DE102005001852A1 - Speicherkarte mit nichtflüchtigem Speicher - Google Patents
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Abstract
Die
Erfindung bezieht sich auf eine Speicherkarte (1000), die einen
nichtflüchtigen
Speicher (1200) und eine Leistungsmanagementeinheit (1400) bzw.
Steuerschaltung zum Empfangen einer externen Versorgungsspannung
(VEXT) und zum Bereitstellen einer Betriebsspannung (VDD) für den nichtflüchtigen
Speicher (1200) umfasst.
Erfindungsgemäß verstärkt die Leistungsmanagementeinheit (1400) bzw. Steuerschaltung die externe Versorgungsspannung (VEXT) und gibt die verstärkte Spannung als Betriebsspannung (VDD) für den nichtflüchtigen Speicher (1200) aus, wenn die externe Versorgungsspannung (VEXT) niedriger als eine Detektionsspannung ist.
Verwendung z. B. für Smartcard-Systeme.
Erfindungsgemäß verstärkt die Leistungsmanagementeinheit (1400) bzw. Steuerschaltung die externe Versorgungsspannung (VEXT) und gibt die verstärkte Spannung als Betriebsspannung (VDD) für den nichtflüchtigen Speicher (1200) aus, wenn die externe Versorgungsspannung (VEXT) niedriger als eine Detektionsspannung ist.
Verwendung z. B. für Smartcard-Systeme.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Speicherkarte mit einem nichtflüchtigen Speicher.
- Eine sogenannte Smartcard ist ein Typ von Speicherkarte mit einem eingebetteten Speicher, in welchem Daten gespeichert und wieder abgerufen werden können. Die Smartcard erhält ihre Energie von externen Quellen, wie einem Kartenlesegerät. Typischerweise ist der Speicher einer solchen Speicherkarte ein nichtflüchtiger Speicher, wie ein EPROM, ein EEPROM oder ein Flashspeicher.
- Wird die Speicherkarte mit einer externen Quelle, wie einem externen elektronischen Gerät, verbunden, dann arbeitet sie mit der Energie, welche von der externen Quelle bereitgestellt wird. Weicht diese Energie, welche nachfolgend auch als externe Versorgungsspannung bezeichnet wird, von einem Betriebsspannungsbereich des nichtflüchtigen Speichers in der Speicherkarte ab, dann arbeitet der nichtflüchtige Speicher eventuell nicht richtig. Sinkt die externe Versorgungsspannung beispielsweise während eines Datenschreibvorgangs in den nichtflüchtigen Speicher oder eines Datenlesevorgangs aus dem nichtflüchtigen Speicher ab, dann können fehlerhafte Daten in den nichtflüchtigen Speicher geschrieben oder aus diesem gelesen werden.
- Bei der herkömmlichen Technologie wird das Absinken der Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers durch die Charakteristik des nichtflüchtigen Speichers begrenzt, welcher eine höhere Spannung als die externe Versorgungsspannung benötigt. Obwohl ein elektronisches Gerät eventuell mit einer niedrigeren Spannung betrieben werden kann, z.B. mit einer Spannung unter 1,8V, kann es schwierig sein, eine Speicherkarte mit einem nichtflüchtigen Speicher zu benutzen, da nichtflüchtige Speicher häufig schlechte Betriebscharakteristiken bei niedrigen Spannungen aufweisen. In anderen Worten ausgedrückt, wenn eine Speicherkarte mit einem nichtflüchtigen Speicher mit einem elektrischen Gerät mit einer niedrigen Spannung verwendet wird, dann kann es sein, dass die Speicherkarte nicht verlässlich arbeitet.
- Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Speicherkarte der eingangs genannten Art zur Verfügung zu stellen, welche auch verlässlich arbeitet, wenn eine externe Versorgungsspannung angelegt wird, welche vom Betriebsspannungsbereich des nichtflüchtigen Speichers in der Speicherkarte abweicht.
- Die Erfindung löst diese Aufgabe durch eine Speicherkarte mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, 9 oder 14.
- Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
- Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Es zeigen:
-
1 ein schematisches Blockdiagramm einer Speicherkarte mit einer Leistungsmanagementeinheit, -
2 ein schematisches Blockdiagramm eines möglichen Aufbaus der Leistungsmanagementeinheit für die Speicherkarte von1 , -
3 ein Diagramm einer Betriebsspannung, welche in der Leistungsmanagementeinheit von2 erzeugt wird, -
4 ein schematisches Blockdiagramm einer Speicherkarte gemäß2 mit einer möglichen schaltungstechnischen Realisierung einer Verstärkerschaltung der Leistungsmanagementeinheit, -
5 ein Signalverlaufsdiagramm mit Taktsignalen zur Beschreibung eines Verstärkungsvorgangs der Verstärkerschaltung aus4 , -
6 und7 jeweils ein Diagramm der Betriebsspannung, welche einem nichtflüchtigen Speicher in je einer entsprechenden Speicherkarte zur Verfügung gestellt wird, und -
8 ein schematisches Blockdiagramm einer weiteren Speicherkarte. - Eine in
1 gezeigte Speicherkarte1000 umfasst einen nichtflüchtigen Speicher1200 und eine Leistungsmanagementeinheit (PMU)1400 . Der nichtflüchtige Speicher1200 speichert digitale Dateninformationen und kann z.B. als Flashspeicher, ferroelektrischer RAM (FRAM), magnetoresistiver RAM (MRAM) oder als Phasenwechsel-RAM (PRAM) ausgeführt sein. Der Flashspeicher kann ein Speicher vom NAND-Typ oder vom NOR-Typ sein. - Die Leistungsmanagementeinheit
1400 empfängt eine externe Versorgungsspannung VEXT von einem Host2000 und stellt eine Betriebsspannung VDD für den nichtflüchtigen Speicher1200 bereit. Die Leistungsmanagementeinheit1400 handhabt die Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 basierend auf der externen Versorgungsspannung VEXT und einer Detektionsspannung. Bei einem Ausführungsbeispiel wird die Detektionsspannung so gesetzt, dass sie niedriger als die (Soll-)Betriebsspannung VDD und höher als eine minimale Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers1200 ist. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird die Detektionsspannung so gesetzt, dass sie der minimalen Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers1200 entspricht. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel wird die Detektionsspannung so gesetzt, dass sie der Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 entspricht. - In Ausgestaltung der Erfindung ist die minimale Betriebsspannung die niedrigste Spannung, z.B. 1,8V, eines Betriebsbereichs des nichtflüchtigen Speichers
1200 . Eine maximale Betriebsspannung ist die höchste Spannung, z.B. 2,4V, des Betriebsbereichs des nichtflüchtigen Speichers1200 . Die Betriebsspannung VDD ist eine Spannung, z.B. 2,0V, zwischen der minimalen Betriebsspannung und der maximalen Betriebsspannung. - Ist die externe Versorgungsspannung VEXT niedriger als die Detektionsspannung, dann verstärkt, d.h. erhöht, die Leistungsmanagementeinheit
1400 die externe Versorgungsspannung VEXT auf einen Spannungswert, welcher gleich oder niedriger als die Betriebsspannung VDD ist, und gibt die angehobene Spannung an den nichtflüchtigen Speicher1200 aus. Ist die externe Versorgungsspannung VEXT höher als die Detektionsspannung und niedriger als die (Soll-)Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 , dann gibt die Leistungsmanage menteinheit1400 die externe Versorgungsspannung als die Betriebsspannung VDD an den nichtflüchtigen Speicher1200 aus. Ist die externe Versorgungsspannung VEXT höher als die (Soll-)Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 , dann regelt, d.h. klemmt, die Leistungsmanagementeinheit1400 die externe Versorgungsspannung VEXT und gibt die geregelte Spannung als Betriebsspannung VDD an den nichtflüchtigen Speicher1200 aus. - Daher kann gemäß den Ausführungsformen der Erfindung ein stabiler Betrieb des nichtflüchtigen Speichers
1200 sichergestellt werden, auch wenn die externe Versorgungsspannung VEXT niedriger als die minimale Betriebsspannung oder die Detektionsspannung ist. Die niedrige externe Versorgungsspannung VEXT kann beispielsweise durch den Energieverbrauch der Speicherkarte verursacht werden. -
2 zeigt ein schematisches Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Leistungsmanagementeinheit1400 , die hierbei eine Pegeldetektorschaltung1410 , eine Verstärker- bzw. Anhebe(Booster)-Schaltung1420 und eine Regelschaltung1430 umfasst. Die Leistungsmanagementeinheit1400 arbeitet mit der externen Versorgungsspannung VEXT, welche vom Host2000 bereitgestellt wird. - Die Pegeldetektorschaltung
1410 bestimmt, ob die externe Versorgungsspannung VEXT niedriger als die Detektionsspannung ist. Wie oben ausgeführt, ist die Detektionsspannung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung höher als die minimale Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers1200 und niedriger als die zugehörige (Soll-)Betriebsspannung VDD. - Ist die externe Versorgungsspannung VEXT niedriger als die Detektionsspannung, dann aktiviert die Pegeldetektorschaltung
1410 ein Detektionssignal DET1. Ist die externe Versorgungsspannung VEXT höher als die Detektionsspannung, dann deaktiviert die Pegeldetektorschaltung1410 das Detektionssignal DET1. Die Verstärkerschaltung1420 arbeitet in Reaktion auf die Aktivierung des Detektionssignals DET1. Die Regelschaltung1430 arbeitet in Reaktion auf die Deaktivierung des Detektionssignals DET1. Das bedeutet, dass die Verstärkerschaltung1420 ihre Verstärkungsfunktion ausführt, wenn die externe Versorgungsspannung VEXT niedriger als die Detektionsspannung ist. Die Regelschaltung1430 regelt die externe Versorgungsspannung VEXT, wenn diese höher als die Detektionsspannung ist. Die Regelschaltung1430 gibt die Betriebsspannung VDD aus, wenn die externe Versorgungsspannung VEXT höher als die Detektionsspannung und niedriger als die Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 ist. Ist die externe Versorgungsspannung VEXT höher als die Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 , dann senkt die Regelschaltung1430 die externe Versorgungsspannung VEXT auf die Betriebsspannung VDD ab. - Die Regelschaltung
1430 kann die Betriebsspannung VDD ausgeben, wenn die externe Versorgungsspannung VEXT höher als die minimale Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers1200 und niedriger als die zugehörige Soll-Betriebsspannung VDD ist. Eine in der Regelschaltung1430 benutzte Referenzspannung wird von der Pegeldetektorschaltung1410 bereitgestellt oder alternativ in der Regelschaltung1430 erzeugt. -
3 zeigt einen Signalverlauf der Betriebsspannung VDD, welche in der erfindungsgemäßen Leistungsmanagementeinheit1400 erzeugt wird. Der nichtflüchtige Speicher1200 arbeitet in einem Betriebsbereich von 1,8V bis 2,4V. Die (Soll-)Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 ist im gezeigten Beispiel 2,0V. Bei der herkömmlichen Technologie kann, wenn die externe Versorgungsspannung VEXT niedriger als eine minimale Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers1200 von z.B. 1,8V ist, eine stabile Betriebsweise des nichtflüchtigen Speichers1200 nicht sichergestellt werden. Um dies zu verhindern, nimmt bei der herkömmlichen Technologie die externe Versorgungsspannung VEXT wenigstens den Wert der minimalen Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers1200 an. Es kann jedoch manchmal nicht vermieden werden, dass die externe Versorgungsspannung VEXT durch den Energieverbrauch der Speicherkarte niedriger als die minimale Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers1200 wird. Die erfindungsgemäße Speicherkarte kann eine stabile Betriebsweise des nichtflüchtigen Speichers1200 gewährleisten, auch wenn die externe Versorgungsspannung VEXT niedriger als die minimale Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers1200 oder als eine Detektionsspannung VDET von z.B. 1,9V wird. - Ist die externe Versorgungsspannung VEXT höher als die Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers
1200 , dann wird die externe Versorgungsspannung VEXT auf die Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 geregelt. Ist die externe Versorgungsspannung VEXT niedriger als die Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 und höher als die Detektionsspannung VDET, dann wird eine Spannung, welche der externen Versorgungsspannung VEXT folgt, zur Betriebsspannung VDD für den nichtflüchtigen Speicher1200 . Dieser Prozess kann durch die Regelschaltung1430 aus2 ausgeführt werden. Ist die externe Versorgungsspannung VEXT niedriger als die Detektionsspannung VDET, dann wird die externe Versorgungsspannung VEXT auf den Wert der Detektionsspannung VDET verstärkt, d.h. angehoben. Die verstärkte, d.h. angehobene Spannung wird zur Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 . Dieser Prozess wird von der Verstärkerschaltung1420 aus2 ausgeführt. - Daher kann erfindungsgemäß der in eine Speicherkarte eingebaute nichtflüchtige Speicher
1200 einen stabilen Betrieb ausführen, auch wenn die externe Versorgungsspannung VEXT von einem bestimmten Betriebsspannungsbereich des nichtflüchtigen Speichers1200 abweicht. -
4 zeigt ein schematisches Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Speicherkarte1800 mit dem nichtflüchtigen Speicher1200 und der Leistungsmanagementeinheit1400 mit einer konkreten Realisierung der spannungsanhebenden Verstärkerschaltung1420 .5 zeigt Signalverläufe von Taktsignalen zur Beschreibung eines Verstärkungsvorgangs der Verstärkerschaltung aus4 . Die Leistungsmanagementeinheit1400 umfasst die Pegeldetektorschaltung1410 , die Verstärkerschaltung1420 und die Regelschaltung1430 und ist im gezeigten Beispiel in eine Speichersteuerschaltung1600 zum Steuern des nichtflüchtigen Speichers1200 integriert. Vorzugsweise sind der nichtflüchtige Speicher1200 und die Speichersteuerschaltung1600 auf einer gedruckten Leiterplatte (PCB) installiert. Die Speichersteuerschaltung1600 kann über einen Anschluss T1 mit der externen Versorgungsspannung VEXT versorgt werden und gibt die Betriebsspannung VDD über einen Anschluss T2 an einen Anschluss T5 des nichtflüchtigen Speichers1200 aus. Die Pegeldetektorschaltung1410 und die Regelschaltung1430 sind bereits oben im Zusammenhang mit2 beschrieben worden. - Das gezeigte Ausführungsbeispiel der Verstärkerschaltung
1420 umfasst einen Pulsgenerator1421 , eine Steuerlogik1422 , einen Vorladeschalter1423 , ein Ladungstransfergatter1424 , eine Hochziehschaltung1425 , einen Pegeldetektor1426 und einen Verstärkungs- bzw. Anhebekondensator CEXT als passiven Kondensator. Wie aus4 ersichtlich ist, kann der Verstärkungskondensator CEXT der Verstärkerschaltung1420 außerhalb der Speichersteuerschaltung1600 installiert sein, d.h. auf der gedruckten Leiterplatte1800 . Anschlüsse T6 und T7 des Verstärkungskondensators CEXT sind elektrisch mit Anschlüssen T3 und T4 der Speichersteuerschaltung1600 verbunden. Bei einer anderen erfindungsgemäßen Ausführungsform kann der Verstärkungskondensator CEXT in der Speichersteuerschaltung1600 integriert sein. Der Verstärkungskondensator CEXT kann gleichzeitig mit der gedruckten Leiterplatte1800 hergestellt werden. Alternativ kann der Verstärkungskondensator CEXT nach der Herstellung auf der gedruckten Leiterplatte1800 installiert werden. - Die Verstärkerschaltung
1420 arbeitet, wenn das Detektionssignal DET1 von der Pegeldetektorschaltung1410 aktiviert ist. Der Pegeldetektor1426 der Verstärkerschaltung1420 ist mit einem Ausgang des Ladungsübertragungsgatters1424 verbunden. Der Pegeldetektor1426 bestimmt, ob die an den nichtflüchtigen Speicher1200 angelegte Betriebsspannung VDD niedriger als die Detektionsspannung ist. Ist dies der Fall, dann aktiviert der Pegeldetektor1426 ein Detektionssignal DET2. Ist die externe Versorgungsspannung VEXT hingegen höher als die Detektionsspannung, dann deaktiviert der Pegeldetektor1426 das Detektionssignal DET2. Der Pulsgenerator1421 erzeugt ein Referenztaktsignal REF_CLK mit einer bestimmten Periodendauer in Reaktion auf die Aktivierung des Detektionssignals DET2. Ist das Detektionssignal DET2 deaktiviert, dann stoppt der Pulsgenerator1421 die Erzeugung des Referenztaktsignals REF_CLK. Der Detektionspegel des Pulsgenerators1421 kann der gleiche wie der Detektionspegel der Pegeldetektorschaltung1410 oder von diesem verschieden sein. - Wie aus
5 ersichtlich ist, erzeugt die Steuerlogik1422 in Reaktion auf das Referenztaktsignal REF_CLK Steuersignale PRE, SW und PU gemäß einer bestimmten Zeitsteuerung. Die Steuerlogik1422 aktiviert beispielsweise das Vorladesteuersignal PRE während einer bestimmten Zeitdauer, wenn das Referenztaktsignal REF_CLK von einem niedrigen Pegel auf einen hohen Pegel wechselt. Der Vorladeschalter1423 lädt einen Eingang des Ladungstransfergatters1424 und einen Anschluss des Verstärkungskondensator CEXT in Reaktion auf die Aktivierung des Vorladesteuersignals PRE. - Nach der Deaktivierung des Vorladesteuersignals PRE aktiviert die Steuerlogik
1422 das Hochziehsteuersignal PU. Der Hochziehschalter1425 treibt den Anschluss T6 des Verstärkungskondensators CEXT mit der externen Versorgungsspannung VEXT in Reaktion auf die Aktivitätvierung des Hochziehsteuersignals PU. Dieser Prozess erzwingt, dass eine Vorladespannung am Anschluss T7 des Verstärkungskondensators CEXT bis auf den doppelten Wert der externen Versorgungsspannung VEXT angehoben wird. - Nach der Deaktivierung des Hochziehsteuersignals PU aktiviert die Steuerlogik
1422 das Schaltersteuersignal SW während einer bestimmten Zeitdauer. Ist das Schaltersteuersignal SW aktiviert, dann überträgt das Ladungstransfergatter1424 eine Spannung oder Ladungen am Anschluss T3, verstärkt über den Verstärkungskondensator CEXT, zum Anschluss T2. Die Betriebsspannung VDD kann durch den oben beschriebenen Verstärkungsvorgang, welcher bei jeder Periode bzw. jedem Zyklus des Referenztaktsignals REF_CLK ausgeführt werden kann, bis auf eine bestimmte Spannung erhöht werden. Steigt die Betriebsspannung VDD auf die bestimmte Spannung an, dann deaktiviert der Pegeldetektor1426 das Detektionssignal DET2. In anderen Worten ausgedrückt, der Pulsgenerator1421 stoppt die Erzeugung des Referenztaktsignals REF_CLK. Das bedeutet, dass der Verstärkungsvorgang der Verstärkerschaltung1420 stoppt. - Der Vorladeschalter
1423 und das Ladungstransfergatter1424 können z.B. als PMOS-Transistoren ausgeführt sein. Der Hochzieh(Pull-up)-Schalter1425 kann z.B. als Inverter ausgeführt sein. - Ist die externe Versorgungsspannung VEXT niedriger als die Detektionsspannung, dann verstärkt die Verstärkerschaltung
1420 der Leistungsmanagementeinheit1400 die externe Versorgungsspannung VEXT und gibt die angehobene Spannung als Betriebsspannung VDD an den nichtflüchtigen Speicher1200 aus. Bei einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel ist die Detektionsspannung auf einen höheren Wert als die minimale Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers1200 und auf einen niedrigeren Wert als die Betriebsspannung VDD gesetzt. Ist die externe Versorgungsspannung VEXT höher als die Detektionsspannung und niedriger als die (Soll-)Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 , dann gibt die Regelschaltung1430 der Leistungsmanagementeinheit1400 die externe Versorgungsspannung VEXT als die Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 aus. Ist die externe Versorgungsspannung VEXT höher als die Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 , dann regelt die Regelschaltung1430 der Leistungsmanagementeinheit1400 die externe Versorgungsspannung VEXT und gibt die geregelte Spannung als die Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 aus. Entsprechend kann auch dann, wenn die externe Versorgungsspannung VEXT beispielsweise durch den Energieverbrauch der Speicherkarte einen niedrigeren Wert als die Detektionsspannung oder die minimale Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers1200 annimmt, eine stabile Betriebweise des nichtflüchtigen Speichers1200 durch die Leistungsmanagementeinheit1400 gewährleistet werden. - Insbesondere wird die Verstärkung der externen Versorgungsspannung VEXT danach bestimmt, ob selbige niedriger als die Detektionsspannung ist. Die Detektionsspannung kann auf einen Wert gesetzt werden, welcher höher als die minimale Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers
1200 und niedriger als dessen (Soll-)Betriebsspannung ist. Alternativ kann die Detektionsspannung der Pegeldetektorschaltung1410 auf einen Wert gesetzt werden, welcher der minimalen Betriebsspannung des nichtflüchtigen Speichers1200 entspricht. - Ein Signalverlauf der Betriebsspannung VDD, welcher dem nichtflüchtigen Speicher
1200 in einer erfindungsgemäßen Speicherkarte zur Verfügung gestellt wird, ist in6 dargestellt, wobei im Beispiel von6 die Detektionsspannung TDET auf die minimale Betriebsspannung von z.B. 1,8V gesetzt ist.3 und6 zeigen folglich Beispiele, bei welchen die externe Versorgungsspannung VEXT mindestens auf den Pegel der Detektionsspannung verstärkt wird. Wie aus7 ersichtlich ist, kann die Leistungsmanagementeinheit1400 die externe Versorgungsspannung VEXT alternativ bis auf den Pegel der Betriebsspannung VDD verstärken. -
7 zeigt einen Signalverlauf der Betriebsspannung VDD, welche dem nichtflüchtigen Speicher1200 in einer anderen Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Speicherkarte zur Verfügung gestellt wird. Ist die externe Versorgungsspannung VEXT niedriger als die Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 , dann verstärkt die Verstärkerschaltung1420 der Leistungsmanagementeinheit1400 die externe Versorgungsspannung VEXT und gibt die angehobene Spannung als Betriebsspannung VDD an den nichtflüchtigen Speicher1200 aus. Ist die externe Versorgungsspannung VEXT höher als die Betriebsspannung VDD des nichtflüchtigen Speichers1200 , dann regelt die Regelschaltung1430 der Leistungsmanagementeinheit1400 die externe Versorgungsspannung VEXT auf die Betriebsspannung VDD ein und gibt die geregelte Spannung als die Betriebsspannung VDD an den nichtflüchtigen Speicher1200 aus. - Die Speichersteuerschaltung
1600 und der nichtflüchtige Speicher1200 können gemäß einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel als individuelle Chips ausgeführt sein. Der Verstärkungskondensator CEXT in der Verstärkerschaltung1420 kann außerhalb der Speichersteuerschaltung1600 ausgebildet oder in diese integriert sein, d.h. auf der gedruckten Leiterplatte1800 . Verbleibende Elemente außer dem Verstärkungskondensator CEXT können in der Speichersteuerschaltung1600 integriert sein. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel, welches in8 dargestellt ist, sind die Speichersteuerschaltung1600 und der nichtflüchtige Speicher1200 in einem einzelnen integrierten Schaltungschip IC ausgebildet. In8 ist der Verstärkungskondensator CEXT auf der gedruckten Leiterplatte1800 außerhalb des integrierten Schaltungschips IC ausgebildet, welcher die Speichersteuerschaltung1600 und den nichtflüchtigen Speicher1200 umfasst. Verbleibende Elemente der Leistungsmanagementeinheit PMU können im integrierten Schaltungschip IC integriert werden.
Claims (18)
- Speicherkarte mit – einem nichtflüchtigen Speicher (
1200 ) und – einer Leistungsmanagementeinheit (1400 ) zum Empfangen einer externen Versorgungsspannung (VEXT) und zum Bereitstellen einer Betriebsspannung (VDD) für den nichtflüchtigen Speicher, dadurch gekennzeichnet, dass – die Leistungsmanagementeinheit (1400 ) die externe Versorgungsspannung (VEXT) anhebt und die angehobene Spannung als Betriebsspannung (VDD) für den nichtflüchtigen Speicher (1200 ) ausgibt, wenn die externe Versorgungsspannung niedriger als eine vorgebbare Detektionsspannung (VDET) ist. - Speicherkarte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsmanagementeinheit (
1400 ) die externe Versorgungsspannung (VEXT) als Betriebsspannung (VDD) ausgibt, wenn die externe Versorgungsspannung (VEXT) höher als die Detektionsspannung und niedriger als die Betriebsspannung (VDD) ist. - Speicherkarte nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsmanagementeinheit (
1400 ) die externe Versorgungsspannung (VEXT) mindestens auf die Detektionsspannung anhebt, wenn die externe Versorgungsspannung (VEXT) niedriger als die Detektionsspannung ist. - Speicherkarte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsmanagementeinheit (
1400 ) die externe Versorgungsspannung (VEXT) auf die Betriebsspannung (VDD) regelt, wenn die externe Versorgungsspannung höher als die Betriebsspannung ist. - Speicherkarte nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsmanagementeinheit (
1400 ) einen passiven Kondensator (CEXT) umfasst, der als individuelles Bauelement auf einer gedruckten Leiterplatte (1800 ) installiert ist, auf welcher wenigstens ein Teil der Leistungsmanagementeinheit (1400 ) installiert ist. - Speicherkarte nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsmanagementeinheit (
1400 ) eine Pegeldetektorschaltung (1410 ), welche detektiert, ob die externe Versorgungsspannung (VEXT) niedriger als die Detektionsspannung ist, und eine Spannungskonverterschaltung (1420 ,1430 ) umfasst, welche die externe Versorgungsspannung entweder anhebt oder regelt, um die Betriebsspannung (VDD) basierend auf dem Detektionsergebnis der Pegeldetektorschaltung auszugeben. - Speicherkarte nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungskonverterschaltung folgende Komponenten umfasst: – einen Verstärker (
1420 ), welcher in Reaktion auf eine Ausgabe (DET1) der Pegeldetektorschaltung (1410 ) arbeitet und die externe Versorgungsspannung (VEXT) anhebt und als Betriebsspannung (VDD) ausgibt, und – einen Regler (1430 ) zum Regeln der externen Versorgungsspannung auf die Betriebsspannung in Reaktion auf die Ausgabe der Pegeldetektorschaltung. - Speicherkarte nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Verstärker (
1420 ) den passiven Kondensator umfasst, welcher als individuelles Bauelement auf der gedruckten Leiterplatte (1800 ) installiert ist, auf welcher auch die übrigen Komponenten der Leistungsmanagementeinheit (1400 ) installiert sind. - Speicherkarte mit – einer gedruckten Leiterplatte (
1800 ), – einem nichtflüchtigen Speicherchip (1200 ), welcher auf der gedruckten Leiterplatte (1800 ) angeordnet ist, und – einem auf der gedruckten Leiterplatte (1800 ) angeordneten Steuerschaltungschip (1600 ) zum Empfangen einer externen Versorgungsspannung (VEXT) und zum Bereitstellen einer Betriebsspannung (VDD) für den nichtflüchtigen Speicherchip (1200 ), dadurch gekennzeichnet, dass – ein passiver Kondensator (CEXT) auf der gedruckten Leiterplatte (1800 ) angeordnet ist, und – der Steuerschaltungschip (1600 ) unter Verwendung des passiven Kondensators einen spannungsanhebenden Verstärkungsvorgang ausführt, wenn die externe Versorgungsspannung (VEXT) niedriger als eine Detektionsspannung (VDET) ist, und die angehobene Spannung als Betriebsspannung (VDD) für den nichtflüchtigen Speicherchip (1200 ) ausgibt. - Speicherkarte nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerschaltungschip die externe Versorgungsspannung unter Verwendung des passiven Kondensators anhebt, wenn die externe Versorgungsspannung geringer als die Detektionsspannung ist, und die angehobene Spannung abgibt.
- Speicherkarte nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerschaltungschip (
1600 ) die externe Versorgungsspannung (VEXT) unter Verwendung des passiven Kondensators (CEXT) auf die Betriebsspannung (VDD) anhebt und ausgibt, wenn die externe Versorgungsspannung (VEXT) niedriger als die Detektionsspannung ist. - Speicherkarte nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerschaltungschip (
1600 ) die externe Versorgungsspannung (VEXT) als Betriebsspannung (VDD) ausgibt, wenn die externe Versorgungsspannung (VEXT) höher als die Detektionsspannung und niedriger als die Betriebsspannung (VDD) ist. - Speicherkarte nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuerschaltungschip (
1600 ) folgende Komponenten umfasst: – eine Pegeldetektorschaltung (1410 ), welche detektiert, ob die externe Versorgungsspannung (VEXT) niedriger als die Detektionsspannung ist, und – eine Verstärkersteuerschaltung zum Anheben der externen Versorgungsspannung unter Verwendung des passiven Kondensators, wenn die externe Versorgungsspannung niedriger als die Detektionsspannung ist. - Speicherkarte mit – einer gedruckten Leiterplatte (
1800 ) und – einem auf der gedruckten Leiterplatte angeordneten integrierten Schaltungschip (IC), welcher einen nichtflüchtigen Speicherchip (1200 ) und einen Steuerschaltungschip (1600 ) umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass – ein passiver Kondensator (CEXT) auf der gedruckten Leiterplatte (1800 ) angeordnet ist und – der integrierte Schaltungschip (IC) eine Pegeldetektorschaltung (1410 ), welche detektiert, ob eine externe Versorgungsspannung (VEXT) niedriger als eine Detektionsspannung (VDET) ist, und eine Verstärkersteuerschaltung umfasst, welche die externe Versorgungsspannung unter Verwendung des passiven Kondensators anhebt, wenn die externe Versorgungsspannung niedriger als die Detektionsspannung ist. - Speicherkarte nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass der integrierte Schaltungschip (IC) einen Regler (
1430 ) umfasst, welcher die externe Versorgungsspannung (VEXT) als Betriebsspannung (VDD) ausgibt, wenn die externe Versorgungsspannung (VEXT) höher als die Detektionsspannung und niedriger als die Betriebsspannung (VDD) ist, und die externe Versorgungsspannung (VEXT) auf die Betriebsspannung (VDD) regelt, wenn die externe Versorgungsspannung (VEXT) höher als die Betriebsspannung (VDD) des nichtflüchtigen Speichers (1200 ) ist. - Speicherkarte nach Anspruch 14 oder 15, gekennzeichnet durch eine Verstärkerschaltung (
1420 ), welche den passiven Kondensator und die Verstärkersteuerschaltung umfasst, zum Verstärken der externen Versorgungsspannung (VEXT). - Speicherkarte nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektionsspannung höher als eine minimale Betriebsspannung eines Betriebsbereichs des nichtflüchtigen Speichers (
1200 ) und niedriger als die Betriebsspannung (VDD) ist oder einer minimalen Betriebsspannung eines Betriebsbereichs des nichtflüchtigen Speichers (1200 ) entspricht. - Speicherkarte nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass der nichtflüchtige Speicher (
1200 ) ein Flashspeicher, ein ferroelektrischer RAM, ein magnetoresistiver RAM oder ein Phasenwechsel-RAM ist.
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KR101044796B1 (ko) * | 2004-01-13 | 2011-06-29 | 삼성전자주식회사 | 휴대용 데이터 저장 장치 |
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US7864615B2 (en) * | 2005-02-25 | 2011-01-04 | Kingston Technology Corporation | Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use |
US20060239056A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Dietmar Gogl | Generation of MRAM programming currents using external capacitors |
TW200639873A (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Silicon Power Comp & Comm Inc | System for converting input voltage in memory card |
US20070076325A1 (en) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Nokia Corporation | Apparatus for indicating a state of a device |
DE102005054130A1 (de) * | 2005-11-14 | 2007-05-16 | Bosch Gmbh Robert | Druckmedium und Druckgerät |
TW200723289A (en) * | 2005-12-09 | 2007-06-16 | A Data Technology Co Ltd | Non-volatile memory storage device and controller thereof |
US7518902B2 (en) * | 2005-12-23 | 2009-04-14 | Infineon Technologies Ag | Resistive memory device and method for writing to a resistive memory cell in a resistive memory device |
US20070174641A1 (en) * | 2006-01-25 | 2007-07-26 | Cornwell Michael J | Adjusting power supplies for data storage devices |
US7702935B2 (en) * | 2006-01-25 | 2010-04-20 | Apple Inc. | Reporting flash memory operating voltages |
US7861122B2 (en) * | 2006-01-27 | 2010-12-28 | Apple Inc. | Monitoring health of non-volatile memory |
US7705475B2 (en) * | 2006-08-03 | 2010-04-27 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system |
KR100851549B1 (ko) | 2007-02-01 | 2008-08-11 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈 |
US7539034B2 (en) * | 2007-02-01 | 2009-05-26 | Qimonda North America Corp. | Memory configured on a common substrate |
US8446750B2 (en) | 2007-02-01 | 2013-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory module using optical signal |
US20080288712A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-20 | Cornwell Michael J | Accessing metadata with an external host |
US7913032B1 (en) | 2007-04-25 | 2011-03-22 | Apple Inc. | Initiating memory wear leveling |
US9734376B2 (en) | 2007-11-13 | 2017-08-15 | Cognex Corporation | System and method for reading patterns using multiple image frames |
US9305180B2 (en) * | 2008-05-12 | 2016-04-05 | New BIS Luxco S.à r.l | Data obfuscation system, method, and computer implementation of data obfuscation for secret databases |
US8159269B2 (en) * | 2008-07-02 | 2012-04-17 | Active-Semi, Inc. | Multi-function input terminal of integrated circuits |
TWI401571B (zh) * | 2009-07-10 | 2013-07-11 | Universal Scient Ind Shanghai | 外部電源供應裝置及其電源供應方法 |
KR101772582B1 (ko) | 2011-07-06 | 2017-08-30 | 삼성전자주식회사 | 음전압을 제공하는 비휘발성 메모리 장치 |
KR101857529B1 (ko) | 2011-11-08 | 2018-05-15 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그것의 구동 방법 |
US8525581B2 (en) * | 2011-11-14 | 2013-09-03 | Robert Newton Rountree | Power supply protection circuit and method |
DE102012111829A1 (de) | 2011-12-06 | 2013-06-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Speichersysteme und Blockkopierverfahren davon |
KR101893145B1 (ko) | 2011-12-06 | 2018-10-05 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템들 및 그것들의 블록 복사 방법들 |
KR101859646B1 (ko) | 2011-12-16 | 2018-05-18 | 삼성전자주식회사 | 보안 데이터를 보호하는 메모리 장치 및 보안 데이터를 이용한 데이터 보호 방법 |
KR101391352B1 (ko) | 2011-12-19 | 2014-05-07 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 프로그램 방법 |
US9651499B2 (en) | 2011-12-20 | 2017-05-16 | Cognex Corporation | Configurable image trigger for a vision system and method for using the same |
US9036432B2 (en) | 2012-06-21 | 2015-05-19 | Transcend Information, Inc. | Method for controlling data write operation of a mass storage device |
KR101988430B1 (ko) | 2012-11-12 | 2019-06-13 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러 및 그것을 포함하는 사용자 시스템 |
KR101998219B1 (ko) * | 2012-12-18 | 2019-07-09 | 삼성전자주식회사 | 보조 전원 장치 및 그것을 포함하는 사용자 시스템 |
US9478297B2 (en) * | 2014-01-31 | 2016-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Multiple-time programmable memory |
WO2015147503A1 (en) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for charging battery and electronic device |
KR102284653B1 (ko) * | 2014-07-02 | 2021-08-03 | 삼성전자 주식회사 | 전자 장치 |
US9704581B2 (en) * | 2014-12-27 | 2017-07-11 | Intel Corporation | Voltage ramping detection |
KR102280433B1 (ko) * | 2015-09-23 | 2021-07-22 | 삼성전자주식회사 | 전력 공급 회로 및 이를 포함하는 저장 장치 |
US10310580B2 (en) | 2015-10-09 | 2019-06-04 | Sandisk Technologies Llc | Voltage level detection and analog circuit arrangements for memory systems |
JP7048794B1 (ja) * | 2021-05-06 | 2022-04-05 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 半導体装置および動作方法 |
US11776625B2 (en) * | 2021-10-07 | 2023-10-03 | Micron Technology, Inc. | Boost-assisted memory cell selection in a memory array |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0729386A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリ及びマイクロコンピュータ |
US5483486A (en) * | 1994-10-19 | 1996-01-09 | Intel Corporation | Charge pump circuit for providing multiple output voltages for flash memory |
EP0792505B1 (de) * | 1994-10-19 | 2001-07-04 | Intel Corporation | Spannungsversorgungen für flash-speicher |
US5870617A (en) * | 1994-12-22 | 1999-02-09 | Texas Instruments Incorporated | Systems, circuits and methods for mixed voltages and programmable voltage rails on integrated circuits |
TW419828B (en) * | 1997-02-26 | 2001-01-21 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
US5933047A (en) * | 1997-04-30 | 1999-08-03 | Mosaid Technologies Incorporated | High voltage generating circuit for volatile semiconductor memories |
US6184724B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-02-06 | Macronix International Co., Ltd. | Voltage detection circuit |
JP2001273784A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 昇圧回路および半導体記憶装置 |
JP2002026254A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路および不揮発性メモリ |
JP2002025287A (ja) * | 2000-07-12 | 2002-01-25 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2003257187A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Hitachi Ltd | 不揮発性メモリ、icカード及びデータ処理装置 |
US6667929B1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-23 | International Business Machines Corporation | Power governor for dynamic RAM |
JP4412947B2 (ja) * | 2003-09-08 | 2010-02-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | メモリカード |
JP2005109659A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
KR101044796B1 (ko) * | 2004-01-13 | 2011-06-29 | 삼성전자주식회사 | 휴대용 데이터 저장 장치 |
JP4491267B2 (ja) * | 2004-04-09 | 2010-06-30 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP4822895B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2011-11-24 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
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