DE4028279C2 - Dielektrische keramische Zusammensetzung - Google Patents
Dielektrische keramische ZusammensetzungInfo
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- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine dielektrische
keramische Zusammensetzung und insbesondere eine dielek
trische keramische Zusammensetzung mit einer hohen
Dielektrizitätskonstante.
Als dielektrisches keramisches Material mit hoher Di
elektrizitätskonstante für Kondensatoren finden dielek
trische keramische Zusammensetzungen eines BaTiO3-Systems
weit verbreitete Anwendung. Andere, gegenwärtig
eingesetzte dielektrische Materialien sind Zusammenset
zungen eines Systems SrTiO3-PbTiO3-Bi2O3-TiO2 oder
SrTiO3-PbTiO3-Bi2O3-TiO2-CaTiO3. Solche Zusammensetzun
gen sind in der JP-PS 52-41880 oder der US-PS 3 869 398
offenbart.
Die Zusammensetzung des BaTiO3-Systems ergibt jedoch
einen hohen Klirrfaktor, wenn sie für dielektrische
keramische Kondensatoren angewandt wird. Beispielsweise
gibt die Zusammensetzung Werte der Verzerrung der
dritten Oberschwingung von -50 bis -75 dB, wenn an sie
eine Effektiv-Spannung von 10 bis 50 V/mm angelegt wird.
Andererseits ermöglicht eine Zusammensetzung des Systems
SrTiO3-PbTiO3-Bi2O3-TiO2 oder SrTiO3-PbTiO3-Bi2O3-TiO2-
CaTiO3 die Herstellung von Kondensatoren mit einem Wert
der Verzerrung der dritten Oberschwingung, der kleiner
als derjenige der BaTiO3-Zusammensetzungen ist. Eine
solche Zusammensetzung weist jedoch, im Vergleich mit
anderen Kondensatoren wie Film-Kondensatoren und Alumi
nium-Elektrolyt-Kondensatoren, eine starke Abhängigkeit
des Verzerrungsfaktors von der Wechselspannung auf.
Darüber hinaus ist es erforderlich, wenn eine solche
Zusammensetzung bei mehrschichtigen keramischen Konden
satoren eingesetzt wird, wegen der hohen Sintertempera
turen der Zusammensetzung von 1300°C bis 1350°C Edel
metalle wie Platin als Material für die inneren Elektro
den einzusetzen. Die Verwendung von Edelmetallen hat
eine Erhöhung der Herstellungskosten der Kondensatoren
zur Folge.
Aus diesem Grunde ist es eine Aufgabe der vorliegenden
Erfindung, eine dielektrische keramische Zusammensetzung
mit einem niedrigen Klirrfaktor und einer relativ
niedrigen Sintertemperatur von nicht mehr als 1200°C
zusätzlich zu einer hohen Dielektrizitätskonstante von
nicht weniger als 500, einem kleinen dielektrischen Ver
lust von nicht mehr als 0,5% bei 1 kHz und einer
kleinen Änderung der Kapazität mit der Temperatur ver
fügbar zu machen.
Diese und andere Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden
gelöst durch eine dielektrische keramische
Zusammensetzung, die
aus 80 bis 99,7 Gew.-% eines Hauptbestandteils
eines Systems aus
SrTiO3-PbTiO3-CaTiO3-Bi2O3-TiO2-SnO2, 0,1 bis 5,0 Gew.-%
wenigstens eines Oxids von Seltenerdelementen, angegeben
als RE2O3, worin RE wenigstens ein Seltenerdelement ist,
das aus der aus Nd, La, Ce, Pr und Sm bestehenden Gruppe
ausgewählt ist, und 0,2 bis 15 Gew.-% einer
Glas-Komponente besteht,
wobei der genannte Hauptbestandteil aus, bezogen auf das Gewicht, 20,0 bis 50,0% SrTiO31 8,0 bis 37,6% PbTiO3, 3,2 bis 33,9% CaTiO3, 4,4 bis 35,2% Bi2O3, 2,5 bis 13,6% TiO2 und 0,2 bis 12,0% SnO2 besteht,
wobei die Glas-Komponente aus 10 bis 45 Mol-% Li2O, 5 bis 40 Mol-% eines Oxids, das aus der aus BaO, MgO, CaO und SrO bestehenden Gruppe ausgewählt ist, 0,2 bis 10 Mol-% Al2O3, 30 bis 70 Mol-% wenigstens zweier Oxide, die aus der aus SiO2, MnO2 und TiO2 bestehenden Gruppe ausgewählt sind, und 1 bis 35 Mol-% CuO besteht, wobei der SiO2-Gehalt in der Glas-Komponente nicht kleiner als wenigstens 15 Mol-% ist.
wobei der genannte Hauptbestandteil aus, bezogen auf das Gewicht, 20,0 bis 50,0% SrTiO31 8,0 bis 37,6% PbTiO3, 3,2 bis 33,9% CaTiO3, 4,4 bis 35,2% Bi2O3, 2,5 bis 13,6% TiO2 und 0,2 bis 12,0% SnO2 besteht,
wobei die Glas-Komponente aus 10 bis 45 Mol-% Li2O, 5 bis 40 Mol-% eines Oxids, das aus der aus BaO, MgO, CaO und SrO bestehenden Gruppe ausgewählt ist, 0,2 bis 10 Mol-% Al2O3, 30 bis 70 Mol-% wenigstens zweier Oxide, die aus der aus SiO2, MnO2 und TiO2 bestehenden Gruppe ausgewählt sind, und 1 bis 35 Mol-% CuO besteht, wobei der SiO2-Gehalt in der Glas-Komponente nicht kleiner als wenigstens 15 Mol-% ist.
Die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung ist aus
den folgenden Gründen auf solche Zusammensetzungen be
schränkt, die bezogen auf das Gewicht,
aus 80 bis 99,7 Gew.-% eines Hauptbestandteils eines
Systems aus SrTiO3-PbTiO3-CaTiO3-Bi2O3-TiO2-SnO2, 0,1
bis 5,0 Gew.-% wenigstens eines Oxids der Seltenerd
elemente, angegeben als RE2O3, worin RE wenigstens ein
Seltenerdelement ist, das aus der aus Nd, La, Ce, Pr und
Sm bestehenden Gruppe ausgewählt ist, und 0,2 bis
15 Gew.-% der Glas-Komponente besteht:
Wenn der Gehalt an Oxid der Seltenerdelemente (RE2O3) kleiner als 0,1 Gew.-% ist, wird der Faktor des dielek trischen Verlusts größer als 0,5% Wenn der Gehalt an Oxid der Seltenerdelemente 5,0 Gew.-% überschreitet, wird die Dielektrizitätskonstante kleiner als 500. Die Einarbeitung der Glas-Komponente sorgt für die Erniedrigung der Sintertemperatur der Keramik. Wenn jedoch deren Gehalt kleiner als 0,2 Gew.-% ist, wird die Sintertemperatur höher als 1200°C. Wenn der Gehalt an der Glas-Komponente 15,0 Gew.-% überschreitet, wird die Keramik porös, und die Dielektrizitätskonstante wird kleiner als 500.
Wenn der Gehalt an Oxid der Seltenerdelemente (RE2O3) kleiner als 0,1 Gew.-% ist, wird der Faktor des dielek trischen Verlusts größer als 0,5% Wenn der Gehalt an Oxid der Seltenerdelemente 5,0 Gew.-% überschreitet, wird die Dielektrizitätskonstante kleiner als 500. Die Einarbeitung der Glas-Komponente sorgt für die Erniedrigung der Sintertemperatur der Keramik. Wenn jedoch deren Gehalt kleiner als 0,2 Gew.-% ist, wird die Sintertemperatur höher als 1200°C. Wenn der Gehalt an der Glas-Komponente 15,0 Gew.-% überschreitet, wird die Keramik porös, und die Dielektrizitätskonstante wird kleiner als 500.
Die dielektrische keramische Zusammensetzung der vor
liegenden Erfindung hat eine hohe Dielektrizitätskon
stante von nicht weniger als 500, einen dielektrischen
Verlust-Faktor von nicht mehr als 0,5% bei 1 kHz, einen
niedrigen Klirrfaktor und eine kleine Änderung der
Kapazität mit der Temperatur. Außerdem kann sie bei
einer relativ niedrigeren Temperatur, verglichen mit
dielektrischen keramischen Zusammensetzungen des Standes
der Technik, von nicht mehr als 1200°C gebrannt werden.
Die vorstehenden und andere Ziele, Merkmale und Vorteile
der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden
Beschreibung in Verbindung mit mehreren Beispielen deut
lich.
SrCO3, Pb3O4, CaCO3, Bi2O3, TiO2, SnO2, Nd2O3, Sm2O3,
La2O3, CeO2 und Pr6O11 wurden als Rohstoffe für eine aus
dem Hauptbestandteil und wenigstens einem Oxid eines
Seltenerdelement zusammengesetzte Grundzusammensetzung
eingesetzt. Diese Rohstoffe wurden eingewogen, in den in
der Tabelle 1 aufgeführten Mengen-Anteilen miteinander
vermischt und in einem Polyethylengefäß mit Aluminium
oxid-Kugeln 16 h nach dem Naßverfahren gemahlen. Nach
dem Entwässern und Trocknen wurde die Mischung in eine
Zirconiumdioxid-Brennkapsel gefüllt, 2 h bei 950°C
calciniert, zerkleinert und dann vermahlen, wodurch ein
calciniertes Pulver hergestellt wurde.
Getrennt von dem vorstehenden Pulver wurden unter
Einsatz von Li2CO3, BaCO3, MgO, CaCO3, SrCO3, SiO2,
MnO2, TiO2, CuO und Al2O3 als Rohstoffe
Glas-Zusammensetzungen in folgender Weise hergestellt. Die
Rohstoffe wurden eingewogen, in den in der Tabelle 2
aufgeführten Anteils-Verhältnissen miteinander vermischt
und in einer Kugelmühle 16 h nach dem Naßverfahren ge
mahlen und dann durch Verdampfung getrocknet. Das
resultierende Pulvergemisch wurde in einen Aluminium
oxid-Tiegel gefüllt, 1 h auf 1300°C gehalten, durch
rasches Abkühlen zum glasigen Erstarren gebracht und
dann gemahlen, wodurch Pulver glasiger Zusammensetzungen
mit einer solchen Teilchengröße erhalten wurden, daß die
Teilchen durch ein Sieb von 0,074 mm (200 mesh) hin
durchgingen.
Zu dem obigen calcinierten Pulver wurde die Glas-Zusam
mensetzung aus Tabelle 2 in den in Tabelle 1 angegebenen
Mengenanteilen hinzugefügt; die Mischung wurde mit einer
geeigneten Menge eines organischen Bindemittels in einem
Polyethylengefäß 16 h nach dem Naß-Verfahren vermischt.
Die resultierende Mischung wurde durchs Abdampfen getrock
net, granuliert und dann zu Scheiben mit einem Durch
messer von 10 mm und einer Dicke von 1,2 mm verdichtet.
Die auf diese Weise hergestellten grünen Keramik-Schei
ben wurden 2 h bei verschiedenen Temperaturen im Bereich
von 940°C bis 1240°C gebrannt, wodurch Keramik-Schei
ben erhalten wurden.
Für jede Zusammensetzung wurden einige der Keramik-
Scheiben in eine Fuchsin-Lösung eingetaucht, um die
optimale Brenn-Temperatur für jede Zusammensetzung zu
bestimmen. Die optimale Brenntemperatur für jede Probe
ist in Tabelle 3 angegeben.
Die durch Brennen bei der optimalen Brenn-Temperatur
hergestellten Keramik-Scheiben wurde auf ihren gegen
überliegenden Seiten durch Auftragen von Silber-Paste
und 30 min Brennen derselben bei 800°C mit
Silber-Elektroden versehen, wodurch Probekörper für die Messung
der elektrischen Eigenschaften hergestellt wurden.
Von jedem der Probekörper wurden die relative Dielektri
zitätskonstante (E) bei 20°C, 1 kHz und der Effektiv
spannung 1 V, der dielektrische Verlust-Faktor (tan δ)
bei 20°C, 1 kHz und der Effektivspannung 1 V, der
Klirrfaktor und die Temperatur-Charakteristik (Tempera
turänderungsrate der Kapazität, TCR von C) im Tempera
turbereich von -25°C bis +85°C, relativ zu der
Kapazität bei 20°C, gemessen. Die Ergebnisse sind in
Tabelle 3 dargestellt.
In Tabelle 3 ist der Klirrfaktor durch die Verzerrung
der dritten Oberschwingung angegeben, die durch Anlegen
einer Effektiv-Spannung von 100 V/mm oder 200 V/mm bei
einer Radiofrequenz (10 kHz) gemessen wurde.
In den Tabellen 1 bis 3 sind die mit einem Sternchen (*)
bezeichneten Proben diejenigen mit einer Zusammensetzung
außerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung, wäh
rend die anderen Proben solche sind, die in den Bereich
der vorliegenden Erfindung fallen.
Tabelle 1
Tabelle 2
Tabelle 3
Wie aus den vorstehenden Ergebnissen hervorgeht, hat die
dielektrische keramische Zusammensetzung der vorliegen
den Erfindung eine hohe dielektrische Konstante von
nicht weniger als 1000, einen dielektrischen Verlust
faktor von nicht mehr als 0,5% bei 1 kHz, einen niedri
gen Klirrfaktor und eine kleine Änderungsrate der
Kapazität mit der Temperatur. Darüber hinaus ist es
möglich, sie bei einer relativ niedrigen Temperatur von
nicht mehr als 1200°C zu brennen.
Die Haupt-Zusammensetzung ist aus den folgenden Gründen
auf die im Vorstehenden definierten Bereiche der Zusam
mensetzung begrenzt: Wenn der Gehalt an SrTiO3 kleiner
als 20 Gew.-% ist, wird der dielektrische Verlustfaktor
größer als 0,5%, und der Klirrfaktor wird groß (Probe
Nr. 6). Wenn der Gehalt an SrTiO3 50 Gew.-% übersteigt,
wird die relative Dielektrizitätskonstante kleiner als
500, und die Rate der Temperaturänderung der Dielektri
zitätskonstante wird groß (Probe Nr. 7).
Wenn der Gehalt an PbTiO3 kleiner als 8,0 Gew.-% ist,
wird die relative Dielektrizitätskonstante kleiner als
500 (Probe Nr. 8). Wenn der Gehalt an PbTiO3 37,6 Gew.-%
übersteigt, wird der dielektrische Verlustfaktor größer
als 0,5%, und der Klirrfaktor wird groß (Probe Nr. 9).
Wenn der Gehalt an CaTiO3 kleiner als 3,2 Gew.-% ist,
wird der dielektrische Verlustfaktor größer als 0,5%
(Probe Nr. 10). Wenn der Gehalt an CaTiO3 33,9 Gew.-%
übersteigt, wird die relative Dielektrizitätskonstante
kleiner als 500 (Probe Nr. 11).
Wenn der Gehalt an Bi2O3 kleiner als 4,4 Gew.-% ist,
wird die relative Dielektrizitätskonstante kleiner als
500 (Probe Nr. 12). Wenn der Gehalt an Bi2O3 35,2 Gew.-%
übersteigt, wird der dielektrische Verlustfaktor größer
als 0,5% (Probe Nr. 13).
Wenn der Gehalt an TiO2 kleiner als 2,5 Gew.-% ist, wird
die relative Dielektrizitätskonstante kleiner als 500
(Probe Nr. 14). Wenn der Gehalt an TiO2 13,6 Gew.-%
übersteigt, wird der dielektrische Verlustfaktor größer
als 0,5% (Probe Nr. 15).
Wenn der Gehalt an SnO2 kleiner als 0,2 Gew.-% ist, wird
der dielektrische Verlustfaktor größer als 0,5%, und
der Klirrfaktor wird groß (Probe Nr. 16). Wenn der
Gehalt an SnO2 12,0 Gew.-% übersteigt, wird der dielek
trische Verlustfaktor größer als 0,5% (Probe Nr. 17).
Die dielektrische keramische Zusammensetzung der vor
liegenden Erfindung ist aus den folgenden Gründen auf
Zusammensetzungen beschränkt, die 0,1 bis 5,0 Gew.-%
wenigstens eines Oxids von Seltenerdelementen und 0,2
bis 15 Gew.-% einer glasartigen Komponente, eingearbei
tet in den Hauptbestandteil enthalten:
Wenn die zugesetzte Menge des Oxids von Seltenerdelemen
ten (RE2O3) kleiner als 0,1 Gew.-% ist, wird der dielek
trische Verlustfaktor größer als 0,5 (Probe Nr. 18).
Wenn der Gehalt des Oxids von Seltenerdelementen
5,0 Gew.-% übersteigt, wird die relative Dielektrizi
tätskonstante kleiner als 500 (Probe Nr. 19).
Die zugesetzte Menge der Glas-Komponente ist aus den
folgenden Gründen auf einen Wert von 0,2 bis 15 Gew.-%
beschränkt: Wenn die zugesetzte Menge der Glas-Komponen
te kleiner als 0,2 Gew.-% ist, wird die Sintertempera
tur höher als 1300°C (Probe 20). Wenn die zugesetzte
Menge der Glas-Komponente 15,0 Gew.-% überschreitet,
wird die Keramik porös, und die Dielektrizitätskonstante
wird kleiner als 500 (Probe Nr. 21).
Die in den Hauptbestandteil eingearbeitete Glas-Kompo
nente ist in bezug auf ihre Zusammensetzung aus den
folgenden Gründen auf die oben angegebenen Zusammenset
zungsbereiche beschränkt:
Wenn der Gehalt an Li2O in der Glas-Komponente kleiner als 10 Mol-% ist, wird die Sintertemperatur hoch (Probe Nr. 22). Wenn der Gehalt an Li2O 45 Mol-% übersteigt, wird der Schmelzpunkt der Glas-Komponente niedriger als 800°C, was ihre Verwendung als Sinterhilfsmittel un möglich macht; außerdem wird der dielektrische Verlust faktor größer als 0,5% (Probe Nr. 23).
Wenn der Gehalt an Li2O in der Glas-Komponente kleiner als 10 Mol-% ist, wird die Sintertemperatur hoch (Probe Nr. 22). Wenn der Gehalt an Li2O 45 Mol-% übersteigt, wird der Schmelzpunkt der Glas-Komponente niedriger als 800°C, was ihre Verwendung als Sinterhilfsmittel un möglich macht; außerdem wird der dielektrische Verlust faktor größer als 0,5% (Probe Nr. 23).
Wenn der Gehalt des wenigstens einen Oxids aus BaO, MgO,
CaO und SrO kleiner als 5 Mol-% ist oder 40 Mol-% über
schreitet, wird die Sintertemperatur höher als 1200°C
(Proben 24 oder 25).
Wenn die Summe aus dem SiO2-Gehalt und dem Gehalt wenig
stens eines der Oxide TiO2 und MnO2 kleiner als 30 Mol-%
ist oder 70 Mol-% übersteigt oder wenn der Gehalt des
SiO2 allein kleiner als 15 Mol-% ist oder wenn keines
der Oxide TiO2 und/oder MnO2 in die Glas-Komponente ein
gearbeitet ist, wird die Sintertemperatur höher als
1200°C (Proben Nr. 26, 27, 28 und 29).
Kupferoxid CuO, das in die Glas-Komponente eingearbeitet
ist, trägt dazu bei, den dielektrischen Verlust und die
Temperaturcharakteristik des Produkts zu erniedrigen.
Wenn der Gehalt an Cu kleiner als 1 Mol-% wird, wird der
dielektrische Verlustfaktor größer als 0,5% (Probe Nr.
30). Wenn der Gehalt an CuO 35 Mol.-% überschreitet,
wird der Isolierwiderstand beträchtlich erniedrigt.
Wenn der Gehalt an Aluminiumoxid (Al2O3) in der Glas-
Komponente kleiner als 0,2 Mol.-% ist oder dessen Gehalt
10 Mol-% übersteigt, wird die Sintertemperatur höher als
1200°C. Aufgrunddessen ist der Gehalt an Al2O3 in der
Glas-Komponente auf 0,2 Mol-% bis 10 Mol-% beschränkt.
Claims (1)
- Dieelektrische keramische Zusammensetzung, bestehend aus 80 bis 99,7 Gew.-% eines Hauptbestandteils eines Systems aus SrTiO3-PbTiO3-CaTiO3-Bi2O3-TiO2-SnO2, 0,1 bis 5,0 Gew.-% wenigstens eines Oxids von Seltenerdelementen, angegeben als RE2O3, worin RE wenigstens ein Seltenerdelement ist, das aus der aus Nd, La, Ce, Pr und Sm bestehenden Gruppe ausgewählt ist, und 0,2 bis 15 Gew.-% einer Glas-Komponente,
wobei der genannte Hauptbestandteil aus, bezogen auf das Gewicht, 20,0 bis 50,0% SrTiO3, 8,0 bis 37,6% PbTiO3, 3,2 bis 33,9% CaTiO2, 4,4 bis 35,2% Bi2O3, 2,5 bis 13,6% TiO2 und 0,2 bis 12,0 SnO2 besteht,
wobei die Glas-Komponente aus 10 bis 45 Mol-% Li2O, 5 bis 40 Mol-% eines Oxids, das aus der aus BaO, MgO, CaO und SrO bestehenden Gruppe ausgewählt ist, 0,2 bis 10 Mol-% Al2O3, 30 bis 70 Mol-% wenigstens zweier Oxide, die aus der aus SiO2, MnO2 und TiO2 bestehenden Gruppe ausgewählt sind, und 1 bis 35 Mol-% CuO besteht, wobei der SiO2-Gehalt in der Glas-Komponente nicht kleiner als wenigstens 15 Mol-% ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1234388A JPH0745337B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4028279A1 DE4028279A1 (de) | 1991-03-21 |
DE4028279C2 true DE4028279C2 (de) | 1998-10-08 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4028279A Expired - Lifetime DE4028279C2 (de) | 1989-09-07 | 1990-09-06 | Dielektrische keramische Zusammensetzung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5073523A (de) |
JP (1) | JPH0745337B2 (de) |
DE (1) | DE4028279C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10002812C2 (de) * | 1999-03-01 | 2002-11-21 | Murata Manufacturing Co | Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Glas-Keramikkörpers, der bei niedrigen Temperaturen sinterfähig ist |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4215638C2 (de) * | 1991-05-13 | 1997-04-10 | Murata Manufacturing Co | Dielektrische, keramische Zusammensetzung |
JP2613722B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1997-05-28 | 日本碍子株式会社 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
US5479140A (en) * | 1991-09-27 | 1995-12-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
US5264403A (en) * | 1991-09-27 | 1993-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
EP0539151B1 (de) * | 1991-10-24 | 1996-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielektrisches-keramisches Verbundmaterial |
JP2711618B2 (ja) * | 1992-06-30 | 1998-02-10 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体組成物、多層配線基板および積層セラミックコンデンサ |
US7336468B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-02-26 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
US7110235B2 (en) * | 1997-04-08 | 2006-09-19 | Xzy Altenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
US6894884B2 (en) * | 1997-04-08 | 2005-05-17 | Xzy Attenuators, Llc | Offset pathway arrangements for energy conditioning |
US7321485B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-01-22 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
US7106570B2 (en) * | 1997-04-08 | 2006-09-12 | Xzy Altenuators, Llc | Pathway arrangement |
US6650525B2 (en) | 1997-04-08 | 2003-11-18 | X2Y Attenuators, Llc | Component carrier |
US7301748B2 (en) | 1997-04-08 | 2007-11-27 | Anthony Anthony A | Universal energy conditioning interposer with circuit architecture |
US7110227B2 (en) * | 1997-04-08 | 2006-09-19 | X2Y Attenuators, Llc | Universial energy conditioning interposer with circuit architecture |
US6018448A (en) | 1997-04-08 | 2000-01-25 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
US7336467B2 (en) * | 2000-10-17 | 2008-02-26 | X2Y Attenuators, Llc | Energy pathway arrangement |
US6606011B2 (en) * | 1998-04-07 | 2003-08-12 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit assembly |
US7274549B2 (en) * | 2000-12-15 | 2007-09-25 | X2Y Attenuators, Llc | Energy pathway arrangements for energy conditioning |
US7042703B2 (en) * | 2000-03-22 | 2006-05-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning structure |
US6603646B2 (en) | 1997-04-08 | 2003-08-05 | X2Y Attenuators, Llc | Multi-functional energy conditioner |
US9054094B2 (en) | 1997-04-08 | 2015-06-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit |
US20030161086A1 (en) | 2000-07-18 | 2003-08-28 | X2Y Attenuators, Llc | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
DE69937677T2 (de) * | 1998-04-07 | 2008-11-20 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Bauelementeträger |
US7427816B2 (en) | 1998-04-07 | 2008-09-23 | X2Y Attenuators, Llc | Component carrier |
US6335302B1 (en) | 1999-01-14 | 2002-01-01 | Tdk Corporation | Dielectric composition and ceramic capacitor using the same |
US6157528A (en) * | 1999-01-28 | 2000-12-05 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Polymer fuse and filter apparatus |
JP3767377B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2006-04-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
US6645895B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-11-11 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
US7113383B2 (en) * | 2000-04-28 | 2006-09-26 | X2Y Attenuators, Llc | Predetermined symmetrically balanced amalgam with complementary paired portions comprising shielding electrodes and shielded electrodes and other predetermined element portions for symmetrically balanced and complementary energy portion conditioning |
WO2002015360A1 (en) * | 2000-08-15 | 2002-02-21 | X2Y Attenuators, L.L.C. | An electrode arrangement for circuit energy conditioning |
US7193831B2 (en) | 2000-10-17 | 2007-03-20 | X2Y Attenuators, Llc | Energy pathway arrangement |
IL155402A0 (en) | 2000-10-17 | 2003-11-23 | X2Y Attenuators Llc | Amalgam of shielding and shielded energy pathways and other elements for single or multiple circuitries with common reference node |
JP4182479B2 (ja) | 2002-12-03 | 2008-11-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物、及びセラミック電子部品 |
US7180718B2 (en) | 2003-01-31 | 2007-02-20 | X2Y Attenuators, Llc | Shielded energy conditioner |
US7440252B2 (en) | 2003-05-29 | 2008-10-21 | X2Y Attenuators, Llc | Connector related structures including an energy conditioner |
JP2006528868A (ja) | 2003-07-21 | 2006-12-21 | エックストゥーワイ アテニュエイターズ,エルエルシー | フィルタ組立体 |
WO2005065097A2 (en) | 2003-12-22 | 2005-07-21 | X2Y Attenuators, Llc | Internally shielded energy conditioner |
WO2006093831A2 (en) | 2005-03-01 | 2006-09-08 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioner with tied through electrodes |
US7630188B2 (en) | 2005-03-01 | 2009-12-08 | X2Y Attenuators, Llc | Conditioner with coplanar conductors |
US7586728B2 (en) | 2005-03-14 | 2009-09-08 | X2Y Attenuators, Llc | Conditioner with coplanar conductors |
CN101395683A (zh) | 2006-03-07 | 2009-03-25 | X2Y衰减器有限公司 | 能量调节装置结构 |
PT108574A (pt) * | 2015-06-24 | 2016-12-26 | Revigrés - Indústria De Revestimentos De Grés Lda | Placa de revestimento cerâmica para aplicação no exterior |
CN109061267A (zh) * | 2018-09-28 | 2018-12-21 | 北京瑞奇恩互感器设备有限公司 | 取电型电子式电压传感器 |
CN112142465A (zh) * | 2020-09-25 | 2020-12-29 | 西华大学 | 稀土离子改性的5g基站用滤波器陶瓷及其制备方法 |
CN114292104B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-05-30 | 摩比天线技术(深圳)有限公司 | 一种脉冲电容器用储能陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3869398A (en) * | 1972-09-20 | 1975-03-04 | Taiyo Yuden Kk | Dielectric porcelain composition |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS599807A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
JPS62295304A (ja) * | 1986-06-14 | 1987-12-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
US4820670A (en) * | 1986-11-26 | 1989-04-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP1234388A patent/JPH0745337B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-06 DE DE4028279A patent/DE4028279C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-06 US US07/578,629 patent/US5073523A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3869398A (en) * | 1972-09-20 | 1975-03-04 | Taiyo Yuden Kk | Dielectric porcelain composition |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
WPI-Abstract zu JP 52-41880 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10002812C2 (de) * | 1999-03-01 | 2002-11-21 | Murata Manufacturing Co | Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Glas-Keramikkörpers, der bei niedrigen Temperaturen sinterfähig ist |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0745337B2 (ja) | 1995-05-17 |
DE4028279A1 (de) | 1991-03-21 |
JPH0397669A (ja) | 1991-04-23 |
US5073523A (en) | 1991-12-17 |
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