DE102006024423A1 - Structure producing method for multiple opto-electronic components, involves producing pressure between roller and auxiliary carrier by relative movement of roller relatively to auxiliary carrier - Google Patents

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Abstract

The method involves producing the structures (5) through multiple opto-electronic components (1), which are arranged on an auxiliary carrier (10). A relative movement of the roller (15) is carried out relatively to an auxiliary carrier, which produces a pressure between the roller and an auxiliary carrier. The auxiliary carrier uses a flexible foil. The relative motion of the roller relative to an auxiliary carrier produces a photo resistant layer (30). An independent claim is also included for a photolithographic production device comprising an auxiliary carrier and an exposure unit for the exposure of the photo resistant layer.

Description

Aus der Veröffentlichung "Roller nanoimprint lithography" (J. Vac. Sci. Technol. B 16 (6), 1998, Seiten 3926 bis 3928) ist ein Prägeverfahren, ein so genanntes Walzen-Nanoimprintverfahren bekannt, bei dem mittels einer über ein Substrat laufender Walze ein auf dem Substrat befindlicher Photoresist strukturiert wird.Out the publication "Roller nanoimprint lithography" (J. Vac. Sci. Technol. B 16 (6), 1998, pages 3926 to 3928) is an embossing process, a so-called Roll nanoimprint known, in which by means of a on Substrate running roller, a photoresist on the substrate is structured.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Erzeugung von Strukturen auf einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen bereitzustellen. Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens sowie eine Vorrichtung für dieses Verfahren sind Gegenstand weiterer Ansprüche.The The object of the present invention is a method for generating structures on a variety of optoelectronic To provide components. This task comes with a procedure solved according to claim 1. Further advantageous embodiments of the method and an apparatus for this Methods are the subject of further claims.

Die Erfindung beschreibt in einer Ausführungsform ein Verfahren zum Erzeugen von Strukturen auf einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen,

  • – wobei die Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen auf einem Hilfsträger angeordnet sind und die Strukturen dadurch erzeugt werden, dass eine Relativbewegung einer ersten Walze relativ zu dem Hilfsträger durchgeführt wird und dabei mittels Ausübens eines Druckes zwischen der ersten Walze und dem Hilfsträger die Strukturen erzeugt werden.
In one embodiment, the invention describes a method for producing structures on a multiplicity of optoelectronic components,
  • - Wherein the plurality of optoelectronic components are arranged on a subcarrier and the structures are produced in that a relative movement of a first roller relative to the subcarrier is carried out and thereby by applying a pressure between the first roller and the subcarrier, the structures are produced.

Dabei kann sich die erste Walze über einen stationär gehaltenen Hilfsträger bewegen oder die Position der ersten Walze ist fest und der Hilfsträger mit den optoelektronischen Bauelementen wird relativ zur ersten Walze an dieser vorbeibewegt. Weiterhin ist auch möglich, dass sich die erste Walze und der Hilfsträger beide, bevorzugt gleichzeitig, bewegen und dadurch eine Beschleunigung des Verfahrens erreicht werden kann. Dabei ist es möglich, dass zur Ausübung des Drucks die erste Walze gegen den Hilfsträger und damit die optoelektronischen Bauelemente gedrückt wird oder umgekehrt der Hilfsträger mit den optoelektronischen Bauelementen gegen die erste Walze gepresst wird. Weiterhin kann der Druck auch sowohl über die Walze als auch den Hilfsträger ausgeübt werden, so dass die erste Walze und der Hilfsträger aneinander gedrückt werden.there can the first roller over a stationary one held subcarrier move or the position of the first roller is fixed and the subcarrier with the optoelectronic devices becomes relative to the first roller passed this. Furthermore, it is also possible that the first Roller and the subcarrier both, preferably at the same time, move and thereby accelerate of the method can be achieved. It is possible that to exercise the pressure of the first roller against the subcarrier and thus the optoelectronic Components pressed or vice versa, the subcarrier with the optoelectronic components pressed against the first roller becomes. Furthermore, the pressure can also be both on the roller and the Subcarriers are exercised, so that the first roller and the subcarrier are pressed together.

Die Erfinder haben gefunden, dass ein Hilfsträger die Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen stabilisiert, so dass besonders einfach ein bevorzugt kontinuierlich ablaufendes Walzenverfahren durchgeführt werden kann, bei dem die optoelektronischen Bauelemente auf dem Hilfsträger an der ersten Walze vorbeigeführt werden.The Inventors have found that one subcarrier has the variety of optoelectronic Stabilized components, so that a particularly simple preferred continuous rolling process can be performed can, in which the optoelectronic components on the subcarrier at the first Roller passed become.

Als Hilfsträger kann beispielsweise vorteilhafterweise eine flexible erste Folie verwendet werden. Eine flexible erste Folie ermöglicht es beispielsweise, in einem kontinuierlichen Verfahren die Strukturen in der Vielzahl der auf dem Hilfsträger angeordneten optoelektronischen Bauelemente zu erzeugen, ohne eine aufwändige Justage durchzuführen.When subcarrier For example, advantageously a flexible first film be used. A flexible first slide allows, for example, in a continuous process the structures in the multiplicity on the subcarrier to produce arranged optoelectronic components without a complex To carry out adjustment.

Bei einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens wird mittels der Relativbewegung der ersten Walze zu dem Hilfsträger ein Stempel auf die optoelektronischen Bauelemente aufgedrückt und dadurch die Strukturen erzeugt.at a further embodiment a method according to the invention is by means of the relative movement of the first roller to the subcarrier a Stamped on the optoelectronic components and thereby creating the structures.

Der Stempel kann beispielsweise auf der ersten Walze vorhanden sein, so dass dann bei Ausüben eines Drucks zwischen der Walze und den auf dem Hilfsträger angeordneten optoelektronischen Bauelementen die Strukturen auf den optoelektronischen Bauelementen mittels Einprägens erzeugt werden.Of the Stamp may be present on the first roll, for example, so that when exercising a pressure between the roller and arranged on the subcarrier optoelectronic devices the structures on the optoelectronic Components by impressing be generated.

Alternativ ist es möglich, zusätzlich zu der ersten Folie, auf der die optoelektronischen Bauelemente angeordnet sind, eine zweite Folie zu verwenden, auf der der Stempel beispielsweise als strukturierte Schicht angeordnet ist. Bei einem derartigen Verfahren lassen sich dann mittels einer Relativbewegung der ersten Walze auch zu der zweiten Folie und Ausüben eines Drucks zwischen der ersten Walze, der zweiten Folie und dem Hilfsträger die Strukturen in den optoelektronischen Bauelementen erzeugen.alternative Is it possible, additionally to the first film on which the optoelectronic devices are arranged to use a second film on which the stamp is arranged for example as a structured layer. At a Such methods can then be by means of a relative movement the first roller also to the second film and exerting a Pressure between the first roller, the second film and the subcarrier the Create structures in the optoelectronic devices.

Die Strukturen des Stempels, die entweder auf der ersten Walze oder auf der zweiten Folie angeordnet sind dabei vorteilhafterweise komplementär zu den zu erzeugenden Strukturen auf den optoelektronischen Bauelementen (siehe beispielsweise 1 und 2).The structures of the stamp, which are arranged either on the first roller or on the second film are advantageously complementary to the structures to be produced on the optoelectronic components (see, for example 1 and 2 ).

Die Strukturen in der Vielzahl der optoelektronischen Bauelemente lassen sich beispielsweise besonders einfach mittels eines lithografischen Verfahrens erzeugen, bei dem optoelektronische Bauelemente verwendet werden, auf deren Oberfläche eine Photoresistschicht angeordnet ist. Mittels der oben genannten Relativbewegung der ersten Walze zu dem Hilfsträger können dann die Strukturen in der Photoresistschicht erzeugt werden. Besonders vorteilhaft ist es, wenn diese Strukturen in der Photoresistschicht anschließend in die optoelektronischen Bauelemente übertragen werden, zum Beispiel mittels Ätzens mit Hilfe von reaktiven Plasmen.The Leave structures in the plurality of optoelectronic devices For example, particularly simple means of a lithographic Produce method using optoelectronic devices be on whose surface a Photoresist layer is arranged. By means of the above-mentioned relative movement the first roller to the subcarrier can then the structures are created in the photoresist layer. Especially It is advantageous if these structures in the photoresist layer subsequently be transferred to the optoelectronic devices, for example by etching with the help of reactive plasmas.

In einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens werden gleichzeitig mit der Erzeugung der Strukturen in der Photoresistschicht diese Strukturen ausgehärtet. Eine sofortige Aushärtung der Strukturen unmittelbar während oder nach ihrer Bildung mittels Einprägen eines Stempels erhöht die Stabilität dieser Strukturen und verhindert eine Deformation des Photoresists nach der Strukturierung z. B. aufgrund eines Zerfließens des Photoresists. Besonders vorteilhaft werden die Strukturen durch Belichten ausgehärtet. Bei einem solchen Fall ist es besonders günstig, wenn eine erste Walze verwendet wird, die transparent für das bei der Belichtung verwendete Licht ist. Dabei können dann während der Strukturierung durch die erste Walze die gerade durch Einprägen erzeugten Strukturen in der Vielzahl der optoelektronischen Bauelemente über die erste Walze belichtet werden.In a further embodiment of a method according to the invention, these structures are cured simultaneously with the formation of the structures in the photoresist layer. Immediate curing of the structures immediately during or after their formation by imprinting a stamp increases the stability of these structures and prevents a deformation of the photoresist after structuring z. Due to bleed of the photoresist. The structures are particularly advantageously cured by exposure. In such a case, it is particularly favorable when a first roller is used which is transparent to the light used in the exposure. In this case, during structuring by the first roller, the structures just produced by impressing can then be exposed in the plurality of optoelectronic components via the first roller.

Es kann z. B. eine erste Walze verwendet werden, auf deren Oberfläche Auskoppelstrukturen zur Auskopplung des bei der Belichtung verwendeten Lichts angeordnet sind. Diese Auskoppelstrukturen können zylinderförmig, vieleckig z. B. quadratisch oder kreisförmige Vertiefungen sein. Ein Auskoppeln des für die Belichtung verwendeten Lichts aus der ersten Walze kann beispielsweise dabei durchgeführt werden, dass bei dem Kontakt der Walze mit den Photoresistschichten oder den optoelektronischen Bauelementen eine Brechungsindexänderung resultiert, die zur Auskopplung des Lichts verwendet wird.It can z. B. a first roller can be used on the surface Auskoppelstrukturen for Decoupling of the light used in the exposure are. These coupling-out structures can be cylindrical, polygonal z. B. square or circular Be depressions. A decoupling of the used for the exposure Light from the first roller can be carried out, for example, thereby that upon contact of the roller with the photoresist layers or the optoelectronic components, a refractive index change results, which is used to decouple the light.

In dem Fall, dass eine Belichtung eines strukturierten Photoresists notwendig ist, kann auch eine erste Walze verwendet werden, in der eine Belichtungseinheit für die Belichtung bereits integriert ist. Dies hat den Vorteil, dass das Licht direkt in der ersten Walze erzeugt wird und aus dieser ausge koppelt wird und auf die gerade mittels des Einprägens erzeugten Strukturen in der Photoresistschicht einwirkt. Somit muss das Licht nicht erst von außen in die erste Walze eingekoppelt werden, was in der Regel immer mit Verlusten verbunden ist.In in the case of exposure to a patterned photoresist is necessary, a first roller can be used in the an exposure unit for the exposure is already integrated. This has the advantage that the light is generated directly in the first roller and out of this is coupled out and on the just produced by means of impressing Structures in the photoresist layer acts. So the light has to be not only from the outside be coupled into the first roller, which is usually always with Losses is connected.

Weiterhin ist es möglich, dass die Bereiche der Photoresistschicht die gerade strukturiert werden erhitzt werden, um diese Bereiche etwas mehr fließfähiger zu halten und somit die Einprägung der Strukturen mittels des Stempels zu erleichtern, wobei die Gefahr eines Reißens der Photoresistschicht vermindert wird. Dazu kann z. B. in der ersten Walze integriert oder separat davon eine Heizeinrichtung vorhanden sein, die die zu strukturierenden Bereiche aufheizt. Besonders vorteilhaft ist es wenn die Heizeinrichtung der Walze vorgeschaltet ist und somit die zu strukturierenden Bereiche zuerst aufgeheizt und anschließend mittels der Walze strukturiert werden.Farther Is it possible, that the areas of the photoresist layer just structured will be heated to make these areas a little more fluid hold and thus the impression To facilitate the structures by means of the punch, the danger a crack the photoresist layer is reduced. This can z. B. in the first Roller integrated or separately from a heater available be that heats the areas to be structured. Especially advantageous it is when the heater of the roller is connected upstream and Thus, the areas to be structured first heated and then by means of the roller are structured.

Bei einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens kann eine zweite Folie verwendet werden, auf der die Strukturen, die auf den optoelektronischen Bauelementen erzeugt werden sollen in einer strukturierten Schicht angeordnet sind. Mittels der Relativbewegung der Walze zu dem Hilfsträger, auf dem die Vielzahl der optoelektronischen Bauelemente angeordnet ist, wird dann die strukturierte Schicht mit den Strukturen mittels Ausüben eines Drucks auf die optoelektronischen Bauelemente übertragen. Dabei kann ein beliebiges Bondverfahren eingesetzt werden. Bei einem derartigen Verfahren wird somit kein Stempel für das Einprägen der Strukturen in den optoelektronischen Bauelementen benötigt, sondern die bereits vorhandenen Strukturen auf die optoe lektronischen Bauelemente übertragen (siehe zum Beispiel 5).In a further embodiment of a method according to the invention, a second film may be used on which the structures which are to be produced on the optoelectronic components are arranged in a structured layer. By means of the relative movement of the roller to the auxiliary carrier on which the plurality of optoelectronic components is arranged, the structured layer is then transferred to the structures by exerting a pressure on the optoelectronic components. In this case, any bonding method can be used. In such a method, therefore, no stamp is required for impressing the structures in the optoelectronic components, but the already existing structures are transmitted to the optoelectronic components (see, for example 5 ).

In einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens kann eine zweite Walze neben der ersten Walze verwendet werden, die ebenfalls relativ zu dem Hilfsträger bewegt wird, wobei die zweite Walze so relativ zur ersten Walze angeordnet wird, dass der Hilfsträger mit den optoelektronischen Bauelementen und der Stempel beziehungsweise die dritte Folie mit den zu übertragenden Strukturen zwischen der ersten und zweiten Walze hindurchgeführt und hindurchgepresst werden. Bei einer derartigen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens werden der Hilfsträger mit den optoelektronischen Bauelementen und der Stempel beziehungsweise die dritte Folie mit den zu übertragenden Strukturen zwischen der ersten und zweiten Walze besonders vorteilhaft fixiert (siehe beispielsweise die 3 und 4). Dabei können die erste und zweite Walze gegeneinander gepresst werden so dass besonders einfach der zur Erzeugung der Strukturen notwendige Druck aufgebaut werden kann.In a further embodiment of a method according to the invention, a second roller can be used in addition to the first roller, which is also moved relative to the subcarrier, wherein the second roller is arranged relative to the first roller, that the subcarrier with the optoelectronic components and the stamp or the third film with the structures to be transferred between the first and second roller passed and pressed through. In such an embodiment of a method according to the invention, the auxiliary carrier with the optoelectronic components and the stamp or the third film with the structures to be transferred between the first and second rollers are particularly advantageously fixed (see, for example, US Pat 3 and 4 ). In this case, the first and second rollers can be pressed against each other so that the pressure required to produce the structures can be built up in a particularly simple manner.

Beide Walzen, oder falls nur die erste Walze vorhanden ist, nur diese können flexibel sein und somit eine besonders einfache Erzeugung der Strukturen erlauben.Both Rolling, or if only the first roll is present, only these can be flexible and thus a particularly simple generation of the structures allow.

Als Strukturen können auf der Mehrzahl der optoelektronischen Bauelemente beispielsweise Auskopplungsstrukturen für die von den Bauelementen emittierte Strahlung erzeugt werden in dem Fall, dass die Strukturen auf strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelementen erzeugt werden. Dabei können als Auskopplungsstrukturen beispielsweise photonische Kristalle auf den optoelektronischen Bauelementen erzeugt werden. So ist es beispielsweise möglich, mittels Prägens beziehungswei se Übertragens der Strukturen eine Vielzahl von Vertiefungen auf den Oberflächen der optoelektronischen Bauelemente zu erzeugen. Diese Vertiefungen können von Erhebungen begrenzt sein, so dass eine unter Umständen regelmäßige Anordnung von Vertiefungen und Erhebungen auf der Oberfläche der optoelektronischen Bauelemente erzeugt werden kann (siehe beispielsweise 6). Zur Herstellung eines photonischen Kristalls werden dann vorteilhafterweise die Vertiefungen mit einem Material, bevorzugt einem dielektrischen Material befüllt, das einen Brechungsindex aufweist, der unterschiedlich ist von dem Brechungsindex der Erhebungen, die zum Beispiel aus einem Halbleitermaterial bestehen. Somit kann auf der Oberfläche der optoelektronischen Bauelemente eine abwechselnde Anordnung von ersten Bereichen mit einem ersten Brechungsindex und zweiten Bereichen mit einem vom ersten Brechungsindex unterschiedlichen zweiten Brechungsindex erzeugt werden, die regelmäßig oder auch nicht-symmetrisch angeordnet sein können. Diese Anordnung kann beispielsweise die Struktur eines zweidimensionalen Gitters aufweisen, wobei der Abstand zwischen benachbarten Erhebungen in etwa an die Wellenlänge des von dem optoelektronischen Bauelements erzeugten Strahlung angepasst ist, die aus dem Bauelement ausgekoppelt werden soll. Vertiefungen können beispielsweise mit einem Dielektrikum aufgefüllt sein, dessen Brechungsindex sich von den Erhebungen unterscheidet. Möglich ist es aber auch, die Vertiefungen nicht aufzufüllen, so dass sich lediglich z. B. Luft in diesen Vertiefungen befindet. Die Vertiefungen beziehungsweise Strukturen, die mittels des Prägens mit Hilfe des Stempels beziehungsweise der Übertragung der Strukturen auf den optoelektronischen Bauelementen erzeugt werden, können dabei jede beliebige Form annehmen. Durch den photonischen Kristall kann auch die gerichtete Abstrahlung des Lichts verbessert werden.As structures, for example, outcoupling structures for the radiation emitted by the components can be generated on the majority of the optoelectronic components in the event that the structures are produced on radiation-emitting optoelectronic components. In this case, for example, photonic crystals can be generated on the optoelectronic components as outcoupling structures. It is thus possible, for example, to produce a multiplicity of indentations on the surfaces of the optoelectronic components by means of embossing or transfer of the structures. These recesses may be limited by elevations, so that a possibly regular arrangement of depressions and elevations on the surface of the optoelectronic components can be generated (see, for example 6 ). To produce a photonic crystal, the depressions are then advantageously filled with a material, preferably a dielectric material, which has a refractive index which is different from the refractive index of the elevations, which consist for example of a semiconductor material. Consequently On the surface of the optoelectronic components, an alternating arrangement of first regions with a first refractive index and second regions with a second refractive index different from the first refractive index can be generated, which can be arranged regularly or non-symmetrically. This arrangement may, for example, have the structure of a two-dimensional grid, wherein the distance between adjacent elevations is approximately matched to the wavelength of the radiation generated by the optoelectronic component which is to be coupled out of the component. Wells can be filled, for example, with a dielectric whose refractive index differs from the surveys. But it is also possible not to fill the wells, so that only z. B. air is located in these wells. The recesses or structures which are produced by means of embossing with the aid of the stamp or the transfer of the structures on the optoelectronic components can take on any desired shape. By the photonic crystal and the directional radiation of light can be improved.

Optoelektronische Bauelemente, auf denen die Strukturen mittels der erfindungsgemäßen Verfahren erzeugt werden, können vorteilhafterweise jeweils eine zur Erzeugung der Strahlung vorgesehene aktive Schicht aufweisen, die zwischen einer ersten und einer zweiten Halbleiterschicht angeordnet sind, wobei die Strukturen als Lichtauskoppelstrukturen so erzeugt werden, dass sie im Strahlengang der jeweiligen Bauelemente angeordnet sind (siehe beispielsweise 6). Die erste Halbleiterschicht kann dabei beispielsweise p-leitend und die zweite Halbleiterschicht vorzugsweise n-leitend sein. Wird dann in Transmissionsrichtung ein Strom durch die ersten und zweiten Halbleiterschichten geschickt, rekombinieren Elektronen und "Löcher" im Bereich der aktiven Schicht, wobei die freiwerdende Energie in Form von Strahlung abgegeben werden kann.Optoelectronic components on which the structures are produced by means of the methods according to the invention can advantageously each have an active layer provided for generating the radiation, which are arranged between a first and a second semiconductor layer, wherein the structures are produced as light extraction structures in such a way Beam path of the respective components are arranged (see, for example 6 ). The first semiconductor layer may be p-type, for example, and the second semiconductor layer may be preferably n-type. If a current is then passed through the first and second semiconductor layers in the transmission direction, electrons and "holes" recombine in the region of the active layer, whereby the released energy can be emitted in the form of radiation.

Besonders vorteilhaft werden mittels der erfindungsgemäßen Verfahren Dünnfilmhalbleiterkörper beziehungsweise Dünnfilmleuchtdioden mit Strukturen versehen.Especially Advantageously, by means of the inventive method thin-film semiconductor body or Thin-film LED provided with structures.

Dünnfilmleuchtdioden zeichnen sich insbesondere dadurch aus:

  • – dass an einer zu einem Trägerelement hingewandten ersten Hauptfläche einer strahlungserzeugenden Epitaxieschichtenfolge eine reflektierende Schicht aufgebracht oder ausgebildet ist, die zumindest einen Teil der in die Epitaxieschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert,
  • – wobei die Epitaxieschichtenfolge mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche enthält, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichts in der epitakti schen Epitaxieschichtenfolge führt, das heißt sie weist ein möglichst ergodisches stochastisches Streuverhalten auf.
Thin-film light-emitting diodes are characterized in particular by:
  • A reflective layer is applied or formed on a first main surface of a radiation-generating epitaxial layer sequence facing a carrier element, which reflects back at least part of the electromagnetic radiation generated in the epitaxial layer sequence,
  • - Wherein the Epitaxieschichtenfolge contains at least one semiconductor layer having at least one surface having a mixing structure, which leads to an almost ergodic distribution of the light in the epitaxial epitaxial epitaxial layer sequence, that is, it has a possible ergodic stochastic scattering behavior.

Das Prinzip einer Dünnschichtleuchtdiode ist beispielsweise in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückzug aufgenommen wird.The Principle of a thin-film light-emitting diode For example, see I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), October 18, 1993, 2174-2176, the content of their revelation is thus hereby withdrawn becomes.

Eine Dünnfilmleuchtdiode ist in guter Näherung ein Lambert'scher Oberflächenstrahler und eignet sich daher besonders gut für die Anwendung in einem Scheinwerfer.A Thin-film light-emitting diode is in good approximation a Lambertian surface emitter and is therefore particularly well suited for use in a headlight.

Vorteilhafterweise weist die Epitaxieschichtenfolge eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger insbesondere im Bereich von 10 μm auf.advantageously, For example, the epitaxial layer sequence has a thickness in the range of 20 μm or less especially in the range of 10 microns on.

Besonders gut lassen sich mittels der erfindungsgemäßen Verfahren die zu erzeugenden Strukturen als Nanostrukturen erzeugen. Nanostrukturen haben Ausdehnungen von etwa 30 bis 1000 nm, bevorzugt von 80 bis 800 nm, weiter bevorzugt 80 bis 200 nm. Diese Strukturen sind somit wesentlich kleiner als die Ausdehnungen der einzelnen optoelektronischen Bauelemente, die häufig in der Größenordnung von 200 μm bis 1000 μm liegen. Auf Grund des großen Unterschieds der Dimensionen, der bei etwa 1:10 liegen kann, ist es somit nicht nötig, die Vielzahl der optoelektronischen Bauelemente auf dem Hilfsträger gegenüber der ersten oder auch zweiten Walze genau zu justieren. Vielmehr lassen sich die erfindungsgemäßen Verfahren auch bei nicht so genauer Justage sehr einfach und zuverlässig durchführen.Especially can be well by means of the method according to the invention to be produced Create structures as nanostructures. Nanostructures have dimensions from about 30 to 1000 nm, preferably from 80 to 800 nm, more preferably 80 to 200 nm. These structures are thus substantially smaller than the dimensions of the individual optoelectronic components, the often in the order of magnitude of 200 μm up to 1000 μm lie. Because of the big one Difference in dimensions, which may be around 1:10, is it is not necessary the plurality of optoelectronic components on the subcarrier relative to the first or second roller to be adjusted exactly. Rather let the methods of the invention even with not so accurate adjustment very easy and reliable perform.

In dem Falle, dass Lichtauskoppelstrukturen als Strukturen auf den optoelektronischen Bauelementen erzeugt werden, wei sen die einzelnen Strukturen bevorzugt Ausdehnungen von 80 bis 120 nm auf, wenn blaues Licht ausgekoppelt werden soll beziehungsweise Ausdehnungen von 150 bis 200 nm, wenn grünes Licht ausgekoppelt werden soll.In the case that light extraction structures as structures on the optoelectronic components are generated, wei sen the individual Structures prefers extents of 80 to 120 nm when blue Light is to be coupled out or expansions of 150 to 200 nm, if green Light is to be disconnected.

Bei einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens sind die Vielzahl von zu strukturierenden optoelektronischen Bauelementen Bestandteil eines größeren zusammenhängenden Waferverbandes, der nach der Strukturierung und der evtl. Aufbringung von Bondverbindungen noch zu den jeweiligen einzelnen optoelektronischen Bauelementen vereinzelt werden muss (siehe beispielsweise Vereinzelungslinien in 1).In a further embodiment of a method according to the invention, the plurality of optoelectronic components to be structured are part of a larger contiguous wafer assemblage which still has to be separated into the respective individual optoelectronic components after structuring and the possible application of bond connections (see for example singulation lines in FIG 1 ).

In einer weiteren Ausführungsform ist Gegenstand der Erfindung eine Vorrichtung zur photolithografischen Erzeugung von Strukturen in einer Vielzahl von auf einem Hilfsträger angeordneten optoelektronischen Bauelementen,

  • – mit einer Belichtungseinheit zur Belichtung des Photoresists,
  • – mit einer ersten Walze, die transparent für die von der Belichtungseinheit emittierte Strahlung ist,
  • – mit einer Transporteinheit zur Beförderung eines Hilfsträgers und
  • – mit einer Positionierungseinheit zur relativen Ausrichtung der ersten Walze und der Transporteinheit zueinander.
In a further embodiment, the subject of the invention is an apparatus for the photolithographic production of structures in one Plurality of optoelectronic components arranged on a subcarrier,
  • With an exposure unit for exposing the photoresist,
  • With a first roller which is transparent to the radiation emitted by the exposure unit,
  • - With a transport unit for the carriage of a subcarrier and
  • - With a positioning unit for relative alignment of the first roller and the transport unit to each other.

Bei einer derartigen Vorrichtung kann die Belichtungseinheit somit Licht emittieren, wobei die erste Walze transparent für dieses Licht ist und somit direkt dazu dienen kann, dass Licht zur Belichtung des Photoresists während der Strukturie rung durch die Walze auf die gerade gebildeten Strukturen zu lenken.at In such a device, the exposure unit can thus light emit, wherein the first roller is transparent to this light and thus can directly serve that light to expose the photoresist while the structuring tion by the roller on the structures just formed to steer.

Vorteilhafterweise ist die Belichtungseinheit in der ersten Walze integriert. Die Belichtungseinheit kann aber auch eine von der ersten Walze separate Funktionseinheit darstellen, die z. B. außerhalb der ersten Walze angeordnet ist.advantageously, the exposure unit is integrated in the first roller. The exposure unit can but also represent a functional unit separate from the first roller, the z. Outside the first roller is arranged.

Weiterhin umfasst in einer weiteren Ausführungsform die Vorrichtung eine Transporteinheit zur Beförderung des Hilfsträgers zu der ersten Walze, wobei die Transporteinheit beispielsweise ein Band zum Transport des Hilfsträgers zur ersten Walze sein kann.Farther comprises in a further embodiment the device to a transport unit for conveying the subcarrier to the first roller, wherein the transport unit, for example, a Tape for transporting the subcarrier to the first roller can be.

Ein derartiges Band kann nicht nur den Hilfsträger mit den darauf angeordneten optoelektronischen Bauelementen zur Walze transportieren, sondern auch gleichzeitig den Hilfsträger mit den optoelektronischen Bauelementen stabilisieren, sodass ein Druck zwischen der Walze und den optoelektronischen Bauelementen entweder zum Einprägen der Strukturen oder zum Übertrag der Strukturen von der dritten Folie aufgebaut werden kann.One Such tape can not only the subcarrier with the arranged on it Optoelectronic devices transport to the roller, but at the same time the subcarrier stabilize with the optoelectronic components, so that a pressure between the roller and the optoelectronic devices either for memorizing structures or to carry over the structures of the third film can be built.

Die Positionierungseinheit kann z. B. ein Motor sein, der z. B. dazu dient die Walze über dem Band, der Transporteinheit auszurichten. Die Positionierungseinheit kann weiterhin derart ausgestaltet sein, dass die erste Walze einen Druck auf die Transporteinheit ausüben kann und so der zur Erzeugung der Strukturen benötigte Druck aufgebaut wird.The Positioning unit can, for. B. be a motor, the z. For example the roller is over the band to align the transport unit. The positioning unit can also be designed such that the first roller a Can exert pressure on the transport unit and so on to produce the Structures needed Pressure is built up.

Weiterhin kann eine derartige Vorrichtung mit einer zusätzlichen zweiten Walze ausgestattet sein, die so relativ zur ersten Walze angeordnet ist, dass mittels der Positionierungs einheit die Transporteinheit und damit dann auch der später darauf befindliche Hilfsträger mit den optoelektronischen Bauelementen zwischen beiden Walzen hindurchgeführt werden kann.Farther For example, such a device can be equipped with an additional second roller be arranged so relative to the first roller that means the positioning unit, the transport unit and then also the later on it located subcarrier be passed with the optoelectronic components between the two rollers can.

In weiteren Ausführungsformen kann die Vorrichtung auch eine Heizeinrichtung umfassen, die z. B. entweder in der ersten oder zweiten Walze integriert ist oder diesen Walzen vorgeschaltet ist. Diese Heizeinrichtung kann die Photoresistschichten der auf der Transporteinheit befindlichen optoelektronischen Bauelemente aufheizen und diese so flexibel genug für den Prägevorgang mittels des Stempels machen. Die Heizeinrichtung kann den Walzen oder der ersten Walze vorgeschaltet sein und somit in Bewegungsrichtung der Transporteinheit vor den Walzen oder der ersten Walze positioniert sein.In further embodiments the device may also include a heating device, the z. B. is integrated in either the first or second roller or upstream of these rollers. This heater can the Photoresist layers of the optoelectronic on the transport unit Heating components and making them flexible enough for the stamping process by means of the stamp. The heater can be the rollers or the first roller and thus in the direction of movement the transport unit positioned in front of the rollers or the first roller be.

Im Folgenden soll die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und Figuren noch näher erläutert werden. Bei den Figuren handelt es sich um nicht maßstabsgetreue, schematische Darstellungen.in the The invention is based on embodiments and figures even closer explained become. The figures are not to scale, schematic representations.

1 ist eine Querschnittszeichnung einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem der Stempel auf der Walze vorhanden ist. 1 is a cross-sectional drawing of an embodiment of a method according to the invention, in which the stamp is present on the roller.

2 zeigt im Querschnitt eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem der Stempel auf einer zweiten Folie vorhanden ist. 2 shows in cross section a further embodiment of a method according to the invention, in which the stamp is present on a second film.

3 und 4 zeigen verschiedene Ausführungsformen von erfindungsgemäßen Verfahren mit zwei Walzen. 3 and 4 show various embodiments of inventive method with two rolls.

5 zeigt im Querschnitt ein erfindungsgemäßes Verfahren, bei dem von einer dritten Folie die Strukturen auf die optoelektronischen Bauelemente übertragen werden. 5 shows in cross section a method according to the invention in which the structures are transferred from a third film to the optoelectronic components.

6 zeigt schematisch im Querschnitt eine Dünnfilmleuchtdiode mit einem photonischen Kristall, der mittels der erfindungsgemäßen Verfahren erzeugt werden kann. 6 shows schematically in cross-section a thin-film light emitting diode with a photonic crystal, which can be produced by means of the inventive method.

7 zeigt im Querschnitt schematisch eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung. 7 shows in cross-section schematically an embodiment of a device according to the invention.

1 zeigt im Querschnitt eine erste Walze 15, auf der ein Stempel 20 mit Ausbuchtungen vorhanden ist, der in Richtung des Pfeils 45 über die optoelektronische Bauelemente 1, die auf einem Hilfsträger 10 angeordnet sind, bewegt wird. Dabei drückt sich der Stempel 20 der Walze 15 in auf den optoelektronischen Bauelementen angeordnete Photoresistschichten 30. Dabei können mittels Pressens des Stempels 20 Vertiefungen als die Strukturen 5 erzeugt werden, die jeweils von Erhebungen flankiert sind. Es ist zu sehen, dass mehrere Waferverbände 70 auf dem Hilfsträger 10, z. B. einer Folie angeordnet werden können, die jeweils mehrere einzelne Bauelemente umfassen. Nach der Erzeugung der Strukturen können diese einzelnen Bauelemente beispielsweise mittels eines Laserverfahrens entlang der Vereinzelungslinien 60 vereinzelt werden. 1 shows in cross section a first roller 15 on which a stamp 20 with bulges in the direction of the arrow 45 via the optoelectronic components 1 on a subcarrier 10 are arranged, is moved. The stamp is expressed 20 the roller 15 in arranged on the optoelectronic devices photoresist layers 30 , It can by pressing the punch 20 Pits as the structures 5 are generated, each flanked by surveys. It can be seen that several wafer associations 70 on the subcarrier 10 , z. B. a film can be arranged, each having a plurality of individual Components include. After the structures have been produced, these individual components can be produced, for example, by means of a laser process along the separation lines 60 to be isolated.

2 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, wobei im Gegensatz zu 1 diesmal der Stempel 20 auf einer zweiten Folie 35 angeordnet ist und nicht auf der ersten Walze 15. Zu sehen ist, dass die Walze 15 wieder in Richtung des Pfeils 45 auf die zweite Folie 35 mit dem Stempel 20 gepresst wird, der dadurch mittels Einprägens die Strukturen 5 in den Photoresistschichten 30 der optoelektronischen Bauelemente 1 erzeugt. Wie bereits in 1 gezeigt, sind die optoelektronischen Bauelemente wieder in so genannte Waferverbunden angeordnet, wobei die einzelnen Bauelemente mittels Vereinzelns entlang der Vereinzelungslinien 60 nach dem Strukturieren vereinzelt werden können. 2 shows a further embodiment of the invention, in contrast to 1 this time the stamp 20 on a second slide 35 is arranged and not on the first roller 15 , You can see that the roller 15 again in the direction of the arrow 45 on the second slide 35 with the stamp 20 This presses the structures by impressing them 5 in the photoresist layers 30 the optoelectronic components 1 generated. As already in 1 2, the optoelectronic components are again arranged in so-called wafer composites, wherein the individual components are separated by singulation along the singulation lines 60 can be separated after structuring.

3 zeigt eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem eine erste Walze 15 und eine zweite Walze 50 verwendet werden und zwischen diesen Walzen eine Anordnung aus dem Hilfsträger 10 mit den darauf befindlichen Wafern 70 zusammen mit der zweiten Folie 35, die den Stempel aufweist, durch die beiden Walzen in Richtung des Pfeils 45 gezogen werden. Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist bei dieser perspektivischen Zeichnung der Stempel auf der zweiten Folie 35 und die Photoresistschichten auf den Wafern 70 nicht zu sehen. Die erste Walze 15 kann dabei noch eine integrierte Belichtungseinheit für die Belichtung der Photoresistmaterialien aufweisen. Im Gegensatz zu 3 ist bei der Anordnung in 4 die Reihenfolge der zweiten Folie 35 und des Hilfsträgers 10 vertauscht. In diesem Fall enthält die zweite Walze 50 eine integrierte Belichtungseinheit zur Belichtung der Resistmaterialien auf den optoelektronischen Bauelementen der Wafer. 3 shows an embodiment of the method according to the invention, in which a first roller 15 and a second roller 50 be used and between these rollers an arrangement of the subcarrier 10 with the wafers on it 70 together with the second slide 35 , which has the punch, through the two rollers in the direction of the arrow 45 to be pulled. For clarity, in this perspective drawing of the stamp on the second film 35 and the photoresist layers on the wafers 70 not to be seen. The first roller 15 can still have an integrated exposure unit for the exposure of the photoresist materials. In contrast to 3 is in the arrangement in 4 the order of the second slide 35 and the subcarrier 10 reversed. In this case, the second roller contains 50 an integrated exposure unit for exposing the resist materials on the optoelectronic components of the wafer.

5 zeigt eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem kein Stempel benötigt wird, sondern mittels Abrollens der ersten Walze 15 in Richtung des Pfeils 45 die Strukturen 5, die sich auf einer dritten Folie 51 befinden, auf die optoelektronischen Bauelemente 1, die auf dem Hilfsträger 10 angeordnet sind, übertragen werden. Dabei ist zu erkennen, dass die Strukturen 5 umgekehrt auf der dritten Folie 51 angeordnet sind und somit die Bereiche der Strukturen 5, die vor der Übertragung im Kontakt mit der dritten Folie 51 stehen nach der Übertragung der Oberfläche 1A der optoelektronischen Bauelemente 1 gegenüberstehen. Weiterhin ist zu erkennen, dass die dritte Folie 51 in den Bereichen 51A, in denen ein Übertrag bereits stattgefunden hat, sich von den Strukturen 5 gelöst hat. Die erste Walze 15 kann z. B. eine Heizeinrichtung zur Aufheizung der dritten Folie 51 enthalten, die den Übertrag der Strukturen 5 auf die Bauelemente 1 erleichtert. 5 shows an embodiment of a method according to the invention, in which no stamp is needed, but by means of rolling the first roller 15 in the direction of the arrow 45 the structures 5 that is on a third slide 51 located on the optoelectronic devices 1 on the subcarrier 10 are arranged to be transmitted. It can be seen that the structures 5 reversed on the third slide 51 are arranged and thus the areas of the structures 5 that before transfer in contact with the third slide 51 stand after the transfer of the surface 1A the optoelectronic components 1 face. Furthermore, it can be seen that the third film 51 in the fields of 51A in which a carryover has already taken place, depart from the structures 5 has solved. The first roller 15 can z. B. a heater for heating the third film 51 contain the carry over of the structures 5 on the components 1 facilitated.

6 zeigt schematisch ein optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine Dünnfilmleuchtdiode 1, die mittels der erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden kann. Die mittels der erfindungsgemäßen Verfahren erzeugten Strukturen 5 können beispielsweise durch Auffüllen der Vertiefungen mit einem dielektrischen Material in modifizierte Strukturen 5B überführt werden. Dabei entsprechen die mittels des Prägeverfahrens beziehungsweise des Übertrags erzeugten Erhebungen den Bereichen 60B und die Vertiefungen den Bereichen 60A, die mittlerweile mit einem Material aufgefüllt wurden, sodass die Bereiche 60A und 60B unterschiedliche Brechungsindizes aufweisen und beispielsweise einem photonischen Kristall zur Auskopplung des in der Dünnfilmleuchtdiode erzeugten Lichts bilden. Diese Dünnfilmleuchtdiode weist dabei eine zweite Halbleiterschicht 65 und eine erste Halbleiterschicht 70 auf, die eine aktive Schicht 75 begrenzen, in der Licht erzeugt werden kann und in der es zur Rekombination von Elektronen beziehungsweise "Löchern" bei Anlegen eines Stroms kommt. Die zweite Halbleiterschicht 65 ist bevorzugt n-leitend und die erste Halbleiterschicht 70 bevorzugt p-leitend. Weiterhin ist eine Reflexionsschicht 80 vorhanden, die zur Reflexion des in der aktiven Schicht 75 erzeugten Lichts dient. Eine derartige Reflexion ist beispielsweise mit dem Pfeil 29 angedeutet. Die Bereiche 60A des photonischen Kristalls 11 sind bevorzugt zylinderförmig ausgestaltet, können aber auch jede andere beliebige Form annehmen. Die Bereiche 60A und 60B sind dabei regelmäßig auf der Oberfläche der Dünnfilmdiode 1 angeordnet, sodass ein so genanntes zweidimensionales Gitter gebildet wird. Sie können in anderen Ausführungsformen der Erfindung aber auch nicht-symmetrisch angeordnet sein. 6 schematically shows an optoelectronic device, such as a thin film light emitting diode 1 , which can be prepared by the method according to the invention. The structures produced by the methods according to the invention 5 For example, by filling the recesses with a dielectric material into modified structures 5B be transferred. In this case, the surveys generated by means of the embossing method or the carry correspond to the areas 60B and the pits in the areas 60A , which have been filled up with a material, so the areas 60A and 60B have different refractive indices and form, for example, a photonic crystal for coupling out the light generated in the thin-film light-emitting diode. This thin-film light-emitting diode has a second semiconductor layer 65 and a first semiconductor layer 70 on that an active layer 75 limit, in which light can be generated and in which it comes to the recombination of electrons or "holes" when applying a current. The second semiconductor layer 65 is preferably n-type and the first semiconductor layer 70 preferably p-type. Furthermore, a reflection layer 80 present, reflecting the reflection in the active layer 75 generated light is used. Such a reflection is for example with the arrow 29 indicated. The areas 60A of the photonic crystal 11 are preferably cylindrical in shape, but can also take any other arbitrary shape. The areas 60A and 60B are regularly on the surface of the thin-film diode 1 arranged so that a so-called two-dimensional grid is formed. However, they may also be arranged non-symmetrically in other embodiments of the invention.

Die Strahlung 22 und 23, die in der aktiven Schicht 75 erzeugt wird, kann auf direktem Wege durch die zweite Halbleiterschicht 65 hindurch gelangen, wobei die Strahlung 23 direkt über die Strahlungsaustrittsfläche 12 aus der Diode 1 ausgekoppelt werden kann. Der Anteil der Strahlung, die unter einem Winkel kleiner als der Grenzwinkel ϑ der Totalreflexion auf die Strahlungsaustrittsfläche 12 trifft, kann die Dünnfilmleuchtdiode 1 auf direktem Weg verlassen. Für den Grenzwinkel ϑ der Totalreflexion gilt dabei: sin(ϑ) = n2/n1,wobei n1 der Brechungsindex eines optisch dichteren Halbleitermaterials und n2 der Brechungsindex des an das optisch dichtere Halbleitermaterial angrenzenden optisch dünneren Mediums, beispielsweise Luft ist. Eine Totalreflexion tritt auf, wenn der Winkel größer oder gleich dem Grenzwinkel ϑ der Totalreflexion ist. Die Winkelangaben beziehen sich hier auf die Normale der Grenzfläche im Auftreffpunkt des Lichtstrahls.The radiation 22 and 23 that in the active layer 75 is generated, can directly through the second semiconductor layer 65 pass through, the radiation 23 directly over the radiation exit surface 12 from the diode 1 can be disconnected. The proportion of radiation that is less than the critical angle θ of the total reflection on the radiation exit surface at an angle 12 meets, the thin film light emitting diode 1 leave directly. For the critical angle θ of the total reflection applies: sin (θ) = n2 / n1, where n1 is the refractive index of an optically denser semiconductor material and n2 is the refractive index of the optically thinner medium adjacent to the optically denser semiconductor material, for example air. Total reflection occurs when the angle is greater than or equal to the critical angle θ of total reflection. The angle data refer here to the normal of the interface at the point of impact of the light beam.

Der photonische Kristall 11 dient dabei dazu, die Verluste bei der Lichtauskopplung durch Totalreflexion zu vermindern, was am Beispiel des Lichtstrahls 23 gezeigt wird. Der photo nische Kristall 11 klappt dabei dem Strahl 23 durch einen Umklappprozess, gezeigt anhand des Vektors 27 um in einen Strahl 24, der dann die Dünnfilmleuchtdiode 1 bei einem Grenzwinkel kleiner dem Grenzwinkel der Totalreflexion verlassen kann. Somit können mittels des photonischen Kristalls 11 die Auskopplungsverluste des Lichts durch Totalreflexion vermindert werden. Durch den photonischen Kristall kann auch die gerichtete Abstrahlung des Lichts verbessert werden.The photonic crystal 11 serves to reduce the losses in the light extraction by total reflection, what the example of the light beam 23 will be shown. The photo nical crystal 11 it works the beam 23 by a folding process, shown by the vector 27 in a ray 24 , then the thin-film light-emitting diode 1 can leave at a critical angle smaller than the critical angle of total reflection. Thus, by means of the photonic crystal 11 the output losses of the light are reduced by total reflection. By the photonic crystal and the directional radiation of light can be improved.

7 zeigt im Querschnitt schematisch eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung bei der mittels eines Bandes, der Transporteinheit 100 die auf dem Hilfsträger 10 angeordneten optoelektronischen Bauelemente 1 mit darauf aufgebrachten Photoresistschichten in Richtung des Pfeils 45 transportiert werden. Dabei wird mittels der Positionierungseinheit 110, die z. B. einen flexiblen und evtl. auch schwenkbaren Arm 110A umfassen kann, die erste Walze 15 über den Photoresistschichten positioniert wobei dabei auch der für eine Prägung erforderliche Druck aufgebaut werden kann um die Strukturen 5 zu erzeugen. Weiterhin ist eine Heizeinrichtung 120 zur Aufheizung und damit Flexibilisierung der Photoresistschichten vorhanden, die der ersten Walze vorgeschaltet sein kann oder auch in der ersten Walze integriert sein kann. In die erste Walze integriert ist auch eine Belichtungseinheit 90 zur Aushärtung des Resists. Diese Belichtungseinheit kann auch außerhalb der Walze positioniert sein. Weiterhin könnte noch eine zweite Walze vorhanden sein. 7 shows in cross-section schematically an embodiment of a device according to the invention in the means of a belt, the transport unit 100 those on the subcarrier 10 arranged optoelectronic components 1 with photoresist layers applied thereto in the direction of the arrow 45 be transported. In this case, by means of the positioning unit 110 that z. B. a flexible and possibly also pivotable arm 110A may comprise the first roller 15 positioned over the photoresist layers while also the pressure required for embossing can be built around the structures 5 to create. Furthermore, a heater 120 for heating and thus flexibilization of the photoresist layers present, which may be upstream of the first roller or may be integrated in the first roller. Also integrated into the first roller is an exposure unit 90 for curing the resist. This exposure unit can also be positioned outside the roller. Furthermore, a second roller could be present.

Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die hier gezeigten Ausführungsbeispiele. Weitere Variationen sind beispielsweise hinsichtlich Form der erzeugten Strukturen möglich.The Restricted invention not on the embodiments shown here. Other variations are possible, for example, in terms of the shape of the structures produced.

Claims (24)

Verfahren zum Erzeugen von Strukturen (5) auf einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen (1) – wobei die Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen (1) auf einem Hilfsträger (10) angeordnet sind und die Strukturen (5) dadurch erzeugt werden, dass eine Relativbewegung einer ersten Walze (15) relativ zu dem Hilfsträger (10) durchgeführt wird und dabei mittels Ausübens eines Druckes zwischen der ersten Walze (15) und dem Hilfsträger (10) die Strukturen (5) erzeugt werden.Method for generating structures ( 5 ) on a multiplicity of optoelectronic components ( 1 ) - wherein the plurality of optoelectronic components ( 1 ) on a subcarrier ( 10 ) and the structures ( 5 ) are produced by a relative movement of a first roller ( 15 ) relative to the subcarrier ( 10 ) is carried out and thereby by applying a pressure between the first roller ( 15 ) and the subcarrier ( 10 ) the structures ( 5 ) be generated. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, – bei dem als Hilfsträger (10) eine flexible erste Folie verwendet wird.Method according to the preceding claim, - in which as subcarrier ( 10 ) a flexible first sheet is used. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, – wobei mittels der Relativbewegung der ersten Walze (15) relativ zu dem Hilfsträger (10) ein Stempel (20) auf die optoelektronischen Bauelemente aufgedrückt wird und dadurch die Strukturen erzeugt werden.Method according to one of the preceding claims, - wherein by means of the relative movement of the first roller ( 15 ) relative to the subcarrier ( 10 ) a stamp ( 20 ) is pressed onto the optoelectronic components and thereby the structures are generated. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, – wobei optoelektronische Bauelemente (1) verwendet werden, auf deren Oberfläche eine Photoresistschicht (30) angeordnet ist, – und mittels der Relativbewegung der ersten Walze (15) relativ zu dem Hilfsträger (10) die Strukturen (5) in der Photoresistschicht (30) erzeugt werden.Method according to the preceding claim, - wherein optoelectronic components ( 1 ), on the surface of which a photoresist layer ( 30 ) is arranged, - and by means of the relative movement of the first roller ( 15 ) relative to the subcarrier ( 10 ) the structures ( 5 ) in the photoresist layer ( 30 ) be generated. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, – bei dem die Strukturen (5) in der Photoresistschicht (30) in die optoelektronischen Bauelemente (1) übertragen werden.Method according to the preceding claim, - in which the structures ( 5 ) in the photoresist layer ( 30 ) in the optoelectronic components ( 1 ) be transmitted. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 3 bis 5, – bei dem eine erste Walze (15) verwendet wird, bei der der Stempel (20) auf der Oberfläche angeordnet ist.Method according to one of the preceding claims 3 to 5, - in which a first roller ( 15 ) is used, in which the stamp ( 20 ) is arranged on the surface. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 3 bis 5, – bei dem zusätzlich eine zweite Folie (35) verwendet wird auf der der Stempel angeordnet wird, – wobei die zweite Folie (35) mittels der Relativbewegung in Kontakt mit den Bauelementen (1) oder der Photoresistschicht (30) gebracht wird und durch Eindrücken des Stempels (20) die Strukturen gebildet werden.Method according to one of the preceding claims 3 to 5, - in which additionally a second film ( 35 ) is used on which the stamp is arranged, - wherein the second film ( 35 ) by means of the relative movement in contact with the components ( 1 ) or the photoresist layer ( 30 ) and by impressing the stamp ( 20 ) the structures are formed. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche 4 bis 7, – wobei gleichzeitig mit der Erzeugung der Strukturen in der Photoresistschicht diese Strukturen ausgehärtet werden.Method according to one of the preceding claims 4 to 7, - in which simultaneously with the formation of the structures in the photoresist layer hardened these structures become. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, – bei dem die Strukturen durch Belichten ausgehärtet werden und eine erste Walze verwendet wird, die transparent für das bei der Belichtung verwendete Licht ist.Method according to the preceding claim, - in which the structures are cured by exposure and a first Roller is used, which is transparent to the light used in the exposure is. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, – bei dem eine erste Walze verwendet wird, auf deren Oberfläche Auskoppelstrukturen zur Auskopplung des bei der Belichtung verwendeten Lichts angeordnet sind.Method according to the preceding claim, - in which a first roller is used, on the surface Auskoppelstrukturen arranged to decouple the light used in the exposure are. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, – bei dem eine erste Walze verwendet wird in der eine Belichtungseinheit (90) für die Belichtung integriert ist.Method according to one of claims 9 or 10, - in which a first roller is used in the one exposure unit ( 90 ) is integrated for the exposure. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, – bei dem eine dritte Folie (51) verwendet wird, auf der die Strukturen in einer strukturierten Schicht angeordnet sind, – wobei die dritte Folie mittels der Relativbewegung in Kontakt mit den optoelektronischen Bauelementen gebracht wird und dabei die strukturierte Schicht auf die optoelektronischen Bauelemente übertragen wird.Method according to Claim 1 or 2, - in which a third film ( 51 ) is used, on which the structures are arranged in a structured layer, - wherein the third film is brought by means of the relative movement in contact with the optoelectronic components, and thereby the structured layer is transferred to the optoelectronic components. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, – wobei eine zweite Walze (50) verwendet wird, die relativ zu dem Hilfsträger (10) bewegt wird.Method according to one of the preceding claims, - wherein a second roller ( 50 ) which is relative to the subcarrier ( 10 ) is moved. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, – wobei die zweite Walze (50) so relativ zu ersten Walze angeordnet wird, dass der Hilfsträger (10) mit den optoelektronischen Bauelementen (1) zwischen der ersten (15) und zweiten Walze (50) hindurchgeführt wird.Method according to the preceding claim, - wherein the second roller ( 50 ) is arranged relative to the first roller such that the auxiliary carrier ( 10 ) with the optoelectronic components ( 1 ) between the first ( 15 ) and second roller ( 50 ) is passed. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche zur Herstellung einer Vielzahl von strahlungsemittierenden, optoelektronischen Bauelementen, – wobei als Strukturen eine Mehrzahl von Auskopplungsstrukturen für die von dem Bauelementen emittierte Strahlung erzeugt werden.Method according to one of the preceding claims Production of a variety of radiation-emitting, optoelectronic components - in which as structures, a plurality of outcoupling structures for the the radiation emitted by the components can be generated. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, – wobei als Auskopplungsstrukturen photonische Kristalle auf den optoelektronischen Bauelementen erzeugt werden.Method according to the preceding claim, - in which as decoupling structures photonic crystals on the optoelectronic Components are generated. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 oder 16, – wobei eine Vielzahl von strahlungsemittierenden, optoelektronischen Bauelementen verwendet wird, die jeweils eine zur Erzeugung der Strahlung vorgesehene aktive Schicht aufweisen, die zwischen einer ersten und einer zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist und – wobei die Strukturen so erzeugt werden, dass sie im Strahlengang der Bauelemente angeordnet sind.Method according to one of claims 15 or 16, - in which a plurality of radiation-emitting, optoelectronic components is used, each one provided for generating the radiation have active layer between a first and a second Semiconductor layer is arranged and - whereby the structures are generated in this way be that they are arranged in the beam path of the components. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, – bei dem als optoelektronische Bauelemente Dünnfilm-Halbleiterkörper verwendet werden.Method according to one of the preceding claims, - in which be used as optoelectronic components thin-film semiconductor body. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, – bei dem die Strukturen als Nano-Strukturen erzeugt werden.Method according to one of the preceding claims, - in which the structures are generated as nano-structures. Vorrichtung zur photolithographischen Erzeugung von Strukturen in einer Vielzahl von auf einem Hilfsträger (10) angeordneten optoelektronischen Bauelementen (1), – mit einer Belichtungseinheit (90) zur Belichtung des Photoresists (30), – mit einer ersten Walze (15), die transparent für die von der Belichtungseinheit (90) emittierte Strahlung ist, – mit einer Transporteinheit (100) zur Beförderung des Hilfsträgers (10) und – mit einer Positionierungseinheit (110) zur relativen Ausrichtung der ersten Walze und der Transporteinheit zueinander.Apparatus for the photolithographic production of structures in a plurality of on a subcarrier ( 10 ) arranged optoelectronic components ( 1 ), - with an exposure unit ( 90 ) for exposure of the photoresist ( 30 ), - with a first roller ( 15 ) that are transparent to that of the exposure unit ( 90 ) emitted radiation, - with a transport unit ( 100 ) for the transport of the subcarrier ( 10 ) and - with a positioning unit ( 110 ) for relative alignment of the first roller and the transport unit to each other. Vorrichtung nach dem vorhergehenden Anspruch, – wobei die Belichtungseinheit in der ersten Walze integriert ist.Device according to the preceding claim, - in which the exposure unit is integrated in the first roller. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 20 oder 21, – bei der als Transporteinheit ein Band zum Transport des Hilfsträgers zur ersten Walze vorhanden ist.Device according to one of the preceding claims 20 or 21 - at the transport unit as a band for transporting the subcarrier for first roller is present. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 20 bis 22, – mit einer zusätzlichen zweiten Walze, die so relativ zur ersten Walze angeordnet ist, dass mittels der Positionierungseinheit der Hilfsträger zwischen beiden Walzen hindurchgeführt werden kann.Device according to one of claims 20 to 22, - with a additional second roller, which is arranged relative to the first roller that by means of the positioning unit of the subcarrier between two rollers passed can be. Vorrichtung nach einer der Ansprüche 20 bis 23, – bei der die Positionierungseinheit (110) zumindest ein Element enthält ausgewählt aus: flexibler Arm verbunden mit der ersten Walze (15) zur Positionierung der ersten Walze (15) relativ zur Transporteinheit (100) und Motor zum Betrieb der ersten Walze (15).Device according to one of claims 20 to 23, - in which the positioning unit ( 110 ) comprises at least one element selected from: flexible arm connected to the first roller ( 15 ) for positioning the first roller ( 15 ) relative to the transport unit ( 100 ) and motor for operating the first roller ( 15 ).
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