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Die
Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
(LCD), insbesondere eine Mehr-Domänen-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
mit einer Seiten- oder Zusatzelektrode auf einer Schicht, auf der
die Pixelelektrode ausgebildet ist.
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Kürzlich wurde
eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
vorgestellt, bei der das Flüssigkristallmaterial
nicht ausgerichtet ist und das Flüssigkristallmaterial durch
von Pixelelektroden isolierten Seitenelektroden angesteuert wird.
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1a bis 1c zeigen
Schnitte von Pixeleinheiten herkömmlicher
LCDs.
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Bei
herkömmlichen
LCDs sind eine Mehrzahl von Gatebusleitungen in einer ersten Richtung
auf einem ersten Substrat angeordnet. Eine Mehrzahl von Datenbusleitungen
sind in einer zweiten Richtung auf dem ersten Substrat angeordnet,
wobei das erste Substrat in eine Mehrzahl von Pixelbereichen unterteilt
wird. Ein Dünnschichttransistor
(TFT) legt ein von der Datenbusleitung geliefertes Bildsignal an
eine Pixelelektrode 13 auf einer Passivierungsschicht 4 an. Der
Dünnschichttransistor
ist an jedem Pixelbereich ausgebildet und weist eine Gateelektrode,
eine Gateisolierschicht, eine Halbleiterschicht, eine Sourceelektrode
und eine Drainelektrode, usw. auf. Eine Seitenelektrode 15 ist
die Pixelelektrode 13 umrandend auf der Gateisolierschicht
ausgebildet. Darauf ist die Passivierungsschicht 4 über der
gesamten Oberfläche
des ersten Substrats ausgebildet. Ein Teil der Pixelelektrode 13 überlappt
die Seitenelektrode 15 (siehe 1a). Alternativ
dazu ist die Pixelelektrode 13 auf der Gateisolierschicht
ausgebildet und die Passivierungsschicht 4 ist über der
gesamten Oberfläche
des ersten Substrats ausgebildet. Eine Seitenelektrode 15 ist
als ein die Pixelelektrode überlappendes
Teil ausgebildet (siehe 1b). Darüberhinaus
ist es möglich,
die Pixelelektrode 13 mittels einem Ätzverfahren zu strukturieren
und den Pixelbereich zu teilen (siehe 1c).
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Auf
einem zweiten Substrat 33 ist eine gemeinsame Elektrode 17 ausgebildet.
Zusammen mit der Pixelelektrode 13 legt die gemeinsame
Elektrode 17 ein elektrisches Feld an eine Flüssigkristallschicht an.
Eine Seitenelektrode 15 und ein offener Bereich (Schlitz) 19 stören das
an die Flüssigkristallschicht angelegte
elektrische Feld. In einer Pixeleinheit werden Flüssigkristallmoleküle unterschiedlich
angesteuert. Das heißt,
daß beim
Anlegen von Spannung an die LCD die Flüssigkristalldirektoren durch
die dielektrische Energie aufgrund des gestörten elektrischen Feldes in
eine erforderliche Position angeordnet werden.
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Jedoch
ist bei den LCDs der offene Bereich 19 in der gemeinsamen
Elektrode oder in der Pixelelektrode 13 erforderlich und
die Flüssigkristallmoleküle könnten stabil
gesteuert werden, wenn der offene Bereich größer wäre. Wenn die Elektroden keinen offenen
Bereich aufweisen oder die Weite des offenen Bereiches gering ist,
ist die Störung
des elektrischen Feldes, welche zum Aufteilen der Pixelbereiche
erforderlich ist, zu gering. Wenn eine Spannung über einer Schwellenspannung
Vth angelegt ist, ist die zum Stabilisieren
der Flüssigkristalldirektoren
erforderliche Zeit erhöht.
Insbesondere kann die Reaktionszeit über 100 ms (Millisekunden)
betragen. Zu diesem Zeitpunkt tritt Deklination von dem Bereich,
in welchem die Flüssigkristalldirektoren
parallel mit einer Transmittanzachse des Polarisierers sind, auf, wodurch
die Helligkeit zurückgeht.
Außerdem
ist entsprechend dem Oberflächenzustand
von LCDs die Flüssigkristalltextur
von ungleichmäßiger Struktur.
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Aus
den Schriften
US 5 576
863 A und
US
5 748 276 A ist eine Mehr-Domänen-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
bekannt, wobei die Pixelelektroden in eine Mehrzahl von Sub-Pixelelektroden
geteilt sind, und wobei die Sub-Pixelelektroden mit voneinander
verschiedenen Spannungen versorgt werden.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, eine Mehr-Domänen-LCD mit schnellem Ansprechverhalten
und großer
Helligkeit bei stabiler Ausrichtung der Flüssigkristallmoleküle zu schaffen.
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Um
die erfindungsgemäßen Ziele
zu erreichen, weist ein Mehr-Domänen-LCD
auf: ein erstes Substrat und ein zweites Substrat, welche einander zugewandt
sind, eine Flüssigkristallschicht
zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat, eine Mehrzahl
von in einer ersten Richtung angeordneten Gatebusleitungen auf dem
ersten Substrat und eine Mehrzahl von in einer zweiten Richtung
angeordneten Datenbusleitungen auf dem ersten Substrat, welche Pixelbereiche
festlegen, eine gemeinsame Elektrode auf dem zweiten Substrat, mindestens
eine durch eine zugeordnete Datenbusleitung elektrisch geladene
Pixelelektrode zum Ansteuern der Flüssigkristallschicht mit der
gemeinsamen Elektrode, mindestens eine auf derselben Schicht wie
die Pixelelektrode ausgebildete Seitenelektrode, wobei die Seitenelektrode
mit der gemeinsamen Elektrode elektrisch verbunden ist, und eine
Passivierungsschicht, welche die Pixelelektrode und die Seitenelektroden von
den anderen Elektroden und Busleitungen isoliert.
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Gemäß einem
anderen Aspekt der Erfindung weist ein Verfahren zur Herstellung
einer Mehr-Domänen-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
mit einem ersten Substrat und einem zweiten Substrat folgende Schritte
auf: Ausbilden einer Mehrzahl von Gatebusleitungen in einer ersten
Richtung auf dem ersten Substrat sowie einer Mehrzahl von Datenbusleitungen
in einer zweiten Richtung auf dem ersten Substrat unter Festlegen
eines Pixelbereiches; Ausbilden einer gemeinsamen Elektrode auf
dem zweiten Substrat; Ausbilden einer Pixelelektrode, welche von
der Datenbusleitung elektrisch geladen wird, um die Flüssigkristallschicht
mit der gemeinsamen Elektrode anzusteuern; Ausbilden einer Seitenelektrode
auf derselben Schicht, auf der die Pixelelektrode ausgebildet ist;
Ausbilden einer elektrischen Verbindung zwischen der Seitenelektrode
und der gemeinsamen Elektrode; Ausbilden einer Passivierungsschicht, welche
die Pixelelektrode und die Seitenelektrode von anderen Elektroden
und Busleitungen isoliert; und Ausbilden der Flüssigkristallschicht zwischen dem
ersten Substrat und dem zweiten Substrat.
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Die
Erfindung wird anhand bevorzugter Ausführungsformen unter Bezugnahme
auf die Zeichnung näher
erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
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1a bis 1c Schnitte
von Flüssigkristallanzeigevorrichtungen
nach dem Stand der Technik,
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2a bis 2d Draufsichten
auf die Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung,
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3a und 3b Schnitte
entlang der Linien I-I und II-II der Flüssigkristallanzeigevorrichtung aus 2a,
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4a bis 4c Draufsichten
auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung,
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5a bis 5c Draufsichten
auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer dritten Ausführungsform
der Erfindung,
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6a bis 6d Draufsichten
auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer vierten Ausführungsform
der Erfindung,
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7a und 7b Schnitte
der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach 6a entlang der Linien III-III und IV-IV,
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8a bis 8c Draufsichten
auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer fünften Ausführungsform
der Erfindung,
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9a bis 9c Draufsichten
auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer sechsten Ausführungsform
der Erfindung,
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10a bis 10d Draufsichten
auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer siebten Ausführungsform
der Erfindung,
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11a und 11b Schnitte
der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach 10a entlang der Linien V-V bzw.
VI-VI,
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12a bis 12c Draufsichten
auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer achten Ausführungsform
der Erfindung,
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13a bis 13c Draufsichten
auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer neunten Ausführungsform
der Erfindung,
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14a bis 14d Draufsichten
auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer zehnten Ausführungsform
der Erfindung,
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15 einen
Schnitt der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach 14a entlang der Linie VII-VII,
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16a bis 16c Draufsichten
auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer elften Ausführungsform
der Erfindung,
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17a bis 17c Draufsichten
auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer zwölften Ausführungsform
der Erfindung,
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18a bis 18e Schnitte,
aus denen eine erste Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens
ersichtlich sind,
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19a bis 19f Schnitte,
aus denen eine zweite Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens
ersichtlich sind,
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20a und 20b das
obere Substrat und das untere Substrat der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeigevorrichtung
mit unterschiedlichen Konfigurationen des Ausgleichsfilms, und
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21a und 21b das
obere Substrat und das untere Substrat gemäß einer anderen Ausführungsform
der Erfindung, wobei in 21a eine schwarze
Matrix gezeigt ist und in 21b die schwarze
Matrix nicht gezeigt ist.
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Die
erfindungsgemäße Mehr-Domänen-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
weist ein erstes Substrat und ein zweites Substrat, wobei das erste
Substrat und das zweite Substrat einander zugewandt angeordnet sind,
eine Flüssigkristallschicht zwischen
dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat, eine Mehrzahl von
Gatebusleitungen, welche in einer ersten Richtung auf dem ersten
Substrat angeordnet sind, und eine Mehrzahl von Datenbusleitungen,
welche in einer zweiten Richtung auf dem ersten Substrat zum Bestimmen
eines Pixelbereiches angeordnet sind, eine gemeinsamen Elektrode
auf dem zweiten Substrat, eine Pixelelektrode, welche zum Ansteuern
der Flüssigkristallschicht
mit der gemeinsamen Elektrode von der Datenbusleitung elektrisch geladen
wird, eine Seitenelektrode auf einer Schicht, auf welcher die Pixelelektrode
ausgebildet ist, eine Passivierungsschicht unter der Pixelelektrode
und unter der Seitenelektrode, um die Pixelelektrode und die Seitenelektrode
von anderen Elektroden und Busleitungen zu isolieren, und eine Ausrichtungsschicht
auf mindestens einem Substrat des ersten Substrats und des zweiten
Substrats auf. Die Seitenelektrode ist in einem Bereich außerhalb
eines Bereiches der Pixelelektrode ausgebildet. Die Passivierungsschicht
weist BCB (Benzocyclobutein), Acrylharz, Polyimidverbindungen, Siliziumnitrid,
oder Siliziumoxid auf. Der Pixelbereich ist in mindestens zwei Abschnitte
unterteilt. In jedem Abschnitt werden die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht
voneinander unterschiedlich angesteuert.
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Die
Ausrichtungsschicht ist in mindestens zwei Abschnitte unterteilt.
In jedem Abschnitt werden die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht voneinander
unterschiedlich ausgerichtet.
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Mindestens
einer der Abschnitte der Ausrichtungsschichtabschnitte ist als Ausrichtungsschicht ausgebildet
oder kein Abschnitt der Ausrichtungsschichtabschnitte ist als Ausrichtungsschicht
ausgebildet. Diesbezüglich
kann mindestens ein Abschnitt der Ausrichtungsschichtabschnitte
mit einem Reibeverfahren oder einem Fotoausrichtungsverfahren behandelt
sein.
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Die
Flüssigkristallschicht
weist Flüssigkristallmoleküle mit positiver
dielektrischer Anisotropie oder Flüssigkristallmoleküle mit negativer
dielektrischer Anisotropie auf. Aus den 2a bis 2d sind
Draufsichten auf die Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach der ersten Ausführungsform
der Erfindung ersichtlich. Aus den 2a bis 2d ist
eine Storage-On-Common Struktur ersichtlich. Es ist jedoch auch
eine Storage-On-Gate Struktur möglich. Der
durchgezogene Pfeil zeigt die Ausrichtung des oberen Substrats und
der gestrichelte Pfeil zeigt die Ausrichtung des unteren Substrats.
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Insbesondere
ist aus 2a eine Vier-Bereichs (four
domain) "+"-förmige Konfiguration
ersichtlich, wobei alle vier Bereiche mit einer Ausrichtungsschicht
versehen sind. Aus 2b ist eine Vier-Bereichs (four
domain) "X"-förmige Konfiguration
ersichtlich, wobei alle vier Bereiche mit der Ausrichtungsschicht
versehen sind. Aus 2c ist eine Vier-Bereichs Konfiguration
ersichtlich, wobei nur zwei der vier Bereiche mit der Ausrichtungsschicht versehen
sind. Aus 2d ist eine Zwei-Bereichs (two
domain) Konfiguration ohne Ausrichtungsschicht ersichtlich.
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Aus
den 3a und 3b sind
Schnitte entlang der Linien a-a' bzw.
b-b' aus 2a ersichtlich.
Obwohl dies aus 3a und 3b nicht
ersichtlich ist, kann eine Ausrichtungsschicht entweder auf dem
ersten Substrat oder auf dem zweiten Substrat angeordnet sein oder
eine Ausrichtungsschicht kann auf dem ersten Substrat und auf dem
zweiten Substrat angeordnet sein.
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Wie
aus den 2a bis 2d und 3a bis 3b ersichtlich,
weist die Erfindung eine Mehrzahl von Gatebusleitungen 1 auf,
welche in einer ersten Richtung auf einem ersten Substrat angeordnet sind
und eine Mehrzahl von Datenbusleitungen 3, welche in einer
zweiten Richtung auf dem ersten Substrat angeordnet sind, einen
TFT, eine Passivierungsschicht 4, eine Pixelelektrode 13,
eine Seitenelektrode 15, eine gemeinsame Elektrode 17 auf
einem zweiten Substrat 20 und eine Flüssigkristallschicht zwischen
dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat auf.
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Die
Datenbusleitungen 3 und die Gatebusleitungen 1 unterteilen
das erste Substrat in eine Mehrzahl von Pixelbereichen. Der TFT
ist in jedem Pixelbereich ausgebildet und weist eine Gateelektrode 11, eine
Gateisolierschicht, eine Halbleiterschicht 5, eine Ohmsche
Kontaktschicht, sowie eine Sourceelektrode 7 und eine Drainelektrode 9 auf.
Die Passivierungsschicht 4 ist auf dem TFT und auf den
Datenbusleitungen 3 bevorzugt über der gesamten resultierenden
Oberfläche
des ersten Substrates ausgebildet. Die Pixelelektrode 13 ist
an die Drainelektrode 9 angeschlossen und überlappt
den TFT und/oder die Datenbusleitungen 3 und die Gatebusleitungen 1 auf der
Passivierungsschicht 4. Die Seitenelektrode 15 ist
in einem Abschnitt mit Ausnahme des Abschnittes, in welchem die
Pixelelektrode 13 ausgebildet ist, auf der Passivierungsschicht
ausgebildet. Die Seitenelektrode 15 und die Pixelelektrode 13 sind
durch die Passivierungsschicht 4 voneinander getrennt,
wodurch vermieden wird, daß die
Gatebusleitung 1 und die Datenbusleitung 3 das
verzerrte elektrische Feld der Seitenelektrode 15 beeinflussen.
Die Passivierungsschicht 4 wird durch Aufbringen eines
Materials wie Siliziumnitrit oder Siliziumoxid ausgebildet. Außerdem treten
Kreuzkoppelungseffekte auf, wenn die Seitenelektrode 15 und
die Pixelelektrode 13 den TFT und/oder die Datenbusleitung überlappen.
Daher sind die Seitenelektrode und die Pixelelektrode 15 bzw. 13 derart
ausgebildet, daß sie
mittels der Passivierungsschicht als Zwischenschicht den TFT und/oder
die Datenbusleitung nicht überlappen.
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Beim
Herstellen der LCD wird in jedem Pixelbereich auf dem ersten Substrat
ein TFT ausgebildet, welcher einer Gateelektrode 11, eine
Gateisolierschicht, eine Halbleiterschicht 5, eine Ohmsche
Kontaktschicht, eine Sourceelektrode 7 und eine Drainelektrode 9 aufweist.
Zu dieser Zeit wird eine Mehrzahl von Gatebusleitungen 1 und
eine Mehrzahl von Datenbusleitungen 3 ausgebildet, wodurch
das erste Substrat in eine Mehrzahl von Pixelbereichen unterteilt
wird.
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Die
Gateelektrode 11, die Gatebusleitung 1, die Datenbusleitung 3,
die Sourceelektrode 7, und die Drainelektrode 9 werden
durch Aufbringen eines Metalls wie Al, Mo, Cr, Ta oder Al-Legierung
usw. unter Verwenden einer Sputter- und Strukturierungstechnik ausgebildet.
Die Halbleiterschicht 5 und die Ohmsche Kontaktschicht
werden durch Aufbringen und Strukturieren einer amorphen Siliziumschicht (A-Si)
bzw. einer dotierten amorphen Siliziumschicht (N+A-Si)
unter Verwendung eines Plasma CVD-Verfahrens (Plasma chemical vapour deposition;
Chemische Ausscheidung aus der Gasphase) ausgebildet. Die Gateisolierschicht
wird ausgebildet durch Ablagerung mittels Plasma CVD and Patterning
von SiNx oder SiOx.
Die Seitenelektrode 15 und die Pixelelektrode werden durch
Aufbringen eines Metalls wie ITO (Indiumzinnoxid), Al, Mo, Cr, Ta,
Ti oder Al-Legierungen unter Verwendung eines Sputter-Ätz- und Strukturierverfahrens
ausgebildet.
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Es
ist möglich,
die Seitenelektrode und die Pixelelektrode durch einmaliges Strukturieren
desselben Metalles oder durch zweimaliges Strukturieren verschiedener
Metalle auszubilden.
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Auf
dem zweiten Substrat 20 wird die gemeinsame Elektrode 17 durch
Auftragen von ITO unter Verwenden eines Sputter-Ätz- und Strukturierverfahrens
ausgebildet. Die Flüssigkristallschicht wird durch
Injizieren von Flüssigkristallmaterial
zwischen das erste Substrat und das zweite Substrat ausgebildet.
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Die
Seitenelektrode 15 weist bevorzugt dasselbe oder im Wesentlichen
dasselbe Potential wie die gemeinsame Elektrode auf. Dies wird dadurch
erreicht, daß die
Seitenelektrode 15 mit der gemeinsamen Elektrode elektrisch
verbunden ist. Wenn beispielsweise die Potentialdifferenz zwischen
der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode 5 V beträgt, ist
die Potentialdifferenz zwischen der Pixelelektrode und der Seitenelektrode
ebenfalls 5 V.
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Bei
der erfindungsgemäßen LCD
ist eine Ausrichtungsschicht über
der gesamten Oberfläche des
ersten und/oder des zweiten Substrates ausgebildet (nicht in den
Figuren gezeigt). Die Ausrichtungsschicht umfaßt ein Material wie Materialien
auf Basis von Polyamid oder Polyimid, PVA (Polyvinylalkohol), Polyamidcarbonsäure (polyamic
acid) oder SiO2. Wenn zum Bestimmen der
Ausrichtung ein Reibverfahren verwendet wird, ist es möglich, ein
beliebiges, für
das Reibverfahren geeignetes Material zu verwenden.
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Außerdem ist
es möglich,
die Ausrichtungsschicht aus einem fotoempfindlichen Material wie Materialien
auf Basis von PVCN (Polyvinylcinnamat), PSCN (Polysiloxancinnamat)
und CelCN (Cellulosecinnamat) herzustellen. Jedes beliebige für die Verwendung
für die
Fotoausrichtung geeignete Material kann verwendet werden. Einmaliges
Bestrahlen der Ausrichtungsschicht mit Licht bestimmt die Ausrichtung
oder Vorkipprichtung und den Kippwinkel. Das bei der Fotoausrichtung
verwendete Licht ist bevorzugt ultraviolettes Licht, wobei unpolarisiertes
Licht, linear polarisiertes Licht und teilpolarisiertes Licht verwendet
werden kann.
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Die
Reibe- oder die Fotoausrichtungsbehandlung kann auf eines oder auf
beides der ersten und zweiten Substrate angewendet werden. Auf jedem
Substrat kann ein unterschiedliches Ausrichtungsverfahren angewendet
werden.
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Wie
aus den 4 und 5 ersichtlich,
wird mit dem Ausrichtungsverfahren eine Mehr-Domänen-LCD mit mindestens 2 Bereichen
ausgebildet und die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht
sind in den einzelnen Bereichen jeweils zueinander unterschiedlich
ausgerichtet. Das heißt, daß wie aus 2a bis 2d ersichtlich,
die Mehrfach-Bereiche (Multi domain) durch Teilen jedes Pixels in
vier Bereiche erreicht wird, wie beispielsweise in einem "+"-förmigen
oder "x"-förmigen
Bereich, oder durch Aufteilen jedes Pixels in horizontaler, vertikaler
und/oder diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden unterschiedlicher Ausrichtungen in jedem Bereich
und auf jedem Substrat.
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Der
mit einer durchgehenden Linie dargestellte Pfeil und der mit einer
gestrichelten Linie dargestellte Pfeil in den Figuren repräsentiert
die Ausrichtungen jedes Bereiches des ersten bzw. des zweiten Substrats.
Es ist möglich,
auf mindestens einem Bereich der geteilten Bereiche kein Ausrichtungsverfahren
durchzuführen.
Außerdem
ist es möglich,
sämtliche
Bereiche unausgerichtet zu belassen.
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Aus
den 4a bis 4c sind
Draufsichten auf Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach der zweiten Ausführungsform
der Erfindung ersichtlich. Die zweite Ausführungsform ist der ersten Ausführungsform ähnlich,
mit der Ausnahme, daß die
Seitenelektrode 15 nur auf der Seite der Datenbusleitung 3 ausgebildet
ist. Das heißt,
daß keine
horizontale Seitenelektrode vorhanden ist. Deswegen ist der Pixelbereich
nach der zweiten Ausführungsform
breiter als jener nach der ersten Ausführungsform.
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Außerdem werden
die Mehrfachbereiche durch Unterteilen jedes Pixels in vier Bereiche,
beispielsweise einen "+"-förmigen oder "x"-förmigen
Bereich, oder durch Unterteilen jedes Pixels in horizontaler, vertikaler
und/oder diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden von Ausrichtungen in jedem Bereich auf jedem Substrat
erreicht. Es ist möglich,
mindestens einen Bereich der unterteilten Bereiche unausgerichtet
zu lassen. Es ist auch möglich,
alle Bereiche unausgerichtet zu lassen.
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Insbesondere
ist aus 4a eine Zwei-Bereichs-Konfiguration
ersichtlich, bei welcher beide Bereiche ausgerichtet sind. Aus 4b ist
eine Vier-Bereichs-Konfiguration ersichtlich, wobei lediglich zwei
der vier Bereiche ausgerichtet sind. Aus 4c ist
eine Zwei-Bereichs-Konfiguration ohne Ausrichtung ersichtlich.
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Die 5a bis 5c zeigen
Draufsichten auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach der dritten Ausführungsform
der Erfindung. Die dritte Ausführungsform
der Erfindung ist ähnlich
zu der ersten Ausführungsform
und der zweiten Ausführungsform
der Erfindung, mit der Ausnahme, daß die Seitenelektrode 15 nur
entlang der Seite der Gatebusleitung 1 ausgebildet ist,
das heißt,
daß keine
vertikale Seitenelektrode ausgebildet ist. Aufgrund dessen ist der
Pixelbereich größer als
bei der ersten Ausführungsform
und als bei der zweiten Ausführungsform. Die
aus den 5a bis 5c ersichtliche
Ausführungsform
weist eine Storage-On-Common Struktur auf.
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Außerdem werden
die Mehrfachbereiche durch Unterteilen jedes Pixels in vier Bereiche,
beispielsweise einen "+"-förmigen oder "x"-förmigen
Bereich, oder durch Unterteilen jedes Pixels in horizontaler, vertikaler
und/oder diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden von Ausrichtungen in jedem Bereich in auf jedem Substrat
erreicht. Es ist möglich,
mindestens einen Bereich der unterteilten Bereiche unausgerichtet
zu lassen. Es ist auch möglich,
alle Bereiche unausgerichtet zu lassen.
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Aus
den 6a bis 6d der
Draufsichten einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer vierten Ausführungsform
der Erfindung ersichtlich. Die 6a bis 6d sind
den 2a bis 2d ähnlich,
mit der Ausnahme, daß die
Seitenelektrode 15 die Datenbusleitung unter Vergrößern des Öffnungsverhältnisses überlappt,
wobei beispielsweise ein niedrig-dielektrisches Material wie BCB
als Passivierungsschicht verwendet wird.
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Aus
den 7a und 7b sind
Schnitte entlang der Linien A-A' und
B-B' der aus der 6a ersichtlichen
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
ersichtlich. Eine Ausrichtungsschicht kann entweder auf dem ersten
Substrat oder auf dem zweiten Substrat ausgebildet sein oder eine
Ausrichtungsschicht kann auf dem ersten Substrat und auf dem zweiten Substrat
ausgebildet sein (nicht gezeigt). Bei der vierten Ausführungsform
umfaßt
die Passivierungsschicht BCB (Benzocyclobuten), Acrylharz oder Polyimidverbindungen
usw. als eine organische Isolierschicht auf. Daher ist die Seitenelektrode
entlang der Seite der Datenbusleitung 3 an einer beliebigen
Stelle über
der Datenbusleitung 3 ausgebildet und das Öffnungsverhältnis ist
verbessert. Außerdem
kann die Seitenelektrode relativ zu den ersten drei Ausführungsformen
der Erfindung an einem beliebigen Ort positioniert sein, wodurch
der Pixelbereich breiter als bei den ersten drei Ausführungsformen
der Erfindung ist.
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Bei
der vierten Ausführungsform
werden die Mehrfachbereiche durch Unterteilen jedes Pixels in vier
Bereiche, beispielsweise einen "+"-förmigen oder "x"-förmigen
Bereich, oder durch Unterteilen jedes Pixels in horizontaler, vertikaler
und/oder diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden von Ausrichtungen in jedem Bereich auf jedem Substrat
erreicht. Es ist möglich,
mindestens einen Bereich der unterteilten Bereiche unausgerichtet
zu lassen. Es ist auch möglich, alle
Bereiche unausgerichtet zu lassen.
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Aus
den 8a bis 8c sind
Draufsichten auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer fünften
Ausführungsform
der Erfindung ersichtlich. Die fünfte Ausführungsform
der Erfindung ist der vierten Ausführungsform der Erfindung ähnlich,
mit der Ausnahme, daß die
Seitenelektrode 15 an einem beliebigen Ort über der
Datenbusleitung 3 ausgebildet ist. Daher ist der Pixelbereich
breiter als nach der vierten Ausführungsform der Erfindung.
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Bei
der fünften
Ausführungsform
werden die Mehrfachbereiche durch unterteilen jedes Pixels in vier
Bereiche, beispielsweise einen "+"-förmigen oder "x"-förmigen
Bereich, oder durch Unterteilen jedes Pixels in horizontaler, vertikaler
und/oder diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden von Ausrichtungen in jedem Bereich auf jedem Substrat
erreicht. Es ist möglich,
mindestens einen Bereich der unterteilten Bereiche unausgerichtet
zu lassen. Es ist auch möglich, alle
Bereiche unausgerichtet zu lassen.
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Aus
den 9a bis 9c sind
Draufsichten auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer sechsten Ausführungsform
der Erfindung ersichtlich. Die sechste Ausführungsform ist der vierten Ausführungsform
und der fünften
Ausführungsform der
Erfindung ähnlich,
mit der Ausnahme, daß die Seitenelektrode 15 an
einem beliebigen Ort auf der Gatebusleitung 1 an der Seite
ausgebildet ist, an welcher auch der TFT ausgebildet ist. Da die
Pixelelektrode 13 die Datenbusleitung 3 verglichen
mit der vierten Ausführungsform
der Erfindung und mit der fünften
Ausführungsform
der Erfindung überlappt,
ist das Öffnungsverhältnis verbessert.
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Bei
der sechsten Ausführungsform
werden die Mehrfachbereiche durch Unterteilen jedes Pixels in vier
Bereiche, beispielsweise einen "+"-förmigen oder "x"-förmigen
Bereich, oder durch Unterteilen jedes Pixels in horizontaler, vertikaler
und/oder diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden von Ausrichtungen in jedem Bereich auf jedem Substrat
erreicht. Es ist möglich,
mindestens einen Bereich der unterteilten Bereiche unausgerichtet
zu lassen. Es ist auch möglich, alle
Bereiche unausgerichtet zu lassen.
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Wie
aus den 10a bis 10b sowie 11a und 11b ersichtlich,
weist die erfindungsgemäße Vorrichtung
auf: eine Mehrzahl von Gatebusleitungen 1, welche in einer
ersten Richtung auf einem ersten Substrat 31 angeordnet
sind, sowie eine Mehrzahl von Datenbusleitungen 3, welche
in einer zweiten Richtung auf dem ersten Substrat angeordnet sind,
einen TFT, eine Passivierungsschicht 37, eine Pixelelektrode 13 und
eine Seitenelektrode 15.
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Auf
einem zweiten Substrat 33 sind eine Lichtschutzschicht 25 zum
Abschirmen von Licht, welches im Bereich der Gatebusleitung 1 und
der Datenbusleitung 3 und des TFT austritt, eine Farbfilterschicht 23 auf
der Lichtschutzschicht, eine gemeinsame Elektrode 17 auf
der Farbfilterschicht sowie eine Flüssigkristallschicht zwischen
dem ersten Substrat 13 und dem zweiten Substrat 33 ausgebildet.
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Die
Datenbusleitungen 3 und die Gatebusleitungen 1 unterteilen
das erste Substrat in eine Mehrzahl von Pixelbereichen. In jedem
Pixelbereich ist ein TFT ausgebildet, welcher eine Gateelektrode 11,
eine Gateisolierschicht 35, eine Halbleiterschicht 5,
eine Ohmsche Kontaktschicht, eine Sourceelektrode 7, sowie
eine Drainelektrode 9 aufweist. Die Passivierungsschicht 37 ist über dem
gesamten ersten Substrat ausgebildet. Die Pixelelektrode 13 ist
an die Drainelektrode angeschlossen und überlappt die Datenbusleitung 3 oder
die Gatebusleitung 1 auf der Passivierungsschicht 37.
Die Seitenelektrode 15 ist in einem Bereich, welcher den
Bereich in welchem die Pixelelektrode 13 und der TFT ausgebildet
sind, ausschließt,
auf der Passivierungsschicht 37 ausgebildet.
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Die
Seitenelektrode 15 und die Pixelelektrode 13 sind
mittels der Passivierungsschicht 37 voneinander getrennt,
wodurch ein Beeinflussen des verzerrten elektrischen Feldes der
Seitenelektrode 15 durch die Gatebusleitung 1 und/oder
die Datenbusleitung 3 vermieden wird. Die Passivierungsschicht 37 wird
durch Abscheiden eines Materials wie SiNx oder
SiOx ausgebildet. Außerdem kann eine Kreuzkoppelung
auftreten, wenn die Seitenelektrode 15 und die Pixelelektrode 13 den
TFT und/oder die Datenbusleitung 3 überlappen. Deswegen sind die Seitenelektrode 15 und
die Pixelelektrode 13 den TFT und/oder die Datenbusleitung
nicht überlappend ausgebildet,
wobei die Passivierungsschicht als eine Zwischenschicht dient.
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Bei
der aus den 10a bis 10d ersichtlichen
Ausführungsform
kann der diagonale Bereich der Seitenelektrode 15 durch
einen rechtwinkligen Bereich ähnlich
zu dem aus den 2a bis 2d ersichtlichen
als Alternativausführungsform ersetzt
werden.
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Aus
den 18a bis 18e sind
Schnitte ersichtlich, welche die Verfahrensschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens
zur Herstellung der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
zeigen.
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Beim
Herstellen der erfindungsgemäßen LCD
wird in jedem Pixelbereich auf dem ersten Substrat 13 ein
TFT ausgebildet, welche eine Gateelektrode 11, eine Gateisolierschicht 35,
eine Halbleiterschicht 5, eine Ohmsche Kontaktschicht,
eine Sourceelektrode 7 und eine Drainelektrode 9 aufweist.
Zu diesem Zeitpunkt werden eine Mehrzahl von Gatebusleitungen 1 und
eine Mehrzahl von Datenbusleitungen 3 auf dem ersten Substrat
ausgebildet, wodurch das erste Substrat in eine Mehrzahl von Pixelbereichen
unterteilt wird.
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Die
Gateelektrode 11 und die Gatebusleitung 1 werden
beispielsweise durch Sputter-Ätzen
und Strukturieren eines Metalls wie Al, Mo, Cr, Ta oder Al-Legierungen
ausgebildet, wie in 18a gezeigt. Die Gateisolierschicht 35 wird
auf der Gateelektrode 11 durch Auftragen von SiNx oder SiOx unter
Verwenden eines beispielsweise PCVD-Verfahrens (Plasma chemical
vapour deposition; chemische Ausscheidung aus der Gasphase) ausgebildet.
Die Halbleiterschicht und die Ohmsche Kontaktschicht werden durch
Auftragen (mittels PCVD) und Strukturieren von amorphen Silizium
(A-Si) bzw. dotierten amorphen Silizium (n+a-Si)
ausgebildet, wie in 18b gezeigt. Die Datenbusleitung 3,
die Sourceelektrode 7 und die Drainelektrode 9 werden
beispielsweise durch Sputter-Ätzen
und Strukturieren eines Metalls wie Al, Mo, Cr, Ta oder Al-Legierungen ausgebildet, wie
aus 18c ersichtlich.
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Anschließend wird
eine Passivierungsschicht 37 mit BCB (Benzozyclobuten),
Acrylharz, Materialien auf Polyimidbasis, SiNx oder
SiOx über dem
gesamten ersten Substrat ausgebildet, wie aus 18d ersichtlich. Eine Kontaktöffnung 39 wird über der
Drainelektrode 9 ausgebildet, um durch die Kontaktöffnung 39 hindurch
die Pixelelektrode an die Drainelektrode anzuschließen. Danach
werden die Seitenelektrode und die Pixelelektrode beispielsweise
durch Sputter-Ätzen
und Strukturieren eines Metalls wie ITO (Indiumzinnoxid), Al, Mo,
Cr, Ta, Ti oder Al-Legierungen ausgebildet, wie aus 18e ersichtlich.
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Zu
diesem Zeitpunkt ist es möglich,
die Seitenelektrode 15 und die Pixelelektrode durch einmaliges
Strukturieren desselben Metalls oder durch zweimaliges Strukturieren
unterschiedlicher Metalle unterschiedlich auszubilden. Wenn die
Seitenelektrode 15 und die Pixelelektrode 13 aus
demselben Metall ausgebildet werden, werden die Seitenelektrode und
die Pixelelektrode simultan unter Verwendung einer einzigen Maske
ausgebildet. Alternativ dazu ist es möglich, die Seitenelektrode
und die Pixelelektrode aus unterschiedlichen Materialien oder als
Doppelschichten unter Verwendung zusätzlicher Masken auszubilden.
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Um
an die Seitenelektrode 15 eine Spannung (Vcom)
anlegen zu können,
wird bevorzugt in jedem Eckbereich des Ansteuerbereiches des ersten Substrates 31 punktförmig Silber
(Ag) aufgetragen. Zusammen mit dem zweiten Substrat 33 wird
ein elektrisches Feld angelegt und die Flüssigkristallmoleküle werden
durch die Potentialdifferenz gesteuert. Die Spannung (Vcom)
wird an die Seitenelektrode 15 angelegt, indem die punktförmigen Ag-Stellen
an die Seitenelektrode angeschlossen werden, was gleichzeitig mit
dem Ausbilden der Seitenelektrode aus ITO erfolgen kann.
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Die
Seitenelektrode 15 weist dasselbe oder im Wesentlichen
das gleiche Potential wie die gemeinsame Elektrode auf. Dies wird
beispielsweise durch elektrisches Verbinden der Seitenelektrode 15 mit
der gemeinsamen Elektrode erreicht. Wenn beispielsweise die Potentialdifferenz
zwischen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode 5 V beträgt, so beträgt die Potentialdifferenz
zwischen der Pixelelektrode und der Seitenelektrode ebenfalls 5
V.
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Außerdem wird
während
des Ausbildens der Sourceelektrode 7 und der Drainelektrode 9 (siehe 18c) eine Speicherelektrode 34 beispielsweise durch
Sputter-Ätzen
und Strukturieren eines Metalls wie Al, Mo, Cr, Ta, Ti oder Al-Legierungen
ausgebildet, welche einen Teil der Gatebusleitung 1 (und/oder der
Seitenelektrode 15) und die Pixelelektrode 13 überlappt
(siehe 11b). Die Speicherelektrode 34 ist
durch die Kontaktöffnung
hindurch an die Pixelelektrode 13 angeschlossen und bildet
zusammen mit der Gatebusleitung 1 (und/oder der Seitenelektrode 15)
einen Speicherkondensator 41.
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Aus
den 19a bis 19f ist
eine weitere Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens
zur Herstellung der Flüssigkristallanzeigevorrichtung
ersichtlich. Insbesondere ist der Aufbau der Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
wie aus den 19a bis 19f ersichtlich,
nicht eine IOP-Struktur (ITO an passivation), wie sie aus den 18a bis 18f ersichtlich
ist. Bei der weiteren Ausführungsform wird
die Pixelelektrode (ITO) vor der Passivierungsschicht ausgebildet.
Die übrigen
Verfahrensschritte sind denen der ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens
zu Herstellung der Flüssigkristallanzeigevorrichtung ähnlich,
wie sie aus den 18a bis 18e ersichtlich
sind.
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Wie
aus den 20a und 20b ersichtlich,
wird auf dem zweiten Substrat 33 eine Lichtschutzschicht 25 ausgebildet,
welche Licht, das von der Gatebusleitung 1, der Datenbusleitung 3,
dem TFT sowie von der Seitenelektrode 15 her austritt, abschirmt.
Eine Farbfilterschicht 23 mit roten (R), grünen (G)
und blauen (B) Elementen wird auf der Lichtschutzschicht ausgebildet.
Eine gemeinsame Elektrode 17 wird aus ITO auf der Farbfilterschicht 23 ausgebildet.
Eine Flüssigkristallschicht
wird zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat ausgebildet,
indem zwischen das erste Substrat und das zweite Substrat Flüssigkristallmaterial
injiziert wird.
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Auf
mindestens einem der beiden Substrate wird eine aus Polymer ausgebildete
Ausgleichsschicht 29 ausgebildet. Die Ausgleichsschicht
kann eine negative uniaxiale Schicht sein, welche eine optische
Achse aufweist und die Phasendifferenz der Dichtung gemäß dem Betrachtungswinkel
ausgleicht. Daher ist es möglich,
Einflüsse
durch von rechts nach links unterschiedlichen Betrachtungswinkel,
wie beispielsweise Grau-Umkehrung
(grey inversion), und erhöhtem
Kontrastverhältnis
bei schräger Richtung
durch Vergrößern der
Fläche
und Ausbilden eines Mehr-Domänen
(Multi-domain) Pixels auszugleichen.
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Bei
der erfindungsgemäßen Mehr-Bereichs-Flüssigkristallanzeigevorrichtung
ist es auch möglich,
eine negative biaxiale Schicht als Ausgleichsschicht zu verwenden,
welche zwei optische Achsen und einen größeren Betrachtungswinkel als die
negative uniaxiale Schicht aufweist. Die Ausgleichsschicht kann
auf einem der beiden Substrate ausgebildet sein (wie in 20b gezeigt) oder die Ausgleichsschicht kann auf
beiden Substraten ausgebildet sein (wie aus 20a ersichtlich).
Nach dem Ausbilden der Ausgleichsschicht 29 auf mindestens
einem der beiden Substrate wird eine Polarisationsschicht ausgebildet.
Dabei werden die Kompensationsschicht und die Polarisationsschicht
bevorzugt zu einer Schicht zusammengefügt.
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Außerdem ist
bei der erfindungsgemäßen Mehr-Bereichs-LCD
eine Ausrichtungsschicht über dem
gesamten ersten Substrat 31 und/oder über dem gesamten zweiten Substrat
ausgebildet (nicht gezeigt). Die Ausrichtungsschicht umfaßt ein Material,
wie Materialien auf Basis von Polyamid oder Polyamid, PVA (Polyvinylalkohol),
Polyamidcarbonsäure oder
SiO2. Wenn zum Bestimmen der Ausrichtungsschicht
ein Reibverfahren verwendet wird, kann ein beliebiges für das Reibverfahren
geeignetes Material verwendet werden.
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Darüberhinaus
ist es möglich,
die Ausrichtungsschicht mit fotoempfindlichen Materialen wie Materialien
auf Basis von PVCN (Polyvinylcinnamat), PSCN (Polysiloxancinnamat)
und CelCN (Cellulosecinnamat) auszubilden. Jedes für die Fotoausrichtungsbehandlung
geeignete Material kann verwendet werden. Durch einmaliges Bestrahlen
der Ausrichtungsschicht mit Licht wird die Ausrichtung oder Neigungsrichtung
und der Kippwinkel der Ausrichtungsschicht festgelegt. Bevorzugt
wird bei der Fotoausrichtung ultraviolettes Licht verwendet. Unpolarisiertes
Licht, linearpolarisiertes Licht und teilweise polarisiertes Licht
kann verwendet werden.
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Bei
Verwendung der Reibe- oder der Fotoausrichtungsbehandlung ist es
möglich,
das erste Substrat und/oder das zweite Substrat mit einer Ausrichtungsschicht
zu versehen, sowie unterschiedliche Ausrichtungsverfahren auf das
jeweilige Substrat anzuwenden.
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Mittels
des Ausrichtungsverfahrens wird eine Mehr-Bereichs LCD mit mindestens
zwei Bereichen ausgebildet, wobei die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht
jedes Bereiches bevorzugt voneinander verschiedene Ausrichtungen
aufweisen. Wie aus den 10a bis 10d ersichtlich, werden die Mehrfach-Bereiche
durch Unterteilen jedes Pixelbereiches in vier Bereiche, wie beispielsweise
einen "+"-förmigen oder "x"-förmigen Bereich,
oder Unterteilen jedes Pixelbereiches in horizontaler, vertikaler und/oder
diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden unterschiedlicher Ausrichtungen in jedem Bereich
und auf jedem Substrat erreicht.
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Die
mit durchgezogener Linie gezeichneten Pfeile und die mit gestrichelter
Linie gezeichneten Pfeile in den Figuren entsprechen den Ausrichtungen jedes
Bereiches des ersten Substrates bzw. des zweiten Substrates. Es
ist möglich,
mindestens einen Bereich der unterteilten Bereiche unausgerichtet
zu lassen. Es ist außerdem
möglich,
alle Bereiche unausgerichtet zu lassen.
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Die 12a bis 12c zeigen
Draufsichten auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer achten Ausführungsform
der Erfindung. Die achte Ausführungsform
ist der siebten Ausführungsform
der Erfindung ähnlich,
mit der Ausnahme, daß die
Seitenelektrode 15 nur entlang der Seiten der Datenbusleitung 3 ausgebildet
ist. Dadurch ist der Pixelbereich breiter als nach der siebten Ausführungsform der
Erfindung.
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Die
Mehrfachbereiche werden durch Unterteilen jedes Pixels in vier Bereiche,
beispielsweise einen "+"-förmigen oder "x"-förmigen Bereich,
oder durch Unterteilen jedes Pixels in horizontaler, vertikaler
und/oder diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden von Ausrichtungen in jedem Bereich auf jedem Substrat erreicht.
Es ist möglich,
mindestens einen Bereich der unterteilten Bereiche unausgerichtet
zu lassen. Es ist auch möglich,
alle Bereiche unausgerichtet zu lassen.
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Die 13a bis 13c zeigen
Draufsichten auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer neunten Ausführungsform
der Erfindung. Die neunte Ausführungsform
der Erfindung ist der siebten und achten Ausführungsform der Erfindung ähnlich,
mit der Ausnahme, daß die
Seitenelektrode 15 nur auf der Seite der Gatebusleitung 1 ausgebildet ist.
Daher ist der Pixelbereich größer als
nach der siebten Ausführungsform
der Erfindung und nach der achten Ausführungsform der Erfindung.
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Die
Mehrfachbereiche werden durch Unterteilen jedes Pixels in vier Bereiche,
beispielsweise einen "+"-förmigen oder "x"-förmigen Bereich,
oder durch Unterteilen jedes Pixels in horizontaler, vertikaler
und/oder diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden von Ausrichtungsrichtungen in jedem Bereich auf jedem Substrat
erreicht. Es ist möglich,
mindestens einen Bereich der unterteilten Bereiche unausgerichtet
zu lassen. Es ist auch möglich,
alle Bereiche unausgerichtet zu lassen.
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Die 14a bis 14b zeigen
Draufsichten auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer zehnten Ausführungsform
der Erfindung und aus 15 ist ein Schnitt entlang der
Linie VII-VII aus 14a ersichtlich.
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Bei
der zehnten Ausführungsform
der Erfindung umfaßt
die Passivierungsschicht 37 BCB (Benzocyclobuten), Acrylharz
oder Polyimidverbindungen usw. als organisches Isoliermaterial.
In diesem Fall hat die Passivierungsschicht eine ebene Oberflächenstruktur
und eine niedrige Dielektrizitätskonstante.
Daher kann die Seitenelektrode an der Seite der Datenbusleitung 3 an
einem beliebigen Ort auf der Datenbusleitung 3 ausgebildet
sein und das Öffnungsverhältnis ist
verbessert. Denn darüberhinaus kann
die Seitenelektrode verglichen mit den vorhergehenden drei Ausführungsformen
der Erfindung an einem beliebigen Ort ausgebildet sein, wodurch
der Pixelbereich breiter als nach der siebten Ausführungsform,
nach der achten Ausführungsform
und nach der neunten Ausführungsform
der Erfindung ist.
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Bei
der zehnten Ausführungsform
werden die Mehrfachbereiche durch Unterteilen jedes Pixels in vier
Bereiche, beispielsweise einen "+"-förmigen oder "x"-förmigen
Bereich, oder durch Unterteilen jedes Pixels in horizontaler, vertikaler
und/oder diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden von Ausrichtungen in jedem Bereich auf jedem Substrat
erreicht. Es ist möglich,
mindestens einen Bereich der unterteilten Bereiche unausgerichtet
zu lassen. Es ist auch möglich, alle
Bereiche unausgerichtet zu lassen.
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Der
Speicherkondensator, welcher aus den 14a bis 14d ersichtlich ist, kann ähnlich dem Speicherkondensator
ausgebildet sein, welcher unter Bezugnahme auf die 13a bis 13c offenbart wurde.
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Die 16a bis 16c zeigen
Draufsichten auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer elften Ausführungsform
der Erfindung. Die elfte Ausführungsform
der Erfindung ist der zehnten Ausführungsform der Erfindung ähnlich,
mit der Ausnahme, daß die
Seitenelektrode an einem beliebigen Ort auf der Datenbusleitung 3 ausgebildet
ist. Deswegen ist der Pixelbereich nach der elften Ausführungsform der
Erfindung breiter als der Pixelbereich nach der zehnten Ausführungsform
der Erfindung.
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Bei
der elften Ausführungsform
werden die Mehrfachbereiche durch Unterteilen jedes Pixels in vier
Bereiche, beispielsweise einen "+"-förmigen oder "x"-förmigen
Bereich, oder durch Unterteilen jedes Pixels in horizontaler, vertikaler
und/oder diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden von Ausrichtungen in jedem Bereich auf jedem Substrat
erreicht. Es ist möglich,
mindestens einen Bereich der unterteilten Bereiche unausgerichtet
zu lassen. Es ist auch möglich, alle
Bereiche unausgerichtet zu lassen.
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Die 17a bis 17c sind
Draufsichten auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung
nach einer zwölften
Ausführungsform
der Erfindung. Die zwölfte Ausführungsform
der Erfindung ist der zehnten und der elften Ausführungsform
der Erfindung ähnlich, mit
der Ausnahme, daß die
Seitenelektrode an einem beliebigen Ort über der Gatebusleitung 1 entlang
der Seite des Pixelbereiches, an welcher der TFT ausgebildet ist,
ausgebildet ist. Da die Pixelelektrode 13 verglichen mit
der zehnten Ausführungsform
der Erfindung und mit der elften Ausführungsform der Erfindung die
Datenbusleitung 3 überlappt,
ist das Öffnungsverhältnis nach
der zwölften
Ausführungsform der
Erfindung verbessert.
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Bei
der zwölften
Ausführungsform
werden die Mehrfachbereiche durch Unterteilen jedes Pixels in vier
Bereiche, beispielsweise einen "+"-förmigen oder "x"-förmigen
Bereich, oder durch Unterteilen jedes Pixels in horizontaler, vertikaler
und/oder diagonaler Richtung und unterschiedlicher Ausrichtungsbehandlung
oder Ausbilden von Ausrichtungen in jedem Bereich auf jedem Substrat
erreicht. Es ist möglich,
mindestens einen Bereich der unterteilten Bereiche unausgerichtet
zu lassen. Es ist auch möglich, alle
Bereiche unausgerichtet zu lassen.
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Die
aus den 17a bis 17c ersichtliche
Ausführungsform
ist ebenfalls ähnlich
zu der Ausführungsform,
welche aus den 13a bis 13c ersichtlich
ist, mit der Ausnahme, daß die Seitenelektroden
der in 13a bis 13c gezeigten
Ausführungsform
mit dem Pixelbereich verbunden sind, wohingegen die Seitenelektroden
der aus den 17a bis 17b ersichtlichen
Ausführungsform
mit der Peripherie des Pixelbereiches verbunden sind (nicht gezeigt).
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Es
ist möglich,
bei der erfindungsgemäßen LCD
eine beliebige Ausrichtung und einen beliebigen Modus anzuwenden,
beispielsweise (1) eine homogene Ausrichtung, wobei die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht
zu den Oberflächen
des ersten Substrats und des zweiten Substrats homogen ausgerichtet
sind, (2) eine homöotrope
Ausrichtung (homeotropic alignment), wobei die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht
zu den Oberflächen
des ersten Substrats und des zweiten Substrats homöotrop ausgerichtet
sind, (3) eine geneigte Ausrichtung, wobei die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht
zu den Oberflächen
des ersten Substrats und zweiten Substrats geneigt ausgerichtet sind,
(4) eine verdrehte Ausrichtung, wobei die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht
zu den Oberflächen
des ersten Substrats und des zweiten Substrats verdreht ausgerichtet
sind, und (5) eine hybride Ausrichtung, wobei die Flüssigkristallmoleküle der Flüssigkristallschicht
zu der Oberfläche
eines des ersten Substrates und des zweiten Substrates homogen ausgerichtet
sind und zu der Oberfläche
des anderen des ersten Substrates und des zweiten Substrates homöotrop ausgerichtet
sind.
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Demzufolge,
da bei der erfindungsgemäßen Mehr-Bereichs
LCD die Pixelelektrode und die Seitenelektrode auf derselben Schicht
ausgebildet sind, ist zum Erhöhen
der Intensität
des elektrischen Feldes, welches zwischen den beiden Elektroden
angelegt wird, eine hohe Spannung nicht erforderlich. Bei Durchführung einer
Ausrichtungsbehandlung kann eine schnelle Reaktionszeit und eine
stabile Flüssigkristallstruktur
durch die ausgebildete Vorkippung und Verankerungsenergie erreicht
werden. Außerdem
werden Disklinationseffekte (disclination) vermieden, wodurch die
Helligkeit verbessert ist.