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VeröffentlichungsnummerDE3023165 A1
PublikationstypAnmeldung
AnmeldenummerDE19803023165
Veröffentlichungsdatum7. Jan. 1982
Eingetragen20. Juni 1980
Prioritätsdatum20. Juni 1980
Auch veröffentlicht unterDE3023165C2
Veröffentlichungsnummer19803023165, 803023165, DE 3023165 A1, DE 3023165A1, DE-A1-3023165, DE19803023165, DE3023165 A1, DE3023165A1, DE803023165
ErfinderHelmold Dipl Phys Kausche
AntragstellerSiemens Ag
Zitat exportierenBiBTeX, EndNote, RefMan
Externe Links: DPMA, Espacenet
Solar cell with high efficiency - using thin film of amorphous silicon on thin film of aluminium with matt reflecting surface
DE 3023165 A1
Zusammenfassung
The thin Si film is located on a reflecting substrate, which consists of an Al film with a matt reflecting surface. The surface of the Al film is pref. roughened; and the Al is pref. located on a carrier, which is made of an insulator or metal, esp. glass; ceramic; Al; steel; Al or steel coated with an insulating film; a metal foil; or a polymer foil. The reflecting Al substrate is pref. 0.5 microns in average thickness, with a surface roughness of ca. 0.5 microns; and this substrate is pref. formed by sputtering at 150 deg. C in argon onto the carrier. High efficiency is obtd., where the highest possible amt. of the incident light is converted into electrical energy.
Beschreibung  auf verfügbar
Ansprüche  auf verfügbar
Patentzitate
Zitiertes PatentEingetragen Veröffentlichungsdatum Antragsteller Titel
DE2631880A1 *15. Juli 197631. März 1977Futaba Denshi Kogyo KkSchottky barrier thin film semiconductor - for solar cells, produced by ionized agglomerate vapour deposition
DE2715471A1 *6. Apr. 197719. Okt. 1978Siemens AgSolar cell with semiconductor layer - vacuum deposited on a reflecting substrate
DE2812547A1 *22. März 19785. Okt. 1978Rca CorpFotoelement
DE2854653A1 *18. Dez. 197831. Okt. 1979Rca CorpSolarzelle
US4166880 *18. Jan. 19784. Sept. 1979Solamat IncorporatedSolar energy device
Nichtpatentzitate
Referenz
1 *US-Z: IEEE Transactions on Electron Devices, Bd. ED-27, No. 4, April 1980, S. 662-670
Referenziert von
Zitiert von PatentEingetragen Veröffentlichungsdatum Antragsteller Titel
DE3242831A1 *19. Nov. 198224. Mai 1984Siemens AgSolarzelle aus amorphem silizium und verfahren zu ihrer herstellung
DE3306148A1 *22. Febr. 198315. Sept. 1983Energy Conversion Devices IncSperrschicht-fotoelement aus halbleitermaterial
DE3528087A1 *5. Aug. 198513. Febr. 1986Showa Aluminum CorpSubstrat fuer solarzellen aus amorphem silicium
DE3626450A1 *5. Aug. 198611. Febr. 1988Hans Joachim Dipl P KirschningComponent of edifices and buildings which acts as a solar cell
DE102009033771A1 *17. Juli 20097. Apr. 2011Schünemann, GerhardSolar reflector for installation on e.g. flat saddle or monopitch roofs of building, has reflector surface reflecting sunlight on photovoltaic panels of photovoltaic systems, where reflector surface is designed as strewing reflector surface
EP0103168A2 *10. Aug. 198321. März 1984Hitachi, Ltd.Amorphous silicon solar battery
EP0103168A3 *10. Aug. 19832. Juli 1986Hitachi, Ltd.Amorphous silicon solar battery
EP0111750A2 *14. Nov. 198327. Juni 1984Siemens AktiengesellschaftAmorphous silicium solar cell and method of manufacturing the same
EP0111750A3 *14. Nov. 198316. Okt. 1985Siemens AktiengesellschaftAmorphous silicium solar cell and method of manufacturing the same
US4419533 *3. März 19826. Dez. 1983Energy Conversion Devices, Inc.Photovoltaic device having incident radiation directing means for total internal reflection
US4492813 *18. Aug. 19838. Jan. 1985Siemens AktiengesellschaftAmorphous silicon solar cell
US4511756 *16. Aug. 198316. Apr. 1985Siemens AktiengesellschaftAmorphous silicon solar cells and a method of producing the same
US4514583 *7. Nov. 198330. Apr. 1985Energy Conversion Devices, Inc.Substrate for photovoltaic devices
US4532537 *27. Sept. 198230. Juli 1985Rca CorporationPhotodetector with enhanced light absorption
US4554727 *22. Mai 198426. Nov. 1985Exxon Research & Engineering CompanyMethod for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces
US4663188 *17. Mai 19855. Mai 1987Rca CorporationMethod for making a photodetector with enhanced light absorption
US4806436 *27. Apr. 198721. Febr. 1989Showa Aluminum CorporationSubstrate for amorphous silicon solar cells
Klassifizierungen
Internationale KlassifikationH01L31/0392
UnternehmensklassifikationH01L31/056, Y02E10/52, H01L31/03921
Europäische KlassifikationH01L31/0392B
Juristische Ereignisse
DatumCodeEreignisBeschreibung
21. Mai 19878110Request for examination paragraph 44
25. Febr. 19888120Willingness to grant licenses paragraph 23
29. Mai 1991D2Grant after examination
21. Nov. 19918364No opposition during term of opposition
9. Juni 19948339Ceased/non-payment of the annual fee