DE4219665B4 - Flüssigkristallanzeige - Google Patents

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Abstract

Flüssigkristallanzeige mit
– wenigstens einem Substrat;
– einer Vielzahl von Abtastsignalelektrodenzeilen (1) und Anzeigesignalelektrodenspalten (5a); die in einer Matrixkonfiguration auf einer Hauptoberfläche des Substrats angeordnet sind, um eine Matrix von Bildelementbereichen zu definieren, von denen jeder durch zwei benachbarte Abtastsignalelektrodenzeilen (1) und zwei benachbarte Anzeigesignalelektrodenspalten (5) begrenzt ist;
– einer in jedem Bildelementbereich angeordneten Bildelementelektrode (4);
– einem in jedem Bildelementbereich angeordneten Schaltelement das zwischen eine jeweilige Anzeigesignalelektrode (5a) und eine jeweilige Bildelementelektrode (4) eingeschleift ist; und
– einem in jedem Bildelementbereich angeordneten Speicherkondensator (C);
dadurch gekennzeichnet, dass
– jeder Speicherkondensator (C) eine erste Elektrode (10) besitzt, die sich als ringförmig geschlossene Struktur von einer jeweiligen Abtastsignalelektrodenzeile aus erstreckt und in der Projektion senkrecht zur Substrathauptoberfläche entlang des Randbereichs der jeweiligen Bildelementelektrode (4) verläuft.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Flüssigkristallanzeige (nachfolgend LCD abgekürzt) nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, insbesondere auf eine aktive Matrix-LCD.
  • In Reaktion auf einen rasch wachsenden Bedarf an platzsparenden personenbezogenen Anzeigen, die als primäre Schnittstelle für die Informationsübertragung zwischen Mensch und Computer (oder anderen Arten von computerisierten Einrichtungen) dienen, sind verschiedene Arten von flachen Bildschirmen oder Anzeigefeldern entwickelt werden, um herkömmliche Anzeigeeinrichtungen, insbesondere CRTs (Kathodenstrahlröhren), die relativ groß, sperrig und hinderlich sind, zu ersetzen. Mit die attraktivsten dieser flachen Anzeigefelder sind LCDs, die in einigen Modellen die Farbbildqualität von CRTs erreichen oder übertreffen. Insbesondere verwenden LCDs in einer aktiven Matrix-Ausführung eine Kombination von Flüssigkristall- und Halbleitertechnologie und werden als den CRT-Anzeigen überlegen angesehen.
  • Die aktiven Matrix-LCDs verwenden ein aktives Bauelement mit nichtlinearer Charakteristik für die Ansteuerung eines jeden einer Vielzahl von in einer Matrixkonfiguration angeordneten Bildelementen, um dadurch sowohl eine Speicherfunktion als auch einen elektronisch-optischen Effekt eines Flüssigkristalls bereitzustellen. Gewöhnlich wird als aktives Bauelement ein Dünnschichttransistor (nachfolgend TFT abgekürzt) verwendet. In einer aktiven Matrix-LCD, die derartige aktive Bauelemente verwendet, sind Millionen oder sogar Milliarden von TFTs zusammen mit einem Bildelementadressen-Verdrahtungsmuster auf einem Glassubstrat integriert, um dadurch eine Ansteuerschaltung für die aktive Matrix bereitzustellen, wobei die TFTs als Schaltelemente dienen. In einer derartigen aktiven Matrix-LCD ist das Offnungsverhältnis der einzelnen Bildelemente ungünstigerweise verkleinert, wodurch gleichzeitig die Helligkeit der LCD reduziert ist.
  • Um die oben beschriebene Schwierigkeit zu überwinden, ist eine verbesserte aktive Matrix-LCD vorgeschlagen worden, die mit einer zusätzlichen Lichtabschirmschicht versehen ist, wie in einem Artikel mit dem Titel „High-Resolution 10.3-in.-Diagonal Multicolor TFT-LCD" von M. Tsunrura, M. Kitajima, K. Funahata, Y. Wakir, R. Saito, Y. Mikami, Y. Nagal und T. Tsukada in SID 91 DIGEST, Seiten 215–218, herausgegeben von Hitachi, beschrieben ist. In der verbesserten aktiven Matrix-LCD gemäß obiger Veröffentlichung wird eine doppelte Lichtabschirmschichtstruktur eingesetzt, um ein großes Öffnungsverhältnis und ein hohes Kontrastverhältnis zu erzielen, wodurch die optischen Anzeigecharakteristika der LCD verbessert werden. Die doppelte Lichtabschirmschichtstruktur beinhaltet eine erste, auf einem vorderseitigen Glassubstrat, auf dem ein herkömmliches Farbfilter vorgesehen ist, gebildete Lichtabschirmschicht und eine zweite, auf einem rückseitigen Glassubstrat, auf dem die TFTs angeordnet sind, gebildete Lichtabschirmschicht. Eine LCD mit einer derartigen doppelten Lichtabschirmschichtstruktur weist ein Öffnungsverhältnis auf, das relativ zu einer LCD mit nur der herkömmlichen ersten Lichtabschirmschicht um 6% bis 20% verbessert ist.
  • Ein gewichtiger Nachteil der oben beschriebenen LCD mit doppelter Lichtabschirmschichtstruktur besteht jedoch darin, daß zur Bildung einer der Elektroden eines jeweils einem Bildelement zugeordneten Speicherkondensators ein lichtundurchlässiges Metall verwendet wird, wodurch die von jedem Speicherkondensator belegte Fläche von dem Öffnungsgebiet des ihm zugeordneten Bildelements ausgenommen ist, was den Effekt hat, daß das Öffnungsverhältnis reduziert wird. Außerdem erfordert das Verfahren zur Herstellung der zweiten Lichtabschirmschicht die Anbringung einer Lichtabschirmschicht vor der Bildung einer Isolationsschicht, lediglich, um während der Herstellung der TFTs Licht abzuschirmen, wodurch zusätzliche Prozeßschritte nötig werden, die Kosten und Komplexität des LCD-Herstellungsverfahrens ungebührlich erhöhen.
  • Wie aus dem vorhergehenden offensichtlich ist, gibt es gegenwärtig Bedarf an einer aktiven Matrix-LCD, die die oben beschriebenen Schwierigkeiten und Mängel gegenwärtig erhältlicher aktiver Matrix-LCDs überwindet.
  • In der Offenlegungsschrift JP 2-278231 (A) ist ein Flüssigkristall-Anzeigeelement vom Aktivmatrixtyp offenbart, bei dem eine kondensatorbildende Elektrode von einer eine jeweilige Bildelementelektrode umfangsseitig umgebenden Gestalt ist und einer Halbleiterschicht über die Bildelementelektrode einer Gate-Isolationsschicht gegenüberliegt. Der Anschluss der Bildelementelektrode erfolgt über eine Source-Elektrode, wozu die Halbleiterschicht im entsprechenden Abschnitt unterbrochen ist.
  • Bei einer in der Patentschrift US 5.028.122 offenbarten Flüssigkristallanzeige vom Aktivmatrixtyp fungieren Gate-Elektroden zusätzlich als Kondensatorelektroden, wobei die dortige Gate-Struktur übliche, geradlinige Gate-Leitungen beinhaltet, von denen aus sich im Bereich einer jeweiligen Bildelementelektrode Stichleitungsabschnitte erstrecken, die entlang eines Teils des Bildelementelektrodenumfangs verlaufen und mit einem freien Ende abschließen.
  • Aufgabe der Erfindung ist die Schaltung einer Flüssigkristallanzeige mit großem Öffnungs- und hohem Kontrastverhältnis, welche die oben beschriebenen Schwierigkeiten und Nachteile vermeidet.
  • Diese Aufgabe wird durch die Flüssigkristallanzeige mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Hierbei ist das Layout der ersten, jeweils einer Bildelementelektrode zugeordneten Speicherkondensatorelektrode in neuartiger Weise dahingehend modifiziert, dass sie von einer jeweiligen Abtastsignalelektrode aus die Bildelementelektrode ringförmig geschlossen umgibt, wodurch sich ein vergleichsweise hohes Öffnungs- und Kontrastverhältnis ergibt.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen. Insbesondere ist vorzugsweise vorgesehen, dass die ersten Kondensatorelektroden mit einem geringfügigen Randbereich der jeweiligen Bildelementelektrode überlappen, und zwar in einer Breite, die ausreicht, die Bildung einer abrupten Stufe zu verhindern.
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung sowie zu deren besserem Verständnis eine bekannte aktive Matrix-LCD sind in den beigefügten Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben.
    • 1A zeigt eine ausschnittweise Draufsicht auf einen bevorzugte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen aktiven Matrix-LCD des Typs mit zusätzlichem Kondensator,
    • 1B einen Querschnitt entlang der Linie A-A' in 1A,
    • 1C einen Querschnitt entlang der Linie B-B' in 1A,
    • 2A eine ausschnittweise Draufsicht auf eine bekannte aktive Matrix-LCD des Typs mit zusätzlichem Kondensator, und
    • 2B einen Querschnitt entlang der Linie A-A' in 2A.
  • in den 2A und 2B ist ausschnittweise eine Draufsicht bzw. ein Querschnitt einer bekannten, aktiven Matrix-LCD des Typs mit zusätzlichem Kondensator zu sehen. Obwohl nur ein einzelner Bildelementbereich (und Teile von angrenzenden Gebieten) der bekannten aktiven Matrix-LCD in den 2A und 2B gezeigt ist, was vom Durchschnittsfachmann auf diesem Gebiet ohne weiteres erkannt werden kann, enthält die LCD in ihrer vollständigen Form eine Vielzahl von Abtastsignalelektrodenzeilen (1) und von orthogonalen Anzeigesignalelektrodenspalten (5a), die in einer Matrixkonfiguration angeordnet sind, um eine entsprechende Matrix von Bildelementen in den Bereichen zu definieren, die durch zwei benachbarte Abtastsignalelektrodenzeilen (1) und zwei benachbarte Anzeigesignalelektrodenspalten (5a) begrenzt sind. In jedem Bildelementbereich sind ein Speicherkondensator (C) und ein Schaltelement, wie z.B. ein TFT, vorgesehen.
  • Wie aus 2A ersichtlich, ist die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) als ein integraler, lappenartiger Teil einer jeweiligen Abtastsignalelektrode (1) ausgebildet. Entsprechend ist die Gate-Elektrode (G) jedes TFTs als ein integraler lappenartiger Teil einer jeweiligen Abtastsignalelektrode (1) ausgebildet. Des weiteren ist die Source-Elektrode (5b) jedes TFTs als ein integraler, lappenartiger Teil einer jeweiligen Anzeigesignalelektrode (5a) ausgebildet, wobei zwischen der Gate-Elektrode (G) und der Source-Elektrode (5b) jedes TFTs eine Halbleiterschicht (3) vorgesehen ist. Außerdem ist in jedem Bildelementbereich eine transparente Bildelementelektrode (4) vorgesehen.
  • Alle Abtastsignalelektroden (1), Anzeigesignalelektroden (5a), Kondensatoren (C), TFTs und Bildelementelektroden (4) sind als Teil einer Mehrschichtstruktur gebildet, die sich an der nach innen gerichteten Oberfläche eines rückseitigen Glassubstrats (100) befindet, wie in 2b zu sehen ist. Insbesondere werden die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) und jede Abtastsignalelektrode (1) gleichzeitig durch geeignete Strukturierung (z.B. durch ein herkömmliches Fotolithografieverfahren) einer lichtundurchlässigen Metallschicht, z.B. aus Aluminium (Al), Chrom (Cr), Molybdän (Mo) oder Tantal (Ta), die auf der nach innen gerichteten Oberfläche des rückwärtigen Glassubstrats (100) abgeschieden ist, gebildet. Danach wird eine Isolationsschicht (2) über den Elektroden (1) und (10) und den freiliegenden Bereichen der nach innen gerichteten Oberfläche des rückwärtigen Glassubstrats (100) ausgebildet. Als nächstes werden die Anzeigesignalelektroden (5a) und die transparenten Bildelementelektroden (A) getrennt gebildet, z.B. durch aufeinanderfolgende Fotolithografieprozesse. Dann wird eine Schutzschicht (6) über den Elektroden (4) und (5a) und den freiliegenden Bereichen der Isolationsschicht (2) abgeschieden, um dadurch die an der nach innen gerichteten Oberfläche des rückseitigen Glassubstrats (100) vorgesehene Mehrschichtstruktur zu vervollständigen.
  • Wie insbesondere in 2B zu erkennen, beinhaltet die bekannte aktive Matrix-LCD des weiteren ein parallel zum rückseitigen Glassubstrat (100) orientiertes, vorderseitiges Glassubstrat (101) mit einer an dessen nach innen gerichteter Oberfläche gebildeten Mehrschichtstruktur. Ausführlicher gesagt ist auf der nach innen gerichteten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats (101) eine schwarze Matrix-Lichtabschirmschicht (20) ausgebildet. Die schwarze Matrix-Lichtabschirmschicht (20) ist in geeigneter Weise strukturiert, z.B. durch einen Standard-Fotolithografieprozeß, um eine Matrix von Fenstern bzw. Öffnungsgebieten zu definieren, die parallel und justiert zur Matrix der auf dem rückseitigen Glassubstrat (100) angeordneten Bildelementelektroden (4) verläuft. Danach wird eine Farbfilterschicht (21) über der schwarzen Matrix-Lichtabschirmschicht (20) und den freiliegenden Gebieten der nach innen gerichteten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats (101) abgeschieden. Die Farbfilterschicht (21) enthält in den Öffnungsgebieten angeordnete, lichtdurchlässige Abschnitte (21a). Als nächstes wird eine Schutzschicht (22) über der Farbfilterschicht (21) gebildet. Dann wird eine transparente Elektrode (23) über der Schutzschicht (22) abgeschieden, um dadurch die auf der nach innen gerichteten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats vorgesehene Mehrschichtstruktur zu vervollständigen.
  • Wie weiter aus 2B ersichtlich ist, beinhaltet die bekannte aktive Matrix-LCD ferner eine dünne, zwischen dem vorderseitigen (101) und dem rückseitigen (100) Glassubstrat in Kontakt mit der transparenten Elektrode (23) und der Schutzschicht (6) angeordnete Flüssigkristallschicht. Nachfolgende, dem Durchschnittsfachmann auf diesem Gebiet wohlbekannte Prozeßschritte werden daraufhin ausgeführt, um die Substrate (100) und (101) fest miteinander verbunden zu halten und den Flüssigkristall innerhalb des dazwischen ausgebildeten Hohlraums luftdicht einzuschließen.
  • Auf der Grundlage der vorstehenden Beschreibung der bekannten aktiven Matrix-LCD wird nun erkennbar, daß sie an den folgenden Nachteilen leidet. Speziell ist, da die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) aus einem lichtundurchlässigen Metall besteht und sie des weiteren mit einem merklichen Teil der ihr zugeordneten Bildelementelektrode (4) überlappt, die Öffnungsfläche jedes Bildelements merklich reduziert, wodurch dessen Öffnungsverhältnis verringert ist. Außerdem müssen die Anzeigesignal- bzw. Bildelementelektroden (5a) und (4), da sie auf der gleichen Isolationsschicht (2) ausgebildet sind, durch einen vorgegebenen Abstand voneinander getrennt sein, um eine genügende elektrische Isolierung zwischen ihnen zu erreichen, wodurch das Kontrastverhältnis der LCD erniedrigt wird.
  • Nunmehr bezugnehmend auf die 1A, 1B und 1C, ist dort eine aktive Matrix-LCD des Typs mit zusätzlichem Kondensator zu erkennen, die gemäß den Prinzi pien der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist. Wie ohne weiteres durch alleinigen Vergleich der 2A und 1A ersichtlich ist, ist die aktive Matrix-LCD der vorliegenden Erfindung im wesentlichen in der gleichen Weise aufgebaut wie die in den 2A und 2B dargestellte bekannte aktive Matrix-LCD, mit der Ausnahme, daß das Layout der jeweils einer Bildelementelektrode (4) zugeordneten ersten Elektrode (10) in einer solchen Weise modifiziert ist, daß das Öffnungs- und das Kontrastverhältnis im Vergleich zu jenen der oben genannten, bekannten aktiven Matrix-LCD merklich erhöht ist. Spezieller ist die lichtundurchlässige Metallschicht, aus der die Abtastsignalelektroden und die ersten Elektroden (10) der Speicherkondensatoren (C) gebildet sind, derart strukturiert, daß die ersten Elektroden (10) der Speicherkondensatoren (C) die ihnen zugeordneten Bildelementelektroden (4) im wesentlichen umgeben und vorzugsweise nur mit einem geringfügigen Randbereich der ihnen zugeordneten Bildelementeleletroden (A) um deren Berandung herum überlappen. Wie aus 1B deutlicher zu ersehen, ist die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) im wesentlichen völlig unter der sich an der nach innen gerichteten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats (101) befindenden schwarzen Matrix-Lichtabschirmschicht (20) angeordnet und erstreckt sich nicht bis zur Umrandung des Öffnungsgebiets, wodurch das Öffnungsverhältnis gegenüber dem der bekannten aktiven Matrix-LCD merklich vergrößert wird.
  • Zusätzlich bewirkt ein derartiges Layout, bei dem die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) die jeweilige Bildelementelektrode (A) im wesentlichen umgibt, daß die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) als eine zusätzliche (d.h. zusätzlich zu der schwarzen Matrix-Lichtabschirmschicht (20)) Lichtabschirmschicht dient, wie am deutlichsten in 1B veranschaulicht ist. Ganz besonders ist es wünschenswert, das durch das Öffnungsgebiet des vorderseitigen Glassubstrats (101} emittierte Licht so gut wie möglich auf lediglich das Licht zu beschränken, das durch den Teil des Flüssigkristalls projiziert wird, der innerhalb der Umrandung des Öffnungsgebiets enthalten und über jeder Bildelementelektrode (4) angeordnet ist. Dieses Ziel wird im allgemeinen durch Minimierung der Menge von Fremdlicht (als „Leck-Licht" bezeichnet) erreicht, das durch das Öffnungsgebiet des vorderseitigen Glassubstrats (101) hindurch von Bereichen des Flüssigkristalls abgestrahlt wird, die sich außerhalb der Umrandung des Öffnungsgebiets befinden.
  • Im Fall der in 2B dargestellten bekannten aktiven Matrix-LCD ist zu sehen, daß alles Fremdlicht, das unter einem Einfallswinkel größer als θ1 auf das vorder seitige Glassubstrat (101) trifft, durch das Öfnungsgebiet des vorderseitigen Glassubstrats (101) hindurch abgestrahlt wird. Zum Vergleich dazu wird im Fall der erfindungsgemäßen aktiven Matrix-LCD, wie in 1B dargestellt, nur Fremdlicht, das unter einem Einfallswinkel größer als θ2 auf das vorderseitige Glassubstrat (101) trifft, durch das Öffnungsgebiet des vorderseitigen Glassubstrats (101) hindurch abgestrahlt. Alles Fremd- bzw. Leck-Licht, das unter einem kleineren als dem kritischen bzw. Einfang-Einfallswinkel θ2 auf das vorderseitige Glassubstrat (101) trifft, wird von der ersten Elektrode (10) des angrenzenden Speicherkondensators (C) abgefangen. So reduziert die vorliegende Erfindung die Menge an Leck-Licht, die durch das Öffnungsgebiet des vorderseitigen Glassubstrats (101) abgestrahlt wird, relativ zur oben genannten, bekannten aktiven Matrix-LCD, um einen Betrag, der proportional zur Differenz θ2–θ1 ist, wodurch das Kontrastverhältnis im Vergleich zu demjenigen der bekannten aktiven Matrix-LCD merklich erhöht wird.
  • Des weiteren überlappt, wie am deutlichsten aus 1C ersichtlich ist, bei der vorliegenden Erfindung vorzugsweise ein Randbereich jeder Bildelementelektrode (4) mit der ersten Elektrode (10) des ihr zugeordneten Speicherkondensators (C) in einer vorgegebenen Breite, die ausreicht, sicherzustellen, daß die Randbegrenzung jeder Bildelementelektrode (4) auf der gleichen Ebene wie die erste Elektrode (10) des ihr zugeordneten Speicherkondensators (C) gebildet ist, ohne eine abrupte Stufe überbrücken zu müssen. Im Gegensatz dazu bildet sich bei der bekannten aktiven Matrix-LCD an der Grenze zwischen jeder Bildelementelektrode (4) und der distalen Kante der ersten Elektrode (10) des ihr zugeordneten Speicherkondensators (C) notwendigerweise eine abrupte Stufe. So sind Probleme wie Schwächung oder Aufbrechen von Bildelementelektrodenstrukturen aufgrund mangelhafter Stufenbedeckung unvermeidlich, was eine verminderte Ausbeute sowie erhöhte Herstellungsschwierigkeiten und -kosten zur Folge hat. Die vorliegende Erfindung eliminiert diese Probleme.
  • Zudem überlappt, was ebenso am deutlichsten in 1C veranschaulicht ist, die Source-Elektrode (5b) jedes TFTs mit der ersten Elektrode (10) eines jeweiligen Speicherkondensators (C) in deren gesamter Breite, wodurch das Problem des Standes der Technik der schwächeren Stufenbedeckung der Source-Elektrode (5b) entlang der Kante der jeweiligen Bildelementelektrode (4) eliminiert wird.
  • Obwohl hier eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben wurde, versteht es sich, daß viele Variationen und/oder Modifikationen der hier gelehrten, erfinderischen Grundkonzepte, die für Fachleute auf diesem Gebiet ersichtlich sind, hinsichtlich Idee und Umfang unter die vorliegende Erfindung, wie sie in den beigefügten Ansprüchen definiert ist, fallen.

Claims (17)

  1. Flüssigkristallanzeige mit – wenigstens einem Substrat; – einer Vielzahl von Abtastsignalelektrodenzeilen (1) und Anzeigesignalelektrodenspalten (5a); die in einer Matrixkonfiguration auf einer Hauptoberfläche des Substrats angeordnet sind, um eine Matrix von Bildelementbereichen zu definieren, von denen jeder durch zwei benachbarte Abtastsignalelektrodenzeilen (1) und zwei benachbarte Anzeigesignalelektrodenspalten (5) begrenzt ist; – einer in jedem Bildelementbereich angeordneten Bildelementelektrode (4); – einem in jedem Bildelementbereich angeordneten Schaltelement das zwischen eine jeweilige Anzeigesignalelektrode (5a) und eine jeweilige Bildelementelektrode (4) eingeschleift ist; und – einem in jedem Bildelementbereich angeordneten Speicherkondensator (C); dadurch gekennzeichnet, dass – jeder Speicherkondensator (C) eine erste Elektrode (10) besitzt, die sich als ringförmig geschlossene Struktur von einer jeweiligen Abtastsignalelektrodenzeile aus erstreckt und in der Projektion senkrecht zur Substrathauptoberfläche entlang des Randbereichs der jeweiligen Bildelementelektrode (4) verläuft.
  2. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch – ein vorderseitiges Glassubstrat (101) mit einer nach innen und einer nach außen gerichteten Oberfläche; – ein rückseitiges Glassubstrat (100) mit einer nach innen und einer nach außen gerichteten Oberfläche, das parallel und mit Abstand zum vorderseitigen Glassubstrat (101) angeordnet ist, wobei die nach innen gerichteten Oberflächen des vorderund des rückseitigen Glassubstrats (101, 100) einander gegenüber liegen und die Vielzahl von Abtastsignalelektrodenzeilen (1) und Anzeigesignalelektrodenspalten (5a) auf der nach innen gerichteten Oberfläche des rückseitigen Glassubstrats (100) angeordnet sind; – eine auf der nach innen gerichteten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats (101) angeordnete schwarze Matrix-Lichtabschirmschicht (20), wobei letztere derartig strukturiert ist, daß sie eine zur Matrix der Bildelementbereiche justierte Matrix von lichtdurchlässigen Öffnungen definiert; – eine an der nach innen gerichteten Oberfläche des vorderseitigen Glassubstrats (101) angeordnete Farbfilterschicht (21), welche die schwarze Matrix-Lichtabschirmschicht (20) überdeckt, wobei die Farbfilterschicht (21) lichtdurchlässige, die lichtdurchlässigen Öffnungen überdeckende Abschnitte (21a) enthält; – eine über der Farbfilterschicht (2l) angeordnete, transparente Elektrode (23); und – eine zwischen dem vorderseitigen (101) und dem rückseitigen (100) Glassubstrat angeordnete Flüssigkristallschicht.
  3. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine erste Schutzschicht (22), die zwischen der Farbfilterschicht (21) und der transparenten Elektrode (23) angeordnet ist.
  4. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 2 oder 3, gekennzeichnet durch eine zweite Schutzschicht (6), die die nach innen gerichtete Oberfläche des rückseitigen Glassubstrats (100) überdeckt.
  5. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkristallschicht in Kontakt mit der zweiten Schutzschicht (6) und der transparenten Elektrode (23) angeordnet ist.
  6. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) und die Abtastsignalelektroden (1) in einer gemeinsamen ersten sowie die Anzeigesignalelektroden (5a) und die Bildelementelektroden (4) in einer gemeinsamen zweiten Ebene liegen, die von der ersten Ebene durch eine dazwischen angeordnete Isolationsschicht (2) beabstandet ist.
  7. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Schaltelement zu einer Ecke eines jeweiligen Bildelementbereiches benachbart angeordnet ist, wobei die Ecke durch die Kreuzungsstelle einer jeweiligen Anzeigesignalelektrode (5a) mit einer jeweiligen Abtastsignalelektrode (1) definiert ist.
  8. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Randbegrenzung der durch Randbereiche der schwarzen Matrix-Lichtabschirmschicht (20) definierten Öffnungen in der Projektion senkrecht zur Substrathauptoberfläche zu der inneren Randkante der ersten Elektrode (10) des jeweiligen Speicherkondensators (C) justiert ist, wobei die ersten Elektroden (10) der jeweiligen Speicherkondensatoren (C) als zusätzliche Lichtabschirmelemente zur Minimierung der Menge an Fremdlicht, dessen Abstrahlung durch die Öffnungen erlaubt ist, wirken.
  9. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeich net, daß die Projektion jeder Öffnung durch das rückseitige Glassubstrat (100) eine imaginäre Öffnungseinhüllende definiert, und sich die erste Elektrode (10) des jeweiligen Speicherkondensators (C) nicht bis zu der imaginären Öffnungseinhüllenden erstreckt.
  10. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) und jede Abtastsignalelektrode (1) Teil einer gemeinsamen, strukturierten Schicht sind.
  11. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die gemeinsame, strukturierte Schicht aus mindestens einem lichtundurchlässigen Metall besteht, das aus der Aluminium, Chrom, Molybdän und Tantal umfassenden Gruppe ausgewählt ist.
  12. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Schaltelement einen Dünnschichttransistor mit einer Gate-Elektrode (G) aufweist, die ebenfalls Teil der gemeinsamen, strukturierten Schicht ist.
  13. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Schaltelement einen Dünnschichttransistor (TFT) beinhaltet mit: – einer Gate-Elektrode (G), die einen integralen, lappenartigen Teil einer jeweiligen Abtastsignalelektrode (1) bildet; – einer Source-Elektrode (5b), die einen integralen, lappenartigen Teil einer jeweiligen Anzeigesignalelektrode (5a) bildet, wobei die Source-Elektrode (5b) die erste Elektrode (10) eines jeweiligen Speicherkondensators (C) in deren gesamter Bahnbreite überdeckt; – einer Drain-Elektrode (5a), die die jeweilige Abtastsignalelektrode (1) beinhaltet: und – einer Halbleiterschicht (3), die auf der Isolationsschicht (2) und über der Gate-Elektrode (G) angeordnet ist, wobei die Halbleiterschicht (3) derart strukturiert ist, dass sie sich zwischen der Source-Elektrode (5b) und der Drain-Elektrode (5a) erstreckt.
  14. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Source-Elektrode (5b) jedes Dünnschichttransistors mit einem Teil des Randbereichs einer jeweiligen Bildelementelektrode (4) überlappt.
  15. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) mit dem Randbereich der jeweiligen Bildelementelektrode (4) um deren Berandung herum überlappt.
  16. Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrode (10) jedes Speicherkondensators (C) mit dem Randbereich der jeweiligen Bildelementelektrode (4) in einer vorgegebenen Breite überlappt.
  17. Flüssigkristallanzeige nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Gate-Elektrode (G), die Halbleiterschicht (3) und die Drain-Elektrode (5a) jedes Dünnnschichttransistors gänzlich außerhalb der Randbegrenzung der jeweiligen Bildelementelektrode (4) angeordnet sind.
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US (1) US5339181A (de)
JP (1) JP2950487B2 (de)
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GB (1) GB2259392B (de)
TW (1) TW351464U (de)

Families Citing this family (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5771082A (en) * 1991-10-11 1998-06-23 Thomson-Lcd Active matrix display utilizing an embedded ground plane
JPH06194687A (ja) * 1992-10-30 1994-07-15 Nec Corp 透過型アクティブマトリクス型液晶素子
JP2907629B2 (ja) * 1992-04-10 1999-06-21 松下電器産業株式会社 液晶表示パネル
TW226044B (de) * 1992-04-15 1994-07-01 Toshiba Co Ltd
US6693681B1 (en) 1992-04-28 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of driving the same
JP2814161B2 (ja) 1992-04-28 1998-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置およびその駆動方法
NL194848C (nl) * 1992-06-01 2003-04-03 Samsung Electronics Co Ltd Vloeibaar-kristalindicatorinrichting.
JPH05341315A (ja) * 1992-06-08 1993-12-24 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ基板、液晶表示パネルおよび液晶表示装置
US5459596A (en) * 1992-09-14 1995-10-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Active matrix liquid crystal display with supplemental capacitor line which overlaps signal line
JP2924506B2 (ja) * 1992-10-27 1999-07-26 日本電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造
KR960006205B1 (ko) * 1992-12-30 1996-05-09 엘지전자주식회사 티에프티-엘씨디(tft-lcd)의 구조
US5532853A (en) * 1993-03-04 1996-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Reparable display device matrix for repairing the electrical connection of a bonding pad to its associated signal line
FR2702286B1 (fr) * 1993-03-04 1998-01-30 Samsung Electronics Co Ltd Affichage à cristaux liquides et procédé pour le fabriquer.
GB2308218B (en) * 1993-03-04 1997-08-20 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display and method for manufacturing the same
JP2975844B2 (ja) * 1993-06-24 1999-11-10 三洋電機株式会社 液晶表示装置
EP0660160B1 (de) * 1993-07-13 2004-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Anzeigevorrichtung mit aktiver matrix
KR0120399Y1 (ko) * 1993-12-15 1998-07-15 구자홍 액정표시장치
JPH07230104A (ja) * 1993-12-24 1995-08-29 Toshiba Corp アクティブマトリクス型表示素子及びその製造方法
US5781262A (en) * 1994-04-19 1998-07-14 Nec Corporation Liquid crystal display cell
JP2643835B2 (ja) * 1994-06-06 1997-08-20 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその駆動方法
JP3253808B2 (ja) * 1994-07-07 2002-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US5483366A (en) * 1994-07-20 1996-01-09 David Sarnoff Research Center Inc LCD with hige capacitance pixel having an ITO active region/poly SI pixel region electrical connection and having poly SI selection line extensions along pixel edges
US5600155A (en) * 1995-01-03 1997-02-04 Xerox Corporation Array with metal scan lines controlling semiconductor gate lines
JP2770763B2 (ja) * 1995-01-31 1998-07-02 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示装置
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR0182014B1 (ko) * 1995-08-23 1999-05-01 김광호 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판
US5835177A (en) * 1995-10-05 1998-11-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers
KR100193653B1 (ko) * 1995-11-20 1999-06-15 김영환 축적 캐패시터를 구비한 스태거 tft-lcd 및 그의 제조방법
KR100218293B1 (ko) * 1995-12-08 1999-09-01 구본준 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법
US5657101A (en) * 1995-12-15 1997-08-12 Industrial Technology Research Institute LCD having a thin film capacitor with two lower capacitor electrodes and a pixel electrode serving as an upper electrode
US6682961B1 (en) 1995-12-29 2004-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel used for a liquid crystal display and a manufacturing method thereof
US5782665A (en) * 1995-12-29 1998-07-21 Xerox Corporation Fabricating array with storage capacitor between cell electrode and dark matrix
JP3597305B2 (ja) 1996-03-05 2004-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
KR100419087B1 (ko) * 1996-05-22 2004-05-24 삼성전자주식회사 액정표시장치
JP3634089B2 (ja) * 1996-09-04 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US5879959A (en) * 1997-01-17 1999-03-09 Industrial Technology Research Institute Thin-film transistor structure for liquid crystal display
KR100238795B1 (ko) * 1997-03-03 2000-01-15 구본준 액정 표시 장치의 구조 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
AU6912798A (en) * 1997-06-10 1998-12-30 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it
EP1103840B1 (de) * 1997-06-12 2008-08-13 Sharp Kabushiki Kaisha Anzeigevorrichtung mit vertikal ausgerichtetem Flüssigkristall
KR100286762B1 (ko) * 1997-06-27 2001-04-16 박종섭 액정 표시 소자
US6335776B1 (en) 1998-05-30 2002-01-01 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode
KR100357213B1 (ko) 1998-07-23 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR20000009518A (ko) 1998-07-25 2000-02-15 노봉규 광시야각을 갖는 수직배향 액정표시소자
WO2000008521A1 (en) * 1998-08-06 2000-02-17 Konovalov Victor A Liquid-cristal display and the method of its fabrication
KR100313952B1 (ko) * 1998-08-20 2002-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
US6654090B1 (en) 1998-09-18 2003-11-25 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device and method of manufacturing thereof
KR100459482B1 (ko) * 1998-10-02 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터및그제조방법
KR100288772B1 (ko) * 1998-11-12 2001-05-02 윤종용 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100587364B1 (ko) * 2000-01-12 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
KR100367009B1 (ko) * 2000-05-19 2003-01-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100595296B1 (ko) 2000-06-27 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100595295B1 (ko) * 2000-06-27 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4401551B2 (ja) * 2000-09-21 2010-01-20 エーユー オプトロニクス コーポレイション 液晶表示装置の製造方法、表示装置の製造方法、及び液晶表示装置
KR100582598B1 (ko) * 2000-10-25 2006-05-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 빛샘 현상을 방지하는 액정표시장치
KR100393389B1 (ko) * 2001-02-07 2003-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 이용한 반사형 액정표시장치
US7189997B2 (en) 2001-03-27 2007-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US6982194B2 (en) * 2001-03-27 2006-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2004004722A (ja) * 2002-04-25 2004-01-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US7408196B2 (en) 2002-12-25 2008-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
KR101086477B1 (ko) 2004-05-27 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 제조 방법
KR101086478B1 (ko) * 2004-05-27 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101024651B1 (ko) * 2004-06-05 2011-03-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 모기판 및 그 제조 방법
KR101076426B1 (ko) * 2004-06-05 2011-10-25 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101116816B1 (ko) * 2004-06-05 2012-02-28 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101043675B1 (ko) * 2004-06-05 2011-06-22 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101057779B1 (ko) * 2004-06-05 2011-08-19 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101037085B1 (ko) * 2004-06-05 2011-05-26 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101121620B1 (ko) * 2004-06-05 2012-02-28 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101002347B1 (ko) * 2004-06-24 2010-12-21 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101116817B1 (ko) 2004-06-30 2012-02-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 절연막을 포함하는 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101139522B1 (ko) * 2004-12-04 2012-05-07 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101147261B1 (ko) 2004-12-04 2012-05-18 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7636148B2 (en) * 2004-12-14 2009-12-22 Lg Display Co., Ltd. Apparatus and method for repairing liquid crystal display device
KR101125248B1 (ko) 2004-12-23 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 컬러필터 기판 및 그 제조방법
KR101085137B1 (ko) * 2004-12-23 2011-11-21 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 그 제조방법
KR101107239B1 (ko) * 2004-12-23 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 그 제조방법
KR101107246B1 (ko) * 2004-12-24 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101085138B1 (ko) * 2004-12-24 2011-11-21 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR101085132B1 (ko) * 2004-12-24 2011-11-18 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101107245B1 (ko) * 2004-12-24 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101066492B1 (ko) * 2004-12-24 2011-09-21 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101107267B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를 이용한액정 패널 및 그 제조 방법
KR101107269B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101107265B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101107270B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-19 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법과, 그를 이용한액정 패널 및 그 제조 방법
KR101125254B1 (ko) * 2004-12-31 2012-03-21 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법과, 그를 이용한 액정 패널 및 그 제조 방법
KR101107682B1 (ko) * 2004-12-31 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US8866707B2 (en) * 2005-03-31 2014-10-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, and apparatus using the display device having a polygonal pixel electrode
KR101201017B1 (ko) * 2005-06-27 2012-11-13 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101225440B1 (ko) * 2005-06-30 2013-01-25 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101182570B1 (ko) * 2005-06-30 2012-09-12 엘지디스플레이 주식회사 쇼트 불량 리페어 방법 및 그를 이용한 액정 표시 장치의제조 방법
KR101167312B1 (ko) * 2005-06-30 2012-07-19 엘지디스플레이 주식회사 미세 패턴 형성 방법과 그를 이용한 액정 표시 장치 및 그제조 방법
JP5452834B2 (ja) * 2005-12-28 2014-03-26 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置
US7667809B2 (en) * 2005-12-28 2010-02-23 Lg. Display Co., Ltd. FFS mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
US8233124B2 (en) * 2005-12-28 2012-07-31 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2007178808A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Lg Philips Lcd Co Ltd 液晶表示装置
US7667808B2 (en) * 2005-12-28 2010-02-23 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of driving the same
JP5095941B2 (ja) * 2005-12-28 2012-12-12 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置
JP5044120B2 (ja) * 2005-12-28 2012-10-10 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 液晶表示装置
CN100499138C (zh) * 2006-10-27 2009-06-10 北京京东方光电科技有限公司 一种tft lcd阵列基板结构及其制造方法
KR101446226B1 (ko) * 2006-11-27 2014-10-01 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법
US20080205010A1 (en) * 2007-02-26 2008-08-28 3M Innovative Properties Company Active matrix backplanes allowing relaxed alignment tolerance
US7629206B2 (en) * 2007-02-26 2009-12-08 3M Innovative Properties Company Patterning self-aligned transistors using back surface illumination
TWM317990U (en) * 2007-03-13 2007-09-01 Dosun Solar Technology Co Ltd Structure of bicycle pedal having function of illumination
KR101383703B1 (ko) 2007-10-04 2014-04-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
EP2259134A4 (de) * 2008-03-31 2012-02-01 Sharp Kk Aktivmatrixplatte, flüssigkristallschirm, flüssigkristallanzeigeanordnung, flüssigkristallanzeigeeinheit und fernsehempfänger
US8847352B2 (en) 2008-11-05 2014-09-30 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix device including first and second capacitor electrodes and multiple capacitors
US8779488B2 (en) 2011-04-15 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
CN109613777B (zh) * 2019-01-30 2021-06-04 惠科股份有限公司 显示面板和显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02278231A (ja) * 1989-04-20 1990-11-14 Toshiba Corp アクティブマトリックス型液晶表示素子
US5028122A (en) * 1988-04-20 1991-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal active-matrix display device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2203881B (en) * 1987-04-16 1991-03-27 Philips Electronic Associated Liquid crystal display device
JP2693513B2 (ja) * 1988-08-30 1997-12-24 株式会社東芝 アクティブマトリクス型液晶表示素子
JPH0334463A (ja) * 1989-06-30 1991-02-14 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ
JPH03114028A (ja) * 1989-09-28 1991-05-15 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法
JP2714993B2 (ja) * 1989-12-15 1998-02-16 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JP2604867B2 (ja) * 1990-01-11 1997-04-30 松下電器産業株式会社 反射型液晶表示デバイス
JPH03239229A (ja) * 1990-02-16 1991-10-24 Sharp Corp アクティブマトリクス液晶表示装置
JP2893819B2 (ja) * 1990-03-19 1999-05-24 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス
JPH0467020A (ja) * 1990-07-05 1992-03-03 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5028122A (en) * 1988-04-20 1991-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal active-matrix display device
JPH02278231A (ja) * 1989-04-20 1990-11-14 Toshiba Corp アクティブマトリックス型液晶表示素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. Tsunara u.a., High Resolution 1D.3-in-Diagonal Multicolor TFT-LCD. In: SID 91 Digest, S. 215-218 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2950487B2 (ja) 1999-09-20
GB2259392A (en) 1993-03-10
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DE4219665A1 (de) 1993-03-11
GB2259392B (en) 1995-04-19
KR940004322B1 (ko) 1994-05-19
TW351464U (en) 1999-01-21
JPH05203981A (ja) 1993-08-13
KR930006477A (ko) 1993-04-21
GB9215745D0 (en) 1992-09-09

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