DE102012101717A1 - Method and device for controlling the surface temperature of a susceptor of a substrate coating device - Google Patents

Method and device for controlling the surface temperature of a susceptor of a substrate coating device Download PDF

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Markus Lünenbürger
Gerd Strauch
Bernd Schineller
Karl-Heinz Büchel
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Behandeln mindestens eines Substrates (105, 106, 107) in einer Prozesskammer (101) eines Reaktorgehäuses, wobei das Substrat (105, 106, 107) auf einem mit Heizelementen (109, 110, 111) beheizbaren Suszeptor (108) aufgelegt wird, wobei mit den Heizelementen (109, 110, 111) räumlich zugeordnete Zonen des Suszeptors (108) beheizt werden, denen jeweils Oberflächenzonen (112, 113, 114) der zur Prozesskammer (101) weisenden Seite des Suszeptors (108) zugeordnet sind, wobei an Messpunkten mittels optischer Messsensoren (1 bis 35) Temperaturen der Oberflächenzonen (112, 113, 114) gemessen werden, und die mit den Sensoren (1 bis 35) ermittelten Messwerte einer Regeleinrichtung (115, 116, 117) zugeführt werden, mit der die Heizleistung der Heizelemente (109, 110, 111) geregelt wird. Zur Optimierung der Temperaturregelung wird vorgeschlagen, dass abhängig von ein oder mehreren ausgewählten Betriebsparametern (P) aus: den Solltemperaturen der Oberflächenzonen (112, 113, 114), dem Totalgasdruck in der Prozesskammer (101), der chemischen Zusammensetzung der Gasphase in der Prozesskammer (101), dem Material des Suszeptors (108), der Art des Substrates (105, 106, 107), der Bestückung des Suszeptors (108) mit Substraten (105, 106, 107) und/oder dem Alterungszustand des Suszeptors (108) eine den jeweils ausgewählten ein oder mehreren Betriebsparametern (P) zugeordnete Kombination von Messwerten zur Regelung verwendet wird.The invention relates to a method for treating at least one substrate (105, 106, 107) in a process chamber (101) of a reactor housing, wherein the substrate (105, 106, 107) can be heated on a susceptor (29, 110, 111) that can be heated. 108), with the heating elements (109, 110, 111) spatially associated zones of the susceptor (108) are heated, each of which surface zones (112, 113, 114) of the process chamber (101) facing side of the susceptor (108) Temperatures of the surface zones (112, 113, 114) are measured at measuring points by means of optical measuring sensors (1 to 35), and the measured values determined with the sensors (1 to 35) are fed to a control device (115, 116, 117) , with which the heating power of the heating elements (109, 110, 111) is regulated. For optimizing the temperature control, it is proposed that, depending on one or more selected operating parameters (P), the setpoint temperatures of the surface zones (112, 113, 114), the total gas pressure in the process chamber (101), the chemical composition of the gas phase in the process chamber ( 101), the material of the susceptor (108), the type of substrate (105, 106, 107), the mounting of the susceptor (108) with substrates (105, 106, 107) and / or the aging state of the susceptor (108) the respectively selected one or more operating parameters (P) associated combination of measured values is used for control.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Behandeln mindestens eines Substrates in einer Prozesskammer eines Reaktorgehäuses, wobei das ein oder mehrere Substrat auf einem von unten mit Heizelementen beheizbaren Suszeptor aufgelegt wird, wobei mit den Heizelementen räumlich zugeordnete Zonen des Suszeptors beheizt werden, denen jeweils Oberflächenzonen der zur Prozesskammer weisenden Seite des Suszeptors zugeordnet sind, wobei an einer Mehrzahl von Messpunkten mittels optischer Messsensoren Temperaturen der Oberflächenzonen oder des dort angeordneten mindestens einen Substrates gemessen werden, und die mit den Sensoren ermittelten Messwerte einer Regeleinrichtung zugeführt werden, mit der die Heizleistung der Heizelemente geregelt wird.The invention relates to a method for treating at least one substrate in a process chamber of a reactor housing, wherein the one or more substrate is placed on a susceptor heated from below with heating elements, wherein spatially associated with the heating elements zones of the susceptor are heated, each of which surface zones of the Temperatures of the surface zones or of the at least one substrate arranged there are measured at a plurality of measuring points by means of optical measuring sensors, and the measured values determined with the sensors are fed to a control device with which the heating power of the heating elements is regulated ,

Die Erfindung betrifft darüber hinaus eine Vorrichtung zum Behandeln mindestens eines Substrates mit einem Reaktorgehäuse und einer darin angeordneten Prozesskammer, die einen Suszeptor aufweist, zur Aufnahme des mindestens einen Substrates, einer Mehrzahl unterhalb des Suszeptors angeordneten Heizelementen und einer Mehrzahl von Temperatursensoren, die jeweils an einem Messpunkt einen Temperaturmesswert der Oberfläche des Suszeptors oder eines dort angeordneten Substrates liefern, mit einer Regeleinrichtung, der die Messwerte zugeführt werden und die mit den an dem jeweiligen Heizelement funktionell zugeordneten Messpunkten gemessenen Messwerten die Heizelemente regelt.The invention further relates to an apparatus for treating at least one substrate having a reactor housing and a process chamber arranged therein, which has a susceptor, for receiving the at least one substrate, a plurality of heating elements arranged below the susceptor and a plurality of temperature sensors, each at one Measuring point to provide a temperature reading of the surface of the susceptor or a substrate arranged there, with a control device to which the measured values are supplied and which controls the heating elements measured with the measurement points functionally associated with the respective heating element.

Die DE 10 2004 007 984 A1 beschreibt einen CVD-Reaktor mit einer in einem Reaktorgehäuse angeordneten Prozesskammer. Der Boden der Prozesskammer wird von einem Suszeptor gebildet, der die zu behandelnden, insbesondere zu beschichtenden Substrate trägt. Die Prozesskammerdecke wird von einem Gaseinlassorgan ausgebildet, welches Einlassöffnungen aufweist, durch die die Prozessgase in die Prozesskammer eintreten können. Unterhalb des Suszeptors ist eine Heizung angeordnet, um den Suszeptor auf die Behandlungstemperatur aufzuheizen. Die Oberflächentemperatur des Suszeptors wird mit Hilfe einer Vielzahl von Temperaturmesssensoren gemessen.The DE 10 2004 007 984 A1 describes a CVD reactor with a process chamber arranged in a reactor housing. The bottom of the process chamber is formed by a susceptor which carries the substrates to be treated, in particular to be coated. The process chamber ceiling is formed by a gas inlet member having inlet openings through which the process gases can enter the process chamber. Below the susceptor, a heater is arranged to heat the susceptor to the treatment temperature. The surface temperature of the susceptor is measured by means of a plurality of temperature measuring sensors.

Die US 6,492,625 B1 beschreibt eine Vorrichtung zur thermischen Behandlung, insbesondere zur Beschichtung von auf einem Suszeptor aufliegenden Substraten, wobei der Suszeptor von unten her aufgeheizt wird. Unterhalb des Suszeptors befinden sich mehrere Heizelemente, die individuell geregelt werden können. Jeder Heizeinrichtung ist ein Regler zugeordnet, der Ist-Werte der Oberflächentemperatur des Suszeptors erhält. Die Ist-Werte werden mit optischen Messsensoren ermittelt. Jeder Heizzone sind funktionell mehrere Messsensoren zugeordnet.The US Pat. No. 6,492,625 B1 describes a device for thermal treatment, in particular for coating substrates resting on a susceptor, wherein the susceptor is heated from below. Below the susceptor are several heating elements that can be controlled individually. Each heater is assigned a controller that receives actual values of the surface temperature of the susceptor. The actual values are determined with optical measuring sensors. Each heating zone is functionally assigned to several measuring sensors.

Aus der EP 1 481 117 B1 geht hervor, dass der Temperaturverlauf auf der zur Prozesskammer weisenden Oberfläche des Suszeptors, auf dem die Substrate liegen, für die Qualität der auf den Substraten abgeschiedenen Schichten von großer Bedeutung ist. Es ist insbesondere gewünscht, das laterale Temperaturprofil derart zu beeinflussen, dass der laterale Temperaturgradient möglichst gering ist. Die Temperatur auf der Suszeptoroberfläche soll möglichst an allen Orten auf dem Suszeptor denselben Wert besitzen.From the EP 1 481 117 B1 It can be seen that the temperature profile on the surface of the susceptor facing the process chamber on which the substrates lie is of great importance for the quality of the layers deposited on the substrates. In particular, it is desired to influence the lateral temperature profile in such a way that the lateral temperature gradient is as low as possible. The temperature on the susceptor surface should preferably have the same value at all locations on the susceptor.

Die DE 10 2007 023 970 A1 beschreibt einen Suszeptor mit einer Vielzahl hexagonal angeordneter Taschen zur Aufnahme jeweils eines Substrates. Üblicherweise besitzen die Substratoberflächen bzw. die auf den Substratoberflächen abgeschiedenen Schichten andere optische Eigenschaften, wie Absorptionsgrad oder Emissionsgrad, als die Oberfläche des sie umgebenden Suszeptors. Bei einem Beschichtungsprozess müssen nicht alle zur Verfügung stehenden Aufnahmetaschen für die Substrate mit Substraten bestückt sein. Es ist auch zu berücksichtigen, dass nur eine Auswahl der zur Verfügung stehenden Aufnahmetaschen mit zu behandelnden Substraten bestückt ist.The DE 10 2007 023 970 A1 describes a susceptor having a plurality of hexagonally arranged pockets for receiving a respective substrate. Usually, the substrate surfaces or the layers deposited on the substrate surfaces have different optical properties, such as the degree of absorption or emissivity, than the surface of the surrounding susceptor. In a coating process, not all available receiving pockets for the substrates need to be equipped with substrates. It is also to be considered that only a selection of the available receiving pockets is equipped with substrates to be treated.

Das Temperaturprofil des Suszeptors hängt nicht nur mit dem Bestückungsgrad des Suszeptors mit Substraten, sondern auch von anderen Prozessparametern wie Totalgasdruck in der Prozesskammer, die chemische Zusammensetzung der Gase, die zur Behandlung der Substrate in die Prozesskammer eingeleitet werden, dem Material des Suszeptors, der Art des Substrates und dem Alterungszustand des Suszeptors, insbesondere dessen Beschichtung, ab.The temperature profile of the susceptor depends not only on the degree of loading of the susceptor with substrates, but also on other process parameters such as total gas pressure in the process chamber, the chemical composition of the gases that are introduced into the process chamber for treating the substrates, the material of the susceptor, the type of the substrate and the aging state of the susceptor, in particular its coating, from.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das gattungsgemäße Verfahren bzw. die gattungsgemäße Vorrichtung hinsichtlich der Temperaturregelung weiter zu optimieren.The invention has for its object to further optimize the generic method and the generic device in terms of temperature control.

Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung.The object is achieved by the invention specified in the claims.

Zunächst und im Wesentlichen ist vorgesehen, dass die Regelung mit variierenden Kombinationen von Messwerten erfolgt. Während beim Stand der Technik jede Regeleinrichtung funktionell fest mit ihnen zugeordneten Ist-Wertgebern in Form von Temperatursensoren verbunden ist, verfolgt die Erfindung das Konzept, diese funktionelle Verknüpfung variabel zu gestalten. Es brauchen jeweils nicht alle zur Verfügung stehenden Messwerte bzw. Temperaturmesssensoren für die Regelung verwendet zu werden, sondern nur eine individuelle Auswahl davon. Bei der Auswahl handelt es sich um eine Kombination von Messwerten, die von den Betriebsparametern abhängt. Zu den Betriebsparametern, die die Qualität der Kombination beeinflussen, gehören die Soll-Temperaturen der Oberflächenzonen, der Totalgasdruck in der Prozesskammer, die chemische Zusammensetzung der Gasphase in der Prozesskammer, das Material des Suszeptors, die Art der zu beschichtenden Substrate, die Bestückung des Suszeptors mit den Substraten und/oder der Alterungszustand des Suszeptors. Die zur Durchführung des Verfahrens verwendete Vorrichtung besitzt einen Suszeptor, der bevorzugt die Form einer Kreisscheibe aufweist und der um seine Symmetrieachse drehangetrieben werden kann. Das oberhalb des Suszeptors angeordnete Gaseinlassorgan kann die Form eines Duschkopfes aufweisen. Wie aus dem Stand der Technik bekannt, können die Öffnungen des Duschkopfes als optischer Kanal genutzt werden, durch den die oberhalb der Öffnungen angeordneten Temperaturmesssensoren optische (pyrometrische) Informationen über die Oberfläche des Suszeptors erhalten. Es ist eine Vielzahl von radial angeordneten Sensoren vorgesehen, wobei die einzelnen Temperatursensoren einen gleichen Abstand voneinander aufweisen können. Jeder Temperatursensor ermittelt optisch/pyrometrisch die Oberflächentemperatur des Suszeptors an einer unter ihm angeordneten Stelle. Diese Messpunkte wandern beim Drehen des Suszeptors auf kreisförmigen Bahnen über den Suszeptor und überstreichen dabei auch die Substratoberflächen. In das Gaseinlassorgan wird in bekannter Weise eine Gasmischung eingespeist. Das Gaseinlassorgan kann mehrere Kammern beinhalten, so dass verschiedenartige Gasmischungen getrennt voneinander in die Prozesskammer eingeleitet werden. Bei einem Beschichtungsverfahren, bspw. bei einem MOCVD-Verfahren werden metallorganische Verbindungen der II. oder III. Hauptgruppe in die Prozesskammer eingeleitet. Eine Komponente der V. oder VI. Hauptgruppe wird in Form eines Hydrides in die Prozesskammer eingeleitet. Die Prozessgase zerlegen sich pyrolytisch derart, dass auf den Substraten Schichten abgeschieden werden. Die Schichten hängen im Wesentlichen von der Gaszusammensetzung ab. Die Schichtzusammensetzung hängt aber auch stark von der Oberflächentemperatur des Substrates ab. Die Oberflächentemperatur des Substrates hängt dabei nicht nur von den Heizleistungen der unterhalb des Suszeptors angeordneten Heizelemente ab. Die Oberflächentemperatur hängt darüber hinaus auch von anderen Wachstumsparametern ab, die insbesondere die Wärmeabfuhr von der Substratoberfläche beeinflussen. Es handelt sich dabei um die zuvor genannten Prozessparameter. Ist die Höhe der Prozesskammer variierbar, so hängt der Wärmefluss und damit die Temperaturverteilung auf der Oberfläche des Suszeptors auch von der Höhe der Prozesskammer ab. Den einzelnen Heizzonen sind zwar lokal Oberflächenzonen des Suszeptors zugeordnet, deren Oberflächentemperatur von den insbesondere darunter liegenden Heizelementen maßgeblich beeinflusst werden. Es hat sich aber gezeigt, dass auch benachbarte Oberflächenzonen in erheblichem Maße temperaturbeeinflusst werden. Dieser Einfluss ist von den Betriebsparametern abhängig. Es ist also von Vorteil, wenn die erfindungsgemäß zur Regelung verwendeten Temperaturmesssensoren je nach eingestelltem Betriebsparametersatz an verschiedenen Stellen die Oberflächentemperatur des Suszeptors erfassen. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, die zur Regelung verwendeten Messpunkte örtlich zu variieren, ohne dass in den konstruktiven Aufbau des Sensorfeldes eingegriffen werden muss. Von einer Vielzahl von zur Verfügung stehenden Temperatursensoren, die jeweils nur die Temperatur an einem Messpunkt messen, wird eine Auswahl, die sich ggf. nur auf einen einzigen Temperatursensor beschränken kann, verwendet. Im einfachsten Fall wird bei einer Änderung der Betriebsparameter auch der zur Regelung verwendete Temperatursensor gewechselt. Bevorzugt handelt es sich aber jeweils um qualitativ und quantitativ voneinander verschiedene Kombinationen von Temperatursensoren, die verwendet werden. Die Kombinationen der zur Regelung verwendeten Messwerte können sich einerseits durch die Anzahl der verwendeten bzw. nicht verwendeten Messpunkte der jeweiligen Oberfläche, andererseits aber auch durch deren Wichtung bezogen auf die jeweilige Oberflächenzone unterscheiden. So ist es bspw. möglich, zur Temperaturregelung einer von mehreren radialen Oberflächenzonen nur die am Rande der Zone angeordneten Messsensoren zu verwenden oder alternativ dazu nur die in Zonenmitte angeordneten Temperatursensoren zu verwenden. Des Weiteren ist es erfindungsgemäß möglich, zur Regelung des Heizelementes einer Heizzone Temperatursensoren mit zu verwenden, die örtlich einer benachbarten Heizzone zugeordnet sind. In einer bevorzugten Ausgestaltung sind die Heizzonen rotationssymmetrisch um das Drehzentrum angeordnet, wobei die Heizzonen in Radialrichtung nebeneinander liegen. Sie sind somit konzentrisch zueinander angeordnet. Es ist ferner möglich, dass der Messwert einzelner Temperatursensoren von mehreren Regeleinrichtungen verwendet wird. Es ist ferner möglich, den Beitrag eines einzelnen Temperatursensors an der Regelung zu wichten. Die Wichtung kann dabei zwischen Null und Eins liegen. Welche Sensoren bei bestimmten Betriebsparametern verwendet werden und welche Sensoren zur Regelung außer Betracht gelassen werden, ist Ergebnis von Vorversuchen oder von computerunterstützten Simulationsrechnungen. Wesentlich ist, dass voneinander verschiedenen Betriebsparametern jeweils eine unterschiedliche Kombination der bei der Regelung verwendeten Messwerten zugeordnet sind.First and foremost, it is provided that the control takes place with varying combinations of measured values. While in the prior art each control device is functionally firmly connected to their associated actual value sensors in the form of temperature sensors, the invention pursues the concept of making this functional linkage variable. Not all available measured values or temperature measuring sensors need to be used for the control, but only an individual selection thereof. The selection is one Combination of measured values, which depends on the operating parameters. Operating parameters affecting the quality of the combination include the target surface zone temperatures, the total gas pressure in the process chamber, the chemical composition of the gas phase in the process chamber, the susceptor material, the type of substrates to be coated, and the susceptor population with the substrates and / or the aging state of the susceptor. The device used to carry out the method has a susceptor, which preferably has the shape of a circular disk and which can be driven in rotation about its axis of symmetry. The gas inlet member disposed above the susceptor may be in the form of a shower head. As is known from the prior art, the openings of the shower head can be used as an optical channel, through which the temperature measuring sensors arranged above the openings receive optical (pyrometric) information about the surface of the susceptor. It is provided a plurality of radially arranged sensors, wherein the individual temperature sensors may have an equal distance from each other. Each temperature sensor determines optically / pyrometrically the surface temperature of the susceptor at a location below it. As the susceptor is rotated, these measuring points travel on circular paths over the susceptor and also cover the substrate surfaces. In the gas inlet member, a gas mixture is fed in a known manner. The gas inlet member may include a plurality of chambers so that various gas mixtures are introduced into the process chamber separately from one another. In a coating process, for example. In a MOCVD process organometallic compounds of II. Or III. Main group initiated in the process chamber. A component of the V. or VI. Main group is introduced in the form of a hydride in the process chamber. The process gases decompose pyrolytically such that layers are deposited on the substrates. The layers depend essentially on the gas composition. The layer composition also depends strongly on the surface temperature of the substrate. The surface temperature of the substrate depends not only on the heating powers of the arranged below the susceptor heating elements. The surface temperature also depends on other growth parameters, which in particular affect the heat dissipation from the substrate surface. These are the aforementioned process parameters. If the height of the process chamber can be varied, then the heat flow and thus the temperature distribution on the surface of the susceptor also depends on the height of the process chamber. Although the individual heating zones are locally assigned surface zones of the susceptor whose surface temperature is significantly influenced by the particular underlying heating elements. However, it has been shown that adjacent surface zones are also influenced to a considerable extent by temperature. This influence depends on the operating parameters. It is thus of advantage if the temperature measuring sensors used according to the invention for controlling control the surface temperature of the susceptor at different locations, depending on the set of operating parameter set. With the method according to the invention, it is possible to locally vary the measuring points used for the control, without having to intervene in the structural design of the sensor field. Of a variety of available temperature sensors, each measuring only the temperature at a measuring point, a selection that may be limited to a single temperature sensor may be used. In the simplest case, when changing the operating parameters and the temperature sensor used for control is changed. Preferably, however, each are qualitatively and quantitatively different combinations of temperature sensors, which are used. The combinations of the measured values used for control can differ on the one hand by the number of used or not used measuring points of the respective surface, on the other hand also by their weighting with respect to the respective surface zone. Thus, for example, it is possible to use only the measuring sensors arranged at the edge of the zone for temperature control of one of a plurality of radial surface zones, or alternatively to use only the temperature sensors arranged in the middle of the zone. Furthermore, it is possible according to the invention to use for controlling the heating element of a heating zone with temperature sensors, which are spatially associated with an adjacent heating zone. In a preferred embodiment, the heating zones are rotationally symmetrical about the center of rotation, wherein the heating zones are adjacent to each other in the radial direction. They are thus arranged concentrically with each other. It is also possible that the measured value of individual temperature sensors is used by a plurality of control devices. It is also possible to weight the contribution of a single temperature sensor to the control. The weighting can be between zero and one. Which sensors are used for certain operating parameters and which sensors are disregarded for control is the result of preliminary tests or computer-aided simulation calculations. It is essential that mutually different operating parameters are each assigned a different combination of the measured values used in the control.

Die Betriebsparameter, die als Eingangsgröße in die Auswahleinrichtung eingegeben werden, können auch unmittelbar auf die Regeleinrichtungen einwirken. Beispielsweise können als zusätzliche Eingangsgrößen die Regelkennwerte eingegeben werden, also bspw. für Proportional-Integral-Diffe-rentialregler der Proportionalanteil, der Integralanteil und/oder der Differentialanteil. Andererseits ist es aber auch möglich, dass die Auswahleinrichtung anhand der Prozessparameter diese charakteristischen Werte ermittelt, bspw. aus einer in der Auswahleinrichtung hinterlegten Tabelle.The operating parameters that are input to the selector as an input can also act directly on the control devices. For example, the control characteristic values can be input as additional input variables, that is to say, for example, for proportional integral differential regulators, the proportional component, the integral component and / or the differential component. On the other hand, it is also possible for the selection device to determine these characteristic values on the basis of the process parameters, for example from a table stored in the selection device.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erörtert. Es zeigen:Embodiments of the invention will be discussed below with reference to accompanying drawings. Show it:

1 schematisch den Querschnitt durch eine Prozesskammer eines MOCVD-Reaktors mit insgesamt fünfunddreißig Temperatursensoren, die jeweils die Oberflächentemperatur an einem Messpunkt auf dem Suszeptor ermitteln, wobei die Messpunkte voneinander verschiedene Radialabstände zum Drehzentrum des Suszeptors 108 aufweisen, 1 schematically the cross section through a process chamber of a MOCVD reactor with a total of thirty five temperature sensors, each determining the surface temperature at a measuring point on the susceptor, the measuring points from each other different radial distances to the center of rotation of the susceptor 108 exhibit,

2 eine Draufsicht auf den Suszeptor 108 mit angedeuteten koaxial angeordneten Heizzonen 109, 110, 111, 2 a plan view of the susceptor 108 with indicated coaxial heating zones 109 . 110 . 111 .

3 den Einfluss der Heizelemente auf die Oberfläche entlang einer Linie III-III in 2, 3 the influence of the heating elements on the surface along a line III-III in 2 .

4 eine Darstellung gemäß 1, wobei eine erste Kombination von Temperatursensoren 1–35 zur Temperaturregelung verwendet wird, 4 a representation according to 1 using a first combination of temperature sensors 1-35 for temperature control,

5 eine Darstellung gemäß 4, wobei eine zweite Kombination von Temperatursensoren 1–35 zur Temperaturregelung verwendet wird, und 5 a representation according to 4 Using a second combination of temperature sensors 1-35 for temperature control, and

6 eine Darstellung gemäß 1, wobei eine dritte Kombination von Temperatursensoren 1–35 zur Temperaturregelung verwendet wird. 6 a representation according to 1 wherein a third combination of temperature sensors 1-35 is used for temperature control.

Die 1 zeigt schematisch den Querschnitt durch eine Prozesskammer. Der Boden der Prozesskammer 101 wird von einem Suszeptor 108 ausgebildet, der um eine Drehachse 120 drehangetrieben werden kann. Unterhalb des Suszeptors 108 befinden sich in konzentrischer Anordnung drei Heizzonen 109, 110, 111. Die Heizzone 109 befindet sich unterhalb des Zentrums des Suszeptors 108 und wird von der Heizzone 110 ringförmig umgeben. Letztere wird wiederum ringförmig von der äußersten Heizzone 111 umgeben. Die Heizzonen 109, 110, 111 werden von Infrarotheizelementen bzw. von RF-Heizelementen gebildet und sind in der Lage, die Oberfläche des Suszeptors 108 in drei Oberflächenzonen 112, 113, 114 aufzuheizen.The 1 schematically shows the cross section through a process chamber. The bottom of the process chamber 101 is from a susceptor 108 formed around a rotation axis 120 can be rotated. Below the susceptor 108 There are three heating zones in concentric arrangement 109 . 110 . 111 , The heating zone 109 is located below the center of the susceptor 108 and is from the heating zone 110 surrounded by a ring. The latter in turn becomes annular from the outermost heating zone 111 surround. The heating zones 109 . 110 . 111 are formed by infrared heating elements or RF heating elements and are capable of the surface of the susceptor 108 in three surface zones 112 . 113 . 114 heat.

Die 2 zeigt, in den 1, 4, 5 und 6 der Übersichtlichkeit wegen nicht dargestellte, kreisförmig um das Drehzentrum angeordnete Aufnahmetaschen 119 zur Aufnahme jeweils eines Substrates 105, 106, 107. Die Substrate 105, 106, 107 liegen somit mit unterschiedlichem Radialabstand entfernt von der Drehachse 120.The 2 shows in the 1 . 4 . 5 and 6 not shown for clarity, circular arranged around the center of rotation receiving pockets 119 for receiving one substrate each 105 . 106 . 107 , The substrates 105 . 106 . 107 lie thus with different radial distance away from the axis of rotation 120 ,

Die parallel zur Erstreckungsrichtung des Suszeptors 108 verlaufende Decke der Prozesskammer 101 wird von einem Gaseinlassorgan 103 in Form eines Showerheads ausgebildet. Letzterer ist lediglich schematisch dargestellt. Er besitzt eine Vielzahl von siebartig angeordneten Öffnungen 104, durch die in eine Gasverteilkammer des Showerheads 103 eingespeiste Prozessgase in die Prozesskammer 101 eintreten können. Bei den Prozessgasen kann es sich um metallorganische Verbindungen von Elementen der III. bzw. II. Hauptgruppe sowie um Hydride der V. bzw. VI. Hauptgruppe handeln. Zusätzlich kann in die Prozesskammer noch ein Trägergas, bspw. Wasserstoff, oder ein anderes Inertgas eingespeist werden. Die Prozessgase zerlegen sich pyrolytisch an der Oberfläche der Substrate 105, 106, 107, um dort eine Schicht abzuscheiden.The parallel to the extension direction of the susceptor 108 running ceiling of the process chamber 101 is from a gas inlet organ 103 designed in the form of a showerhead. The latter is shown only schematically. He has a variety of sieve-like arranged openings 104 through which into a gas distribution chamber of the showerhead 103 fed process gases into the process chamber 101 can enter. The process gases may be organometallic compounds of elements of the III. or II. Main group and hydrides of V. or VI. Main group act. In addition, a carrier gas, for example hydrogen, or another inert gas can be fed into the process chamber. The process gases decompose pyrolytically on the surface of the substrates 105 . 106 . 107 to deposit a layer there.

Oberhalb der Gasaustrittsöffnungen 104 befindet sich eine Sensoranordnung 102 mit optischen Temperatursensoren 1 bis 35. Die optischen Temperatursensoren 1 bis 35 sind derart angeordnet, dass sie bspw. pyrolytisch jeweils die Temperatur an einem ihnen individuell zugeordneten Messpunkt messen, wobei die einzelnen Messpunkte unterschiedliche Radialabstände zur Drehachse 120 aufweisen. Als Folge der Drehung des Suszeptors 108 um die Drehachse 120 wandern die Messpunkte auf konzentrischen Kreisen über die Oberfläche des Suszeptors 108 bzw. über die Oberflächen der darauf liegenden Substrate 105, 106, 107.Above the gas outlet openings 104 there is a sensor arrangement 102 with optical temperature sensors 1 to 35. The optical temperature sensors 1 to 35 are arranged such that they measure, for example pyrolytically, the temperature at an individually assigned measuring point, the individual measuring points having different radial distances from the axis of rotation 120 exhibit. As a result of the rotation of the susceptor 108 around the axis of rotation 120 the measuring points travel on concentric circles over the surface of the susceptor 108 or over the surfaces of the substrates thereon 105 . 106 . 107 ,

Über eine Datenleitung 121 sind die Temperatursensoren 1 bis 35 mit einer Auswahlelektronik 118 verbunden. Diese Auswahlelektronik 118 verknüpft die von der Sensoranordnung 102 kommenden Messwerte mit Regeleinrichtungen 115, 116, 117. Jedem der drei Heizelemente 109, 110, 111 ist individuell eine Regeleinrichtung 115, 116, 117 zugeordnet. Als Soll-Wert erhält die jeweilige Regeleinrichtung 115, 116, 117 Temperaturen, auf die die Oberflächenzonen 112, 113, 114 geregelt werden sollen. Als Ist-Werte erhalten die Regeleinrichtungen 115, 116, 117 von den Temperatursensoren 1 bis 35 ermittelte Messwerte. Die Regeleinrichtungen 115, 116, 117 erhalten aber nicht sämtliche Temperaturmesswerte, sondern nur die von einer Auswahl der Gesamtheit der Temperatursensoren 1 bis 35 gemessenen Messwerte. Es handelt sich dabei um die schematisch in den die Regeleinrichtungen symbolisierenden Rechtecken 115, 116, 117 eingetragenen Zahlen.Via a data line 121 are the temperature sensors 1 to 35 with a selection electronics 118 connected. This selection electronics 118 links those from the sensor array 102 coming readings with control devices 115 . 116 . 117 , Each of the three heating elements 109 . 110 . 111 is individually a control device 115 . 116 . 117 assigned. As a target value receives the respective control device 115 . 116 . 117 Temperatures to which the surface zones 112 . 113 . 114 to be regulated. The actual values receive the control devices 115 . 116 . 117 from the temperature sensors 1 to 35 measured values. The control devices 115 . 116 . 117 but do not receive all temperature readings, but only the measured values measured by a selection of the totality of the temperature sensors 1 to 35. These are the rectangles schematically symbolized in the control devices 115 . 116 . 117 registered numbers.

Die Auswahlelektronik 118 erhält eine Eingangsgröße P. Diese Eingangsgröße P enthält Informationen über die Betriebsparameter des jeweiligen in der Prozesskammer durchgeführten Verfahrens. Diese Betriebsparameter enthalten u. a. die Soll-Temperaturen der Oberflächenzonen 112, 113, 114, den Totaldruck in der Prozesskammer 101, die chemische Zusammensetzung der Gasphase in der Prozesskammer 101, also die Art der verwendeten Prozessgase, das Material des Suszeptors 108, bspw. Graphit oder beschichtetes Graphit, die Art des Substrates, also dessen kristalline Eigenschaft sowie kristalline Zusammensetzung, die Bestückung des Suszeptors 108 mit Substraten, also die Verteilung der Substrate auf die Aufnahmetaschen 119, sofern nicht alle Aufnahmetaschen 110 mit Substraten bestückt sind und/oder den Alterungszustand des Suszeptors 108, bspw. die Anzahl von Produktionsschritten, die der Suszeptor hinter sich hat. The selection electronics 118 receives an input variable P. This input variable P contains information about the operating parameters of the respective method carried out in the process chamber. These operating parameters include the target temperatures of the surface zones 112 . 113 . 114 , the total pressure in the process chamber 101 , the chemical composition of the gas phase in the process chamber 101 , So the type of process gases used, the material of the susceptor 108 , For example, graphite or coated graphite, the nature of the substrate, so its crystalline property and crystalline composition, the placement of the susceptor 108 with substrates, so the distribution of the substrates on the receiving pockets 119 , if not all storage bags 110 are loaded with substrates and / or the aging state of the susceptor 108 For example, the number of production steps that the susceptor has behind.

Abhängig von diesen Betriebsparametern P legt die Auswahlelektronik 18 die Kombination der für die Regelung verwendeten Messwerte fest. Im einfachsten Fall, der in den Figuren nicht dargestellt ist, wird zur Regelung des Heizelementes 109 lediglich ein einziger Temperatursensor verwendet, der oberhalb der Oberflächenzone 112 angeordnet ist, also bspw. einer der Temperatursensoren 1 bis 12. Analog wird zur Regelung des Heizelementes 110 ein einziger Temperatursensor 13 bis 23 verwendet, der oberhalb der Oberflächenzone 113 angeordnet ist. Analog dazu wird zur Regelung des Heizelementes 111 ein einziger oberhalb der Oberflächenzone 114 angeordneter Temperatursensor 23 bis 35 verwendet. Ergänzend können aber auch mehrere weitere Temperatursensoren verwendet werden, wobei wesentlich ist, dass sich die Individualität der verwendeten Temperaturmesssensoren mit der Änderung der Betriebsparameter P ebenfalls ändern. Wird bspw. der Beschichtungsprozess bei einer höheren Temperatur durchgeführt, so ändert sich der Wärmefluss innerhalb der Prozesskammer bzw. innerhalb des Suszeptors 108, so dass die regelungsrelevante Oberflächentemperatur an einer anderen Oberflächenstelle gemessen werden muss. Dies erfolgt durch Wechsel des diesbezüglichen Temperatursensors 1 bis 35.Depending on these operating parameters P sets the selection electronics 18 the combination of measured values used for control. In the simplest case, which is not shown in the figures, is used to control the heating element 109 only a single temperature sensor is used, which is above the surface zone 112 is arranged, that is, for example, one of the temperature sensors 1 to 12. Analog is to control the heating element 110 a single temperature sensor 13 to 23 is used, which is above the surface zone 113 is arranged. Similarly, to control the heating element 111 a single above the surface zone 114 arranged temperature sensor 23 to 35 used. In addition, however, it is also possible to use a plurality of further temperature sensors, it being essential that the individuality of the temperature measuring sensors used also change with the change in the operating parameters P. If, for example, the coating process is carried out at a higher temperature, the heat flow within the process chamber or within the susceptor changes 108 , so that the control-relevant surface temperature must be measured at another surface location. This is done by changing the relevant temperature sensor 1 to 35.

Bei dem in der 4 dargestellten Ausführungsbeispiel werden bspw. zur Regelung der Temperatur der Oberflächenzone 112 von der Regeleinrichtung 115 nur die Temperatursensoren 2 bis 11, bei dem in der 5 dargestellten Ausführungsbeispiel nur die Sensoren 1 bis 10 und bei dem in der 6 dargestellten Ausführungsbeispiel nur die Sensoren 3 bis 11 verwendet. Zur Regelung der Oberflächentemperatur 113 wird in dem in 4 dargestellten Ausführungsbeispiel von der Regeleinrichtung 116 nur eine Auswahl der zur Verfügung stehenden Messwerte verwendet, nämlich die Messwerte der Temperatursensoren 14, 15, 16, 17, 18, 19, 21, 22, 24. Bei dem in der 5 dargestellten Ausführungsbeispiel sind es die Messwerte der Temperatursensoren 12 bis 21 und bei dem in der 6 dargestellten Ausführungsbeispiel sind es die Messwerte der Temperaturmesssensoren 12 sowie 15 bis 24. Die Regeleinrichtung 117, die der Oberflächenzone 114 zugeordnet ist, die also das Heizelement 111 regelt, verwendet bei dem in 4 dargestellten Ausführungsbeispiel nur die Messwerte der Temperaturmesssensoren 25 bis 33, bei dem in der 5 dargestellten Ausführungsbeispiel nur die Messwerte der Temperatursensoren 25 bis 34 und bei dem in der 6 dargestellten Ausführungsbeispiel nur die Messwerte der Temperatursensoren 26 bis 35.In the in the 4 illustrated embodiment, for example, to control the temperature of the surface zone 112 from the control device 115 only the temperature sensors 2 to 11, in which in the 5 illustrated embodiment, only the sensors 1 to 10 and in which in the 6 illustrated embodiment, only the sensors 3 to 11 used. For controlling the surface temperature 113 will be in the in 4 illustrated embodiment of the control device 116 only uses a selection of the available measured values, namely the measured values of the temperature sensors 14, 15, 16, 17, 18, 19, 21, 22, 24. In the in the 5 In the embodiment shown, the measured values of the temperature sensors 12 to 21 and in the case of the 6 illustrated embodiment, it is the measured values of the temperature measuring sensors 12 and 15 to 24. The control device 117 that of the surface zone 114 is assigned, that is, the heating element 111 regulates used in the 4 illustrated embodiment, only the measured values of the temperature measuring sensors 25 to 33, in which in the 5 illustrated embodiment, only the measured values of the temperature sensors 25 to 34 and in the in the 6 illustrated embodiment, only the measured values of the temperature sensors 26 to 35.

Die in den 4 bis 6 dargestellten Kombinationen sind lediglich Beispiele. Es ist auch möglich, dass bspw. nur der Messwert jedes zweiten oder jedes dritten Messsensors verwendet werden kann oder dass lediglich Messsensoren 1, 11, 12, 13, 22, 23, 24, 34, 35 verwendet werden, also Messsensoren, die dem Rand der jeweiligen Oberflächenzone 112, 113, 114 zugeordnet sind. Ebenso ist es denkbar, nur die Sensoren 6, 7, 18, 19, 28, 29 zu verwenden, also solche Temperaturmesssensoren, die dem Zentralbereich einer jeden Oberflächenzone 112, 113, 114 zugeordnet sind.The in the 4 to 6 shown combinations are only examples. It is also possible that, for example, only the measured value of every second or every third measuring sensor can be used, or that only measuring sensors 1, 11, 12, 13, 22, 23, 24, 34, 35 are used, that is to say measuring sensors corresponding to the edge the respective surface zone 112 . 113 . 114 assigned. It is also conceivable to use only the sensors 6, 7, 18, 19, 28, 29, that is to say those temperature measuring sensors which correspond to the central region of each surface zone 112 . 113 . 114 assigned.

Die 3 zeigt schematisch den Einfluss der einzelnen Heizelemente 109, 110, 111 auf den Temperaturverlauf über eine Diagonallinie über dem Suszeptor. Mit der Kurve A ist der Einfluss des zentralen Heizelements 109 dargestellt. Das Heizelement 109 beeinflusst nicht nur die Temperatur im Zentralbereich des Suszeptors, sondern auch, allerdings geringfügiger, die Temperatur in der Peripherie. Dies gilt auch für den Einfluss des Heizelementes 110, der mit B in der 3 dargestellt ist. Das Heizelement 110 beeinflusst nicht nur die Temperatur im radial mittleren Bereich des Suszeptors, also in der Oberflächenzone 113, sondern auch die Temperaturen in den benachbarten Oberflächenzonen 112, 114. Die Kurve C repräsentiert den Einfluss des radial äußersten Heizelementes 111 auf die Oberflächentemperatur. Auch dieses Heizelement 111 beeinflusst die Temperatur in der benachbarten Oberflächenzone 113.The 3 shows schematically the influence of the individual heating elements 109 . 110 . 111 on the temperature curve over a diagonal line over the susceptor. With the curve A is the influence of the central heating element 109 shown. The heating element 109 not only affects the temperature in the central area of the susceptor, but also, but less so, the temperature in the periphery. This also applies to the influence of the heating element 110 who with B in the 3 is shown. The heating element 110 not only affects the temperature in the radially middle region of the susceptor, ie in the surface zone 113 , but also the temperatures in the adjacent surface zones 112 . 114 , The curve C represents the influence of the radially outermost heating element 111 on the surface temperature. Also this heating element 111 affects the temperature in the adjacent surface zone 113 ,

Der quantitative Verlauf der Kurven A, B, C hängt von den oben genannten Prozessparametern ab. Durch die voneinander verschiedenen Kombinationen von Messwerten werden bei der Regelung die quantitativen Unterschiede berücksichtigt.The quantitative course of the curves A, B, C depends on the process parameters mentioned above. Due to the different combinations of measured values, the regulation takes into account the quantitative differences.

In den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen werden die Messwerte einzelner Sensoren entweder berücksichtigt oder nicht berücksichtigt. Es ist aber auch möglich, die Messwerte einzelner Temperaturmesssensoren zur Regelung voneinander verschiedener Heizelemente 109, 110, 111 zu verwenden, bspw. können die Messwerte der Temperatursensoren 12, 13 bzw. 23, 24 jeweils von zwei Regeleinrichtungen 115, 116, 117 verwendet werden. Es ist ferner möglich, die einzelnen Messwerte gewichtet zur Regelung beizuziehen, bspw. mit einem Wichtungsfaktor zwischen Null und Eins.In the embodiments described above, the measured values of individual sensors are either taken into account or not taken into account. But it is also possible, the measured values of individual temperature measuring sensors for controlling different heating elements 109 . 110 . 111 to use, for example, the measured values of the Temperature sensors 12, 13 and 23, 24 each of two control devices 115 . 116 . 117 be used. It is also possible to use the individual measured values weighted for the control, for example with a weighting factor between zero and one.

Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren in ihrer fakultativ nebengeordneten Fassung eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.All disclosed features are essential to the invention. The disclosure of the associated / attached priority documents (copy of the prior application) is hereby also incorporated in full in the disclosure of the application, also for the purpose of including features of these documents in claims of the present application. The subclaims characterize in their optionally sibling version independent inventive developments of the prior art, in particular to make on the basis of these claims divisional applications.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

101101
Prozesskammerprocess chamber
102102
Sensoranordnungsensor arrangement
103103
ShowerheadShowerhead
104104
GasaustrittsöffnungGas outlet
105105
Substratsubstratum
106106
Substratsubstratum
107107
Substratsubstratum
108108
Suszeptorsusceptor
109109
Heizelementheating element
110110
Heizelementheating element
111111
Heizelementheating element
112112
Oberflächenzonesurface zone
113113
Oberflächenzonesurface zone
114114
Oberflächenzonesurface zone
115115
Regeleinrichtungcontrol device
116116
Regeleinrichtungcontrol device
117117
Regeleinrichtungcontrol device
118118
Auswahlelektronikselection electronics
119119
Aufnahmetaschenreceiving pockets
120120
Drehachseaxis of rotation
121121
Datenleitungdata line

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102004007984 A1 [0003] DE 102004007984 A1 [0003]
  • US 6492625 B1 [0004] US 6492625 B1 [0004]
  • EP 1481117 B1 [0005] EP 1481117 B1 [0005]
  • DE 102007023970 A1 [0006] DE 102007023970 A1 [0006]

Claims (9)

Verfahren zum Behandeln mindestens eines Substrates (105, 106, 107) in einer Prozesskammer (101) eines Reaktorgehäuses, wobei das ein oder mehrere Substrat (105, 106, 107) auf einem mit Heizelementen (109, 110, 111) beheizbaren Suszeptor (108) aufgelegt wird, wobei mit den Heizelementen (109, 110, 111) räumlich zugeordnete Zonen des Suszeptors (108) beheizt werden, denen jeweils Oberflächenzonen (112, 113, 114) der zur Prozesskammer (101) weisenden Seite des Suszeptors (108) zugeordnet sind, wobei an einer Mehrzahl von Messpunkten mittels optischer Messsensoren (1 bis 35) Temperaturen der Oberflächenzonen (112, 113, 114) oder des dort angeordneten mindestens einen Substrates (105, 106, 107) gemessen werden, und die mit den Sensoren (1 bis 35) ermittelten Messwerte einer Regeleinrichtung (115, 116, 117) zugeführt werden, mit der die Heizleistung der Heizelemente (109, 110, 111) geregelt wird, dadurch gekennzeichnet, dass abhängig von ein oder mehreren ausgewählten Betriebsparametern (P) aus: den Solltemperaturen der Oberflächenzonen (112, 113, 114), dem Totalgasdruck in der Prozesskammer (101), der chemischen Zusammensetzung der Gasphase in der Prozesskammer (101), dem Material des Suszeptors (108), der Art des Substrates (105, 106, 107), der Bestückung des Suszeptors (108) mit Substraten (105, 106, 107) und/oder dem Alterungszustand des Suszeptors (108) eine den jeweils ausgewählten ein oder mehreren Betriebsparametern (P) zugeordnete Kombination von Messwerten zur Regelung verwendet wird.Process for treating at least one substrate ( 105 . 106 . 107 ) in a process chamber ( 101 ) of a reactor housing, wherein the one or more substrate ( 105 . 106 . 107 ) on one with heating elements ( 109 . 110 . 111 ) heatable susceptor ( 108 ) is applied, with the heating elements ( 109 . 110 . 111 ) spatially associated zones of the susceptor ( 108 ), to each of which surface zones ( 112 . 113 . 114 ) to the process chamber ( 101 ) facing side of the susceptor ( 108 ) are assigned, wherein at a plurality of measuring points by means of optical measuring sensors (1 to 35) temperatures of the surface zones ( 112 . 113 . 114 ) or of the at least one substrate ( 105 . 106 . 107 ), and the measured values of a control device determined with the sensors (1 to 35) ( 115 . 116 . 117 ), with which the heating power of the heating elements ( 109 . 110 . 111 ), characterized in that, depending on one or more selected operating parameters (P), from: the target temperatures of the surface zones ( 112 . 113 . 114 ), the total gas pressure in the process chamber ( 101 ), the chemical composition of the gas phase in the process chamber ( 101 ), the material of the susceptor ( 108 ), the type of substrate ( 105 . 106 . 107 ), the assembly of the susceptor ( 108 ) with substrates ( 105 . 106 . 107 ) and / or the aging state of the susceptor ( 108 ) a combination of measured values assigned to the respectively selected one or more operating parameters (P) is used for regulation. Vorrichtung zum Behandeln mindestens eines Substrates (105, 106, 107) mit einem Reaktorgehäuse und einer darin angeordneten Prozesskammer (101), die einen Suszeptor (108) aufweist, zur Aufnahme des mindestens einen Substrates (105, 106, 107), einer Mehrzahl von Heizelementen (109, 110, 111) zum Aufheizen von korrespondierenden Oberflächenzonen (112, 113, 114) des Suszeptors und einer Mehrzahl von Temperatursensoren (1 bis 35), die jeweils an einem Messpunkt einen Temperaturmesswert der Oberfläche des Suszeptors (108) oder eines dort angeordneten Substrates (105, 106, 107) liefern, wobei jedem Heizelement (109, 110, 111) eine Regeleinrichtung (115, 116, 117) zugeordnet ist, der die Messwerte zugeführt werden und die mit den an dem jeweiligen Heizelement (109, 110, 111) funktionell zugeordneten Messpunkten gemessenen Temperaturmesswerten die Heizelemente (109, 110, 111) regeln, gekennzeichnet durch eine Auswahleinrichtung (118), die als Eingangsgröße (P) ein oder mehrere Betriebsparameter aus: den Solltemperaturen der Oberflächenzonen (112, 113, 114), dem Totalgasdruck in der Prozesskammer (101), der chemischen Zusammensetzung der Gasphase in der Prozesskammer (101), dem Material des Suszeptors (108), der Art des Substrates (105, 106, 107), der Bestückung des Suszeptors (108) mit Substraten (105, 106, 107) und/oder dem Alterungszustand des Suszeptors (108), enthält, und die abhängig von der Eingangsgröße (P) eine Kombination von zur Regelung zu verwendenden Messwerten festlegt.Device for treating at least one substrate ( 105 . 106 . 107 ) with a reactor housing and a process chamber ( 101 ), which has a susceptor ( 108 ), for receiving the at least one substrate ( 105 . 106 . 107 ), a plurality of heating elements ( 109 . 110 . 111 ) for heating corresponding surface zones ( 112 . 113 . 114 ) of the susceptor and a plurality of temperature sensors (1 to 35), each at a measuring point a temperature reading of the surface of the susceptor ( 108 ) or a substrate arranged there ( 105 . 106 . 107 ), each heating element ( 109 . 110 . 111 ) a control device ( 115 . 116 . 117 ), to which the measured values are supplied and which are connected to the respective heating element ( 109 . 110 . 111 ) functionally associated measuring points measured temperature measured values the heating elements ( 109 . 110 . 111 ), characterized by a selection device ( 118 ), which as input variable (P) one or more operating parameters of: the target temperatures of the surface zones ( 112 . 113 . 114 ), the total gas pressure in the process chamber ( 101 ), the chemical composition of the gas phase in the process chamber ( 101 ), the material of the susceptor ( 108 ), the type of substrate ( 105 . 106 . 107 ), the assembly of the susceptor ( 108 ) with substrates ( 105 . 106 . 107 ) and / or the aging state of the susceptor ( 108 ), and which determines a combination of measured values to be used for control depending on the input quantity (P). Verfahren nach Anspruch 1 oder Vorrichtung nach Anspruch 2 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Kombinationen zur Regelung verwendeter Messwerte voneinander durch die Individualität bzw. Anzahl der verwendeten bzw. nicht verwendeten Messpunkte der jeweiligen Oberflächenzone (112, 113, 114) unterscheiden.Method according to claim 1 or device according to claim 2 or in particular according thereto, characterized in that the combinations for the regulation of used measured values differ from each other by the individuality or number of used or unused measuring points of the respective surface zone ( 112 . 113 . 114 ). Verfahren oder Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Kombinationen zur Regelung verwendeter Messwerte voneinander durch deren Wichtung bezogen auf die jeweilige Oberflächenzone (112, 113, 114) unterscheiden.Method or device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the combinations used for the regulation of measured values used differ from one another by their weighting with respect to the respective surface zone ( 112 . 113 . 114 ). Verfahren oder Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass jedem Heizelement (109, 110, 111) individuell eine Regeleinrichtung (115, 116, 117) zugeordnet ist, die von der Auswahleinrichtung (118) als Auswahlwerte eine Kombination von Messwerten erhält, wobei sich die zu verschiedenen Betriebsparametern (P) gehörenden Kombinationen voneinander unterscheiden.Method or device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that each heating element ( 109 . 110 . 111 ) individually a control device ( 115 . 116 . 117 ) assigned by the selection device ( 118 ) receives a combination of measured values as selection values, the combinations belonging to different operating parameters (P) differing from one another. Verfahren oder Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswahlwerte Informationen darüber beinhalten, mit welcher zwischen Null und Eins liegenden Wichtung jeder einzelne Messwert bei der Regelung berücksichtigt wird.Method or device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the selection values include information on which between zero and one horizontal weighting each individual measured value is taken into account in the scheme. Verfahren oder Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass für die Auswahl des oder der für die Regelung verwendeten Temperatursensoren (1 bis 35) der von den Betriebsparametern (P) abhängige qualitative Verlauf der jedem Heizelement (109, 111) zugeordnete Verlauf der Oberflächentemperatur verwendet wird.Method or device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that, for the selection of the temperature sensor (s) (1 to 35) used for the control, the qualitative profile of each heating element dependent on the operating parameters (P) ( 109 . 111 ) associated with the surface temperature is used. Verfahren oder Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Kombinationen in Vorversuchen oder durch computerunterstützte Simulationsrechnungen ermittelt werden, wobei als Konvergenzkriterium ein vorgegebener Temperaturverlauf, insbesondere eine Minimalisierung des lateralen Temperaturgradienten über die zur Prozesskammer (101) weisenden Oberfläche des Suszeptors (108) gewählt ist.Method or device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the combinations are determined in preliminary tests or by computer-aided simulation calculations, wherein as a convergence criterion a predetermined temperature profile, in particular a minimization of the lateral temperature gradient via the to the process chamber ( 101 ) facing surface of the susceptor ( 108 ) is selected. Verfahren oder Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Betriebsparameter (P) direkt und/oder zusätzlich die Regelparameter der Regeleinrichtungen (115, 116, 117) beeinflussen.Method or device according to one or more of the preceding claims or in particular according thereto, characterized in that the operating parameters (P) directly and / or additionally the control parameters of the control devices ( 115 . 116 . 117 ) influence.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013109155A1 (en) * 2013-08-23 2015-02-26 Aixtron Se Substrate processing apparatus
DE102013114412A1 (en) 2013-12-18 2015-06-18 Aixtron Se Apparatus and method for controlling the temperature in a process chamber of a CVD reactor using two temperature sensor means
WO2016083373A1 (en) 2014-11-27 2016-06-02 Aixtron Se Method for calibrating a pyrometer arrangement of a cvd or pvd reactor
DE102015100640A1 (en) * 2015-01-19 2016-07-21 Aixtron Se Apparatus and method for the thermal treatment of substrates
WO2018166955A1 (en) * 2017-03-14 2018-09-20 Aixtron Se Method and device for the thermal treatment of a substrate
CN112969815A (en) * 2018-09-07 2021-06-15 艾克斯特朗欧洲公司 Method for regulating the top temperature of a CVD reactor
CN113846376A (en) * 2021-09-23 2021-12-28 浙江晶盛机电股份有限公司 Temperature adjusting method for epitaxial growth apparatus and epitaxial growth apparatus
WO2023198804A1 (en) 2022-04-14 2023-10-19 Hte Gmbh The High Throughput Experimentation Company Heat treatment device

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9543171B2 (en) * 2014-06-17 2017-01-10 Lam Research Corporation Auto-correction of malfunctioning thermal control element in a temperature control plate of a semiconductor substrate support assembly that includes deactivating the malfunctioning thermal control element and modifying a power level of at least one functioning thermal control element
CN104635792B (en) * 2015-01-09 2017-10-27 中国科学院工程热物理研究所 The method that convection current is driven based on active temperature gradient method control surface tension force
CN105390421A (en) * 2015-10-14 2016-03-09 上海华力微电子有限公司 Reaction chamber temperature zone control system
JP7003759B2 (en) * 2017-06-28 2022-01-21 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment equipment, management method of heat treatment equipment and storage medium
DE102019107295A1 (en) * 2019-03-21 2020-09-24 Aixtron Se Method for determining the state of a CVD reactor under production conditions
DE102020100481A1 (en) * 2020-01-10 2021-07-15 Aixtron Se CVD reactor and method for controlling the surface temperature of the substrates
CN113862647A (en) * 2021-09-28 2021-12-31 长江存储科技有限责任公司 Thin film deposition equipment and method

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5782974A (en) * 1994-02-02 1998-07-21 Applied Materials, Inc. Method of depositing a thin film using an optical pyrometer
US5871805A (en) * 1996-04-08 1999-02-16 Lemelson; Jerome Computer controlled vapor deposition processes
US5970214A (en) * 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6034357A (en) * 1998-06-08 2000-03-07 Steag Rtp Systems Inc Apparatus and process for measuring the temperature of semiconductor wafers in the presence of radiation absorbing gases
US6079874A (en) * 1998-02-05 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Temperature probes for measuring substrate temperature
US6492625B1 (en) 2000-09-27 2002-12-10 Emcore Corporation Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrates
US20030038112A1 (en) * 2000-03-30 2003-02-27 Lianjun Liu Optical monitoring and control system and method for plasma reactors
US6706541B1 (en) * 1999-10-20 2004-03-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for controlling wafer uniformity using spatially resolved sensors
DE102004007984A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Aixtron Ag CVD reactor with photodiode array
US20060027169A1 (en) * 2004-08-06 2006-02-09 Tokyo Electron Limited Method and system for substrate temperature profile control
EP1481117B1 (en) 2002-02-22 2007-10-24 Aixtron AG Method and device for depositing semi-conductor layers
DE102007023970A1 (en) 2007-05-23 2008-12-04 Aixtron Ag Apparatus for coating a plurality of densely packed substrates on a susceptor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040222210A1 (en) * 2003-05-08 2004-11-11 Hongy Lin Multi-zone ceramic heating system and method of manufacture thereof
JP2006113724A (en) * 2004-10-13 2006-04-27 Omron Corp Control method, temperature control method, temperature regulator, heat treatment equipment, program and recording medium

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5782974A (en) * 1994-02-02 1998-07-21 Applied Materials, Inc. Method of depositing a thin film using an optical pyrometer
US5871805A (en) * 1996-04-08 1999-02-16 Lemelson; Jerome Computer controlled vapor deposition processes
US6079874A (en) * 1998-02-05 2000-06-27 Applied Materials, Inc. Temperature probes for measuring substrate temperature
US5970214A (en) * 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6034357A (en) * 1998-06-08 2000-03-07 Steag Rtp Systems Inc Apparatus and process for measuring the temperature of semiconductor wafers in the presence of radiation absorbing gases
US6706541B1 (en) * 1999-10-20 2004-03-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for controlling wafer uniformity using spatially resolved sensors
US20030038112A1 (en) * 2000-03-30 2003-02-27 Lianjun Liu Optical monitoring and control system and method for plasma reactors
US6492625B1 (en) 2000-09-27 2002-12-10 Emcore Corporation Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrates
EP1481117B1 (en) 2002-02-22 2007-10-24 Aixtron AG Method and device for depositing semi-conductor layers
DE102004007984A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Aixtron Ag CVD reactor with photodiode array
US20060027169A1 (en) * 2004-08-06 2006-02-09 Tokyo Electron Limited Method and system for substrate temperature profile control
DE102007023970A1 (en) 2007-05-23 2008-12-04 Aixtron Ag Apparatus for coating a plurality of densely packed substrates on a susceptor

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013109155A1 (en) * 2013-08-23 2015-02-26 Aixtron Se Substrate processing apparatus
US10438823B2 (en) 2013-08-23 2019-10-08 Aixtron Se Substrate treatment device
CN105934659B (en) * 2013-12-18 2019-03-08 艾克斯特朗欧洲公司 Use the device and method of two temperature sensing device adjustment CVD reactor process room temperatures
DE102013114412A1 (en) 2013-12-18 2015-06-18 Aixtron Se Apparatus and method for controlling the temperature in a process chamber of a CVD reactor using two temperature sensor means
WO2015091371A1 (en) 2013-12-18 2015-06-25 Aixtron Se Apparatus and method for regulating the temperature in a process chamber of a cvd reactor using two temperature sensor devices
CN105934659A (en) * 2013-12-18 2016-09-07 艾克斯特朗欧洲公司 Apparatus and method for regulating temperature in process chamber of CVD reactor using two temperature sensor devices
WO2016083373A1 (en) 2014-11-27 2016-06-02 Aixtron Se Method for calibrating a pyrometer arrangement of a cvd or pvd reactor
DE102014117388A1 (en) 2014-11-27 2016-06-02 Aixtron Se Method for calibrating a pyrometer arrangement of a CVD or PVD reactor
DE102015100640A1 (en) * 2015-01-19 2016-07-21 Aixtron Se Apparatus and method for the thermal treatment of substrates
WO2016116373A1 (en) * 2015-01-19 2016-07-28 Aixtron Se Apparatus and method for thermally treating substrates
WO2018166955A1 (en) * 2017-03-14 2018-09-20 Aixtron Se Method and device for the thermal treatment of a substrate
DE102017105333A1 (en) * 2017-03-14 2018-09-20 Aixtron Se Method and device for thermal treatment of a substrate
CN112969815A (en) * 2018-09-07 2021-06-15 艾克斯特朗欧洲公司 Method for regulating the top temperature of a CVD reactor
CN113846376A (en) * 2021-09-23 2021-12-28 浙江晶盛机电股份有限公司 Temperature adjusting method for epitaxial growth apparatus and epitaxial growth apparatus
CN113846376B (en) * 2021-09-23 2022-12-27 浙江晶盛机电股份有限公司 Temperature adjusting method for epitaxial growth apparatus and epitaxial growth apparatus
WO2023198804A1 (en) 2022-04-14 2023-10-19 Hte Gmbh The High Throughput Experimentation Company Heat treatment device

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