzt. Anschließend wird eine Sperrschicht an dem Rand der Bodenplattenschicht ausgebildet, wobei aber ein Hauptteil des Behältnisses, welches durch die Bodenplattenschicht definiert ist, von der Sperrschicht freigehalten wird. Wenn die Sperrschicht an dem Randabschnitt der Bodenplattenschicht ausgebildet worden ist, wird wenigstens ein Abschnitt des Behältnisses in eine rauhe Struktur umgewandelt. Auch wird bei diesem bekannten Verfahren an einem vom Substrat entfernten Endbereich des die Kondensatorelektrode bildenden Behältnisses ein Spacer vorgesehen, wobei Abschnitte der Elektrodenwand zwischen dem Substrat und dem Spacer frei von dem Spacer gehalten sind.
Aus der nachveröffentlichten Offenlegungsschrift WO 2005/024936 A2 mit älterem Zeitrang ist eine Halbleitervorrichtung mit vertikalen Kondensatoren bekannt, bei denen zwischen den einzelnen Kondensatoren Strukturen zum gegenseitigen Abstützen der unteren Kondensatorelektroden ausgebildet sind.
Aus der US 5,905,280 A ist ein vertikaler Kondensator bei einer Halbleitervorrichtung bekannt, wobei die Kondensatorelektroden um einen Spacer herum ausgebildet sind, um die Oberfläche der Kondensatorelektroden zu vergrößern.
Da DRAM(DRAM = dynamic random access memory)-Vorrichtungen eine zunehmend hohe Integrationsdichte aufweisen, wird die für jede Speicherzelle verfügbare Fläche verringert. Eine Fläche des Substrats, die für jeden Speicherzellenkondensator verfügbar ist, kann entsprechend verringert werden, sodass es schwierig sein kann, bei zunehmender Integrationsdichte, eine gewünschte Speicherzellkapazität beizubehalten. Verringerte Speicherzellkapazitäten können eine Softfehlerrate erhöhen, den Speicherzellbetrieb bei geringen Spannungen verschlechtern und/oder öftere Speicher-Refresh-Vorgänge erforderlich machen. Es existiert dementsprechend ein Bedarf, einen Speicherzellenkondensator vorzusehen, welcher eine verringerte Oberfläche des Speichervorrichtungssubstrats einnimmt, obwohl eine gewünschte Kapazität beibehalten wird.
Daraufhin wurden Kondensatoren, welche dreidimensionale Strukturen aufweisen, vorgeschlagen, um die Oberfläche der Kondensatorelektroden zu erhöhen, wodurch sich die Kapazität des resultierenden Kondensators erhöht. Insbesondere können zylindrische Elektrodenanordnungen verwendet werden, wobei Innen- und Außenoberflächen eines Zylinders zur Vergrößerung einer effektiven Fläche einer Kondensatorelektrode verwendet werden. Eine Oberfläche einer zylindrischen Kondensatorelektrodenanordnung kann durch Erhöhung einer Höhe der Anordnung weiter vergrößert werden.
Wie in den 6A bis B gezeigt, kann z. B. eine zylindrische Elektrodenanordnung ausgebildet werden. Wie in 6A gezeigt, können eine Isolierschicht 701 und eine Ätzstoppschicht 703 auf einem Substrat 700 ausgebildet werden, und Leitungs-Plugs 702 können eine elektrische Kopplung durch die Ätzstoppschicht 703 und die Isolierschicht 701 vorsehen. Eine erste Opferschicht 704 kann auf der Ätzstoppschicht 703 ausgebildet werden, und durch die erste Opferschicht 704 verlaufende Löcher können die Leitungs-Plugs 702 freilegen. An Seitenwänden der Löcher in der ersten Opferschicht 704 können zylindrische Elektroden 705 ausgebildet werden und eine zweite Opferschicht 706 kann innerhalb der zylindrischen Elektroden vorgesehen werden.
Die Opferschichten 704 und 706 können, wie in 6B gezeigt, entfernt werden, so daß die Innenoberflächen und Außenoberflächen der zylindrischen Elektroden 705 freigelegt werden, und eine dielektrische Kondensatorschicht sowie eine zweite Kondensatorelektrode auf den freigelegten Oberflächen der zylindrischen Elektroden 705 ausgebildet werden. Bei relativ hohen und/oder dicht gepackten zylindrischen Elektrodenanordnungen können benachbarte zylindrische Elektroden jedoch Kontakt bilden, wenn die durch die Opferschichten vorgesehene Halterung entfernt wird. Wie in 6B gezeigt, kann sich somit ein elektrischer Kurzschluß zwischen benachbarten zylindrischen Elektroden an 707 vor der Ausbildung einer dielektrischen Kondensatorschicht ergeben. Die zylindrischen Elektroden können z. B., wenn diese nach Entfernen der Opferschicht gereinigt und/oder getrocknet werden, Kontakt bilden.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, eine integrierte Schaltungsvorrichtung mit Kondensatorelektroden und ein Verfahren zur Herstellung einer solchen zu schaffen, bei der bzw. durch welches die Wahrscheinlichkeit der Ausbildung von elektrischen Kurzschlüssen zwischen benachbarten Kondensatorelektroden stark reduziert werden kann, jedoch eine hohe Integrationsdichte gewährleistet werden kann.
In Verbindung mit der integrierten Schaltungsvorrichtung nach der Erfindung wird die genannte Aufgabe durch die in Anspruch 1 aufgeführten Merkmale gelöst.
Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der erfindungsgemäßen integrierten Schaltungsvorrichtung ergeben sich aus den Unteransprüchen 2 bis 4.
In Verbindung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Ausbilden einer integrierten Schaltungsvorrichtung wird die genannte Aufgabe durch die in Anspruch 5 aufgeführten Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen 6 bis 8.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine Querschnittsansicht einer Speichervorrichtung mit Kondensatorelektroden (keine Ausführungsform der beanspruchten Erfindung).
2A bis 2F sind Querschnittsansichten, welche Schritte zum Herstellen von Elektroden darstellen (keine Ausführungsform der beanspruchten Erfindung).
3A bis 3F sind Querschnittsansichten, welche Schritte zum Herstellen von Elektroden darstellen (keine Ausführungsform der beanspruchten Erfindung).
4A bis 4B sind Querschnittsansichten, welche Schritte zum Herstellen von Elektroden entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
5A bis 5B sind Querschnittsansichten, welche Schritte zum Ausbilden von Elektroden entsprechend einer weitereren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
6A bis 6B sind Querschnittsansichten, welche Schritte zum Ausbilden von Elektroden entsprechend einer der Anmelderin bekannten Technik darstellen.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Die vorliegende Erfindung wird im folgenden in Bezug auf die begleitenden Zeichnungen ausführlicher Beschrieben, in welchen unter anderen bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung gezeigt sind. In den Zeichnungen ist die Größe und Dicke der Schichten und Bereiche zu Zwecken der Klarheit übertrieben dargestellt. Es ist ebenfalls selbstverständlich, daß wenn die Rede davon ist, daß sich eine Schicht auf einer anderen Schicht oder einem Substrat befindet, diese direkt auf der anderen Schicht oder dem Substrat ausgebildet sein kann oder Zwischenschichten vorhanden sein können. Es ist ebenfalls selbstverständlich, daß, wenn die Rede davon ist, daß eine Schicht oder ein Element mit einer anderen Schicht oder einem anderen Element verbunden oder gekoppelt ist, diese mit der anderen Schicht oder dem anderen Element direkt verbunden oder gekoppelt sein können, oder Zwischenschichten bzw. Zwischenelemente vorhanden sein können.
Eine elektronische Vorrichtung kann Elektroden 101 enthalten, welche Elektrodenwände 103 aufweisen, welche sich von einem Substrat 105 (wie z. B. einem Siliziumsubstrat) erstrecken. Zusätzlich können Isolier-Spacer 107 (wie z. B. Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxinitrid-Spacer) an den Elektrodenwänden 103 vorgesehen sein, so daß Abschnitte der Elektrodenwände zwischen dem Substrat 105 und den Isolier-Spacern 107 frei von den Isolier-Spacern 107 sind. Insbesondere kann eine Isolierschicht 109 (wie z. B. eine Siliziumoxidschicht) zwischen den Kondensatorelektroden 101 und dem Substrat 105 vorgesehen sein, und Leitungs-Plugs 111 (wie z. B. dotierte Polysilizium-Plugs) können eine elektrische Kopplung zwischen den Kondensatorelektroden 101 und einer Oberfläche des Substrats 105 vorsehen.
Die Kondensatorelektroden 101 können z. B. erste Elektroden von Speicherkondensatoren für eine DRAM-Vorrichtung sein. Darüber hinaus können die Leitungs-Plugs 111 eine elektrische Verbindung zwischen den Elektroden 101 und Source-Drain Bereichen 115 von Speicherzellzugriffstransistoren vorsehen. Die Speicherzellzugriffstransistoren können ebenfalls Gate-Elektroden 117, die elektrische Gate-Schichten 119 und zweite Source-Drain Bereiche 121 (welche mit einer in 1 nicht dargestellten Wort-Leitung (IN) gekoppelt sind) enthalten. Zusätzlich kann eine dielektrische Kondensatorschicht (IN) 131 auf den ersten Kondensatorelektroden 101 vorgesehen sein, und eine zweite Kondensatorelektrode bzw. -elektroden 133 kann auf der dielektrischen Kondensatorschicht bzw. den -schichten 131 gegenüberliegend den ersten Kondensatorelektroden 101 vorgesehen sein. Die elektronische Vorrichtung kann ebenfalls eine Ätzstoppschicht 123 (wie z. B. eine Siliziumnitridschicht) zwischen der Isolierschicht 109 und der Elektroden 101 enthalten.
Die in 1 dargestellte Vorrichtung ist selbst keine Ausführungsform der beanspruchten Erfindung, aber dient zum Verständnis derselben.
Wie in 1 gezeigt können die Spacer 107 an Elektrodenwänden 103 an Enden der Elektrodenwände 103 vorgesehen sein. Entsprechend der Erfindung erstrecken sich die Elektrodenwände jedoch über die Spacer hinaus Entsprechend zusätzlichen Ausführungsformen können in den Elektrodenwänden 103 benachbart an die Spacer 107 Aussparungen vorgesehen sein, so daß die Spacer 107 an dünneren Abschnitten der Elcktrodenwände sich nicht wesentlich über breitere Abschnitte der Elektrodenwände hinaus erstrecken. Die Spacer 107 können die Wahrscheinlichkeit von Kurzschlüssen zwischen ersten Kondensatorelektroden 101 reduzieren, falls benachbarte Elektrodenwände 103 unterschiedlicher Elektrodenwände 101 vor der Ausbildung der dielektrischen Kondensatorschicht 131 und/oder der zweiten Kondensatorelektrode 123 Kontakt bilden.
Das in den 2A bis 2F dargestellte Verfahren ist selbst keine Ausführungsform der beanspruchten Erfindung, aber dient dem Verständnis derselben.
Im folgenden werden Schritte zur Herstellung von Elektroden entsprechend von Ausführungsformen in Bezug auf die 2A bis F behandelt. Wie in 2A gezeigt kann eine Isolierschicht 201 (wie z. B. eine Siliziumoxidschicht) auf einem Substrat 200 (wie z. B. einem Siliziumsubstrat) ausgebildet werden, und eine Ätzstoppschicht 203 (wie z. B. eine Siliziumnitridschicht) kann auf der Isolierschicht 201 ausgebildet werden. Durch die Isolierschichten 201 und Ätzstoppschichten 203 können Öffnungen ausgebildet werden, und Leitungs-Plugs 202 (wie z. B. Polysilizium-Plugs) können in den Öffnungen ausgebildet werden, um durch die Isolierschicht 201 und die Ätzstoppschicht 203 eine elektrische Verbindung vorzusehen. Die Leitungs-Plugs 202 können z. B. durch Abscheiden einer Polysiliziumschicht auf der Ätzstoppschicht 203 und in Öffnungen in der Ätzstoppschicht 203 und der Isolierschicht 201 und anschließendem Rückätzen und/oder Rückpolieren der Polysiliziumschicht zum Freilegen von Abschnitten der Ätzstoppschicht 203, während das Polysilizium in den Öffnungen der Isolierschicht 201 beibehalten wird, ausgebildet werden.
Eine erste Opferschicht 204 kann auf der Ätzstoppschicht 203 und auf freigelegten Abschnitten der Leitungs-Plugs 202 ausgebildet werden, und in der ersten Opferschicht 204 befindliche Löcher können die Leitungs-Plugs 202 freilegen. Die Opferschicht kann z. B. eine Schicht eines Materials sein, welches sich von einem Material der Ätzstoppschicht 203 unterscheidet, so daß die erste Opferschicht 204 selektiv entfernt werden kann, ohne die Ätzstoppschicht 203 wesentlich zu entfernen. Die erste Opferschicht 204 kann insbesondere eine Schicht eines Isoliermaterials wie z. B. Siliziumoxid und/oder Siliziumoxinitrid sein. Überdies kann die erste Opferschicht zwei oder mehr getrennt ausgebildete Schichten des gleichen oder unterschiedlicher Materialien enthalten.
Anschließend wird eine Leitungsschicht 205 auf der ersten Opferschicht 204 einschließlich der Löcher darin und den freigelegten Abschnitten der Leitungs-Plugs 202 ausgebildet. Obwohl in 2A nicht gezeigt, können die Löcher in der ersten Opferschicht Abschnitte der Ätzstoppschicht 203, welche benachbart zu den Leitungs-Plugs 202 angeordnet sind, freilegen, so daß sich die Leitungsschicht 205 auf freigelegte Abschnitte der Ätzstoppschicht 203 erstrecken kann. Die Leitungsschicht 205 kann insbesondere eine Polysiliziumschicht mit einer Dicke von ungefähr 50 nm sein. Eine zweite Opferschicht 206 kann anschließend auf der Leitungsschicht 205 ausgebildet werden. Die zweite Opferschicht 206 kann eine Schicht bestehend aus einem Isoliermaterial sein, welches selektiv entfernt werden kann ohne die Leitungsschicht 205 und/oder die Ätzstoppschicht 203 wesentlich zu entfernen. Obwohl nicht erforderlich können die erste Ätzstoppschicht 204 und die zweite Ätzstoppschicht 206 ein gleiches Material, wie z. B. Siliziumoxid und/oder Siliziumoxinitrid aufweisen.
Wie in 2B gezeigt können Abschnitte der zweiten Opferschicht 206 und der Leitungsschicht 205 (gegenüberliegend dem Substrat) entfernt werden (wie z. B. durch Rückätzen und/oder Rückpolieren), so daß die erste Opferschicht 204 freigelegt ist, und so daß Abschnitte der Leitungsschicht 205 in den Löchern elektrisch getrennt sind. Die verbleibenden Abschnitte der Leitungsschichten 205 können entsprechend jeweilige Elektroden 205' definieren, welche Elektrodenwände (mit Außenoberflächen 205a' und Innenoberflächen 205b') enthalten, die sich weg von dem Substrat erstrecken. Mit anderen Worten kann jede Elektrode 205' eine geschlossene Wand enthalten, welche einen Zylinder definiert.
Die Außenoberflächen 205a' der Elektrodenwände können entsprechend entlang der Seitenwände der Löcher in der ersten Opferschicht 204 ausgebildet sein und in den Oberflächen 205b' von Elektrodenwänden können entlang der zweiten Opferschicht 206' vorgesehen sein. Eine Geometrie der Außenoberflächen 205a' der Elektrodenwände kann somit durch die Seitenwände der Löcher in der ersten Opferschicht 204 definiert werden. Ein Loch in der ersten Opferschicht mit einem kreisförmigen Profil kann dementsprechend eine Außenoberfläche 205a' einer Elektrodenwand mit einem zylindrischen Profil vorsehen. Wie hierin verwendet kann der Begriff ”zylindrisch” eine Form einer Außenoberfläche 205a' einer Elektrodenwand enthalten, welche sich ergeben kann, wenn diese in einem kreisförmigen Loch mit geneigten Seitenwänden ausgebildet ist, was sich ergeben kann, wenn ein isotropisches Ätzen zum Ausbilden der Löcher in der ersten Opferschicht 204 verwendet wird. Elektroden, welche andere Formen aufweisen, können z. B. durch das Vorsehen von Löchern mit unterschiedlichen Profilen (wie z. B. quadratisch oder rechteckig) in der ersten Opferschicht vorgesehen werden.
Nach dem Entfernen von Abschnitten der zweiten Opferschicht 206 und der Leitungsschicht 205, wie in 3B gezeigt, können die verbleibenden Abschnitte der ersten Opferschicht 204 eine Dicke von 2000 nm oder größer aufweisen. Eine Länge der Außenoberfläche 205a' der Elektrodenwand kann durch die verbleibende Dicke der ersten Opferschicht 204, wie in 2B gezeigt, bestimmt werden. Überdies können Abschnitte der ersten Opferschicht 204 bei dem Entfernen von Abschnitten der zweiten Opferschicht 206 von der Leitungsschicht 205 entfernt werden, so daß eine Dicke der ersten Opferschicht 204 in 2B geringer als eine Dicke der ersten Opferschicht 204 in 2A ist. Zusätzlich kann eine Dicke der Elektrode 205' (zwischen der Außenoberfläche 205a' und der Innenoberfläche 205b') in 2B durch eine Dicke der Leitungsschicht 205 in 2A bestimmt werden.
In 2C werden Abschnitte der ersten Opferschicht 204 und der zweiten Opferschicht 206 selektiv in Bezug auf die Elektroden 205' entfernt. Abschnitte der Elektroden 205' können sich dementsprechend über die erste Opferschicht 204 und die zweite Opferschicht 206 hinaus erstrecken. Zum Beispiel können 20 nm bis 50 nm der ersten Opferschicht 204 und der zweiten Opferschicht 206 entfernt werden, so daß 20 nm bis 50 nm der Außenoberfläche 205a' und der Innenoberfläche 205b' der Elektrodenwände freigelegt sind. Die Opferschichten 204 und 206 können z. B. unter Verwendung einer gepufferten Oxidätzung (buffered oxide etch = BOE) wie z. B. einem chemischen Ätzen mit einer Flüssigkeit mit geringem Amoniumfluoridgehalt (low ammoniumfluoride liquid = LAL) entfernt werden. Ein LAL-Ätzen kann z. B. 2,5 Gewichts-Prozent HF, 17 Gewichts-Prozent NH₄F, 80,5 Gewichts-Prozent entionisiertes (DI) Wasser und 400 ppm (parts per million) Tensid enthalten.
Wie in 2D gezeigt kann auf den freigelegten Abschnitten der Elektroden 205' und auf der ersten Opferschicht 204 und der zweiten Opferschicht 206 eine Isolierschicht 208 ausgebildet sein. Die Isolierschicht 208 kann eine Schicht bestehend aus einem Material (wie z. B. Siliziumnitrid), das sich von dem der ersten Opferschicht 204 und der zweiten Opferschicht 206 unterscheidet, so daß die Isolierschicht 208 selektiv in Bezug auf die ersten und zweiten Opferschichten entfernt werden kann und so daß die erste Opferschicht 204 und die zweite Opferschicht 206 selektiv in Bezug auf die Isolierschicht 208 entfernt werden können. Die Isolierschicht 208 kann anschließend einem anisotropischen Ätzen unterzogen werden, um die Spacer 208', wie in 2E gezeigt, auszubilden. Das anisotropische Ätzen kann insbesondere für einen Zeitraum durchgeführt werden, welcher ausreichend ist, um Abschnitte der ersten und zweiten Opferschichten 204 und 206 freizulegen, während Abschnitte der Isolierschicht 208 auf den freigelegten Innen- und Außenoberflächen 205a' und 205b' der Elektrodenwände beibehalten werden, um die Spacer 208' wie gezeigt vorzusehen.
Die ersten und zweiten Opferschichten 204 und 206 können anschließen wie in 2F gezeigt entfernt werden. Es kann insbesondere ein Ätzmittel selektiert werden, so daß die erste Opferschicht 204 und die zweite Opferschicht 206 selektiv in Bezug auf die Spacer 208', die Elektroden 205' und die Ätzstoppschicht 203 entfernt werden. Die Elektroden 205' können somit an oder nahe ihren Wänden mit Spacern versehen werden. Die Elektroden 205' können dementsprechend Kontakt bilden ohne einen elektrischen Kurzschluß zu verursachen. Die Opferschichten können unter Verwendung einer gepufferten Oxidätzung (BOE) wie z. B. einer chemischen Ätzung nach dem LAL-Verfahren, wie oben behandelt, entfernt werden.
Eine dielektrische Kondensatorschicht kann anschließend auf freigelegten Abschnitten der Elektroden 205' ausgebildet werden und eine zweite Kondensatorelektrode kann auf der dielektrischen Kondensatorschicht gegenüberliegend den ersten Elektroden 205' ausgebildet werden. Die dielektrische Kondensatorschicht kann z. B. eine Schicht bestehend aus einem dielektrischen Material, wie z. B. Siliziumoxid (SiO₂) und/oder Aluminiumoxid (Al₂O₃), mit einer Dicke im Bereich von ungefähr 3 nm bis 5 nm sein. Die dielektrische Kondensatorschicht kann z. B. durch chemisches Dampfabscheiden und/oder atomares Schichtabscheiden ausgebildet werden. Die Elektroden 205' von 2F können verwendet werden um erste Kondensatorelektroden von deren Zellen vorzusehen. Das Substrat 200 kann insbesondere jeweilige mit jeder der Elektronen 205' gekoppelte Speicherzellzugriffstransistoren enthalten, und die Speicherzellzugriffstransistoren können eine Kopplung zwischen den Elektroden 205' und jeweiligen Bitleitungen, welche auf Lese/Schreibsignale reagieren, die auf jeweiligen Wortleitungen vorgesehen sind, vorsehen.
Schritte zur Herstellung von Elektroden werden im folgenden in Bezug auf die 3A bis 3F behandelt. Wie in 3A gezeigt, kann eine Isolierschicht 401 (wie z. B. eine Siliziumoxidschicht) auf einem Substrat 400 (wie z. B. Siliziumsubstrat) ausgebildet werden und eine Ätzstoppschicht 403 (wie z. B. eine Siliziumnitridschicht) kann auf der Isolierschicht 401 ausgebildet werden. Durch die Isolierschicht 401 und die Ätzstoppschicht 403 können Öffnungen ausgebildet werden und in den Öffnungen können Leitungs-Plugs 402 (wie z. B. Polysilizium-Plugs) ausgebildet werden, um eine elektrische Verbindung durch die Isolierschicht 401 und die Ätzstoppschicht 403 vorzusehen. Die Leitungs-Plugs 402 können z. B. durch Abscheiden einer Polysiliziumschicht in den Öffnungen in der Ätzstoppschicht 403 und der Isolierschicht 401 und anschließendem Rückätzen und/oder Rückpolieren der Polysiliziumschicht zum Freilegen von Abschnitten der Ätzstoppschicht, während das Polysilizium in den Öffnungen der Isolierschicht beibehalten wird, ausgebildet werden.
Eine erste Opferschicht 404 kann auch auf der Ätzstopschicht 403 und auch auf den freigelegten Abschnitten der Leitungs-Plugs 402 ausgebildet werden, und durch die erste Opferschicht 404 gehende Löcher können die Leitungs-Plugs 402 freilegen. Die Opferschicht 404 kann z. B. eine Schicht bestehend aus einem Material bzw. Materialien, welche sich von einem Material der Ätzstopschicht 403 unterscheiden, so daß die erste Opferschicht 404 selektiv entfernt werden kann ohne die Ätzstopschicht 403 wesentlich zu Entfernen. Die erste Opferschicht 404 kann insbesondere eine Schicht bestehend aus einem Isoliermaterial wie z. B. Siliziumoxid und/oder Silizium-Oxynitrid sein. Überdies kann die erste Opferschicht 404 zwei oder mehr getrennt ausgebildete Schichten des gleichen oder unterschiedlicher Materialien aufweisen.
Anschließend wird eine Leitungsschicht auf der ersten Opferschicht 404 einschließlich der Löcher darin und auf den freigelegten Abschnitten der Leitungs-Plugs 402 ausgebildet. Obwohl nicht in 3A gezeigt, können die Löcher in der ersten Opferschicht Abschnitte der Ätzstopschicht 403 benachbart den Leitungs-Plugs 402 freiliegen, so daß sich die Leitungsschicht auf freigelegte Abschnitte der Ätzstopschicht 403 erstrecken kann. Die Leitungsschicht kann insbesondere eine Schicht bestehend aus Polysilizium mit einer Dicke von ungefähr 50 nm sein. Anschließend kann eine zweite Opferschicht 406 auf der Leitungsschicht ausgebildet werden. Die zweite Opferschicht 406 kann eine Schicht bestehend aus einem Isoliermaterial sein, welches selektiv entfernt werden kann ohne die Leitungsschicht und/oder die Ätzstopschicht 403 wesentlich zu entfernen. Obwohl nicht erforderlich können die erste Opferschicht 404 und die zweite Opferschicht 406 ein gleiches Material wie z. B. Siliziumoxid und/oder Silizium-Oxynitrid aufweisen.
Das in 3A bis 3F dargestellte Verfahren ist selbst keine Ausführungsform der beanspruchten Erfindung, aber dient dem Verständnis derselben.
Wie ferner in 3A gezeigt, können Abschnitte der zweiten Opferschicht 406 und der Leitungsschicht (gegenüberliegend dem Substrat) entfernt werden (wie z. B. durch Rückätzen und/oder Rückpolieren), so daß die erste Opferschicht 404 freigelegt ist, und so daß Abschnitte der Leitungsschicht in den Löchern elektrisch getrennt sind. Die verbleibenden Abschnitte der Leitungsschicht können entsprechend jeweilige Elektroden 405' definieren, von denen jeder eine Elektrodenwand bzw. Elektrodenwände enthält, welche eine Außenoberfläche 405a' und eine Innenoberfläche 405b' aufweisen, die sich weg von dem Substrat erstrecken. Mit anderen Worten kann jede Elektrode 405' geschlossen sein, so daß jede Elektrodenwand einen Zylinder definiert. Die Anordnung von 3A kann daher äquivalent zu der von 2B sein.
Die Außenoberflächen 405a' der Elektrodenwände können entsprechend entlang den Seitenwänden der Löcher in der ersten Opferschicht 404 ausgebildet sein und die zweite Opfersicht 406' kann entlang Innenoberflächen 405b' von Elektrodenwänden vorgesehen sein. Eine Geometrie der Außenoberflächen 405a' der Elektrodenwände kann somit durch die Seitenwände der Löcher in der ersten Opferschicht 404 beschrieben werden. Ein Loch in der ersten Opferschicht, welches ein kreisförmiges Profil aufweist kann dementsprechend eine Außenoberfläche 405a' der Elektrodenwand mit einem zylindrischen Profil vorsehen. Der Begriff „zylindrisch” wie hierin verwendet kann eine Form einer Außenoberfläche 405a' einer Elektrodenwand enthalten, die sich ergeben kann, wenn diese in einem Loch mit geneigten Seitenwänden ausgebildet ist, was sich ergeben kann, wenn zum Ausbilden der Löcher in der ersten Opferschicht 404 isotropisches Ätzen verwendet wird. Elektroden, welche andere Formen aufweisen können z. B. durch Vorsehen von Löchern mit unterschiedlichen Profilen (z. B. quadratisch oder rechteckig) in der ersten Opferschicht vorgesehen werden.
Nach Entfernen von Abschnitten der zweiten Opferschicht 406 und der Leitungsschicht 405 wie in 3B gezeigt, können die verbleibenden Abschnitte der ersten Opferschicht 404 eine Dicke von 2000 nm oder größer aufweisen. Eine Länge der Außenoberflächen 405a' der Elektrodenwände kann durch die verbleibende Dicke der ersten Opferschicht in 3B bestimmt werden. Überdies können Abschnitte der ersten Opferschicht 404 entfernt werden, wenn Abschnitte der zweiten Opferschicht 406 und der Leitungsschicht 405 entfernt werden, so daß eine Dicke der ersten Opferschicht 404 und 403A geringer als eine Dicke der ursprünglich ausgebildeten ersten Opferschicht 404 in 3A ist. Zusätzlich kann eine Dicke der Elektrode 405' (zwischen der Außenoberfläche 405a' und der Innenoberfläche 405b') in 3A durch eine Dicke der ursprünglich ausgebildeten Leitungsschicht, wie oben in Bezug auf die 2A bis 2B behandelt, bestimmt werden.
In 3B werden Abschnitte der ersten Opferschicht 404 und der zweiten Opferschicht 406 selektiv in Bezug auf die Elektroden 405' entfernt. Abschnitte der Elektroden 405' können sich dementsprechend über die erste Opferschicht 404 und die zweite Opferschicht 406 hinaus erstrecken. Zum Beispiel können 20 nm bis 50 nm der ersten Opferschicht 404 und der zweiten Opferschicht 406 entfernt werden, so daß 20 nm bis 50 nm der Außenoberfläche 405a' und der Innenoberfläche 405b' der Elektrodenwände freigelegt werden. Die Opferschichten 404 und 406 können z. B. unter Verwendung gepufferten Oxidätzens (BOW), wie z. B. einem chemischen Ätzen mit einer Flüssigkeit mit geringem Amoniumfluoridgehalt (LAL) entfernt werden. Ein LAL-Ätzen kann z. B. 2,5 Gew% HF, 17Gew% NH₄F, 80,5 Gew% entionisiertes (DI) Wasser und 400 ppm (parts per million) Tensid enthalten.
Abschnitte der Innenoberfläche 405a' von der Außenoberfläche 405b' der Elektrodenwände, welche durch Entfernen von Abschnitten der Opferschichten 404 und 406 entfernt wurden, können anschließend geätzt werden, um Aussparungsabschnitte der Elektrodenwände vorzusehen. Es kann z. B. ein isotropisches Ätzen verwendet werden, daß das Leitungsmaterial der Elektroden 405' selektiv in Bezug auf die erste Opferschicht 404 und die zweite Opferschicht 406 entfernt. Ungefähr 15 nm der freigelegten Abschnitte der Elektoden 405' können insbesondere entfernt werden, so daß die freigelegten Abschnitte der Elektroden 405' (z. B. an 421) in Bezug auf die Abschnitte der Elektrode 405', welche durch die erste Opferschicht 404 und die zweite Opferschicht 406 geschützt sind, ausgespart sind. Abschnitte der Elektroden 405', welche durch die Opferschicht 404 und die Opferschicht 406 geschützt werden, können somit eine Dicke von ungefähr 50 nm beibehalten während Abschnitte der Elektroden 405', welche sich über die Opferschichten 404 und 406 hinaus erstrecken auf ungefähr 20 nm, wie in 3C gezeigt, ausgedünnt werden können.
Wie in 3D gezeigt, kann eine Isolierschicht 408 auf den ausgesparten Bereichen der Elektroden 405' und auf der ersten Opferschicht 404 sowie auf der zweiten Opferschicht 406 ausgebildet werden. Die Isolierschicht 408 kann eine Schicht bestehend aus einem Material (wie z. B. Siliziumnitrid) sein, welches sich von dem der ersten Opferschicht 404 und der zweiten Opferschicht 406 unterscheidet, so daß die Isolierschicht 408 selektiv in Bezug auf die ersten und zweiten Opferschichten entfernt werden kann und so daß die erste Opferschicht 404 und die zweite Opferschicht 406 selektiv in Bezug auf die Isolierschicht 408 entfernt werden können. Die Isolierschicht 408 kann anschließend einem anisotropischen Ätzen zum Ausbilden von Spacern 408', wie in 3E gezeigt, unterzogen werden. Das anisotropische Ätzen kann insbesondere für einen ausreichend langen Zeitraum durchgeführt werden, um die erste Opferschicht 404 und die zweite Opferschicht 406 freizulegen, während Abschnitte der Isolierschicht 408 auf den ausgesparten Abschnitten der Innenoberfläche 405a' und der Außenoberfläche 405b' der Elektrodenwand zum Vorsehen von Spacern 408' beibehalten werden können.
Die erste Opferschicht 404 und die zweite Opferschicht 406 können anschließend, wie in 3F gezeigt, entfernt werden. Es kann insbesondere ein Ätzmittel selektiert werden, so daß die erste Opferschicht 404 und die zweite Opferschicht 406 selektiv in Bezug auf die Spacer 408', die Elektroden 405' und die Ätzstoppschicht 403 entfernt werden. Die Opferschichten können unter Verwendung eines gepufferten Oxidätzens (BOE) wie z. B. einem oben behandelten LAL chemischen Ätzen entfernt werden.
Die Elektroden 405' können somit an ausgesparten Abschnitten der in der Oberfläche 405a' und der Außenoberfläche 405b' der Elektrodenwände an oder nahe ihren Enden mit Spacern 408' versehen werden. Die Elektroden 405' können demensprechend Kontakt bilden, ohne einen elektrischen Kurzschluß zu verursachen. Durch das Vorsehen von Spacern 408' an ausgesparten Abschnitten der Elektroden 405', kann ein Abschatten von Abschnitten der Elektroden 405' (zwischen den Spacern und dem Substrat) während nachfolgenden Verarbeitungsschritten verringert werden. Eine nachfolgende Gleichförmigkeit der Abscheidungen (wie z. B. Abscheidungen einer dielektrischen Kondensatorschicht und/oder einer zweiten Kondensatorelektrode) auf Abschnitten der Elektroden 405' zwischen den Spacern 408' und der Ätzstoppschicht 403 können entsprechend verbessert werden.
Eine dielektrische Kondensatorschicht kann anschließend auf freigelegten Abschnitten der Elektroden 405' ausgebildet werden, und eine zweite Kondensatorelektrode kann auf der dielektrischen Kondensatorschicht gegenüberliegend den ersten Elektroden 405' ausgebildet werden. Die dielektrische Kondensatorschicht kann z. B. eine Schicht bestehend aus einem dielektrischen Material wie z. B. Siliziumoxid (SiO₂) und/oder Aluminiumoxid (Al₂O₃) mit einer Dicke im Bereich von ungefähr 3 nm bis 5 nm sein. Die dielektrische Kondensatorschicht kann z. B. durch chemisches Dampfabscheiden und/oder atomare Schichtablagerung ausgebildet werden. Die Gleichförmigkeit von dielektrischen Kondensatorschichten und/oder zweiten Kondensatorelektroden, welche auf den Elektroden 405' der 3F ausgebildet sind, kann somit durch Vorsehen von Spacern 408' an ausgesparten (ausgedünnten) Abschnitten der Elektroden 405' verbessert werden.
Die Elektroden 405' der 3F können somit verwendet werden, um erste Kondensatorelektroden der DRAM-Zellen vorzusehen. Das Substrat 400 kann insbesondere jeweilige Speicherzellzugriffstransistoren, welche mit jeder der Elektroden 405' gekoppelt sind, enthalten, und die Speicherzellzugriffstransistoren können eine Kopplung zwischen den ersten Elektroden 405' und jeweiligen Bitleitungen vorsehen, welche auf Schreib-Lesesignale reagieren, die auf jeweiligen Wortleitungen vorgesehen sind.
Schritte zum Ausbilden von Elektroden entsprechend von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind in den 4A bis B dargestellt. Die in 4A dargestellte Anordnung kann entsprechend von Schritten ähnlich derer, die oben in Bezug auf 2A bis B behandelt wurden, ausgebildet werden, mit einem Unterschied, daß eine größere Dicke der Opferschichten 504 und 506 vor dem Ausbilden der Spacer 508' entfernt wird. Wie oben beschrieben können die Isolierschicht 501 (wie z. B. eine Siliziumoxidschicht und/oder eine Siliziumoxinitridschicht) und die Ätzstoppschicht 503 (wie z. B. eine Siliziumnitridschicht) auf einem Substrat 500 ausgebildet werden, und die Leitungs-Plugs 502 (wie z. B. Polysilizium-Plugs) können in Löchern durch die Isolierschicht 501 und die Ätzstoppschicht 503 ausgebildet werden.
Die erste Opferschicht 504 (wie z. B. eine Schicht aus Siliziumoxid und/oder Siliziumoxinitrid) kann anschließend auf der Ätzstoppschicht 503 (mit einer größeren Dicke als in 4A dargestellt) ausgebildet werden, und in der ersten Opferschicht 504 befindliche Löcher können die Leitungs-Plugs 502 freilegen. Eine Leitungsschicht (wie z. B. eine Polysiliziumschicht) kann auf der ersten Opferschicht 504 und an Seitenwänden der darin befindlichen Löcher ausgebildet werden und die zweite Opferschicht 506 kann auf der Leitungsschicht mit einer größeren Dicke als in 2A dargestellt, ausgebildet werden. Die zweite Opferschicht 506 und die Leitungsschicht können anschließend rückgeätzt und/oder rückpoliert werden, um die erste Opferschicht 504 freizulegen und so daß verbleibende Abschnitte der Leitungsschicht in den Löchern elektrisch isolierte Elektroden 505' definieren.
Nach Freilegen der ersten Opferschicht 504 können Abschnitte der ersten Opferschicht 504 und der zweiten Opferschicht 506 selektiv (in Bezug auf die Elektroden 505') entfernt werden, unter Verwendung von z. B. einem gepufferten Oxidätzen wie z. B. einem oben beschriebenen LAL chemischen Ätzen. Abschnitte der Elektroden 505' können entsprechend durch die verbleibenden Abschnitte der Opferschicht 504 und der Opferschicht 506 geschützt werden, und Abschnitte der Elektroden 505' können freigelegt werden. Entsprechend den Ausführungsformen der 4A bis B, kann eine Länge von freigelegten Abschnitten und Elektroden 505' größer als eine Länge von freigelegten Abschnitten der Elektroden 205' der 2C bis E sein.
Eine Schicht eines Isoliermaterials (wie z. B. Siliziumnitrid) kann auf freigelegten Abschnitten der Elektroden 505' und auf verbleibenden Abschnitten der Opferschicht 504 und der Opferschicht 506 ausgebildet werden. Die Schicht des Isoliermaterials kann anschließend einem anisotropischen Ätzen unterzogen werden, um die in 4A gezeigten Spacer 508' vorzusehen. Im Vergleich zum Ausbilden des Spacer 208', wie oben in Bezug auf 2D bis E behandelt, kann eine höhere Ätztiefe bzw. längere Ätzzeit zum Ausbilden der Spacer von 4A verwendet werden, so daß Abschnitte der Elektroden 505', welche sich über die Opferschicht 504 und die Opferschicht 506 und die Spacer 508' hinaus erstrecken, freigelegt werden.
Wenn die Spacer 508' ausgebildet worden sind, kann die Opferschicht 504 und die Opferschicht 506, wie in 4B gezeigt, entfernt werden. Die Opferschichten können z. B. unter Verwendung eines gepufferten Oxidätzens, wie z. B. einem chemischen LAL-Ätzen, wie oben behandelt, entfernt werden. Auf den freigelegten Abschnitten der Elektroden 505' kann anschließend eine dielektrische Kondensatorschicht ausgebildet werden, und eine zweite Kondensatorelektrode kann auf der dielektrischen Kondensatorschicht gegenüberliegend den Elektroden 505' ausgebildet werden. Relativ lange Elektroden können zu einem biegen/verbiegen neigen, so daß ein elektrischer Kontakt/Kurzschluß zwischen ihnen an Zwischenabschnitten der Elektroden zusätzlich an oder anstatt an ihren Enden auftreten. Durch Anordnen der Spacer an Zwischenpositionen entlang der Elektroden 505', kann ein Kontakt zwischen den Elektroden aufgrund von Biegen verringert werden. Entsprechend den in den 4A bis B dargestellten Ausführungsformen können Elektrodenwände erhöhter Länge ohne das Auftreten von elektrischen Kurzschlüssen dazwischen untergebracht werden, um eine Elektrodenoberfläche zu vergrößern.
Schritte zum Herstellen von Elektroden entsprechend einer zusätzlichen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind in den 5A bis B dargestellt. Die in 5A dargestellte Anordnung kann entsprechend von Schritten ähnlich derer, die oben in Bezug auf die 3A bis B behandelt worden sind, ausgebildet werden, wobei ein Unterschied darin besteht, daß eine größere Dicke der Opferschicht 604 und der Opferschicht 606 vor dem Ausbilden ausgesparter Abschnitte der Elektrodenwände und dem Ausbilden des Spacers 608' entfernt wird. Wie oben beschrieben können die Isolierschicht 601 (wie z. B. eine Siliziumoxid- und/oder eine Siliziumoxinitridschicht) und die Ätzstoppschicht 603 (wie z. B. eine Siliziumnitridschicht) auf einem Substrat 600 ausgebildet werden, und die Leitungs-Plugs 602 (wie z. B. Polysilizium-Plugs) können in durch die Isolierschicht 601 und die Ätzstoppschicht 603 verlaufenden Löchern ausgebildet werden.
Die erste Opferschicht 604 (wie z. B. eine Schicht bestehend aus Siliziumoxid und/oder Siliziumoxinitrid) kann anschließend auf der Ätzsstoppschicht 603 (mit einer größeren Dicke als in 5A dargestellt) ausgebildet werden, und in der ersten Opferschicht 604 befindliche Löcher können die Leitungs-Plugs 602 freilegen. Eine Leitungsschicht (wie z. B. eine Polysiliziumschicht mit einer Dicke von ungefähr 50 nm) kann auf der ersten Opferschicht 604 und auf Seitenwänden der darin befindlichen Löcher ausgebildet werden, und die zweite Opferschicht 606 kann auf der Leitungsschicht mit einer größeren Dicke als in 3A dargestellt ausgebildet werden. Die zweite Opferschicht 606 und die Leitungsschicht können anschließend rückgeätzt und/oder rückpoliert werden, um die erste Opferschicht 604 freizulegen und so daß in den Löchern verbleibende Abschnitte der Leitungsschicht elektrisch isolierte Elektroden 605' definieren, wie in 5A gezeigt.
Nach Freilegen der ersten Opferschicht 604 können Abschnitte der ersten Opferschicht 604 und der zweiten Opferschicht 606 selektiv (in Bezug auf die Elektroden 605') z. B. unter Verwendung eines gepufferten Oxidätzens, wie z. B. einem oben beschriebenen chemischen LAL-Ätzen entfernt werden. Abschnitte der Elektroden 605' können dementsprechend durch verbleibende Abschnitte der ersten Opferschicht 604 und der zweiten Opferschicht 606 geschützt werden und Abschnitte der Elektroden 605' können freigelegt werden. Entsprechend den Ausführungsformen der 5A bis B kann eine Länge freigelegter Abschnitte der Elektroden 605' größer als eine Länge freigelegter Abschnitte der Elektroden 305' der 3C bis E sein.
Abschnitte der Innenoberflächen und Außenoberflächen der Elektroden, welche durch die erste Opferschicht 604 und die zweite Opferschicht 606 freigelegt sind, können geätzt werden, um Aussparungsabschnitte der Elektrodenwände vorzusehen. Es kann z. B. ein isotropisches Ätzen verwendet werden, welches an das Leitungsmaterial der Elektroden 605' selektiv in Bezug auf die erste Opferschicht 604 und die zweite Opferschicht 606 entfernt. Es können insbesondere ungefähr 15 nm der freigelegten Abschnitte der Elektroden entfernt werden, so daß freigelegte Abschnitte der Elektroden 605' in Bezug auf die durch die erste Opferschicht 604 und die zweite Opferschicht 606 geschützten Abschnitte der Elektroden 605' ausgespart werden. Abschnitte der Elektroden 605', welche durch die erste Opferschicht 604 und die zweite Opferschicht 606 geschützt werden, können somit eine Dicke von ungefähr 50 nm beibehalten, obwohl Abschnitte der Elektroden 605', welche sich über die erste Opferschicht 604 und die zweite Opferschicht 606 hinaus erstrecken, wie in 5A gezeigt, auf ungefähr 20 nm in der Dicke reduziert werden können.
Es kann eine Schicht eines Isoliermaterials (wie z. B. Siliziumnitrid) auf freigelegten Abschnitten der Elektroden 605' und auf freigelegten Abschnitten der ersten Opferschicht 604 und der zweiten Opferschicht 606 ausgebildet werden. Die Schicht des Isoliermaterials kann anschließend einem anisotropischen Ätzen unterzogen werden, um die Spacer 608', wie in 5A gezeigt, vorzusehen. Im Vergleich zum Ausbilden der Spacer 608', wie oben in Bezug auf die 3D bis E beschrieben ist, kann eine größere Tiefe/längere Zeit zum Ausbilden der Spacer von 5A verwendet werden, so daß Abschnitte der Elektroden 605', welche sich über die erste Opferschicht 604 und die zweite Opferschicht 606, sowie die Spacer 608' hinaus erstrecken, freigelegt werden.
Nach Ausbilden der Spacer 608' können die erste Opferschicht 604 und die zweite Opferschicht 606, wie in 5B gezeigt, entfernt werden. Die Opferschichten können z. B. unter Verwendung eines gepufferten Oxidätzens, wie z. B. einem chemischen LAL-Ätzen, wie oben beschrieben, entfernt werden. Anschließend kann eine dielektrische Kondensatorschicht auf freigelegten Abschnitten der Elektroden 605' ausgebildet werden, und eine zweite Kondensatorelektrode kann auf der dielektrischen Kondensatorschicht gegenüberliegend den Elektroden 605' ausgebildet werden. Relativ lange Elektroden können zu einem Biegen/Verbiegen neigen, so daß ein elektrischer Kontakt/Kurzschluß zwischen ihnen an Zwischenabschnitten der Elektroden zusätzlich zu oder anstatt an ihren Enden auftreten. Durch Positionieren der Spacer an Zwischenpositionen entlang der Elektroden 605' kann ein elektrischer Kontakt zwischen den Elektroden aufgrund von Biegens verringert werden. Entsprechend den in den 5A bis B dargestellten Ausführungsformen können Elektrodenwände erhöhter Länge ohne das Auftreten von elektrischen Kurzschlüssen zwischen Ihnen untergebracht werden, um eine Elektrodenoberfläche zu vergrößern. Überdies kann durch vorsehen der Spacer an ausgesparten Abschnitten der Elektroden ein Abschatten von Abschnitten der Elektroden (zwischen den Spacern und dem Substrat) während nachfolgender Ablagerungen verringert werden. Die Gleichförmigkeit einer dielektrischen Kondensatorschicht, welche auf den Kondensatorelektroden ausgebildet ist, kann dementsprechend verbessert werden. Mit anderen Worten kann durch Verringern eines Überhangs der Spacer eine Abschattung der Abschnitte der Elektroden zwischen den Spacern und dem Substrat verringert werden.

Claims

Integrierte Schaltungsvorrichtung, mit: einem Substrat (500, 600); einer ersten auf dem Substrat (500, 600) vorgesehenen Kondensatorelektrode (505', 605'), wobei die erste Kondensatorelektrode (505', 605') eine Elektrodenwand aufweist, welche sich weg von dem Substrat (500, 600) erstreckt; einem an dem Endbereich der Elektrodenwand, welcher von dem Substrat (500, 600) abliegt, vorgesehenen Isolier-Spacer (508', 608'), wobei Abschnitte der Elektrodenwand zwischen dem Substrat (500, 600) und dem Isolier-Spacer (508', 608') frei von dem Isolier-Spacer (508', 608') sind; einer dielektrischen Kondensatorschicht auf der ersten Kondensatorelektrode (508', 608'); und einer zweiten Kondensatorelektrode, welche auf der dielektrischen Kondensatorschicht gegenüberliegend der ersten Kondensatorelektrode (505', 605') vorgesehen ist, wobei Isolier-Spacer (508', 608') jeweils auf Außen- und Innenoberflächen der ersten Kondensatorelektrode (505', 605') und zwischen der ersten und zweiten Kondensatorelektrode (505', 605') ausgebildet sind und eine Dicke des Isolier-Spacers (508', 608') zwischen der ersten und der zweiten Kondensatorelektrode größer als eine Dicke der dielektrischen Kondensatorschicht zwischen der ersten und der zweiten Kondensatorelektrode ist, wobei sich Abschnitte (505', 605') der Elektrodenwand über die Isolier-Spacer (508', 608') hinaus weg von dem Substrat, welches frei von dem Isolier-Spacer (508', 608') ist, erstrecken und wobei die dielektrische Kondensatorschicht ebenfalls auf Abschnitten der Elektrodenwand, welche sich über den Isolier-Spacer (508', 608') hinaus erstrecken, ausgebildet ist.
Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die dielektrische Kondensatorschicht und der Isolier-Spacer (508', 608') unterschiedliche Materialien aufweisen.
Integrierte Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, ferner mit: einem auf dem Substrat vorgesehenen Transistor; einer zwischen dem Substrat und der ersten Kondensatorelektrode (508', 608') ausgebildeten Isolierschicht (501, 601); und einem Leitungs-Plug (502, 602), welcher eine elektrische Kopplung zwischen der ersten Kondensatorelektrode (505', 605') und einem Source/Drain Bereich des Transistors durch die Isolierschicht (501, 601) vorsieht.
Integrierte Schaltvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Elektrodenwände (605') einen ausgesparten Abschnitt enthalten und wobei der Isolier-Spacer (608') auf dem ausgesparten Abschnitt der Elektrodenwand (605') vorgesehen ist.
Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung, mit den folgenden Schritten: Ausbilden einer ersten Kondensatorelektrode (505', 605') auf einem Substrat (500, 600), wobei die erste Kondensatorelektrode (505', 605') eine Elektrodenwand aufweist, welche sich weg von dem Substrat (500, 600) erstreckt; Ausbilden eines Isolier-Spacers (508', 608') an einem Endbereich der Elektrodenwand, welcher von dem Substrat (500, 600) abliegt, wobei Abschnitte der Elektrodenwand zwischen dem Substrat (500, 600) und dem Isolier-Spacer (508', 608') frei von dem Isolier-Spacer (508', 608') gehalten werden; Ausbilden einer dielektrischen Kondensatorschicht auf der ersten Kondensatorelektrode (505', 605'); und Ausbilden einer zweiten Kondensatorelektrode auf der dielektrischen Kondensatorschicht gegenüberliegend der ersten Kondensatorelektrode (505', 605'), wobei Isolier-Spacer (508', 608') jeweils auf Außen- und Innenoberflächen der ersten Kondensatorelektrode (505', 605') und zwischen der ersten und zweiten Kondensatorelektrode ausgebildet werden und eine Dicke des Isolier-Spacers (508', 608') zwischen der ersten Kondensatorelektrode (505', 605') und der zweiten Kondensatorelektrode größer als eine Dicke der dielektrischen Kondensatorschicht zwischen der ersten Kondensatorelektrode und der zweiten Kondensatorelektrode ist, wobei Abschnitte der Elektrodenwand sich über den Isolier-Spacer (508', 608') hinaus weg von dem Substrat (500, 600), welches frei von dem Isolier-Spacer (508', 608') ist, erstrecken und wobei die dielektrische Kondensatorschicht ebenfalls auf Abschnitten der Elektrodenwand ausgebildet wird, welche sich über den Isolier-Spacer (508', 608') hinaus erstrecken.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die dielektrische Kondensatorschicht und der Isolier-Spacer (508', 608') unterschiedliche Materialien aufweisen.
Verfahren nach Anspruch 5, ferner mit den folgenden Schritten: Ausbilden eines Transistors auf dem Substrat; Ausbilden einer Isolierschicht (501, 601) zwischen dem Substrat (500, 600) und der ersten Kondensatorelektrode (505', 605'); und Ausbilden eines Leitungs-Plugs (502, 602), welcher eine elektrische Kopplung zwischen der ersten Kondensatorelektrode (505', 605') und einem Source-/Drain Bereich des Transistors durch die Isolierschicht (501, 601) vorsieht.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Elektrodenwand (605') mit einem ausgesparten Abschnitt ausgebildet wird und wobei der Isolier-Spacer (608') auf dem ausgesparten Abschnitt die Elektrodenwand ausgebildet wird.