DE10231194A1 - Lead frame for a sonde magnetic field sensor on a semiconductor chip reduces eddy current production by magnetic fields - Google Patents

Lead frame for a sonde magnetic field sensor on a semiconductor chip reduces eddy current production by magnetic fields Download PDF

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Abstract

A lead frame for a sonde magnetic field sensor (128) on a semiconductor chip (124) comprises a conductive chip island (110) to mount the chip and lead pins (116a-d) for connection to the chip. The chip island is so formed as to reduce eddy currents produced by the recorded magnetic field. Independent claims are also included for magnetic field sensors as above.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Magnetfeldsensoren und spezieller auf Träger für Halbleiterchips mit einer Magnetfeldsonde.The present invention relates on magnetic field sensors and more specifically on carriers for semiconductor chips with a magnetic field probe.

Mageetfeldsensoren und insbesondere integrierte Magnetfeldsensoren werden heutzutage in vielen Bereichen eingesetzt. Ein solcher Magnetfeldsensor umfaßt typischerweise einen Halbleiterchip mit einer Magentfeldsonde, der auf einem sogenannten Anschlußleitungsrahmen (Leadframe) befestigt ist. Unter einem Anschlußleitungsrahmen ist eine Anordnung zu verstehen, die im wesentlichen aus einem Blättchen, das nachfolgend auch als eine Chipinsel bezeichnet wird, und Zuleitungen (Pins) bzw. Anschlußbeinchen besteht. Bei herkömmlichen Plastikgehäusen wird ein vereinzelter Chip auf dem Anschlußleitungsrahmen, d. h, genauer gesagt auf der Chipinsel, befestigt. Die Zuleitungen sind typischerweise von der Chipinsel getrennt bzw. freigestanzt, wobei eine Massezuleitung zumeist auf der Chipinsel verbleibt.Magnetic field sensors and in particular Integrated magnetic field sensors are used in many areas today used. Such a magnetic field sensor typically comprises a semiconductor chip with a magnetic field probe on a so-called lead frame (Leadframe) is attached. There is an arrangement under a lead frame to understand, which essentially consists of a leaflet, the following also is referred to as a chip island, and leads (pins) or connecting legs consists. With conventional plastic housings a diced chip is placed on the lead frame, i.e. h, more precisely said on the chip island, attached. The leads are typical separated or punched out from the chip island, with a ground lead mostly remains on the chip island.

Alle Teile des Anschlußleitungsrahmens hängen über einen äußeren Rahmen zusammen. Elektrische Verbindungen zwischen speziell dafür vorgesehenen Anschlußbereichen (Pads) am Chip und den jeweils zugeordneten Zuleitungen werden typischerweise mittels eines Bondens hergestellt, wobei ein feiner Draht meist unter Anwendung von Ultraschallenergie und erhöhter Temperatur zur Verbindung der Anschlußbereiche und Anschlußbeinchen angeschweißt wird. Zur weiteren Herstellung wird die gesamte Anordnung mit einer Plastikvergußmasse umspritzt, so daß dieselbe weitgehend von Umwelteinflüssen geschützt ist. Nach dem Entfernen von Plastikgraten (Flashes) wird die integrierte Schaltung samt den Zuleitungen von dem äußeren Rahmen des Anschlußleitungsrahmens freigestanzt und verpackt. Der Anschlußleitungsrahmen weist zumindest zwei Funktionen auf, indem zum einen die Lage der integrierten Schaltungen während des Umspritzens mit Plastikvergußmasse fixiert ist und zweitens die elektrischen Kontakte der integrierten Schaltungen nach außen geführt werden. Daher sollte der Anschlußleitungsrahmen vorzugsweise gut leitfähig und eine gute Lötbarkeit aufweisen. Im Stand der Technik weist der Anschlußleitungsrahmen typischerweise eine Kupferlegierung auf.All parts of the lead frame hang over an outer frame together. Electrical connections between specially designed service areas (Pads) on the chip and the associated supply lines are typically produced by means of bonding, a fine wire usually under Use of ultrasonic energy and elevated temperature for connection the connection areas and connecting legs welded becomes. For further production, the entire arrangement with a Plastikvergußmasse overmolded so that the same largely from environmental influences protected is. After removing plastic burrs (flashes) the integrated Circuit including the leads from the outer frame of the lead frame stamped out and packed. The lead frame has at least two Functions based on the one hand the location of the integrated circuits while the encapsulation is fixed with plastic potting compound and secondly the electrical contacts of the integrated circuits are led outside. Therefore, the lead frame preferably highly conductive and have good solderability. In the prior art, the lead frame typically has a copper alloy.

Die oben beschriebenen Magnetfeldsensoren werden heutzutage zunehmend zur Erfassung immer höherer Frequenzen verwendet. Schaltsensoren für Antiblockiersysteme (ABS), Kurbel- oder Nockenwelle erfassen Magnetpulse bis etwa 10 kHz, wobei es mittelfristig vorgesehen ist, Zählraten von 50 kHz zu erreichen. Bei linearen integrierten Hallsensoren, die beispielsweise für eine elektronische Ventilsteuerung (EVALVE-Steuerungen) oder für eine berührungslose Messung von Strom vorgesehen sind, ist es ebenso wünschenswert, ähnlich hohe Frequenzen exakt zu erfassen.The magnetic field sensors described above are increasingly used to detect ever higher frequencies used. Switch sensors for Anti-lock braking systems (ABS), crankshafts or camshafts record magnetic pulses up to about 10 kHz, whereby it is provided in the medium term, count rates of 50 kHz. With linear integrated Hall sensors, for example for electronic valve control (EVALVE controls) or for non-contact measurement of current are provided, it is also desirable to have similar highs Record frequencies exactly.

Für hohe Frequenzen, d.h. über einer Frequenz von etwa 1 kHz, der zu messenden Magnetfelder bilden sich bei integrierten Hallsonden in allen leitfähigen Schichten der integrierten Schaltung, insbesondere im Siliziumsubstrat und im Anschlußleitungsrahmen, Wirbelströme aus.For high frequencies, i.e. about a frequency of about 1 kHz, the magnetic fields to be measured with integrated Hall probes in all conductive layers of the integrated Circuit, especially in the silicon substrate and in the lead frame, eddy currents out.

Die durch das angelegtes Hochfrequenz-Magnetfeld hervorgerufenen Wirbelströme erzeugen selbst wieder ein sekundäres Magnetfeld, das sich dem zu messenden Magnetfeld überlagert und einen dynamischen Fehler erzeugt.The by the applied high frequency magnetic field induced eddy currents generate a secondary magnetic field themselves, which superimposed magnetic field to be measured and generated a dynamic error.

Die oben beschriebene Beeinträchtigung kann als eine Spezialität von integrierten Magnetfeldsensoren angesehen werden, wobei unter Magnetfeldsensoren sämtliche Sensoren zu verstehen sind, die für ihre Funktion oder die Erweiterung ihrer Funktion ein Magnetfeld messen. Insbesondere umfassen Magnetfeldsensoren auch Stromsensoren, die einen Strom aufgrund des Magnetfelds, das von diesem erzeugt wird, messen, oder Positionssensoren, die die Position eines Elements über ein von der Position abhängiges Magnetfeld messen. Ferner können Magnetfeldsensoren auch eine Vorrichtung umfassen, die bei einer potentialfreien Datenübertragung mittels eines Magnetfelds verwendet wird, wobei Daten eines ersten Schaltkreises als Strom ein Magnetfeld erzeugen und von einem zum ersten Schaltkreis potentialfreien zweiten Schaltkreis erfaßt werden. Dies kann als das magnetische Analogon zum Optokoppler angesehen werden.The impairment described above can as a specialty be viewed by integrated magnetic field sensors, whereby under Magnetic field sensors all Sensors are to be understood that are relevant to their function or extension measure a magnetic field based on their function. In particular include magnetic field sensors also current sensors that detect a current due to the magnetic field that generated by this, measure, or position sensors, which the Position of an element above a position dependent one Measure magnetic field. Can also Magnetic field sensors also include a device that is used in a potential-free data transmission is used by means of a magnetic field, data from a first Circuit generate a magnetic field as current and from one to first circuit potential-free second circuit can be detected. This can be viewed as the magnetic analogue to the optocoupler become.

Magnetfeldsensoren können beispielsweise integrierte Hallsonden sein, die auf Magnetfeldkomponenten senkrecht zur Chipoberfläche reagieren, wie beispielsweise MAGFETs. Ferner können Magnetfeldsensoren auch Sensoren umfassen, die empfindlich auf Feldkomponenten parallel zur Chipoberfläche sind, wie beispielsweise GMR-Sensoren (Giant-magnetoresistive-Sensoren).Magnetic field sensors can for example integrated Hall probes that are perpendicular to magnetic field components to the chip surface react, such as MAGFETs. Magnetic field sensors can also Include sensors that are sensitive to field components in parallel to the chip surface such as GMR sensors (giant magnetoresistive sensors).

Derzeit ist es für spezielle Anwendungen zur Vermeidung von Wirbelstromeinflüssen bekannt, Gehäuseformen aus nichtmagnetischer Keramik vorzusehen, auf denen lediglich minimale Leiterbahnstrukturen aufgebracht sind. Dabei wird der Chip direkt auf das Keramiksubstrat geklebt, so daß aufgrund der kleinen Leiterbahnen lediglich geringe Wirbelstromeinflüsse auftreten können. Nachteilig dabei ist, daß ein derartiges Gehäuse sehr kostenaufwendig ist, was insbesondere bei einer Massenproduktion von entscheidender Bedeutung sein kann. Folglich werden diese Gehäuse lediglich für spezielle Anwendungen verwendet, wobei ein Keramikgehäuse für hochvolumige Produkte mit niedrigem Preis ökonomisch nicht vertretbar ist.It is currently used for special applications Avoiding eddy current influences known housing shapes made of non-magnetic ceramics, on which only minimal Conductor structures are applied. The chip is direct glued to the ceramic substrate so that due to the small conductor tracks only slight eddy current influences can occur. adversely is that a such housing is very expensive, which is particularly the case with mass production can be crucial. As a result, these housings only for special Applications used with a ceramic case for high volume products low price economically is not justifiable.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Konzept zu schaffen, um einen kostengünstigen Magnetfeldsensor zur genauen Erfassung von Hochfrequenz-Magnetfeldern zu ermöglichen.The object of the present invention is to create a concept to make an inexpensive Magnetic field sensor for the precise detection of high-frequency magnetic fields to enable.

Diese Aufgabe wird durch einen Anschlußleitrahmen gemäß Anspruch 1, einen Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 15 und einen Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 20 gelöst.This task is accomplished through a lead frame according to claim 1, a magnetic field sensor according to claim 15 and a magnetic field sensor according to claim 20 solved.

Die vorliegende Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß ein kostengünstiger und hochfrequenztauglicher Magnetfeldsensor dadurch realisiert werden kann, daß bei dem Magnetfeldsensor ein Chip-Träger verwendet werden kann, der aus einem leitfähigen Material gebildet ist, das im Gegensatz zu dem im Stand der Technik verwendeten Keramikmaterial preisgünstig ist, sofern Maßnahmen an dem Träger und/oder dem Magnetfeldsensor getroffen werden, um einen Wirbelstrom zu unterdrücken.The present invention is based on the knowledge that a cost-effective and high-frequency magnetic field sensor can be realized can that at the magnetic field sensor is a chip carrier can be used, which is formed from a conductive material, in contrast to the ceramic material used in the prior art inexpensive is provided measures on the carrier and / or the magnetic field sensor can be taken to create an eddy current to suppress.

Zum Reduzieren eines Einflusses der Wirbelströme weist der Träger für den Chip ein zusätzliches Merkmal auf, durch das ein durch die Wirbelströme hervorgerufenes Magnetfeld am Ort der Sonde geringer ist als bei dem Träger, der dieses zusätzliches Merkmal nicht aufweist. Dabei kann sowohl ein Einfluß von Magnetfeldkomponenten senkrecht zu der Chipoberfläche eines anzubringenden Chips als auch ein Einfluß einer Magnetfeldkomponente parallel zu der Chipoberfläche reduziert werden.To reduce an influence of the eddy currents points the carrier for the Chip an additional feature through which a magnetic field caused by the eddy currents at the location of the probe is less than that of the wearer who has this additional Feature does not have. Both the influence of magnetic field components perpendicular to the chip surface of a chip to be attached as well as an influence of a magnetic field component parallel to the chip surface be reduced.

Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß bei einer Herstellung die im Stand der Technik bekannten Herstellungsschritte und Einrichtungen verwendet werden können, wobei lediglich geringfügige zusätzliche Schritte, beispielsweise zum Erzeugen von Ausnehmungen in dem Träger, notwendig sind. Dadurch werden ein schneller Anlauf einer Produktion und geringe Kosten bei der Herstellung erreicht.An advantage of the present invention is that at a production the manufacturing steps known in the prior art and facilities can be used, with only minor additional Steps, for example to create recesses in the carrier, are necessary are. This means a quick start of a production and low Manufacturing costs reached.

Bei einem Ausführungsbeispiel ist der Träger ein Anschlußleitungsrahmen, bei dem eine Chipinsel eine oder mehrere Ausnehmungen aufweist. Eine Ausnehmung kann beispielsweise mittig auf der Chipinsel angeordnet sein, so daß in einem Bereich der Chipinsel, auf dem ein Chip befestigt wird, keine Wirbelströme auftreten können. Das Erzeugen einer solchen Ausneh mung kann auf eine einfache Weise erreicht werden, wodurch die Herstellungskosten gering gehalten werden können. Ferner kann der Anschlußleitungsrahmen ein kostengünstiges Material, wie beispielsweise Kupfer oder eine Kupferlegierung, aufweisen.In one embodiment, the carrier is a Lead frame, in which a chip island has one or more recesses. A recess can, for example, be arranged centrally on the chip island be so that in an area of the chip island on which a chip is attached, none Eddy currents occur can. The creation of such an exception can be done in a simple manner can be achieved, keeping the manufacturing costs low can be. Furthermore, the lead frame can cost-effective Have material such as copper or a copper alloy.

Ferner kann bei einem Ausführungsbeispiel eine oder mehrere längliche Ausnehmungen bzw. Schlitze auf der Chipinsel vorgesehen sein, die den Träger vollständig durchtrennen können, von einem seitlichen Umfang in den Träger hineinführen können, oder in einem Bereich innerhalb des Trägers angeordnet sein können. Ferner können auf einer Chipinsel mehrere unterschiedliche Ausnehmungen vorgesehen sein, um eine Struktur zur Reduzierung eines Wirbelstroms zu bilden. Beispielsweise kann zusätzlich zu einer mittig angeordneten großflächigen Ausnehmung mehrere längliche Ausnehmungen vorgesehen sein, die mit der großflächigen Ausnehmung verbunden sein können. Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Chipinsel eine Ausnehmung mit einem konvexen Umfang aufweisen, die beispielsweise durch eine erste Ausnehmung in der Mitte des Trägers, die beispielsweise ein Loch oder eine quadratische Ausnehmung umfassen kann, und länglichen Ausnehmungen gebildet wird, die sich von der ersten Ausnehmung in Richtung zu dem seitlichen Umfang des Trägers hin erstrecken. Dies weist den Vorteil auf, daß ein hoher Grad einer Unterdrückung von Wirbelströmen erreicht wird, wobei dennoch eine große mechanische Stabilität erreicht werden kann.Furthermore, in one embodiment one or more elongated Recesses or slots may be provided on the chip island the carrier Completely can sever, can lead into the carrier from a lateral circumference, or in an area inside the vehicle can be arranged. Further can several different recesses are provided on a chip island to form an eddy current reduction structure. For example, in addition several elongated to a centrally arranged large-area recess Recesses may be provided, which are connected to the large-area recess could be. In one embodiment the chip island can have a recess with a convex circumference, which, for example, by a first recess in the middle of the support which include, for example, a hole or a square recess can, and elongated Recesses is formed, which is in the first recess Extend towards the side circumference of the carrier. This indicates the advantage that a high degree of oppression reached by eddy currents being a big one mechanical stability can be achieved.

Vorzugsweise werden die länglichen Ausnehmungen angeordnet, um eine symmetrische Unterteilung des Trägers zu erreichen, wodurch der Einfluß aufgrund von Wirbelströmen auf eine effektive Weise reduziert wird.Preferably the elongated ones Recesses arranged to a symmetrical subdivision of the carrier achieve what the influence due to of eddy currents is reduced in an effective way.

Bei einem Ausführungsbeispiel können die länglichen Ausnehmungen ferner derart angeordnet sein, daß sich eine mäanderförmige Struktur in einem Bereich des Trägers ergibt. Vorzugsweise wird dieser Bereich dort gewählt, wo die Magnet feldsonde angeordnet werden soll. Das Vorsehen einer mäanderförmigen Struktur ermöglicht, daß ein Chip lediglich auf den dünn ausgebildeten Balken der Mäanderstruktur angeordnet werden kann, wodurch sich eine Verbesserung der mechanischen Zuverlässigkeit ergibt.In one embodiment, the elongated Recesses can also be arranged such that there is a meandering structure in an area of the carrier results. This range is preferably chosen where the magnetic field probe is to be arranged. The provision of a meandering structure enables the existence Chip only on the thin trained beams of the meandering structure can be arranged, resulting in an improvement in mechanical reliability results.

Der Anschlußleitungsrahmen kann ferner zur Reduzierung der Wirbelströme ein schlecht leitendes Material aufweisen. Der Bereich der Leitfähigkeit umfaßt vorzugsweise einen Bereich, dessen untere Grenze durch die Eigenleitfähigkeit des Halbleitermaterials des auf dem Anschlußleitungsrahmen angeordneten Chips und dessen obere Grenze durch die Leitfähigkeit von Kupfer oder einer Kupferlegierung gegeben ist. Beispielsweise kann ein spezifischer Widerstand des Anschlußleitungsrahmens höher als eine für Halbleiter typische Eigenleitfähigkeit von 10–3Ωcm sein. Bei einem Ausführungsbeispiel kann auch lediglich die Chipinsel ein schlecht leitendes Material aufweisen, so daß die restlichen Elemente des Anschlußleitungsrahmens, und insbesondere die Zuleitungen, eine hohe Leitfähigkeit aufweisen können.The lead frame may also have a poorly conductive material to reduce eddy currents. The range of conductivity preferably includes a range whose lower limit is given by the intrinsic conductivity of the semiconductor material of the chip arranged on the lead frame and whose upper limit is given by the conductivity of copper or a copper alloy. For example, a specific resistance of the lead frame can be higher than a typical intrinsic conductivity of 10 -3 Ωcm for semiconductors. In one embodiment, only the chip island can have a poorly conductive material, so that the remaining elements of the lead frame, and in particular the leads, can have a high conductivity.

Ferner kann zur Reduzierung der Wirbelströme der Träger für den Chip eine geringere Dicke als im Stand der Technik, beispielsweise geringer als 200 μm, aufweisen. Vorzugsweise kann auch eine Dicke der Chipinsel geringer als eine Dicke der Zuleitungen sein. Dadurch wird ermöglicht, daß der Träger einen hohen ohmschen Widerstand aufweist, während der elektrische Widerstand der Zuleitungen gering gehalten ist.Furthermore, the carrier for the chip can be used to reduce the eddy currents a smaller thickness than in the prior art, for example less than 200 μm, exhibit. The thickness of the chip island can also preferably be smaller than a thickness of the leads. This enables that the carrier has a high ohmic resistance, while the electrical resistance the supply lines are kept low.

Eine weitere Möglichkeit einer Reduzierung des Einflusses von Wirbelströmen kann bei einem Ausführungsbeispiel erreicht werden, indem der Chip mit der Magnetfeldsonde auf der Chipinsel exzentrisch angeordnet ist. Vorzugsweise wird die Sonde dabei in einer Position nahe an dem seitlichem Rand des Trägers angeordnet, bei der der Verlauf eines durch die Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfelds einen Nulldurchgang auf weist. Dies ermöglicht eine wirksame und sehr kostengünstige Reduzierung der Wirbelstromeinflüsse auf die Magnetfeldsonde.Another way of reducing the influence of eddy currents can in one embodiment can be achieved by using the chip with the magnetic field probe on the Chipinsel is arranged eccentrically. Preferably the probe arranged in a position close to the side edge of the carrier, in which the course of a magnetic field caused by the eddy currents has a zero crossing. This enables an effective and very inexpensive Reduction of eddy current influences the magnetic field probe.

Bei einem Ausführungsbeispiel eines Magnetfeldsensors gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Träger für den Chip ein Zwischensubstrat oder eine Schaltungsplatine umfassen, wobei der Chip mit der Magnetfeldsonde mittels einem oder mehreren Höckern auf dem Substrat oder der Schaltungsplatine befestigbar ist. Die Höcker ermöglichen sowohl die mechanische Befestigung des Chips auf dem Zwischensubstrat oder der Schaltungsplatine als auch ein elektrisches Verbinden von Anschlußflächen des Chips mit jeweils zugeordneten Anschlußbereichen des Substrats.In one embodiment of a magnetic field sensor according to the present invention, the carrier for the chip can comprise an intermediate substrate or a circuit board, the chip with the Ma gnetfeldsonde can be attached by means of one or more bumps on the substrate or the circuit board. The bumps enable both the mechanical fastening of the chip on the intermediate substrate or the circuit board and also an electrical connection of connection areas of the chip with respectively assigned connection areas of the substrate.

Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:Preferred embodiments of the present Invention are hereinafter made with reference to the accompanying drawings explained in more detail. It demonstrate:

1a eine schematische Darstellung eines Anschlußleitungsrahmens gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, bei dem eine Chipinsel eine kreisrunde Ausnehmung aufweist; 1a is a schematic representation of a lead frame according to an embodiment of the present invention, in which a chip island has a circular recess;

1b eine schematische Querschnittdarstellung des Anschlußleitungsrahmens gemäß 1a; 1b is a schematic cross-sectional view of the lead frame according to 1a ;

2 ein Schaubild zur Darstellung eines Verlaufs eines durch Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfelds in einem kreisrunden Träger; 2 a graph showing a course of a magnetic field caused by eddy currents in a circular support;

3 ein weiteres Schaubild zur Darstellung eines Verlaufs eines durch Wirbelströme in einem kreisrunden Träger hervorgerufenen Magnetfelds; 3 another diagram to show a course of a magnetic field caused by eddy currents in a circular support;

4 ein Schaubild zur Darstellung eines Verlaufs eines durch Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfelds in einem ringförmig ausgebildeten Träger; 4 a diagram showing a course of a magnetic field caused by eddy currents in a ring-shaped carrier;

5 eine schematische Darstellung eines Anschlußleitungsrahmens gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, bei dem eine Chipinsel eine kreisrunde Ausnehmung mit radial angeordneten Schlitzen aufweist; 5 is a schematic representation of a lead frame according to an embodiment of the present invention, in which a chip island has a circular recess with radially arranged slots;

6 eine schematische Darstellung eines Anschlußleitungsrahmens gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, bei dem eine Chipinsel einen mäanderförmig ausgebildeten Bereich aufweist; 6 is a schematic representation of a lead frame according to another embodiment of the present invention, in which a chip island has a meandering area;

7 eine schematische Darstellung eines Anschlußleitungsrahmens gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, bei dem eine auf einem Chip angeordnete Sonde bezüglich der Chipinsel exzentrisch angeordnet ist, wobei die Chipinsel ferner seitliche Ausnehmungen und rechtwinklig dazu angeordnete horizontale Schlitze aufweist; 7 is a schematic representation of a lead frame according to a further embodiment of the present invention, in which a probe arranged on a chip is arranged eccentrically with respect to the chip island, the chip island furthermore having lateral recesses and horizontal slots arranged at right angles thereto;

8a eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung, bei der Höcker zur Verbindung des Chips mit einem Träger vorgesehen sind; 8a is a schematic representation of another embodiment of the present invention, in which bumps are provided for connecting the chip to a carrier;

8b eine schematische Querschnittdarstellung des Ausführungsbeispiels von 8a; und 8b is a schematic cross-sectional view of the embodiment of 8a ; and

9 ein Schaubild, bei dem ein Verlauf eines durch Wirbelströme in Höckern hervorgerufenen Magnetfelds in Abhängigkeit von einer Entfernung zu den Höckern dargestellt ist. 9 a diagram in which a course of a magnetic field caused by eddy currents in bumps is shown as a function of a distance to the bumps.

Im folgenden wird unter Bezugnahme auf 1a ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt. 1a zeigt einen Anschlußleitungsrahmen 100, der eine Chipinsel 110 aufweist, die über zwei seitlich an der Chipinsel 110 angeordnete Stege 112a und 112b mit einem Außenrahmen 114 des Anschlußleitungsrahmens 110 verbunden sind. Ferner weist der Anschlußleitungsrahmen Zuleitungen (Pins) 116a–d auf, die an einer Innenseite des Außenrahmens 114 angeordnet sind. Die Zuleitungen erstrecken sich von der Innenseite des Außenrahmens 114 zu der Chipinsel 110 hin, wobei ein Ende der Zuleitung 116a, die als Massezuleitung verwendbar ist, mit der Chipinsel 110 verbunden ist. Der Anschlußleitungsrahmen ist leitfähig ausgebildet und weist vorzugsweise ein Metall, wie beispielsweise Kupfer, auf, das einerseits preisgünstig ist, und andererseits eine gute elektrische Leitfähigkeit der Zuleitungen und eine Wärmeankopplung eines auf der Chipinsel 110 aufzubringenden Chips ermöglicht. Wie es weiter unten näher erklärt wird, kann bei einem Ausführungsbeispiel der Anschlußleitungsrahmen unterschiedliche Materialien aufweisen, um für Teile desselben unterschiedliche Leitfähigkeit bereitzustellen.The following will refer to 1a explains an embodiment of the present invention. 1a shows a lead frame 100 who is a chip island 110 has two on the side of the chip island 110 arranged webs 112a and 112b with an outer frame 114 of the lead frame 110 are connected. Furthermore, the connection lead frame has supply lines (pins) 116a - d on that on an inside of the outer frame 114 are arranged. The supply lines extend from the inside of the outer frame 114 to the chip island 110 down with one end of the lead 116a , which can be used as a ground lead, with the chip island 110 connected is. The lead frame is conductive and preferably has a metal, such as copper, which is inexpensive on the one hand, and on the other hand has good electrical conductivity of the leads and a heat coupling on the chip island 110 chips to be applied. As will be explained in more detail below, in one embodiment the lead frame may have different materials to provide different conductivity for parts thereof.

Wie es in 1a gezeigt ist, sind bei den Zuleitungen 116a –d Trennbereiche 118a–d vorgesehen, in denen die Zuleitungen 116a–d durchtrennt werden können, um nach einer Befestigung des Chips auf der Chipinsel 110 und einem Vergießen der Anordnung die Chipinsel 110 mit dem darauf befestigten Chip und die Zuleitungen 116a–d von dem Außenrahmen 114 abzutrennen. Ferner sind bei den Stegen 112a und 112b Trennbereiche 120a und 120b zum Abtrennen der Chipinsel 110 von dem Außenrahmen 114 vorgesehen.Like it in 1a is shown are in the supply lines 116a - d separating regions 118a - d provided in which the feed lines 116a - d can be cut to after attaching the chip to the chip island 110 and potting the assembly the chip island 110 with the chip attached to it and the leads 116a - d from the outer frame 114 separate. Furthermore, the webs 112a and 112b separating regions 120a and 120b to separate the chip island 110 from the outer frame 114 intended.

Gemäß 1a weist die Chipinsel 110 ferner einen Chipaufnahmebereich 122 auf, auf dem ein Chip 124 mit einer Sonde 128 befestigbar ist. Der Chip 124 kann jeden bekannten Magnetfeldsensorchip umfassen und beispielsweise als Material Silizium aufweisen. Bei den beschriebenen Ausführungsbeispie len weist der Chip 124 eine quadratische Form auf, wobei derselbe jedoch nicht darauf beschränkt ist und jede andere Form umfassen kann. Wie es ferner in 1a zu erkennen ist, weist der Chip 124 eine Anschlußfläche 134 auf, die über einen Draht 136 mit der Zuleitung 116b verbunden ist. Obwohl in 1a lediglich eine Anschlußfläche gezeigt ist, weist der Chip 124 typischerweise mehrere Anschlußflächen auf, die jeweils mit den zugeordneten Zuleitungen verbunden sind.According to 1a points the chip island 110 also a chip receiving area 122 on which a chip 124 with a probe 128 is attachable. The chip 124 can comprise any known magnetic field sensor chip and can have silicon as the material, for example. In the described Ausführungsbeispie len the chip 124 a square shape, but is not limited to, and may include any other shape. As further stated in 1a the chip shows 124 a pad 134 on that over a wire 136 with the supply line 116b connected is. Although in 1a only one pad is shown, the chip 124 typically a plurality of pads, each of which is connected to the associated leads.

Zur erfindungsgemäßen Reduzierung von Wirbelstromeinflüssen weist die Chipinsel 110 eine Ausnehmung 126 auf, die bei diesem Ausführungsbeispiel ein kreisrundes Loch umfaßt. Die Lage und der Durchmesser der Ausnehmung 126 ist bei diesem Ausführungsbeispiel so gewählt, daß der Umfang der Ausnehmung 126 den Rand des Chipaufnahmebereichs 122 berührt. Dadurch entstehen in dem Chipaufnahmebereich 122 vier Segmente, die nach einem Befestigen des Chips 124 denselben tragen. Zum Befestigen des Chips kann ein Haftmittel, wie beispielsweise ein Kleber, verwendet werden, das als Klebepunkte 132 punktförmig in den jeweiligen Segmenten des Chipaufnahmebereichs 122 aufgebracht wird. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel wird die kreisrunde Ausnehmung 126 aus der Mitte der Chipinsel 110 herausgestanzt, wobei jedes bekannte Verfahren, wie beispielsweise ein Ätzen, zum Erzeugen der Ausnehmung verwendet werden kann.In order to reduce eddy current influences according to the invention, the chip island has 110 a recess 126 on, which in this embodiment comprises a circular hole. The location and diameter of the recess 126 is chosen in this embodiment so that the circumference of the recess 126 the edge of the chip receiving area 122 touched. This creates in the chip receiving area 122 four segments after attaching the chip 124 wear the same. Can be used to attach the chip an adhesive such as an adhesive can be used as the glue dots 132 punctiform in the respective segments of the chip receiving area 122 is applied. In the embodiment shown, the circular recess 126 from the middle of the chip island 110 punched out, any known method, such as etching, can be used to produce the recess.

Der Chip 124 wird vorzugsweise bezüglich der kreisrunden Ausnehmung 126 derart plaziert, daß eine auf dem Chip 124 angeordnete Magnetfeldsonde direkt über dem Mittelpunkt der kreisrunden Ausnehmung 126 angeordnet ist. Dadurch ist der Sensor maximal weit von dem umgebenden leitfähigen Material entfernt. Dies ermöglicht, daß die Magnetfeldsonde eine minimale Beeinflussung durch Wirbelströme 130 erfährt, die in der Chipinsel 110 aufgrund eines zu messenden Magnetfelds erzeugt werden.The chip 124 is preferably with respect to the circular recess 126 placed so that one on the chip 124 arranged magnetic field probe directly above the center of the circular recess 126 is arranged. As a result, the sensor is at a maximum distance from the surrounding conductive material. This enables the magnetic field probe to be minimally affected by eddy currents 130 experienced that in the chip island 110 are generated based on a magnetic field to be measured.

Obwohl die Ausnehmung 126 bei diesem Ausführungsbeispiel eine kreisrunde Form aufweist, kann dieselbe auch andere Formen, beispielsweise ein rechteckige Form, aufweisen. Dabei ist zu beachten, daß auf der Chipinsel 110 genügend Platz verbleibt, um den Chip 124 an seinen Ecken an die Chipinsel 110 zu kleben, ohne daß ein Kleber von der Chipunterseite hervorquillt. Bei anderen Ausführungsbeispielen kann auch eine kreisrunde Ausnehmung 126 mit einem Durchmesser vorgesehen sein, der kleiner als eine Breite des Chips 124 ist, um das Hervorquellen des Klebers zu vermeiden.Although the recess 126 has a circular shape in this exemplary embodiment, it can also have other shapes, for example a rectangular shape. It should be noted that on the chip island 110 enough space remains around the chip 124 at its corners to the chip island 110 to glue without an adhesive spilling out from the bottom of the chip. In other exemplary embodiments, a circular recess can also be used 126 be provided with a diameter that is smaller than a width of the chip 124 to prevent the glue from swelling.

Da die Chipinsel 110 rund um den Chip herum geschlossen ist, können sich in der Chipinsel 110 Wirbelstromschleifen 130 zwar ausbilden, wodurch zwar ein sekundäres Magnetfeld erzeugt wird, das jedoch geringer als ein durch Wirbelströme erzeugtes Magnetfeld ist, das sich für den Fall einer Chipinsel ohne Ausnehmung ergibt. Da der Chip eine endliche Dicke von beispielsweise bis zu 0,7 mm aufweisen kann, sind prinzipiell auch Feldkomponenten parallel zur Chipoberfläche vorhanden, die kleiner als jene senkrecht zur Chipoberfläche sind. Diese können Sensoren, die empfindlich auf Feldkomponenten parallel zur Chipoberfläche sind, wie beispielsweise GMR-Sensoren (GMR-Sensor = Giant-magneto-resistiver Sensor), beeinflussen. Auch für diese Sensoren wird erfindungsgemäß durch das Reduzieren der Wirbelströme eine Verminderung der Beeinflussung gegenüber einer bekannten Chipinsel erreicht. Folglich stellt die in der Chipinsel 110 bereitgestellte Ausnehmung 126 ein konstruktives Merkmal zum Reduzieren eines Einflusses der Wirbelströme auf die Magnetfeldsonde 128 bezogen auf eine Chipinsel, die das konstruktive Merkmal nicht aufweist.Because the chip island 110 closed around the chip can be in the chip island 110 Eddy current loops 130 form, whereby a secondary magnetic field is generated, which is, however, less than a magnetic field generated by eddy currents, which results in the case of a chip island without a recess. Since the chip can have a finite thickness of up to 0.7 mm, for example, there are in principle field components parallel to the chip surface that are smaller than those perpendicular to the chip surface. These can influence sensors that are sensitive to field components parallel to the chip surface, such as GMR sensors (GMR sensor = giant magneto-resistive sensor). For these sensors as well, according to the invention, by reducing the eddy currents, the influence is reduced compared to a known chip island. As a result, that puts in the chip island 110 provided recess 126 a design feature to reduce the influence of eddy currents on the magnetic field probe 128 related to a chip island that does not have the constructive feature.

Zur Verdeutlichung des Ausführungsbeispiels von 1a ist in 1b ein Querschnitt des Anschlußleitungsrahmens 100 dargestellt. Der Querschnitt ist entlang einer parallel zu einer Seitenkante der Chipinsel 110 verlaufenden Linie entnommen, die sich durch die Mitte der Chipinsel 110 er streckt. Wie es zu erkennen ist die Chipinsel 110 zwischen den jeweiligen Abschnitten des Außenrahmens 114 angeordnet. Auf der Chipinsel 110 ist der Chip 124 befestigt, der über der Ausnehmung 126 angeordnet, so daß die Sonde 128 zentral bezüglich der Ausnehmung 124 angeordnet ist.To illustrate the embodiment of 1a is in 1b a cross section of the lead frame 100 shown. The cross section is along a parallel to a side edge of the chip island 110 running line taken through the center of the chip island 110 he stretches. As you can see it is the chip island 110 between the respective sections of the outer frame 114 arranged. On the chip island 110 is the chip 124 attached that over the recess 126 arranged so that the probe 128 central to the recess 124 is arranged.

Zur Erzeugen eines Magnetfeldsensors kann die oben beschriebene Anordnung auf die bekannte Weise mit einer Vergußmasse umspritzt werden, so daß dieselbe weitgehend von Umwelteinflüssen geschützt ist, woraufhin die Chipinsel mit den Zuleitungen von dem Außenrahmen 114 des Anschlußleitungsrahmens freigestanzt wird. Dadurch entsteht ein Magnetfeldsensor, bei dem die Zuleitungen über die Vergußmasse mit der Chipinsel mechanisch gekoppelt sind. Dabei sind die Zuleitungen mit Ausnahme der Masse-Zuleitung elektrisch von der Chipinsel isoliert.To generate a magnetic field sensor, the arrangement described above can be encapsulated in the known manner with a casting compound, so that it is largely protected from environmental influences, whereupon the chip island with the leads from the outer frame 114 of the lead frame is punched out. This creates a magnetic field sensor in which the feed lines are mechanically coupled to the chip island via the sealing compound. The leads, with the exception of the ground lead, are electrically isolated from the chip island.

Im folgenden wird zur Verdeutlichung der durch die Ausnehmung 126 erzeugten Reduktion des Wirbelstromeinflusses unter Bezugnahme auf die 2–4 Berechnungen des Erfinders hinsichtlich eines durch Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfelds in einem Träger erläutert. Zur Berechnung wurden dabei idealisierte Träger angenommen, wobei sich die Schaubilder gemäß 2 und 3 auf einen scheibenförmigen Träger beziehen, während sich das Schaubild gemäß 4 auf einen ringförmigen Träger bezieht.The following is used to illustrate the through the recess 126 generated eddy current influence reduction with reference to the 2 - 4 Calculations by the inventor with regard to a magnetic field caused by eddy currents in a carrier explained. Idealized carriers were assumed for the calculation, the diagrams according to 2 and 3 refer to a disc-shaped carrier, while the diagram according to 4 relates to an annular support.

2 zeigt den Verlauf eines durch Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfelds bei einem scheibenförmigen Träger. In dem Schaubild ist auf der x-Achse eine radiale Position eines Magnetfeldsensors, normiert auf den Radius des kreisförmigen Trägers, aufgetragen. Eine y-Achse des Schaubilds stellt einen Imaginärteil einer durch Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfeldkomponente senkrecht zu dem Träger dar. Die Einheiten sind auf eine Feldstärke des Magnetfelds bezogen, das die Wirbelströme erzeugt. 2 shows the course of a magnetic field caused by eddy currents in a disk-shaped carrier. A radial position of a magnetic field sensor, normalized to the radius of the circular carrier, is plotted on the x-axis in the diagram. A y-axis of the diagram represents an imaginary part of a magnetic field component caused by eddy currents perpendicular to the carrier. The units are related to a field strength of the magnetic field that generates the eddy currents.

Für den Träger wurde eine Kupferlegierung mit einer Leitfähigkeit von 50 MS/m angenommen, wobei die Dicke des Trägers 200 μm und sein Durchmesser 5 mm beträgt. Das in der Figur dargestellte wirbelstrominduzierte Magnetfeld entspricht dem Magnetfeld in einer Höhe von 230 μm über dem Träger, wobei zur Berechnung ein wirbelstromerzeugendes Magnetfeld mit einer Frequenz von 1 kHz angenommen wurde. Die Höhe von 230 μm über dem Träger ist realitätsnah gewählt, da ein Siliziumchip und ein zur Befestigung benötigter Kleber typischerweise eine Gesamtdicke von etwa 230 μm aufweisen.For the carrier a copper alloy with a conductivity of 50 MS / m was assumed, where the thickness of the carrier 200 μm and its diameter is 5 mm. The eddy current-induced magnetic field shown in the figure corresponds the magnetic field at a height of 230 μm above the Carrier, where an eddy current generating magnetic field with a Frequency of 1 kHz was assumed. The height of 230 μm above the carrier is chosen realistically because a silicon chip and an adhesive typically required for attachment a total thickness of about 230 μm exhibit.

Da die Wirbelströme in erster Näherung eine Phasenverschiebung von –90° gegenüber dem angelegten Magnetfeld aufweisen, ergibt sich ein rein imaginäres wirbelstromerzeugtes Sekundärfeld, weshalb zur Darstellung dieses Sekundärfelds in dem Schaubild von 2 auf der y-Achse der Imaginärteil aufgetragen ist.Since the eddy currents in a first approximation have a phase shift of -90 ° with respect to the applied magnetic field, a purely imaginary eddy current-generated secondary field results, which is why this secondary field is shown in the diagram of 2 the imaginary part is plotted on the y-axis.

Wie es zu erkennen ist, verursachen die Wirbelströme in dem Chip einen Magnetfeldverlauf, dessen Betrag einen maximalen Wert von etwa 4 % des angelegten Magnetfelds in der Mitte des Trägers aufweist, so daß sich ein maximaler Fehler dieser Größenordnung ergibt. Gemäß dem Schaubild nimmt der Betrag des wirbelstromerzeugten Magnetfelds mit zunehmendem Abstand von der Mitte des scheibenförmigen Trägers stetig ab, wobei sich bei einem radialen Abstand, der etwa dem 0,9-fachen des Radius a des Trägers entspricht, ein Nulldurchgang des Verlaufs ergibt. Daraufhin steigt das Magnetfeld bis zu einem Maximalwert bei einer Position von etwa dem 1,05-fachen des Radius a an und nähert sich mit zunehmendem Abstand dem Wert Null an. Folglich ist es bei dem kreisrunden Träger vorteilhaft, die Magnetfeldsonde in einem Bereich des Nullfelddurchgangs, beispielsweise in dem radialen Bereich, der größer als das 0,6-fache des Radius des Trägers ist, und besonders bevorzugt in dem radialen Bereich, der größer als das 0,8-fache des Radius des Trägers ist, zu plazieren. Dies läßt sich auf andere Formen des Trägers verallgemeinern, dahingehend, daß es vorteilhaft ist, die Sonde in der Nähe einer Kante des Trägers und besonders vorteilhaft in der Näher einer Ecke zu plazieren.As can be seen, the eddy currents cause a magnetic field profile in the chip, the magnitude of which has a maximum value of approximately 4% of the applied magnetic field in the center of the carrier, so that there is a maximum error of this magnitude. According to the diagram, the magnitude of the eddy current-generated magnetic field decreases steadily with increasing distance from the center of the disk-shaped carrier, with a radial distance, which corresponds approximately to 0.9 times the radius a of the carrier, resulting in a zero crossing of the course. The magnetic field then rises to a maximum value at a position approximately 1.05 times the radius a and approaches the value zero with increasing distance. Consequently, it is advantageous in the case of the circular carrier to place the magnetic field probe in a region of the zero field crossing, for example in the radial region which is greater than 0.6 times the radius of the carrier, and particularly preferably in the radial region which is larger than that 0.8 times the radius of the beam is to be placed. This can be generalized to other forms of the carrier in that it is advantageous to place the probe near an edge of the carrier and particularly advantageously near a corner.

3 zeigt eine weitere Berechnung eines aufgrund eines scheibenförmigen Trägers erzeugten Wirbelstromfelds, wobei im Gegensatz zu 2 bei der Berechnung eine Frequenz von 10 kHz sowie ein Abstand von 300 μm über dem kreisrunden Träger angenommen wurde. Für den Träger wurde eine Kupferlegierung mit einer Leitfähigkeit von 50 MS/m angenommen, wobei die Dicke des Trägers 200 μm und sein Durchmesser 5 mm beträgt. 3 shows a further calculation of an eddy current field generated on the basis of a disk-shaped carrier, in contrast to 2 a frequency of 10 kHz and a distance of 300 μm above the circular carrier were assumed in the calculation. A copper alloy with a conductivity of 50 MS / m was assumed for the carrier, the thickness of the carrier being 200 μm and its diameter being 5 mm.

In dem Schaubild von 3 ist auf der x-Achse der radiale Abstand in mm aufgetragen. Ferner ist bei diesem Schaubild auf der y-Achse ein Betrag des wirbelstrominduzierten Magnetfelds, normiert auf das angelegte Magnetfeld, aufgetragen.In the diagram of 3 the radial distance in mm is plotted on the x-axis. Furthermore, an amount of the eddy current-induced magnetic field, normalized to the applied magnetic field, is plotted on the y-axis.

Entsprechend zu dem in 2 gezeigten Schaubild weist auch hier der Betrag des wirbelstrominduzierten Magnetfelds einen maximalen Wert für r = 0 mm, d. h. in der Mitte des kreisförmigen Trägers, auf. Der Maximalwert beträgt hier etwa 36 des angelegten Magnetfelds. Dieser Maximalwert ist im Vergleich zu dem in 2 gezeigten Maximalwert wesentlich höher, was auf die um einen Faktor 10 höhere Frequenz zurückzuführen ist.Corresponding to that in 2 The diagram shown here also has the magnitude of the eddy current-induced magnetic field a maximum value for r = 0 mm, ie in the middle of the circular support. The maximum value here is approximately 36 of the magnetic field applied. This maximum value is compared to that in 2 shown maximum value much higher, which is due to the frequency higher by a factor of 10.

Analog zu dem in 2 gezeigten Schaubild nimmt der Betrag des wirbelstrominduzierten Magnetfelds mit zunehmendem Abstand von der Mitte des Trägers ab, wobei ein Minimum, das dem Nulldurchgang von 2 entspricht, bei einem Abstand von etwa 2,2 mm auftritt. Daraufhin steigt der Verlauf bis zu einem lokalen Maximum bei einem Abstand von etwa 2,6 mm von der Mitte an und fällt daraufhin mit zunehmendem Abstand stetig ab.Analogous to that in 2 The graph shown decreases the amount of the eddy current-induced magnetic field with increasing distance from the center of the carrier, a minimum being the zero crossing of 2 corresponds, occurs at a distance of about 2.2 mm. The course then rises to a local maximum at a distance of approximately 2.6 mm from the center and then decreases steadily as the distance increases.

4 zeigt im Gegensatz dazu einen Verlauf eines Magnetfelds für einen ringförmigen Träger. Der ringförmige Träger weist einen Außendurchmesser von 5 mm und einen Innendurchmesser von 4 mm auf. Der bei der Berechnung des Schaubilds von 4 verwendete ringförmige Träger weist die gleiche Dicke und Leitfähigkeit wie der zur Berechnung des Schaubilds von 3 angenommene Träger auf. Ferner ist auch die Frequenz des Magnetfelds und der Abstand über dem Träger, für den der Verlauf des Magnetfelds berechnet wurde, entsprechend zu dem Schaubild von 3 gewählt, so daß ein Vergleich der durch die beiden Träger hervorgerufenen Einflüsse auf einen Magnetfeldsensor ermöglicht ist. 4 in contrast shows a course of a magnetic field for an annular carrier. The ring-shaped carrier has an outer diameter of 5 mm and an inner diameter of 4 mm. The one when calculating the graph of 4 The annular support used has the same thickness and conductivity as that used to calculate the graph of 3 accepted carriers. Furthermore, the frequency of the magnetic field and the distance above the carrier for which the course of the magnetic field has been calculated also correspond to the graph of 3 selected so that a comparison of the influences caused by the two carriers on a magnetic field sensor is made possible.

Wie es in 4 zu erkennen ist, weist das Magnetfeld in der Mitte des Rings, d. h. bei r = 0, einen Wert von etwa 9,5 des angelegten Magnetfelds auf. Vergleicht man diesen Wert mit dem in 3 vorliegenden Wert von 36%, so ergibt sich in der Mitte eine Reduktion um einen Faktor 3,8. Im Gegensatz zu dem Verlauf der in den 2 und 3 gezeigten Schaubilder entspricht der Wert des Magnetfelds in der Mitte nicht dem maximalen Wert.Like it in 4 can be seen, the magnetic field in the middle of the ring, ie at r = 0, has a value of approximately 9.5 of the applied magnetic field. If you compare this value with that in 3 present value of 36%, there is a reduction in the middle by a factor of 3.8. Contrary to the course of the in the 2 and 3 In the diagrams shown, the value of the magnetic field in the middle does not correspond to the maximum value.

Wie es zu erkennen ist, steigt der Verlauf des Betrags des Magnetfelds mit zunehmendem Abstand von der Mitte an und nimmt bei einem radialen Abstand von etwa dem 0,75-fachen des äußeren Radius ra2 des ringförmigen Trägers einen Maximalwert von etwa 16% des angelegten Magnetfelds an. Daraufhin nimmt der Magnetfeldbetrag stark ab und weist bei einem radialen Abstand von etwa dem 0,95-fachen des äußeren Radius das durch den Nullfelddurchgang hervorgerufene Minimum auf. Im weiteren Verlauf steigt der Magnetfeldbetrag wieder bis zu einem lokalen Maximum von etwa 6% des angelegten Magnetfelds an, wobei dieses Maximum bei einer Position außerhalb des Trägers, d.h. genauer bei etwa dem 1,05-fachen des äußeren Radius des Trägers, erreicht wird. Daraufhin fällt der Kurvenverlauf ab, um sich mit zunehmendem Abstand von der Mitte dem Wert 0 anzunähern.As can be seen, the Course of the amount of the magnetic field with increasing distance from center and increases at a radial distance of approximately 0.75 times of the outer radius ra2 of the annular carrier a maximum value of about 16% of the applied magnetic field. thereupon the amount of magnetic field decreases sharply and points at a radial one Distance of about 0.95 times the outer radius through the Minimum field crossing caused minimum. In the further course the amount of magnetic field increases again to a local maximum of about 6% of the applied magnetic field, this maximum in a position outside the carrier, i.e. more precisely at about 1.05 times the outer radius of the carrier becomes. Then falls the curve starts to decrease with increasing distance from the center approach the value 0.

Quantitativ kann man für mäßige Frequenzen, d. h. in dem Frequenzbereich, in dem Wirbelstromeffekte gerade einzusetzen beginnen, das Feld in der Mitte des rotationssymmetrischen Trägers auf die folgende Weise beschreiben:

Figure 00160001
For moderate frequencies, ie in the frequency range in which eddy current effects are just beginning to occur, the field in the center of the rotationally symmetrical carrier can be described quantitatively in the following way:
Figure 00160001

Bei der obigen Formel ist r der radiale Abstand des Aufpunkts von der Mitte des Trägers, z die Höhe des Aufpunkts über dem Träger, j die imaginäre Einheit, ω die Kreisfrequenz des Magnetfelds, μ0 die Permeabilitätskonstante, σ die spezifische Leitfähigkeit des Trägermaterials, h die Dicke des Trägers, B0 die Amplitude des angelegten, d. h. des zu messenden externen Magnetfelds, ra der Außenradius und ri der Innenradius des scheibenförmigen Trägers. Für kleine Abstände z kann man dies annähern durch

Figure 00160002
In the above formula, r is the radial distance of the point from the center of the carrier, z the height of the point above the carrier, j the imaginary unit, ω the angular frequency of the magnetic field, μ 0 the permeability constant, σ the specific conductivity of the carrier material, h the thickness of the support, B 0 the ampli tude of the applied, ie of the external magnetic field to be measured, r a the outer radius and r i the inner radius of the disk-shaped carrier. For small distances z one can approximate this by
Figure 00160002

Daraus ist zu erkennen, daß der durch Wirbelströme verursachte Fehler in der Magnetfeldmessung um so kleiner wird, je geringer die Differenz des Außenradius und des Innenradius wird, d.h. je weniger Material von dem Träger übrig bleibt. Ferner ist auch der Einfluß der Frequenz zu erkennen, der sich insbesondere bei dem Vergleich der Maximalwerte gemäß den Schaubildern von 2 und 3 bemerkbar macht. Folglich wird durch eine Ausnehmung in dem Träger ein Magnetfeld in der Mitte reduziert, so daß hier die Mitte des Trägers eine bevorzugte Position zum Anordnen der Sonde ist. Weiter ist hier auch die Position des Nullfelddurchgangs eine bevorzugte Position zur Anordnung der Sonde, da im Vergleich zu einem massiv ausgebildeten Träger das sekundäre Magnetfeld reduziert ist.From this it can be seen that the error in the magnetic field measurement caused by eddy currents becomes smaller the smaller the difference between the outer radius and the inner radius becomes, ie the less material remains from the carrier. The influence of the frequency can also be seen, which is particularly evident when comparing the maximum values according to the graphs of 2 and 3 noticeable. Consequently, a recess in the carrier reduces a magnetic field in the center, so that here the center of the carrier is a preferred position for arranging the probe. Furthermore, the position of the zero field crossing is also a preferred position for arranging the probe, since the secondary magnetic field is reduced in comparison to a solidly designed carrier.

Nachdem im vorherigen ein Vergleich zwischen einem Träger mit Ausnehmung (ringförmiger Träger) und einem Träger ohne Ausnehmung (scheibenförmiger Träger durchgeführt wurde, werden im folgenden unter Bezugnahme auf die 5 bis 7 weitere Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung als eine Weiterbildung des Ausführungsbeispiels gemäß Fig.la erklärt. Dabei sind gleichartige Elemente in den verschiedenen Ausführungsbeispielen jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen.After a comparison between a carrier with a recess (ring-shaped carrier) and a carrier without a recess (disc-shaped carrier) has been carried out in the following, reference is made to the following 5 to 7 further embodiments of the present invention explained as a development of the embodiment according to Fig.la. Elements of the same type in the various exemplary embodiments are each provided with the same reference symbols.

Unter Bezugnahme auf 5 weist ein Anschlußleitungsrahmen 200 die Chipinsel 110 auf, die im Unterschied zu dem Anschlußleitungsrahmen 100 von 1a bei diesem Ausführungsbeispiel eine kreisförmige Ausnehmung 210 und Schlitze 212a–d aufweist. Ferner weist die Ausnehmung 210 in Bezug auf die Ausnehmung 126 des Anschlußrahmens 100 einen geringeren Durchmesser auf. Obwohl bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel eine kreisrunde Ausnehmung 210 beschrieben wurde, können bei anderen Ausführungsbeispielen auch andere Formen der Ausnehmung 210, beispielsweise eine ovale Form, vorgesehen sein.With reference to 5 has a lead frame 200 the chip island 110 on, in contrast to the lead frame 100 of 1a in this embodiment, a circular recess 210 and slots 212a - d having. Furthermore, the recess has 210 in terms of the recess 126 of the lead frame 100 a smaller diameter. Although in the embodiment described above, a circular recess 210 other forms of recess can be described in other embodiments 210 , for example an oval shape.

Die Schlitze 212a–d sind rechtwinklig zueinander angeordnet, wobei sich die Schlitze 212a–c jeweils von dem seitlichen Umfang der Ausnehmung 210 radial zu den jeweiligen Seitenkanten der Chipinsel 110 erstrecken. Im Unterschied zu den Schlitzen 212a–c erstreckt sich der Schlitz 212d lediglich bis zu einem gewissen Abstand zu einer Seitenkante der Chipinsel 110. Die Schlitze 212a–d unterteilen die Chipinsel 110 in vier Segmente 214a–d, wobei die Segmente 214c und 214d aufgrund dessen, daß der Schlitz 212d sich nicht vollständig zu der Seitenkante erstreckt, zusammenhängend sind. Die Segmente 214a und 214b werden über die Stege 112a und 112b von dem Außenrahmen 114 gehalten. Ferner ist das Segment 214b über die Massezuleitung 116a mit dem Außenrahmen des Anschlußleitungsrahmens 200 verbunden.The slots 212a - d are arranged at right angles to each other, with the slots 212a - c each from the lateral circumference of the recess 210 radial to the respective side edges of the chip island 110 extend. In contrast to the slots 212a - c the slot extends 212d only up to a certain distance from one side edge of the chip island 110 , The slots 212a - d subdivide the chip island 110 in four segments 214a - d , with the segments 214c and 214d due to the fact that the slot 212d does not extend completely to the side edge, are contiguous. The segments 214a and 214b are over the webs 112a and 112b from the outer frame 114 held. Furthermore, the segment 214b about the ground lead 116a with the outer frame of the lead frame 200 connected.

Ein Vorteil dieses Ausführungsbeispiels besteht darin, daß Wirbelströme mit großem Radius, die um den Chip herum laufen, unterbunden werden. Es bilden sich lediglich in jedem der Segmente 214a–d Wirbelströme 216 mit geringerem Radius aus. Jeder der Wirbelströme weist jedoch einen Mittelpunkt auf, der von der in der Mitte der Chipinsel 110 angeordneten Magnetfeldsonde entfernt ist, so daß sich durch die Wirbelströme sämtlicher Segmente am Ort der Magnetfeldsonde ein sehr geringes Gesamtmagnetfeld ausbildet.An advantage of this embodiment is that large radius eddy currents that travel around the chip are eliminated. They only form in each of the segments 214a - d eddy currents 216 with a smaller radius. However, each of the eddy currents has a center that is in the center of the chip island 110 arranged magnetic field probe is removed, so that a very low total magnetic field is formed by the eddy currents of all segments at the location of the magnetic field probe.

Es sei an dieser Stelle bemerkt, daß die Schlitze bei anderen Ausführungsbeispielen auf eine vielfältige Art und Weise angeordnet sein können und eine Vielzahl von Ausgestaltungen annehmen können. Insbesondere kann bei Ausführungsbeispielen die Ausnehmung 210 gänzlich entfallen, so daß die Chipinsel 110 lediglich die Schlitze zur Reduzierung des Magnetfelds aufweist.It should be noted at this point that the slots in other exemplary embodiments can be arranged in a variety of ways and can take a variety of configurations. In particular, the recess can be in embodiments 210 completely eliminated, so that the chip island 110 only has the slots for reducing the magnetic field.

Die Schlitze können ferner so ausgebildet sein, daß die Chipinsel 110 vollständig in Einzelteile zerfällt, so daß die einzelnen Teile derselben vor dem Umspritzen mit Vergußmasse nur noch durch den Außenrahmen 114 zusammengehalten werden. Nach dem Umspritzen hält die Vergußmasse die abgetrennten Teile des Anschlußleitungsrahmens zusammen, so daß der Außenrahmen auf die herkömmliche Weise abgetrennt werden kann.The slots can also be designed so that the chip island 110 completely disintegrates into individual parts, so that the individual parts of the same only have to be potted with potting compound through the outer frame 114 be held together. After the encapsulation, the sealing compound holds the separated parts of the lead frame together, so that the outer frame can be separated in the conventional manner.

Bei einem Ausführungsbeispiel kann sich beispielsweise jeder der Schlitze von der Ausnehmung 210 zu einer jeweiligen Seitenkante der Chipinsel 110 erstrecken, so daß die Chipinsel 110 vollständig abgetrennte Segmente aufweist. Dabei muß jedes der Segmente mit dem Außenrahmen 114 verbunden sein, um von demselben getragen zu werden. Ferner kann sich ein oder mehrere Schlitze von einer seitlichen Außenkante der Chipinsel zu der Ausnehmung 210 hin erstrecken, ohne mit derselben verbunden zu sein. Ferner können ein Schlitz auch derart angeordnet sein, daß dieselben weder mit der Ausnehmung 210 noch mit einer seitlichen Außenkante der Chipinsel 110 verbunden sind.In one embodiment, for example, each of the slots can protrude from the recess 210 to a respective side edge of the chip island 110 extend so that the chip island 110 has completely separated segments. Each of the segments must be with the outer frame 114 connected to be carried by it. Furthermore, one or more slots can extend from a lateral outer edge of the chip island to the recess 210 extend without being connected to it. Furthermore, a slot can also be arranged in such a way that they do not match the recess 210 still with a lateral outer edge of the chip island 110 are connected.

Vorzugsweise sind die Schlitze derart vorzusehen, daß sie den Wirbelstromverlauf maximal behindern bzw. unterbrechen, beispielsweise indem die Schlitze senkrecht zu den Wirbelströmen angeordnet werden, die sich in einer Chipinsel, die die Schlitze nicht aufweist, ausbilden.The slots are preferably such to provide them maximally hinder or interrupt the eddy current course, for example by arranging the slots perpendicular to the eddy currents that are in a chip island that does not have the slots.

Ein besonders bevorzugtes Verfahren zum Erzeugen der Schlitze wird im folgenden erklärt. Die Schlitze werden dabei so angeordnet, daß die größten, schädlichsten Schleifen der Wirbelstromverteilung in dem Träger geöffnet werden, so daß sich nur noch kleinere Schleifen bilden können, die zudem noch möglichst weit weg von der Sonde liegen sollen. Für die exakte Geometrie gibt es unzählige Varianten, die vorzugsweise auf die folgende Weise erzeugt werden: Man setze einen Schnitt, der die größtmögliche Leiterschleife in Träger in zwei möglichst symmetrische Teile auftrennt. Das Verfahren läßt sich mit den verbleibenden größtmöglichen Leiterschleifen iterativ wiederholen und somit beliebig verfeinern. Dabei ist zu beachten, daß dieses Verfahren lediglich funktioniert, wenn die Sonde auf Magnetfelder reagiert, die senkrecht zu der Trägerebene, d. h. der Chipebene, sind.A particularly preferred method of creating the slots is explained below. The slots are arranged so that the largest, most harmful loops of the eddy current distribution are opened in the carrier, so that only smaller loops can be formed, which should also be as far away from the probe as possible. There are countless variants for the exact geometry, which are preferably based on the following way are generated: Make a cut that separates the largest possible conductor loop in the carrier into two parts that are as symmetrical as possible. The process can be repeated iteratively with the remaining largest possible conductor loops and thus refined as desired. It should be noted that this method only works if the probe reacts to magnetic fields that are perpendicular to the carrier plane, ie the chip plane.

Neben der oben erklärten Wirbelstromthematik weist das oben erklärte Ausführungsbeispiel einen Vorteil hinsichtlich mechanischer Verspannungen des Chips in dem Gehäuse auf, da die Chipinsel in Einzelteile zerfällt und sich die mechanische Spannung lediglich über einen Bruchteil, d. h. für das Ausführungsbeispiel von 5 über jeweils ein Viertel der ursprünglichen Kontaktfläche an der Grenzschicht Chipinsel/Kleber/Chip aufbauen kann. Dadurch vermindern sich die Normalspannungskomponenten in der Chipebene. Es ist jedoch zu beachten, daß die Schubspannungskomponenten ansteigen, wobei diese jedoch in manchen Anwendungen, insbesondere für integrierte Hallsonden, weniger störend sind. Für diesen Fall ist zu bemerken, daß an der Chipunterseite eine Delaminationsgefahr besteht, wodurch sich ein Zuverlässigkeitsrisiko ergeben kann.In addition to the eddy current topic explained above, the exemplary embodiment explained above has an advantage with regard to mechanical tensioning of the chip in the housing, since the chip island disintegrates into individual parts and the mechanical tension only increases over a fraction, ie for the exemplary embodiment of 5 can build up over a quarter of the original contact area at the chip island / adhesive / chip interface. This reduces the normal voltage components in the chip level. It should be noted, however, that the shear stress components increase, although these are less troublesome in some applications, particularly for integrated Hall probes. In this case it should be noted that there is a risk of delamination on the underside of the chip, which can result in a risk of reliability.

Unter Bezugnahme auf 6 wird im folgenden ein weiteres Ausführungsbeispiel erklärt, bei dem die Chipinsel 110 Schlitze 310 aufweist, die derart angeordnet sind, daß sich in dem Chipaufnahmebereich 122 ein mäanderförmiger Bereich 308 mit Stegen 312 ergibt.With reference to 6 Another embodiment is explained below, in which the chip island 110 slots 310 has, which are arranged such that in the chip receiving area 122 a meandering area 308 with bars 312 results.

Durch das Vorsehen des mäanderförmigen Bereichs 308 werden die den Magnetfeldsensor umgebenden Wirbelstromschleifen durch die Schlitze 310 in der Chipinsel 110 unterbrochen, so daß sich in dem mäanderförmigen Bereich 308 keine starken Wirbelströme ausbilden. Wie es in 6 gezeigt ist, können sich in der Chipinsel 110 Wirbelstromschleifen 314a und 314b ausbilden, die ferner durch horizontale Schlitze (nicht gezeigt) links und rechts eines anzuordnenden Chips entsprechend zu dem Ausführungsbeispiel von 5 reduziert werden können. Vorzugsweise weist der mäanderförmige Bereich 308 eine solche Größe auf, daß ein Chip vollständig in dem Bereich so angeordnet werden kann, daß der Chip lediglich auf den schmalen Stegen des mäanderförmigen Bereichs aufliegt. Daraus ergeben sich Vorteile bezüglich der mechanischen Zuverlässigkeit, da durch die Flexibilität der dünnen Stege 312 mechanische Spannungen ausgeglichen werden können.By providing the meandering area 308 the eddy current loops surrounding the magnetic field sensor through the slots 310 in the chip island 110 interrupted, so that in the meandering area 308 do not form strong eddy currents. Like it in 6 is shown can be found in the chip island 110 Eddy current loops 314a and 314b form, further by horizontal slots (not shown) left and right of a chip to be arranged according to the embodiment of FIG 5 can be reduced. The meandering region preferably has 308 such a size that a chip can be arranged completely in the area such that the chip only rests on the narrow webs of the meandering area. This results in advantages in terms of mechanical reliability because of the flexibility of the thin webs 312 mechanical stresses can be compensated.

Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß eine große Freiheit in der Wahl der Plazierung der Sonde besteht, die sowohl in dem Zentrum als auch im gesamten Gebiet über dem Mäander plaziert werden kann, da sich im gesamten mäanderförmigen Bereich keine Wirbelstromschleifen ausbilden können, die ein starkes Sekundärfeld am Ort der Sonde erzeugen.Another advantage is that a size Freedom in choosing the placement of the probe is both can be placed in the center as well as in the entire area above the meander, because in the entire meandering area can not form eddy current loops that have a strong secondary field Generate the location of the probe.

Unter Bezugnahme auf 7 wird im folgenden ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Anschlußleitungsrahmens erklärt. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die auf dem Chip 124 an geordnete Sonde 128 exzentrisch bezüglich einer Mitte 408 der Chipinsel 110 plaziert. Dies kann einerseits dadurch erreicht werden, daß die Sonde 128 auf dem Chip exzentrisch und ferner der Chip 124 bezüglich der Chipinsel 110 exzentrisch angeordnet ist. Vorzugsweise wird dabei die Sonde in der Nähe einer Ecke der Chipinsel 110 plaziert, so daß ein großer Abstand der Sonde von der Mitte 408 erreicht werden kann.With reference to 7 Another embodiment of a lead frame is explained below. In this embodiment, the on-chip 124 to ordered probe 128 eccentric with respect to a center 408 the chip island 110 placed. On the one hand, this can be achieved in that the probe 128 eccentric on the chip and further the chip 124 regarding the chip island 110 is arranged eccentrically. The probe is preferably located near a corner of the chip island 110 placed so that the probe is at a large distance from the center 408 can be achieved.

Unter erneuter Bezugnahme auf das in 2 gezeigte Schaubild nimmt das Sekundärmagnetfeld der Wirbelströme in einem kreisrunden idealisierten Träger mit zunehmendem Abstand von dem Zentrum ab. Wie es bereits erklärt wurde, ergibt sich in der Mitte der Scheibe das maximale Magnetfeld, das jedoch mit der Distanz zur Mitte rasch abfällt und bei einer radialen Entfernung von etwa 90% des Scheibenradius einen Nulldurchgang aufweist. Dieser Nulldurchgang bleibt auch dann erhalten, wenn man in der Mitte des Trägers ein Loch vorsieht, wie es unter Bezugnahme auf 4 erklärt ist. Daher wird die Sonde 128 vorzugsweise nahe an dem Ort des Nulldurchgangs positioniert.Referring again to that in 2 The diagram shown decreases the secondary magnetic field of the eddy currents in a circular idealized carrier with increasing distance from the center. As has already been explained, the maximum magnetic field results in the center of the disk, which, however, drops rapidly with the distance to the center and has a zero crossing at a radial distance of approximately 90% of the disk radius. This zero crossing is retained even if a hole is provided in the center of the beam, as is shown in FIG 4 is explained. Hence the probe 128 preferably positioned close to the zero crossing location.

Die in 2 durchgeführten Berechnungen wurden für einen idealisierten Träger mit einer kreisförmigen Form durchgeführt, da sich lediglich diese Geometrie hinreichend leicht analytisch berechnen läßt. Typischerweise weist der Träger jedoch eine rechteckige Form auf, wobei derselbe oftmals Langlöcher und komplizierte Details an jenen Stellen aufweist, an denen die Verbindungsdrähte mit den Zuleitungen verbunden werden. Diese Stellen werden auch als Bondinseln bezeichnet.In the 2 The calculations carried out were carried out for an idealized carrier with a circular shape, since only this geometry can be calculated analytically with sufficient ease. Typically, however, the carrier has a rectangular shape, the same often having elongated holes and complicated details at those points at which the connecting wires are connected to the leads. These locations are also known as bond islands.

Daher wird die Verteilung der Wirbelströme vorzugsweise mit numerischen Methoden, wie beispielsweise einem Finite-Elemente-Verfahren oder einem Boundary-Element-Verfahren berechnet und von diesen Ergebnissen ausgehend der optimale Platz für den Magnetfeldsensor ermittelt. Qualitativ ergibt sich jedoch auch für einen realen Träger, daß die Sonde vor zugsweise relativ nahe am Rand des Trägers positioniert werden soll.Therefore, the distribution of the eddy currents is preferred with numerical methods, such as a finite element method or a boundary element method and calculated from these results starting from the optimal place for determined the magnetic field sensor. In terms of quality, however, it also results for one real carrier, that the Probe should preferably be positioned relatively close to the edge of the carrier.

Besonders bevorzugte Gebiete zum Anordnen der Sonde sind nahe den Ecken des Trägers, da dort die Stromdichte der Wirbelströme stark vermindert ist, wodurch der Gradient des Wirbelstromfelds klein wird. Dadurch verläuft die Kurve des Magnetfelds als Funktion des Orts flacher und ist unempfindlicher gegenüber Lagetoleranzen, die bei einer Montage unvermeidlich sind. Dabei ist zu beachten, daß die mechanische Verspannung des Chips in den Ecken des Trägers besonders groß und inhomogen ist, so daß sich in der Praxis für manche Gehäusetypen zeigen kann, daß es aus Zuverlässigkeitsgründen vorteilhaft ist, einen Minimalabstand vom Chip zur Ecke des Trägers einzuhalten. Dabei wird folglich keine vollständige Reduktion des Wirbelstromeinflusses durchgeführt.Particularly preferred areas for arranging the probe are near the corners of the carrier, since there the current density of the eddy currents is greatly reduced, as a result of which the gradient of the eddy current field becomes small. As a result, the curve of the magnetic field is flatter as a function of the location and is less sensitive to positional tolerances, which are unavoidable during assembly. It should be noted that the mechanical tensioning of the chip in the corners of the carrier is particularly large and inhomogeneous, so that in practice it can be shown for some housing types that it is advantageous for reasons of reliability, a minimalab got to stick from the chip to the corner of the carrier. Consequently, there is no complete reduction in the eddy current influence.

Wie es in 7 zu erkennen ist, weist die Chipinsel 110 parallel zu Seitenkanten der Chipinsel 110 angeordnete Langlöcher 400 auf, wie sie teilweise in herkömmlichen Anschlußleitungsrahmen vorgesehen sind. Dabei können durch das Vorsehen zusätzlicher kleiner horizontaler Schlitze 410 die unter dem Chip seitlich hervorstehenden Teile der Chipinsel 110 für Wirbelströme deaktiviert werden, so daß für die Wirbelströme eine Kante 412 bereits zum effektiven Rand der Chipinsel 110 wird. Dadurch kann der Chip nahe an diesen Rand geführt werden, wodurch der Wirbelstromeinfluß gering gehalten ist. Als eine Weiterbildung kann zusätzlich noch eine Ausnehmung, beispielsweise in der Mitte der Chipinsel vorgesehen werden, um eine zusätzliche Reduktion des sekundären Magnetfelds zu erreichen. Dabei wird lediglich der Betrag des sekundären Magnetfelds, jedoch nicht die Feldverteilung nahe der Sonde, verändert.Like it in 7 can be seen, shows the chip island 110 parallel to the side edges of the chip island 110 arranged elongated holes 400 on how they are partially provided in conventional lead frames. This can be done by providing additional small horizontal slots 410 the parts of the chip island protruding laterally under the chip 110 be deactivated for eddy currents, so that an edge for the eddy currents 412 already to the effective edge of the chip island 110 becomes. As a result, the chip can be guided close to this edge, whereby the eddy current influence is kept low. As a further development, a recess can additionally be provided, for example in the middle of the chip island, in order to achieve an additional reduction in the secondary magnetic field. Only the amount of the secondary magnetic field is changed, but not the field distribution near the probe.

Bei einem Ausführungsbeispiel, bei dem die Chipinsel massiv, d. h. ohne Ausnehmungen, ausgebildet ist, und eine Reduktion des Wirbelstromfelds durch das exzentrische Plazieren der Sonde 128 erreicht wird, ergibt sich ein Vorteil dahingehend, daß auf der Chipinsel beliebig große Chips befestigbar sind, während durch eventuelle Ausnehmungen lediglich Chips über einer kritischen Größe auf der Chipinsel 110 befestigbar sind. Vorzugsweise wird die Sonde 128 derart angeordnet, daß der Abstand von einem Mittelpunkt einer größten Wirbelstromschleife in der Chipinsel in einem Bereich von 85% bis 95% des Radius der größten Wirbelstromschleife liegt. Besonders bevorzugt ist die Sonde in einer radialen Position von 90 des Radius R der größten Wirbelstromschleife positioniert. Dabei ist die Größe des Chips 124 irrelevant, da durch eine asymmetrische Verschiebung die Position der Sonde verändert werden kann. Dies ist bei dem Ausführungsbeispiel von 7 angedeutet, bei dem der Chip 124 eine asymmetrische Position bezüglich der Chipinsel 110 aufweist. Bei einer Positionierung der Sonde auf dem Chip ist ferner zu beachten, daß unter Umständen ein Minimalabstand zur Chipecke verbleiben sollte, da die Sonde und ihre elektrischen Anschlüsse nahe der Chipecke bei einer thermischen Wechselbelastung durch mechanische Verspannungen verstört werden kann.In an embodiment in which the chip island is solid, ie without recesses, and a reduction in the eddy current field due to the eccentric placement of the probe 128 is achieved, there is an advantage in that chips of any size can be attached to the chip island, while due to possible recesses only chips of a critical size on the chip island 110 are attachable. Preferably the probe 128 arranged such that the distance from a center of a largest eddy current loop in the chip island is in a range from 85% to 95% of the radius of the largest eddy current loop. The probe is particularly preferably positioned in a radial position of 90 of the radius R of the largest eddy current loop. The size of the chip 124 irrelevant because the position of the probe can be changed by an asymmetrical shift. This is in the embodiment of FIG 7 indicated where the chip 124 an asymmetrical position with respect to the chip island 110 having. When positioning the probe on the chip, it should also be noted that under certain circumstances a minimum distance should remain from the chip corner, since the probe and its electrical connections near the chip corner can be disturbed by thermal stresses due to thermal alternating stress.

Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann eine Reduzierung des Wirbelstromfelds am Ort der Sonde erreicht werden, indem der Träger bzw. die Chipinsel ein Material mit geringer Leitfähigkeit aufweist. Beispielsweise kann das Material eine Leitfähigkeit aufweisen, die geringer als die Leitfähigkeit von Kupfer oder einer Kupferlegierung, die typischerweise im Stand der Technik verwendet wird, ist. Die Leitfähigkeit sollte jedoch nicht unter der Eigenleitfähigkeit des Substrats des auf dem Träger vorgesehenen Chips bzw. Substrats, beispielsweise eines Si-Substrats, liegen, da die Leitfähigkeit in der Praxis benötigt wird. Die Leitfähigkeit sollte folglich bezüglich der im Stand der Technik verwendeten Kupferlegierung lediglich moderat herabgesetzt werden und vorzugsweise in einem Bereich zwischen der Eigenleitfähigkeit des Substrats und der Leitfähigkeit der Kupferlegierung liegen. Eine Beeinflußung der Leitfähigkeit des Materials des Trägers kann beispielsweise derart erfolgen, daß eine gezielte Verunreinigung eines Materials, das beispielsweise Kupfer sein kann, durchgeführt wird.In another embodiment The present invention can reduce the eddy current field can be reached at the location of the probe by inserting the carrier or the chip island Low conductivity material having. For example, the material can have conductivity have less than the conductivity of copper or one Copper alloy typically used in the prior art will is. The conductivity however, should not be subject to the intrinsic conductivity of the substrate the carrier provided chips or substrate, for example a Si substrate, because the conductivity is needed in practice. The conductivity should therefore be regarding of the copper alloy used in the prior art is only moderate be reduced and preferably in a range between the intrinsic conductivity of the substrate and the conductivity of the copper alloy. An influence on the conductivity the material of the carrier can be done, for example, in such a way that targeted contamination of a material, which may be copper, for example.

Dabei kann entweder der gesamte Anschlußleitungsrahmen aus einem schlechten Leiter bestehen oder vorzugsweise lediglich ein Teil desselben, da zumindest die elektrischen Zuführungen gut leitend sein sollen. Bei einem Ausführungsbeispiel besteht der Anschlußleitungsrahmen aus zwei unterschiedlichen Materialien, wobei die elektrisch leitenden Zuleitungen einen guten Leiter aufweisen, während ein Basissubstrat eine schlechte Leitfähigkeit aufweist. Bei der Montage werden die Zuleitungen und Chips auf das Basissubstrat geklebt, anschließend die Kontakte verbunden und daraufhin das ganze mit einer Vergußmasse umspritzt, wonach die Zuleitungen und möglicherweise auch das Basissubstrat aus dem Außenrahmen des Anschlußleitungsrahmens gestanzt werden.Either the entire lead frame consist of a bad conductor or preferably only part of the same, since at least the electrical leads should be good conductors. In one embodiment, the Lead frame made of two different materials, the electrically conductive Supply lines have a good conductor, while a base substrate has a bad one conductivity having. During assembly, the leads and chips are placed on the Base substrate glued, then the contacts connected and then encapsulated with a potting compound, after which the leads and possibly also the base substrate from the outer frame of the lead frame to be punched.

Eine weitere Möglichkeit zur Reduktion eines Wirbelstromfelds am Ort der Sonde kann erreicht werden, indem der Anschlußleitungsrahmen dünner als im Stand der Technik, d.h. beispielsweise dünner als etwa 200 μm, ausgeführt wird. Die dadurch erreichte Reduktion ist proportional zu der Reduktion der Trägerdicke, so daß beispielsweise bei einer Halbierung der Trägerdicke eine Halbierung des Wirbelstromfelds erreicht wird. Vorzugsweise wird dabei die Chipinsel dünner als der Rest des Anschlußleitungsrahmens ausgeführt, da die Zuleitungen in ihrer Dicke ein gewisses Maß nicht überschreiten sollten, um eine gute elektrische Leitung und eine mechanische Stabilität zu gewährleisten.Another way to reduce one Eddy current field at the location of the probe can be achieved by the Lead frame thinner than in the prior art, i.e. for example, thinner than about 200 microns. The reduction achieved is proportional to the reduction the beam thickness, so that for example with a halving of the beam thickness halving of the eddy current field is achieved. Preferably the chip island becomes thinner than the rest of the lead frame executed because the thickness of the feed lines does not exceed a certain level should to ensure good electrical conduction and mechanical stability.

Im folgenden soll nun ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt werden, bei dem anstelle eines Anschlußleitungsrahmens ein Träger verwendet wird, der mittels einer Flip-Chip-Technik an einem Substrat befestigt wird. Dabei wird auf die an dem Chip vorgesehene Anschlußflä che ein Höcker aufgebracht, der den Kontakt zu einer Leiterstruktur bzw. Metallisierung, wie beispielsweise eine Cu/Ni/Au-Metallisierung, auf einem Zwischensubstrat oder direkt auf einer Leiterplatte herstellt. Der Höcker, der vorzugsweise ein Löthöcker (solder bump) ist, weist beispielsweise die Form einer Miniaturkugel oder eines flachen Zylinders auf, der beispielsweise einen maximalen Durchmesser von 200 μm und eine Höhe von 50 μm auf weisen kann. Diese Technik wird in zunehmendem Maße für integrierte Schaltungen mit sehr vielen Zuleitungen oder bei extremen Hochfrequenzanwendungen verwendet, da man die Kontakte nicht nur am Umfang sondern an der ganzen Unter-/Oberseite des Chips in Matrixanordnung anbringen kann, wodurch die Länge und Induktivität der Zuleitungen klein wird.A further exemplary embodiment of the present invention will now be explained in the following, in which a carrier is used instead of a lead frame which is attached to a substrate by means of flip-chip technology. In this case, a bump is applied to the connection surface provided on the chip, which makes contact with a conductor structure or metallization, such as a Cu / Ni / Au metallization, on an intermediate substrate or directly on a printed circuit board. The bump, which is preferably a solder bump, has, for example, the shape of a miniature ball or a flat cylinder, which can have a maximum diameter of 200 μm and a height of 50 μm, for example. This technique is increasingly used for integrated circuits with a large number of leads or in extreme high-frequency applications, since the contacts can be attached not only to the circumference but to the entire bottom / top of the chip in a matrix arrangement, which increases the length and inductance the feed lines become small.

In Verbindung mit Magnetfeldsensoren ergibt die Anwendung von Flip-Chip-Techniken einen neuen Vorteil, da das gesamte leitfähige Volumen der Höcker geringer als das Volumen eines herkömmlichen Anschlußleitungsrahmens ausgeführt werden kann. Besonders vorteilhaft ist dies bei integrierten Schaltungen mit nur wenigen Zuleitungen, wie beispielsweise zwei bis vier Zuleitungen.In connection with magnetic field sensors the use of flip-chip techniques gives a new advantage, since the entire conductive Volume of the cusps less than the volume of a conventional lead frame accomplished can be. This is particularly advantageous in the case of integrated circuits with only a few leads, such as two to four leads.

Ferner lassen sich die Höcker in einer größeren räumlichen Entfernung zur Sonde auf dem Chip anordnen, so daß der Einfluß der Wirbelströme in den Höckern auf den Magnetfeldsensor reduziert wird. Vorzugsweise werden die Höcker am Umfang des Chips angebracht, so daß man die Sonde in der Mitte des Chips plazieren kann, wodurch die Höcker einen maximalen Abstand von der Mitte aufweisen. Folglich kann dabei die Sonde an der Stelle belassen werden, an der sie üblicherweise bei herkömmlichen Niederfrequenzanwendungen plaziert ist.Furthermore, the humps can be in a larger spatial Place the distance to the probe on the chip so that the influence of the eddy currents in the cusps is reduced to the magnetic field sensor. Preferably the cusp attached to the periphery of the chip so that you place the probe in the middle of the chip can be placed, giving the bumps a maximum distance from the center. As a result, the probe may be in place are left where they usually are with conventional Low frequency applications is placed.

8a zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem auf einem Chip 500 eine Sonde 510 in der Mitte des Trägers angeordnet ist. Auf dem Chip 500, der beispielsweise Silizium aufweist, sind vier Höcker 512 befestigt, die jeweils symmetrisch zu der Sonde 510 nahe der jeweiligen Ecken des Chips 500 befestigt sind. Die Höcker 512 sind ferner mit einem Träger 514 verbunden, der beispielsweise ein Zwischensubstrat oder eine Schaltungsplatine sein kann. Der Träger 514 weist Leiterstrukturen bzw. Kontaktstrukturen 516 auf, die beispielsweise Leiterbahnen oder Metallisierungen umfassen können. Die Leiterstrukturen 516 werden vorzugsweise so gewählt, daß die Höcker 512 die jeweils zugeordneten Kontakte direkt kontaktieren, wobei sich dieselben vorzugsweise mit einem großen Abstand zu der Sonde erstrecken, um ein Wirbelstromfeld am Ort der Sonde gering zu halten. 8a shows an embodiment in which on a chip 500 a probe 510 is arranged in the middle of the carrier. On the chip 500 silicon, for example, are four bumps 512 attached, each symmetrical to the probe 510 near the respective corners of the chip 500 are attached. The humps 512 are also with a carrier 514 connected, which can be, for example, an intermediate substrate or a circuit board. The carrier 514 has conductor structures or contact structures 516 on, which can include conductor tracks or metallizations, for example. The ladder structures 516 are preferably chosen so that the humps 512 contact the respectively assigned contacts directly, the same preferably extending at a large distance from the probe in order to keep an eddy current field at the location of the probe low.

Bei diesem Ausführungsbeispiel werden folglich die Höcker 512 verwendet, um einen elektrischen Anschluß von dem Chip 500 zu den Leiterstrukturen 516 auf dem Träger 514 zu erreichen. Der Vorteil dieses Ausführungsbeispiels besteht darin, daß sich die Höcker in großer räumlicher Entfernung zur Sonde anordnen lassen, wobei sich ferner in den Höckern lediglich sehr geringe Wirbelströme ausbilden können. Dies ermöglicht eine sehr gute Reduzierung der Wirbelstrom-Einflüsse, wobei zur Realisierung auf das Wissen der bekannten Flip-Chip-Technik zurückgegriffen werden kann, wodurch eine schnelle Realisierung einer Produktion erreicht wird.In this embodiment, therefore, the bumps 512 used to make an electrical connection from the chip 500 to the ladder structures 516 on the carrier 514 to reach. The advantage of this exemplary embodiment is that the bumps can be arranged at a great spatial distance from the probe, and furthermore only very low eddy currents can form in the bumps. This enables a very good reduction of the eddy current influences, the knowledge of the known flip-chip technology being able to be used for implementation, as a result of which production can be implemented quickly.

8b zeigt eine Querschnittdarstellung der in 8a gezeigten Anordnung. Wie es zu erkennen ist, sind die Höcker 512 derart angeordnet, daß dieselben Anschlußflächen 518 des Chips 500 mit den Leiterstrukturen 516 verbinden. Die Anschlußflächen 518 und die Magnetfeldsonde 510 sind auf einer Oberfläche 500a des Chips 500a angeordnet, die dem Träger 514 gegenüberliegt. 8b shows a cross-sectional view of the in 8a shown arrangement. As you can see, the humps are 512 arranged so that the same pads 518 of the chip 500 with the ladder structures 516 connect. The pads 518 and the magnetic field probe 510 are on one surface 500a of the chip 500a arranged that the carrier 514 opposite.

Eine quantitative Darstellung der Einflüsse aufgrund der Hökker wird nachfolgend unter Bezugnahme auf 9 näher erklärt. In dem Schaubild von 9 ist auf einer x-Achse eine Entfernung des Höckers zu dem Magnetfeldsensor normiert auf einen Radius des Höckers aufgetragen. Auf der y-Achse ist ferner ein Imaginärteil des Wirbelstromfelds in die Richtung senkrecht zu der Chipoberfläche normiert auf das angelegte Magnetfeld in einer logarithmischen Auftragung dargestellt. Für den Radius der Höcker wurde ein Wert von a = 100 μm und eine Höhe von 50 μm gewählt, wobei die Leitfähigkeit desselben mit 50 MS/m angenommen wurde. Da die Höcker direkt auf dem Chip befestigt sind, wird bei der Berechnung ein Abstand der Höcker in Richtung senkrecht zu der Chipoberfläche als Null angenommen. Der in 9 gezeigte Verlauf des Sekundärfelds der Wirbelströme wurde für eine Frequenz von 10 kHz des zu messenden Feldes berechnet.A quantitative representation of the influences due to the Hökker is given below with reference to 9 explained in more detail. In the diagram of 9 a distance of the cusp to the magnetic field sensor is plotted on an x-axis normalized to a radius of the cusp. An imaginary part of the eddy current field in the direction perpendicular to the chip surface is normalized to the applied magnetic field in a logarithmic plot on the y-axis. A value of a = 100 μm and a height of 50 μm was chosen for the radius of the bumps, the conductivity of which was assumed to be 50 MS / m. Since the bumps are attached directly to the chip, a distance between the bumps in the direction perpendicular to the chip surface is assumed to be zero in the calculation. The in 9 The course of the secondary field of eddy currents shown was calculated for a frequency of 10 kHz of the field to be measured.

In erster Näherung weisen die Wirbelströme eine Phasenverschiebung von –90° gegenüber dem angelegten Feld auf, so daß ihr Sekundärfeld rein imaginär ist.In a first approximation, the eddy currents have a Phase shift of –90 ° compared to that field, so that you secondary field purely imaginary is.

In dem Schaubild von 9 ist zu erkennen, daß das Magnetfeld aufgrund der Wirbelströme in den Höckern generell sehr klein ist. Bezogen auf das wirbelstromerzeugende Primär-Magnetfeld liegt das sekundäre Wirbelstromfeld gemäß 9 in einem Bereich von 10–4 bis 10–7 bezogen auf das angelegte Magnetfeld. Der durch die Wirbelströme der Höcker verursachte Fehler liegt folglich bei Frequenzen bis zu 10 kHz wesentlich unter 1 %, so daß der durch die Höcker hervorgerufene Einfluß für die meisten Anwendungen vernachlässigbar ist.In the diagram of 9 it can be seen that the magnetic field is generally very small due to the eddy currents in the bumps. In relation to the eddy current generating primary magnetic field, the secondary eddy current field lies in accordance with 9 in a range from 10 -4 to 10 -7 based on the applied magnetic field. The error caused by the eddy currents of the bumps is consequently substantially below 1% at frequencies up to 10 kHz, so that the influence caused by the bumps is negligible for most applications.

Da reale Sensoren auf den Mittelwert des Magnetfelds über einen Bereich auf der Oberfläche der integrierten Schaltung reagieren, der bei Hallsonden bei einer einzigen Sonde zumeist ein Quadrat mit 100 μm Seitenlänge, bei einem Sondenquadrupel ein Quadrat von 300 μm Seitenlänge umfaßt, wird das Zentrum der Sonden vorteilhafterweise auf einen Punkt möglichst großer Symmetrie bezüglich der durch die Wirbelströme hervorgerufenen Felder gelegt. In dem Ausführungsbeispiel gemäß 8a ist dieser Symmetriepunkt das Chipzentrum.Since real sensors react to the mean value of the magnetic field over an area on the surface of the integrated circuit, which for Hall probes usually comprises a square with a side length of 100 μm for a single probe, and a square of a side length of 300 μm for a probe quad, the center of the probes becomes advantageously placed on a point of greatest possible symmetry with respect to the fields caused by the eddy currents. In the exemplary embodiment according to 8a this point of symmetry is the chip center.

Der Symmetriepunkt kann beispielsweise entsprechend zu der Ermittlung eines „Schwerpunkts" erfolgen, so daß der Magnetfeldsensor in dem Punkt angeordnet ist, bei dem die Summe der Quadrate der Abstände von dem Magnetfeldsensor zu den jeweiligen Höckern minimal ist.The point of symmetry can, for example according to the determination of a "center of gravity" so that the magnetic field sensor is located at the point where the sum of the squares of the distances from the magnetic field sensor to the respective bumps is minimal.

100100
AnschlußleitungsrahmenLead frame
110110
Chipinselchip island
112a112a
Stegweb
112b112b
Stegweb
114114
Außenrahmenouter frame
116a–d116a-d
Zuleitungenleads
118a–d118a-d
Trennbereicheseparating regions
120a–b120a-b
Trennbereicheseparating regions
122122
ChipaufnahmebereichChip receiving area
124124
Chipchip
126126
Ausnehmungrecess
128128
Sondeprobe
130130
Wirbelströmeeddy currents
132132
Klebepunkteadhesive dots
134134
Anschlußflächenlands
136136
Drahtwire
200200
AnschlußleitungsrahmenLead frame
210210
Ausnehmungrecess
212a–d212a-d
Schlitzeslots
214a–d214a-d
Segmente segments
308308
mäanderförmiger Bereichmeandering area
310310
Schlitzeslots
312312
StegeStege
314a314a
WirbelstromschleifeEddy current loop
314b314b
WirbelstromschleifeEddy current loop
400400
Langlöcherslots
408408
Mittecenter
410410
Schlitzeslots
412412
Kanteedge
500500
Chipchip
500a500a
Oberflächesurface
510510
Sondeprobe
512512
Höckercusp
514514
Trägercarrier
516516
Leiterstrukturconductor structure
518518
Anschlußflächenlands

Claims (40)

Anschlußleitungsrahmen für einen in einem Halbleiterchip (124) ausgeführte Magnetfeldsonde (128), wobei der Anschlußleitungsrahmen folgende Merkmale umfaßt: eine leitfähige Chipinsel (110) zur Anbringung des Halbleiterchips (124); und Zuleitungen (116a–d), die für eine elektrische Verbindung mit Anschlußstrukturen des Halbleiterchips (124) vorgesehen sind, wobei die Chipinsel (110) ausgebildet ist, um von einem zu erfassenden Magnetfeld hervorgerufene Wirbelströme zu reduzieren.Lead frame for a semiconductor chip ( 124 ) magnetic field probe ( 128 ), the connection lead frame comprising the following features: a conductive chip island ( 110 ) for attaching the semiconductor chip ( 124 ); and supply lines ( 116a-d) which are necessary for an electrical connection to connection structures of the semiconductor chip ( 124 ) are provided, the chip island ( 110 ) is designed to reduce eddy currents caused by a magnetic field to be detected. Anschlußleitungsrahmen gemäß Anspruch 1, bei dem die Chipinsel (110) eine Ausnehmung (126; 210, 212a–d; 310; 410) aufweist.A lead frame according to claim 1, wherein the chip island ( 110 ) a recess ( 126 ; 210 . 212a - d ; 310 ; 410 ) having. Anschlußleitungsrahmen gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem die Ausnehmung (126) in einem Bereich der Chipinsel (110) angeordnet ist, auf dem der Halbleiterchip (124) zur Befestigung vorgesehen ist.Connection lead frame according to claim 1 or 2, wherein the recess ( 126 ) in an area of the chip island ( 110 ) is arranged on which the semiconductor chip ( 124 ) is provided for attachment. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Ausnehmung (126) mittig auf der Chipinsel (110) angeordnet ist.Connection lead frame according to one of Claims 1 to 3, in which the recess ( 126 ) in the middle of the chip island ( 110 ) is arranged. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Chipinsel (110) eine längliche Ausnehmung (212a–d; 310,; 410) aufweist.Connection lead frame according to one of Claims 1 to 4, in which the chip island ( 110 ) an elongated recess ( 212a - d ; 310 ; 410 ) having. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Chipinsel (110) in einzelne Segmente durchtrennt ist.Connection lead frame according to one of Claims 1 to 5, in which the chip island ( 110 ) is divided into individual segments. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Chipinsel (110) eine erste Ausnehmung (126) und eine zweite längliche Ausnehmung (212a–d) aufweist.Connection lead frame according to one of Claims 1 to 6, in which the chip island ( 110 ) a first recess ( 126 ) and a second elongated recess ( 212a - d ) having. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die Chipinsel (110) eine Mehrzahl von länglichen Ausnehmungen (212a–d) aufweist, die die Chipinsel (110) symmetrisch unterteilen.Connection lead frame according to one of Claims 1 to 7, in which the chip island ( 110 ) a plurality of elongated recesses ( 212a - d ) which the chip island ( 110 ) divide symmetrically. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die Chipinsel (110) eine Mehrzahl von länglichen Ausnehmungen (310) aufweist, die derart angeordnet sind, daß in einem Bereich (308) der Chipinsel (110) eine Mäanderstruktur ausgebildet ist.Connection lead frame according to one of Claims 1 to 8, in which the chip island ( 110 ) a plurality of elongated recesses ( 310 ) which are arranged such that in a region ( 308 ) the chip island ( 110 ) a meander structure is formed. Anschlußleitungsrahmen gemäß Anspruch 9, bei dem der Bereich der Mäanderstruktur so ausgestaltet ist, daß ein Halbleiterchip (124) lediglich auf Stegen (312) der Mäanderstruktur befestigbar ist.Connection lead frame according to Claim 9, in which the region of the meandering structure is designed such that a semiconductor chip ( 124 ) only on bridges ( 312 ) the meander structure can be attached. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die Chipinsel (110) eine Ausnehmung (210, 212a–d) mit einem konvexen Umfang aufweist.Connection lead frame according to one of Claims 1 to 10, in which the chip island ( 110 ) a recess ( 210 . 212a - d ) with a convex circumference. Anschlußleitungsrahmen gemäß Anspruch 11, bei dem die Ausnehmung mit einem konvexen Umfang durch eine erste Ausnehmung (210) und zweiten länglichen Ausnehmungen (212a–d; 310) gebildet ist.A lead frame according to claim 11, wherein the recess having a convex periphery is defined by a first recess ( 210 ) and second elongated recesses ( 212a - d ; 310 ) is formed. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem die Chipinsel (110) eine geringere Leitfähigkeit als die Zuleitungen (116a–d) aufweist.Connection lead frame according to one of Claims 1 to 12, in which the chip island ( 110 ) lower conductivity than the supply lines ( 116a - d ) having. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem die Chipinsel (110) eine Dicke aufweist, die geringer als eine Dicke der Zuleitungen ist.Connection lead frame according to one of Claims 1 to 13, in which the chip island ( 110 ) has a thickness that is less than a thickness of the leads. Magnetfeldsensor mit folgenden Merkmalen: einem Halbleiterchip (500) mit einer Magnetfeldsonde (510); einem Träger (514) für den Halbleiterchip (500); und einer Verbindungseinrichtung (512) zum Verbinden von mit dem Träger gekoppelten Zuleitungen (516) mit dem Halbleiterchip (500), wobei die Magnetfeldsonde (510) bezüglich der Verbindungseinrichtung (512) so angeordnet ist, daß ein Einfluß von Wirbelströmen aufgrund eines zu erfassenden Magnetfelds reduziert ist.Magnetic field sensor with the following features: a semiconductor chip ( 500 ) with a magnetic field probe ( 510 ); a carrier ( 514 ) for the semiconductor chip ( 500 ); and a connection device ( 512 ) for connecting feed lines coupled to the carrier ( 516 ) with the semiconductor chip ( 500 ), the magnetic field probe ( 510 ) regarding the connection device ( 512 ) is arranged so that an influence of eddy currents due to a magnetic field to be detected is reduced. Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 15, bei dem die Verbindungseinrichtung einen Höcker (512) aufweist.Magnetic field sensor according to claim 15, wherein the connecting device comprises a bump ( 512 ) having. Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 15 oder 16, bei dem der Träger (514) für den Halbleiterchip (500) ein Substrat oder eine Leiterplatte umfaßt.Magnetic field sensor according to claim 15 or 16, wherein the carrier ( 514 ) for the semiconductor chip ( 500 ) comprises a substrate or a printed circuit board. Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 15 bis 17, bei dem die Verbindungseinrichtung mehrere Höcker (512) aufweist, wobei die Magnetfeldsonde so angeordnet ist, daß die Summe der Quadrate der Abstände von dem Magnetfeldsensor zu den jeweiligen Höckern minimal ist.Magnetic field sensor according to claim 15 to 17, wherein the connecting device a plurality of bumps ( 512 ), the magnetic field probe being arranged such that the sum of the squares of the distances from the magnetic field sensor to the respective bumps is minimal. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 15 bis 18, bei dem der Träger eine Leiterplatte mit einer Leiterstruktur (516) aufweist, wobei der Chip auf dem Träger so angeordnet ist, daß der Abstand zu der Leiterstruktur (516) maximal ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 15 to 18, in which the carrier has a printed circuit board with a conductor structure ( 516 ), the chip being arranged on the carrier such that the distance to the conductor structure ( 516 ) is maximum. Magnetfeldsensor mit folgenden Merkmalen: einem Halbleiterchip (124) mit einer Magnetfeldsonde (128); einer leitfähigen Chipinsel (110) zur Anbringung des Halbleiterchips (124); und Zuleitungen (116a–d), die für eine elektrische Verbindung mit Anschlußstrukturen des Halbleiterchips (124) vorgesehen sind, wobei der Halbleiterchip (124) auf der Chipinsel (110) so angeordnet ist, daß ein Einfluß von Wirbelströmen auf die Magnetfeldsonde (128) geringer ist als in einem anderen Bereich der Sonde.Magnetic field sensor with the following features: a semiconductor chip ( 124 ) with a magnetic field probe ( 128 ); a conductive chip island ( 110 ) for attaching the semiconductor chip ( 124 ); and supply lines ( 116a - d ), which are used for an electrical connection to connection structures of the semiconductor chip ( 124 ) are provided, the semiconductor chip ( 124 ) on the chip island ( 110 ) is arranged so that an influence of eddy currents on the magnetic field probe ( 128 ) is less than in another area of the probe. Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 20, bei dem die Chipinsel (110) eine Ausnehmung (126; 210, 212a–d; 310; 410) aufweist.Magnetic field sensor according to claim 20, wherein the chip island ( 110 ) a recess ( 126 ; 210 . 212a - d ; 310 ; 410 ) having. Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 20 oder 21, bei dem die Magnetfeldsonde in einem Bereich der Ausnehmung (126) angeordnet ist.Magnetic field sensor according to claim 20 or 21, wherein the magnetic field probe in a region of the recess ( 126 ) is arranged. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 22, bei dem die Ausnehmung (126) mittig auf der Chipinsel (110) angeordnet ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 22, in which the recess ( 126 ) in the middle of the chip island ( 110 ) is arranged. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 23, bei dem die Chipinsel (110) eine längliche Ausnehmung (212a–d; 310; 410) aufweist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 23, in which the chip island ( 110 ) an elongated recess ( 212a - d ; 310 ; 410 ) having. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 24, bei dem die Chipinsel (110) in einzelne Segmente durchtrennt ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 24, in which the chip island ( 110 ) is divided into individual segments. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 25, bei dem die Chipinsel (110) eine erste Ausnehmung (126) und eine zweite längliche Ausnehmung (212a–d) aufweist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 25, in which the chip island ( 110 ) a first recess ( 126 ) and a second elongated recess ( 212a - d ) having. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 26, bei dem die Chipinsel (110) eine Mehrzahl von länglichen Aus nehmungen (212a–d) aufweist, die die Chipinsel (110) symmetrisch unterteilen.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 26, in which the chip island ( 110 ) a plurality of elongate recesses ( 212a - d ) which the chip island ( 110 ) divide symmetrically. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 27, bei dem die Chipinsel (110) eine Mehrzahl von länglichen Ausnehmungen (310) aufweist, die derart angeordnet sind, daß in einem Bereich (308) der Chipinsel (110) eine Mäanderstruktur ausgebildet ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 27, in which the chip island ( 110 ) a plurality of elongated recesses ( 310 ) which are arranged such that in a region ( 308 ) the chip island ( 110 ) a meander structure is formed. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 28, bei dem der Halbleiterchip (124) lediglich auf Stegen (312) der Mäanderstruktur befestigt ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 28, in which the semiconductor chip ( 124 ) only on bridges ( 312 ) the meander structure is attached. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 29, bei dem die Chipinsel (110) eine Ausnehmung (210, 212a–d) mit einem konvexen Umfang aufweist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 29, in which the chip island ( 110 ) a recess ( 210 . 212a - d ) with a convex circumference. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 30, bei dem die Ausnehmung mit einem konvexen Umfang durch eine erste Ausnehmung (210) und zweiten länglichen Ausnehmungen (212a–d; 310) gebildet ist.Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 30, wherein the recess with a convex circumference through a first recess ( 210 ) and second elongated recesses ( 212a - d ; 310 ) is formed. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 31, bei dem die Chipinsel (110) eine geringere Leitfähigkeit als die Zuleitungen (116a–d) aufweist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 31, in which the chip island ( 110 ) lower conductivity than the supply lines ( 116a - d ) having. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 32, bei dem die Chipinsel (110) eine Dicke aufweist, die geringer als eine Dicke der Zuleitungen ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 32, in which the chip island ( 110 ) has a thickness that is less than a thickness of the leads. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 33, bei dem die Chipinsel (110) einen spezifischen Widerstand aufweist, der geringer als 10–3Ωcm ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 33, in which the chip island ( 110 ) has a resistivity that is less than 10 -3 Ωcm. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 34, bei dem die Magnetfeldsonde (128) an einem Ort angeordnet ist, bei dem der Einfluß der Wirbelströme auf die Magnetfeldsonde (128) minimal ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 34, in which the magnetic field probe ( 128 ) is located at a location where the influence of eddy currents on the magnetic field probe ( 128 ) is minimal. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 35, bei dem die Magnetfeldsonde (128) an einer Kante der Chipinsel (110) angeordnet ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 35, in which the magnetic field probe ( 128 ) on one edge of the chip island ( 110 ) is arranged. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 35, bei dem die Chipinsel (110) eine rechteckige Form aufweist und die Magnetfeldsonde (128) in einer Ecke der Chipinsel (110) angeordnet ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 35, in which the chip island ( 110 ) has a rectangular shape and the magnetic field probe ( 128 ) in a corner of the chip island ( 110 ) is arranged. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 35, bei dem die Chipinsel (110) eine runde Form aufweist und die Magnetfeldsonde (128) so angeordnet ist, daß der Abstand der Magnetfeldsonde (128) von der Mitte der Chipinsel (110) größer als 60% des Radius der Chipinsel (110) ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 35, in which the chip island ( 110 ) has a round shape and the magnetic field probe ( 128 ) is arranged so that the distance between the magnetic field probe ( 128 ) from the center of the chip island ( 110 ) greater than 60% of the radius of the chip island ( 110 ) is. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 35, bei dem die Chipinsel (110) eine runde Form aufweist und die Magnetfeldsonde (128) so angeordnet ist, daß der Abstand der Magnetfeldsonde (128) von der Mitte der Chipinsel (110) größer als 80% des Radius der Chipinsel (110) ist.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 35, in which the chip island ( 110 ) has a round shape and the magnetic field probe ( 128 ) is arranged so that the distance between the magnetic field probe ( 128 ) from the center of the chip island ( 110 ) greater than 80% of the radius of the chip island ( 110 ) is. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 35, bei dem die Magnetfeldsonde (128) derart angeordnet ist, daß der Abstand von einem Mittelpunkt einer größten Wirbelstromschleife in der Chipinsel (110) in einem Bereich von 85% bis 95% des Radius der größten Wirbelstromschleife liegt.Magnetic field sensor according to one of Claims 20 to 35, in which the magnetic field probe ( 128 ) is arranged such that the distance from a center of a largest eddy current loop in the chip island ( 110 ) is in a range from 85% to 95% of the radius of the largest eddy current loop.
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Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004054317A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-11 Mitsubishi Denki K.K. Current measurer has measuring circuit for a current channel on a substrate with a magnetic flux measurer and slots to concentrate the flux
WO2011068653A1 (en) * 2009-12-03 2011-06-09 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for enhanced frequency response of magnetic sensors
US8093670B2 (en) 2008-07-24 2012-01-10 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having on chip capacitor with eddy current reductions
US8283742B2 (en) 2010-08-31 2012-10-09 Infineon Technologies, A.G. Thin-wafer current sensors
CN102790037A (en) * 2012-08-03 2012-11-21 无锡红光微电子有限公司 SOT89-3L packaging lead frame
JP2013096789A (en) * 2011-10-31 2013-05-20 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Magnetic sensor
US8486755B2 (en) 2008-12-05 2013-07-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensors and methods for fabricating the magnetic field sensors
WO2013109355A1 (en) * 2012-01-16 2013-07-25 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor device having non- conductive die paddle and production method
US8680843B2 (en) 2010-06-10 2014-03-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8717016B2 (en) 2010-02-24 2014-05-06 Infineon Technologies Ag Current sensors and methods
US8760149B2 (en) 2010-04-08 2014-06-24 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8785250B2 (en) 2005-11-01 2014-07-22 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for flip-chip-on-lead semiconductor package
US8963536B2 (en) 2011-04-14 2015-02-24 Infineon Technologies Ag Current sensors, systems and methods for sensing current in a conductor
US8975889B2 (en) 2011-01-24 2015-03-10 Infineon Technologies Ag Current difference sensors, systems and methods
US9222992B2 (en) 2008-12-18 2015-12-29 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US9228860B2 (en) 2006-07-14 2016-01-05 Allegro Microsystems, Llc Sensor and method of providing a sensor
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
US9476915B2 (en) 2010-12-09 2016-10-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9666788B2 (en) 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US10234513B2 (en) 2012-03-20 2019-03-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
DE102018111011A1 (en) * 2018-05-08 2019-11-14 Infineon Technologies Ag Magnetic field sensor device
US10991644B2 (en) 2019-08-22 2021-04-27 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a low profile
EP4109115A1 (en) * 2021-06-25 2022-12-28 Robert Bosch GmbH Current detecting device, commutation cell and inverter
US11961920B2 (en) 2023-04-26 2024-04-16 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package with magnet having a channel

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4188605A (en) * 1978-07-21 1980-02-12 Stout Glenn M Encapsulated Hall effect device
US4398342A (en) * 1981-04-14 1983-08-16 International Standard Electric Corporation Method of making a Hall effect device
JPS60244083A (en) * 1984-05-18 1985-12-03 Pioneer Electronic Corp Chip hall element and manufacture thereof
JPH01184885A (en) * 1988-01-13 1989-07-24 Murata Mfg Co Ltd Semiconductor device
CH683469A5 (en) * 1992-07-03 1994-03-15 Landis & Gyr Business Support Semiconductor wafer contg. magnetic field sensor - is installed between pole shoes of laminated ferromagnetic magnetic flux concentrator to measure magnetic field in proximity
US6310387B1 (en) * 1999-05-03 2001-10-30 Silicon Wave, Inc. Integrated circuit inductor with high self-resonance frequency
US20010052780A1 (en) * 2000-06-19 2001-12-20 Kambiz Hayat-Dawoodi Integrated circuit leadframes patterned for measuring the accurate amplitude of changing currents
US20020000639A1 (en) * 2000-06-28 2002-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with inductance element
DE10133123A1 (en) * 2001-07-07 2003-01-23 A B Elektronik Gmbh GMR module

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4188605A (en) * 1978-07-21 1980-02-12 Stout Glenn M Encapsulated Hall effect device
US4398342A (en) * 1981-04-14 1983-08-16 International Standard Electric Corporation Method of making a Hall effect device
JPS60244083A (en) * 1984-05-18 1985-12-03 Pioneer Electronic Corp Chip hall element and manufacture thereof
JPH01184885A (en) * 1988-01-13 1989-07-24 Murata Mfg Co Ltd Semiconductor device
CH683469A5 (en) * 1992-07-03 1994-03-15 Landis & Gyr Business Support Semiconductor wafer contg. magnetic field sensor - is installed between pole shoes of laminated ferromagnetic magnetic flux concentrator to measure magnetic field in proximity
US6310387B1 (en) * 1999-05-03 2001-10-30 Silicon Wave, Inc. Integrated circuit inductor with high self-resonance frequency
US20010052780A1 (en) * 2000-06-19 2001-12-20 Kambiz Hayat-Dawoodi Integrated circuit leadframes patterned for measuring the accurate amplitude of changing currents
US20020000639A1 (en) * 2000-06-28 2002-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with inductance element
DE10133123A1 (en) * 2001-07-07 2003-01-23 A B Elektronik Gmbh GMR module

Cited By (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004054317A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-11 Mitsubishi Denki K.K. Current measurer has measuring circuit for a current channel on a substrate with a magnetic flux measurer and slots to concentrate the flux
DE102004054317B4 (en) * 2004-11-10 2014-05-15 Mitsubishi Denki K.K. Current measuring device
US8785250B2 (en) 2005-11-01 2014-07-22 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for flip-chip-on-lead semiconductor package
US9228860B2 (en) 2006-07-14 2016-01-05 Allegro Microsystems, Llc Sensor and method of providing a sensor
US8093670B2 (en) 2008-07-24 2012-01-10 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having on chip capacitor with eddy current reductions
US8486755B2 (en) 2008-12-05 2013-07-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensors and methods for fabricating the magnetic field sensors
US9733279B2 (en) 2008-12-18 2017-08-15 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US9222992B2 (en) 2008-12-18 2015-12-29 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
JP2013513104A (en) * 2009-12-03 2013-04-18 アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド Method and apparatus for enhancing the frequency response of a magnetic sensor
DE112010004674B4 (en) * 2009-12-03 2016-06-02 Allegro Microsystems, Llc Method and apparatus for increased frequency response of magnetic sensors
WO2011068653A1 (en) * 2009-12-03 2011-06-09 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for enhanced frequency response of magnetic sensors
US9865802B2 (en) 2010-02-24 2018-01-09 Infineon Technologies Ag Current sensors and methods
US8717016B2 (en) 2010-02-24 2014-05-06 Infineon Technologies Ag Current sensors and methods
US9983238B2 (en) 2010-04-08 2018-05-29 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors having enhanced current density regions
US8760149B2 (en) 2010-04-08 2014-06-24 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8680843B2 (en) 2010-06-10 2014-03-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8679895B2 (en) 2010-08-31 2014-03-25 Infineon Technologies Ag Method of making thin-wafer current sensors
US9029966B2 (en) 2010-08-31 2015-05-12 Infineon Technologies Ag Thin-wafer current sensors
US8283742B2 (en) 2010-08-31 2012-10-09 Infineon Technologies, A.G. Thin-wafer current sensors
US9476915B2 (en) 2010-12-09 2016-10-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8975889B2 (en) 2011-01-24 2015-03-10 Infineon Technologies Ag Current difference sensors, systems and methods
US10488445B2 (en) 2011-01-24 2019-11-26 Infineon Technologies Ag Current difference sensors, systems and methods
US9678172B2 (en) 2011-01-24 2017-06-13 Infineon Technologies Ag Current difference sensors, systems and methods
US8963536B2 (en) 2011-04-14 2015-02-24 Infineon Technologies Ag Current sensors, systems and methods for sensing current in a conductor
US9395423B2 (en) 2011-04-14 2016-07-19 Infineon Technologies Ag Current sensors, systems and methods for sensing current in a conductor
JP2013096789A (en) * 2011-10-31 2013-05-20 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Magnetic sensor
US9299915B2 (en) 2012-01-16 2016-03-29 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US9620705B2 (en) 2012-01-16 2017-04-11 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US8629539B2 (en) 2012-01-16 2014-01-14 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US10333055B2 (en) 2012-01-16 2019-06-25 Allegro Microsystems, Llc Methods for magnetic sensor having non-conductive die paddle
WO2013109355A1 (en) * 2012-01-16 2013-07-25 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor device having non- conductive die paddle and production method
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US9666788B2 (en) 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US10230006B2 (en) 2012-03-20 2019-03-12 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with an electromagnetic suppressor
US10234513B2 (en) 2012-03-20 2019-03-19 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US11828819B2 (en) 2012-03-20 2023-11-28 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US11677032B2 (en) 2012-03-20 2023-06-13 Allegro Microsystems, Llc Sensor integrated circuit with integrated coil and element in central region of mold material
US11444209B2 (en) 2012-03-20 2022-09-13 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with an integrated coil enclosed with a semiconductor die by a mold material
US10916665B2 (en) 2012-03-20 2021-02-09 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with an integrated coil
CN102790037A (en) * 2012-08-03 2012-11-21 无锡红光微电子有限公司 SOT89-3L packaging lead frame
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
DE102018111011A1 (en) * 2018-05-08 2019-11-14 Infineon Technologies Ag Magnetic field sensor device
US11879951B2 (en) 2018-05-08 2024-01-23 Infineon Technologies Ag Magnetic field sensor apparatus
US10991644B2 (en) 2019-08-22 2021-04-27 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a low profile
EP4109115A1 (en) * 2021-06-25 2022-12-28 Robert Bosch GmbH Current detecting device, commutation cell and inverter
US11961920B2 (en) 2023-04-26 2024-04-16 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package with magnet having a channel

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