DE102007041004A1 - Illumination lens for use in scanner-type projection illumination system e.g. stepper, for extreme ultraviolet microlithography, has correction element arranged in optical path of ultraviolet radiation between radiation source and location - Google Patents

Illumination lens for use in scanner-type projection illumination system e.g. stepper, for extreme ultraviolet microlithography, has correction element arranged in optical path of ultraviolet radiation between radiation source and location Download PDF

Info

Publication number
DE102007041004A1
DE102007041004A1 DE102007041004A DE102007041004A DE102007041004A1 DE 102007041004 A1 DE102007041004 A1 DE 102007041004A1 DE 102007041004 A DE102007041004 A DE 102007041004A DE 102007041004 A DE102007041004 A DE 102007041004A DE 102007041004 A1 DE102007041004 A1 DE 102007041004A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
illumination
radiation
correction
correction element
optics
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102007041004A
Other languages
German (de)
Inventor
Wolfgang Singer
Martin Endres
Ralf STÜTZLE
Jens Ossmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102007041004A priority Critical patent/DE102007041004A1/en
Publication of DE102007041004A1 publication Critical patent/DE102007041004A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/09—Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like

Abstract

The lens (4) has an optical correction element (30) arranged in an optical path of an extreme ultraviolet (EUV) radiation (10) between a EUV radiation source (3) and a location. An incidence illuminating radiation (33) entering into a field facet mirror (13) is separated from a breakdown illuminating radiation (34), which is reflected from the field facet mirror. A correction value is spatially adjusted to a radiation-influenced value of a collector (11) for homogenizing an illumination level of the field facet mirror by a beam aperture of the EUV radiation. An independent claim is also included for a method for manufacturing a micro-structured component.

Description

Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie nach denn Oberbegriff des Anspruches 1. Ferner betrifft die Erfindung ein Korrekturelement zum Einsatz in einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, ein Herstellungsverfahren für ein mikrostrukturiertes Bauteil unter Einsatz einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein derart hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil.The The invention relates to an illumination optics for EUV microlithography according to the preamble of claim 1. Furthermore, the invention relates a correction element for use in such illumination optics, a projection exposure apparatus with such an illumination optics, a manufacturing method for a microstructured component using such a projection exposure apparatus as well a microstructured component produced in this way.

Eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art ist bekannt aus der WO 2004/034 146 A2 , der US 6,771,352 B2 , der EP 1 291 721 A2 , der WO 2005/015 314 A2 und der US 2007/0132977 A1 .An illumination optics of the type mentioned is known from the WO 2004/034 146 A2 , of the US 6,771,352 B2 , of the EP 1 291 721 A2 , of the WO 2005/015 314 A2 and the US 2007/0132977 A1 ,

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass auch für anspruchsvolle Beleuchtungsaufgaben, insbesondere zur Erzeugung von mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteilen, vorgegebene Spezifikationen hinsichtlich der Beleuchtungsparameter bei der Ausleuchtung des Objekts erfüllt werden.It It is an object of the present invention to provide an illumination optics of the type mentioned in such a way that even for sophisticated lighting tasks, especially for the production of micro- or nanostructured components, given specifications with regard to the illumination parameters in the illumination of the Object to be met.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.These The object is achieved by an illumination optical system with the features specified in claim 1.

Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass durch das in seiner Korrekturwirkung räumlich an die strahlungsbeeinflussende Wirkung des Kollektors angepasste Korrekturelement Probleme, die durch eine inhomogene Ausleuchtung des ersten optischen Elements der Facetten-Optik hervorgerufen werden, am Ort ihrer Entstehung angegangen und kompensiert werden können, nämlich benachbart zur EUV-Strahlungsquelle und zum Kollektor. Eine solche inhomogene Ausleuchtung kann aufgrund einer Abschattung durch Kollektor-Tragstrukturen oder auch durch thermische Drifts der Strahlungsquelle oder des Kollektors hervorgerufen werden. Im Unterschied zu aus dem Stand der Technik bekannten Korrekturelementen mit über den Bündelquerschnitt der Beleuchtungsstrahlung kontinuierlicher oder rasterartig regelmäßiger Korrekturwirkung führt die räumliche Anpassung des Korrekturelements zu einer Beeinflussung des Bündelquerschnitts praktisch nur dort, wo eine Korrekturwirkung zur Homogenisierung der Ausleuchtung tatsächlich erforderlich ist. Diese räumliche Anpassung kann beispielsweise dadurch realisiert werden, dass das Korrekturelement eine Korrekturwirkung hat, die an die räumliche Struktur einer abschattenden Wirkung beispielsweise von Kollektor-Tragstrukturen oder von Abschnitten des Kollektors selbst angepasst ist. Bei den Kollektorabschnitten kann es sich beispielsweise um Kollektorschalen eines verschachtelten Kollektors für streifenden Einfall (nested grazing incidence collector) handeln. Die Korrekturwirkung des Korrekturelements kann räumlich beispielsweise auch an die abschattende Wirkung einzelner Komponenten der Tragstruktur oder einzelner Kollektorabschnitte angepasst sein. Im Unterschied zu aus dem Stand der Technik im Bereich eines Feldfacettenspiegels angeordneten Korrekturelementen wirkt das erfindungsgemäße Korrekturelement nicht gleichzeitig auf die auf das erste optische Element der Facetten-Optik ein- und ausfallende Strahlung, was zu einer präzise vorgebbaren Korrekturwirkung fuhrt.According to the invention was realized that spatially by that in its correction effect adapted to the radiation-influencing effect of the collector Correction problems caused by inhomogeneous illumination of the first optical element of the facet optic, am Their origin can be addressed and compensated, namely, adjacent to the EUV radiation source and to the collector. Such inhomogeneous illumination may be due to shading by collector support structures or by thermal drifts the radiation source or the collector are caused. in the Difference to known from the prior art correction elements with over the bundle cross section of the illumination radiation continuous or grid-like regular Correction effect leads the spatial adjustment of the correction element to influence the bundle cross-section practically only where a correction effect for the homogenization of the Illumination is actually required. This spatial Adaptation can for example be realized by the Correction element has a corrective effect, which corresponds to the spatial Structure of a shading effect, for example of collector support structures or adapted from sections of the collector itself. Both Collector sections may be, for example, collector shells a nested collector for grazing incidence (nested grazing incidence collector) act. The correction effect the correction element can also be spatially, for example to the shading effect of individual components of the support structure or individual collector sections adapted. In difference to the prior art in the field of a field facet mirror arranged correction elements acts the inventive Correction element not at the same time on the first optical Element of faceted optics incoming and outgoing radiation, resulting in a precisely predetermined corrective effect leads.

Durch eine Anordnung des Korrekturelements nach Anspruch 2 ist neben einer Korrektur der Uniformität (Uniformity) gleichzeitig auch eine Korrektur der Beleuchtungswinkelparameter Elliptizität und Telezentrie möglich. Dies erhöht die Anwendungsbandbreite des Korrekturelements.By An arrangement of the correction element according to claim 2 is in addition to a Correction of uniformity (uniformity) at the same time a correction of the illumination angle parameters ellipticity and Telecentric possible. This increases the application bandwidth of the correction element.

Eine Anordnung des Korrekturelements nach Anspruch 3 vereinfacht dessen Ausgestaltung, da keine Doppeldurchlauf-Beeinflussung der Beleuchtungsstrahlung berücksichtigt werden muss. Bei der Ausgestaltung nach Anspruch 3 ist das Korrekturelement also grundsätzlich an einem Ort untergebracht, an dem es nur einmal von Beleuchtungsstrahlung passiert wird. Alternativ ist auch ein Doppeldurchlauf des Korrekturelements möglich, nicht jedoch ein Doppeldurchlauf des Korrekturelements im Bereich des ersten optischen Elements der Facetten-Optik.A Arrangement of the correction element according to claim 3 simplifies its Embodiment, since no double-pass influence of the illumination radiation must be taken into account. In the embodiment according to Claim 3 is the correction element so basically housed in a place where it only once by lighting radiation is happening. Alternatively, a double pass of the correction element possible, but not a double pass of the correction element in the region of the first optical element of the facet optics.

Eine Anordnung nach Anspruch 4 ist hinsichtlich der Bekämpfung von Abschattungseffekten oder thermischen Verformungseffekten des Kollektors von besonderen Vorteil, da diese direkt am Ort ihrer Entstehung angegangen werden.A Arrangement according to claim 4 is in terms of combat of shading effects or thermal deformation effects of Collector of particular advantage, as these are right on the spot of their Emergence can be tackled.

Bei einer Anordnung nach Anspruch 5 kann das Korrekturelement dort angebracht werden, wo dies aus Bauraum-Gründen oder aus Gründen einer Beeinflussung bestimmter Beleuchtungsparameter von besonderem Vorteil ist. Varianten der Anordnung des Korrekturelements sind direkt am Kollektor selbst oder auch zwischen der Strahlungsquelle und dem Kollektor.at an arrangement according to claim 5, the correction element can be attached there where this is due to space reasons or reasons an influence of certain lighting parameters of particular Advantage is. Variants of the arrangement of the correction element are directly at the collector itself or between the radiation source and the collector.

Eine Anordnung nach Anspruch 6 hat sich zur Zuordnung der Wirkung des Korrekturelements zu im Bereich des Kollektors entstehenden Inhomogenitätseffekten als ausreichend herausgestellt.A Arrangement according to claim 6 has to assign the effect of Correction element for inhomogeneity effects arising in the region of the collector as sufficient.

Eine Anordnung nach Anspruch 7 ermöglicht eine einfache Lagerung des Korrekturelements. Zudem ist das Korrekturelement dann von der EUV-Strahlungsquelle erzeugtem Debris nicht so stark ausgesetzt, als wenn die Anordnung direkt beim Kollektor erfolgt. Als Debris werden in diesem Zusammenhang insbesondere Partikelströme in Richtung der Beleuchtungsstrahlung bezeichnet, die beim Betrieb der Strahlungsquelle entstehen.An arrangement according to claim 7 allows easy storage of the correction element. In addition, the correction element is then exposed to debris generated by the EUV radiation source is not as strong as if the arrangement is done directly at the collector. In particular, particle streams in Rich tion of the illumination radiation, which arise during operation of the radiation source.

Eine Integration des Korrekturelements nach Anspruch 8 ist elegant. Das optische Führungselement vereint dann vorteilhaft zwei Funktionen.A Integration of the correction element according to claim 8 is elegant. The optical guide element then advantageously combines two Functions.

Eine Verlagerbarkeit des Korrekturelements nach Anspruch 9 ermöglicht eine feine Beeinflussung der Korrekturwirkung.A Displacement of the correction element according to claim 9 allows a fine influence on the correction effect.

Entsprechendes gilt für die Ausgestaltungen des Korrekturelements nach den Ansprüchen 10 bis 12.The same applies to the embodiments of the correction element according to the claims 10 to 12.

Eine gruppenweise Unterteilung des Korrekturelements nach Anspruch 13 verringert die Anforderungen, die an die Verlagerbarkeit einer einzelnen Korrektur-Untereinheit gestellt werden.A Groupwise subdivision of the correction element according to claim 13 reduces the demands placed on the displaceability of a single correction subunit be put.

Eine Ausgestaltung nach Anspruch 14 erhöht die Variabilität der Korrektur-Untereinheit.A Embodiment according to claim 14 increases the variability the correction subunit.

Dies gilt entsprechend für Ausgestaltungen der Korrektur-Untereinheit nach den Ansprüchen 15 bis 18. Die aktiven Abschnitte können die Beleuchtungsstrahlung absorbieren und/oder reflektieren und dienen daher als Abschattungsabschnitte für die Beleuchtungsstrahlung.This applies mutatis mutandis to embodiments of the correction subunit according to claims 15 to 18. The active sections can absorb and / or reflect and serve the illumination radiation therefore as Abschattungsabschnitte for the illumination radiation.

Eine Ausgestaltung von Korrektur-Untereinheiten nach Anspruch 19 ist einfach.A Configuration of correction subunits according to claim 19 easy.

Mit dem erfindungsgemäß vor dem ersten optischen Element der Facettenoptik angeordneten Korrekturelement lässt sich ein Hauptbeitrag einer Korrektur zur Homogenisierung der Ausleuchtung der Facettenoptik erzielen. Gegebenenfalls noch erforderliche Feinkorrekturen, die dann entsprechend geringere Verluste an Beleuchtungsstrahlung mit sich bringen, können durch ein ggf. noch vorgesehenes weiteres Korrekturelement nach Anspruch 20 herbeigeführt werden.With according to the invention in front of the first optical element the facet optics arranged correction element can be a major contribution of a correction to homogenize the illumination of the Achieve faceted appearance. If necessary still necessary fine corrections, the correspondingly lower losses of illumination radiation can bring with it, by a possibly still provided another correction element according to claim 20 brought about become.

Die Vorteile eines Korrekturelements nach Anspruch 21 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik erläutert wurden. Entsprechendes gilt für eine Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 22, ein Herstellungsverfahren nach Anspruch 23 und ein mikrostrukturiertes Bauelement nach Anspruch 24.The Advantages of a correction element according to claim 21 correspond to those those with reference to the invention Illumination optics were explained. The same applies for a projection exposure apparatus according to claim 22, A manufacturing method according to claim 23 and a microstructured one Component according to Claim 24.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:embodiments The invention will be described below with reference to the drawing explained. In this show:

1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithografie, gesehen in einen Schnitt durch den EUV-Strahlengang senkrecht zur langen Feldachse des Objektfeldes; 1 schematically a projection exposure apparatus for EUV microlithography, seen in a section through the EUV beam path perpendicular to the long field axis of the object field;

2 eine weitere Ausführung einer Beleuchtung eines Feldfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1; 2 a further embodiment of an illumination of a field facet mirror of an illumination optical system of the projection exposure apparatus according to 1 ;

3 eine Aufsicht auf den Feldfacettenspiegel der Beleuchtungsoptik nach den 1 oder 2, wobei zusätzlich eine Intensitätsverteilung der Ausleuchtung des Feldfacettenspiegels dargestellt ist; 3 a plan view of the field facet mirror of the illumination optical system according to 1 or 2 , wherein additionally an intensity distribution of the illumination of the field facet mirror is shown;

4 eine Intensitätsverteilung der Beleuchtungsstrahlung senkrecht zu deren Lichtweg unmittelbar nach einem Kollektor der Beleuchtungsoptik, wobei gestrichelt angedeutet ist, welche Bereiche der Beleuchtungsstrahlung Facetten des Feldfacettenspiegels ausleuchten; 4 an intensity distribution of the illumination radiation perpendicular to its light path immediately after a collector of the illumination optics, wherein indicated by dashed lines, which areas of the illumination radiation illuminate facets of the field facet mirror;

5 eine zu 4 ähnliche Darstellung mit einem zusätzlich dargestellten Korrekturelement, welches im Lichtweg direkt nach dem Kollektor angebracht ist; 5 one too 4 similar representation with an additionally shown correction element which is mounted in the light path directly after the collector;

6 eine vereinfachte Darstellung einer Intensitätsverteilung der Beleuchtungsstrahlung senkrecht zu deren Lichtweg direkt nach einer weiteren Ausführung eines Kollektors zusammen mit zwei Korrektur-Untereinheiten einer weiteren Ausführung eines direkt nach dem Kollektor im Lichtweg der Beleuchtungsstrahlung angeordneten Korrekturelements; und 6 a simplified representation of an intensity distribution of the illumination radiation perpendicular to the light path directly after a further embodiment of a collector together with two correction subunits of a further embodiment of a right after the collector in the light path of the illumination radiation arranged correction element; and

7 bis 9 in einer zu 6 ähnlichen Darstellung Korrektur-Untereinheiten weiterer Ausführungen von Korrekturelementen. 7 to 9 in one too 6 similar representation correction subunits of other versions of correction elements.

1 zeigt schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfeldes in einer Objektebene 5. Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Quelle mit einer Emissionswellenlänge zwischen 10 nm und 30 nm. Belichtet wird ein im Objektfeld angeordnetes Retikel 6. Eine Projektionsoptik 7 dient zur Abbildung des Objektfeldes in ein Bildfeld in einer Bildebene 8. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes in der Bildebene 8 angeordneten Wafers 9. 1 schematically shows a projection exposure system 1 for microlithography. A lighting system 2 the projection exposure system 1 has next to a radiation source 3 an illumination optics 4 for the exposure of an object field in an object plane 5 , At the radiation source 3 it is an EUV source with an emission wavelength between 10 nm and 30 nm. A reticle arranged in the object field is exposed 6 , A projection optics 7 serves to image the object field into an image field in an image plane 8th , A structure on the reticle is imaged onto a photosensitive layer in the area of the image field in the image plane 8th arranged wafers 9 ,

Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl das Retikel 6 als auch der Wafer 9 werden im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 synchron zueinander kontinuierlich verschoben. Alternativ ist es möglich, die Projektionsbelichtungsanlage 1 als Stepper, also als schrittweise Verlagerungseinrichtung, auszuführen.The projection exposure machine 1 is the scanner type. Both the reticle 6 as well as the wafer 9 are in operation of the projection exposure system 1 moved synchronously to each other continuously. Alternatively it is possible to use the projection exposure equipment 1 as a stepper, so as a stepwise displacement device to execute.

EUV-Strahlung 10, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird zunächst von einem Kollektor 11 kollimiert. Der Kollektor 11 ist als genesteter, also ineinander verschachtelter, Kollektorspiegel mit einer Vielzahl von Spiegelschalen ausgebildet, an denen die EUV-Strahlung 10 streifend (gracing incidence) reflektiert wird. Die einzelnen Spiegelschalen des Kollektors 11 werden von Speichen gehalten, die im Lichtweg der EUV-Strahlung 10 angeordnet sind. Ein Beispiel für eine Ausführung des Kollektors 11 zeigt die US 2003/0043455 A . Ein weiteres Beispiel für einen derartigen Kollektor 11 zeigt die 12 der WO 2005/015 314 A2 . Auch andere Ausgestaltungen des Kollektors 11 sind möglich.EUV radiation 10 coming from the radiation source 3 goes out first by a collector 11 collimated. The collector 11 is designed as a nested, so nested, collector mirror with a variety of mirror shells, where the EUV radiation 10 grazing incidence is reflected. The individual mirror shells of the collector 11 are held by spokes in the light path of the EUV radiation 10 are arranged. An example of a collector design 11 show the US 2003/0043455 A , Another example of such a collector 11 show the 12 of the WO 2005/015 314 A2 , Other configurations of the collector 11 are possible.

Nach dem Kollektor 11 propagiert die EUV-Strahlung 10 durch eine Zwischenfokusebene 12, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 13 trifft. Der Feldfacettenspiegel 13 ist in einer zur Objektebene 5 konjugierten Feldebene 13a angeordnet.After the collector 11 propagates the EUV radiation 10 through an intermediate focus level 12 before moving to a field facet mirror 13 meets. The field facet mirror 13 is in one to the object level 5 conjugated field level 13a arranged.

2 zeigt eine Variante der Beleuchtung des Feldfacettenspiegels 13. Hierbei ist zwischen der Zwischenfokusebene 12 und dem Feldfacettenspiegel 13 noch ein die EUV-Strahlung 10 umlenkender Spiegel 14 angeordnet, der bei der Ausführung nach 2 als Konkavspiegel ausgeführt ist. Damit kann der Feldfacettenspiegel 13 beispielsweise mit einem parallelen Strahlbüschel der EUV-Strahlung 10 ausgeleuchtet werden. 2 shows a variant of the illumination of the field facet mirror 13 , Here is between the Zwischenfokusebene 12 and the field facet mirror 13 another one the EUV radiation 10 deflecting mirror 14 arranged, which in the execution after 2 is designed as a concave mirror. This allows the field facet mirror 13 for example, with a parallel beam of EUV radiation 10 be lit up.

3 zeigt eine vergrößerte Aufsicht auf den Feldfacettenspiegel 13 zusammen mit dessen EUV-Intensitätsbeaufschlagung durch die EUV-Strahlung 10. Der Feldfacettenspiegel 13 hat eine Mehrzahl von spalten- und zeilenweise teilweise zueinander versetzt angeordneten Feldfacettengruppen 15, die wiederum aus einer Mehrzahl von Einzelfacetten 16 aufgebaut sind. Die Einzelfacetten 16 sind rechteckig mit einem hohen Aspektverhältnis, welches dem Aspektverhältnis des Objektfeldes entspricht. Auch gebogene, also nicht rechteckig ausgeführte Einzelfacetten sind möglich. Der Feldfacettenspiegel 13 ist aus mehreren unterschiedlichen Typen von Facettengruppen 15 aufgebaut, die sich in der Anzahl der Einzelfacetten 16 unterscheiden. Manche der Feldfacettengruppen 15 haben lediglich zwei Einzelfacetten 16 (vgl. die in der 3 ganz unten dargestellte Feldfacettengruppe 15). Andere Feldfacettengruppen 15 haben bis zu vierzehn Einzelfacetten 16 (vgl. die Feldfacettengruppen 15 der unteren der beiden mittleren Zeilen von Feldfacettengruppen 15). Die beiden mittleren Zeilen der Feldfacettengruppen 15 sind voneinander beabstandet. Zwischen diesen beiden mittleren Zeilen der Feldfacettengruppen 15 und im Zentralbereich des Feldfacettenspiegels 13 liegen keine Einzelfacetten vor, sondern hier ist ein facettenfreier Bereich 17 vorgesehen. 3 shows an enlarged view of the field facet mirror 13 together with its EUV intensity exposure by the EUV radiation 10 , The field facet mirror 13 has a plurality of field facet groups partially offset from one another in rows and columns 15 , which in turn consists of a plurality of individual facets 16 are constructed. The single facets 16 are rectangular with a high aspect ratio, which corresponds to the aspect ratio of the object field. Even curved, so not rectangular running single facets are possible. The field facet mirror 13 is made up of several different types of facet groups 15 built up in the number of Einzelfacetten 16 differ. Some of the field facet groups 15 have only two Einzelfacetten 16 (see the in the 3 at the bottom shown field facet group 15 ). Other field facet groups 15 have up to fourteen single facets 16 (See the field facet groups 15 the lower of the two middle rows of field facet groups 15 ). The two middle lines of the field facet groups 15 are spaced from each other. Between these two middle lines of the field facet groups 15 and in the central region of the field facet mirror 13 There are no single facets, but here is a facet-free area 17 intended.

Die in der 3 dargestellte Intensitätsverteilung der Ausleuchtung des Feldfacettenspiegels 13 weist eine Mehrzahl charakteristischer Intensitäts-Ringstrukturen 18 auf, die von reflektierten Anteilen der EUV-Strahlung 10 her rühren, die von den einzelnen Spiegelschalen des Kollektors 11 erzeugt werden. Die Intensitäts-Ringstrukturen 18 sind unterbrochen von insgesamt sechs radial verlaufenden Speichen-Schatten 19. Es handelt sich hierbei um von Haltespeichen des Kollektors 11 abgeschattete Bereiche. Die beiden in der 3 horizontal verlaufenden Speichen-Schatten 19 sind besonders ausgeprägt, weswegen dort der facettenfreie Bereich 17 vorgesehen ist. Auch der Zentralbereich innerhalb der Intensitäts-Ringstrukturen 18 ist konstruktiv bedingt abgeschattet, weswegen auch dort der facettenfreie Bereich 17 vorgesehen ist.The in the 3 illustrated intensity distribution of the illumination of the field facet mirror 13 has a plurality of characteristic intensity ring structures 18 on that of reflected portions of EUV radiation 10 Stir, that of the individual mirror shells of the collector 11 be generated. The intensity ring structures 18 are interrupted by a total of six radial spoke-shadow 19 , These are about holding spokes of the collector 11 shaded areas. The two in the 3 horizontally extending spoke-shadow 19 are particularly pronounced, which is why there is the facet-free area 17 is provided. Also the central area within the intensity ring structures 18 is shaded for constructional reasons, which is why there is the facet-free area 17 is provided.

Die von dem Feldfacettenspiegel 13 reflektierte EUV-Strahlung 10 ist aus einer Vielzahl von Strahlungs-Teilbündeln aufgebaut, wobei jedes Teilbündel von einer bestimmten Einzelfacette 16 reflektiert wird. Jedes Teilbündel trifft wiederum auf eine dem Teilbündel zugeordnete Einzelfacette eines Pupillenfacettenspiegels 20. Die Pupillen-Einzelfacetten sind rund und dicht gepackt angeordnet. Bei dieser Anordnung kann es sich um eine hexagonal dichteste Packung handeln. Mit dem Feldfacettenspiegel 13 werden am Ort der Pupillen-Einzelfacetten sekundäre Lichtquellen erzeugt. Der Pupillenfacettenspiegel 20 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die mit einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 zusammenfällt oder zu dieser Pupillenebene optisch konjugiert ist.The of the field facet mirror 13 reflected EUV radiation 10 is composed of a plurality of radiation sub-beams, each sub-beam of a particular Einzelfacette 16 is reflected. Each sub-beam in turn strikes a single facet of a pupil facet mirror associated with the sub-beam 20 , The pupil single facets are arranged round and densely packed. This arrangement may be a hexagonal closest packing. With the field facet mirror 13 secondary light sources are generated at the location of the pupil single facets. The pupil facet mirror 20 is in a plane of illumination optics 4 arranged with a pupil plane of the projection optics 7 coincides or is optically conjugated to this pupil plane.

Mit Hilfe des Pupillenfacettenspiegels 20 und einer Übertragungsoptik 21 werden die Feld-Einzelfacetten 16 des Feldfacettenspiegels 13 in die Objektebene 5 abgebildet. Die Übertragungsoptik 21 hat drei dem Pupillenfacettenspiegel 20 nachgeordnete reflektierende Spiegel 22, 23, 24. Der letzte dieser drei Spiegel, also der Spiegel 24, ist als Spiegel mit streifendem Einfall (grazing incidence) ausgeführt und kann einen feldformenden Spiegel zur Korrektur oder Erzeugung eines bogenförmigen Objektfeldes darstellen.With the help of the pupil facet mirror 20 and a transmission optics 21 become the field single facets 16 of the field facet mirror 13 into the object plane 5 displayed. The transmission optics 21 has three pupil facet mirrors 20 downstream reflective mirrors 22 . 23 . 24 , The last of these three mirrors, so the mirror 24 , is designed as a grazing incidence mirror and may represent a field-shaping mirror for correcting or creating an arcuate object field.

Die gesamte Beleuchtungsoptik 4, also der Feldfacettenspiegel 13, der Pupillenfacettenspiegel 20 sowie die drei Spiegel 22 bis 24 der Übertragungsoptik 21 sind auf einem gemeinsamen, stabilen Tragrahmen 25 so gehalten, dass thermische Drifts der Positionen der reflektierenden Flächen dieser Komponenten im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 minimiert sind. Aufgrund der räumlichen Gegebenheiten können die Strahlungsquelle 3 und der Kollektor 11 in der Regel nicht direkt am Tragrahmen 25 festgelegt werden.The entire lighting optics 4 , so the field facet mirror 13 , the pupil facet mirror 20 as well as the three mirrors 22 to 24 the transmission optics 21 are on a common, stable support frame 25 held so that thermal drifts of the positions of the reflective surfaces of these components in the operation of the projection exposure apparatus 1 are minimized. Due to the spatial conditions, the radiation source 3 and the collector 11 usually not directly on the support frame 25 be determined.

4 zeigt die Intensitätsverteilung der EUV-Strahlung 10 in einer zu 3 ähnlichen Darstellung in einer Kollektor-Ausgangsebene 26 (vgl. 1), also im Lichtweg der EUV-Strahlung 10 direkt nach dem Kollektor 11. Die Speichen-Schatten 19 sind in dieser Ebene scharf begrenzt vorhanden. Diejenigen Speichen, die die beiden in der 4 horizontal verlaufenden Speichen-Schatten 19 erzeugen, sind stärker ausgeführt als die vier anderen Speichen, so dass die zugehörigen Speichen-Schatten 19 breiter sind als die vier anderen Speichen-Schatten 19. Auch zwischen den Intensitätsringstrukturen 18 liegen ausgeprägte Ringschatten 27 vor, die durch randseitige Abschattungen der Spiegelschalen des Kollektors 11 erzeugt werden. 4 shows the intensity distribution of the EUV radiation 10 in one too 3 similar dar position in a collector output level 26 (see. 1 ), ie in the light path of the EUV radiation 10 directly after the collector 11 , The spokes shadow 19 are present in this level sharply limited. Those spokes that the two in the 4 horizontally extending spoke-shadow 19 generate, are more powerful than the four other spokes, so that the associated spokes-shadow 19 wider than the four other spoke shadows 19 , Also between the intensity ring structures 18 are pronounced ring shadows 27 ago, by the edge shading of the mirror shells of the collector 11 be generated.

In der 4 sind gestrichelt zudem die den Feld-Einzelfacetten 16 zugeordneten Intensitätsbereiche 28 der EUV-Strahlung 10 eingezeichnet, die genau so wie die Feld-Einzelfacetten 16 in Intensitätsbereichsgruppen 29 gruppiert sind. Die 4 zeigt somit eine Nahfeld-Intensitätsverteilung, die im Fernfeld nach 3 zur Ausleuchtung des Feldfacettenspiegels 13 führt. Deutlich ist zu erkennen, dass die Intensitätsverteilung auf den Feld-Einzelfacetten 16 in den meisten Fällen inhomogen über die Facettenfläche verteilt ist. Zudem sehen die Feld-Einzelfacetten 16 zum Teil stark unterschiedliche integrale Intensitäten. Für eine ideal gleichmäßige Beleuchtung der Pupillenfacetten ist es erwünscht, die Ausleuchtung der verschiedenen Feld-Einzelfacetten 16 möglichst gut zu vergleichmäßigen, sodass jede der Feld-Einzelfacetten 16 innerhalb einer vorgegebenen Toleranz mit der gleichen integralen Intensität des zugeordneten Teilstrahls der EUV-Strahlung 10 beaufschlagt wird. Über eine abschnittsweise Beeinflussung der Ausleuchtung der Feld-Einzelfacetten 16, beispielsweise einer Beeinflussung jeweils des rechten oder linken Randbereiches einer Mehrzahl der Feld-Einzelfacetten 16 oder eines mittleren Facettenbereichs einer Mehrzahl der Feld-Einzelfacetten 16, kann entsprechend eine Gesamt-Intensitätsbeaufschlagung des Objektfelds beeinflusst werden. Zur Intensitätsbeeinflussung der Ausleuchtung individueller Feld-Einzelfacetten 16 oder vorgegebener Gruppen von Feld-Einzelfacetten 16 wird ein im Lichtweg der EUV-Strahlung 10 zwischen der Strahlungsquelle 3 und dem Feldfacettenspiegel 13 angeordnetes optisches Korrekturelement 30 eingesetzt.In the 4 are dashed also the field single facets 16 associated intensity ranges 28 the EUV radiation 10 drawn just like the field single facets 16 in intensity range groups 29 are grouped. The 4 thus shows a near-field intensity distribution that after in the far field 3 for illuminating the field facet mirror 13 leads. It can be clearly seen that the intensity distribution on the field single facets 16 in most cases is inhomogeneously distributed over the facet surface. In addition, see the field single facets 16 sometimes very different integral intensities. For an ideal uniform illumination of the pupil facets, it is desirable to illuminate the different field single facets 16 as well as possible, so that each of the field single facets 16 within a predetermined tolerance with the same integral intensity of the associated sub-beam of EUV radiation 10 is charged. About a partial influencing of the illumination of the field single facets 16 , For example, influencing each of the right or left edge region of a plurality of field single facets 16 or a middle facet region of a plurality of single field facets 16 , a total intensity of the object field can be influenced accordingly. For influencing the intensity of the illumination of individual field single facets 16 or given groups of field single facets 16 becomes one in the light path of the EUV radiation 10 between the radiation source 3 and the field facet mirror 13 arranged optical correction element 30 used.

5 zeigt ein Beispiel für das Korrekturelement 30. Dieses ist in der Kollektor-Ausgangsebene 26 angeordnet, so dass in der ansonsten der 4 entsprechenden 5 die abschattende Wirkung des Korrekturelements 30 sichtbar ist. 5 shows an example of the correction element 30 , This is in the collector output level 26 arranged so that in the otherwise the 4 appropriate 5 the shading effect of the correction element 30 is visible.

Das Korrekturelement 30 kann zwischen der Strahlungsquelle 3 und dem Feldfacettenspiegel 13 auch an einem anderen Ort als im Bereich der Kollektor-Ausgangsebene 26 angeordnet sein. Beispiele für derartige Alternativstandorte für das Korrekturelement 30 sind in der 1 gestrichelt angedeutet. Derartige Alternativstandorte können sein eine Kollektor-Eingangsebene 31 oder ein im weiteren Lichtweg der EUV-Strahlung 10 nach dem Kollektor 11 ausgewählter Einbringungsort 32. Das Korrekturelement 30 wird an einem Ort im Lichtweg der EUV-Strahlung 10 eingebracht, der zwischen der Strahlungsquelle 3 und einem Ort liegt, an dem auf den Feldfacettenspiegel 13 einfallende Einfalls-Beleuchtungsstrahlung 33 von Ausfalls-Beleuchtungsstrahlung 34, die vom Feldfacettenspiegel 13 reflektiert wird, getrennt vorliegt. Mit 35 ist in der 1 ein dem Feldfacettenspiegel 13 nächstgelegener Einbringungsort bezeichnet, der diese Bedingung gerade noch erfüllt.The correction element 30 can be between the radiation source 3 and the field facet mirror 13 also in a different location than in the area of the collector output level 26 be arranged. Examples of such alternative locations for the correction element 30 are in the 1 indicated by dashed lines. Such alternative locations may be a collector input level 31 or a further light path of the EUV radiation 10 after the collector 11 selected place of collection 32 , The correction element 30 becomes in one place in the light path of the EUV radiation 10 placed between the radiation source 3 and a place where at the field facet mirror 13 incident incident illumination radiation 33 of failure lighting radiation 34 from the field facet mirror 13 is reflected, is present separately. With 35 is in the 1 a field facet mirror 13 nearest place of introduction, which just meets this condition.

Bei der Kollektor-Ausgangsebene 26 handelt es sich um eine Ebene der Gesamtoptik der Projektionsbelichtungsanlage 1, die nicht zu einer Feldebene der Projektionsoptik 7 konjugiert ist. Dies gewährleistet, dass das in der Kollektor-Ausgangsebene 26 angeordnete Korrekturelement 30 die Intensitätsverteilung der EUV-Strahlung 10 so beeinflussen kann, dass nicht nur die Intensitätsverteilung über das Objekt- bzw. Bildfeld beeinflusst wird, sondern auch die Verteilung der Beleuchtungswinkel, mit der die einzelnen Feldpunkte beispielsweise im Objektfeld beleuchtet werden.At the collector output level 26 it is a plane of the overall appearance of the projection exposure system 1 that does not become a field plane of the projection optics 7 is conjugated. This ensures that in the collector output level 26 arranged correction element 30 the intensity distribution of the EUV radiation 10 can influence so that not only the intensity distribution over the object or image field is affected, but also the distribution of the illumination angle with which the individual field points are illuminated, for example, in the object field.

Damit sind mit dem Korrekturelement 30 Beleuchtungsparameter, wie beispielsweise die Telezentrie und die Elliptizität, der Beleuchtung über das Objektfeld zugänglich. Mit der Telezentrie wird dabei die Verteilung der den einzelnen Objektfeldpunkten zugeordneten Hauptstrahlrichtungen, also der Richtungen der energetischen Schwerstrahlen der den einzelnen Objektfeldpunkten zugeordneten Teilbündel der EUV-Strahlung 10 bezeichnet. Mit der Elliptizität wird die Verteilung der Beleuchtung von Objektfeldpunkten aus verschiedenen Beleuchtungsrichtungen charakterisiert.This is with the correction element 30 Illumination parameters, such as telecentricity and ellipticity, accessible to illumination via the object field. With the telecentricity, the distribution of the main beam directions assigned to the individual object field points, that is to say the directions of the energetic heavy beams of the partial bundles of the EUV radiation assigned to the individual object field points, becomes thereby 10 designated. The ellipticity characterizes the distribution of the illumination of object field points from different directions of illumination.

Für die Schwerpunktlage der Energie bzw. Intensität wird als Messgröße die Telezentrie herangezogen.For the center of gravity of the energy or intensity is called Measured used the telecentricity.

In jedem Feldpunkt des ausgeleuchteten Objektfeldes ist ein Schwerstrahl eines diesem Feldpunkt zugeordneten Lichtbüschels definiert. Der Schwerstrahl hat dabei die energiegewichtete Richtung des von diesem Feldpunkt ausgehenden Lichtbüschels. Im Idealfall verläuft bei jedem Feldpunkt der Schwerstrahl parallel zum von der Beleuchtungsoptik 4 bzw. der Projektionsoptik 7 vorgegebenen Hauptstrahl.In each field point of the illuminated object field, a heavy beam of a light tuft associated with this field point is defined. The heavy beam has the energy-weighted direction of the outgoing light beam from this field point. Ideally, at each field point the gravity jet is parallel to the illumination optics 4 or the projection optics 7 given main beam.

Die Richtung des Hauptstrahls s →0(x, y) ist anhand der Designdaten der Beleuchtungsoptik 4 bzw. der Projektionsoptik 7 bekannt. Der Hauptstrahl ist an einem Feldpunkt definiert durch die Verbindungslinie zwischen dem Feldpunkt und dem Mittelpunkt der Eintrittspupille der Projektionsoptik 7. Die Richtung des Schwerstrahls an einem Feldpunkt x, y im Objektfeld in der Objektebene 5 berechnet sich zu:

Figure 00130001
The direction of the main jet s → 0 (x, y) is based on the design data of the illumination optics 4 or the projection optics 7 known. The main ray is defined at a field point by the connecting line between the field point and the center of the Entry pupil of the projection optics 7 , The direction of the heavy beam at a field point x, y in the object field in the object plane 5 calculated to:
Figure 00130001

E(u, v, x, y) ist die Energieverteilung für den Feldpunkt x, y in Abhängigkeit von den Pupillenkoordinaten u, v, also in Abhängigkeit vom Beleuchtungswinkel, den der entsprechende Feldpunkt x, y sieht.E (u, v, x, y) is the energy distribution for the field point x, y as a function of the pupil coordinates u, v, ie depending on the illumination angle, the corresponding Field point x, y sees.

E ~(x, y) = ∫dudvE(u, v, x, y) ist dabei die Gesamtenergie, mit der der Punkt x, y beaufschlagt wird.E ~ (x, y) = ∫dudvE (u, v, x, y) is the total energy, with the point x, y is applied.

Ein mittiger Objektfeldpunkt x0, y0 sieht beispielsweise die Strahlung von Strahlungs-Teilbündeln aus Richtungen u, v, die durch die Position der jeweiligen Pupillen-Einzelfacetten definiert ist. Der Schwerstrahl s verläuft bei dieser Beleuchtung nur dann längs des Hauptstrahls, wenn sich die verschiedenen Energien bzw. Intensitäten der den Pupillen-Einzelfacetten zugeordneten Strahlungs-Teilbündel zu einer über alle Pupillen-Einzelfacetten integrierten Schwerstrahlrichtung zusammensetzen, die parallel zur Hauptstrahlrichtung verläuft. Dies ist nur im Idealfall so. In der Praxis existiert eine Abweichung zwischen der Schwerstrahlrichtung s →(x, y) und der Hauptstrahlrichtung s →0(x, y), die als Telezentriefehler t →(x, y) bezeichnet wird: t →(x, y) = s →(x, y) – s →0(x, y)Korrigiert werden muss im praktischen Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 nicht der statische Telezentriefehler bei einem bestimmten Objektfeld, sondern der bei x = x0 über die y-Richtung scanintegrierte Telezentriefehler. Dieser ergibt sich zu:

Figure 00140001
A central object field point x 0 , y 0 , for example, sees the radiation of partial radiation bundles from directions u, v, which is defined by the position of the respective pupil individual facets. In this illumination, the heavy beam s extends along the main beam only when the various energies or intensities of the partial beam bundles associated with the pupil individual facets combine to form a heavy-beam direction integrated over all individual pupil facets which runs parallel to the main beam direction. This is only in the ideal case. In practice, there is a deviation between the heavy beam direction s → (x, y) and the main beam direction s → 0 (x, y) , which is called telecentric error t → (x, y): t → (x, y) = s → (x, y) -s → 0 (x, y) Corrected must be in practical operation of the projection exposure system 1 not the static telecentricity error for a certain object field, but the telecentricity error integrated at x = x 0 over the y-direction. This results to:
Figure 00140001

Es wird also der Telezentriefehler korrigiert, den ein durch das Objektfeld in der Objektebene 5 während des Scannens laufender Punkt (x, z. B. x0) auf dem Retikel energiegewichtet aufintegriert erfährt. Unterschieden wird dabei zwischen einem x-Telezentriefehler und einem y-Telezentriefehler. Der x-Telezentriefehler ist als Abweichung des Schwerstrahls vom Hauptstrahl senkrecht zur Scanrichtung definiert. Der x-Telezentriefehler ist als die Abweichung des Schwerstrahls vom Hauptstrahl in Scanrichtung definiert.Thus, the telecenter error is corrected, the one through the object field in the object plane 5 During the scanning, running point (x, eg x 0 ) experiences energy-weighted integration on the reticle. A distinction is made between an x-telecentricity error and a y-telecentricity error. The x-telecentricity error is defined as the deviation of the heavy beam from the main beam perpendicular to the scan direction. The x-telecentricity error is defined as the deviation of the centroid ray from the principal ray in the scan direction.

Neben dem Telezentriefehler ist die Elliptizität eine weitere Messgröße zur Beurteilung der Qualität der Ausleuchtung des Objektfeldes in der Objektebene 5. Die Bestimmung der Elliptizität erlaubt dabei eine genauere Aussage über die Verteilung der Energie bzw. Intensität über die Eintrittspupille der Projektionsoptik 7. Hierzu wird die Eintrittspupille beispielsweise in acht Oktanten O1 bis O8 unterteilt. Der Energie- bzw. Intensitätsbeitrag, den die Oktanten O1 bis O8 der Eintrittspupille zur Beleuchtung eines Feldpunktes beitragen, wird nachfolgend als Energie- bzw. Intensitätsbeitrag I1 bis I8 bezeichnet.In addition to the telecentricity error, the ellipticity is another measure for assessing the quality of the illumination of the object field in the object plane 5 , The determination of the ellipticity allows a more accurate statement about the distribution of energy or intensity over the entrance pupil of the projection optics 7 , For this purpose, the entrance pupil is subdivided, for example, into eight octants O 1 to O 8 . The energy or intensity contribution which the octants O 1 to O 8 of the entrance pupil contribute to the illumination of a field point is referred to below as the energy or intensity contribution I 1 to I 8 .

Man bezeichnet als –45°/45°-Elliptizität nachfolgende Größe

Figure 00150001
und als 0°/90°-Elliptizität nachfolgende Größe
Figure 00150002
It is referred to as -45 ° / 45 ° -Elliptizität subsequent size
Figure 00150001
and as 0 ° / 90 ° ellipticity subsequent size
Figure 00150002

Entsprechend zum vorstehend in Bezug auf den Telezentriefehler Ausgeführten kann auch die Elliptizität für einen bestimmten Objektfeldpunkt x0, y0 oder aber auch für eine scanintegrierte Ausleuchtung (x = x0, y-integriert) bestimmt werden.According to the above with regard to the telecentricity error, the ellipticity can also be determined for a specific object field point x 0 , y 0 or else for scan-integrated illumination (x = x 0 , y integrated).

Weiterhin wird als Uniformität (Uniformity) die Homogenität der Scanning-Energie (SE) über die Feldhöhe x, also derjenigen Energie bzw. Intensität, die ein Feldpunkt, die über das Objektfeld gescannt wird, integriert über alle Richtungen sieht, bezeichnet.Farther becomes uniformity (uniformity) homogeneity the scanning energy (SE) over the field height x, So the energy or intensity that a field point, which is scanned via the object field, integrated via sees all directions, designates.

Generell gilt SE(x) = ∫E(x, y)dy, wobei The general rule SE (x) = ∫E (x, y) dy, where

E die Intensitätsverteilung in der x-y-Feldebene abhängig von x und y ist. Für eine uniforme, d. h. gleichmäßige Ausleuchtung und andere charakteristische Größen des Beleuchtungssystemes wie die Elliptizität und die Telezentrie die gleichfalls von der Feldhöhe x abhängen, ist es von Vorteil, wenn diese Größen im wesentlichen über der gesamten Feldhöhe x einen im Wesentlichen gleichen Wert aufweisen und nur geringe Abweichungen auftreten.e the intensity distribution in the x-y field level dependent of x and y is. For a uniform, d. H. uniform Illumination and other characteristic sizes of the lighting system such as ellipticity and telecentricity which also depend on the field height x is it is beneficial if these sizes are essentially over the total field height x is substantially the same Have value and only slight deviations occur.

Als Maß für die Uniformität der Scanning-Energie in der Feldebene gilt die Variation der Scanning-Energie über die Feldhöhe. Die Uniformität wird also durch nachfolgende Beziehung für den Uniformitätsfehler in Prozent beschrieben:

Figure 00160001
As a measure of the uniformity of the scanning energy in the field level, the variation of the scanning energy over the field height applies. The uniformity is thus described by the following relationship for the uniformity error in percent:
Figure 00160001

Hierbei gilt:

ΔSE:
der Uniformitätsfehler bzw. die Variation der Scanning-Energie in %.
SEMax:
maximaler Wert der Scanning-Energie;
SEMin:
minimaler Wert der Scanning-Energie.
Where:
ΔSE:
the uniformity error or the variation of the scanning energy in%.
SE Max :
maximum value of the scanning energy;
SE Min :
minimum value of the scanning energy.

Das Korrekturelement 30 hat zwei Gruppen 36, 37 von Korrektur-Untereinheiten 38. Letztere sind als Finger bzw. Stäbe ausgebildet, die in Längsrichtung in Tragrahmen 39 unabhängig voneinander angetrieben verlagert werden können. Jede Gruppe 36, 37 hat dabei einen der insgesamt zwei Tragrahmen 39, in dem alle Finger 38 der jeweiligen Gruppe 36, 37 gelagert sind. Die Gruppe 36 ist in der 5 oben und die Gruppe 37 in der 5 unten angeordnet. Jede Gruppe 36, 37 hat etwa 60 Finger 38. Die Finger 38 lassen sich bis auf Höhe des zugehörigen Tragrahmens 39 einziehen, wie dies für die Finger 38 auf Höhe des facettenfreien Zentralbereichs 17 in der 5 dargestellt ist. Maximal ausfahren lassen sich die Finger 38 bis zum in der 5 horizontal verlaufenden Speichen-Schatten 19. Die Finger 38 sind alle unabhängig voneinander ausfahrbar. Die Tragrahmen 39 liegen knapp außerhalb der Intensitätsverteilung der EUV-Strahlung 10.The correction element 30 has two groups 36 . 37 of correction subunits 38 , The latter are designed as fingers or rods, which are longitudinally in support frame 39 can be shifted independently driven. Every group 36 . 37 has one of the two support frames 39 in which all fingers 38 the respective group 36 . 37 are stored. The group 36 is in the 5 above and the group 37 in the 5 arranged below. Every group 36 . 37 has about 60 fingers 38 , The finger 38 can be up to the height of the associated support frame 39 move in, like this for the fingers 38 at the height of the facet-free central area 17 in the 5 is shown. The maximum extension is the fingers 38 until in the 5 horizontally extending spoke-shadow 19 , The finger 38 are all independently extendable. The supporting frame 39 are just outside the intensity distribution of EUV radiation 10 ,

Mit den Fingern 38 lassen sich gezielt Teile der EUV-Strahlung 10 abschatten, die bestimmten Intensitätsbereichen 28 und damit bestimmten Feld-Einzelfacetten 16 zugeordnet sind. Hierüber lässt sich also die Intensitätsverteilung der Ausleuchtung des Feldfacettenspiegels 13 und damit, über die Facettenzuordnung, auch des Pupillenfacettenspiegels fein beeinflussen.With your fingers 38 can be targeted parts of the EUV radiation 10 shade, the specific intensity ranges 28 and thus certain field single facets 16 assigned. This allows the intensity distribution of the illumination of the field facet mirror to be determined 13 and thus, via the facet assignment, also fine influence the pupil facet mirror.

Die Finger 38 jeweils einer der Gruppen 36, 37 sind jeweils etwa äquidistant zueinander angeordnet. Jede der Feld-Einzelfacetten 16 kann von zwölf Fingern 38 erreicht werden.The finger 38 each one of the groups 36 . 37 are each arranged approximately equidistant to each other. Each of the field single facets 16 can be twelve fingers 38 be achieved.

Die in der 5 am weitesten links dargestellten Finger 38 sind so weit ausgefahren, dass sie benachbart zu dem horizontal verlaufenden Speichen-Schatten 19 enden. Die von links gesehen siebten Finger 38 reichen bis in die von außen gesehen zweite Intensitäts-Ringstruktur 18 der Intensitätsverteilung der EUV-Strahlung 10 hinein. Die in der 5 von links gesehen dreizehnten Finger 38 sind so weit ausgefahren, dass sie bis in die von außen her gesehen äußerste Intensitäts-Ringstruktur 18 eindringen. Gleiches gilt für die in der 5 von links gesehen neunzehnten Finger 38. Diese ausgefahrenen Finger 38 decken jeweils genau einen linken Randabschnitt der Intensitätsbereiche 28 ab und führen daher zu einer Absenkung der Intensität im entsprechenden linken Abschnitt des Objektfeldes.The in the 5 finger leftmost 38 are extended so far that they are adjacent to the horizontally extending spokes shadow 19 end up. The seventh finger seen from the left 38 reach into the second intensity ring structure seen from the outside 18 the intensity distribution of the EUV radiation 10 into it. The in the 5 thirteenth fingers seen from the left 38 are so far extended that they are seen in the outermost extreme intensity ring structure 18 penetration. The same applies to those in the 5 nineteenth finger seen from the left 38 , These extended fingers 38 each cover exactly one left edge portion of the intensity areas 28 Therefore, they lead to a lowering of the intensity in the corresponding left section of the object field.

Bei einer Variante des Korrekturelements 30 sind die Finger 38 nach 5 nicht nur in axialer Richtung verfahrbar, sondern auch längs der Tragrahmen 39, also in in der 5 horizontaler Richtung. Auf diese Weise kann der durch die Finger 38 abgedeckte jeweilige Abschnitt der Intensitätsbereiche 28 exakt vorgegeben werden.In a variant of the correction element 30 are the fingers 38 to 5 not only movable in the axial direction, but also along the support frame 39 So in the 5 horizontal direction. In this way, the one through the fingers 38 covered respective section of the intensity areas 28 be specified exactly.

Das Abdecken von den Intensitätsbereichen 28 durch die Finger 38 kann beispielsweise so erfolgen, dass der Einfluss dieser Abdeckung auf die Telenzentrie oder die Elliptizität oder generell auf die Beleuchtungswinkelverteilung über die Objektfeldpunkte minimal ist. Alternativ ist es möglich, über diese Abdeckung eine gezielte Veränderung dieser Beleuchtungswinkel-Parameter, also eine gezielte Veränderung des Beleuchtungssettings, herbeizuführen.Covering the intensity areas 28 through the fingers 38 For example, the influence of this coverage on the telecentricity or the ellipticity or, in general, on the illumination angle distribution over the object field points can be minimal. Alternatively, it is possible to bring about a targeted change in these illumination angle parameters, ie, a targeted change in the illumination setting on this cover.

6 zeigt in einer zu 5 ähnlichen Darstellung einen Schnitt durch die EUV-Strahlung 10 in einer Kollektor-Ausgangsebene 26 eines alternativen Kollektors zusammen mit Korrektur-Untereinheiten 40 einer weiteren Variante eines Korrekturelements. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend schon unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. 6 shows in one too 5 similar representation a section through the EUV radiation 10 in a collector output level 26 an alternate collector along with correction subunits 40 a further variant of a correction element. Components which correspond to those described above with reference to the 1 to 5 have the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

Die Intensitätsverteilung der EUV-Strahlung 10 nach 6 hat insgesamt vier koaxiale Intensitäts-Ringstrukturen 18, die durch vier jeweils um 90° in Umfangsrichtung voneinander beabstandete, radiale Speichen-Schatten 19 geviertelt werden. Zwischen benachbarten Intensitäts-Ringstrukturen 18 liegen Schattenringe 41 vor. Der Kollektor 11 der Ausführung nach 6 hat also insgesamt vier Spiegelschalen und vier diagonal angeordnete Speichen. Zusätzlich können noch zwei horizontale Speichen-Schatten entsprechend den in den 3 bis 5 dargestellten horizontalen Speichen-Schatten 19 vorhanden sein.The intensity distribution of EUV radiation 10 to 6 has a total of four coaxial intensity ring structures 18 formed by four radial spokes shadows each spaced 90 degrees apart in the circumferential direction 19 be quartered. Between adjacent intensity ring structures 18 lie shadow rings 41 in front. The collector 11 according to the execution 6 So has a total of four mirror shells and four diagonally arranged spokes. In addition, two horizontal spokes shadows according to the in the 3 to 5 illustrated horizontal spoke shadow 19 to be available.

Die Korrektur-Untereinheiten 40 haben antriebsseitig Grundkörper 42, die an nicht dargestellten Antriebseinheiten befestigt sind. Über diese Antriebseinheiten können die Grundkörper 42 und damit die Korrektur-Untereinheiten 40 in in 6 horizontaler Richtung (Doppelpfeil 43) und in in 6 vertikaler Richtung (Doppelpfeil 44) unabhängig voneinander verlagert werden.The correction subunits 40 have drive side basic body 42 , which are attached to drive units, not shown. About these drive units, the main body 42 and thus the correction subunits 40 in in 6 horizontal direction (double arrow 43 ) and in in 6 vertical direction (double arrow 44 ) are shifted independently of each other.

Insgesamt liegen beim Korrekturelement nach 6 etwa dreißig derartiger Korrektur-Untereinheiten 40 vor.Overall, the correction element is after 6 about thirty such correction subunits 40 in front.

An den Grundkörpern 42 sind Ausleger-Finger 45 montiert, die, ausgehend vom Grundkörper 42 zunächst einen ersten Abschnitt mit größerem Querschnitt und anschließend ein freies Ende mit geringerem Querschnitt und damit geringerer Schattenwirkung aufweisen.At the basic bodies 42 are boom fingers 45 mounted, which, starting from the main body 42 initially have a first section with a larger cross section and then a free end with a smaller cross section and thus less shadow effect.

Die Funktion der Korrektur-Untereinheiten 40 entspricht derjenigen der Korrektur-Untereinheiten 38, die vorstehend schon erläutert wurde.The function of the correction subunits 40 corresponds to that of the correction subunits 38 which has already been explained above.

7 zeigt in einer zu 6 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung von Korrektur-Untereinheiten 46 einer weiteren Ausführung eines Korrekturelements. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend schon unter Bezugnahme auf die 1 bis 6 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. 7 shows in one too 6 similar representation a further execution of correction Un tereinheiten 46 a further embodiment of a correction element. Components which correspond to those described above with reference to the 1 to 6 have the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

An den freien Enden der Ausleger-Finger 45 sind Verstärkungsbereiche 47 in Form von runden Scheiben angeformt. In der 7 sind die Scheiben 47 so orientiert, dass sie eine runde Schattenwirkung haben.At the free ends of the boom fingers 45 are gain areas 47 in the form of round disks. In the 7 are the discs 47 oriented so that they have a round shadow effect.

Die Ausleger-Finger 45 erstrecken sich im Unterschied zur vertikalen Erstreckung nach 6 in der 7 horizontal. Zusätzlich zu den Beweglichkeiten 43, 44 können die Auslege-Finger 45 noch um ihre Längsachse jeweils angetrieben um 90° verschwenkt werden. In gegenüber der Stellung nach 7 um 90° verschwenkter Stellung steht die Ebene der so verschwenkten Scheibe 47 genau senkrecht auf der Kollektor-Ausgangsebene 26. Die Schattenwirkung der Scheibe 47 entspricht dann der Schattenwirkung des benachbarten Abschnitts des Auslege-Fingers 45, da die Stärke der Scheibe 47 der Stärke dieses benachbarten Abschnitts entspricht. Die Verstärkungsbereiche 47 sind dann wirkungslos.The boom fingers 45 extend in contrast to the vertical extent after 6 in the 7 horizontal. In addition to the mobilities 43 . 44 can the laying-out fingers 45 still be driven about its longitudinal axis in each case driven by 90 °. In opposite to the position 7 pivoted by 90 ° position is the level of the so pivoted disc 47 exactly perpendicular to the collector output plane 26 , The shadow effect of the disc 47 then corresponds to the shadow effect of the adjacent section of the deployment finger 45 because the strength of the disc 47 the strength of this adjacent section corresponds. The reinforcement areas 47 are then ineffective.

Durch die Schwenkmöglichkeit der Auslege-Finger 45 um die Längsachse ist daher noch eine zusätzliche Beeinflussungsmöglichkeit für die Schattenwirkung der Korrektur-Untereinheiten 46 nach 7 gegeben. Durch Verschwenkung der Auslege-Finger 45 um ihre Längsachse um Zwischenwerte zwischen 0° und 90° lässt sich der Einfluss der Verstärkungsbereiche 47 kontinuierlich variieren.Due to the possibility of swiveling the extension fingers 45 around the longitudinal axis is therefore still an additional influencing possibility for the shadow effect of the correction subunits 46 to 7 given. By pivoting the extension fingers 45 around their longitudinal axis by intermediate values between 0 ° and 90 ° can be the influence of the gain ranges 47 vary continuously.

Alternativ zu einer runden Querschnittsform, also zu den runden Scheiben 47, können die Verstärkungsbereiche 47 auch eckig oder in einer anderen Form ausgeführt sein, die insbesondere an die Form der Feld-Einzelfacetten 16 und/oder an die Form der Feldfacettengruppen 15 des Feldfacettenspiegels 13 angepasst ist.Alternatively to a round cross-sectional shape, ie to the round discs 47 , the gain ranges can 47 also be square or executed in another form, in particular to the shape of the field single facets 16 and / or the shape of the field facet groups 15 of the field facet mirror 13 is adjusted.

8 zeigt eine weitere Ausführung einer Korrektur-Untereinheit 48. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend schon unter Bezugnahme auf die 1 bis 7 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. 8th shows a further embodiment of a correction subunit 48 , Components which correspond to those described above with reference to the 1 to 7 have the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

Im Unterschied zur Ausführung nach 7 sind Verstärkungsbereiche 49 an den Auslege-Fingern 45 der Korrektur-Untereinheit 48 als T- und L-Ansätze ausgebildet. Ein T-Ansatz 50 ist beabstandet zum freien Ende des Auslege-Fingers 45 an diesem angeformt und ist in etwa doppelt so lang wie ein L-Ansatz 51, der direkt am freien Ende des Auslege-Fingers 45 angeformt ist.Unlike the execution after 7 are gain areas 49 on the extension fingers 45 the correction subunit 48 designed as T and L approaches. A T-approach 50 is spaced from the free end of the deployment finger 45 formed on this and is about twice as long as an L-neck 51 , which is directly at the free end of the extension finger 45 is formed.

Der Auslege-Finger 45 der Korrektur-Untereinheit 48 verläuft horizontal. Der Ausleger-Finger 45 kann insbesondere längs einer der Speichen-Schatten 19 verlaufen, beispielsweise längs des gestrichelt in der 8 angedeuteten horizontalen Speichen-Schattens 19.The lay-out finger 45 the correction subunit 48 runs horizontally. The boom finger 45 in particular, along one of the spokes shadow 19 run, for example, along the dashed in the 8th indicated horizontal spoke shadow 19 ,

Der Auslege-Finger 45 der Korrektur-Untereinheit 48 kann horizontal angetrieben verlagert werden (Doppelpfeil 43) und um die Längsachse des Auslege-Fingers 45 verschwenkt werden (Doppelpfeil 52). Durch das Verschwenken wird die effektive Abschattung der Ansätze 50, 51 geändert, da nur die Projektion der Ansätze 50, 51 senkrecht auf die Kollektor-Ausgangsebene 26 eine Schattenwirkung erzeugt. Hierdurch kann die abschattende Wirkung der Korrektur-Untereinheit 48 fein eingestellt werden.The lay-out finger 45 the correction subunit 48 can be moved horizontally driven (double arrow 43 ) and about the longitudinal axis of the deployment finger 45 be pivoted (double arrow 52 ). By pivoting, the effective shadowing of the approaches 50 . 51 changed, because only the projection of the approaches 50 . 51 perpendicular to the collector output level 26 creates a shadow effect. As a result, the shading effect of the correction subunit 48 be fine adjusted.

Bei der Ausführung nach 8 können beispielsweise genau zwei Korrektur-Untereinheiten 48 vorgesehen sein, die in der Darstellung nach 8 von links und von rechts, also in drei Uhr- und in neun Uhr-Position in die Intensitätsverteilung der EUV-Strahlung 10 hineinragen.In the execution after 8th For example, you can have exactly two correction subunits 48 be provided according to the illustration 8th from the left and from the right, ie at three o'clock and nine o'clock positions in the intensity distribution of the EUV radiation 10 protrude.

9 zeigt eine weitere Ausführung von Korrektur-Untereinheiten 53 eines Korrekturelements in einer zu 6 ähnlichen Darstellung. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 8 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. 9 shows another embodiment of correction subunits 53 a correction element in a too 6 similar representation. Components which correspond to those described above with reference to 1 to 8th have the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

Bei den Korrektur-Untereinheiten 53 handelt es sich um in der Darstellung nach 9 vertikal gespannte Drähte, die horizontal (Doppelpfeil 43) verlagerbar sind. Hierdurch lässt sich wiederum die abschattende Wirkung der Korrektur-Untereinheiten 53 auf die Intensitätsverteilung der EUV-Strahlung 10 in der Kollektor-Ausgangsebene 26 fein beeinflussen. Beim Korrekturelement nach 9 kann auch lediglich eine derartige Korrektur-Untereinheit 53 vorgesehen sein. Es können aber auch wesentlich mehr derartige Korrektur-Untereinheiten 53 vorliegen, zum Beispiel fünf, zehn, zwanzig, fünfundzwanzig oder fünfzig derartige Korrektur-Untereinheiten 53.At the correction subunits 53 it is in the representation after 9 vertically tensioned wires running horizontally (double arrow 43 ) are relocatable. This in turn allows the shading effect of the correction subunits 53 on the intensity distribution of EUV radiation 10 in the collector output level 26 fine influence. At the correction element after 9 can also only such a correction subunit 53 be provided. But it can also significantly more such correction subunits 53 for example, five, ten, twenty, twenty-five, or fifty such correction subunits 53 ,

Bei einer weiteren Ausführung im Zusammenhang mit der Beleuchtungsoptik nach 2 stellt der Spiegel 14 ein dem Korrekturelement 30 entsprechendes Korrekturelement dar. Die Beeinflussung der Intensitätsbeaufschlagung des Feldfacettenspiegels 13 erfolgt, indem der Spiegel 14 als aktiv deformierbarer Spiegel mit gegeneinander verlagerbaren Spiegelabschnitten ausgeführt ist. Durch diese aktive Deformierbarkeit des Spiegels 14 wird erreicht, dass beispielsweise eine Intensitätsbeaufschlagung des Feldfacettenspiegels 13 nach 3 durch relative Verlagerung bzw. Verformung der Intensitäts-Ringstrukturen 18 durch die bündelformende Wirkung des aktiv deformierbaren Spiegels 14 homogenisiert wird. Beispielsweise können Bereiche des Spiegels 14, die von inneren und relativ intensiven Intensitäts-Ringstrukturen 18 beaufschlagt werden, aktiv hin zu einer stärker zerstreuenden Wirkung deformiert werden und/oder die EUV-Strahlung 10 so umlenken, dass diese auch auf Bereiche des Feldfacettenspiegels 13 trifft, die ohne aktive Deformation des Spiegels 14 im Bereich der Speichen-Schatten 19 oder im Bereich zwischen den Intensitäts-Ringstrukturen 18 liegen.In a further embodiment in connection with the illumination optics according to 2 represents the mirror 14 a correction element 30 corresponding correction element. The influencing of the intensity loading of the field facet mirror 13 done by the mirror 14 is designed as an actively deformable mirror with mutually displaceable mirror sections. Due to this active deformability of the mirror 14 is achieved that, for example, an intensity of the Feldfacettenspiegels 13 to 3 by relative Displacement or deformation of the intensity ring structures 18 by the bundle-forming action of the actively deformable mirror 14 is homogenized. For example, areas of the mirror 14 that of inner and relatively intense intensity ring structures 18 are actively deformed towards a more dissipative effect and / or the EUV radiation 10 so divert that they also on areas of the field facet mirror 13 meets, without mirror active deformation 14 in the area of the spokes shadow 19 or in the region between the intensity ring structures 18 lie.

Anstelle eines aktiv deformierbaren Spiegels 14 mit einer einzigen Reflektionsfläche, deren Form über entsprechende Aktuatoren geändert werden kann, kann der Spiegel 14 auch als Multi-Mirror-Array oder als Facettenspiegel ausgeführt sein.Instead of an actively deformable mirror 14 with a single reflection surface whose shape can be changed via corresponding actuators, the mirror 14 also be designed as a multi-mirror array or as a facet mirror.

Auch die vorstehend beschriebenen Korrektur-Untereinheiten 38, 40, 46, 48 können aktiv deformierbare Elemente beinhalten.Also the correction subunits described above 38 . 40 . 46 . 48 can contain actively deformable elements.

Bevorzugt ist das Korrekturelement, also die im Zusammenhang mit den 5 bis 9 beschriebenen Korrekturelemente oder der Spiegel 14, vom Kollektor 11 nicht weiter als 200 mm beabstandet. Dies gewährleistet, dass das Korrekturelement auf die nachfolgende Optik eine abschattende Wirkung hat, die auf die EUV-Strahlung in entsprechender Weise wirkt, wie die vom Kollektor 11 selbst erzeugten Abschattungen.Preferably, the correction element, so in connection with the 5 to 9 described correction elements or the mirror 14 , from the collector 11 not more than 200 mm apart. This ensures that the correction element on the subsequent optics has a shading effect that acts on the EUV radiation in a similar manner as that of the collector 11 self-generated shadows.

Alternativ zur Variante, bei der der Spiegel 14 selbst das Korrekturelement darstellt, kann das Korrekturelement 30 in einer der Ausgestaltungen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 5 bis 9 erläutert wurden, auch benachbart zum Spiegel 14 angeordnet sein, wie dies in der 2 gestrichelt angedeutet ist.Alternatively to the variant, where the mirror 14 itself represents the correction element, the correction element 30 in one of the embodiments described above with reference to the 5 to 9 were explained, also adjacent to the mirror 14 be arranged like this in the 2 indicated by dashed lines.

Zusätzlich zum Korrekturelement 30 kann vor dem Feldfacettenspiegel 13 noch ein weiteres Korrekturelement 54 zur Homogenisierung der Ausleuchtung des Feldfacettenspiegels 13 im Bereich der Feldebene 13a der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. Beispiele für ein derartiges weiteres Korrekturelement 54 sind diskutiert in der WO 2005/015314 A , der US 6,771,352 und der EP 1 291 721 A1 .In addition to the correction element 30 can in front of the field facet mirror 13 yet another correction element 54 for homogenizing the illumination of the field facet mirror 13 in the area of the field level 13a the illumination optics 4 be arranged. Examples of such a further correction element 54 are discussed in the WO 2005/015314 A , of the US 6,771,352 and the EP 1 291 721 A1 ,

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - WO 2004/034146 A2 [0002] WO 2004/034146 A2 [0002]
  • - US 6771352 B2 [0002] - US 6771352 B2 [0002]
  • - EP 1291721 A2 [0002] - EP 1291721 A2 [0002]
  • - WO 2005/015314 A2 [0002, 0031] WO 2005/015314 A2 [0002, 0031]
  • - US 2007/0132977 A1 [0002] US 2007/0132977 A1 [0002]
  • - US 2003/0043455 A [0031] US 2003/0043455 A [0031]
  • - WO 2005/015314 A [0089] WO 2005/015314 A [0089]
  • - US 6771352 [0089] - US 6771352 [0089]
  • - EP 1291721 A1 [0089] - EP 1291721 A1 [0089]

Claims (24)

Beleuchtungsoptik (4) für die EUV-Mikrolithografie – mit einem Kollektor (11) zur Erfassung von Strahlung (10) einer EUV-Strahlungsquelle (3), – mit einer dem Kollektor (11) nachgeordneten, reflektierenden Facetten-Optik (13, 20) zur Formung der vom Kollektor (11) erfassten Beleuchtungsstrahlung (10) zur Ausleuchtung eines abzubildenden Objekts (6) in einer Objektebene (5), gekennzeichnet durch ein im Lichtweg der Beleuchtungsstrahlung (10) zwischen der Strahlungsquelle (3) und einem Ort (35), an dem eine Einfalls-Beleuchtungsstrahlung (33), die auf ein erstes optisches Element (13) der Facetten-Optik (13, 20) trifft, von einer Ausfalls-Beleuchtungsstrahlung (34), die vom ersten optischen Element (13) der Facetten-Optik (13, 20) reflektiert wird, noch getrennt vorliegt, angeordnetes optisches Korrekturelement (14; 30), dessen Korrekturwirkung über einen Bündelquerschnitt der Beleuchtungsstrahlung (10) räumlich an die strahlungsbeeinflussende Wirkung des Kollektors (11) zur Homogenisierung der Ausleuchtung des ersten optischen Elements (13) der Facetten-Optik (13, 20) angepasst ist.Illumination optics ( 4 ) for EUV microlithography - with a collector ( 11 ) for detecting radiation ( 10 ) an EUV radiation source ( 3 ), - with a collector ( 11 ) downstream, reflective facet optics ( 13 . 20 ) for forming the collector ( 11 ) detected illumination radiation ( 10 ) for illuminating an object to be imaged ( 6 ) in an object plane ( 5 ), characterized by a in the light path of the illumination radiation ( 10 ) between the radiation source ( 3 ) and a place ( 35 ) at which an incident illumination radiation ( 33 ) directed to a first optical element ( 13 ) of the faceted optics ( 13 . 20 ), from a failure illumination radiation ( 34 ) obtained from the first optical element ( 13 ) of the faceted optics ( 13 . 20 ), is still present separately, arranged optical correction element ( 14 ; 30 ), whose correction effect over a bundle cross-section of the illumination radiation ( 10 ) spatially to the radiation-influencing effect of the collector ( 11 ) for homogenizing the illumination of the first optical element ( 13 ) of the faceted optics ( 13 . 20 ) is adjusted. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Korrekturelement (14; 30) außerhalb einer Feldebene (5, 8, 13a) der Beleuchtungsoptik (4) angeordnet ist.Illumination optics according to claim 1, characterized in that the correction element ( 14 ; 30 ) outside a field level ( 5 . 8th . 13a ) of the illumination optics ( 4 ) is arranged. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Korrekturelement (30) an einem Ort (26; 31; 32; 35) im Lichtweg der Beleuchtungsstrahlung (10) angeordnet ist, welcher von der Beleuchtungsstrahlung (10) genau einmal passiert wird.Illumination optics according to claim 1 or 2, characterized in that the correction element ( 30 ) in one place ( 26 ; 31 ; 32 ; 35 ) in the light path of the illumination radiation ( 10 ), which of the illumination radiation ( 10 ) happens exactly once. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Korrekturelement (30) direkt am Kollektor (11) angebracht ist.Illumination optics according to one of claims 1 to 3, characterized in that the correction element ( 30 ) directly at the collector ( 11 ) is attached. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Korrekturelement (14; 30) zwischen dem Kollektor (11) und dem ersten optischen Element (13) der Facetten-Optik (13, 20) angeordnet ist.Illumination optics according to one of claims 1 to 4, characterized in that the correction element ( 14 ; 30 ) between the collector ( 11 ) and the first optical element ( 13 ) of the faceted optics ( 13 . 20 ) is arranged. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Korrekturelement (14; 30) vom Kollektor (11) nicht weiter beabstandet ist als 200 mm.Illumination optics according to one of claims 1 to 5, characterized in that the correction element ( 14 ; 30 ) from the collector ( 11 ) is not further spaced than 200 mm. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Korrekturelement (30) an einem optischen Führungselement (14) zwischen dem Kollektor (11) und dem ersten optischen Element (13) der Facetten-Optik (13, 20) angebracht ist.Illumination optics according to claim 5 or 6, characterized in that the correction element ( 30 ) on an optical guide element ( 14 ) between the collector ( 11 ) and the first optical element ( 13 ) of the faceted optics ( 13 . 20 ) is attached. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Korrekturelement (14) in ein optisches Führungselement (14) zwischen dem Kollektor (11) und dem ersten optischen Element (13) der Facetten-Optik (13, 20) integriert ist.Illumination optics according to claim 5 or 6, characterized in that the correction element ( 14 ) in an optical guide element ( 14 ) between the collector ( 11 ) and the first optical element ( 13 ) of the faceted optics ( 13 . 20 ) is integrated. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Korrekturelement (30) aktiv quer (43; 44) zum Lichtweg der Beleuchtungsstrahlung (10) verlagerbar ist.Illumination optics according to one of claims 1 to 8, characterized in that the correction element ( 30 ) active across ( 43 ; 44 ) to the light path of the illumination radiation ( 10 ) is displaceable. Korrekturelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Korrekturelement (14) aktiv deformierbar ist.Correction element according to one of Claims 1 to 9, characterized in that the correction element ( 14 ) is actively deformable. Beleuchtungsoptik nach einen der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine im Lichtweg der Beleuchtungsstrahlung (10) aktive Fläche (45; 47; 50, 51) des Korrekturelements (30) in ihrer Größe aktiv veränderlich ist.Illumination optics according to one of claims 1 to 10, characterized in that one in the light path of the illumination radiation ( 10 ) active area ( 45 ; 47 ; 50 . 51 ) of the correction element ( 30 ) is actively variable in size. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Korrekturelement (30) mindestens zwei voneinander unabhängig verlagerbare Korrektur-Untereinheiten (38; 40; 46; 48; 53) aufweist.Illumination optics according to one of claims 1 to 11, characterized in that the correction element ( 30 ) at least two mutually independently displaceable correction subunits ( 38 ; 40 ; 46 ; 48 ; 53 ) having. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Korrekturelement (30) zwei Gruppen (36, 37) von Korrektur-Untereinheiten (38) aufweist, die von gegenüberliegenden Seiten in den Lichtweg der Beleuchtungsstrahlung (10) eingebracht werden können.Illumination optics according to claim 12, characterized in that the correction element ( 30 ) two groups ( 36 . 37 ) of correction subunits ( 38 ), which from opposite sides in the light path of the illumination radiation ( 10 ) can be introduced. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrektur-Untereinheiten (38; 40; 46) in zwei zueinander senkrechten Richtungen (43, 44) quer zum Lichtweg der Beleuchtungsstrahlung (10) verlagerbar sind.Illumination optics according to claim 12 or 13, characterized in that the correction subunits ( 38 ; 40 ; 46 ) in two mutually perpendicular directions ( 43 . 44 ) transverse to the light path of the illumination radiation ( 10 ) are relocatable. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrektur-Untereinheiten (38; 40; 46; 48) als quer zum Lichtweg ausgerichtete und mit aktiven Abschnitten (47; 50, 51) in der Beleuchtungsstrahlung (10) angeordnete Ausleger (45) ausgebildet sind.Illumination optics according to one of Claims 12 to 14, characterized in that the correction subunits ( 38 ; 40 ; 46 ; 48 ) aligned transversely to the light path and with active sections ( 47 ; 50 . 51 ) in the illumination radiation ( 10 ) arranged outriggers ( 45 ) are formed. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die aktiven Abschnitte (45) quer zu ihrer Längserstreckung einen nicht rotationssymmetrischen Querschnitt haben.Illumination optics according to claim 15, characterized in that the active sections ( 45 ) have a non-rotationally symmetrical cross-section transverse to their longitudinal extent. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 15 oder 16 dadurch gekennzeichnet, dass die aktiven Abschnitte in Projektion längs des Lichtweges der Beleuchtungsstrahlung (10) Verstärkungsbereiche (47; 49) mit größerer Schattenwirkung für die Beleuchtungsstrahlung (10) haben.Illumination optics according to claim 15 or 16, characterized in that the active sections projected along the light path of the illumination radiation ( 10 ) Amplification areas ( 47 ; 49 ) with greater shadow effect for the illumination radiation ( 10 ) to have. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Verstärkungsbereiche als T- (50) und/oder L-Ansätze (51) an dem mindestens einen Ausleger (45) ausgebildet sind.Illumination optics according to claim 17, since characterized in that the gain regions are designated as T- ( 50 ) and / or L approaches ( 51 ) on the at least one boom ( 45 ) are formed. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrektur-Untereinheiten (53) als quer zum Lichtweg gespannte Drähte ausgeführt sind.Illumination optics according to one of claims 1 to 18, characterized in that the correction subunits ( 53 ) are designed as transverse to the light path stretched wires. Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 19, gekennzeichnet durch ein weiteres Korrekturelement (54) zur Homogenisierung der Ausleuchtung des ersten optischen Elements (13) der Facettenoptik (13, 20) im Bereich einer Feldebene (13a) der Beleuchtungsoptik (4).Illumination optics according to one of Claims 1 to 19, characterized by a further correction element ( 54 ) for homogenizing the illumination of the first optical element ( 13 ) of faceted optics ( 13 . 20 ) in the area of a field level ( 13a ) of the illumination optics ( 4 ). Korrekturelement (14; 30) zum Einsatz in eine Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 20.Correction element ( 14 ; 30 ) for use in an illumination optical system according to one of claims 1 to 20. Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 20 und einer EUV-Strahlungsquelle (3).Projection exposure apparatus with an illumination optical system according to one of Claims 1 to 20 and an EUV radiation source ( 3 ). Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Wafers (9), auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, – Bereitstellen eines Retikels (6), das abzubildende Strukturen aufweist, – Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 22, – Korrigieren der Ausleuchtung des Objektfeldes mit der Beleuchtungsstrahlung (10) mit Hilfe des Korrekturelements (14; 30) nach Anspruch 21, – Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (6) auf einen Bereich der Schicht mithilfe einer Projektionsoptik (7) der Projektionsbelichtungsanlage (1).Method for producing a microstructured component with the following method steps: provision of a wafer ( 9 ), to which at least partially a layer of a photosensitive material is applied, - providing a reticle ( 6 ) having structures to be imaged, - providing a projection exposure apparatus ( 1 ) according to claim 22, - correcting the illumination of the object field with the illumination radiation ( 10 ) with the help of the correction element ( 14 ; 30 ) according to claim 21, - projecting at least a part of the reticle ( 6 ) to a portion of the layer using projection optics ( 7 ) of the projection exposure apparatus ( 1 ). Mikrostrukturiertes Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 23.Microstructured component, made after one Method according to claim 23.
DE102007041004A 2007-08-29 2007-08-29 Illumination lens for use in scanner-type projection illumination system e.g. stepper, for extreme ultraviolet microlithography, has correction element arranged in optical path of ultraviolet radiation between radiation source and location Withdrawn DE102007041004A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007041004A DE102007041004A1 (en) 2007-08-29 2007-08-29 Illumination lens for use in scanner-type projection illumination system e.g. stepper, for extreme ultraviolet microlithography, has correction element arranged in optical path of ultraviolet radiation between radiation source and location

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007041004A DE102007041004A1 (en) 2007-08-29 2007-08-29 Illumination lens for use in scanner-type projection illumination system e.g. stepper, for extreme ultraviolet microlithography, has correction element arranged in optical path of ultraviolet radiation between radiation source and location

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007041004A1 true DE102007041004A1 (en) 2009-03-05

Family

ID=40298944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007041004A Withdrawn DE102007041004A1 (en) 2007-08-29 2007-08-29 Illumination lens for use in scanner-type projection illumination system e.g. stepper, for extreme ultraviolet microlithography, has correction element arranged in optical path of ultraviolet radiation between radiation source and location

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102007041004A1 (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010025222A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Controllable mirror assembly for use as non-contact activatable passive component in optical system for projection exposure apparatus for microlithography, has light source that delivers light beam alignable on actuator element
DE102010039965A1 (en) 2010-08-31 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV collector
DE102011006003A1 (en) 2011-03-24 2012-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for use in extreme UV-projection exposure system to illuminate illuminating field in reticle plane for manufacturing microstructured component, has aperture diaphragm adapting main beam direction relative to field
WO2012126803A1 (en) 2011-03-21 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Array of controllable mirrors
DE102011086565A1 (en) 2011-11-17 2012-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Collector used in projection exposure system, for aligning extreme UV (EUV) radiation of EUV laser plasma source, has sub unit whose passage opening feeds material from plasma source feed device and adapts to scattering of trajectories
WO2012168272A1 (en) 2011-06-08 2012-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Measuring system
DE102012204142A1 (en) 2012-03-16 2013-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Collector for microlithography projection exposure apparatus used during manufacture of micro-or nano-structured component, has movable portion that is moved to adjust spatial extent of radiation in region of intermediate focus
DE102011084266A1 (en) 2011-10-11 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh collector
EP2487543A3 (en) * 2011-02-10 2013-10-30 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination lens for projection lithography
DE102012209132A1 (en) * 2012-05-31 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for projection lithography
CN105074574A (en) * 2013-02-22 2015-11-18 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Illumination system for an EUV lithography device and facet mirror therefor
DE102017212417A1 (en) 2016-12-01 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh collector
DE102018214559A1 (en) 2018-08-28 2019-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical arrangement and EUV lithography device with it

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030043455A1 (en) 2001-01-23 2003-03-06 Wolfgang Singer Collector for an illumination system with a wavelength of less than or equal to 193 nm
EP1291721A1 (en) 2001-09-07 2003-03-12 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004034146A2 (en) 2002-09-30 2004-04-22 Carl Zeiss Smt Ag Lighting system comprising a device for adjusting the light intensity
US6741329B2 (en) * 2001-09-07 2004-05-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6771352B2 (en) 2002-03-18 2004-08-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005015314A2 (en) 2003-07-30 2005-02-17 Carl Zeiss Smt Ag An illumination system for microlithography
US7030958B2 (en) * 2003-12-31 2006-04-18 Asml Netherlands B.V. Optical attenuator device, radiation system and lithographic apparatus therewith and device manufacturing method
US20070115449A1 (en) * 2002-03-18 2007-05-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070132977A1 (en) 2005-02-03 2007-06-14 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical device, exposure device, and exposure method

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030043455A1 (en) 2001-01-23 2003-03-06 Wolfgang Singer Collector for an illumination system with a wavelength of less than or equal to 193 nm
EP1291721A1 (en) 2001-09-07 2003-03-12 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6741329B2 (en) * 2001-09-07 2004-05-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6771352B2 (en) 2002-03-18 2004-08-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070115449A1 (en) * 2002-03-18 2007-05-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2004034146A2 (en) 2002-09-30 2004-04-22 Carl Zeiss Smt Ag Lighting system comprising a device for adjusting the light intensity
WO2005015314A2 (en) 2003-07-30 2005-02-17 Carl Zeiss Smt Ag An illumination system for microlithography
US7030958B2 (en) * 2003-12-31 2006-04-18 Asml Netherlands B.V. Optical attenuator device, radiation system and lithographic apparatus therewith and device manufacturing method
US20070132977A1 (en) 2005-02-03 2007-06-14 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical device, exposure device, and exposure method

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010025222A1 (en) 2010-06-23 2011-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Controllable mirror assembly for use as non-contact activatable passive component in optical system for projection exposure apparatus for microlithography, has light source that delivers light beam alignable on actuator element
DE102010039965A1 (en) 2010-08-31 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV collector
CN102385257A (en) * 2010-08-31 2012-03-21 卡尔蔡司Smt有限责任公司 EUV Collector
US9007559B2 (en) 2010-08-31 2015-04-14 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV collector with cooling device
CN102385257B (en) * 2010-08-31 2014-11-19 卡尔蔡司Smt有限责任公司 EUV Collector
DE102010039965B4 (en) 2010-08-31 2019-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV collector
EP2487543A3 (en) * 2011-02-10 2013-10-30 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination lens for projection lithography
WO2012126803A1 (en) 2011-03-21 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Array of controllable mirrors
DE102011005840A1 (en) 2011-03-21 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh A controllable multi-mirror arrangement, optical system with a controllable multi-mirror arrangement and method for operating a controllable multi-mirror arrangement
DE102011006003A1 (en) 2011-03-24 2012-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for use in extreme UV-projection exposure system to illuminate illuminating field in reticle plane for manufacturing microstructured component, has aperture diaphragm adapting main beam direction relative to field
DE102011077223A1 (en) 2011-06-08 2012-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh measuring system
WO2012168272A1 (en) 2011-06-08 2012-12-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Measuring system
US9482968B2 (en) 2011-06-08 2016-11-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Measuring system
DE102011084266A1 (en) 2011-10-11 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh collector
WO2013053692A1 (en) 2011-10-11 2013-04-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Collector
US9645503B2 (en) 2011-10-11 2017-05-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Collector
DE102011086565A1 (en) 2011-11-17 2012-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Collector used in projection exposure system, for aligning extreme UV (EUV) radiation of EUV laser plasma source, has sub unit whose passage opening feeds material from plasma source feed device and adapts to scattering of trajectories
DE102012204142A1 (en) 2012-03-16 2013-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Collector for microlithography projection exposure apparatus used during manufacture of micro-or nano-structured component, has movable portion that is moved to adjust spatial extent of radiation in region of intermediate focus
WO2013178432A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography
JP2015523720A (en) * 2012-05-31 2015-08-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Illumination optics unit for projection lithography
CN104364715B (en) * 2012-05-31 2017-04-05 卡尔蔡司Smt有限责任公司 For the illumination optics unit of projection lithography
CN104364715A (en) * 2012-05-31 2015-02-18 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Illumination optical unit for projection lithography
US9964856B2 (en) 2012-05-31 2018-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography
DE102012209132A1 (en) * 2012-05-31 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for projection lithography
CN105074574A (en) * 2013-02-22 2015-11-18 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Illumination system for an EUV lithography device and facet mirror therefor
US9551941B2 (en) 2013-02-22 2017-01-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system for an EUV lithography device and facet mirror therefor
DE102017212417A1 (en) 2016-12-01 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh collector
DE102018214559A1 (en) 2018-08-28 2019-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical arrangement and EUV lithography device with it

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007041004A1 (en) Illumination lens for use in scanner-type projection illumination system e.g. stepper, for extreme ultraviolet microlithography, has correction element arranged in optical path of ultraviolet radiation between radiation source and location
DE102011003928B4 (en) Illumination optics for projection lithography
EP2823360B1 (en) Illumination optics for euv projection lithography and optical system having such an illumination optics
DE102008013229B4 (en) Illumination optics for microlithography
EP2100190B1 (en) Projection exposure apparatus for microlithography
DE102008041593A1 (en) Illumination optics for microlithography
DE102013212613B4 (en) Illumination optics for a metrology system and metrology system with such an illumination optics
EP1884831A2 (en) Illumination system for a projection exposure apparatus with wavelengths < 193 nm
WO2011091900A2 (en) Faceted mirror for use in microlithography
DE102012209132A1 (en) Illumination optics for projection lithography
DE102012205886A1 (en) Illumination intensity correction device for specifying an illumination intensity over an illumination field of a lithographic projection exposure apparatus
DE102007061194A1 (en) Illumination system for extreme ultraviolet micro lithograph, has illumination optic for guiding illuminating light of radiation source into object field in object plane
DE102012208016A1 (en) Illumination lens for lighting system of scanner to manufacture e.g. memory chips, has optical component for guiding light to field, where lens is formed such that beam tufts are overlaid for coinciding edges of beam tufts in sections
DE102013219057A1 (en) Facet mirror for a projection exposure machine
DE102012207866A1 (en) Assembly for a projection exposure machine for EUV projection lithography
DE102012213515A1 (en) Method for operating a microlithographic projection exposure apparatus
DE102018214223A1 (en) Pupil facet mirror
WO2021028132A1 (en) Optical illumination system for guiding euv radiation
DE102009045491A1 (en) Illumination lens for illumination of object field of projection lens of illumination system for extreme UV-projection microlithography during manufacturing e.g. nano structured component, has aperture shading distribution of facets
DE102010002822A1 (en) Lighting system for use in microlithography projection exposure system for lighting reticle in object field for manufacturing semiconductor components by extreme UV lithography process, has selection device provided with selection mirror
DE102011076436B4 (en) Illumination optics for projection lithography
DE102014203348A1 (en) Bundle distribution optics, illumination optics with such a bundle distribution optics, optical system with such illumination optics and projection exposure system with such an optical system
DE102012213937A1 (en) Mirror exchange array of set structure for illumination optics used in e.g. scanner for performing microlithography, has single mirrors of mirror exchange array unit that are set with high reflecting coating portion
DE102020200615A1 (en) Measurement illumination optics for guiding illumination light into an object field of a projection exposure system for EUV lithography
WO2020221763A1 (en) Measuring illumination optical unit for guiding illumination light into an object field of a projection exposure system for euv lithography

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8130 Withdrawal