DE2448544A1 - Mikrowellenanordnung mit einem lambda/2-resonator - Google Patents
Mikrowellenanordnung mit einem lambda/2-resonatorInfo
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Description
Mikr ο we 11 enanordnung mit einem ?i/2-Resonator
Die Erfindung betrifft eine Mikrowellenanordnung
mit einem Λ/2-ReEonator mit einem Substrat, einer an einer
Seite des. Substrats angeordneten leitenden Grundplatte und einem an der anderen Seite des Substrats angeordneten
Leitermuster.
Eine derartige in Mikrostrip ausgeführte mit einem Λ/2-Resonator versehene Anordnung ist unter anderen aus der
Zeitschrift IEEE Transaction on HTT, vol. 20, Nr. 11, November 1972, Seiten 719-728 bekannt. Das Leitermuster·
dieser Anordnung enthält einen Mikrostripleiter in Form
eines rechteckigen U, der allgemein als Haarnadelresonator bekannt ist.
5098 21/0649
• . · PHN.7189.
- 2 - . ' 3.8.74.
Als Masstab für die Brauchbarkeit einer derartigen Anordnung gilt allgemein die Grosse des Qualitätsfaktors Q
des Λ/2-Resonators.
Der Haärnadelresonator hat jedoch einen ziemlich niedrigen Qualitätsfaktor Q, besitzt eine grosse räumliche
Ausdehnung des elektromagnetischen Feldes und verursacht bei Ankopplung mit anderen Komponenten der in Mikrostrip
ausgeführten Mikrowellenanordnung leicht das Entstehen von Oberflächenwellen. Die Aufgabe der Erfindung ist es, bei
einer Anordnung der eingangs erwähnten Art durch Aenderung des Leitermusters die erwähnten Nachteile zu beseitigen und
dabei eine Anordnung zu verwirklichen, die sich insbesondere zum Ausführen in Mikrostriptechnik eignet.
Die erfindungsgemässe Anordnunghist dadurch gekennzeichnet,
dass das Leitermuster einen den λ/2-Resonator bildenden ringförmigen Leiter enthält, der an einer Stelle
durch einen Schlitz unterbrochen ist, wobei die Schlitzbreite in bezug auf den Umfang des Ringes klein ist.
Es sei hier bemerkt, dass Anordnungen mit geschlossenen Ringresonatoren bekannt sind, die einen Umfang entsprechend
der zur Arbeitsfrequenz gehörigen Wellenlänge besitzen. Eine derartige Anordnung hat jedoch grosse Abmessungen,
weist bei Resonanz bei z.B. nicht vollständig symmetrischer Konfiguration lei-cht Entartung des Resonators
in zwei λ/2-Resonatoren mit gegenseitig etwas verschobener
Resonanzfrequenz auf und besitzt durch eine ziemlich grosse
5 0 9 8 2 1/0649'
' ' ' · ■ PHN.7189«
- 3 - · ,_ , , 3.8.7k.
elektromagnetische Feldausdehnung des Resonators eine unerwünschte
Kopplung mit anderen Komponenten der Anordnung,
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der in den Figuren dargestellten Ausführungsformen näher, erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Teil einer bekannten Mikrowellenanordnung,
Fig. 2 einen Teil einer erfindungsgemässen Mikrowel1enanordnung,
di e
Fig. 3a t>is 3g einige Kopplungsmöglichkeiten zwischenzwei
in einer erfindungsgemässen Mikrowe11enanordnung angewandten
Resonatoren, die
Fig. 4a bis hg einige Kopplungsmöglichkeiten zwischen einem Resonator und einem geraden Mikrostripleiter in einer
erfindungsgemässen Anordnung,die
fig» 5s- -und 5b erfindungsgemässe Anordnungen, die
eine Banddurchlasskennlinie aufweisen, die
Fig. 6a bis 6c erfindungsgemässe Anordnungen, die
eine Bandsperrungskennlinie aufweisen, die
Fig. "Ja. und. 7b erf indungsgemässe Anordnungen, die
eine'Richtungsbanddurchlasskennlinie aufweisen,
Fig. 8 eine erfindungsgemässe Anordnung, in der
zwei Signale gemischt werden können,
Fig. 9 eine ex'findungsgemässe Anordnung, die ein
Hochfrequenzsignal erzeugt, und" die
Fig. 10a und 10b erfindungsgemässe Anordnungen, bei
denen ?l/2«Resonatoren mit elektrischer Abstimmung angeordnet
sind»
509821/064 9
PHN.7189.
- k - " 3.8.7^.
2ΛΑ85Α4
In Fig. 1 ist ein Teil einer bekannten in Mikrostrip ausgeführten Anordnung· dargestellt, die mit einem ^j/2-Haar-nadelresonator
-verseilen ist. Diese Anordnung enthält ein z.B. aus dielektrischem Material gebildetes Substrat 1, das
an einer Seite mit einer leitenden Grundplatte 2 und an der anderen Seite mit einem Leitermuster 3 versehen ist. Dieses
Leitermuster 3 hat eine rechteckige U-Form und bildet den /i/2-Resonator. Dieser Resonator ist mit anderen in der
Anordnung in Mikrostrip ausgeführten in der Figur nicht dargestellten Komponenten gekoppelt, Venn ein derartiger
Resonator in der unpaarigen Betriebsart angeregt wird, zeigt es sich, dass je nachdem die Schenkel 4 und 5 dieses Resonators
dichter beieinander liegen, die in diesen Schenkeln h und 5
fliessenden Ströme sich stärker zum Fliesseii entlang dem
Innenrand dieser Schenkel neigen.. Das Leitermuster ist mit Hilfe von Aetztechnik oder Aufdampftechnik erhalten. Die
Ränder eines mit derartigen Techniken verwirklichten Leiters
sind nicht gut definiert, wodurch de.r Widerstand des
Leiters entlang den Rändern grosser ist als in der Mitte, Der infolgedessen durch die Ströme der unpaarigen Betriebsart
verursachte zusätzliche Verlust ist eine der Ursachen, weshalb ein Haarriadelresonator einen ziemlich niedrigen
Qualitätsfaktor hat. Eine Vergrösserung des Quersteges 6 verkleinert diesen Effekt. Andererseits hat dies zur Folge,
dass der Abstand zwischen den offenen Enden der Schenkel h und 5 vergrössert wird und damit sich das zwischen diesen
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PfIN. 7189 - 5 - 3.8.72U
Enden vorhandene Feld weiter im Raum erstreckt. Dadurch
entsteht unerwünschte Kopplung mit anderen in der Umgebung· angeordneten Komponenten der in Mikrostrip ausgeführten
Anordnung. Ausserdem sind die Diskontinuitäten am offenen Ende der Schenkel k und 5 und die Knicke am geschlossenen
Ende dieser Schenkel Ursache, dass derartige Resonatoren leicht Oberflächenwellen anregen,, die sich in der Mikrowellenanordnung
fortpflanzen.
Der in Fig. 2 dargestellte Teil einer erfindungsgemässen
Mikrowellenanordnung wirkt dieser Erscheinung dadurch entgegen, dass er einen Mikrostripleiter 7 in. Form
eines Ringes enthält, der an einer Stelle durch einen
Schlitz 8 unterbrochen ist, wobei die Schlitzbreite in bezug auf den Ringumfang klein ist. Dieser Ring bildet
einen offenenTs/2-Resonator.
" Der-Qualitätsfaktor Q dieses 7\/2 Resonators mit
offenem Ring ist grosser als der eines Haarnadelresonators, weil das Elektromagnetfeld stärker mit dem Ring verknüpft
ist,die Stromverteilung auf den Querschnitt des Leiters günstiger ist und dieser weniger Diskontinuitäten als
der Haarnadelresonator besitzt. Ausserdem ist für einen Ring das Verhältnis Oberfläche zu Umfang optimal, wodurch
das Verhältnis L/R void damit der Qualitätsfaktor Q optimal
ist.
-So betrug "Q" eines in Mikrostrip hergestellten
Haarnadelresonators ungefähr 150 und· "Q" eines bei der
SO 98 2 1/0649
• . ■ PHN.7189.
- 6 - . 3.8.74.
gleichen Frequenz arbeitenden und das gleiche Substrat enthältenden ^/2-Resonators mit offenem Ring ungefähr 300.
Die stärkere Verknüpfung des Elektromagnetfeldes mit dem Ring verursacht, dass mit diesen Resonatoren versehene
Anordnungen sich besonders für Anwendung'in Mikro-·
stripausführung eignen, weil die unerwünschte Kopplung
mit benachbarten Komponenten in diesen Anordnungen klein ist oder mit anderen Worten, in Mikrostrip hergestellte
Anordnungen, die diese Resonatoren enthalten, erfordern eine geringere Oberfläche als die Anordnungen, die bekannte
Resonatoren enthalten.
In den unten erwähnten Figuren ist einfachheitshalber
nur ein Teil des auf einem Substrat angeordneten Leitermusters dargestellt«
Erwünschte Kopplungsmöglichkeiten in einer erfindungsgemässen
Mikrowellenanordnung zwischen mindestens zwei Jv /2 Resonatoren, mit offenem Ring sind in den Figuren 3a.
bis 3g dargestellt.
Fig. 3a zeigt eine Konfiguration mit zwei }\ /2-Resonatoren
9 und 10 mit offenem Ring, die miteinander elektrisch gekoppelt sind. Fig. 3b zeigt eine Konfiguration, bei der
zwei Λ/2-Resonatoren 11 und 12 mit offenem Ring tniteinHrxsar magnetisch,
gekoppelt sind, und Fig. 3c zeigt eine vom Leiter 15
verwirklichte galvanische Kopplung zwischen zwei 7i/2-Resonatoren
13 und ΛK mit offenem Ring. In den Fig. 3d bis 3g
sind Verbindungen dieser Kopplungen dargestellt. Die Fig. 3d
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PHN.7189.
3.8.7*.
zeigt eine Konfiguration, bei der sowohl eine elektrische
als auch eine magnetische Kopplung vorhanden ist, Fig. 3ö
zeigt eine Konfiguration, bei der sowohl eine elektrische
als eine galvanische Kopplung vorhanden ist, Fig. 3t zeigt
eine Konfiguration, bei der sowohl eine magnetische als
auch eine galvanische Kopplung vorhanden ist und Fig. 3g
stellt eine Konfiguration dar, bei der sowohl eine elektrische
als auch eine magnetische und eine galvanische Kopplung ' auftritt.
Die in Fig. 3b dargestellte Magnetkopplung tritt
bei Anordnungen mit Haarnadelresonatoren allein nicht auf.
Gewöhnlich, tritt eine Verbindung einer magnetischen mit einer elektrischen Kopplung auf und zwar in Form einer
sogenannten."Näherungs"-kopplung zwischen einem Schenkel
eines ersten Haarnadelresonators und einem dazu parallel angeordneten Schenkel eines zweiten Haarnadelresonators.
Diese Kopplung ist in Mikrostrip jedoch mit optimalen Eigenschaften schwer verwirklichbar, weil Kopplung
zufolge ungleicher Phasengeschwindigkeiten für die Signale mit paariger und unpaariger Betriebsart auftritt und durch
das offene Ende Oberflächenwellen angestossen werden.
Beim λ/2-Resonator mit offenem Ring ist es jedoch möglich,
optimal magnetisch koppeln zu können, wobei die oben,
erwähnten Effekte keine Rolle spielen.
Die galvanische Kopplung wird angewandt, wenn eine
Schaltung mit Breitbandeigenschaften verwirklicht werden muss.
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• . . ■ PHN.7189.
- 8 - - 3.8.74.
Diese galvanische Kopplung ist nämlich sehr stark, wodurch es möglich ist, mit geringen Verlusten Bandbreitvergrösserung
zu verwirklichen.
In einer Mikrowellenanordnung kann der Λ/2-Resonator
mit offenem Ring auch mit Mikrostripleitern gekoppelt werden. So zeigt Fig. 4a eine elektrische Kopplung, Fig. 4b
eine Magnetkopplung und Fig. 4c eine galvanische Kopplung zwischen einem λ/2-Resonator 16, 18, 20 mit offenem Ring
und einem Mikrostripleiter 17j 19 bzw. 21. Eine gemischt
elektrisch-magnetische Kopplung 'ist in Fig. 4d dargestellt,
eine gemischt elektrisch-galvanische in Fig. 4e, eine gemischt magnetisch-galvanische in Fig. 4f und eine gemischte
elektrisch-magnetisch-galvanische Kopplung:in Fig. 4g.
Mikrowellenanordnungen, die Λ/2-Resonatoren mit offenem Ring enthalten und bei denen die erwähnten Kopplungen
angewandt werden, können u.a. eine Banddurchlass-, eine Bandsperrungs- oder eine Richtungsbanddurchlasskennlinie bzw,
eine RichtungsbandSperrungskennlinie aufweisen.
In den Fig. 5a und 5h sind Beispiele von'Mikrowellenanordnungen
mit Λ/2-Resonatoren mit offenem Ring dargestellt, die Banddurchlasskennlinien aufweisen. Die Wirkungsweisen
dieser Anordnungen basieren darauf, dass die geraden Mikrostripleiter
22, 23, 27f 28 nur miteinander für Signale gekoppelt sind, deren Frequenzen in der Resonanzkurve der
?\/2~Resonatoren 24, 25, 26, 27, 29, 30,' 31 und 32 mit
offenem Ring liegen. In Fig. 5a ist als Kopplung zwischen
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PHN.7189. - 9 - 3.8.74.
den geraden Mikrostripleitern 22 und 23 und den benachbarten
Resonatoren 24 und 27 eine Magnetkopplung und für die
Kopplung zwischen den Resonatoren 24, 25, 26 und 27 gegenseitig
elektrische oder magnetische Kopplungen gewählt. Bei der in Fig. 5*>
dargestellten Mikrowellenanordnung sind alle Kopplungen Verbindungen elektrischer und magnetischer
Kopplungen. Diese Anordnungen besitzen für Signale mit einer Frequenz in einem Frequenzbereich von ungefähr 4$ um 10 GHz
eine Durchlassdämpfung von einigen dB und für ausserhalb
dieses Bandes liegende Signalfrequenzen eine Isolations-
dämpfung über 70 dB. ■
In den Fig. 6a, 6b und 6c sind Beispiele von Mikro-Wellenanordnungen
mit Λ/2-Ringresonatoren dargestellt, die eine Bandsperrungskennlinie aufweisen. Die Wirkungsweise
jeder dieser Anordnungen basiert auf Interferenz. Dies bedeutet, dass die Amplitude des Signalteiles, der ab dem
geraden Mikrostripleiter 33» 36, 41 zu den ^v /2-Resonatoren "
mit offenem Ring 34, 35, 37, 38, 39, 40, 42, 43, 44, 45 und
von diesen Resonatoren zurück zum Leiter gekoppelt wird,' genau so gross ist wie die Amplitude des Signalteiles, der
sich über den geraden Mikrostripleiter 33, 36, 41 entlang den Resonatoren fortpflanzt, jedoch dass durch die Kopplungen
und die verschiedenen ¥eglängen die Phasendifferenz zwischen
diesen Signalteilen 180° beträgt, so dass das Signal an der Stelle der Resonatoren 34, 35 5 37, 38, 39,. 4o; 42, 43,
44, 45 zurückgeworfen wird.
. 509821/0649
• . . . . ' PHN.7189.
ΛΟ -· 3.8.7*1.
Mit dem in Fig. 6a dargestellten Teil einer Mikrowellenanorcinung
ist über ein Band von \i* bei 10 GHz Bandmittelfrequenz
eine Sperrdampfung über 70 dB verwirklicht.
Ausserhalb dieses Bandes war die Durchlassdämpfung gleich der des gesonderten geraden Mikrostripleiters 33· Zur Vergrösserung
der Bandbreite können mehrere Paare überkritisch miteinander gekoppelte identische Resonatoren 37» 38; 39 und
hO angewandt werden, wie der Teil der in Fig, 6b dargestellten
Mikrowellenanordnung aufweist, oder es können Resonatorpaaren 42, 43; 44, 45 mit etwas verschobener Resonanzfrequenz
angewandt werden, wie der Teil einer in Fig. 6c dargestellten Mikrowellenanordnung zeigt.
Mit Hilfe der in den Fig. 5 und 6. dargestellten Teile
können Mikrowellenanordnungen mit einer Richtungsbanddurch«
lasskennlinie verwirklicht werden, Auf diese Weise ist in Fig. 7a eine Einrichtung, bestehend aus einer Verbindung von
Anordnungen, die e^ine Banddurchlasskennlinie 46 bis 51 und
eine Bandsperrungskennlinie k6, 52 und 535 51, 5^ und 55
aufweisen, dargestellt, die eine Richtungsbanddurchlasskennlinie aufweisen. Die Wirkungsweise einer derartigen
Anordnung spricht nach der vorangehenden Beschreibung für sich.
Die in Fig. 7b dargestellte Mikrowellenanordnung
enthält das Mikrostripleiterpaar 56-57 mi* Signalanschlussklemmen
58» 59t 60 und 61 und den λ/2-Iiesonatoren mit
offenem Ring 62, 63 5 64, 65 und 66, 67. Ein. der Signalklemme
58 zugeführtes Signal kann betrachtet werden, als
5Q9821/Q64 9
2A48544
PHN.7189.
3·8·74·
sei es aus einem Signal mit einer paarigen und einer unpaarigen Betriebsart zwischen d-en Signalklemmen 58 und 60 auf gebaut.
Bei einer Signalfrequenz gleich der Resonanzfrequenz der Resonatoren 62 bis 67 wird das Signal mit unpaariger Betriebsart
auf die obenbeschriebene Weise von den Resonatoren 62.
und 63 zurückgeworfen. '
Das Signal mit paariger Betriebsart stösst diese Resonatoren 62 und 63 jedoch nicht an, so dass es sich
entlang den Leitern $6 und 57 fortpflanzt. Die Resonatoren
6h, 65 und 66 und 67 werfen auf oben beschriebene Weise
dieses Signal mit paariger Betriebsart jedoch zurück. Beträgt der Abstand zwischen den Resonatoren 62, 63 und 6h, 65 bzw.
66, 67 ein ungerades Vielfaches von γ der zur Resonanzfrequenz
gehörigen Wellenlänge der Resonatoren, so subtrahieren sich an 'der Signalklemme 58 das Signal mit paariger
Betriebsart und das Signal mit unpaariger Betriebsart und addieren sich' an der Signalklemme 60 das Signal mit paariger
Betriebsart und das Signal mit unpaariger Betriebsart.. Auf diese Weise wird ein der Signalklemme 58 zügeführtes ,
Signal mit Frequenz gleich der· Resonanzfrequenz der Resonatoren an die Sighalklemme 60 gelegt und umgekehrt. Gleiches
gilt für Signale mit obiger Frequenz, die den Signalklemraen
■und 61 zugeführt werden. Ein ausserhalb des Bandes des Resonators 62 bis 67 an eine der Signalklemmen 58 bis 61
gelegtes Signal' pflanzt sich entlang den daran angeschlossenen Leitern 56 oder 57 nach der anderen Seite fort und
wird dort ^^
PHN.7189, 3.8.7^.
Andere Mikrowellenanordnxxngen mit λ/2-Resonatoren mit offenem Ring sind in den Fig. 8, 9 und 10 dargestellt.
Fig. 8 zeigt eine Mikrowellenanordnung, in der zwei Signale vermischt werden können. Ein einer Signalklemnie
zugeführtes Signal wird dort mit einem der Signalklemmen
zugeführtes örtlichen Oszillatorsignal mit Hilfe der
Dioden 70 und 7t gemischt« Das Mischsignal kann an den
Klemmen 72 und 73 abgegriffen werden. Der Mikrostripleiter 7^
ist über die. Resonatoren 76 und 77 wegen der symmetrischen
Struktur des Leitermusters nur mit dem durchgehenden Leiter des T-förmigen Mikrostripleiters .75 gekoppelt. Das der
Signalklemme 68 zugeführte Signal ist wegen dieser symmetrischen Struktur immer vom Leiter *]k entkoppelt.
Die ira Fig. 9 dargestellte Mikrowellenanordnung enthält
einen Λ/2ί*Resonator 78 mit offenem Ring, der einen
zweiten Schlitz 79 aufweist, der durch ein Negativwiderstandselement 80 (z.B. eine Gunn-Diode) überbrückt wird. Dieser
Diode 80 wird durch eine Versorgungsquelle 81 über eine
Selbstinduktivität 82 eine Versorgungsspannung zugeführt.
Der Ort des Schlitzes 79 ist derart gewählt, dass die
Impedanz des Λ/2-Resonators 78 mit offenem Ring an der
.Stelle des Schlitzes 79 der Impedanz der Diode 80 entspricht, um optimale Anpassung zu erhalten. Die Diode 80
gleicht die Verluste aus, die im Resonator 78 auftreten.
Werden die Verluste teilweise ausgeglichen, so verhält sich die Mikrowellenanordnung wie ein aktives Filter, und werden
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' · . PHN.7189.
die Verluste vollständig ausgeglichen, so verhält sich die
Mikrowe11enänordnung wie ein Oszillator für Mikrowellen.
Die Fig. 10a und 10b stellen Anordnungen dar, die
elektrisch abstimmbare Ti/2-Resonatoren mit offenem Ring
enthalten.
Die in Fig. 10a dargestellte Mikrowellenanordnung
enthält einen λ/2-Resonator 83 mit offenem Ring, der mit
einem Substrat aus halbleitendem Material versehen ist, wie z.B. Galliumarsenid. An der Stelle des Knotenpunktes 8*l·
des im h /2-Resonators mit offenem Ring auftretenden Stehwellenmusters
ist der Resonator 83 über eine einstellbare
Gleichsparinungsquelle 85 mit der an der Unterseite des
Substrates liegenden leitenden Grundplatte 86 verbunden.
Als Folge der zwischen dem Resonator mit offenem Ring und der Grundplatte angelegten Spannung wird in 'der halbleitenden
Schicht eine Verarmungsschicht gebildet. Durch Aenderung
der Gleichspannung ändert sich die Lage der Verarmungsschicht,
wodurch eine kapazitive Aenderung bewirkt wird, die die Resonanzfrequenz desΛ/2-Resonators mit offenem Ring verstimmt.
Die in'Fig. 10b dargestellte Mikrowellenanordnung
enthält einen A /2-Resonator 87 mit offenem Ring. Weiter
ist ein Varactor 88 zwischen dem Ort des Resonators, an dem der Knotenpunkt der Stehwelle im Resonator mit offenem
Ring auftritt, und einem Ort mit geeigneter -Impedanz angeschlossen.
Die für den Varactor 88 erforderliche Gleichspannung wird von einer mit dem Varactor in Reihe geschalteten
SO 9821/064 9"
ι«/
PHN.7189.
regelbaren Gleichspannungsquelle 89 geliefert. Zum Kurzschliessen
dieser Quelle für Hochfrequenzsignale', ist zwischen den Klemmen der Gleichspannungsquelle, 89 ein
Kondensator 90 angeschlossen. Durch Aenderung der Spannung der Gleichspannungsquelle 89 ändert sich die Kapazität
des Varactors 88 und wird damit die Resonanzfrequenz des Tv/2-Resonators 87 mit offenem Ring verstimmt.
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Claims (1)
- PHN.7189. 3.8.74.PATENTANSPRÜCHE:1 ,' Mikrowe 11 enano rdnung mit einem λ /2-Resonator mit einem Substrat, einer an einer Seiterdes Substrates angeordneten leitenden Grundplatte und, einem an der anderen Seite des Substrates .angeordneten Leitermuster, dadurch gekennzeichnet, dass das Leitermuster einen den 2\ /2-Resonator bildenden ringförmigen Leiter enthält, der an einer Stelle durch einen Schlitz unterbrochen ist, wobei die Schlitzbreite in bezug auf den Ringumfang klein ist,2. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Leitermuster zwei Mikrostripleiter (22, 23j 271» 28) und mindestens einen dazwischen angeordneten Kreis gegenseitig gekoppelter /\/2-Resonatoren mit offenem Ring (24, 25,· 26, 27, 29, 30, 31, 32) enthält, wobei die an einem Ende des Kreises liegende Resonatoren (2h, 27; 29, 32) mit den Mikrostripleitern (22, 23; 27, 28) gekoppelt sind. '3» Mikrowellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Leitermuster mindestens einen Mikrostripleiter (33} 36) und mindestens zwei miteinander und 'mit dem Leiter (33; 36) gekoppelten ^/2-Resonatoren. (3^> 35 5 37, 38) mit offenem Ring enthält".k. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, dass jeder der A'/2-Resonatoren (37, 38) mit offenem Ring über einen weiteren A/2-Resonator (39, ho) mit offenem Ring mit dem Mikrostripleiter gekoppelt ist.509821 /0649 .■ . PHN.7189.5. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, dass ein parallel zum Mikrostripleiter (56) angeordneter mit den beiden /i/2-Resonatoren· (62, 63) mit offenem Ring gekoppelter zweiter Mikrostripleiter (57) angeordnet ist und im Abstand einer ungeraden Vielfachen von/λ/4ΐ von der Mitte der beiden Λ/2-Resonatoren (62, 63) mit offenem Ring gemessen, in der gleichen Richtung entlang den Mikrostripieitern (56, 57) die Mitten zweier Paare weiterer ^\/2-Resonatoren (64, 655 66, 67) mit offenem Ring liegen, wobei die Ringresonatoreii jedes dieser Paare mitteinander gekoppelt sind und. ein Paar (64, 65) mit dem einen Mikrostripleiter (56) und das andere Paar (66, 67) mit dem anderen Mikrostripleiter (57) gekoppelt ist und diese Resonatorpaare (64, 65 j 66, 67) von-der Stelle aus gesehen, an dor sich die mit beiden Mikrostripieitern gekoppelten 7\/2-Resonatoren (62, 63)mit offenem Ring befinden, jeweils an der gegenüberliegenden Seite der Mikrostripleiter (56, 57) liegen, . . ■6· Mikrowellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch ge-kennzeichnet, dass der λ/2-Resonator.(78) mit offenem Ring an einer zweiten Stelle durch einen Schlitz (79) unterbrochen ist, und ein Element mit negativem Yiderstand (80) über diesen Schlitz angeordnet und mit Anschlussklemmen zum Anlegen einer Versorgungsspannung an das negative Viderstandseleraent versehen.ist.509821/064 9 :PHN.7189.7· Mikrowellenanordnitng nach. Anspruch. 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat mindestens an der Stelle des 7^/2-Resonators mit offenem Ring (83) aus halbleitendem Material besteht und der Resonator sowie die Grundplatte mit Anschlussklemmen (84, 86). zum Anschlissen einer regelbaren Gleichspannungsquelle (85) zwischen der leitenden Grundplatte und dem offenen Λ/2-Ring versehen ist. 8, Mikrowellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Kondensator (89) mit variabler Kapazität zwischen zwei verschiedenen Punkten des offenen ^\/2-Ringes angeschlossen ist.'9. Mikrowellenanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Kondensator (88) ein Varactor ist und Klemmen zum Anschliessen einer regelbaren Gleichspannungsquelle über·den Varactor angeordnet sind.509821/06491*Leerseite
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