DE4219665A1 - Fluessigkristallanzeige - Google Patents
FluessigkristallanzeigeInfo
- Publication number
- DE4219665A1 DE4219665A1 DE4219665A DE4219665A DE4219665A1 DE 4219665 A1 DE4219665 A1 DE 4219665A1 DE 4219665 A DE4219665 A DE 4219665A DE 4219665 A DE4219665 A DE 4219665A DE 4219665 A1 DE4219665 A1 DE 4219665A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- crystal display
- display according
- picture element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Flüssigkristallanzeige (nachfolgend LCD ab
gekürzt) nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, insbesondere auf eine aktive
Matrix-LCD.
In Reaktion auf einen rasch wachsenden Bedarf an platzsparenden personenbezoge
nen Anzeigen, die als primäre Schnittstelle für die Informationsübertragung zwischen
Mensch und Computer (oder anderen Arten von computerisierten Einrichtungen)
dienen, sind verschiedene Arten von flachen Bildschirmen oder Anzeigefeldern ent
wickelt worden, um herkömmliche Anzeigeeinrichtungen, insbesondere CRTs (Ka
thodenstrahlröhren), die relativ groß, sperrig und hinderlich sind, zu ersetzen. Mit
die attraktivsten dieser flachen Anzeigefelder sind LCDs, die in einigen Modellen
die Farbbildqualität von CRTs erreichen oder übertreffen. Insbesondere verwenden
LCDs in einer aktiven Matrix-Ausführung eine Kombination von Flüssigkristall- und
Halbleitertechnologie und werden als den CRT-Anzeigen überlegen angesehen.
Die aktiven Matrix-LCDs verwenden ein aktives Bauelement mit nichtlinearer Cha
rakteristik für die Ansteuerung eines jeden einer Vielzahl von in einer Matrixkon
figuration angeordneten Bildelementen, um dadurch sowohl eine Speicherfunktion
als auch einen elektronisch-optischen Effekt eines Flüssigkristalls bereitzustellen.
Gewöhnlich wird als aktives Bauelement ein Dünnschichttransistor (nachfolgend
TFT abgekürzt) verwendet. In einer aktiven Matrix-LCD, die derartige aktive Bau
elemente verwendet, sind Millionen oder sogar Milliarden von TFTs zusammen mit
einem Bildelementadressen-Verdrahtungsmuster auf einem Glassubstrat integriert,
um dadurch eine Ansteuerschaltung für die aktive Matrix bereitzustellen, wobei die
TFTs als Schaltelemente dienen. In einer derartigen aktiven Matrix-LCD ist das Öff
nungsverhältnis der einzelnen Bildelemente ungünstigerweise verkleinert, wodurch
gleichzeitig die Helligkeit der LCD reduziert ist.
Um die oben beschriebene Schwierigkeit zu überwinden, ist eine verbesserte aktive
Matrix-LCD vorgeschlagen worden, die mit einer zusätzlichen Lichtabschirmschicht
versehen ist, wie in einem Artikel mit dein Titel "High-Resolution 10.3-in.-Diagonal
Multicolor TFT-LCD" von M. Tsunrura, M. Kitajima, K. Funahata, Y. Wakir, R.
Saito, Y. Mikami, Y. Nagal und T. Tsukada in SID 91 DIGEST, Seiten 215-218, her
ausgegeben von Hitachi, beschrieben ist. In der verbesserten aktiven Matrix-LCD
gemäß obiger Veröffentlichung wird eine doppelte Lichtabschirmschichtstruktur ein
gesetzt, um ein großes Öffnungsverhältnis und ein hohes Kontrastverhältnis zu erzie
len, wodurch die optischen Anzeigecharakteristika der LCD verbessert werden. Die
doppelte Lichtabschirmschichtstruktur beinhaltet eine erste, auf einem vorderseiti
gen Glassubstrat, auf dem ein herkömmliches Farbfilter vorgesehen ist, gebildete
Lichtabschirmschicht und eine zweite, auf einem rückseitigen Glassubstrat, auf dem
die TFTs angeordnet sind, gebildete Lichtabschirmschicht. Eine LCD mit einer der
artigen doppelten Lichtabschirmschichtstruktur weist ein Öffnungsverhältnis auf,
das relativ zu einer LCD mit nur der herkömmlichen ersten Lichtabschirmschicht
um 6% bis 20% verbessert ist.
Ein gewichtiger Nachteil der oben beschriebenen LCD mit doppelter Lichtabschirm
schichtstruktur besteht jedoch darin, daß zur Bildung einer der Elektroden eines
jeweils einem Bildelement zugeordneten Speicherkondensators ein lichtundurchlässi
ges Metall verwendet wird, wodurch die von jedem Speicherkondensator belegte
Fläche von dem Öffnungsgebiet des ihm zugeordneten Bildelements ausgenommen
ist, was den Effekt hat, daß das Öffnungsverhältnis reduziert wird. Außerdem erfor
dert das Verfahren zur Herstellung der zweiten Lichtabschirmschicht die Anbringung
einer Lichtabschirmschicht vor der Bildung einer Isolationsschicht, lediglich, um
während der Herstellung der TFTs Licht abzuschirmen, wodurch zusätzliche Prozeß
schritte nötig werden, die Kosten und Komplexität des LCD-Herstellungsverfahrens
ungebührlich erhöhen.
Wie aus dem vorhergehenden offensichtlich ist, gibt es gegenwärtig Bedarf an ei
ner aktiven Matrix-LCD, die die oben beschriebenen Schwierigkeiten und Mängel
gegenwärtig erhältlicher aktiver Matrix-LCDs überwindet.
Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung einer Flüssigkristallanzeige mit großem
Öffnungs- und hohem Kontrastverhältnis, welche die oben beschriebenen Schwierig
keiten und Nachteile vermeidet.
Diese Aufgabe wird durch eine Flüssigkristallanzeige mit den Merkmalen des Patent
anspruchs 1 gelöst. Hierbei ist das Layout der ersten, jeweils einer Bildelementelek
trode zugeordneten Speicherkondensatorelektrode in neuartiger Weise dahingehend
modifiziert, daß sie die Bildelementelektrode im wesentlichen randseitig umgibt, wo
durch sich ein vergleichsweise hohes Öffnungs- und Kontrastverhältnis ergibt.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Insbesondere ist vorzugsweise vorgesehen, daß die ersten Kondensatorelektroden mit
einem geringfügigen Randbereich der jeweiligen Bildelementelektrode überlappen,
und zwar in einer Breite, die ausreicht, die Bildung einer abrupten Stufe zu verhin
dern.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung sowie zu deren besserem Verständ
nis eine bekannte aktive Matrix-LCD sind in den beigefügten Zeichnungen darge
stellt und werden nachfolgend beschrieben.
Fig. 1A zeigt eine ausschnittweise Draufsicht auf eine bevorzugte Ausführungs
form einer erfindungsgemäßen aktiven Matrix-LCD des Typs mit zusätz
lichem Kondensator,
Fig. 1B einen Querschnitt entlang der Linie A-A′ in Fig. 1A,
Fig. 1C einen Querschnitt entlang der Linie B-B′ in Fig. 1A,
Fig. 2A eine ausschnittweise Draufsicht auf eine bekannte aktive Matrix-LCD
des Typs mit zusätzlichem Kondensator, und
Fig. 2B einen Querschnitt entlang der Linie A-A′ in Fig. 2A.
In den Fig. 2A und 2B ist ausschnittweise eine Draufsicht bzw. ein Querschnitt
einer bekannten, aktiven Matrix-LCD des Typs mit zusätzlichem Kondensator zu
sehen. Obwohl nur ein einzelner Bildelementbereich (und Teile von angrenzenden
Gebieten) der bekannten aktiven Matrix-LCD in den Fig. 2A und 2B gezeigt ist,
was vom Durchschnittsfachmann auf diesem Gebiet ohne weiteres erkannt werden
kann, enthält die LCD in ihrer vollständigen Form eine Vielzahl von Abtastsignal
elektrodenzeilen (1) und von orthogonalen Anzeigesignalelektrodenspalten (5a), die
in einer Matrixkonfiguration angeordnet sind, um eine entsprechende Matrix von
Bildelementen in den Bereichen zu definieren, die durch zwei benachbarte Abtast
signalelektrodenzeilen (1) und zwei benachbarte Anzeigesignalelektrodenspalten (5a)
begrenzt sind. In jedem Bildelementbereich sind ein Speicherkondensator (C) und
ein Schaltelement, wie z. B. ein TFT, vorgesehen.
Wie aus Fig. 2A ersichtlich, ist die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators
(C) als ein integraler, lappenartiger Teil einer jeweiligen Abtastsignalelektrode (1)
ausgebildet. Entsprechend ist die Gate-Elektrode (G) jedes TFTs als ein integraler
lappenartiger Teil einer jeweiligen Abtastsignalelektrode (1) ausgebildet. Des wei
teren ist die Source-Elektrode (5b) jedes TFTs als ein integraler, lappenartiger Teil
einer jeweiligen Anzeigesignalelektrode (5a) ausgebildet, wobei zwischen der Gate-
Elektrode (G) und der Source-Elektrode (5b) jedes TFTs eine Halbleiterschicht (3)
vorgesehen ist. Außerdem ist in jedem Bildelementbereich eine transparente Bild
elementelektrode (4) vorgesehen.
Alle Abtastsignalelektroden (1), Anzeigesignalelektroden (5a), Kondensatoren (C),
TFTs und Bildelementelektroden (4) sind als Teil einer Mehrschichtstruktur gebil
det, die sich an der nach innen gerichteten Oberfläche eines rückseitigen Glassub
strats (100) befindet, wie in Fig. 2B zu sehen ist. Insbesondere werden die erste
Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) und jede Abtastsignalelektrode (1)
gleichzeitig durch geeignete Strukturierung (z. B. durch ein herkömmliches Fotolitho
grafieverfahren) einer lichtundurchlässigen Metallschicht, z. B. aus Aluminium (Al),
Chrom (Cr), Molybdän (Mo) oder Tantal (Ta), die auf der nach innen gerichteten
Oberfläche des rückwärtigen Glassubstrats (100) abgeschieden ist, gebildet. Danach
wird eine Isolationsschicht (2) über den Elektroden (1) und (10) und den freilie
genden Bereichen der nach innen gerichteten Oberfläche des rückwärtigen Glassub
strats (100) ausgebildet. Als nächstes werden die Anzeigesignalelektroden (5a) und
die transparenten Bildelementelektroden (4) getrennt gebildet, z. B. durch aufein
anderfolgende Fotolithografieprozesse. Dann wird eine Schutzschicht (6) über den
Elektroden (4) und (5a) und den freiliegenden Bereichen der Isolationsschicht (2)
abgeschieden, um dadurch die an der nach innen gerichteten Oberfläche des rück
seitigen Glassubstrats (100) vorgesehene Mehrschichtstruktur zu vervollständigen.
Wie insbesondere in Fig. 2B zu erkennen, beinhaltet die bekannte aktive Matrix-
LCD des weiteren ein parallel zum rückseitigen Glassubstrat (100) orientiertes, vor
derseitiges Glassubstrat (101) mit einer an dessen nach innen gerichteter Oberfläche
gebildeten Mehrschichtstruktur. Ausführlicher gesagt ist auf der nach innen ge
richteten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats (101) eine schwarze Matrix-
Lichtabschirmschicht (20) ausgebildet. Die schwarze Matrix-Lichtabschirmschicht
(20) ist in geeigneter Weise strukturiert, z. B. durch einen Standard-Fotolithogra
fieprozeß, um eine Matrix von Fenstern bzw. Öffnungsgebieten zu definieren, die
parallel und justiert zur Matrix der auf dem rückseitigen Glassubstrat (100) an
geordneten Bildelementelektroden (4) verläuft. Danach wird eine Farbfilterschicht
(21) über der schwarzen Matrix-Lichtabschirmschicht (20) und den freiliegenden Ge
bieten der nach innen gerichteten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats (101)
abgeschieden. Die Farbfilterschicht (21) enthält in den Öffnungsgebieten angeord
nete, lichtdurchlässige Abschnitte (21a). Als nächstes wird eine Schutzschicht (22)
über der Farbfilterschicht (21) gebildet. Dann wird eine transparente Elektrode (23)
über der Schutzschicht (22) abgeschieden, um dadurch die auf der nach innen gerich
teten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats vorgesehene Mehrschichtstruktur
zu vervollständigen.
Wie weiter aus Fig. 2B ersichtlich ist, beinhaltet die bekannte aktive Matrix-LCD
ferner eine dünne, zwischen dein vorderseitigen (101) und dem rückseitigen (100)
Glassubstrat in Kontakt mit der transparenten Elektrode (23) und der Schutzschicht
(6) angeordnete Flüssigkristallschicht. Nachfolgende, dem Durchschnittsfachmann
auf diesem Gebiet wohlbekannte Prozeßschritte werden daraufhin ausgeführt, um die
Substrate (100) und (101) fest miteinander verbunden zu halten und den Flüssig
kristall innerhalb des dazwischen ausgebildeten Hohlraums luftdicht einzuschließen.
Auf der Grundlage der vorstehenden Beschreibung der bekannten aktiven Matrix-
LCD wird nun erkennbar, daß sie an den folgenden Nachteilen leidet. Speziell ist, da
die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) aus einem lichtundurchlässi
gen Metall besteht und sie des weiteren mit einem merklichen Teil der ihr zuge
ordneten Bildelementelektrode (4) überlappt, die Öffnungsfläche jedes Bildelements
merklich reduziert, wodurch dessen Öffnungsverhältnis verringert ist. Außerdem
müssen die Anzeigesignal- bzw. Bildelementelektroden (5a) und (4), da sie auf der
gleichen Isolationsschicht (2) ausgebildet sind, durch einen vorgegebenen Abstand
voneinander getrennt sein, um eine genügende elektrische Isolierung zwischen ihnen
zu erreichen, wodurch das Kontrastverhältnis der LCD erniedrigt wird.
Nunmehr bezugnehmend auf die Fig. 1A, 1B und 1C, ist dort eine aktive Matrix-
LCD des Typs mit zusätzlichem Kondensator zu erkennen, die gemäß den Prinzi
pien der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist. Wie ohne weiteres durch alleini
gen Vergleich der Fig. 2A und 1A ersichtlich ist, ist die aktive Matrix-LCD
der vorliegenden Erfindung im wesentlichen in der gleichen Weise aufgebaut wie
die in den Fig. 2A und 2B dargestellte bekannte aktive Matrix-LCD, mit der
Ausnahme, daß das Layout der jeweils einer Bildelementelektrode (4) zugeordneten
ersten Elektrode (10) in einer solchen Weise modifiziert ist, daß das Öffnungs- und
das Kontrastverhältnis im Vergleich zu jenen der oben genannten, bekannten aktiven
Matrix-LCD merklich erhöht ist. Spezieller ist die lichtundurchlässige Metallschicht,
aus der die Abtastsignalelektroden und die ersten Elektroden (10) der Speicherkon
densatoren (C) gebildet sind, derart strukturiert, daß die ersten Elektroden (10)
der Speicherkondensatoren (C) die ihnen zugeordneten Bildelementelektroden (4)
im wesentlichen umgeben und vorzugsweise nur mit einem geringfügigen Randbe
reich der ihnen zugeordneten Bildelementelektroden (4) um deren Berandung herum
überlappen. Wie aus Fig. 1B deutlicher zu ersehen, ist die erste Elektrode (10) jedes
Speicherkondensators (C) im wesentlichen völlig unter der sich an der nach innen
gerichteten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats (101) befindenden schwar
zen Matrix-Lichtabschirmschicht (20) angeordnet und erstreckt sich nicht bis zur
Umrandung des Öffnungsgebiets, wodurch das Öffnungsverhältnis gegenüber dem
der bekannten aktiven Matrix-LCD merklich vergrößert wird.
Zusätzlich bewirkt ein derartiges Layout, bei dem die erste Elektrode (10) jedes
Speicherkondensators (C) die jeweilige Bildelementelektrode (4) im wesentlichen um
gibt, daß die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) als eine zusätzliche
(d. h. zusätzlich zu der schwarzen Matrix-Lichtabschirmschicht (20)) Lichtabschirm
schicht dient, wie am deutlichsten in Fig. 1B veranschaulicht ist. Ganz besonders
ist es wünschenswert, das durch das Öffnungsgebiet des vorderseitigen Glassubstrats
(101) emittierte Licht so gut wie möglich auf lediglich das Licht zu beschränken, das
durch den Teil des Flüssigkristalls projiziert wird, der innerhalb der Umrandung des
Öffnungsgebiets enthalten und über jeder Bildelementelektrode (4) angeordnet ist.
Dieses Ziel wird im allgemeinen durch Minimierung der Menge von Fremdlicht (als
"Leck-Licht" bezeichnet) erreicht, das durch das Öffnungsgebiet des vorderseitigen
Glassubstrats (101) hindurch von Bereichen des Flüssigkristalls abgestrahlt wird,
die sich außerhalb der Umrandung des Öffnungsgebiets befinden.
Im Fall der in Fig. 2B dargestellten bekannten aktiven Matrix-LCD ist zu sehen,
daß alles Fremdlicht, das unter einem Einfallswinkel größer als R1 auf das vorder
seitige Glassubstrat (101) trifft, durch das Öffnungsgebiet des vorderseitigen Glas
substrats (101) hindurch abgestrahlt wird. Zum Vergleich dazu wird im Fall der
erfindungsgemäßen aktiven Matrix-LCD, wie in Fig. 1B dargestellt, nur Fremdlicht,
das unter einem Einfallswinkel größer als R2 auf das vorderseitige Glassubstrat (101)
trifft, durch das Öffnungsgebiet des vorderseitigen Glassubstrats (101) hindurch ab
gestrahlt. Alles Fremd- bzw. Leck-Licht, das unter einem kleineren als dem kriti
schen bzw. Einfang-Einfallswinkel R2 auf das vorderseitige Glassubstrat (101) trifft,
wird von der ersten Elektrode (10) des angrenzenden Speicherkondensators (C) ab
gefangen. So reduziert die vorliegende Erfindung die Menge an Leck-Licht, die durch
das Öffnungsgebiet des vorderseitigen Glassubstrats (101) abgestrahlt wird, relativ
zur oben genannten, bekannten aktiven Matrix-LCD, um einen Betrag, der propor
tional zur Differenz R2-R1 ist, wodurch das Kontrastverhältnis im Vergleich zu
demjenigen der bekannten aktiven Matrix-LCD merklich erhöht wird.
Des weiteren überlappt, wie am deutlichsten aus Fig. 1C ersichtlich ist, bei der vor
liegenden Erfindung vorzugsweise ein Randbereich jeder Bildelementelektrode (4)
mit der ersten Elektrode (10) des ihr zugeordneten Speicherkondensators (C) in
einer vorgegebenen Breite, die ausreicht, sicherzustellen, daß die Randbegrenzung
jeder Bildelementelektrode (4) auf der gleichen Ebene wie die erste Elektrode (10)
des ihr zugeordneten Speicherkondensators (C) gebildet ist, ohne eine abrupte Stufe
überbrücken zu müssen. Im Gegensatz dazu bildet sich bei der bekannten akti
ven Matrix-LCD an der Grenze zwischen jeder Bildelementelektrode (4) und der
distalen Kante der ersten Elektrode (10) des ihr zugeordneten Speicherkondensators
(C) notwendigerweise eine abrupte Stufe. So sind Probleme wie Schwächung oder
Aufbrechen von Bildelementelektrodenstrukturen aufgrund mangelhafter Stufenbe
deckung unvermeidlich, was eine verminderte Ausbeute sowie erhöhte Herstellungs
schwierigkeiten und -kosten zur Folge hat. Die vorliegende Erfindung eliminiert diese
Probleme.
Zudem überlappt, was ebenso am deutlichsten in Fig. 1C veranschaulicht ist, die
Source-Elektrode (5b) jedes TFTs mit der ersten Elektrode (10) eines jeweiligen
Speicherkondensators (C) in deren gesamter Breite, wodurch das Problem des Stan
des der Technik der schwächeren Stufenbedeckung der Source-Elektrode (5b) entlang
der Kante der jeweiligen Bildelementelektrode (1) eliminiert wird.
Obwohl hier eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrie
ben wurde, versteht es sich, daß viele Variationen und/oder Modifikationen der hier
gelehrten, erfinderischen Grundkonzepte, die für Fachleute auf diesem Gebiet er
sichtlich sind, hinsichtlich Idee und Umfang unter die vorliegende Erfindung, wie sie
in den beigefügten Ansprüchen definiert ist, fallen.
Claims (17)
1. Flüssigkristallanzeige mit
- - wenigstens einem Substrat;
- - einer Vielzahl von Abtastsignalelektrodenzeilen (1) und Anzeigesignalelektroden spalten (5a), die in einer Matrixkonfiguration auf einer Hauptoberfläche des Sub strats angeordnet sind, um eine Matrix von Bildelementbereichen zu definieren, von denen jeder durch zwei benachbarte Abtastsignalelektrodenzeilen (1) und zwei be nachbarte Anzeigesignalelektrodenspalten (5a) begrenzt ist;
- - einer in jedem Bildelementbereich angeordneten Bildelementelektrode (4);
- - einem in jedem Bildelementbereich angeordneten Schaltelement (TFT), das zwi schen eine jeweilige Anzeigesignalelektrode (5a) und eine jeweilige Bildelementelek trode (4) eingeschleift ist; und
- - einem in jedem Bildelementbereich angeordneten Speicherkondensator (C); dadurch gekennzeichnet, daß
- - jeder Speicherkondensator (C) eine erste Elektrode (10) besitzt, die derart ange ordnet ist, daß sie die jeweilige Bildelementelektrode (4) im wesentlichen umgibt.
2. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch
- - ein vorderseitiges Glassubstrat (101) mit einer nach innen und einer nach außen gerichteten Oberfläche;
- - ein rückseitiges Glassubstrat (100) mit einer nach innen und einer nach außen gerichteten Oberfläche, das parallel und mit Abstand zum vorderseitigen Glassub strat (101) angeordnet ist, wobei die nach innen gerichteten Oberflächen des vorder und des rückseitigen Glassubstrats (101, 100) einander gegenüber liegen und die Vielzahl von Abtastsignalelektrodenzeilen (1) und Anzeigesignalelektrodenspalten (5a) auf der nach innen gerichteten Oberfläche des rückseitigen Glassubstrats (100) angeordnet sind;
- - eine auf der nach innen gerichteten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats (101) angeordnete schwarze Matrix-Lichtabschirmschicht (20), wobei letztere derar tig strukturiert ist, daß sie eine zur Matrix der Bildelementbereiche justierte Matrix von lichtdurchlässigen Öffnungen definiert;
- - eine an der nach innen gerichteten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats (101) angeordnete Farbfilterschicht (21), welche die schwarze Matrix-Lichtabschirm schicht (20) überdeckt, wobei die Farbfilterschicht (21) lichtdurchlässige, die licht durchlässigen Öffnungen überdeckende Abschnitte (21a) enthält;
- - eine über der Farbfilterschicht (21) angeordnete, transparente Elektrode (23); und
- - eine zwischen dem vorderseitigen (101) und dem rückseitigen (100) Glassubstrat angeordnete Flüssigkristallschicht.
3. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine erste
Schutzschicht (22), die zwischen der Farbfilterschicht (21) und der transparenten
Elektrode (23) angeordnet ist.
4. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 2 oder 3, gekennzeichnet durch eine
zweite Schutzschicht (6), die die nach innen gerichtete Oberfläche des rückseitigen
Glassubstrats (100) überdeckt.
5. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Flüssigkristallschicht in Kontakt mit der zweiten Schutzschicht (6) und der trans
parenten Elektrode (23) angeordnet ist.
6. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeich
net, daß die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) und die Abtast
signalelektroden (1) in einer gemeinsamen ersten sowie die Anzeigesignalelektroden
(5a) und die Bildelementelektroden (4) in einer gemeinsamen zweiten Ebene liegen,
die von der ersten Ebene durch eine dazwischen angeordnete Isolationsschicht (2)
beabstandet ist.
7. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeich
net, daß jedes Schaltelement zu einer Ecke eines jeweiligen Bildelementbereiches be
nachbart angeordnet ist, wobei die Ecke durch die Kreuzungsstelle einer jeweiligen
Anzeigesignalelektrode (5a) mit einer jeweiligen Abtastsignalelektrode (1) definiert
ist.
8. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Randbegrenzung der durch Randbereiche der schwarzen Matrix-
Lichtabschirmschicht (20) definierten Öffnungen in im wesentlichen vertikaler Rich
tung zu der inneren Randkante der ersten Elektrode (10) des jeweiligen Speicher
kondensators (C) justiert ist, wobei die ersten Elektroden (10) der jeweiligen Spei
cherkondensatoren (C) als zusätzliche Lichtabschirmelemente zur Minimierung der
Menge an Fremdlicht, dessen Abstrahlung durch die Öffnungen erlaubt ist, wirken.
9. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeich
net, daß die Projektion jeder Öffnung durch das rückseitige Glassubstrat (100) eine
imaginäre Öffnungseinhüllende definiert, und sich die erste Elektrode (10) des je
weiligen Speicherkondensators (C) nicht bis zu der imaginären Öffnungseinhüllenden
erstreckt.
10. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) und jede Ab
tastsignalelektrode (1) Teil einer gemeinsamen, strukturierten Schicht sind.
11. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die
gemeinsame, strukturierte Schicht aus mindestens einem lichtundurchlässigen Metall
besteht, das aus der Aluminium, Chrom, Molybdän und Tantal umfassenden Gruppe
ausgewählt ist.
12. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet,
daß jedes Schaltelement einen Dünnschichttransistor mit einer Gate-Elektrode (G)
aufweist, die ebenfalls Teil der gemeinsamen, strukturierten Schicht ist.
13. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeich
net, daß jedes Schaltelement einen Dünnschichttransistor (TFT) beinhaltet mit:
- - einer Gate-Elektrode (G), die einen integralen, lappenartigen Teil einer jeweiligen Abtastsignalelektrode (1) bildet;
- - einer Source-Elektrode (5b), die einen integralen, lappenartigen Teil einer jewei ligen Anzeigesignalelektrode (5a) bildet, wobei die Source-Elektrode (5b) die erste Elektrode (10) eines jeweiligen Speicherkondensators (C) in deren gesamter Breite überdeckt.
- - einer Drain-Elektrode (5a), die die jeweilige Abtastsignalelektrode (1) beinhaltet; und
- - einer Halbleiterschicht (3), die auf der Isolationsschicht (2) und über der Gate- Elektrode (G) angeordnet ist, wobei die Halbleiterschicht (3) derart strukturiert ist, daß sie sich zwischen der Source-Elektrode (5b) und der Drain-Elektrode (5a) erstreckt.
14. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die
Source-Elektrode (5b) jedes Dünnschichttransistors mit einem geringfügigen Rand
bereich einer jeweiligen Bildelementelektrode (4) überlappt.
15. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekenn
zeichnet, daß die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) mit einem
geringfügigen Randbereich der jeweiligen Bildelementelektrode (4) um deren Beran
dung herum überlappt.
16. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die erste
Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) mit dem geringfügigen Randbereich
der jeweiligen Bildelementelektrode (4) in einer vorgegebenen Breite überlappt, die
ausreicht, sicherzustellen, daß der geringfügige Randbereich auf der ersten Elektrode
(10) gebildet ist, ohne eine abrupte Stufe überbrücken zu müssen.
17. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Gate-Elektrode (G), die Halbleiterschicht (3) und die Drain-
Elektrode (5a) jedes Dünnschichttransistors gänzlich außerhalb der Randbegrenzung
der jeweiligen Bildelementelektrode (4) angeordnet sind.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR91-15530 | 1991-09-05 | ||
KR1019910015530A KR940004322B1 (ko) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4219665A1 true DE4219665A1 (de) | 1993-03-11 |
DE4219665B4 DE4219665B4 (de) | 2004-01-08 |
Family
ID=19319641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4219665A Expired - Lifetime DE4219665B4 (de) | 1991-09-05 | 1992-06-16 | Flüssigkristallanzeige |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5339181A (de) |
JP (1) | JP2950487B2 (de) |
KR (1) | KR940004322B1 (de) |
DE (1) | DE4219665B4 (de) |
GB (1) | GB2259392B (de) |
TW (1) | TW351464U (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6373546B1 (en) | 1997-03-03 | 2002-04-16 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Structure of a liquid crystal display and the method of manufacturing the same |
DE4318028B4 (de) * | 1992-06-01 | 2004-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Flüssigkristallanzeigeeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
Families Citing this family (107)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5771082A (en) * | 1991-10-11 | 1998-06-23 | Thomson-Lcd | Active matrix display utilizing an embedded ground plane |
JPH06194687A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-07-15 | Nec Corp | 透過型アクティブマトリクス型液晶素子 |
JP2907629B2 (ja) * | 1992-04-10 | 1999-06-21 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示パネル |
TW226044B (de) * | 1992-04-15 | 1994-07-01 | Toshiba Co Ltd | |
JP2814161B2 (ja) | 1992-04-28 | 1998-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス表示装置およびその駆動方法 |
US6693681B1 (en) | 1992-04-28 | 2004-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
JPH05341315A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置 |
US5459596A (en) * | 1992-09-14 | 1995-10-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Active matrix liquid crystal display with supplemental capacitor line which overlaps signal line |
JP2924506B2 (ja) * | 1992-10-27 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造 |
KR960006205B1 (ko) * | 1992-12-30 | 1996-05-09 | 엘지전자주식회사 | 티에프티-엘씨디(tft-lcd)의 구조 |
US5532853A (en) * | 1993-03-04 | 1996-07-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reparable display device matrix for repairing the electrical connection of a bonding pad to its associated signal line |
GB2308218B (en) * | 1993-03-04 | 1997-08-20 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display and method for manufacturing the same |
JP3529153B2 (ja) * | 1993-03-04 | 2004-05-24 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2975844B2 (ja) * | 1993-06-24 | 1999-11-10 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
KR950703753A (ko) * | 1993-07-13 | 1995-09-20 | 사또오 후미오 | 액티브 매트릭스형 표시소자 |
KR0120399Y1 (ko) * | 1993-12-15 | 1998-07-15 | 구자홍 | 액정표시장치 |
JPH07230104A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-08-29 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型表示素子及びその製造方法 |
KR950029830A (ko) * | 1994-04-19 | 1995-11-24 | 가네꼬 히사시 | 액정 디스플레이 셀 |
JP2643835B2 (ja) * | 1994-06-06 | 1997-08-20 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
JP3253808B2 (ja) * | 1994-07-07 | 2002-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
US5483366A (en) * | 1994-07-20 | 1996-01-09 | David Sarnoff Research Center Inc | LCD with hige capacitance pixel having an ITO active region/poly SI pixel region electrical connection and having poly SI selection line extensions along pixel edges |
US5600155A (en) * | 1995-01-03 | 1997-02-04 | Xerox Corporation | Array with metal scan lines controlling semiconductor gate lines |
JP2770763B2 (ja) * | 1995-01-31 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
JPH0926603A (ja) * | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
KR0182014B1 (ko) * | 1995-08-23 | 1999-05-01 | 김광호 | 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판 |
US5835177A (en) * | 1995-10-05 | 1998-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers |
KR100193653B1 (ko) * | 1995-11-20 | 1999-06-15 | 김영환 | 축적 캐패시터를 구비한 스태거 tft-lcd 및 그의 제조방법 |
KR100218293B1 (ko) * | 1995-12-08 | 1999-09-01 | 구본준 | 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법 |
US5657101A (en) * | 1995-12-15 | 1997-08-12 | Industrial Technology Research Institute | LCD having a thin film capacitor with two lower capacitor electrodes and a pixel electrode serving as an upper electrode |
US5782665A (en) * | 1995-12-29 | 1998-07-21 | Xerox Corporation | Fabricating array with storage capacitor between cell electrode and dark matrix |
US6682961B1 (en) | 1995-12-29 | 2004-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
JP3597305B2 (ja) | 1996-03-05 | 2004-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置およびその作製方法 |
KR100419087B1 (ko) * | 1996-05-22 | 2004-05-24 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
JP3634089B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US5879959A (en) * | 1997-01-17 | 1999-03-09 | Industrial Technology Research Institute | Thin-film transistor structure for liquid crystal display |
WO1998057222A1 (en) * | 1997-06-10 | 1998-12-17 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
TWI269250B (en) * | 1997-06-12 | 2006-12-21 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
KR100286762B1 (ko) * | 1997-06-27 | 2001-04-16 | 박종섭 | 액정 표시 소자 |
US6335776B1 (en) | 1998-05-30 | 2002-01-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode |
KR100357213B1 (ko) | 1998-07-23 | 2002-10-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
KR20000009518A (ko) | 1998-07-25 | 2000-02-15 | 노봉규 | 광시야각을 갖는 수직배향 액정표시소자 |
US6750933B1 (en) | 1998-08-06 | 2004-06-15 | Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. | Liquid-crystal display and the method of its fabrication |
KR100313952B1 (ko) * | 1998-08-20 | 2002-11-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
US6654090B1 (en) | 1998-09-18 | 2003-11-25 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
KR100459482B1 (ko) * | 1998-10-02 | 2005-06-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터및그제조방법 |
KR100288772B1 (ko) * | 1998-11-12 | 2001-05-02 | 윤종용 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100587364B1 (ko) * | 2000-01-12 | 2006-06-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
KR100367009B1 (ko) * | 2000-05-19 | 2003-01-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100595296B1 (ko) | 2000-06-27 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100595295B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티 도메인 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP4401551B2 (ja) * | 2000-09-21 | 2010-01-20 | エーユー オプトロニクス コーポレイション | 液晶表示装置の製造方法、表示装置の製造方法、及び液晶表示装置 |
KR100582598B1 (ko) * | 2000-10-25 | 2006-05-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 빛샘 현상을 방지하는 액정표시장치 |
KR100393389B1 (ko) * | 2001-02-07 | 2003-07-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 콜레스테릭 액정 컬러필터를 이용한 반사형 액정표시장치 |
US7189997B2 (en) | 2001-03-27 | 2007-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US6982194B2 (en) * | 2001-03-27 | 2006-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2004004722A (ja) * | 2002-04-25 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
US7408196B2 (en) | 2002-12-25 | 2008-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
KR101086478B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2011-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101086477B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2011-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 제조 방법 |
KR101043675B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101116816B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101024651B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 모기판 및 그 제조 방법 |
KR101037085B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101121620B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101076426B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101057779B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-08-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101002347B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2010-12-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101116817B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 절연막을 포함하는 액정 패널 및 그 제조 방법 |
KR101147261B1 (ko) | 2004-12-04 | 2012-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101139522B1 (ko) * | 2004-12-04 | 2012-05-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
US7636148B2 (en) * | 2004-12-14 | 2009-12-22 | Lg Display Co., Ltd. | Apparatus and method for repairing liquid crystal display device |
KR101125248B1 (ko) | 2004-12-23 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 컬러필터 기판 및 그 제조방법 |
KR101085137B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2011-11-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 패널 및 그 제조방법 |
KR101107239B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 패널 및 그 제조방법 |
KR101066492B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101107246B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101085138B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-11-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
KR101107245B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101085132B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-11-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101107265B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
KR101107270B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를 이용한액정 패널 및 그 제조 방법 |
KR101107682B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101107267B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를 이용한액정 패널 및 그 제조 방법 |
KR101107269B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
KR101125254B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법 |
US8866707B2 (en) * | 2005-03-31 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, and apparatus using the display device having a polygonal pixel electrode |
KR101201017B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2012-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101182570B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-09-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쇼트 불량 리페어 방법 및 그를 이용한 액정 표시 장치의제조 방법 |
KR101225440B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2013-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101167312B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2012-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 미세 패턴 형성 방법과 그를 이용한 액정 표시 장치 및 그제조 방법 |
JP2007178808A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置 |
US7667808B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-02-23 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of driving the same |
JP5095941B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-12-12 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
US7667809B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-02-23 | Lg. Display Co., Ltd. | FFS mode liquid crystal display device and method of fabricating the same |
JP5452834B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2014-03-26 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
US8233124B2 (en) * | 2005-12-28 | 2012-07-31 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP5044120B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-10-10 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
CN100499138C (zh) * | 2006-10-27 | 2009-06-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种tft lcd阵列基板结构及其制造方法 |
KR101446226B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2014-10-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법 |
US20080205010A1 (en) * | 2007-02-26 | 2008-08-28 | 3M Innovative Properties Company | Active matrix backplanes allowing relaxed alignment tolerance |
US7629206B2 (en) * | 2007-02-26 | 2009-12-08 | 3M Innovative Properties Company | Patterning self-aligned transistors using back surface illumination |
TWM317990U (en) * | 2007-03-13 | 2007-09-01 | Dosun Solar Technology Co Ltd | Structure of bicycle pedal having function of illumination |
KR101383703B1 (ko) | 2007-10-04 | 2014-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
JP5107421B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2012-12-26 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
CN102197337B (zh) * | 2008-11-05 | 2013-12-25 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶面板、液晶面板的制造方法、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机 |
US8779488B2 (en) | 2011-04-15 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
CN109613777B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-06-04 | 惠科股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2203881B (en) * | 1987-04-16 | 1991-03-27 | Philips Electronic Associated | Liquid crystal display device |
JPH0814669B2 (ja) * | 1988-04-20 | 1996-02-14 | シャープ株式会社 | マトリクス型表示装置 |
JP2693513B2 (ja) * | 1988-08-30 | 1997-12-24 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス型液晶表示素子 |
JP2845487B2 (ja) * | 1989-04-20 | 1999-01-13 | 株式会社東芝 | アクティブマトリックス型液晶表示素子 |
JPH0334463A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH03114028A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法 |
JP2714993B2 (ja) * | 1989-12-15 | 1998-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2604867B2 (ja) * | 1990-01-11 | 1997-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 反射型液晶表示デバイス |
JPH03239229A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Sharp Corp | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
JP2893819B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1999-05-24 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタマトリクス |
JPH0467020A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
-
1991
- 1991-09-05 KR KR1019910015530A patent/KR940004322B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1992
- 1992-06-16 JP JP18316392A patent/JP2950487B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-16 DE DE4219665A patent/DE4219665B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-24 GB GB9215745A patent/GB2259392B/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-25 US US07/934,396 patent/US5339181A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-11-14 TW TW084216239U patent/TW351464U/zh unknown
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4318028B4 (de) * | 1992-06-01 | 2004-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Flüssigkristallanzeigeeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
US6373546B1 (en) | 1997-03-03 | 2002-04-16 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Structure of a liquid crystal display and the method of manufacturing the same |
DE19809084C2 (de) * | 1997-03-03 | 2003-04-10 | Lg Philips Lcd Co | Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren dafür |
US6614500B2 (en) | 1997-03-03 | 2003-09-02 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display having a dummy source pad and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB9215745D0 (en) | 1992-09-09 |
TW351464U (en) | 1999-01-21 |
JP2950487B2 (ja) | 1999-09-20 |
DE4219665B4 (de) | 2004-01-08 |
JPH05203981A (ja) | 1993-08-13 |
GB2259392B (en) | 1995-04-19 |
KR940004322B1 (ko) | 1994-05-19 |
GB2259392A (en) | 1993-03-10 |
KR930006477A (ko) | 1993-04-21 |
US5339181A (en) | 1994-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4219665B4 (de) | Flüssigkristallanzeige | |
DE4318028B4 (de) | Flüssigkristallanzeigeeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE69631099T2 (de) | Durchscheinende Anzeigevorrichtung | |
DE102005030672B4 (de) | Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE10361010B4 (de) | Organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE602005004726T2 (de) | Tafel mit Dünnschichttransistormatrix für Flüssigkristallanzeigegerät und Herstellungsverfahren dafür | |
DE102006057773B4 (de) | Matrixsubstrat für eine In-Plane-Switching LCD-Vorrichtung, In-Plane Switching LCD-Vorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE69630255T2 (de) | Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix | |
DE19814676C2 (de) | Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür | |
DE102004053587B4 (de) | Flüssigkristalldisplay-Tafel und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE10159444B4 (de) | Flüssigkristallanzeige-Bildschirm und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE19758065C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines aktiven Paneels für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung | |
DE10360884B4 (de) | Oganische Doppeltafel-Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren für diesselbe | |
DE102007057089B4 (de) | Flüssigkristallanzeige mit Photosensor und Herstellungsverfahren derselben | |
DE3325134A1 (de) | Fluessigkristall-anzeigetafel mit punktmatrixaufbau | |
DE102007027645B4 (de) | IPS-Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE102006026218B4 (de) | Flüssigkristalldisplay-Tafel und Herstellungsverfahren für diese | |
DE19648083B4 (de) | Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE3605001C2 (de) | ||
DE102009044334A1 (de) | Doppeltafel-OELD sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3832991A1 (de) | Zellstruktur fuer matrix-adressierte fluessigkristallanzeigen und verfahren zu deren herstellung | |
DE69433614T2 (de) | Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix | |
DE102018202462B4 (de) | Flüssigkristallanzeigefeld und Flüssigkristallanzeigevorrichtung | |
DE60126876T2 (de) | Flüssigkristallvorrichtung und damit versehenes elektronisches Gerät | |
DE102020133833A1 (de) | Anzeigevorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: PATENTANWAELTE RUFF, WILHELM, BEIER, DAUSTER & PAR |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R071 | Expiry of right | ||
R071 | Expiry of right |