DE60036436T2 - Elektrooptisches Bauelement und elektronisches Gerät - Google Patents

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Kunitaka Atsugi-shi Yamamoto
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Description

  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft optoelektronische Bauelemente, d. h. typischerweise eine EL-(Elektrolumineszenz) Anzeigeeinrichtung, die aus einem Halbleiterelement (ein Element mit einer dünnen Halbleiterschicht) auf einem Substrat hergestellt ist, und betrifft ferner eine elektronische Einrichtung (ein elektronisches Bauelement) mit dem elektrooptischen Bauelement als eine Anzeige (wird auch als Anzeigenbereich bezeichnet).
  • 2. Beschreibung des Stands der Technik
  • Techniken zur Herstellung eines TFT auf einem Substrat haben sich in den letzten Jahren sehr etabliert und Entwicklungen für die Anwendungen einer Anzeigeeinrichtung mit aktiver Matrix schreiten stetig voran. Insbesondere ein TFT unter Anwendung einer Polysiliziumschicht besitzt eine höhere elektrische Feldeffektbeweglichkeit (die auch als Beweglichkeit bezeichnet wird) im Vergleich zu einem TFT, in welchem eine konventionelle amorphe Siliziumschicht eingesetzt ist, und es ist daher eine hohe Betriebsgeschwindigkeit möglich. Folglich ist es möglich, die Pixelsteuerung, die konventioneller Weise durch eine extern zu dem Substrat vorliegende Ansteuerschaltung ausgeführt wird, mittels einer Ansteuerschaltung auszuführen, die auf dem gleichen Substrat wie die Pixel ausgebildet ist.
  • Diese Art einer Anzeigeeinrichtung mit aktiver Matrix ist von großem Interesse auf Grund der vielen Vorteile, die durch den Einbau der diversen Schaltungen und Elemente in demselben Substrat für diese Art einer Anzeigeeinrichtung mit aktiver Matrix erreicht werden können, etwa geringere Fertigungskosten, eine geringere Baugröße, erhöhte Ausbeute und ein größerer Durchsatz.
  • Schaltelemente werden für jedes Pixel in der Anzeigenrichtung mit aktiver Matrix durch einen TFT gebildet, die Stromsteuerung wird mittels Treiber- bzw. Ansteuerelemente unter Anwendung der Schaltelemente ausgeführt, und eine EL-Schicht (Elektrolumineszenzschicht) ist vorgesehen, um Licht auszusenden. Eine typische Pixelstruktur in dieser Hinsicht ist beispielsweise in 1 des US-Patents 5,684,365 ( japanische Patentoffenlegungsschrift Nr.: Hei 8-234683 ) und in EP 942407 ( japanische PCT-Offenlegungsschrift WO98/36405 ) offenbart.
  • Wie in 1 des US-Patents gezeigt ist, ist ein Senkenanschluss bzw. ein Drain eines Schaltelements (T1) mit einer Tor- bzw. Gateelektrode eines Stromsteuerelements (T2) und auch parallel mit einem Kondensator (Cs) verbunden. Die Gatespannung des Stromsteuerelements (T2) wird durch die in dem Kondensator (Cs) gespeicherte elektrische Ladung beibehalten.
  • Wenn andererseits das Schaltelement (T1) nicht ausgewählt ist, läuft elektrische Ladung durch das Schaltelement (T1), wenn der Kondensator (Cs) nicht angeschlossen ist (der Stromfluss wird zu diesem Zeitpunkt als ein Sperrstrom bzw. Strom im Aus-Zustand bezeichnet), und die an die Gateelektrode des Stromsteuerelements (T2) angelegte Spannung kann nicht aufrecht erhalten werden. Dies ist ein Problem, das unvermeidbar ist, da das Schaltelement (T1) durch einen Transistor gebildet ist. Jedoch ist der Kondensator (Cs) innerhalb des Pixels ausgebildet, und daher ist dies ein Beitrag, um die effektive emittierende Oberfläche (effektive Bildanzeigefläche) des Pixels zu reduzieren.
  • Es ist daher erforderlich, dass ein großer Strom in dem Stromsteuerelement (T2) fließt, um damit die EL-Schicht zum Leuchten zu bringen. In anderen Worten, das Verhalten, das für den TFT erforderlich ist, ist in dem Schaltelement vollkommen unterschiedlich im Vergleich zu dem Stromsteuerelement. In diesem Falle ist es schwierig, das Leistungsverhalten, das für alle Schaltungen und Elemente erforderlich ist, lediglich mit einer einzelnen TFT-Struktur sicherzustellen.
  • Überblick über die Erfindung
  • Angesichts der zuvor beschriebenen konventionellen Technik ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein elektrooptisches Bauelement mit gutem Funktionsverhalten und hoher Zuverlässigkeit bereitzustellen, und insbesondere eine EL-Anzeigeeinrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, die Qualität des elektronischen Bauelements (ein elektronisches Bauelement) mit dem elektrooptischen Bauelement als Anzeige zu verbessern, indem die Bildqualität des elektrooptischen Bauelements verbessert wird.
  • Um die vorhergehenden Aufgaben zu lösen, stellt die vorliegende Erfindung TFT's mit einer optimalen Struktur im Hinblick auf das Leistungsverhalten bereit, das für Elemente erforderlich ist, die in jedem Pixel des EL-Anzeigebauelements enthalten sind. Anders ausgedrückt, es sind TFT's mit unterschiedlichen Strukturen innerhalb des gleichen Pixels vorhanden.
  • Insbesondere besitzt ein Element, in welchem als Hauptmerkmal eine ausreichende Absenkung des Wertes des Sperrstromes angestrebt ist (etwa als Schaltelement), einen TFT-Aufbau, in welchem tatsächlich die Reduzierung des Sperrstromwertes anstelle einer hohen Betriebsgeschwindigkeit verwirklicht ist. Ein Element, in welchem ein hoher Durchlassstrom (etwa ein Stromsteuerelement) verwirklicht werden soll, besitzt eine TFT-Struktur, in der der Durchlassstrom hoch ist und wobei die beeinträchtigende Einwirkung auf Grund der Einprägung heißer bzw. energiereicher Ladungsträger ausgeprägt ist, was zu Problemen führen kann, anstatt dass die Verringerung des Sperrstromes in den Vordergrund gestellt wird.
  • Es ist möglich, das Betriebsleistungsverhalten des EL-Anzeigebauelements zu verbessern, und dessen Zuverlässigkeit zu erhöhen, wenn die vorliegende Erfindung angewendet wird, indem in geeigneter Weise TFT's auf dem gleichen Substrat eingesetzt werden, wie dies zuvor beschrieben ist. Zu beachten ist, dass die Konzepte der vorliegenden Erfindung nicht auf einen Pixelbereich beschränkt sind und dass die vorliegende Erfindung sich dadurch auszeichnet, dass es möglich ist, den TFT-Aufbau, der in dem Pixelbereich und in einem Ansteuerschaltungsbereich zum Ansteuern des Pixelbereichs enthalten ist, zu optimieren.
  • Um die Aufgaben zu lösen, wird ein elektronisches Bauelement angegeben, das ein Pixel enthält, wie es im Anspruch 1 beschrieben ist.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • In den begleitenden Zeichnungen zeigen:
  • 1 eine Diagrammansicht, wobei die Querschnittsstruktur des Pixelbereichs eines EL-Anzeigebauelements gezeigt ist;
  • 2a und 2b Diagramme, die eine Draufsicht und den Aufbau des Pixelbereichs eines EL-Anzeigebauelements zeigen;
  • 3a bis 3e Ansichten, die Fertigungsverfahren für eine EL-Anzeigeeinrichtung mit aktiver Matrix darstellen;
  • 4a bis 4d Diagramme, die Fertigungsprozesse eines EL-Anzeigeelements mit aktiver Matrix zeigen;
  • 5a bis 5c Ansichten, die Fertigungsprozesse eines EL-Anzeigebauelements mit aktiver Matrix zeigen;
  • 6 eine Ansicht, in der eine externe Ansicht eines EL-Moduls gezeigt ist;
  • 7 ein Diagramm, das die Schaltungsblockstruktur eines EL-Anzeigebauelements zeigt;
  • 8 eine vergrößerte Ansicht des Pixelbereichs eines EL-Anzeigebauelements;
  • 9 eine Ansicht, in der der Aufbau einer Abtastschaltung eines EL-Anzeigebauelements gezeigt ist;
  • 10 eine Ansicht, die die Zusammensetzung des Pixelbereichs eines EL-Anzeigebauelements zeigt;
  • 11 eine Ansicht, die den Querschnittsaufbau eines EL-Anzeigebauelements zeigt;
  • 12a und 12b Ansichten, die eine Draufsicht bzw. die Struktur des Pixelbereichs eines EL-Anzeigebauelements zeigen;
  • 13 eine Ansicht, die den Querschnitt des Pixelbereichs eines EL-Anzeigebauelements zeigt;
  • 14 eine Ansicht, die die Querschnittsstruktur des Pixelbereichs eines EL-Anzeigebauelements zeigt;
  • 15a und 15b Ansichten, die eine Draufsicht bzw. eine Gesamtstruktur des Pixelbereichs eines EL-Anzeigebauelements zeigen;
  • 16a bis 16f Ansichten, die spezielle Beispiele eines elektrischen Bauelements zeigen;
  • 17a und 17b Ansichten, die ein EL-Modul von außen zeigen;
  • 18a bis 18c Ansichten, die Fertigungsprozesse einer Kontaktstruktur zeigen;
  • 19 eine Ansicht, die den Schichtaufbau einer EL-Schicht zeigt;
  • 20a und 20b Ansichten, die spezielle Beispiele elektronischer Bauelemente zeigen;
  • 21a und 21b Ansichten, die die Schaltungszusammensetzung des Pixelbereichs eines EL-Anzeigebauelements zeigen;
  • 22a und 22b Ansichten, die den Schaltungsaufbau des Pixelbereichs eines EL-Anzeigebauelements zeigen; und
  • 23 eine Ansicht, die den Querschnitt des Pixelbereichs einer EL-Anzeigeeinrichtung zeigt.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Ausführungsform
  • 1 bis 2b dienen zum Erläutern der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung. In 1 ist eine Querschnittsansicht eines Pixels eines EL-Anzeigebauelements der vorliegenden Erfindung gezeigt, und 2a ist eine Draufsicht davon dargestellt und in 2b ist eine Schaltungszusammenstellung gezeigt. In der Praxis wird ein Pixelbereich (Bildanzeigebereich) mit einer großen Anzahl dieser Art von Pixeln, die in einer Matrixanordnung angebracht sind, aufgebaut.
  • Zu beachten ist, dass die Querschnittsansicht der 1 einen Querschnitt entlang der Linie A-A' in der Draufsicht aus 2a zeigt. Es werden in den 1 und 2a und 2b gleiche Bezugszeichen verwendet und es wird daher auf die Figuren nach Bedarf hingewiesen. Ferner sind in der Draufsicht aus 2a zwei Pixel gezeigt und beide besitzen den gleichen Aufbau.
  • Bezugszeichen 11 bezeichnet ein Substrat und Bezugszeichen 12 bezeichnet eine Basisschicht in 1. Ein Glassubstrat, ein Glaskeramiksubstrat, ein Quarzsubstrat, ein Siliziumsubstrat, ein Keramiksubstrat, ein Metallsubstrat oder ein Kunststoffsubstrat (einschließlich einer Kunststoffschicht) können als das Substrat 11 verwendet werden.
  • Insbesondere ist die Basisschicht 12 für Fälle vorteilhaft, in denen ein Substrat mit beweglichen Ionen oder ein Substrat mit Leitfähigkeit verwendet wird, wobei diese Schicht für ein Quarzsubstrat nicht hergestellt werden muss. Eine isolierende Schicht mit Silizium kann auf der Basisschicht 12 gebildet werden. Zu beachten ist, dass der Begriff „isolierende Schicht mit Silizium" insbesondere eine isolierende Schicht bezeichnet, die Silizium, Sauerstoff und Stickstoff in vorbestimmten Verhältnissen enthält, beispielsweise in Form einer Siliziumoxidschicht, einer Siliziumnitridschicht, einer Siliziumoxinitridschicht (die als SiOxNy bezeichnet wird).
  • Im vorliegenden Falle sind die beiden TFT's innerhalb des Pixels gebildet. Bezugszeichnen 201 bezeichnet einen TFT, der als ein Schaltelement dient (im Weiteren als ein Schalt-TFT bezeichnet), und Bezugszeichnen 202 bezeichnet einen TFT, der als ein Stromsteuerelement dient, um die Größe des Stromes zu steuern, der durch ein EL-Element fließt (im Weiteren als ein Stromsteuer-TFT bezeichnet), und beide TFT's sind als n-Kanal-TFT's aus gebildet.
  • Die Feldeffektbeweglichkeit des n-Kanal-TFT's ist größer als die Feldeffektbeweglichkeit eines p-Kanal-TFT's, und daher ist die Arbeitsgeschwindigkeit hoch und es kann effizient ein elektrischer Stromfluss stattfinden. Bei gleicher Größe des Stromflusses kann der n-Kanal-TFT kleiner hergestellt werden. Der effektive Oberflächenbereich des Anzeigebereichs wird daher größer, wenn ein n-Kanal-TFT als Stromsteuer-TFT verwendet wird, und dies wird als vorteilhaft erachtet.
  • Der p-Kanal-TFT besitzt die Vorteile, dass das Einprägen energiereicher Ladungsträger im Wesentlichen kein Problem darstellt, und dass der Sperrstrom geringer ist, und es gibt bereits Berichte über Beispiele unter Anwendung eines p-Kanal-TFT's als Schalt-TFT und als Stromsteuer-TFT. Unter Anwendung eines Aufbaus, in welchem die Position eines LDD-Gebiets unterschiedlich ist, kann jedoch die Problematik der Einprägung energiereicher Ladungsträger und des Leckstromwertes in einem n-Kanal-TFT erfindungsgemäß gelöst werden. Die vorliegende Erfindung zeichnet sich dadurch, dass ein n-Kanal-TFT für alle TFT's innerhalb aller Pixel eingesetzt werden kann.
  • Es sollte beachtet werden, dass es nicht erforderlich, den Schalt-TFT und den Stromsteuer-TFT auf n-Kanal-TFT's in der vorliegenden Erfindung zu beschränken, und es ist möglich, p-Kanal-TFT's für den Schalt-TFT, den Stromsteuer-TFT oder beides zu verwenden.
  • Der Schalt-TFT 201 ist aufgebaut aus: einer aktiven Schicht mit einem Quellengebiet bzw. Source-Gebiet 13, einem Drain-Gebiet 14, LDD-Gebieten 15a bis 15d, einem Dotiergebiet mit hoher Konzentration 16 und kanalbildenden Gebieten 17a und 17n, einer Gateisolationsschicht 18, Gateelektroden 19a und 19b, einer ersten Zwischenisolationsschicht 20, einer Source-Verdrahtung 21 und einer Drain-Verdrahtung 22.
  • Wie in 2a gezeigt ist, zeichnet sich die vorliegende Erfindung dadurch aus, dass die Gateelektroden 19a und 19b zu einer Doppel-Gate-Struktur ausgebaut sind, die elektrisch durch eine Gateverdrahtung 211 verbunden ist, die durch ein anderes Material (ein Material mit einem geringeren Widerstand als die Gateelektrode 19a und 19b) ausgebildet ist. Es kann nicht nur eine Doppel-Gate-Struktur, sondern auch eine sogenannte Mehrfachgatestruktur (eine Struktur mit einer aktiven Schicht mit zwei oder mehr kanalbildenden Gebieten, die in Reihe geschaltet sind), etwa eine Dreifachgatestruktur, eingesetzt werden. Die Mehrfachgatestruktur ist äußerst wirksam bei der Verringerung des Wertes des Leckstromes; durch das Vorsehen des Schalt-TFT's 201 des Pixels in Form einer Mehrfachgatestruktur gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein geringer Sperrstromwert für den Schalt-TFT realisiert werden.
  • Die aktive Schicht ist durch eine Halbleiterschicht mit einer Kristallstruktur vorgesehen. Anders ausgedrückt, es kann eine einkristalline Halbleiterschicht verwendet werden, oder es kann eine polykristalline Halbleiterschicht oder eine mikrokristalline Halbleiterschicht ver wendet werden. Die Gateisolationsschicht 18 kann durch eine isolierende Schicht mit Silizium hergestellt werden. Des weiteren kann eine leitende Schicht für alle Gateelektroden, die Sourceverdrahtung und die Gateverdrahtung verwendet werden.
  • Des weiteren sind die LDD-Gebiete 15a bis 15d in dem Schalt-TFT 201 so ausgebildet, dass diese nicht mit den Gateelektroden 19a und 19b überlappen, indem die Gateisolationsschicht 18 dazwischen vorgesehen ist. Dieser Aufbau ist äußerst wirksam für die Reduzierung des Sperrstromes.
  • Zu beachten ist, dass die Ausbildung eines Offset-Gebiets (ein Gebiet, das eine Halbleiterschicht mit dem gleichen Aufbau wie die kanalbildenden Gebiete besitzt und an das die Gatespannung nicht angelegt wird) zwischen den kanalbildenden Gebieten und den LDD-Gebiet vorteilhafter ist, um den Sperrstrom zu verringern. Wenn eine Mehrfachgatestruktur mit zwei oder mehr Gateelektroden verwendet wird, ist das dotierte Gebiet mit hoher Konzentration, das zwischen den kanalbildenden Gebieten ausgebildet ist, vorteilhaft für die Reduzierung des Wertes des Sperrstromes.
  • Unter Anwendung des Mehrfachgatestruktur-TFT's als Schalt-TFT 201 kann ein Schaltelement mit einem ausreichend geringen Sperrstromwert gemäß der vorliegenden Erfindung verwirklicht werden. Die Gatespannung des Stromsteuerelements kann daher für eine ausreichende Zeitdauer (für eine Dauer von einer Auswahl bis zur nächsten Auswahl) beibehalten werden, ohne dass ein Kondensator (Cs), wie er etwa in dem konventionellen Beispiel vorgesehen ist, ausgebildet wird.
  • Insbesondere ist es möglich, den Kondensator wegzulassen, der eine Verringerung der wirksamen Lumineszenzoberfläche bewirkt, und es ist somit möglich, die wirksame strahlende Fläche zu vergrößern. Dies bedeutet, dass die Bildqualität des EL-Anzeigebauelements zur Erhöhung der Helligkeit verbessert werden kann.
  • Ferner ist der Stromsteuer-TFT 202 ausgebildet mit: einer aktiven Schicht mit einem Source-Gebiet 31, einem Drain-Gebiet 32, einem LDD-Gebiet 33 und einem kanalbildenden Gebiet 34; einer Gateisolationsschicht 18; einer Gateelektrode 35; der ersten Zwischenschichtisolationsschicht 20; einer Sourceverdrahtung 36; und einer Drainverdrahtung 37. Zu beachten ist, dass die Gateelektrode 35 eine Einzelgatestruktur ist, wobei jedoch eine Mehrfachgatestruktur verwendet werden kann.
  • Wie in den 2a und 2b gezeigt ist, ist das Drain des Schalt-TFT's 202 elektrisch mit dem Gate des Stromsteuer-TFT's 202 verbunden. Insbesondere ist die Gateelektrode 35 des Stromsteuer-TFT's 202 elektrisch mit dem Draingebiet 14 des Schalt-TFT's 201 über die Drainverdrahtung (die auch als eine Verbindungsverdrahtung bezeichnet ist) 22 verbunden. Ferner ist die Source-Verdrahtung 36 mit einer Verdrahtung 212 für die elektrische Versorgung verbunden.
  • Eine Eigenschaft des Stromsteuer-TFT's 202 besteht darin, dass seine Kanalbreite größer ist als die Kanalbreite des Schalt-TFT's 202. D. h., wie in 8 gezeigt ist, wenn die Kanallänge des Schalt-TFT als L1 und dessen Kanalbreite als W1 bezeichnet wird, und wenn die Kanallänge des Stromsteuer-TFT's als L2 und seine Kanalbreite als W2 bezeichnet werden, lässt sich das Verhältnis ausdrücken W2/L2 ≥ 5 × W1/L1 (vorzugsweise ist W2/L2 ≤ 10 × W1/L1). Folglich ist es möglich, dass in dem Stromsteuer-TFT mehr Strom ist als in dem Schalt-TFT, fließt.
  • Zu beachten ist, dass die Kanallänge L1 des Schalt-TFT's mit Mehrfachgatestruktur die Summe aller Kanallängen der zwei oder mehr kanalbildenden Gebiete ist. Im Falle der 8 ist eine Doppel-Gate-Struktur verwendet, und daher ergibt die Summe der Kanallängen L1a und L1b der beiden kanalbildenden Gebiete die Kanallänge L1 des Schalt-TFT's.
  • Die Kanallängen L1 und L2 und die Kanalbreiten W1 und W2 sind erfindungsgemäß nicht auf spezielle Wertebereiche eingeschränkt, aber es ist vorteilhaft, das W1 im Bereich von 0,1 bis 5 μm (typischerweise zwischen 1 und 3 μm) liegt und das W2 im Bereich von 0,5 bis 30 μm (typischerweise zwischen 2 und 10 μm) liegt. Es ist vorteilhaft, dass L1m Bereich von 0,2 bis 18 μm (typischerweise zwischen 2 und 15 μm) liegt, und dass L2 im Bereich von 0,1 bis 50 μm (typischerweise zwischen 1 und 20 μm) liegt.
  • Zu beachten ist, dass es vorteilhaft ist, die Kanallänge L in dem Stromsteuer-TFT größer zu wählen, um einen übermäßigen Stromfluss zu verhindern. Vorzugsweise ist W2/L2 ≥ 3 (und insbesondere ist W2/L2 ≥ 5). Es ist ferner vorteilhaft, dass der Stromfluss pro Pixel bei 0,5 bis 2 μA (besser von 1 bis 1,5 μA) liegt.
  • Durch Festlegen der Werte auf diesen Bereich können alle Standards, von einer EL-Anzeigeeinrichtung mit einer Anzahl von Pixeln gemäß der VGA-Klasse (640 × 480) bis zu einer EL-Anzeigeeinrichtung mit einer Anzahl von Pixeln, die einer größeren Auflösung entspricht (1920 × 1080), verwirklicht werden.
  • Ferner wird die Länge (Breite) des LDD-Gebiets, das in dem Schalt-TFT 201 gebildet ist, auf einen Bereich von 0,5 bis 3,5 μm und typischerweise von 2,0 bis 2,5 μm festgelegt.
  • Die EL-Anzeigeeinrichtung, die in 1 gezeigt ist, zeichnet sich dadurch aus, dass das LDD-Gebiet 33 zwischen dem Drain-Gebiet 32 und dem kanalbildenden Gebiet 34 in dem Stromsteuer-TFT 202 ausgebildet ist. Ferner besitzt das LDD-Gebiet 33 sowohl ein Gebiet, das mit der Gateelektrode 35 überlappt, als auch ein Gebiet, das mit der Gateelektrode 35 nicht überlappt, wobei eine Gateisolationsschicht 18 dazwischen angeordnet ist.
  • Der Stromsteuer-TFT 202 liefert einen Strom, so dass das EL-Element 203 leuchtet, und gleichzeitig wird der Betrag des zugeführten Stromes gesteuert, so dass eine Graustufenanzeige möglich ist. Es ist daher notwendig, dass keine Beeinträchtigung auftritt, wenn der Strom fließt, und dass Maßnahmen getroffen werden, um eine Beeinträchtigung auf Grund des Einprägens energiereicher Ladungsträger zu verhindern. Wenn ferner die Farbe schwarz angezeigt wird, wird der Stromsteuer-TFT 202 in den Aus-Zustand versetzt, wobei, wenn dann der Sperrstromwert hoch ist, eine saubere Anzeige mit schwarzer Farbe nicht möglicht ist, und dies ergibt Probleme im Hinblick auf einen geringeren Kontrast. Es ist daher notwendig, den Wert des Sperrstromes zu verringern.
  • Im Hinblick auf die Funktionsbeeinträchtigung auf Grund der Einprägung energiereicher Ladungsträger ist es bekannt, dass ein Aufbau, in welchem das LDD-Gebiet mit der Gateelektrode überlappt, sehr effizient ist. Wenn jedoch das gesamte LDD-Gebiet so ausgebildet ist, dass es mit der Gateelektrode überlappt, dann steigt der Wert des Sperrstromes an, und daher werden durch die vorliegende Erfindung sowohl das Problem der energiereichen Ladungsträger als auch der Sperrstrom mittels einer neuartigen Struktur gelöst, wobei ein LDD-Gebiet, das nicht mit der Gateelektrode überlappt, in Reihenschaltung ausgebildet wird.
  • Die Länge des LDD-Gebiets, das mit der Gatelektrode überlappt, kann dabei in einem Bereich von 0,1 bis 3 μm liegen (vorzugsweise zwischen 0,3 und 1,5 μm). Wenn das Überlappungsgebiet zu lang ist, dann wird die parasitäre Kapazität größer, und wenn dieses zu kurz ist, dann wird die Wirkung zur Verhinderung energiereicher Ladungsträger verringert. Ferner kann die Länge des LDD-Gebiets, das nicht mit der Gateelektrode überlappt, auf einen Bereich von 1,0 bis 3,6 μm (vorzugsweise von 1,5 bis 2,0 μm) eingestellt werden. Wenn dieses Gebiet zu lang ist, kann kein ausreichend großer Strom fließen, und wenn es zu kurz ist, dann ist die Wirkung des Verringerns des Sperrstroms nicht ausreichend ausgeprägt.
  • In der zuvor genannten Struktur ist eine parasitäre Kapazität in dem Gebiet ausgebildet, in dem die Gateelektrode und das LDD-Gebiet überlappen, und daher ist es vorteilhaft, dass dieses Gebiet nicht zwischen dem Sourcegebiet 31 und dem kanalbildenden Gebiet 34 gebildet ist. Die Ladungsträger (Elektronen in diesem Falle) besitzen eine Strömungsrichtung, die stets für den Stromsteuer-TFT gleich ist, und daher ist es ausreichend, das LDD-Gebiet lediglich auf Seite des Draingebiets zu bilden.
  • Ferner ist es im Hinblick auf das Erhöhen des möglichen Durchlassstromes vorteilhaft, die Schichtdicke der aktiven Schicht (insbesondere des kanalbildenden Gebiets) des Stromsteuer-TFT's 202 möglichst groß zu machen (vorzugsweise von 50 bis 100 nm oder noch besser von 60 bis 80 nm). Andererseits gilt im Hinblick auf das Verringern des Sperrstromes für den Schalt-TFT 201, dass es vorteilhaft ist, die Schichtdicke der aktiven Schicht (insbesondere des kanalbildenden Gebiets) klein zu gestalten (vorzugsweise von 20 bis 50 nm oder noch besser von 25 bis 40 nm).
  • Das Bezugszeichnen 41 bezeichnet eine erste Passivierungsschicht und deren Schichtdicke liegt in einem Bereich von 10 nm bis 1 μm (vorzugsweise von 200 bis 500 nm). Eine Isolierschicht mit Silizium (insbesondere vorzugsweise eine Siliziumoxinitridschicht oder eine Siliziumnitridschicht) kann als Passivierungsmaterial verwendet werden. Die Passivierungsschicht 41 dient dazu, den hergestellten TFT vor Kontamination und Feuchtigkeit zu schützen. Alkalimetalle, etwa Natrium, sind in einer EL-Schicht, die auf dem endgültigen TFT ausgebildet ist, enthalten. Anders ausgedrückt, die erste Passivierungsschicht 41 dient als eine Schutzschicht, so dass diese Alkalimetalle (bewegliche Ionen) nicht in den TFT eindringen. Zu beachten ist, dass Alkalimetalle und Erdalkalimetalle in dem Begriff „Alkalimetall" in dieser Anmeldung enthalten sein sollen.
  • Das Herstellen der Passivierungsschicht 41 beinhaltet einen Wärmestrahlungseffekt, so dass eine thermische Beeinträchtigung der EL-Schicht wirksam verhindert werden kann. Zu beachten ist, das Licht von der Seite der Basis 11 der Struktur aus 11 des EL-Anzeigebauelements ausgesendet wird, und daher ist es notwendig für die Passivierungsschicht 41, dass diese für Licht durchlässig ist.
  • Als lichtdurchlässiges Material, das die Wärmestrahlungseigenschaften besitzt, kann eine chemische Verbindung verwendet werden, die mindestens eines der folgenden Elemente umfasst: B (Bor), C (Kohlenstoff) und N (Stickstoff) und mindestens eines der Elemente: Al (Aluminium), Si (Silizium) und P (Phosphor). Beispielsweise ist es möglich, zu verwenden: eine Aluminiumnitridverbindung, typischerweise Aluminiumnitrid (AlxNy); eine Siliziumkohlenstoffverbindung, typischerweise Siliziumkarbid (SixCy); eine Siliziumnitridverbindung, typischerweise Siliziumnitrid (SixNy); eine Bornitridverbindung, typischerweise Bornitrid (BxNy); oder eine Borphosphatverbindung, typischerweise Borphosphat (BxPy). Ferner besitzt eine Aluminiumoxidverbindung, typischerweise Aluminiumoxid (AlxOy) bessere Lichtdurchlässigkeitseigenschaften und besitzt eine thermische Leitfähigkeit von 20 Wm–1K–1 und dieses Material kann als ein bevorzugtes Material betrachtet werden. Diese Materialien besitzen nicht nur Wärmestrahlungseigenschaften, sondern sind auch wirksam, um ein Eindringen von Substanzen, etwa Feuchtigkeit und Alkalimetalle, zu verhindern. Zu beachten ist, dass x und y beliebige ganze Zahlen für die oben genannten transparenten Materialien sind.
  • Die obigen chemischen Verbindungen können auch mit anderen Elementen kombiniert werden. Beispielsweise ist es möglich, nitriertes Aluminiumoxid, das als AlxOy bezeichnet wird, zu verwenden, wobei Stickstoff dem Aluminiumoxid hinzugefügt wird. Dieses Material besitzt nicht nur Wärmestrahlungseigenschaften, sondern es ist auch wirksam, um das Eindringen von Substanzen, etwa Feuchtigkeit und Alkalimetalle, zu verhindern. Zu beachten ist, dass x und y ganzzahlige Faktoren für das oben genannte nitrierte Aluminiumoxid sind.
  • Ferner können auch die Materialien verwendet werden, die in der japanischen Offenlegungsschrift Sho 62-90260 verwendet sind. D. h., eine chemische Verbindung mit Si, Al, N, O und M kann auch verwendet werden (zu beachten ist, das N ein seltenes Erdeelement ist, vorzugsweise ein Element aus der Gruppe: Ce (Cäsium), Yb (Ytterbium), Sn (Samarium), Er (Erbium), Y (Yttrium), La (Lanthan), Gd (Gadolinium), Dy (Dysprosium) und Nd (Neodym)). Diese Materialien besitzen nicht nur Wärmestrahlungseigenschaften, sondern sind auch wirksam im Verhindern des Eindringens von Substanzen, etwa von Feuchtigkeit und Alkalimetallen.
  • Ferner können auch Kohlenstoffschichten, etwa in Form einer dünnen Diamantschicht oder in Form von amorphem Kohlenstoff (insbesondere solche, die Eigenschaften ähnlich zu Diamant aufweisen, die als diamantähnlicher Kohlenstoff bezeichnet werden) verwendet werden. Diese besitzen eine sehr hohe thermische Leiffähigkeit und sind äußerst wirksam als Strahlungsschichten. Zu beachten ist, dass, wenn die Schichtdicke größer wird, eine Farbverschiebung auftritt und die Durchlässigkeit dadurch verringert wird, und daher ist es vorteilhaft, eine dünne Schicht (vorzugsweise von 5 bis 100 nm) zu verwenden.
  • Zu beachten ist, dass das Ziel der ersten Passivierungsschicht 41 darin besteht, den TFT vor kontaminierender Substanz und vor Feuchtigkeit zu schützen, und daher muss diese Schicht so gestaltet sein, dass diese die Wirkung nicht verliert. Eine dünne Schicht, die aus einem Material hergestellt ist, das die obige Strahlungswirkung besitzt, kann an sich verwendet werden, aber es ist vorteilhaft, diese dünne Schicht und eine dünne Schicht mit abschirmenden Wirkungen gegenüber Alkalimetallen und Feuchtigkeit als Schichtstapel zu bilden (typischerweise eine Siliziumnitridschicht SixNy) oder eine Siliziumoxidnitridschicht (SiOxNy)). Zu beachten ist, dass x und y beliebige Ganzzahlen für die obigen Siliziumnitridschichten und Siliziumoxinitridschichten repräsentieren.
  • Bezugszeichnen 42 bezeichnet einen Farbfilter und Bezugszeichen 43 bezeichnet eine fluoreszierende Substanz (die auch als eine Fluoreszenzpigmentschicht bezeichnet wird). Beide sind eine Kombination der gleichen Farbe und enthalten Rot (R), Grün (G) oder Blau (B). Der Farbfilter 42 ist vorgesehen, um die Farbreinheit zu erhöhen, und die fluoreszierende Substanz 43 ist hergestellt, um eine Farbumwandlung auszuführen.
  • Zu beachten ist, dass die EL-Anzeigebauelemente grob entsprechend vier Verfahren für Farbanzeigen unterteilt werden können: Ein Verfahren zur Herstellung dreier Arten von EL-Elementen entsprechend R, G und B; ein Verfahren zum Kombinieren weiß leuchtender EL-Elemente mit Farbfiltern; ein Verfahren zum Kombinieren von blauen oder blaugrünen leuchtenden EL-Elementen und fluoreszierender Materie (fluoreszierende Farbänderungsschicht, CCM); und ein Verfahren zum Verwenden einer transparenten Elektrode als Kathode (entgegengesetzte Elektrode) und überlappende EL-Elemente entsprechend zu R, G und B.
  • Der Aufbau aus 1 ist ein Beispiel eines Falles, wobei eine Kombination blauer leuchtender EL-Elemente und einer fluoreszierenden Substanz verwendet sind. Eine mit blauer Farbe emittierende lumineszierende Schicht wird als das EL-Element 203 in diesem Falle verwendet, und es wird Licht mit Wellenlängen im Bereich der blauen Farbe einschließlich des ultravioletten Lichts gebildet und die fluoreszierende Substanz 43 wird durch das Licht aktiviert und dazu veranlasst, rotes, grünes oder blaues Licht auszusenden. Die Farbreinheit des Lichtes wird durch den Farbfilter 42 verbessert und dieses Licht wird dann ausgegeben.
  • Zu beachten ist, dass es möglich ist, die vorliegende Erfindung zu praktizieren, ohne dass dies das Verfahren der Lichtaussendung betrifft, und es können alle vier oben genannten Verfahren in der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden.
  • Ferner wird nach dem Herstellen des Farbfilters 42 und der fluoreszierenden Substanz 43 ein Einebnungsprozess mittels einer zweiten Zwischenisolationsschicht 44 ausgeführt. Eine Harzschicht wird vorzugsweise als die zweite Zwischenschichtisolierschicht 44 verwendet, und es wird Polyimid, Polyamid, oder Acryl oder BOB (Benzozyklobutan) verwendet. Eine anorganische Schicht kann ebenfalls verwendet werden, vorausgesetzt, dass eine ausreichende Einebnung möglicht ist.
  • Die Einebnung von Stufen auf Grund des TFT's mittels der zweiten Zwischenschichtisolierschicht 44 ist äußerst wichtig. Die danach hergestellte EL-Schicht ist sehr dünn, und daher gibt es Fälle, in denen eine schlechte Leuchtkraft durch das Vorhandensein einer Stufe hervorgerufen wird. Es ist daher vorteilhaft, das Einebnen vor dem Bilden einer Pixelelektrode durchzuführen, um damit in der Lage zu sein, die EL-Schicht auf einer möglichst kleinen Oberfläche herzustellen.
  • Ferner ist es günstig, eine isolierende Schicht mit einem hohen thermischen Ausstrahlungseffekt (im Weiteren als thermische Strahlungsschicht bezeichnet) auf der zweiten Zwi schenschichtisolierschicht 44 zu bilden. Eine Schichtdicke von 5 nm bis 1 μm (typischerweise von 20 bis 300 nm) ist vorteilhaft. Diese Art einer thermischen Strahlungsschicht funktioniert so, dass die von dem EL-Element erzeugte Wärme freigesetzt wird, so dass in dem EL-Element keine Wärme gespeichert wird. Wenn ferner die zweite Zwischenschichtisolationsschicht 44 durch eine Harzschicht gebildet ist, ist diese im Hinblick auf die Wärmebeständigkeit nicht stabil und die thermische Strahlungsschicht funktioniert nicht in der Weise, dass ein negativer Einfluss auf Grund der durch das EL-Element erzeugten Wärme erreicht wird.
  • Es ist vorteilhaft, das Einebnen des TFT durch die Harzschicht bei der Herstellung des EL-Anzeigebauelements durchzuführen, wie dies zuvor angegeben ist, aber es gibt keine konventionelle Struktur, die die Beeinträchtigung der Harzschicht auf Grund der durch das EL-Element erzeugten Wärme berücksichtigt. Es kann daher gesagt werden, dass die Herstellung der thermischen Strahlungsschicht äußerst wirksam ist, um diese Problematik zu lösen.
  • Vorausgesetzt, dass ein Material, das für Feuchtigkeit, Sauerstoff oder Alkalimetalle (oder ein Material ähnlich zu der ersten Passivierungsschicht 41) nicht durchlässig ist, als die thermische Strahlungsschicht verwendet wird, kann diese Schicht auch als eine Schutzschicht dienen, um zu verhindern, dass Alkalimetalle in der EL-Schicht nicht in Richtung des TFT diffundieren, wobei gleichzeitig auch eine Beeinträchtigung des EL-Elements und der Harzschicht auf Grund der Wärme verhindert wird, wie dies zuvor dargestellt ist. Ferner fungiert die thermische Strahlungsschicht als eine Schutzschicht, so dass Feuchtigkeit und Sauerstoff von dem TFT nicht in die EL-Schicht eindringen.
  • Vorausgesetzt, dass insbesondere die thermische Strahlungswirkung gewünscht ist, kann eine Kohlenstoffschicht, etwa eine Diamantschicht oder eine diamantähnliche Kohlenstoffschicht vorteilhaft eingesetzt werden, um dabei auch das Eindringen von Substanzen, etwa Feuchtigkeit, zu verhindern, wobei es vorteilhaft ist, eine Schichtstruktur aus einer Kohlenstoffschicht und einer Siliziumnitridschicht (oder einer Siliziumoxinitridschicht) zu verwenden.
  • Ein Aufbau, in welchem der TFT und das EL-Element durch eine Isolationsschicht getrennt sind, die eine hohe Strahlungswirkung aufweist und in der Lage ist, Feuchtigkeit und Alkalimetalle abzuschirmen, ist daher besonders vorteilhaft.
  • Bezugszeichen 45 bezeichnet eine Pixelelektrode (EL-Elementanode), die aus einem nichtdurchlässigen leitenden Schichtmaterial hergestellt ist. Nach dem Öffnen einer Kontaktöffnung in der zweiten Zwischenschichtisolationsschicht 44 und der ersten Passivierungsschicht 41 wird die Pixelelektrode 45 so hergestellt, dass diese eine Verbindung zu der Drain-Verdrahtung 37 des Stromsteuer-TFT's 202 herstellt.
  • Eine EL-Schicht (ein organisches Material ist vorteilhaft) 46, eine Kathode 47 und eine Schutzelektrode 48 sind in dieser Reihenfolge auf der Pixelelektrode 45 hergestellt. Eine einzelne Schichtstruktur oder eine Mehrfachschichtstruktur kann als die EL-Schicht 46 verwendet werden, wobei es aber auch viele Fälle gibt, in denen die Schichtstruktur eingesetzt wird. Diverse Schichtstrukturen wurden vorgeschlagen in Form von Kombinationen von Schichten, etwa einer Lumineszenzschicht, einer Elektronentransportschicht, einer Elektroneneinprägeschicht, einer Löchereinprägeschicht und einer Löchertransportschicht, wobei jedoch ein beliebiger Aufbau in der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann. Das Dotieren eines fluoreszierenden Pigments in die EL-Schicht kann selbstverständlich auch eingesetzt werden. Zu beachten ist, dass ein lumineszierendes Element, das durch eine Pixelelektrode (Anode), eine EL-Schicht und eine Kathode gebildet ist, wird in dieser Anmeldung als EL-Element bezeichnet wird.
  • Es können alle bereits bekannten EL-Materialien in der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden. Organische Materialien sind weiterhin als derartige Materialien bekannt, und im Hinblick auf die Ansteuerspannung ist es vorteilhaft, ein organisches Material zu verwenden. Beispielsweise können die Materialien, die in den folgenden US-Patenten und japanischen Patentanmeldungen offenbart sind, als das organische EL-Material verwendet werden:
  • Insbesondere kann ein organisches Material, wie es durch die nachfolgende allgemeine Formel dargestellt ist, als eine Löchereinprägeschicht verwendet werden.
  • (Formel 1)
    Figure 00170001
  • Hier bezeichnet Q ein N oder ein C-R (Kohlenstoffkette); M ist ein Metall, ein Metalloxid oder ein Metallhalogenid; R ist Wasserstoff, ein Alkyl, ein Aralkyl, ein Aryl oder ein Alkalyl; und T1 und T2 sind ungesättigte sechselementige Ringe mit Substituenten, etwa Wasserstoff, Alkyl oder Halogenid.
  • Fern kann ein aromatisches tertiäres Armin als ein organisches Material in Form einer Löchertransportschicht verwendet werden, wobei vorzugsweise Tetraaryldiamine enthalten ist, wie dies durch die nachfolgende allgemeine Formel gezeigt ist. (Formel 2)
    Figure 00170002
  • In Formel 2 ist Are eine Arylengruppe, N ist eine Ganzzahl zwischen 1 und 4 und Ar, R1, R8 und R9 sind diverse ausgewählte Arylgruppen.
  • Ferner kann eine Metalloxynoidverbindung als ein organisches Material für die EL-Schicht, die Elektronentransportschicht oder die Elektroneneinprägeschicht verwendet werden. Ein Material, wie es durch die folgende allgemeine Formel gezeigt ist, kann als die Metalloxynoidverbindung verwendet werden.
  • (Formel 3)
    Figure 00180001
  • Es ist möglich, R2 durch R7 zu ersetzen und es kann auch ein Metalloxynoid, etwa wie es in der folgenden Formel dargestellt ist, verwendet werden.
  • (Formel 4)
    Figure 00180002
  • In Formel 4 sind R2 bis R7 wie zuvor definiert; L1 bis L5 sind Carbohydratgruppen mit 1 bis 12 Kohlenstoffelementen; und sowohl L1 als auch L2 oder sowohl L2 und L3 sind als Benzolringe ausgebildet. Ferner kann ein Metalloxynoid, etwa wie das Folgende, verwendet werden.
  • (Formel 5)
    Figure 00180003
  • Es ist möglich, R2 durch R6 in diesem Fall zu substituieren. Koordinationsverbindungen mit organischen Liganden sind damit als organische EL-Materialien mit eingeschlossen. Zu beachten ist, dass die obigen Beispiele lediglich einige Beispiele organischer EL-Materialien sind, die als die EL-Materialschicht der vorliegenden Erfindung verwendet wer den können, und es besteht kein Grund, das EL-Material auf diese Beispiele zu beschränken.
  • Wenn ferner ein Tintenstrahlverfahren zur Herstellung der EL-Schicht eingesetzt wird, ist es vorteilhaft, ein Polymermaterial als das EL-Material zu verwenden. Polymermaterialien, wie lenvinylene (PPVs); und Polyfluorene. Für die Färbung ist es vorteilhaft, beispielweise Zya – die folgenden können als typische Polymermaterialien eingesetzt werden: Polyparaphenyno-Polyphenylenvinylen in einem roten lumineszierenden Material zu verwenden; ein Polyphenylenvinylen kann in einer grün leuchtenden Materialschicht verwendet werden; und ein Polyphenylenvinylen und ein Polyalkylphenylen kann in einem blau leuchtendem Material eingesetzt werden. Im Hinblick auf organische EL-Materialien, die in einem Tintenstrahlverfahren eingesetzt werden können, können alle Materialien verwendet werden, die in der japanischen Patentoffenlegungsschrift Hei 10-012377 aufgeführt sind.
  • Ferner wird ein Material mit einem kleinen Austrittsarbeitskoeffizienten, etwa Magnesium (Mg), Lithium (Li), Cäsium (Cs), Barium (Ba), Kalium (K), Beryllium (Be) oder Kalzium (Ca) als die Kathode 47 verwendet. Vorzugsweise kann eine aus MgAg (ein Material, das aus Magnesium und Silber mit einer Mischung von Mg:Ag=10:1 hergestellt ist) eingesetzt werden. Als weiteres Beispiel können eine MgAgAl-Elektrode, eine LiAl-Elektrode und eine LiFAI-Elektrode angegeben werden. Des weiteren ist die Schutzelektrode 48 eine Elektrode, die hergestellt ist, um eine Schutzschicht gegenüber Feuchtigkeit von außen für die Kathode 47 bereitzustellen, und es wird ein materialenthaltendes Aluminium (Al) oder Silber (Ag) verwendet. Die Schutzelektrode 48 besitzt ferner eine Wärmestrahlungswirkung.
  • Zu beachten ist, dass es vorteilhaft ist, die EL-Schicht 46 und die Kathode 47 nacheinander ohne Einwirkung der Umgebungsatmosphäre herzustellen. Anders ausgedrückt, unabhängig von der Art der Schichtstruktur der EL-Schicht und der Kathode ist es vorteilhaft, den gesamten Aufbau in einer Mehrfachprozesskammer (die auch als eine Cluster-Anlage bezeichnet wird) für das aufeinanderfolgende Abscheiden auszuführen. Dies dient dazu, um die Aufnahme von Feuchtigkeit zu verhindern, wenn die EL-Schicht der Atmosphäre ausgesetzt wird, da, wenn ein organisches Material als die EL-Schicht verwendet wird, dieses äußerst schwach im Hinblick auf Verhinderung des Eindringens von Feuchtigkeit ist. Es ist auch vorteilhaft, nicht nur die EL-Schicht 46 und die Kathode 47 aufeinanderfolgend herzustellen, sondern auch alle Komponenten bis zu der Schutzelektrode 48.
  • Die EL-Schicht ist äußerst wenig wirksam im Hinblick auf Wärme und es ist daher vorteilhaft, eine Vakuumdampfabscheidung (insbesondere ein organisches Molekularstrahlverdampfungsverfahren einzusetzen, wodurch eine sehr dünne Schicht auf molekularer Ebene gebildet wird), Sputter-Abscheidung, Plasma-CVD, Aufschleudern, Aufdrucken oder Ionenplattieren als Filmabscheideverfahren anzuwenden. Es ist ferner auch möglich, die EL-Schicht mittels eines Tintenstrahlverfahrens aufzubringen. Für das Tintenstrahlverfahren gibt es ein Bläschenstrahlverfahren unter Anwendung von Kavitation (siehe die japanische Offenlegungsschrift Hei 5-116297 ), und es gibt ein Piezo-Verfahren unter Anwendung eines Piezo-Elements (siehe die japanische Patentoffenlegungsschrift Hei 8-290647 ), und im Hinblick auf die Tatsache, dass organische EL-Materialien im Hinblick auf die Wärmebeständigkeit relativ schwach sind, wird das Piezo-Verfahren bevorzugt.
  • Bezugszeichen 49 bezeichnet eine zweite Passivierungsschicht und besitzt eine Schichtdicke die auf 10 nm bis 1 μm (vorzugsweise von 200 bis 500 nm) eingestellt werden kann. Der Grund für das Herstellen der zweiten Passivierungsschicht 49 besteht hauptsächlich darin, die EL-Schicht 46 vor Feuchtigkeit zu schützen, jedoch ist es auch vorteilhaft, wenn die zweite Passivierungsschicht 49 so hergestellt wird, dass sie eine Wärmestrahlungswirkung ähnlich zu der ersten Passivierungsschicht 49 aufweist. Es können die gleichen Materialien wie für die erste Passivierungsschicht 41 als Grundmaterial für die zweite Passivierungsschicht 49 eingesetzt werden. Zu beachten ist, dass, wenn ein organisches Material für die EL-Schicht 46 verwendet wird, dieses auf Grund der Verbindung mit Sauerstoff beeinträchtigt wird, und daher ist es vorteilhaft, eine isolierende Schicht zu verwenden, die nicht in einfacher Weise Sauerstoff abgibt.
  • Des weiteren ist die EL-Schicht im Hinblick auf die Wärmbeständigkeit nicht sehr stabil, wie dies zuvor angegeben ist, und es ist daher vorteilhaft, die Schichtabscheidung bei möglichst geringer Temperatur (vorzugsweise im Bereich der Raumtemperatur bis 120 Grad C) auszuführen. Es kann daher gesagt werden, dass Plasma-CVD, Sputtern, Vakuumabscheidung, Ionenplattierung und Aufbringen einer Lösung (Aufschleudern) bevorzugte Schichtabscheideverfahren sind.
  • Das EL-Anzeigebauelement der vorliegenden Erfindung besitzt einen Pixelbereich mit einem Pixel mit einem Aufbau, wie er zuvor angegeben ist, und mit TFT's, die unterschiedli che Strukturen abhängig von ihrer Funktion aufweisen und in dieser Weise in dem Pixel angeordnet sind. Ein Schalt-TFT mit einem ausreichend geringen Sperrstrom und ein Stromsteuer-TFT, der im Hinblick auf den Einfang energiereicher Ladungsträger widerstandsfähig ist, sind innerhalb des gleichen Pixels ausgebildet, und es kann daher ein EL-Anzeigebauelement mit einer hohen Zuverlässigkeit und mit einer guten Bildwiedergabequalität bereitgestellt werden.
  • Zu beachten ist, dass der wichtigste Punkt in der Pixelstruktur aus 1 darin besteht, dass ein TFT mit Mehrfachgatestruktur als der Schalt-TFT verwendet wird, und es nicht notwendig ist, im Hinblick auf die Struktur der 1 Einschränkungen in Bezug auf derartige Punkte, wie das Anordnen von LDD-Gebieten, einzuführen.
  • Es wird nun eine detailliertere Erläuterung der vorliegenden Erfindung angegeben, wobei der obige Aufbau verwendet wird und auf die folgenden Ausführungsformen verwiesen wird.
  • Ausführungsform 1
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden unter Anwendung der 3a bis 5c erläutert. Ein Verfahren zur Herstellung eines Pixelbereichs und von TFT's eines Ansteuerschaltungsbereichs, der am Rand des Pixelbereichs ausgebildet ist, wird nunmehr erläutert. Zu beachten ist, dass zur Vereinfachung der Erläuterung eine CMOS-Schaltung als eine Basisschaltung für die Ansteuerschaltungen gezeigt ist.
  • Zunächst wird, wie in 3a gezeigt ist, eine Basisschicht 301 mit einer Dicke von 300 nm auf einem Glassubstrat 300 hergestellt. Es werden Siliziumoxinitridschichten als die Basisschicht 301 in der Ausführungsform 1 aufgebracht. Es ist vorteilhaft, die Stickstoffkonzentration auf einen Wert zwischen 10 und 25 Gewichtsprozent in der Schicht einzustellen, die das Glassubstrat 300 kontaktiert.
  • Des weiteren ist es vorteilhaft, eine Wärmestrahlungsschicht herzustellen, die aus dem gleichen Material aufgebaut ist, wie die Passivierungsschicht 41, die in 1 gezeigt ist, und damit einen Teil der Basisschicht 301 bildet. Es fließt ein großer elektrischer Strom in dem Stromsteuer-TFT, wobei effizient Wärme erzeugt wird, und daher ist es günstig, die Wärmestrahlungsschicht möglichst nahe an dem Stromsteuer-TFT anzuordnen.
  • Als nächstes wird eine amorphe Siliziumschicht (in den Figuren nicht gezeigt) mit einer Dicke von 50 nm auf der Basisschicht 301 mittels bekannter Abscheideverfahren hergestellt. Zu beachten ist, dass es nicht notwendig ist, eine Einschränkung auf eine amorphe Siliziumschicht vorzunehmen, und es kann eine andere Schicht gebildet werden, vorausgesetzt, dass es eine Halbleiterschicht mit einer amorphen Struktur ist (einschließlich einer mikrokristallinen Halbleiterschicht). Ferner kann eine Verbundhalbleiterschicht mit amorpher Struktur, etwa eine amorphe Silizium/Germanium-Schicht eingesetzt werden. Des weiteren wird die Schichtdicke auf 20 bis 100 nm eingestellt.
  • Die amorphe Siliziumschicht wird dann mittels bekannter Verfahren kristallisiert, wobei eine kristalline Siliziumschicht 302 gebildet wird (die auch als eine polykristalline Siliziumschicht oder eine Polysiliziumschicht bezeichnet wird). Bekannte Kristallisierungsverfahren sind die thermische Kristallisierung unter Anwendung elektrischer Öfen, ein Laserausheizkristallisierungsverfahren unter Anwendung eines Lasers und ein Strahlungsausheizungskristallisierungsverfahren unter Anwendung von Infrarotleuchten. Die Kristallisierung wird in der Ausführungsform 1 unter Anwendung von Licht aus einem Excimer-Laser, in welchem ein XeCl-Gas verwendet wird, ausgeführt.
  • Zu beachten ist, dass ein Pulsemissionsexcimer-Laser, dessen Licht in eine lineare Form gebracht ist, in der Ausführungsform 1 verwendet wird, wobei auch eine rechteckige Form verwendet werden kann, und es kann auch ein kontinuierlicher Argonlaser und ein kontinuierlich emittierender Excimer-Laser verwendet werden.
  • Die kristalline Siliziumschicht wird als eine aktive Schicht der TFT's in der Ausführungsform 1 verwendet, aber es ist auch möglich, eine amorphe Siliziumschicht als die aktive Schicht zu verwenden. Wenn jedoch ein großer Stromfluss durch den Stromsteuer-TFT erforderlich ist, ist es vorteilhaft, die kristalline Siliziumschicht zu verwenden, die eine bessere Leiffähigkeit aufweist.
  • Zu beachten ist, dass es vorteilhaft ist, die aktive Schicht des Schalt-TFT's durch eine amorphe Siliziumschicht zu bilden, die die Notwendigkeit besteht, den Sperrstrom gering zu halten, wobei dann die aktive Schicht des Stromsteuer-TFT's durch die kristalline Siliziumschicht hergestellt wird. Die amorphe Siliziumschicht besitzt eine geringe Leitfähigkeit, da die Ladungsträgerbeweglichkeit gering ist, und der Sperrstrom wird somit effizient unterdrückt. Anders ausgedrückt, es kann eine hohe Leistungsfähigkeit erreicht werden, wenn eine amorphe Siliziumschicht verwendet wird, in der die Leitfähigkeit gering ist, und eine kristalline Siliziumschicht verwendet wird, in der die Leitfähigkeit relativ hoch ist.
  • Als nächstes wird, wie in 3b gezeigt ist, eine Schutzschicht 303 auf der kristallinen Siliziumschicht 302 in Form einer Siliziumoxidschicht mit einer Dicke von 130 nm gebildet. Diese Dicke kann innerhalb des Bereichs von 100 bis 200 nm eingestellt werden (vorzugsweise von 130 nm bis 170 nm). Es können auch andere Schichten eingesetzt werden, vorausgesetzt, dass diese siliziumenthaltende Isolierschichten sind. Die Schutzschicht 303 wird so gebildet, dass die kristalline Siliziumschicht während des Hinzufügens von Verunreinigungen nicht direkt dem Plasma ausgesetzt ist, und ferner so gebildet wird, dass es möglich, die Konzentration der Verunreinigungen in feinfühliger Weise zu steuern.
  • Lackmasken 304a und 304b werden dann auf der Schutzschicht 303 gebildet und es wird eine Verunreinigungssorte bzw. eine Dotierstoffsorte, die eine n-Leitfähigkeit verleiht (im Weiteren als ein n-Verunreinigungselement bezeichnet) hinzugefügt. Zu beachten ist, dass Elemente aus der Gruppe 15 des Periodensystems im Allgemeinen als das n-Verunreinigungselement verwendet werden, und typischerweise können Phosphor oder Arsen eingesetzt werden. Zu beachten ist, dass ein Plasmadotierverfahren eingesetzt wird, in welchem Phosphin (PH3) durch Plasma ohne Separation der Massen aktiviert wird, und Phosphor wird mit einer Konzentration von 1×1018 Atomen/cm3 in der Ausführungsform 1 verwendet. Es kann auch ein Ionenimplantationsverfahren, in der eine Separation nach Massen ausgeführt wird, eingesetzt werden.
  • Der Dosisbetrag wird so eingestellt, dass das n-Verunreinigungselement in n-Dotiergebieten 305 und 306 enthalten ist mit einer Konzentration von 2×1016 bis 5×1019 Atomen/cm3 (typischerweise von 5×1017 bis 5×1918 Atomen/cm3).
  • Als nächstes wird, wie in 3c gezeigt ist, die Schutzschicht 303 entfernt und es wird eine Aktivierung der hinzugefügten Elemente der Gruppe 15 des Periodensystems ausgeführt. Ein bekanntes Verfahren zum Aktivieren kann dazu eingesetzt werden, und die Aktivierung wird in der Ausführungsform 1 durch Bestrahlung mit Excimer-Laserlicht ausgeführt. Es können sowohl gepulste Emissionslaser als auch kontinuierlich strahlende Lasertypen eingesetzt werden, und es ist nicht notwendig, die vorliegende Erfindung auf die Verwendung von Excimer-Laserlicht einzuschränken. Das Ziel ist die Aktivierung der hinzugefügten Dotierstoffelemente und es ist vorteilhaft, dass die Strahlung mit einem Energiepegel ausgeführt wird, bei welchem die kristalline Siliziumschicht nicht schmilzt. Zu beachten ist, dass die Laserbestrahlung auch ausgeführt werden kann, wenn die Schutzschicht 303 bereits vorhanden ist.
  • Eine Aktivierung durch eine Wärmebehandlung kann ebenfalls zusammen mit der Aktivierung der Dotierstoffelemente mittels Laserlicht ausgeführt werden. Wenn eine Aktivierung durch Wärmebehandlung ausgeführt wird, wird unter Berücksichtigung des Wärmeleitwiderstands des Substrats diese Wärmebehandlung bei 450 bis 550 Grad C ausgeführt.
  • Ein Grenzbereich (Verbindungsbereich) mit Gebieten entlang den Rändern der n-Dotierstoffgebiete 305 und 306, d. h. Gebiete entlang des Randes, in dem das n-Dotierelement, das in den n-Dotiergebieten 305 und 306 enthalten ist, nicht eingebracht wurde, wird durch diesen Prozess abgetrennt. Dies bedeutet, dass zu dem Zeitpunkt, wenn die TFT's später vervollständigt werden, sehr gute Verbindungen zwischen den LDD-Gebieten und den kanalbildenden Gebieten hergestellt werden können.
  • Unnötige Bereiche der kristallinen Siliziumschicht werden dann entfernt, wie in 3d gezeigt ist, und es werden inselförmige Halbleiterschichten (im Weiteren als aktive Schichten) 307 bis 310 gebildet.
  • Danach wird, wie in 3e gezeigt ist, eine Gateisolationsschicht 311 gebildet, die die aktiven Schichten 307 bis 310 abdeckt. Eine siliziumenthaltende Isolierschicht mit einer Dicke von 10 bis 200 nm, vorzugsweise von 50 bis 150 nm, wird dann als die Gateisolationsschicht 311 gebildet. Es kann eine Einzelschichtstruktur oder eine Mehrschichtstruktur verwendet werden. In der Ausführungsform 1 wird eine Siliziumoxinitridschicht mit 110 nm Dicke verwendet.
  • Eine leitende Schicht mit einer Dicke von 200 bis 400 nm wird als nächstes gebildet und strukturiert, wodurch die Gateelektroden 312 bis 316 hergestellt werden. Zu beachten ist, dass in der Ausführungsform 1 die Gateelektroden und die Anschlussverdrahtung, die elektrisch mit den Gateelektroden verbunden ist (im Weiteren als Gateverdrahtung bezeichnet) aus unterschiedlichen Materialien hergestellt sind. Insbesondere wird ein Material mit einem geringeren Widerstand als das Material der Gateelektroden für die Gateverdrahtungen verwendet. Dies liegt daran, dass ein Material, das für eine Mikroprozessierung verwendbar ist, als die Gateelektroden eingesetzt wird, und selbst wenn die Gateverdrahtungen nicht durch Mikrostrukturverfahren bearbeitet werden können, besitzt das für die Verdrahtungen eingesetzte Material einen geringen Widerstand. Selbstverständlich können die Gateelektroden und die Gateverdrahtungen aus dem gleichen Material hergestellt sein.
  • Des weiteren können die Gateverdrahtungen durch eine einzelne Schicht eines leitenden Filmes hergestellt sein, und bei Bedarf ist es vorteilhaft, zwei Schichten oder drei Schichten als Schichtstruktur einzusetzen. Es können alle bekannten leitenden Schichten als das Gataeelektrodenmaterial eingesetzt werden. Wie jedoch zuvor dargestellt ist, ist es vorteilhaft, ein Material zu verwenden, das in der Lage ist, durch Mikrostrukturprozesse bearbeitet zu werden, insbesondere kann ein Material eingesetzt werden, das mit einer Linienbreite von 2 μm oder weniger strukturiert werden kann.
  • Typischerweise kann eine Schicht aus Material eingesetzt werden, das aus der folgenden Gruppe ausgewählt wird: Tantal (Ta), Titan (Ti), Molybdän (Mo), Wolfram (W) und Chrom (Cr); oder eine Nitridverbindung der obigen Elemente (typischerweise eine Tantalnitridschicht, eine Wolframnitridschicht, oder eine Titannitridschicht; oder eine Legierungsschicht aus einer Kombination der obigen Elemente (typischerweise eine Mo-W-Legierung oder eine Mo-Ta-Legierung); oder eine Silizidschicht der obigen Elemente (typischerweise eine Wolframsilizidschicht oder Titansilizidschicht); oder eine Siliziumschicht, die leitfähig gemacht wurde. Eine einzelne Schicht oder eine Schichtstruktur kann selbstverständlich auch verwendet werden.
  • In der Ausführungsform 1 wird eine Schichtstruktur mit einer 50 nm dicken Tantalnitrid(TaN) Schicht und einer 350 nm dicken Tantalschicht verwendet. Es ist vorteilhaft, diese Schicht durch Sputtern abzuscheiden. Ferner wird ein inertes Gas, etwa Xe oder Ne hinzugefügt, um als Sputter-Gas zu dienen, so dass ein Ablösen der Schicht auf Grund der Belastung verhindert werden kann.
  • Dabei werden die Gateelektroden 313 und 316 so gebildet, dass ein Teil der n-Verunreinigungsgebiete 305 und 306 überlappen und die Gateisolationsschicht 311 einschließen. Dieser überlappende Bereich wird später ein LDD-Gebiet, das die Gateelektrode überlappt.
  • Anschließend wird ein n-Verunreinigungselement (in der Ausführungsform wird Phosphor verwendet) in einer selbstjustierenden Weise hinzugefügt, wobei die Gateelektroden 312 bis 316 als Masken dienen, wie in 4a gezeigt ist. Das Hinzufügen wird so gesteuert, dass Phosphor den dotierten Gebieten 317 bis 323, die bislang gebildet sind, mit einer Konzentration von 1/10 bis ½ der Konzentration der dotierten Gebiete 305 und 306 (typischerweise ungefähr ¼ und 1/3 hinzugefügt wird). Insbesondere ist eine Konzentration von 1×1016 bis 5×1018 Atomen/cm3 (typischerweise 3×1017 bis 3×1018 Atome/cm3) vorteilhaft.
  • Es werden anschließend Lackmasken 324a bis 324d so gebildet, dass die Gateelektroden abgedeckt sind, wie in 4b gezeigt ist, und es wird ein n-Dotierelement (in der Ausführungsform 1 wird Phosphor verwendet) hinzugefügt, wodurch die Dotiergebiete 325 bis 331 mit einer hohen Konzentration an Phosphor gebildet werden. Eine Ionendotierung unter Anwendung von Phosphin (PH3) wird ebenfalls hierbei ausgeführt und wird so gesteuert, dass die Phosphorkonzentration dieser Gebiete im Bereich 11×1020 bis 1×1021 Atomen/cm3 (typischerweise von 2×1020 bis 5×1020 Atomen/cm3) liegt.
  • Es wird durch diesen Prozess ein Source-Gebiet oder ein Drain-Gebiet des n-Kanal-TFT's gebildet, und in dem Schalt-TFT bleibt ein Bereich der n-Dotiergebiete 320 bis 322, die durch den Prozess der 4a hergestellt werden, erhalten. Diese verbreibenden Gebieten entsprechen den LDD-Gebieten 15a bis 15d des Schalt-TFT's in 1.
  • Als nächstes werden, wie in 4c gezeigt ist, die Lackmasken 324a bis 324d entfernt und es wird eine neue Lackmaske 332 gebildet. Sodann wird eine p-Verunreinigung (in der Ausführungsform 1 wird Bor verwendet) hinzugefügt, wodurch die dotierten Gebiete 333 und 334 mit einer hohen Konzentration an Bor gebildet werden. Bor wird bis zu einer Konzentration von 3×1020 bis 3×1021 Atomen/cm3 (typischerweise von 5×1020 bis 1×1021 Atomen/cm3) durch Ionendotierung unter Anwendung von Diboran (B2H6) hinzugefügt.
  • Zu beachten ist, dass bereits Phosphor den dotierten Gebieten 333 und 334 bei einer Konzentration von 1×1016 bis 5×1018 Atomen/cm3 hinzugefügt wurde, wobei Bor jedoch mit einer Konzentration von mindestens dem Dreifachen der Phosphorkonzentration eingebracht wird. Daher werden die n-Verunreinigungsgebiete, die bereits gebildet sind, vollständig in p-Gebiete umgewandelt und dienen als p-Verunreinigungsgebiete.
  • Danach werden nach dem Entfernen der Lackmaske 332 die m-Dotierstoffe und p-Dotierstoffe, die mit diversen Konzentrationen hinzugefügt wurden, aktiviert. Es kann eine Ofenausheizung, eine Laserausheizung oder eine Strahlungsausheizung zum Aktivieren eingesetzt werden. in der Ausführungsform 1 wird eine Wärmebehandlung in einer Stickstoffatmosphäre 4 Stunden bei 550 Grad C in einem elektrischen Ofen ausgeführt.
  • Es ist wichtig, möglichst viel des Sauerstoffs in der Atmosphäre in dieser Phase zu reduzieren. Dies liegt daran, dass wenn Sauerstoff vorhanden ist, die freiliegende Oberfläche der Elektroden oxidiert, wodurch eine Zunahme des Widerstands hervorgerufen wird und wobei gleichzeitig es schwierig ist, in einer späteren Phase einen ohmschen Kontakt zu bilden. Es ist daher vorteilhaft, dass die Konzentration des Sauerstoffs in der Atmosphäre in dem obigen Aktivierungsprozess ein 1 ppm oder weniger beträgt, vorzugsweise nur 0,1 ppm oder weniger.
  • Nach dem Ende des Aktivierungsprozesses wird als nächstes eine Gateverdrahtung 335 mit einer Dicke von 300 nm gebildet. Eine Metallschicht mit Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) als Hauptbestandteil (mit 50 bis 100 % der Zusammensetzung) kann als das Material der Gateverdrahtung 335 verwendet werden. Wie bei der Gateverdrahtung 311 der 2 wird die Gateverdrahtung 335 so angeordnet, dass die Gateelektroden 314 und 315 der Schalt-TFT's (entsprechend den Gatelektroden 19a und 19b aus 2) elektrisch angeschlossen sind (siehe 40).
  • Der Verdrahtungswiderstand der Gateverdrahtung kann äußerst klein gemacht werden, indem diese Art an Aufbau eingesetzt wird, und daher kann ein Pixelanzeigegebiet (Pixelbereich) mit einem großem Oberflächenbereich gebildet werden. D. h., die Pixelstruktur der Ausführungsform 1 ist sehr effektiv, da ein EL-Anzeigebauelernent mit einer Bildschirmgröße von 10 Inch in der Diagonale oder größer (oder auch mit 30 Inch oder größer in der Diagonale) verwirklicht werden kann.
  • Es wird als nächstes eine erste Zwischenschichtisolationsschicht 336 gebildet, wie in 5a gezeigt ist. Es wird eine einzelne Schicht als isolierende Schicht mit Silizium als die erste Zwischenschichtisolationsschicht 336 verwendet, es kann jedoch auch eine Zwischenschicht zur Bildung einer Schichtstruktur verwendet werden. Des weiteren kann eine Schichtdicke von 400 nm bis 1,5 μm angewendet werden. Eine Schichtstruktur mit einer 800 nm dicken Siliziumoxidschicht auf einer 200 nm dicken Siliziumoxinitridschicht wird in der Ausführungsform 1 angewendet.
  • Des weiteren wird eine Wärmebehandlung von 1 bis 12 Stunden bei 300 bis 450 Grad C in einer Atmosphäre mit 3 bis 100 % Wasserstoff ausgeführt, so dass eine Hydrogenisierung stattfindet. Dieser Prozess ist ein Prozess zum Erzeugen von Wasserstoffbindungen in der Halbleiterschicht mittels thermisch aktiviertem Wasserstoff. Die Plasmawasserstoffbindungserzeugung (unter Anwendung von durch Plasma aktiviertem Wasserstoff) kann jedoch auch durch andere Mittel zur Wasserstoffbindungserzeugung durchgeführt werden.
  • Zu beachten ist, dass der Schritt zur Wasserstoffbindungsanreicherung auch während der Ausbildung der ersten Zwischenschichtisolationsschicht 336 eingefügt werden kann. D. h., die Wasserstoffbearbeitung kann wie oben ausgeführt werden, nachdem die 200 nm Dicke Siliziumoxinitridschicht gebildet wurde und anschließend kann die verbleibende 800 nm Dicke Siliziumoxidschicht hergestellt werden.
  • Als nächstes wird eine Kontaktöffnung in der ersten Zwischenschichtisolationsschicht 336 gebildet, und es werden dann Sourceverdrahtungen 337 bis 340 und Drain-Verdrahtungen 341 bis 343 gebildet. In der Ausführungsform 1 wird eine Schichtstruktur mit drei Schichten mit einer 100 nm Titanschicht, einer 300 nm Aluminiumschicht mit Titan und einer 150 nm Titanschicht als Verdrahtungen verwendet, die aufeinanderfolgend durch Sputtern hergestellt wurden. Andere leitende Schichten können ebenfalls eingesetzt werden, und es kann auch eine Legierungsschicht mit Silber, Palladium und Kupfer eingesetzt werden.
  • Es wird dann eine erste Passivierungsschicht 344 mit einer Dicke von 50 bis 500 nm (typischerweise von 200 bis 300 nm) gebildet. In der Ausführungsform 1 wird eine 300 nm dicke Siliziumoxinitridschicht als die erste Passivierungsschicht 344 verwendet. Diese kann auch durch eine Siliziumnitridschicht ersetzt werden. Es ist selbstverständlich möglich, die glei chen Materialien zu verwenden, wie sie für die erste Passivierungsschicht 41 der 1 verwendet wurden.
  • Zu beachten ist, dass es vorteilhaft ist, die Plasmabearbeitung unter Anwendung eines Gases mit Wasserstoff, etwa H2 oder NH3 auszuführen, bevor die Siliziumoxinitridschicht gebildet wird. Es wird durch diesen Vorbearbeitungsprozess aktivierter Wasserstoff der ersten Zwischenschichtisolationsschicht 336 zugeführt, und die Schichtqualität der ersten Passivierungsschicht 344 wird durch Ausführen einer Wärmebehandlung verbessert. Gleichzeitig diffundiert der der ersten Zwischenschichtisolationsschicht 336 zugeführte Wasserstoff zu der unteren Seite und die aktiven Schichten können effizient mit Wasserstoffbindungen angereichert werden. Als nächstes werden, wie in 5b gezeigt ist, ein Farbfilter 345 und ein fluoreszierender Körper 346 hergestellt. Für diese Zwecke können bekannte Materialien verwendet werden. Diese können durch separates Strukturieren hergestellt werden, oder diese können aufeinanderfolgend ausgebildet und anschließend zusammen strukturiert werden. Ein Verfahren, etwa das Abdrucken, das Tintenstrahldrucken oder die Maskenabscheidung (ein selektives Herstellungsverfahren unter Anwendung eines Maskenmaterials) können zu diesem Zweck eingesetzt werden.
  • Die entsprechende Schichtdicke kann im Bereich von 0,5 bis 5 μm (typischerweise von 1 bis 2 μm) gewählt werden. Insbesondere variiert die optimale Schichtdicke des fluoreszierenden Körpers 346 entsprechend dem verwendeten Material. Anders ausgedruckt, wenn die Schicht zu dünn ist, dann ist die Farbumwandlungseffizienz beeinträchtigt, und wenn die Schicht zu dick ist, dann wird der Schritt zu groß und der Anteil des durchgelassenen Lichts sinkt ab. Die optimale Schichtdicke muss daher festgelegt werden, indem beide Eigenschaften gegeneinander abgewogen werden.
  • Zu beachten ist, dass in der Ausführungsform 1 ein Beispiel eines Farbänderungsverfahrens eingesetzt wird, in welchem das von der EL-Schicht ausgesandte Licht in der Farbe geändert wird, wenn jedoch ein Verfahren zur Herstellung einzelner EL-Schichten, die R, G und B entsprechen, angewendet wird, darin können der Farbfilter und der fluoreszierende Körper weggelassen werden.
  • Es wird dann eine zweite Zwischenschichtisolationsschicht 347 aus einem organischen Harz hergestellt. Materialien, etwa Polyimid, Polyamid, Acrylic und BOB (Benzozyklobuten) können als das organische Harz verwendet werden. Insbesondere überwiegt in der zweiten Zwischenschichtisolationsschicht 347 der Zweck des Einebnens und daher ist Acryl mit guten Einebnungseigenschaften vorteilhaft. In der Ausführungsform 1 wird eine Acrylschicht mit einer Schichtdicke gebildet, die in effizienter Weise den Höhenunterschied zwischen dem Farbfilter 345 und dem fluoreszierenden Körper 346 ausgleichen kann. Diese Dicke ist vorzugsweise zwischen 1 bis 5 μm (noch besser von 2 bis 4 μm).
  • Es wird dann eine Kontaktöffnung, die eine Verbindung zu der Drain-Verdrahtung 343 herstellt, in der zweiten Zwischenschichtisolationsschicht 347 und in der ersten Passivierungsschicht 344 hergestellt, und es wird eine Pixelelektrode 348 gebildet. Es wird eine Verbindung aus Indiumoxid und Zinnoxid mit einer Dicke von 110 nm in der Ausführungsform 1 gebildet und strukturiert, wodurch die Pixelelektrode hergestellt wird. Die Pixelelektrode 348 ist eine Anode des EL-Elements. Zu beachten ist, dass es auch möglich ist, andere Materialien zu verwenden: eine Schicht aus Verbindungen aus Indiumoxid und Zinkoxid oder eine Zinkoxidschicht, die Galliumoxid enthält.
  • Zu beachten ist, dass die Ausführungsform 1 eine Struktur repräsentiert, in der die Pixelelektrode 348 elektrisch mit dem Drain-Gebiet 331 des Stromsteuer-TFT's über die Drain-Verdrahtung 343 verbunden ist. Dieser Aufbau besitzt die folgenden Vorteile.
  • Die Pixelelektrode 348 ist direkt mit einem organischen Material verbunden, etwa der EL-Schicht (Emissionsschicht) oder einer Ladungstransportschicht und es ist daher möglich, dass die beweglichen Ionen, die in der EL-Schicht enthalten sind, durch die Pixelelektrode diffundieren. Anders ausgedrückt, ohne eine direkte Verbindung der Pixelelektrode 348 mit dem Drain-Gebiet 331 kann in einem Teil der aktiven Schicht die Unterbrechung des Einführens beweglicher Ionen in die aktive Schicht auf Grund der Drain-Verdrahtung 343 in dem Aufbau der Ausführungsformen 1 vermieden werden.
  • Als nächstes werden, wie in 5c gezeigt ist, eine EL-Schicht 349, eine Kathode (MgAg-Elektrode) 350 und eine Schutzelektrode 351 aufeinanderfolgend ohne Einwirkung der Umgebungsatmosphäre hergestellt. Es ist dabei vorteilhaft, die Wärmebehandlung der Pixelelektrode 348 zum vollständigen Entfernen der Feuchtigkeit vor dem Ausbilden der EL-Schicht 349 und der Kathode 350 auszuführen. Es ist zu beachten, dass ein beliebiges bekanntes Material für die EL-Schicht 349 verwendet werden kann.
  • Es können die Materialien für die EL-Schicht 349 verwendet werden, die in dem Abschnitt „Ausführungsformen" in dieser Anmeldung beschrieben sind. In der Ausführungsform 1 wird eine EL-Schicht mit einem Vierschichtaufbau aus einer Löchereinprägeschicht, einer Löchertransportschicht, einer Emissionsschicht und einer Elektronentransportschicht angewendet, wie in 19 gezeigt ist, wobei es auch Fälle gibt, in denen die Elektrodentransportschicht nicht gebildet wird und es Fälle gibt, in denen die Elektroneneinprägeschicht ebenso hergestellt wird. Es gibt auch Beispiele, in denen die Löchereinprägeschicht weggelassen wird. Es wurden bereits diverse Beispiele dieser Arten an Kombinationen vorgeschlagen und jede dieser Strukturen kann eingesetzt werden.
  • Ein Amin, etwa TPD (Triphenylamindielektrikum) kann als die Löchereinprägeschicht oder als die Löchertransportschicht verwendet werden, und zusätzlich kann Hydrazon (typischerweise DEH), Stilben (typischerweise STB) oder Starburst (typischerweise MTDATA) ebenfalls verwendet werden. Insbesondere ein Starburst-Material, das eine hohe Glasübergangstemperatur aufweist und schwer zu kristallisieren ist, ist vorteilhaft. Ferner können auch Polyanilin (PAni), Polythiophen (PEDOT) und Kupferphthalozyanin (CuPc) verwendet werden.
  • BPPC, Perylen und DCM können als rote Emissionsschicht in der Emissionsschicht verwendet werden und insbesondere der Eu-Komplex, der durch Eu (DBM)3(Phen) dargestellt ist (siehe Kido, J., et. al, Appl. Phys., Band 35, Seiten L394-6, 1996 für etwaige Details), ist sehr monochromatisch auf Grund einer scharfen Emissionslinie bei der Wellenlängen von 620 nm.
  • Typischerweise wird ein AlQ3 (8-Hydroxyquinolinaluminium) Material, dem Quinacridon oder Koumarin mit einem Anteil von mehreren Mol-Prozent hinzugefügt ist, als eine grüne Emissionsschicht verwendet werden.
  • Die chemische Formel ist nachfolgend dargestellt.
  • (Formel 6)
    Figure 00320001
  • Ferner kann typischerweise ein destilliertes Arylenaminodielektrikum, in welchem eine DAS-substituierte Amino-Gruppe dem DAS (destillierte Arylendielektrikum) hinzugefügt ist, als eine blaue Emissionsschicht verwendet werden. Insbesondere ist es vorteilhaft, das sehr leistungsfähige Material Distilyl-Biphenyl (DPVBi) zu verwenden. Die chemische Formel davon ist nachfolgend dargestellt.
  • (Formel 7)
    Figure 00320002
  • Ferner wird eine 300 nm dicke Siliziumnitridschicht als eine zweite Passivierungsschicht 352 gebildet und diese kann auch aufeinanderfolgend hergestellt werden, ohne dass die Umgebungsatmosphäre einwirkt, nachdem die Schutzelektrode 351 ausgebildet ist. Die gleichen Materialien, wie sie für die zweite Passivierungsschicht 49 aus 1 verwendet sind, können auch in diesem Falle als die zweite Passivierungsschicht 352 eingesetzt werden.
  • In der Ausführungsform 1 wird eine vierlagige Struktur aus einer Löchereinprägeschicht, einer Löchertransportschicht, einer Emissionsschicht und einer Elektroneneinprägeschicht verwendet, aber es gibt bereits Beispiele vieler Kombinationen und diese können ebenso verwendet werden. Des weiteren wird eine MgAg-Elektrode als die Kathode des EL-Elements in der Ausführungsform 1 verwendet, es können aber auch andere bekannte Materialien eingesetzt werden.
  • Die Schutzelektrode 351 wird gebildet, um die Beeinträchtigung der MgAg-Elektrode 350 zu verhindern, und es wird eine metallische Schicht mit Aluminium als Hauptbestandteil typischerweise angewendet. Es können auch andere Materialien eingesetzt werden. Ferner sind die EL-Schicht 349 und die MgAg-Elektrode 350 besonders anfällig im Hinblick auf Feuchtigkeit und daher ist es vorteilhaft, eine aufeinanderfolgende Herstellung bis zu der Schutzelektrode 351 auszuführen, ohne dass eine Einwirkung der Umgebungsatmosphäre stattfindet, so dass die EL-Schicht vor der Umgebungsatmosphäre geschützt wird.
  • Zu beachten ist, dass die Schichtdicke der EL-Schicht 349 im Bereich von 10 bis 400 nm (typischerweise von 60 bis 160 nm) liegen kann, und dass die Dicke der MgAg-Elektrode 350 im Bereich von 180 bis 300 nm (typischerweise zwischen 200 und 250 nm) liegt.
  • Die EL-Anzeigeeinrichtung mit dem in 5c gezeigten Aufbau ist nunmehr fertiggestellt. Durch Anordnen von TFT's mit optimaler Struktur nicht nur in den Pixelbereich, sondern auch in der Ansteuerschaltung besitzt die EL-Anzeigeeinrichtung mit der aktiven Matrix der Ausführungsform 1 eine äußerst große Zuverlässigkeit und die Betriebseigenschaften können verbessert werden.
  • Erstens, ein TFT mit einem Aufbau, in welchem der Einfang energiereicher Ladungsträger möglichst verhindert wird, ohne dass ein Abfall der Arbeitsgeschwindigkeit auftritt, wird als ein n-Kanal-TFT 205 der CMOS-Schaltung eingesetzt, die die Ansteuerschaltungen bilden. Zu beachten ist, dass die Ansteuerschaltungen, die hier genannt sind, Schaltungen mit einschließen, etwa ein Schieberegister, einen Puffer, eine Pegelverschiebungsschaltung und eine Abtastschaltung (was auch als Transfergatter bezeichnet wird). Wenn eine digitale Ansteuerung ausgeführt wird, können Signalumwandlungsschaltungen, etwa D/A-Wandler ebenfalls enthalten sein.
  • Im Falle der Ausführungsform 1 enthält eine aktive Schicht des n-Kanal-TFT's 205 ein Sourcegebiet 355, ein Draingebiet 356, ein LDD-Gebiet 357 und ein kanalbildendes Gebiet 358, wie in 5c gezeigt ist, und das LDD-Gebiet 357 überlappt mit der Gateelektrode 313, wobei die Gateisolationsschicht 311 eingeschlossen wird.
  • Die Herstellung des LDD-Gebiets lediglich auf der Drainseite dient dazu, die Arbeitsgeschwindigkeit nicht herabzusetzen. Ferner ist es nicht notwendig, den Wert des Sperr stroms in dem n-Kanal-TFT 205 zu berücksichtigen, und es kann mehr Wert auf die Arbeitsgeschwindigkeit gelegt werden. Es ist daher vorteilhaft, dass das LDD-Gebiet 357 vollständig mit der Gateelektrode 313 überlappt, um damit die Widerstandskomponente möglichst gering zu halten. Anders ausgedrückt, es ist vorteilhaft, jeglichen Abstand zu vermeiden.
  • Die Funktionsbeeinträchtigen des LDD-Kanal-TFT's 206 der CMOS-Schaltung auf Grund der Einprägung energiereicher Ladungsträger ist nahezu bedeutungslos und insbesondere wird daher ein LDD-Gebiet nicht gebildet. Es ist auch möglich, Maßnahmen gegen energiereiche Ladungsträger zu ergreifen, indem ein LDD-Gebiet ähnlich zu jenem des n-Kanal-TFT's 205 gebildet wird.
  • Zu beachten ist, dass unter den Ansteuerschaltungen die Abtastschaltung in gewisser Weise speziell ist im Vergleich zu anderen Schaltungen und es fließt ein großer Strom in dem kanalbildenden Gebiet in beide Richtungen. D. h., die Funktionen des Source-Gebiets und des Drain-Gebiets können untereinander ausgetauscht werden. Des weiteren ist es erforderlich, den Wert des Sperrstromes möglichst stark zu senken, und es ist unter dieser Voraussetzung vorteilhaft, einen TFT vorzusehen, der Funktionen entsprechend einer Zwischenstufe zwischen dem Schalt-TFT und dem Stromsteuer-TFT besitzt.
  • Es ist daher vorteilhaft, einen TFT mit dem Aufbau, der in 9 gezeigt ist, als einen n-TFT vorzusehen, der die Abtastschaltung bildet. Wie in 9 gezeigt ist, überlappt ein Bereich von LDD-Gebieten 901a und 901b mit einer Gateelektrode 903, wobei eine Gateisolationsschicht 902 mit eingeschlossen wird. Die Wirkung ist so, wie dies für den Stromsteuer-TFT 202 erläutert ist, und der Fall der Abtastschaltung unterscheidet sich beim Bilden der LDD-Gebiete 901a und 901b hinsichtlich der Form, die ein kanalbildendes Gebiet 904 einschließt.
  • Ferner wird ein Pixel mit dem in 1 gezeigten Aufbau hergestellt, wodurch ein Pixelbereich entsteht. Die Strukturen eines Schalt-TFT's und eines Stromsteuer-TFT's, die in dem Pixel gebildet sind, sind bereits mit Bezug zu 1 erläutert, und daher wird diese Erläuterung hiermit weggelassen. Zu beachten ist, dass in der Praxis es vorteilhaft ist, ein Eindringen in ein Gehäuse (Verschließen) nach der Fertigstellung bis zum Zustand der 5c durchzuführen, wobei ein Gehäusematerial, etwa eine sehr gasdichte Schutzschicht (etwa ein Laminatfilm oder ein ultraviolett ausgehärteter Harzfilm) oder eine keramische abdichtende Einkapselung verwendet wird, so dass es keine Einwirkung der Umgebungsatmosphäre gibt. Indem die Innenseite des Gehäusematerials zu einer inerten Umgebung umgewandelt und indem ein absorbierendes Mittel (beispielsweise Bariumoxid) in dem Gehäusematerial angeordnet wird, kann die Zuverlässigkeit (Lebensdauer) der EL-Schicht vergrößert werden.
  • Nachdem die Gasdichtigkeit durch den Prozess des Eindringens in ein Gehäuse verbessert ist, wird eine Verbindungseinheit (eine flexible gedruckte Schaltung, FPC) für die Verbindung zwischen den Ausgangsanschlüssen von Elementen oder Schaltungen, die auf dem Substrat gebildet sind, und externen Signalanschlüssen befestigt, wodurch das Fertigungsprodukt vervollständigt wird. Das EL-Anzeigebauelement ist in diesem Zustand für den Versand bereit und wird durchwegs in dieser Anmeldung als ein EL-Modul bezeichnet.
  • Der Aufbau des EL-Anzeigebauelements mit aktiver Matrix der Ausführungsform 1 wird hier unter Anwendung der perspektivischen Ansicht der 6 erläutert. Die EL-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix der Ausführungsform 1 ist auf einem Glassubstrat 601 aufgebaut und setzt sich aus einem Pixel 602, einer Gate-seitigen Ansteuerschaltung 603 und einer Source-seitigen Ansteuerschaltung 604 zusammen. Ein Schalt-TFT 605 des Pixelbereichs ist ein n-Kanal-TFT und ist an einer Kreuzung einer Gateverdrahtung 606, die mit der Gate-seitigen Ansteuerschaltung 603 verbunden ist, und einer Sourceverdrahtung 607 der Source-seitigen Ansteuerschaltung 604 angeordnet. Ferner ist das Drain des Schalt-TFT's 605 elektrisch mit dem Gate eines Stromsteuer-TFT's 608 verbunden.
  • Des weiteren ist das Source des Stromsteuer-TFT's 608 mit einer Spannungsversorgungsleitung 609 verbunden, und ein EL-Element 610 ist elektrisch mit dem Drain des Stromsteuer-TFT's 608 verbunden. Vorausgesetzt, dass der Stromsteuer-TFT 608 ein n-Kanal-TFT ist, ist es vorteilhaft, die Kathode des EL-Elements 610 mit dem Drain des Stromsteuer-TFT's 608 zu diesem Zeitpunkt zu verbinden. Wenn ferner der Stromsteuer-TFT 608 ein p-Kanal-TFT ist, dann ist es vorteilhaft, die Anode des EL-Elements 610 mit dem Drain des Stromsteuer-TFT's 608 zu verbinden.
  • Es werden Eingangsverdrahtungen (Verbindungsverdrahtungen) 612 und 613 und eine Eingangsverdrahtung 614, die mit der Spannungsversorgungsleitung 609 verbunden ist, anschließend in einem externen Eingangsanschluss FPC 611 hergestellt, um Signale zu der Ansteuerschaltungen zu übertragen.
  • In 7 ist ein Beispiel der Schaltungszusammensetzung des in 6 gezeigten EL-Anzeigebauelements dargestellt. Das EL-Anzeigebauelement der Ausführungsform 1 besitzt eine Source-seitige Ansteuerschaltung 701, eine Gate-seitige Ansteuerschaltung (A) 707, eine Gate-seitige Ansteuerschaltung (B) 711 und einen Pixelbereich 706. Zu beachten ist, dass durchwegs in dieser Beschreibung Ansteuerschaltung bzw. Treiberschaltung ein Überbegriff ist, der sowohl Source-seitige Verarbeitungsschaltungen und Gate-seitige Verarbeitungsschaltungen umfasst.
  • Die Soruce-seitige Ansteuerschaltung 701 ist mit einem Schieberegister 702, einer Pegelverschiebungsschaltung 703, einem Puffer 704 und einer Abtastschaltung (Transfergatter) 705 ausgestattet. Des weiteren ist die Gate-seitige Ansteuerschaltung (A) 707 mit einem Schieberegister 708, einer Pegelverschiebungsschaltung 709 und einem Puffer 710 versehen. Die Gate-seitige Ansteuerschaltung (B) 711 besitzt einen ähnlichen Aufbau.
  • Die Ansteuerspannung liegt in einem Bereich von 5 bis 16 Volt (typischerweise 10 Volt) für die Schieberegister 702 und 708, und der durch das Bezugszeichen 205 der 5c gekennzeichnete Aufbau ist für einen n-Kanal-TFT geeignet, der in einer CMOS-Schaltung eingesetzt wird, die die Schaltungen bildet.
  • Ferner liegt die Ansteuerspannung in einem Bereich zwischen 14 und 16 Volt für die Pegelverschiebungsschaltungen 702 und 709 und für die Puffer 704 und 710 hochpegelig, und ähnlich zu den Verschiebungsschaltungen ist eine CMOS-Schaltung mit dem n-Kanal-TFT 205 aus 5c geeignet. Zu beachten ist, dass die Verwendung einer Mehrfachgatestruktur, etwa einer Doppelgatestruktur oder einer Triplegatestruktur für die Gateverdrahtungen günstig ist, um die Zuverlässigkeit der Schaltung zu verbessern.
  • Die Ansteuerspannung liegt zwischen 14 und 16 Volt für die Abtastschaltung 705, wobei es jedoch notwendig ist, den Wert des Sperrstroms zu verringern, da das Source-Gebiet und das Drain-Gebiet invertieren und daher ist eine CMOS-Schaltung, die in n-Kanal-TFT 208 aus 9 enthält, geeignet.
  • Des weiteren liegt die Ansteuerspannung des Pixelbereichs 706 zwischen 14 und 16 Volt und es ist ein Pixel mit dem in 1 gezeigten Aufbau vorgesehen.
  • Zu beachten ist, dass der obige Aufbau in effizienter Weise realisiert werden kann, indem TFT's gemäß den Fertigungsprozessen hergestellt werden, die in den 3 bis 5c gezeigt sind. Ferner ist lediglich der Aufbau des Pixelbereichs und der Ansteuerschaltung in der Ausführungsform 1 gezeigt, es ist aber auch möglich, andere Logikschaltungen zusätzlich zu den Ansteuerschaltungen auf dem gleichen Substrat und gemäß dem Fertigungsprozess der Ausführungsform der Ausführungsform 1 herzustellen, etwa eine Signalteilerschaltung, einen D/A-Wandler, eine Operationsverstärkerschaltung und eine γ-Kompensationsschaltung. Ferner ist zu beachten, dass Schaltungen, etwa ein Speicherbereich und ein Mikroprozessor, ebenso hergestellt werden können.
  • Es wird nun eine Erläuterung des EL-Moduls der Ausführungsform 1, das das Gehäusematerial enthält, unter Bezugnahme auf die 17a und 17b angegeben. Zu beachten ist, dass bei Bedarf die in den 6 und 7 verwendeten Symbole auch hier benutzt werden.
  • Ein Pixelbereich 1701, eine Source-seitige Ansteuerschaltung 1702 und eine Gate-seitige Ansteuerschaltung 1703 sind auf einem Substrat 1700 (das eine Basisschicht unter einem TFT aufweist) ausgebildet. Diverse Verdrahtungen für die jeweiligen Ansteuerschaltungen sind mit externen Geräten über den FPC 611 durch die Eingangsverdrahtungen 612 bis 614 verbunden.
  • Ein Gehäusematerial 1704 ist zu diesem Zeitpunkt ausgebildet und umschließt zumindest den Pixelbereich und vorzugsweise die Ansteuerschaltungen und den Pixelbereich. Zu beachten ist, dass das Gehäusematerial 1704 eine irrreguläre Form aufweisen kann, in der der Innenraum größer ist als die externen Abmessungen des EL-Elements, oder wobei eine Schichtform vorgesehen ist, die mit dem Substrat 1700 mittels eines Klebematerials 1705 verbunden ist, um damit einen luftdichten Raumbereich zusammen mit dem Substrat 1700 zu bilden. Damit befindet sich das EL-Element in einem vollständig abgedichteten Zustand in dem obigen luftdichten Raumbereich und ist vollständig von der externen Umgebungsatmosphäre abgeschnitten. Zu beachten ist, dass eine Vielzahl von Gehäusematerialien 1704 gebildet werden können.
  • Es ist vorteilhaft, eine isolierende Substanz, etwa Glas oder ein Polymer als das Gehäusematerial 1704 zu verwenden. Im Folgenden sind einige Beispiele angegeben: amorphes Glas (etwa Borsilikatglas oder Quarz); kristallisiertes Glas; Keramikglas; organische Harze (etwa Acrylharze, Styrenharze, Polykarbonatharze, Epoxieharze); und Silikon-Harze. Ferner können auch keramische Materialien verwendet werden. Des weiteren ist es möglich, vorausgesetzt, dass das Klebematerial 1705 ein isolierendes Material ist, ein Metallmaterial, etwa rostfreie Legierungen zu verwenden. Es ist möglich, ein Klebemittel, etwa einen Epoxieharz oder ein Acrylatharz als Material des Klebemittels 1705 zu verwenden. Des weiteren kann ein thermisch ausgehärtetes Harz oder ein mit Licht ausgehärtetes Harz als das Klebemittel verwendet werden. Zu beachten ist, dass es erforderlich sein kann, ein Material zu verwenden, durch welches Sauerstoff und Feuchtigkeit möglichst nicht durchgelassen werden.
  • Des weiteren ist es vorteilhaft, eine Öffnung 1706 zwischen dem Gehäusematerial und dem Substrat 1700 mit einem inerten Gas (etwa Argon, Helium oder Stickstoff) zu füllen. Für das Gas bestehen keine Beschränkungen und es ist auch möglich, eine inerte Flüssigkeit (etwa flüssiges Fluorkohlenstoff, typischerweise Perfluoralkan) zu verwenden. Die Materialien, etwa wie sie in der japanischen Patentoffenlegungsschrift Hei 8-78519 offenbart sind, können als inerte Flüssigkeiten eingesetzt werden. Der Raumbereich kann auch mit einem Harz gefüllt werden.
  • Es ist vorteilhaft, ein Trocknungsmittel in die Öffnung 1706 einzufüllen. Es können Materialien, wie sie in der japanischen Patentoffenlegungsschrift Hei 9-148066 offenbart sind, als Trocknungsmittel eingesetzt werden. Typischerweise wird Bariumoxid verwendet. Des weiteren ist es vorteilhaft, ein antioxidierendes Mittel und nicht nur ein Trocknungsmittel zu verwenden.
  • Es sind eine Vielzahl von isolierten Pixel mit EL-Elementen in dem Pixelbereich ausgebildet, wie in 17b gezeigt ist, und alle Pixel besitzen eine Schutzelektrode 1707 als gemeinsame Elektrode. In der Ausführungsform 1 ist es vorteilhaft die EL-Schicht, die Kathode (MgAg-Elektrode) und die Schutzelektrode aufeinanderfolgend bzw. in-situ herzustellen, ohne dass eine Einwirkung der Umgebungsatmosphäre stattfindet. Die EL-Schicht und die Kathode werden unter Anwendung des gleichen Maskenmaterials hergestellt und voraus gesetzt, dass nur die Schutzelektrode durch ein separates Maskenmaterial gebildet wird, kann somit der Aufbau aus 17b realisiert werden.
  • Die EL-Schicht und die Kathode können nur in dem Pixelbereich hergestellt werden, und es ist nicht notwendig, diese in den Ansteuerschaltungen vorzusehen. Es gibt natürlich keine Probleme, wenn diese Komponenten auch in den Ansteuerschaltungen hergestellt werden, aber unter Berücksichtigung der Tatsache, dass Alkalimetalle in der EL-Schicht enthalten sind, ist es vorteilhaft, diese Komponenten nicht über den Ansteuerschaltungen auszubilden.
  • Zu beachten ist, dass eine Eingangsverdrahtung 1709 mit der Schutzelektrode 1707 in einem Gebiet verbunden ist, das durch das Bezugszeichen 1708 gekennzeichnet ist. Die Eingangsverdrahtung 1709 ist eine Verdrahtung zum Vorsehen einer voreingestellten Spannung für die Schutzelektrode 1707 und ist mit dem FPC 611 über ein leitendes Material in Form einer Paste (typischerweise ein anisotroper leitender Film) 1710 verbunden.
  • Unter Bezugnahme auf die 18a bis 18c wird nun ein Herstellungsprozess zur Verwirklichung einer Kontaktstruktur in dem Gebiet 1708 erläutert.
  • Zunächst wird der Zustand aus 5a gemäß den Prozessen der Ausführungsform 1 erreicht. Zu diesem Zeitpunkt werden die erste Zwischenschichtisolationsschicht 336 und die Gateisolationsschicht 311 von den Rändern des Substrats entfernt (in dem Gebiet, das durch das Bezugszeichen 1708 in 17b gekennzeichnet ist) und die Eingangsverdrahtung 1709 wird auf diesem Gebiet hergestellt. Die Source-Verdrahtungen und die Drain-Verdrahtungen aus 5a werden selbstverständlich zur gleichen Zeit hergestellt. (siehe 18a).
  • Wenn die zweite Zwischenschichtisolationsschicht 347 und die erste Passivierungsschicht 344 in 5b geätzt werden, wird als nächstes ein Gebiet, das durch das Bezugszeichnen 1801 gekennzeichnet ist, entfernt und es wird ein offener Bereich 1802 gebildet. (siehe 18b)
  • Die Prozesse zur Herstellung des EL-Elements (Prozesse zur Herstellung der Pixelelektrode, EL-Schicht und der Kathode) in dem Pixelbereich werden in diesem Zustand ausge führt. Es wird ein Maskenmaterial in dem in den 18a bis 18c gezeigten Gebiet zu dieser Zeit verwendet, so dass das EL-Element in diesem Gebiet nicht gebildet wird. Nach dem Herstellen der Kathode 349 wird die Schutzelektrode 250 unter Anwendung eines separaten Maskenmaterials hergestellt. Die Schutzelektrode 350 und die Eingangsverdrahtung 1709 sind somit elektrisch angeschlossen. Ferner wird die zweite Passivierungsschicht 352 gebildet, und es wird der Zustand der 18c erreicht.
  • Es wird somit die Kontaktstruktur des durch das Bezugszeichen 1708 in 17b gekennzeichneten Gebietes mittels der obigen Schritte realisiert. Die Eingangsverdrahtung 1709 wird dann an den FPC 611 über die Öffnung zwischen dem Gehäusematerial 1704 und dem Substrat 1700 angeschlossen (zu beachten ist, dass diese Öffnung durch das Klebemittel 1705 gefüllt ist. Mit anderen Worten, es ist erforderlich, dass die Dicke des Klebemittels 1705 so gewählt ist, dass es in ausreichender Weise die Stufe der Eingangsverdrahtung ausgleichen kann. Zu beachten ist, dass eine Erläuterung der Eingangsverdrahtung 1709 hier angegeben ist, aber dass andere Eingangsverdrahtungen 612 bis 614 in ähnlicher Weise mit dem FPC 611 durch Verlauf unter dem Gehäusematerial 1704 angeschlossen werden.
  • Ausführungsform 2
  • In der Ausführungsform 2 ist ein Beispiel eines Pixelaufbaus in 10 gezeigt, der sich von dem in 2b gezeigten Aufbau unterscheidet.
  • Die zwei in 2b gezeigten Pixelanordnungen sind symmetrisch hinsichtlich der Versorgungsspannungsleitung in der Ausführungsform 2 angeordnet. D. h., wie in 10 gezeigt ist, kann durch die gemeinsame Verwendung der Versorgungsspannungsleitung 213 für die beiden Pixel, die benachbart zu der Versorgungsspannungsleitung liegen, die Anzahl der erforderlichen Verdrahtungen reduziert werden. Zu beachten ist, dass der Aufbau der TFT's, die innerhalb des Pixels angeordnet sind, unverändert bleiben kann. Wenn diese Art des Aufbaus angewendet wird, ist es möglich, einen Pixelbereich mit hoher Auflösung herzustellen, wodurch die Bildqualität verbessert wird.
  • Zu beachten ist, dass der Aufbau der Ausführungsform 2 in einfacher Weise entsprechend den Fertigungsprozessen der Ausführungsform 1 realisiert werden kann, und dass die Er läuterungen der Ausführungsform 1 und der 1 auch auf entsprechende Punkte, etwa den Aufbau der TFT's angewendet werden können.
  • Ausführungsform 3
  • Es wird nun ein Fall der Herstellung eines Pixelbereichs mit einem Aufbau, der sich von jenem der 1 unterscheidet, unter Anwendung der 11 als Ausführungsform 3 erläutert. Zu beachten ist, dass Prozesse bis zur Herstellung der zweiten Zwischenschichtisolationsschicht 44 entsprechend der Ausführungsform 1 ausgeführt werden können. Ferner sind die Strukturen des Schalt-TFT's 201 und des Stromsteuer-TFT's 202, die von der zweiten Zwischenschichtisolationsschicht 44 bedeckt sind, die gleichen wie in 1 und daher wird die Erläuterung davon weggelassen.
  • Im Falle der Ausführungsform 3 werden eine Pixelelektrode 51, eine Kathode 52 und eine EL-Schicht 53 nach dem Bilden eines Kontaktloches in der zweiten Zwischenschichtisolationsschicht 44 und der ersten Passivierungsschicht 41 gebildet. Die Kathode 52 und die EL-Schicht 53 werden aufeinanderfolgend ohne Einwirkung der Umgebungsatmosphäre mittels Vakuumdampfabscheidung in der Ausführungsform 3 hergestellt, und gleichzeitig werden eine mit roter Farbe emittierende EL-Schicht, eine mit grüner Farbe emittierende EL-Schicht und eine mit blauer Farbe emittierende Schicht selektiv in separaten Pixel unter Anwendung eines Maskenmaterials hergestellt. Zu beachten ist, dass obwohl lediglich ein einzelnes Pixel in 11 gezeigt ist, Pixel mit dem gleichen Aufbau entsprechend den Farben rot, grün und blau hergestellt werden, und dass die Farbanzeige mittels dieser Pixel verwirklicht werden kann. Es können bekannte Materialien für die jeweiligen EL-Schichten mit den diversen Farben eingesetzt werden.
  • Es wird eine 150 nm dicke Aluminiumlegierungsschicht (eine Aluminiumschicht mit 1 Gewichtsprozent Titan) als die Pixelelektrode 51 in der Ausführungsform 3 vorgesehen. Vorausgesetzt, dass ein metallisches Material verwendet wird, kann ein beliebiges Material als das Pixelelektrodenmaterial verwendet werden, wobei es vorteilhaft ist, ein Material mit einer hohen Reflektivität einzusetzen. Des weiteren wird eine 230 nm dicke MgAg-Elektrode als die Kathode 52 eingesetzt, und die Schichtdicke der EL-Schicht 53 beträgt 90 nm (einschließlich einer 20 nm Elektronentransportschicht, einer 40 nm Emissionsschicht und einer 30 nm Löchertransportschicht).
  • Eine Anode, die aus einem transparenten leitenden Schichtmaterial (eine ITO-Schicht in der Ausführungsform 3) hergestellt ist, wird als nächstes mit einer Dicke von ungefähr 110 nm gebildet. Es wird somit ein EL-Element 209 gebildet, und wenn eine zweite Passivierungsschicht 55 durch die gleichen Materialien, wie sie in der Ausführungsform 1 gezeigt sind, gebildet wird, dann ergibt sich eine Pixel mit dem Aufbau, der in 11 gezeigt ist.
  • Wenn der Aufbau der Ausführungsform 3 verwendet wird, wird das von dem jeweiligen Pixel erzeugte rote, grüne oder blaue Licht entgegengesetzt zu dem Substrat ausgesendet, auf welchem die TFT's gebildet sind. Aus diesem Grunde kann nahezu die gesamt Fläche innerhalb der Pixel, d. h. das Gebiet, in welchem die TFT's gebildet sind, als eine effektive Strahlungsregion verwendet werden. Folglich gibt es einen starken Zuwachs in der effektiven Strahlungsoberfläche der Pixel und die Helligkeit und das Kontrastverhältnis (das Verhältnis zwischen hell und dunkel) des Bildes werden verbessert.
  • Zu beachten ist, dass es möglich ist, die Zusammensetzung der Ausführungsform 3 mit den Strukturen der Ausführungsformen 1 und 2 in beliebiger Weise zu kombinieren.
  • Ausführungsform 4
  • Mit Bezugnahme zu den 12a und 12b wird nunmehr die Herstellung eines Pixels zu dem Aufbau, der sich von jenem der 2 der Ausführungsform 1 unterscheidet, erläutert.
  • In 12a bezeichnet das Bezugszeichen 1201 einen Schalt-TFT, der eine aktive Schicht 56, eine Gateelektrode 57a, eine Gateverdrahtung 57b, eine Sourceverdrahtung 58 und eine Drainverdrahtung 59 aufweist. Des weiteren bezeichnet das Bezugszeichnen 1202 einen Stromsteuer-TFT, der eine aktive Schicht 60, eine Gateelektrode 61, eine Sourceverdrahtung 62 und eine Drainverdrahtung 63 aufweist. Die Sourcverdrahtung 62 des Stromsteuer-TFT's 1202 ist mit einer Versorgungsspannungsleitung 64 verbunden, und die Drainverdrahtung 63 ist mit einem EL-Element 65 verbunden. 12b zeigt die Schaltungszusammenstellung dieses Pixels.
  • Der Unterschied zwischen der 12a und der 2a besteht in dem Aufbau des Schalt-TFT's. In der Ausführungsform 4 wird die Gateelektrode 57a mit einer kleinen Leitungsbrei te zwischen 0,1 und 5 μm hergestellt, und die aktive Schicht 56 ist so gebildet, dass sie diesen Bereich durchquert. Die Gateverdrahtung 57b ist so ausgebildet, dass sie elektrisch die Gateelektrode 57a jedes Pixels miteinander verbindet. Es wird somit eine Dreifach-Gatestruktur, die nicht sehr viel Oberflächenbereich einnimmt, verwirklicht.
  • Andere Bereiche sind ähnlich zu jenen der 2a und die effektive emittierende Oberfläche wird größer, da die Oberfläche, die ausschließlich von dem Schalt-TFT eingenommen wird, kleiner ist, wenn der Aufbau der Ausführungsform 4 eingesetzt wird. Anders ausgedrückt, die Bildhelligkeit wird erhöht. Es kann eine Gatestruktur verwirklicht werden, in der eine Redundanz erhöht ist, um den Wert des Sperrstroms zu reduzieren, und damit kann die Bildqualität noch weiter verbessert werden.
  • Zu beachten ist, dass in dem Aufbau der Ausführungsform 4 die Versorgungsspannungsleitung 64 gemeinsam für benachbarte Pixel wie in der Ausführungsform 2 vorgesehen werden kann und dass ein Aufbau ähnlich der Ausführungsform 3 auch eingesetzt werden kann. Des weiteren sind die Prozesse zur Herstellung entsprechend den Prozessen, wie sie auch in der Ausführungsform 1 eingesetzt werden.
  • Ausführungsform 5
  • In den Ausführungsformen 1 bis 4 wurden Beispiele erläutert, in denen ein TFT mit Oberseitengate eingesetzt wird, wobei die vorliegende Erfindung auch zur Anwendung eines TFT mit Unterseitengate eingerichtet werden kann. Mit Bezug zu 13 wird die vorliegende Erfindung unter Anwendung eines TFT mit umgekehrter Staffelung gemäß der Ausführungsform 5 erläutert. Zu beachten ist, dass mit Ausnahme des Aufbaus des TFT's die Struktur die gleiche ist wie in 1 und daher werden die gleichen Symbole wie in 1 bei Bedarf verwendet.
  • In 13 können ähnliche Materialien wie in 1 für das Substrat 11 und die Basisschicht 12 verwendet werden. Ein Schalt-TFT 1301 und ein Stromsteuer-TFT 1302 werden dann auf der Basisschicht 12 hergestellt.
  • Der Schalt-TFT 1301 umfasst: Gateelektroden 70a und 70b; eine Gateverdrahtung 71; eine Gateisolationsschicht 72; ein Sourcegebiet 73; ein Draingebiet 74; LDD-Gebiete 75a bis 75d; ein stark dotiertes Gebiet 76; kanalbildende Gebiete 77a und 77b; Kanalschutzschichten 78a und 78b; eine erste Zwischenschichtisolationsschicht 79; eine Sourceverdrahtung 80 und eine Drainverdrahtung 81.
  • Des weiteren umfasst der Stromsteuer-TFT 1302: eine Gateelektrode 82; die Gateisolationsschicht 72; ein Sourcegebiet 83; ein Draingebiet 84; ein LDD-Gebiet 85; ein kanalbildendes Bild 86; eine Kanalschutzschicht 87; eine erste Zwischenschichtisolationsschicht 79; eine Sourceverdrahtung 88; und eine Drainverdrahtung 89. Die Gateelektrode 82 ist elektrisch mit der Drainverdrahtung 81 des Schalt-TFT's 1301 zu diesem Zeitpunkt verbunden.
  • Zu beachten ist, dass der obige Schalt-TFT 1301 und der Stromsteuer-TFT 1302 gemäß bekannter Verfahren für TFT mit ungekehrter Staffelung hergestellt werden können. In ähnlicher Weise können gleiche Materialien verwendet werden, wie sie in entsprechenden Bereichen der TFT's mit Oberseitengates der Ausführungsform 1 für den jeweiligen Bereich verwendet sind (etwa Verdrahtungen, Isolationsschichten und aktive Schichten), die in den obigen TFT's vorgesehen sind. Zu beachten ist, dass die Kanalschutzschichten 78a, 78b und 87, die in dem Aufbau des TFT's mit Oberseitengates nicht verwendet sind, durch eine isolierende Schicht mit Silizium hergestellt werden können. Des weiteren gilt im Hinblick auf die Herstellung von dotierten Gebieten, etwa den Source-Gebieten, den Drain-Gebieten und den LDD-Gebieten, dass diese unter Anwendung von Photolithographietechniken und individuelles Einstellen der Dotierstoffkonzentration hergestellt werden können.
  • Wenn die TFT's fertiggestellt sind, ist ein Pixel bereitgestellt, das ein EL-Element 1303 aufweist, in welchem die erste Passivierungsschicht 41, die Isolationsschicht (Einebnungsschicht 44), die zweite Passivierungsschicht 49, die Pixelelektrode (Anode) 46, die EL-Schicht 47, die MgAg-Elektrode (Kathode) 45, die Aluminiumelektrode (Schutzschicht) 48 und die dritte Passivierungsschicht 50 in dieser Reihenfolgen hergestellt sind. Es wird auf die Ausführungsform in Bezug auf Fertigungsprozesse und Materialien für den oben genannten Aufbau verwiesen.
  • Zu beachten ist, dass es möglich ist, den Aufbau der Ausführungsform 5 in geeigneter Wiese mit dem Aufbau der Ausführungsformen 2 bis 4 zu kombinieren.
  • Ausführungsform 6
  • Es ist vorteilhaft, ein Material mit einer hohen thermischen Strahlungswirkung ähnlich zu jener der ersten Passivierungsschicht 41 und der zweiten Passivierungsschicht 49 als die Basisschicht zu verwenden, die zwischen der aktiven Schicht und dem Substrat in den Strukturen der 5c der Ausführungsform 1 oder der 1 ausgebildet ist. Insbesondere kann ein hoher Strom in den Stromsteuer-TFT fließen, und daher wird Wärme erzeugt und eine Beeinträchtigung auf Grund der selbst erzeugten Wärme kann problematisch sein. Die thermische Funktionsbeeinträchtigung des TFT kann verhindert werden, indem die Basisschicht der Ausführungsform 6 verwendet wird, die in diesem Falle eine thermische Strahlungswirkung entwickelt. Die Wirkung des Schutzes vor der Diffusion beweglicher Ionen von dem Substrat ist ebenfalls sehr wichtig und daher ist es vorteilhaft, eine Schichtstruktur mit einer Verbindung mit Si, Al, N, O und M und eine Isolationsschicht mit Silizium ähnlich zu der ersten Passivierungsschicht 41 zu verwenden.
  • Zu beachten ist, dass es möglich ist, den Aufbau für die Ausführungsform 6 durch Kombinieren von Komponenten der 1 bis 5 zu gestalten.
  • Ausführungsform 7
  • Wenn der in der Ausführungsform 3 gezeigte Pixelaufbau verwendet wird, wird das von der EL-Schicht ausgesandte Licht in die Richtung entgegengesetzt zum Substrat ausgestrahlt und es ist daher notwendig, die Durchlässigkeit der Materialien zu berücksichtigen, etwa der Isolationsschicht, die zwischen dem Substrat und der Pixelelektrode vorgesehen ist. Anders ausgedrückt, Materialien, die eine etwas geringere Durchlässigkeit besitzen, können ebenso verwendet werden.
  • Es ist daher vorteilhaft, eine Kohlenstoffschicht zu verwenden, etwa eine Diamantdünnschicht, eine diamantähnliche Kohlenstoffschicht oder eine amorphe Kohlenstoffschicht als die Basisschicht 12 oder die erste Passivierungsschicht 41. Anders ausgedrückt, da es nicht notwendig ist, die Verringerung der Durchlässigkeit zu berücksichtigen, kann die Schichtdicke auf einen hohen Wert gesetzt werden, etwa 100 bis 500 nm, und es ist möglich, eine sehr hohe thermische Strahlungswirkung zu erreichen.
  • Im Hinblick auf die Verwendung der obigen Kohlenstoffschichten in der zweiten Passivierungsschicht 49 ist zu beachten, dass eine Verringerung der Durchlässigkeit vermieden werden muss und daher ist es vorteilhaft, die Schichtdicke auf einen Bereich zwischen 5 und 100 nm festzulegen.
  • Zu beachten ist, dass in der Ausführungsform 7 es vorteilhaft ist, eine Schichtstruktur mit einer weiteren Isolationsschicht vorzusehen, wenn eine Kohlenstoffschicht in der Basisschicht 12, der ersten Passivierungsschicht 41 oder der zweiten Passivierungsschicht 49 vorgesehen ist.
  • Ferner ist die Ausführungsform 7 vorteilhaft, wenn der in der Ausführungsform 3 gezeigte Pixelaufbau verwendet wird, und für andere Strukturen ist es möglich, im Aufbau der Ausführungsform 7 wahlweise Strukturen der Ausführungsformen 1 bis 6 zu verwenden.
  • Ausführungsform 8
  • Die Größe des Sperrstroms in dem Schalt-TFT im Pixel des EL-Anzeigebauelements wird reduziert, indem eine Mehrfachgatestruktur für den Schalt-TFT verwendet wird, und die vorliegende Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass ein Speicherkondensator nicht mehr erforderlich ist. In diesem Bauelement wird die Oberfläche damit gut ausgenutzt, die ansonsten für den Speicherkondensator reserviert ist, so dass dieser Oberflächenbereich als Emissionsgebiet verwendet werden kann.
  • Selbst wenn der Speicherkondensator nicht vollständig eliminiert wird, kann jedoch eine Vergrößerung der effektiven Emissionsfläche entsprechend dem Betrag, mit dem diese Oberfläche für den Kondensator kleiner gemacht werden kann, verwirklicht werden. Anders ausgedrückt, die Aufgabe der vorliegenden Erfindung kann in ausreichender Weise gelöst werden, indem der Wert des Sperrstromes reduziert wird, wobei eine Mehrfachgatestruktur für den Schalt-TFT verwendet wird, und indem die Oberfläche des Speicherkondensators reduziert wird.
  • Es ist daher möglich, einen Pixelaufbau zu verwenden, wie er auch in 14 gezeigt ist. Zu beachten ist, dass bei Bedarf die in 1 benutzen Symbole auch in der 14 verwendet werden.
  • Der Unterschied zwischen 14 und 1 ist das Vorhandensein eines Speicherkondensators 1401, der mit dem Schalt-TFT verbunden ist. Der Speicherkondensator 1401 wird durch ein Halbleitergebiet (untere Elektrode) gebildet, das sich von dem Draingebiet 14 zu dem Schalt-TFT 201 erstreckt, und wird ferner durch die Gateisolationsschicht 18 und die Kondensatorelektrode (obere Elektrode) 1403 gebildet. Die Kondensatorelektrode 1403 wird gleichzeitig mit den Gateelektroden 19a, 19b und 35 des TFT's gebildet.
  • Eine Draufsicht ist in 15a gezeigt. Die Querschnittsansicht entlang der Linie A-A' aus der Draufsicht der 15a entspricht der 14. Wie in 15a gezeigt ist, ist die Kondensatorelektrode 1403 elektrisch mit dem Sourcgebiet 31 des Stromsteuer-TFT's über eine Verbindungsverdrahtung 1404 verbunden, die elektrisch mit der Kondensatorelektor 1403 verbunden ist. Zu beachten ist, dass die Verbindungsverdrahtung 1404 gleichzeitig mit den Sourceverdrahtungen 21 und 36 und den Drainverdrahtungen 22 und 37 hergestellt wird. Ferner die 15b den Schaltungsaufbau aus der Draufsicht der 15a.
  • Zu beachten ist, dass der Aufbau der Ausführungsform 8 in beliebiger Weise gemäß den Strukturen der Ausführungsformen 1 bis 7 variiert werden kann. Anders ausgedrückt, es ist nur der Speicherkondensator innerhalb des Pixels hergestellt, und es gibt keine Beschränkungen im Hinblick auf die TFT-Struktur oder die EL-Schichtmaterialien.
  • Ausführungsform 9
  • Es wird die Laserkristallisierung als Mittel zur Herstellung der kristallinen Siliziumschicht 302 in der Ausführungsform 1 eingesetzt, und es wird nun ein Beispiel unter Anwendung unterschiedlicher Mittel zur Kristallisierung in der Ausführungsform 9 erläutert.
  • Nach dem Herstellen einer amorphen Siliziumschicht in der Ausführungsform 9 wird eine Kristallisierung unter Anwendung einer Technik durchgeführt, die in der japanischen Patentoffenlegungsschrift Hei 7-130652 erläutert ist. Die in der obigen Patentoffenlegungsschrift beschriebene Technik besteht darin, dass eine kristalline Siliziumschicht mit einer guten Kristallqualität erhalten wird, indem ein Element, etwa Nickel als Katalysator zum Unterstützen des Kristallisierungsprozesses verwendet wird.
  • Nachdem der Kristallisierungsprozess abgeschlossen wird, wird ein Prozess zum Entfernen des Katalysators, der in der Kristallisierung verwendet wurde, ausgeführt. In diesem Falle kann der Katalysator unter Anwendung von Verfahren gebunden werden, die in der japanischen Patentoffenlegungsschrift Hei 10-270663 oder in der japanischen Patentoffenlegungsschrift Hei 8-330602 beschrieben sind.
  • Des weiteren kann ein TFT unter Anwendung von Verfahren hergestellt werden, die in der Beschreibung der japanischen Patentoffenlegungsschrift Hei 11-076967 vom Anmelder der vorliegenden Erfindung aufgezeigt sind.
  • Die Prozesse zur Herstellung, die in der Ausführungsform 1 gezeigt sind, sind nur eine einzelne Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und vorausgesetzt, dass der Aufbau der 1 oder der 5c der Ausführungsform 1 verwirklicht werden kann, können auch andere Fertigungsprozesse ohne Probleme dafür vorgesehen werden.
  • Zu beachten ist, dass es möglich ist, die Ausführungsform 9 mit jeweils den Ausführungsformen 1 bis 8 in beliebiger Weise zu kombinieren.
  • Ausführungsform 10
  • Beim Ansteuern der EL-Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Erfindung kann eine analoge Ansteuerung unter Anwendung eines analogen Signals als Bildsignal oder es kann eine digitale Ansteuerung unter Anwendung eines digitalen Signals eingesetzt werden.
  • Wenn eine analoge Ansteuerung gewählt wird, wird das analoge Signal zu einer Sourceverdrahtung eines Schalt-TFT's geleitet und das analoge Signal, das eine Graustufeninformation enthält, repräsentiert die Gatespannung des Stomsteuer-TFT's. Der in einem EL-Element fließende Strom wird dann durch den Stromsteuer-TFT gesteuert, die von dem EL-Element ausgesendete Intensität wird gesteuert und die Graustufenanzeige wird somit verwirklicht. In diesem Falle ist vorteilhaft, den Stromsteuer-TFT im Sättigungsgebiet zu betreiben. Anders ausgedrückt, es ist vorteilhaft, den TFT innerhalb der Bedingungen |Vds| > |Vgs-Vth| zu betreiben. Zu beachten ist, dass Vgs die Spannungsdifferenz zwischen einem Sourcegebiet und einem Draingebiet ist, Vgs die Spannungsdifferenz zwischen dem Sourcegebiet und einer Gateelektrode ist und Vth die Einsetzspannung oder Schwellwertspannung des TFT's ist.
  • Wenn andererseits eine digitale Ansteuerung ausgewählt wird, unterscheidet sich diese von der analogen Graustufenanzeige und es wird eine Graustufenanzeige durch zeitlich aufgeteilte Ansteuerung erreicht (eine Ansteuerung mittels des zeitlichen Ein/Aus-Verhältnisses entsprechend der Graustufe) oder es wird eine Graustufenansteuerung erreicht, indem ein Verhältnis der Oberflächenbereiche entsprechend eingestellt wird. D. h., durch Regulieren der Länge der Emissionszeit oder des Verhältnisses der Emissionsoberfläche können die Farbgraustufen optisch eingestellt werden. In diesem Falle ist es vorteilhaft, den Stromsteuer-TFT in dem linearen Gebiet zu betreiben. Anders ausgedrückt, es ist vorteilhaft, den TFT innerhalb der Bedingungen |Vds| < |Vgs-Vth| zu betreiben.
  • Das EL-Element besitzt eine äußerst kurze Reaktionszeit im Vergleich zu einem Flüssigkristallelement, und daher ist es möglich, eine hohe Ansteuergeschwindigkeit zu erreichen. Daher ist das EL-Element geeignet für eine Zeitverhältnisgraustufenansteuerung, in welchem ein Bildrahmen in mehrere Teilnahmen unterteilt wird und damit eine Graustufenanzeige verwirklicht wird. Ferner ergibt sich der Vorteil, dass die Dauer eines Bildrahmens kurz ist und damit kann die Zeitdauer, in der die Gatespannung des Stromsteuer-TFT's beibehalten wird, ebenfalls kurz sein und ein Speicherkondensator kann kleiner gemacht werden oder ganz weggelassen werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist eine Technik, die eine Elementstruktur betrifft und es kann daher eine beliebige Art der Ansteuerung eingesetzt werden.
  • Ausführungsform 11
  • In der Ausführungsform 11 sind Beispiele der Pixelstruktur der EL-Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Erfindung in den 21a und 21b gezeigt. Zu beachten ist, dass in der Ausführungsform 11 das Bezugszeichen 4701 eine Sourceverdrahtung eines Schalt-TFT's 4702 bezeichnet, das Bezugszeichen 4703 eine Gateverdrahtung des Schalt-TFT's 4702 bezeichnet, das Bezugszeichen 4704 einen Stromsteuer-TFT bezeichnet, das Bezugszeichen 4705 eine elektrische Spannungsversorgungsleitung bezeichnet, 4706 einen Versorgunsspannungssteuer-TFT bezeichnet, 4707 eine Versorgungsspannungssteuergate verdrahtung und 4701 und 4708 ein EL-Element bezeichnet. Es wird auf die japanische Patentoffenlegungsschrift Hei 11-341272 im Hinblick auf die Funktionsweise des Spannungsversorgungssteuer-TFT 4706 verwiesen.
  • Ferner ist in der Ausführungsform 11 der Spannungsversorgungssteuer-TFT 4706 zwischen dem Stromsteuer-TFT 4704 und dem EL-Element 4708 gebildet, wobei jedoch ein Aufbau, in welchem der Stromsteuer-TFT 4704 zwischen dem Spannungsversorgungs-TFT 4706 und dem EL-Element 4708 angeordnet ist, ebenfalls angewendet werden kann. Ferner ist es vorteilhaft für den Versorgungsspannungssteuer-TFT 4706, dass er den gleichen Aufbau wie der Stormsteuer-TFT 4707 besitzt, oder es können beide TFT's in der gleichen aktiven Schicht in Reihe geschaltet sein.
  • 21a ist ein Beispiel eines Falles, in welchem die elektrische Versorgungsspannungsleitung 4705 zwischen zwei Pixeln gemeinsam verwendet ist. D. h., diese Ausführungsform zeichnet sich dadurch aus, dass die zwei Pixel mit einer linearen Symmetrie im Hinblick auf die elektrische Stromversorgungsleitung 4705 hergestellt sind. In diesem Falle kann die Anzahl der elektrischen Spannungsversorgungsleitungen verringert werden, und daher kann der Pixelbereich mit einer noch höheren Präzision bzw. Auflösung hergestellt werden.
  • Des weiteren ist 21b ein Beispiel, in welchem die elektrische Versorgungsspannungsleitung 4710 parallel zu der Gateverdrahtung 4703 ausgebildet ist, wobei eine Versorgungsspannungssteuergateverdrahtung 4711 parallel zu der Sourceverdrahtung 4701 gebildet ist. Zu beachten ist, dass in 23b der Aufbau der Struktur so ist, dass die elektrische Versorgungsspannungsleitung 4710 und die Gateverdrahtung 4703 nicht miteinander überlappen, aber vorausgesetzt, dass beide Verdrahtungen auf unterschiedlichen Schichten hergestellt sind, können diese auch überlappend hergestellt werden, wobei eine Isolationsschicht dazwischen eingeschlossen ist. In diesem Falle kann der Oberflächenbereich der elektrischen Versorgungsspannungsleitung 4710 und der Gateverdrahtung 4703 gemeinsam auftreten und der Pixelabschnitt kann mit einer noch höheren Auflösung hergestellt werden.
  • Ausführungsform 12
  • In der Ausführungsform 12 sind Beispiele des Pixelaufbaus der EL-Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Erfindung in den 22a und 22b gezeigt. Zu beachten ist, dass in der Ausführungsform 12 Bezugszeichen 4801 eine Sourceverdrahtung eines Schalt-TFT's 4802 bezeichnet, das Bezugszeichnen 4803 eine Gatverdrahtung des Schalt-TFT's 4802 benennt, das Bezugszeichen 4804 einen Stromsteuer-TFT bezeichnet, 4805 eine elektrische Versorgungsspannungsleitung bezeichnet, 4806 einen Lösch-TFT benennt, 4807 eine Löschgateverdrahtung bezeichnet und 4808 ein EL-Element bezeichnet. Im Hinblick auf die Funktion des Lösch-TFT's 4806 sei auf die japanische Patentoffenlegungsschrift Hei 11-338786 verwiesen.
  • Das Drain des Lösch-TFT's 4806 ist mit einem Gate des Stromsteuer-TFT's 4804 verbunden, und es ist möglich, die Gatespannung des Stromsteuer-TFT's 4804 gezielt zu ändern. Zu beachten ist, dass ein n-Kanal-TFT oder ein p-Kanal-TFT für den Lösch-TFT 4806 eingesetzt werden kann, aber es ist vorteilhaft, diesen mit dem gleichen Aufbau wie den Schalt-TFT 4802 vorzusehen, so dass der Sperrstrom klein gehalten werden kann.
  • 22a ist ein Beispiel, in welchem die elektrische Versorgungsspannungsleitung 4805 gemeinsam für zwei Pixel vorgesehen ist. D. h., diese Ausführungsform zeichnet sich dadurch aus, dass die beiden Pixel mit einer linearen Symmetrie in Bezug auf die elektrische Versorgungsspannungsleitung 4805 hergestellt sind. In diesem Falle kann die Anzahl der elektrischen Versorgungsspannungsleitungen verringert werden, und daher kann der Pixelabschnitt mit einer noch höheren Präzision hergestellt werden.
  • Ferner ist 22b ein Beispiel, in welchem eine elektrische Versorgungsspannungsleitung 4810 parallel zu der Gateverdrahtung 4803 ausgebildet ist, und wobei eine Löschgateverdrahtung 4811 parallel zu der Sourceverdrahtung 4801 hergestellt ist. Zu beachten ist, dass in 22b der Aufbau so gewählt ist, dass die elektrische Versorgungsspannungsleitung 4810 und die Gateverdrahtung 4803 nicht überlappen, wobei, vorausgesetzt, dass beide Verdrahtungen auf unterschiedlichen Schichten ausgebildet sind, diese auch überlappend hergestellt werden können, wobei eine Isolationsschicht dazwischen eingeschlossen ist. In diesem Falle kann der Oberflächenbereich der elektrischen Versorgungsspannungsleitung 4810 und der Gateverdrahtung 4803 für beide gemeinsam genutzt werden, und der Pixelabschnitt kann mit noch höherer Präzision bzw. Auflösung hergestellt werden.
  • Ausführungsform 13
  • Die EL-Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Erfindung kann einen Aufbau aufweisen, in welchem mehrerer TFT's innerhalb eines Pixels ausgebildet sind. In den Ausführungsformen 11 und 12 sind Beispiele mit drei TFT's gezeigt, aber es können auch 4 bis 6 TFT's hergestellt werden. Es ist möglich, die vorliegende Erfindung zu verwirklichen, ohne dass irgendwelche Beschränkungen im Hinblick auf den Aufbau der Pixel der EL-Anzeigeeinrichtung auferlegt werden.
  • Ausführungsform 14
  • In der Ausführungsform 14 wird ein Beispiel für die Verwendung eines p-Kanal-TFT's als Stromsteuer-TFT 202 der 1 erläutert. Zu beachten ist, dass andere Bereiche gleich sind wie dies in 1 gezeigt ist, und daher wird eine detailliertere Erläuterung dieser anderen Bereiche weggelassen.
  • In 23 ist ein Querschnitt des Aufbaus des Pixel der Ausführungsform 14 gezeigt. Für ein Verfahren zur Herstellung des p-Kanal-TFT's, der in der Ausführungsform 14 verwendet ist, sei auf die Ausführungsform 1 verwiesen. Eine aktive Schicht des p-Kanal-TFT's umfasst ein Sourcegebiet 2801, ein Draingebiet 2802 und ein kanalbildendes Gebiet 2803, wobei das Sourcegebiet 2801 mit der Sourceverdrahtung 36 und das Draingebiet 2802 mit der Drainverdrahtung 37 verbunden ist.
  • Für Beispiele, in denen die Anode eines EL-Elements mit dem Stromsteuer-TFT verbunden ist, ist es vorteilhaft, den p-Kanal-TFT als den Stromsteuer-TFT zu verwenden.
  • Zu beachten ist, dass es möglich ist, den Aufbau der Ausführungsform 14 in beliebiger Weise mit dem Aufbau der Ausführungsformen 1 bis 13 zu kombinieren.
  • Ausführungsform 15
  • Unter Anwendung eines EL-Materials, in welchem eine Phosphoreszenz von einem Exzition mit Dreifachzustand bei Lichtemission in der Ausführungsform 15 verwendet werden kann, kann die Quanteneffizienz für die externe Emission deutlich erhöht werden. Indem dies angewendet wird, ist es möglich, das EL-Element mit geringerer Leistungsaufnahme, längerer Lebensdauer und geringerem Gewicht bereitzustellen.
  • Nähere Details über die Verwendung von Exzitonen mit dreifachem Zustand und dem Vergrößern der externen Emissionsquanteneffizienz sind in den folgenden Dokumenten enthalten.
    • Tsutsui, T., Adachi, C., und Saito, S., photochemische Prozesse in organisierten Molekularsystemen, Ed., Honda, K., (Elsevier Sci., Veröffentlichung Tokio 1991), Seite 437.
  • Die molekulare Formel des EL-Materials (Courmarin-Pigment), die in den obigen Dokument angegeben ist, ist nachfolgend gezeigt. (Formel 8)
    Figure 00530001
    • Baldo, M. A., O'Brien, D. F., You, Y., Shoustikov, A., Sibley, S., Thompson, M. E., und Forrest S. R., Nature 395 (1998), Seite 151.
  • Die molekulare Formel des EL-Materials (PT-Komplex), die in den obigen Dokument angegeben ist, ist wie folgt. (Formel 9)
    Figure 00530002
    • Bald, M. A., Lamasky, S., Burrows, P. E., Thompson, M. E. und Forrest, S. R., Appl. Phys. Letters 75 (1999), Seite 4.
    • Tsutui, T., Yang, M. J., Yahiro, M., Nakamura, K., Watanabe, T., Tsuji, T., Fukuda, Y., Wakimoto, T., Mayaguchi, S., Japanische Appl. Phys. 38 (12B) (1999) 11502.
  • Die molekulare Formel des EL-Materials (IR-Komplex), die in diesem Dokument angegeben ist, ist nachfolgend gezeigt.
  • (Formel 10)
    Figure 00540001
  • Vorausgesetzt, dass die Phosphoreszenzemission von Exzitionen mit dreifachem Zustand verwendet werden kann, dann ist es prinzipiell möglich, eine externe Emissionsquanteneffizienz zu erreichen, die drei bis vier mal größer ist als für die Beispiele unter Anwendung einer Fluoreszenzemission von Exzitonen mit einfachem Zustand. Zu beachten ist, dass es möglich ist, den Aufbau der Ausführungsform 15 in geeigneter Weise mit dem Aufbau der Ausführungsformen 1 bis 13 zu kombinieren.
  • Ausführungsform 16
  • In der Ausführungsform 1 ist es vorteilhaft, ein organisches EL-Material als eine EL-Schicht zu verwenden, wobei jedoch die vorliegende Erfindung auch unter Anwendung eines anorganischen EL-Materials eingerichtet werden kann. Jedoch besitzen aktuelle anorganische EL-Materialien eine sehr hohe Ansteuerspannung und daher muss ein TFT, der entsprechende Spannungswiderstandseigenschaften aufweist, die die Ansteuerspannung aushalten, in Fällen mit analoger Ansteuerung verwendet werden.
  • Wenn alternativ anorganische EL-Materialien mit geringeren Ansteuerspannungen als konventionelle anorganische EL-Materialien entwickelt werden, dann ist es möglich, auch diese in der vorliegenden Erfindung einzusetzen.
  • Ferner ist es möglich, den Aufbau der Ausführungsform 16 in beliebiger Weise mit den Ausführungsformen 1 bis 14 zu kombinieren.
  • Ausführungsform 17
  • Eine EL-Anzeigeeinrichtung mit aktiver Matrix (EL-Modul), das durch Umsetzen der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, besitzt verbesserte optische Eigenschaften an hellen Positionen im Vergleich zu einer Flüssigkristallanzeige, da sie eine selbstleuchtende Einrichtung ist. Sie besitzt daher eine breite Fülle von Anwendungen als eine EL-Anzeige mit direkter Draufsicht, wodurch eine Anzeige mit einem EL-Modul gemeint ist).
  • Zu beachten ist, dass ein großer Betrachtungswinkel als ein Vorteil angegeben werden kann, den eine EL-Anzeige gegenüber einer Flüssigkristallanzeige aufweist. Die EL-Anzeige der vorliegenden Erfindung kann daher als eine Anzeige (Anzeigemonitor) mit einer Diagonale gleich 30 Inch oder größer verwendet werden (typischerweise 40 Inch oder größer), um damit den Erfordernissen für Fernsehen mittels großer Bildschirme gerecht zu werden.
  • Die Anzeige gemäß der vorliegenden Erfindung kann nicht nur als eine EL-Anzeige (etwa für Personalcomputermonitore, TV-Bildschirme oder andere Anzeigemonitore für Werbungszwecke) verwendet werden, sondern sie kann auch als eine Anzeige für diverse elektronische Einrichtungen verwendet werden.
  • Das Folgende kann als Beispiele für derartige elektronische Bauelemente betrachtet werden: Videokamera; Digitalkamera; direkt getragene Anzeige (auf Kopf montierte Anzeige); Fahrzeugnavigationssystem; Personalcomputer; tragbares Informationsendgerät (etwa ein mobiler Computer, ein Mobiltelefon oder ein elektronisches Buch); und eine Bildwiedergabeeinrichtung unter Anwendung eines Aufzeichnungsmediums (insbesondere ein Gerät, das die Wiedergabe eines Aufzeichnungsmediums ausführt und mit einer Anzeige versehen ist, die diese Bilder wiedergeben kann, etwa Kompaktdisketten (CD), Laserdisketten (LD) oder eine digitale Videodiskette (DVD)). Beispiele dieser elektronischen Geräte sind in den 16a bis 16f gezeigt.
  • 16a ist ein Personalcomputer mit einem Grundkörper 2001, einem Gehäuse 2002, einem Anzeigebereich 2003 und einer Tastatur 2004. Die vorliegende Erfindung kann in dem Anzeigebereich 2003 eingesetzt werden.
  • 16b ist eine Videokamera mit einem Grundkörper 2101, einem Anzeigebereich 2102, einem Audioeingabebereich 2103, Bedienschalter 2104, einer Batterie 2105 und einem Bildaufnahmebereich 2106. Die vorliegende Erfindung kann in dem Anzeigebereich 2102 verwendet werden.
  • 16c ist eine Anzeige in Form einer Brille mit einem Grundkörper 2201, einem Anzeigebereich 2202 und einem Hebel- bzw. Trägerbereich 2203. Die vorliegende Erfindung kann in dem Anzeigebereich 2202 vorgesehen werden.
  • 16d ist ein tragbarerer Computer mit einem Grundkörper 2301, einem Kamerabereich 2302, einem Bildempfangsbereich 2303, Bedientasten 2304 und einem Anzeigebereich 2305. Die vorliegende Erfindung kann in dem Anzeigebereich 2305 eingesetzt werden.
  • 16e ist ein Bildwidergabegerät (insbesondere ein DVD-Abspielgerät), das mit einem Aufzeichnungsmedium versehen ist, und das einen Grundkörper 2401, ein Aufzeichnungsmedium (etwa eine CD, eine LD oder eine DVD) 2402 Bedienschalter 2403, einen Anzeigebereich (a) 2404 und einen Anzeigebereich (b) 2405 aufweist. Der Anzeigebereich (a) wird hauptsächlich zum Darstellen von Bildinformation verwendet, und der Bildbereich (b) wird hauptsächlich zum Darstellen von Textinformation verwendet, und die vorliegende Erfindung kann in dem Bildbereich (a) und dem in dem Bildbereich (b) eingesetzt werden. Zu beachten ist, dass die vorliegende Erfindung als ein Bildwiedergabegerät, das mit einem Aufzeichnungsmedium versehen ist, in Geräten verwendet werden kann, etwa einen CD-Abspielgerät und einer Spielkonsole.
  • 16f ist eine EL-Anzeige mit einem Gehäuse 2501, einer Halterung 2502 und einem Anzeigebereich 2503. Die vorliegende Erfindung kann in dem Anzeigebereich 2503 eingesetzt werden. Die EL-Anzeige der vorliegenden Erfindung ist insbesondere vorteilhaft, wenn der Bildschirm groß gemacht wird und ist günstig für Anzeigegeräte mit einer Diagonale von mehr als 10 Inch (insbesondere von 30 Inch oder größer).
  • Wenn ferner die Emissionshelligkeit der EL-Materialien in Zukunft größer wird, ist es möglich, die vorliegende Erfindung in einem Projektor des Frontseitentyps oder des Rückseitentyps einzusetzen.
  • Die obigen elektronischen Elemente werden immer häufiger eingesetzt, um Informationen darzustellen, die über eine elektronische Sendeschaltung, etwa das Internet oder CATV (Kabelfernsehen) bereitgestellt werden und insbesondere werden diese Geräte für Gelegenheiten zur Darstellung von Animationsinformation zunehmend eingesetzt. Die Reaktionszeit der EL-Materialien ist äußerst hoch und daher sind EL-Anzeigen zum Ausführen dieser Art von Anzeige besonders geeignet.
  • Der Emissionsbereich der EL-Anzeige verbraucht Leistung, und daher ist es vorteilhaft, die Darstellung der Information so zu wählen, dass der Emissionsbereich möglichst klein ist. Wenn daher das EL-Anzeigegerät in einem Anzeigebereich verwendet wird, der hauptsächlich zur Textinformationsdarstellung dient, etwa ein tragbares Informationsendgerät, insbesondere ein tragbares Telefon oder ein Fahrzeugaudiosystem, ist es vorteilhaft, das Gerat so anzusteuern, dass lichtemittierende Bereiche als Hintergrund erscheinen und das zeichenbildende Informationen in emittierenden Bereichen sind.
  • 20a ist ein tragbares Telefon mit einem Grundkörper 2601, einem Audioausgangsbereich 2602, einem Audioeingangsbereich 2603, einem Anzeigebereich 2604, Bedientaste 2605 und einer Antenne 2602. Die EL-Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Erfindung kann in dem Anzeigebereich 2604 vorgesehen werden. Zu beachten ist, dass durch Darstellen weißer Zeichen auf einem schwarzen Hintergrund in dem Anzeigebereich 2604 der Leistungsverbrauch des tragbaren Telefons verringert werden kann.
  • 20b ist ein bordinternes Audiosystem (Fahrzeugaudiosystem) mit einem Grundkörper 2701, einem Anzeigebereich 2702 und Bedientaste 2703 und 2704. Das EL-Anzeigegerät der vorliegenden Erfindung kann in dem Anzeigebereich 2702 eingesetzt werden. Ferner ist ein bordinternes Audiosystem in der Ausführungsform 17 gezeigt, aber es kann auch ein stationäres Audiosystem verwendet werden. Zu beachten ist, dass durch Anzeigen von weißen Symbolen auf einem schwarzen Hintergrund in dem Anzeigebereich 2702 dessen Leistungsaufnahme verringert werden kann.
  • Der Bereich für Anwendungen der vorliegenden Erfindung ist somit sehr weiträumig und es ist möglich, die vorliegende Erfindung auf elektronische Geräte in allen Gebieten anzuwenden. Ferner können die elektronischen Geräten der Ausführungsform 17 verwirklicht werden, indem ein beliebiger Aufbau entsprechender Kombinationen der Ausführungsformen 1 bis 16 eingesetzt wird.
  • Durch Anwenden der vorliegenden Erfindung ist es möglich, ein Pixel herzustellen, in welchem TFT's mit einem optimalen Funktionsverhalten im Hinblick auf die Spezifikationen, die für Elemente erforderlich sind, auf dem gleichen Substrat hergestellt werden, und das Funktionsverhalten und die Zuverlässigkeit einer EL-Anzeigeeinrichtung mit aktiver Matrix können deutlich verbessert werden.
  • Durch Anwenden dieser Art eines EL-Anzeigeelements als Anzeige ist es möglich, Produkte (elektrische Anlagen) mit guter Bildqualität und Haltbarkeit (hohe Zuverlässigkeit) herzustellen.

Claims (6)

  1. Elektronische Einrichtung mit einem Pixel, das umfasst: einen ersten TFT (201); einen zweiten TFT (202), der ein Gate (35) aufweist, das elektrisch mit dem ersten TFT (201) verbunden ist; und ein EL-Element (203), das elektrisch mit dem zweiten TFT verbunden ist, dadurch gekennzeichnet dass der erste TFT (201) eine aktive Schicht aufweist, in der zwei oder mehr Kanal bildende Gebiete (17a und 17b), die in Reihe verbunden sind, ausgebildet sind, und eine Kanalbreite des zweiten TFT (202) größer ist als eine Kanalbreite des ersten TFT (201).
  2. Elektronische Einrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Gleichung: W2/L2 ≥ 5×W1/L1 erstellt wird, in der eine Kanallänge des zweiten TFT (202) L2 ist, eine Kanalbreite des zweiten TFT (202) W2 ist, eine Kanallänge des ersten TFT (201) L1 ist und eine Kanalbreite des ersten TFT (201) W1 ist.
  3. Elektronische Einrichtung nach Ansprach 2, wobei die Kanallänge (L2) des zweiten TFT (202) 0,1 bis 50 μm, die Kanalbreite (W2) des zweiten TFT (202) 0,5 bis 30 μm, die Kanallänge (L1) des ersten TFT (201) 0,2 bis 18 μm und die Kanalbreite (W1) des ersten TFT (201) 0,1 bis 5 μm beträgt.
  4. Elektronische Einrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste TFT (201) ein TFT zum Schalten und der zweite TFT (202) ein TFT zur Stromsteuerung ist.
  5. Elektronische Einrichtung nach Anspruch 1, wobei ein LDD-Gebiet (15a, 15b, 15c oder 15d) des ersten TFT (201) so gebildet ist, dass es nicht mit einer Gate-Elektrode (19a o der 19b) des ersten TFT (201) überlappt, in dem eine Gate-Isolationsschicht (18) dazwischen angeordnet ist, und wobei ein LDD-Gebiet (33) oder ein Teil davon des zweiten TFT (202) so gebildet ist, dass es mit einer Gate-Eletkrode (35) des zweiten TFT (202) überlappt.
  6. Elektronische Einrichtung nach Anspruch 1, wobei die elektronische Einrichtung eine der folgenden Einrichtungen ist: Eine Videokamera, eine Digitalkamera, eine Beobachtungseinreichtung, ein Fahrzeugnavigationssystem, ein Personalcomputer, ein tragbarerer Computer, eine Mobiltelefon, eine elektronisches Buch, eine Bildwiedergabeeinrichtung unter Verwendung eines Speichermediums.
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Families Citing this family (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7126161B2 (en) 1998-10-13 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having El layer and sealing material
US6518594B1 (en) * 1998-11-16 2003-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor devices
US6277679B1 (en) 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
US6512504B1 (en) 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
TW483287B (en) * 1999-06-21 2002-04-11 Semiconductor Energy Lab EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
TW556357B (en) * 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
JP2001092413A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd El表示装置および電子装置
TW535454B (en) * 1999-10-21 2003-06-01 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US7339317B2 (en) 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
US6822629B2 (en) 2000-08-18 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6864628B2 (en) * 2000-08-28 2005-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound
JP4014831B2 (ja) 2000-09-04 2007-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置及びその駆動方法
TW586141B (en) * 2001-01-19 2004-05-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7115453B2 (en) * 2001-01-29 2006-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2002231627A (ja) * 2001-01-30 2002-08-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
US6639360B2 (en) * 2001-01-31 2003-10-28 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
US7075112B2 (en) 2001-01-31 2006-07-11 Gentex Corporation High power radiation emitter device and heat dissipating package for electronic components
US6724150B2 (en) * 2001-02-01 2004-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US7141822B2 (en) * 2001-02-09 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4993810B2 (ja) * 2001-02-16 2012-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7052943B2 (en) * 2001-03-16 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6509941B2 (en) * 2001-03-22 2003-01-21 Eastman Kodak Company Light-producing display having high aperture ratio pixels
US6812081B2 (en) * 2001-03-26 2004-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co.,.Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2002329576A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP4209606B2 (ja) 2001-08-17 2009-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI282126B (en) 2001-08-30 2007-06-01 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
US7112517B2 (en) 2001-09-10 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method
US7317205B2 (en) 2001-09-10 2008-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing a semiconductor device
KR100945467B1 (ko) * 2001-10-09 2010-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스위칭소자, 표시장치, 그 스위칭소자를 사용한 발광장치및 반도체장치
JP4149168B2 (ja) 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100477103B1 (ko) * 2001-12-19 2005-03-18 삼성에스디아이 주식회사 금속유도화 측면결정화방법을 이용한 멀티플 게이트 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
CN101673508B (zh) 2002-01-18 2013-01-09 株式会社半导体能源研究所 发光器件
TWI258317B (en) * 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP4017441B2 (ja) * 2002-04-26 2007-12-05 三洋電機株式会社 有機elパネル及びその製造方法
JP2004063363A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電界発光素子用材料、およびそれを用いた電界発光素子
US7150537B2 (en) * 2002-08-16 2006-12-19 Infocus Corporation Projection television device and screen
KR100915233B1 (ko) * 2002-11-05 2009-09-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
US7374976B2 (en) * 2002-11-22 2008-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating thin film transistor
JP2004264634A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2004361424A (ja) 2003-03-19 2004-12-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 素子基板、発光装置及び発光装置の駆動方法
EP1607931B1 (de) 2003-03-26 2014-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Bauelementesubstrat und lichtemittierendes bauelement
KR100543001B1 (ko) * 2003-09-03 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 액티브 매트릭스 평판 표시 장치
US7314785B2 (en) * 2003-10-24 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR100741962B1 (ko) 2003-11-26 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
US7315047B2 (en) 2004-01-26 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
KR100573154B1 (ko) * 2004-06-26 2006-04-24 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR101025846B1 (ko) * 2004-09-13 2011-03-30 삼성전자주식회사 탄소나노튜브 채널을 포함하는 반도체 장치의 트랜지스터
KR100699997B1 (ko) 2004-09-21 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 다수개의 구동 트랜지스터와 다수개의 애노드 또는캐소드전극을 갖는 유기 전계 발광 표시장치
ATE541327T1 (de) * 2004-10-21 2012-01-15 Lg Display Co Ltd Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren
US7579220B2 (en) * 2005-05-20 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device manufacturing method
KR20060121514A (ko) * 2005-05-24 2006-11-29 삼성전자주식회사 유기발광 디스플레이 및 그 제조방법
US7524593B2 (en) 2005-08-12 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure mask
KR100729077B1 (ko) * 2005-11-14 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치
KR101404582B1 (ko) 2006-01-20 2014-06-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치의 구동방법
KR100685853B1 (ko) 2006-01-25 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR101277606B1 (ko) * 2006-03-22 2013-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US7557498B2 (en) * 2006-05-17 2009-07-07 Tpo Displays Corp. System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same
JP4907657B2 (ja) * 2006-06-26 2012-04-04 パナソニック株式会社 無線通信装置及びcqi生成方法
KR101331803B1 (ko) * 2006-06-30 2013-11-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
DE102006060734B4 (de) * 2006-06-30 2014-03-06 Lg Display Co., Ltd. Flüssigkristalldisplay und Verfahren zu dessen Herstellung
KR100795801B1 (ko) * 2006-07-19 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 전기 영동 디스플레이 장치
US7863612B2 (en) 2006-07-21 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and semiconductor device
JP5881926B2 (ja) 2006-10-25 2016-03-09 オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOSRAM OLED GmbH オプトエレクトロニクスデバイス及び該オプトエレクトロニクスデバイスを製造するための方法
DE102006059168B4 (de) * 2006-10-25 2022-03-17 Pictiva Displays International Limited Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung
WO2008069259A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device
KR101383713B1 (ko) * 2007-03-21 2014-04-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101457653B1 (ko) * 2007-03-22 2014-11-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막장치, 제조장치, 성막방법, 및 발광장치의 제조방법
KR101563237B1 (ko) * 2007-06-01 2015-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 제조장치 및 발광장치 제작방법
KR20090041314A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 증착용 기판 및 발광장치의 제조방법
KR20090041316A (ko) * 2007-10-23 2009-04-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막 방법 및 발광 장치의 제작 방법
US8153201B2 (en) * 2007-10-23 2012-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light-emitting device, and evaporation donor substrate
US8425974B2 (en) * 2007-11-29 2013-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation donor substrate and method for manufacturing light-emitting device
KR101689519B1 (ko) * 2007-12-26 2016-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 증착용 기판, 증착용 기판의 제조방법, 및 발광장치의 제조방법
US8080811B2 (en) 2007-12-28 2011-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing evaporation donor substrate and light-emitting device
KR101492626B1 (ko) * 2008-01-15 2015-02-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
WO2009099002A1 (en) * 2008-02-04 2009-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and method for manufacturing light-emitting device
KR101506671B1 (ko) * 2008-02-20 2015-03-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
US20090218219A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing Apparatus
JP5416987B2 (ja) 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
WO2009107548A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
JP5238544B2 (ja) * 2008-03-07 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
US8182863B2 (en) * 2008-03-17 2012-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
US7993945B2 (en) * 2008-04-11 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
US7932112B2 (en) * 2008-04-14 2011-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
US8409672B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device
JP5159689B2 (ja) * 2008-04-25 2013-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
CN101577070B (zh) * 2008-05-05 2011-08-24 广达电脑股份有限公司 电子装置外壳图形显示装置
JP5469950B2 (ja) * 2008-08-08 2014-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US8013340B2 (en) * 2008-09-30 2011-09-06 Infineon Technologies Ag Semiconductor device with semiconductor body and method for the production of a semiconductor device
US8486736B2 (en) * 2008-10-20 2013-07-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
JP5291607B2 (ja) * 2008-12-15 2013-09-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TWI587734B (zh) * 2009-03-26 2017-06-11 精工愛普生股份有限公司 有機el裝置、有機el裝置之製造方法、及電子機器
KR20110041107A (ko) * 2009-10-15 2011-04-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
KR101893128B1 (ko) 2009-10-21 2018-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 아날로그 회로 및 반도체 장치
CN107731931B (zh) * 2009-10-21 2021-03-23 株式会社半导体能源研究所 显示装置和包括显示装置的电子设备
KR101698543B1 (ko) * 2009-11-19 2017-01-23 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법
WO2011064819A1 (ja) 2009-11-27 2011-06-03 パナソニック株式会社 発光表示装置
JP5573219B2 (ja) * 2010-02-18 2014-08-20 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、ならびに電子機器およびその製造方法
KR101117739B1 (ko) * 2010-03-15 2012-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5494115B2 (ja) * 2010-03-29 2014-05-14 ソニー株式会社 表示装置及び電子機器
JP5443588B2 (ja) 2010-06-22 2014-03-19 パナソニック株式会社 発光表示装置及びその製造方法
JP5459142B2 (ja) * 2010-08-11 2014-04-02 セイコーエプソン株式会社 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び電子機器
JP5508301B2 (ja) * 2011-01-18 2014-05-28 パナソニック株式会社 発光表示装置
WO2013008765A1 (en) 2011-07-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module
JP6077280B2 (ja) * 2011-11-29 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
CN102789107A (zh) * 2012-09-07 2012-11-21 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板
KR101967600B1 (ko) * 2012-11-09 2019-04-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
CN103909689A (zh) * 2013-01-07 2014-07-09 深圳富泰宏精密工业有限公司 陶瓷与塑料的复合体及应用该复合体的电子装置
GB2514836B (en) 2013-06-07 2020-04-22 Thermo Fisher Scient Bremen Gmbh Isotopic Pattern Recognition
KR20150011219A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판
TWI653755B (zh) * 2013-09-12 2019-03-11 日商新力股份有限公司 顯示裝置、其製造方法及電子機器
KR102130516B1 (ko) * 2013-11-26 2020-07-06 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR102185256B1 (ko) * 2013-12-31 2020-12-02 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US10046542B2 (en) 2014-01-27 2018-08-14 Corning Incorporated Articles and methods for controlled bonding of thin sheets with carriers
KR102128969B1 (ko) 2014-02-17 2020-07-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
SG11201608442TA (en) 2014-04-09 2016-11-29 Corning Inc Device modified substrate article and methods for making
KR102346675B1 (ko) * 2014-10-31 2022-01-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102308669B1 (ko) * 2014-12-05 2021-10-05 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20160087022A (ko) * 2015-01-12 2016-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
CN104701265A (zh) * 2015-03-27 2015-06-10 深圳市华星光电技术有限公司 低温多晶硅tft基板结构及其制作方法
JP2018524201A (ja) 2015-05-19 2018-08-30 コーニング インコーポレイテッド シートをキャリアと結合するための物品および方法
WO2016209897A1 (en) 2015-06-26 2016-12-29 Corning Incorporated Methods and articles including a sheet and a carrier
CN105137689A (zh) * 2015-10-16 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 用于改善水平亮暗线的阵列基板及液晶显示面板
KR102424108B1 (ko) * 2015-11-26 2022-07-25 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
CN108028214B (zh) * 2015-12-30 2022-04-08 玛特森技术公司 用于毫秒退火系统的气体流动控制
TW202216444A (zh) 2016-08-30 2022-05-01 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI821867B (zh) 2016-08-31 2023-11-11 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
US10700138B2 (en) * 2017-07-13 2020-06-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Active illuminating display panels and manufacturing methods thereof comprising plural illuminating patterns providing plural color lights
CN107507836A (zh) * 2017-08-02 2017-12-22 武汉华星光电技术有限公司 一种低温多晶硅阵列基板的制程方法以及低温多晶硅薄膜晶体管的制程方法
CN111615567B (zh) 2017-12-15 2023-04-14 康宁股份有限公司 用于处理基板的方法和用于制备包括粘合片材的制品的方法
US10748879B2 (en) * 2018-02-28 2020-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device and display
WO2020089533A1 (fr) 2018-10-29 2020-05-07 Hager-Electro Sas Module auxiliaire de dérivation pour dispositif de protection différentielle
KR20210053412A (ko) 2019-11-01 2021-05-12 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR20210113513A (ko) 2020-03-06 2021-09-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220075103A (ko) 2020-11-27 2022-06-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판, 표시 장치, 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (249)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US579213A (en) * 1896-01-31 1897-03-23 Herbert
US2003221A (en) * 1929-06-24 1935-05-28 Mcconway & Torley Co Railway draft appliance
US4040073A (en) 1975-08-29 1977-08-02 Westinghouse Electric Corporation Thin film transistor and display panel using the transistor
US4357557A (en) 1979-03-16 1982-11-02 Sharp Kabushiki Kaisha Glass sealed thin-film electroluminescent display panel free of moisture and the fabrication method thereof
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4366079A (en) 1981-02-26 1982-12-28 American Cyanamid Company Sulfonated rubrene and aqueous chemiluminescent compositions containing the same
US4530750A (en) 1981-03-20 1985-07-23 A. S. Laboratories, Inc. Apparatus for coating optical fibers
US4523189A (en) 1981-05-25 1985-06-11 Fujitsu Limited El display device
JPS58143305A (ja) 1982-02-22 1983-08-25 Hitachi Ltd 表示パネル
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
DE3480243D1 (en) 1983-03-31 1989-11-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing thin-film integrated devices
JPS60138545A (ja) 1983-12-26 1985-07-23 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
JPS60140088U (ja) 1984-02-24 1985-09-17 富士通株式会社 表示装置の構造
JPH06102530B2 (ja) 1985-04-23 1994-12-14 三菱油化株式会社 黒鉛質成形体の製造方法
JPH0714678B2 (ja) 1985-08-31 1995-02-22 カシオ計算機株式会社 装飾用パネルの製造方法
JPS6290260U (de) 1985-11-27 1987-06-09
EP0326615B1 (de) 1986-09-19 1993-11-10 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Dünnfilmanordnung
JPS63123188A (ja) 1986-11-12 1988-05-26 Hiromitsu Ishii 移動体量計測装置
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
JPS63131494U (de) 1987-02-19 1988-08-29
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JP2620240B2 (ja) 1987-06-10 1997-06-11 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US5003221A (en) 1987-08-29 1991-03-26 Hoya Corporation Electroluminescence element
US4975338A (en) 1988-04-12 1990-12-04 Ricoh Company, Ltd. Thin film electroluminescence device
JP2653099B2 (ja) 1988-05-17 1997-09-10 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクスパネル,投写型表示装置及びビューファインダー
JPH0536475Y2 (de) 1988-05-25 1993-09-14
JP2742057B2 (ja) 1988-07-14 1998-04-22 シャープ株式会社 薄膜elパネル
JPH0714678Y2 (ja) 1988-08-12 1995-04-10 バンドー化学株式会社 高負荷伝動用平ベルト及び該ベルトを用いたベルト伝動機構
DE68920702T2 (de) 1988-11-10 1995-06-14 Toshiba Kawasaki Kk Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, Farbfilter hierfür und Verfahren zur Herstellung des Farbfilters.
US5189405A (en) 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
US5270267A (en) 1989-05-31 1993-12-14 Mitel Corporation Curing and passivation of spin on glasses by a plasma process wherein an external polarization field is applied to the substrate
JPH0329291A (ja) 1989-06-27 1991-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 有機分散型elランプ用捕水フィルム
US5059861A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5047687A (en) 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
US5073446A (en) 1990-07-26 1991-12-17 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing fused metal particle cathode
US5059862A (en) 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US5402254B1 (en) 1990-10-17 1998-09-22 Hitachi Ltd Liquid crystal display device with tfts in which pixel electrodes are formed in the same plane as the gate electrodes with anodized oxide films before the deposition of silicon
US5680185A (en) 1990-11-26 1997-10-21 Seiko Epson Corporation Polymer dispersed liquid crystal (PDLC) display apparatus
DE69128876T2 (de) * 1990-11-30 1998-08-06 Sharp Kk Dünnfilm-Halbleitervorrichtung
US5061617A (en) 1990-12-07 1991-10-29 Eastman Kodak Company Process for the preparation of high chloride tabular grain emulsions
US5206749A (en) 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
EP0491521B1 (de) 1990-12-15 1997-03-12 Fujitsu Limited Verfahren zur Herstellung eines Diamant-Überzuges
US5661371A (en) 1990-12-31 1997-08-26 Kopin Corporation Color filter system for light emitting display panels
JP2873632B2 (ja) 1991-03-15 1999-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US5151632A (en) 1991-03-22 1992-09-29 General Motors Corporation Flat panel emissive display with redundant circuit
JP2782020B2 (ja) 1991-05-28 1998-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶電気光学装置およびその作製方法
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
JPH0595115A (ja) 1991-10-01 1993-04-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Mosトランジスタの製造方法
JPH05116297A (ja) 1991-10-25 1993-05-14 Canon Inc 噴射記録方法
US5680165A (en) 1991-10-25 1997-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Jet recording method
JP2701629B2 (ja) 1991-11-01 1998-01-21 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP2650543B2 (ja) 1991-11-25 1997-09-03 カシオ計算機株式会社 マトリクス回路駆動装置
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5294869A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JP3191061B2 (ja) 1992-01-31 2001-07-23 キヤノン株式会社 半導体装置及び液晶表示装置
JPH0595115U (ja) 1992-05-18 1993-12-24 河村電器産業株式会社 分電盤のレール取り付け機構
JPH08501887A (ja) 1992-09-11 1996-02-27 コピン・コーポレーシヨン ディスプレイ・パネルのためのカラーフィルター・システム
JP3343160B2 (ja) 1992-09-25 2002-11-11 ソニー株式会社 液晶表示装置
EP0589478B1 (de) 1992-09-25 1999-11-17 Sony Corporation Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
US5859627A (en) 1992-10-19 1999-01-12 Fujitsu Limited Driving circuit for liquid-crystal display device
JP3253383B2 (ja) 1992-12-17 2002-02-04 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
DE4322211A1 (de) 1993-07-03 1995-01-12 Basf Ag Wäßrige, mehrphasige, stabile Fertigformulierung für Pflanzenschutz-Wirkstoffe und Verfahren zu ihrer Herstellung
FI92897C (fi) 1993-07-20 1995-01-10 Planar International Oy Ltd Menetelmä kerrosrakenteen valmistamiseksi elektroluminenssikomponentteja varten
US6777763B1 (en) 1993-10-01 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
JP2821347B2 (ja) 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
JPH07109573A (ja) 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd ガラス基板および加熱処理方法
US5552668A (en) 1993-10-15 1996-09-03 Seiko Precision Inc. Self-waterproofing electroluminescent device
TW264575B (de) 1993-10-29 1995-12-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3431033B2 (ja) 1993-10-29 2003-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体作製方法
US5923962A (en) 1993-10-29 1999-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US5482896A (en) 1993-11-18 1996-01-09 Eastman Kodak Company Light emitting device comprising an organic LED array on an ultra thin substrate and process for forming same
JPH07169567A (ja) 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
TW277129B (de) 1993-12-24 1996-06-01 Sharp Kk
JP3153065B2 (ja) 1993-12-27 2001-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路の電極の作製方法
US5798746A (en) 1993-12-27 1998-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US5441468A (en) * 1994-03-04 1995-08-15 Quinton Instrument Company Resiliently mounted treadmill deck
JPH07249766A (ja) 1994-03-10 1995-09-26 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH07263705A (ja) * 1994-03-24 1995-10-13 Sony Corp 薄膜トランジスタ
US5445059A (en) * 1994-03-30 1995-08-29 Dyno Nobel Inc. Method for forming paper-wrapped emulsion explosive cartridges
JP3192546B2 (ja) 1994-04-15 2001-07-30 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3402400B2 (ja) 1994-04-22 2003-05-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路の作製方法
JP2701738B2 (ja) 1994-05-17 1998-01-21 日本電気株式会社 有機薄膜el素子
JP3312083B2 (ja) 1994-06-13 2002-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
BR9508477A (pt) 1994-08-03 1997-10-28 Int Food Processing Inc Processo para a produção de açúcar refinado
JP2639355B2 (ja) 1994-09-01 1997-08-13 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3187254B2 (ja) 1994-09-08 2001-07-11 シャープ株式会社 画像表示装置
JPH0875908A (ja) 1994-09-08 1996-03-22 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光学的2次元画像伝送装置
EP0781075B1 (de) 1994-09-08 2001-12-05 Idemitsu Kosan Company Limited Verfahren zur abdichtung eines organischen elektrolumineszenten elements und organisches elektrolumineszentes element
JP3254335B2 (ja) 1994-09-08 2002-02-04 出光興産株式会社 有機el素子の封止方法および有機el素子
JP3097945B2 (ja) 1994-10-03 2000-10-10 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
JP3471928B2 (ja) 1994-10-07 2003-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置の駆動方法
JP3240858B2 (ja) 1994-10-19 2001-12-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
JP3062406B2 (ja) 1994-10-26 2000-07-10 沖電気工業株式会社 直流型気体放電パネルのメモリ駆動方法
JPH08122821A (ja) 1994-10-28 1996-05-17 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
KR960019779A (ko) * 1994-11-30 1996-06-17 엄길용 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
DE69535970D1 (de) 1994-12-14 2009-08-06 Eastman Kodak Co Elektrolumineszente Vorrichtung mit einer organischen elektrolumineszenten Schicht
US5703382A (en) 1995-11-20 1997-12-30 Xerox Corporation Array having multiple channel structures with continuously doped interchannel regions
JP3698749B2 (ja) 1995-01-11 2005-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶セルの作製方法およびその作製装置、液晶セルの生産システム
JP3545078B2 (ja) 1995-02-03 2004-07-21 三洋電機株式会社 コードレス電話装置
DE69623443T2 (de) 1995-02-06 2003-01-23 Idemitsu Kosan Co Vielfarbige lichtemissionsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
JP3778964B2 (ja) 1995-02-15 2006-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置
TW345654B (en) 1995-02-15 1998-11-21 Handotai Energy Kenkyusho Kk Active matrix display device
US6011607A (en) 1995-02-15 2000-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Active matrix display with sealing material
JP3630489B2 (ja) 1995-02-16 2005-03-16 株式会社東芝 液晶表示装置
US6853083B1 (en) 1995-03-24 2005-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transfer, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
US5640067A (en) 1995-03-24 1997-06-17 Tdk Corporation Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
JP3539821B2 (ja) 1995-03-27 2004-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100265179B1 (ko) 1995-03-27 2000-09-15 야마자끼 순페이 반도체장치와 그의 제작방법
TW307015B (de) 1995-03-28 1997-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd
JPH08290647A (ja) 1995-04-20 1996-11-05 Seiko Epson Corp カラーインクジェット記録方法
US5771562A (en) 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
US5959598A (en) 1995-07-20 1999-09-28 The Regents Of The University Of Colorado Pixel buffer circuits for implementing improved methods of displaying grey-scale or color images
JPH0945930A (ja) 1995-07-28 1997-02-14 Sony Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP3184771B2 (ja) * 1995-09-14 2001-07-09 キヤノン株式会社 アクティブマトリックス液晶表示装置
US5688551A (en) 1995-11-13 1997-11-18 Eastman Kodak Company Method of forming an organic electroluminescent display panel
TWI228625B (en) 1995-11-17 2005-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
JPH09148066A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Pioneer Electron Corp 有機el素子
US5811177A (en) 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
JPH09162415A (ja) 1995-12-09 1997-06-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
TW309633B (de) 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3188167B2 (ja) 1995-12-15 2001-07-16 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ
US6195142B1 (en) 1995-12-28 2001-02-27 Matsushita Electrical Industrial Company, Ltd. Organic electroluminescence element, its manufacturing method, and display device using organic electroluminescence element
JPH1041067A (ja) * 1996-07-24 1998-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子
JPH10125463A (ja) 1995-12-28 1998-05-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子、液晶照明装置、表示デバイス装置、および、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
US5985740A (en) 1996-01-19 1999-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device including reduction of a catalyst
JP3289125B2 (ja) 1996-03-15 2002-06-04 ソニーケミカル株式会社 光情報記録媒体
DE19712233C2 (de) 1996-03-26 2003-12-11 Lg Philips Lcd Co Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
KR970070651A (ko) * 1996-04-04 1997-11-07 김영귀 오토트랜스미션의 가속방지 장치 및 방법
CN2291695Y (zh) 1996-04-04 1998-09-16 张志林 长寿命有机薄膜电致发光屏
JP3593212B2 (ja) 1996-04-27 2004-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6037712A (en) 1996-06-10 2000-03-14 Tdk Corporation Organic electroluminescence display device and producing method thereof
JP3036436B2 (ja) 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法
US6288764B1 (en) * 1996-06-25 2001-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device or electronic device having liquid crystal display panel
WO1998000295A1 (de) 1996-06-28 1998-01-08 Pelikan Produktions Ag Antitrielbeschichtung für tintenstrahldruckköpfe
KR100392967B1 (ko) 1996-06-28 2003-07-31 세이코 엡슨 가부시키가이샤 트랜지스터, 액티브 매트릭스 기판, 표시 장치, 프로젝터및 전자 기기
US6027958A (en) 1996-07-11 2000-02-22 Kopin Corporation Transferred flexible integrated circuit
TW556263B (en) 1996-07-11 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US5824374A (en) 1996-07-22 1998-10-20 Optical Coating Laboratory, Inc. In-situ laser patterning of thin film layers during sequential depositing
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
EP1342769B1 (de) 1996-08-19 2010-01-27 TDK Corporation Organische elektrolumineszente Vorrichtung
JP2937129B2 (ja) * 1996-08-30 1999-08-23 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JPH1082994A (ja) 1996-09-09 1998-03-31 Casio Comput Co Ltd 表示装置およびその駆動方法
KR100476125B1 (ko) * 1996-09-26 2005-08-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시장치
JPH10104663A (ja) 1996-09-27 1998-04-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置およびその作製方法
JP4032443B2 (ja) 1996-10-09 2008-01-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタ、回路、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置
JPH10144928A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JPH10154816A (ja) 1996-11-21 1998-06-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置の製造方法
JP3392672B2 (ja) 1996-11-29 2003-03-31 三洋電機株式会社 表示装置
KR100229678B1 (ko) 1996-12-06 1999-11-15 구자홍 박막트랜지스터 및 그의 제조방법
JPH10172762A (ja) 1996-12-11 1998-06-26 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置
JP3530362B2 (ja) 1996-12-19 2004-05-24 三洋電機株式会社 自発光型画像表示装置
JPH10189998A (ja) 1996-12-20 1998-07-21 Sony Corp 表示用薄膜半導体装置及びその製造方法
US5981306A (en) 1997-09-12 1999-11-09 The Trustees Of Princeton University Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices
KR100226548B1 (ko) 1996-12-24 1999-10-15 김영환 웨이퍼 습식 처리 장치
JP3463971B2 (ja) 1996-12-26 2003-11-05 出光興産株式会社 有機アクティブel発光装置
JPH10319872A (ja) 1997-01-17 1998-12-04 Xerox Corp アクティブマトリクス有機発光ダイオード表示装置
JP3353875B2 (ja) * 1997-01-20 2002-12-03 シャープ株式会社 Soi・mos電界効果トランジスタ
JPH10275682A (ja) 1997-02-03 1998-10-13 Nec Corp 有機el素子
KR100266532B1 (ko) 1997-02-03 2000-09-15 가네꼬 히사시 유기 el 소자
US6529178B1 (en) 1997-02-17 2003-03-04 Seiko Epson Corporation Current-driven emissive display device, method for driving the same, and method for manufacturing the same
JP3288242B2 (ja) 1997-02-17 2002-06-04 ティーディーケイ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US6462722B1 (en) 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
KR100588271B1 (ko) 1997-02-17 2006-06-12 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 el 장치
US6049167A (en) 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
TW379360B (en) 1997-03-03 2000-01-11 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
JP3641342B2 (ja) 1997-03-07 2005-04-20 Tdk株式会社 半導体装置及び有機elディスプレイ装置
US5952778A (en) 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
JPH10268360A (ja) 1997-03-26 1998-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3544280B2 (ja) 1997-03-27 2004-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3274081B2 (ja) 1997-04-08 2002-04-15 松下電器産業株式会社 薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置の製造方法
JP3290375B2 (ja) 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JP3566028B2 (ja) 1997-05-15 2004-09-15 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP3269787B2 (ja) 1997-05-27 2002-04-02 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3304287B2 (ja) 1997-06-30 2002-07-22 出光興産株式会社 有機el多色発光表示装置
JP3541625B2 (ja) 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
US6337492B1 (en) 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
US6198220B1 (en) 1997-07-11 2001-03-06 Emagin Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
CA2295676A1 (en) 1997-07-11 1999-01-21 Fed Corporation Sealing structure for organic light emitting devices
JPH1145999A (ja) * 1997-07-24 1999-02-16 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法ならびに画像表示装置
JPH1154268A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
JP3580092B2 (ja) 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP3830238B2 (ja) * 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
US6268071B1 (en) 1997-08-29 2001-07-31 Tdk Corporation Organic electroluminescent device
GB9718516D0 (en) 1997-09-01 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Methods of Increasing the Efficiency of Organic Electroluminescent Devices
US5853905A (en) 1997-09-08 1998-12-29 Motorola, Inc. Efficient single layer electroluminescent device
JPH1197705A (ja) 1997-09-23 1999-04-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体集積回路
US6013930A (en) 1997-09-24 2000-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having laminated source and drain regions and method for producing the same
JP4397439B2 (ja) 1997-09-30 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US6218219B1 (en) 1997-09-29 2001-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP4397438B2 (ja) 1997-09-29 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JPH11112002A (ja) * 1997-10-07 1999-04-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR100249784B1 (ko) 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
GB9724682D0 (en) 1997-11-21 1998-01-21 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent device
JP2845239B1 (ja) * 1997-12-17 1999-01-13 日本電気株式会社 有機薄膜elデバイスおよびその製造方法
JP3543170B2 (ja) 1998-02-24 2004-07-14 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
JPH11251059A (ja) 1998-02-27 1999-09-17 Sanyo Electric Co Ltd カラー表示装置
JPH11272235A (ja) 1998-03-26 1999-10-08 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動回路
US6268842B1 (en) 1998-04-13 2001-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor circuit and semiconductor display device using the same
US6111270A (en) * 1998-04-27 2000-08-29 Motorola, Inc. Light-emitting apparatus and method of fabrication
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US6165543A (en) 1998-06-17 2000-12-26 Nec Corporation Method of making organic EL device and organic EL transfer base plate
US6146225A (en) 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
KR100509875B1 (ko) 1998-08-04 2005-08-25 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치 및 전자기기
JP2000077191A (ja) 1998-08-31 2000-03-14 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US7126161B2 (en) 1998-10-13 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having El layer and sealing material
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2000148046A (ja) 1998-11-06 2000-05-26 Harness Syst Tech Res Ltd 表示装置
US6617644B1 (en) 1998-11-09 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW439387B (en) 1998-12-01 2001-06-07 Sanyo Electric Co Display device
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
EP1016894A3 (de) 1998-12-28 2001-03-28 Kyocera Corporation Flüssigkristallanzeige
JP2000223279A (ja) 1999-01-29 2000-08-11 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000231346A (ja) 1999-02-09 2000-08-22 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
US6674136B1 (en) 1999-03-04 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having driver circuit and pixel section provided over same substrate
US6531713B1 (en) 1999-03-19 2003-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and manufacturing method thereof
JP4578609B2 (ja) 1999-03-19 2010-11-10 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置
JP2000276078A (ja) 1999-03-23 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000305483A (ja) 1999-04-20 2000-11-02 Toshiba Corp アクティブマトリクス基板の製造方法
US6512504B1 (en) 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP4298131B2 (ja) 1999-05-14 2009-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4408118B2 (ja) 1999-06-04 2010-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
TWI232595B (en) 1999-06-04 2005-05-11 Semiconductor Energy Lab Electroluminescence display device and electronic device
US6198225B1 (en) 1999-06-07 2001-03-06 Symetrix Corporation Ferroelectric flat panel displays
TW483287B (en) * 1999-06-21 2002-04-11 Semiconductor Energy Lab EL display device, driving method thereof, and electronic equipment provided with the EL display device
JP2001035659A (ja) 1999-07-15 2001-02-09 Nec Corp 有機エレクトロルミネセント素子およびその製造方法
JP3942770B2 (ja) 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置及び電子装置
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
TW525122B (en) 1999-11-29 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
JP4831862B2 (ja) 1999-11-30 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 電子装置
TW587239B (en) 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
US7768210B2 (en) 1999-12-22 2010-08-03 General Electric Company Hybrid electroluminescent devices
US6307322B1 (en) 1999-12-28 2001-10-23 Sarnoff Corporation Thin-film transistor circuitry with reduced sensitivity to variance in transistor threshold voltage
US6882102B2 (en) 2000-02-29 2005-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US6492026B1 (en) 2000-04-20 2002-12-10 Battelle Memorial Institute Smoothing and barrier layers on high Tg substrates
US20020060321A1 (en) 2000-07-14 2002-05-23 Kazlas Peter T. Minimally- patterned, thin-film semiconductor devices for display applications
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP2002108250A (ja) 2000-09-29 2002-04-10 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法
TW558743B (en) 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
US6770502B2 (en) 2002-04-04 2004-08-03 Eastman Kodak Company Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures
JP5116297B2 (ja) 2006-12-08 2013-01-09 株式会社オーディオテクニカ 振動板組立の製造方法、エレクトレットコンデンサマイクロホンユニットおよびエレクトレットコンデンサマイクロホン

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