DE102006041460A1 - Radiation emitting semiconductor chip, has semiconductor layer sequence with active area for producing electromagnetic radiation, which is arranged between base and side surfaces, and reflecting layer is applied on base and side surfaces - Google Patents

Radiation emitting semiconductor chip, has semiconductor layer sequence with active area for producing electromagnetic radiation, which is arranged between base and side surfaces, and reflecting layer is applied on base and side surfaces Download PDF

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    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Abstract

The semiconductor chip (100) has base surfaces formed on opposite sides, which are connected with each other by side surfaces (13,14). A semiconductor layer sequence (1) with an active area (10) for producing electromagnetic radiation is arranged between the base surfaces and the side surfaces. A reflecting layer (21,22,23,24) is applied on each of the base surfaces and the side surfaces, which reflects back, in the semiconductor layer. A part of the electromagnetic radiation generated in the active area, and the reflecting layer has an opening (3) for outlet of the electromagnetic radiation. An independent claim is also included for a device with a radiation emitting semiconductor chip.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterchip, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung emittiert, und eine Vorrichtung mit zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip.The The present invention relates to a semiconductor chip that operates emitted electromagnetic radiation, and a device with at least one radiation-emitting semiconductor chip.

Die Leuchtdichte von lichtemittierenden Dioden (LED) konnte in den letzten Jahren durch verschiedene Maßnahmen erheblich erhöht werden, beispielsweise durch Verbesserungen der Materialqualität und der internen Effizienz etwa durch Verbesserungen bei der Bildung von Epitaxieschichtenfolgen oder auch durch die Erhöhung der Auskoppeleffizienz des im Betrieb erzeugten Lichts etwa durch verbesserte Geometrien oder durch Maßnahmen wie etwa Aufrauungen auf der Chipoberfläche einer LED.The Luminance of light emitting diodes (LED) could last in Years through various measures significantly increased such as improvements in material quality and internal efficiency such as through improvements in the formation of Epitaxial layer sequences or by increasing the coupling-out efficiency of the light generated during operation, for example by improved geometries or by action such as roughening on the chip surface of an LED.

Es kann jedoch erforderlich sein, eine weitere Steigerung der Leuchtdichte beziehungsweise der so genannten Etendue zu erreichen. Diese ist gegeben als das Produkt aus der Abstrahlfläche der Lichtquelle und dem Raumwinkel, in den die Lichtquelle abstrahlt, und bleibt in klassischen optischen Systemen, die beispielsweise auf Lichtbrechung oder Reflexion beruhen, erhalten. Das bedeutet insbesondere, dass die Etendue durch klassische optische Systeme nicht gesteigert werden kann.It However, it may be necessary to further increase the luminance or the so-called etendue. This is given as the product of the emitting surface of the light source and the Solid angle into which the light source radiates, and remains in classical optical systems, for example, to refraction or reflection are based. This means in particular that the etendue through classic optical systems can not be increased.

Die Patentschrift US 6,869,206 B2 beschreibt ein Beleuchtungssystem, das eine Mehrzahl von Leuchtdioden umfasst, die in einem reflektierenden Hohlraum mit einer Lichtaustritts öffnung angeordnet sind. Bei einer solchen Anordnung kann es gemäß der Druckschrift möglich sein, die Etendue der Anordnung im Vergleich zu der Mehrzahl von Leuchtdioden zu steigern. Jedoch erfordert die Anordnung einen komplexen Aufbau und den Einsatz einer Mehrzahl von Leuchtdioden.The patent US 6,869,206 B2 describes a lighting system comprising a plurality of light-emitting diodes, which are arranged in a reflective cavity with a light exit opening. With such an arrangement, according to the document, it may be possible to increase the etendue of the arrangement in comparison to the plurality of light-emitting diodes. However, the arrangement requires a complex structure and the use of a plurality of light-emitting diodes.

Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist es daher, einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip anzugeben, der von reflektierenden Schichten mit einer Öffnung umgeben ist. Dadurch kann beispielsweise eine Steigerung der Leuchtdichte ermöglicht werden. Weiterhin ist es zumindest eine Aufgabe, eine Vorrichtung mit einem solchen strahlungsemittierenden Halbleiterchip anzugeben.At least a task of certain embodiments The present invention is therefore a radiation-emitting Specify a semiconductor chip of reflective layers with an opening is surrounded. As a result, for example, an increase in the luminance allows become. Furthermore, it is at least a task, a device specify with such a radiation-emitting semiconductor chip.

Diese Aufgaben werden durch die Gegenstände mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Gegenstände sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.These Tasks are solved by the subject matters with the features of the independent claims. advantageous Embodiments and Further developments of the objects are in the dependent claims marked and go from the description below and the drawings.

Ein strahlungsemittierender Halbleiterchip gemäß einer Ausführungsform der Erfindung umfasst insbesondere

  • – zwei als gegenüberliegende Seiten ausgebildete Hauptoberflächen, die durch Seitenflächen miteinander verbunden sind, und
  • – eine Halbleiterschichtenfolge mit einem aktiven Bereich zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung
wobei
  • – die Halbleiterschichtenfolge zwischen den Hauptoberflächen und den Seitenflächen angeordnet ist,
  • – auf jeder der Hauptoberflächen und der Seitenflächen jeweils eine reflektierende Schicht angebracht ist, die zumin dest einen Teil der im aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert, und
  • – eine reflektierende Schicht auf einer Hauptoberfläche oder einer Seitenfläche eine Öffnung für den Austritt der elektromagnetischen Strahlung aufweist.
A radiation-emitting semiconductor chip according to an embodiment of the invention comprises in particular
  • Two main surfaces formed as opposite sides, which are interconnected by side surfaces, and
  • A semiconductor layer sequence having an active region for generating electromagnetic radiation
in which
  • The semiconductor layer sequence is arranged between the main surfaces and the side surfaces,
  • - On each of the main surfaces and the side surfaces in each case a reflective layer is mounted, which reflects at least a portion of the electromagnetic radiation generated in the active region of the semiconductor layer sequence in this back, and
  • - A reflective layer on a main surface or a side surface has an opening for the exit of the electromagnetic radiation.

Dabei kann es sich insbesondere bei der im aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung um elektromagnetische Strahlung mit einem Spektrum im ultravioletten bis infraroten Wellenlängenbereich handeln. Weiterhin kann das Spektrum eine oder mehrere Komponenten mit verschiedenen Wellenlängen oder Wellenlängenbereich umfassen. Bevorzugt kann das Spektrum eine oder mehrere Komponenten im Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts aufweisen. Insbesondere kann das Spektrum zumindest eine Komponente mit einer Wellenlänge zwischen etwa 400 nm und etwa 800 nm umfassen. Darüber hinaus kann das Spektrum alternativ oder zusätzlich beispielsweise zumindest eine Komponente im infraroten Wellenlängenbereich umfassen. Beispielsweise kann das Spektrum eine Komponente mit einer Wellenlänge zwischen etwa 800 nm bis etwa 2 Mikrometer aufweisen.there In particular, it may be the case in the active region of the semiconductor layer sequence generated electromagnetic radiation to electromagnetic radiation with a spectrum in the ultraviolet to infrared wavelength range act. Furthermore, the spectrum may include one or more components with different wavelengths or wavelength range include. Preferably, the spectrum may include one or more components in the wavelength range of visible light. In particular, the spectrum can at least one component with a wavelength between about 400 nm and about 800 nm. About that In addition, the spectrum may alternatively or additionally, for example, at least comprise a component in the infrared wavelength range. For example, can the spectrum is a component with a wavelength between about 800 nm to about 2 microns.

Im Weiteren kann in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung die Bezeichnung „reflektierend" oder „transparent" beispielsweise für eine Schicht oder ein Bauteil oder einen Bereich einer Schicht oder eines Bauteils bedeuten, dass besagte Schicht oder besagtes Bauteil oder besagter Teil davon reflektierend beziehungsweise transparent für zumindest einen Teil, insbesondere einen Teil des Spektrums, oder bevorzugt für die gesamte im aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge erzeugte elektromagnetische Strahlung ist.in the Furthermore, in a further embodiment of the invention, the Designation "reflective" or "transparent", for example for a layer or a component or region of a layer or a component mean that said layer or said component or said Part of it reflective or transparent for at least a part, in particular a part of the spectrum, or preferred for the Entire electromagnetic generated in the active region of the semiconductor layer sequence Radiation is.

Durch Anlegen eines Strom beziehungsweise einer Spannung an die Halbleiterschichtenfolge kann im aktiven Bereich eine Emission elektromagnetischer Strahlung ermöglicht werden. Die im aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge erzeugte elektromagnetische Strahlung kann dabei durch die Öffnung auf einer Hauptoberfläche oder einer Seitenfläche aus dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip austreten. Weiterhin kann elektromagnetische Strahlung, die von der aktiven Schicht in Richtung einer reflektierenden Schicht abgestrahlt wird, von dieser wieder in die aktive Schicht zurück reflektiert werden und dort absorbiert werden. Durch die Absorption eines Photons der elektromagnetischen Strahlung kann es nun möglich sein, dass durch die aktive Schicht wiederum ein Photon re-emittiert wird, dass durch die Öffnung zum Austritt elektromagnetischer Strahlung abgestrahlt werden kann, und dass das so re-emittierte Photon somit zur durch die Öffnung abgestrahlten Leuchtdichte des strahlungsemittierenden Halbleiterchips beitragen kann. Durch dieses so genannte „Photonen-Recycling" kann es möglich sein, die Etendue beziehungsweise die Leuchtdichte des strahlungsemittierenden Halbleiterchips zu steigern. Insbesondere wenn die Öffnung für den Austritt elektromagnetischer Strahlung kleiner als die Fläche der aktiven Schicht und damit als die Fläche der Halbleiterschichtenfolge ist, kann eine Erhöhung der Leuchtintensität durch das „Photonen-Recycling" erreicht werden, vor allem wenn der an die Halbleiterschichtenfolge anlegbare Strom nicht weiter erhöht werden kann, beispielsweise um eine andernfalls auftretende strominduzierte Alterung der Halbleiterschichtenfolge zu vermeiden oder verringern.By applying a current or a voltage to the semiconductor layer sequence, an emission of electromagnetic radiation can be made possible in the active region. The generated in the active region of the semiconductor layer sequence Electromagnetic radiation can exit from the radiation-emitting semiconductor chip through the opening on a main surface or a side surface. Furthermore, electromagnetic radiation emitted by the active layer in the direction of a reflective layer can be reflected back from this into the active layer and absorbed there. By the absorption of a photon of the electromagnetic radiation, it may now be possible that in turn a photon is re-emitted through the active layer that can be emitted through the opening to the exit of electromagnetic radiation, and that the re-emitted photon thus to the opening radiated luminance of the radiation-emitting semiconductor chip can contribute. By means of this so-called "photon recycling", it may be possible to increase the etendue or the luminance of the radiation-emitting semiconductor chip, in particular if the opening for the exit of electromagnetic radiation is smaller than the surface of the active layer and thus as the surface of the semiconductor layer sequence, an increase in the luminous intensity can be achieved by "photon recycling", especially if the current that can be applied to the semiconductor layer sequence can not be further increased, for example, to avoid or reduce otherwise occurring current-induced aging of the semiconductor layer sequence.

Weiterhin kann durch die Anordnung der Öffnung hinsichtlich des aktiven Bereichs der Halbleiterschichtenfolge eine Ab strahlrichtung beziehungsweise ein Strahlengang der elektromagnetischen Strahlung vorgegeben sein.Farther can by the arrangement of the opening with respect to the active region of the semiconductor layer sequence From beam direction or a beam path of the electromagnetic Be predetermined radiation.

Bei einer weiteren Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge als Epitaxieschichtenfolge, also als epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge ausgeführt. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge beispielsweise auf der Basis eines anorganischen Materials, etwa von InGaAlN, wie etwa GaN-Dünnfilm-Halbleiterchips, ausgeführt sein. Unter InGaAlN-basierte Halbleiterchips fallen insbesondere solche, bei denen die epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtenfolge, die in der Regel eine Schichtenfolge aus unterschiedlichen Einzelschichten aufweist, mindestens eine Einzelschicht enthält, die ein Material aus dem III-V-Verbindungshalbleitermaterialsystem InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist. Alternativ oder zusätzlich kann die Halbleiterschichtenfolge auch auf InGaAlP basieren, das heißt, dass die Halbleiterschichtenfolge unterschiedliche Einzelschichten aufweist, wovon mindestens eine Einzelschicht ein Material aus dem III-V-Verbindungshalbleitermaterialsystem InxAlyGa1-x-yP mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist. Alternativ oder zusätzlich kann die Halbleiterschichtenfolge auch andere III-V-Verbindungshalbleitermaterialsysteme, beispielsweise ein AlGaAs-basiertes Material, oder II-VI-Verbindungshalbleitermaterialsysteme aufweisen.In a further embodiment, the semiconductor layer sequence is embodied as an epitaxial layer sequence, that is to say as an epitaxially grown semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence may be based on an inorganic material, for example InGaAlN, such as GaN thin-film semiconductor chips. InGaAlN-based semiconductor chips are in particular those in which the epitaxially produced semiconductor layer sequence, which as a rule has a layer sequence of different individual layers, contains at least one single layer comprising a material of the III-V compound semiconductor material system In x Al y Ga 1-xy N with 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 and x + y ≤ 1. Alternatively or additionally, the semiconductor layer sequence can also be based on InGaAlP, that is to say that the semiconductor layer sequence has different individual layers, of which at least one individual layer is a material composed of the III-V compound semiconductor material system In x Al y Ga 1-xy P where 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≤ y ≤ 1 and x + y ≤ 1. Alternatively or additionally, the semiconductor layer sequence can also comprise other III-V compound semiconductor material systems, for example an AlGaAs-based material, or II-VI compound semiconductor material systems.

Insbesondere kann die Halbleiterschichtenfolge oder der strahlungsemittierende Halbleiterchip als Dünnfilm-Halbleiterchip ausgeführt sein. Ein Dünnfilm-Halbleiterchip zeichnet sich insbesondere durch folgende charakteristische Merkmale aus:

  • – an einer zu einem Trägerelement hin gewandten ersten Hauptoberfläche einer strahlungserzeugenden Epitaxieschich tenfolge ist eine reflektierende Schicht aufgebracht oder ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert;
  • – die Epitaxieschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich von 10 μm auf; und
  • – die Epitaxieschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichtes in der epitaktischen Epitaxieschichtenfolge führt, d.h. sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
In particular, the semiconductor layer sequence or the radiation-emitting semiconductor chip can be designed as a thin-film semiconductor chip. A thin-film semiconductor chip is characterized in particular by the following characteristic features:
  • A reflective layer is applied or formed on a first main surface of a radiation-generating epitaxial layer facing a carrier element, which reflects back at least part of the electromagnetic radiation generated in the epitaxial layer sequence;
  • - The epitaxial layer sequence has a thickness in the range of 20 microns or less, in particular in the range of 10 microns; and
  • The epitaxial layer sequence contains at least one semiconductor layer having at least one surface which has a thorough mixing structure which, in the ideal case, leads to an approximately ergodic distribution of the light in the epitaxial epitaxial layer sequence, ie it has as ergodically stochastic scattering behavior as possible.

Ein Grundprinzip eines Dünnschicht-Halbleiterchips ist beispielsweise in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.A basic principle of a thin-film semiconductor chip is, for example, in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18 October 1993, 2174-2176 described, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.

Alternativ oder zusätzlich kann zumindest eine Schicht der Halbleiterschichtenfolge ein organisches Material, etwa ein Polymer, Oligomer oder Monomer oder organische kleine, nichtpolymere Moleküle („small molecules") aufweisen. Insbesondere kann auch der aktive, elektromagnetische Strahlung emittierende Bereich der Halbleiterschichtenfolge ein organisches Material aufweisen, so dass organische lichtemittierende Vorrichtungen (OLEDS) gebildet werden können. Weiterhin kann die Halbleiterschichtenfolge als organische Halbleiterschichtenfolge ausgebildet sein, dass heißt, dass alle halbleitenden Schichten organische Materialien aufweisen.alternative or additionally At least one layer of the semiconductor layer sequence may be an organic one Material, such as a polymer, oligomer or monomer or organic small, non-polymeric molecules ( "Small molecules "). In particular, the active, electromagnetic radiation emitting Have an organic material region of the semiconductor layer sequence, such that organic light-emitting devices (OLEDs) are formed can. Furthermore, the semiconductor layer sequence can be used as an organic semiconductor layer sequence be educated, that is, that all semiconducting layers comprise organic materials.

Die Halbleiterschichtenfolge kann als aktiven Bereich beispielsweise einen herkömmlichen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopfstruktur (SQW-Struktur) oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW-Strukur) aufweisen. Die Halbleiterschichtenfolge kann neben dem aktiven Bereich weitere funktionale Schichten und funktionelle Bereiche umfassen, etwa p- oder n-dotierte Ladungsträgertransportschichten, also Elektronen- oder Löchertransportschichten, p- oder n-dotierte Confinement- oder Cladding-Schichten, Barriereschichten, Planarisierungsschichten, Pufferschichten, Schutzschichten und/oder Elektroden sowie Kombinationen daraus. Solche Strukturen den aktiven Bereich oder die weiteren funktionalen Schichten und Bereiche betreffend sind dem Fachmann insbesondere hinsichtlich Aufbau, Funktion und Struktur bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert. Darüber hinaus können zusätzliche Schichten, etwa Pufferschichten, Barriereschichten und/oder Schutzschichten auch senkrecht zur Aufwachsrichtung der Halbleiterschichtenfolge beispielsweise um die Halbleiterschichtenfolge herum angeordnet sein, also etwa auf den Seitenflächen der Halbleiterschichtenfolge.The semiconductor layer sequence can have as active region, for example, a conventional pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW structure) or a multiple quantum well structure (MQW structure). The semiconductor layer sequence can comprise, in addition to the active region, further functional layers and functional regions, for example p- or n-doped charge carrier transport layers, ie electron or hole transport layers, p- or n-doped confinement or cladding layers, barrier layers, planarization layers, buffer layers, protective layers and / or electrodes so like combinations of it. Such structures relating to the active region or the further functional layers and regions are known to the person skilled in the art, in particular with regard to construction, function and structure, and are therefore not explained in more detail here. In addition, additional layers, for example buffer layers, barrier layers and / or protective layers can also be arranged perpendicular to the growth direction of the semiconductor layer sequence, for example around the semiconductor layer sequence, ie approximately on the side surfaces of the semiconductor layer sequence.

Bei einer Ausführungsform werden die Hauptoberflächen und die Seitenflächen durch die Halbleiterschichtenfolge gebildet. Eine Halbleiterschichtenfolge kann beispielsweise auf einem Trägerelement, etwa einem Aufwachssubstrat oder einem Trägersubstrat, angeordnet sein. Dabei kann eine erste Hauptoberfläche durch die dem Substrat zugewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge gegeben sein, während die zweite Hauptoberfläche die dem Substrat abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge sein kann. Alternativ kann die erste Hauptoberfläche durch die der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite des Substrats gegeben sein. Insbesondere kann das be deuten, dass die reflektierende Schicht auf der zweiten Hauptoberfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Substrat angeordnet ist, insbesondere bei einem Dünnfilm-Halbleiterchip mit einem Trägersubstrat, oder auf der der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite des Substrats.at an embodiment become the main surfaces and the side surfaces formed by the semiconductor layer sequence. A semiconductor layer sequence can, for example, on a support element, about a growth substrate or a carrier substrate may be arranged. In this case, a first main surface through which the substrate be given facing side of the semiconductor layer sequence, while the second main surface be the side facing away from the substrate of the semiconductor layer sequence can. Alternatively, the first main surface may be defined by that of the semiconductor layer sequence be given away side of the substrate. In particular, can this indicates that the reflective layer on the second major surface is between the Semiconductor layer sequence and the substrate is arranged, in particular in a thin-film semiconductor chip with a carrier substrate, or on the side facing away from the semiconductor layer sequence of the substrate.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist zumindest eine reflektierende Schicht so ausgebildet, dass die gesamte im aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge erzeugte elektromagnetische Strahlung von der reflektierenden Schicht reflektiert werden kann. Dies kann insbesondere bedeuten, dass die reflektierende Schicht die erzeugte elektromagnetische Strahlung unabhängig von deren Wellenlänge und deren Richtung, unter der sie auf die reflektierende Schicht eingestrahlt wird, reflektieren kann. Besonders bevorzugt kann es sein, wenn die reflektierenden Schichten auf allen Seitenflächen und allen Hauptoberflächen die gesamte im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung reflektieren können.at a preferred embodiment At least one reflective layer is formed so that the entire generated in the active region of the semiconductor layer sequence electromagnetic radiation is reflected by the reflective layer can. This may in particular mean that the reflective layer the generated electromagnetic radiation regardless of their wavelength and their direction under which they radiated to the reflective layer will, can reflect. It may be particularly preferred if the reflective layers on all side surfaces and all major surfaces the entire electromagnetic radiation generated in the active area can reflect.

Eine Hauptoberfläche kann bevorzugt planar und eben ausgeführt sein. Weiterhin kann eine Hauptoberfläche auch eine räumliche Strukturierung, beispielsweise eine Mikrostrukturierung oder eine Mesa-Struktur, aufweisen. Eine Mesa-Struktur insbesondere Gräben und Erhebungen umfassen, die zum Beispiel mittels Ätzen in den Hauptoberflächen erzeugt werden können. Die Mesa-Struktur kann aber auch auf beiden Hauptoberflächen vorhanden sein, wobei die Öffnung für den Austritt der elektromagnetischen Strahlung die Mesa-Struktur beziehungsweise die Mikrostrukturierung ebenfalls aufweisen kann oder nicht. Insbesondere können beide Hauptoberflächen planar und parallel zueinander ausgeführt sein.A main surface may preferably be planar and planar. Furthermore, a main surface can also a spatial Structuring, for example a microstructure or a mesa structure, exhibit. A mesa structure especially trenches and surveys, for example, by etching in the main surfaces can be generated. The mesa structure can also exist on both main surfaces be, with the opening for the Exit the electromagnetic radiation, the mesa structure or may also have the microstructuring or not. Especially can both main surfaces be executed planar and parallel to each other.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst die Öffnung für den Austritt der elektromagnetischen Strahlung einen Flächenbereich einer der Hauptoberflächen oder Seitenflächen, der frei ist von der reflektierenden Schicht, während andere Flächenbereiche dieser die Öffnung aufweisenden Haupt- oder Seitenfläche von den reflektierenden Schichten abgedeckt sind.at a further embodiment The invention comprises the opening for the Exit the electromagnetic radiation a surface area one of the main surfaces or side surfaces, which is free from the reflective layer while other surface areas this the opening having major or side surface of the reflective layers are covered.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist zumindest eine der Seitenflächen oder Hauptoberflächen gänzlich von der reflektierenden Schicht bedeckt. Insbesondere kann bei einer Ausführungsform „gänzlich bedeckt" auch bedeuten, dass eine der Seitenflächen oder Hauptoberflächen gänzlich bis auf die Öffnung für den Austritt elektromagnetischer Strahlung von der reflektierenden Schicht bedeckt ist. Besonders bevorzugt kann die Halbleiterschichtenfolge bis auf die Öffnung gänzlich von reflektierenden Schichten bedeckt sein. Das kann dann bedeuten, dass auf jeder der Seitenflächen und auf jeder der Hauptoberflächen eine reflektierende Schicht so angebracht ist, dass im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung nur durch die Öffnung aus dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip austreten kann.at a preferred embodiment is at least one of the side surfaces or main surfaces completely covered by the reflective layer. In particular, at a Embodiment "completely covered" also mean that one of the side surfaces or main surfaces completely except for the opening for the Emission of electromagnetic radiation from the reflective layer is covered. Particularly preferably, the semiconductor layer sequence except for the opening completely be covered by reflective layers. That may mean that on each of the side surfaces and on each of the main surfaces a reflective layer is mounted so that in the active area generated electromagnetic radiation only through the opening can emerge from the radiation-emitting semiconductor chip.

Im Falle einer reflektierenden Schicht, die auf einer Seitenfläche angeordnet ist, kann es sein, dass sich die reflektierende Schicht über einige oder alle Schichten der Halbleiterschichtenfolge erstreckt und damit mit einigen oder allen Schichten der Halbleiterschichtenfolge in Kontakt steht. Daher kann es vorteilhaft sein, wenn die reflektierende Schicht ein dielektrisches Material aufweist, so dass eine elektrische Kontaktierung und eine elektrische leitende Verbindung beispielsweise mit der Ober- und Unterseite der Halbleiterschichtenfolge vermieden werden kann. Beispielsweise kann die reflektierende Schicht auf einer Seitenfläche auch auf einer Schicht auf der Seitenfläche angeordnet sein, wobei die Schicht ein dielektrisches Material umfasst oder aus einem dielektrischen Material besteht. Alternativ oder zusätzlich kann die reflektierende Schicht als Schichtenfolge mit einer Schicht aus dem dielektrischen Material ausgeführt sein. Ein geeignetes dielektrisches Material kann beispielsweise Siliziumnitrid sein. Weiterhin kann auch die reflektierende Schicht auf einer Hauptoberfläche ein solches dielektrisches Material aufweisen.in the Trap of a reflective layer, which is arranged on a side surface is, it may be that the reflective layer over some or extends all the layers of the semiconductor layer sequence and thus with some or all layers of the semiconductor layer sequence in Contact stands. Therefore, it may be advantageous if the reflective Layer comprises a dielectric material, so that an electrical Contacting and an electrical conductive connection, for example avoided with the top and bottom of the semiconductor layer sequence can be. For example, the reflective layer may be on a side surface also be arranged on a layer on the side surface, wherein the layer comprises a dielectric material or a dielectric Material exists. Alternatively or additionally, the reflective Layer as a layer sequence with a layer of the dielectric Material executed be. A suitable dielectric material may be, for example Be silicon nitride. Furthermore, the reflective layer can also be used on a main surface have such a dielectric material.

Eine reflektierende Schicht, die auf einer Hauptoberfläche angebracht ist, kann zumindest einen elektrischen Kontakt aufweisen, über den ein elektrischer Anschluss der besagten Hauptoberfläche an eine externe Stromversorgung ermöglicht werden kann. Insbesondere kann ein elektrischer Kontakt als Teil der auf der Hauptoberfläche angebrachten reflektierenden Schicht ausgeführt sein. Das kann bedeuten, dass der elektrische Kontakt selbst reflektierend für die im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung sein kann. Alternativ kann ein elektrischer Kontakt selbst nicht reflektierend und undurchlässig für die im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung sein. Das kann bedeuten, dass die Hauptoberfläche gänzlich bis auf den elektrischen Kontakt von der reflektierenden Schicht bedeckt sein kann. Die reflektierende Schicht kann dabei gleich einer reflektierenden Schicht auf einer Seitenfläche ausgebildet sein.A reflective layer mounted on a major surface may have at least one electrical contact over which electrical connection of said main surface to an external power supply can be made possible. In particular, an electrical contact may be embodied as part of the reflective layer attached to the main surface. This may mean that the electrical contact itself may be reflective of the electromagnetic radiation generated in the active region. Alternatively, an electrical contact itself may not be reflective and impermeable to the electromagnetic radiation generated in the active region. This may mean that the main surface can be completely covered by the reflective layer except for the electrical contact. The reflective layer may be formed as a reflective layer on a side surface.

Weiterhin kann neben der reflektierenden Schicht auf einer Hauptoberfläche beispielsweise auch eine transparente elektrisch leitende Schicht zumindest in einem Teilbereich der Hauptoberfläche vorhanden sein. Beispielsweise kann die transparente elektrisch leitende Schicht unterhalb der re flektierenden Schicht oder zumindest einem Teilbereich der reflektierenden Schicht auf einer Hauptoberfläche angeordnet sein. Durch eine solche transparente elektrisch leitende Schicht zwischen der reflektierenden Schicht und der Hauptoberfläche kann ein elektrischer Kontakt ermöglicht werden, ohne dass die reflektierende Schicht durch den elektrischen Kontakt unterbrochen ist. Die transparente elektrisch leitende Schicht kann dabei als Elektrode oder als Teil einer Elektrode auf der Hauptoberfläche ausgebildet sein. Ein transparentes elektrisch leitendes Material kann beispielsweise ein transparentes elektrisch leitendes Oxid sein.Farther For example, in addition to the reflective layer on a main surface, too a transparent electrically conductive layer at least in one Part of the main surface available be. For example, the transparent electrically conductive layer below the re flexing layer or at least a portion the reflective layer disposed on a main surface be. By such a transparent electrically conductive layer between the reflective layer and the main surface allows an electrical contact be without the reflective layer by the electrical Contact is interrupted. The transparent electrically conductive layer can be formed as an electrode or as part of an electrode on the main surface be. A transparent electrically conductive material may, for example be a transparent electrically conductive oxide.

Ein transparentes elektrisch leitendes Oxid (transparent conductive Oxide, kurz „TCO") kann als transparente, elektrisch leitende Materialien in der Regel Metalloxide aufweisen, beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2 oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin müssen die TCOs nicht zwingend eine stöchiometrischen Zusammensetzung aufweisen und können auch p- oder n-dotiert sein.As transparent, electrically conductive materials, a transparent electrically conductive oxide ("TCO") may generally comprise metal oxides, for example zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO) ZnO, SnO 2 or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds such as Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO, MgIn 2 O 4 , GaInO 3 , Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 12 or mixtures of different In addition, the TCOs do not necessarily have to have a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform weist eine reflektierende Schicht eine Schicht auf, die ein Metall oder eine Legierung umfasst. Beispielsweise kann die Schicht auch aus einem Metall oder eine Legierung bestehen. Insbesondere können Metalle oder Legierungen gewählt sein, die einen hohen Reflexionsgrad für die im aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge erzeugte elektromagnetische Strahlung aufweisen. Beispielsweise kann die Schicht als Metall Gold oder Silber auf weisen oder als Legierung eine Goldlegierung oder eine Silberlegierung. Besonders bevorzugt können alle auf den Hauptoberflächen und Seitenflächen reflektierenden Schichten dasselbe Metall oder dieselbe Legierung aufweisen. Alternativ kann eine reflektierende Schicht auf einer Hauptoberfläche ein anderes Metall oder eine andere Legierung aufweisen als eine reflektierende Schicht auf einer Seitenfläche oder der anderen Hauptoberfläche.at a preferred embodiment a reflective layer on top of a metal or a layer an alloy. For example, the layer may also be off a metal or an alloy. In particular, metals or Alloys selected which have a high reflectivity for the active region of the Semiconductor layer sequence generated electromagnetic radiation. For example, the layer may have metal as gold or silver or as alloy a gold alloy or a silver alloy. Particularly preferred all on the main surfaces and side surfaces reflective layers the same metal or alloy exhibit. Alternatively, a reflective layer may be on a major surface have a different metal or alloy than a reflective one Layer on a side surface or the other main surface.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform weist eine reflektierende Schicht auf einer Hauptoberfläche eine Öffnung für den Austritt elektromagnetischer Strahlung auf. Durch die Öffnung in der reflektierenden Schicht auf einer Hauptoberfläche kann die im aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge erzeugte elektromagnetische Strahlung vorzugsweise auf die der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite der Hauptoberfläche abgestrahlt werden, beispielsweise in eine Richtung parallel zur Aufwachsrichtung und damit senkrecht zur lateralen Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge. Bei einer weiteren Ausführungsform weist die reflektierende Schicht auf einer Seitenfläche eine Öffnung auf. Dadurch kann es möglich sein, dass die im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung senkrecht zur Aufwachsrichtung und damit parallel zur lateralen Ausdehnung der Halbleiterschichtenfolge abgestrahlt werden kann. Vorzugsweise kann die elektromagnetische Strahlung in den gesamten durch die der Halbleiterschichtenfolge abgewandte Seite der Hauptoberfläche oder einer Seitenfläche definierten Halbraum abgestrahlt werden. Es kann auch vorteilhaft sein, wenn die Abstrahlung der elektromagnetischen Strahlung nur in einen Teilbereich des Halbraums abgegeben wird.at a preferred embodiment a reflective layer on a major surface has an opening for exit electromagnetic radiation. Through the opening in the reflective Layer on a main surface can the generated in the active region of the semiconductor layer sequence electromagnetic radiation, preferably to the semiconductor layer sequence remote side of the main surface are radiated, for example in a direction parallel to the growth direction and thus perpendicular to the lateral extent of the semiconductor layer sequence. At a another embodiment The reflective layer has an opening on a side surface. This can make it possible be that the electromagnetic radiation generated in the active area perpendicular to the growth direction and thus parallel to the lateral Extension of the semiconductor layer sequence can be emitted. Preferably, the electromagnetic radiation in the entire by the side facing away from the semiconductor layer sequence of the main surface or a side surface be defined half space radiated. It can also be beneficial if the radiation of the electromagnetic radiation only in one Part of the half space is delivered.

Weiterhin kann die Öffnung mittig beziehungsweise in der Mitte auf einer Hauptoberfläche oder einer Seitenfläche angeordnet sein. Dabei kann „mittig" und „in der Mitte" bedeuten, dass die Hauptoberfläche oder Seitenfläche eine Form hat, die eine oder mehrere Symmetrieachsen aufweist, und die Öffnung beispielsweise auf einer Symmetrieachse oder gegebenenfalls auf dem Schnittpunkt wenigstens zweier Symmetrieachsen angeordnet ist. Alternativ kann die Öffnung auch außerhalb der Mitte der Hauptoberfläche oder Seitenfläche angeordnet sein. Beispielsweise kann es etwa vorteilhaft sein, wenn sich die Öffnung nahe eines Randes der Hauptoberfläche oder Seitenfläche befindet. Dies kann insbesondere vorteilhaft sein, wenn beispielsweise zwei oder mehrere strahlungsemittierende Halbleiterchips so zueinander angeordnet werden sollen, dass ihre jeweiligen Öffnungen zum Austritt elektromagnetischer Strahlung nahe zueinander angeordnet sind, so dass eine Abstrahlung der elektromagnetischen Strahlung der Anordnung der zwei oder mehreren Halbleiterchips auf einem möglichst kleinen Bereich erfolgen kann.Furthermore, the opening can be arranged centrally or in the middle on a main surface or a side surface. Here, "center" and "in the middle" mean that the main surface or side surface has a shape that has one or more axes of symmetry, and the opening is arranged, for example, on an axis of symmetry or optionally on the intersection of at least two symmetry axes. Alternatively, the opening may be located outside the center of the main surface or side surface. For example, it may be advantageous if the opening is near an edge of the main surface or side surface. This may be advantageous in particular when, for example, two or more radiation-emitting semiconductor chips are to be arranged relative to one another in such a way that their respective openings for exiting electromagnetic radiation are arranged close to one another, so that a radiation of the electromagnetic Radiation of the arrangement of the two or more semiconductor chips can be made in a small area as possible.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform weist der strahlungsemittierende Halbleiterchip genau eine Öffnung auf. Insbesondere kann es vorteilhaft sein, wenn die genau eine Öffnung auf einer Hauptoberfläche angeordnet ist, so dass nur die reflektierende Schicht, die auf der besagten Hauptoberfläche angebracht ist, die Öffnung für den Austritt elektromagnetischer Strahlung aufweist.at a particularly preferred embodiment the radiation-emitting semiconductor chip has exactly one opening. In particular, it may be advantageous if the exactly one opening on one main surface is arranged so that only the reflective layer on top of the said main surface attached, the opening for the exit having electromagnetic radiation.

Bei einer Ausführungsform ist die Hauptoberfläche zumindest im Bereich der Öffnung für den Austritt elektromagnetischer Strahlung so ausgeführt, dass eine Lichtauskopplung aus der Halbleiterschichtenfolge und damit aus dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip erleichtert ist. Insbesondere kann eine Lichtauskopplung etwa durch eine Mikroprismenstrukturierung oder eine Rauhigkeitserhöhung der Hauptoberfläche ermöglicht werden.at an embodiment is the main surface at least in the area of the opening for the exit Electromagnetic radiation designed so that a light extraction from the semiconductor layer sequence and thus from the radiation-emitting Semiconductor chip is facilitated. In particular, a light extraction for example by a microprism structuring or a roughness increase of the main surface allows become.

Bei einer weiteren Ausführungsform schließen die Seitenflächen mit einer Hauptoberfläche einen Winkel von etwa 90 Grad ein. Vorzugsweise können die Seitenflächen mit beiden Hauptoberflächen jeweils einen Winkel von etwa 90 Grad einschließen, was bedeutet, dass die Seitenflächen eine rechteckige Form haben können.at a further embodiment shut down the side surfaces with a main surface an angle of about 90 degrees. Preferably, the faces with both main surfaces respectively enclose an angle of about 90 degrees, which means that the faces may have a rectangular shape.

Bei einer bevorzugen Ausführungsform können die Seitenflächen oder zumindest eine Seitenfläche in Bezug auf eine oder beide Hauptoberflächen abgeschrägt ausgebildet sein. Das kann insbesondere bedeuten, dass zumindest eine Seitenfläche mit einer Hauptoberfläche einen Winkel einschließt, der kleiner als 90 Grad ist. Besonders bevorzugt schließen alle Seitenflächen mit einer Hauptoberfläche denselben Winkel ein, wobei weiterhin besonders bevorzugt die beiden Hauptoberflächen parallel zueinander ausgebildet sind. Dies kann bedeuten, dass der strahlungsemittierende Halbleiterchip als Pyramidenstumpf oder Kegelstumpf ausgebildet ist. Bevorzugt kann bei einer solchen Anordnung die Öffnung auf einer der beiden Hauptoberflächen angeordnet sein. Insbesondere kann das bedeuten, dass jeweils gegenüberliegende Seitenflächen nicht-parallel ausgebildet sind, so dass auch die reflektierenden Schichten, die auf diesen Seitenflächen angebracht sind, nicht parallel zueinender ausgebildet sind. Eine solche Anordnung kann beispielsweise vorteilhaft sein, um eine Lasertätigkeit des strahlungsemittierenden Halbleiterchips zu vermeiden. Beispielsweise kann der Winkel, den zumindest eine Seitenfläche mit einer Hauptoberfläche einschließt, kleiner oder gleich 80 Grad sein. Weiterhin kann der Winkel auch größer oder gleich 45 Grad sein. Je kleiner der Winkel zwischen einer Seitenfläche und einer Hauptoberfläche ausgebildet ist, desto eher kann es weiterhin auch möglich sein, dass ein Photon, dass nicht aus der Öffnung austritt, sondern von einer oder mehreren reflektierenden Schichten reflektiert wird, erleichtert in den aktiven Bereich zurückreflektiert werden kann und an einer Stelle im aktiven Bereich absorbiert und anschließend re-emittiert werden kann, die von der Stelle verschieden ist, an der das Photon ursprünglich erzeugt wurde. Dadurch kann eine vorteilhafte verbesserte Verteilung beziehungsweise Randomisierung der in der aktiven Schicht erzeugten und an den reflektierenden Schichten reflektierten elektromagnetischer Strahlung ermöglicht werden. Beispielsweise kann der Winkel zwischen einer Seitenfläche und einer Hauptoberfläche dazu kleiner oder gleich 30 Grad sein.at a preferred embodiment can the side surfaces or at least one side surface beveled with respect to one or both main surfaces be. This may in particular mean that at least one side surface with a main surface includes an angle, which is less than 90 degrees. Especially preferred are all faces with a main surface the same Angle, wherein still more preferably, the two main surfaces in parallel are formed to each other. This may mean that the radiation-emitting Semiconductor chip designed as a truncated pyramid or truncated cone is. Preferably, in such an arrangement, the opening one of the two main surfaces be arranged. In particular, this may mean that each opposite faces are formed non-parallel, so that the reflective layers, the on these side surfaces are mounted, not formed parallel to each other. Such Arrangement may be advantageous, for example, to a laser action of the radiation-emitting semiconductor chip. For example, can the angle subtended by at least one side surface having a major surface becomes smaller or equal to 80 degrees. Furthermore, the angle can also be larger or be equal to 45 degrees. The smaller the angle between a side surface and a main surface is trained, the sooner it can continue to be possible that a photon, that does not escape from the opening, but from one or more reflective layers is reflected, facilitated be reflected back into the active area can and absorbed in one place in the active area and then re-emitted which is different from the place where the photon originally was generated. This can provide a beneficial improved distribution or randomization of those generated in the active layer and electromagnetic reflected at the reflective layers Radiation can be enabled. For example, the angle between a side surface and a main surface to be less than or equal to 30 degrees.

Eine vorteilhafte verbesserte Verteilung der elektromagnetischer Strahlung in der Halbleiterschichtenfolge kann auch beispielsweise durch eine Mikrostrukturierung oder eine Mesa-Strukturierung zumindest einer Hauptoberfläche oder beider Hauptoberflächen und der darauf angebrachten reflektierenden Schicht ermöglicht werden.A advantageous improved distribution of electromagnetic radiation in the semiconductor layer sequence can also be, for example, by a microstructuring or a mesa structuring at least a main surface or both main surfaces and the reflective layer applied thereto.

Bei einer Ausführungsform kann eine Hauptoberfläche eine n-eckige Form aufweisen, wobei n eine Ganze Zahl größer oder gleich 3 sein kann. Vorteilhafterweise kann eine Hauptoberfläche eine viereckige Form aufweisen, insbesondere eine quadratische oder eine rechteckige Form. Alternativ kann eine viereckige Hauptoberfläche auch die Form eines Trapez, einer Raute oder eines Parallelogramms aufweisen. Weiterhin kann eine Hauptoberfläche auch eine runde, etwa eine elliptische oder eine kreisförmige Form aufweisen. Insbesondere kann es bevorzugt sein, wenn beide Hauptoberflächen dieselbe Form aufweisen. Dabei kann es wiederum möglich sein, dass sich die Größen der beiden Hauptoberflächen unterscheiden.at an embodiment can be a main surface a n-angular shape where n is an integer greater than or equal to 3. advantageously, can be a main surface have a quadrangular shape, in particular a square or a rectangular shape. Alternatively, a square main surface can also have the shape of a trapezoid, a rhombus or a parallelogram. Furthermore, a main surface also a round, about an elliptical or a circular shape exhibit. In particular, it may be preferable if both main surfaces are the same Have shape. It may again be possible that the sizes of the both main surfaces differ.

Bei einer weiteren Ausführungsform kann die Öffnung für den Austritt elektromagnetischer Strahlung eine n-eckige Form aufweisen, wobei n eine Ganze Zahl größer oder gleich 3 sein kann. Weiterhin kann die Öffnung eine runde, etwa bevorzugt eine kreisförmige oder auch eine elliptische Form aufweisen. Darüber hinaus kann die Öffnung eine Kombination der genannten Formen aufweisen.at a further embodiment can the opening for the Emission of electromagnetic radiation have an n-angular shape, where n is an integer greater than or equal to can be equal to 3 Furthermore, the opening can be a round, about preferred a circular one or also have an elliptical shape. In addition, the opening can be a Combination of said forms.

Entsprechend der Form einer Hauptoberfläche oder eine Seitenfläche kann diese ein erstes charakteristisches Maß aufweisen, das die Größe der Hauptoberfläche oder Seitenfläche charakterisieren kann. Weiterhin kann auch die Öffnung ein zweites charakteristisches Maß aufweisen. Ein solches charakteristisches Maß kann beispielsweise eine Seitenlänge oder eine Diagonale, etwa bei einer n-eckigen, insbesondere bei einer viereckigen Form, sein, oder ein Durchmesser bei einer runden, insbesondere bei einer kreisförmigen Form. Bei einer Ausführungsform ist das zweite charakteristische Maß kleiner oder gleich 30% des ersten charakteristischen Maßes. Weiterhin kann das zweite charakteristische Maß kleiner oder gleich 10% des ersten charakteristischen Maßes sein, bevorzugt aber größer oder gleich 1%. Insbesondere kann auch das Verhältnis der Fläche der Öffnung für den Austritt elektromagnetischer Strahlung zur Fläche der Hauptoberfläche oder Seitenfläche, auf der eine reflektierende Schicht mit der Öffnung angebracht ist, kleiner oder gleich 30% sein, bevorzugt kleiner oder gleich 10% und weiter bevorzugt kleiner oder gleich 1% sein. Dabei kann das Verhältnis bevorzugt größer oder gleich 0,1% sein.Corresponding to the shape of a main surface or a side surface, it may have a first characteristic dimension, which may characterize the size of the main surface or side surface. Furthermore, the opening may also have a second characteristic dimension. Such a characteristic measure may be, for example, a side length or a diagonal, for example in the case of an octagonal shape, in particular in the case of a quadrangular shape, or a diameter in the case of a round shape, in particular in the case of a circular shape. In one embodiment the second characteristic measure is less than or equal to 30% of the first characteristic measure. Furthermore, the second characteristic measure may be less than or equal to 10% of the first characteristic measure, but preferably greater than or equal to 1%. In particular, the ratio of the surface area of the electromagnetic radiation exit aperture to the area of the main surface or side surface on which a reflective layer is disposed with the aperture may be less than or equal to 30%, preferably less than or equal to 10%, and more preferably less than or equal to equal to 1%. The ratio may preferably be greater than or equal to 0.1%.

Bei einer Ausführungsform weist eine reflektierende Schicht einen Reflexionsgrad von größer oder gleich 50% für die im aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge erzeugte elektromagnetische Strahlung auf. Bevorzugt ist der Reflexionsgrad größer oder gleich 90% besonders bevorzugt größer oder gleich 95%.at an embodiment For example, a reflective layer has a reflectance of greater than or equal to equal to 50% for the electromagnetic radiation generated in the active region of the semiconductor layer sequence on. Preferably, the reflectance is greater than or equal to 90% especially preferably larger or equal to 95%.

Eine Vorrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst insbesondere

  • – zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip gemäß zumindest einer der oben genannten Ausführungsformen, und
  • – zumindest ein dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip in Abstrahlrichtung der elektromagnetischen Strahlung nachgeordnetes optisches Element.
A device according to another embodiment of the invention comprises in particular
  • At least one radiation-emitting semiconductor chip according to at least one of the abovementioned embodiments, and
  • - At least one of the radiation-emitting semiconductor chip in the emission of the electromagnetic radiation downstream optical element.

Ein solches optisches Element kann beispielsweise eine Kollimierung oder eine Fokussierung der aus der Öffnung des strahlungsemittierenden Halbleiterchips austretenden elektromagnetischen Strahlung ermöglichen. Dazu kann das optische Element ein strahlungsbeugendes optisches Element oder ein strahlungsbrechendes optisches Element, beispielsweise eine sphärische oder eine asphärische Linse, eine Fresnellinse oder eine Zylinderlinse aufweisen. Weiterhin kann das optische Element einen Reflektor oder einen Konzentrator aufweisen, beispielsweise einen nichtabbildenden Konzentrator. Dieser ist, verglichen mit einer üblichen Verwendung eines Konzentrators, für eine Durchstrahlung in umgekehrter Richtung vorgesehen. Ein derartiger Konzentrator weist zweckmäßigerweise einen Lichteingang auf, der eine kleinere Querschnittsfläche aufweist als der Lichtausgang. Der Konzentrator kann dabei bevorzugt ein CPC-, CEC- oder CHC-artiger optischer Konzentrator sein, womit hierbei sowie im Folgenden ein Konzentrator gemeint ist, dessen Seitenwände zumindest teilweise die Form eines zusammengesetzten parabolischen Konzentrators (compound parabolic concentrator, CPC), eines zusammengesetzten elliptischen Konzentrators (compound elliptic concentrator, CEC) und/oder eines zusammengesetzten hyperbolischen Konzentrators (compound hyperbolic concentrator, CHC) aufweist.One such optical element may, for example, be a collimation or a focus from the opening of the radiation-emitting Semiconductor chips allow exiting electromagnetic radiation. For this purpose, the optical element can be a radiation-diffractive optical element or a refractive optical element, for example a spherical one or an aspherical one Lens, a Fresnel lens or a cylindrical lens have. Farther the optical element may be a reflector or a concentrator have, for example, a non-imaging concentrator. This is compared to a common use of a concentrator, for a radiation in the opposite direction provided. Such a Concentrator has expediently a light entrance, which has a smaller cross-sectional area as the light output. The concentrator may be preferred CPC, CEC or CHC-like optical concentrator, which hereby and hereinafter a concentrator is meant, the side walls at least partly in the form of a compound parabolic concentrator (compound parabolic concentrator, CPC), a compound elliptical concentrator (compound elliptic concentrator, CEC) and / or a compound hyperbolic concentrator (compound hyperbolic concentrator, CHC).

Weiterhin kann das optische Element eine Flüssigkristallzelle, einen Diffusor, einen Wellenlängenkonverter, einen Leichtleiter, ein Gehäuse, ein Teil eines Gehäuses, eine Verkapselung, ein Teil einer Verkapselung oder eine Kombination der genannten Elemente aufweisen.Farther the optical element can be a liquid crystal cell, a diffuser, a wavelength converter, a light conductor, a housing, a part of a housing, an encapsulation, a part of an encapsulation or a combination having said elements.

Bei einer weiteren Ausführungsform kann die Vorrichtung eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips aufweisen. Bevorzugt können dabei zumindest zwei der strahlungsemittierenden Halbleiterchips ein unterschiedliches Emissionsspektrum aufweisen. Dadurch kann es möglich sein, dass die Vorrichtung elektromagnetische Strahlung mit einem Spektrum abstrahlt, dass eine Mischung der unterschiedlichen Spektren der jeweiligen strahlungsemittierenden Halbleiterchips ist.at a further embodiment For example, the device may comprise a plurality of radiation-emitting semiconductor chips exhibit. Preference can be given here at least two of the radiation-emitting semiconductor chips have a different one Have emission spectrum. This may make it possible for the device electromagnetic radiation emits a spectrum that a mixture of the different spectra of the respective radiation-emitting Semiconductor chips is.

Insbesondere kann eine Vorrichtung mit zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip Teil eines Projektors, einer optischen Maus, eines Scheinwerfers oder eines ein- oder mehrfarbigen Displays sein.Especially can be a device with at least one radiation-emitting Semiconductor chip Part of a projector, an optical mouse, one Headlamps or a single or multi-color display.

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Gegenstände ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsformen.Further Advantages and advantageous embodiments and further developments of the objects according to the invention will become apparent from the in The following embodiments described in conjunction with the figures.

Es zeigen:It demonstrate:

1A und 1B schematische Darstellungen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß zumindest einem Ausführungsbeispiel, 1A and 1B schematic representations of a radiation-emitting semiconductor chip according to at least one embodiment,

2 eine schematische Darstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß zumindest einem weiteren Ausführungsbeispiel, 2 1 is a schematic representation of a radiation-emitting semiconductor chip according to at least one further exemplary embodiment,

3 eine schematische Darstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß zumindest noch einem weiteren Ausführungsbeispiel, 3 FIG. 2 a schematic illustration of a radiation-emitting semiconductor chip according to at least one further exemplary embodiment,

4 eine schematische Darstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß zumindest noch einem weiteren Ausführungsbeispiel, 4 FIG. 2 a schematic illustration of a radiation-emitting semiconductor chip according to at least one further exemplary embodiment,

5 eine schematische Darstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels, 5 a schematic representation of a radiation-emitting semiconductor chip according to another embodiment,

6 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels, 6 a schematic representation of a device according to another embodiment,

7 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung gemäß eines Ausführungsbeispiels der Erfindung und 7 a schematic representation of a device according to an embodiment of the Invention and

8A und 8B schematische Darstellungen von Teilen von Vorrichtungen gemäß weiterer Ausführungsbeispiele der Erfindung. 8A and 8B schematic representations of parts of devices according to further embodiments of the invention.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie z.B. Schichten, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick dargestellt sein.In the embodiments and figures are the same or equivalent components respectively provided with the same reference numerals. The illustrated elements and their proportions with each other are basically not as true to scale to look at, rather individual elements, e.g. Layers, for better presentation and / or exaggerated for better understanding be shown thick.

In den 1A und 1B ist ein Ausführungsbeispiel eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips 100 in einer schematischen Schnittdarstellung in einer Seitenansicht und einer schematischen Darstellung in einer Draufsicht gezeigt. Die schematische Schnittdarstellung der 1A entspricht dabei einem Schnitt durch den in der 1B gezeigten strahlungsemittierenden Halbleiterchip 100 entlang der mit A gekennzeichneten Linie. Die nachfolgende Beschreibung bezieht sich gleichermaßen auf beide Figuren. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 100 weist eine Halbleiterschichtenfolge 1 mit einem aktiven Bereich 10 auf, der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Weiterhin kann die Halbleiterschichtenfolge 1 weitere funktionale Schichten und Bereiche 101, 102 umfassen. Der aktive Bereich 10 beziehungsweise die Halbleiterschichtenfolge 1, insbesondere die funktionellen Bereich 101, 102 können Materialien und Schichten wie im allgemeinen Teil der Beschreibung ausgeführt umfassen. Die Halbleiterschichtenfolge weist Seitenflächen 13, 14, 15, 16 beziehungsweise Hauptoberflächen 11, 12 auf, auf denen reflektierende Schichten 23, 24, 25, 26 beziehungsweise 21, 22 angeordnet sind. Die Seitenflächen 13, 14, 15, 16 können sich dabei über alle Schichten der Halbleiterschichtenfolge 1 erstrecken und wie im gezeigten Ausführungsbeispiel senkrecht zur lateralen Ausdehnung der Schichten der Halbleiterschichtenfolge 1 sein.In the 1A and 1B is an embodiment of a radiation-emitting semiconductor chip 100 in a schematic sectional view in a side view and a schematic representation shown in a plan view. The schematic sectional view of 1A corresponds to a section through the in the 1B shown radiation-emitting semiconductor chip 100 along the line marked A The following description refers equally to both figures. The radiation-emitting semiconductor chip 100 has a semiconductor layer sequence 1 with an active area 10 which is suitable for generating electromagnetic radiation. Furthermore, the semiconductor layer sequence 1 more functional layers and areas 101 . 102 include. The active area 10 or the semiconductor layer sequence 1 , especially the functional area 101 . 102 may include materials and layers as set forth in the general part of the specification. The semiconductor layer sequence has side surfaces 13 . 14 . 15 . 16 or main surfaces 11 . 12 on which reflective layers 23 . 24 . 25 . 26 respectively 21 . 22 are arranged. The side surfaces 13 . 14 . 15 . 16 can be over all layers of the semiconductor layer sequence 1 extend and, as in the embodiment shown, perpendicular to the lateral extent of the layers of the semiconductor layer sequence 1 be.

Insbesondere kann die Halbleiterschichtenfolge eine epitaktisch gewachsene Dünnfilm-Halbleiterschichtenfolge sein. Die reflektierende Schicht 21 auf der Hauptoberfläche 11 kann damit insbesondere eine für einen Dünnfilm-Halbleiterchip charakteristische reflektierende Schicht sein, die im Rahmen des epitakitschen Aufwachsprozess zur Bildung der Halbleiterschichtenfolge 1 auf der Hauptoberfläche 11 angebracht werden kann. Ein für Dünnfilm-Halbleiterchips übliches und dem Fachmann bekanntes Trägersubstrat auf der der Halbleiterschichtenfolge 1 abgewandten Seite der reflektierenden Schicht 21 ist nicht gezeigt. Weiterhin sind übliche und dem Fachmann bekannte Lotschichten und elektrische Anschlüsse nicht gezeigt. Die Hauptoberfläche 12 kann durch die der Hauptoberfläche 11 gegenüberliegende Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge 1 gebildet sein.In particular, the semiconductor layer sequence may be an epitaxially grown thin-film semiconductor layer sequence. The reflective layer 21 on the main surface 11 In particular, this may be a reflective layer characteristic of a thin-film semiconductor chip, which in the context of the epitaxial growth process for forming the semiconductor layer sequence 1 on the main surface 11 can be attached. A usual for thin-film semiconductor chips and known in the art carrier substrate on the semiconductor layer sequence 1 opposite side of the reflective layer 21 is not shown. Furthermore, conventional and known to those skilled solder layers and electrical connections are not shown. The main surface 12 can through the main surface 11 opposite surface of the semiconductor layer sequence 1 be formed.

Auf den Seitenflächen sind gemäß dem gezeigten Ausführungsbeispiel reflektierende Schichten 23, 24, 25, 26 so aufgebracht, dass die Seitenflächen 13, 14, 15, 16 gänzlich von diesen bedeckt sind. Insbesondere können die funktionellen Schichten oder Bereiche 101, 102 und der aktive Bereich 10 durch die reflektierenden Schichten 23, 24, 25, 26 kontaktiert werden. Daher kann es hierbei vorteilhaft sein, wenn die reflektierenden Schichten 23, 24, 25, 26 auf einer nicht elektrisch leitend ausgebildeten Schicht aufgebracht sind. Bevorzugt sind die reflektierenden Schichten 23, 24, 25, 26 auf einer der Halbleiterschichtenfolge 1 zugewandeten Schicht mit einem dielektrischen, transparenten Material, beispielsweise Silizumnitrid aufgebracht, so dass die Bereiche 101, 102 und der aktive Bereich 10 der Halbleiterschichtenfolge 1 nicht elektrisch leitend verbunden sind. Als reflektierende Schicht ist dann auf dieser dielektrischen, transparenten Schicht eine Metallschicht aufgebracht, die etwa Gold oder Silber oder eine Legierung daraus aufweisen kann, und die geeignet ist, die im aktiven Bereich 10 der Halbleiterschichtenfolge 1 erzeugte elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Alternativ können die reflektierenden Schichten 23, 24, 25, 26 auch ein dielektrisches, reflektierendes Material aufweisen und damit dielektrische Spiegel sein.On the side surfaces are reflective layers according to the embodiment shown 23 . 24 . 25 . 26 so applied to the side surfaces 13 . 14 . 15 . 16 are completely covered by these. In particular, the functional layers or areas 101 . 102 and the active area 10 through the reflective layers 23 . 24 . 25 . 26 be contacted. Therefore, it may be advantageous in this case if the reflective layers 23 . 24 . 25 . 26 are applied to a non-electrically conductive layer. The reflective layers are preferred 23 . 24 . 25 . 26 on one of the semiconductor layer sequence 1 facing layer with a dielectric, transparent material, such as silicon nitride applied, so that the areas 101 . 102 and the active area 10 the semiconductor layer sequence 1 are not electrically connected. As a reflective layer, a metal layer which may be about gold or silver or an alloy thereof and which is suitable in the active region is then applied to this dielectric, transparent layer 10 the semiconductor layer sequence 1 to reflect generated electromagnetic radiation. Alternatively, the reflective layers 23 . 24 . 25 . 26 also have a dielectric, reflective material and thus be dielectric mirror.

Auf der Hauptfläche 12 ist eine reflektierende Schicht 22 aufgebracht, die eine Öffnung 3 aufweist. Die reflektierende Schicht 22 bedeckt dabei die Hauptfläche 12 gänzlich bis auf die Öffnung 3, so dass in dem aktiven Bereich 1 erzeugte elektromagnetische Strahlung nur durch die Öffnung 3 austreten und vom strahlungsemittierenden Halbleiterchip 100 abgestrahlt werden kann. Bevorzugt weist die reflektierende Schicht 12 eine der Halbleiterschichtenfolge 1 zugewandte Schicht aus einem transparenten, elektrisch leitenden Material, etwa einem transparentem, elektrisch leitenden Oxid auf. Auf dieser Schicht kann dann wie auf den Seitenflächen eine reflektierende Metallschicht aufgebracht sein, die ebenfalls Gold, Silber oder eine Legierung daraus aufweisen kann. Eine elektrische Kontaktierung des Bereichs 101 über die Hauptoberfläche 12 kann durch die Schicht aus dem transparenten, elektrisch leitenden Oxid erfolgen, wobei die transparente, elektrisch leitende Oxidschicht zumindest einen elektrischen Anschlusspunkte wie etwa einen Lötkontakt zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung mit einer Stromversorgung aufweisen kann, der außerhalb der durch die reflektierenden Schichten 21, 22, 23, 24, 25, 26 begrenzten Halbleiterschichtenfolge angeordnet sein kann.On the main surface 12 is a reflective layer 22 Applied to an opening 3 having. The reflective layer 22 covers the main area 12 completely down to the opening 3 so that in the active area 1 generated electromagnetic radiation only through the opening 3 emerge and from the radiation-emitting semiconductor chip 100 can be radiated. Preferably, the reflective layer 12 one of the semiconductor layer sequence 1 facing layer of a transparent, electrically conductive material, such as a transparent, electrically conductive oxide. On this layer can then be applied as on the side surfaces of a reflective metal layer, which may also have gold, silver or an alloy thereof. An electrical contact of the area 101 over the main surface 12 may be through the layer of transparent electrically conductive oxide, wherein the transparent, electrically conductive oxide layer may include at least one electrical connection point such as a soldering contact for making an electrically conductive connection to a power supply external to that through the reflective layers 21 . 22 . 23 . 24 . 25 . 26 limited semiconductor layer sequence can be arranged.

Die reflektierenden Schichten können mit Beschichtungstechniken wie etwa Gasphasenabscheidung, chemischer Gasphasenabscheidung oder Sputtern auf die Hauptoberflächen und Seitenflächen aufgebracht werden. Insbesondere kann es auch möglich sein, dass mehrere Schichten, etwa reflektierende Schichten oder Teilbereiche reflektierender Schichten, auf verschiedenen Seitenflächen oder Hauptoberflächen gleichzeitig aufgebracht werden. Beispielsweise kann auf den Seitenflächen 13, 14, 15, 16 eine dielektrische Schicht aufgebracht werden und auf der Hauptoberfläche 12 eine Schicht aus einen transparen ten elektrisch leitenden Oxid. Eine reflektierende Schicht, die ein wie oben genanntes Metall oder eine Legierung aufweist, kann dann in einem Arbeitsschritt auf die Seitenflächen 13, 14, 15, 16 und die Hauptoberfläche 12 gleichzeitig aufgebracht werden.The reflective layers may be applied to the major surfaces and side surfaces by coating techniques such as vapor deposition, chemical vapor deposition, or sputtering. In particular, it may also be possible for a plurality of layers, such as reflective layers or partial regions of reflective layers, to be applied simultaneously on different side surfaces or main surfaces. For example, on the side surfaces 13 . 14 . 15 . 16 a dielectric layer can be applied and on the main surface 12 a layer of a transparen th electrically conductive oxide. A reflective layer comprising a metal or an alloy as mentioned above can then be applied to the side surfaces in one step 13 . 14 . 15 . 16 and the main surface 12 be applied simultaneously.

Der strahlungsemittierende Halbleiterchip kann beispielsweise Hauptoberflächen 11, 12 mit einer Seitenlänge von etwa 1 mm aufweisen und eine mittig auf der Hauptoberfläche 12 angeordnete kreisförmige Öffnung 3 mit einem Durchmesser in einem Bereich von etwa 100 bis etwa 300 Mikrometer. Damit wird lediglich ein Bruchteil der Halbleiterchip-Hauptoberfläche 12 zur Auskopplung und Abstrahlung der erzeugten elektromagnetischen Strahlung verwendet. Durch eine gänzliche Bedeckung der Seitenflächen 13, 14, 15, 16 und Hauptoberflächen 11, 12 mit reflektierenden Schichten 23, 24, 25, 26 und 21, 22 bis auf die Öffnung 3 auf der Hauptoberfläche 12 kann eine Erhöhung der Leuchtdichte für die aus der Öffnung 3 austretende elektromagnetische Strahlung ermöglicht werden. Ein in dem aktiven Bereich 10 beispielsweise an einer Stelle 112 durch die Stromaufprägung auf die Halbleiterschichtenfolge 1 erzeugtes Photon kann so abgestrahlt werden, dass es direkt aus der Öffnung 3 austreten kann und damit zur Leuchtdichte des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 100 beitragen kann. Darüber hinaus kann beispielsweise an einer Stelle 110 ein Photon erzeugt werden, das so abgestrahlt wird, das es nicht ohne Reflexion durch die Öffnung 3 aus der Halbleiterschichtenfolge 1 austreten kann, sondern an reflektierenden Schichten 22, 24, 21 ein- oder mehrfach reflektiert wird und schließlich die Möglichkeit besteht, dass das Photon an einer weiteren Stelle 111 der aktiven Schicht wieder absorbiert werden kann. Durch die Absorption der Photons kann aus der aktiven Schicht durch Re-Emission an der Stelle 111 ein wei teres Photon emittiert werden, das nun beispielsweise so abgestrahlt wird, dass es aus der Öffnung 3 austreten kann. Durch dieses Photonen-Recycling kann also die Leuchtdichte der durch die Öffnung 3 abgestrahlten Strahlung erhöht werden. Die Positionen der Stellen 110, 111, 112 ist dabei rein exemplarisch gezeigt und können beispielsweise auch dieselbe Stelle bezeichnen.The radiation-emitting semiconductor chip may, for example, main surfaces 11 . 12 having a side of about 1 mm and one centered on the main surface 12 arranged circular opening 3 with a diameter in a range of about 100 to about 300 microns. This becomes only a fraction of the semiconductor chip main surface 12 used for decoupling and radiation of the generated electromagnetic radiation. Through a complete covering of the side surfaces 13 . 14 . 15 . 16 and main surfaces 11 . 12 with reflective layers 23 . 24 . 25 . 26 and 21 . 22 except for the opening 3 on the main surface 12 can increase the luminance for the out of the opening 3 exiting electromagnetic radiation can be made possible. One in the active area 10 for example, at one point 112 by the current impressed on the semiconductor layer sequence 1 Photon generated can be emitted so that it is directly from the opening 3 can emerge and thus the luminance of the radiation-emitting semiconductor chip 100 can contribute. In addition, for example, at one point 110 a photon can be generated that is emitted in such a way that it is not without reflection through the opening 3 from the semiconductor layer sequence 1 can escape, but on reflective layers 22 . 24 . 21 is reflected one or more times and finally the possibility exists that the photon at another place 111 the active layer can be absorbed again. By absorbing the photons can be removed from the active layer by re-emission at the site 111 a white ter photon be emitted, which is now radiated, for example, so that it out of the opening 3 can escape. By this photon recycling so the luminance of the through the opening 3 radiated radiation can be increased. The positions of the bodies 110 . 111 . 112 is shown purely by way of example and may for example also designate the same point.

Alternativ zur Ausführung als Dünnfilm-Halbleiterschichtenfolge kann die Halbleiterschichtenfolge 1 auch als epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge auf einem Aufwachssubstrat oder als organische Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat ausgeführt sein. In diesem Fall kann der funktionale Bereich 101 oder 102 auch das Aufwachssubstrat oder das Substrat umfassen und die Hauptoberfläche 11 oder 12 wird durch die der Halbleiterschichtenfolge 1 abgewandten Seite des Aufwachssubstrats oder des Substrats gebildet, auf der die reflektierende Schicht 21, beispielsweise ähnlich oder gleich der reflektierenden Schicht 22 auf der Hauptoberfläche 12, aufgebracht ist. Vorteilhafterweise ist dazu das Substrat transparent ausgeführt. Insbesondere kann in diesem Fall die Öffnung 3 auch auf der Hauptoberfläche 11 angebracht sein.As an alternative to the embodiment as a thin-film semiconductor layer sequence, the semiconductor layer sequence 1 also be embodied as an epitaxially grown semiconductor layer sequence on a growth substrate or as an organic semiconductor layer sequence on a substrate. In this case, the functional area 101 or 102 Also, the growth substrate or substrate comprises and the major surface 11 or 12 is through the semiconductor layer sequence 1 formed on the opposite side of the growth substrate or the substrate on which the reflective layer 21 , for example, similar or equal to the reflective layer 22 on the main surface 12 , is applied. Advantageously, the substrate is designed to be transparent. In particular, in this case, the opening 3 also on the main surface 11 to be appropriate.

In dem in der 2 gezeigten Ausführungsbeispiel eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips 200 weist die auf der Hauptoberfläche 12 angebrachte reflektierende Schicht 12 eine Öffnung 3 auf, die nicht mittig auf der Hauptoberfläche 12 angebracht ist. Unabhängig davon kann die reflektierende Schicht 22 auf der Hauptoberfläche 12 im Gegensatz zu dem Ausführungsbeispiel der 1A und 1B ein nicht elektrisch leitendes, etwa dielektrisches Material oder eine solche Schicht wie etwa die reflektierenden Schichten 23, 24 auf den Seitenflächen 13, 14 aufweisen. Weiterhin kann die re flektierende Schicht daher beispielsweise einen elektrischen Kontakt 31 aufweisen, durch den eine elektrische Kontaktierung des funktionalen Bereichs 102 über die Hauptoberfläche 12 ermöglicht werden kann. Der elektrische Kontakt 31 kann beispielsweise reflektierend ausgebildet sein und beispielsweise ein Metall wie etwa Silber oder Gold aufweisen. Alternativ kann der elektrische Kontakt 31 auch nicht reflektierend sein. Alternativ oder zusätzlich kann auch die reflektierende Schicht 21 auf der Hauptoberfläche 11 einen oder mehrere elektrische Kontakte aufweisen.In the in the 2 shown embodiment of a radiation-emitting semiconductor chip 200 points to the main surface 12 attached reflective layer 12 an opening 3 on that is not centered on the main surface 12 is appropriate. Regardless, the reflective layer can be 22 on the main surface 12 in contrast to the embodiment of the 1A and 1B a non-electrically conductive, such as dielectric material or layer such as the reflective layers 23 . 24 on the side surfaces 13 . 14 exhibit. Furthermore, the re flexing layer therefore, for example, an electrical contact 31 by which an electrical contacting of the functional area 102 over the main surface 12 can be enabled. The electrical contact 31 For example, it may be reflective and may include, for example, a metal such as silver or gold. Alternatively, the electrical contact 31 also not be reflective. Alternatively or additionally, the reflective layer may also be used 21 on the main surface 11 have one or more electrical contacts.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel gemäß der 3 zeigt einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 300, der beispielsweise wie der strahlungsemittierende Halbleiterchip 100 gemäß dem Ausführungsbeispiel in den 1A und 1B aufgebaut sein kann. Jedoch weist der strahlungsemittierende Halbleiterchip 300 zwischen den Seitenflächen 13, 14 und der Hauptoberfläche 12 einen abgeschrägten Winkel 41 auf, der kleiner als 90 Grad ist. Insbesondere kann der Winkel 80 Grad oder weniger betragen und 45 Grad oder mehr. Ein solcher Winkel 41 zwischen den Seitenflächen 13, 14 und der Hauptoberfläche 12 kann vorteilhaft sein, wenn eine umlaufende elektromagnetische Strahlung vor allem zwischen den Seitenflächen 13, 14 vermieden werden soll. Durch eine solche umlaufende elektromagnetische Strahlung bei einer ausreichend hohen Leistungsdichte der elektromagnetischen Strahlung kann es nämlich zum Laserbetrieb in der Halbleiterschichtenfolge 1 kommen, was vorteilhafterweise im strahlungsemittierenden Halbleiterchip 300 vermieden werden kann. Dies ist möglich, da beispielsweise in einem Dünnfilm-Halbleiterchip die Dicke der Halbleiterschichtenfolge 1 und damit die Höhe der Seitenflächen 13, 14 im Vergleich zur lateralen Ausdehnung der Hauptoberflächen 11, 12 wesentlich kleiner ist und daher im aktiven Bereich 10 erzeugte Photonen insbesondere mehrmals an den reflektierenden Schichten 21, 22 auf den Hauptoberflächen 11, 12 reflektiert werden, bevor sie an den reflektierenden Schichten 23, 24 auf den Seitenflächen 13, 14 reflektiert werden.Another embodiment according to the 3 shows a radiation-emitting semiconductor chip 300 for example, like the radiation-emitting semiconductor chip 100 according to the embodiment in the 1A and 1B can be constructed. However, the radiation-emitting semiconductor chip has 300 between the side surfaces 13 . 14 and the main surface 12 a beveled angle 41 which is less than 90 degrees. In particular, the angle may be 80 degrees or less and 45 degrees or more. Such an angle 41 between the side surfaces 13 . 14 and the main surface 12 may be advantageous if a circulating electromagnetic radiation, especially between the side surfaces 13 . 14 should be avoided. By such a circulating electromagnetic radiation at a sufficiently high power density of the electromagnetic radiation, it can namely for laser operation in the semiconductor layer sequence 1 come, which advantageously in the radiation-emitting semiconductor chip 300 can be avoided. This is possible because, for example, in a thin-film semiconductor chip, the thickness of the semiconductor layer sequence 1 and thus the height of the side surfaces 13 . 14 compared to the lateral extent of the main surfaces 11 . 12 is much smaller and therefore in the active area 10 generated photons in particular several times at the reflective layers 21 . 22 on the main surfaces 11 . 12 be reflected before coming to the reflective layers 23 . 24 on the side surfaces 13 . 14 be reflected.

Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 300 kann damit beispielsweise die Form eines Pyramidenstumpfs aufweisen, auf dessen größerer Hauptoberfläche 12 die Öffnung 3 angeordnet ist.The radiation-emitting semiconductor chip 300 may thus for example have the shape of a truncated pyramid, on its major major surface 12 the opening 3 is arranged.

Wie im Ausführungsbeispiel gemäß der 4 gezeigt ist, kann die Öffnung 3 auch auf der kleineren Hauptoberfläche 12 eines pyramidenstumpfförmigen strahlungsemittierenden Halbleiterchips 400 angeordnet sein. Insbesondere zeigt das Ausführungsbeispiel einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip 400, bei dem außerdem der Winkel zwischen der Hauptoberfläche 11 und den Seitenflächen 13, 14 kleiner oder gleich 30 Grad sein kann. Dadurch kann beispielsweise die Ausbreitungsrichtung von im aktiven Bereich erzeugten Photonen in der durch die reflektierenden Schichten 21, 22, 23, 24 begrenzten Halbleiterschichtenfolge wirkungsvoll verändert werden, wodurch eine Verteilung der elektromagnetischen Strahlung in der Halbleiterschichtenfolge 1 insbesondere auch hinsichtlich des Photonen-Recyclings verbessert werden kann.As in the embodiment according to the 4 shown is the opening 3 also on the smaller main surface 12 a truncated pyramidal radiation-emitting semiconductor chip 400 be arranged. In particular, the embodiment shows a radiation-emitting semiconductor chip 400 in which, in addition, the angle between the main surface 11 and the side surfaces 13 . 14 can be less than or equal to 30 degrees. As a result, for example, the propagation direction of photons generated in the active region in the by the reflective layers 21 . 22 . 23 . 24 limited semiconductor layer sequence can be effectively changed, whereby a distribution of the electromagnetic radiation in the semiconductor layer sequence 1 especially with regard to the photon recycling can be improved.

Im Vergleich zu den bisher gezeigten Ausführungsbeispielen der 1A bis 4 zeigt die 5 das Ausführungsbeispiel eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips 500, bei dem die Öffnung 3 in der reflektierenden Schicht 24 auf einer Seitenfläche 14 angeordnet ist. Insbesondere kann bei dieser Bauform des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 500 elektromagnetische Strahlung mit einer erhöhten Leuchtdichte in eine Richtung parallel zur lateralen Ausdehnung der Schichten beziehungsweise des aktiven Bereichs 10 der Halbleiterschichtenfolge 1 abgestrahlt werden. Dabei können einige oder alle Seitenflächen beispielsweise auch Winkel kleiner oder gleich als 90 Grad mit einer der Hauptoberflächen 11, 12 einschießen.Compared to the previously shown embodiments of 1A to 4 show the 5 the embodiment of a radiation-emitting semiconductor chip 500 in which the opening 3 in the reflective layer 24 on a side surface 14 is arranged. In particular, in this design of the radiation-emitting semiconductor chip 500 electromagnetic radiation having an increased luminance in a direction parallel to the lateral extent of the layers or the active region 10 the semiconductor layer sequence 1 be radiated. For example, some or all of the side surfaces may also have angles less than or equal to 90 degrees with one of the main surfaces 11 . 12 einschießen.

6 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 101 und einem optischen Element 50. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip 101 kann beispielsweise gemäß einem der vorher beschriebenen Ausführungsbeispiele gemäß der 1A bis 5 ausgeführt sein. Das optische Element 50 ist im Strahlengang des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 101 über der Öffnung 3 für den Austritt elektromagnetischer Strahlung 60 angeordnet. Das optische Element 50 kann z.B. eine Kollimierung der aus dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip 101 ausgekoppelten elektromagnetischen Strahlung 60 verursachen. Durch die im Vergleich zu den Hauptoberflächen kleinen Öffnung 3 und der damit verbundenen kleinen Auskoppelfläche für die elektromagnetische Strahlung 60 bei einer gleichzeitig vorteilhafterweise erhöhten Leuchtdichte kann es so möglich sein, einen kollimierten Strahl der elektromagnetischen Strahlung mit einer erhöhten Leuchtdichte bei einem im Vergleich zu den Hauptoberflächen kleinen Leuchtfläche zu erreichen. Alternativ oder zusätzlich kann das optische Element 50 beispielsweise auch geeignet sein, die elektromagnetische Strahlung 60 zu fokussieren oder zumindest einen Teil des Emissionsspektrums des strahlungsemittierenden Halbleiterchips 101 durch einen Wellenlängenkonverter zu verändern um beispielsweise ein mischfarbiges Emissionsspektrum der Vorrichtung 600 zu erreichen. 6 shows an embodiment of a device with a radiation-emitting semiconductor chip 101 and an optical element 50 , The radiation-emitting semiconductor chip 101 For example, according to one of the previously described embodiments according to the 1A to 5 be executed. The optical element 50 is in the beam path of the radiation-emitting semiconductor chip 101 over the opening 3 for the emission of electromagnetic radiation 60 arranged. The optical element 50 For example, a collimation of the radiation-emitting semiconductor chip 101 decoupled electromagnetic radiation 60 cause. Due to the small opening compared to the main surfaces 3 and the associated small decoupling surface for the electromagnetic radiation 60 With a simultaneously advantageously increased luminance, it may thus be possible to achieve a collimated beam of the electromagnetic radiation with an increased luminance at a small luminous area compared to the main surfaces. Alternatively or additionally, the optical element 50 For example, be suitable for the electromagnetic radiation 60 to focus or at least part of the emission spectrum of the radiation-emitting semiconductor chip 101 by a wavelength converter to change, for example, a mixed-colored emission spectrum of the device 600 to reach.

In dem Ausführungsbeispiel gemäß der 7 ist eine Vorrichtung 700 gezeigt mit zwei strahlungsemittierenden Halbleiterchips 701, 702. Die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 701, 702 können dabei Merkmale gemäß einem oder mehreren der vorher beschriebenen Ausführungsbeispiele und damit insbesondere eine erhöhte Leuchtdichte aufweisen. Vorteilhafterweise weisen die strahlungsemittierenden Halbleiterchips 701, 702 jeweils ein nicht-mittig angeordnete Öffnung 301, 302 für die Auskopplung elektromagnetischer Strahlung auf, wobei die Öffnungen 301, 302 so zu einander angeordnet sind, dass sie einen geringen Abstand voneinander haben. Dadurch ist es möglich, dass die elektromagnetische Strahlung, die jeweils aus den strahlungsemittierenden Halbleiterchips 701, 702 ausgekoppelt wird, überlagert werden kann. Insbesondere wenn die beiden strahlungsemittierenden Halbleiterchips 701, 702 verschiedene Emissionsspektren elektromagnetischer Strahlung aufweisen, kann ein Mischspektrum mit erhöhter Leuchtdichte von der Vorrichtung 700 abgestrahlt werden. Zur Verbesserung der Durchmischung der jeweiligen Emissionsspektren kann den beiden strahlungsemittierenden Halbleiterchips 701, 702 ein optisches Element 50 nachgeordnet sein, dass beispielsweise als Diffusor wirkt.In the embodiment according to the 7 is a device 700 shown with two radiation-emitting semiconductor chips 701 . 702 , The radiation-emitting semiconductor chips 701 . 702 may have features according to one or more of the previously described embodiments and thus in particular an increased luminance. Advantageously, the radiation-emitting semiconductor chips 701 . 702 in each case a non-centrally arranged opening 301 . 302 for the extraction of electromagnetic radiation, wherein the openings 301 . 302 are arranged to each other so that they have a small distance from each other. Thereby, it is possible that the electromagnetic radiation, each from the radiation-emitting semiconductor chips 701 . 702 is decoupled, can be superimposed. In particular, when the two radiation-emitting semiconductor chips 701 . 702 have different emission spectra of electromagnetic radiation, a mixed spectrum with increased luminance of the device 700 be radiated. To improve the mixing of the respective emission spectra, the two radiation-emitting semiconductor chips 701 . 702 an optical element 50 be downstream, for example, acts as a diffuser.

Die 8A und 8B zeigen weitere Ausführungsbeispiele für die Ausführung und Anordnung einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips 801, 802, 803 beziehungsweise von strahlungsemittierenden Halbleiterchips 801, 802, 803, 804, die benachbart angeordnete Öffnungen 301, 302, 303 beziehungsweise Öffnungen 301, 302, 303, 304 aufweisen. Solchen Anordnungen können wie im Ausführungsbeispiel zur 7 ein oder mehrere optische Elemente 50 nachgeordnet sein. Das Ausführungsbeispiel der 8A zeigt beispielsweise drei strahlungsemittierende Halbleiterchips 801, 802, 803, die je weils die Form einer Raute mit nicht-mittig angeordneten kreisförmigen Öffnungen 301, 302, 303 aufweisen. Das Ausführungsbeispiel der 8B zeigt beispielsweise vier quadratische strahlungsemittierende Halbleiterchips 801, 802, 803, 804 mit nicht-mittig angeordneten dreieckigen Öffnungen 301, 302, 303, 304. Die Formen der strahlungsemittierenden Halbleiterchips und der Öffnungen sind dabei rein exemplarisch gezeigt. Beispielsweise kann in beiden Ausführungsbeispielen ein erster strahlungsemittierender Halbleiterchip 801 in rotes, ein zweiter strahlungsemittierender Halbleiterchip 802 ein grünes und ein dritter strahlungsemittierender Halbleiterchip 803 ein blaues Emissionsspektrum aufweisen. Im Ausführungsbeispiel der 8B kann ein vierter strahlungsemittierender Halbleiterchip 804 beispielsweise zusätzliche dasselbe Emissionsspektrum wie einer der anderen drei strahlungsemittierende Halbleiterchips 801, 802, 803 aufweisen oder ein davon verschiedenes. Solche Anordnungen, die in den angeführten Ausführungsbeispielen lediglich beispielhaft gezeigt sind und insbesondere eines oder mehrere Merkmale der vorher beschriebenen Ausführungsbeispiele und Ausführungsformen aufweisen können, können sich beispielsweise für RGB-Anwendungen, die eine hohe Leuchtdichte erfordern, etwa in Projektoren, eigenen.The 8A and 8B show further embodiments of the embodiment and arrangement of a plurality of radiation-emitting semiconductor chips 801 . 802 . 803 or of radiation-emitting semiconductor chips 801 . 802 . 803 . 804 , the adjacent openings 301 . 302 . 303 or openings 301 . 302 . 303 . 304 exhibit. Such arrangements can as in the embodiment of 7 one or more optical elements 50 be subordinate. The embodiment of 8A shows, for example, three radiation-emitting semiconductor chips 801 . 802 . 803 , each Weil's the shape of a rhombus with non-centrally arranged circular openings 301 . 302 . 303 exhibit. The embodiment of 8B shows, for example, four square radiation-emitting semiconductor chips 801 . 802 . 803 . 804 with non-centrally arranged triangular openings 301 . 302 . 303 . 304 , The shapes of the radiation-emitting semiconductor chips and the openings are shown purely by way of example. For example, in both embodiments, a first radiation-emitting semiconductor chip 801 in red, a second radiation-emitting semiconductor chip 802 a green and a third radiation-emitting semiconductor chip 803 have a blue emission spectrum. In the embodiment of 8B may be a fourth radiation-emitting semiconductor chip 804 For example, additional the same emission spectrum as one of the other three radiation-emitting semiconductor chips 801 . 802 . 803 or one of them different. Such arrangements, which are shown by way of example only in the cited embodiments and in particular may include one or more features of the previously described embodiments and embodiments, may be used, for example, in RGB applications requiring high luminance, such as in projectors.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited to these. Rather, the invention encompasses every new feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in the claims includes, even if this feature or this combination itself not explicitly in the patent claims or embodiments is specified.

Claims (26)

Strahlungsemittierender Halbleiterchip, umfassend – zwei als gegenüberliegende Seiten ausgebildete Hauptoberflächen, die durch Seitenflächen miteinander verbunden sind, und – eine Halbleiterschichtenfolge mit einem aktiven Bereich zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung wobei – die Halbleiterschichtenfolge zwischen den Hauptoberflächen und den Seitenflächen angeordnet ist, – auf jeder der Hauptoberflächen und der Seitenflächen jeweils eine reflektierende Schicht angebracht ist, die zumindest einen Teil der im aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert, und – eine reflektierende Schicht auf einer Hauptoberfläche oder einer Seitenfläche eine Öffnung für den Austritt der elektromagnetischen Strahlung aufweist.A radiation-emitting semiconductor chip, comprising - two as opposing Side trained main surfaces, through side surfaces are connected to each other, and A semiconductor layer sequence with an active region for generating electromagnetic radiation in which - The semiconductor layer sequence between the main surfaces and the side surfaces is arranged - on each of the main surfaces and the side surfaces in each case a reflective layer is attached, at least a part of the generated in the active region of the semiconductor layer sequence electromagnetic radiation reflected back into these, and - a reflective one Layer on a main surface or a side surface an opening for the exit having the electromagnetic radiation. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach Anspruch 1, wobei die Hauptoberflächen und die Seitenflächen durch die Halbleiterschichtenfolge gebildet werden.Radiation-emitting semiconductor chip according to claim 1, the main surfaces and the side surfaces are formed by the semiconductor layer sequence. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach Anspruch 1 oder 2, wobei zumindest eine der Seitenflächen oder Hauptoberflächen gänzlich von der reflektierenden Schicht bedeckt ist.Radiation-emitting semiconductor chip according to claim 1 or 2, wherein at least one of the side surfaces or main surfaces entirely of the reflective layer is covered. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Halbleiterschichtenfolge bis auf die Öffnung gänzlich von reflektierenden Schichten bedeckt ist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, wherein the semiconductor layer sequence except for the opening entirely of reflective Layers is covered. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zumindest eine der reflektierenden Schichten auf einer Seitenfläche eine Schicht aufweist, die ein dielektrisches Material umfasst.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, wherein at least one of the reflective layers on a side surface of a Layer comprising a dielectric material. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zumindest zwischen einem Teilbereich der reflektierenden Schicht auf einer Hauptoberfläche und der Hauptoberfläche eine Schicht angeordnet ist, die ein elektrisch leitendes Oxid umfasst.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, wherein at least between a portion of the reflective layer on a main surface and the main surface a layer is arranged, which comprises an electrically conductive oxide. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zumindest eine der reflektierenden Schichten eine Schicht aufweist, die ein Metall umfasst.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, wherein at least one of the reflective layers is a layer comprising a metal. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach dem vorherigen Anspruch, wobei das Metall Silber oder Gold ist.Radiation-emitting semiconductor chip after the previous Claim, wherein the metal is silver or gold. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die reflektierende Schicht auf einer Hauptoberfläche eine Öffnung aufweist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, wherein the reflective layer has an opening on a major surface. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die reflektierende Schicht auf einer Seitenfläche eine Öffnung aufweist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, wherein the reflective layer has an opening on a side surface. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei der strahlungsemittierende Halbleiterchip genau eine Öffnung aufweist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, wherein the radiation-emitting semiconductor chip has exactly one opening. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Seitenflächen mit einer Hauptoberfläche jeweils einen Winkel einschließen, wobei der Winkel gleich etwa 90 Grad ist.A radiation-emitting semiconductor chip as claimed in any one of the preceding claims, wherein the side surfaces each include an angle with a major surface, the angle being equal to about 90 ° Degree is. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach dem vorherigen Anspruch, wobei zumindest eine Seitenflächen abgeschrägt in Bezug auf zumindest eine der Hauptoberflächen ausgebildet ist.Radiation-emitting semiconductor chip after the previous claim, wherein at least one side surfaces bevelled with respect to is formed on at least one of the main surfaces. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine Hauptoberfläche eine quadratische, eine runde, eine elliptische oder eine n-eckige Form aufweist, wobei n eine ganze Zahl größer oder gleich 3 ist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, being a main surface a square, a round, an elliptical or a n-shaped Form, where n is an integer greater than or equal to 3. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Öffnung für den Austritt elektromagnetischer Strahlung eine quadratische, eine runde, eine elliptische oder eine n-eckige Form aufweist, wobei n eine ganze Zahl größer oder gleich 3 ist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, the opening for the exit electromagnetic radiation a square, a round, a elliptical or n-angular shape, where n is a whole Number greater or is equal to 3. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei eine Hauptoberfläche oder die Seitenfläche, auf der eine reflektierende Schicht mit einer Öffnung angebracht ist, ein erste charakteristisches Maß aufweist und die Öffnung für den Austritt elektromagnetischer Strahlung ein zweites charakteristisches Maß aufweist, wobei – das erste charakteristische Maß eine Seitenlänge, eine Diagonale oder ein Durchmesser ist, – das zweite charakteristische Maß eine Seitenlänge, eine Diagonale oder ein Durchmesser ist, und – das zweite charakteristische Maß kleiner oder gleich 30% des ersten charakteristischen Maßes ist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, being a main surface or the side surface, on which a reflective layer is attached with an opening having first characteristic dimension and the opening for the Emission of electromagnetic radiation a second characteristic Measure, wherein - the first characteristic measure one Side length, one Diagonal or a diameter, - the second characteristic Measure one Side length, one Diagonal or a diameter is, and - the second characteristic Measure smaller or equal to 30% of the first characteristic measure. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Verhältnis der Fläche der Öffnung für den Austritt elektromagnetischer Strahlung zur Fläche der Hauptoberfläche oder der Seitenfläche, auf der eine reflektierende Schicht mit einer Öffnung angebracht ist, kleiner oder gleich 30% ist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, the ratio the area the opening for the Emission of electromagnetic radiation to the surface of the main surface or the side surface, on which a reflective layer with an opening is attached, smaller or equal to 30%. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei auf einer Hauptoberfläche zumindest ein elektrischer Kontakt angeordnet ist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, being on a main surface at least one electrical contact is arranged. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zumindest eine der reflektierenden Schichten einen Reflexionsgrad größer oder gleich 50% für die von der aktiven Schicht erzeugte elektromagnetische Strahlung aufweist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, wherein at least one of the reflective layers has a reflectance bigger or equal to 50% for the electromagnetic radiation generated by the active layer having. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Halbleiterschichtenfolge eine Dünnfilm-Halbleiterschichtenfolge ist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, wherein the semiconductor layer sequence is a thin-film semiconductor layer sequence is. Strahlungsemittierender Halbleiterchip nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zumindest eine Hauptoberfläche zumindest in einem Teilbereich eine Mikrostrukturierung oder eine Mesa-Strukturierung aufweist.Radiation-emitting semiconductor chip after a the previous claims, wherein at least one major surface at least in one subarea, a microstructuring or a Mesa structuring has. Vorrichtung, umfassend – zumindest einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip gemäß einem der Ansprüche 1 bis 29, und – zumindest ein dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip in Abstrahlrichtung der elektromagnetischen Strahlung nachgeordnetes optisches Element.Device comprising - At least one radiation-emitting Semiconductor chip according to a the claims 1 to 29, and - at least a radiation-emitting semiconductor chip in the emission direction the electromagnetic radiation downstream optical element. Vorrichtung nach Anspruch 22, wobei das optische Element ein strahlungsbeugendes optisches Element, ein strahlungsbrechendes optisches Element, ein Reflektor, ein Konzentrator, eine Flüssigkristallzelle, ein Diffusor, ein Wellenlängenkonverter, ein Leichtleiter, ein Gehäuse, ein Teil eines Gehäuses, eine Verkapselung, ein Teil einer Verkapselung oder eine Kombination daraus aufweist.Apparatus according to claim 22, wherein the optical Element is a radiation-diffractive optical element, a radiation-refractive element optical element, a reflector, a concentrator, a liquid crystal cell, a diffuser, a wavelength converter, a Lightweight, a housing, a part of a housing, an encapsulation, a part of an encapsulation or a combination has it. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 22 oder 23, wobei die Vorrichtung eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips umfasst, wobei zumindest zwei der Mehrzahl von Halbleiterchips ein verschiedenes Spektrum der jeweils im Betrieb erzeugten elektromagnetischen Strahlung aufweisen.Device according to one of claims 22 or 23, wherein the device comprises a plurality of radiation-emitting semiconductor chips, wherein at least two of the plurality of semiconductor chips have a different one Spectrum of the electromagnetic radiation generated during operation exhibit. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 24, wobei die Vorrichtung Teil eines Projektors, einer optischen Maus, eines Scheinwerfers oder eines ein- oder mehrfarbigen Displays sein.Device according to one of claims 22 to 24, wherein the device Part of a projector, an optical mouse, a headlight or a single or multi-color display. Strahlungsemittierende Vorrichtung, umfassend – zumindest zwei strahlungsemittierende Halbleiterchips gemäß einem der Ansprüche 1 bis 29, die so zueinander angeordnet sind, dass deren Öffnungen für den Austritt der elektromagnetischen Strahlung benachbart angeordnet sind, so dass die durch die Öffnungen emittierte elektromagnetische Strahlung der beiden Halbleiterchips überlagert wird.A radiation emitting device comprising - at least two radiation-emitting semiconductor chips according to one of claims 1 to 29, which are arranged to each other so that their openings for the exit are arranged adjacent to the electromagnetic radiation, so that through the openings emitted electromagnetic radiation of the two semiconductor chips superimposed becomes.
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