DE69627241T2 - Plasmabearbeitungsgerät - Google Patents
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Description
- Gebiet der Erfindung
- sDie vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Plasma-Bearbeitungsgerät und insbesondere auf ein Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät zum Ätzen von Halbleiterwafern oder zur Ausbildung von Dünnschichten auf den Wafern.
- Allgemeiner Stand der Technik
- Bei der Herstellung von hochintegrierten Halbleiterbauelementen werden vielfach Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgeräte eingesetzt. In einem solchen Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät werden Reaktionsgase und Mikrowellen in eine Vakuumkammer eingeführt, um eine Gasentladung zu erzeugen, so dass in der Kammer ein Plasma entsteht. Das Plasma wird auf ein Trägermaterial oder Substrat aufgebracht, um dessen Oberfläche zu ätzen oder Dünnschichten darauf zu bilden. Insbesondere für das Trockenätzverfahren und das Einbettungsverfahren sind Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgeräte mit einer unabhängigen Regelung der Erzeugung des Plasmas und der Beschleunigung der Ionen im Plasma wichtig geworden und ausführlich untersucht worden.
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1 zeigt eine Querschnittsansicht eines Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgeräts, das in der japanischen Offenlegungsschrift Kokai Heisei6-104098 1 bezeichnet das Bezugszeichen „11" ein Reaktionsgefäß aus Metall wie z. B. rostfreiem Stahl, Aluminium oder dergleichen. Das Reaktionsgefäß11 hat eine Umfangswand in doppelwandiger Ausführung, die einen Kühlkanal12 bildet. In dem Kühlkanal12 zirkuliert ein Kühlmittel von einem Kühlmitteleinlass12a zu einem Kühlmittelauslass12b . In dem Reaktionsgefäß11 befindet sich eine Reaktionskammer13 . Das Reaktionsgefäß11 ist an der Oberseite mit einem Mikrowellen-Einführfenster14 dicht verschlossen, das aus einem dielektrischen Werkstoff wie z. B. Quarzglas, Pyrex-Glas, Aluminiumoxid usw. besteht, der wärmebeständig ist und niedrige dielektrische Verluste aufweist. Zum Erwärmen des Inneren der Reaktionskammer13 ist um das Reaktionsgefäß11 herum ein elektrisches Heizelement vorgesehen, das in1 nicht gezeigt ist. Durch Erwärmen mit dem elektrischen Heizelement und Kühlen mit dem im Kühlkanal12 zirkulierenden Kühlmittel wird die Temperatur im Inneren der Reaktionskammer13 präzise geregelt. - Das Mikrowellen-Einführfenster
14 ist an der Unterseite mit einer leitenden Platte31 aus Metall versehen, die als geerdete Elektrode fungiert. Die leitende Platte31 weist eine Vielzahl von Mikrowellen-Übertragungsöffnungen32 auf, die senkrecht zur Laufrichtung der Mikrowellen angeordnet sind. Die leitende Platte31 ist über das Reaktionsgefäß11 ge erdet (33 ). Die leitende Platte31 kann in der Mitte zwischen dem Mikrowellen-Einführfenster14 und einem Objekthalter15a angeordnet werden, wobei die leitende Platte31 über das Reaktionsgefäß11 geerdet ist (33 ); diese Anordnung ist hier nicht gezeigt. - In der Reaktionskammer
13 wird der Objekthalter15a mit einem zu bearbeitenden Gegenstand30 auf einem Tisch15 platziert, der mit einem Antrieb (nicht gezeigt) nach oben und unten verfahren werden kann. Der Objekthalter15a ist an eine Hochfrequenz-Energieversorgung18 angeschlossen, um auf der Oberfläche des Gegenstands30 eine Vorspannung zu erzeugen. Der Objekthalter15a ist mit einem Spannmechanismus (nicht gezeigt) versehen, beispielsweise einem elektrostatischen Spannfutter, um den Gegenstand30 sicher zu fixieren. Zusätzlich ist der Objekthalter15a mit einer Kühlvorrichtung (nicht gezeigt) versehen, in der Kühlmittel zur Kühlung des Gegenstands30 zirkuliert. An der Unterseite des Reaktionsgefäßes11 ist ein Gasauslass16 vorgesehen, der an eine Absaugvorrichtung (nicht gezeigt) angeschlossen ist. An der Seitenwand des Reaktionsgefäßes11 befindet sich ein Gaseinlass17 zur Einführung eines bestimmten Reaktionsgases in die Reaktionskammer13 . - Über dem Reaktionsgefäß
11 ist eine dielektrische Leitung21 , bestehend aus einer Metallplatte21a aus Aluminium oder dergleichen und einer dielektrischen Schicht21c , vorgesehen. Das Ende der dielektrischen Leitung21 ist mit einer reflektierenden Platte21b aus Metall dicht verschlossen. Die dielektrische Schicht21c ist an der Unterseite der Metallplatte21a aufgebracht und besteht aus Fluorkunststoff, Polyethylen, Polystyrol oder dergleichen mit niedrigen dielektrischen Verlusten. Die dielektrische Leitung21 ist über einen Wellenleiter22 mit einem Mikrowellenoszillator23 verbunden, so dass die von dem Mikrowellenoszillator23 erzeugten Mikrowellen durch den Wellenleiter22 in die dielektrische Leitung21 wandern. - Bei dem vorstehend beschriebenen Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät zum Ätzen der Oberfläche des mit dem Objekthalter
15a fixierten Gegenstands30 wird die Position des Tischs15 in der Höhe verstellt, so dass der Gegenstand30 in die richtige Position gebracht werden kann. Als nächstes werden die nicht benötigten Gase über den Gasauslass16 aus der Reaktionskammer13 abgesaugt, ehe das Reaktionsgas über den Gaseinlass17 in die Reaktionskammer13 eingeführt wird, bis der Druck einen bestimmten Wert erreicht. Gleichzeitig wird das Kühlmittel am Kühlmitteleinlass12a in den Kühlkanal12 eingeführt und am Kühlmittelauslass12b wieder abgelassen. Danach wandern die von dem Mikrowellenoszillator23 erzeugten Mikrowellen durch den Wellenleiter22 zu der dielektrischen Leitung21 . Wenn die Mikrowellen in die dielektrische Leitung21 eingeführt werden, entsteht unter der dielektrischen Leitung21 ein elektromagnetisches Feld, und die Mikrowellen gelangen durch die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen32 in die Reaktionskammer13 . Als Reaktion auf die Mikrowellen wird in der Reaktionskammer13 ein Plasma erzeugt. Da nach wird, wenn die Hochfrequenzspannung von der Hochfrequenz-Energieversorgung18 an den Objekthalter15a angelegt wird, eine Vorspannung auf der Oberfläche des Gegenstands30 erzeugt. Wenn die Vorspannung stabil ist, werden Ionen im Plasma in senkrechter Richtung zur Oberfläche des zu ätzenden Gegenstands30 abgestrahlt, wobei die Energie der Ionen geregelt wird. - In dem Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät ist das Erdpotenzial im Verhältnis zum Plasma stabil, weil die leitende Platte
31 mit den Mikrowellen-Übertragungsöffnungen32 am Mikrowellen-Einführfenster14 in Kontakt steht. Folglich wird das Plasmapotenzial in der Reaktionskammer13 stabil, und daher kann die stabile Vorspannung gleichmäßig an die Oberfläche des Gegenstands30 angelegt werden. Auf diese Weise lässt sich die Innenenergie im Plasma gut regeln, und die Ionen können senkrecht zur Oberfläche des Gegenstands abgestrahlt werden. - Bei dem herkömmlichen Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät vergrößert sich jedoch das Mikrowellen-Einführfenster
14 im Laufe der Zeit, wenn das Gerät über eine längere Zeit in Betrieb bleibt, so dass zwischen der leitenden Platte31 und dem Mikrowellen-Einführfenster14 aufgrund eines Unterschieds des thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen beiden Elementen ein nicht erwünschter Spalt entsteht. Folglich kann es in dem Spalt zu einer unerwünschten elektrischen Entladung kommen, und die Erzeugung einer stabilen Vorspannung auf dem Gegenstand30 wird erschwert. - Ein weiterer Nachteil besteht darin, dass das Mikrowellen-Einführfenster
14 durch das Plasma erodiert wird, denn das Mikrowellen-Einführfenster14 ist der Einwirkung des Plasmas direkt ausgesetzt. Insbesondere Mikrowellen-Einführfenster14 aus Quarzglas oder dergleichen werden leicht durch die Halogenreihe des gasförmigen Plasmas wie z. B. Chlor, Fluor und Brom erodiert. Folglich verändert sich im Laufe der Zeit die Breite des Mikrowellen-Einführfensters14 . Dadurch bedingt verändern sich auch die Dichte und die Verteilung des Plasma, und es wird schwierig, die Plasmabearbeitung unter gleichmäßigen und stabilen Bedingungen durchzuführen. - Die europäische Patentanmeldung
EP 0591975 beschreibt ein Plasma-Bearbeitungsgerät mit einer Bearbeitungskammer, in der ein zu bearbeitender Gegenstand angeordnet wird, wobei eine Einrichtung zum Zuführen von Bearbeitungsgas in die Bearbeitungskammer und eine Einrichtung zum Einführen von Mikrowellen in die Bearbeitungskammer mittels eines Mikrowellen-Einführelements vorgesehen sind. Auf dem Mikrowellen-Einführelement ist eine Elektrode mit einer Vielzahl von Schlitzen zur Einführung von Mikrowellen in die Bearbeitungskammer vorgesehen, wobei die Elektrode außerdem mit einer dünnen Aluminiumschicht versehen ist, um ein Verschmutzen der Elektrode zu verhindern. Sowohl die Elektrode als auch die Aluminiumschicht sind leitend. - Die europäische Patentanmeldung
EP 0688038 beschreibt ein Plasma-Bearbeitungsgerät mit einer Bearbeitungskammer, in der ein zu bearbeitender Gegenstand angeordnet werden kann, einer Einrichtung zum Zuführen von Bearbeitungsgas in die Bearbeitungskammer sowie einer Einrichtung zum Einführen von Mikrowellen in die Bearbeitungskammer mittels eines Mikrowellen-Einführelements. Auf das Mikrowellen-Einführelement ist eine leitende Schicht mit einer Reihe von durchgängigen Löchern oder Schlitzen aufgebracht, um den Durchtritt der Mikrowellen in die Bearbeitungskammer zu ermöglichen. - In der europäischen Patentanmeldung
EP 0688037 ist eine sehr ähnliche Anordnung beschrieben, die ebenfalls eine leitende Dünnschicht mit Löchern auf dem Mikrowellen-Eiführelement aufweist. - Die europäische Patentanmeldung
EP 0502269 beschreibt ein dielektrisches Fenster zum Einführen von Mikrowellen. - Zweck der Erfindung
- Daher besteht ein Zweck der vorliegenden Erfindung darin, ein Plasma-Bearbeitungsgerät zu beschreiben, bei dem die Entstehung einer unerwünschten elektrischen Entladung vermieden werden kann, so dass die Oberfläche eines zu bearbeitenden Gegenstands gleichmäßig mit einer stabilen Vorspannung beaufschlagt werden kann.
- Ein weiterer Zweck der Erfindung besteht darin, ein Plasma-Bearbeitungsgerät zu beschreiben, bei dem ein Mikrowellen-Einführfenster gegen Erosion geschützt ist.
- Weitere Zwecke, Vorteile und neuartige Merkmale der Erfindung werden zum Teil in der folgenden Beschreibung dargelegt, erschließen sich dem Fachmann zum Teil aber auch bei Prüfung der folgenden Ausführungen oder durch praktische Anwendung der Erfindung. Die erfindungsgemäßen Zwecke und Vorteile können mit Hilfe der in den Patentansprüchen besonders erwähnten Ausführungen und Kombinationen realisiert und erzielt werden.
- Zusammenfassung der Erfindung
- Nach der vorliegenden Erfindung weist ein Plasma-Bearbeitungsgerät eine leitende Dünnschicht auf einer Oberfläche eines Mikrowellen-Einführelements auf, das einer Bearbeitungskammer ausgesetzt ist, in der ein zu bearbeitender Gegenstand angeordnet ist. Die leitende Dünnschicht ist auf dem gesamten Abschnitt mit Ausnahme eines Übertragungsabschnitts aufgebracht, durch den Mikrowellen in die Bearbeitungskammer gelangen können. Die leitende Dünnschicht ist geerdet, um als eine Elektrode zu fungieren. Bei dem Gerät wird die leitende Dünnschicht auf dem Mikrowellen-Einführelement vorzugsweise durch Plasmasputtern hergestellt. Die leitende Dünnschicht kann vorzugsweise aus einem Werkstoff wie SiC, Si, C und Al hergestellt werden und eine Dicke zwischen 10 μm und 100 μm aufweisen. Das Plasma-Bearbeitungsgerät weist darüber hinaus eine isolierende Dünnschicht auf einer Oberfläche des Mikrowellen-Einfuhrelements auf. Bei dem Gerät wird die isolierende Dünnschicht vorzugsweise durch Plasmasputtern aus einem anorganischen Oxidwerkstoff oder einem anorganischen Nitridwerkstoff mit einer Dicke von 10 μm bis 100 μm hergestellt. Die leitende Dünnschicht kann auf der isolierenden Dünnschicht vorgesehen sein. Die isolierende Dünnschicht kann nur auf dem Übertragungsabschnitt vorgesehen sein. Außerdem kann die isolierende Dünnschicht sowohl auf dem Übertragungsabschnitt als auch über die gesamte leitende Dünnschicht aufgebracht sein.
- Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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1 zeigt eine Querschnittsansicht eines herkömmlichen Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgeräts. -
2 zeigt eine Querschnittsansicht eines Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgeräts nach einem Vergleichsbeispiel der Erfindung. -
3 zeigt eine Draufsicht einer leitenden Dünnschicht, wie sie bei dem in2 gezeigten Vergleichsbeispiel verwendet wird. -
4A und4B zeigen Querschnittsansichten der Herstellungsschritte für ein Mikrowellen-Einführfenster mit einer isolierenden Dünnschicht und einer leitenden Dünnschicht nach einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung. -
5A und5B zeigen Querschnittsansichten der Herstellungsschritte für ein Mikrowellen-Einführfenster mit einer isolierenden Dünnschicht und einer leitenden Dünnschicht nach einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung. -
6A und6B zeigen Querschnittsansichten der Herstellungsschritte für ein Mikrowellen-Einführfenster mit einer isolierenden Dünnschicht und einer leitenden Dünnschicht nach einer dritten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung. -
7A und7B zeigen Querschnittsansichten der Herstellungsschritte für ein Mikrowellen-Einführfenster mit einer isolierenden Dünnschicht und einer leitenden Dünnschicht nach einer vierten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung. - Ausführliche Beschreibung der Erfindung
- VERGLEICHSBEISPIEL
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2 zeigt eine Querschnittsansicht eines Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgeräts nach einem Vergleichsbeispiel der Erfindung. In2 bezeichnet das Bezugszeichen „111" ein Reaktionsgefäß aus Metall wie z. B. rostfreiem Stahl, Aluminium oder dergleichen. Das Reaktionsgefäß111 hat eine Umfangswand in doppelwandiger Ausführung, die einen Kühlkanal112 bildet. In dem Kühlkanal112 zirkuliert ein Kühlmittel von einem Kühlmitteleinlass112a zu einem Kühlmittelauslass112b . In dem Reaktionsgefäß111 befindet sich eine Reaktionskammer113 . Das Reaktionsgefäß111 ist an der Oberseite mit einem Mikrowellen-Einführfenster114 dicht verschlossen, das aus einem dielektrischen Werkstoff wie z. B. - Quarzglas, Pyrex-Glas, Aluminiumoxid usw. besteht, der wärmebeständig ist und niedrige dielektrische Verluste aufweist. Zum Erwärmen des Inneren der Reaktionskammer
113 ist um das Reaktionsgefäß111 herum ein elektrisches Heizelement vorgesehen, das in2 nicht gezeigt ist. Durch Erwärmen mit dem elektrischen Heizelement und Kühlen mit dem im Kühlkanal112 zirkulierenden Kühlmittel wird die Temperatur im Inneren der Reaktionskammer113 präzise geregelt. - Das Mikrowellen-Einführfenster
114 ist an der Unterseite in bestimmten Abschnitten selektiv mit einer leitenden Dünnschicht124 versehen, die als geerdete Elektrode fungiert. Die leitende Dünnschicht124 weist eine Vielzahl von Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c auf, die senkrecht zur Laufrichtung der Mikrowellen angeordnet sind. Die leitende Dünnschicht124 ist über das Reaktionsgefäß111 geerdet (133). - In der Reaktionskammer
113 wird der Objekthalter115a mit einem zu bearbeitenden Gegenstand130 auf einem Tisch115 platziert. Der Tisch115 kann mit einem Antrieb (nicht gezeigt) nach oben und unten verfahren werden. Der Objekthalter115a ist an eine Hochfrequenz-Energieversorgung118 angeschlossen, um auf der Oberfläche des Gegenstands130 eine Vorspannung zu erzeugen. Der Objekthalter115a ist an der Oberseite mit einem Spannmechanismus (nicht gezeigt) versehen, beispielsweise einem elektrostatischen Spannfutter, um den Gegenstand130 sicher zu fixieren. Zusätzlich ist der Objekthalter115a mit einer Kühlvorrichtung (nicht gezeigt) versehen, in der Kühlmittel zur Kühlung des Gegenstands130 zirkuliert. An der Unterseite des Reaktionsgefäßes111 ist ein Gasauslass116 vorgesehen, der an eine Absaugvorrichtung (nicht gezeigt) angeschlossen ist. An der Seitenwand des Reaktionsgefäßes111 befindet sich ein Gaseinlass117 zur Einführung eines bestimmten Reaktionsgases in die Reaktionskammer113 . - Über dem Reaktionsgefäß
111 ist eine dielektrische Leitung121 , bestehend aus einer Metallplatte121a aus Aluminium oder dergleichen und einer dielektrischen Schicht121c , vorgesehen. Das Ende der dielektrischen Leitung121 ist mit einer reflektierenden Platte121b aus Metall dicht verschlossen. Die dielektrische Schicht121c an der Unterseite der Metallplatte121a besteht aus Fluorkunststoff, Polyethylen, Polystyrol oder dergleichen mit niedrigen dielektrischen Verlusten. Die dielektrische Leitung121 ist über einen Wellenleiter122 mit einem Mikrowellenoszillator123 verbunden, so dass die von dem Mikrowellenoszillator123 erzeugten Mikrowellen durch den Wellenleiter122 zu der dielektrischen Leitung121 wandern. - Bei dem vorstehend beschriebenen Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät zum Ätzen der Oberfläche des mit dem Objekthalter
115a fixierten Gegenstands130 wird die Position des Tischs115 in der Höhe verstellt, so dass der Gegenstand130 in die richtige Position gebracht wird. Als nächstes werden die nicht benötigten Gase über den Gasauslass116 aus der Reaktionskammer113 abgesaugt, ehe das Reaktionsgas über den Gaseinlass117 in die Reaktionskammer113 eingeführt wird, bis der Druck einen bestimmten Wert erreicht. Gleichzeitig wird das Kühlmittel am Kühlmitteleinlass112a in den Kühlkanal112 eingeführt und am Kühlmittelauslass112b wieder abgelassen. Danach wandern die von dem Mikrowellenoszillator123 erzeugten Mikrowellen durch den Wellenleiter122 zu der dielektrischen Leitung121 . Wenn die Mikrowellen in die dielektrische Leitung121 eingeführt werden, entsteht unter der dielektrischen Leitung121 ein elektromagnetisches Feld, und die Mikrowellen gelangen durch die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c in die Reaktionskammer113 . Als Reaktion auf die Mikrowellen wird in der Reaktionskammer113 ein Plasma erzeugt. Danach wird, wenn die Hochfrequenzspannung von der Hochfrequenz-Energieversorgung118 an den Objekthalter115a angelegt wird, eine Vorspannung auf der Oberfläche des Gegenstands130 erzeugt. Wenn die Vorspannung stabil ist, werden Ionen im Plasma in senkrechter Richtung zur Oberfläche des Gegenstands130 abgestrahlt, wobei die Energie der Ionen geregelt wird. Der Gegenstand130 wird mit dem Plasma in der Reaktionskammer113 geätzt. - Als nächstes werden unter Bezugnahme auf
3 die Einzelheiten des Mikrowellen-Einführfensters114 mit der leitenden Dünnschicht124 beschrieben. Die leitende Dünnschicht124 wird durch Plasmasputtern auf der gesamten Unterseite des Mikrowellen-Einführfensters114 mit Ausnahme der Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c aufgebracht. In3 bezeichnet ein Bezugszeichen „124a " einen Kontaktabschnitt, der mit dem Reaktionsgefäß111 in Kontakt steht, und ein Bezugszeichen „124b " einen Bereich, der der oberen Öffnung der Reaktionskammer113 entspricht. Die Mikrowellen gelangen durch die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c in die Reaktionskammer113 . Die leitende Dünnschicht124 steht in elektrischem Kontakt mit dem geerdeten Reaktionsgefäß111 , so dass die leitende Dünnschicht124 als geerdete Elektrode fungiert. Zur Ausbildung der leitenden Dünnschicht124 werden die Bereiche, die den Öffnungen124c entsprechen, mit Abdeckband abgedeckt. - Die leitende Dünnschicht
124 besteht vorzugsweise aus einem leitenden Werkstoff mit hoher Korrosionsbeständigkeit gegen die Halogenreihe des gasförmigen Plasmas, der keine Verunreinigungen erzeugt, z. B. SiC, Si, C, Al oder einem gleichwertigen Werkstoff mit einer dünnen Oxidbeschichtung wie z. B. Aluminium mit einer Alumitbeschichtung. Aus Gründen der Wärme- und Plasmabeständigkeit sowie wegen der Herstellungskosten wird die leitende Dünnschicht124 vorzugsweise in einer Dicke von 10 μm bis 100 μm aufgebracht. Beträgt die Dicke der Schicht124 weniger als 10 μm, weist die Dünnschicht124 eine schlechtere Wärme- und Plasmabeständigkeit auf. Hat die leitende Dünnschicht124 jedoch eine Dicke von mehr als 100 μm, so steigen die Kosten für ihre Herstellung, und die Dünnschicht124 weist eine geringe Dichte auf, wodurch es zur Rissbildung und Ablösung der Schicht kommen kann. - Obwohl die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen
124c in ihrer Form keiner Beschränkung unterliegen, sind sie vorzugsweise in Form von rechteckigen Schlitzen ausgebildet, wie in3 gezeigt. - Zur Herstellung der leitenden Dünnschicht
124 auf der Unterseite des Mikrowellen-Einführfensters114 sind neben dem oben beschriebenen Verfahren des Plasmasputterns auch das chemische Aufdampfen (CVD-Verfahren), andere Arten des Sputterverfahrens und das Tieftemperatur-Lichtbogenaufdampfen (LTAVD-Verfahren) geeignet. Die bevorzugte Methode unter diesen verschiedenen Verfahren ist das Sputtern, wobei alle Arten des Sputterns oder Zerstäubens geeignet sind. - Die so hergestellte leitende Dünnschicht
124 weist folgende Eigenschaften auf: geringer Verunreinigungsgrad im ppb-Bereich (parts per billion), hohe Korrosionsbeständigkeit, hohe Festigkeit, hohe Dichte, hohe Wärmebeständigkeit, hoher Grad der Haftung auf dem Mikrowellen-Einführfenster114 , gute Eignung zur Aufbringung auf Produkte mit komplexer, unregelmäßiger Formgebung, gute Eignung zur Änderung der Dicke, hohes Kristallrichtungsvermögen für kristalline Metalle usw. Daher ist die erfindungsgemäße leitende Dünnschicht124 zur Beschichtung des Mikrowellen-Einführfensters114 geeignet. - AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen beschrieben. Bei den bevorzugten Ausführungsformen ist ein Mikrowellen-Einführfenster
114 an der zum Objekthalter115a weisenden Unterseite mit einer leitenden Dünnschicht (134 ,144 ,154 ,164 ) und einer isolierenden Dünnschicht (125 ,135 ,155 ,165 ) versehen. Bei jeder der bevorzugten Ausführungsformen wird eine andere Kombination aus leitender Dünnschicht und isolierender Dünnschicht verwendet. - Zuerst wird ein Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät nach einer ersten bevorzugten Ausführungsform beschrieben.
4A und4B zeigen vergrößerte Querschnittsansichten zur Veranschaulichung der Herstellungsschritte für ein Mikrowellen-Einführfenster114 , das in einem Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät nach der ersten bevorzugten Ausführungsform eingesetzt wird. In4A und4B ist nur ein Ausschnitt des Mikrowellen-Einführfensters114 gezeigt, da die übrigen Teile des Geräts die gleichen wie in dem beschriebenen Vergleichsbeispiel sind. - Bei der Herstellung wird zunächst wie in
4A gezeigt eine isolierende Dünnschicht125 auf der gesamten zum Objekthalter115a weisenden Unterseite des Mikrowellen-Einführfensters114 aufgebracht. - Die isolierende Dünnschicht
125 besteht vorzugsweise aus einem Werkstoff mit hoher Korrosionsbeständigkeit, der nicht so leicht verschmutzt. So sind etwa anorganische Oxidwerkstoffe wie z. B. Aluminiumoxid (Al2O3) und Yttrium (Y2O5) und anorganische Nitridwerkstoffe wie z. B. Siliziumnitrid (SiN) und Bornitrid (BN) geeignet. Die isolierende Dünnschicht125 kann in der gleichen Weise wie die in2 und3 gezeigte letende Dünnschicht hergestellt werden. Die isolierende Dünnschicht125 wird vorzugsweise in einer Dicke von 10 μm bis 100 μm aufgebracht. Beträgt die Dicke der isolierenden Dünnschicht125 weniger als 10 μm, weist die Dünnschicht125 eine schlechtere Wärme- und Plasmabeständigkeit auf. Hat die isolierende Dünnschicht125 jedoch eine Dicke von mehr als 100 μm, so stegen die Kosten für die Herstellung der Dünnschicht125 , und die Schicht125 weist eine geringe Dichte auf, wodurch es zur Rissbildung und Ablösung der Schicht kommen kann. Die so hergestellte isolierende Dünnschicht125 weist die gleichen vorteilhaften Eigenschaften wie die oben genannte leitende Dünnschicht124 auf. - Als nächstes wird, wie in
4B gezeigt, in der gleichen Weise wie bei der ersten bevorzugten Ausführungsform eine leitende Dünnschicht134 auf der isolierenden Dünnschicht125 aufgebracht. Die leitende Dünnschicht134 hat die gleiche Dicke und Form wie die leitende Dünnschicht124 der ersten bevorzugten Ausführungsform. - Dementsprechend kann angenommen werden, dass die isolierende Dünnschicht
125 auf der gesamten Unterseite des Mikrowellen-Einführfensters114 aufgebracht ist, und dass die leitende Dünnschicht134 selektiv auf der isolierenden Dünnschicht125 in der gleichen Form wie die in3 gezeigte leitende Dünnschicht124 ausgebildet ist. Folglich gelangen die Mikrowellen durch den Abschnitt, auf dem nur die isolierende Dünnschicht125 ausgebildet ist, in die Reaktionskammer113 . - Als nächstes wird ein Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät nach einer zweiten bevorzugten Ausführungsform beschrieben.
5A und5B zeigen vergrößerte Querschnittsansichten zur Veranschaulichung der Herstellungsschritte für ein Mikrowellen-Einführfenster114 , das in einem Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät nach der zweiten bevorzugten Ausführungsform eingesetzt wird. In5A und5B ist nur ein Ausschnitt des Mikrowellen-Einführfensters114 gezeigt, da die übrigen Teile des Geräts die gleichen wie im Vergleichsbeispiel sind. - Wie in
5A gezeigt, wird auf der Unterseite des Mikrowellen-Einfuhrfensters114 selektiv eine isolierende Dünnschicht135 aufgebracht. Danach wird auf den restlichen Abschnitten des Mikrowellen-Einführfensters eine leitende Dünnschicht144 aufgebracht. Die Abschnitte, auf denen die isolierende Dünnschicht135 ausgebildet wird, werden die in3 gezeigten Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c . Bei der praktischen Herstellung wird die Unterseite des Mikrowellen-Einführfensters114 mit Ausnahme der Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c mit einem Abdeckband abgedeckt, ehe die isolierende Dünnschicht135 mit einem Sputterverfahren in den Abschnitten für die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c aufgebracht wird. Danach wird die isolierende Dünnschicht135 mit einem Abdeckband abgedeckt, ehe die leitende Dünnschicht144 auf den übrigen Abschnit ten aufgebracht wird. Die isolierende Dünnschicht135 und die leitende Dünnschicht144 werden vorzugsweise so ausgebildet, dass sie die gleiche Dicke haben. - Wie oben beschrieben, wird bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform die isolierende Dünnschicht
135 nur auf den Abschnitten für die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen 124c ausgebildet, während die leitende Dünnschicht144 auf den restlichen Abschnitten an der Unterseite des Mikrowellen-Einführfensters114 aufgebracht wird. Folglich gelangen die Mikrowellen durch die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c , auf denen die isolierende Dünnschicht135 ausgebildet ist, in die Reaktionskammer113 . - Als nächstes wird ein Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät nach einer dritten bevorzugten Ausführungsform beschrieben.
6A und6B zeigen vergrößerte Querschnittsansichten zur Veranschaulichung der Herstellungsschritte für ein Mikrowellen-Einführfenster114 , das in einem Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät nach der dritten bevorzugten Ausführungsform eingesetzt wird. In6A und6B ist nur ein Ausschnitt des Mikrowellen-Einführfensters114 gezeigt, da die übrigen Teile des Geräts die gleichen wie in dem beschriebenen Vergleichsbeispiel sind. - Wie in
6A gezeigt, wird auf der Unterseite des Mikrowellen-Einführfensters114 in der gleichen Weise wie bei dem Vergleichsbeispiel selektiv eine leitende Dünnschicht154 aufgebracht. Danach wird auf der gesamten Oberfläche, die der oberen Öffnung (124b in3 ) des Mikrowellen-Einführfensters114 entspricht, einschließlich der Abschnitte für die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c , eine isolierende Dünnschicht155 aufgebracht. Zur Herstellung der isolierenden Dünnschicht155 wird zuerst die leitende Dünnschicht154 mit einem Abdeckband abgedeckt, ehe die isolierende Dünnschicht155 in den Abschnitten für die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c in der gleichen Dicke wie die leitende Dünnschicht154 aufgebracht wird. Danach wird das Abdeckband von der Öffnung124b entfernt, und die isolierende Dünnschicht155 wird wieder auf der gesamten Oberfläche aufgebracht. In dem in3 gezeigten Kontaktabschnitt124a wird die isolierende Dünnschicht155 jedoch nicht ausgebildet, da der Abschnitt124a über das Reaktionsgefäß111 geerdet werden soll. - Wie oben beschrieben, wird an dem Kontaktabschnitt
124a auf der Unterseite des Mikrowellen-Einfuhrfensters114 nur die leitende Dünnschicht154 ausgebildet. Die isolierende Dünnschicht155 wird auf der leitenden Dünnschicht154 und auf den Abschnitten für die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c so ausgebildet, dass sie eine ebene Oberfläche aufweist. Die Dichte der isolierenden Dünnschicht155 beträgt vorzugsweise zwischen 20 μm und 200 μm. - Der Kontaktabschnitt
124a ist nur an der Oberseite mit der leitenden Dünnschicht154 versehen, so dass die leitende Dünnschicht154 über das Reaktionsgefäß111 geerdet ist. Andererseits sind die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c nur an der Innenseite mit der isolierenden Dünnschicht155 versehen, so dass die Mikrowellen durch sie hindurch in die Reaktionskammer113 gelangen. - Als nächstes wird ein Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät nach einer vierten bevorzugten Ausführungsform beschrieben.
7A und7B zeigen vergrößerte Querschnittsansichten zur Veranschaulichung der Herstellungsschritte für ein Mikrowellen-Einführfenster114 , das in einem Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät nach der vierten bevorzugten Ausführungsform eingesetzt wird. In7A und7B ist nur ein Ausschnitt des Mikrowellen-Einführfensters114 gezeigt, da die übrigen Teile des Geräts die gleichen wie in dem beschriebenen Vergleichsbeispiel sind. - Wie in
7A gezeigt, wird auf der Unterseite des Mikrowellen-Einführfensters114 in der gleichen Weise wie bei dem Vergleichsbeispiel selektiv eine leitende Dünnschicht164 aufgebracht. Danach wird auf der gesamten Oberfläche, die der oberen Öffnung des Mikrowellen-Einfuhrfensters114 entspricht (in3 als Abschnitt „124b " gezeigt), einschließlich der Abschnitte für die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c , eine isolierende Dünnschicht165 aufgebracht. Zur Herstellung der isolierenden Dünnschicht165 wird zuerst die leitende Dünnschicht164 mit einem Abdeckband abgedeckt, ehe die isolierende Dünnschicht165 in den Abschnitten für die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c in der gleichen Dicke wie die leitende Dünnschicht164 aufgebracht wird. Danach wird das Abdeckband von der Öffnung124b entfernt, und die Abschnitte für die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c werden mit einem Abdeckband abgedeckt, ehe die isolierende Dünn- schicht 165 wieder wie in7B gezeigt ausgebildet wird. - Zur Herstellung des Mikrowellen-Einführfensters
114 nach der vierten bevorzugten Ausführungsform wird ein anderes Verfahren angewandt. Nach diesem anderen Verfahren wird die leitende Dünnschicht164 in der gleichen Weise wie bei dem Vergleichsbeispiel hergestellt. Danach wird wie in7A gezeigt die isolierende Dünnschicht165 auf der oberen Öffnung124b des Mikrowellen-Einführfensters114 einschließlich der Abschnitte für die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c ausgebildet. Zur Herstellung der isolierenden Dünnschicht165 wird der Kontaktabschnitt124a mit einem Abdeckband abgedeckt, ehe die isolierende Dünnschicht165 an der oberen Öffnung124b und den Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c gleichzeitig ausgebildet wird. - Wie oben beschrieben, wird an dem Kontaktabschnitt
124a auf der Unterseite des Mikrowellen-Einführfensters114 nur die leitende Dünnschicht164 ausgebildet. Die isolierende Dünnschicht165 wird auf der leitenden Dünnschicht164 , die auf der oberen Öffnung124a außer auf den Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c aufgebracht ist, und auf den Abschnitten für die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c ausgebildet. Die Dicken der Dünnschichten sind unterschiedlich zwischen den Abschnitten, die nur die isolierende Dünnschicht165 aufweisen, und den Abschnitten, auf denen sowohl die leitende Dünnschicht164 als auch die isolierende Dünnschicht165 aufgebracht ist. Mit anderen Worten, die isolierende Dünnschicht165 an den Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c hat die gleiche Dicke wie die leitende Dünnschicht164 . Auf der leitenden Dünnschicht164 ist die zusätzliche isolierende Dünnschicht165 so ausgebildet, dass sie eine Dicke von 10 μm bis 100 μm aufweist. - Der Kontaktabschnitt
124a ist nur mit der leitenden Dünnschicht164 versehen, so dass die leitende Dünnschicht164 über das Reaktionsgefäß111 geerdet ist. Andererseits sind die Mikrowellen-Überragungsöffnungen 124c nur an der Innenseite mit der isolierenden Dünnschicht165 versehen, so dass die Mikrowellen durch sie hindurch in die Reaktionskammer113 gelangen. - Leistungstest
- Als nächstes werden experimentelle Daten für die vorliegende Erfindung beschrieben.
- TEST 1
- Die Prüfung 1 wurde für das Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät nach dem in
2 und3 gezeigten Vergleichsbeispiel durchgeführt. Für die Prüfung1 wird die leitende Dünnschicht124 durch Plasmasputtern mit Aluminium als Targetmaterial in einer Atmosphäre aus Ar-Gas mit einer Dicke von 50 μm hergestellt, wobei die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c eine rechteckige Form mit Abmessungen von 200 mm × 30 mm aufweisen. Der Mittelwert der Ätzgeschwindigkeit für eine SiO2-Schicht wird untersucht. Das Ätzen erfolgt unter den folgenden Bedingungen:
Gegenstand (130 ): Siliziumwafer, Durchmesser 20,32 cm (8''), mit einer 1 μm dicken SiO2-Schicht
Entladungsgasgemisch: 30 cm3 CF4
30 cm3 CHF3
100 cm3 Ar
Druck in der Reaktionskammer (113): 4 Pa (30 mTorr)
Mikrowellenfrequenz: 2,45 GHz
Leistung zur Plasmaerzeugung: 1 kW
Hochfrequenz (HF) zum Objekthalter115a , Frequenz: 400 kHz, Leistung: 600 W
Anzahl der untersuchten Wafer: 10
Zeit zum Ätzen: 1 Minute Laut der Prüfung 1 beträgt der Mittelwert der Ätzgeschwindigkeit für SiO2-Schichten 600 nm/Minute, und die Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit der untersuchten Siliziumwafer liegt bei ±5 %. - Nach dem Ätzen von 500 Siliziumwafern unter den gleichen Bedingungen werden die Ätzgeschwindigkeit und deren Gleichmäßigkeit für die letzten zehn Wafer untersucht. Als Ergebnis wurde ein Mittelwert der Ätzgeschwindigkeit von 590 nm/Minute bei einer Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit von ±5 % erhalten.
- TEST 2
- Die Prüfung 2 wurde für das Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät nach der in
6A und6B gezeigten dritten bevorzugten Ausführungsform durchgeführt. Für die Prüfung2 wird die leitende Dünnschicht154 aus Aluminium in der gleichen Weise wie für die Prüung 1 mit einer Dicke von 50 μm hergestellt. Die isolierende Dünnschicht155 wird durch Plasmasputtern mit Al2O3 als Targetmaterial in einer Atmosphäre von Ar-Gas mit einer Dicke von 50 μm hergestellt. Die Mikrowellen-Übertragungsöffnungen124c haben eine rechteckige Form mit Abmessungen von 200 mm × 30 mm. Der Mittelwert der Ätzgeschwindigkeit für eine SiO2-Schicht wird untersucht. Das Ätzen erfolgt unter den folgenden Bedingungen:
Gegenstand (130 ): Siliziumwafer, Durchmesser 20,32 cm (8''), mit einer 1 μm dicken SiO2-Schicht
Entladungsgasgemisch: 30 cm3 CF4
30 cm3 CHF3
100 cm3 Ar
Druck in der Reaktionskammer (113 ): 4 Pa (30 mTorr)
Mikrowellenfrequenz: 2,45 GHz
Leistung zur Plasmaerzeugung: 1 kW
Hochfrequenz (HF) zum Objekthalter115a , Frequenz: 400 kHz, Leistung: 600 W
Anzahl der untersuchten Wafer: 10
Zeit zum Ätzen: 1 Minute - Laut der Prüfung 2 beträgt der Mittelwert der Ätzgeschwindigkeit für SiO2-Schichten 680 nm/Minute, und die Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit der untersuchten Siliziumwafer liegt bei +5 %.
- Nach dem Ätzen von 500 Siliziumwafern unter den gleichen Bedingungen werden die Ätzgeschwindigkeit und deren Gleichmäßigkeit für die letzten zehn Wafer untersucht. Als Ergebnis wurde ein Mittelwert der Ätzgeschwindigkeit von 570 nm/Minute bei einer Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit von ±5 % erhalten.
- VERGLEICHSTEST
- Zu Vergleichszwecken wurde eine weitere Prüfung mit dem in
1 gezeigten herkömmlichen Plasma-Bearbeitungsgerät durchgeführt. Wie oben beschrieben, umfasst das herkömmliche Gerät die gleichen Teile wie das in2 gezeigte Gerät gemäß der vorlie genden Erfindung, wobei jedoch das Mikrowellen-Einführfenster14 mit einer leitenden Platte31 versehen ist. Die leitende Platte31 ist nicht an dem Mikrowellen-Einführfenster14 befestigt, sondern hat lediglich Kontakt mit diesem. Die Prüfung wird unter den gleichen Bedingungen wie bei Prüfung1 durchgeführt. Als Ergebnis der Prüfung werden ein Mittelwert der Ätzgeschwindigkeit für SiO2-Schichten von 600 nm/Minute und eine Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit der untersuchten Siliziumwafer von +5 % festgestellt. Werden jedoch weitere Wafer geätzt, entsteht zwischen der leitenden Platte31 und dem Mikrowellen-Einführfenster14 ein nicht erwünschter Spalt. Dadurch wird es schwierig, auf dem zu ätzenden Gegenstand30 (Siliziumwafer) eine stabile Vorspannung zu erzeugen. Nach dem Ätzen von 500 Siliziumwafern unter den gleichen Bedingungen wird ein Mittelwert der Ätzgeschwindigkeit von 550 nm/Minute und eine Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit von +12 % festgestellt. Dieses Ergebnis bedeutet, dass die Ätzgeschwindigkeit geringer ist und dass die Gleichmäßigkeit der Ätzgeschwindigkeit sich verschlechtert hat. - Wie vorstehend beschrieben, ist bei dem in Prüfung
1 untersuchten Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät das Mikrowellen-Einführfenster114 an der Unterseite mit der leitenden Dünnschicht124 versehen, so dass verhindert werden kann, dass zwischen dem Mikrowellen-Einführfenster114 und der leitenden Dünnschicht124 (Elektrode) ein Spalt entsteht, auch wenn das Gerät über längere Zeit in Betrieb ist. Darüber hinaus ist die leitende Dünnschicht124 geerdet, und der Objekthalter115a wird mit Hochfrequenzspannung beaufschlagt. Folglich kommt es in der Reaktionskammer113 nicht zu einer unerwünschten elektrischen Entladung, so dass an die Oberfläche des Gegenstands130 eine stabile Vorspannung angelegt werden kann. Dementsprechend können laut den Ergebnissen der Prüfungen die Gegenstände wie z. B. Siliziumwafer über längere Zeit gleichmäßig mit einer stabilen Geschwindigkeit geätzt werden. - Bei dem in Prüfung 2 untersuchten Mikrowellen-Plasma-Bearbeitungsgerät ist das Mikrowellen-Einfuhrfenster
114 in dem Öffnungsabschnitt (124b ) vollständig mit der isolierenden Dünnschicht155 versehen, einschließlich des Abschnitts, auf dem die leitende Dünnschicht154 ausgebildet ist. Darüber hinaus ist die leitende Dünnschicht154 geerdet, und der Objekthalter115a wird mit Hochfrequenzspannung beaufschlagt. Zusätzlich zu dem Vorteil der ersten bevorzugten Ausführungsform besteht ein weiterer Vorteil darin, dass das Mikrowellen-Einführfenster114 nicht durch das Plasma erodiert wird. Dies bedeutet, dass die Gegenstände wie z. B. Siliziumwafer über längere Zeit gleichmäßig mit einer stabilen Geschwindigkeit geätzt werden können. - Bezugszeichenliste
-
1 (Stand der Technik) -
-
23 Mikrowellenoszillator -
22 Wellenleiter -
21 Dielektrische Leitung -
31 Leitende Platte -
21a Metallplatte -
21c Dielektrische Schicht -
21b Reflektierende Platte -
14 Mikrowellen-Einführfenster -
12 Kühlkanal -
11 Reaktionsgefäß -
13 Reaktionskammer -
33 Erdung -
12b Kühlmittelauslass -
18 Hochfrequenz-Energieversorgung -
15 Tisch -
15a Objekthalter -
16 Gasauslass -
12a Kühlmitteleinlass -
17 Gaseinlass -
32 Mikrowellen-Übertragungsöffnung -
2 -
-
123 Mikrowellenoszillator -
122 Wellenleiter -
121 Dielektrische Leitung -
124 Leitende Dünnschicht -
121a Metallplatte -
121c Dielektrische Schicht -
121b Reflektierende Platte -
114 Mikrowellen-Einführfenster -
112 Kühlkanal -
111 Reaktionsgefäß -
113 Reaktionskammer -
133 Erdung -
112b Kühlmittelauslass -
118 Hochfrequenz-Energieversorgung -
115 Tisch -
115a Objekthalter -
116 Gasauslass -
112a Kühlmitteleinlass -
117 Gaseinlass -
124c Mikrowellen-Übertragungsöffnung -
3 - Mikrowellen
-
-
124 Leitende Dünnschicht -
124c Mikrowellen-Übertragungsöffnun -
4A -
-
114 Mikrowellen-Einführfenster -
125 Isolierende Dünnschich -
4B -
-
134 Leitende Dünnschicht -
134c Mikrowellen-Übertragungsöffnun -
5A -
-
135 (124c) Isolierende Dünnschich -
5B -
-
144 Leitende Dünnschicht -
6A -
-
114 Mikrowellen-Einführfenster -
154 Leitende Dünnschicht -
124c Mikrowellen-Übertragungsöffnung -
6B -
-
155 Isolierende Dünnschicht -
7A -
-
164 Leitende Dünnschicht -
7B -
-
165 Isolierende Dünnschicht
Claims (9)
- Plasma-Bearbeitungsgerät mit einer Bearbeitungskammer (
113 ) zur Aufnahme eines zu bearbeitenden Gegenstandes (130 ), einer Einrichtung zum Zuführen von Bearbeitungsgas in die Bearbeitungskammer (113 ), einer Einrichtung (123 ) zum Erzeugen von Mikrowellen für die Anregung von Plasma in der Bearbeitungskammer (113 ), einem Mikrowellen-Einführelement (114 ) mit einem Übertragungsabschnitt (24c ), durch den die Mikrowellen in die Bearbeitungskammer (113 ) gelangen, und einer Hochfrequenz-Energieversorgung (118 ), die den Gegenstand (130 ) mit Hochfrequenzspannung beaufschlagt, so dass das Plasma in der Bearbeitungskammer (113 ) mit den über das Mikrowellen-Einführelement (114 ) eingebrachten Mikrowellen erzeugt wird, wobei das Mikrowellen-Einführelement (114 ) an einer zur Bearbeitungskammer (113 ) freiliegenden Fläche mit Ausnahme des gesamten Übertragungsabschnitts (24c ) mit einer leitenden Dünnschicht (134 ,144 ,154 ,164 ) versehen ist, die aufgrund ihrer Erdung als Elektrode wirkt dadurch gekennzeichnet, dass das Mikrowellen-Einfuhrelement (114 ) an der zur Bearbeitungskammer (113 ) freiliegenden Fläche ferner mit einer isolierenden Dünnschicht (125 ,135 ,155 ,165 ) versehen ist. - Plasma-Bearbeitungsgerät nach Anspruch 1, wobei die leitende Dünnschicht (
124 ) durch Plasmasputtern hergestellt ist. - Plasma-Bearbeitungsgerät nach Anspruch 1 oder 2, wobei die leitende Dünnschicht (
124 ) eine Dicke von 10 bis 100 μm hat. - Plasma-Bearbeitungsgerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die isolierende Dünnschicht (
125 ,135 ,155 ,165 ) eine Dicke von 10 bis 100 μm hat. - Plasma-Bearbeitungsgerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die leitende Dünnschicht (
134 ) auf der isolierenden Dünnschicht (125 ) vorgesehen ist. - Plasma-Bearbeitungsgerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die leitende Dünnschicht (
114 ) nur an dem Übertragungsabschnitt (24c ) vorgesehen ist. - Plasma-Bearbeitungsgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei isolierende Dünnschicht (
155 ,165 ) an dem Übertragungsabschnitt (24c ) und über der leitenden Dünnschicht (154 ,164 ) vorgesehen ist. - Plasma-Bearbeitungsgerät nach Anspruch 7, wobei die leitende Dünnschicht (
154 ) und die isolierende Dünnschicht (155 ) dadurch hergestellt sind, dass die leitende Dünnschicht (154 ) auf der Fläche des Mikrowellen-Einführelements (114 ) und die isolierende Dünnschicht (155 ) über der gesamten Fläche des Mikrowellen-Einführelements (114 ) vorgesehen wird. - Plasma-Bearbeitungsgerät nach Anspruch 7, wobei die leitende Dünnschicht (
164 ) und die isolierende Dünnschicht (165 ) dadurch hergestellt sind, dass die leitende Dünnschicht (164 ) auf der Fläche des Mikrowellen-Einführelements (114 ), eine erste isolierende Dünnschicht (165 ) am Übertragungsabschnitt (124c ) der Fläche mit der gleichen Dicke wie die leitende Dünnschicht (164 ) und eine zweite erste isolierende Dünnschicht (165 ) auf der leitenden Dünnschicht (164 ) vorgesehen wird.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14847395 | 1995-06-15 | ||
JP14847395 | 1995-06-15 | ||
JP32763795A JP3164200B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-12-15 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP32763795 | 1995-12-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69627241D1 DE69627241D1 (de) | 2003-05-15 |
DE69627241T2 true DE69627241T2 (de) | 2004-01-08 |
Family
ID=26478663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69627241T Expired - Lifetime DE69627241T2 (de) | 1995-06-15 | 1996-06-14 | Plasmabearbeitungsgerät |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5911852A (de) |
EP (1) | EP0749149B1 (de) |
JP (1) | JP3164200B2 (de) |
KR (1) | KR100260218B1 (de) |
DE (1) | DE69627241T2 (de) |
TW (1) | TW302593B (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN117440939A (zh) | 2021-07-07 | 2024-01-23 | 贺利氏科纳米北美有限责任公司 | 用于耐等离子体性材料的氧化钇-氧化锆烧结陶瓷 |
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EP4215360A1 (de) | 2022-01-24 | 2023-07-26 | Heraeus Conamic North America LLC | Mehrschichtiger gesinterter keramischer körper und verfahren zu seiner herstellung |
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EP4269024A1 (de) | 2022-04-29 | 2023-11-01 | Heraeus Conamic North America LLC | Hochfrequenzpolieren von keramik |
WO2024019940A2 (en) | 2022-07-21 | 2024-01-25 | Heraeus Conamic North America Llc | Process for sintering large diameter yag layers substantially free of unreacted yttrium oxide and yttrium rich phases |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03122273A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Hitachi Ltd | マイクロ波を用いた成膜装置 |
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-
1995
- 1995-12-15 JP JP32763795A patent/JP3164200B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-14 EP EP96304454A patent/EP0749149B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-14 KR KR1019960021629A patent/KR100260218B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-06-14 DE DE69627241T patent/DE69627241T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-14 US US08/663,640 patent/US5911852A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-28 TW TW085107834A patent/TW302593B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0749149A2 (de) | 1996-12-18 |
JP3164200B2 (ja) | 2001-05-08 |
EP0749149B1 (de) | 2003-04-09 |
JPH0963794A (ja) | 1997-03-07 |
US5911852A (en) | 1999-06-15 |
EP0749149A3 (de) | 1999-01-20 |
DE69627241D1 (de) | 2003-05-15 |
TW302593B (de) | 1997-04-11 |
KR100260218B1 (ko) | 2000-07-01 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
R082 | Change of representative |
Ref document number: 749149 Country of ref document: EP Representative=s name: STREHL, SCHUEBEL-HOPF & PARTNER, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
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|
R082 | Change of representative |
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