DE2509533A1

DE2509533A1 - Sonnenzelle

Info

Publication number: DE2509533A1
Application number: DE19752509533
Authority: DE
Inventors: David Redfield
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1974-03-11
Filing date: 1975-03-05
Publication date: 1975-09-18
Also published as: AU7880275A; JPS52159173U; FR2264399A1; CA1021445A; GB1489318A; FR2264399B1; JPS50123286A; US3973994A

Description

Dipt,-Ing, H. Saueriand · Dr.-lng. R. König ■ Dipl.-lng. K. Bergen

Patentanwälte ■ -sooo Düsseldorf so ■ Cecilienailee 76 ■ Telefon 432732

4. März 1975 2503533 29 829 E

RGA Corporation, 30 Rockefeller Plaza^ Hew York, N₀Y₀ 10020 (V.St.A.)

"Sonnenzelle"

Die Erfindung betrifft Sonnenzellen mit einem transparenten, wenigstens ein Paar gegenüberliegender Oberflächen aufweisenden Substrat und einer auf einer dieser Oberfläche angeordneten, dem Lichteinf&ll zugewandten aktiven Schicht aus halbleitendem Material zur Umwandlung von Lichtenergie in elektrische Energie₀

Bei der Herstellung von Sonnenzellen aus Materialien wie Silizium, war es in der Vergangenheit nicht üblich, dünne Schichten von aktivem Material zu verwenden, weil dies einen erheblichen Verlust der Lichtabsorption in der Sonnenzelle zur Folge hatte.

Der Verlust an Lichtabsorption ist darauf zurückzuführen, daß bei aktivem Material, üblicherweise Silizium, die Lichtabsorption des aktiven Materials umso geringer ist, je langer die Wellenlänge des auftreffenden Lichtes istο Wenn aber die Absorption gering ist, dringt das auftreffende Licht durch das aktive Material hindurch und wird nicht absorbiert. Um die Absorption des Teiles des Sonnenspektrums sicherzustellen, der sich aus langwelliger Strahlung zusammensetzt, war eine relativ dicke Schicht aus aktivem Material erforderliche Sobald das Licht im aktiven Material absorbiert ist, wird

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ein Elektronen-Loch—Paar erzeugt. Um sxcherzustellen, daß die Lebensdauer des erzeugten Minoritätsträgers, gleichgültig ob Loch oder Elektron, hinreichend groß zur Erzeugung eines Stromes ist, mußte das aktive Material von hoher Qualität sein_o Mit anderen Worten, die Lebensdauer der erzeugten Träger ist ein bestimmender Faktor für die Festlegung der Diffusionslänge der in dem aktiven Material erzeugten Ladmigsträger,, Die Diffusionslänge ist die mittlere Weglänge, die ein Ladungsträger zurücklegen kann, bevor er rekombiniert_o Da die Absorption eine dicke Schicht aus aktivem Material erforderte, war eine wenigstens der Dicke der aktiven Schicht entsprechende Diffusionslänge erforderlich, um eine Stromerzeugung durch Ladungsträger zu ermöglichen, die tief in der aktiven Schicht gebildet wurden,, In der Vergangenheit bestand eine Sonnenzelle daher aus einer dicken Schicht aus hochreinem aktiven Material.

Wenn dünnere Schichten aus aktivem Material verwendet werden könnten, würde sich eine aus zwei Gründen preisgünstigere Sonnenzelle herstellen lassen. Zunächst würde eine Dünnschicht aus aktivem Material die erforderliche Menge des teuren aktiven Materials erheblich reduzieren. Zweitens würde eine Dünnschicht aus. aktivem Material eine proportional kürzere Diffusionslänge für die optisch erzeugten Elektronen und Löcher benötigen_o Die geringere Anforderung an die Größe der Diffusionslänge würde es dann erlauben, ein aktives Material geringerer Qualität zu verwenden, was zu einer weiteren Kostenersparnis führen würde.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Sonnenzelle zu schaffen, die eine Dünnschicht aus nur mäßig reinem aktiven Material aufweist, dabei jedoch

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nur geringe Absorptionsverluste für Sonnenlicht hat_o

Ausgehend von einer Sonnenzelle der eingangs erwähnten Art wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß in der anderen Oberfläche des Substrats nutförmige Vertiefungen und auf der Oberfläche der Vertiefungen eine reflektierende Schicht vorgesehen sind_c. Bei diesem Aufbau der Sonnenzelle kann die aktive Schicht als Dünnschicht ausgebildet werden, weil das Sonnenlicht durch Reflexion an der reflektierenden Schicht und Totalreflexion an der aktiven Schicht in der i;.aohstehend noch näher erläuterten Weise die aktive Schicht mehrfach durchläuft, so daß eine hinreichend hohe Absorption erzielt wird_o

Die Erfindung ist in der folgenden Beschreibung zweier Ausführungsbeispiele in Verbindung mit der Zeichnung näher erläutert, und zwar zeigen'i

Fig_o 1 eine Schnittansicht einer Ausführungsform einer in der erf.Lndungsgemäßen Weise aufgebauten Sonnenzelle;

Fig. 2 eine vergrößerte Ansicht des in Figo 1 durch einen Kreis gekennzeichneten Abschnitts der Sonnenzelle; und

Figo 3 eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Sonnenzelle.

Im folgenden wird auf Figo 1 Bezug genommen, in der eine preisgünstig herstellbare, in ihrer Gesamtheit mit 10 bezeichnete Sonnenzelle gezeigt ist₀ Die Sonnenzelle 10 umfaßt eine auf einem Substrat 14 aufgebrachte Dünnschicht 12 aus aktivem Material/

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Die aktive Schicht 12 besteht aus einem halbleitendem Material, beispielsweise Silizium, und sie weist eine Lichtauftreffflache 27j eine η-leitende Zone 16, eine p-leitende Zone 18 und einen pn-übergang 20 zwischen den Zonen 16 und 18 auf_a Die Zone 16 kann auch p-leitend und die Zone 18 n-lsitend ausgebildet werden, ohne daß dadurch wesentliche Änderungen der Ergebnisse eintretenο

Das Substrat 14 bestellt aus beliebigem, für Licht durchlässigem Material, beispielsweise aus Saphir, Spinell, hochtemperaturfestern G-las oder Quarz₀ Wenn das Substrat 14 aus Saphir oder Spinell besteht, ergibt sich der Vorteil, daß die aktive Schicht 12 epitaktisch aufgewachsen werden kann.

Das Substrat 14 weist zwei gegenüberliegende Oberflächen auf, von denen die eine eine ebene Oberfläche 22 und die andere eine mit nutartigen Vertiefungen versehene Oberfläche 24 ist₀ Die aktive Schicht 12 liegt auf der ebenen Oberfläche 22„ Die mit Vertiefungen versehene Oberfläche 24 hat die Form eines polierten Sägezahnmusters, wobei die Oberfläche jedes Sägezahns unter einem Winkel c£ verläuft_o Auf der mit Vertiefungen versehenen Oberfläche 24 liegt eine reflektierende Schicht 26. Die reflektierende Schicht 26 besteht üblicherweise aus einem metallischen Material mit guten Lichtreflexionseigenschaften.

Ein auf die Auftreffflache 27 der aktiven Schicht 12 auftreffender Sonnenstrahl 28 erzeugt auf optischem Wege Elektronen und Löcher in der aktiven Schicht 12 an den Stellen, an denen der Lichtstrahl 28 absorbiert wirdo Eine Eigenschaft von Silizium, ausjdem die aktive Schicht 12 beispielsweise bestehen möge, ist eine geringe Absorption von niederfrequenter, d.ho langwelliger Strahlung. Das Spektrum des Sonnen-

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lichts umfaßt Farben der verschiedensten Frequenzen, von denen viele eine so niedrige Frequenz haben, daß ihre Strahlung tief in die aktive Schicht einer Sonnenzelle eindringt, bevor sie absorbiert wird. Daher ist eine dicke aktive Schicht erforderlich, um die vollständige Absorption von Sonnenlicht sicherzustellen«,

Eine übliche Sonnenzelle hat eine aktive Schicht mit einer Dicke in der Größenordnung von 250 /Ίη, jedoch beträgt die Schichtdicke der aktiven Schicht 12 im Rahmen der vorliegenden Erfindung nur 2,5 /^m oder weniger» Die Möglichkeit einer derartigen Verringerung der Schichtdicke ist im Ergebnis auf die mit Vertiefungen versehene Oberfläche 24 und die reflektierende Schicht 26 zurückzuführen,,

Bei der vorliegenden Erfindung neigen die Anteile des Lichtstrahls 28 mit niedrigen Frequenzen dazu, die aktive Schicht 12 zu durchdringen, ohne absorbiert zu werden«, Sie können jedoch die reflektierende Schicht 26 nicht durchdringen und werden in die aktive Schicht 12 der Sonnenzelle 10 zurück reflektierte Bei geeigneter Wahl von oC kann der reflektierte Strahl 28 (a) einer inneren Totalreflexion beim Auftreffen auf die Fläche 27 unterliegen«, Dadurch wird der reflektierte Lichtstrahl 28 (a) innerhalb der Sonnenzelle 10 zurückgehalten, wobei sich eine Vielzahl von Gelegenheiten ergibt, in der aktiven Schicht 12 absorbiert zu werden.

Nach dem Snell¹sehen Gesetz muß der Lichtstrahl 28 (a) unter einem Winkel auf die Auftreffflache 27 auftreffen, der größer als der kritische Winkel θ ist, wenn eine innere Totalreflexion des Lichtstrahls 28(a) erreicht werden soll«, Der kritische Winkel ist durch die folgende Gleichung gegeben:

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(1 ) sin O - _2S

ⁿ1

worin n^ der absolute Brechungsindex des ersten vom Licht durchlaufenden Mediums und η der absolute Brechungsindex des zweiten Mediums ist, zu dem das Licht bei innerer Totalreflexion jedoch nicht hindurchtritta Wenn die aktive Schicht 12 daher aus dem Material Silizium, dessen Brechungsindex n^ s= 3,5 und das zweite Medium aus Luft besteht, dessen Brechungsindex η = 1 ist, liegt der kritische Winkel bei etwa 17°. Jeder in Richtung auf die Auftrefffläche 27 verlaufende reflektierte Lichtstrahl, der unter einem Winkel größer als 17° auftrifft, wird total zurück in die Sonnenzelle 10 reflektiert.

Im folgenden wird auf Fig. 2 Bezug genommen,, Ob eine innere Totalreflexion des reflektierten Lichtstrahls 28(a) erreicht wird, hängt bei der vorliegenden Erfindung vom Winkel ⁹^ der reflektierenden Schicht 26 ab_o Die sägezahnförmige Oberfläche 24 verläuft unter einem Winkel oC und daher ist auch die reflektierende Schicht 26 auf der Oberfläche 24 unter einem Winkel oC relativ zum Lichtstrahl 28 geneigt» Es ist ein bekanntes Prinzip der Lichtreflexion, daß ein von einer reflektierenden Fläche reflektierter Lichtstrahl einen Eintrittswinkel hat, der gleich dem Reflexionswinkel ist_o Wenn der Lichtstrahl 28 an der Schicht 26 reflektiert wird, ändert sich seine Richtung um einen Winkel der doppelt so groß wie der Winkel eC ist_o Eine rechtwinklig auf die reflektierende Schicht 26 gezogene Linie 30 zeigt, daß der Lichtstrahl 28 unter einem Auftreffwinkel i. = oC auf die reflektierende Oberfläche fällt und von der reflektierenden Schicht 26 unter einem Reflexionswinkel r. reflektiert wird, der ebenfalls gleich oC ist, woraus folgt, daß der Gesamtwinkel, unter dem der

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Lichtstrahl 28 reflektiert wird, gleich 2 ⁰^ ist«,

Nunmehr kann unter Verwendung des Snell¹sehen Gesetzes der mit r₂ "bezeichnete Brechungswinkel berechnet werden, wenn der reflektierte Strahl 28(a) vom Substrat 14 zur aktiven Schicht 12 übertritt_o Die zur Durchführung dieser Berechnung verwendete Gleichung lautet:

sm i₂ ⁿAKTIV

sin V₂ n_SUB

Hierin bedeutet: i^ der Auftreffwinkel des reflektierten Lichtstrahls 28(a), der bei der vorliegenden Erfindung gleich 2oC ist; r^ der Brechungswinkel des reflektierten Lichtstrahls 28 (a); n^K^ry der Brechungsindex der aktiven Schicht 12 und n_SUß der Brechungsindex des Substrats 14. Entsprechend den grundlegenden geometrischen Zusammenhängen ist der Brechungswinkel r^ der Winkel, unter- dem der reflektierte Lichtstrahl 28(a) auf die Auftreffflache 27 auftrifft; wenn dieser Winkel größer als der mit der Gleichung (1) errechnete kritische Winkel 9„ ist, tritt innere Totalreflexion auf ο Durch geeignete Wahl des Winkels oC der mit Vertiefungen versehenen Oberfläche 24 und durch die reflektierende Schicht 26 ist daher eine innere Totalreflexion des Licht verwirklichbar.

Nachdem der reflektierte Lichtstrahl 28(a) von der AuftrefEFläche 27 reflektiert ist, wird er weiterhin für eine begrenzte Anzahl von Durchläufen innerhalb der Sonnenzelle 10 reflektiert_o Jede Reflexion an der Auftreffflache 27 verursacht zwei weitere Durchtritte durch die aktive Schicht 12, wodurch die Gelegenheit zur Absorption sich erhöht. Die begrenzte Zahl von Durchläufen, die der Lichtstrahl in der Sonnenzelle

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ausführt, simuliert die Absorption eines durch eine Sonnenzelle mit einer erheblich dickeren aktiven Schicht laufenden Lichtstrahls.

Sobald das Licht in der aktiven Schicht 12 absorbiert wird, wird ein Loch-Elektronen-Paar erzeugte Die optisch sowohjj. in der p-leitenden Zone 18 als auch der η-leitenden Zone 16 erzeugten Minoritätsträger diffundieren zum pn-übergang 2O₀ In der Sonnenzelle 10 wird nur solange Strom erzeugt, wie Minoritätsträger mit hinreichend langer Lebensdauer zum Übergang 20 diffundieren,, Die Lebensdauer eines Minoritätsträgers ist die mittlere Zeitdauer während der er sich in einer Majoritätszone bewegen kann und eine freie Ladung bleibt. Für eine lange Lebensdauer eines Minoritätsträgers muß das die aktive Schicht bildende Material sehr rein sein.

Bei der vorliegenden Erfindung ist die aktive Schicht 12 sehr dünn₀ Das macht es möglicht, daß Minoritätsträger mit kurzer Lebensdauer zum Übergang 20 diffundieren. Bei der Erfindung kann daher eine 1000-fach geringere Lebensdauer wie bei konventionellen Sonnenzellen zugelassen werden. Da eine kurze Minoritätsträger-Lebensdauer zulässig ist, kann die aktive Schicht aus einem Material geringerer Qualität, möglicherweise sogar polykristallinem Silizium, anstelle des höherwertigen einkristallinen Silizium bestehen. Die Kosten der erfindungsgemäßen Sonnenzelle sind daher niedriger als die Kosten für die bekannten Silizium-Sonnenzellen, weil nur eine dünne aktive Schicht erforderlich ist, wobei eine erhebliche Menge an aktivem Material für die Schicht eingespart wird, und weil das die aktive Schicht bildende aktive Halbleitermaterial im Vergleich zu den üblichen Anforderungen erheblich niedrigere Qualität haben kann.

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Bine zusätzliche Kostenersparnis ergibt sich bei Verwendung eines nichtkristallinen Substrats, beispielsweise eines Hochtemperaturglases oder bei Verwendung von Quarzβ Ein Glas- oder Quarzsubstrat verursacht geringere Kosten als ein Substrat aus Saphir, obwohl die aktive Schicht 12 auf einem Saphir-Substrat epitaktisch aufgewachsen werden kann. Ein wesentlicher Vorteil der Verwendung einer sehr dünnen Schicht aus aktivem Material liegt darin, daß bei der vorliegenden Erfindung ein preisgünstiges Substratmaterial, beispielsweise Glas oder Quarz, eine auf ihm niedergeschlagene dünne Schicht aus aktivem Material entsprechender Qualität haben kann, daß jedoch eine auf einem preisgünstigen Substrat niedergeschlagene dicke Schicht aus aktivem Material keine zufriedenstellende Qualität besitzt₀

Bei dem in Fig. 1 gezeigten ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung kann auf der ebenen Oberfläche 22 eines Saphir- oder Spinellsubstrats 14 eine einkristalline aktive Schicht 12 mit unterschiedlichsten bekannten Einrichtungen, wie sie beispielsweise im US-Patent Nr. 3 658 586 beschrieben sind, niedergeschlagen werden. Eine dünne Schicht aus polykristallinem Silizium kann auf einem preisgünstigen Substratmaterial mittels eines Verfahrens niedergeschlagen werden, wie es in dem Artikel "Low Temperature Growth and Properties of Polycrystalline Silicon" von Y.S₀ Chiang, SEMICONDUCTOR SILICON 1973, herausgegeben von H.R. Huff und R.R«, Burgess, Electrochemical Society (Princeton, N₀J. 1973), Seiten 285 bis 291, beschrieben ist. Ein pn-übergang der aktiven Schicht 12 wird durch Anwendung irgendeines der vielen Verfahren zur Herstellung von Übergängen gebildete So kann beispielsweise Ionen-

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implantation zur Einbringung von Dotierstoffen zur Bildung der Zone 16 angewandt werden. Die Herstellung der mit Vertiefungen versehenen Oberfläche 24 auf dem Substrat 14 erfolgt mittels üblicher Polierverfahren, wenn das Substrat 14 aus Saphir besteht. Wenn das Substrat 14 ein Hochtemperaturglas ist, können die Oberflächenvertiefungen 24 in das Substrat 14 eingepreßt sein» Nach Herstellung der mit Vertiefungen versehenen Oberfläche 24 wird auf der Oberfläche 24 ein metallisches Material niedergeschlagen, um die reflektierende Schicht 26 zu bilden.

In Fig. 3 ist ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Sonnenzelle gezeigt, die in ihrer Gesamtheit mit 110 bezeichnet ist. Die Sonnenzelle 110 ist im Aufbau dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel der in Fig₀ 1 gezeigten und mit 10 bezeichneten Sonnenzelle ähnlich. Die Sonnenzelle 110 weist eine dünne aktive Schicht 112 und ein Substrat 114 auf₀ Die aktive Schicht 112 entspricht der aktiven Schicht 12_O Die aktive Schicht 112 weist eine η-leitende Zone 116 und eine p-leitende Zone 118 auf, die den Zonen 16 und 18 der Sonnenzelle 10 entsprechen.

Bei dieser Ausführungsform hat das Substrat 114 zwei transparente Zonen«, Eine Zone ist als Niederschlagszone 132 bezeichnet. Die aktive Schicht 112 ist auf einer ebenen Oberfläche 122 der Niederschlagszone 132 angeordnet. Die ebene Oberfläche 122 entspricht der ebenen Oberfläche 22. In Anlage an der Niederschlagszone 132 ist eine Reflektorzone 134 vorgesehen unter Bildung einer dazwischenliegenden Grenze 136_O Der Grenze 136 gegenüber liegt eine mit Vertiefungen versehene Oberfläche 124, auf der die reflektierende Schicht 126 gebildet ist«, Die mit Vertiefungen ver-

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sehene Oberfläche 124 und die reflektierende Schicht 126 entsprechen der mit Vertiefungen versehenen Oberfläche 24 bzwo der reflektierenden Schicht 26.

Die Niederschlagszone 132 besteht aus einem transparenten Material, das mit der Keimbildung des Auf Wachsens der aktiven Schicht 112 auf der Niederschlagszone 132 an deren ebener Oberfläche 122 verträglich ist» Die Niederschlagszone 132 kann aus Hochtemperatur-Glas, Quarz, Saphir oder Spinell bestehen«, Die Reflektorzone 134 besteht aus Glas oder Kunststoffmaterial„

Die Niederschlagszone 132 kann an der Grenze 136 mit der Reflektorzone 134 mittels eines für Licht durchlässigen Haftmaterials verbunden sein_e

Bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel der Erfindung war kein Hinweis darauf gegeben, daß das Substrat 14 aus Kunststoff hergestellt sein kann₀ Dies ist darauf zurückzuführen, daß die meisten Verfahren zum Niederschlagen der aktiven Schicht aus Halbleitermaterial auf dem Substrat eine 'Wärmeeinwirkung erfordern, welche Kunststoff zerstören oder verändern würde„ Beim zweiten Ausführungsbeispiel der Sonnenzelle 110 kann die Reflektorzone 136 aus Kunststoff bestehen, da für die Herstellung der haftenden Verbindung nur geringe oder keine Wärmeeinwirkung erforderlich ist.

Beim zweiten Ausführungsbeispiel ist die aktive Schicht 112 auf dem Substrat 114 niedergeschlagen, jedoch resultiert aus der Verwendung einer geringeren Menge von keimbildendem Material, das im allgemeinen teurer als für die Reflektorzone 136 geeignete Materialien ist, eine Kostenersparnis«, Zusätzliche Kostenersparnisse sind darauf zurückzuführen, daß die Vertiefungen sehr einfach in eine gläserne oder aus Kunststoff bestehende Reflektorzone 136 eingepreßt werden können,.

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Bei anderen Materialien, beispielsweise Saphir, können die Vertiefungen nur mit einem kostspieligeren Polierverfahren im Material gebildet werden. Wie beim ersten Ausführungsbeispiel der Sonnenzelle ist auch das zweite Ausführungsbeispiel deshalb kostengünstiger herstellbar, weil nur eine geringe Menge an Halbleitermaterial relativ niedriger Qualität zur Herstellung der aktiven Zone 112 erforderlich ist.

Erfindungsgemäß wird also eine Sonnenzelle geschaffen, die erheblich kostengünstiger herstellbar ist, weil eine geringere Menge von Material für die aktive Schicht erforderlich ist und dieses Material von geringerer Qualität sein kann. Außerdem weist das Substrat eine geringere Menge an teurem, keimbildendem Material auf_o

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Claims

RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, N₀Y. 10020 (V.St.A»)

Patentansprüche;

/i.) Sonnenzelle mit einem transparenten, wenigstens ein ^■""^ Paar gegenüberliegender Oberflächen aufweisenden Substrat und einer auf einer dieser Oberfläche angeordneten, dem Lichteinfall zugewandten aktiven Schicht aus halbleitendem Material zur Umwandlung von Lichteiiergie in elektrische Energie, dadurch gekennzeichnet , daß in der anderen Oberfläche (24-; 124) des Substrats (14; 114) nutförmige Vertiefungen und auf der Oberfläche der Vertiefungen eine reflektierende Schicht (26; 126) vorgesehen sind ο

2. Sonnenzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die nutförmigen Vertiefungen die Form eines Sägezahnmusters haben.

3. Sonnenzelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Oberflächen der nutförmigen Vertiefungen unter einem solchen Winkel (oC ) geneigt verlaufen, daß von der reflektierenden Schicht (26; 126) reflektiertes Licht (Lichtstrahl 28a) die Fläche (27) unter einem solchen Winkel (^Q) trifft, daß es eine innere Totalreflexion erfährt»

Sonnenzelle nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet

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daß die aktive Schicht (12; 112) eine η-leitende Zone (16; 116 oder 18; 118) und eine p-leitende Zone (18; 118 oder 16; 116) sowie einen pn-übergang (20) zwischen diesen Zonen aufweist₀

5ο Sonnenzelle nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß das Substrat (14) aus einem transparenten Material, nämlich aus Hochtemperatur-Glas, Quarz, Saphir oder Spinell hergestellt ist.

6. Sonnenzelle nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet ,

daß das Substrat (114) eine an die aktive Schicht (112) anschließende Niederschlagszone (132), die aus einem Material besteht, welches das Aufwachsen der aktiven Schicht ermöglicht, und eine Reflektorzone (134) aufweist, die an der Niederschlagszone (132) anliegt.

7ο Sonnenzelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Niederschlagszone (132) aus einem transparenten Material, nämlich aus Hochtemperatur-Glas, Quarz, Saphir oder Spinell besteht.

8c Sonnenzelle nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet , daß die Reflektorzone (134) aus einem transparenten Material, nämlich aus Kunststoff oder Glas besteht»

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