DE2653901A1 - Poliergemisch und -verfahren fuer halbleitersubstrate - Google Patents

Poliergemisch und -verfahren fuer halbleitersubstrate

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DE2653901A1 DE19762653901 DE2653901A DE2653901A1 DE 2653901 A1 DE2653901 A1 DE 2653901A1 DE 19762653901 DE19762653901 DE 19762653901 DE 2653901 A DE2653901 A DE 2653901A DE 2653901 A1 DE2653901 A1 DE 2653901A1
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    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents

Description

Anraelderin: International Business Machines
: . Corporation, Arrnonk, l-J.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanrueldung Aktenzeichen der Amaelderin: FI 975 043
Poliergeraisch und -verfahren für Halbleitersubstrate
Die Lrfindung betrifft ein Poliergemisch und Verfahren zum Polieren von Halbleitersubstraten, insbesondere von Siliciumsubstraten, unter Verwendung eines solchen Poliergemisches.
Halbleitervorrichtungen, wie integrierte, monolithische Schaltungen, Dioden, passive Bauelemente usw., entstehen durch verschiedene Ääditivverfahrc -, wie Diffusion und epitaktisches Aufwachsen in die bzw. auf den ebenen Flüchen von Halbleitersubstraten. Für eine solche Fabrikation von Halbleitervorrichtungen, sind polierte Halbleiterplättchen, welche frei von unerwünschten Kristalldefekten und Oberflächen Unvollkoramenheiten sind, eine Grundvorraussetzung. Das Polieren und das Reinigen der Plättchen sind normalerweise die letzten Prozeßschritte bei der Vorbereitung von Plättchen für den Einbau von lialbleitervorrichtungen.
lüv/ar waren sehr gut polierte Oberflächen schon bisher ein Srfordernis in der Halbleitertechnik, jedoch ist mit der zunehmenden I-iilcrominiaturisierung die Oberflächenperfektion von polierten ; Plättchen zu einera Faktor aller größter Wichtigkeit geworden. j Dies bedeutet, daß eine vollkommene Ebenheit und Einheitlichkeit '.. der Plättchenoberflächen und die Freiheit dieser Oberflächen von unregelmäßigkeiten und von Kristallfehlern bis hinunter in den R-.bereich gegeben sein müssen, iiine Durchsicht der Literatur
09823/0733
- r- H
und anderer Informationen zeigt, daß ein wesentlicher Teil der im Handel erhältlichen Siliciuraplättchen rait Geraischen poliert wird, welche Siliciumdioxidpartikel mit einer Teilchengröße iiu ; Kolloidalbereich zwischen 1 und 500 ΐιψίη haben, wobei die zum ■ Polieren geeigneten Teilchen einen Durchmesser zwischen 10 und ; 150 mum haben. Siliciumdioxidgemische der richtigen Seilchenj größen mit nominellen Partikelgrößen von 16 raum sind im Handel I normalerweise in der Form von Solen und Gelen erhältlich. Zu ! solchen Geraischen gehören Materialien, wie sie beispielsweise von
ider Honsanto Company unter dem Handelsnamen "Syton", von DuPont \ unter dem Ilandelsnamen "Ludox" (bei dem es sich um ein Kiesel- ! säuresol handelt) und von der Philadelphia Quartz Company unter
\ dem Handelsnamen "Quso" (dabei handelt es sich um eine mikrokristalline Kieselsäure) vertrieben werden. Das oben erwähnte .Gemisch "Syton" hat eine Gewichtsprozentstreuung von Siliciumdioxid ; in Wasser, welche zwischen 10 und 50 Gewichtsprozent variiert, ' wobei die Teilchengrößen einen mittleren Durchmesser von 30 raum haben.
Praktisch kann jeder Poliertuchtyp, wie z. B. solche aus synthetischem Leder oder aus nicht verwobenen Harzen, zusammen mit solch einem Siliciumdioxid enthaltenden Poliergemisch verwendet werden. Typisch für solche Poliertücher sind die unter den liandels-,namen "Corofam" und "Blue Rodeil" im Handel erhältlichen. Das Polieren kann mittels solcher Vorrichtungen, wie sie z. B. in dem US-Patent Nr. 3 691 694 beschrieben sind, und welche die in dem IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 15, Nr. 6, November 1972, Seite 1760 beschriebene Modifikation enthalten, vorgenommen , werden. Die Modifikation beinhaltet eine planetarische Konfi- ! guration.
während des Polierens können die Raägeschwindigkeiten zwischen 40 und 200 U/min variieren, wobei die Drücke zwischen 1,406 .
-1 2
und 4,26 . 10 kp/cm liegen. Die Polierschlammzuführung (z.B. ein SiO^-Poliergemisch) erfolgt im allgemeinen gleichmäßig mit einer Fiießgeschwindigkeit von nicht weniger als 10 ecm pro Minute und
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!der Polierschlamm kann im Kreislauf verwendet werden. Die Gejschwindigkeit der Materialabtragung von den Siliciumplättchen jbeträgt ca. 19,1 pm pro Stunde. Obwohl der eben beschriebene !Vorgang polierte Plättchen mit einem hohen und aktzeptierbaren :Maß an Perfektion liefert, hat er trotzdem den Nachteil, verhältnismäßig langsam abzulaufen, d.h., daß man für ein solches ;Maß an Perfektion ziemlich viel Zeit braucht. Versuche, diesen 'Poliervorgang zu beschleunigen, z. B. durch Erhöhung der Drücke ioder durch eine Veränderung der Natur des Schleifmittels, z. B. !seiner Teilchengrößen und/oder seiner Härte, können Schaden unter !der Oberfläche verursachen, welche bei der sich anschließenden Herstellung der Halbleitervorrichtungen sich unliebsam bemerkbar !machen.
Andere Poliergemische und -verfahren sind in den US-Patentschrif-Iten Nr. 2 744 001, 3 029 160, 3 071 455, 3 170 273, 3 328 141, ■3 385 682, 3 429 080, 3 738 881, 3 841 031 und 3 485 608 beschrieben.
[Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein Poliergemisch und ein Polierverfahren unter Verwendung eines solchen Poliergemisches zum Erzeugen in fabrikmäßigem Rahmen und mit einem geringen zeitlichen und apparativen Aufwand von Halbleitersubstratoberflächen, die bis hinunter in den Ängströmbereich bezüglich der Ebenheit, der Einheitlichkeit und der Abwesenheit von Oberflächenunregeljmäßigkeiten und Kristallfehlern höchsten Ansprüchen genügen, !anzugeben.
Diese Aufgabe wird mit einem Poliergemisch der eingangs genannten !Art mit den Merkmalen des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 und mit einem Polierverfahren der eingangs genannten Art mit den !Merkmalen des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 8 gelöst. !
pie besonderen Vorteile und der Mechanismus, nach welchem der Poliervorgang abläuft, ergeben sich im einzelnen aus der Beschreibung .
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tis ist vorteilhaft, wenn die Alkalimetallbase aus einem Alkalimetallkarbonat besteht und das Verhältnis von Karbonat zu oxydierendem Agens zwischen etwa 0,5 : 1 und etwa 3,2 : 1 liegt. Dabei ist besonders vorteilhaft, wenn das gev/ählte Alkalimetall Natrium ist.
^Es ist vorteilhaft, wenn das Schleifmittel (abrasive) aus der
!Gruppe Ceroxid, Aluminiumoxid, Zirkonoxid, Siliciumdioxid (SiO0) und ähnlichen Stoffen entnommen ist. Als besonders günstig haben sich dabei SiO2-Partikel, welche in der Form von Kieselsäure-Solen oder -Gelen mit Teilchengrößen zwischen etwa 5 und etwa 200 mum vorliegen, erwiesen.
Es ist vorteilhaft, wenn das oxydierende Agens aus der Gruppe der Natrium- und Kalium-Salze der Dihalogenisocyanursäuren, wobei sich die Salze der Dichlorisocyanursäure als besonders günstig erwiesen haben, entnommen ist. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich unter Verwendung der erfindungsgemäßen Poliermischung besonders vorteilhaft Siliciumsubstrate polieren.
Es ist günstig, zum Polieren ein Gerät zu verwenden, bei dem sich die zu polierenden Substrate zwischen einer Deckplatte und einer Bodenplatte befinden, wobei es vorteilhaft ist, wenn die
2
Bodenplatte mit etwa 0,365 kp/cm auf die Bodenplatte gedrückt wird und die Bodenplatte mit einer Geschwindigkeit von etwa 63 und die Deckplatte mit einer Geschwindigkeit von etwa 60 U/min gegenläufig zueinander rotieren.
Es ist günstig, ein solches Gerät zu verwenden, bei dem die zu polierenden Substrate ohne Befestigung an einer der beiden Platten poliert werden. Das erfindungsgemäße Verfahren mit den genannten Ausgestaltungen läßt sich beispielsweise mit einer Poliervorrichtung durchführen, welche die in der oben erwähnten US-Patentschrift 3 691 694 und in der obengenannten Veröffentlichung im IBM Technical Disclosure Bulletin veröffentlichten Merkmale aufweist. In diesem Gerät sind die Plättchen in öffnungen von ring-
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-ST-
förmigen Rahmen (circular carriers) plaziert, welche sich zwischen zwei gegenläufig zueinander rotierenden Polierkonsolen befinden. Der Rand der Rahmen ist so ausgestaltet, daß er einerseits in den Zahnkranz einer unabhängig rotirenden Spindel und andererseits in einen entlang des äußeren Umfanges des Poliergeräts verlaufenden Zahnkranzes eingreift, so ■ daß den Trägern mit den Plättchen eine planetarische Bewegung aufgezwungen wird,-welche-eine Relativbewegung des Rahmens und der Plättchen zwischen den rotierenden Polierkonsolen zur Folge hat. Während des Polierens wird das Poliergemisch entsprechend der Erfindung kontinuierlich auf die Oberfläche der polierenden Konsolen gebracht. Dabei ist es günstig, wenn das Gemisch mit einet Geschwindigkeit von 520 +10 ml/Min, bei einer Temperatur von 54,4\ + 2,8° C zugegeben wird. Nach dem Polieren folgt eine Waschope- , ration und das Entfernen der Plättchen oder Substrate aus der j Poliervorrichtung. ;
Die Erfindung wird anhand von durch Zeichnungen erläuterten Aus- |
i führungsbeispielen beschrieben.
Ls zeigen:
Fig. 1 in einem Diagramm die Poliergeschwindigkeit
von einkristallinen Siliciumplättchen oder -»Substraten als Funktion der Natriumkarbonat-Konzentration in dem Poliergemisch und
Fig. 2 in einem Diagramm die Poliergeschwindigkeit
von einkristallinen Siliciumplättchen als eine Funktion des ρ -Wertes von verschiedenen Poliergemischen einschließlich der erfindungsgemäßen.
Obwohl die Poliergeraische der vorliegenden Erfindung für das Polieren von Siliciumsubstraten entwickelt und beschrieben worden sind, können solche Geraische auch vorteilhaft für das Polieren anderer Substrate und Materialien verwendet werden,
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!insbesondere für Quarz und die verschiedenen Glassorten.
iErhöhte Poliergeschwindigkeiten für Silicium bis zu 127 um pro
Stunde werden mit dem erfindungsgemäßen Poliergemisch erzielt/
{welches bevorzugt in Wasser dispergierte Siliciumdioxidpartikel
jin der kolloidalen Größe unter Sumischung einer wasserlöslichen
IAlkalimetallauge, wie z. B. Natriumhydroxid und bevorzugt
!Natriumkarbonat, und entweder ein Natrium- oder ein Kaliumsalz j jvon Dihalogen-Isocyanursäure, allgemein bekannt auch als Dihalogen4 JTriazintrionsalze, enthält. Ein typisches Gemisch gemäß der
!vorliegenden Erfindung enthält ein Kieselsäure-(silica)-Sol
'ζ. B. ein SiO2-SoI, Natriumkarbonat und das Natriumsalz der ■■ •Dichlorisocyanursäure. Mit Verhältnissen des Karbonats zu dem j jSalz der Dichlorisocyanursäure zwischen 0,5 : 1 und 3,2 : 1 j !können bei Silicium Poliergeschwindigkeiten zwischen etwa 51 um ; pro Stunde und etwa 127 um pro Stunde erreicht werden. Die ; Bestandteile des Poliergemisches können durch Mischen leicht vor- '-.
jbereitet werden, wobei für kommerzielle Anwendungen Mengen bis her·* unter zu 20 Litern hergestellt werden können. Bevorzugt werden
die frisch hergestellten Gemische zum Polieren verwendet. Wenn ; ,früher hergestellte Gemische angewandt werden sollen, so sollten
jsie vor Licht geschützt gelagert werden, da das Licht mittels ί ides Oxydationsmittels den Polierschlamm zersetzt oder zum [ !Koagulieren bringt. Die wässrige Dispersion von Siliciumdioxid
kann vorteilhaft in der Form von Kieselsäuresol und Kieselsäuregel, deren Siliciumdioxid-Partikelgröße sich zwischen etwa \ 1 und etwa 500 mpm bewegen, angewandt werden, wobei die Gewichtsprozentkonzentrationen zwischen 10 und 50 liegen. Als
wässrige Dispersion des Siliciumdioxids r wie es in allen unten
angeführten Beispielen verwendet wird, kann das von der Monsanto
Company hergestellte und unter dem Handelsnamen "Syton HT-50"
vertriebene Produkt verwendet werden. Dieses "Syton HT-50" hat
einen Kieselsäuregehalt von etwa 50 Gewichtsprozent und eine ; maximale Partikelgröße zwischen 40 und 45 mum.
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Jede Standardpolierausrüstung, wie ζ. Β. die in dem oben erwähnten jüS-Patent 3 691 694 beschriebene, kann mit den erfindungsgemäßen Poliergeraischen benutzt werden. Eine besonders wirkungsvolle Poliervorrichtung, bei der die zu polierenden Teile nicht be-1 festigt sind (free-polisher), ist in der oben erwähnten TDB-Veröffentlichung von Goetz u.a. beschrieben. Diese Poliervorrichtung wurde bei einer Rotationsgeschwindigkeit der oberen Platte von 60 U/min und einer Gegenrotation der unteren Platte von 63 U/min angewandt. Der Druck der oberen Platte auf die untere
Platte betrug ca. 0,366 kp/cm . Das mit der unteren Platte benutzte Poliertuch war das von der Rodeil Company in !Wilmington, Delaware unter dem Handelsnamen "Blue Rodell" verjtriebene Tuch. Das mit der oberen Platte benutzte Poliertuch !war das von der Process Research Company in Pennington, New !Jersey unter dem Handelsnaraen "BRCA" vertriebene Tuch.
12 Experimente, jedes mit neun einkristallinen Siliciumplättchen
'mit einem Durchmesser von 57,2 mm und <100>-Kristallorientierung !und einen spezifischen Widerstand von 2 Ωσιη wurden durchgeführt.
!Es wurde poliert unter Bedingungen, die bezüglich der Plattenrotation, "des Drucks und der Polierschlammfließgeschwindigkeit von 520 + 10 ml pro Minute identisch waren mit den oben genannten. Lediglich die Zusammensetzung des PοIierSchlamms wurde variiert.
!Acht Experimente wurden mit erfindungsgemäßen Gemischen durchgeführt, während bei vier Experimenten Gemische verwendet wurden, welche nicht in den Rahmen der Erfindung fallen, um auf diese Weise Poliergeschwindigkeiten vergleichen zu können. Bei jedem der zwölf unten beschriebenen Beispiele wurden beim Polieren hell scheinende Plättchen mit konturenlosen Oberflächen und ohne Filme oder Verunreinigungen auf den Oberflächen erhalten.
Die folgende Tabelle zeigt verschiedene Beispiele von Lösungszusammensetzungen, welche bei einer konstanten Polierschlamm-Fließgeschwindigkeit von 520 + 10 ml pro Minute, bei 54,44 + 2,78° C, bei den oben angeführten Umdrehungszahlen der Platten und dem ebenfalls oben angegebenen Druck verwendet wurden.
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Lösungszusammensetzung 0 Na-SaIz der
Dichlor-Iso-
cyanursäure
(Gramm)
Menge/20 1 Lösungsvolumen 0 0
Nr. Kieselsäure
sol Na9CO- - H9O
(ΗΤ-5Ό) TGräiran)		 50 100
1 4 1 100 100
2 H 150 100
3 N 200 100
4 Il 250 100
5 η 275 100
6 N 300 100
7 H 325 100
8 m 150 100
9 m 250 0
10 η 0
11 M
12 N
Pließgeschwin
-digkeit der
Lösung
(ml/Min.)		 Polierge
schwindigkeit
(25,4 pm/hr)		 pH~Wert der
Losung nach
Standzeit
0 2 Std.		 10,2
520 + 10 0,8 10,2 9,0
Il 1,0 9,9 9,3 ,
Il 1,6 9,9 9,5 £
Il 2,5 9,9 9,7 *
Il 3,3 10,1 9,8
H 4,0 10,3 9,6
Il 4,65 10,3 9,7
Il 5,2 10,4 9,7
Il 3,3 10,4 9,7
H 2,2 10,4 N.D.*
iv ^
H 1,0 10,7 TNJ
10,7 CD
Il 1,7 1,8 CD
*nicht bestimmt <—>
PI 975
Aus der obigen Tabelle wird deutlich, daß die Poliergeschwindigkeit beachtlich hoch ist, wenn eine Mischung aus kolloidalem
SiO2, Na2CO3 und dem Natriumsalz der Dichlorisocyanursäure (Beispiele 3 bis 10) verwendet wird und daß sie niedrig ist, wenn
irgend eine der Komponenten entfernt wird, d.h., wenn zum Polieren beispielsweise nur SiO3- Na3CO3 (Beispiele 11 und 12) oder
Si02-0xydationsmittel (Beispiel 2) verwendet wird. Es ist ebenfalls interessant, festzustellen, daß, obgleich der ρ -Wert des
Polierschlammes hoch ist (Beispiele 11 und 12), die Abtragungsgeschwindigkeit trotzdem recht niedrig ist, wenn eine SiO2-Na2CO3-Mischung angewandt wird. Andererseits, sind die Poliergeschwindigkeiten, trotz ähnlichen ρ -Werten (Beispiele 7, 8, 9 und 10)
bei hohen Na2CO3-Gewichtsanteilen verschieden. Es ist daher
offensichtlich, daß bei dem neuen Poliergemisch die Menge des
Na3CO3 in der Poliermischung ausschlaggebend ist und nicht der
pT.-Wert. Es ist ferner darauf hinzuweisen, daß alle Mischungen
aus Na3CO3, dero Natriumsalz der Dichlorisocyanursäure, kolloidalem SiO2 usw. die Tendenz zeigen, nach einiger Standzeit ohne
Beeinflussung der Poliergeschwindigkeit einen ρ -viert von weniger J als 1"O- (ca. 9,7) anzunehmen. Dies ist eine Bestätigung dafür, [ daß die Schwankung der Poliergeschwindigkeiten auf der Menge ' der Lauge und nicht auf dem ρ -Wert beruht. !
ti I
Es wird angenommen, daß der Poliermechanismus auf der raschen ! Oxydation von Silicium in SiO0 durch die Bestandteile des Polier- !
i Schlamms und das daran sich anschließende Aufweichen des auf i diese Weise entstandenen SiO31 das dabei Silicagel (Si(OH).) bildet welches wiederum die Bestandteile des Polierschlamms weiter absorbiert und weicher wird und durch das Reiben des Polierschlamms
leicht entfernt wird, beruht. Es wird angenommen, daß der
Reaktionsmechanismus wie folgt ist:
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Ο-Να
C
N"Ci+ 2 Na2CO3 + Si + 2
N O Na
Ci '
Λ.Ν-Η
+ 2 NaHCO + 2 NaC] + | ,_
ι H
+ H2O *- S I (OH)
Die Verminderung der Poliergeschwindigkeiten bei höheren Natriumkarbonat-Konzentrationen wird auf die Bildung von beachtlichen Mengen von NaClO zurückgeführt, welches wiederum kolloidales SiO2 koaguliert/ was zur Folge hat, daß der Polierschlamm dann geringere Mengen von kolloidalem SiO„ und von harten suspendierten Partikeln enthält, welche Kratzer auf der Oberfläche hervorrufen können. Bezüglich der erfindungsgemäßen Poliergemische ist darauf hinzuweisen, daß sie dazu neigen, sich nach einer Standzeit von ca. 2 Stunden bei einem ρ -Wert von ca. 9,7 zu stabilisieren. Anscheinend beruht dies auf der Reaktion von NaOH mit den Kiesel- ; säure-Partikeln des Poliergemisches, wobei diese Reaktion in dem von der Pufferwirkung von NaHCo3, welche den ρ -?iert des Polier-■gemisches auf ca. 9,7 reduziert, zugelassenen Masse erfolgt. Ob- > wohl diese bezüglich des ρ -Wertes stabilisierten Zusammensetzungen gemäß der Erfindung verwendet werden können, werden in der Praxis !normalerweise frisch hergestellte Poliergemische sofort zum j !Polieren von Siliciumplättchen verwendet.
Das oben beschriebene Polieren von Siliciumplättchen wurde wie-Iderholt mit je 9 Plättchen pro Beispiel, wobei lediglich die in der folgenden Tabelle angegebene Änderungen der Zusammensetzung vorgenommen wurden.
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Lösungszusammensetzung .
Menge/20 1 Lösungsvolumen
Nr.
13 14 15 16 17 18
Kieselsäuresol
(HT-50)
4
η η
NaOH (Gramm)
15 30 40 80
120
Na-SaIz der Dichlor-Isocy anurs äure (Gramm)
100
Il Il Il
Fließgeschwxn -digkeit der Lösung
(ml/Min.)
+ 10
Il
Il
Il
Il
Polierges chwi ndi gk e i t
(25,4 um/hr)
1,0
1,0
1,8
2,7
4,13
3,99
p„-Wert der
Losung nach
Standzeit
0 2 Std.
9,4 9,5 10,0 10,4 10,6 11,9
9,3
N.D.
9,4 10,0
9,8 11,2
(Nach der Lagerung zeigt Lösung Tendenz zum Gelieren.)
(Polierbrei beginnt zu koagulieren und kann nicht zum Polieren benutzt werden.)
*nicht bestimmt
GO ! CJD
PI 975
jWie aus den vorangegangenen Angaben zu ersehen ist, spielt der j ρ -Wert der Poliergemische keine wesentliche Rolle beim Polieren !gemäß der vorliegenden Erfindung, welche ihre /aufgäbe lediglich aufgrund der ternären Funktionen der schleifenden, basischen und
oxydierenden Bestandteile löst.
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Claims (1)

  1. Poliergemisch zum Polieren von Halbleitersubstrat-Oberflächen, dadurch gekennzeichnet, daß es eine wässrige Mischung von Teilchen eines Schleifmittels, eine lösliche Alkalimetallbase und ein oxydierendes Agens, das aus der Gruppe der Salze von Halogenderivaten der Isocyanursäure ausgewählt ist, enthält.
    2. Poliergeraisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Älkalimetallbase aus einem Alkalimetallkarbonat besteht und das Verhältnis von Karbonat zu oxydierendem Agens zwischen etwa 0,5 : 1 und etwa 3,2 : 1 liegt.
    3. Pulvergemisch nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Natrium als Alkalimetall verwendet ist.
    4. Poliergemisch nach einem oder mehreren der Ansprüche
    1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Schleifmittel aus der Gruppe Ceroxid, Aluminiumoxid, Zirkonoxid, Siliciumdioxid (SiOn) und ähnlichen Stoffen entnommen ist.
    5. Poliergemisch nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die SiO2-Partikel Kieselsäure-Sole oder -Gele mit Teilchengrößen zwischen etwa 5 und etwa 200 mum sind.
    ■6. Poliergemisch nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 j bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das oxydierende Agens j aus der Gruppe der Natrium- und Kaliumsalze der Dihalogenisocyanursäuren entnommen ist.
    Ί. Poliergemisch nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, j daß das Halogen in der Säure Chlor ist.
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    709823/0733
    ORIGINAL INSPECTED
    8. Verfahren zum Polieren von Halbleitersubstrat-Oberflächen
    unter Verwendung einer Poliermischung nach einem oder
    mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daßt das Poliergemisch auf die ßalbleitersubstratoberflachen ! aufgebracht wird und daß dann poliert wird.
    9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
    eine Siliciumsubstrat-Oberfläche poliert wird.
    10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet,
    daß ein Poliergerät verwendet wird, bei dem sich die zu
    polierenden Substrate zwischen einer Deckplatte und
    einer Bodenplatte befinden, bei dem die Deckplatte mit etwa,
    2
    0,365 kp/cm auf die Bodenplatte gedrückt wird und bei dem
    die Bodenplatte mit einer Geschwindigkeit von etwa 63 und j die Deckplatte mit einer Geschwindigkeit von etwa 60 U/min
    gegenläufig zueinander rotieren.
    11. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 8 bis
    10, dadurch gekennzeichnet, daß die zu polierenden Sub-
    . strate poliert werden, ohne daß sie an einer der beiden ι
    Platten befestigt werden. J
    |12. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 8 bis j j 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Poliergemisch mit | j einer Geschwindigkeit von 520 + 10 ml pro Minute bei
    j Q
    j Temperaturen von 54,4+2,8 C zugegeben wird.
    FI 975 043
    703823/0733
DE2653901A 1975-12-05 1976-11-27 Poliergemisch zum Polieren von Halbleitersubstratoberflächen Expired DE2653901C2 (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/638,018 US4057939A (en) 1975-12-05 1975-12-05 Silicon wafer polishing

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Publication Number Publication Date
DE2653901A1 true DE2653901A1 (de) 1977-06-08
DE2653901C2 DE2653901C2 (de) 1986-08-14

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ID=24558310

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Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2653901A Expired DE2653901C2 (de) 1975-12-05 1976-11-27 Poliergemisch zum Polieren von Halbleitersubstratoberflächen

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US (1) US4057939A (de)
JP (1) JPS5269558A (de)
CA (1) CA1071511A (de)
DE (1) DE2653901C2 (de)
FR (1) FR2333847A1 (de)
GB (1) GB1537128A (de)
IT (1) IT1124778B (de)

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