DE102009037964A1 - Photovoltaic module for use with solar cell, has substrate with semiconductor layer, which is formed between two contact layers - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft Photovoltaikmodule mit wenigstens einer Solarzelle bestehend aus einem Substrat mit wenigstens einer Halbleiterschicht zwischen zwei Kontaktschichten, Verfahren zur Strukturierung einer Solarzelle bestehend aus einem Substrat mit wenigstens einer Halbleiterschicht zwischen zwei Kontaktschichten für Photovoltaikmodule und Verwendungen eines Photovoltaikmoduls mit wenigstens einer Solarzelle bestehend aus einem Substrat mit wenigstens einer Halbleiterschicht zwischen zwei Kontaktschichten.The invention relates to photovoltaic modules with at least one solar cell consisting of a substrate having at least one semiconductor layer between two contact layers, a method of structuring a solar cell consisting of a substrate having at least one semiconductor layer between two contact layers for photovoltaic modules and uses a photovoltaic module with at least one solar cell consisting of a substrate with at least one semiconductor layer between two contact layers.
Durch die Druckschrift
Die Druckschrift
Bei diesen Druckschriften werden durch den Einsatz der Laserstrahlen die jeweiligen Schichten geschnitten und Bereiche voneinander getrennt. Die Bereiche an sich werden nicht strukturiert.In these documents, the use of the laser beams, the respective layers are cut and areas separated from each other. The areas themselves are not structured.
Der in den Patentansprüchen 1, 7 und 11 angegebenen Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Photovoltaikmodule mit wenigstens einer strukturierten Solarzelle einfach zur Verfügung zu stellen.The invention specified in the claims 1, 7 and 11 has the object to provide photovoltaic modules with at least one structured solar cell easily available.
Diese Aufgabe wird mit den in den Patentansprüchen 1, 7 und 11 aufgeführten Merkmalen gelöst.This object is achieved with the features listed in the patent claims 1, 7 and 11.
Die Photovoltaikmodule mit wenigstens einer Solarzelle bestehend aus einem Substrat mit wenigstens einer Halbleiterschicht zwischen zwei Kontaktschichten zeichnen sich insbesondere dadurch aus, dass diese einfach und ökonomisch günstig realisierbar sind.The photovoltaic modules with at least one solar cell consisting of a substrate with at least one semiconductor layer between two contact layers are characterized in particular by the fact that they are simple and economically feasible.
Dazu ist das eine durch Ätzen strukturierte äußere Kontaktschicht und damit eine strukturierte Solarzelle.For this purpose, this is an outer contact layer structured by etching and thus a structured solar cell.
Eine Solarzelle ist eine großflächige Ausführungsform eines Photoelements, wobei die die einfallende Strahlungsleistung des Sonnenlichts direkt in elektrische Leistung umgewandelt wird. Die Solarzelle besteht dabei bekannterweise aus einem kontaktierten Halbleiterwerkstoff, wobei durch einen p-n-Übergang ein internes elektrisches Feld erzeugt wird. Das dabei gewünschte Profil wird durch eine gezielte Dotierung erreicht, wobei der Übergang zur effektiven Nutzung des Lichts möglichst nahe an der Oberfläche liegen sollte. Die dicke Schicht als Übergangszone stellt dabei eine Raumladungszone dar. Einfallende Photonen erzeugen Elektronen-Loch-Paare. Die Elektronen und die Löcher werden jeweils in Richtung der Kontakte beschleunigt.A solar cell is a large-scale embodiment of a photoelement, wherein the incident radiation power of the sunlight is converted directly into electrical power. The solar cell is known to consist of a contacted semiconductor material, wherein an internal electric field is generated by a p-n junction. The desired profile is achieved by a targeted doping, wherein the transition to the effective use of light should be as close to the surface. The thick layer as a transition zone represents a space charge zone. Incident photons generate electron-hole pairs. The electrons and the holes are each accelerated in the direction of the contacts.
Der damit vorhandene Photostrom ist über die Kontaktschichten nutzbar.The existing photocurrent can be used via the contact layers.
Die äußere Kontaktschicht ist strukturierbar. Dazu wird auf die äußere Kontaktschicht ein gegen ein Ätzmittel beständiger Lack entsprechend der Struktur aufgebracht, die äußere Kontaktschicht geätzt, so dass die vom Lack bedeckten Anteile erhalten bleiben, und der Lack entfernt wird.The outer contact layer is structurable. For this purpose, a paint resistant to an etchant is applied to the outer contact layer according to the structure, the outer contact layer is etched, so that the parts covered by the paint are retained, and the paint is removed.
Das Photovoltaikmodul mit einer durch Ätzen strukturierten äußeren Kontaktschicht kann damit vorteilhafterweise sowohl als elektrische Energiequelle als auch als architektonisches Gestaltungselement an Gebäuden verwendet werden. Dadurch sind neben der elektrischen Energieerzeugung die vielfältigsten ästhetischen Wirkungen erzielbar. Das Solarmodul wird selbst zum Gestaltungselement. Damit kann dieses auch an Hauswänden eingesetzt werden, so dass dieses gleichzeitig als Sonnenschutz einsetzbar ist.The photovoltaic module with an outer contact layer structured by etching can thus be used advantageously both as an electrical energy source and as an architectural design element on buildings. As a result, the most diverse aesthetic effects can be achieved in addition to the production of electrical energy. The solar module itself becomes a design element. This can also be used on house walls, so that this can also be used as a sunscreen.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Patentansprüchen 2 bis 6, 8 bis 10 und 12 angegeben.Advantageous embodiments of the invention are specified in the claims 2 to 6, 8 to 10 and 12.
Die nicht freigelegten Bereiche der äußeren Kontaktschicht sind nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 2 eine in sich verbundene elektrisch leitende Kontaktschicht. Die Kontaktschicht stellt damit einen Kontakt der Solarzelle dar. Der aus dem Photostrom entstandene elektrische Strom ist über diesen einen Kontakt sicher abführbar.The unexposed areas of the outer contact layer are according to the embodiment of claim 2, an interconnected electrically conductive contact layer. The contact layer thus represents a contact of the solar cell. The electrical current resulting from the photocurrent can be reliably dissipated via this one contact.
Nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 3 ist das eine an wenigstens einer frei gelegten Stelle der äußeren Kontaktschicht durch Ätzen strukturierte Halbleiterschicht.According to the embodiment of claim 3, the one on at least one exposed point of the outer contact layer by etching patterned semiconductor layer.
Dazu wird nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 8 auf die strukturierte Kontaktschicht und die frei gelegte Halbleiterschicht ein gegen ein Ätzmittel beständiger Lack entsprechend der Struktur wenigstens eines frei gelegten Bereichs der Halbleiterschicht aufgebracht, die nicht vom Lack bedeckte frei gelegte Halbleiterschicht geätzt und der Lack entfernt. Das Aufbringen des Lacks kann natürlich auch partiell nur auf die Bereiche der frei gelegten Halbleiterschicht erfolgen, wobei die Kontaktschicht resistent gegenüber dem Ätzmittel für die Halbleiterschicht ist.For this purpose, according to the embodiment of claim 8, applied to the structured contact layer and the exposed semiconductor layer, a resist resistant to an etchant according to the structure of at least one exposed portion of the semiconductor layer, etched exposed semiconductor layer not covered by the paint and removes the paint. Of course, the application of the lacquer can also take place partially only on the areas of the exposed semiconductor layer, wherein the contact layer is resistant to the etchant for the semiconductor layer.
Das damit realisierte Photovoltaikmodul mit einer durch Ätzen strukturierten äußeren Kontaktschicht und einer durch Ätzen frei gelegter Bereiche der Halbleiterschicht wird nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 12 vorteilhafterweise sowohl als elektrische Energiequelle als auch als architektonisches Gestaltungselement an Gebäuden verwendet.The thus realized photovoltaic module with an etched structured by etching outer contact layer and an exposed by etching areas of the semiconductor layer is used according to the embodiment of claim 12 advantageously both as an electrical energy source and as an architectural design element on buildings.
Neben der Kontaktschicht ist damit auch die Halbleiterschicht strukturiert. Dadurch sind die vielfältigsten Gestaltungsmöglichkeiten und Effekte realisierbar.In addition to the contact layer so that the semiconductor layer is structured. As a result, the most diverse design options and effects can be realized.
Zum Ätzen der Kontaktschicht oder der Kontaktschicht und der Halbleiterschicht ist nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 4 ein gegen das jeweilige Ätzmittel beständiger Lack aufgebracht. Damit wird sichergestellt, dass nur die gewünschten Bereiche der Kontaktschicht oder der Kontakt- und der Halbleiterschicht frei gelegt sind.For etching the contact layer or the contact layer and the semiconductor layer, a resist resistant to the respective etchant lacquer is applied according to the embodiment of claim 4. This ensures that only the desired areas of the contact layer or the contact and the semiconductor layer are exposed.
Der Lack ist nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 9 ein lichtempfindlicher Fotolack, wobei die belichteten oder die unbelichteten Anteile in einer Entwicklerlösung löslich sind und entfernt werden. Der Fotolack ist dabei beispielsweise ein bekannter Flüssigresist, der durch Sprühen, Vorhanggießen, Roller Coating oder Tauchen aufgebracht wird. Darüber hinaus können auch der Inkjetdruck oder sogenannte Transferverfahren zum Aufbringen des Lacks verwendet werden.The paint is according to the embodiment of claim 9, a photosensitive photoresist, wherein the exposed or unexposed portions are soluble in a developer solution and are removed. The photoresist is, for example, a known liquid resist which is applied by spraying, curtain coating, roller coating or dipping. In addition, the inkjet printing or so-called transfer method for applying the paint can be used.
Letztere eignen sich auch zum Aufbringen von Festresist, wobei das Transferfolienverfahren angewandt werden kann.The latter are also suitable for the application of solid resist, wherein the transfer film method can be applied.
Der Lack kann weiterhin eine Lösemittelbasis oder Wasserbasis besitzen.The paint may further have a solvent base or water base.
Nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 10 wird der Lack aufgedruckt. Dazu wird vorteilhafterweise das bekannte Siebdruck- oder Inkjetverfahren eingesetzt.After the embodiment of claim 10, the paint is printed. For this purpose, the known screen printing or inkjet method is advantageously used.
Dabei können neben thermisch aushärtbaren auch UV-aushärtbare Lacke eingesetzt werden, so dass sich die Technologie leicht in das Herstellungsverfahren der Solarzellen integrieren lässt. UV-aushärtbare Lacke verringern die Realisierungszeiten.In addition to thermally curable and UV-curable coatings can be used, so that the technology can be easily integrated into the manufacturing process of solar cells. UV-curable coatings reduce the realization times.
Das Ätzmittel zum Ätzen der Kontaktschicht ist nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 5 günstigerweise eine saure Kupfer(II)Chlorid-Lösung.The etchant for etching the contact layer is according to the embodiment of claim 5 conveniently an acidic copper (II) chloride solution.
Günstigerweise ist das Ätzmittel zum Ätzen der Halbleiterschicht und/oder der Kontaktschicht nach der Weiterbildung des Patentanspruchs 6 ein Gemisch aus Salpetersäure, Flusssäure und Essigsäure.Conveniently, the etchant for etching the semiconductor layer and / or the contact layer according to the embodiment of claim 6, a mixture of nitric acid, hydrofluoric acid and acetic acid.
Mit diesem Gemisch ist vorteilhafterweise auch ein einstufiger Ätzschritt möglich.With this mixture, advantageously, a single-stage etching step is possible.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im Folgenden näher beschrieben.An embodiment of the invention will be described in more detail below.
Im nachfolgendem Ausführungsbeispiel werden ein Photovoltaikmodul mit wenigstens einer Solarzelle und ein Verfahren zur Strukturierung einer Solarzelle für Photovoltaikmodule zusammen näher erläutert.In the following exemplary embodiment, a photovoltaic module having at least one solar cell and a method for structuring a solar cell for photovoltaic modules are explained together in more detail.
Ein Photovoltaikmodul besitzt wenigstens eine Solarzelle. Diese besteht Bekannterweise im Wesentlichen aus einem Substrat mit wenigstens einer Halbleiterschicht zwischen zwei Kontaktschichten.A photovoltaic module has at least one solar cell. As is known, this essentially consists of a substrate with at least one semiconductor layer between two contact layers.
Das Substrat besteht aus Glas und die Schichten sind als Dünnschichten ausgeführt. Die Halbleiterschicht weist einen p-n-Übergang auf, so dass bei Auftreffen von Lichtstrahlen einen Photostrom über die Kontaktschichten abnehmbar ist.The substrate is made of glass and the layers are made as thin films. The semiconductor layer has a p-n junction, so that a photocurrent can be removed via the contact layers when light beams strike.
Die äußere und damit die dem Substrat gegenüberliegende Kontaktschicht besitzt eine durch Ätzen erzeugte Struktur, so dass das eine strukturierte Solarzelle ist.The outer and thus the substrate layer opposite contact layer has a structure produced by etching, so that is a structured solar cell.
Dazu wird auf die äußere Kontaktschicht ein gegen ein Ätzmittel beständiger Lack entsprechend der zu erzeugenden Struktur aufgebracht.For this purpose, a resist resistant to an etchant coating according to the structure to be produced is applied to the outer contact layer.
Der Lack ist entweder ein lichtempfindlicher Fotolack, wobei die belichteten oder die unbelichteten Anteile in einer Entwicklerlösung löslich sind und entfernt werden, oder ein aufgedruckter Lack.The varnish is either a photosensitive photoresist, the exposed or unexposed portions being soluble in a developing solution and being removed, or a printed varnish.
Zum Aufbringen eines flüssigen Fotolacks werden bekannte Technologien wie Sprühen, Vorhanggießen, Roller Coating oder Tauchen angewandt. Ein Trockenresist als Fotolack wird gedruckt.For applying a liquid photoresist, known technologies such as spraying, curtain coating, roller coating or dipping are used. A dry resist as a photoresist is printed.
Zum Drucken eines Lacks wird insbesondere das bekannte Siebdruckverfahren verwandt.For printing a varnish in particular the known screen printing process is used.
Die äußere Kontaktschicht wird anschließend geätzt, so dass die vom Lack bedeckten Anteile erhalten bleiben. Dazu wird beispielsweise eine saure Kupfer(II)Chlorid-Lösung als Ätzmittel verwendet.The outer contact layer is subsequently etched so that the parts covered by the paint are preserved. For this purpose, for example, an acidic copper (II) chloride solution is used as the etchant.
Zum Abschluss wird der Lack auf nicht den geätzten Teilen entfernt.Finally, the paint is removed on not the etched parts.
Damit ist eine strukturierte Solarzelle realisiert, die einzeln oder in Verbindung mit weiteren Solarzellen das Solarmodul bilden. Die Strukturen können dabei die vielfältigsten geometrischen Darstellungen beinhalten. Die Anteile der Struktur der Kontaktschicht sollten miteinander verbunden sein, so dass eine Elektrode realisiert ist. Das so ausgestaltete Solarmodul kann einzeln oder in Verbindung mit weiteren Solarmodulen neben der Stromerzeugung zur architektonischen Gestaltung an oder von Gebäuden genutzt werden. Insbesondere können damit Wände dekorativ versehen werden. Dabei können diese Solarmodule gleichzeitig vorteilhafterweise neben der Stromerzeugung dem Sonnenschutz dienen.Thus, a structured solar cell is realized, which form the solar module individually or in conjunction with other solar cells. The structures can contain the most diverse geometrical representations. The portions of the structure of the contact layer should be connected to each other, so that an electrode is realized. The solar module designed in this way can be used individually or in conjunction with other solar modules in addition to power generation for architectural design on or from buildings. In particular, walls can be provided decorative. At the same time, these solar modules can advantageously serve for solar protection in addition to power generation.
In einer Ausführungsform der Solarzelle ist auch ein Anteil der Halbleiterschicht strukturiert. Dieser Anteil befindet sich im Bereich der frei gelegten Stelle der äußeren Kontaktschicht.In one embodiment of the solar cell, a portion of the semiconductor layer is also structured. This proportion is in the region of the exposed position of the outer contact layer.
Dazu wird auf die strukturierte Kontaktschicht und der frei gelegten Halbleiterschicht ein gegen ein Ätzmittel beständiger Lack entsprechend der Struktur der Halbleiterschicht aufgebracht.For this purpose, a resist resistant to an etchant is applied to the structured contact layer and the exposed semiconductor layer in accordance with the structure of the semiconductor layer.
Der Lack ist dabei entsprechend dem Ausführungsbeispiel ein lichtempfindlicher Fotolack oder ein aufgedruckter Lack. Im Falle des Fotolacks sind die belichteten oder die unbelichteten Anteile in einer Entwicklerlösung löslich, so dass diese entfernbar sind.The paint is according to the embodiment, a photosensitive photoresist or a printed paint. In the case of the photoresist, the exposed or unexposed portions are soluble in a developing solution so that they are removable.
Die nicht vom Lack bedeckte frei gelegte Halbleiterschicht wird geätzt, so dass eine strukturierte Halbleiterschicht vorhanden ist. Zum Ätzen der Halbleiterschicht wird vorteilhafterweise ein Gemisch aus Salpetersäure, Flusssäure und Essigsäure als Ätzmittel verwendet.The exposed semiconductor layer not covered by the resist is etched, so that a patterned semiconductor layer is present. For etching the semiconductor layer, a mixture of nitric acid, hydrofluoric acid and acetic acid is advantageously used as etchant.
Abschließend wird der Lack entfernt.Finally, the paint is removed.
Damit ist sowohl die Kontaktschicht als auch die Halbleiterschicht strukturiert.Thus, both the contact layer and the semiconductor layer is structured.
Dadurch ergeben sich weitere positive Gestaltungsmöglichkeiten der Solarzelle und damit dem Solarmodul.This results in further positive design options of the solar cell and thus the solar module.
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5131954A (en) * | 1990-10-15 | 1992-07-21 | United Solar Systems Corporation | Monolithic solar cell array and method for its manufacturing |
| DE4420434A1 (en) | 1994-06-10 | 1995-12-14 | Siemens Ag | Solar modulus prodn. for converting solar light to electricity |
| DE10326505A1 (en) * | 2003-06-10 | 2005-01-13 | Solarion Gmbh | Process for removing material in the structuring of a thin layer semiconductor component used for photovoltaic cells comprises directing laser beam having selected pulse duration and wavelength on the layer side of the component |
| WO2008102172A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | David John Ruchat | Photovoltaic device and manufacturing method therefor |
| DE102007034644A1 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Thüringisches Institut für Textil- und Kunststoff-Forschung e.V. | Method and device for laser structuring of solar cells |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5131954A (en) * | 1990-10-15 | 1992-07-21 | United Solar Systems Corporation | Monolithic solar cell array and method for its manufacturing |
| DE4420434A1 (en) | 1994-06-10 | 1995-12-14 | Siemens Ag | Solar modulus prodn. for converting solar light to electricity |
| DE10326505A1 (en) * | 2003-06-10 | 2005-01-13 | Solarion Gmbh | Process for removing material in the structuring of a thin layer semiconductor component used for photovoltaic cells comprises directing laser beam having selected pulse duration and wavelength on the layer side of the component |
| WO2008102172A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | David John Ruchat | Photovoltaic device and manufacturing method therefor |
| DE102007034644A1 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Thüringisches Institut für Textil- und Kunststoff-Forschung e.V. | Method and device for laser structuring of solar cells |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Georgiadou, M., Alkire, R.: Modelling of Copper Etching in Aerated Chloride Solutions. In: Journal of Applied Electrochemistry. 1998, Vol. 28, S. 127-134 * |
| Vossen, J.L., Kern, W.: Thin Film Processes. Academic Press, 1978, S. 447 ISBN: 0-12-728250-5 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102009037964A8 (en) | 2011-06-01 |
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