DE4210400C1 - Local copper@ deposition from organo:metallic film on substrate - by forming film from mixt. of copper acetate and copper formate in specified ratio and depositing film by laser irradiation - Google Patents
Local copper@ deposition from organo:metallic film on substrate - by forming film from mixt. of copper acetate and copper formate in specified ratio and depositing film by laser irradiationInfo
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- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/121—Metallo-organic compounds
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur lokalen Abscheidung
von Kupfer aus einem metallorganischen Film, wobei unter loka
ler Erhitzung durch einen Laser das Kupfer auf der Oberfläche
des mit dem Film belegten Substrates erzeugt wird.
Für die Herstellung von Leiterbahnen, beispielsweise auf Lei
terplatten, ist eine Vielzahl von Verfahren bekannt. Insbeson
dere für die Reparatur von Leiterbahnen, z. B. auch auf
bereits bestückten Leiterplatten wird sehr häufig ein
Verfahren verwendet, bei dem Kupfer aus einem auf die
Leiterplatte aufgebrachten metallorganischen Film abgeschieden
wird. Der dabei erzeugte feste Film wird lokal mit einem Laser
derart erhitzt, daß sich entsprechend einer vorbestimmten
Struktur, die vom Laser abgefahren wird, Kupfer abscheidet. In
einem nachgeschalteten Verfahrensschritt kann diese
Kupferabscheidung nachträglich galvanisch oder stromlos
verstärkt werden.
Als metallorganische Stoffe zur Erzeugung des entsprechenden
Filmes werden hauptsächlich Kupferformiat oder Kupferacetat
eingesetzt. Beide Substanzen werden jeweils auf ein Substrat,
beispielsweise einen Kunststoff, aufgebracht und getrocknet.
Dabei ist es notwendig, daß die jeweilige, den Film bildende
Substanz amorph vorliegt. Um dies in der Praxis zu erreichen,
sind jedoch teilweise sehr aufwendige Vorgehensweisen notwen
dig.
Kupferformiat kristallisiert in der Regel beim Trocknen aus.
Kupferacetatschichten weisen nach dem Trocknen eine unten lie
gende dünne, amorphe Schicht auf und eine darüberliegende kri
stalline Schicht. In der Literatur beschriebene Methoden zur
Erzeugung eines insgesamt amorphen Filmes verwenden entweder
bestimmte Hilfssubstanzen und/oder eine sehr genaue
Temperaturregelung für die Zeit der Abscheidung bzw.
Trocknung. In diesem Zusammenhang ist zu erwähnen, daß der
amorphe Zustand möglichst über längere Zeit beibehalten
werden muß, damit ein zeitlicher Spielraum für die nach
folgende Laserbearbeitung existiert. Die bisher bekannten
Methoden zur amorphen Abscheidung der genannten Substanzen
sind jedoch sehr aufwendig.
Aus der DE-A-38 26 046 ist ein Verfahren zur Herstellung
von metallischen Schichten bekannt. Es wird eine Schicht
aus Palladiumacetat durch die Einwirkung von Laser
strahlung thermisch zersetzt, wobei sich eine metallische
Schicht aus Palladium ausbildet. Es wird erwähnt, daß eine
flächenhafte Ausbildung der Schicht möglich ist, sowie
eine strukturierte Ausbildung mittels einer Maske oder
mittels gelenkter Laserstrahlung.
Die DE-A-38 40 201 beschreibt ein Kontaktierverfahren zur
Beschichtung von Begrenzungsflächen unter Einsatz von
metallorganischen Verbindungen. Die Kontaktierschicht kann
beispielsweise durch ein Metall dargestellt werden.
Spezielle Hineise auf den Einsatz bzw. die Handhabung von
Kupferacetat oder Kupferformiat sind den folgenden beiden
Literaturstellen zu entnehmen: -′Fast laser writing of
copper and iridium lines from thin solid surface layers of
metalorganic compounds′; P. Hoffmann, B. Lecohier, S.
Goldoni, H. van den Bergh; Applied Surface Science 43
(1989) 54-60; Elsevier Science Publishers B.V. (North-
Holland) und -′Laser writing of copper lines from metal
organic films′; A. Gupta, R. Jagannathan; Appl. Phys. Lett.
51 (26), 28.12.1987, S. 2254-2256; American Institute of
Physics.
Beide Literaturstellen befassen sich mit der Metallisierung
durch Laserstrahlung aus metallorganischen Filmen. Dabei
wird im Artikel von Hoffmann et al auf der Seite 55 unter
Punkt 3.1. vermerkt, daß Kupferformiat nach dem Aufsprühen
auch auskristallisierte, jedoch nicht so schnell wie
andere Substanzen. Der Artikel von Gupta et al vermerkt
auf der Seite 2254, daß eine Lösung aus Kupferformiat beim
Trocknen Kristallisationserscheinungen zeigt und daß der
Film kristallin und rauh wirkt. Eine metallorganische
Substanz bzw. ein Gemisch das beim Trocknen über längere
Zeit im amorphen Zustand ist, ist aus der Literatur nicht
bekannt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
zur lokalen Kupferabscheidung aus metallorganischen Filmen
bereitzustellen, wobei der metallorganische Film sich
leicht aufbringen läßt, in amorphem Zustand vorliegt und
diesen Zustand über längere Zeit hält.
Die Lösung dieser Aufgabe geschieht durch den Einsatz
eines metallorganischen Filmes, der aus einem Gemisch von
Kupferacetat und Kupferformiat hergestellt wird und einen
amorphen Film auf einem Substrat bildet.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß sich ein
Gemisch aus Kupferacetat und Kupferformiat leichter auf
ein Substrat aufbringen läßt, als die einzelnen Substanzen
für sich. Das Gemisch dieser beiden Substanzen bildet
einen amorphen Film. Ein Substrat mit einem derartigen
Film läßt sich zumindest mehrere Tage lang lagern, ohne
daß Kristallisationsvorgänge im Film auftreten.
Neben der Notwendigkeit eines amorphen metallorganischen
Filmes für lokalen Kupferabscheidungen, die mittels Laser
erzeugt werden, ergibt sich somit auch der Vorteil einer
variableren Weiterverarbeitungszeit.
Die bisher gängige Meinung besagte, daß beim Trocknen
einer Schicht aus einem Gemisch von Kupferformiat und
Kupferacetat eine Entmischung stattfindet und als Folge
davon zumindest eine Substanz ausfällt bzw. über längere
Zeit separiert wird und in kristallinem Zustand vorliegt.
Infolge dessen würde der Einsatz einer entsprechenden
Mischung als nicht sinnvoll
Die Erfindung verwendet entgegen der bisher gängigen Meinung
ein Gemisch aus Kupferformiat und Kupferacetat und erzielt da
mit eine nicht vorhersehbare Wirkung. Es tritt weder beim
Trocknen bzw. bei der Herstellung des Filmes noch in einer ab
sehbaren Zeit danach eine Entmischung bzw. eine
Kristallisation auf.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht ein Mi
schungsverhältnis zwischen Kupferacetat und Kupferformiat von
1 : 5 vor. Bei Versuchen, in denen der metallorganische Film in
einem Heizschrank durch entsprechendes Eintrocknen einer je
weilig wäßrigen Lösung erzeugt wurde, hat sich dieses Mi
schungsverhaltnis als besonders vorteilhaft erwiesen.
Claims (2)
1. Verfahren zur lokalen Kupferabscheidung aus metallorgani
schen Filmen auf einem Substrat mittels eines Lasers, wobei
der metallorganische Film im amorphen Zustand vor
liegt, insbesondere zur Ausbildung von Leiterbahnen an
elektronischen Einheiten,
dadurch gekennzeichnet
daß der metallorganische Film aus einem Gemisch von Kup
feracetat und Kupferformiat hergestellt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet
daß das Mischungsverhältnis zwischen Kupferacetat und Kup
ferformiat 1 : 5 beträgt.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
DE4210400A DE4210400C1 (en) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | Local copper@ deposition from organo:metallic film on substrate - by forming film from mixt. of copper acetate and copper formate in specified ratio and depositing film by laser irradiation |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE4210400A DE4210400C1 (en) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | Local copper@ deposition from organo:metallic film on substrate - by forming film from mixt. of copper acetate and copper formate in specified ratio and depositing film by laser irradiation |
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DE4210400C1 true DE4210400C1 (en) | 1993-01-07 |
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ID=6455430
Family Applications (1)
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DE4210400A Expired - Fee Related DE4210400C1 (en) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | Local copper@ deposition from organo:metallic film on substrate - by forming film from mixt. of copper acetate and copper formate in specified ratio and depositing film by laser irradiation |
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