DE19926588A1 - Integriertes Schaltkreisbauelement - Google Patents
Integriertes SchaltkreisbauelementInfo
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf ein integriertes Schaltkreisbauelement mit synchronem Signalbetrieb, wie es beispielsweise für synchrone Speicherbauelemente mit wahlfreiem Zugriff (SDRAM) verwendet wird. DOLLAR A Erfindungsgemäß beinhaltet das integrierte Schaltkreisbauelement einen ersten und einen zweiten Signalgenerator (21, 22) mit synchronisierter Signalerzeugung. Jeder Signalgenerator besitzt einen normalen und einen komplementären Eingang, wobei dem einen Signalgenerator ein Taktsignal und dessen Komplement und dem anderen Signalgenerator umgekehrt das Taktsignal-Komplement und das Taktsignal an den beiden Eingängen zugeführt sind. Daraus generieren sie ein erstes bzw. zweites Ausgangssignal mit einer führenden Flanke synchron zu einer führenden Flanke des ersten Eingangssignals bzw. dessen Komplements, jedoch demgegenüber um ein zugehöriges Zeitintervall verzögert. DOLLAR A Verwendung z. B. zur Steuerung des Betriebs von Eingabe- und Ausgabepuffern von synchronen Speicherbauelementen mit wahlfreiem Zugriff (SDRAM).
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein integriertes Schaltkreis
bauelement, insbesondere zur Verwendung bei SDRAM-Bauele
menten.
Integrierte Schaltkreisbauelemente beispielsweise in Form von
synchronen Speicherbauelementen mit wahlfreiem Zugriff
(SDRAM) benutzen einen Synchronbetrieb zur Erhöhung des Bau
elementleistungsvermögens. So verwenden z. B. SDRAM mit dop
pelter Datenrate (DDR) die ansteigenden und fallenden Flanken
von Taktsignalen, um einen Betrieb mit höherer Datenrate zu
fördern. Wenn SDRAM-Bauelemente im DDR-Modus betrieben wer
den, werden wichtige Referenzsignale typischerweise synchron
mit ansteigenden und fallenden Flanken eines Taktsignals er
zeugt, um die Betriebsweise solcher Bauelemente als Eingabe-
und Ausgabepuffer effektiv zu steuern. Herkömmliche Vorge
hensweisen zum Detektieren ansteigender und fallender Flanken
eines Taktsignals oder anderer Steuersignale können ungün
sterweise Fehlern unterliegen, wenn Signalrauschen oder Ände
rungen in den Bauelementherstellungstechniken oder den Pro
zeßbedingungen signifikant werden. Daher besteht trotz Versu
chen, integrierte Schaltkreise bereitzustellen, die in einer
synchronen Weise arbeiten, weiterhin ein Bedarf an integrier
ten Schaltkreisen mit verbesserten Synchronisierungseigen
schaften.
Der Erfindung liegt daher als technisches Problem die Bereit
stellung eines integrierten Schaltkreisbauelementes der ein
gangs genannten Art mit verbesserten Synchronisierungseigen
schaften zugrunde.
Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung
eines integrierten Schaltkreisbauelementes mit den Merkmalen
des Anspruchs 1 bzw. 7. Dieses integrierte Schaltkreisbauele
ment ist in der Lage, Referenzsignale mit verbesserten Syn
chronisierungseigenschaften zu erzeugen.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Un
teransprüchen angegeben.
Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den
Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben.
Hierbei zeigen:
Fig. 1 ein Blockschaltbild eines ersten erfindungsgemäßen
integrierten Schaltkreisbauelementes,
Fig. 2 ein Blockschaltbild eines zweiten erfindungsgemäßen
integrierten Schaltkreisbauelementes,
Fig. 3 ein Schaltbild eines in den Bauelementen der Fig. 1
und 2 verwendbaren Differenzverstärkers,
Fig. 4 ein Schaltbild eines in den Bauelementen der Fig. 1
und 2 verwendbaren Impulsgenerators,
Fig. 5 ein Zeitsteuerungsdiagramm zur Veranschaulichung der
Betriebsweise des Bauelementes von Fig. 1 und
Fig. 6 ein Zeitsteuerungsdiagramm zur Veranschaulichung der
Betriebsweise des Bauelementes von Fig. 2.
In den beispielhaft gezeigten Ausführungsformen der Erfindung
sind funktionell gleiche Elemente jeweils mit denselben Be
zugszeichen bezeichnet.
Das in Fig. 1 gezeigte erste erfindungsgemäße integrierte
Schaltkreisbauelement beinhaltet einen Abtastschaltkreis 11
mit einem ersten, normalen Eingang IN und einem zweiten, kom
plementären Eingang INB, die ein Taktsignal CLK bzw. dessen
Inverses CLKB, siehe beispielsweise Fig. 5 und 6, empfangen.
Der Abtastschaltkreis erzeugt ein Ausgangssignal BUFOUT11.
Dieses Ausgangssignal wird direkt einem Impulsgenerator 13
und einem Inverter 12 zugeführt. Vom Inverter 12 wird ein
Ausgangssignal BUFOUT12 erzeugt und einem Impulsgenerator 14
zugeführt. Die Impulsgeneratoren 13 und 14 erzeugen, wie ge
zeigt, Signale PCLK11 und PCLK12.
Fig 3 zeigt eine bevorzugte Realisierung für den Abtast
schaltkreis 11. Der dort gezeigte Abtastschaltkreis 11 umfaßt
einen Differenzverstärker 31 und einen Inverter 33, dessen
Eingang elektrisch an einen Ausgang DET des Differenzverstär
kers 31 angeschlossen ist. Der Differenzverstärker 31 bein
haltet eine zwischen eine Signalleitung 31b und ein Massepo
tential oder negatives Referenzpotential Vss eingeschleifte
Stromquelle S1. Des weiteren sind NMOS-Transistoren N1 und N2
zusammen mit PMOS-Transistoren P1 und P2 vorgesehen. Wie für
den Fachmann verständlich, haben die NMOS-Transistoren N1 und
N2 vorzugsweise gleichartige Charakteristika, und analog ha
ben die PMOS-Transistoren P1 und P2 vorzugsweise gleiche Cha
rakteristika. Der Differenzverstärker 31 fungiert dahinge
hend, daß er eine Potentialdifferenz zwischen dem normalen
Eingang IN und dem komplementären Eingang INB verstärkt. Spe
ziell wird, wenn das Potential des normalen Eingangs IN grö
ßer als das Potential des komplementären Eingangs INB ist,
die Potentialdifferenz verstärkt, und das Ausgangssignal DET
wird auf einen logischen 0-Pegel gesteuert, während das Aus
gangssignal BUFOUT des Inverters 33 auf einen logischen 1-
Pegel gesteuert wird. Alternativ wird, wenn das Potential des
komplementären Eingangs INB größer als das Potential des nor
malen Eingangs IN ist, das Ausgangssignal DET auf einen logi
schen 1-Pegel gesteuert, und das Ausgangssignal BUFOUT des
Inverters 33 wird dann auf einen logischen 0-Pegel gesteuert.
Wie aus den Fig. 1 und 5 ersichtlich, wird das Ausgangssignal
BUFOUT11 des Abtastschaltkreises 11 direkt dem Impulsgenera
tor 13 und dem Inverter 12 zugeführt, wegen der mit dem Dif
ferenzverstärker 31 und dem Inverter 33 verknüpften Verzöge
rung wird jedoch eine ansteigende Flanke des Ausgangssignals
BUFOUT11 um einen Betrag T11 relativ zu einer ansteigenden
Flanke des Taktsignals CLK verzögert, und eine fallende Flan
ke des Ausgangssignals BUFOUT11 wird um einen Betrag T14 re
lativ zu einer fallenden Flanke des Taktsignals CLK verzö
gert. Das Ausgangssignal BUFOUT12 des Inverters 12 repräsen
tiert außerdem eine invertierte und verzögerte Version des
Ausgangssignals BUFOUT11, wobei die zusätzliche Inverterver
zögerung durch ein Zeitintervall T15 repräsentiert wird.
Fig. 4 zeigt eine bevorzugte Realisierung für die Impulsgene
ratoren 13, 14 von Fig. 1. Diese Impulsgeneratorrealisierung
umfaßt ein Paar von NMOS-Transistoren N3 und N4, die elek
trisch in Reihe zwischen einen intermediären Ausgangsknoten
PRES und ein Massepotential oder negatives Referenzpotentio
nal Vss eingeschleift sind. Außerdem ist ein PMOS-Pull-up-
Transistor P3 vorgesehen. Diese Transistoren bilden einen
Antwortteil 41. Der PMOS-Pull-up-Transistor P3 ist elektrisch
in Reihe zwischen den intermediären Ausgangsknoten PRES und
ein Spannungsversorgungspotential Vcc eingeschleift. Die Ga
te-Elektroden des PMOS-Transistors P3 und des NMOS-
Transistors N4 sind elektrisch miteinander und mit dem Aus
gang PFED einer Rückkopplungsverzögerungsschaltung 45 verbun
den. Die Rückkopplungsverzögerungsschaltung umfaßt ein Paar
von Invertern 45a und 45b, die eine vorgegebene Verzögerung
für Signale am intermediären Ausgangsknoten PRES bereitstel
len. Der intermediäre Ausgangsknoten PRES bilden zudem einen
Eingang für einen Inverter 43a. Das Ausgangssignal des Inver
ters 43a wird einer Gate-Elektrode eines PMOS-Pull-up-
Transistors P4 zugeführt. Der Inverter 43a und der PMOS-
Transistor P4 bilden zusammen einen Zwischenspeicher 43. Ein
Ausgangsinverter 47 erzeugt ein Ausgangssignal POUT.
Nachstehend wird die Betriebsweise des Impulsgenerators von
Fig. 4 erläutert. Speziell wird, wenn das Eingangssignal PIN
auf einem logischen 0-Pegel liegt, der intermediäre Ausgangs
knoten PRES auf einem logischen 1-Pegel gehalten. Dem inter
mediären Ausgangsknoten PRES wird nicht erlaubt, auf einem
logischen 0-Pegel zu verbleiben, da ein solcher logischer 0-
Pegel durch die Rückkopplungsverzögerungsschaltung 45 zum
PMOS-Pull-up-Transistor P3 geleitet wird, der dann dahinge
hend wirkt, den Knoten PRES hochzuziehen. Außerdem geht das
Ausgangssignal des Inverters 43a in einen logischen 0-Zustand
über und schaltet den PMOS-Pull-up-Transistor P4 leitend, so
bald der Knoten PRES einen minimalen logischen 1-Pegel er
reicht. Daher wird während des Ruhebetriebs der intermediäre
Ausgangsknoten PRES auf einem logischen 1-Pegel gehalten, und
der NMOS-Pull-down-Transistor N4 wird leitend geschaltet.
Wenn dann das Eingangssignal PIN auf einen logischen 1-Pegel
gesteuert wird, wird der NMOS-Transistor N3 leitend geschal
tet und zieht den intermediären Ausgangsknoten PRES auf einen
logischen 0-Pegel, da der NMOS-Tansistor N4 ebenfalls ange
schaltet ist. Dieser logische 0-Pegel wird am Ausgang des In
verters 47 als ein logisches l-Signal abgegeben, d. h. POUT
geht von "0" nach "l" über. Zudem wird nach einem vorgegebe
nen Zeitintervall, das durch die mit den Invertern 45a und
45b in der Rückkopplungsverzögerungsschaltung 45 verknüpften
Verzögerungen bestimmt ist, der logische 0-Pegel am interme
diären Ausgangsknoten PRES zum Knoten PFED transferiert. Dies
bewirkt, daß der NMOS-Transistor N4 sperrend und der PMOS-
Transistor P3 leitend geschaltet werden, was den intermediä
ren Ausgangsknoten PRES wieder auf einen logischen 1-Pegel
zieht. Das Ausgangssignal POUT des Inverters 47 geht dann
wieder in einen logischen 0-Pegel zurück.
Demgemäß wird, wie in Fig. 5 illustriert, das Signal PCLK11
am Ausgang des Impulsgenerators 13 als ein Impuls bereitge
stellt, und eine ansteigende Flanke dieses Impulses wird re
lativ zu einer ansteigenden Flanke des Signals BUFOUT11 um
ein Zeitintervall T12 verzögert (und relativ zu einer anstei
genden Flanke des Taktsignals CLK um ein Zeitintervall T13
verzögert). Analog wird das Signal PCLK12 am Ausgang des Im
pulsgenerators 14 als ein Impulssignal bereitgestellt, und
eine ansteigende Flanke dieses Impulses wird relativ zu einer
ansteigenden Flanke des Signals BUFOUT12 um ein Zeitintervall
T16 verzögert (und relativ zu einer fallenden Flanke des
Taktsignals CLK um ein Zeitintervall T17=T14+T15+T16 verzö
gert). Da die Dauer des Zeitintervalls T17 größer als die
Dauer des Zeitintervalls T13 ist, und zwar um einen Betrag
der gleich der mit dem Inverter 12 verknüpften Verzögerung
ist, liegt eine Zeitversetzung zwischen der Synchronisation
des Impulssignals PCLK11 realtiv zur ansteigenden Flanke des
Taktsignals CLK sowie zwischen der Synchronisation des Im
pulssignals PCLK11 relativ zu einer fallenden Flanke des
Taktsignals CLK vor. Ein solcher Zeitversatz kann zur Fehl
funktion des integrierten Schaltkreises führen, was eine ver
besserte Synchronisation erstrebenswert macht.
Um diese Eigenschaft beim Bauelement von Fig. 1 zu berück
sichtigen, wird eine bevorzugtere Ausführungsform der Erfin
dung gemäß Fig. 2 bereitgestellt. Das Bauelement von Fig. 2
ähnelt demjenigen von Fig. 1, jedoch werden zwei Abtastschal
tungen 21 und 22 statt der einzigen Abtastschaltung 11 und
des Inverters 12 gemäß Fig. 1 verwendet. Diese beiden Abtast
schaltungen 21 und 22 besitzen "Matching"-Eigenschaften. Auf
der Basis dieser bevorzugteren Konfiguration kann die Syn
chronisation eines Signals BUFOUT21 auf eine ansteigende
Flanke des Taktsignals CLK mit der Synchronisation eines Si
gnals BUFOUT22 auf eine fallende Flanke des Taktsignals CLK
in Übereinstimmung gebracht werden, d. h. T21=T24, wie in Fig.
6 illustriert. In gleicher Weise kann die Synchronisation des
Impulses PCLK21 mit einer ansteigenden Flanke des Taktsignals
CLK in Übereinstimmung mit der Synchronisation des Impulses
PCLK22 mit einer fallenden Flanke des Taktsignals CLK ge
bracht werden, d. h. (T21+T22)=T23=T26=(T24+T25)
Es versteht sich, daß der Fachmann neben den oben beschriebe nen weitere Realisierungen der Erfindung erkennt und ausfüh ren kann, wie sie durch die beigefügten Patentansprüche fest gelegt sind.
Es versteht sich, daß der Fachmann neben den oben beschriebe nen weitere Realisierungen der Erfindung erkennt und ausfüh ren kann, wie sie durch die beigefügten Patentansprüche fest gelegt sind.
Claims (7)
1. Integriertes Schaltkreisbauelement, gekennzeichnet durch
folgende Elemente:
- - einen ersten Signalgenerator (11; 21), der ein erstes Eingangssignal (CLK) und das Komplement (CLKB) des ersten Eingangssignals an einem ersten, normalen Eingang (IN) bzw. einem zweiten, komplementären Eingang (INB) empfängt und ein erstes Ausgangssignal (BUFOUT11; BUFOUT21) erzeugt, das eine führende Flanke synchron mit einer führenden Flanke des er sten Eingangssignals aufweist, relativ zu diesem jedoch um ein zugehöriges Zeitintervall verzögert ist, und einen zweiten Signalgenerator (11, 12; 22), der das er ste Eingangssignal (CLK) und das Komplement (CLKB) des ersten Eingangssignals an einem komplementären Eingang bzw. einem normalen Eingang empfängt und ein zweites Ausgangssignal (BUFOUT12; BUFOUT22) erzeugt, das eine führende Flanke syn chron zu einer führenden Flanke des Komplements (CLKB) des ersten Eingangssignals aufweist, jedoch relativ zu diesem um ein zugehöriges Zeitintervall verzögert ist.
2. Integriertes Schaltkreisbauelement nach Anspruch 1,
weiter dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite
Signalgenerator jeweils einen ersten bzw. zweiten Differenz
verstärker (31) aufweisen.
3. Integriertes Schaltkreisbauelement nach Anspruch 1 oder
2, weiter gekennzeichnet durch einen auf das erste Ausgangs
signal (BUFOUT11; BUFOUT21) ansprechenden, ersten Impulsge
nerator (13; 23) und einen auf das zweite Ausgangssignal
(BUFOUT12; BUFOUT22) ansprechenden, zweiten Impulsgenerator
(14; 24).
4. Integriertes Schaltkreisbauelement nach Anspruch 3,
weiter dadurch gekennzeichnet, daß der erste Impulsgenerator
(13; 23) und/oder der zweite Impulsgenerator (14; 24) folgen
de Elemente aufweisen:
- - Einen ersten PMOS-Transistor (P3), der elektrisch in Serie zwischen ein erstes Referenzpotential (Vcc) und einen intermediären Ausgangsknoten (PRES) eingeschleift ist,
- - ein Paar von NMOS-Transistoren (N3, N4), die elektrisch in Reihe zwischen den intermediären Ausgangsknoten (PRES) und ein zweites Referenzpotential (Vss) eingeschleift sind, und
- - eine Rückkopplungsverzögerungsschaltung (45), die elek trisch mit einem Eingang an den intermediären Ausgangsknoten (PRES) und mit einem Ausgang an eine Gate-Elektrode des er sten PMOS-Transistors (P3) angeschlossen ist.
5. Integriertes Schaltkreisbauelement nach Anspruch 4,
weiter dadurch gekennzeichnet, daß ein erster des Paares von
NMOS-Transistoren (N3, N4), mit einer Gate-Elektrode elek
trisch an den Ausgang des ersten Signalgenerators (11; 21)
bzw. des zweiten Signalgenerators (11, 12; 22) angeschlossen
ist, während der andere der beiden NMOS-Transistoren mit ei
ner Gate-Elektrode elektrisch an den Ausgang des Rückkopp
lungsverzögerungsschaltkreises (45) angeschlossen ist.
6. Integriertes Schaltkreisbauelement nach Anspruch 4 oder 5,
weiter gekennzeichnet durch:
- - einen zweiten PMOS-Transistor (P4), der elektrisch in Reihe zwischen das erste Referenzpotential (Vcc) und den in termediären Ausgangsknoten (PRES) eingeschleift ist, und
- - einen Inverter (43a), dessen Eingang elektrisch an den intermediären Ausgangsknoten (PRES) und dessen Ausgang an ei ne Gate-Elektrode des zweiten PMOS-Transistors (P4) ange schlossen ist.
7. Integriertes Schaltkreisbauelement, insbesondere nach
einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch folgende
Elemente:
- - einen ersten Differenzverstärker (21, 31) mit einem er sten, normalen Eingang (IN) und einem zweiten, komplementären Eingang (INB) zum Empfang eines Taktsignals (CLK) bzw. des Inversen (CLKB) des Taktsignals,
- - einen zweiten Differenzverstärker (22, 31) mit einem ersten, normalen Eingang (IN) und einem zweiten, komplementä ren Eingang (INB) zum Empfang des invertierten Taktsignals (CLKB) bzw. des Taktsignals (CLK),
- - einen ersten Impulsgenerator (23), dessen Eingang elek trisch an den Ausgang des ersten Differenzverstärkers ange schlossen ist, und
- - einen zweiten Impulsgenerator (24), dessen Eingang elektrisch an den Ausgang des zweiten Differenzverstärkers angeschlossen ist.
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Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6339346B1 (en) * | 2000-08-30 | 2002-01-15 | United Memories, Inc. | Low skew signal generation circuit |
US6504767B1 (en) * | 2000-08-30 | 2003-01-07 | Micron Technology, Inc. | Double data rate memory device having output data path with different number of latches |
US6384658B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-05-07 | Intel Corporation | Clock splitter circuit to generate synchronized clock and inverted clock |
US6525565B2 (en) | 2001-01-12 | 2003-02-25 | Xilinx, Inc. | Double data rate flip-flop |
US7155273B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-12-26 | Taylor Geoffrey L | Blanching response pressure sore detector apparatus and method |
US6847582B2 (en) * | 2003-03-11 | 2005-01-25 | Micron Technology, Inc. | Low skew clock input buffer and method |
KR100578232B1 (ko) * | 2003-10-30 | 2006-05-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 지연 고정 루프 |
JP4632114B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2011-02-16 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US7230465B2 (en) * | 2005-01-10 | 2007-06-12 | Infineon Technologies Ag | Duty cycle corrector |
JP4668690B2 (ja) * | 2005-06-01 | 2011-04-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 信号変換回路 |
US7317343B1 (en) * | 2005-10-25 | 2008-01-08 | Lattice Semiconductor Corporation | Pulse-generation circuit with multi-delay block and set-reset latches |
KR100886645B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2009-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 클럭 버퍼 회로 및 그를 포함하는 반도체 메모리 장치 |
KR100892647B1 (ko) * | 2007-08-13 | 2009-04-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 클럭 생성 회로 |
US7885914B2 (en) * | 2007-12-28 | 2011-02-08 | Intel Corporation | Systems, methods and apparatuses for rank coordination |
CN102420593B (zh) * | 2011-11-30 | 2014-04-09 | 中国科学院微电子研究所 | 多相位时钟信号发生电路 |
CN103326707B (zh) * | 2013-05-23 | 2016-02-10 | 苏州芯动科技有限公司 | 一种兼容多种ddr的输入接收电路 |
US9379743B2 (en) * | 2014-07-30 | 2016-06-28 | Intel Corporation | Method and apparatus for signal edge boosting |
FR3038997A1 (fr) * | 2015-07-13 | 2017-01-20 | Univ Pierre Et Marie Curie (Paris 6) | Dispositif de traitement de donnees avec representation de valeurs par des intervalles de temps entre evenements |
KR102409877B1 (ko) * | 2017-12-21 | 2022-06-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 수신 회로 및 이를 이용하는 집적 회로 시스템 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4563599A (en) * | 1983-03-28 | 1986-01-07 | Motorola, Inc. | Circuit for address transition detection |
GB2297211B (en) * | 1995-01-20 | 1999-09-01 | Lsi Logic Corp | Differential signal receiver |
US5864587A (en) * | 1995-06-06 | 1999-01-26 | Lsi Logic Corporation | Differential signal receiver |
JP3724654B2 (ja) * | 1995-07-06 | 2005-12-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
JPH0974340A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-03-18 | Toshiba Corp | コンパレータ回路 |
US5684421A (en) * | 1995-10-13 | 1997-11-04 | Credence Systems Corporation | Compensated delay locked loop timing vernier |
JP3392271B2 (ja) * | 1995-11-02 | 2003-03-31 | シャープ株式会社 | 演算増幅回路 |
JPH09153285A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 増幅回路および相補型増幅回路 |
US5821809A (en) * | 1996-05-23 | 1998-10-13 | International Business Machines Corporation | CMOS high-speed differential to single-ended converter circuit |
JP3087653B2 (ja) | 1996-05-24 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
US5764175A (en) * | 1996-09-24 | 1998-06-09 | Linear Technology Corporation | Dual resolution circuitry for an analog-to-digital converter |
FR2764752B1 (fr) * | 1997-06-16 | 1999-08-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Etage d'entrees differentielles pour reception large bande avec forte rejection de mode commun |
-
1998
- 1998-07-13 KR KR1019980028165A patent/KR100272167B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-02-26 TW TW088102932A patent/TW440862B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-05-25 US US09/318,206 patent/US6222411B1/en not_active Expired - Lifetime
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GB2339502A (en) | 2000-01-26 |
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