DE1935862A1 - Integrierter Feld-Effekt-Kettenverstaerker - Google Patents
Integrierter Feld-Effekt-KettenverstaerkerInfo
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Description
PATENTANWALT
Γ.;ί1^^ΐΝΐ Η Juli 1989
Dipl.Ing.Dr.DrehoC.Han3 LIST, Graz (Österreich)
Integrierter FeId-Effekt-Kettenverstärker
Die Erfindung bezieht sich auf einen Kettenverstärker in integrierter Teohnik unter Zugrundelegung des Peld-Effektes.
Für die Verstärkung von Frequenzbändern großer Breite
wurde von Percival im Jahre 1937 (Britische Patentschrift Nr0 464-Ο.977) eine Schaltung angegeben, die einzelne aktive Verstärkerelemente
(Elektronenröhren) so miteinander verbindet, daß die schädlichen Kapazitäten des Ein- und Ausganges keine breitbandbegrenzende
Wirkung aufweisen« Bei einem solchen Kettenverstärker ergibt sich eine Gesamtverstärkung, welche nur gleich
der Summe der Einzelverstärkung der einzelnen Verstärkerelemente
isto Um eine ausreichend große Verstärkung zu erzielen, ist es
daher notwendig, in einer solchen Kette sehr viel Elektronenröhren zu verwenden. Wegen der unvermeidlichen Dämpfung innerhalb
der Laufzeitkette ist es jedoch nicht möglich, die Stufenanzahl der Verstärkerelemente beliebig zu erhöhen.
Zur Erzielung einer größeren Verstärkung ist eine Kaskadenschaltung
mehrerer solcher Ketten bekannt«. Hier ergibt sich die Gesamtverstärkung als Produkt der Gesamtverstärkung der
einzelnen Kettenverstärker· Ein solcher Kaskadenkettenverstärker ist jedoch in Anbetracht des großen Aufwandes an Bauelementen
sehr kostspielig.
Die vorliegende Erfindung ist nun darauf gerichtet, einen Kettenverstärker in integrierter Technik unter Zugrundelegung
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des Feld-Effektes zu schaffen, welcher die Nachteile der bekannten
Kettenverstärker vermeidet und der einen einfachen, für eine rationelle Serienfertigung geeigneten Aufbau besitzt» Zu diesem
Zweck ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß ein Feld-Effekt-Transistor
mit zwei iaolierten Steuerelektroden parallel zu seinen Kanalufern derart verlängert ist, daß je ein homogener Kettenleiter
mit homogen verteilten Widerstands-, Ableitung- und Kapazitätsbelägen einerseits■zwischen der ersten Steuerelektrode
bzw. der Quellen-Elektrode und dem Substrat als Eingangslaufzeitkette
für den Kettenverstärker und anderseits zwischen der Ab-
fc fluß-Elektrode und dem Substrat als Ausgangslaufzeitkette für
den Kettenverstärker gebildet sind, welche Laufzeitketten mit
ihrem Wellenwiderstand abgeschlossen sind. Ein solcher Kettenverstärker läßt sich leicht in integrierter Technik herstellen,
wobei zur Erzielung eines möglichst langen Kettenleiters und großer Gesamtverstärkung beispielsweise eine mäanderförmige
Anordnung gewählt werden kann. Durch den besonders einfachen Aufbau des Verstärkers ergibt sich gegenüber den erwähnten
bekannten Ausführungen eine beträchtliche Kosten- und Platzersparnis·
Gemäß einer bevorzugten Ausführung der Erfindung ist der Abstand zwischen den Steuerelektroden einerseits und der Abflußelektrode
anderseits kontinuierlich vom Eingang zum Aus-
W gang der Laufzeitkette veränderbar·'
Weitere Einzelheiten und Vorteile des erfindungsgemäßen
Kettenverstärkers gehen aus der nachfolgenden Beschreibung
in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele von Kettenverstärkern hervor, die sich zum Teil auf die bereits erwähnten
bekannten Ausführungen und zum anderen Teil auf die effindungsgemäße
Bauart beziehen· Es zeigen Fig· 1 das Schaltbild des eingangs genannten bekannten Kettenverstärkers zur Verstärkung
von Frequenzbändern großer Bandbreite nach Percival, Fig» 2
da« Prinzipschema einer Kaskadenschaltung der bekannten Kettenverstärker nach Fig. 1, Fig. 3 das Schaltbild eines bekannten ' r
Kettenverstärkers unter Verwendung von MOSFET's und einem
EC-Kettenleiter als Eingangslaufzeitkette und als Ausgangs-
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laufzeitkette, Pig. 4 die Schaltungsanordnung eines Ketttnverstärkers
mit MOSFET's mit zwei Gittern und einer RC-Laufzeitkette
im Eingangs- und Ausgangskreia, Fig. 5 das Prinzipschaltbild
eines Kettenverstärkers nach der Erfindung, Figo. 6 den topologischen Entwurf eines Kettenverstärkers nach der Erfindung und
Fig. 7 das Schaltbild eines Kettenverstärkers nach Fig. 6e
Bei dem bekannten Kettenverstärker nach Fig. 1 sind die Verstärkerelemente 1^ bis 1 über eine Leitungsnachbildung, die
in der vorliegenden Form als Kettenleiter ausgebildet ist, sowohl eingangsseitig als auch ausgangsseitig.parallel geschaltet.
Die Eingangs- und Ausgangskapasitäten der Verstärkerelemente
I.. bis 1 sind Bestandteile des Kettenleiterse Daher ist die
Grenzfrequenz des Kettenleiters für die Bandbreite des Verstärkers bestimmende Die Kettenleiter werden vorzugsweise aus
Tiefpaß-Halbgliedern, bestehend aus der Kapazität 4 und der
Induktivität 5 aufgebaut, die an den Eingangs- und Ausgangspunkten der einzelnen Verstärkerelemente zu Vollgliedern 4·ι und
6- bzw. 8- und 10.. usw. ergänzt werden. Die Kapazitäten 4^ bis
4 auf der Eingangsseite und die Kapazitäten 8-j bis 8 auf der
Ausgangsseite sind die schädlichen Kapazitäten d er Ein- und Ausgangsseite der Verstärkerelemente. Die für einen Kettenverstärker
geforderte gleiche Phasenlaufzeit der Eingangslaufzeitkette und der Ausgangslaufzeitkette kann am besten durch die Verwendung
von m-Halbgliedern mit einem Transformationsfaktor
m β 1,27 verwirklicht werden· Die für den Transfcrmationsfaktor
m = 1,27 notwendige negative Induktivität kann durch den Einbau einer ßegeninduktivität in den Induktivitäten 6^ bis 6 bzw,
1O1 bis 10 realisiert werden.
Eine an den Eingangsklemmen 13 des Verstärkers einlaufende
Welle wird nacheinander in jedem Verstärkerelement I1 bis 1
" in
eine Steuerspannungsänderung bewirken. Am Ende der mit dem Wellenwiderstand
7 abgeschlossenen Eingangslaufzeitkette wird die einlaufende
Welle reflexionsfrei absorbiert. Als Folge dieser einlaufenden Welle werden nacheinander auch ausgangsseitige Änderungen
der Ausgangsgröße auftreten. Bei völliger Übereinstimmung der
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Phasenlaufzeit dieser Kettenglieder werden sich die nach beiden
Seiten hin ausbreitenden Wellen am Abschlußwiderstand 11
der ausgangsseitigen Laufzeitkette addieren Die nach links
laufenden Wellen werden im Abschlußwiderstand 12, der gleich dem Wellenwiderstand der Ausgangslaufzeitkette sein muß, absorbiert
β Die Gesamtverstärkung eines solchen Kettenverstärkers ist gleich der Summe der Verstärkung der einzelnen Stufen.
wobei η »oooo Anzahl der Stufen in der Kette
Aaoo..o Verstärkung einer Stufe
fe Um eine ausreichend große Verstärkung zu erzielen, ist es
daher notwendig, in einer solchen Kette eine große Anzahl von Elektronenröhren zu verwenden Wegen der unvermeidlichen Dämpfung
innerhalb der Laufzeitkette ist es jedoch nicht möglich, die
Stufenanzahl der Verstärkerelemente beliebig zu erhöheno Wird eine
größere Verstärkung gefordert, so kann eine Kaskadenschaltung mehrerer solcher Ketten erfolgeno
Eine solche Kaskadenschaltung i3t in Fig. 2 dargestellte Die Eingangsspannungsquelle 2 speist die Laufzeitkette des
Einganges 16. des ersten Kettenverstärkers„ Dieser besteht aus
den Verstärkerelementen 1^ bis 1 . Die Ausgangslaufzeitkette 17-j
ist zur Anpassung an die Eingangslaufzeitkette des zweiten Kettenverstärkers
über einen Impedanzwandler 18.. angeschlossene
P Der zweite Kettenverstärker ist vollkommen gleich wieder erste aufgebaut und besteht aus der Eingangslaufzeitkette 162» den .
Verstärkerelementen 1., bis 1. und der Ausgangslaufzeitkette 17p»
Zur weiteren Anpassung an den 'Wellenwiderstand der nächsten Kaskadenstufe oder des Ausganges ist wieder ein Impedanzwandler
18p vorgesehen. Es ist daraus ersichtlich, daß der Aufwand an
Bauelementen sehr groß ist« Für die Gesamtverstärkung eines solchen Kaskadenkettenverstärkers gilt:
A = (n-Ag-j) ο (n2"^S2^ ° ^n3^S3^ »····
Man erkennt also, daß die Gesamtverstärkung A gleich dem Produkt der Gesamtverstärkung Ag der einzelnen Kettenverstärker
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, . BAD ORIGINAL
M 5 —
Wegen der unbedingt erforderlichen Entkopplung des Ausgangskreises
vom Eingangskreis muß von der Verwendung bipolarer Transistoren für den Entwurf eines Kettenverstärkers Abstand genommen
werden. Der Grund hiefür liegt in der großen Rückwirkung des Ausgangskreises auf den Eingangskreis und der starken
Frequenzabhängigkeit des Eingagswiderstandes bei Ausrüstung eines Kettenverstärkers mit bipolaren Transistoren (vgl. hiezu
beispielsweise den Aufsatz von AoMoser: HO-MHz-Kettenverstärker
mit Feld-Effekt-Transistoren, elektronische Rundschau
21 (1967), Seiten 109 bis 115).
Die Verwendung von Feld-Effekt-Transistoren bietet nun die Möglichkeit, einen Kettenverstärker aufzubaueno Dabei ist
es jedoch auch erforderlich, eine wirksame Entkopplung des Eingangskreises und Ausgangskreises zu erreicheno Dies kann in
bekannter Weise so erfolgen, daß entweder eine Emitterkopplung oder aber eine Kaskadenschaltung zweier Feld-Effekt-Transistoren
erfolgt. Durch Verwendung moderner Feld-Effekt-Transistoren mit isolierter Steuerelektrode (a.B. MOSPET) mit zwei getrennten
Steuerelektroden ist ein Bauelement gegeben, das eine wirksame Entkopplung direkt durchführte Dieses Bauelement, das auch in
integrierter Technik ausgeführt werden katin, ist der Elektronenröhre
(Pentode) weit überlegene Diese Überlegenheit wirkt sich im höheren Übertragungs-Wirkleitwert und dem niedrigen Eingangsleitwert, der sonst nur von Elektrometerröhren erreicht wird, aus«
Eine Verwirklichung eines Kettenverstärkers mit MOSFET's
mit zwei isolierten Steuerfilektroden ist zwar ohne weiteres möglich,
jedoch ist eine Ausführung in monolithischer Technik kaum ausführbar, da Induktivitäten sehr schwer wirtschaftlich herzustellen
sindo Insbesondere ist die Verwirklichung einer Gegeninduktivität, wie sie für m-transformierte Tiefpaßglieder mit
einem Transformationsfaktor von m = 1,27 gefordert wird, nicht mögliche
Eine laufzeitkette kann auch unter Verwendung von R- und
C-Grliedern aufgebaut werdeno Eine RC-Laufzeitkette hat den Vorteil
ψ daß die Widerstände sehr leicht in monolithischer Technik
realisierbar sindc In Pig* 3 ist ein Kettenverstärker unter
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Verwendung von LIOSPET's und einem RC-Kettenleiter als Eingangslaufzeitkette
und als Ausgangslaufzeitkette dargestellte Die Laufzeitkette besteht aus den schädlichen Kapazitäten des. Ein-
und Ausganges 4·] und B1 bis 4„ und 8 , die als 7/irksame Kapazitäten
der Laufzeitkette fungieren» Die Laufzeitketten selbst
sind mit dem Wellenwiderstand 7, 11» 12 zur Vermeidung von
Reflexion abgeschlossen» Unter der Voraussetzung, daß eine gleiche Sruppenlaufzeit vorhanden sein muß, gilt
wobei b ....» Phasenmaß,
und damit
wobei R1.*..* Längswideretand der Eingangsseite
Rp. o... Längswiderstand der Ausgangs-r
seite C1.... * ^uerkapazität auf der Eingangs-
Cp.*..» «iuerkapazität auf der Ausgangsseitei
bei kleiner Stufenanzahl η gilt, soferne die Dämpfung vernachlässigt
werden kann, für die Verstärkung»
A = η
J Z1
wobei η ...., Stufenanzahl
Gr12* β »· Übertragungs-Wirkleitwert
Z ο».. · komplexer Wellenwiderstand
Bei höherer Stufenanzahl η kann jedoch die Dämpfung nicht mehr vernachlässigt werden und man erhält für die Verstärkung
unter Berücksichtigung des Y/ellenwiderstandes folgende
Formel: &
0 sinhä/2
wobei a · ·.. · Dämpfungsmaß
Man erkennt daraus, daß bei vollkommenem Fehlen einer Induktivität durch die Frequenzabhängigkeit des Yiellenwideratandes
und die Dämpfung Schwierigkeiten beim Abschluß der Leitung entstehen©
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Γ;ί£}·' ·;-.?■: BAD ORIGINAL
Figo 4 zeigt einen Kettenverstärker mit MOSFET1S mit zwei
Gittern und einer RC-Laufzeitkette im Eingangs- und Ausgangskreiso
Die wirksamen Kapazitäten dieses Kettenleiters sind nicht eingezeichnet und man erkennt, daß diese Schaltungsanordnung
sehr leicht in monolithischer Technik verwirklichbar ist, da nur Widerstände und aktive Yerstärkerelemente (ilOSFET's)
enthalten sindo Die Eingano-slauf zeitkette besteht aus den
Längswiderständen 22., bis 22 und den in Fige 4 nicht eingezeichneten
Eingangskapazitäten 4^ bis 4 ο Die Eingangslaufzeitkette
ist mit deren Wellenwiderstand 7 abgeschlossen« Die Ausgangslaufzeitkette besteht aus den längswiderständen 22. bis 22 und den in
Fig. 4 nicht eingezeichneten Ausgangskapazitäten der MOSFET's
8^ bis 8 ο Die Ausgangslaufzeitkette ist an beflen Enden mit
deren Wellenwiderstand 11, 12 abgeschlossene Zur Einhaltung eines genauen Potentials für das zweite Gitterzur Vermeidung
der Rückwirkung des Ausgangskreises auf den Eingangskreis ist der Spannungsteiler 22, 23 vorgesehene In dieser Anordnung sind
alle Quellenanschlüsse miteinander verbunden und es kann die Quellen-Elektrode durch eine einzige eindiffundierte n+ -Zone
verwirklicht werden« Ebenso einfach gestaltet sich der Anschluß der zweiten Steuerelektrode»
Die Erfindung geht von der Tatsache aus, daß, basierend auf der in Figo 4'angegebenen Schaltungsanordnung eines Kettenverstärkers
mit RC-Kettenleiter, bei homogen verteiltem RC-Belag
eine Leitung erhalten wird. Die kontinuierliche Aneinanderreihung von kleinsten Teilstücken dL eines MOSFET's, so wie in
Fig. 5 dargestellt, mit den differentiellen Kapazitäten dO&s und
differentiellen Serienwiderständen dRT und Ableitwiderständen
Ii
ßS ergibt über die Gesamtlänge L gesehen einen homogenen
Kettenleiter Jedes Teilstück dL wirkt auf Grund des Aufbaues als Verstärkerelement mit dem differentiellen Übertragungsleitwert
dG12.
Diese Eingangsleitung ist am Ende mit dem 7/ellenwiderstand
7 abgeschlossen und auf der Ausgangsleitung, die sich ebenfalls aus den diff erentiellen 'Widerständen und Kapazitäten
zusammensetzt, addieren sich am Abschlußwiderstand 11 die ver-
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ßAO
stärkten Signale entsprechend der Summe des differentiellen
Übertragungsleitwertes dG12 über die Länge Lo
Durch Einfügung eines zweiten Gitters G2, das auf einem
konstanten, gegenüber G1 positiven Potential gehalten wird,
zwischen Gitter G1 und der Drain-Elektrode D ist die Rückwirkung
des Ausgangskreises auf den Eingangskreis fast vollständig unterbundene Die Verwirklichung eines solchen Elementes in integrierter
Technik als MOSFET oder aber in Dünnfilmtechnik ist sehr
leicht möglich.
Figo 6 zeigt den topologischen Entwurf und Fig. 7 das Schaltbild eines solchen erfindungsgemäßen, integrierten FeId-
^ Effekt-Kettenverstärkers in Differenzschaltung und läßt den besonders
einfachen Aufbau erkennen0
Zur Erzielung eines möglichst längen Kettenleiters. und
großer Gesamtverstärkung ist eine mäanderförmige Anordnung gewählt. Die Abschlußwiderstände 7, 11 und 12 sind im gezeichneten
Beispiel durch Diffusion mit Sperrschichtisolation direkt an den Enden der Leitung am selben Substrat aufgebracht, ebenso der
zur Erzeugung der konstanten Spannung für das Gitter 2 notwendige V/iderstand 22 und die Zener-Diode 24β Zur Erzielung einer guten
Gleichtaktunterdrückung ist in bekannter V/eise ein, als gemeinsamer ^uellenwiderstand wirkender MOSFET 26 in Konstantstromschaltung
vorgesehen, der ebenfalls am gleichen Substrat aufgebracht
ist. Die Konstantstromwirkung wird durch Festhaltung
™ des Gitters G des MOSFET 26 auf konstantem Potential erhalten.
Dies wird durch den Widerstand 27 und die Zener-Diode 25, die ebenfalls durch Diffusion am gleichen Substrat erzeugt wird,
erreichte Der MÖSFET 26 wird dabei zweckmäßigerweise als Anreicherungstyp
mit Diodencharakteristik, dessen Schwellspannung gleich der Zener-Spannung der Zener-Diode 25 ist, ausgeführt.
Die Zuordnung der einzelnen Elemente im topologischen Entwurf ist aus den gleichlautenden Bezeichnungen in Fig.'6 und Fig.
zu entnehmen. Selbstverständlich kann jedes bekannte Verfahren ' zur Herstellung von MOSPET's und Dünnfilmtransistoren in gleicher
Weise angewendet werden0
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BAD ORIGINAL
Bei einem Kettenverstärker nach der Erfindung iat es auoh möglich, den Abstand zwischen den Steuerelektroden einerseits
und der Abflußelektrode anderseits kontinuierlich vom Eitigang
zum Ausgang der laufzeitkette zu ändern, um die durch den Längswiderstand
bedingte Dämpfung aufheben zu können,,
Eine Serienschaltung mehrerer solcher erfindungsgemäßer
integrierter Feld-Effekt-Kettenverstärker analog der Schaltung in Figo 2 ist ohne weiteres mögliche Damit ergibt sich eine
multiplikative Erhöhung des Verstärkungsfaktors0 Durch Anwendung
gegenteiliger Polarität wird das Ausgangspotential gleich dem Eingangspotential und ein besonders einfacher Aufbau
erreichte,
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Claims (1)
- - ίο - .Patentansprüche sIntegrierter PeId-Effekt-Kettenver3tärker, dadurch gekennzeichnet , daß ein Feld-Effekt-Transistor mit zv/ei isolierten Steuerelektroden parallel zu seinen . Kanalufern derart verlängert ist, daß je ein homogener Kettenleiter mit homogen verteilten V/iderstands-, Ableitungsund Kapazitätsbelägen einerseits zwischen der ersten Steuerelektrode (G1) bzw. der Quellen-Elektrode (S) und dem Substrat als Eingangslaufzeitkette für den Kettenverstärker und anderseits zwischen der Abfluß-Elektrode (D) und dem Substrat als Ausgangslaufzeitkette für den Kettenverstärker gebildet sind, welche Laufzeitketten mit ihrem Wellenwiderstnad (7»11» 12) abgeschlossen sind (Pig* 5).Integrierter Feld-Effekt-Kettenverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Abstand zwischen den Steuerelektroden einerseits und der Abflußelektrode anderseits kontinuierlich vom Eingang zum Ausgang der Laufzeitkette ändert.17.6.69
Kr/E909886/1066BAD ORIGINALLeerseite
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JPS57133712A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-18 | Fujitsu Ltd | Constituting method of delay circuit in master slice ic |
US4419632A (en) * | 1981-12-11 | 1983-12-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Bias circuit for microwave FETs |
US4486719A (en) * | 1982-07-01 | 1984-12-04 | Raytheon Company | Distributed amplifier |
US4918401A (en) * | 1985-09-30 | 1990-04-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Step adjustable distributed amplifier network structure |
US4947220A (en) * | 1987-08-27 | 1990-08-07 | Yoder Max N | Yoked, orthogonally distributed equal reactance amplifier |
US5012203A (en) * | 1989-12-27 | 1991-04-30 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Distributed amplifier with attenuation compensation |
DE4335132A1 (de) * | 1993-10-15 | 1995-04-20 | Saur Brosch Roland | Breitband-Verstärkerschaltung |
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