DE69723964T2 - Transparente kontakte für organische vorrichtungen - Google Patents

Transparente kontakte für organische vorrichtungen Download PDF

Info

Publication number
DE69723964T2
DE69723964T2 DE69723964T DE69723964T DE69723964T2 DE 69723964 T2 DE69723964 T2 DE 69723964T2 DE 69723964 T DE69723964 T DE 69723964T DE 69723964 T DE69723964 T DE 69723964T DE 69723964 T2 DE69723964 T2 DE 69723964T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
led
transparent
metal
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69723964T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69723964D1 (de
Inventor
R. Stephen FORREST
E. Paul BURROWS
E. Mark THOMPSON
Vladimir Bulovic
Gong Gu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Princeton University
Original Assignee
Princeton University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Princeton University filed Critical Princeton University
Publication of DE69723964D1 publication Critical patent/DE69723964D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69723964T2 publication Critical patent/DE69723964T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G09F9/335—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes being organic light emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01021—Scandium [Sc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/611—Charge transfer complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf vielfarbiges, organisches Licht ausstrahlende Geräte und vor allem auf solche Geräte, die in Flachbildschirmen, heads-up-Displays usw. verwendet werden.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Der Bildschirm ist in der modernen Gesellschaft unverzichtbar, um Informationen zu liefern und er wird in Fernsehgeräten, Computerterminals und für viele andere Anwendungen benutzt. Kein anderes Mittel bietet seine Geschwindigkeit, Vielseitigkeit und Interaktivität. Bekannte Bildschirmtechnologien umfassen Plasmadisplays, lichtausstrahlende Dioden (LEDs), dünnschichtelektrolumineszierende Displays usw.
  • Die primäre, nicht-ausstrahlende Technologie nutzt die elektrooptischen Eigenschaften einer Klasse von organischen Molekülen, die als Flüssigkristalle (LCs) oder als Flüssigkristalldisplays (LCDs) bekannt sind. LCDs arbeiten recht zuverlässig, aber haben einen relativ niederen Kontrast und eine niedere Auflösung und erfordern eine starke Hintergrundbeleuchtung. Aktive Matrixdisplays verwenden eine Anordnung von Transistoren, von denen jeder in der Lage ist, ein einzelnes Flüssigkristallpixel zu aktivieren. Es gibt keinen Zweifel, dass die Technologie der Flachbildschirme von erheblicher Bedeutung ist und kontinuierliche Fortschritte gemacht werden. Das zeigt auch ein Artikel „Fiat Panel Displays", Scientific American, März 1993, Seiten 90 bis 97 von S. W. Depp und W. E. Howard. In diesem Artikel wird gezeigt, dass allein für Flachbildschirme für das Jahr 1995 ein Markt zwischen 4 bis 5 Milliarden Dollar erwartet wird. Gewünscht wird für jede Flachbildtechnologie, dass sie einen hoch auflösenden vollfarbigen Display mit gutem Lichtniveau zu konkurrenzfähigen Preisen liefert.
  • Farbbildschirme arbeiten mit den drei Grundfarben rot, grün und blau. Es hat beträchtlichen Fortschritt bei der Entwicklung von rotes, grünes und blaues Licht ausstrahlenden Vorrichtungen (LEDs) gegeben, die organische dünne Filmmaterialien verwenden. Diese dünnen Filmmaterialien werden unter hohem Vakuum abgeschieden. Diese Verfahren sind an zahlreichen Orten der Welt entwickelt worden und an dieser Technologie wird an vielen Forschungsinstituten gearbeitet.
  • In der internationalen Patentanmeldung WO 95/06400 wird ein elektrolumineszierendes Gerät beschrieben, das erste und zweite Schichten von Licht ausstrahlenden, halbleitenden, konjugierten Polymeren zusammen mit einer Elektrodenanordnung zum Einführen von Ladungsträgern in beide Licht ausstrahlende Schichten umfasst, um sie zur Lichtausstrahlung anzuregen. Die ersten und zweiten Licht ausstrahlenden Schichten überlappen sich und die Elektrodenanordnung umfasst zwei Sätze von Elektroden (4, 8, 10, 12), die voneinander unabhängig arbeiten können. Die erste Licht ausstrahlende Schicht ist so angelegt, dass sie Strahlung einer ersten Wellenlänge ausstrahlt, wenn sie angeregt wird, und die zweite Schicht ist so angelegt, dass sie Licht einer zweiten Wellenlänge ausstrahlt, wenn sie angeregt wird. Die elektrolumineszierende Vorrichtung kann so entweder Strahlung der ersten Wellenlänge oder Strahlung der zweiten Wellenlänge oder auch beide Strahlungen abgeben.
  • Zur Zeit ist die am meisten favorisierte hochwirksame organische, ausstrahlende Struktur die Doppel-Hetero-Struktur LED, die in 1A dargestellt und als Stand der Technik bezeichnet wird. Diese Struktur ist den üblichen, anorganischen LEDs sehr ähnlich, die als Materialien GaAs oder InP benutzen.
  • In der in 1A gezeigten Vorrichtung ist eine Trägerschicht aus Glas 10 mit einer dünnen Schicht von Indium-Zinnoxyd (ITO) 11 beschichtet, wobei die Schichten 10 und 11 das Substrat bilden. Darüber ist eine dünne 10 bis 50 nm (100 bis 500 Å) organische, vorwiegend Löcher tragende Schicht (HTL) 12 auf der ITO-Schicht 11 niedergeschlagen. Auf der Oberfläche der HTL-Schicht 12 befindet sich eine dünne (typischerweise 5 bis 10 nm (50 bis 100 Å)) Emissionsschicht (EL) 13. Wenn die Schichten zu dünn sind, kann der Zusammenhalt im Film fehlen und dickere Filme haben die Tendenz, einen zu hohen inneren Widerstand zu zeigen, der eine hohe Arbeitsenergie erfordert. Die Licht ausstrahlende Schicht (EL) 13 zeigt eine Rekombinationsstelle für Elektronen, die von einer 10 bis 50 nm (100 bis 500 Å) dicken Elektronen tragenden Schicht 14 (ETL) mit Löchern aus der HTL-Schicht 12 eingeführt werden. Das ETL-Material zeichnet sich durch seine beträchtlich höhere Elektronen als Löcherbeweglichkeit aus. Beispiele für bekannte ETL-, EL- und HTL-Materialien sind in dem US-Patent 5 294 870 mit dem Titel „Organischer, elektrolumineszierender, vielfarbiger Bildschirm", herausgegeben am 15. März 1994 an Tang et al.
  • Oft ist die EL-Schicht 13 mit einem hochfluoreszierenden Farbstoff dotiert, um die Farbe zu beeinflussen und die elektrolumineszierende Wirksamkeit des ELDs zu erhöhen. Die in 1A gezeigte Vorrichtung wird durch Anbringung von Metallkontakten 15, 16 und die Top-Elektrode 17 komplettiert. Die Kontakte 15 und 16 werden typischerweise aus Indium oder Ti/Pt/Au hergestellt. Die Elektrode 17 hat oft eine Doppelschichtstruktur und besteht aus einer Legierung wie Mg/Ag 17', die direkt mit der organischen Schicht ETL 14 in Verbindung steht, und einer dicken Metallschicht 17'' wie Gold (Au) oder Silber (Ag) auf dem Magnesium/Ag. Die dicke Metallschicht 17'' ist opak. Wenn eine geeignete Vorspannung zwischen der Top-Elektrode 17 und den Kontakten 15 und 16 angelegt wird, dann tritt das Licht durch das Glassubstrat 10 aus. Eine LED-Vorrichtung nach 1A hat typischerweise eine äußere leuchtende Wirksamkeit von 0,05 bis 4% in Abhängigkeit von der Emissionsfarbe und seiner Struktur.
  • Eine andere bekannte organische ausstrahlende Struktur, die als eine einzelne Heterostruktur bezeichnet wird, wird in 1B gezeigt und als Stand der Technik bezeichnet. Der Unterschied in seiner Struktur gegenüber der von 1A besteht darin, dass die EL-Schicht 13 auch als eine ETL-Schicht dient und die ETL-Schicht 14 von 1A eliminiert. Jedoch muss die Vorrichtung der 1B, um wirksam arbeiten zu können, eine EL-Schicht 13 enthalten, die eine gute Elektronentransportfähigkeit besitzt, sonst muss eine separate EL-Schicht 14 eingebaut werden, wie es für die Vorrichtung der 1A gezeigt ist.
  • Zur Zeit sind die höchsten Wirksamkeiten in grünen LEDs beobachtet worden. Außerdem sind Antriebsspannungen von 3 bis 10 V erreicht worden. Diese frühen und sehr viel versprechenden Versuche haben amorphe oder hoch polykristalline organische Schichten verwendet. Solche Strukturen beschränken zweifellos die Beweglichkeit der Ladungsträger über den Film, wodurch seinerseits den Strom begrenzt und die Antriebsspannung erhöht wird. Die Wanderung und das Wachstum der Kristallite, die aus dem polykristallinen Zustand entstehen, ist ein ausgesprochener Fehler derartiger Vorrichtungen. Auch der Abbau der Elektrodenkontakte ist ein ausgesprochener Fehlermechanismus.
  • Noch eine andere bekannte LED-Vorrichtung ist in 1C gezeigt, die einen typischen Querschnitt einer einzelnen Polymerschicht LED zeigt. Die Vorrichtung umfasst einen Glasträger 1, beschichtet mit einer dünnen ITO-Schicht, um das Grundsubstrat zu bilden. Eine dünne organische Schicht 5 eines durch Rotationsbeschichtung aufgetragenen Polymeren ist zum Beispiel über der ITO-Schicht 3 gebildet und ergibt alle Funktionen der HTL-, ETL- und ET-Schichten der weiter oben beschriebenen Vorrichtungen. Eine Metallelektrodenschicht 6 wird über der organischen Schicht 5 gebildet. Das Metall ist typischerweise Mg, Ca oder andere üblicherweise benutzte Metalle.
  • Ein Beispiel für einen vielfarbigen elektrolumineszierenden Bildschirm, der organische Verbindungen für seine Licht emittierenden Pixel verwendet, wird von Tang et al. in dem US-Patent 5 294 870 beschrieben. Dieses Patent beschreibt eine große Anzahl von Licht emittierenden Pixeln, die ein organisches Medium zur Aussendung von blauem Licht in blau-ausstrahlenden Subpixelbereichen enthält. Fluoreszierende Medien sind seitlich von dem blau emittierenden Subpixelbereich angeordnet. Die fluoreszierenden Medien adsorbieren Licht, das von organischen Medien ausgestrahlt wird und strahlen ihrer seits rotes und grünes Licht in verschiedenen Subpixelbereichen aus. Die Verwendung von Materialien, die mit fluoreszierenden Farbstoffen dotiert sind, um grünes oder rotes Licht bei Adsorption von blauem Licht aus der blauen Subpixelregion auszustrahlen, ist weniger wirksam als die direkte Bildung mittels grüner oder roter LED's. Der Grund dafür ist, dass die Wirksamkeit das Produkt von (Quantenwirkungsgrades für EL) × (Quantenwirkungsgrad für die Fluoreszenz) × (Durchlässigkeit) ist. So besteht ein Nachteil dieses Displays darin, dass verschiedene seitlich angeordnete Subpixelbereiche erforderlich sind für jede emittierte Farbe.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es ist ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung, eine organisches Licht ausstrahlende Vorrichtung zur Verfügung zu stellen, die umfasst ein Substrat;
    eine erste elektrisch leitende Schicht, die über dem Substrat gebildet ist, in der eine erste elektrisch leitfähige Schicht eine positive Polarität aufweist;
    eine transparente, organisches Licht aussendende Vorrichtung, die über der ersten elektrisch leitfähigen Schicht gebildet ist;
    eine durchsichtige, elektrisch leitfähige Metallschicht mit einer Dicke von 5 bis 40 nm (50 bis 400 Å), die über der transparenten organisches Licht aussendenden Vorrichtung gebildet ist; und
    eine zweite elektrisch leitfähige Schicht, die über der durchsichtigen, elektrisch leitfähigen Metallschicht gebildet ist, wobei die zweite elektrisch leitfähige Schicht eine negative Polarität aufweist und wobei die zweite elektrisch leitfähige Schicht ein durchsichtiges elektrisch leitendes Oxyd aufweist, welches kein Indium-Zinnoxyd ist.
  • Seine durchsichtige, elektrisch leitfähige Metallschicht sollte vorzugsweise eine Dicke von weniger als etwa 10 nm (100 Å) aufweisen und das Metall sollte vorzugsweise eine Austrittsarbeit von weniger als 4 eV haben und Magnesium und/oder Silber enthalten. Das Substrat sollte vorzugsweise durchsichtig und hart sein. Die erste elektrisch leitfähige Schicht sollte vorzugsweise durchsichtig sein und eine reflektierende Metallschicht umfassen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1A ist ein Querschnitt einer typischen organisches Licht emittierenden Vorrichtung mit doppelter Heterostruktur (LED) gemäß dem Stand der Technik.
  • 1B ist ein Querschnitt durch eine typische organisches Licht emittierende Vorrichtung mit einer einzelnen Heterostruktur (LED) nach dem Stand der Technik.
  • 1C ist ein Querschnitt durch eine bekannte polymere Einzelschichtstruktur eines LED gemäß dem Stand der Technik.
  • 2A, 2B und 2C sind Querschnitte eines integrierten dreifarbigen Pixels, der kristalline organisches Licht emittierende Vorrichtungen (LED's) entsprechend der vorliegenden Erfindung verwendet.
  • Die 3 bis 11 zeigen verschiedene organische Verbindungen, die in aktiven Emissionsschichten verwendet werden können, um die verschiedenen Farben zu erzeugen.
  • 12 (A bis E) zeigt ein Lochmaskenverfahren zur Herstellung eines vielfarbigen LED gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 13 (A bis F) zeigt den Trockenätzprozess für die Herstellung einer vielfarbigen LED gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 14A zeigt eine vielfarbige LED einer Ausführungsform der Erfindung, die geformt ist, um ihr Verpacken zu erleichtern.
  • 14B zeigt einen Querschnitt einer luftdichten Verpackung einer anderen Ausführungsform der Erfindung.
  • 14C zeigt einen Querschnitt an der Linie 14C-14C der 14B.
  • 15 zeigt ein Blockdiagramm eines RGB-Displays, der eine erfindungsgemäße LED-Vorrichtung benutzt zusammen mit einer elektronischen Antriebsanzeige.
  • 16 zeigt eine LED-Vorrichtung in einer anderen erfindungsgemäßen Ausgestaltung, in der die Anzahl der LED's bis zu der Zahl N aufgestapelt sind, wobei N eine Zahl wie 1, 2, 3, ...... N ist.
  • 17 zeigt eine im wesentlichen durchsichtige organisches Licht emittierende Vorrichtung (TOLED) für eine andere Ausführungsform der Erfindung.
  • 18 zeigt die spektrale Leistung, die von einem 10 nm (100 Å) dicken Mg-Ag-Kontakt (gestrichelte Linie) und dem dazugehörigen Substrat (durchgezogene Linie) ausgestrahlt wird in Form einer graphischen Darstellung der EL-Intensität (a. u.) gegen die Wellenlänge (nm) für die Ausführungsform von 17 der vorliegenden Erfindung.
  • 19 ist eine graphische Darstellung der Durchlässigkeit (%) gegen die Wellenlänge (nm) als Beispiel, um das Transmissionsspektrum der TO- LEDO-Vorrichtung von 17 zu zeigen mit einer 10 nm (100 Å) dicken Mg-Ag-Elektrode in Abhängigkeit von der Wellenlänge.
  • 20 zeigt eine graphische Darstellung der Durchlässigkeit (%) gegen die Mg-Ag-Dicke des Kontaktes bei einer Wellenlänge von 530 nm für einen Prototyp des TOLED Topkontaktes von 17.
  • 21 zeigt ein System zur Ablagerung eines Mg : Ag-Films auf eine organische Schicht auf einem Substrat für eine Ausführungsform der Erfindung, bei der teilweise ein durchsichtiger Kontakt einer organischen Schicht gebildet wird.
  • 22 zeigt ein Blockdiagramm für drei aufeinander folgende Operationen, die durchgeführt werden müssen, um den transparenten Kontakt auf einer organischen Schicht für eine Ausführungsform der Endung herzustellen.
  • 23 zeigt ein Sprühsystem zur Ablagerung eines Indium-Zinnoxyd (ITO)-Films auf einem Mg : Ag-Metalllegierungsfilm, der vorher auf einer organischen Schicht niedergeschlagen worden ist als eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Genaue Beschreibung der Erfindung
  • 1A ist beschrieben worden und ist eine im Stand der Technik bekannte organisches Licht ausstrahlende Vorrichtung mit doppelter Heterostruktur. Die grundsätzliche Herstellung der Vorrichtung der 1A, die in dieser Erfindung benutzt wird, wird im folgenden beschrieben.
  • In 2A wird ein schematischer Querschnitt durch eine sehr kompakte, integrierte RGB-Pixelstruktur gezeigt, die hergestellt worden ist, durch gewachsene oder im Vakuum niedergeschlagene organische Schichten. Basierend auf der Fähigkeit, organische Materialien auf einer großen Anzahl von Materialien wachsen zu lassen, einschließlich Metallen und ITO, kann man einen Stapel von LED Doppel-Heterostrukturen (DH) erzeugen, die als 20, 21 und 22 bezeichnet werden. Zur Illustration, LED 20 wird als die Grundschicht des Stapels, LED 21 als die mittlere Lage des Stapels und LED 22 als die obere Schicht im Beispiel der 2A angesehen. Ebenso wird gezeigt, dass der Stapel im 2A senkrecht orientiert ist, aber der Stapel kann auch anders aufgebaut sein. In anderen Verkörperungen der Erfindung sind ein Stapel von LED's mit einzelnen Heterostrukturen (SH) (siehe 1B) oder ein Stapel mit LED's auf Polymerbasis (siehe 1C) mögliche Alternativen für die DH LED's, worin die SH-Vorrichtungen in gleicher Weise gangbar sind, wie die DH-Vorrichtungen für Lichtausstrahler.
  • Jede Vorrichtungsstruktur wie die Vorrichtung 20 besteht aus einer im Vakuum niedergeschlagenen HTL-Schicht oder aus einer gewachsenen Schicht oder aus einer auf andere Weise auf der Oberfläche erzeugten ITO-Schicht 35. Eine Topschicht ETL 20T liegt auf einer EL-Schicht 20E zwischen der vorherigen und der HTL-Schicht 20H, wie es beispielsweise in der Vorrichtungskonstruktion von 2A gezeigt ist. Die ETL-Schicht 20T und andere ETL-Schichten, die beschrieben werden, sind aus organischen Materialien zusammengesetzt wie M(8-hydroxychinolat)n (M = Metallion; n = 2 bis 4). Beispiele für andere geeignete organische ETL-Materialien können in dem US-Patent 5 294 870 für Tang et al. gefunden werden. Auf der obersten Schicht der ETL-Schicht 20T befindet sich eine dünne, halbdurchlässige Metallschicht 26N mit einer niedrigen Austrittsarbeit (vorzugsweise < 4 eV) mit einer Dicke, die typischerweise zwischen 45 nm (50 Å bis 400 Å) liegt. Geeignete Kandidaten umfassen Mg, Mg/Ag und As. Auf der obersten Metallschicht 26M wird eine andere durchsichtige, dünne, leitende ITO-Schicht 26I abgelagert (zur Vereinfachung wird hier die Doppellagenstruktur der metallischen Schicht 26M und die ITO-Schicht 26I als ITO/Metallschichten 26 bezeichnet). Alle Vorrichtungen mit doppelter Heterostruktur wie 20, 21 und 22 haben eine Grundschicht HTL, die auf einer durchsichtigen leitenden Schicht von ITO-26I gebildet wird. Dann wird eine EL-Schicht niedergeschlagen und dann eine andere Schicht von ETL. Jede dieser HTL-, ETL-, ITO-Metall- und organischen EL-Schichten ist durchsichtig wegen ihrer Zusammensetzung und ihrer minimalen Dicke. Jede HTL-Schicht kann zwischen 5 nm (50 Å) bis > 100 nm (1.000 Å) dick sein. Jede EL-Schicht kann 5 nm (50 Å) bis > 20 nm (20 Å) dick sein; jede ETL-Schicht kann 5 nm (50 Å) bis > 100 nm (100 Å) dick sein; jede Metallschicht 26M kann 5 nm (50 Å) bis > 10 nm (10 Å) dick sein; und jede ITO-Schicht 26I und 35 kann 100 nm (1.000 Å) bis > 400 nm (4.000 Å) dick sein. Um die besten Ergebnisse zu erzielen, sollte jede der Schichten vorzugsweise an den unteren Enden der vorstehend angegebenen Bereiche liegen, aber diese Bereiche sind nicht als begrenzend zu verstehen. So sind alle LED 20, 21 und 22 (mit Ausnahme der ITO/Metallschichten) vorzugsweise etwa 20 nm (200 Å) dick.
  • Wenn die SH LED-Vorrichtungen zur Herstellung von LED's 20, 21, 22 anstatt für DH LED-Vorrichtungen benutzt werden, dann werden die ETL- und EL-Schichten durch eine einzelne Schicht erzeugt, wie zum Beispiel die Schicht 13, die weiter oben für die SH-Vorrichtung von 1B beschrieben worden ist. Diese Schicht 13 ist typischerweise Aluminiumchinolat. Das wird in 2B gezeigt, wo die EL-Schichten 20E, 21E und 22E beide EL- und ETL-Lagenfunktionen übernehmen. Jedoch besteht ein Vorteil des DH LED-Stapels von 2A bezogen auf den SH LED-Stapel von 2B darin, dass der DH LED-Stapel eine insgesamt dünnere Konstruktion mit hoher Wirksamkeit erlaubt.
  • In den 2A und 2B ist der Gesamtlichtstrahl von jeder Vorrichtung im wesentlichen übereinstimmend mit den LED's 20, 21 und 22, obwohl die Zentren jeder dieser LED's voneinander abgesetzt sind. Während die Lichtstrahlen in den konzentrischen Konfigurationen zusammenfallen, sind die Licht emittierenden oder nicht emittierenden Vorrichtungen, die nähere an dem Glassubstrat sind, durchsichtig für die emittierende Vorrichtung oder die Vorrichtungen, die weiter von dem Glassubstrat entfernt sind. Jedoch müssen die Dioden 20, 21 und 22 nicht voneinander abgesetzt sein und können alternativ konzentrisch aufeinander gestapelt sein, wobei der Lichtstrahl von jeder Vorrichtung vollkommen zusammenfällt mit den Anderen. Eine konzentrische Konfiguration ist in 12E gezeigt, die weiter unten bezüglich ihres Herstellungsprozesses beschrieben wird. Es sollte bemerkt werden, dass es keinen Unterschied in der Funktion zwischen den voneinander abgesetzten und den konzentrischen Konfigurationen gibt. Jede Vorrichtung strahlt Licht durch das Glassubstrat 37 im wesentlichen in allen Richtungen aus. Die Spannungen in den drei LED's in dem Stapel 29 werden kontrolliert, um die gewünschte Emission bezüglich Farbe und Brillianz für einen besonderen Pixel zu jedem Zeitpunkt sicher zu stellen. So kann jeder LED 20, 21 und 22 gleichzeitig mit den Lichtstrahlen R, G und B angeregt werden, die zum Beispiel durchgeleitet werden und sichtbar sind mittels der durchsichtigen Schichten, die in den 2A und 2B schematisch gezeigt werden. Jede DH-Struktur 20, 21 und 22 ist bei Anwendung einer geeigneten Vorspannung zur Aussendung verschieden farbigen Lichtes geeignet. Die LED 20 mit der doppelten Heterostruktur sendet blaues Licht aus. Die LED 21 mit der doppelten Heterostruktur sendet grünes Licht aus, während die LED 22 mit der doppelten Heterostruktur rotes Licht aussendet. Verschiedene Kombinationen der einzelnen LED's 20, 21, und 22 können eingesetzt werden, um selektiv die gewünschte Lichtfarbe für den Pixel zu erzeugen und sind teilweise abhängig von der Stromstärke in den LED's 20, 21 und 22.
  • In den Beispielen der 2A und 2B sind in den LED's 20, 21 und 22 Vorwärtsspannungen durch die Batterien 32, 31 und 33 erzeugt. Der Strom fließt von dem positiven Ende jeder Batterie 32, 31 und 30 in die Anoden 40, 41 und 42 von den angeschlossenen LED's 20, 21 und 22 durch die Schichten der genannten Vorrichtung und von den Anschlussklemmen 41, 42 und 43, die als Kathodenanschlüsse dienen, zu den negativen Anschlüssen jeder Batterie 32, 31 und 30. Im Ergebnis wird Licht von jeder LED 20, 21 und 22 ausgesendet. Die LED-Vorrichtung 20, 21 und 22 sind selektiv aufladbar durch Schalter, mit denen die Batterien 32, 31 und 30 angeschaltet werden oder in Verbindung mit den entsprechenden LED's gebracht werden.
  • In den Ausführungsformen der Erfindung, die sich auf die 2A und 2B beziehen, ist der Top-ITO-Kontakt 26I für LED 22 durchsichtig und macht so die dreifarbige Vorrichtung nützlich für die Anwendung in heads-up-Bildschirmen. In einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist jedoch der Top-Kontakt 26I aus einem dicken Metall gebildet, wie Mg/Ag, In, Ag oder Au, um Licht zu reflektieren, das nach oben durch das Substrat 13 ausgestrahlt wird, wodurch die Wirksamkeit der Vorrichtung erheblich verbessert wird. Auch kann insgesamt die Wirksamkeit der Vorrichtung durch die Bildung von vielfarbigen dielektrischen Schichten verbessert werden, die eine Schicht zwischen dem Glassubstrat 37 und der ITO-Schicht 35 sind und eine antireflektierende Oberfläche schaffen. Drei Arten von antireflektierenden Schichten sind erforderlich, eine um eine antireflektierende Schicht bei jeder Wellenlänge zu erzeugen, die von den verschiedenen Schichten gebildet wird.
  • In einer anderen Ausführungsform ist die Vorrichtung der 2A in entgegengesetzter oder umgekehrter Weise konstruiert, um eine Lichtemission aus der Spitze des Stapels anstatt aus dem Boden des Stapels zu erzeugen. Ein Beispiel für eine umgedrehte Struktur besteht mit Hinweis auf die 2C darin, die ITO-Schicht 35 durch eine dicke reflektierende Metallschicht 38 zu ersetzen. Die blaue LED 20 ist dann durch wechselnde HTL-Schichten 20H und ETL-Schichten 20T erzeugt, wobei EL-Schichten 20E zwischen die beiden genannten Schichten eingelegt sind. Außerdem ist die Metallkontaktschicht 26M nun auf der Oberseite der ITO-Schicht 26I abgelegt. Die grünen LED 21 und roten LED 22 Anteile des Stapels sind nun mit umgekehrten Schichten konstruiert (die HTL- und ETL-Schichten sind untereinander vertauscht, gefolgt von einem Austausch der Metallschicht und der ITO-Schicht) wie es für den vertauschten blauen LED 20 beschrieben ist. Hervorzuheben ist, dass in der umgekehrten Struktur die blaue Vorrichtung 20 auf der Oberseite und die rote Vorrichtung 22 auf der Unterseite liegen muss. Auch die Polaritäten der Batterien 30, 31 und 32 sind umgedreht. Im Ergebnis fließt der Strom durch die Vorrichtungen 20, 21 und 22 in der gleichen Richtung wie in der Ausführungsform der 2A mit einer Durchlassspannung für die Lichtemission.
  • Die Vorrichtung hat im Querschnitt in diesem Beispiel ein stufenförmiges oder treppenförmiges Profit. Die durchsichtigen Kontaktgebiete (ITO) 26I erlauben die separate Beeinflussung von jedem Pixelelement in dem Stapel und außerdem kann das Material als ein Ätzstopp während der Verarbeitung verwendet werden. Die separate Beeinflussung von jeder DH LED-Struktur 20, 021 und 22 erlaubt die Wellenlängeneinstellung der Pixel auf jede der verschiedenen gewünschten Farben des sichtbaren Spektrums, wie es in dem CIE (Commission International de I'Eclairage/International Commission of Illumination) Farbstandard festgelegt ist. Die blau emittierende LED 20 liegt auf der Unterseite des Stapels und ist die größte der drei Vorrichtungen. Blau liegt auf der Unterseite, weil es durchsichtig ist für rotes und grünes Licht. Schließlich erleichtert das Aufteilen der Materialien unter Benutzung der durchsichtigen ITO/Metallschichten 26 die Herstellung dieser Vorrichtung wie es im folgenden beschrieben wird. Es ist ein sehr einzigartiger Aspekt der Vakuumbeschichtung und der Herstellungsprozesse, die mit den organischen Verbindungen verbunden sind, der die Pixel LED-Vorrichtungen, die in den 2A, 2B und 2C gezeigt werden, möglich macht. Die senkrechte Lagerung, die in den 2A, 2B und 2C gezeigt wird, ermöglicht die Herstellung dieser drei Farbpixels mit den kleinstmöglichen Gebieten und macht diese dadurch ideal für Bildschirme mit hoher Bildschärfe.
  • Wie aus den 2A, 2B und 2C ersehen werden kann, kann jede Vorrichtung 20, 21 und 22 Licht aussenden, das durch die Pfeile B, G und R bezeichnet wird und zwar entweder gleichzeitig oder voneinander getrennt. Es ist hervorzuheben, dass das emittierte Licht von der Querseite jeder LED 20, 21 und 22 ausgestrahlt wird, wobei die Pfeile R, G und B nicht für die Weite des wirklich ausgestrahlten Lichts repräsentativ sind. In diesem Fall wird die Addition und Subtraktion der Farben R, G und B durch das Auge durchgeführt, wodurch verschiedene Farben und Farbtönungen aufgenommen werden. Das ist auf dem Gebiet des Farbsehens und der Colorimetrie gut bekannt. In der gezeigten versetzen Konfiguration fallen die roten, grünen und blauen Lichtstrahlen im wesentlichen zusammen. Jede einzelne der verschiedenen Farben kann von dem Stapel hergestellt werden und erscheint als eine Farbe, die von einem einzelnen Pixel stammt.
  • Die organischen Materialien, die für die DH Strukturen benutzt werden, werden eine über der anderen aufgebaut oder senkrecht gestapelt mit der Vorrichtung 22 für die längste Wellenlänge in der obersten Schicht, die das rote Licht anzeigt und im Element 20 mit der kürzesten Wellenlänge in der untersten Schicht, die blaues Licht anzeigt. Auf diese Art minimiert man die Lichtabsorption in den Pixeln oder in den Vorrichtungen. Alle DH LED-Vorrichtungen sind voneinander durch ITO/Metallschichten 26 getrennt (speziell durch halbdurchlässige Metallschichten 26M und Indium-Zinnoxydschichten 26I). Die ITO-Schichten 26I können weiter behandelt werden durch Metallbeschichtung, um ausgeprägte Kontaktgebiete auf den exponierten ITO-Oberflächen zu schaffen, wie die Kontakte 40, 41, 42 und 43. Diese Kontakte 40, 41, 42 und 43 werden aus Indium, Platin, Gold, Silber oder Legierungen wie Ti, Pt, Au, Cr/Au oder Mg/Ag zum Beispiel hergestellt. Techniken zur Ablagerung von Kontakten, unter Einsatz der üblichen Metallablagerungen oder Dampfablagerungen, sind gut bekannt. Die Kontakte wie 40, 41, 42 und 43 ermöglichen die separate Beeinflussung von jedem LED in dem Stapel. Die deutlichen chemischen Unterschiede zwischen den organischen LED-Materialien und den durchsichtigen Elektroden 26I ermöglichen es, dass die Elektroden als Ätzstoppschichten wirken. Dadurch ist das selektive Ätzen und die Belichtung jedes Pixels während des Einsatzes der Vorrichtung möglich.
  • Jede LED 20, 21 und 22 hat ihre eigene Quelle für ein Beeinflussungspotential, die in diesem Beispiel schematisch als Batterien 32, 31 und 30 gezeigt sind, die jede LED befähigen, Licht auszusenden. Selbstverständlich können geeignete Signale an Stelle der Batterien 32, 31 und 30 verwendet werden. Selbstverständlich benötigt jede LED eine Minimumsspannung, um Licht aussenden zu können und deshalb ist diese Aktivierungsspannung schematisch durch Batteriesymbole abgezeigt.
  • Die EL-Schichten 20E, 21E und 22E können aus organischen Verbindungen hergestellt werden, die nach ihrer Fähigkeit ausgewählt werden, die Primärfarben und ihre Zwischenfarben zu erzeugen. Die organischen Verbindungen sind im allgemeinen aus Chinolatkomplexen dreiwertiger Metalle, aus verbrückten Chinolatkomplexen dreiwertiger Metalle, aus zweiwertigen Metallkomplexen Schiftscher Basen, aus Zinnmetallkomplexen, aus Acetylaceto natmetallkomplexen, aus zweizähnigen Metall-Ligandenkomplexen, aus Bisphosphonaten, aus divalenten Metall-maleonitril-dithiolat-Komplexen, aus molekularen Charge-Transferkomplexen, aus aromatischen und heterozyklischen Polymeren und gemischten Chelaten seltener Erden, wie sie im folgenden beschrieben werden, ausgewählt.
  • Die trivalenten Metallchinolatkomplexe werden durch die Strukturformel in 3 gezeigt, wobei M ein dreiwertiges Metallion aus den Gruppen 3 bis 13 des periodischen Systems und den Lanthaniden ausgewählt ist. Al+3, Ga+3 und In+3 sind die bevorzugten dreiwertigen Metallionen.
  • R von 3 umfasst Wasserstoff, substituiertes und unsubstituiertes Alkyl, Aryl und heterozyklische Gruppen. Die Alkylgruppen können gerade oder verzweigte Ketten aufweisen und haben vorzugsweise 1 bis 8 Kohlenstoffatome. Beispiele für geeignete Alkylgruppen sind Methyl und Ethyl. Die bevorzugte Arylgruppe ist Phenyl und Beispiele für heterozyklische Gruppen für R umfassen Pyridyl, Imidazol, Furan und Thiophen.
  • Die Alkyl, Aryl und heterozyklischen Gruppen für R können mit wenigstens einem Substituenten substituiert sein, der ausgewählt ist aus Aryl, Halogen, Cyano und Alkoxy, welches vorzugsweise 1 bis 8 Kohlenstoffatome aufweist. Das bevorzugte Halogen ist Chlor.
  • Die Gruppe L von 3 stellt einen Liganden einschließlich Picolylmethylketon, einen substituierten und unsubstituierten Salizylaldehyd (zum Beispiel Salizylaldehyd substituiert mit Barbitursäure), eine Gruppe der Formel R(O)CO-, in der R dieselbe Bedeutung wie oben angegeben hat, Halogen, eine Gruppe der Formel RO- in der R die gleiche Bedeutung wie oben angegeben hat, und Chinolate (zum Beispiel 8-Hydroxychinolin) und ihre Derivate (zum Beispiel mit Barbitursäure substituierte Chinolate). Bevorzugte Komplexe, die unter die Formel in 3 fallen, sind solche, in denen M gleich Ga+3 und L gleich Chlor sind. Solche Verbindungen erzeugen eine blaue Ausstrahlung. Wenn M Ga+3 und L Methylcarboxylat sind, werden Komplexe erzeugt, die im blauen und blauen und blau-grünen Bereich ausstrahlen. Eine gelbe oder rote Emission wird erwartet, wenn man entweder einen mit Barbitursäure substituierten Salizylaldehyd oder ein mit Barbitursäure substituiertes 8-Hydroxychinolin für die Gruppe L einsetzt. Grüne Ausstrahlungen können hergestellt werden, indem man für die L-Gruppe Chinolat verwedent.
  • Die dreiwertig verbrückten Chinolatkomplexe, die erfindungsgemäß verwendet werden können, werden in den 4A und 4B gezeigt. Diese Komplexe erzeugen grüne Ausstrahlungen und zeigen eine überlegene Umweltstabilität im Vergleich zu Tris-chinolaten (Komplexe der 3, in denen L ein Chinolat ist), die in bekannten Vorrichtungen verwendet wurden. Das dreiwertige Metallion M, das in diesen Komplexen verwendet wird, hat die oben angegebenen Definitionen, wobei Al+3, Ga+3 oder In+3 bevorzugt werden. Die Gruppe Z, die in 4A gezeigt wird, hat die Formel SiR, wobei R die Definition hat, die oben angegeben wurde. Z kann auch eine Gruppe der Formel P = O sein, die ein Phosphat bildet.
  • Die divalenten Metallkomplexe von Schiffschen Basen umfassen diejenigen, die in den 5A und 5B gezeigt sind, in denen M1 ein zweiwertiges Metall aus den Gruppen 2 bis 12 der periodischen Systems ist, vorzugsweise Zn (siehe Y. Hanada et al., „Blue Electroluminescence in Thin Films of Axomethin – Zinc Complexes", Japanese Journal of Applied Physics Vol. 32, pp. L511–L513 (1993)). Die Gruppe R1 wird aus den Strukturformeln ausgewählt, die in den 5A und 5B gezeigt sind. Die R1 Gruppe ist mit dem Metall des Komplexes vorzugsweise durch die Amingruppe oder das Stickstoff der Pyridylgruppe verbunden. X wird ausgewählt aus Wasserstoff, Alkyl, Alkoxy, die jeweils 1 bis 8 Kohlenstoffatome haben, Aryl, eine heterozyklische Gruppe, Phosphino, Halogenid und Amin. Die bevorzugte Arylgruppe ist Phenyl und die bevorzugte heterozyklische Gruppe ist ausgewählt aus Pyridyl, Imidazol, Furan und Thiophen. Die X-Gruppen beeinflussen die Löslichkeit der zweiwertigen Metallkomplexe von Schiffschen Basen in organischen Lösungsmitteln. Der besondere divalente Metallkomplex einer Schiffschen Base, der in 5B gezeigt wird, sendet Licht einer Wellenlänge von 520 nm aus.
  • Die in der vorliegenden Erfindung in den EL Schichten verwendeten Zinn-IV-metallkomplexe erzeugen grüne Emissionen. Von diesen Komplexen werden solche umfasst, die die Formel SnL1 2L2 2 umfassen, wobei L1 aus den Salicylaldehyden, Salizylsäure oder den Chinolaten (z. B. 8-Hydroxy chinolin) ausgewählt ist. L2 alle vorher definierten Gruppen mit Ausnahme von Wasserstoff. Beispielsweise haben Zinn-IV-Metallkomplexe, in denen L1 ein Chinolat und L2 ein Phenyl ist, eine Emissionswellenlänge (λcm) von 504 nm, wobei die Wellenlänge sich aus Messungen der Photolumineszenz im Festzustand ergibt.
  • Die Zinn-(IV)-metallkomplexe umfassen auch solche, die eine Strukturformel gemäß 6 enthalten, in der Y Schwefel oder NR2 ist, wobei R2 ausgewählt ist aus Wasserstoff und substituierten oder unsubstituierten Alkyl und Aryl. Die Alkylgruppe kann gerade oder verzweigt sein und hat vorzugsweise 1 bis 8 Kohlenstoffatome. Die bevorzugte Arylgruppe ist Phenyl. Die Substituenten für die Alkyl und Alkylgruppen umfassen Alkyl und Alkoxy mit 1 bis 8 Kohlenstoffatomen, Cyano und Halogen. L3 kann ausgewählt werden aus Alkyl. Aryl, Halogenid, Chinolaten (zum Beispiel 8-Hydroxychinolin), Salizylaldehyden, Salizylsäure und Maleonitryl-dithiolat („mnt"). Wenn A = S und Y = Cn und L3 = „mnt" ist, dann wird eine Emission zwischen rot und orange erwartet.
  • Die Metall(acetylacetonat)3-Komplexe, die in 7 gezeigt werden, erzeugen eine blaue Emission. Das Metallion M wird ausgewählt aus den dreiwertigen Metallen der Gruppe 3 bis 13 des periodischen Systems und den Lanthaniden. Die bevorzugten Metallionen sind Al+3, Ga+3 und In+3. Die Gruppe R in 7 ist die gleiche, wie sie für R in 3 definiert ist. Wenn beispielsweise R Methyl und M ausgewählt aus Al+3, Ga+3 und In+3 ist, dann sind die Wellenlängen, die sich aus den Messungen der Photolumineszenz im festen Zustand ergeben, 415 nm, 445 nm und 457 nm (siehe J. Kido et al., „Organic Electroluminescent Devices using Lanthanide Complexes", Journal of Alloys and Compounds, Vol. 92, pp. 30–33 (1993).
  • Die zweizähnigen Metallkomplexe, die erfindungsgemäß verwendet werden, erzeugen im Allgemeinen blaue Emissionen.
  • Diese Komplexe haben die Formel MDL4 2, wobei M aus den dreibindigen Metallen der Gruppe 3 bis 13 der periodischen Systems und den Lanthaniden ausgewählt ist. Die bevorzugten Metallionen sind Al+3, Ga+3, In+3 und Sc+3. D ist ein zweizähniger Ligand, für den Beispiele in 8A gezeigt werden. Insbesondere umfassen die zweizähnigen Liganden D 2-picolylketone, 2-chinaldylketone und 2-(o-phenoxy)-pyridylketone, in denen die R-Gruppen in 8A die oben angegebenen Definitionen haben.
  • Die bevorzugten Gruppen für L4 umfassen Acetylacetonat; Verbindungen der Formel OR3R, wobei R3 ausgewählt ist aus Si, C und R ausgewählt ist aus den gleichen Gruppen, wie sie oben beschrieben worden sind; 3,5-di(t-bu)phenol; 2,6-di(t-bu)phenol; 2,6-di(t-bu)cresol und Dihydro-(bis-1-pyrazolato)borat, wobei die letztgenannten Verbindungen in den 8B bis 8E gezeigt werden.
  • Beispielsweise ist die Wellenlänge (λcm), die aus der Photolumineszenz im Festzustand von Aluminium(picolylmethylketon)bis[2,6-di(tbu)phenoxid) resultiert, 420 nm. Das Cresolderviat der vorstehend genannten Verbindung zeigt auch eine Wellenlänge von 420 nm. Das Aluminum(picolylmethylketon) bis (OSiPh3) und das Scandium (4-methoxy-picolyl methylketon) bis (acetylacetonat) zeigen beide Wellenlängen von 433 nm, während Aluminium[2-(O-phenoxy)pyridin] bis [2,6-di(t-bu)phenoxyd] eine Wellenlänge von 450 nm zeigt.
  • Bisphosphonatverbindungen sind eine andere Verbindungsklasse, die erfindungsgemäß für EL-Schichten verwendet werden können. Die Bisphosphonate werden durch die allgemeine Formel dargestellt: M2 x(O.P-organic-PO3)y
  • M2 ist ein Metallion. Es ist ein vierbindiges Metallion (zum Beispiel Zr+4, Ti+4 und Hf+4), wenn x und y beide gleich 1 sind. Wenn x = 3 und y = 2 ist, dann ist das Metallion M2 im zweibindigen Zustand und umfasst zum Beispiel Zn+2, Cu+2 und Cd+2. Der Ausdruck „organisch", der in der oben genannten Formel benutzt wird, steht für jede aromatische oder heterozyklische fluoreszierende Verbindung, die mit Phosphonatgruppen bifunktionalisiert werden kann.
  • Die bevorzugten Biphosphonate umfassen Phenylenvinylen biphosphonate, wie sie zum Beispiel in den 9A und 9B gezeigt sind. Insbesondere zeigt 9A ein β-Styrenstilbenbiphosphonat und 9B ein 4-4'biphenyldi(vinylphosphonat), in denen R die vorstehend genannte Bedeutung hat und R4 von substituierten und unsubstituierten Alkylgruppen ausgewählt ist, die vorzugsweise 1 bis 8 Kohlenstoffatome aufweisen, sowie von Aryl. Die bevorzugten Alkylgruppen sind Methyl und Ethyl. Die bevorzugte Arylgruppe ist Phenyl. Die bevorzugten Substituenten für die Alkyl und Arylgruppen umfassen wengistens einen Substituenten aus der Gruppe Aryl, Halogen, Cyano, Alkoxy, die vorzugsweise 1 bis 8 Kohlenstoffatome enthält.
  • Die divalenten Metallmaleo-nitrilthiolat(„mnt")-Komplexe haben die Formel, wie sie in 10 gezeigt ist. Das zweibindige Metallion M3 umfasst Metallionen mit einer zweiwertigen, positiven Ladung, vorzugsweise Übergangsmetallionen, wie Pt+2, Zn+2 und Pd+2. Y1 ist aus Cyan und substituierten oder unsubstituiertem Phenyl ausgewählt. Die bevorzugten Substituenten für Phenyl sind ausgewählt aus Alky, Cyano, Chloro und 1,2,2-Trizyanovinyl.
  • L5 stellt eine Gruppe dar, die keine Ladung trägt. Bevorzugte Gruppen für L5 umfassen P(OR)3, in denen R die oben beschriebene Bedeutung hat oder L5 auch ein chelatbildender Ligand sein kann, wie 2,2'-Dipyridyl; phenanthrolin; 1,1-Cyclooctadien oder Bis(diphenylphosphino)methan.
  • Veranschaulichende Beispiele für die Wellenlängen der Emission der verschiedenen Kombinationen dieser Verbindung sind in Tabelle 1 gezeigt, wie sie entnommen ist von C. E. Johnson et al., „Luminescent Iridium(I), and Platinum (II) Dithiolate Complexes", Journal of the American Chemical Society, Vol. 105, pg. 1795 (1983).
  • Table I
    Figure 00200001
  • Molekulare Charge-Transferkomplexe, die erfindungsgemäß für EL-Schichten verwendet werden, sind solche, in denen eine Elektronenakzeptorstruktur mit einer Elektronendonorstruktur verbunden ist. Die 11A bis 11E zeigen eine Reihe von geeigneten Elektronenakzeptoren, die einen Charge-Transferkomplex mit einer der Elektronendonorstrukturen bilden können, die in den 11F bis 11J gezeigt sind. Die Gruppe R, wie sie in den 11A bis 11H gezeigt wird, hat dieselbe Bedeutung, wie sie schon oben beschrieben ist.
  • Filme von diesen Charge-Transfermaterialien werden entweder hergestellt durch Verdampfen von Donor und Akzeptormolekülen auf dem Substrat oder durch direktes Aufdampfen des vorher hergestellten Charge-Transferkomplexes. Die Wellenlängen der Emission können von rot bis blau reichen und hängen nur davon ab, welcher Akzeptor mit welchem Donor verkuppelt ist.
  • Polymere von aromatischen und heterozyklischen Verbindungen, die im festen Zustand fluoreszieren, können erfindungsgemäß für die EL-Schichten eingesetzt werden. Solche Polymere werden genutzt, um eine große Zahl von unterschiedlich gefärbten Emissionen zu erzeugen. Tabelle 2 gibt Beispiele für geeignete Polymere und die Farben der mit ihnen verbundenen Emissionen.
  • Tabelle II
    Figure 00210001
  • Die gemischten Chelate seltener Erden, die erfindungsgemäß benutzt werden, schließen die Lanthaniden ein (zum Beispiel La, Pr, Nd, Sm, Eu und Tb), die an einen zweizähnigen, aromatischen oder heterozyklischen Liganden gebunden sind. Der zweizähnige Ligand dient dazu, die Träger (zum Beispiel die Elektronen) zu transportieren, aber er absorbiert keine Emissionsenergie. So dienen die zweizähnigen Liganden zur Energieübertragung auf das Metall. Beispiele von Liganden in den gemischten Chelaten mit seltenen Erden umfassen Salizylaldehyd und seine Derivate, Salizylsäure, Chinolate, Liganden von Schiffschen Basen, Acetylacetonate, Phenanthrolin, Dipyridin, Chinolin und Pyridin.
  • Die Ladungslöcher transportieren Schichten 20H, 21H und 22H können von einer Porphorin-Verbindung umfasst werden. Zusätzlich können die Ladungslöcher transportierenden Schichten 20H, 21N und 22H wenigstens ein Ladungslöcher transportierendes aromatisches tertiäres Amin enthalten, welches eine Verbindung ist, die wenigstens ein dreibindiges Stickstoffatom enthält, das nur mit Kohlenstoffatomen verbunden ist, von denen wenigstens eines ein Glied eines aromatischen Ringes ist. Zum Beispiel kann das aromatische tertiäre Amin ein Arylamin sein, wie zum Beispiel ein Monoarylamin, ein Diarylamin, ein Triarylamin oder ein polymeres Arylamin. Andere geeignete aromatische tertiäre Amine ebenso wie Porphorin-Verbindungen sind in dem US-Patent 5 294 870 von Tang et al. beschrieben.
  • Die Herstellung eines organischen, dreifarbigen LED-Pixels kann nach einem der beiden folgenden Verfahren erreicht werden: Durch ein Lochmasken-Verfahren oder durch ein Trockenätzungsverfahren. Beide im folgenden beschriebenen Verfahren gehen aus Gründen der Anschaulichkeit von einer LED-Konstruktion mit doppelter Heterostruktur aus, d. h., sie verwenden nur eine organische Verbindungsschicht für jede aktive Emissionsschicht, wobei Licht von der Unterseite der Glassubstratoberfläche heraustritt.
  • Es versteht sich von selbst, dass organische LED's mit vielfältigen Heteroübergängen, die viele organische Verbindungsschichten für jede aktive Emissionsschicht umfassen, und/oder umgekehrte Strukturen aufweisen, wobei das Licht aus der obersten Schicht des Stapels austritt, durch einen Fachmann auch unter leichten Abänderungen der genannten Verfahren hergestellt werden können.
  • Die Schritte des Lochmaskenverfahrens sind in den 12 (A bis E) dargestellt. Ein Glassubstrat 50, das mit einer Schicht von ITO 52 beschichtet wird, wird zunächst durch Eintauchen während 5 Minuten in kochendes Trichlorethylen oder einen ähnlich chlorierten Kohlenwasserstoff gereinigt. Danach folgt ein Spülen in Aceton während 5 Minuten und dann in Methylalkohol für noch einmal 5 Minuten. Das Substrat 50 wird dann trocken geblasen mit ultrareinem Stickstoff. Alle zur Reinigung verwendeten Lösungsmittel sollten vorzugsweise den elektronischen Reinheitsgrad aufweisen. Nach dem Reinigen wird die ITO-Schicht 52 auf dem Substrat 50 im Vakuum erzeugt, indem man eine konventionelle Sprüh- oder Elektronenstrahlmethode anwendet.
  • Eine blau ausstrahlende LED 55 (siehe 12B) wird dann auf der ITO-Schicht 52 wie folgt hergestellt. Eine Lochmaske 73 wird auf vorherbestimmte äußere Teile der ITO-Schicht 52 gelegt. Die Lochmaske 73 und andere Masken, die während des Lochmaskenverfahrens benutzt werden, sollten zwischen den einzelnen Verfahrensstufen so behandelt werden, dass die Vorrichtung nicht mit Feuchtigkeit, Sauerstoff oder anderen Verunreinigungen in Berührung kommt, welche die Lebensdauer der Vorrichtung verringern. Das kann erreicht werden, indem die Lochmasken in einer Stickstoffatmosphäre oder un ter inertem Gas ausgewechselt werden oder indem die Masken im Vakuum unter Fernbedienung auf die Vorrichtung gelegt werden. Durch die Öffnung der Maske 73 werden eine 5 bis 10 nm (50 bis 100 Å) dicke Löcher transportierende Schicht (HTL) 54 und eine 5 bis 20 nm (50 bis 200 Å) dicke blaue Emissionsschicht (EL) 56 (dargestellt in 12B) nacheinander abgeschieden, ohne sie der Luft auszusetzen, d. h. im Vakuum. Eine Elektronen transportierende Schicht (ETL) 58 mit einer Dicke von 5 bis 100 nm (50 bis 1.000 Å) wird dann auf der EL 56 abgeschieden. Die ETL 58 wird dann mit einer halbdurchlässigen Metallschicht 60M bedeckt, die vorzugsweise aus 10% Ag und 90% Mg besteht oder andere Metalle oder Metalllegierungsschichten mit geringer Austrittsarbeit umfasst. Die Schicht 60M ist sehr dünn, vorzugsweise als weniger 10 nm (100 Å). Die Schichten 54, 56, 58 und 60M können durch irgendeine der zahlreichen bekannten Abscheidungstechniken wie Dampfphasenabscheidung, Ionenstrahlabscheidung, Elektronenstrahlabscheidung, Aufsprühen und Laser-Abtragung erzeugt werden.
  • Eine ITO-Kontaktschicht 60I von etwa 100 bis 400 nm (1.000 bis 4.000 Å) Dicke wird dann auf der Metallschicht 60M mittels des üblichen Aufsprühens oder der Elektronenstrahlmethoden erzeugt. Die Schichten 60M und 60I werden hier als Einzelschicht 60 dargestellt, die im wesentlichen die Gleiche ist wie die Schicht 26 von 2. Die Metallschicht 60M mit geringer Austrittsarbeit berührt direkt die unter ihr liegende ETL-Schicht, während die ITO-Schicht 601 die HTL-Schicht berührt, die unmittelbar über ihr liegt. Es ist zu betonen, dass der gesamte Prozess der Herstellung der Vorrichtung am besten im Vakuum durchgeführt wird, ohne dass das Vakuum zwischen den einzelnen Stufen wieder aufgehoben wird.
  • 12C zeigt eine grün strahlende LED 55, die über der Schicht 60 erzeugt wird, wobei im wesentlichen die gleichen Lochmasken- und Abscheidungstechniken verwendet werden, wie sie zur Herstellung der blau emittierenden LED 55 angewendet wurden. LED 65 umfasst HTL 62, die grün ausstrahlende Schicht 64 und ETL 66. Eine zweite dünne Schicht (weniger als 10 nm (100 Å) dick, die dünn genug ist, um halbdurchlässig zu sein, aber nicht so dünn, um die elektrische Kontinuität zu verlieren) ist als Metallschicht 60M auf der ETL-Schicht 66 abgeschieden, gefolgt von einer weiteren 100 bis 400 nm (1.000 bis 4.000 Å) dicken ITO-Schicht 60I, um eine Sandwich-Schicht 60 zu erzeugen.
  • In der 12D ist eine rot emittierende LED 75 gezeigt, die auf der Schicht 60 erzeugt worden ist (genauer auf der Schicht 60I), wobei ähnliche Lochmasken- und Metallabscheidungsverfahren benutzt wurden. Die rot emittierende LED 75 besteht aus einer HTL 70, einer rot ausstrahlenden EL 72 und einer ETL 74. Eine oben liegende Sandwich-Schicht 60 aus den Schichten 60I und 60M wird dann auf dem LED 75 erzeugt. Wie oben beschrieben für die Ausführungsform von 2, kann die oberste durchsichtige ITO-Schicht 60I in einer alternativen Ausführungsform durch eine geeignete Metallelektrode ersetzt werden, die auch als Spiegel dient, um das nach oben reflektierte Licht zurück durch das Substrat 50 zu leiten, wodurch die Lichtverluste aus der obersten Schicht der Vorrichtung vermindert werden. Jede ETL-Schicht 75, 66 und 58 hat eine Dicke von 5 bis 20 nm (50 bis 200 Å), jede HTL-Schicht 54, 62 und 70 ist 50 bis 100 Å dick und EL-Schicht 56, 64 und 72 ist 5 bis 100 nm (50 bis 100 Å) dick. Um optimale Helligkeit und Wirksamkeit zu erreichen, sollte jede Schicht einschließlich der ITO/Metallschichten so weit als möglich an den unteren Enden der oben genannten Bereiche gehalten werden, jedoch sind diese Bereich nicht entscheidend.
  • Die Bildung der elektrischen Kontakte 51 und 59 auf der ITO-Schicht 52 und die Bildung der elektrischen Kontakte 88, 89, 92, 94 und 96 auf dem Anteil der ITO-Schicht 60I der ITO/Metallschichten 60 wird dann vorzugsweise in einem einzigen Schritt durchgeführt. Diese elektrischen Kontakte können aus Indium, Platin, Gold, Silber oder Kombinationen wie Ti, Pt/Au, Cr/Au oder Mg/Ag bestehen. Sie können durch Dampfabscheidung oder andere geeignete Metallabscheidungstechniken nach der Entfernung der Maske vom Rest der Vorrichtung abgeschieden werden.
  • Der letzte Schritt beim Lochmaskenverfahren besteht darin, die ganze Schicht mit einer isolierenden Schicht 97 zu überziehen, wie es in der 12E gezeigt wird, mit Ausnahme der Metallkontakte 51, 59, 88, 89, 92, 94 und 96, die mit der Maske bedeckt sind. Die Isolierschicht 97 ist undurchlässig für Feuchtigkeit, Sauerstoff und andere Verunreinigungen und verhindert dadurch die Verunreinigung der LED's. Die isolierende Schicht 97 kann aus SiO2 bestehen, einen Silikonnitrit wie Si2N3 oder anderen Isolatoren, die durch Elektrostrahlung, Sprühverfahren oder pyrolytisch oder durch Plasma geförderte CVD-Verfahren erzeugt werden. Die Abscheidung sollte die Temperatur der Vorrichtung nicht über 120°C erhöhen, weil diese hohen Temperaturen die charakteristischen Eigenschaften des LED verringern. Es ist zu betonen, dass die 120°C variabel ist und den typischen Erweichungspunkt von typischen organischen Materialien darstellt, die erfindungsgemäß benutzt werden.
  • Der Trockenätzprozess zur Herstellung des LED-Stapels wird in den 13 (A bis F) verdeutlicht. Unter Bezugnahme auf 13A ist zu erwähnen, dass ein Glassubstrat 102 zunächst in der gleichen Art gereinigt wird, wie es für den Lochmaskenprozess oben beschrieben worden ist. Eine ITO-Schicht 101 wird dann auf dem Glassubstrat 102 im Vakuum unter Anwendung der üblichen Sprüh oder Elektronenstrahlmethoden abgeschieden. Eine HTL 104, blaue EL 105, ETL 106 und eine Sandwich-Schicht, die die Metallschichten 107M und die ITO-Schicht 107I umfasst, die alle im wesentlichen die gleichen Dicke wie in dem Lochmaskenverfahren aufweisen, werden dann über die gesamte Oberfläche der ITO-Schicht 101 abgeschieden, wobei entweder die konventionelle Vakuumabscheidung oder bei Polymeren Schleuder- oder Sprühbeschichtungstechniken angewendet werden. Die ITO/Metall-Sandwich-Schicht 107 besteht aus einer weniger als 10 nm (100 Å) dicken Metallschicht mit geringer Austrittsarbeit 107M, die direkt auf der ETL-Schicht 106 abgeschieden ist und einen 100 bis 400 nm (1.000 bis 4.000 Å) dicken ITO-Schicht 1071 auf der Metallschicht 107M umfasst. Auf der gesamten oberen Oberfläche der ITO-Schicht 107I wird eine 100 bis 200 nm (1.000 bis 2.000 Å) dicke Schicht von Silikonnitrit oder Silikondioxyd als Maskenmaterial 108 abgeschieden, wobei eine Plasma-CVD mit niedriger Temperatur verwendet wird. Eine positive photoresiste Schicht 109, wie HPR 1.400J, wird dann auf die Silikonnitridschicht 108 geschleudert. Wie 13B zeigt, werden dann die äußeren Teile 110 (siehe 13A) der Photoresist-Schicht 109 belichtet und mit üblichen photolithographischen Methoden entfernt. Die belichteten äußeren Anteile 110 entsprechen den Gebieten, in denen die unten liegende ITO-Schicht 101 bestrahlt und elektrisch kontaktiert wird. Unter Bezugnahme auf 13C werden die äußeren Teile 111 (definiert in 13B) der Silikonnitridschicht 108, die den entfernten Photoresistteilen entsprechen, unter Benutzung eines CF4 : O2 Plasmas entfernt. Dann werden unter Benutzung des Ionenstrahlfräsens oder einem anderen Plasmaätzverfahren, die exponierten äußeren Anteile der ITO/Metallschichten 107I und 107M entfernt. Eine O2 Plasma wird dann eingesetzt, um stufenweise den entsprechend belichteten äußeren Teil der ETL-Schicht 106, ETL-Schicht 105 und HTL-Schicht 104 und ebenso die übrigen Photoresistschichten 109 zu entfernen, die in der 13D gezeigt sind. Schließlich wird noch einmal ein CF4 : O2-Plasma eingesetzt, um die Silikonnitridmaske 108 zu entfernen, wobei dann die blaue LED-Konfiguration, wie sie in 13D gezeigt wird, erhalten wird.
  • Die gleiche Reihenfolge der Stufen des Trockenätzverfahrens wird auch benutzt, um ein grünes LED 115 auf dem blauen LED zu erzeugen, wobei jedoch SiNx 150, wie gezeigt, darüber gelegt wird, gefolgt von einer Photoresistmaske 113, wie es in der 13E dargestellt ist, um den äußeren Teil der ITO-Schicht 101 zu maskieren. Dann wird die Abscheidung der HTL-Schicht 114, der grünen EL-Schicht 116 usw. durchgeführt (siehe 13F). Die gleichen photolithographischen und Ätztechniken werden auch zur Herstellung der blauen LED's benutzt und werden dann eingesetzt, um die Bildung der grünen LED 115 zu vollenden. Die rote LED 117 wird dann über der grünen LED gebildet, wobei im wesentlichen der gleiche Ätzprozess verwendet wird. Die Passivierungsschicht 119 wird ähnlich wie die Schicht 97 von 12E dann über dem LED-Stapel abgeschieden unter geeigneter Ausbildung der elektrischen Kontakte wie es schon für den Lochmaskenprozess beschrieben worden ist. Eine Photoresistmaske wird benutzt, um das Trockenätzen von Löchern in der Passivierungssschicht 119 zu ermöglichen. Danach wird das Metall 152 in den Löchern abgeschieden. Eine letzte Photoresistschicht und überschüssiges Metall wird dann durch ein Abhebeverfahren entfernt.
  • Nach der Herstellung des LED-Stapels, gleichgültig, ob er durch das Lochmaskenverfahren, durch Trockenätzen oder andere Methoden hergestellt worden ist, muss der Stapel in geeigneter Weise verpackt werden, um akzeptable Leistungen und Zuverlässigkeit der Vorrichtung zu erreichen. Die 14 (A bis C) zeigen erfindungsgemäße Ausführungen zur Erleichterung der Verpackung und zur Herstellung luftdichter Verpackungen von bis zu 4 der vielfarbigen erfindungsgemäßen LED-Vorrichtungen. Die gleichen Bezugszahlen, die in den 14A bis B benutzt wurden, zeigen identische Merkmale wie in 12E an. Die Verpackung kann also mit nahezu der gleichen Struktur wie bei 13F verwendet werden. Unter Bezugnahme auf die 14A ist festzustellen, dass nach dem Überziehen der gesamten Vorrichtung mit einer Isolierschicht 97, wie zum Beispiel SiNx, die Zugangslöcher 120, 122 und 124 unter Verwendung der bekannten Ätz/Lochmaskentechniken hergestellt werden, um die obersten Metallschichten 60M', 60M'' und 60M''' für blaues, grünes und rotes LED (organisches Licht emittierende Diode) Vorrichtungen zu erzeugen. Danach werden geeignete Metallleiterbahnen 126, 128 und 130 (typischerweise aus Gold) in einer Bahn aus den bestrahlten Metallschichten 60M', 60M'' und 60M''' zu den am Rand liegenden Lötbeulen aus Indium 132, 133 und 134 unter Anwendung üblicher Verarbeitungsstufen gebildet. In ähnlicher Weise ist ein Ende der Anodenelektrode durch die Metallleiterbahn 135, die zum Beispiel aus Gold besteht, vorgesehen, die ein inneres Ende hat, das mit der ITO-Schicht 52 kontaktiert und ein äußeres Ende, das an der am Rand liegenden Lötbeule aus Indium 136 endet, was alles durch konventionelle Verfahren erreicht wird. Die Vorrichtung wird dann mit zusätzlichem Isoliermaterial wie SiNx beschichtet, um eine Isolierschicht für die Lötbeulen 132, 133, 134 und 136 zu schaffen, die am Rand liegen. In dieser Art und Weise kann die organische LED-Vorrichtung mit bekannten Methoden verpackt werden oder die Verpackung wird so durchgeführt, wie sie im folgenden beschriebenen wird.
  • Ein Verfahren zur Herstellung von 4 vielfarbigen LED-Vorrichtungen auf einem gemeinsamen Substrat 50 in einer verpackten Ausführung wird nun unter Bezugnahme auf die 14A, 14B und 14C für eine andere Ausführung der Erfindung beschrieben. Das Ausgangsmaterial umfasst das Glassubstrat 50, das mit einer Schicht von Indiumzinnoxyd (ITO) 52 beschichtet ist. Die folgenden Stufen werden benutzt, um eine verpackte vielfarbige organische LED-Anordnung zu erhalten:
    • 1. Maskiere die ITO-Schicht 52, um die SiO2-Schicht 138 in einem konzentrischen, viereckigen Bandringmuster abzuscheiden unter Anwendung konventioneller Techniken.
    • 2. Bilde vier dreifarbige LED-Stapel, die gemeinsame Schichten in der Region 114 des ITO-Layers 52 aufweisen unter Anwendung von Verfahren, wie sie vorstehend erwähnt sind, beispielsweise für die Strukturen der 12E oder 13F oder 14A.
    • 3. Scheide mittels einer Lochmaske die Metallkontakte 170 bis 182 ab; jeder endet außen auf der SiO2-Schicht 138 und bildet äußere elektrische Verbindungen oder Verbindungskanäle 170' bis 181'. Beachte, dass die Kontakte 126, 128 und 130 in 14A die gleichen sind, wie die drei aufeinander folgenden Kontakte 170 bis 181. Jede Gruppe von drei Kontakten nämlich 170 bis 172, 173 bis 175, 176 bis 178 und 179 bis 181 endet im Inneren oder an anderen Stellen, um eine elektrische Verbindung mit den Metallschichten 60M', 60M'', 60M''' zu erzeugen für jede der vier organischen LED-Vorrichtungen. Ein anderer Metallkontakt 182 wird mittels einer Lochmaske am Rand der ITO-Schicht 52, die allen vier LED-Vorrichtung gemeinsam ist, abgeschieden und erzeugt eine gemeinsame Anodenverbindung. Es ist zu beachten, dass, falls durch geeignete Maskierung oder Ätzung die vier LED-Vorrichtungen in vollständig unabhängigen Schichten erzeugt werden, vier Anodenkontakte erzeugt werden müssen für die spätere Anordnung, damit es in einer Mul tiplexanordnung arbeiten kann. Die vielfarbige LED-Anordnung, die in diesem Beispiel beschrieben ist, ist keine Multiplexanordnung.
    • 4. Scheide mittels einer Lochmaske unter Benutzung einer „L"-geformten Maske in zwei Stufen oder auf photolithographischem Weg zum Beispiel eine zweite SiO2-Schicht 184 in Form eines kontinuierlichen Bandes oder Ringes ab, das bestrahlte Verbindungskanäle 170' bis 181' zurück lässt, indem entweder die Sprühtechnik oder die Plasma unterstütze CVD-Technik oder die Elektronenstrahlabscheidung benutzt wird.
    • 5. Scheide Pb/Sn oder andere bei tiefen Temperaturen schmelzende Lötmassen in einem kontinuierlichen Band oder Ring 186 auf der zweiten SiO2-Schicht oder dem Band 184 ab.
    • 6. Scheide auf dem Boden eines Abdeckglases 188 einen Metallring 190 ab, der mit dem Lötring 186 zusammenfällt.
    • 7. Lege die Anordnung in ein inertes Gas wie trockenen Stickstoff, erhitze sie, um den Lötring 186 zu schmelzen und damit eine luftdichte Versiegelung zu erhalten, in der inertes Gas in der inneren Region 192 enthalten ist.
    • 8. Lege ein Deckglas 188 über die Anordnung, wie es in der 14B gezeigt wird, wobei der Metallring 190 an den Lötring 186 stößt.
  • In 15 wird ein Display 194 gezeigt, der ein organischer RGB LED-Display ist. Die Pünktchen 195 sind Ellipsen. Ein kompletter Display 194 umfasst eine größere Anzahl von Pixeln 196. Die Pixel sind als eine XY-Matrix so angeordnet, dass sie die gesamte Oberfläche der mit ITO beschichteten Glasplatte bedecken. Jeder Pixel enthält eine gestapelte LED-Struktur, wie es in 2 gezeigt ist. An Stelle von festen Spannungsgebern wie den Batterien 30, 31 und 32 (2) ist jede der in 2 als blau (B), grün (G) und rot (R) bezeichneten Anschlussleitungen mit geeigneten horizontalen und senkrechten Scannern 197 und 198 verbunden, die alle von einem Displaygenerator 199 gesteuert werden, der ein Fernsehgerät sein kann. Dementsprechend hat jede Matrix von LED's wenigstens zwei Achsen (x, y) und jede LED liegt an dem Schnittpunkt von wenigstens zwei dieser Achsen. Die X-Achse kann eine horizontale Achse und die Y-Achse eine senkrechte Achse darstellen. Es ist gut bekannt, wie Fernsehsignale wie die NTSC-Signale in die Farbkomponenten R, G und B für Farbdisplays umgewandelt werden können. Bildschirme für Computer, die rot, grün und blau als Primärfarben benutzen, sind auch bekannt. Der Antrieb und die Steuerung von solchen Vorrichtungen durch vertikale und horizontale Abtasttechniken sind ebenfalls bekannt. Die gesamte Anordnung der Pixelstrukturen, die sich auf der Oberfläche des Displays befinden, kann mit typischen X/Y-Scanntechniken abgetastet werden. Diese Techniken werden in aktiven Matrix-Displays benutzt.
  • Man kann die Impulsdauermodulation verwenden, um die roten, grünen und blauen Eingänge von jedem, der DH LED-Pixel gemäß dem gewünschten Signalgehalt selektiv einzuschalten. So wird jedes LED in jeder Leitung des Displays selektiv angesprochen und durch viele Mittel wie Pulsdauermodulationssignale oder durch stufenweise erzeugte Spannungen beeinflusst, um diese Vorrichtungen zu befähigen, einzelne Farben oder viele Farben auszustrahlen, so dass das Licht, das aus diesen Strukturen ausgestrahlt wird, ein Bild mit vorbestimmter Gestalt und Farbe bildet. Man kann auch fortlaufend jede der X/Y-Achsen scannen und fortlaufend ausgewählte LED's in der Matrix einschalten, um Licht zur Herstellung eines Bildes auszustrahlen, wobei die Farben fortlaufend senkrecht gebildet werden. Ausgewählte LED's können gleichzeitig eingeschaltet werden.
  • Wie oben gezeigt, erlaubt die in 2 gezeigte senkrechte Lagerungstechnik die Herstellung von dreifarbigen DH LED-Pixeln innerhalb extrem kleiner Flächen. Das ermöglicht, Displays mit hohem Auflösungsvermögen herzustellen, wie Displays, die 300 bis 600 Linien pro Zoll Auflösung oder mehr haben. Solch hohe Auflösung wäre erheblich schwieriger mit den bisher bekannten Techniken zu erhalten, bei denen die organischen Emissionsschichten oder fluoreszierenden Medien, die die verschiedenen Farben erzeugen, seitlich getrennt voneinander angeordnet sind.
  • Auf der Grundlage moderner Standards kann man eine LED-Vorrichtung, wie sie in 2 gezeigt wird, mit einer genügend kleinen wirksamen Oberfläche herstellen, um hunderte von Pixeldioden vertikal und horizontal auf einem Gebiet eines Quadratzolls zu schichten. Deshalb ermöglichen die Herstellungsverfahren es, eine extrem hohe Auflösung mit hoher Lichtintensität zu erreichen.
  • In 16 wird eine andere erfindungsgemäße Ausführungsform für eine vielfarbige LED-Vorrichtung gezeigt, die das Aufeinanderstapeln von bis zu N individuellen LED's umfasst, wobei N eine Zahl 1, 2, 3 ... N ist.
  • Abhängig von dem Stand der Technik in der Zukunft wird N eine praktische Grenze haben. Die gestapelten N-Schichten auf LED's können beispielsweise durch ein Lochmaskenverfahren hergestellt werden, wie es bereits für die 12 (A bis E) beschrieben ist oder durch ein Trockenätzungsverfahren, das in den 13A bis 13F dargestellt ist. Die Grundschicht der gestapelten Anordnung von 16 ist ein Glassubstrat 102, wie es in 13F zum Beispiel mit einer ITO-Schicht 101 gezeigt ist, die über dem Substrat 102 ausgebildet wird. Die unmittelbar darüber liegende erste LED-Vorrichtung sowie die folgenden LED-Vorrichtungen in diesem Beispiel können in der Reihenfolge oberhalb der ITO-Schicht 101 eine HTL-Schicht 154, eine EL-Schicht 156, eine ETL-Schicht 158, eine Metallschicht 160 und eine ITO-Schicht 162 umfassen. Die Nth-Schichten enthaltende LED-Vorrichtung 164 enthält als oberste Schicht eine Metallschicht (siehe Schicht 152 von 13F), die über der höchsten ITO-Schicht 162 gebildet ist. Eine Passivierungsschicht ist über den Stapel gelegt, wie es in dem Farbstapel von 13F gezeigt wird. Das Material für jede EL-Schicht 156 von jeder LED-Vorrichtung wird zur Erzeugung einer besonderen Farbe ausgewählt. Wie in dreifarbigen Vorrichtungen müssen die Vorrichtungen für kürzere Wellenlängen (blau) niedriger im Stapel liegen, als die Vorrichtungen für längere Wellenlängen (rot), um eine optische Absorption durch die rot emittierenden Schichen zu verhindern. Die für jede LED ausgewählte Farbe und die Anzahl der gestapelten LED's hängen von der besonderen Anwendung, sowie von den gewünschten Farben und Schattierungen ab. Solche vielfarbigen Vorrichtungen können auch in optischen Kommunikationsnetzwerken verwendet werden, bei denen jeder der verschiedenen optischen Kanäle eine bestimmte, von einer Vorrichtung in dem Stapel emittierte Wellenlänge benutzt. Die konzentrische Natur des ausgestrahlten Lichts erlaubt das Koppeln verschiedener Wellenlängen in eine einzelne optische Transmissionsfaser. In solchen gestapelten Vorrichtungen werden Löcher bis herunter zur ITO-Schicht 162 gebildet, gefolgt von der Abscheidung einer geeigneten Metallisierung, um das Verpacken und die elektrische Verbindung von jeder LED-Vorrichtung in dem Stapel zu erleichtern, was in ähnlicher Weise geschieht, wie es bei den gestapelten vielfarbigen LED-Vorrichtungen der 14A, 14B und 14C beispielsweise beschrieben worden ist.
  • Diese Vorrichtung kann zur Herstellung eines preiswerten, hoch auflösenden, farbkräftigen, flachen Display beliebiger Größe verwendet werden. Das erweitert den Umfang der Erfindung von Displays, die nur einige mm groß sind, bis zu der Größe eines Gebäudes, hat jedoch eine praktische Obergrenze. Die auf dem Display gebildeten Abbildungen können ein Text oder vielfarbige Illustrationen mit jeder Auflösung in Abhängigkeit von der Größe der individuellen LED's.
  • Die Erfinder haben erkannt, wenn die vielfarbigen organischen LED's, wie sie oben im Zusammenhang mit der Beschreibung der 1A bis 16 beschrieben worden sind, verbessert werden sollen, um vollständig durchsichtig zu sein, wenn die OLED-Vorrichtungen abgeschaltet werden, direkt für solche durchsichtigen, organisches Licht emittierenden Vorrichtungen, im folgenden TOLED's genannt, in Heads-up Displays und andere Anwendungen eingesetzt werden können. Für die Zwecke dieser Beschreibung sind die Heads-up Displays im Wesentlichen durchsichtig für einen Benutzer, wenn sie abgeschaltet sind, wodurch sie die Eigenschaft der Durchsichtigkeit zeigen. Wenn eine oder mehrere der Vorrichtungen eingeschaltet werden, um in die sem Beispiel Licht auszustrahlen, dann würde dieser Teil des Displays einen einzelnen oder vielfarbigen Display mit den oben genannten organischen Displays bestrahlen und den weiter unten beschriebenen Erfindungsgegenstand darstellen. Um das zu erreichen, haben sich die Erfinder Verfahren und Geräte zur Überwindung der Schwierigkeiten ausgedacht, die bisher bei der Ablagerung von durchsichtigen elektrischen Kontakten auf weichen Materialien bestanden, wie sie in organisches Licht emittierenden Vorrichtungen (OLED's) benutzt werden, ohne Schaden an den darunter liegenden Schichten anzurichten, wie sie typischerweise bei den bekannten Verfahren auftreten. Die Erfinder haben erkannt, dass bei der Überwindung dieser Probleme OLED-Vorrichtung in Heads-up Displays benutzt werden können, die eine Anzahl anderer Display-Technologien verwenden, die selbst von den im folgenden beschriebenen Ausführungsformen der Erfindung zur Herstellung von Kontakten, die im Wesentlichen durchsichtig sind, Nutzen haben würden. So sind beispielsweise Anwendungen, die aus der vorliegenden Erfindung Nutzen ziehen können, Heads-up Displays, die im Mützenschirm eines Helms für Motorradfahrer oder im Helm eines Jet-Piloten eingesetzt werden, die mit OLED's ausgestattet sind, um einen direkten Blick auf Anzeigeinstrumente, Landkarten, Straßenkarten usw. ermöglichen. Andere Anwendungen, in denen OLED's in Heads-up Displays eingesetzt werden, umfassen Windschutzscheiben, Teleprompter usw. Dementsprechend wird angenommen, dass die im Folgenden beschriebenen Verkörperungen der Erfindung einen entscheidenden Schritt vorwärts im Stand der Technik darstellen.
  • Es sind bereits Verfahren zur Abscheidung von durchsichtigen Kontakten auf harten Materialien bekannt oder auf Materialien, die durch Temperaturen über 50°C nicht beeinträchtigt werden, wie Silicium, das beispielsweise in anorganischen Solarzellen benutzt wird. Es sollte auch festgehalten werden, dass das nachfolgend beschriebene Verfahren und die Vorrichtung auch zur Abscheidung von durchsichtigen Kontakten auf harten Materialien verwendet werden kann, obwohl der entscheidende Vorteil des unten beschriebenen, erfindungsgemäßen Beispiels in der Bildung von durchsichtigen Kontakten auf weichen Materialien wie organischen Schichten besteht.
  • Es sollte festgehalten werden, dass die erfindungsgemäßen Beispiele zur Herstellung von OLED's, wie sie oben im Zusammenhang mit der US-Stammanmeldung Serial No. 08/354,674 beschrieben sind, Vorrichtungen ergibt, die ein Luminszensband aufweisen, das im Wesentlichen um 0,5 eV nach rot vom Absorptionsband verschoben ist. Im Ergebnis sind die vorliegenden OLED's hoch durchsichtig über ihr eigenes Emissionsspektrum und durch den größten Teil des sichtbaren Spektrums und zeigen damit eine Eigenschaft, die in Licht ausstrahlenden anorganischen Halbleitern bisher nicht gefunden worden ist. Durch den Einsatz der nachfolgend beschriebenen, im Wesentlichen durchsichtigen Kontakte haben die Erfinder eine neue Klasse von durch Vakuumabscheidung gewonnenen organischen Lumineszensvorrichtungen gewonnen, die mehr als 71% durchsichtig sind, wenn sie abgeschaltet sind, und in der Lage sind, Licht von dem oben und unten angeordneten Diodenoberflächen auszustrahlen, das eine hohe Effizienz aufweist, wenn sie eingeschaltet sind (mit 1% oder mehr Quantum-Wirksamkeit).
  • Um die vorstehend beschriebenen Ergebnisse zu erreichen bestand das erste Problem für die Erfinder darin, ein Metall zu entdecken, das in der Lage ist, eine gute chemische Bindung mit einer darunter liegenden organischen Schicht zu bilden, um ausreichende mechanische Stabilität zu ergeben. Es wurde erkannt, dass ein solches Metall durch die Verwendung eines Films aus einer Magnesium (Mg) und Silber (Ag) Legierung zur Verfügung gestellt werden kann. Jedoch können auch andere Metalle und/oder Metalllegierungsfilme wie mit Fluor dotierte Zinnoxide, Ca, In, Al, Sm, Y, Yb, MgAl und verschiedene Legierungen, die diese Materialien enthalten, an Stelle von Filmen aus Metalllegierungen Mg : Ag angewendet werden (siehe Tang et al., US 5 294 870 ). Filme aus Mg : Ag werden derzeit als besonders bevorzugt für die vorliegende Erfindung angesehen. Wenn der Kontakt aus einem einzelnen Metall besteht, muss das Metall eine niedrige Austrittsarbeit zeigen. Wenn der Kontakt aus einer Metalllegierung besteht, dann muss wenigstens eines der Metalle eine niedrige Austrittsarbeit aufweisen. Bei Verwendung von Mg : Ag hat Mg eine niedrige Austrittsarbeit. Außerdem muss das ausgewählte Metall eine gute e lektrische Bindung mit der organischen Schicht eingehen, wie es durch Versuche mit verschiedenen Materialien bestimmt werden kann. Eine gute elektrische Bindung stellt sicher, dass der Metallkontakt oder die Elektrode eine genügend große Anzahl von Elektronenin die organische Schicht einträgt.
  • Nach Lösung des ersten Problems zur Herausfindung eines Metalls oder einer Metalllegierung, die sowohl eine gute chemische Bindung als auch einen elektrischen Kontakt mit der darunter liegenden organischen Schicht bildet, bestand das nächste Problem für die Erfinder darin, zu entscheiden, wie der Kontakt durchsichtig gemacht werden konnte unter Beibehaltung der anderen Eigenschaften, wie einen geringen elektrischen Widerstand. Es war bekannt, dass durch Herstellung einer sehr dünnen Metallschicht die gewünschte Durchsichtigkeit der Schicht erzeugt werden konnte. Die Erfinder erkannten jedoch, dass die Schicht dick genug sein muss, um die darunter liegende organische Schicht beim nächsten Verfahrensschritt zu schützen, in diesem Fall bei der Abscheidung einer Zinnoxidschicht (ITO) auf die Metallschicht. Auch muss beispielsweise eine dünne Magnesiumschicht, die schnell oxidiert, mit ITO unmittelbar nach seiner Bildung beschichtet werden, um die Magnesiumschicht zu schützen. Die früheren Verfahren hierfür wurden bei hohen Temperaturen durchgeführt, wodurch die darunter liegende organische Schicht geschädigt werden konnte. Dementsprechend entwickelten die Erfinder ein Verfahren zur Abscheidung der ITO-Schicht auf der Metallschicht bei Raumtemperatur, typischerweise bei 22°C (72F).
  • Die ITO-Schicht ist nicht nur durchsichtig, sondern auch elektrisch leitend und vermindert deshalb den elektrischen Widerstand des vielschichtigen Kontaktes, der mit Mg : Ag gebildet ist. Die ITO-Schicht kann selbst nicht benutzt werden, weil sie typischerweise keine gute Bindung mit dem organischen Material eingeht (sie haftet nicht gut auf dem organischen Material) und sie ist typischerweise kein guter Elektroneninjektor in die organische, elektrolumineszierende Schicht. Die Magnesium : Ag-Schicht hingegen zeigt eine gute Bindung zu der organischen Schicht und zu der ITO-Schicht und ist ein guter Elektroneninjektor.
  • In 17 wird ein Querschnitt durch einen von den Erfindern hergestellten Prototypen gezeigt, der eine durchsichtige organische Licht emittierende Vorrichtung (TOLED) ist. In diesem Beispiel wird die Vorrichtung 300 auf einer Glasschicht 302 erzeugt, die vorher mit einem durchsichtigen dünnen, Indium-Zinn-Oxyd (ITO)-Film 304 beschichtet ist, der typischerweise einen Widerstand von 20 Ω (Ω/Quadrat) in Abhängigkeit von der Dicke des ITO-Films aufweist. Es ist festzuhalten, dass, obwohl das Substrat 302 in diesem Beispiel aus durchsichtigem Glas besteht, es auch aus jedem anderen durchsichtigen harten Material bestehen kann, auf die die ITO-Schicht abgeschieden werden kann, wie zum Beispiel plastischen Materialien. Auch kann der ITO-Film durch irgendein anderes elektrisch leitfähiges Oxyd oder ein leitfähiges durchsichtiges Polymeres ersetzt werden. Vor der Abscheidung des organischen Films wurde das Substrat 302 mit üblichen Verfahren gereinigt. Die Abscheidung erfolgte durch Sublimation in einem Vakuum von <0,00013 Pa (< 10–6Torr) von einer 20 nm (200 Å) dicken Schicht 306 der Loch bildenden Verbindung N,N' Diphenyl-N,N' bis (3-methylphenyl)1-1'biphenyl-4,4'-diamin (TPD), gefolgt von einer 400 A dicken Schicht 308 des Elektronen leitenden und hoch elektrolumineszierenden Alg3 (Aluminium-tris-8-hydroxychinolin).
  • Eine oberste Schicht 310, die einen Kontakt zur Elektroneninjektion an die Vorrichtung 302 vorsieht, wurde durch Abscheidung durch eine Lochmaske (nicht gezeigt) einer dünnen 5 bis 40 nm (50 Å bis 400 Å) halbdurchsichtigen, Magnesium-Legierungselektrode (in einem ungefähren Atomverhältnis von 40 Mg : 1 Ag zum Beispiel hergestellt. Andere atomare Verhältnisse wie 50 Mg : 1 Ag können je nach Anwendung auch benutzt werden, aber es sollte festgehalten werden, dass die Erfindung nicht auf irgendein besonderes Verhältnis der Zusammensetzung des Kontaktmetalls ausgerichtet ist. Schließlich ist die TOLED-Vorrichtung 300 durch eine zweite 400 Å dicke ITO-Schicht 312 bedeckt, erzeugt durch Sprühabscheidung auf die Mg-Ag-Oberfläche der Schicht 310. Diese zweite ITO-Schicht 312 ergibt eine zusammenhängende, durchsichtige, leitfähige Oberfläche, auf der eine zweite TOLED erzeugt werden kann (siehe 12, 13 und 16). Die ITO-Schicht 312 wird so dick als möglich hergestellt, um den Widerstand zu vermindern, solange noch eine akzeptable Durchsichtigkeit bleibt. Die elektrischen Kontakte 314 (negative Polarität) und 316 (positive Polarität) sind mit den ITO-Schichten 312 und 304 mit üblichen Verfahren verbunden.
  • Die Leistung der Vorrichtung 300, gemessen sowohl an der oberen und unteren Substratoberfläche für ein TOLED mit einer 10 nm (100 Å) dicken Mg-Ag-Elektrode 310, ist in 18 gezeigt. Typische Arbeitsbedingungen für solche TOLED-Vorrichtungen, die 1 mm im Durchmesser sind, betragen 10–4 A (Ampere) und 10 V (Volt) Spannung, die an den Enden 314 und 316 angelegt werden. Die Emissionsspektren von beiden Oberflächen sind ähnlich wie bei üblichen Alg3 enthaltenden Vorrichtungen, die früher beschrieben worden sind (C. W. Tang und S. A. VanSlyke, Appl. Phys. Lett., Vol. 51, 913 (1987); und P. E. Burrows und S. R. Forrest, Apl. Phys. Lett., Vol 64, 2285 (1993), obwohl es eine kleine Verschiebung (10 nm) der Emission zum roten Teil des Spektrums bei dem Licht ergibt, das von dem oberen Kontakt im Verhältnis zum unteren Kontakt emittiert wird. Das kann von Unterschieden im Absorptionsspektrum des Mg-Ag im Vergleich zu den ITO-Filmen resultieren und/oder durch eine Absorption an den Grenzflächen in der Mg-Ag/ITO-Elektrode entstehen. Die gesamte innere Quantenwirksamkeit der Lichtemission aus dieser Vorrichtung 300 beträgt 0,75%, was vergleichbar zu der Wirksamkeit von konventionellen, auf Alg3 basierenden TOLED's ist. Eine etwa 10% höhere Intensität wird durch das Substrat 302 emittiert, als durch den oberen Kontakt 312.
  • Die Durchsichtigkeit als Funktion der Wellenlänge eines TOLED's 300 mit einem 10 nm (100 Å) dicken Film 310 wird im Einzelnen in 19 gezeigt. Im Bereich der kurzen Wellenlängen der graphischen Darstellung wird die Vorrichtung undurchlässig wegen einer Kombination der ITO-Absorption, Mg-Ag-Absorption und den starken molekularen Übergängen zu den La und Bb Zuständen von Alg3. Es muss jedoch beachtet werden, dass die Vorrichtung zu 63% durchsichtig ist bei der Wellenlänge der höchsten Emission (530 nm) von Alg3, und diese Durchsichtigkeit erstreckt sich über den sichtbaren roten Bereich. Ein gewisser Verlust tritt offensichtlich im Infrarotbereich auf, der auch durch die Absorption durch den oberen Mg-Ag-Kontakt entsteht. 20 zeigt die Durchlässigkeit des Mg-Ag-Kontakts bei einer Wellenlänge von 530 nm mit einer Dicke des Mg-Ag-Films 310 zwischen 45 nm (50 Å bis 400 Å). Durchsichtigkeiten von 92% wurden bei den dünnsten Mg-Ag-Filmen beobachtet. Die dünnste, noch arbeitende TOLED-Vorrichtung, die bisher von den Erfindern hergestellt wurde, hatte eine Dicke von 7,5 nm (75 Å) beim Mg-Ag-Kontakt 310, entsprechend einer Kontaktdurchsichtigkeit von 81% und einer Durchsichtigkeit der gesamten Vorrichtung von 71%. Das Abfallen der geraden Linie passt zu den Daten der 20 und ergibt einen optischen Absorptionskoeffizienten des Mg-Ag von 1,1 × 106 cm–1, der mit einer berechneten Schichtdicke von 18 nm (180 Å) in Übereinstimmung steht.
  • Es ist zu betonen, dass die als Prototyp hergestellten TOLED-Vorrichtungen, die oben beschrieben wurden, im grünen Spektralbereich emittieren, dass sie aber genauso gut auch für organische Vorrichtungen eingesetzt werden können, die in irgendeiner anderen Region des sichtbaren Spektrums emittieren, weil die große Franck-Condon Rotverschiebung von der Absorption zur Emission für viele organische Materialien charakteristisch ist. Benutzt man einfache Herstellungsverfahren, dann ist es möglich, unabhängig voneinander ansprechbare Stapel von vielfarbig emittierenden Elementen herzustellen. Außerdem kann diese Struktur auch für Polymer-basierende OLED's eingesetzt werden, wie weiter oben bereits betont worden ist. Zum Beispiel sind dünne Filmschichten aus Mg : Ag-Legierungen mit einer darüber liegenden ITO-Schicht in ähnlicher Weise oben zur Herstellung der Schichten 26M und 26I für die O-LED-Vorrichtungen der 2A, 2B und 2C beschrieben, um verbesserte durchsichtige Kontakte 26 herzustellen. Und für die Schichten 60M und 60I der 12B, 12C, 12D und 12E und die Schichten 107M und 107I der 13A, 13B, 13C, 13D, 13E und 13F zur Herstellung von verbesserten durchsichtigen Kontakten 60 und 107 können sie auch eingesetzt werden. In ähnlicher Weise können die Mg : Ag-Schichten 310 mit den darüber liegenden ITO-Schichten 312 an Stelle von Metallschichten 60M', 60M'' und 60M''' der OLED-Vorrichtungen von 14A eingesetzt und an Stelle von Metallschichten 160 der OLED-Vorrichtung von 16. Auf diese Weise sind vielfarbige TOLED-Vorrichtungen erhältlich.
  • Jetzt wird das Verfahren und die Vorrichtung zum Anbringen durchsichtiger Kontakte auf einer organischen Materialschicht beschrieben, und zwar sowohl für organische Licht emittierende Vorrichtungen als auch für andere Vorrichtungen. Bei diesem Beispiel besteht die erste Stufe darin, einen dünnen Film der Mg : Ag-Legierung in einem bevorzugten Mengenverhältnis wie 40 : 1 auf einer organischen Schicht abzuscheiden, wobei eine gemeinsame thermische Verdampfung der genannten Metallatome erfolgt. Wie früher unter Bezugnahme auf 20 gezeigt wurde, ist die Dicke des Films der Metalllegierung entscheidend für die Durchsichtigkeit des entstehenden Kontakts. Ein System oder ein Gerät, um dieses zu erreichen, ist schematisch in 21 gezeigt. Es ist zu betonen, dass in der folgenden Beschreibung des Verdampfungssystems und anderen erfindungsgemäßen Systemen die aktuellen, von den Erfindern in diesem Beispiel benutzten Komponenten in einer Stückliste zusammen mit den Namen und Adressen der Hersteller, die diese Komponenten liefern, angegeben sind.
  • Das Verdampfungssystem zum Abscheiden des Mg : Ag-Films auf einem organischen Substrat, wie es in 21 gezeigt ist, wird nun im Einzelnen beschrieben:
    Die Mg : Ag-Filmverdampfung wird in einer Vakuumkammer E1 durchgeführt, mit einem Druck von etwa 0,000013 Pa (10–7Torr), der durch eine Alcatel 1501/sec. Turbopumpe (E2) zusammen mit einer Alcatel Grobpumpe (E3) und einer Kältefalle (E4) erzeugt wird. Die Silber und Magnesium Ausgangsmetalle werden in Molybdänschiffchen (E5) gelegt, die durch Widerstandsheizung mit 10 KW (E6) und 1 KW (E7) erhitzt werden, um das Mg : Ag zu verdampfen. Das Substrat (E8) wird 30 cm (D1) über den Mo-Schiffchen (E5) positioniert und auf diesem Platz durch einen Wasser gekühlten, nicht rotierenden Substrathalter (E9) gehalten. Den Schieber (E10), der in dem Weg zwischen den Mo-Schiffchen (E5) und dem Substrat (E8) positioniert ist, kann ferngesteuert in die offene oder geschlossene Position gesteuert werden und so die Abscheidung des Mg : Ag-Films auf dem Substrat (E8) durch den Mg : Ag- Dampf ermöglichen oder blockieren. Es ist zu bemerken, dass in einem bevorzugten Abscheidungssystem der einzelne Schieber (E10) durch zwei Schieber (E10A, E10B, nicht gezeigt) ersetzt werden kann, um unabhängig voneinander die Abscheidung des Magnesiums und Silbers auf dem Substrat zu steuern. Die Dicke des niedergeschlagenen Films wird durch einen Filmdickenprüfer (E11) bestimmt, der neben dem Substrat angebracht ist. Zwei weitere Dickenmesser (E12, E13) sind über jedem Molybdänschiffchen (E5) angeordnet, um unabhängige Messungen für die Verdampfungsgeschwindigkeiten aus den beiden Schiffchen durchzuführen.
  • Das System von 21 arbeitet in den folgenden Schritten, um den Mg : Ag-Film auf dem Substrat (E8) niederzuschlagen:
    Die Lage des Schiebers (E10) ist in der geschlossenen Stellung.
  • Die Abscheidungskammer (E1) wird evakuiert, bis ein Druck von 0,000013 Pa (1 × 10–6Torr) (vorzugsweise kann der Bereich zwischen 0,73 bis 0,000000013 Pa (10–3Torr bis 10–10Torr) liegen.
  • Schalte die 10 KW Stromversorgung (E6) an und erhöhe die Temperatur langsam, bis das Ag zu schmelzen beginnt.
  • Stelle die Ag-Dichte und akustische Impedanz auf dem Monitor (E11) für die Dichte des Substratfilms ein.
  • Stelle die Leistung der 10 KW Stromversorgung (E6) so ein, dass die Abscheidungsgeschwindigkeit von Ag, wie sie durch die Substratdicke des Monitors (E11) gemessen wird 0,01 nm/s (0,1 Å/s) beträgt. Sie kann jedoch auch bis zu 5 Å/s sein. Es ist zu betonen, dass die Geschwindigkeit (R1) durch den Monitor für die Silberdicke registriert wird.
  • Halte R1 während des gesamten Abscheidungsprozesses konstant, indem die Leistung 10 KW Stromversorgung (E6) entsprechend angepasst wird.
  • Gebe die Mg-Parameter für die Dicke des Substratfilms in den Monitor (E11) ein.
  • Stelle die Leistung der 1 KW Stromversorgung (E7) so ein, dass die Abscheidungsgeschwindigkeit von Mg, wie sie durch den Monitor (E11) für die Substratdicke registriert wird 0,5 nm/s (5 Å/s) beträgt, die in diesem Beispiel bevorzugt ist, jedoch auch in dem Bereich von 0,01 bis 1 nm/s (0,1 Å/s bis 10 Å/s) liegen kann. Es ist zu betonen, dass die Geschwindigkeit (R2) durch den Monitor (E13) für die Mg-Dicke gemessen wird.
  • Halte R2 während des ganzen Abscheideprozesses konstant, indem Leistung der 1 KW Stromversorgung (E7) angepasst wird wie es erforderlich ist.
  • Befestige das Substrat (E8) an dem Substrathalter (E9).
  • Befestige den Schieber (E10) in der offenen Stellung.
  • Scheide etwa 10 nm (etwa 100 Å) der Mg : Ag-Liegierung ab, welches in diesem Beispiel bevorzugt ist, jedoch kann die Abscheidung auch im Bereich zwischen 5 und 50 nm (50 Å bis 500 Å) liegen.
  • Wenn der Mg : Ag-Legierungsfilm auf dem Substrat (E8) niedergeschlagen ist, wird das Substrat von der thermischen Evaporationskammer (E3) mittels der verschlossenen Ladungskammer (S4) (siehe 22) zu einer Bedampfungskammer (S1) eines RF Bedampfungssystems transportiert. Während dieses Transports wird die Probe im Vakuum gehalten oder in einer inerten Gasatmosphäre wie Stickstoff oder Argon durch Anwendung der verschlossenen Ladungsklammer (S4).
  • Danach wird ein Indium-Zinn-Oxyd (ITO) auf der Mg : Metallaluminium-Legierungsschicht durch RF-Bedampfung in der Kammer (S1) abgeschieden. Der Widerstand dieses ITO-Films beträgt 1,5 × 10–3 Ω × cm. In diesem Beispiel ist der ITO-Film 40 nm (400 Å) dick.
  • Das Bedampfungssystem, wie es in 23 in diesem Beispiel gezeigt ist, befindet sich in einer Hochvakuumkammer (S1) mit einem Druck zwischen 0,13 und 0,000000013 Pa (1 × 10–3Torr bis 1 × 10–10Torr). Ein geringerer Druck ist bevorzugt, um eine Wechselwirkung mit den umgebenden Gasen zu vermindern, der durch eine CTI Cryogenix Cryo Torr-8-cryopumpe (S2) aufrecht erhalten wird. Mittels eines Schiebeverschlusses (S3) ist diese Kammer mit der verschlossenen Ladungskammer (S4) verbunden mit einem Druck zwischen atmosphärischen Druck und 0,000000013 Pa (1 ×10–3Torr) (ein niedrigerer Druck ist bevorzugt), der durch eine Leybold Turbovac 50 Turbopumpe (S5) aufrecht erhalten wird. Durch die Lastverriegelungskammer (S4) werden Proben in das Bedampfungssystem eingeführt und nach Vollendung der Abscheidung herausgenommen. In diesem Beispiel besteht das zu bedampfende Werkstück (S6) aus 10% SnO2 und 90% In2O3 bei 99%-iger Reinheit. Das Werkstück (S6) hat einen Durchmesser von 2 Zoll mit einer Dicke von einem Achtel Zoll. Eine Stützplatte aus Kupfer (S17), ein Achtel Zoll dick, stützt die hintere Seite des Werkstückes, um ein Überhitzen oder Brechen des Werkstückes (S6) zu verhindern. Das Werkstück (S6) wird in eine AJA International Magnetron Bedampfungsvorrichtung (S7) eingeführt, die mit einer hoch entwickelten Energy RF-Stromversorgung (S8) angetrieben (mit einer Maximalleistung von 600 W und einer Frequenz von 13,56 MHz) in Verbindung mit einem sich selbst einstellenden Anpassungsnetzwerk (S9) betrieben wird. Jede RF-Stromversorgung, die wenigstens 20 W liefert, ist ausreichend. Ein Schieber (S10), der über der Bedampfungsvorrichtung (S7) und dem Werkstück (S6) positioniert ist, kann in eine offene oder geschlossene Position eingestellt werden, um entweder die Abscheidung eines Bedampfungsfilms auf dem Substrat zu ermöglichen oder zu verhindern. Das Substrat (S11) befindet sich 15 cm (D2) über dem zu bedampfenden Werkstück (S6) und wird durch einen Wasser ge kühlten, nicht rotierenden Substrathalter (S12) festgehalten. Es ist zu betonen, dass D2 vorzugsweise im Bereich zwischen 5 und 30 cm liegt, aber auch größer sein kann. Die Dicke des abgeschiedenen Films wird durch einen Monitor zur Dickenmessung (S13) gemessen, der neben dem Substrat (S11) angebracht ist. Das Bedampfungsgas ist eine Mischung von Argon (Ar) (99,9990% rein) und Sauerstoff (O2) (99,998% rein). Der Gasfluss in die Bedampfungskammer (S1) wird durch einzelne MKS Massenflussregler (S14) gesteuert.
  • Der Gasdruck innerhalb der Bedampfungskammer (S1) wird durch einen MKS Baratrontyp 121A Druckwandler (S15) überwacht und durch ein Schmetterlingsventil (S16), das vor der Cryopumpe (S2) angebracht ist, kontrolliert.
  • Das Bedampfungssystem von 23 wird betrieben, um die Ablagerung einer ITO-Schicht auf der Mg : Ag-Schicht zu erreichen und besteht aus den folgenden Verfahrensschritten:
    Nimm die Probe aus der Vakuumkammer (E1).
  • Führe die Probe in die Lastverriegelungskammer (S4) ein.
  • Evakuiere die Lastverriegelungskammer, bis sie ihren niedrigsten Druck erreicht.
  • Überführe die Probe in die Sprühkammer (S1) und positioniere sie über den zu beschichtenden Werkstück (S6).
  • Bringe den Schieber (S10) in die verschlossenen Position.
  • Stelle den Argon (Ar)-Gasfluss in die Sprühkammer (S1) auf eine bevorzugte Geschwindigkeit von 200 sccm ein (die Geschwindigkeit kann zwischen 20 und 1.000 sccm liegen in Abhängigkeit von der Pumpgeschwindigkeit des Systems). Und der Sauerstoff 02 soll eingestellt werden auf vorzugsweise 0,1 sccm (der Bereich kann zwischen 0,0 sccm bis 100 sccm liegen in Abhängigkeit von der Gasflussgeschwindigkeit des Argons und der Bedampfungsstärke, wobei ein größerer Fluss von 02 für eine höhere Bedampfungsstärke erforderlich ist).
  • Stelle das Schmetterlingsventil (S16) auf einen Gaskammerdruck von 2,6 Pa (20 m Torr) ein, der in diesem Beispiel bevorzugt ist, oder auch auf einen niedrigeren Druck von 1 m Torr, aber der Druck muss ausreichend sein, um die Zündung des Plasmas zu ermöglichen und das Plasma aufrecht zu erhalten.
  • Stelle die Stromversorgung (S8) auf eine Leistung zwischen 15 W bis 30 W ein. Sobald das selbstzündende Anpassungsnetzwerk (S9) seine optimale Einstellung findet, sollte das Plasma zünden.
  • Vermindere den Druck innerhalb der Sprühkammer (S1) auf 0,65 Pa (5 m Torr) durch Einstellen des Schmetterlingsventils (S16), um das Plasma aufrecht zu erhalten, sobald die Stromstärke im nächsten Verfahrensschritt abnimmt.
  • Vermindere langsam die Leistung der RF-Stromversorgung (S8) bis auf 5 W oder weniger und stelle dadurch sicher, dass das Anpassungsnetzwerk (S9) genug Zeit hat, um auf den Wechsel zu reagieren.
  • Bringe den Schieber (S10) in die offene Stellung.
  • Scheide zwischen 5 bis 60 nm (50 Å bis 600 Å) von ITO ab, in Abhängigkeit von dem gewünschten Gleichgewicht zwischen der Durchsichtigkeit der ITO-Schicht und seiner elektrischen Leitfähigkeit.
  • Es ist zu beachten, dass ein wichtiges erfindungsgemäßes Merkmal die Verwendung einer niedrigen RF-Stromstärke (5 W oder weniger) beim Bedampfen des ITO zur Abscheidung eines dünnen ITO-Films auf der Mg : Ag-Schicht ist, um einen Beschädigung der darunter liegenden organischen Schicht zu vermeiden. Die RF-Stromstärke kann unter 5 W durch Anwendung verschiedener Gasmischungen in der Sprühkammer vermindert werden, wie 1 Xe : 10 Ar oder 1 CH3 : 20 Ar, um eine Beschädigung der organischen Schicht während der Wachstumsgeschwindigkeit des ITO-Films zu vermeiden. Vorzugsweise sollte die RF-Stromstärke in der Sprühkammer langsam reduziert werden, bis auf die minimale Wattleistung, um die Zündung des Plasmas aufrecht zu erhalten.
  • Eine Stückliste, wie sie unten in der Tabelle 1 gezeigt wird mit den Bezeichnungen (E1) bis (E13) für das Abscheidungssystem von 21 und (S1) bis (S17) für das Sprühsystem von 23, enthält die Beschreibung, die Teile und die Modellnummern und die dazu gehörigen Hersteller. Der Tabelle 1 folgt eine Liste der Hersteller, die die vollen Namen der genannten Hersteller zusammen mit ihrer letzten bekannten Adresse und Telefonnummern angibt. Es sollte beachtet werden, dass die Erfindung nicht auf die genannten Komponenten Teile und Hersteller beschränkt ist, sondern nur die von den Erfindern benutzten Vorrichtungen vollständig beschreiben soll, die sie benutzt haben, um ihre Erfindung zu entwickeln.
  • Figure 00450001
  • Figure 00460001
  • Liste der Hersteller:
  • Adv. Energy:
    Advanced Energy Industries, Inc.
    1600 Prospect Parkway, Fort Collins, CO 80525
    (303) 221-4670
  • AJA Intern.:
    AJA International
    North Scituate, MA 02060
    (800) 767-3698
  • Alcatel:
    Alcatel Vacuum Products, Inc.
    Hingham, MA 02043
    (617) 331-4200
  • CTI:
    CTI-Cryogenics
    Mansfield, MA 02048
    (508) 337-5000
  • DCA Inst.:
    DCA Instruments, Inc.
    400 West Cummings Park, Suite 3900, Woburn, MA 01801
    (617) 937-6550
  • Denton:
    Denton Vacuum, Inc.
    Moorestown, NJ 08057
    (609) 439-9100
  • Leybold:
    Leybold Vacuum Products, Inc.
    Export, PA 15632
    (800) 443-4021
  • Mathis:
    R. D. Mathis Co.
  • 2840 Gundry Ave., P.O. Box 6187, Long Beach, CA 90806
    (310) 426-7049
  • MDC:
    MDC Vacuum Products Corp.
    Hayward, CA 94545
    (510) 887-6100
  • MKS:
    MKS
    6 Shattuck Rd., Andover, MA 01810
    (508) 975-2350
  • Pure Tech:
    Pure Tech, Inc.
    Carmel, NY 10512
    (914) 878-4499
  • Sycon:
    Sycon Instruments
    6757 Kinne St., East Syracuse, NY 13057
    (315) 463-5297
  • Varian:
    Varian Vacuum Products
    Lexington, MA 02173
    (800) 8-VARIAN
  • Bei einer anderen Ausgestaltung der Erfindung zur Abscheidung der ITO-Schicht 312 auf dem Mg : Ag-Film 310 (siehe 17) wurde kürzlich gefunden, dass die Geschwindigkeit des ITO-Wachstums erhöht werden kann, indem die ersten 5 bis 10 nm (50 bis 100 Å) durch die nicht zerstörende (langsame) oben angegebene Methode erfolgt, gefolgt durch stufenweises Erhöhen der Geschwindigkeit, um den Kontakt 312 dicker zu machen (400 bis 1.000 Å), wobei höhere Stromstärkeneinstellungen für die RF-Stromversorgung (S8) (20 W bis 40 W zum Beispiel) verwendet wurden. Da es schon eine Schutzkappe von 5 bis 10 nm (50 bis 100 Å) gibt, die bei niedrigeren Stromstärkeneinstellungen für (S8) entstanden sind (zum Beispiel 1W bis 7W) muss diese zweite schnell gewachsene ITO-Schicht nicht die Fähigkeit haben, die erste, langsam gewachsene ITO-Schicht zu durchdringen und die darunter liegenden Mg : Ag und organischen Schichten 310 und 308 zu zerstören. Es wurde auch entdeckt, dass Alg3 und verwandte Verbindungen, die als organische Schichten eingesetzt werden, sehr unempfindlich für diese Schädigung sind, während die blauen Verbindungen empfindlich sind. Als Ergebnis übergeben die Erfinder nun eine "doppelte Heterostruktur" (siehe 1A), d. h., sie besteht zuerst aus der TPD 306, dann eine blau emittierende Materialschicht einer Dicke zwischen 5 nm (50 Å) bis 100 nm (1.000 Å), gefolgt von einer Schicht von Alg3 mit einer Dicke von 30 bis 100 nm (300 bis 1.000 Å). Die entstehende TOLED-Vorrichtung luminesziert immer noch blau.
  • Die Fachleute werden die verschiedenen Abwandlungen der Beispiele der Erfindung, wie hier beschrieben worden ist, erkennen. Zum Beispiel kann eine vielfarbige gestaltete LED-Vorrichtung, wie die oben beschriebene dreifarbige Vorrichtung von 2 durch Herstellung der LED 20 aus einer Polymervorrichtung, wie sie in 1C gezeigt ist, oder aus einem abgeschiedenen Metallphosphonatfilm eher hergestellt werden, als alle drei Schichten im Vakuum abzuscheiden. Die beiden übrigen gestapelten LED's könnten auch durch Dampfabscheidung oder andere Techniken hergestellt werden. Auch die Mg : Ag-Legierung kann von 1 Mg : Ag zu 40 Mg zu 1 Ag bis 100 Mg reichen. In einer weiteren Verkörperung können die ITO-Schichten für die TOLED-Vorrichtung durch Bedampfen, Besprühen oder Eintauchen hergestellt werden.

Claims (9)

  1. Organische, Licht emittierende Vorrichtungsstruktur umfassend. ein Substrat; eine erste elektrisch leitende Schicht, die über dem Substrat liegt, wobei die erste elektrisch leitende Schicht eine positive Polarität besitzt; eine transparente, organische, Licht emittierende Schicht, die über der ersten elektrisch leitenden Schicht liegt; eine transparente, elektrisch leitende Metallschicht mit einer Dicke zwischen 5 bis 40 nm (50 bis 100 Å), die über der transparenten, organischen, Licht emittierenden Schicht liegt; und eine zweite elektrisch leitende Schicht, die über der transparenten, elektrisch leitenden Metallschicht liegt, wobei die zweite elektrisch leitende Schicht eine negative Polarität aufweist und ein transparentes, elektrisch leitendes Oxyd, nicht jedoch Indium Zinn Oxyd umfasst.
  2. Organische, Licht emittierende Vorrichtungsstruktur nach Anspruch 1, in der die transparente, elektrisch leitende Metallschicht eine Dicke von weniger als 10 nm (100 Å) hat.
  3. Organische, Licht emittierende Vorrichtungsstruktur nach Anspruch 1, wobei die transparente, elektrisch leitende Metallschicht ein Metall mit einer Austrittsarbeit von weniger als 4 eV aufweist.
  4. Organische, Licht emittierende Vorrichtungsstruktur nach den Ansprüchen 1 bis 3, wobei die transparente, elektrisch leitende Metallschicht Magnesium enthält.
  5. Organische, Licht emittierende Vorrichtungsstruktur nach Anspruch 4, wobei die transparente, elektrisch leitende Metallschicht außerdem Silber enthält.
  6. Organische, Licht emittierende Vorrichtungsstruktur nach den Ansprüchen 1 bis 5, wobei das Substrat transparent ist.
  7. Organische, Licht emittierende Vorrichtungsstruktur nach den Ansprüchen 1 bis 6, wobei das Substrat hart ist.
  8. Organische, Licht emittierende Vorrichtungsstruktur nach den Ansprüchen 1 bis 7, wobei die erste elektrisch leitende Schicht transparent ist.
  9. Organische, Licht emittierende Vorrichtungsstruktur nach den Ansprüchen 1 bis 7, in der die erste elektrisch leitende Schicht eine reflektierende Metallschicht ist.
DE69723964T 1996-03-06 1997-02-15 Transparente kontakte für organische vorrichtungen Expired - Lifetime DE69723964T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US613207 1996-03-06
US08/613,207 US5703436A (en) 1994-12-13 1996-03-06 Transparent contacts for organic devices
PCT/US1997/002681 WO1997033296A1 (en) 1996-03-06 1997-02-15 Transparent contacts for organic devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69723964D1 DE69723964D1 (de) 2003-09-11
DE69723964T2 true DE69723964T2 (de) 2004-06-17

Family

ID=24456322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69723964T Expired - Lifetime DE69723964T2 (de) 1996-03-06 1997-02-15 Transparente kontakte für organische vorrichtungen

Country Status (14)

Country Link
US (6) US5703436A (de)
EP (1) EP0885451B1 (de)
JP (2) JP2000507029A (de)
KR (1) KR100457498B1 (de)
CN (1) CN1123034C (de)
AR (1) AR006136A1 (de)
AT (1) ATE246845T1 (de)
AU (1) AU2278197A (de)
DE (1) DE69723964T2 (de)
ES (1) ES2157694B1 (de)
FR (1) FR2745955A1 (de)
ID (1) ID16137A (de)
IT (1) IT1290030B1 (de)
WO (1) WO1997033296A1 (de)

Families Citing this family (1637)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6358631B1 (en) 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6048630A (en) * 1996-07-02 2000-04-11 The Trustees Of Princeton University Red-emitting organic light emitting devices (OLED's)
WO1998007173A1 (en) * 1996-08-12 1998-02-19 The Trustees Of Princeton University Non-polymeric flexible organic light emitting device
US5986401A (en) * 1997-03-20 1999-11-16 The Trustee Of Princeton University High contrast transparent organic light emitting device display
US5981306A (en) * 1997-09-12 1999-11-09 The Trustees Of Princeton University Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6046543A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
US5917280A (en) * 1997-02-03 1999-06-29 The Trustees Of Princeton University Stacked organic light emitting devices
JP3704883B2 (ja) * 1997-05-01 2005-10-12 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
US6111902A (en) 1997-05-09 2000-08-29 The Trustees Of Princeton University Organic semiconductor laser
JPH10319870A (ja) * 1997-05-15 1998-12-04 Nec Corp シャドウマスク及びこれを用いたカラー薄膜ｅｌ表示装置の製造方法
US5932895A (en) * 1997-05-20 1999-08-03 The Trustees Of Princeton University Saturated full color stacked organic light emitting devices
US6054392A (en) * 1997-05-27 2000-04-25 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and method of forming a contact hole in the same
US6965196B2 (en) 1997-08-04 2005-11-15 Lumimove, Inc. Electroluminescent sign
JP3994482B2 (ja) * 1997-08-27 2007-10-17 双葉電子工業株式会社 マルチカラー有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US7075610B2 (en) * 1997-09-16 2006-07-11 Michael Scalora Liquid crystal display device and light emitting structure with photonic band gap transparent electrode structures
US5877695A (en) * 1997-10-07 1999-03-02 Ericsson, Inc. Visual alarm for a communication module
US6469437B1 (en) 1997-11-03 2002-10-22 The Trustees Of Princeton University Highly transparent organic light emitting device employing a non-metallic cathode
US6150043A (en) 1998-04-10 2000-11-21 The Trustees Of Princeton University OLEDs containing thermally stable glassy organic hole transporting materials
US6413656B1 (en) 1998-09-14 2002-07-02 The University Of Southern California Reduced symmetry porphyrin molecules for producing enhanced luminosity from phosphorescent organic light emitting devices
US6451455B1 (en) 1998-04-01 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Metal complexes bearing both electron transporting and hole transporting moieties
US6420031B1 (en) 1997-11-03 2002-07-16 The Trustees Of Princeton University Highly transparent non-metallic cathodes
DE69841006D1 (de) 1997-10-09 2009-09-03 Univ Princeton Phosphoreszente organische lichtemittierende Vorrichtung
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6337102B1 (en) * 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
EP1928034A3 (de) * 1997-12-15 2008-06-18 Philips Lumileds Lighting Company LLC Lichtemittierende Vorrichtung
WO1999038324A1 (en) * 1998-01-27 1999-07-29 Collaboration Properties, Inc. Multifunction video communication service device
US5994836A (en) * 1998-02-02 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Organic light emitting diode (OLED) structure and method of making same
US6210814B1 (en) 1998-04-10 2001-04-03 The University Of Southern California Color-tunable organic light emitting devices
US6312836B1 (en) 1998-04-10 2001-11-06 The Trustees Of Princeton University Color-tunable organic light emitting devices
US6287712B1 (en) 1998-04-10 2001-09-11 The Trustees Of Princeton University Color-tunable organic light emitting devices
US6387544B1 (en) 1998-04-10 2002-05-14 The Trustees Of Princeton University OLEDS containing thermally stable glassy organic hole transporting materials
EP1048084A4 (de) * 1998-08-19 2001-05-09 Univ Princeton Organische optoelektronische lichtempfindliche verrichtung
US6198091B1 (en) 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with a mixed electrical configuration
US6198092B1 (en) 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration
US6352777B1 (en) 1998-08-19 2002-03-05 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic devices with transparent electrodes
US6451415B1 (en) 1998-08-19 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer
US6278055B1 (en) * 1998-08-19 2001-08-21 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically series configuration
US6297495B1 (en) 1998-08-19 2001-10-02 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic devices with a top transparent electrode
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6274980B1 (en) 1998-11-16 2001-08-14 The Trustees Of Princeton University Single-color stacked organic light emitting device
US6576093B1 (en) 1998-12-17 2003-06-10 Cambridge Display Technology, Ltd. Method of producing organic light-emitting devices
JP2000195664A (ja) 1998-12-24 2000-07-14 Rohm Co Ltd 発光装置
US6295208B1 (en) 1999-02-12 2001-09-25 3Com Corporation Backplate for securing a circuit card to a computer chassis
US6819649B1 (en) * 1999-02-12 2004-11-16 D Data Inc. Electroluminescent multilayer optical information storage medium with integrated readout and compositions of matter for use therein
EP1155406A1 (de) * 1999-02-12 2001-11-21 Tri D Store IP, L.L.C. Auf inkohärentes signal basiertes mehrschichtiges optisches informationsaufzeichnungsmedium
JP2000310969A (ja) 1999-02-25 2000-11-07 Canon Inc 画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法
US7755577B2 (en) * 2005-09-26 2010-07-13 Kyocera Corporation Electroluminescent device
US7001536B2 (en) * 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
JP4619546B2 (ja) * 1999-03-23 2011-01-26 ザ ユニバーシティー オブ サザン カリフォルニア 有機ｌｅｄの燐光性ドーパントとしてのシクロメタル化金属錯体
US6661394B1 (en) * 1999-04-17 2003-12-09 Lg Electronics Inc. Driving circuit for radio frequency plasma display panel
GB2349979A (en) * 1999-05-10 2000-11-15 Cambridge Display Tech Ltd Light-emitting devices
US6597110B1 (en) 1999-05-13 2003-07-22 The University Of Southern California Titanium nitride anode for use in organic light emitting devices
GB2350479A (en) * 1999-05-18 2000-11-29 Seiko Epson Corp Organic light emitting device incorporating a waveguide
JP2000347359A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Fuji Photo Film Co Ltd カラー画像形成方法
US6366017B1 (en) * 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
US6310360B1 (en) 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
US6506505B1 (en) 1999-08-16 2003-01-14 The University Of Southern California Cyclooctatetraenes as electron transporters in organic light emitting diodes
WO2001012576A1 (en) 1999-08-16 2001-02-22 The University Of Southern California Synthesis of cyclooctatetraene derivatives and their use as electron transporters in organic light emitting diodes
US6331438B1 (en) 1999-11-24 2001-12-18 Iowa State University Research Foundation, Inc. Optical sensors and multisensor arrays containing thin film electroluminescent devices
US6458475B1 (en) 1999-11-24 2002-10-01 The Trustee Of Princeton University Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter
KR100794975B1 (ko) * 1999-12-01 2008-01-16 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 유기 ｌｅｄ용 인광성 도펀트로서 ｌ2ｍｘ 형태의 착물
WO2001045182A1 (en) 1999-12-17 2001-06-21 Institute Of Materials Research & Engineering Improved transparent electrode material for quality enhancement of oled devices
US6376904B1 (en) * 1999-12-23 2002-04-23 Rambus Inc. Redistributed bond pads in stacked integrated circuit die package
US6621155B1 (en) * 1999-12-23 2003-09-16 Rambus Inc. Integrated circuit device having stacked dies and impedance balanced transmission lines
KR100721656B1 (ko) 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
US6515417B1 (en) * 2000-01-27 2003-02-04 General Electric Company Organic light emitting device and method for mounting
US6580213B2 (en) 2000-01-31 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US6639357B1 (en) * 2000-02-28 2003-10-28 The Trustees Of Princeton University High efficiency transparent organic light emitting devices
US7233026B2 (en) * 2000-03-23 2007-06-19 Emagin Corporation Light extraction from color changing medium layers in organic light emitting diode devices
US6661029B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-09 General Electric Company Color tunable organic electroluminescent light source
US6913713B2 (en) * 2002-01-25 2005-07-05 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic fibers
US6833984B1 (en) 2000-05-03 2004-12-21 Rambus, Inc. Semiconductor module with serial bus connection to multiple dies
US7122889B2 (en) * 2000-05-03 2006-10-17 Rambus, Inc. Semiconductor module
KR20010104215A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
TW536836B (en) * 2000-05-22 2003-06-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and electrical appliance
US6645645B1 (en) * 2000-05-30 2003-11-11 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent organic light emitting devices
US7339317B2 (en) * 2000-06-05 2008-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers
US6840999B2 (en) * 2000-07-25 2005-01-11 Board Of Regents The University Of Texas System In situ regrowth and purification of crystalline thin films
US6864628B2 (en) 2000-08-28 2005-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound
TW494323B (en) * 2000-08-29 2002-07-11 Ibm System and method for locating on a physical document items referenced in another physical document
TW528967B (en) 2000-08-29 2003-04-21 Ibm System and method for locating on a physical document items referenced in an electronic document
US6617186B2 (en) * 2000-09-25 2003-09-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for producing electroluminescent element
US6884093B2 (en) 2000-10-03 2005-04-26 The Trustees Of Princeton University Organic triodes with novel grid structures and method of production
TW545079B (en) * 2000-10-26 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US7288014B1 (en) 2000-10-27 2007-10-30 Science Applications International Corporation Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel
US6764367B2 (en) 2000-10-27 2004-07-20 Science Applications International Corporation Liquid manufacturing processes for panel layer fabrication
US6545422B1 (en) 2000-10-27 2003-04-08 Science Applications International Corporation Socket for use with a micro-component in a light-emitting panel
US6796867B2 (en) 2000-10-27 2004-09-28 Science Applications International Corporation Use of printing and other technology for micro-component placement
US6620012B1 (en) 2000-10-27 2003-09-16 Science Applications International Corporation Method for testing a light-emitting panel and the components therein
US6935913B2 (en) 2000-10-27 2005-08-30 Science Applications International Corporation Method for on-line testing of a light emitting panel
US6822626B2 (en) 2000-10-27 2004-11-23 Science Applications International Corporation Design, fabrication, testing, and conditioning of micro-components for use in a light-emitting panel
US6762566B1 (en) 2000-10-27 2004-07-13 Science Applications International Corporation Micro-component for use in a light-emitting panel
US6570335B1 (en) 2000-10-27 2003-05-27 Science Applications International Corporation Method and system for energizing a micro-component in a light-emitting panel
US6801001B2 (en) 2000-10-27 2004-10-05 Science Applications International Corporation Method and apparatus for addressing micro-components in a plasma display panel
US6612889B1 (en) 2000-10-27 2003-09-02 Science Applications International Corporation Method for making a light-emitting panel
US7199527B2 (en) * 2000-11-21 2007-04-03 Alien Technology Corporation Display device and methods of manufacturing and control
US6541782B2 (en) * 2000-11-28 2003-04-01 United Microelectronics Copr. Electron beam photolithographic process
US6594446B2 (en) * 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
US6803720B2 (en) * 2000-12-15 2004-10-12 Universal Display Corporation Highly stable and efficient OLEDs with a phosphorescent-doped mixed layer architecture
US6573651B2 (en) * 2000-12-18 2003-06-03 The Trustees Of Princeton University Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films
US6614175B2 (en) 2001-01-26 2003-09-02 Xerox Corporation Organic light emitting devices
US6765348B2 (en) 2001-01-26 2004-07-20 Xerox Corporation Electroluminescent devices containing thermal protective layers
SG118110A1 (en) 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
JP4292245B2 (ja) * 2001-02-05 2009-07-08 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光体、発光素子、及び発光表示装置
EP1358685A1 (de) * 2001-02-06 2003-11-05 Schott Glas Verfahren zur herstellung von licht-emittierenden einrichtungen sowie licht-emittierende einrichtungen
US6762124B2 (en) 2001-02-14 2004-07-13 Avery Dennison Corporation Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure
KR100898304B1 (ko) * 2001-03-02 2009-05-19 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 이중 도우프층, 인광 유기 발광 디바이스
US6596443B2 (en) 2001-03-12 2003-07-22 Universal Display Corporation Mask for patterning devices
US6407408B1 (en) 2001-03-12 2002-06-18 Universal Display Corporation Method for patterning devices
US6811895B2 (en) 2001-03-22 2004-11-02 Lumimove, Inc. Illuminated display system and process
US7048400B2 (en) 2001-03-22 2006-05-23 Lumimove, Inc. Integrated illumination system
KR100686109B1 (ko) * 2001-03-29 2007-02-23 엘지전자 주식회사 이리듐착체 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
US6814642B2 (en) 2001-04-04 2004-11-09 Eastman Kodak Company Touch screen display and method of manufacture
EP1390962B2 (de) 2001-05-16 2023-07-05 The Trustees Of Princeton University Hocheffiziente mehrfarbige elektrophosphoreszente oleds
JP3969698B2 (ja) * 2001-05-21 2007-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4704605B2 (ja) * 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
US20020197393A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-26 Hideaki Kuwabara Process of manufacturing luminescent device
US6580027B2 (en) 2001-06-11 2003-06-17 Trustees Of Princeton University Solar cells using fullerenes
US6657378B2 (en) * 2001-09-06 2003-12-02 The Trustees Of Princeton University Organic photovoltaic devices
GB2376555B (en) * 2001-06-14 2003-05-28 Charles Eickhoff Three dimensional solid colour display
TWI303533B (en) * 2001-06-15 2008-11-21 Oled T Ltd Electroluminescent devices
TW588570B (en) * 2001-06-18 2004-05-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of fabricating the same
WO2003001616A2 (en) * 2001-06-20 2003-01-03 Showa Denko K.K. Light emitting material and organic light-emitting device
US6784016B2 (en) 2001-06-21 2004-08-31 The Trustees Of Princeton University Organic light-emitting devices with blocking and transport layers
US6856086B2 (en) * 2001-06-25 2005-02-15 Avery Dennison Corporation Hybrid display device
US6727970B2 (en) 2001-06-25 2004-04-27 Avery Dennison Corporation Method of making a hybrid display device having a rigid substrate and a flexible substrate
JP2004531867A (ja) * 2001-06-27 2004-10-14 ルミムーブ， インコーポレイテッド 制御可能な透明性度を有するエレクトロルミネセンスパネル
US6664730B2 (en) 2001-07-09 2003-12-16 Universal Display Corporation Electrode structure of el device
US6984934B2 (en) * 2001-07-10 2006-01-10 The Trustees Of Princeton University Micro-lens arrays for display intensity enhancement
US6569697B2 (en) 2001-08-20 2003-05-27 Universal Display Corporation Method of fabricating electrodes
US7071615B2 (en) * 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
CN100505377C (zh) 2001-08-29 2009-06-24 普林斯顿大学理事会 具有含金属配合物的载流子阻挡层的有机发光元件
US7078113B2 (en) 2001-08-29 2006-07-18 The University Of Southern California Organic light emitting devices having carrier transporting layers comprising metal complexes
JP3804858B2 (ja) 2001-08-31 2006-08-02 ソニー株式会社 有機電界発光素子およびその製造方法
US7760165B2 (en) * 2006-09-22 2010-07-20 Global Oled Technology Llc Control circuit for stacked OLED device
CN102785419B (zh) * 2001-09-11 2015-01-14 美国杜邦泰津胶片合伙人有限公司 用于柔性电子器件和光电子器件的热稳定聚萘二甲酸乙二醇酯膜
US6822256B2 (en) * 2001-09-18 2004-11-23 Intel Corporation Forming organic light emitting device displays
US20030054197A1 (en) * 2001-09-20 2003-03-20 Raymond Kwong Annealing modified interface in organic light emitting devices
JP2003123968A (ja) 2001-10-15 2003-04-25 Univ Toyama 有機電界発光素子の製造方法
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
TW519852B (en) * 2001-10-18 2003-02-01 Opto Tech Corp Organic light emitting device capable of projecting white light source and its manufacturing method
GB0127090D0 (en) * 2001-11-10 2002-01-02 Image Portal Ltd Display
US7362046B2 (en) * 2001-11-10 2008-04-22 Image Portal Limited Partial overlapping display tiles of organic light emitting device
DE60230314D1 (de) * 2001-11-13 2009-01-22 Ibm System und verfahren zum auswählen eines elektronischen dokuments aus einem physikalischen dokument und zum anzeigen dieses elektronischen dokuments über dieses physikalische dokument
GB0127581D0 (en) * 2001-11-17 2002-01-09 Univ St Andrews Therapeutic Light-emitting device
US6734457B2 (en) * 2001-11-27 2004-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7053547B2 (en) * 2001-11-29 2006-05-30 Universal Display Corporation Increased emission efficiency in organic light-emitting devices on high-index substrates
SG176316A1 (en) 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
CN100392873C (zh) * 2001-12-07 2008-06-04 张修恒 叠置晶片全彩色发光二极管的封装结构及方法
US7050835B2 (en) 2001-12-12 2006-05-23 Universal Display Corporation Intelligent multi-media display communication system
US20030117378A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-26 International Business Machines Corporation Device and system for retrieving and displaying handwritten annotations
US6863997B2 (en) * 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
US6869695B2 (en) 2001-12-28 2005-03-22 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
US7348946B2 (en) 2001-12-31 2008-03-25 Intel Corporation Energy sensing light emitting diode display
US6936856B2 (en) * 2002-01-15 2005-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Multi substrate organic light emitting devices
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
GB0205212D0 (en) * 2002-03-06 2002-04-17 Elam T Ltd Electroluminescent materials
US6721189B1 (en) * 2002-03-13 2004-04-13 Rambus, Inc. Memory module
KR100844004B1 (ko) * 2002-03-15 2008-07-04 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 소자용 투명 도전막의 제조 방법
DE10215210B4 (de) * 2002-03-28 2006-07-13 Novaled Gmbh Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
US20100026176A1 (en) * 2002-03-28 2010-02-04 Jan Blochwitz-Nomith Transparent, Thermally Stable Light-Emitting Component Having Organic Layers
US6951694B2 (en) * 2002-03-29 2005-10-04 The University Of Southern California Organic light emitting devices with electron blocking layers
US6770502B2 (en) * 2002-04-04 2004-08-03 Eastman Kodak Company Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures
US6897474B2 (en) * 2002-04-12 2005-05-24 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
EP1369499A3 (de) * 2002-04-15 2004-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauteils
US20030206256A1 (en) * 2002-05-06 2003-11-06 Drain Kieran F. Display device with backlight
DE10224021B4 (de) * 2002-05-24 2006-06-01 Novaled Gmbh Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
US7416791B1 (en) 2002-06-11 2008-08-26 University Of Washington Osmium complexes and related organic light-emitting devices
US6811815B2 (en) 2002-06-14 2004-11-02 Avery Dennison Corporation Method for roll-to-roll deposition of optically transparent and high conductivity metallic thin films
US7217344B2 (en) * 2002-06-14 2007-05-15 Streaming Sales Llc Transparent conductive film for flat panel displays
JP2005534145A (ja) * 2002-07-23 2005-11-10 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ エレクトロルミネセントディスプレイ及びこのようなディスプレイを有する電子デバイス
TW200402012A (en) * 2002-07-23 2004-02-01 Eastman Kodak Co OLED displays with fiber-optic faceplates
US20040021831A1 (en) * 2002-07-31 2004-02-05 Canon Kabushiki Kaisha, Tokyo, Japan Projection type image display apparatus and image display system
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US6784017B2 (en) * 2002-08-12 2004-08-31 Precision Dynamics Corporation Method of creating a high performance organic semiconductor device
EP1539773A4 (de) * 2002-08-16 2009-11-11 Univ Southern California Organische, lichtemittierende materialien mit anionischem liganden
US6916554B2 (en) * 2002-11-06 2005-07-12 The University Of Southern California Organic light emitting materials and devices
US7663300B2 (en) 2002-08-16 2010-02-16 Universal Display Corporation Organic light emitting devices for illumination
WO2004016711A1 (en) 2002-08-16 2004-02-26 The University Of Southern California Organic light emitting materials and devices
US7061175B2 (en) * 2002-08-16 2006-06-13 Universal Display Corporation Efficiency transparent cathode
US6747618B2 (en) 2002-08-20 2004-06-08 Eastman Kodak Company Color organic light emitting diode display with improved lifetime
US6765349B2 (en) * 2002-09-30 2004-07-20 Eastman Kodak Company High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices
US6936964B2 (en) * 2002-09-30 2005-08-30 Eastman Kodak Company OLED lamp
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
CN100578491C (zh) * 2002-10-10 2010-01-06 国际商业机器公司 用于从物理文档选择、订购和访问版权信息的系统和方法
US6831407B2 (en) * 2002-10-15 2004-12-14 Eastman Kodak Company Oled device having improved light output
US7015639B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electroluminescent devices and method of making transparent cathodes
JP2004200141A (ja) * 2002-10-24 2004-07-15 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ素子
US7049636B2 (en) * 2002-10-28 2006-05-23 Universal Display Corporation Device including OLED controlled by n-type transistor
US20040086743A1 (en) * 2002-11-06 2004-05-06 Brown Cory S. Organometallic compounds for use in electroluminescent devices
US6687266B1 (en) 2002-11-08 2004-02-03 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
US6858327B2 (en) 2002-11-08 2005-02-22 Universal Display Corporation Organic light emitting materials and devices
US6982179B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-03 University Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
US6891326B2 (en) * 2002-11-15 2005-05-10 Universal Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
US20040096570A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Michael Weaver Structure and method of fabricating organic devices
US7230594B2 (en) 2002-12-16 2007-06-12 Eastman Kodak Company Color OLED display with improved power efficiency
US7964439B2 (en) 2002-12-20 2011-06-21 The Trustees Of Princeton University Methods of fabricating devices by transfer of organic material
DE10262143B4 (de) * 2002-12-20 2011-01-20 Ksg Leiterplatten Gmbh Lichtemittierende Anordnung
US8222072B2 (en) 2002-12-20 2012-07-17 The Trustees Of Princeton University Methods of fabricating devices by low pressure cold welding
KR101245125B1 (ko) * 2002-12-27 2013-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
EP1589785B1 (de) * 2003-01-24 2014-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes bauelement, verfahren zu seiner herstellung und elektrische vorrichtung mit einem solchen lichtemittierenden bauelement
JP2004241194A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Chi Mei Electronics Corp 画像表示装置
US6900458B2 (en) * 2003-02-21 2005-05-31 Universal Display Corporation Transflective display having an OLED backlight
JP4531341B2 (ja) * 2003-02-28 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
US6995445B2 (en) * 2003-03-14 2006-02-07 The Trustees Of Princeton University Thin film organic position sensitive detectors
US6869699B2 (en) * 2003-03-18 2005-03-22 Eastman Kodak Company P-type materials and mixtures for electronic devices
US6991859B2 (en) * 2003-03-18 2006-01-31 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices
EP3109238B1 (de) 2003-03-24 2019-09-18 University of Southern California Phenyl-pyrazol-komplexe des iridiums
EP1612526A4 (de) * 2003-03-26 2012-11-21 Semiconductor Energy Lab Optischer sensor zur erkennung von aus mehreren richtungen kommenden lichtstrahlen, mobilkommunikationseinrichtung und anzeigeverfahren
US20050227389A1 (en) * 2004-04-13 2005-10-13 Rabin Bhattacharya Deformable organic devices
US7465678B2 (en) * 2003-03-28 2008-12-16 The Trustees Of Princeton University Deformable organic devices
US7090928B2 (en) * 2003-04-01 2006-08-15 The University Of Southern California Binuclear compounds
US20040199052A1 (en) 2003-04-01 2004-10-07 Scimed Life Systems, Inc. Endoscopic imaging system
US6902833B2 (en) * 2003-04-01 2005-06-07 University Of Southern California Materials and structures for enhancing the performance or organic light emitting devices
US7018713B2 (en) * 2003-04-02 2006-03-28 3M Innovative Properties Company Flexible high-temperature ultrabarrier
JP4614633B2 (ja) 2003-04-09 2011-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
US20040209115A1 (en) * 2003-04-21 2004-10-21 Thompson Mark E. Organic light emitting devices with wide gap host materials
US20040209116A1 (en) * 2003-04-21 2004-10-21 Xiaofan Ren Organic light emitting devices with wide gap host materials
US7029765B2 (en) * 2003-04-22 2006-04-18 Universal Display Corporation Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage
JP2004327634A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ発振器
US6936961B2 (en) * 2003-05-13 2005-08-30 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers
US7452082B2 (en) * 2004-04-19 2008-11-18 Superimaging, Inc. Excitation light emission apparatus
US7090355B2 (en) 2003-05-19 2006-08-15 Superimaging, Inc. System and method for a transparent color image display utilizing fluorescence conversion of nano particles and molecules
US7537346B2 (en) * 2005-03-03 2009-05-26 Superimaging, Inc. Display having integrated light emitting material
US7976169B2 (en) * 2003-05-14 2011-07-12 Sun Innovations, Inc. Waveguide display
US7566902B2 (en) * 2003-05-16 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US6853134B2 (en) * 2003-05-20 2005-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Anode structure for organic light emitting device
JP2005011793A (ja) * 2003-05-29 2005-01-13 Sony Corp 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置
US6946319B2 (en) * 2003-05-29 2005-09-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electrode for an electronic device
US6987355B2 (en) * 2003-06-11 2006-01-17 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
US6909233B2 (en) * 2003-06-11 2005-06-21 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
AU2004253524C1 (en) * 2003-06-25 2010-02-04 The Trustees Of Princeton University Improved solar cells
US6903378B2 (en) * 2003-06-26 2005-06-07 Eastman Kodak Company Stacked OLED display having improved efficiency
US7310779B2 (en) * 2003-06-26 2007-12-18 International Business Machines Corporation Method for creating and selecting active regions on physical documents
ATE532386T1 (de) * 2003-07-02 2011-11-15 Idemitsu Kosan Co Organisches elektrolumineszenz-bauelement und display damit
US7211823B2 (en) * 2003-07-10 2007-05-01 Universal Display Corporation Organic light emitting device structure for obtaining chromaticity stability
US6953705B2 (en) 2003-07-22 2005-10-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for removing an organic layer during fabrication of an organic electronic device
US7002292B2 (en) 2003-07-22 2006-02-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device
US20050025993A1 (en) * 2003-07-25 2005-02-03 Thompson Mark E. Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
US7198859B2 (en) * 2003-07-25 2007-04-03 Universal Display Corporation Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
US7018723B2 (en) * 2003-07-25 2006-03-28 The University Of Southern California Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
US7133030B2 (en) * 2003-07-31 2006-11-07 Microsoft Corporation Context sensitive labels for a hardware input device
US20050023974A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-03 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
EP1656700A1 (de) * 2003-08-12 2006-05-17 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Schaltungsanordnung zur wechselstrom-ansteuerung organischer dioden
US7425946B1 (en) * 2003-08-15 2008-09-16 Britton Rick A Remote camouflage keypad for alarm control panel
US6998648B2 (en) * 2003-08-25 2006-02-14 Universal Display Corporation Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant
DE10339941A1 (de) * 2003-08-29 2005-03-24 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Kältegerät mit OLED-Display
US7633470B2 (en) * 2003-09-29 2009-12-15 Michael Gillis Kane Driver circuit, as for an OLED display
JP2005108644A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ素子
US7179543B2 (en) * 2003-10-06 2007-02-20 The Trustees Of Princeton University Doping of organic opto-electronic devices to extend reliability
JP4683829B2 (ja) * 2003-10-17 2011-05-18 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法
US20050084659A1 (en) * 2003-10-20 2005-04-21 General Atomics Vehicle windshield head-up display
TW200515836A (en) * 2003-10-22 2005-05-01 Hannstar Display Corp Organic electroluminescent element
US8884845B2 (en) * 2003-10-28 2014-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and telecommunication system
JP4801340B2 (ja) * 2003-10-28 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CA2542793A1 (en) 2003-11-03 2005-05-12 Super-Imaging, Inc. Light emitting material integrated into a substantially transparent substrate
CN1875318B (zh) * 2003-11-03 2010-05-12 苏州巨像科技有限公司 结合到透明基板中散射入射光以便显示图像的微结构
KR100563058B1 (ko) * 2003-11-21 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US7061011B2 (en) * 2003-11-26 2006-06-13 The Trustees Of Princeton University Bipolar organic devices
US7070867B2 (en) * 2003-12-05 2006-07-04 The University Of Southern California OLEDs having n-type doping
US7132801B2 (en) * 2003-12-15 2006-11-07 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Dual panel-type organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US20050137459A1 (en) 2003-12-17 2005-06-23 Scimed Life Systems, Inc. Medical device with OLED illumination light source
US7221332B2 (en) * 2003-12-19 2007-05-22 Eastman Kodak Company 3D stereo OLED display
US7417264B2 (en) * 2003-12-22 2008-08-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Top-emitting nitride-based light emitting device and method of manufacturing the same
CN100337339C (zh) * 2004-01-08 2007-09-12 北京交通大学 单一有机材料的变色场致发光屏
US20050164031A1 (en) * 2004-01-26 2005-07-28 Thompson Mark E. Dual emitting dyads of heavy metal complexes as broad band emitters for organic LEDs
US7279232B2 (en) * 2004-01-26 2007-10-09 Universal Display Corporation Electroluminescent stability
US7151339B2 (en) * 2004-01-30 2006-12-19 Universal Display Corporation OLED efficiency by utilization of different doping concentrations within the device emissive layer
US20050175770A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-11 Eastman Kodak Company Fabricating an electrode for use in organic electronic devices
US7513797B2 (en) * 2004-02-27 2009-04-07 3M Innovative Properties Company Connector apparatus
US7045952B2 (en) * 2004-03-04 2006-05-16 Universal Display Corporation OLEDs with mixed host emissive layer
JP4489472B2 (ja) * 2004-03-19 2010-06-23 株式会社 日立ディスプレイズ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
EP1729544B1 (de) * 2004-03-25 2012-09-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organisches elektrolumineszenzbauelement
US20050211974A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Thompson Mark E Organic photosensitive devices
DE102004014855A1 (de) * 2004-03-26 2004-10-21 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung zum reaktiven Sputtern
US7180238B2 (en) * 2004-04-08 2007-02-20 Eastman Kodak Company Oled microcavity subpixels and color filter elements
JP2005326830A (ja) * 2004-04-13 2005-11-24 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US7419846B2 (en) * 2004-04-13 2008-09-02 The Trustees Of Princeton University Method of fabricating an optoelectronic device having a bulk heterojunction
US7746681B2 (en) 2005-01-07 2010-06-29 Invisage Technologies, Inc. Methods of making quantum dot films
US7773404B2 (en) 2005-01-07 2010-08-10 Invisage Technologies, Inc. Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same
US7213923B2 (en) * 2004-04-19 2007-05-08 Superimaging, Inc. Emission of visible light in response to absorption of excitation light
US7742322B2 (en) 2005-01-07 2010-06-22 Invisage Technologies, Inc. Electronic and optoelectronic devices with quantum dot films
US7326908B2 (en) 2004-04-19 2008-02-05 Edward Sargent Optically-regulated optical emission using colloidal quantum dot nanocrystals
US20050244221A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Seaman Regis J Expandable frictional end disc
US20050242712A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Chao-Chin Sung Multicolor electroluminescent display
US7154114B2 (en) * 2004-05-18 2006-12-26 Universal Display Corporation Cyclometallated iridium carbene complexes for use as hosts
US7491823B2 (en) * 2004-05-18 2009-02-17 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US7601436B2 (en) 2004-05-18 2009-10-13 The University Of Southern California Carbene metal complexes as OLED materials
US7393599B2 (en) * 2004-05-18 2008-07-01 The University Of Southern California Luminescent compounds with carbene ligands
US7655323B2 (en) * 2004-05-18 2010-02-02 The University Of Southern California OLEDs utilizing macrocyclic ligand systems
US7598388B2 (en) * 2004-05-18 2009-10-06 The University Of Southern California Carbene containing metal complexes as OLEDs
US7582365B2 (en) * 2005-01-10 2009-09-01 Universal Display Corporation Reversibly reducible metal complexes as electron transporting materials for OLEDs
US7534505B2 (en) * 2004-05-18 2009-05-19 The University Of Southern California Organometallic compounds for use in electroluminescent devices
US7445855B2 (en) * 2004-05-18 2008-11-04 The University Of Southern California Cationic metal-carbene complexes
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
WO2005117158A1 (de) * 2004-05-19 2005-12-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Leuchtdiode und verfahren zur herstellung einer leuchtdiode
US7629695B2 (en) * 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
DE102004025578B4 (de) * 2004-05-25 2009-04-23 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und Verwendung dieses Verfahrens
US7949616B2 (en) * 2004-06-01 2011-05-24 George Samuel Levy Telepresence by human-assisted remote controlled devices and robots
US7196835B2 (en) * 2004-06-01 2007-03-27 The Trustees Of Princeton University Aperiodic dielectric multilayer stack
US20050269943A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Michael Hack Protected organic electronic devices and methods for making the same
JP2006007520A (ja) * 2004-06-24 2006-01-12 Rohm Co Ltd 有機ｅｌプリンタ
US8466004B2 (en) * 2004-06-24 2013-06-18 The Trustees Of Princeton University Solar cells
US20060008670A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Chun Lin Organic light emitting materials and devices
US20060008671A1 (en) * 2004-07-07 2006-01-12 Raymond Kwong Electroluminescent efficiency
US7271420B2 (en) * 2004-07-07 2007-09-18 Cao Group, Inc. Monolitholic LED chip to emit multiple colors
EP3855519A3 (de) 2004-07-07 2021-09-22 Universal Display Corporation Stabile und leistungsstarke elektrolumineszente materialien
US7709100B2 (en) * 2004-07-07 2010-05-04 Universal Display Corporation Electroluminescent efficiency
US20060006792A1 (en) * 2004-07-09 2006-01-12 Eastman Kodak Company Flat panel light emitting devices with two sided
US20060014044A1 (en) * 2004-07-14 2006-01-19 Au Optronics Corporation Organic light-emitting display with multiple light-emitting modules
US7194173B2 (en) * 2004-07-16 2007-03-20 The Trustees Of Princeton University Organic devices having a fiber structure
ES2718460T3 (es) * 2004-07-22 2019-07-02 Volkswagen Ag Dispositivo indicador para un automóvil
US7449831B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
US7449830B2 (en) 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
US8008651B2 (en) * 2004-08-03 2011-08-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and light-emitting device
US7326955B2 (en) * 2004-08-05 2008-02-05 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive devices
US7375370B2 (en) * 2004-08-05 2008-05-20 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive devices
US7196366B2 (en) 2004-08-05 2007-03-27 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive devices
US7540978B2 (en) * 2004-08-05 2009-06-02 Novaled Ag Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component
US8241467B2 (en) * 2004-08-10 2012-08-14 Global Oled Technology Llc Making a cathode structure for OLEDs
US8592680B2 (en) * 2004-08-11 2013-11-26 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive devices
WO2006015567A1 (de) 2004-08-13 2006-02-16 Novaled Ag Schichtanordnung für ein lichtemittierendes bauelement
CN100414711C (zh) * 2004-08-23 2008-08-27 财团法人工业技术研究院 一种全彩有机电致发光显示元件及其面板
JP2006066707A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Sony Corp 光電変換装置
TWI237525B (en) * 2004-08-30 2005-08-01 Au Optronics Corp Electro-luminescence display device and method for forming the same
US20060062899A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Eastman Kodak Company Method of discontinuous stripe coating
US9040170B2 (en) * 2004-09-20 2015-05-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device with quinazoline complex emitter
US8174037B2 (en) * 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US8357849B2 (en) * 2004-09-22 2013-01-22 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive devices
KR101233131B1 (ko) * 2004-09-30 2013-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 장치
DE602004006275T2 (de) * 2004-10-07 2007-12-20 Novaled Ag Verfahren zur Dotierung von einem Halbleitermaterial mit Cäsium
US20060088728A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Raymond Kwong Arylcarbazoles as hosts in PHOLEDs
US7560862B2 (en) * 2004-10-22 2009-07-14 Eastman Kodak Company White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit
KR101436791B1 (ko) 2004-10-29 2014-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 재료, 발광 소자, 발광 장치 및 이의 제조방법
DE102004054893A1 (de) * 2004-11-12 2006-05-24 Micronas Gmbh Verfahren und Schaltungsanordnung zur Kanalfilterung analog oder digital modulierter TV-Signale
TW200634801A (en) * 2004-11-17 2006-10-01 Hitachi Maxell Optical information-recording medium
CN101438408B (zh) * 2004-11-19 2011-04-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 复合led模块
US8986780B2 (en) 2004-11-19 2015-03-24 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US8128753B2 (en) 2004-11-19 2012-03-06 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for depositing LED organic film
US7776456B2 (en) * 2004-12-03 2010-08-17 Universal Display Corporation Organic light emitting devices with an emissive region having emissive and non-emissive layers and method of making
KR101267040B1 (ko) * 2004-12-06 2013-05-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합재료를 사용한 발광소자 및 발광장치, 및 발광소자의 제조방법
US7402346B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-22 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent devices
KR20070097085A (ko) 2004-12-30 2007-10-02 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 조사를 사용하는 장치 패턴화
TWI258881B (en) * 2005-01-06 2006-07-21 Au Optronics Corp Photoelectric device
CA2519608A1 (en) 2005-01-07 2006-07-07 Edward Sargent Quantum dot-polymer nanocomposite photodetectors and photovoltaics
KR101097301B1 (ko) * 2005-02-05 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 백색발광소자
US7384816B2 (en) * 2005-03-03 2008-06-10 Eastman Kodak Company Apparatus and method for forming vias
JP2006244906A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tohoku Pioneer Corp 自発光素子の製造方法及び製造装置
KR100721571B1 (ko) 2005-03-07 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조방법
DE502005002342D1 (de) 2005-03-15 2008-02-07 Novaled Ag Lichtemittierendes Bauelement
US8026531B2 (en) 2005-03-22 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7142179B2 (en) * 2005-03-23 2006-11-28 Eastman Kodak Company OLED display device
US20060251921A1 (en) * 2005-05-06 2006-11-09 Stephen Forrest OLEDs utilizing direct injection to the triplet state
US7683536B2 (en) * 2005-03-31 2010-03-23 The Trustees Of Princeton University OLEDs utilizing direct injection to the triplet state
US20060222886A1 (en) * 2005-04-04 2006-10-05 Raymond Kwong Arylpyrene compounds
US20060250079A1 (en) * 2005-04-05 2006-11-09 The Hong Kong University Of Science And Technology Intermediate layers treated by cf4-plasma for stacked organic light-emitting devices
US9070884B2 (en) 2005-04-13 2015-06-30 Universal Display Corporation Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters
EP2284923B1 (de) 2005-04-13 2016-12-28 Novaled GmbH Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen
US8057916B2 (en) 2005-04-20 2011-11-15 Global Oled Technology, Llc. OLED device with improved performance
US20060240281A1 (en) * 2005-04-21 2006-10-26 Eastman Kodak Company Contaminant-scavenging layer on OLED anodes
US7807275B2 (en) * 2005-04-21 2010-10-05 Universal Display Corporation Non-blocked phosphorescent OLEDs
US20060244371A1 (en) * 2005-05-02 2006-11-02 Eastman Kodak Company OLED device having improved lifetime and output
US20060244370A1 (en) * 2005-05-02 2006-11-02 Eastman Kodak Company Light-emitting layer spacing in tandem OLED devices
US7777407B2 (en) * 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US8487527B2 (en) 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
US8586204B2 (en) * 2007-12-28 2013-11-19 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters and host materials with improved stability
US7902374B2 (en) * 2005-05-06 2011-03-08 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
US8007927B2 (en) * 2007-12-28 2011-08-30 Universal Display Corporation Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
JP4636501B2 (ja) * 2005-05-12 2011-02-23 株式会社沖データ 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置
US7851072B2 (en) * 2005-05-19 2010-12-14 Universal Display Corporation Stable and efficient electroluminescent materials
US7750561B2 (en) * 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
US7943244B2 (en) 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US7811679B2 (en) 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US7564528B2 (en) * 2005-05-20 2009-07-21 Industrial Technology Research Institute Conductive layer to reduce drive voltage in displays
GB0510282D0 (en) * 2005-05-20 2005-06-29 Cambridge Display Tech Ltd Top-electroluminescent devices comprising cathode bus bars
US7795806B2 (en) * 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
US7728517B2 (en) * 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
DE502005009415D1 (de) * 2005-05-27 2010-05-27 Novaled Ag Transparente organische Leuchtdiode
EP3064563B1 (de) 2005-05-31 2018-12-26 Universal Display Corporation Triphenylen-hosts in phosphoreszierenden lichtemittierenden dioden
US7474048B2 (en) * 2005-06-01 2009-01-06 The Trustees Of Princeton University Fluorescent filtered electrophosphorescence
US7230269B2 (en) 2005-06-13 2007-06-12 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive cells having a reciprocal-carrier exciton blocking layer
TWI295900B (en) * 2005-06-16 2008-04-11 Au Optronics Corp Method for improving color-shift of serially connected organic electroluminescence device
TWI253873B (en) * 2005-06-20 2006-04-21 Au Optronics Corp Organic light emitting diode and method of fabricating the same
JP4557289B2 (ja) * 2005-06-23 2010-10-06 株式会社日立製作所 表示装置
US7564182B2 (en) * 2005-06-29 2009-07-21 Eastman Kodak Company Broadband light tandem OLED display
US20070201239A1 (en) * 2005-07-13 2007-08-30 Daniel Rosario Display Device For A Vehicle
US7314773B2 (en) * 2005-08-17 2008-01-01 The Trustees Of Princeton University Low resistance thin film organic solar cell electrodes
JP2007059783A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Showa Denko Kk 有機ｅｌ素子、その製造方法およびその用途
US7327081B2 (en) * 2005-08-31 2008-02-05 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Stacked organic electroluminescent device and method for manufacturing thereof
JP2007067194A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Fujifilm Corp 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子
TWI326379B (en) * 2005-09-20 2010-06-21 Au Optronics Corp A double-sided liquid crystal display
EP1940202B1 (de) * 2005-09-22 2013-05-01 Panasonic Corporation Organisches leuchtelement und verfahren zu seiner herstellung
KR100708714B1 (ko) * 2005-09-30 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
WO2007037617A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes
US8148891B2 (en) * 2005-10-04 2012-04-03 Universal Display Corporation Electron impeding layer for high efficiency phosphorescent OLEDs
EP1784055A3 (de) * 2005-10-17 2009-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beleuchtungssystem
US8956738B2 (en) 2005-10-26 2015-02-17 Global Oled Technology Llc Organic element for low voltage electroluminescent devices
US20070098891A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Eastman Kodak Company Vapor deposition apparatus and method
US20070103066A1 (en) * 2005-11-04 2007-05-10 D Andrade Brian W Stacked OLEDs with a reflective conductive layer
US8021763B2 (en) * 2005-11-23 2011-09-20 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent OLED with interlayer
US9666826B2 (en) 2005-11-30 2017-05-30 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device including an anthracene derivative
US20070128465A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 General Electric Company Transparent electrode for organic electronic devices
DE502005004675D1 (de) 2005-12-21 2008-08-21 Novaled Ag Organisches Bauelement
US7638206B2 (en) * 2005-12-21 2009-12-29 Lg Display Co., Ltd. Bifunctional compounds and OLED using the same
US20070146242A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Eastman Kodak Company High resolution display for monochrome images with color highlighting
EP1804308B1 (de) 2005-12-23 2012-04-04 Novaled AG Organische lichtemittierende Vorrichtung mit mehreren aufeinander gestapelten organischen elektrolumineszenten Einheiten
DE602006001930D1 (de) 2005-12-23 2008-09-04 Novaled Ag tur von organischen Schichten
EP1808909A1 (de) 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
US7808177B2 (en) * 2006-01-16 2010-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and method of manufacturing
CN101371619B (zh) * 2006-01-18 2013-11-13 Lg化学株式会社 具有堆叠式有机发光单元的oled
JP5114215B2 (ja) * 2006-01-27 2013-01-09 東北パイオニア株式会社 光デバイス、および光デバイスの製造方法
WO2007092108A2 (en) 2006-02-07 2007-08-16 Boston Scientific Limited Medical device light source
WO2007091548A1 (ja) * 2006-02-07 2007-08-16 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20210130847A (ko) 2006-02-10 2021-11-01 유니버셜 디스플레이 코포레이션 시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-ａ:1',2'-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체
US7667383B2 (en) * 2006-02-15 2010-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source comprising a common substrate, a first led device and a second led device
US7854513B2 (en) * 2006-03-03 2010-12-21 Quach Cang V One-way transparent display systems
TWI382783B (zh) * 2006-03-07 2013-01-11 Lg Chemical Ltd 有機發光二極體及其製造方法
US20070241663A1 (en) * 2006-04-12 2007-10-18 Toppoly Optoelectronics Corp. Organic electroluminescent device
US20100215838A1 (en) * 2006-04-12 2010-08-26 Chi-Hsien Huang Method of manufacturing organic electroluminescent device
US7790298B2 (en) 2006-04-13 2010-09-07 The University Of Southern California Organic electronic devices using phthalimide compounds
EP1848049B1 (de) 2006-04-19 2009-12-09 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
US8330351B2 (en) * 2006-04-20 2012-12-11 Universal Display Corporation Multiple dopant emissive layer OLEDs
US7951421B2 (en) * 2006-04-20 2011-05-31 Global Oled Technology Llc Vapor deposition of a layer
US20070247061A1 (en) * 2006-04-20 2007-10-25 Vadim Adamovich Multiple dopant emissive layer OLEDs
WO2007121583A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Adrian Kitai High contrast sphere-supported thin-film electroluminescent devices
US9118020B2 (en) 2006-04-27 2015-08-25 Global Oled Technology Llc Electroluminescent devices including organic eil layer
EP2016633A1 (de) 2006-05-08 2009-01-21 Eastman Kodak Company Oled-elektroneninjektionsschicht
GB0610468D0 (en) * 2006-05-26 2006-07-05 Rolls Royce Plc A method of manufacturing a component
US7507449B2 (en) 2006-05-30 2009-03-24 Industrial Technology Research Institute Displays with low driving voltage and anisotropic particles
US7579773B2 (en) * 2006-06-05 2009-08-25 The Trustees Of Princeton University Organic light-emitting device with a phosphor-sensitized fluorescent emission layer
US20070292072A1 (en) * 2006-06-15 2007-12-20 Ainissa Gweneth Ramirez Solder alloys
US7754295B2 (en) 2006-06-29 2010-07-13 Industrial Technology Research Institute Single substrate guest-host polymer dispersed liquid crystal displays
TWI317182B (en) * 2006-07-07 2009-11-11 Au Optronics Corp Tandem organic electroluminescent elements and uses of the same
US8987589B2 (en) * 2006-07-14 2015-03-24 The Regents Of The University Of Michigan Architectures and criteria for the design of high efficiency organic photovoltaic cells
JP2010515205A (ja) 2006-07-18 2010-05-06 ザ ユニバーシティ オブ サザン カリフォルニア ナノチューブを用いた有機光電子デバイス電極
US7724796B2 (en) * 2006-08-29 2010-05-25 The Trustees Of Princeton University Organic laser
US7710017B2 (en) * 2006-09-08 2010-05-04 Universal Display Corporation Organic light emitting device having a transparent microcavity
US7598381B2 (en) * 2006-09-11 2009-10-06 The Trustees Of Princeton University Near-infrared emitting organic compounds and organic devices using the same
JP4739155B2 (ja) * 2006-09-12 2011-08-03 富士フイルム株式会社 表示媒体
US7800295B2 (en) * 2006-09-15 2010-09-21 Universal Display Corporation Organic light emitting device having a microcavity
US20100252841A1 (en) * 2006-09-18 2010-10-07 Cok Ronald S Oled device having improved lifetime and resolution
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
DE102006051745B4 (de) * 2006-09-28 2024-02-08 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung LED-Halbleiterkörper und Verwendung eines LED-Halbleiterkörpers
US7633218B2 (en) 2006-09-29 2009-12-15 Eastman Kodak Company OLED device having improved lifetime and resolution
TWI378740B (en) * 2006-10-04 2012-12-01 Ritdisplay Corp Full-color organic light emitting diode display panel and method thereof
US8945722B2 (en) * 2006-10-27 2015-02-03 The University Of Southern California Materials and architectures for efficient harvesting of singlet and triplet excitons for white light emitting OLEDs
US8049685B2 (en) * 2006-11-09 2011-11-01 Global Oled Technology Llc Passive matrix thin-film electro-luminescent display
US20080137008A1 (en) * 2006-12-06 2008-06-12 General Electric Company Color tunable oled illumination display and method for controlled display illumination
US8778508B2 (en) 2006-12-08 2014-07-15 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
US8519130B2 (en) * 2006-12-08 2013-08-27 Universal Display Corporation Method for synthesis of iriduim (III) complexes with sterically demanding ligands
DE102006059509B4 (de) * 2006-12-14 2012-05-03 Novaled Ag Organisches Leuchtbauelement
US7879401B2 (en) * 2006-12-22 2011-02-01 The Regents Of The University Of Michigan Organic vapor jet deposition using an exhaust
EP2097938B1 (de) * 2006-12-28 2019-07-17 Universal Display Corporation Phosphoreszierende oled-strukturen mit langer lebensdauer
BRPI0720867A2 (pt) * 2006-12-29 2014-03-04 3M Innovative Properties Company. Método para fabricação de filmes inorgânicos ou híbridos inorgânicos/orgânicos
CN101573471A (zh) * 2006-12-29 2009-11-04 3M创新有限公司 固化含有金属烷氧化物的膜的方法
US20080174735A1 (en) * 2007-01-23 2008-07-24 Emiscape, Inc. Projection Display with Holographic Screen
US8795855B2 (en) 2007-01-30 2014-08-05 Global Oled Technology Llc OLEDs having high efficiency and excellent lifetime
US9130177B2 (en) 2011-01-13 2015-09-08 Universal Display Corporation 5-substituted 2 phenylquinoline complexes materials for light emitting diode
US20130032785A1 (en) 2011-08-01 2013-02-07 Universal Display Corporation Materials for organic light emitting diode
JP5638246B2 (ja) 2007-03-08 2014-12-10 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション リン光材料
DE102007011637A1 (de) * 2007-03-09 2008-09-18 Ivoclar Vivadent Ag Lichtemissionsvorrichtung
US20080236481A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Intevac Corporation Method of and apparatus for monitoring mass flow rate of lubricant vapor forming lubricant coatings of magnetic disks
US20080265757A1 (en) 2007-03-30 2008-10-30 Stephen Forrest Low Index Grids (LIG) To Increase Outcoupled Light From Top or Transparent OLED
US20090047417A1 (en) * 2007-03-30 2009-02-19 Barnes Michael S Method and system for vapor phase application of lubricant in disk media manufacturing process
DE102007019260B4 (de) 2007-04-17 2020-01-16 Novaled Gmbh Nichtflüchtiges organisches Speicherelement
TWI423218B (zh) * 2007-04-24 2014-01-11 Lg Chemical Ltd 有機發光顯示裝置及其驅動方法
US7911133B2 (en) 2007-05-10 2011-03-22 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
US7993763B2 (en) * 2007-05-10 2011-08-09 Universal Display Corporation Organometallic compounds having host and dopant functionalities
US7759854B2 (en) 2007-05-30 2010-07-20 Global Oled Technology Llc Lamp with adjustable color
US8556389B2 (en) 2011-02-04 2013-10-15 Kateeva, Inc. Low-profile MEMS thermal printhead die having backside electrical connections
CA2690396A1 (en) 2007-06-14 2008-12-24 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for thermal jet printing
WO2008156879A1 (en) * 2007-06-20 2008-12-24 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
US8034465B2 (en) * 2007-06-20 2011-10-11 Global Oled Technology Llc Phosphorescent oled having double exciton-blocking layers
US20090004485A1 (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Shiying Zheng 6-member ring structure used in electroluminescent devices
US8257793B2 (en) 2007-06-29 2012-09-04 The Regents Of The University Of Michigan Roll to roll fabrication of microlens arrays for low cost light outcoupling from OLEDs
US8183767B2 (en) * 2007-07-06 2012-05-22 Canon Kabushiki Kaisha Display apparatus and imaging system using the same
US20090014746A1 (en) * 2007-07-11 2009-01-15 Ainissa Gweneth Ramirez Solder alloys
EP2017367A1 (de) * 2007-07-18 2009-01-21 Applied Materials, Inc. Sputterbeschichtungsvorrichtung und Verfahren zum Auftragen einer Schicht auf einem Substrat
US8149183B2 (en) * 2007-07-31 2012-04-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Display
EP3112336B1 (de) 2007-08-08 2018-08-01 Universal Display Corporation Einzeltriphenylenchromophore in phosphoreszierenden lichtemittierenden dioden
CN104311533B (zh) 2007-08-08 2017-08-18 通用显示公司 含苯并[9,10]菲的苯并稠合的噻吩或苯并稠合的呋喃化合物
KR100899423B1 (ko) * 2007-08-16 2009-05-27 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조방법
JP2009048811A (ja) * 2007-08-16 2009-03-05 Sony Corp 転写用基板および有機電界発光素子の製造方法
CN101848882B (zh) * 2007-09-20 2015-04-29 巴斯夫欧洲公司 电致发光器件
US8498464B2 (en) * 2007-09-27 2013-07-30 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Intrinsic co-registration for modular multimodality medical imaging systems
AU2007224388B8 (en) * 2007-09-28 2014-12-11 The Regents Of The University Of Michigan Organic photosensitive optoelectronic devices with near-infrared sensitivity
US8383249B2 (en) * 2007-10-04 2013-02-26 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
US8067100B2 (en) 2007-10-04 2011-11-29 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
US20090243468A1 (en) * 2007-10-16 2009-10-01 Thompson Mark E Arylimino-isoindoline complexes for use in organic light emitting diodes
US8420229B2 (en) * 2007-10-26 2013-04-16 Global OLED Technologies LLC OLED device with certain fluoranthene light-emitting dopants
US8076009B2 (en) 2007-10-26 2011-12-13 Global Oled Technology, Llc. OLED device with fluoranthene electron transport materials
US8129039B2 (en) * 2007-10-26 2012-03-06 Global Oled Technology, Llc Phosphorescent OLED device with certain fluoranthene host
US8431242B2 (en) 2007-10-26 2013-04-30 Global Oled Technology, Llc. OLED device with certain fluoranthene host
US8815411B2 (en) * 2007-11-09 2014-08-26 The Regents Of The University Of Michigan Stable blue phosphorescent organic light emitting devices
US8476822B2 (en) 2007-11-09 2013-07-02 Universal Display Corporation Saturated color organic light emitting devices
GB2454867B (en) 2007-11-09 2010-02-03 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices comprising bus bar
US8900722B2 (en) 2007-11-29 2014-12-02 Global Oled Technology Llc OLED device employing alkali metal cluster compounds
US20090153034A1 (en) * 2007-12-13 2009-06-18 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emittinig diodes
WO2009079004A1 (en) 2007-12-18 2009-06-25 Lumimove, Inc., Dba Crosslink Flexible electroluminescent devices and systems
US20090162612A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Hatwar Tukaram K Oled device having two electron-transport layers
US8221905B2 (en) * 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
WO2009086095A2 (en) 2007-12-28 2009-07-09 3M Innovative Properties Company Flexible encapsulating film systems
US7804245B2 (en) * 2008-01-24 2010-09-28 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved brightness uniformity
US8040053B2 (en) * 2008-02-09 2011-10-18 Universal Display Corporation Organic light emitting device architecture for reducing the number of organic materials
EP2253033B1 (de) * 2008-03-19 2019-06-12 The Regents of the University of Michigan Verfahren zur detektion von infraroter strahlung mittels organischer dünnschichten
US7947974B2 (en) * 2008-03-25 2011-05-24 Global Oled Technology Llc OLED device with hole-transport and electron-transport materials
US8278679B2 (en) * 2008-04-29 2012-10-02 Tsmc Solid State Lighting Ltd. LED device with embedded top electrode
TWI377342B (en) * 2008-05-08 2012-11-21 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Method for forming an extended gate field effect transistor (egfet) based sensor and the sensor formed thereby
US8125559B2 (en) * 2008-05-25 2012-02-28 Avistar Communications Corporation Image formation for large photosensor array surfaces
US8324800B2 (en) * 2008-06-12 2012-12-04 Global Oled Technology Llc Phosphorescent OLED device with mixed hosts
US8383202B2 (en) 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US8899171B2 (en) 2008-06-13 2014-12-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US9604245B2 (en) 2008-06-13 2017-03-28 Kateeva, Inc. Gas enclosure systems and methods utilizing an auxiliary enclosure
US9048344B2 (en) 2008-06-13 2015-06-02 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
WO2009156925A2 (en) * 2008-06-25 2009-12-30 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Organic light emitting diode driver arrangement
WO2010002755A2 (en) 2008-06-30 2010-01-07 3M Innovative Properties Company Method of making inorganic or inorganic/organic hybrid barrier films
CN102131767B (zh) 2008-06-30 2013-08-21 通用显示公司 含有苯并菲的空穴传输材料
KR20160140980A (ko) * 2008-06-30 2016-12-07 유니버셜 디스플레이 코포레이션 황 함유 그룹을 포함하는 정공 수송 물질
FR2933536B1 (fr) * 2008-07-03 2013-05-10 Commissariat Energie Atomique Dispositif d'affichage electronique polychrome a ecran electroluminescent
US8385436B2 (en) * 2008-07-16 2013-02-26 Honeywell International Inc. Apparatus and method for modifying transmissions on specified wireless channels to reduce interference with higher-priority transmitters
US8372526B2 (en) 2008-07-16 2013-02-12 Universal Display Corporation Intermediate connector for stacked organic light emitting devices
DE102008034256A1 (de) * 2008-07-18 2010-01-21 Technische Universität Dresden Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten
DE102008036062B4 (de) 2008-08-04 2015-11-12 Novaled Ag Organischer Feldeffekt-Transistor
DE102008036063B4 (de) * 2008-08-04 2017-08-31 Novaled Gmbh Organischer Feldeffekt-Transistor
US8247088B2 (en) * 2008-08-28 2012-08-21 Global Oled Technology Llc Emitting complex for electroluminescent devices
WO2010027583A1 (en) 2008-09-03 2010-03-11 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
WO2010028262A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-11 Universal Display Corporation White phosphorescent organic light emitting devices
EP2161272A1 (de) 2008-09-05 2010-03-10 Basf Se Phenanthroline
US20100065112A1 (en) 2008-09-15 2010-03-18 Thompson Mark E Organic Photosensitive Devices Comprising a Squaraine Containing Organoheterojunction and Methods of Making Same
TWI555734B (zh) 2008-09-16 2016-11-01 環球展覽公司 磷光物質
WO2010036765A1 (en) 2008-09-25 2010-04-01 Universal Display Corporation Organoselenium materials and their uses in organic light emitting devices
US8827488B2 (en) 2008-10-01 2014-09-09 Universal Display Corporation OLED display architecture
US9385167B2 (en) 2008-10-01 2016-07-05 Universal Display Corporation OLED display architecture
US20100225252A1 (en) 2008-10-01 2010-09-09 Universal Display Corporation Novel amoled display architecture
US8053770B2 (en) * 2008-10-14 2011-11-08 Universal Display Corporation Emissive layer patterning for OLED
EP2345096B1 (de) 2008-10-28 2018-10-17 The Regents of the University of Michigan Gestapelte weisse oled mit separaten rot-, grün- und blau-teilelementen
US7931975B2 (en) 2008-11-07 2011-04-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device containing a flouranthene compound
WO2010056669A1 (en) * 2008-11-11 2010-05-20 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
US8088500B2 (en) 2008-11-12 2012-01-03 Global Oled Technology Llc OLED device with fluoranthene electron injection materials
DE112009003609T5 (de) * 2008-11-18 2012-07-05 Topy Kogyo K.K. Verfahren zum herstellen eines rohrförmigen bauteils
US7968215B2 (en) 2008-12-09 2011-06-28 Global Oled Technology Llc OLED device with cyclobutene electron injection materials
CN102292839B (zh) 2008-12-12 2015-12-02 通用显示公司 通过掺杂的空穴传输层改善的oled稳定性
US8815415B2 (en) 2008-12-12 2014-08-26 Universal Display Corporation Blue emitter with high efficiency based on imidazo[1,2-f] phenanthridine iridium complexes
US20100188457A1 (en) * 2009-01-05 2010-07-29 Madigan Connor F Method and apparatus for controlling the temperature of an electrically-heated discharge nozzle
CN101459225B (zh) * 2009-01-05 2010-06-02 北京交通大学 抑制激子态改善有机场致发光亮度的器件
US9067947B2 (en) 2009-01-16 2015-06-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US8273997B2 (en) * 2009-01-16 2012-09-25 The Boeing Company Antireflective apparatus with anisotropic capacitive circuit analog sheets
US8310150B2 (en) * 2009-02-04 2012-11-13 The Regents Of The University Of Michigan Light emitting device with high outcoupling
US8216697B2 (en) * 2009-02-13 2012-07-10 Global Oled Technology Llc OLED with fluoranthene-macrocyclic materials
JP5128518B2 (ja) * 2009-02-24 2013-01-23 株式会社沖データ 表示装置
US8147989B2 (en) * 2009-02-27 2012-04-03 Global Oled Technology Llc OLED device with stabilized green light-emitting layer
US20100237374A1 (en) * 2009-03-20 2010-09-23 Electronics And Telecommunications Research Institute Transparent Organic Light Emitting Diode Lighting Device
US11910700B2 (en) 2009-03-23 2024-02-20 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complexes as dopants
US8709615B2 (en) 2011-07-28 2014-04-29 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complexes as dopants
US8722205B2 (en) 2009-03-23 2014-05-13 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
US8633497B2 (en) * 2009-03-25 2014-01-21 The Regents Of The University Of Michigan Concave-hemisphere-patterned organic top-light emitting device
US20100244735A1 (en) * 2009-03-26 2010-09-30 Energy Focus, Inc. Lighting Device Supplying Temporally Appropriate Light
US8569744B2 (en) * 2009-03-30 2013-10-29 Universal Display Corporation OLED display architecture
JP2012521845A (ja) * 2009-03-31 2012-09-20 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ シート状光源を有するイルミネーションが施されたサービングトレイ
US20100244677A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Begley William J Oled device containing a silyl-fluoranthene derivative
US8206842B2 (en) * 2009-04-06 2012-06-26 Global Oled Technology Llc Organic element for electroluminescent devices
TWI680132B (zh) 2009-04-06 2019-12-21 美商環球展覽公司 包含新穎配位體結構之金屬錯合物
CN102388046A (zh) 2009-04-08 2012-03-21 巴斯夫欧洲公司 吡咯并吡咯衍生物、其制备及作为半导体的用途
US8405420B2 (en) 2009-04-14 2013-03-26 Monolithic 3D Inc. System comprising a semiconductor device and structure
US8669778B1 (en) 2009-04-14 2014-03-11 Monolithic 3D Inc. Method for design and manufacturing of a 3D semiconductor device
US9509313B2 (en) 2009-04-14 2016-11-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8384426B2 (en) 2009-04-14 2013-02-26 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US20110031997A1 (en) * 2009-04-14 2011-02-10 NuPGA Corporation Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8427200B2 (en) 2009-04-14 2013-04-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US9577642B2 (en) 2009-04-14 2017-02-21 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device
US8378715B2 (en) 2009-04-14 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Method to construct systems
US8395191B2 (en) 2009-10-12 2013-03-12 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9711407B2 (en) 2009-04-14 2017-07-18 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a three dimensional integrated circuit by transfer of a mono-crystalline layer
US8754533B2 (en) 2009-04-14 2014-06-17 Monolithic 3D Inc. Monolithic three-dimensional semiconductor device and structure
US8362482B2 (en) 2009-04-14 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8058137B1 (en) 2009-04-14 2011-11-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8362800B2 (en) 2010-10-13 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device including field repairable logics
US7986042B2 (en) 2009-04-14 2011-07-26 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8373439B2 (en) 2009-04-14 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8258810B2 (en) 2010-09-30 2012-09-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
TWI609855B (zh) * 2009-04-28 2018-01-01 環球展覽公司 具有甲基-ｄ３取代之銥錯合物
KR101441737B1 (ko) 2009-05-01 2014-09-17 카티바, 인크. 유기 증기 인쇄용 장치 및 방법
TWI541234B (zh) 2009-05-12 2016-07-11 環球展覽公司 用於有機發光二極體之２－氮雜聯伸三苯材料
US8586203B2 (en) 2009-05-20 2013-11-19 Universal Display Corporation Metal complexes with boron-nitrogen heterocycle containing ligands
EP2443213B1 (de) 2009-06-18 2014-04-23 Basf Se Phenanthroazolverbindungen als lochtransportmaterialien für elektrolumineszente bauelemente
US8877356B2 (en) * 2009-07-22 2014-11-04 Global Oled Technology Llc OLED device with stabilized yellow light-emitting layer
US8476749B2 (en) * 2009-07-22 2013-07-02 Oracle America, Inc. High-bandwidth ramp-stack chip package
JP5778148B2 (ja) 2009-08-04 2015-09-16 メルク パテント ゲーエムベーハー 多環式炭水化物を含む電子デバイス
US20110097495A1 (en) * 2009-09-03 2011-04-28 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing with chiller plate
US8801856B2 (en) 2009-09-08 2014-08-12 Universal Display Corporation Method and system for high-throughput deposition of patterned organic thin films
US8466455B2 (en) * 2009-09-17 2013-06-18 Universal Display Corporation Device structure
DE102009048604A1 (de) 2009-10-02 2011-04-07 Technische Universität Dresden Organische Leuchtdiodenvorrichtung
US20110248244A1 (en) * 2009-10-05 2011-10-13 Emagin Corporation Independently controlled stacked inverted organic light emitting diodes and a method of manufacturing same
US10354995B2 (en) 2009-10-12 2019-07-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US10157909B2 (en) 2009-10-12 2018-12-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10043781B2 (en) 2009-10-12 2018-08-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11018133B2 (en) 2009-10-12 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D integrated circuit
US10388863B2 (en) 2009-10-12 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US8742476B1 (en) 2012-11-27 2014-06-03 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11374118B2 (en) 2009-10-12 2022-06-28 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D integrated circuit
US8581349B1 (en) 2011-05-02 2013-11-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor device and structure
US9099424B1 (en) 2012-08-10 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system, device and structure with heat removal
US10910364B2 (en) 2009-10-12 2021-02-02 Monolitaic 3D Inc. 3D semiconductor device
US8294159B2 (en) 2009-10-12 2012-10-23 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8476145B2 (en) 2010-10-13 2013-07-02 Monolithic 3D Inc. Method of fabricating a semiconductor device and structure
US8536023B2 (en) 2010-11-22 2013-09-17 Monolithic 3D Inc. Method of manufacturing a semiconductor device and structure
US8450804B2 (en) 2011-03-06 2013-05-28 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US10366970B2 (en) 2009-10-12 2019-07-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
KR20110045569A (ko) * 2009-10-27 2011-05-04 한국전자통신연구원 적층형 유기 전기 발광 소자
US8545996B2 (en) * 2009-11-02 2013-10-01 The University Of Southern California Ion-pairing soft salts based on organometallic complexes and their applications in organic light emitting diodes
US8580394B2 (en) 2009-11-19 2013-11-12 Universal Display Corporation 3-coordinate copper(I)-carbene complexes
WO2011062857A2 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Universal Display Corporation Oleds with low-index islands to enhance outcoupling of light
US8330152B2 (en) 2009-12-02 2012-12-11 Universal Display Corporation OLED display architecture with improved aperture ratio
US8242489B2 (en) 2009-12-17 2012-08-14 Global Oled Technology, Llc. OLED with high efficiency blue light-emitting layer
WO2011076323A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Formulations comprising phase-separated functional materials
WO2011076314A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Electroluminescent formulations
WO2011076326A1 (en) 2009-12-22 2011-06-30 Merck Patent Gmbh Electroluminescent functional surfactants
US8288187B2 (en) * 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
DE102010006280A1 (de) 2010-01-30 2011-08-04 Merck Patent GmbH, 64293 Farbkonvertierung
WO2011096923A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-11 Universal Display Corporation Organic light emitting device with conducting cover
TWI508621B (zh) * 2010-02-03 2015-11-11 Innolux Corp 影像顯示系統
US8461035B1 (en) 2010-09-30 2013-06-11 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8373230B1 (en) 2010-10-13 2013-02-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US8492886B2 (en) 2010-02-16 2013-07-23 Monolithic 3D Inc 3D integrated circuit with logic
US8541819B1 (en) 2010-12-09 2013-09-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8026521B1 (en) 2010-10-11 2011-09-27 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9099526B2 (en) 2010-02-16 2015-08-04 Monolithic 3D Inc. Integrated circuit device and structure
US8298875B1 (en) 2011-03-06 2012-10-30 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US9156870B2 (en) * 2010-02-25 2015-10-13 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
US9175211B2 (en) * 2010-03-03 2015-11-03 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
EP2545600A2 (de) 2010-03-11 2013-01-16 Merck Patent GmbH Strahlungsfasern
KR20130020883A (ko) 2010-03-11 2013-03-04 메르크 파텐트 게엠베하 요법 및 미용에서의 섬유
US8334545B2 (en) * 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
TWI488540B (zh) * 2010-03-24 2015-06-11 Au Optronics Corp 白色有機發光二極體
KR101823602B1 (ko) 2010-03-25 2018-01-30 유니버셜 디스플레이 코포레이션 용액 처리 가능한 도핑된 트리아릴아민 정공 주입 물질
US8450730B2 (en) 2010-03-31 2013-05-28 The Regents Of The University Of Michigan Light emitting device having peripheral emissive region
US8227801B2 (en) 2010-04-26 2012-07-24 Universal Display Corporation Bicarbzole containing compounds for OLEDs
JP2011249319A (ja) 2010-04-27 2011-12-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8968887B2 (en) 2010-04-28 2015-03-03 Universal Display Corporation Triphenylene-benzofuran/benzothiophene/benzoselenophene compounds with substituents joining to form fused rings
WO2011136755A1 (en) 2010-04-28 2011-11-03 Universal Display Corporation Depositing premixed materials
US9073948B2 (en) 2010-05-14 2015-07-07 Universal Display Corporation Azaborine compounds as host materials and dopants for PHOLEDs
US8564001B2 (en) 2010-05-21 2013-10-22 Universal Display Corporation Organic light emitting device lighting panel
JP5944380B2 (ja) 2010-05-27 2016-07-05 メルク パテント ゲーエムベーハー 量子ドットを含む組成物
US8659037B2 (en) 2010-06-08 2014-02-25 Sundiode Inc. Nanostructure optoelectronic device with independently controllable junctions
US8742657B2 (en) 2010-06-11 2014-06-03 Universal Display Corporation Triplet-Triplet annihilation up conversion (TTA-UC) for display and lighting applications
US8673458B2 (en) 2010-06-11 2014-03-18 Universal Display Corporation Delayed fluorescence OLED
KR101626646B1 (ko) 2010-07-22 2016-06-01 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 증기 제트 인쇄
WO2012016074A1 (en) 2010-07-29 2012-02-02 University Of Southern California Co-deposition methods for the fabrication of organic optoelectronic devices
US8642416B2 (en) 2010-07-30 2014-02-04 Monolithic 3D Inc. Method of forming three dimensional integrated circuit devices using layer transfer technique
US8901613B2 (en) 2011-03-06 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US9219005B2 (en) 2011-06-28 2015-12-22 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US9953925B2 (en) 2011-06-28 2018-04-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor system and device
US10217667B2 (en) 2011-06-28 2019-02-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device, fabrication method and system
TW201208114A (en) * 2010-08-02 2012-02-16 Foxsemicon Integrated Tech Inc Lighting-emitting diode structure
DE112010005815B4 (de) 2010-08-20 2020-12-10 Universal Display Corp. Bicarbazolverbindungen für OLEDs
US20120049168A1 (en) 2010-08-31 2012-03-01 Universal Display Corporation Cross-Linked Charge Transport Layer Containing an Additive Compound
US8946376B2 (en) 2010-09-29 2015-02-03 Basf Se Semiconductors based on diketopyrrolopyrroles
JP5921554B2 (ja) 2010-09-29 2016-05-24 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ジケトピロロピロール系の半導体
US10497713B2 (en) 2010-11-18 2019-12-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US8163581B1 (en) 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices
US8273610B2 (en) 2010-11-18 2012-09-25 Monolithic 3D Inc. Method of constructing a semiconductor device and structure
US11482440B2 (en) 2010-12-16 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with a built-in test circuit for repairing faulty circuits
US8932734B2 (en) 2010-10-08 2015-01-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10290682B2 (en) 2010-10-11 2019-05-14 Monolithic 3D Inc. 3D IC semiconductor device and structure with stacked memory
US11158674B2 (en) 2010-10-11 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. Method to produce a 3D semiconductor device and structure
US11257867B1 (en) 2010-10-11 2022-02-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with oxide bonds
US11600667B1 (en) 2010-10-11 2023-03-07 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US8114757B1 (en) 2010-10-11 2012-02-14 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11227897B2 (en) 2010-10-11 2022-01-18 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11024673B1 (en) 2010-10-11 2021-06-01 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11018191B1 (en) 2010-10-11 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10896931B1 (en) 2010-10-11 2021-01-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11315980B1 (en) 2010-10-11 2022-04-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with transistors
KR101874889B1 (ko) 2010-10-11 2018-07-06 코닌클리케 필립스 엔.브이. 멀티 디바이스 ｏｌｅｄ
US11469271B2 (en) 2010-10-11 2022-10-11 Monolithic 3D Inc. Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory
US8283215B2 (en) 2010-10-13 2012-10-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US11133344B2 (en) 2010-10-13 2021-09-28 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US10998374B1 (en) 2010-10-13 2021-05-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US11063071B1 (en) 2010-10-13 2021-07-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US9197804B1 (en) 2011-10-14 2015-11-24 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US10679977B2 (en) 2010-10-13 2020-06-09 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US11855100B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11163112B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11327227B2 (en) 2010-10-13 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with electromagnetic modulators
US11605663B2 (en) 2010-10-13 2023-03-14 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11694922B2 (en) 2010-10-13 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11869915B2 (en) 2010-10-13 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US11929372B2 (en) 2010-10-13 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US10978501B1 (en) 2010-10-13 2021-04-13 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with waveguides
US11855114B2 (en) 2010-10-13 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors and wafer bonding
US8379458B1 (en) 2010-10-13 2013-02-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11043523B1 (en) 2010-10-13 2021-06-22 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US11437368B2 (en) 2010-10-13 2022-09-06 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with oxide bonding
US11404466B2 (en) 2010-10-13 2022-08-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure with image sensors
US10943934B2 (en) 2010-10-13 2021-03-09 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US10833108B2 (en) 2010-10-13 2020-11-10 Monolithic 3D Inc. 3D microdisplay device and structure
US11164898B2 (en) 2010-10-13 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Multilevel semiconductor device and structure
US9269921B2 (en) * 2010-10-20 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
KR101351512B1 (ko) * 2010-10-25 2014-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법
JP2012093190A (ja) * 2010-10-26 2012-05-17 Olympus Corp 蛍光センサの補正方法おび蛍光センサ
US8269317B2 (en) 2010-11-11 2012-09-18 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
US11862503B2 (en) 2010-11-18 2024-01-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11508605B2 (en) 2010-11-18 2022-11-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11018042B1 (en) 2010-11-18 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11615977B2 (en) 2010-11-18 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11107721B2 (en) 2010-11-18 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with NAND logic
US11443971B2 (en) 2010-11-18 2022-09-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11031275B2 (en) 2010-11-18 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11521888B2 (en) 2010-11-18 2022-12-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with high-k metal gate transistors
US11355381B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US11482439B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device comprising charge trap junction-less transistors
US11211279B2 (en) 2010-11-18 2021-12-28 Monolithic 3D Inc. Method for processing a 3D integrated circuit and structure
US11610802B2 (en) 2010-11-18 2023-03-21 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor device and structure with single crystal transistors and metal gate electrodes
US11784082B2 (en) 2010-11-18 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11355380B2 (en) 2010-11-18 2022-06-07 Monolithic 3D Inc. Methods for producing 3D semiconductor memory device and structure utilizing alignment marks
US11094576B1 (en) 2010-11-18 2021-08-17 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11735462B2 (en) 2010-11-18 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11923230B1 (en) 2010-11-18 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11901210B2 (en) 2010-11-18 2024-02-13 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with memory
US11121021B2 (en) 2010-11-18 2021-09-14 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11482438B2 (en) 2010-11-18 2022-10-25 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11854857B1 (en) 2010-11-18 2023-12-26 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11495484B2 (en) 2010-11-18 2022-11-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor devices and structures with at least two single-crystal layers
US11804396B2 (en) 2010-11-18 2023-10-31 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers
US11569117B2 (en) 2010-11-18 2023-01-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with single-crystal layers
US11164770B1 (en) 2010-11-18 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. Method for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US11004719B1 (en) 2010-11-18 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. Methods for producing a 3D semiconductor memory device and structure
US20120138906A1 (en) 2010-12-07 2012-06-07 The University of Southern California USC Stevens Institute for Innovation Capture agents for unsaturated metal complexes
US9698140B2 (en) 2011-01-12 2017-07-04 Universal Display Corporation OLED lighting device with short tolerant structure
CN106847863B (zh) 2011-01-12 2021-01-01 环球展览公司 具有短路容许结构的oled照明装置
US10008677B2 (en) 2011-01-13 2018-06-26 Universal Display Corporation Materials for organic light emitting diode
US8415031B2 (en) 2011-01-24 2013-04-09 Universal Display Corporation Electron transporting compounds
KR20140115238A (ko) 2011-02-09 2014-09-30 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 아릴 스쿠아레인을 포함하는 유기 감광 디바이스 및 이의 제조 방법
US8563737B2 (en) 2011-02-23 2013-10-22 Universal Display Corporation Methods of making bis-tridentate carbene complexes of ruthenium and osmium
JP6042352B2 (ja) 2011-02-23 2016-12-14 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 新規四座配位白金錯体
US8748011B2 (en) 2011-02-23 2014-06-10 Universal Display Corporation Ruthenium carbene complexes for OLED material
US9005772B2 (en) 2011-02-23 2015-04-14 Universal Display Corporation Thioazole and oxazole carbene metal complexes as phosphorescent OLED materials
US8492006B2 (en) 2011-02-24 2013-07-23 Universal Display Corporation Germanium-containing red emitter materials for organic light emitting diode
US8975670B2 (en) 2011-03-06 2015-03-10 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure for heat removal
US8883322B2 (en) 2011-03-08 2014-11-11 Universal Display Corporation Pyridyl carbene phosphorescent emitters
US8664970B2 (en) 2011-03-14 2014-03-04 Universal Display Corporation Method for accelerated lifetesting of large area OLED lighting panels
EP2696569A4 (de) 2011-04-06 2014-07-16 Neoviewkolon Co Ltd Bildschirm zur anzeige von informationen für eine optische vorrichtung
US8902245B2 (en) 2011-04-07 2014-12-02 Universal Display Corporation Method for driving quad-subpixel display
KR101711694B1 (ko) 2011-04-08 2017-03-02 카티바, 인크. 다면 드럼을 이용해 인쇄하기 위한 방법 및 장치
US8580399B2 (en) 2011-04-08 2013-11-12 Universal Display Corporation Substituted oligoazacarbazoles for light emitting diodes
US8866416B2 (en) 2011-05-04 2014-10-21 Universal Display Corporation Illumination source using LEDs and OLEDs
US8564192B2 (en) 2011-05-11 2013-10-22 Universal Display Corporation Process for fabricating OLED lighting panels
US8432095B2 (en) 2011-05-11 2013-04-30 Universal Display Corporation Process for fabricating metal bus lines for OLED lighting panels
US8981640B2 (en) 2011-05-11 2015-03-17 Universal Display Corporation Simplified patterned light panel
US8927308B2 (en) 2011-05-12 2015-01-06 Universal Display Corporation Method of forming bus line designs for large-area OLED lighting
US8710518B2 (en) 2011-05-12 2014-04-29 Universal Display Corporation Flexible lighting devices
US8773013B2 (en) 2011-05-12 2014-07-08 Universal Display Corporation Three dimensional OLED lamps
US8907560B2 (en) 2011-05-12 2014-12-09 Universal Display Corporation Dynamic OLED lighting
US8835945B2 (en) 2013-01-11 2014-09-16 Lighting Science Group Corporation Serially-connected light emitting diodes, methods of forming same, and luminaires containing same
US9360202B2 (en) 2011-05-13 2016-06-07 Lighting Science Group Corporation System for actively cooling an LED filament and associated methods
US9212197B2 (en) 2011-05-19 2015-12-15 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants
US8795850B2 (en) 2011-05-19 2014-08-05 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants and new synthetic methodology
US8748012B2 (en) 2011-05-25 2014-06-10 Universal Display Corporation Host materials for OLED
US10158089B2 (en) 2011-05-27 2018-12-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10079349B2 (en) 2011-05-27 2018-09-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2012166101A1 (en) 2011-05-27 2012-12-06 Universal Display Corporation Oled having multi-component emissivie layer
KR102119353B1 (ko) 2011-06-08 2020-06-29 유니버셜 디스플레이 코포레이션 헤테로렙틱 이리듐 카르벤 착물 및 이를 사용한 발광 디바이스
US8884316B2 (en) 2011-06-17 2014-11-11 Universal Display Corporation Non-common capping layer on an organic device
US8659036B2 (en) 2011-06-17 2014-02-25 Universal Display Corporation Fine tuning of emission spectra by combination of multiple emitter spectra
WO2012175530A1 (en) 2011-06-22 2012-12-27 Basf Se Diketopyrrolopyrrole oligomers for use in organic semiconductor devices
US10388568B2 (en) 2011-06-28 2019-08-20 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and system
US9252377B2 (en) 2011-07-14 2016-02-02 Universal Display Corporation Inorganic hosts in OLEDs
US9023420B2 (en) 2011-07-14 2015-05-05 Universal Display Corporation Composite organic/inorganic layer for organic light-emitting devices
US9397310B2 (en) 2011-07-14 2016-07-19 Universal Display Corporation Organice electroluminescent materials and devices
US8502445B2 (en) 2011-07-18 2013-08-06 Universal Display Corporation RGBW OLED display for extended lifetime and reduced power consumption
US9783564B2 (en) 2011-07-25 2017-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101950039B1 (ko) 2011-07-25 2019-02-19 유니버셜 디스플레이 코포레이션 4좌 배위자 백금 착물
US8409729B2 (en) 2011-07-28 2013-04-02 Universal Display Corporation Host materials for phosphorescent OLEDs
US8926119B2 (en) 2011-08-04 2015-01-06 Universal Display Corporation Extendable light source with variable light emitting area
US8552420B2 (en) 2011-08-09 2013-10-08 Universal Display Corporation OLED light panel with controlled brightness variation
US9318536B2 (en) 2011-08-09 2016-04-19 Universal Display Corporation Light emitters with series connection
US8764239B2 (en) 2011-08-16 2014-07-01 Universal Display Corporation Dynamic stretchable OLED lamp
US9493698B2 (en) 2011-08-31 2016-11-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6296980B2 (ja) 2011-09-02 2018-03-20 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ ジケトピロロピロールオリゴマー、及びジケトピロロピロールオリゴマーを含む組成物
US9184420B2 (en) 2011-09-23 2015-11-10 Universal Display Corporation Digitized OLED light source
WO2013048419A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Universal Display Corporation LAMP WITH MULTIPLE FLEXIBLE OLEDs
US8687399B2 (en) 2011-10-02 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US9123667B2 (en) 2011-10-04 2015-09-01 Universal Display Corporation Power-efficient RGBW OLED display
US9029173B2 (en) 2011-10-18 2015-05-12 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
RU2603434C2 (ru) 2011-10-26 2016-11-27 Конинклейке Филипс Н.В. Усовершенствованное маскирование для рисунков на светоизлучающих устройствах
US9231227B2 (en) * 2011-10-28 2016-01-05 Universal Display Corporation OLED display architecture
WO2013066306A1 (en) 2011-10-31 2013-05-10 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Luminescent stacked waveguide display
KR101976104B1 (ko) 2011-11-01 2019-05-09 유니버셜 디스플레이 코포레이션 저휘도에서의 ｏｌｅｄ 디바이스 효율 감소
CA2854161A1 (en) 2011-11-01 2013-05-10 The Regents Of The University Of Michigan Method of preparing the surface of metal substrates for organic photosensitive devices
US8652656B2 (en) 2011-11-14 2014-02-18 Universal Display Corporation Triphenylene silane hosts
US9193745B2 (en) 2011-11-15 2015-11-24 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
US9217004B2 (en) 2011-11-21 2015-12-22 Universal Display Corporation Organic light emitting materials
US9512355B2 (en) 2011-12-09 2016-12-06 Universal Display Corporation Organic light emitting materials
CN108230917A (zh) * 2011-12-09 2018-06-29 上海本星电子科技有限公司 内嵌式led发光元件的显示面板
US20130146875A1 (en) 2011-12-13 2013-06-13 Universal Display Corporation Split electrode for organic devices
KR101866393B1 (ko) * 2011-12-30 2018-06-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
US8987451B2 (en) 2012-01-03 2015-03-24 Universal Display Corporation Synthesis of cyclometallated platinum(II) complexes
US9461254B2 (en) 2012-01-03 2016-10-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9163174B2 (en) 2012-01-04 2015-10-20 Universal Display Corporation Highly efficient phosphorescent materials
KR102012047B1 (ko) 2012-01-06 2019-08-19 유니버셜 디스플레이 코포레이션 효율이 큰 인광 물질
US8969592B2 (en) 2012-01-10 2015-03-03 Universal Display Corporation Heterocyclic host materials
US10211413B2 (en) 2012-01-17 2019-02-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US8969116B2 (en) 2012-01-23 2015-03-03 Universal Display Corporation Selective OLED vapor deposition using electric charges
CN104081553B (zh) 2012-01-30 2017-07-04 默克专利有限公司 在纤维上的纳米晶体
CN103247656A (zh) * 2012-02-07 2013-08-14 瀚宇彩晶股份有限公司 有机电致发光显示装置
US9118017B2 (en) 2012-02-27 2015-08-25 Universal Display Corporation Host compounds for red phosphorescent OLEDs
US20130273239A1 (en) 2012-03-13 2013-10-17 Universal Display Corporation Nozzle design for organic vapor jet printing
JPWO2013137234A1 (ja) * 2012-03-15 2015-08-03 コニカミノルタ株式会社 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法
US9054323B2 (en) 2012-03-15 2015-06-09 Universal Display Corporation Secondary hole transporting layer with diarylamino-phenyl-carbazole compounds
US9386657B2 (en) 2012-03-15 2016-07-05 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent materials and devices
US9312511B2 (en) 2012-03-16 2016-04-12 Universal Display Corporation Edge barrier film for electronic devices
US8933468B2 (en) 2012-03-16 2015-01-13 Princeton University Office of Technology and Trademark Licensing Electronic device with reduced non-device edge area
US9000557B2 (en) 2012-03-17 2015-04-07 Zvi Or-Bach Semiconductor device and structure
US20150041788A1 (en) * 2012-03-21 2015-02-12 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element
TWI493751B (zh) * 2012-03-30 2015-07-21 華夏光股份有限公司 堆疊結合發光二極體
US8557632B1 (en) 2012-04-09 2013-10-15 Monolithic 3D Inc. Method for fabrication of a semiconductor device and structure
US11088050B2 (en) 2012-04-09 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers
US11164811B2 (en) 2012-04-09 2021-11-02 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with isolation layers and oxide-to-oxide bonding
US11616004B1 (en) 2012-04-09 2023-03-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11476181B1 (en) 2012-04-09 2022-10-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US10600888B2 (en) 2012-04-09 2020-03-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device
US11881443B2 (en) 2012-04-09 2024-01-23 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11735501B1 (en) 2012-04-09 2023-08-22 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11694944B1 (en) 2012-04-09 2023-07-04 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US11410912B2 (en) 2012-04-09 2022-08-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with vias and isolation layers
US11594473B2 (en) 2012-04-09 2023-02-28 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and a connective path
US8836223B2 (en) 2012-04-18 2014-09-16 Universal Display Corporation OLED panel with fuses
US8723209B2 (en) 2012-04-27 2014-05-13 Universal Display Corporation Out coupling layer containing particle polymer composite
US9184399B2 (en) 2012-05-04 2015-11-10 Universal Display Corporation Asymmetric hosts with triaryl silane side chains
US9082632B2 (en) 2012-05-10 2015-07-14 Oracle International Corporation Ramp-stack chip package with variable chip spacing
US9773985B2 (en) 2012-05-21 2017-09-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9741968B2 (en) 2012-05-30 2017-08-22 Universal Display Corporation Luminaire and individually replaceable components
US9655199B2 (en) 2012-05-30 2017-05-16 Universal Display Corporation Four component phosphorescent OLED for cool white lighting application
US20150333272A1 (en) * 2012-05-31 2015-11-19 Konica Minolta, Inc. Transparent electrode, electronic device, and organic electroluminescent element
JP2013253023A (ja) * 2012-06-05 2013-12-19 Canon Inc 新規ベンゾピレン化合物及びそれを有する有機発光素子
US9670404B2 (en) 2012-06-06 2017-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9991463B2 (en) 2012-06-14 2018-06-05 Universal Display Corporation Electronic devices with improved shelf lives
US9502672B2 (en) 2012-06-21 2016-11-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9725476B2 (en) 2012-07-09 2017-08-08 Universal Display Corporation Silylated metal complexes
US9231218B2 (en) 2012-07-10 2016-01-05 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters containing dibenzo[1,4]azaborinine structure
US9210810B2 (en) 2012-07-12 2015-12-08 Universal Display Corporation Method of fabricating flexible devices
US9059412B2 (en) 2012-07-19 2015-06-16 Universal Display Corporation Transition metal complexes containing substituted imidazole carbene as ligands and their application in OLEDs
US9540329B2 (en) 2012-07-19 2017-01-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9663544B2 (en) 2012-07-25 2017-05-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9318710B2 (en) 2012-07-30 2016-04-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9246036B2 (en) 2012-08-20 2016-01-26 Universal Display Corporation Thin film deposition
US9978958B2 (en) 2012-08-24 2018-05-22 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters with phenylimidazole ligands
US8728858B2 (en) 2012-08-27 2014-05-20 Universal Display Corporation Multi-nozzle organic vapor jet printing
US8952362B2 (en) 2012-08-31 2015-02-10 The Regents Of The University Of Michigan High efficiency and brightness fluorescent organic light emitting diode by triplet-triplet fusion
US8940568B2 (en) 2012-08-31 2015-01-27 Universal Display Corporation Patterning method for OLEDs
GB2505499B (en) * 2012-09-03 2017-03-08 Dst Innovations Ltd Electroluminescent displays and lighting
US10957870B2 (en) 2012-09-07 2021-03-23 Universal Display Corporation Organic light emitting device
US9170665B2 (en) 2012-09-14 2015-10-27 Universal Display Corporation Lifetime OLED display
US9257665B2 (en) 2012-09-14 2016-02-09 Universal Display Corporation Lifetime OLED display
US8957579B2 (en) 2012-09-14 2015-02-17 Universal Display Corporation Low image sticking OLED display
US9412947B2 (en) 2012-09-14 2016-08-09 Universal Display Corporation OLED fabrication using laser transfer
US9379169B2 (en) 2012-09-14 2016-06-28 Universal Display Corporation Very high resolution AMOLED display
US9287513B2 (en) 2012-09-24 2016-03-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9312505B2 (en) 2012-09-25 2016-04-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862073B2 (en) 2012-09-25 2020-12-08 The Trustees Of Princeton University Barrier film for electronic devices and substrates
US9577221B2 (en) 2012-09-26 2017-02-21 Universal Display Corporation Three stack hybrid white OLED for enhanced efficiency and lifetime
WO2014099080A2 (en) 2012-09-26 2014-06-26 University Of Florida Research Foundation, Inc. Transparent quantum dot light-emitting diodes with dielectric/metal/dielectric electrode
US9252363B2 (en) 2012-10-04 2016-02-02 Universal Display Corporation Aryloxyalkylcarboxylate solvent compositions for inkjet printing of organic layers
US8764255B2 (en) 2012-10-10 2014-07-01 Universal Display Corporation Semi-rigid electronic device with a flexible display
US9120290B2 (en) 2012-10-10 2015-09-01 Universal Display Corporation Flexible screen backed with rigid ribs
EP2907172B1 (de) 2012-10-11 2019-05-22 The Regents Of The University Of Michigan Organische lichtempfindliche vorrichtungen mit reflektoren
US9384691B2 (en) 2012-10-19 2016-07-05 Universal Display Corporation Transparent display and illumination device
US9385340B2 (en) 2012-10-19 2016-07-05 Universal Display Corporation Transparent display and illumination device
US9385172B2 (en) 2012-10-19 2016-07-05 Universal Display Corporation One-way transparent display
WO2014070888A1 (en) 2012-10-30 2014-05-08 Massachusetts Institute Of Technology Organic conductive materials and devices
WO2014069256A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8692241B1 (en) 2012-11-08 2014-04-08 Universal Display Corporation Transition metal complexes containing triazole and tetrazole carbene ligands
US8946697B1 (en) 2012-11-09 2015-02-03 Universal Display Corporation Iridium complexes with aza-benzo fused ligands
US9748500B2 (en) 2015-01-15 2017-08-29 Universal Display Corporation Organic light emitting materials
US9634264B2 (en) 2012-11-09 2017-04-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9685617B2 (en) 2012-11-09 2017-06-20 Universal Display Corporation Organic electronuminescent materials and devices
US8686428B1 (en) 2012-11-16 2014-04-01 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US8574929B1 (en) 2012-11-16 2013-11-05 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US10069090B2 (en) 2012-11-20 2018-09-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9190623B2 (en) 2012-11-20 2015-11-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9512136B2 (en) 2012-11-26 2016-12-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9166175B2 (en) 2012-11-27 2015-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9196860B2 (en) 2012-12-04 2015-11-24 Universal Display Corporation Compounds for triplet-triplet annihilation upconversion
US8716484B1 (en) 2012-12-05 2014-05-06 Universal Display Corporation Hole transporting materials with twisted aryl groups
US9209411B2 (en) 2012-12-07 2015-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9653691B2 (en) 2012-12-12 2017-05-16 Universal Display Corporation Phosphorescence-sensitizing fluorescence material system
US9159945B2 (en) 2012-12-13 2015-10-13 Universal Display Corporation System and method for matching electrode resistances in OLED light panels
US8766531B1 (en) 2012-12-14 2014-07-01 Universal Display Corporation Wearable display
US20140166990A1 (en) 2012-12-17 2014-06-19 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
US8912018B2 (en) 2012-12-17 2014-12-16 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
US20140166989A1 (en) 2012-12-17 2014-06-19 Universal Display Corporation Manufacturing flexible organic electronic devices
US9502681B2 (en) 2012-12-19 2016-11-22 Universal Display Corporation System and method for a flexible display encapsulation
US11916045B2 (en) 2012-12-22 2024-02-27 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11063024B1 (en) 2012-12-22 2021-07-13 Monlithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11309292B2 (en) 2012-12-22 2022-04-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US8674470B1 (en) 2012-12-22 2014-03-18 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11784169B2 (en) 2012-12-22 2023-10-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11217565B2 (en) 2012-12-22 2022-01-04 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US11018116B2 (en) 2012-12-22 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. Method to form a 3D semiconductor device and structure
US9871034B1 (en) 2012-12-29 2018-01-16 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10892169B2 (en) 2012-12-29 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10651054B2 (en) 2012-12-29 2020-05-12 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10903089B1 (en) 2012-12-29 2021-01-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9385058B1 (en) 2012-12-29 2016-07-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11177140B2 (en) 2012-12-29 2021-11-16 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10115663B2 (en) 2012-12-29 2018-10-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11430667B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11004694B1 (en) 2012-12-29 2021-05-11 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10600657B2 (en) 2012-12-29 2020-03-24 Monolithic 3D Inc 3D semiconductor device and structure
US11430668B2 (en) 2012-12-29 2022-08-30 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with bonding
US11087995B1 (en) 2012-12-29 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9385168B2 (en) 2013-01-18 2016-07-05 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US10243023B2 (en) 2013-01-18 2019-03-26 Universal Display Corporation Top emission AMOLED displays using two emissive layers
US9590017B2 (en) 2013-01-18 2017-03-07 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US10229956B2 (en) 2013-01-18 2019-03-12 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US9424772B2 (en) 2013-01-18 2016-08-23 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US10580832B2 (en) 2013-01-18 2020-03-03 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US10304906B2 (en) 2013-01-18 2019-05-28 Universal Display Corporation High resolution low power consumption OLED display with extended lifetime
US9252397B2 (en) 2013-02-07 2016-02-02 Universal Display Corporation OVJP for printing graded/stepped organic layers
US10400163B2 (en) 2013-02-08 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10367154B2 (en) 2013-02-21 2019-07-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9178184B2 (en) 2013-02-21 2015-11-03 Universal Display Corporation Deposition of patterned organic thin films
EP3882254B1 (de) 2013-02-21 2023-10-04 Universal Display Corporation Phosphoreszente homoleptische tris-[deuterierte-2(2-pyridinyl)phenyl]-iridium-komplexe zur verwendung in lichtemittierenden vorrichtungen
JP2014172257A (ja) * 2013-03-07 2014-09-22 Ricoh Co Ltd 露光装置、画像形成装置
US8927749B2 (en) 2013-03-07 2015-01-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US8902663B1 (en) 2013-03-11 2014-12-02 Monolithic 3D Inc. Method of maintaining a memory state
US11869965B2 (en) 2013-03-11 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
US10325651B2 (en) 2013-03-11 2019-06-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device with stacked memory
US11935949B1 (en) 2013-03-11 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells
JP2016518616A (ja) * 2013-03-11 2016-06-23 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． オートステレオスコピックディスプレイ装置
US10840239B2 (en) 2014-08-26 2020-11-17 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9000459B2 (en) 2013-03-12 2015-04-07 Universal Display Corporation OLED display architecture having some blue subpixel components replaced with non-emissive volume containing via or functional electronic component and method of manufacturing thereof
US8994404B1 (en) 2013-03-12 2015-03-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11923374B2 (en) 2013-03-12 2024-03-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure with metal layers
US11088130B2 (en) 2014-01-28 2021-08-10 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US11398569B2 (en) 2013-03-12 2022-07-26 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9419225B2 (en) 2013-03-14 2016-08-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US8872420B2 (en) * 2013-03-15 2014-10-28 Thomas J. Brindisi Volumetric three-dimensional display with evenly-spaced elements
US9117749B1 (en) 2013-03-15 2015-08-25 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10224279B2 (en) 2013-03-15 2019-03-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US10514136B2 (en) 2013-03-25 2019-12-24 Universal Display Corporation Lighting devices
US9018660B2 (en) 2013-03-25 2015-04-28 Universal Display Corporation Lighting devices
US9997712B2 (en) 2013-03-27 2018-06-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11574109B1 (en) 2013-04-15 2023-02-07 Monolithic 3D Inc Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US9021414B1 (en) 2013-04-15 2015-04-28 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11270055B1 (en) 2013-04-15 2022-03-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11341309B1 (en) 2013-04-15 2022-05-24 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11030371B2 (en) 2013-04-15 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US11720736B2 (en) 2013-04-15 2023-08-08 Monolithic 3D Inc. Automation methods for 3D integrated circuits and devices
US11487928B2 (en) 2013-04-15 2022-11-01 Monolithic 3D Inc. Automation for monolithic 3D devices
US8979291B2 (en) 2013-05-07 2015-03-17 Universal Display Corporation Lighting devices including transparent organic light emitting device light panels and having independent control of direct to indirect light
US9537106B2 (en) 2013-05-09 2017-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9865672B2 (en) 2013-05-15 2018-01-09 Universal Display Corporation Macro-image OLED lighting system
US9484546B2 (en) 2013-05-15 2016-11-01 Universal Display Corporation OLED with compact contact design and self-aligned insulators
US9041297B2 (en) 2013-05-20 2015-05-26 Universal Display Corporation Large area lighting system with wireless control
US10468633B2 (en) 2013-06-05 2019-11-05 Universal Display Corporation Microlens array architectures for enhanced light outcoupling from an OLED array
US9093658B2 (en) 2013-06-07 2015-07-28 Universal Display Corporation Pre-stressed flexible OLED
US9735373B2 (en) 2013-06-10 2017-08-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9818967B2 (en) 2013-06-28 2017-11-14 Universal Display Corporation Barrier covered microlens films
US9673401B2 (en) 2013-06-28 2017-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10199581B2 (en) 2013-07-01 2019-02-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10121975B2 (en) 2013-07-03 2018-11-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
DE102013107225A1 (de) * 2013-07-09 2015-01-15 Osram Oled Gmbh Optoelektronische Bauelementanordnung, Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementanordnung, Verfahren zum Betreiben einer optoelektronischen Bauelementanordnung
KR101816458B1 (ko) * 2013-07-11 2018-01-08 코니카 미놀타 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자의 제조 방법 및 제조 장치, 및 유기 일렉트로루미네센스 모듈
CN103346164B (zh) * 2013-07-13 2016-12-28 广州新视界光电科技有限公司 一种颜色可调的有机电致发光器件及其制备方法
US9761807B2 (en) 2013-07-15 2017-09-12 Universal Display Corporation Organic light emitting diode materials
US9324949B2 (en) 2013-07-16 2016-04-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9553274B2 (en) 2013-07-16 2017-01-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9224958B2 (en) 2013-07-19 2015-12-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20150028290A1 (en) 2013-07-25 2015-01-29 Universal Display Corporation Heteroleptic osmium complex and method of making the same
US8962449B1 (en) 2013-07-30 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Methods for processing semiconductor devices
US9823482B2 (en) 2013-08-19 2017-11-21 Universal Display Corporation Autostereoscopic displays
KR102084718B1 (ko) * 2013-08-19 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
US10074806B2 (en) 2013-08-20 2018-09-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9831437B2 (en) 2013-08-20 2017-11-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN105723536A (zh) * 2013-08-29 2016-06-29 密执安州立大学董事会 具有多个溶液加工层的有机电子器件
US9385348B2 (en) 2013-08-29 2016-07-05 The Regents Of The University Of Michigan Organic electronic devices with multiple solution-processed layers
US9374872B2 (en) 2013-08-30 2016-06-21 Universal Display Corporation Intelligent dimming lighting
US9932359B2 (en) 2013-08-30 2018-04-03 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
JP6430719B2 (ja) * 2013-09-02 2018-11-28 株式会社小糸製作所 車両用灯具
US8981363B1 (en) 2013-09-03 2015-03-17 Universal Display Corporation Flexible substrate for OLED device
US10199582B2 (en) 2013-09-03 2019-02-05 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US9735378B2 (en) 2013-09-09 2017-08-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9748503B2 (en) 2013-09-13 2017-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9496522B2 (en) 2013-12-13 2016-11-15 Universal Display Corporation OLED optically coupled to curved substrate
US20150090960A1 (en) 2013-09-30 2015-04-02 Universal Display Corporation Methods to Fabricate Flexible OLED Lighting Devices
US10003034B2 (en) 2013-09-30 2018-06-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9831447B2 (en) 2013-10-08 2017-11-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9293712B2 (en) 2013-10-11 2016-03-22 Universal Display Corporation Disubstituted pyrene compounds with amino group containing ortho aryl group and devices containing the same
CN103560209A (zh) * 2013-10-12 2014-02-05 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管装置以及其制造方法
JP6396147B2 (ja) 2013-10-22 2018-09-26 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料、及びデバイス
US9853229B2 (en) 2013-10-23 2017-12-26 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US20150115250A1 (en) 2013-10-29 2015-04-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2015068779A1 (ja) * 2013-11-07 2015-05-14 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンスモジュール
US9306179B2 (en) 2013-11-08 2016-04-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9647218B2 (en) 2013-11-14 2017-05-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9142778B2 (en) 2013-11-15 2015-09-22 Universal Display Corporation High vacuum OLED deposition source and system
EP2874195B1 (de) 2013-11-15 2017-05-03 Universal Display Corporation Organische elektrolumineszente Materialien und Vorrichtungen
US9905784B2 (en) 2013-11-15 2018-02-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10056565B2 (en) 2013-11-20 2018-08-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9130195B2 (en) 2013-11-22 2015-09-08 Universal Display Corporation Structure to enhance light extraction and lifetime of OLED devices
WO2015081289A1 (en) 2013-11-27 2015-06-04 The Regents Of The University Of Michigan Devices combining thin film inorganic leds with organic leds and fabrication thereof
US9390649B2 (en) 2013-11-27 2016-07-12 Universal Display Corporation Ruggedized wearable display
US10644251B2 (en) 2013-12-04 2020-05-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9876173B2 (en) 2013-12-09 2018-01-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10355227B2 (en) 2013-12-16 2019-07-16 Universal Display Corporation Metal complex for phosphorescent OLED
US9666822B2 (en) 2013-12-17 2017-05-30 The Regents Of The University Of Michigan Extended OLED operational lifetime through phosphorescent dopant profile management
US9397314B2 (en) 2013-12-23 2016-07-19 Universal Display Corporation Thin-form light-enhanced substrate for OLED luminaire
US10839734B2 (en) 2013-12-23 2020-11-17 Universal Display Corporation OLED color tuning by driving mode variation
US9847496B2 (en) 2013-12-23 2017-12-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3087623B1 (de) 2013-12-26 2021-09-22 Kateeva, Inc. Wärmebehandlung von elektronischen vorrichtungen
US10135008B2 (en) 2014-01-07 2018-11-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9978961B2 (en) 2014-01-08 2018-05-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9755159B2 (en) 2014-01-23 2017-09-05 Universal Display Corporation Organic materials for OLEDs
US11031394B1 (en) 2014-01-28 2021-06-08 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10297586B2 (en) 2015-03-09 2019-05-21 Monolithic 3D Inc. Methods for processing a 3D semiconductor device
US11107808B1 (en) 2014-01-28 2021-08-31 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9935277B2 (en) 2014-01-30 2018-04-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9590194B2 (en) 2014-02-14 2017-03-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10003033B2 (en) 2014-02-18 2018-06-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9847497B2 (en) 2014-02-18 2017-12-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10707423B2 (en) 2014-02-21 2020-07-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9647217B2 (en) 2014-02-24 2017-05-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9502656B2 (en) 2014-02-24 2016-11-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10403825B2 (en) 2014-02-27 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9181270B2 (en) 2014-02-28 2015-11-10 Universal Display Corporation Method of making sulfide compounds
US9590195B2 (en) 2014-02-28 2017-03-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9673407B2 (en) 2014-02-28 2017-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9190620B2 (en) 2014-03-01 2015-11-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2015134017A1 (en) 2014-03-05 2015-09-11 Universal Display Corporation Phosphorescent oled devices
US9853247B2 (en) 2014-03-11 2017-12-26 The Regents Of The University Of Michigan Electrophosphorescent organic light emitting concentrator
US9397309B2 (en) 2014-03-13 2016-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
US10208026B2 (en) 2014-03-18 2019-02-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9748504B2 (en) 2014-03-25 2017-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10749123B2 (en) 2014-03-27 2020-08-18 Universal Display Corporation Impact resistant OLED devices
US10910590B2 (en) 2014-03-27 2021-02-02 Universal Display Corporation Hermetically sealed isolated OLED pixels
US9661709B2 (en) 2014-03-28 2017-05-23 Universal Display Corporation Integrated LED/OLED lighting system
US9929353B2 (en) 2014-04-02 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9691993B2 (en) 2014-04-09 2017-06-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9331299B2 (en) 2014-04-11 2016-05-03 Universal Display Corporation Efficient white organic light emitting diodes with high color quality
US10008679B2 (en) 2014-04-14 2018-06-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9905785B2 (en) 2014-04-14 2018-02-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10256427B2 (en) 2014-04-15 2019-04-09 Universal Display Corporation Efficient organic electroluminescent devices
US9450198B2 (en) 2014-04-15 2016-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9337441B2 (en) 2014-04-15 2016-05-10 Universal Display Corporation OLED lighting panel and methods for fabricating thereof
US9380675B2 (en) 2014-04-17 2016-06-28 Universal Display Corporation Energy saving OLED lighting system and method
US9741941B2 (en) 2014-04-29 2017-08-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR101963489B1 (ko) 2014-04-30 2019-07-31 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
US10457699B2 (en) 2014-05-02 2019-10-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10636983B2 (en) 2014-05-08 2020-04-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN106463619B (zh) 2014-05-08 2020-07-07 环球展览公司 稳定的咪唑并菲啶材料
US10301338B2 (en) 2014-05-08 2019-05-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10403830B2 (en) 2014-05-08 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN106463480B (zh) 2014-05-12 2019-03-15 环球展览公司 屏障组合物和性质
US9572232B2 (en) 2014-05-15 2017-02-14 Universal Display Corporation Biosensing electronic devices
US9640781B2 (en) 2014-05-22 2017-05-02 Universal Display Corporation Devices to increase OLED output coupling efficiency with a high refractive index substrate
US10700134B2 (en) 2014-05-27 2020-06-30 Universal Display Corporation Low power consumption OLED display
WO2015183954A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 Universal Display Corporation High resolution low power consumption oled display with extended lifetime
US9997716B2 (en) 2014-05-27 2018-06-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9929365B2 (en) 2014-05-28 2018-03-27 The Regents Of The University Of Michigan Excited state management
US10461260B2 (en) 2014-06-03 2019-10-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP2955064B1 (de) 2014-06-13 2019-08-07 Isoclima S.p.A. Fensterscheibe
EP2960059B1 (de) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systeme und verfahren zur modulation des durchflusses während der dampfstrahlabscheidung von organischen materialien
US11267012B2 (en) 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US9911931B2 (en) 2014-06-26 2018-03-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10115930B2 (en) 2014-07-08 2018-10-30 Universal Display Corporation Combined internal and external extraction layers for enhanced light outcoupling for organic light emitting device
US10297762B2 (en) 2014-07-09 2019-05-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10566546B2 (en) 2014-07-14 2020-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9929357B2 (en) 2014-07-22 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10411200B2 (en) 2014-08-07 2019-09-10 Universal Display Corporation Electroluminescent (2-phenylpyridine)iridium complexes and devices
US11108000B2 (en) 2014-08-07 2021-08-31 Unniversal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9343695B2 (en) 2014-08-13 2016-05-17 Universal Display Corporation Method of fabricating organic light emitting device (OLED) panel of arbitrary shape
US9825243B2 (en) 2014-08-18 2017-11-21 Udc Ireland Limited Methods for fabricating OLEDs on non-uniform substrates and devices made therefrom
US9583707B2 (en) 2014-09-19 2017-02-28 Universal Display Corporation Micro-nozzle and micro-nozzle array for OVJP and method of manufacturing the same
CN104269429B (zh) * 2014-09-19 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其驱动方法及显示装置
US10749113B2 (en) 2014-09-29 2020-08-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10135007B2 (en) 2014-09-29 2018-11-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10043987B2 (en) 2014-09-29 2018-08-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10361375B2 (en) 2014-10-06 2019-07-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10854826B2 (en) 2014-10-08 2020-12-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent compounds, compositions and devices
US9397302B2 (en) 2014-10-08 2016-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10950803B2 (en) 2014-10-13 2021-03-16 Universal Display Corporation Compounds and uses in devices
US9484541B2 (en) 2014-10-20 2016-11-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10868261B2 (en) 2014-11-10 2020-12-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10411201B2 (en) 2014-11-12 2019-09-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10038151B2 (en) 2014-11-12 2018-07-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9882151B2 (en) 2014-11-14 2018-01-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9871212B2 (en) 2014-11-14 2018-01-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9761814B2 (en) 2014-11-18 2017-09-12 Universal Display Corporation Organic light-emitting materials and devices
US9444075B2 (en) 2014-11-26 2016-09-13 Universal Display Corporation Emissive display with photo-switchable polarization
US9843024B2 (en) 2014-12-03 2017-12-12 Universal Display Corporation Methods for fabricating OLEDs
US10177126B2 (en) * 2014-12-16 2019-01-08 Universal Display Corporation Tunable OLED lighting source
US10510973B2 (en) 2014-12-17 2019-12-17 Universal Display Corporation Color-stable organic light emitting diode stack
US11145837B2 (en) 2014-12-17 2021-10-12 Universal Display Corporation Color stable organic light emitting diode stack
US9450195B2 (en) 2014-12-17 2016-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9761842B2 (en) 2014-12-19 2017-09-12 The Regents Of The University Of Michigan Enhancing light extraction of organic light emitting diodes via nanoscale texturing of electrode surfaces
US10253252B2 (en) 2014-12-30 2019-04-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10636978B2 (en) 2014-12-30 2020-04-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9312499B1 (en) 2015-01-05 2016-04-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9406892B2 (en) 2015-01-07 2016-08-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10038167B2 (en) 2015-01-08 2018-07-31 The Regents Of The University Of Michigan Thick-ETL OLEDs with sub-ITO grids with improved outcoupling
US9711730B2 (en) 2015-01-25 2017-07-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418569B2 (en) 2015-01-25 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10644247B2 (en) 2015-02-06 2020-05-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10355222B2 (en) 2015-02-06 2019-07-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418562B2 (en) 2015-02-06 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10177316B2 (en) 2015-02-09 2019-01-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10144867B2 (en) 2015-02-13 2018-12-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680183B2 (en) 2015-02-15 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9929361B2 (en) 2015-02-16 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2016132460A1 (ja) * 2015-02-17 2016-08-25 パイオニア株式会社 発光装置
US10600966B2 (en) 2015-02-27 2020-03-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11056657B2 (en) 2015-02-27 2021-07-06 University Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10686143B2 (en) 2015-03-05 2020-06-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10270046B2 (en) 2015-03-06 2019-04-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102354019B1 (ko) 2015-03-06 2022-01-21 유니버셜 디스플레이 코포레이션 고효율 oled 소자를 위한 신규 기판 및 공정
US9780316B2 (en) 2015-03-16 2017-10-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9911928B2 (en) 2015-03-19 2018-03-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9871214B2 (en) 2015-03-23 2018-01-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10236450B2 (en) 2015-03-24 2019-03-19 Massachusetts Institute Of Technology Organic conductive materials and devices
US10529931B2 (en) 2015-03-24 2020-01-07 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent materials and devices
US10297770B2 (en) 2015-03-27 2019-05-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10147360B2 (en) 2015-03-31 2018-12-04 Universal Display Corporation Rugged display device architecture
US11495749B2 (en) 2015-04-06 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10693082B2 (en) 2015-04-06 2020-06-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11818949B2 (en) 2015-04-06 2023-11-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN104749806B (zh) * 2015-04-13 2016-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
US11011507B1 (en) 2015-04-19 2021-05-18 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10825779B2 (en) 2015-04-19 2020-11-03 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10381328B2 (en) 2015-04-19 2019-08-13 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US11056468B1 (en) 2015-04-19 2021-07-06 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US9899457B2 (en) 2015-04-24 2018-02-20 Universal Display Corporation Flexible OLED display having increased lifetime
KR102584846B1 (ko) 2015-05-05 2023-10-04 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 전계발광 재료 및 디바이스
US10403826B2 (en) 2015-05-07 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10777749B2 (en) 2015-05-07 2020-09-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9478758B1 (en) 2015-05-08 2016-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9859510B2 (en) 2015-05-15 2018-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10256411B2 (en) 2015-05-21 2019-04-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10109799B2 (en) 2015-05-21 2018-10-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418568B2 (en) 2015-06-01 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10033004B2 (en) 2015-06-01 2018-07-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10818853B2 (en) 2015-06-04 2020-10-27 University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US11925102B2 (en) 2015-06-04 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9978965B2 (en) 2015-06-17 2018-05-22 Universal Display Corporation Rollable OLED display
US10243162B2 (en) 2015-06-17 2019-03-26 Universal Display Corporation Close illumination system
US9947895B2 (en) 2015-06-17 2018-04-17 Universal Display Corporation Flexible AMOLED display
US9496523B1 (en) 2015-06-19 2016-11-15 Universal Display Corporation Devices and methods to improve light outcoupling from an OLED array
US10825997B2 (en) 2015-06-25 2020-11-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10686159B2 (en) 2015-06-26 2020-06-16 Universal Display Corporation OLED devices having improved efficiency
US10873036B2 (en) 2015-07-07 2020-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9899631B2 (en) 2015-07-08 2018-02-20 Universal Display Corporation Flexible multilayer scattering substrate used in OLED
US9978956B2 (en) 2015-07-15 2018-05-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11127905B2 (en) 2015-07-29 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11018309B2 (en) 2015-08-03 2021-05-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11522140B2 (en) 2015-08-17 2022-12-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10522769B2 (en) 2015-08-18 2019-12-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9947728B2 (en) 2015-08-25 2018-04-17 Universal Display Corporation Hybrid MEMS OLED display
US10181564B2 (en) 2015-08-26 2019-01-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10361381B2 (en) 2015-09-03 2019-07-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11706972B2 (en) 2015-09-08 2023-07-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11302872B2 (en) 2015-09-09 2022-04-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10263050B2 (en) 2015-09-18 2019-04-16 Universal Display Corporation Hybrid display
US9818804B2 (en) 2015-09-18 2017-11-14 Universal Display Corporation Hybrid display
CN108401468A (zh) 2015-09-21 2018-08-14 莫诺利特斯3D有限公司 3d半导体器件和结构
US10770664B2 (en) 2015-09-21 2020-09-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20170092880A1 (en) 2015-09-25 2017-03-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10593892B2 (en) 2015-10-01 2020-03-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10847728B2 (en) 2015-10-01 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10522225B1 (en) 2015-10-02 2019-12-31 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device with non-volatile memory
US10991895B2 (en) 2015-10-06 2021-04-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102406606B1 (ko) 2015-10-08 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
US10704144B2 (en) 2015-10-12 2020-07-07 Universal Display Corporation Apparatus and method for printing multilayer organic thin films from vapor phase in an ultra-pure gas ambient
US11114464B2 (en) 2015-10-24 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10847540B2 (en) 2015-10-24 2020-11-24 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor memory device and structure
US10418369B2 (en) 2015-10-24 2019-09-17 Monolithic 3D Inc. Multi-level semiconductor memory device and structure
US11296115B1 (en) 2015-10-24 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor device and structure
US10388893B2 (en) 2015-10-29 2019-08-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10177318B2 (en) 2015-10-29 2019-01-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10388892B2 (en) 2015-10-29 2019-08-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11114427B2 (en) 2015-11-07 2021-09-07 Monolithic 3D Inc. 3D semiconductor processor and memory device and structure
US11937422B2 (en) 2015-11-07 2024-03-19 Monolithic 3D Inc. Semiconductor memory device and structure
US10290816B2 (en) 2015-11-16 2019-05-14 The Regents Of The University Of Michigan Organic electroluminescent materials and devices
US10998507B2 (en) 2015-11-23 2021-05-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10476010B2 (en) 2015-11-30 2019-11-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10957861B2 (en) 2015-12-29 2021-03-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11024808B2 (en) 2015-12-29 2021-06-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10135006B2 (en) 2016-01-04 2018-11-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10707427B2 (en) 2016-02-09 2020-07-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10457864B2 (en) 2016-02-09 2019-10-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20170229663A1 (en) 2016-02-09 2017-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10600967B2 (en) 2016-02-18 2020-03-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10170701B2 (en) 2016-03-04 2019-01-01 Universal Display Corporation Controlled deposition of materials using a differential pressure regime
US11094891B2 (en) 2016-03-16 2021-08-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9692955B1 (en) 2016-03-21 2017-06-27 Universal Display Corporation Flash optimized using OLED display
KR102513080B1 (ko) 2016-04-04 2023-03-24 삼성전자주식회사 Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치
US10276809B2 (en) 2016-04-05 2019-04-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10256277B2 (en) 2016-04-11 2019-04-09 Abl Ip Holding Llc Luminaire utilizing a transparent organic light emitting device display
US10236456B2 (en) 2016-04-11 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11014386B2 (en) 2016-04-11 2021-05-25 Universal Display Corporation Actuation mechanism for accurately controlling distance in OVJP printing
US11168391B2 (en) 2016-04-11 2021-11-09 Universal Display Corporation Nozzle exit contours for pattern composition
US10566552B2 (en) 2016-04-13 2020-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11081647B2 (en) 2016-04-22 2021-08-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10483498B2 (en) 2016-04-22 2019-11-19 Universal Display Corporation High efficiency vapor transport sublimation source using baffles coated with source material
US11228002B2 (en) 2016-04-22 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11228003B2 (en) 2016-04-22 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10522776B2 (en) 2016-05-23 2019-12-31 Universal Display Corporation OLED device structures
US10840458B2 (en) 2016-05-25 2020-11-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10460663B2 (en) 2016-05-31 2019-10-29 Universal Display Corporation Architecture for very high resolution AMOLED display backplane
US10468609B2 (en) 2016-06-02 2019-11-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10686140B2 (en) 2016-06-20 2020-06-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11482683B2 (en) 2016-06-20 2022-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10727423B2 (en) 2016-06-20 2020-07-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862054B2 (en) 2016-06-20 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10651403B2 (en) 2016-06-20 2020-05-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672997B2 (en) 2016-06-20 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10957866B2 (en) 2016-06-30 2021-03-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9929360B2 (en) 2016-07-08 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680184B2 (en) 2016-07-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10153443B2 (en) 2016-07-19 2018-12-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10720587B2 (en) 2016-07-19 2020-07-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102531168B1 (ko) 2016-07-26 2023-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10756141B2 (en) 2016-07-28 2020-08-25 Universal Display Corporation Very high resolution stacked OLED display
KR102320652B1 (ko) 2016-07-29 2021-11-04 유니버셜 디스플레이 코포레이션 증착 노즐
US10229960B2 (en) 2016-08-02 2019-03-12 Universal Display Corporation OLED displays with variable display regions
US10483489B2 (en) 2016-08-12 2019-11-19 Universal Display Corporation Integrated circular polarizer and permeation barrier for flexible OLEDs
WO2018033860A1 (en) 2016-08-15 2018-02-22 Oti Lumionics Inc. Light transmissive electrode for light emitting devices
US10205105B2 (en) 2016-08-15 2019-02-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11164997B2 (en) 2016-08-17 2021-11-02 The Regents Of The Univeristy Of California III-nitride tunnel junction light emitting diode with wall plug efficiency of over seventy percent
CN106206984A (zh) * 2016-08-18 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 顶发射型有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
KR102614333B1 (ko) 2016-09-08 2023-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US10608186B2 (en) 2016-09-14 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10505127B2 (en) 2016-09-19 2019-12-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680187B2 (en) 2016-09-23 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11183642B2 (en) 2016-10-03 2021-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11081658B2 (en) 2016-10-03 2021-08-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11127906B2 (en) 2016-10-03 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11196010B2 (en) 2016-10-03 2021-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11189804B2 (en) 2016-10-03 2021-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11011709B2 (en) 2016-10-07 2021-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11329059B1 (en) 2016-10-10 2022-05-10 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with thinned single crystal substrates
US11812620B2 (en) 2016-10-10 2023-11-07 Monolithic 3D Inc. 3D DRAM memory devices and structures with control circuits
US11930648B1 (en) 2016-10-10 2024-03-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with metal layers
US11869591B2 (en) 2016-10-10 2024-01-09 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11711928B2 (en) 2016-10-10 2023-07-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory devices and structures with control circuits
US11251149B2 (en) 2016-10-10 2022-02-15 Monolithic 3D Inc. 3D memory device and structure
US11239432B2 (en) 2016-10-14 2022-02-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10608185B2 (en) 2016-10-17 2020-03-31 Univeral Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11751426B2 (en) 2016-10-18 2023-09-05 Universal Display Corporation Hybrid thin film permeation barrier and method of making the same
US10236458B2 (en) 2016-10-24 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10593737B2 (en) 2016-11-02 2020-03-17 Samsung Display Co., Ltd. Display device
US20180130956A1 (en) 2016-11-09 2018-05-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10340464B2 (en) 2016-11-10 2019-07-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680188B2 (en) 2016-11-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10897016B2 (en) 2016-11-14 2021-01-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10964893B2 (en) 2016-11-17 2021-03-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10662196B2 (en) 2016-11-17 2020-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10153445B2 (en) 2016-11-21 2018-12-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10833276B2 (en) 2016-11-21 2020-11-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11223032B2 (en) 2016-11-29 2022-01-11 Universal Display Corporation Thin film barrier structure
US11555048B2 (en) 2016-12-01 2023-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11548905B2 (en) 2016-12-15 2023-01-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11545636B2 (en) 2016-12-15 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10490753B2 (en) 2016-12-15 2019-11-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10811618B2 (en) 2016-12-19 2020-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10371896B2 (en) * 2016-12-22 2019-08-06 Magic Leap, Inc. Color separation in planar waveguides using dichroic filters
US11152579B2 (en) 2016-12-28 2021-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10783823B2 (en) 2017-01-04 2020-09-22 Universal Display Corporation OLED device with controllable brightness
US11780865B2 (en) 2017-01-09 2023-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11201298B2 (en) 2017-01-09 2021-12-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10804475B2 (en) 2017-01-11 2020-10-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11545637B2 (en) 2017-01-13 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10629820B2 (en) 2017-01-18 2020-04-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11053268B2 (en) 2017-01-20 2021-07-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10964904B2 (en) 2017-01-20 2021-03-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11765968B2 (en) 2017-01-23 2023-09-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11050028B2 (en) 2017-01-24 2021-06-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR102563894B1 (ko) * 2017-02-08 2023-08-10 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 모듈
US10978647B2 (en) 2017-02-15 2021-04-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10844084B2 (en) 2017-02-22 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10745431B2 (en) 2017-03-08 2020-08-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10741780B2 (en) 2017-03-10 2020-08-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4148811A1 (de) * 2017-03-20 2023-03-15 Jade Bird Display (Shang Hai) Limited Herstellung von halbleiterbauelementen durch stapeln von schichten aus mikro-leds
US10672998B2 (en) 2017-03-23 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10873037B2 (en) 2017-03-28 2020-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10910577B2 (en) 2017-03-28 2021-02-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11158820B2 (en) 2017-03-29 2021-10-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11056658B2 (en) 2017-03-29 2021-07-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10844085B2 (en) 2017-03-29 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862046B2 (en) 2017-03-30 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11139443B2 (en) 2017-03-31 2021-10-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11276829B2 (en) 2017-03-31 2022-03-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11038117B2 (en) 2017-04-11 2021-06-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10777754B2 (en) 2017-04-11 2020-09-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN111133499B (zh) * 2017-04-13 2023-08-01 上海显耀显示科技有限公司 Led-oled混合自发射显示器
US10975113B2 (en) 2017-04-21 2021-04-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11084838B2 (en) 2017-04-21 2021-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and device
US11101434B2 (en) 2017-04-21 2021-08-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11038137B2 (en) 2017-04-28 2021-06-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10910570B2 (en) 2017-04-28 2021-02-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11117897B2 (en) 2017-05-01 2021-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10941170B2 (en) 2017-05-03 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11201299B2 (en) 2017-05-04 2021-12-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20180323373A1 (en) 2017-05-05 2018-11-08 Universal Display Corporation Capacitive sensor for positioning in ovjp printing
US10818840B2 (en) 2017-05-05 2020-10-27 Universal Display Corporation Segmented print bar for large-area OVJP deposition
US10870668B2 (en) 2017-05-05 2020-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862055B2 (en) 2017-05-05 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10930864B2 (en) 2017-05-10 2021-02-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10944060B2 (en) 2017-05-11 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10822362B2 (en) 2017-05-11 2020-11-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10840459B2 (en) 2017-05-18 2020-11-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11038115B2 (en) 2017-05-18 2021-06-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and device
US10790455B2 (en) 2017-05-18 2020-09-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10934293B2 (en) 2017-05-18 2021-03-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10944062B2 (en) 2017-05-18 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11946131B2 (en) 2017-05-26 2024-04-02 Universal Display Corporation Sublimation cell with time stability of output vapor pressure
US11201288B2 (en) 2017-05-26 2021-12-14 Universal Display Corporation Generalized organic vapor jet depositor capable of high resolution printing and method for OVJP printing
US10930862B2 (en) 2017-06-01 2021-02-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11725022B2 (en) 2017-06-23 2023-08-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11758804B2 (en) 2017-06-23 2023-09-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11802136B2 (en) 2017-06-23 2023-10-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11552261B2 (en) 2017-06-23 2023-01-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11832510B2 (en) 2017-06-23 2023-11-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11174259B2 (en) 2017-06-23 2021-11-16 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10968226B2 (en) 2017-06-23 2021-04-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11608321B2 (en) 2017-06-23 2023-03-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11495757B2 (en) 2017-06-23 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11814403B2 (en) 2017-06-23 2023-11-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11678565B2 (en) 2017-06-23 2023-06-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20180370999A1 (en) 2017-06-23 2018-12-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11469382B2 (en) 2017-07-12 2022-10-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11322691B2 (en) 2017-07-26 2022-05-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11239433B2 (en) 2017-07-26 2022-02-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11917843B2 (en) 2017-07-26 2024-02-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11765970B2 (en) 2017-07-26 2023-09-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11228010B2 (en) 2017-07-26 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11678499B2 (en) 2017-07-27 2023-06-13 Universal Display Corporation Use of singlet-triplet gap hosts for increasing stability of blue phosphorescent emission
US11744141B2 (en) 2017-08-09 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11349083B2 (en) 2017-08-10 2022-05-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11744142B2 (en) 2017-08-10 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11508913B2 (en) 2017-08-10 2022-11-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11910699B2 (en) 2017-08-10 2024-02-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11462697B2 (en) 2017-08-22 2022-10-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11723269B2 (en) 2017-08-22 2023-08-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10998506B2 (en) 2017-08-22 2021-05-04 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Boron containing heterocyclic compound for OLEDs, an organic light-emitting device, and a formulation comprising the boron-containing heterocyclic compound
US10600981B2 (en) 2017-08-24 2020-03-24 Universal Display Corporation Exciplex-sensitized fluorescence light emitting system
US11437591B2 (en) 2017-08-24 2022-09-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11302898B2 (en) 2017-08-25 2022-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel having multiple common electrodes
US11605791B2 (en) 2017-09-01 2023-03-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11839147B2 (en) 2017-09-04 2023-12-05 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Hole injection layer and charge generation layer containing a truxene based compound
US11696492B2 (en) 2017-09-07 2023-07-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11444249B2 (en) 2017-09-07 2022-09-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11424420B2 (en) 2017-09-07 2022-08-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10608188B2 (en) 2017-09-11 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11177446B2 (en) 2017-09-14 2021-11-16 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Silicon containing organic fluorescent materials
US11778897B2 (en) 2017-09-20 2023-10-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10923660B2 (en) 2017-09-29 2021-02-16 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Liquid formulation and a method for making electronic devices by solution process
CN109575083A (zh) 2017-09-29 2019-04-05 北京夏禾科技有限公司 含环烷基辅助配体的有机发光材料
US11325934B2 (en) 2017-09-29 2022-05-10 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic luminescent materials containing tetraphenylene ligands
CN109651065B (zh) 2017-10-12 2022-11-29 北京夏禾科技有限公司 四邻亚苯蒽化合物
US10978645B2 (en) 2017-10-20 2021-04-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Indolocarbazole tetraphenylene compounds
US11183646B2 (en) 2017-11-07 2021-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11214587B2 (en) 2017-11-07 2022-01-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11910702B2 (en) 2017-11-07 2024-02-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
US11349081B2 (en) 2017-11-14 2022-05-31 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Azaindolocarbazole compounds
US10770690B2 (en) 2017-11-15 2020-09-08 The Regents Of The University Of Michigan OLED with minimal plasmonic losses
US11362311B2 (en) 2017-11-17 2022-06-14 The Regents Of The University Of Michigan Sub-electrode microlens array for organic light emitting devices
US11168103B2 (en) 2017-11-17 2021-11-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11362310B2 (en) 2017-11-20 2022-06-14 The Regents Of The University Of Michigan Organic light-emitting devices using a low refractive index dielectric
US10777125B2 (en) 2017-11-27 2020-09-15 Universal Display Corporation Multi-mode OLED display
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US20190164945A1 (en) * 2017-11-27 2019-05-30 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US10892296B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US11282981B2 (en) * 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US20190161504A1 (en) 2017-11-28 2019-05-30 University Of Southern California Carbene compounds and organic electroluminescent devices
US11825735B2 (en) 2017-11-28 2023-11-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10770673B2 (en) 2017-11-28 2020-09-08 The Regents Of The University Of Michigan Highly reliable stacked white organic light emitting device
EP3492480B1 (de) 2017-11-29 2021-10-20 Universal Display Corporation Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen
US11937503B2 (en) 2017-11-30 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
TWI647483B (zh) * 2017-12-01 2019-01-11 智晶光電股份有限公司 有機發光二極體之多色發光瞄準鏡
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11139444B2 (en) 2017-12-12 2021-10-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices containing a near-infrared down-conversion layer
US10998531B2 (en) 2017-12-12 2021-05-04 Universal Display Corporation Segmented OVJP print bar
US11145692B2 (en) 2017-12-12 2021-10-12 Universal Display Corporation Hybrid wearable organic light emitting diode (OLED) illumination devices
US11466009B2 (en) 2017-12-13 2022-10-11 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
US11466026B2 (en) 2017-12-13 2022-10-11 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
CN109912619B (zh) 2017-12-13 2022-05-20 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
US11897896B2 (en) 2017-12-13 2024-02-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
US10971687B2 (en) 2017-12-14 2021-04-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11233205B2 (en) 2017-12-14 2022-01-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11233204B2 (en) 2017-12-14 2022-01-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
CN109928885B (zh) 2017-12-19 2022-11-29 北京夏禾科技有限公司 四邻亚苯三芳胺化合物
US10992252B2 (en) 2017-12-19 2021-04-27 Universal Display Corporation Integrated photovoltaic window and light source
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
KR102389824B1 (ko) 2017-12-29 2022-04-25 경희대학교 산학협력단 유기발광소자 및 이를 포함하는 표시장치
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
CN108209941B (zh) * 2018-01-03 2021-06-08 中国科学院半导体研究所 血氧探测器探测单元、探头及其制备方法
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11239430B2 (en) 2018-01-05 2022-02-01 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Boron and nitrogen containing heterocyclic compounds
US11081659B2 (en) 2018-01-10 2021-08-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11700765B2 (en) 2018-01-10 2023-07-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11271177B2 (en) 2018-01-11 2022-03-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11515493B2 (en) 2018-01-11 2022-11-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11108027B2 (en) 2018-01-11 2021-08-31 Universal Display Corporation Printed metal gasket
US10654272B2 (en) 2018-01-12 2020-05-19 Universal Display Corporation Valved micronozzle array for high temperature MEMS application
US11588140B2 (en) 2018-01-12 2023-02-21 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head for depositing thin film features with high thickness uniformity
US11367840B2 (en) 2018-01-26 2022-06-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11845764B2 (en) 2018-01-26 2023-12-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11542289B2 (en) 2018-01-26 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11033924B2 (en) 2018-01-31 2021-06-15 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head with orthogonal delivery and exhaust channels
US11239434B2 (en) 2018-02-09 2022-02-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11342509B2 (en) 2018-02-09 2022-05-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11180519B2 (en) 2018-02-09 2021-11-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11104988B2 (en) 2018-02-22 2021-08-31 Universal Display Corporation Modular confined organic print head and system
US11557733B2 (en) 2018-03-12 2023-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11142538B2 (en) 2018-03-12 2021-10-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11217757B2 (en) 2018-03-12 2022-01-04 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11165028B2 (en) 2018-03-12 2021-11-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11279722B2 (en) 2018-03-12 2022-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10916704B2 (en) 2018-04-03 2021-02-09 Universal Display Corporation Vapor jet printing
US11062205B2 (en) 2018-04-06 2021-07-13 Universal Display Corporation Hybrid neuromorphic computing display
US11038121B2 (en) 2018-04-09 2021-06-15 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. 9 membered ring carbazole compounds
US11882759B2 (en) 2018-04-13 2024-01-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11390639B2 (en) 2018-04-13 2022-07-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11616203B2 (en) 2018-04-17 2023-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11515494B2 (en) 2018-05-04 2022-11-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11753427B2 (en) 2018-05-04 2023-09-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11342513B2 (en) 2018-05-04 2022-05-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11793073B2 (en) 2018-05-06 2023-10-17 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11552278B2 (en) 2018-05-08 2023-01-10 Universal Display Corporation Integrated photobiomodulation device
US11459349B2 (en) 2018-05-25 2022-10-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11450822B2 (en) 2018-05-25 2022-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11716900B2 (en) 2018-05-30 2023-08-01 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11404653B2 (en) 2018-06-04 2022-08-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11925103B2 (en) 2018-06-05 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11339182B2 (en) 2018-06-07 2022-05-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
TWI692863B (zh) * 2018-06-15 2020-05-01 國立清華大學 亮度色溫可調串聯式有機發光二極體及其用途
US11121320B2 (en) 2018-06-18 2021-09-14 Universal Display Corporation Organic vapor jet print head with redundant groups of depositors
US11552159B2 (en) 2018-06-18 2023-01-10 Universal Display Corporation OLED display with all organic thin film layers patterned
US20190386256A1 (en) 2018-06-18 2019-12-19 Universal Display Corporation Sequential material sources for thermally challenged OLED materials
US11228004B2 (en) 2018-06-22 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11261207B2 (en) 2018-06-25 2022-03-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11753425B2 (en) 2018-07-11 2023-09-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10797112B2 (en) 2018-07-25 2020-10-06 Universal Display Corporation Energy efficient OLED TV
CN109192868B (zh) * 2018-08-10 2020-07-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 透明导电膜、显示面板和显示装置
US20200075870A1 (en) 2018-08-22 2020-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN109166982A (zh) 2018-08-31 2019-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件、显示面板及显示装置
US11233203B2 (en) 2018-09-06 2022-01-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11485706B2 (en) 2018-09-11 2022-11-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11718634B2 (en) 2018-09-14 2023-08-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN110903321B (zh) 2018-09-15 2023-12-12 北京夏禾科技有限公司 含有氟取代的金属配合物
US11903305B2 (en) 2018-09-24 2024-02-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10879487B2 (en) 2018-10-04 2020-12-29 Universal Display Corporation Wearable OLED illumination device
US11469383B2 (en) 2018-10-08 2022-10-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
TWI800538B (zh) * 2018-10-08 2023-05-01 晶元光電股份有限公司 發光元件
US11495752B2 (en) 2018-10-08 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11476430B2 (en) 2018-10-15 2022-10-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11515482B2 (en) 2018-10-23 2022-11-29 Universal Display Corporation Deep HOMO (highest occupied molecular orbital) emitter device structures
CN109599420B (zh) * 2018-10-23 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN111087416A (zh) 2018-10-24 2020-05-01 北京夏禾科技有限公司 含硅的电子传输材料及其应用
CN109443630B (zh) * 2018-10-31 2020-11-10 福州大学 一种基于qled发光器件的压力传感器
US11469384B2 (en) 2018-11-02 2022-10-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11476236B2 (en) * 2018-11-07 2022-10-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Display apparatus
US11825736B2 (en) 2018-11-19 2023-11-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11690285B2 (en) 2018-11-28 2023-06-27 Universal Display Corporation Electroluminescent devices
US11672176B2 (en) 2018-11-28 2023-06-06 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11716899B2 (en) 2018-11-28 2023-08-01 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11672165B2 (en) 2018-11-28 2023-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11706980B2 (en) 2018-11-28 2023-07-18 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
US11201313B2 (en) 2018-11-29 2021-12-14 Universal Display Corporation Enhanced outcoupling from surface plasmon modes in corrugated OLEDs
US11217762B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Universal Display Corporation Surface-plasmon-pumped light emitting devices
US11623936B2 (en) 2018-12-11 2023-04-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11737349B2 (en) 2018-12-12 2023-08-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11834459B2 (en) 2018-12-12 2023-12-05 Universal Display Corporation Host materials for electroluminescent devices
KR20200080741A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US20220085310A1 (en) * 2019-01-16 2022-03-17 The Regents Of The University Of Michigan Photodetectors With Semiconductor Active Layers For Under-Display Fingerprint And Gesture Sensors
US11895853B2 (en) 2019-01-17 2024-02-06 The Regents Of The University Of Michigan Organic photovoltaic device having a lateral charge transport channel
US11088325B2 (en) 2019-01-18 2021-08-10 Universal Display Corporation Organic vapor jet micro-print head with multiple gas distribution orifice plates
US11349099B2 (en) 2019-01-25 2022-05-31 The Regents Of The University Of Michigan Method of fabricating a light emitting device having a polymer film with a specified surface rouggness
US11342526B2 (en) 2019-01-29 2022-05-24 The Regents Of The University Of Michigan Hybrid organic light emitting device
US11780829B2 (en) 2019-01-30 2023-10-10 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US11812624B2 (en) 2019-01-30 2023-11-07 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US11683973B2 (en) 2019-01-31 2023-06-20 Universal Display Corporation Use of thin film metal with stable native oxide for solder wetting control
US20200251664A1 (en) 2019-02-01 2020-08-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN117402190A (zh) 2019-02-01 2024-01-16 北京夏禾科技有限公司 一种含有氰基取代配体的有机发光材料
US11325932B2 (en) 2019-02-08 2022-05-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11370809B2 (en) 2019-02-08 2022-06-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11773320B2 (en) 2019-02-21 2023-10-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11758807B2 (en) 2019-02-22 2023-09-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11871653B2 (en) 2019-02-22 2024-01-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN111620853B (zh) 2019-02-28 2023-07-28 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料及其器件
US11512093B2 (en) 2019-03-04 2022-11-29 Universal Display Corporation Compound used for organic light emitting device (OLED), consumer product and formulation
US11739081B2 (en) 2019-03-11 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11569480B2 (en) 2019-03-12 2023-01-31 Universal Display Corporation Plasmonic OLEDs and vertical dipole emitters
US11245086B2 (en) 2019-03-12 2022-02-08 Universal Display Corporation Nano-objects for purcell enhancement, out-coupling and engineering radiation pattern
US11139442B2 (en) 2019-03-12 2021-10-05 Universal Display Corporation Nanopatch antenna outcoupling structure for use in OLEDs
US11056540B2 (en) 2019-03-12 2021-07-06 Universal Display Corporation Plasmonic PHOLED arrangement for displays
US11637261B2 (en) 2019-03-12 2023-04-25 Universal Display Corporation Nanopatch antenna outcoupling structure for use in OLEDs
US20200295291A1 (en) 2019-03-12 2020-09-17 Universal Display Corporation OLED WITH TRIPLET EMITTER AND EXCITED STATE LIFETIME LESS THAN 200 ns
US11552247B2 (en) 2019-03-20 2023-01-10 The Regents Of The University Of Michigan Organic vapor jet nozzle with shutter
JP2020158491A (ja) 2019-03-26 2020-10-01 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス
US11222928B2 (en) 2019-04-01 2022-01-11 Universal Display Corporation Display architecture with reduced number of data line connections
US11763864B2 (en) 2019-04-08 2023-09-19 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures with bit-line pillars
US11296106B2 (en) 2019-04-08 2022-04-05 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11018156B2 (en) 2019-04-08 2021-05-25 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11158652B1 (en) 2019-04-08 2021-10-26 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US10892016B1 (en) 2019-04-08 2021-01-12 Monolithic 3D Inc. 3D memory semiconductor devices and structures
US11639363B2 (en) 2019-04-22 2023-05-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11613550B2 (en) 2019-04-30 2023-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices comprising benzimidazole-containing metal complexes
US11495756B2 (en) 2019-05-07 2022-11-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11560398B2 (en) 2019-05-07 2023-01-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN111909212B (zh) 2019-05-09 2023-12-26 北京夏禾科技有限公司 一种含有6-硅基取代异喹啉配体的有机发光材料
CN111909214B (zh) 2019-05-09 2024-03-29 北京夏禾科技有限公司 一种含有3-氘取代异喹啉配体的有机发光材料
CN111909213B (zh) 2019-05-09 2024-02-27 北京夏禾科技有限公司 一种含有三个不同配体的金属配合物
US11827651B2 (en) 2019-05-13 2023-11-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11901397B2 (en) 2019-05-14 2024-02-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED chip having fan-out structure and manufacturing method of the same
US11756980B2 (en) 2019-05-14 2023-09-12 Seoul Viosys Co., Ltd. LED chip package and manufacturing method of the same
US11587914B2 (en) * 2019-05-14 2023-02-21 Seoul Viosys Co., Ltd. LED chip and manufacturing method of the same
US11855121B2 (en) 2019-05-14 2023-12-26 Seoul Viosys Co., Ltd. LED chip and manufacturing method of the same
US11634445B2 (en) 2019-05-21 2023-04-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20200373360A1 (en) 2019-05-23 2020-11-26 Universal Display Corporation Oled display panel with unpatterned emissive stack
US11647667B2 (en) 2019-06-14 2023-05-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent compounds and organic light emitting devices using the same
US11049992B2 (en) * 2019-07-11 2021-06-29 Pix Art Imaging Inc. Dual wavelength light emitting device, dual wavelength light transceiving device and display
US11920070B2 (en) 2019-07-12 2024-03-05 The University Of Southern California Luminescent janus-type, two-coordinated metal complexes
US11825687B2 (en) 2019-07-17 2023-11-21 The Regents Of The University Of Michigan Organic light emitting device
US11926638B2 (en) 2019-07-22 2024-03-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11685754B2 (en) 2019-07-22 2023-06-27 Universal Display Corporation Heteroleptic organic electroluminescent materials
US20210036065A1 (en) 2019-07-29 2021-02-04 Universal Display Corporation Color stable multicolor OLED device structures
US20210032278A1 (en) 2019-07-30 2021-02-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11708355B2 (en) 2019-08-01 2023-07-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11374181B2 (en) 2019-08-14 2022-06-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11930699B2 (en) 2019-08-15 2024-03-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210047354A1 (en) 2019-08-16 2021-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN112430190B (zh) 2019-08-26 2023-04-18 北京夏禾科技有限公司 芳香族胺衍生物及包含其的有机电致发光器件
US11925105B2 (en) 2019-08-26 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11937494B2 (en) 2019-08-28 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11600787B2 (en) 2019-08-30 2023-03-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11820783B2 (en) 2019-09-06 2023-11-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11864458B2 (en) 2019-10-08 2024-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11950493B2 (en) 2019-10-15 2024-04-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11697653B2 (en) 2019-10-21 2023-07-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11919914B2 (en) 2019-10-25 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11765965B2 (en) 2019-10-30 2023-09-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210135130A1 (en) 2019-11-04 2021-05-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2021082801A (ja) 2019-11-14 2021-05-27 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス
US11889708B2 (en) 2019-11-14 2024-01-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11903300B2 (en) 2019-11-18 2024-02-13 Universal Display Corporation Pixel configurations for high resolution OVJP printed OLED displays
US11832504B2 (en) 2019-11-25 2023-11-28 The Regents Of The University Of Michigan System and method for organic electronic device patterning
DE102020131491B4 (de) 2019-11-29 2023-09-14 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organisches Elektrolumineszenz-Material und Vorrichtung
CN112909188B (zh) 2019-12-03 2023-09-01 北京夏禾科技有限公司 一种有机电致发光器件
US11292245B2 (en) 2020-01-03 2022-04-05 Trustees Of Boston University Microelectromechanical shutters for organic vapor jet printing
US20210217969A1 (en) 2020-01-06 2021-07-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
DE102021100230A1 (de) 2020-01-10 2021-07-15 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organisches lichtemittierendes Material
US11778895B2 (en) 2020-01-13 2023-10-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220336759A1 (en) 2020-01-28 2022-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11917900B2 (en) 2020-01-28 2024-02-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11932660B2 (en) 2020-01-29 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20230002860A (ko) 2020-04-21 2023-01-05 메르크 파텐트 게엠베하 유기 기능성 재료를 포함하는 에멀젼
US20220109118A1 (en) 2020-04-30 2022-04-07 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Light-emitting material with a polycyclic ligand
US11716863B2 (en) 2020-05-11 2023-08-01 Universal Display Corporation Hybrid display architecture
US11751466B2 (en) 2020-05-11 2023-09-05 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor jet printing (OVJP)
DE102021112841A1 (de) 2020-05-19 2021-11-25 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organisches, Licht emittierendes Material
CN117362298A (zh) 2020-06-05 2024-01-09 北京夏禾科技有限公司 一种电致发光材料及器件
CN113816996A (zh) 2020-06-20 2021-12-21 北京夏禾科技有限公司 一种磷光有机金属配合物及其应用
CN113816997A (zh) 2020-06-20 2021-12-21 北京夏禾科技有限公司 一种磷光有机金属配合物及其应用
EP3937268A1 (de) 2020-07-10 2022-01-12 Universal Display Corporation Plasmonische oleds und vertikale dipolstrahler
US20220020935A1 (en) 2020-07-20 2022-01-20 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent materials and devices
US11778889B2 (en) 2020-07-20 2023-10-03 Universal Display Corporation Height measurement and control in confined spaces for vapor deposition system
US11270632B2 (en) 2020-08-05 2022-03-08 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
US11270620B2 (en) * 2020-08-05 2022-03-08 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
US11527572B2 (en) 2020-08-05 2022-12-13 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
US11308862B2 (en) 2020-08-05 2022-04-19 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
US11317065B2 (en) 2020-08-05 2022-04-26 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
US11308848B2 (en) * 2020-08-05 2022-04-19 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
CN111987133B (zh) * 2020-09-02 2022-05-27 京东方科技集团股份有限公司 镜面显示面板及镜面显示装置
US11877489B2 (en) 2020-09-29 2024-01-16 Universal Display Corporation High color gamut OLED displays
US20220112232A1 (en) 2020-10-02 2022-04-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220158096A1 (en) 2020-11-16 2022-05-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220162244A1 (en) 2020-11-18 2022-05-26 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device thereof
US20220165968A1 (en) 2020-11-23 2022-05-26 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device thereof
US20220162243A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220165967A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN112538097B (zh) * 2020-12-03 2023-08-22 广西民族大学 金属有机配合物及其制备方法和应用
CN114621198A (zh) 2020-12-11 2022-06-14 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料及其器件
KR20220083965A (ko) 2020-12-11 2022-06-21 베이징 썸머 스프라우트 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 유기 전계발광재료 및 그의 소자
US11903302B2 (en) 2020-12-16 2024-02-13 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing system
CN112899613B (zh) * 2021-01-15 2022-07-29 Tcl华星光电技术有限公司 金属掩膜板及其使用方法
CN112909053A (zh) * 2021-01-26 2021-06-04 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
US20220271241A1 (en) 2021-02-03 2022-08-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN114907412A (zh) 2021-02-06 2022-08-16 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料及其器件
US20220359832A1 (en) 2021-02-06 2022-11-10 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent device
EP4060758A3 (de) 2021-02-26 2023-03-29 Universal Display Corporation Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen
EP4059915A3 (de) 2021-02-26 2022-12-28 Universal Display Corporation Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen
US20220298192A1 (en) 2021-03-05 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298190A1 (en) 2021-03-12 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298193A1 (en) 2021-03-15 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220340607A1 (en) 2021-04-05 2022-10-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4075531A1 (de) 2021-04-13 2022-10-19 Universal Display Corporation Plasmonische oleds und vertikale dipolstrahler
US20220352478A1 (en) 2021-04-14 2022-11-03 Universal Display Corporation Organic eletroluminescent materials and devices
US20230006149A1 (en) 2021-04-23 2023-01-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220407020A1 (en) 2021-04-23 2022-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230133787A1 (en) 2021-06-08 2023-05-04 University Of Southern California Molecular Alignment of Homoleptic Iridium Phosphors
CN115666146A (zh) 2021-07-10 2023-01-31 北京夏禾科技有限公司 一种有机电致发光器件
US11937478B2 (en) * 2021-07-16 2024-03-19 Avalon Holographics Inc. Multi-colored microcavity OLED array having DBR for high aperture display and method of fabricating the same
CN117730638A (zh) 2021-08-02 2024-03-19 默克专利有限公司 通过组合油墨进行的印刷方法
US20230189629A1 (en) 2021-08-20 2023-06-15 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device thereof
EP4151699A1 (de) 2021-09-17 2023-03-22 Universal Display Corporation Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen
EP4174078A1 (de) 2021-10-29 2023-05-03 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Elektrolumineszentes material und vorrichtung dafür
US20230157058A1 (en) 2021-11-12 2023-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
CN117343078A (zh) 2021-11-25 2024-01-05 北京夏禾科技有限公司 有机电致发光材料和器件
EP4212539A1 (de) 2021-12-16 2023-07-19 Universal Display Corporation Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen
EP4231804A3 (de) 2022-02-16 2023-09-20 Universal Display Corporation Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen
EP4286555A1 (de) 2022-02-23 2023-12-06 Universal Display Corporation Organisches dampfstrahldrucksystem
US20230292605A1 (en) 2022-03-09 2023-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230292592A1 (en) 2022-03-09 2023-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230337516A1 (en) 2022-04-18 2023-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230363244A1 (en) 2022-05-09 2023-11-09 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing system
US20230357918A1 (en) 2022-05-09 2023-11-09 Universal Display Corporation Organic vapor jet printing system
US20230389421A1 (en) 2022-05-24 2023-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2023237458A1 (en) 2022-06-07 2023-12-14 Merck Patent Gmbh Method of printing a functional layer of an electronic device by combining inks
EP4293001A1 (de) 2022-06-08 2023-12-20 Universal Display Corporation Organische elektrolumineszente materialien und vorrichtungen
US20230413590A1 (en) 2022-06-17 2023-12-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent devices
US20240016051A1 (en) 2022-06-28 2024-01-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4335846A1 (de) 2022-06-30 2024-03-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organisches elektrolumineszenzmaterial und vorrichtung dafür
US20240107880A1 (en) 2022-08-17 2024-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4328285A1 (de) 2022-08-25 2024-02-28 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organisches elektrolumineszenzmaterial und vorrichtung dafür

Family Cites Families (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3261844A (en) 1964-08-05 1966-07-19 Du Pont Pyrazolyl, triazolyl and tetrazolyl derivatives of group iii-a elements and their compounds with metals and preparation thereof
US3681381A (en) 1968-08-02 1972-08-01 Du Pont Symmetrical and unsymmetrical pyrazaboles
US3611069A (en) * 1969-11-12 1971-10-05 Gen Electric Multiple color light emitting diodes
JPS48102585A (de) * 1972-04-04 1973-12-22
GB1407908A (en) * 1972-04-14 1975-10-01 Sony Corp Alpha-numeric character display devices
US3783353A (en) * 1972-10-27 1974-01-01 Rca Corp Electroluminescent semiconductor device capable of emitting light of three different wavelengths
US4020389A (en) 1976-04-05 1977-04-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrode construction for flexible electroluminescent lamp
JPS5541707A (en) 1978-09-16 1980-03-24 Fujitsu Ltd Multi-wavelength radiation element
US4365260A (en) * 1978-10-13 1982-12-21 University Of Illinois Foundation Semiconductor light emitting device with quantum well active region of indirect bandgap semiconductor material
US4281053A (en) 1979-01-22 1981-07-28 Eastman Kodak Company Multilayer organic photovoltaic elements
US4298769A (en) 1979-12-14 1981-11-03 Standard Microsystems Corp. Hermetic plastic dual-in-line package for a semiconductor integrated circuit
US4291815B1 (en) 1980-02-19 1998-09-29 Semiconductor Packaging Materi Ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip
JPS5956391A (ja) 1982-09-27 1984-03-31 株式会社東芝 Ｅｌデイスプレイ装置
US4577207A (en) * 1982-12-30 1986-03-18 At&T Bell Laboratories Dual wavelength optical source
US4605942A (en) * 1984-10-09 1986-08-12 At&T Bell Laboratories Multiple wavelength light emitting devices
US4558171A (en) 1984-10-12 1985-12-10 General Electric Company Hermetic enclosure for electronic components with an optionally transparent cover and a method of making the same
US4693777A (en) * 1984-11-30 1987-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for producing semiconductor devices
JPS61284091A (ja) 1985-06-07 1986-12-15 アルプス電気株式会社 薄膜ｅｌ表示素子
JPS62295090A (ja) 1986-06-14 1987-12-22 双葉電子工業株式会社 電界発光表示パネルとその製造方法
JPS6375783A (ja) 1986-09-19 1988-04-06 双葉電子工業株式会社 電界発光表示パネル
US4900584A (en) * 1987-01-12 1990-02-13 Planar Systems, Inc. Rapid thermal annealing of TFEL panels
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
JP2814435B2 (ja) 1987-03-02 1998-10-22 イーストマン・コダック・カンパニー 改良薄膜発光帯をもつ電場発光デバイス
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US4791075A (en) 1987-10-05 1988-12-13 Motorola, Inc. Process for making a hermetic low cost pin grid array package
JPH01225092A (ja) 1988-03-04 1989-09-07 Yokogawa Electric Corp Ｅｌ発光素子の駆動方法
JPH028290A (ja) 1988-06-28 1990-01-11 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
JPH0256892A (ja) 1988-08-22 1990-02-26 Nippon Sheet Glass Co Ltd エレクトロルミネセンスパネル
JPH02168593A (ja) 1988-09-20 1990-06-28 Ricoh Co Ltd 大画面多色表示装置
JP2665370B2 (ja) 1989-03-01 1997-10-22 日東電工株式会社 透明導電性積層体および該積層体を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置の製造法
FR2644920B1 (fr) * 1989-03-21 1993-09-24 France Etat Dispositif d'affichage polychrome a memoire du type photoconducteur-electroluminescent
US5144473A (en) * 1989-03-31 1992-09-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic thin film display element
JP2647194B2 (ja) 1989-04-17 1997-08-27 住友電気工業株式会社 半導体用パッケージの封止方法
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
US5075743A (en) * 1989-06-06 1991-12-24 Cornell Research Foundation, Inc. Quantum well optical device on silicon
US5118986A (en) 1989-06-30 1992-06-02 Ricoh Company, Ltd. Electroluminescent device
JPH0393736A (ja) 1989-09-06 1991-04-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 新規なジオレフィン芳香族化合物及びその製造方法
JPH03107861A (ja) 1989-09-21 1991-05-08 Canon Inc ポリシラン化合物を含有する光受容層を有する電子写真用光受容部材
DE69014188T2 (de) * 1989-09-29 1995-05-18 Shinetsu Handotai Kk Vorrichtung zur Lichtemission bei mehreren Wellenlängen.
JP2881212B2 (ja) * 1989-10-27 1999-04-12 株式会社リコー 電界発光素子
JPH03187192A (ja) 1989-12-18 1991-08-15 Seiko Epson Corp 発光素子
JP2512334B2 (ja) 1990-01-12 1996-07-03 日本化成株式会社 分散型ｅｌランプ
JPH03214593A (ja) 1990-01-17 1991-09-19 Fuji Xerox Co Ltd フルカラーｅｌ表示パネル
JPH03233892A (ja) 1990-02-06 1991-10-17 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JP2734464B2 (ja) 1990-02-28 1998-03-30 出光興産株式会社 エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
KR910017908A (ko) 1990-03-14 1991-11-05 이헌조 El표시소자
US5047687A (en) 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
US5059861A (en) * 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
US5315129A (en) * 1990-08-20 1994-05-24 University Of Southern California Organic optoelectronic devices and methods
JPH04137485A (ja) 1990-09-28 1992-05-12 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
KR930010129B1 (ko) 1990-10-31 1993-10-14 주식회사 금성사 박막 el 표시소자의 제조방법 및 구조
US5231049A (en) * 1990-11-05 1993-07-27 California Institute Of Technology Method of manufacturing a distributed light emitting diode flat-screen display for use in televisions
JP2780880B2 (ja) 1990-11-28 1998-07-30 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および該素子を用いた発光装置
WO1992010073A1 (en) * 1990-11-30 1992-06-11 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescence device
US5286296A (en) * 1991-01-10 1994-02-15 Sony Corporation Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means
JPH04278983A (ja) 1991-03-07 1992-10-05 Fuji Electric Co Ltd 表示パネルの封止方法
US5166761A (en) * 1991-04-01 1992-11-24 Midwest Research Institute Tunnel junction multiple wavelength light-emitting diodes
JPH07110940B2 (ja) 1991-06-05 1995-11-29 住友化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5324604A (en) 1991-06-17 1994-06-28 Eastman Kodak Company Multi-active electrophotographic element and imaging process using free radicals as charge transport material
US5150006A (en) 1991-08-01 1992-09-22 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II)
JP3107861B2 (ja) 1991-08-14 2000-11-13 株式会社小松製作所 ダンプトラックのタイヤ半径計測システム
JP3490727B2 (ja) 1991-11-28 2004-01-26 三洋電機株式会社 電界発光素子
DE4139852A1 (de) 1991-12-03 1993-06-09 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften Ev, 3400 Goettingen, De Optische einrichtung mit einem lumineszenten material und verfahren zu ihrer herstellung
US5416494A (en) 1991-12-24 1995-05-16 Nippondenso Co., Ltd. Electroluminescent display
US5276380A (en) 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
US5294869A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5294870A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
EP0553950A3 (en) 1992-01-07 1994-11-23 Toshiba Kk Organic electroluminescent device
US5429884A (en) * 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
JP3454532B2 (ja) 1992-03-31 2003-10-06 三洋電機株式会社 電界発光素子
US5456988A (en) * 1992-01-31 1995-10-10 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device having improved durability
US5275698A (en) 1992-03-09 1994-01-04 Hercules Incorporated Enhancement of tissue paper softness with minimal effect on strength
JP3445315B2 (ja) 1992-07-13 2003-09-08 イーストマン コダック カンパニー アルミニウムキレート化合物及び内部接合型有機電界発光素子
JPH0668977A (ja) 1992-08-13 1994-03-11 Konica Corp 多色電界発光表示装置
US5391896A (en) * 1992-09-02 1995-02-21 Midwest Research Institute Monolithic multi-color light emission/detection device
JPH0693256A (ja) * 1992-09-11 1994-04-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子
US5449564A (en) 1992-10-29 1995-09-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent element having improved durability
JP3250583B2 (ja) 1992-11-16 2002-01-28 キヤノン株式会社 光起電力素子及び発電システム
JP3300069B2 (ja) * 1992-11-19 2002-07-08 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH06212153A (ja) 1993-01-14 1994-08-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3253404B2 (ja) 1993-03-25 2002-02-04 三洋電機株式会社 電界発光素子
US5329540A (en) 1993-03-31 1994-07-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Silicate gel dye laser
JP3189480B2 (ja) 1993-04-02 2001-07-16 富士電機株式会社 有機薄膜発光素子
JPH06302383A (ja) 1993-04-16 1994-10-28 Sharp Corp Ｅｌ素子および液晶表示装置
JP3234936B2 (ja) 1993-08-20 2001-12-04 松下電器産業株式会社 有機発光素子および画像表示装置
JP2642849B2 (ja) * 1993-08-24 1997-08-20 株式会社フロンテック 薄膜の製造方法および製造装置
GB9317932D0 (en) 1993-08-26 1993-10-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
JP3332491B2 (ja) 1993-08-27 2002-10-07 三洋電機株式会社 有機ｅｌ素子
JP3534445B2 (ja) * 1993-09-09 2004-06-07 隆一 山本 ポリチオフェンを用いたｅｌ素子
US5405709A (en) 1993-09-13 1995-04-11 Eastman Kodak Company White light emitting internal junction organic electroluminescent device
US5449432A (en) * 1993-10-25 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Method of treating a workpiece with a plasma and processing reactor having plasma igniter and inductive coupler for semiconductor fabrication
JP3210790B2 (ja) 1993-11-11 2001-09-17 株式会社リコー 光走査装置
JP3276745B2 (ja) * 1993-11-15 2002-04-22 株式会社日立製作所 可変波長発光素子とその制御方法
US5405710A (en) * 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources
US5409783A (en) * 1994-02-24 1995-04-25 Eastman Kodak Company Red-emitting organic electroluminescent device
US5397920A (en) 1994-03-24 1995-03-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light transmissive, electrically-conductive, oxide film and methods of production
US5598059A (en) * 1994-04-28 1997-01-28 Planar Systems, Inc. AC TFEL device having a white light emitting multilayer phosphor
JP4392057B2 (ja) 1994-05-16 2009-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機半導体物質を有する半導体装置
US5478658A (en) * 1994-05-20 1995-12-26 At&T Corp. Article comprising a microcavity light source
TW421668B (en) 1994-05-26 2001-02-11 Sumitomo Electric Industries Organic electroluminescent device
US5424560A (en) * 1994-05-31 1995-06-13 Motorola, Inc. Integrated multicolor organic led array
JP3214593B2 (ja) 1994-06-14 2001-10-02 ノーリツ鋼機株式会社 写真焼付装置
KR0146491B1 (ko) * 1994-09-16 1998-10-01 양승택 적층구조로 구성된 유기고분자 전계발광소자
US5486406A (en) 1994-11-07 1996-01-23 Motorola Green-emitting organometallic complexes for use in light emitting devices
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5552547A (en) 1995-02-13 1996-09-03 Shi; Song Q. Organometallic complexes with built-in fluorescent dyes for use in light emitting devices
US5663573A (en) 1995-03-17 1997-09-02 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
US5617445A (en) 1995-06-07 1997-04-01 Picolight Incorporated Quantum cavity light emitting element
US5719467A (en) 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
US5641611A (en) 1995-08-21 1997-06-24 Motorola Method of fabricating organic LED matrices
US5672938A (en) 1995-09-29 1997-09-30 Fed Corporation Light emission device comprising light emitting organic material and electron injection enhancement structure
US5583350A (en) 1995-11-02 1996-12-10 Motorola Full color light emitting diode display assembly
US5821160A (en) 1996-06-06 1998-10-13 Motorola, Inc. Method for forming a laser alterable fuse area of a memory cell using an etch stop layer
US5981306A (en) * 1997-09-12 1999-11-09 The Trustees Of Princeton University Method for depositing indium tin oxide layers in organic light emitting devices
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US5994835A (en) 1997-01-13 1999-11-30 Xerox Corporation Thin film organic light emitting diode with edge emitter waveguide and electron injection layer
US5917280A (en) 1997-02-03 1999-06-29 The Trustees Of Princeton University Stacked organic light emitting devices
US5757139A (en) 1997-02-03 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Driving circuit for stacked organic light emitting devices
US5881089A (en) 1997-05-13 1999-03-09 Lucent Technologies Inc. Article comprising an organic laser
JP3233892B2 (ja) 1997-12-25 2001-12-04 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物
TWI255817B (en) 2001-02-14 2006-06-01 Kissei Pharmaceutical Glucopyranosyloxybenzylbenzene derivatives and medicinal use thereof
JP4137485B2 (ja) 2002-04-01 2008-08-20 株式会社ブロードリーフ 印刷方法および印刷システム
JP4254887B2 (ja) 2006-07-06 2009-04-15 日産自動車株式会社 車両用画像表示システム

Also Published As

Publication number Publication date
AU2278197A (en) 1997-09-22
US7714504B2 (en) 2010-05-11
JP2006059818A (ja) 2006-03-02
ID16137A (id) 1997-09-04
IT1290030B1 (it) 1998-10-19
JP2000507029A (ja) 2000-06-06
CN1123034C (zh) 2003-10-01
US7173369B2 (en) 2007-02-06
US20070132369A1 (en) 2007-06-14
US20100187988A1 (en) 2010-07-29
ATE246845T1 (de) 2003-08-15
ITMI970488A1 (it) 1998-09-05
EP0885451A1 (de) 1998-12-23
US8324803B2 (en) 2012-12-04
FR2745955A1 (fr) 1997-09-12
US20020153243A1 (en) 2002-10-24
US20030213967A1 (en) 2003-11-20
ES2157694B1 (es) 2002-09-01
DE69723964D1 (de) 2003-09-11
KR100457498B1 (ko) 2005-06-20
EP0885451B1 (de) 2003-08-06
US6264805B1 (en) 2001-07-24
US6596134B2 (en) 2003-07-22
WO1997033296A1 (en) 1997-09-12
CN1215500A (zh) 1999-04-28
ES2157694A1 (es) 2001-08-16
KR19990087606A (ko) 1999-12-27
AR006136A1 (es) 1999-08-11
US5703436A (en) 1997-12-30
EP0885451A4 (de) 1999-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69723964T2 (de) Transparente kontakte für organische vorrichtungen
RU2160470C2 (ru) Многоцветные органические светоизлучающие устройства
DE69833385T2 (de) Verfahren zur herstellung hochtransparenter nichtmetallischer kathoden
US6548956B2 (en) Transparent contacts for organic devices
DE69729931T2 (de) Organische elektrolimineszente vorrichtung
DE602004005014T2 (de) Organische, lichtemittierende bauelemente mit binuklearmetallzusammensetzungen als emissionsmaterial
DE69627412T2 (de) Organische elektrolumineszierende Vorrichtungen hoher thermischer Stabilität
DE112004001880T5 (de) Weisse Elektrophosphoreszenz aus halbleitenden Polymermischungen
WO2003102109A1 (de) Phosphoreszierende und lumineszierende konjugierte polymere und deren anwendung in elektrolumineszierenden anordnungen
EP1578885A2 (de) Organisches elektrolumineszenzelement
JP2002514230A (ja) 赤色発光有機発光素子（ｏｌｅｄ）
EP2100339A1 (de) Lanthanoid-emitter für oled-anwendungen
DE69911303T2 (de) Organische elektrolumineszente Vorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition