DE2901172B2 - Verfahren zum Herstellen einer porenfreien Sinterglaskeramik auf der Basis SiO↓2↓-Al↓2↓O↓3↓- (MgO-CaO-BaO-B↓2↓O↓3↓) und daraus hergestelltes Substrat bzw. Laminat - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer porenfreien Sinterglaskeramik auf der Basis SiO↓2↓-Al↓2↓O↓3↓- (MgO-CaO-BaO-B↓2↓O↓3↓) und daraus hergestelltes Substrat bzw. Laminat

Info

Publication number
DE2901172B2
DE2901172B2 DE2901172A DE2901172A DE2901172B2 DE 2901172 B2 DE2901172 B2 DE 2901172B2 DE 2901172 A DE2901172 A DE 2901172A DE 2901172 A DE2901172 A DE 2901172A DE 2901172 B2 DE2901172 B2 DE 2901172B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
glass
sintering
ceramic
cordierite
sio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2901172A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2901172A1 (de
DE2901172C3 (de
Inventor
Ananda Hosakere Wappingers Falls N.Y. Kumar
Peter Leamington Spa Warwick McMillan
Rao Ramamohana Wappingers Falls N.Y. Tummala
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2901172A1 publication Critical patent/DE2901172A1/de
Publication of DE2901172B2 publication Critical patent/DE2901172B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2901172C3 publication Critical patent/DE2901172C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • C04B35/18Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
    • C04B35/19Alkali metal aluminosilicates, e.g. spodumene
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0009Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing silica as main constituent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0018Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents
    • C03C10/0027Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3, Li2O as main constituents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0036Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
    • C03C10/0045Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/16Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay
    • C04B35/18Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on silicates other than clay rich in aluminium oxide
    • C04B35/195Alkaline earth aluminosilicates, e.g. cordierite or anorthite
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/6261Milling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/4807Ceramic parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15Ceramic or glass substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3201Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3201Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3203Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3293Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3409Boron oxide, borates, boric acids, or oxide forming salts thereof, e.g. borax
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/36Glass starting materials for making ceramics, e.g. silica glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/444Halide containing anions, e.g. bromide, iodate, chlorite
    • C04B2235/445Fluoride containing anions, e.g. fluosilicate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/447Phosphates or phosphites, e.g. orthophosphate, hypophosphite
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562Heating rate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6565Cooling rate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567Treatment time
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/78Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/786Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9607Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets

Description

Herstellen eines Glases, das entweder aus
A. 65—75Gew.-%
12-17Gew.-%
0-2Gew.-°/o
O-2Gew.-°/o
3,5-11 Gew.-o/c
0-2,5 Gew.-%
0-2,5 Gew.-%
0—3 Gew.-%
0-2 Gew.-o/o
1,5-3,5 Gew.-0/
B. 48-55 Gew.-%
18-25 Gew.-%
18-25 Gew.-%
0-2 Gew.-%
0-3 Gew.-%
0—2,5 Gew.-%
0-2,5 Gew.-%
0-2,5 Gew.-%
SiO2
Al2O3
MgO
ZnO
Li2O
B2O3
P2O5
CaO und/oder BaO
Na2O und/oder K2O
SiO2
Al2O3
MgO
ZnO
P2O5
TiO2
SnO2
ZrO2
besteht;
Pulverisieren des Glases bis auf eine Teilchengröße von 2 bis 7 μίτι; Formen der Glasteilchen in die gewünschte Form;
kontinuierliches Aufheizen der so in eine Form gebrachten Glasteilchen auf eine Temperatur von 8700C bis 100O0C mit einer Geschwindigkeit von höchstens 2° C/min;
Sintern der so geformten Gegenstände während 1 bis 5 Stunden bei einer Temperatur, bei der die Teilchen zusammenfließen und das Glas entglast; Kühlen der gesinterten Gegenstände mit einer Geschwindigkeit von 4° C/min bis auf eine Temperatur von mindestens 4000C.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens eine grüne Folie aus einem plastischen organischen Bindemittel mit darin feinverteilten, 2—7 μΐη großen Teilchen eines der im Anspruch 1 geformten Gläser gebildet wird, daß auf einer Oberfläche einer ersten der grünen Folien ein Muster von elektrischen Leitungszügen hergestellt wird,
daß anschließend eine zweite grüne Folie über dem Leitungsmuster auf der ersten grünen Folie aufgebracht wird,
daß anschließend die übereinanderliegenden Folien laminiert und das Laminat auf die Temperatur von 870—1000° C mit einer Aufheizgeschwindigkeit von nicht mehr als 2°C/min aufgeheizt wird,
daß das Laminat bei dieser Temperatur gebrannt wird, wodurch sich das Bindemittel zersetzt und ausgetrieben wird, das Glas des Laminats ineinanderfließt und zu einer glaskeramischen Struktur entglast, und zwar das Glas A mit Beta-Spcdumen und das Glas B mit Cordierit-Kristallen, wobei im Innern des Laminats ein elektrisches, Gold und/oder Silber und/oder Kupfer -enthaltendes Leitumgsmuster zu liegen kommt
3. Aus einem porenfreien glaskeramischen Material bestehendes Substrat, hergestellt nach dem Verfahren gemäß Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine MikroStruktur eines durchgehenden ununterbrochenen Netzwerkes aus 2—5 μπι großen Beta-Spodumen- oder Cordierit-Kristalliten, wobei in den Zwischengitterplätzen des Netzwerks eine Glasmatrix vorliegt, in der diskrete, sekundäre, 1-2 μιτι große Kristallite und Lithium-Metasilikat, die dem Beta-Spodumennetzwerk zugeordnet sind, oder KlJnoenstatJt, die dem Cordierit-Netzwerk zugeordnet sind, feinverteilt sind.
4. Nach Anspruch 2 hergestelltes Laminat, dadurch gekennzeichnet, daß im Innern des Laminats ein elektrisches, aus Gold und/oder Silber und/oder Kupfer bestehendes Leitungsmuster eingebettet ist, das Verbindungen für elektrische Anschlüsse nach mindestens einer Oberfläche des Laminats aufweist.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer porenfreien Sinterglaskeramik hoher Bruch- und js Biegefestigkeit durch Sintern von pulverförmigem Glas auf der Basis
SiO2-Al2O3-(MgO-CaO-BaO-B2O3)
und ein daraus hergestelltes Substrat bzw. Laminat.
Ein Verfahren dieser Art ist beispielsweise aus der DE-AS 14 71 261 bekannt. Dieses bekannte Verfahren eignet sich jedoch nicht in Verbindung mit aus Kupfer und/oder Silber und/oder Gold bestehenden Metallisierungen und Leitungsmustern, da die dort verwendeten Sintertemperaturen weit über dem Schmelzpunkt dieser Metalle liegen.
Die Erfindung geht dabei von bestimmten Materialien zur Herstellung solcher Substrate aus, beginnend mit bestimmten Glaspulvern und leitenden Tinten oder
so Pasten, die fein verteiltes, pulverisiertes Gold, Silber oder Kupfer enthalten, über sogenannte laminierte, grüne keramische Folien bei Brenntemperaturen, die die Schmelzpunkte der metallischen Leitungen nicht übersteigen dürfen. Die Substrate können dabei mit Anschlußkontakten für die Befestigung von Halbleiterplättchen, Anschlußleitungen, Kondensatoren, Widerständen, Gehäusen und dergleichen versehen sein. Verbindungen zwischen innenliegenden Leitungsebenen können über sogenannte durchgehende Bohrungen hergestellt werden, die in den einzelnen Schichten vor dem Obereinanderstapeln der Schichten gebildet und mit einer metallischen Paste ausgefüllt sind, so daß sich beim Sintern oder Brennen dichtgesinterte metallische Verbindungsleitungen ergeben.
h5 Das Verfahren zum Herstellen mehrschichtiger Substrate durch übereinander gestapelte, grüne kcrami sehe Folien aus Tonerde, Mullit oder andere, feuerfeste keramische Materialien ist im Stand der Technik, wie
zum Beispiel in den US-Patentschriften 34 23 517 und 37 23 176 ausreichend beschrieben. Obgleich die Verfahren gemäß der Erfindung in ihrem Ablauf den in diesen Patentschriften beschriebenen Verfahren ähnlich sind, so sind doch wichtige Änderungen vorgenommen ϊ worden, die die Glaspulver gemäß der Erfindung zu verarbeiten gestatten.
Tonerde (AbO3) wird allgemein wegen seiner ausgezeichneten Isolationseigenschaften, Wärmeleitfähigkeit, Stabilität und Festigkeit als Material für die i" Substratherstellung gewählt Für bestimmte Hochleistungs-Anwendungsgebiete hat die relativ hohe Dielektrizitätskonstante, die nachfolgend mit dem Buchstaben K bezeichnet werden soll, von Tonerde (T^Al2O3 ~ 10) merkliche Signallaufzeitverzögerungen und Rauschen !·■> zur Folge. Außerdem schränken die hohen Brenntemperaturen handelsüblicher Tonerdemischungen (angenähert 16000C) die Wahl damit gemeinsam sinterbarer elektrisch leitender Metallisierungen auf hitzebeständige, hochschmelzende Materialien, wie z. B. Wolfram, :» Molybdän, Platin, Palladium oder Kombinationen dieser Metalle untereinander oder mit bestimmten anderen Metallen ein, und schließt die ausschließliche Verwendung guter elektrischer Leiter, wie z. B. Gold, Silber oder Kupfer aus, da diese lange vor Erreichen der 2"i Sintertemperatur von Tonerde zu schmelzen beginnen. Ein weiterer Nachteil der Tonerde ist ihr relativ hoher Wärmeausdehnungskoeffizient (annähernd 60 - 70 χ 10 - 7/° C) verglichen mit aus Silicium bestehenden Halbleiterplättchen (annähernd 35 χ 10-7/°C), was jo in manchen Fällen Schwierigkeiten beim Entwurf Uüd in der Zuverlässigkeit mit sich bringen kann.
Stookey hat in seiner grundlegenden deutschen Patentschrift DBP 10 45 056 über Glaskeramik im einzelnen die theoretischen Grundlagen und Herstel- r> lungsverfahren für solche Erzeugnisse beschrieben. Kurz gesagt, erhält man Glaskeramik durch die genau gesteuerte In-situ-Kristallisation eines Glaskörpers geeigneter Zusammensetzung durch eine zweistufige Wärmebehandlung. Die Glaszusammensetzung enthält ■»< > im allgemeinen Stoffe, die als keimbildende Stoffe bezeichnet werden, wie z. B. T1O2, ZrO2, P2O5, SnO2 und bestimmte kolloidale Metallteilchen. Der sich dabei ergebende Körper besteht aus einer großen Anzahl feinkörniger Kristalle von im wesentlichen gleichförmi- 4-1 ger Größe, die homogen in einer glasartigen Matrix verteilt sind, wobei die kristalline Phase den größten Teil des Körpers bildet. Der hohe Grad an Kristallinität, die sehr kleinen Abmessungen und das Fehlen jeder Porosität machen Glaskeramiken an Festigkeit den w Vorläufergläsern im allgemeinen überlegen, während andere Eigenschaften, wie z. B. die Wärmeausdehnung, und ihre Widerstandsfähigkeit gegen chemische Einflüsse denen der gebildeten, kristallinen Phase sehr ähnlich sind. 5-j
Die nach diesem oder ähnlichen Verfahren hergestellten Glaskeramikkörper, bei denen der Gegenstand durch in der Glasherstellung übliche Verfahren, wie Ziehen, Pressen, Blasen der heißen noch verformbaren Glasmasse und anschließende Umwandlung in den t>o glaskeramischen Zustand durch geeignete Wärmebehandlungen gebildet wird, sollen als Masse-Glaskeramik oder in der Masse kristallierte Glaskeramik bezeichnet werden, um sie von der gesinterten Glaskeramik gemäß der Erfindung zu unterscheiden.
I.ii Stand der Technik findet man zwar Hinweise auf sinterbare oder brennbare Glaskeramik, doch sind diese aus unterschiedlichen Gründen für die hier betrachteten Anwendungsgebiete nicht geeignet. Beispielsweise beschreibt die US-Patentschrift 38 25 468 gesinterte Glaskeramikkörper, die innen porös und an den äußeren Oberflächen nicht porös sind. Derartige Körper haben wegen ihrer inneren Porosität geringe Bruchfestigkeiten, mit Biegefestigkeiten von weniger als 700 kp/cm2. Schließlich liegen die Endsintertemperaturen für diese Glaskeramiken weit über 1000° C und damit über den Schmelzpunkten von Gold, Silber oder Kupfer. Ein anderes Beispiel zeigt die US-Patentschrift 34 50 546, die durch Sintern im Vakuum bei Temperaturen oberhalb von 1200° C hergestellte, nicht poröse, transparente gesinterte Glaskeramiken beschreibt. Helgesson beschreibt in »Science of Ceramics«, Seiten 347—361, veröffentlicht durch »Britisch Ceramic Societyt, 1976, das Sintern eines Glaspulvers der Zusammensetzung aus 53 Gewichtsprozent SiO2, 26 Gewichtsprozent AI2O3 und 21 Gewichtsprozent MgO. Damit lassen sich dichte Cordierit-Glaskeramik-Materialien bei einer Sintertemperatur von etwa 950" C erzielen, vorausgesetzt, daß das Glaspulver zuvor in einer Alkali-Lösung chemisch behandelt worden ist. Ohne diese Behandlung ließ sich das Glaspulver wegen vorzeitiger Oberflächenkristallisation nicht sintern.
Zahlreiche Glaszusammensetzungen lassen ein Sintern zu dichten Körpern bei Temperaturen unterhalb von 10000C zu, sind jedoch für die Zwecke der vorliegenden Erfindung wegen ihrer relativ hohen Fluidität (Viskosität von 105 bis 108 Pois) bei Sintertemperaturen nicht geeignet, da sich dabei die innenliegenden Leitungsmuster zu stark bewegen würden und in anderer Weise das Erreichen der engen Toleranzen für die Abmessungen und Verzerrungen verhindern wurden, die da eingehalten werden müssen. Die Zerreißfestigkeit oder Bruchfestigkeit solcher Gläser von etwa 700 kp/cm2 liegt viel tiefer, als es für dieses Anwendungsgebiet gewünscht wird. Die aus den dort beschriebenen Glaszusammensetzungen gebildeten Gläser erfahren eine Kristallisation während der Sinter-Wärmebehandlung und bilden durchgehende starre Netzwerke von Kristallite)! in der Größenordnung von Mikrons, wodurch sich die Gesamtfluidität des Körpers drastisch verringert, so daß dadurch eine bessere Kontrolle über die Abmessungen und Verzerrungen möglich ist. Gerade diese Kristallisation feuerfester oder hochschmelzender Phasen in dem Glas während des Sintervorgangs wirkt sich gegen die Verwirklichung einer dichten Sinterung aus. In den beiden Arten von Glaskeramik gemäß der Erfindung wurden bestimmte Prinzipien gefunden, durch die man in der Lage ist, diese Schwierigkeit zu überwinden.
Somit ist es Aufgabe der Erfindung, ein mit Metallisierungen aus Gold und/oder Silber und/oder Kupfer verträgliches Verfahren zum Herstellen einer Glaskeramik zu schaffen, die eine kleine Dielektrizitätskonstante und andere nützliche Eigenschaften für eine Verwendung als Substrat aufweist und die sich leicht durch Sintern bestimmter Glaspulver mit gleichzeitiger Umwandlung in Glaskeramik bei niedrigeren Temperatüren überführen läßt, als dies bei ähnlichen, aus dem Stand der Technik bekannten Materialien möglich war.
Die dabei zu erzeugende Glaskeramik soll insbesondere nicht porös sein und Mikrostrukturen aufweisen, die aus Netzwerken feiner Kristallite bestehen, wobei Glasreste und sekundäre Kristallite die Zwischengitterstellen solcher Netzwerke einnehmen. Dies wird erfindungsgemäß durch folgende Verfahrensschritte erreicht:
29 Ol 172
Herstellen eines Glases, das entweder aus
A. 65-75 Gew.-%
12-17Gew.-%
0-2Gew.-%
0-2Gew.-%
3,5-11 Gew.-%
0-2,5 Gew.-%
0-2,5 Gew.-%
0-3 Gew.-%
O-2Gew.-°/o
1,5-3,5 Gew.-%
B. 48-55 Gew.-%
ig 25 Ge\v.-%
18-25 Gew.-%
O-2Gew.-°/o
0-3Gew.-%
0-2,5 Gew.-°/o
0-2,5 Gew.-%
O-2,5Gew.-%
SiO2
AI2O3
MgO
ZnO
Li2O
B2Oj
P2O5
CaO und/oder BaO
Na2O und/oder K2O
SiO2
AI2O3
MgO
ZnO
P2O5
TiO2
SnO2
ZrO2
als hauptsächliche kristalline Phase aufweist. Das gemeinsame Merkmal dieser beiden gesinterten Glaskeramiken, abgesehen davon, daß sie unterhalb von 100O0C sehr gut sinterbar sind, liegt in einer MikroStruktur, die als aus Netzwerken bestehend beschrieben werden kann, die in hohem Maße kristallin sind, wobei an den Zwischengitterplätzen geringe Mengen restlichen Glases und einige diskrete sekundäre Kristallite angesiedelt sind. Solche Mikrostrukturen unterscheiden sich von den Glaskeramikmassen dadurch, daß bei den Glaskeramikmassen die Glasphase die Matrix oder das Netzwerk bildet, in dem diskrete Kristallite verteilt sind. Es wird angenommen, daß die unverwechselbare MikroStruktur der Glaskeramik gemäß der Erfindung diesem Material die hohe Biegefestigkeit verleiht.
Der allgemeine Bereich der Zusammensetzung der Glaskeramik gemäß der Erfindung ist in Tabelle I zusammengestellt.
beisteht;
Pulverisieren des Glases bis auf eine Teilchengröße von 2 bis 7 μΐη;
Formen der Glasteilchen in die gewünschte Form; kontinuierliches Aufheizen der so in eine Form gebrachten Glasteilchen auf eine Temperatur von 8700C bis 1000°C mit einer Geschwindigkeit von höchstens 2°C/min;
Sintern der so geformten Gegenstände während 1 bis 5 Stunden bei einer Temperatur, bei der die Teilchen zusammenfließen und das Glas entglast; Kühlen der gesinterten Gegenstände mit einer Geschwindigkeit von 4°C/min bis auf eine Temperatur von mindestens 4000C.
Diese dadurch erzeugte unverwechselbare Mikrostruktur gibt diesen Glaskeramiken eine Bruchfestigkeit oder Reißfestigkeit, die wesentlich höher liegt, als dies be:i gesinterten Glaskeramiken des Standes der Technik möglich war. Ferner soll dabei erreicht werden, daß diise Glaskeramik sich für mehrschichtige Substrate eignet und mit Dickfilmschaltungen aus Gold, Silber oder Kupfer verträglich ist und zusammen mit diesen gebrannt oder gesintert werden kann. Ferner soll erreicht werden, daß solche aus mehreren Schichten bestehenden Substrate Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen, die sehr gut an die von Silicium-Halbleiterplättchen angepaßt sind.
Die Erfindung wird nunmehr anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Zeichnungen im einzelnen beschrieben. In den Zeichungen zeigen
F i g. 1 den typischen Verlauf von durch Wärmedehnuigsmessungen ermittelten Schrumpfungskurven von Beta-Spodumen-Glaskeramik gemäß der Erfindung und
F i g. 2 typische, mit einem Wärmedehnungsmeßgerät aufgenommene Schrumpfungskurven für Cordierit-Glaskeramik gemäß der Erfindung.
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
Die beiden Arten von Glaskeramik gemäß der Erfindung haben einmal Beta-Spodumen,
Li2O - Al2O3 - 4 SiO2
als wesentlichste kristalline Phase, während die andere Art Cordierit
2MgO · 2Al2O3 - 5SiO2
Tabelle I
Zusammensetzungsbereiche (Gewichtsprozent)
Typ
jO-Spodumen
Typ
Cordierit
SiO,
j(i Al2O3
MgO
CaO [
ZnO
Li2O
Na2Ol
4(1 K2O I
B2O3
P,0,
SnO2
ZrO2
65 bis 75
12 bis 17
O bis 2
O bis 2
(allein oder
kombiniert)
O bis 2
3.5 bis 11
1.0 bis 3.5
(allein oder
kombiniert)
O bis 2.5
O bis 2.5
O bis 3
O bis 3
48 bis 55
18 bis 23
18 bis 25
O bis 2
O bis 1
O bis 3
O bis 3
O bis 2.5
O bis 2.5
O bis 2.5
insgesamt nicht mehr als 5.0
Die oben angegebenen Bereiche der Glaskeramiken, die zufriedenstellende Materialien liefern, werden durch verschiedene Faktoren bestimmt Von diesen sind besonders wichtig:
a) die Forderung, daß die Glaskeramik sich praktisch ohne Porosität bei Temperaturen unterhalb von 100O0C, vorzugsweise in der Nähe von 9500C sintern läßt,
b) die Forderung, daß der Wärmeausdehnungskoeffizient, gemessen im Temperaturbereich von 20 bis 3000C der Glaskeramik im Bereich zwischen 20 und 40 χ 10-7/°C und vorzugsweise nahe bei 30 χ lO-VCliegt
Wählt man die Anteile an SiO2 und Al2O3 größer als die in Tabelle I angegebenen Obergrenzen, dann läßt sich keine zufriedenstellende Sinterung erzielen. Außer-
dem sollte der Gehalt an Li2O nicht unter 7 Prozent liegen, es sei denn, daß B2O3 und F als Flußmittel dienen und damit die Sinterung erleichtern. Außerdem haben diese Stoffe den zusätzlichen Vorteil, das Schmelzen und die Verfeinerung der Gläser zu unterstützen. Natrium- und Kaliumoxid sind wesentliche Bestandteile, da sie die Bildung von binären Lithium-Silikaten fördern, insbesondere das Metasilikat als kleinere kristalline Phase, die, wie noch erläutert wird, eine ganz wesentliche Rolle bei dem Sinterverfahren spielt.
Der Gehalt an SiO2 und Al2O3 muß ebenfalls
innerhalb der angegebenen Bereiche liegen, damit sich die gewünschte Volumfraktion von /?-Spodumen entwickelt, damit der richtige Wärmeausdehnungskoeffizient zusammen mit der hohen Festigkeit erreicht
r> werden kann. P2Oi und TiO2 sollten ebenfalls enthalten sein, da sie die innere Keimbildung für die Glaskörner fördern; die Verwendung von ZrO2 fördert ebenfalls die innere Keimbildung.
Beispiele besonderer Zusammensetzungen sind in der nachfolgenden Tabelle II zusammengefaßt.
Tabelle II
Zusammensetzung von jS-Spodumen Glas-Keramik (Gewichtsprozent)
Glas Nr. 2 - 3 4 5 6 7
1 74.9 - 71.0 71.5 71.5 71.0 67.8
SiO2 71.5 7.5 850 13.0 13.0 13.0 15.0 16.0
Al2O3 15.0 - 83 - - - - 1.5
MgO - - - - - - 4.5
CaO - 2.0 4.690 2.0 - - - -
BaO - 2.1 _ 2.5 2.0 2.0 2.0 -
ZnO - 8.8 8.0 10.0 8.0 8.0 4.2
Li2O 10.0 - - - - - 0.9
Na2O - 3.1 2.0 2.0 2.0 2.0 -
K2O 2.0 - - - 2.0 0.5 1.8
B2O3 - 1.6 1.5 1.5 1.5 1.5 -
P2O5 1.5 - - - - 2.5
TiO2 - - - - - 0.8
F - 990 900 855 *) 910
Sinter-Temp. (0C) 925 60 43 29 - 20
Wärmeausdehnungs 32
koeffizient (0C IXlO"7) 728 4.438 2.100 - 1.764
Bruchfestigkeit, kp/cm2 2.700 6.5 6.3 6.4 _ 5.0
uieiektrizitätskonstante K 6.5
*) Ergab bei Temperaturen unterhalb von 10000C keine zufriedenstellende Sinterung.
Diese Gläser wurden aus Mischungen geeigneter Rohmaterialien bei Temperaturen nahe 1500° C solange geschmolzen, bis sie frei von nicht umgesetztem Material und Gasblasen waren. Das geschmolzene Glas wurde durch Ausgießen in kaltes Wasser abgeschreckt und ergab einen Glasbruch, der sich für weiteres Mahlen eignet Der Glasbruch wurde dann auf eine Teilchengröße von 3 bis 7 um gemahlen, mit geeigneten organischen Bindemitteln und Lösemitteln zur Bildung einer ausgießbaren Trübe vermischt, aus der dann durch Ausgießen, Verstreichen mit einem Abstrichmesser oder einer Rakel dünne Folien hergestellt wurden. Anschließend wurden dann die Körper durch Aufschichten einer gewünschten Anzahl dieser Folien in einer Lammierpresse bei mäßigen Temperaturen und Drücken (z.B. 1000C und 21OkPZCm2) zur Erzielung eines monolithischen, grünen Körpers bearbeitet Proben für die Messung der Bruchfestigkeit, des Wärmeausdehnungskoeffizienten und der Dielektrizitätskonstante wurden in gleicher Weise gebildet und in programmierten öfen in Luft gebrannt. Vorangegangene Versuche zeigten, daß die Erwärmung langsam vor sich gehen sollte, nicht schneller als 2°C/Minute. Bei höheren Aufheizgeschwindigkeiten wird das Bindemittel nicht vollständig ausgebrannt. Es wird ferner angenommen, daß bei einer relativ geringen Aufheizge- schwindigkeit die auf der Oberfläche und im Innern ablaufende Keimbildung in genau gesteuerter Weise vollständig abläuft Die Zerreißfestigkeit der gesinterten Glaskeramik wurde mit einem 3-Punkt-Biegeverfahren an Stäben gemessen und im allgemeinen wurde der Mittelwert aus 10 Bestimmungen berechnet Die Wärmeausdehnungskoeffizienten wurden in Bereichen zwischen Zimmertemperatur und 300" C nach dem 2-Punkt-Verfahren berechnet Die Dielektrizitätskonstanten wurden bei einer Frequenz von 1 MHz bei 25° C ermittelt
Typische Werte dieser Eigenschaften sind in Tabelle Π zusammengefaßt Die dort angegebenen Sintertemperaturen sind dabei im allgemeinen diejenigen, die
beste Ergebnisse liefern, wobei jedoch klar sein sollte, daß für jedes Material ein Sintertemperaturbereich besteht, der sich bis 200C oberhalb und 200C unterhalb der optimalen Temperatur erstreckt. Die optimale Zeit, in der die Sintertemperatur zur Einwirkung kam, war zwei Stunden, obgleich Sinterzeiten von 1 bis 5 Stunden auch zufriedenstellende Ergebnisse liefern.
Die in Tabelle II angegebenen Zusammensetzungen der Gläser Nr. 1, Nr. 4, Nr. 5 und Nr. 7 ergaben eine Glaskeramik, deren Eigenschaften sie für die Verwen- ι ο dung von mehrschichtigen Substraten geeignet erscheinen lassen.
Zusammensetzungen Nr. 3 und Nr. 6 ließen sich unterhalb von 1000° C nicht zufriedenstellend sintern, und die Zusammensetzung Nr. 2 ergab zwar ein Material hoher Bruchfestigkeit, wobei jedoch der Wärmeausdehnungskoeffizient dieser Glaskeramik außerhalb des gewünschten Bereiches lag.
Eine Analyse mit Röntgenstrahlenbeugung zeigte, daß die Glaskeramiken Nr. 1, Nr. 4 und Nr. 5 als Hauptphase j9-Spodumen und als Nebenphasen Lithium-Metasilikat und Disilikate enthielt. Zusammensetzung Nr. 2 enthielt nur eine sehr kleine Menge jS-Spodumen, sowie eine größere Menge einer nicht identifizierten Kristallphase. Zusammensetzung Nr. 3 enthielt |J-Spodumen als die Hauptphase neben kleineren Mengen von Lithium-Metasilikat und Disilikat.
Auf dieser Basis wird angenommen, daß /?-Spodumen als Hauptphase vorhanden sein sollte, damit der gewünschte Wärmeausdehnungskoeffizient erzielt werden kann, daß aber auch binäre Lithium-Silikate als Nebenphasen vorhanden sein müssen, die für das Sintern und die Verdichtung der Glaskeramik bei Temperaturen unterhalb 1000° C verantwortlich sind.
Schrumpfungsmessungen der grünen Laminate mit einem Dehnungsmeßgerät als Funktion der Temperatur zeigen sehr deutliche Unterschiede zwischen denjenigen Materialien, die Lithium-Metasilikat als Nebenphase enthalten und solchen Materialien die diese Phase nicht enthalten. Kurve A, Fig. 1, gilt für den erstgenannten Typ (z. B. Zusammensetzung Nr. 1) und Kurve B, Fig. 1, entspricht dem zweiten Typ (Gläser Nr. 2 und Nr. 6). Für das zufriedenstellende Material (Kurve A) beginnt die Verdichtung bei einer Temperatür von etwa 5800C. Zu diesem Zeitpunkt ist das Material immer noch nicht kristallisiertes Glas. Bei einer Temperatur von etwa 610° C wird die weitere Verdichtung wegen des Einsetzens der Kristallisation jedoch angehalten. Eine zweite Verdichtungsstufe beginnt bei etwa 910°C und diese wird solange fortgesetzt, bis die Glaskeramik porenfrei wird. Für die nicht zufriedenstellenden Materialien (Kurve B) findet die zweite Verdichtungsstufe bei Temperaturen unterhalb von 1000° C nicht statt
Eine differentielle thermische Analyse, eine Analyse mit Elektronenstrahlbrechung sowie Untersuchungen im Elektronenmikroskop haben angezeigt daß der Beginn der zweiten Stufe des Sinterverfahrens der Liquidustemperatur der Lithium-Metasilikatphase entspricht Ein Teil des Metasilikats rekristallisiert bei Abkühlung der Glaskeramik.
Es wird angenommen, daß die zufriedenstellend verlaufende Sinterung dieser j9-Spodumen-Glaskeramiken die folgenden Schritte enthält Das anfängliche Sintern des Glaspulvers durch zähes Fließen und Diffusion, möglicherweise durch eine Glas-in-Glas-Phase-Trennung tritt zwischen 5800C und 600" C auf. Als Folge von an der Oberfläche ablaufenden Keimbildungen werden die einzelnen Glaskörner mit einer Schicht aus Lithium-Metasilikat überzogen. Dann folgt die innere Keimbildung innerhalb der Glaskörner, die die Abscheidung von jJ-Spodumen-Kristallen zur Folge hat, deren maximale Abmessungen durch den Teilchendurchmesser bestimmt sind. Die weitere Sinterung macht dann das teilweise oder vollständige Schmelzen der Metasilikat-Phase erforderlich, die durch Kapillar-Kräfte die Konsolidierung der ß-Spodumen-Körner und die Brückenbildung oder Verengung zwischen den ß-Spodumen-Teilchen bewirkt, die durch die Reaktion des geschmolzenen Metasilikats mit der Tonerde und der Kieselerde, der Glasreste zur Bildung weiterer Mengen von /9-Spodumen gefördert wird. Bei Temperaturen oberhalb des empfohlenen Sintertemperaturbereichs scheint das Metasilikat das /?-Spodumen zum Fließen zu bringen, wodurch die Brücken zwischen den Teilchen zerstört werden. Die Reaktion des Lithium-Metasilikats mit dem Restglas zur Bildung von j3-Spodumen in bestimmten Li2O-AI2O3—SiO2-Systemen wurde schon in der US-Patentschrift 29 71 853 durch Stookey angedeutet.
Die MikroStruktur der bei einem solchen Sintervorgang erzielten Glasstruktur besteht aus gemeinsam gesinterten jS-Spodumen-Kristallen, die eine starre skelettartige Struktur bilden, wobei die Restgläser die Zwischengitterbereiche in einer solchen Struktur einnahmen.
Es wird angenommen, daß die Abwesenheit einer glasartigen Matrix oder eines solchen Netzwerks im wesentlichen für die hohe Biegefestigkeit dieser neuen Materialien verantwortlich ist.
Es sei darauf hingewiesen, daß in den Ansprüchen der Ausdruck j3-Spodumen-Glas so definiert ist, daß er erst auf einen Vorläufer für jS-Spodumen-Glaskeramik beschränkt ist und zweitens aus einer Charge gebildet ist, die nach Gewichtsprozent sich wie folgt zusammensetzt:
SiO2 65 bis 75%
Al2O3 12 bis 17%
MgO 0bis2%
ZnO 0bis2%
Li2O 3,5 bis 11%
B2O3 0 bis 2,5%
P2O5 0 bis 2,5%
F 0 bis 3%
und außerdem von 0 bis 2% mindestens eines Oxids aus der CaO und BaO enthaltenden Gruppe und von 1 bis 3,5% mindestens eines Oxids aus der Na2O enthaltenden Gruppe.
Umgekehrt wird hier in den Ansprüchen der Ausdruck /J-Spodumen-Glaskeramik so definiert und beschränkt auf eine glaskeramische Struktur, die durch Verschmelzen und Kristallisation von J?-Spodumen-Gläsern einen Gegenstand ergeben hat dessen Mikrostruktur ein durchgehendes ununterbrochenes Netzwerk von 2—5 um großen Kristalliten aus j3-Spodumen aufweist wobei die Zwischengitterplätze dieses Netzwerks durch restliche Gläser besetzt sind, in denen diskrete sekundäre 1 —2 um messende Kristallite von Iithium-Metasilikat verteilt sind.
Die Gesamtzusammensetzungsbereiche der Cordierit-Glaskeramiken dieser Erfindung sind in Tabelle I angegeben, während besondere Beispiele in Tabeäle III zusammengefaßt sind.
Tabelle III
Cordierit Glaskeramik (Gewichtsprozent Zusammensetzungen)
Glas Nr. 9 10 Il 12 - 13 14 1 15 16 1 17 18 19
8 24 24.2 21.5 22 - 23 22 - 23.5 23.5 - 24.0 24.0 24.7
MgO 24 21 21.2 21 22 - 22 22 - 21 21 - 21.0 21.84 21.0
AI2O3 21 52 50.6 52.5 52.5 950 52 52 967 52.5 52.5 - 52.5 52.5 51.8
SiO2 53 2 2.0 2 1.5 2 2 - - 2 1.0 1.16 1.0
P2O5 2 1 - - - 24 - - 24 - - 970 - - -
Li2O - - 2.0 1 0.5 1 1 1 0.5 0.5 0.5
B2O3 - - - 2 1.5 - - - 33 - - -
ZrO2 - - - - - - - - 1.0
ZnO - - - - 5761 - 3640 2 - - -
TiO2 - - - - - - - - -
SnO2 - 960 925 925 967 5.4*) 967 2114 970 972 925
Sinter-Temp. 1050
(0C) 55 30 33 23 30 5.6*) 33 34
Wärmeaus 37
dehnungs-
koeffizient
(0C IXlO"7) 2961 2030 2940 2730 2786 2114 2156 3255
Bruchfestig 2135
keit, kp/cm2 5.6*) 5.7**) 5.3*) 5.7*) 5.6*) 5.7*) 5.5*)
Dielektrizitäts
konstante (K)
*) Frequenz 1 MHz.
**) Frequenz 1 kHz.
Die Grenzen der Zusammensetzungen sollen einmal sicherstellen, daß das Cordierit als kristalline Hauptphase auftritt, damit einmal die gewünschten Wärmeaus dehnungskoeffizienten erreicht werden können und damit das Sintern unterhalb von 10000C erleichtert wird. Die Verringerung der Anteile an MgO und AI2O3 unter die angegebenen Grenzen ist aus diesem Grunde nicht zulässig. Ungewöhnlich hohe Anteile an Al2O3 und SiO2 würde Materialien ergeben, die nicht unterhalb von 1000° C gesintert werden können. Höhere als die angegebenen Anteile an MgO würde die Bildung von merklichen Mengen an Magnesiumsilikat zur Folge haben, so daß die Wärmeausdehnungskoeffizienten höher wären als erwünscht.
Die weiteren Mischungsbestandteile haben wichtige Funktionen zu erfüllen. P2O5, ZrO2, TiO2 und SnO2 sollen die Keimbildung fördern und die Entwicklung der MikroStruktur in geordnete Bahnen lenken. Li2O und B2O3 sind Sinterhilfsstoffe und dienen außerdem zur Regelung der Art der sich bildenden kristallinen Phase. Cordierit kann dabei entweder in μ- oder in α-Form auftreten. Manchmal treten Mischungen beider Formen in der gleichen Glaskeramik auf. Wie aus dem folgenden noch klar wird, wurde festgestellt, daß zur Erzeugung von Glaskeramik mit stabilen Wärmeausdehnungskoeffizienten innerhalb des gewünschten Bereichs und mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante die Cordierit-Phase vorherrschend in der α-Form entwickelt werden muß.
Das Verfahren der Vorbereitung der Gläser, das Mahlen und das Vorbereiten der grünen, ungebrannten Körper läuft ähnlich ab, wie für die j9-Spodumen-Zusammensetzungen. Die durchschnittliche Teilchengröße - 40 für das Glaspulver sollte für gute Sintereigenschaften und Festigkeit im Bereich zwischen 2 und 7 μηι liegen.
Tabelle III gibt die optimalen Sintertemperaturen für Cordierit-Keramiken. Es wurde jedoch auch gefunden, daß zufriedenstellende Materialien bei Sintertemperatüren in einem 80° C bis 100° C weiten Bereich erzielt werden können, der das exotherme Maximum in den Thermogrammen der entsprechenden Gläser abdeckt. Beispielsweise kann die Zusammensetzung Nr. 10 bei Temperaturen innerhalb des Bereichs von 870° C bis 950° C gesintert werden, und die Änderung des Wärmeausdehnungskoeffizienten von innerhalb dieses Bereiches gesinterten Materialien ist nur ±1 χ 10~7/°C. Die in den verschiedenen Glaskeramiken entwickelten kristallinen Phasen sind durch die Nebenbestandtei-Ie und in manchen Fällen durch die verwendeten Sintertemperaturen beeinflußt Die Zusammensetzung Nr. 8 bildet a-Cordierit als Hauptphase zusammen mit geringen Mengen von μ-Cordierit Zusammensetzung Nr. 9 enthält μ-Cordierit als die einzige kristalline Phase.
Die Bildung von μ-Cordierit gibt der Glaskeramik einen etwas höheren Wärmeausdehnungskoeffizienten und offenbar auch eine höhere Dielektrizitätskonstante. Es ist offenbar so, daß der in geringen Mengen vorhandene Bestandteil Li2O als Katalysator für die Bildung von μ-Cordierit dient Die Zusammensetzung Nr. 10 enthält wegen der Anwesenheit von Boroxid in der Glaszusammensetzung nur a-Cordierit Die Zusammensetzung Nr. 11 enthält μ-Cordierit als Hauptphase und etwas
Λ-CordieriL Obgleich der Wärmeausdehnungskoeffizient dieses Materials für die Sintertemperatur von 925° C innerhalb des gewünschten Bereiches von 20 bis 50 χ 10"7/°C liegt, so wurde doch festgestellt, daß der Wärmeausdehnungskoeffizient von der verwendeten Sintertemperatur abhänge Bei 970° C gesintertes Material hat einen Wärmeausdehnungskoeffizient von 36,4 χ 10-7°C, und das bei 99O0C gesinterte Material hat einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 40 χ 10-7/°C. Die höhere Festigkeit der Zusammensetzung Nr. 11 könnte das Ergebnis einer durch Einschluß von ZrO2 verbesserten Kristallkeimbildung sein. Dieser die Kristallkeimbildung fördernde Stoff beeinflußt außerdem die Bildung der μ-Cordierit-Phase dann, wenn die Konzentration oberhalb der kritischen Grenze liegt Die Zusammensetzung Nr. 12, die im Vergleich mit Zusammensetzung Nr. 11 geringere Konzentrationen von B2O3 und ZrO2 enthält, entwickelt a-Cordierit als hauptsächliche Kristallphase zusammen mit Klinoenstatit als Nebenphase. Der Wärmeausdehnungskoeffizient dieses Materials ist über einen weiten Bereich der Sintertemperattir stabil. Für Sintertemperaturen zwischen 915° C und 970° C ändert sich der Wärmeausdehnungskoeffizient nur von 23 χ 10-V0C bis 24 χ 10-V0C. Die hohe Festigkeit der Zusammensetzung Nr. 12 wird aufgrund von mikroskopischen und Röntgenstrahlbrechungs-Untersuchungen auf den hohen Volumenanteil der kristallinen Phase zurückgeführt, die als kristallines Netzwerk mit einer sehr kleinen Größe der einzelnen Domänen auftritt. Die Bildung von Klinoenstatit als Nebenphase in dem Restglas während des Sintervorgangs kann ebenfalls zur hohen Biegefestigkeit dieses Materials beigetragen haben.
Eine Untersuchung zeigt, daß das Sinterverfahren für die Cordierite-Glaskeramik sich grundsätzlich von dem der 0-Spodumen-Glaskeramik unterscheidet. Fig.3 zeigt typische Schrumpfungskurven für ein Material, das bei einer absoluten Porenfreiheit unter 10000C sintert (Kurve A, z. B. Zusammensetzung Nr. 10, Tabelle III) und für ein Material, das unterhalb von 10000C keine vollständige Verdichtung erfährt (Kurve B, z. B. Zusammensetzung Nr. 8). Man sieht, daß im Unterschied zur Glaskeramik mit /?-Spodumen die Cordierit-Materialien in einer einzigen Stufe sintern. Für Materialien, die unterhalb von 10000C gesintert werden können, wird angenommen, daß die Verdichtung sich vorzugsweise als Zusammenfließen von Glas mit Glas darstellt. Beispielsweise kann die Zusammensetzung Nr. 10 bei einer Temperatur von 8500C mit vernachlässigbarer Porosität gesintert werden, doch zeigt eine Untersuchung von bei dieser Temperatur gesinterten. Material, daß es sehr wenig kristallin ist.
Auf der Grundlage von optischen und eletronenmikroskopischen Beobachtungen und den Ergebnissen von Röntgenstrahlbrechungs-Untersuchungen wird angenommen, daß das Sinterverfahren für Jiese Materialien wie folgt abläuft:
Nach dem Ausbrennen der organischen Bindemittel ergibt sich keine weitere Änderung in den Abmessungen, bis die Glasteilchen durch Viskose- und Diffusionsmechanismen zusammenzufließen beginnen, wobei möglicherweise die Glas-in-Glas-Phasentrennung, die in diesem Temperaturbereich auftritt, mit dazu beiträgt. Bald danach erscheint ein verbindendes Netzwerk von Kristalliten, die grob dei; Grenzen der früheren Glasteilchen folgen, was zu der Annahme geführt hat, daß vor dem Zusammenfließen bei den einzelnen Glaskörnern an der Oberfläche eine Keimbildung stattgefunden haben muß. Die Bildung dieser in hohem Maße kristallinen Netzwerke verhindert eine übermäßige Verformung durch ein zähes Fließen des Körpers. Innere Keimbildung und Kristallisation innerhalb der glasigen Domänen tritt bei einer etwas höheren Temperatur auf, wobei dies durch zugefügte keimbildende Stoffe, wie z.B. P2O5, ZrO2, TiO2 und ZnO gefördert wird. Dieser Ablauf wird durch einen Versuch gut bestätigt, bei dem ein Bündel aus Glasfasern Nr. 10 von je etwa 0,2 mm Durchmesser der gleichen Wärmebehandlung ausgesetzt wurde wie beim Sintern. Die Glasfasern sinterten dabei an ihren Berührungspunkten zusammen, doch entwickelte jede Glasfaser für sich eine in hohem Maße kristalline Außenhaut bis auf eine Tiefe von etwa 1—2 μπι. Das Innere der Glasfasern blieb weitgehend glasig. Die Funktion der Zuschläge, wie z. B. Li2O und B2O3 mag darin bestehen, daß sie den Beginn der Kristallisation verzögern und somit ein Sintern innerhalb des gewünschten Temperaturbereichs ermöglichen.
Es wird ferner angenommen, daß die kritischen Faktoren, die eine verzerrungsfreie Sinterung bis nahe an die theoretisch möglichen Dichten dieser Glaskeramiken die folgenden sind:
1. Das Fehlen einer wohl definierten Unterbrechung der Keimbildung beim Hochfahren in Richtung an die Sintertemperatur, wodurch eine interne Keimbildung und eine Kristallisation vor der Beendigung des Glas-Glas-Sintervorgangs verhindert wird.
2. Die relative Leichtigkeit, mit der die Oberflächenkeimbildung im Vergleich mit der Keimbildung der Masse in diesen Gläsern vor sich geht, wobei eine solche Keimbildung trotz des Faktors 1 vor der Glas-Glas-Sinterung auftritt.
3. Eine klare Trennung zwischen den Temperaturen für die Oberflächenkeimbildung und die Kristallisation, wodurch bei dazwischen liegenden Temperaturen das Glas sich vollständig verdichten kann.
4. Die alsbald nach dem Abschluß der Verdichtung einsetzende Oberflächenkristallisation, durch die in kristallisiertes Netzwerk entsteht, das eine weitere zählflüssige Verformung verhindert.
Gesinterte Glaskeramiken haben also eine Mikrostruktur auf zwei Ebenen, nämlich ein zellenartiges Netzwerk von Kristallen im Maßstab der Abmessungen (2—5 μπι) der früheren Glasteilchen, die sozusagen die erste Ebene der Kristallisierung bilden, innerhalb der diskrete Kristalle mit Abmessungen zwischen 1 und 2 μπι der restlichen glasigen Phase fein verteilt sind.
Es wird angenommen, daß diese einmalige, doppelte MikroStruktur für die hohe Biegefestigkeit dieser gesinterten Glaskeramiken verantwortlich ist. Dabei ist es durch geringfügige Beigaben von Li2O oder B2O3 möglich, die Form des sich bildenden Cordierits zu steuern und damit innerhalb bestimmter Grenzen auch den Wärmeausdehnungskoeffizienten und die Dielektrizitätskonstante einzustellen.
Die Glaskeramiken vom Typ jS-Spodumen und vom Typ Cordierit können auch für andere Anwendungsgebiete als mehrschichtige Substrate eingesetzt werden. Solche Anwendungsgebiete könnten eine oder mehrere ihrer Eigenschaften zur Grundlage haben, wie z. B. die leichte Sinterbarkeit, die niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, die niedrige Dielektrizitätskonstante und die hohe Biegefestigkeit. Obgleich einige dieser Verbindungen nicht in der Masse kristallisiert werden können, lassen sich andere, wie zum Beispiel die
Zusammensetzung Nr. 1 in Tabelle II in diesem Zustand verwenden.
Es sei terner darauf hingewiesen, daß in der Beschreibung und in den Ansprüchen der Ausdruck a-Cordierit-Glas als Vorläufer fü a-Cordierit-Glaskeramik definiert und darauf beschränkt ist und aus einer Charge hergestellt wird, die in Gewichtsprozent folgende Bestandteile aufweist
SiO2 48 bis 55%
Al2O3 18 bis 250/0
MgO 18 bis 25%
ZnO O bis 2%
P2O5 O bis 3%
TiO2 O bis 2,5%
SnO2 O bis 2,5%
ZrO2 O bis 2,5%
Andererseits wird der hier unter den Ansprüchen benutzte Ausdruck «-Cordierit-GIaskeramik als eine Glaskeramikstruktur definiert und auf diese beschränkt, die aus «-Cordierit-Gläsern zu einem Gegenstand zusammengeflossen und kristallisiert ist, der eine MikroStruktur mit einem durchgehenden Netzwerk von 2—5 μίτι großen Kristallite!! aus a-Cordierit und Klinoenstatit aufweist, wobei die Zwischengitterplätze des Netzwerks durch Glasreste besetzt sind, in denen diskrete, sekundäre 1— 2 μιη große Kristallite des Klinoenstatit und einer weiteren Cordierit-Phase verteilt sind.
Die zuvor beschriebenen Gläser vom Typ /?-Spodumen und Cordierit können zur Herstellung mehrschichtiger Glaskeramiksubstrate benutzt werden, die damit zusammen gesinterte Leitungsmuster aus Gold, Silber oder Kupfer enthalten. Die Substratfertigung besteht dabei aus folgenden Verfahrensschritten:
Schritt 1
Der Glasbruch des gewählten Glases wird bis zu einer durchschnittlichen Teilchengröße im Bereich zwischen 2 und 7 μίτι gemahlen. Das Mahlen kann dabei in zwei Stufen erfolgen, einem ersten trockenen oder Naßmahlen bis zu einer Teilchengröße vob 400 Mesh, gefolgt durch einen weiteren Mahlvorgang mit geeigneten organischen Bindemitteln und Lösungsmitteln, bis die durchschnittliche Teilchengröße soweit verringert ist. daß sie zwischen 2 und 7 μη: liegt, so daß eine ausgießbare Trübe erzielt wird. Selbstverständlich kann auch ein einstufiges längeres Mahlverfahren des Glasbruchs in einem Bindemittel und Lösungsmittel solange durchgeführt werden, bis die gewünschte Teilchengröße erzielt ist. Im letzteren Fall kann zur Entfernung zu großer Teilchen noch ein Filtriervorgang erforderlich sein. Ein beispielsweise brauchbares Bindemittel ist ein Polyvinyl-Butaryl-Harz mit einem Weichmacher, wie zum Beispiel Dioctophthalat oder Dibutylphthalat. Andere geeignete Polymere sind Polyvinyl-Formal, Polyvinyl-Chlorid, Polyvinyl-Acetat oder bestimmte Acrylharze. Die Beimischung von leichtflüchtigen Lösungsmitteln, wie z. B. Methanol hat die Aufgabe, das Bindemittel zunächst soweit zu lösen, daß es die einzelnen Glasteilchen überziehen kann und anschließend die Einstellung der Gießfähigkeit der Trübe für eine gute Verarbeitbarkeit ermöglicht.
Schritt 2
Die Trübe gemäß Schritt 1 wird, vorzugsweise mit einem Streichmesser oder einer Rakel zu dünnen grünen Folien ausgegossen und verstrichen.
Schritt 3
Diese Folien werden auf die gewünschten Dimensionen mit einem Werkzeug zurechtgeschnitten und anschließend werden darin durchgehende Bohrungen an den erfordei liehen Stellen hergestellt
Schritt 4
Eine Metallisierungspaste aus Gold, Silber oder Kupfer wird im Siebdruckverfahren in die durchgehen-η den Bohrungen der einzelnen Folien eingepreßt.
Schritt 5
Das erforderliche Leitungsmuster wird im Siebdruckverfahren auf die einzelnen grünen Folien aufgebracht Schritt 6
Eine Anzahl von gemäß Schritt 5 hergestellten grünen Folien wird in einer Laminierpresse miteinander ausgerichtet.
Der für die Laminierung verwendete Druck und die dabei angewandte Temperatur sollte so gewählt sein, daß die einzelnen grünen Folien so aneinander gefügt werden, daß ein monolithisches grünes Substrat entsteht, wobei das grüne keramische Material so weit fließen soll, daß es die Leitungsmuster umschließt
Schritt 7
Brennen des keramischen Materials bis zur Sintertemperatur zum Austreiben des Bindemitteis, Sintern der Glasteilchen und deren gleichzeitige Umwandlung in Glaskeramik durch Kristallisation, und Sintern der Metallteilchen in den Leitungsmustern zu dichten metallischen Leitungen und Durchführungen. Die dabei gewählte Glaskeramik-Zusammensetzung soll dabei so
j5 gewählt sein, daß die optimale Sintertemperatur 50cC bis 15O0C unter dem Schmelzpunkt des leitenden Metalls liegt.
Während des Brennvorgangs werden die Bindemittel bei etwa 3000C ausgetrieben, und das Austreiben des Bindemittels ist im wesentlichen beendet, bevor ein merkliches Sintern von Glas zu Glas auftritt Das Sinterverfahren läuft, wie zuvor beschrieben ab, und ergibt eine Umwandlung in den keramischen Zustand Glas-Glas, bei welchem die so gebildeten kristallinen Phasen mehr als 80 Volumenprozent des Körpers einnehmen. Die Sintertemperatur sollte dabei zwischen 1 und 5 Stunden gehalten werden. Der Körper wird dann mit einer Geschwindigkeit von nicht mehr als 4°C/Minute bis auf mindestens 4000C abgekühlt,
so wonach größere Abkühlgeschwindigkeit verwendet werden können.
Die kritischen Faktoren, die maßgebend für die Einhaltung enger Abmessungs- und Verzerrungstoleranzen bei der Herstellung eines mehrschichtigen Substrats sind, sind folgende:
1. Vollständiges und überwachtes Entfernen des organischen Bindemittels während des Brennvor-
• gangs, bevor ein merkliches Zusammenfließen von Glas mit Glas stattfindet.
Eine geringe Aufheizgeschwindigkeit von 1°C bis 20C je Minute ist für eine genau bestimmte Geschwindigkeit bei der Entfernung des Bindemittels wesentlich.
2. Die Kristallisation des Glases während des Sintervorgangs, wodurch die Neigung des Glases, sich durch viskoses Fließen zu verformen, angehalten wird.
130 119/283
3. Die Anpassung der Schrumpfung des Leitungsmusters an die der Glaskeramik. Die Schrumpfung der Metallpaste wird durch Faktoren, wie die durchschnittliche Teilchengröße, die Verteilung der Teilchengrößen, den Teilchenanteil in der Paste und den Laminationsdruck bestimmt. Die beim Brennen der Glaskeramik auftretende Schrumpfung läßt sich außerdem innerhalb bestimmter Grenzen dadurch ändern, daß man das Verhältnis von Bindemittel zu Glas in den grünen ungebrannten Folien und den Laminationsdruck verändert.
Es wurde festgestellt, daß trotz des großen Unterschiedes im Wärmeausdehnungskoeffizienten von Gold, Silber und Kupfer einerseits und der Glaskeramik gemäß der Erfindung andererseits, der strukturelle Zusammenhang des Substrats aufrechterhalten wird, und zwar wegen der hohen Biegsamkeit und Dehnbarkeit dieser Metalle und zweitens wegen der guter, Verbindung zwischen dem Metall und der Glaskeramik. Diese gute Bindung könnte noch dadurch verbessert werden, daß man der Metallisierungspaste geeignete Glasfritten oder andere Bindemittel beigibt.
Wenn man Kupfer als Metallisierungspaste verwendet, dann muß das Brennen oder Sintern des Substrats in einer nicht-oxydierenden Atmosphäre durchgeführt werden. Aus diesem Grund sollten die bei der Herstellung der grünen Folien verwendeten Bindemittel in solchen Atmosphären bei brauchbaren Temperaturen ausgetrieben werden können.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen einer porenfreien Sinterglaskeramik hoher Bruch- und Biegefestigkeit durch Sintern von pulverförmigem Glas auf der Basis
SiO2 - Al2O3 - (MgO - CaO - BaO - B2O3),
dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung einer guten Verträglichkeit von aus der Sinterglaskeramik hergestellten Substraten mit Metallisierungen aus Gold und/oder Silber und/oder Kupfer folgende Verfahrensschritte durchgeführt werden:
DE2901172A 1978-02-06 1979-01-13 Verfahren zum Herstellen einer porenfreien Sinterglaskeramik auf der Basis SiO↓2↓-Al↓2↓O↓3↓- (MgO-CaO-BaO-B↓2↓O↓3↓) und daraus hergestelltes Substrat bzw. Laminat Expired DE2901172C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/875,703 US4301324A (en) 1978-02-06 1978-02-06 Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2901172A1 DE2901172A1 (de) 1979-08-16
DE2901172B2 true DE2901172B2 (de) 1981-05-07
DE2901172C3 DE2901172C3 (de) 1982-03-25

Family

ID=25366225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2901172A Expired DE2901172C3 (de) 1978-02-06 1979-01-13 Verfahren zum Herstellen einer porenfreien Sinterglaskeramik auf der Basis SiO↓2↓-Al↓2↓O↓3↓- (MgO-CaO-BaO-B↓2↓O↓3↓) und daraus hergestelltes Substrat bzw. Laminat

Country Status (13)

Country Link
US (1) US4301324A (de)
JP (2) JPS54111517A (de)
AT (1) AT377966B (de)
BE (1) BE873329A (de)
CA (1) CA1109664A (de)
CH (1) CH645602A5 (de)
DE (1) DE2901172C3 (de)
ES (1) ES477459A1 (de)
FR (1) FR2416203A1 (de)
GB (1) GB2013650B (de)
IT (1) IT1110275B (de)
NL (1) NL7900926A (de)
SE (1) SE444308B (de)

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4221047A (en) * 1979-03-23 1980-09-09 International Business Machines Corporation Multilayered glass-ceramic substrate for mounting of semiconductor device
US4340436A (en) * 1980-07-14 1982-07-20 International Business Machines Corporation Process for flattening glass-ceramic substrates
US4546406A (en) * 1980-09-25 1985-10-08 Texas Instruments Incorporated Electronic circuit interconnection system
US4472762A (en) * 1980-09-25 1984-09-18 Texas Instruments Incorporated Electronic circuit interconnection system
US4385202A (en) * 1980-09-25 1983-05-24 Texas Instruments Incorporated Electronic circuit interconnection system
JPS5817651A (ja) * 1981-07-24 1983-02-01 Hitachi Ltd 多層回路板とその製造方法
US4506435A (en) * 1981-07-27 1985-03-26 International Business Machines Corporation Method for forming recessed isolated regions
EP0074605B1 (de) * 1981-09-11 1990-08-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zum Herstellen eines Substrats für Multischichtschaltung
JPS599992A (ja) * 1982-07-08 1984-01-19 株式会社日立製作所 多層配線基板の製造方法
JPS5911700A (ja) * 1982-07-12 1984-01-21 株式会社日立製作所 セラミツク多層配線回路板
JPS5983957A (ja) * 1982-10-30 1984-05-15 Ngk Spark Plug Co Ltd 結晶化ガラス体
JPS5992943A (ja) * 1982-11-15 1984-05-29 Ngk Spark Plug Co Ltd 結晶化ガラス体
US4504340A (en) * 1983-07-26 1985-03-12 International Business Machines Corporation Material and process set for fabrication of molecular matrix print head
JPS6028296A (ja) * 1983-07-27 1985-02-13 株式会社日立製作所 セラミツク多層配線回路板
US4540621A (en) * 1983-07-29 1985-09-10 Eggerding Carl L Dielectric substrates comprising cordierite and method of forming the same
JPS60221358A (ja) * 1984-04-13 1985-11-06 日本碍子株式会社 電気絶縁体用セラミック組成物
JPS60254697A (ja) * 1984-05-31 1985-12-16 富士通株式会社 多層セラミック回路基板および製法
JPS61117163A (ja) * 1984-06-01 1986-06-04 鳴海製陶株式会社 低温焼成セラミツクスの製造方法並びに装置
FR2567684B1 (fr) * 1984-07-10 1988-11-04 Nec Corp Module ayant un substrat ceramique multicouche et un circuit multicouche sur ce substrat et procede pour sa fabrication
US4840654A (en) * 1985-03-04 1989-06-20 Olin Corporation Method for making multi-layer and pin grid arrays
US4712161A (en) * 1985-03-25 1987-12-08 Olin Corporation Hybrid and multi-layer circuitry
GB2172282B (en) * 1985-03-11 1988-10-05 English Electric Co Ltd Toughened glass-ceramics
US4696851A (en) * 1985-03-25 1987-09-29 Olin Corporation Hybrid and multi-layer circuitry
US4654095A (en) * 1985-03-25 1987-03-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric composition
US4655864A (en) * 1985-03-25 1987-04-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric compositions and method of forming a multilayer interconnection using same
US4755631A (en) * 1985-04-11 1988-07-05 International Business Machines Corporation Apparatus for providing an electrical connection to a metallic pad situated on a brittle dielectric substrate
US4672739A (en) * 1985-04-11 1987-06-16 International Business Machines Corporation Method for use in brazing an interconnect pin to a metallization pattern situated on a brittle dielectric substrate
FR2585181B1 (fr) * 1985-07-16 1988-11-18 Interconnexions Ceramiques Procede de fabrication d'un substrat d'interconnexion pour composants electroniques, et substrat obtenu par sa mise en oeuvre
JPH0634452B2 (ja) * 1985-08-05 1994-05-02 株式会社日立製作所 セラミツクス回路基板
JPS6247196A (ja) * 1985-08-26 1987-02-28 松下電器産業株式会社 セラミツク多層基板
US4731699A (en) * 1985-10-08 1988-03-15 Nec Corporation Mounting structure for a chip
JPS62113758A (ja) * 1985-10-25 1987-05-25 株式会社住友金属セラミックス 低温焼成セラミツクス
US4821151A (en) * 1985-12-20 1989-04-11 Olin Corporation Hermetically sealed package
US4687540A (en) * 1985-12-20 1987-08-18 Olin Corporation Method of manufacturing glass capacitors and resulting product
US4725333A (en) * 1985-12-20 1988-02-16 Olin Corporation Metal-glass laminate and process for producing same
US4764486A (en) * 1986-01-23 1988-08-16 Matsushita Electric Works, Ltd. Sintered glass-powder product
US4879156A (en) * 1986-05-02 1989-11-07 International Business Machines Corporation Multilayered ceramic substrate having solid non-porous metal conductors
JPH0617249B2 (ja) * 1986-08-15 1994-03-09 松下電工株式会社 ガラスセラミツク焼結体
JPH0617250B2 (ja) * 1986-09-19 1994-03-09 松下電工株式会社 ガラスセラミツク焼結体
US4687749A (en) * 1986-10-24 1987-08-18 Corning Glass Works Refractory glass-ceramics containing enstatite
JPS63181399A (ja) * 1987-01-22 1988-07-26 日本特殊陶業株式会社 高熱伝導性厚膜多層配線基板
US4785827A (en) * 1987-01-28 1988-11-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Subcutaneous housing assembly
US4963187A (en) * 1987-03-04 1990-10-16 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Metallizing paste for circuit board having low thermal expansion coefficient
US4906405A (en) * 1987-05-19 1990-03-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductor composition and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the composition
US4781970A (en) * 1987-07-15 1988-11-01 International Business Machines Corporation Strengthening a ceramic by post sinter coating with a compressive surface layer
US5147484A (en) * 1987-10-19 1992-09-15 International Business Machines Corporation Method for producing multi-layer ceramic substrates with oxidation resistant metalization
US4965229A (en) * 1988-02-05 1990-10-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Glass ceramic for coating metal substrate
US4805683A (en) * 1988-03-04 1989-02-21 International Business Machines Corporation Method for producing a plurality of layers of metallurgy
JPH01273337A (ja) * 1988-04-25 1989-11-01 Kyocera Corp 半導体素子収納用パッケージ
JP2610487B2 (ja) * 1988-06-10 1997-05-14 株式会社日立製作所 セラミック積層回路基板
US4971738A (en) * 1988-07-18 1990-11-20 International Business Machines Corporation Enhanced removal of carbon from ceramic substrate laminates
US5053361A (en) * 1988-07-18 1991-10-01 International Business Machines Corporation Setter tile for use in sintering of ceramic substrate laminates
US5258335A (en) * 1988-10-14 1993-11-02 Ferro Corporation Low dielectric, low temperature fired glass ceramics
US5188886A (en) * 1988-10-14 1993-02-23 Raychem Corporation Metal oxide dielectric dense bodies, precursor powders therefor, and methods for preparing same
US5130280A (en) * 1988-10-14 1992-07-14 Raychem Corporation Metal oxide dielectric dense bodies, precursor powders therefor, and methods for preparing same
US5164342A (en) * 1988-10-14 1992-11-17 Ferro Corporation Low dielectric, low temperature fired glass ceramics
US5070050A (en) * 1988-10-14 1991-12-03 Raychem Corporation Metal oxide dielectric dense bodies, precursor powders therefor, and methods for preparing same
US5082804A (en) * 1989-01-19 1992-01-21 David Sarnoff Research Center, Inc. Thick film copper via fill inks
EP0396806B1 (de) * 1989-05-12 1994-02-02 Ibm Deutschland Gmbh Glas-Keramik-Gegenstand und Verfahren zu dessen Herstellung
US5071794A (en) * 1989-08-04 1991-12-10 Ferro Corporation Porous dielectric compositions
JP2736453B2 (ja) * 1989-11-27 1998-04-02 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
JP2736454B2 (ja) * 1989-11-27 1998-04-02 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
JP2736463B2 (ja) * 1989-11-30 1998-04-02 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
JP2736462B2 (ja) * 1989-11-30 1998-04-02 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
JP2747613B2 (ja) * 1989-11-27 1998-05-06 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
US5102720A (en) * 1989-09-22 1992-04-07 Cornell Research Foundation, Inc. Co-fired multilayer ceramic tapes that exhibit constrained sintering
US5194196A (en) * 1989-10-06 1993-03-16 International Business Machines Corporation Hermetic package for an electronic device and method of manufacturing same
JP2763664B2 (ja) * 1990-07-25 1998-06-11 日本碍子株式会社 分布定数回路用配線基板
US5262595A (en) * 1990-07-25 1993-11-16 Ngk Insulators, Ltd. Dielectric ceramic body including TiO2 dispersion in crystallized cordierite matrix phase, method of producing the same, and circuit board using the same
US5283104A (en) * 1991-03-20 1994-02-01 International Business Machines Corporation Via paste compositions and use thereof to form conductive vias in circuitized ceramic substrates
US5215610A (en) * 1991-04-04 1993-06-01 International Business Machines Corporation Method for fabricating superconductor packages
US5925443A (en) * 1991-09-10 1999-07-20 International Business Machines Corporation Copper-based paste containing copper aluminate for microstructural and shrinkage control of copper-filled vias
US5682018A (en) * 1991-10-18 1997-10-28 International Business Machines Corporation Interface regions between metal and ceramic in a metal/ceramic substrate
US5167913A (en) * 1991-12-23 1992-12-01 International Business Machines Corporation Method of forming an adherent layer of metallurgy on a ceramic substrate
US5532031A (en) * 1992-01-29 1996-07-02 International Business Machines Corporation I/O pad adhesion layer for a ceramic substrate
US5369067A (en) * 1992-02-19 1994-11-29 Chichibu Cement Co., Ltd. Composite substrates and their production
DE69329357T2 (de) * 1992-05-14 2001-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zur Herstellung von Leitern in Kontaktlöcher in vielschichtigen Keramiksubstraten
US5277937A (en) * 1992-06-03 1994-01-11 Corning Incorporated Method for controlling the conductance of a heated cellular substrate
US5293504A (en) * 1992-09-23 1994-03-08 International Business Machines Corporation Multilayer ceramic substrate with capped vias
US5260519A (en) * 1992-09-23 1993-11-09 International Business Machines Corporation Multilayer ceramic substrate with graded vias
US5302562A (en) * 1992-10-28 1994-04-12 International Business Machines Corporation Method of controlling the densification behavior of a metallic feature in a ceramic material
US5519191A (en) * 1992-10-30 1996-05-21 Corning Incorporated Fluid heater utilizing laminar heating element having conductive layer bonded to flexible ceramic foil substrate
JPH06223623A (ja) * 1992-12-28 1994-08-12 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 銅を素材とするペーストおよびセラミックパッケージ
JP2943129B2 (ja) * 1992-12-29 1999-08-30 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション セラミック組成物、セラミック・グリーン・シートおよび製造方法
US5686790A (en) * 1993-06-22 1997-11-11 Candescent Technologies Corporation Flat panel device with ceramic backplate
US5546012A (en) * 1994-04-15 1996-08-13 International Business Machines Corporation Probe card assembly having a ceramic probe card
US5514451A (en) * 1995-01-27 1996-05-07 David Sarnoff Research Center, Inc. Conductive via fill inks for ceramic multilayer circuit boards on support substrates
TW396350B (en) * 1996-12-04 2000-07-01 Nat Science Council Dielectric composition, slurry for use in the tape casting process, porcess for producing a ceramic product and process for preparing multilayer ceramic package
US6258191B1 (en) * 1998-09-16 2001-07-10 International Business Machines Corporation Method and materials for increasing the strength of crystalline ceramic
CN100540494C (zh) * 1998-10-16 2009-09-16 株式会社村田制作所 用于电路板中的结晶玻璃合成物以及烧结结晶玻璃
US6163957A (en) * 1998-11-13 2000-12-26 Fujitsu Limited Multilayer laminated substrates with high density interconnects and methods of making the same
JP2000244123A (ja) 1999-02-19 2000-09-08 Hitachi Ltd 多層セラミック回路基板
US6136419A (en) * 1999-05-26 2000-10-24 International Business Machines Corporation Ceramic substrate having a sealed layer
WO2005067359A1 (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. セラミック多層基板
US7186461B2 (en) * 2004-05-27 2007-03-06 Delaware Capital Formation, Inc. Glass-ceramic materials and electronic packages including same
US7387838B2 (en) * 2004-05-27 2008-06-17 Delaware Capital Formation, Inc. Low loss glass-ceramic materials, method of making same and electronic packages including same
US7473969B2 (en) * 2004-08-18 2009-01-06 Corning Incorporated High strain glass/glass-ceramic containing semiconductor-on-insulator structures
US20080090720A1 (en) 2006-09-29 2008-04-17 Ceramext, Llc Process and apparatus for hot-forging synthetic ceramic
US8030119B2 (en) * 2008-03-08 2011-10-04 Crystal Solar, Inc. Integrated method and system for manufacturing monolithic panels of crystalline solar cells
US8481357B2 (en) * 2008-03-08 2013-07-09 Crystal Solar Incorporated Thin film solar cell with ceramic handling layer
CN101740678A (zh) * 2008-11-10 2010-06-16 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 固态发光元件及光源模组
US10087103B2 (en) 2008-11-12 2018-10-02 Bloom Energy Corporation Seal compositions, methods, and structures for planar solid oxide fuel cells
US8691470B2 (en) 2008-11-12 2014-04-08 Bloom Energy Corporation Seal compositions, methods, and structures for planar solid oxide fuel cells
US8883663B2 (en) * 2010-11-30 2014-11-11 Corning Incorporated Fusion formed and ion exchanged glass-ceramics
US8968509B2 (en) 2013-05-09 2015-03-03 Bloom Energy Corporation Methods and devices for printing seals for fuel cell stacks
US11358897B2 (en) * 2017-11-30 2022-06-14 Corning Incorporated Black b-spodumene glass ceramics with an optimized color package
WO2019191350A1 (en) 2018-03-28 2019-10-03 Corning Incorporated Boron phosphate glass-ceramics with low dielectric loss
CN112533880A (zh) 2018-07-23 2021-03-19 康宁股份有限公司 铝硅酸镁盐玻璃陶瓷

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA651228A (en) * 1962-10-30 Corning Glass Works Low-expansion glass-ceramic and method of making it
US2971853A (en) * 1953-03-05 1961-02-14 Corning Glass Works Ceramic body and method of making it
BE557975A (de) * 1956-06-04 1957-11-30
NL261773A (de) * 1960-02-29
GB1010513A (en) * 1962-02-02 1965-11-17 Fuji Photo Film Co Ltd Improvements in or relating to crystalline glass and to methods of making the same
NL298704A (de) * 1962-10-03
DE1496611B1 (de) * 1964-07-31 1972-02-03 Owens Illinois Inc Durchsichtige glaskeramik mit niedrigem waermeausdehnungs koeffizienten verfahren zur herstellung eines aus ihr be stehenden gegenstanes ihre verwendung in teleskopspiegeln sowie thermisch kristallisierbares gla
GB1114556A (en) * 1965-11-26 1968-05-22 Corning Glass Works Ceramic article and method of making it
US3490984A (en) * 1965-12-30 1970-01-20 Owens Illinois Inc Art of producing high-strength surface-crystallized,glass bodies
US3450546A (en) * 1966-05-26 1969-06-17 Corning Glass Works Transparent glass-ceramic articles and method for producing
US3423517A (en) * 1966-07-27 1969-01-21 Dielectric Systems Inc Monolithic ceramic electrical interconnecting structure
US3486872A (en) * 1966-11-15 1969-12-30 Owens Illinois Inc Method for producing a crystallized sintered glass article with a nonporous surface
US3600204A (en) 1968-05-31 1971-08-17 Corning Glass Works Glass-ceramic article prepared from low expansion thermally devitrifiable glass frit
US3723176A (en) * 1969-06-19 1973-03-27 American Lava Corp Alumina palladium composite
US3825468A (en) * 1969-07-25 1974-07-23 Owens Illinois Inc Sintered ceramic
BE756235A (fr) * 1969-09-16 1971-03-16 Corning Glass Works Ciments en ceramique de verre
US3629668A (en) * 1969-12-19 1971-12-21 Texas Instruments Inc Semiconductor device package having improved compatibility properties
US3732116A (en) * 1970-10-21 1973-05-08 Corning Glass Works Glass-ceramic articles containing strontia-,yttria-,lanthana-,and/or tantala-bearing crystal species
DE2263234C3 (de) * 1972-12-23 1975-07-10 Jenaer Glaswerk Schott & Gen., 6500 Mainz Verfahren zur Herstellung von hochfesten und temperaturwechselbeständigen Glasgegenständen durch Oberflächenkristallisation unter Ausnutzung eines lonenaustausches innerhalb des Glases
US4015048A (en) * 1975-03-03 1977-03-29 Corning Glass Works Ceramic articles having cordierite coatings
US4126477A (en) * 1977-05-06 1978-11-21 Corning Glass Works Beta-spodumene glass-ceramics exhibiting excellent dimensional stability

Also Published As

Publication number Publication date
CA1109664A (en) 1981-09-29
AT377966B (de) 1985-05-28
CH645602A5 (de) 1984-10-15
FR2416203B1 (de) 1983-04-15
IT1110275B (it) 1985-12-23
IT7919842A0 (it) 1979-02-02
US4301324A (en) 1981-11-17
JPS5946900B2 (ja) 1984-11-15
FR2416203A1 (fr) 1979-08-31
JPS5711847A (en) 1982-01-21
SE444308B (sv) 1986-04-07
GB2013650A (en) 1979-08-15
JPS54111517A (en) 1979-08-31
NL7900926A (nl) 1979-08-08
GB2013650B (en) 1982-10-06
ATA28979A (de) 1984-10-15
DE2901172A1 (de) 1979-08-16
BE873329A (fr) 1979-05-02
ES477459A1 (es) 1979-10-16
SE7900880L (sv) 1979-08-07
JPS5742577B2 (de) 1982-09-09
DE2901172C3 (de) 1982-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2901172C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer porenfreien Sinterglaskeramik auf der Basis SiO↓2↓-Al↓2↓O↓3↓- (MgO-CaO-BaO-B↓2↓O↓3↓) und daraus hergestelltes Substrat bzw. Laminat
US4413061A (en) Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper
EP0016307B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen glaskeramischen Struktur mit innen liegenden Versorgungsleitungen auf Kupferbasis
DE3227657C2 (de) Keramische Vielschicht-Schaltungsplatte und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2602429C2 (de) Sinterfähiges Glaspulver im System MgO-Al&amp;darr;2&amp;darr;O&amp;darr;3&amp;darr;-SiO&amp;darr;2&amp;darr;-MO
DE69535391T2 (de) Mehrlagenschaltungssubstrat
DE3701973C2 (de)
DE112007001868B4 (de) Glaskeramikzusammensetzung, gesinterter Glaskeramikkörper und elektronische Komponente aus monolithischer Keramik
DE10141910B4 (de) Glaskeramiksinterprodukt und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2816018B1 (de) Glasiges oder zumindest teilkristallines Fügematerial und dessen Verwendung
EP0428880B1 (de) Keramische Stoffzusammensetzung und ihre Verwendung
EP0690031A1 (de) Zr02-haltige Glaskeramik
DE3151206A1 (de) Glasiertes, keramisches traegermaterial
DE10109531B4 (de) Keramik mit Hochfrequenzeigenschaften, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
DE1421859B2 (de) Verfahren zur herstellung eines glas keramik formkoerpers mit in einem breiten bereich variierbarem waermeausdehnungskoef fizienten
DE2610303C2 (de) Siebdruckpaste für dicke, elektrisch leitende, Leiterbahnen bildende Schichten auf einem keramischen Substrat
DE102008007338B4 (de) Keramikpulver für einen Rohling, mehrschichtiges Keramiksubstrat und Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Keramiksubstrats
DE3148809A1 (de) &#34;keramische traegerplatte fuer feinlinige elektrische schaltungen und verfahren zu deren herstellung&#34;
US3684536A (en) Bismuthate glass-ceramic precursor compositions
DE2460931A1 (de) Bei niedrigen temperaturen sinterbare stoffzusammensetzung
DE2554969C3 (de) Glasierbare, nichtporöse keramische Sinterkörper hoher mechanischer Festigkeit mit steatitanalogen elektrischen Isolationseigenschaften
DE1266937B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer unmittelbar mit einer Glasschicht durch Pressdruck verbundenen Metallfolie
DE2459176A1 (de) Keramische stoffzusammensetzungen mit hohem tonerdegehalt und einem gehalt an mgo-al tief 2 o tief 3 -sio tief 2 oder cao-al tief 2 o tief 3 -sio tief 2 -glas
EP0005198B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines dichten keramischen Materials mit einem Gehalt an hochreinem Mullit
US6174829B1 (en) Ceramic dielectric compositions

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee