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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf mehrschichtige optische Platten,
insbesondere auf solche optische Platten, welche durch Laminieren
von zwei Schichten in eine Lage einer Platte gebildet werden.
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In
den letzten Jahren gab es eine Nachfrage nach Informationsaufzeichnungsmedien,
um eine große und
steigende Kapazität
von Information zu bearbeiten, und in diesem Fall steigt auch ein
Bedarf für
eine optische Platte mit großer
Kapazität
an, um in der Lage zu sein, auf Zielinformation direkt zuzugreifen
und diese reproduzieren zu können.
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Als
eine optische Platte, welche in der Lage ist, mit solcher Information
von großer
Kapazität
umzugehen, ist eine mehrschichtige Platte vorgeschlagen worden oder
diejenige einer optischen Platte, welche aus einer Lage einer Scheibe
gebildet ist, insbesondere, in welcher zwei Informationsschichten
laminiert sind.
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Verschiedene
Arten der mehrschichtigen Platte sind vorgeschlagen worden und für eine von
ihnen gibt es einen Vorschlag einer mehrschichtigen Platte, welche
aus einer ersten Informationsschicht gebildet ist, welche mit einem
reflektierenden Metallfilm beschichtet ist und einer zweiten Informationsschicht,
welche mit einem halbtransparenten reflektierenden Film beschichtet
ist, dessen spektroskopische Eigenschaften, wie beispielsweise ein
Reflexionsfaktor, ein Transmissionsfaktor und dergleichen eine Wellenlängenabhängigkeit
aufweisen, und welcher hergestellt ist, um Informationen aus den
ersten und zweiten Informationsschichten durch Verwenden von erstem
und zweitem Reproduktionslicht mit zwei unterschiedlichen Wellenlängen auszulesen (siehe öffentliches
Bulletin für
die japanische offengelegte Patentveröffentlichung Nr. 2-223030 und
eines für die
japanische offengelegte Patentveröffentlichung Nr. 8-339574).
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Bei
der mehrschichtigen optischen Platte, welche die ersten und zweiten
Informationsschichten zum Ausführen
eines Abspielens der Information durch Verwenden des ersten und
zweiten Reproduktionslichts aufweist, ist eine Struktur vorgeschlagen
worden, bei welcher, obwohl die mehrschichtige optische Platte derartig strukturiert
ist, dass das Abspielen durch ein Reproduktionslicht ermöglicht wird,
z.B. als das erste Reproduktionslicht, welches innerhalb eines Wellenlängenbereichs
in einem Wiedergabegerät
für eine
konventionelle Mehrzweck-Compact-Disk (CD) liegt, welche z.B. ausschließlich für die Wiedergabe
gedacht ist, die Wiedergabe mit dem gleichen Wiedergabeabspielgerät einer
konventionellen CD wie für
die andere Informationsschicht ermöglicht wird.
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Die
optische Platte, welche mit den ersten und zweiten Informationsschichten
laminiert ist, ist z.B., wie in einer schematischen Querschnittsansicht
von einem Beispiel davon in 1 gezeigt
ist, derartig, dass eine erste Informationsschicht 4f,
welche aus einem ersten Informationspit 2f gebildet ist,
welches auf einer Oberfläche
von z.B. einem ersten Lichttransmissionssubstrat 1f gebildet
ist, und einem reflektierenden Metallfilm 3f, welcher darauf
beschichtet und abgelagert ist, und eine zweite Informationsschicht 4s,
welche aus einem zweiten Informationspit 2s gebildet ist,
welches auf einer Oberfläche
eines zweiten Lichttransmissionssubstrats 1s und einem
halbtransparenten Reflexionsfilm 3s gebildet ist, welcher
darauf beschichtet und abgelagert ist, in solch einer Weise verbunden
sind, dass eine gegenüberliegende
Seitenoberfläche
einer Seite, wo die erste Informationsschicht 4f des ersten
Lichttransmissionssubstrats 1f gebildet ist und eine Oberfläche auf
einer Seite, wo die zweite Informationsschicht 4s des zweiten
Lichttransmissionssubstrats 1s gebildet ist, mit einem
transparenten Klebstoff 5 verbunden sind.
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Dann
wird als ein erstes Reproduktionslicht Lf ein Laserlicht mit einem
Wellenlängenbereich
von 770 nm–830
nm des Reproduktionslichts (im Folgenden als eine erste Wellenlänge bezeichnet)
in dem Wiedergabegerät
z.B. der konventionellen Mehrzweck-Compact-Disk (CD) nur für Wiedergabe,
von einer Rückseite
des zweiten Lichttransmissionssubstrats 1s abgestrahlt,
um die Reproduktion der Information von der ersten Informationsschicht 4f auszuführen und
als ein zweites Reproduktionslicht Ls wird ein Laserlicht, welches
in der Wellenlänge
kürzer
ist als das vorhergehende und einem Wellenlängenbereich von 615 nm–655 nm
eines Halbleiterlasers, welcher geeignet ist, um massenproduziert
zu werden (im Folgenden als zweite Wellenlänge bezeichnet) wird abgestrahlt,
um auf der zweiten Informationsschicht 4s zu fokussieren,
wodurch die Reproduktion der Information von der zweiten Informationsschicht 4s ausgeführt wird.
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Um
ein Reproduktionssignal von hoher Qualität von der ersten Informationsschicht 4f durch
Verwenden einer solchen optischen Platte zu erhalten, muss
- (i) ein Reflexionsfaktor Rf1 des reflektierenden
Metallfilms 3f gegen das erste Reproduktionslicht Lf durch die
erste Wellenlänge
hoch sein,
- (ii) ein Transmissionsfaktor Ts1 der zweiten Informationsschicht 4s relativ
zu dem Licht mit der ersten Wellenlänge so hoch wie möglich sein,
d.h., ein Lichtabsorptionsfaktor As1 relativ zu dem Licht mit der
ersten Wellenlänge
muss so niedrig wie möglich
sein sowie sein Reflexionsfaktor Rs1 gegen das Licht mit der ersten
Wellenlänge
so niedrig wie möglich
sein muss.
Auch muss, um ein Reproduktionssignal von hoher
Qualität
von der zweiten Informationsschicht 4s zu erhalten,
- (iii) ein Reflexionsfaktor Rs2 des halbtransparenten Films 3s gegen
das zweite Reproduktionslicht mit der zweiten Wellenlänge hoch
sein.
- (iv) Daher ist es aus den oben erwähnten Punkten (ii) und (iii)
wünschenswert,
dass der halbtransparente reflektierende Film 3s der zweiten
Informationsschicht 4s eine Eigenschaft aufweist, so dass
Rs2–Rs1
so groß wie
möglich
ist (Rs2 ist so viel größer als Rs1 wie
möglich).
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Als
ein Material, um den halbtransparenten reflektierenden Film 3s der
zweiten Informationsschicht 4s zu bilden, werden der Einsatz
von Silicium (Si) und einer Mehrschichtstruktur mit einer dielektrischen
Substanz vorgeschlagen.
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Wie
in dem oben erwähnten
Punkt (ii) beschrieben, da verlangt wird, dass der Lichtabsorptionsfaktor des
Lichts mit der ersten Wellenlänge
so klein wie möglich
ist, wenn das Silicium verwendet wird, ist es wünschenswert, dass sich das
Silicium selbst in einen Film als Dünnfilm bildet, welcher eine
exzellente Kristallisation aufweist, jedoch, aufgrund eines Problems
der thermischen Stabilität
des Kunststoffsubstrats bestehen einige Beschränkungen, das Si in dem Film
zu bilden, welcher eine exzellente Filmqualität auf dem Lichttransmissionssubstrat
aufweist, insbesondere auf einem Kunststoffsubstrat, welches aus
Polycarbonat (PC) und dergleichen aufgebaut ist, welches hinsichtlich
der Massenproduktion, Kosten und dergleichen ausgezeichnet ist.
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Auch,
wenn die dielektrische Substanz für die mehrschichtige Filmstruktur
verwendet wird, besteht ein Problem, dass ein Prozess der Herstellung
sehr kompliziert wird, verglichen mit dem Bilden eines einzelnen Schichtfilms,
wodurch ein Problem hoher Kosten hervorgebracht wird.
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Auch,
was das Lichttransmissionssubstrat anbelangt, ist es hauptsächlich aus
dem Polycarbonat (PC) hinsichtlich des Preises, der Zuverlässigkeit,
der Massenherstellbarkeit und dergleichen gebildet. In dem Fall besteht
jedoch ein Problem, dass die Doppelbrechung verglichen mit Glas
sehr groß ist.
Es ist bekannt, dass sich die Doppelbrechung hauptsächlich auf
eine sehr dünne
Oberflächenschicht
(einem Abschnitt von ungefähr
mehreren zehn μm
in der Dicke) des Substrats konzentriert, jedoch nicht von der Dicke
des Substrats abhängt.
Daher hängt
das Problem der Doppelbrechung nicht von der Dicke des Substrats
ab, sondern davon, wie oft das Zielreproduktionslicht durch die
Oberfläche
davon hindurchpassiert, und so, wenn zwei Lagen des Lichttransmissionssubstrats 1s und 1f,
wie in 1 gezeigt ist, verwendet werden, passiert das
Reproduktionslicht für
die erste Informationsschicht 3f durch die Oberflächenschichten
der beiden Lagen der Lichttransmissionssubstrate 1s und 1f und
ein Einfluss der Doppelbrechung wird zweimal so viel wie in dem
Fall einer einzigen Schicht.
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Nebenbei
ist es wünschenswert,
um ein Reproduktionssignal einer hohen Qualität in solch einer optischen
Platte erhalten zu können,
dass der Reflexionsfaktor gegen das Licht mit der ersten Wellenlänge größer als
60 % eingestellt wird. Dieser Wert kann als ein Index hergestellt
werden, um ein hohes Reproduktionssignal durch einen genormten Wert
in einer Mehrzweck-Compact-Disk CD zu erhalten. Auch ist es wünschenswert, dass
der Reflexionsfaktor gegen das Licht mit der zweiten Wellenlänge 15 %–30 % beträgt. Dieser
Wert kann als ein Index hergestellt werden, um das Reproduktionssignal
einer hohen Qualität
durch einen normierten Wert in einer Zweischichtplatte einer so
genannten DVD (Digital Versatile Disk) zu erhalten.
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Es
ist eine Aufgabe von zumindest einer bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, sicherzustellen, dass eine Reproduktion
von einer hohen Qualität
in der oben erwähnten
mehrschichtigen Platte durchgeführt
werden kann, in welcher die oben erwähnten ersten und zweiten Informationsschichten
laminiert sind.
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EP-A-0
745 985 offenbart eine optische Platte mit ersten und zweiten Informationsschichten.
Eine reflektierende Schicht auf der ersten Informationsschicht kann
durch Sputtern oder Aufdampfen des Siliciums gebildet werden.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird eine mehrschichtige optische Platte vorgesehen, in
welcher eine erste Informationsschicht und eine zweite Informationsschicht
laminiert sind, um eine Lage einer optischen Platte zu bilden, wobei
die optische Platte umfasst:
einen reflektierenden Metallfilm,
welcher in der ersten Informationsschicht gebildet ist und einen
Reflexionsfaktor von mehr als 90 % relativ zu einem ersten Reproduktionslicht
mit einem Wellenlängenbereich
von 770 nm–830
nm aufweist;
und
einen halbtransparenten reflektierenden
Film, welcher in der zweiten Informationsschicht gebildet ist, wobei
ein Verhältnis
ns2/ns1 zwischen
jeweiligen realen Zahlenteilen eines Brechungsindex ns1 relativ
zu dem ersten Produktionslicht und einem Brechungsindex ns2 relativ zu einem zweiten Reproduktionslicht
mit einer Wellenlänge in
dem Bereich von 615 nm–655
nm mehr als 1,05 beträgt,
und ein imaginärer
Zahlenteil des Brechungsindex relativ zu dem ersten Reproduktionslicht
weniger als 0,05 ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Filmdicke
des halbtransparenten reflektierenden Films weniger als 22 nm beträgt.
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Die
optische Platte, welche die oben erwähnte Struktur gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung aufweist, kann eine Reproduktion von
einer hohen Qualität bezüglich der
ersten und zweiten Informationsschichten durch die ersten und die
zweiten Reproduktionslichter ausführen und bezüglich der
ersten Informationsschicht ist sie hergestellt, um in der Lage zu
sein, die hohe Reproduktionsqualität auszuführen, sogar mittels eines Mehrzweck-CD-Spielers.
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Die
Erfindung wird nun mittels eines Beispiels mit Bezug auf die begleitenden
Zeichnungen beschrieben werden, in welchen auf gleiche Teile durch
gleiche Bezugszeichen Bezug genommen wird, und in welchen:
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1 eine
schematische Querschnittsansicht eines Beispiels einer mehrschichtigen
optischen Platte ist, welche die vorliegende Erfindung sowie eine
konventionelle mehrschichtige optische Platte verkörpert;
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2 ein
Graph ist, welcher eine Wellenlängenabhängigkeit
eines Reflexionsfaktors von amorphem SiO zeigt, welches zur Erläuterung
einer Struktur eines halbtransparenten Reflexionsfilms einer mehrschichtigen
optischen Platte verwendet wird, welche die vorliegende Erfindung
verkörpert;
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3 ein
Graph ist, welcher eine Wellenlängenabhängigkeit
eines Reflexionsfaktors von amorphem SiH zeigt, welches zur Erläuterung
der Struktur des halbtransparenten Reflexionsfilms der mehrschichtigen
optischen Platte verwendet wird, welche die vorliegende Erfindung
verkörpert;
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4 ein
Graph ist, welcher eine Wellenlängenabhängigkeit
eines Reflexionsfaktors von amorphem SiHO zeigt, welches zur Erläuterung
der Struktur des halbtransparenten Reflexionsfilms der mehrschichtigen optischen
Platte verwendet wird, welche die vorliegende Erfindung verkörpert;
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5 ein
Graph ist, welcher die Wellenlängenabhängigkeit
eines Reflexionsfaktors von amorphem Si zeigt, welches zur Erläuterung
der Struktur des halbtransparenten Reflexionsfilms der mehrschichtigen
optischen Platte verwendet wird, welche die vorliegende Erfindung
verkörpert;
und
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6 ein
Graph ist, welcher die Wellenlängenabhängigkeit
eines Reflexionsfaktors von kristallinem Si zeigt, welches zur Erläuterung
der Struktur des halbtransparenten Reflexionsfilms der mehrschichtigen
optischen Platte verwendet wird, welche die vorliegende Erfindung
verkörpert.
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Eine
mehrschichtige optische Platte gemäß der vorliegenden Erfindung
ist derartig strukturiert, dass eine erste Informationsschicht und
eine zweite Informationsschicht aufgeschichtet sind, um eine Lage
einer optischen Platte zu bilden.
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Die
optische Platte kann, wie in 1 gezeigt
ist, so strukturiert sein, dass erste und zweite Lichttransmissionssubstrate 1f und 1s,
auf welchen jeweils erste und zweite Informationsschichten 2f und 2s gebildet sind,
aufgeschichtet sind und miteinander mit einem transparenten Klebstoff 5 verbunden
sind.
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Die
ersten und zweiten Lichttransmissionssubstrate 1f und 1s sind
jeweils durch Spritzgießen
unter Verwendung von Kunststoffen wie beispielsweise Polycarbonat
(PC) oder dergleichen geformt, und gleichzeitig mit dem Formen werden
Informationspits 4f und 4s auf den ersten und
den zweiten Informationsschichten 4f und 4s auf
jeweiligen Hauptoberflächen
des Substrats 1f und 1s transferiert und durch
Stempel, z.B. Nickelstempel, geformt, welche in einem Hohlraum einer
Spritzgießform
angeordnet sind, und die anderen Hauptoberflächen davon werden jeweils als
glatte Oberflächen
gebildet.
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Alternativ
werden die ersten und die zweiten Transmissionssubstrate 1f und 1s aus
Kunststoffen wie beispielsweise PC und dergleichen oder Glas als
glatte Substrate gebildet und die Informationspits 2f und 2s können auf
deren jeweiligen Hauptoberflächen
mittels Aufstreichen z.B. eines unter UV-Licht aushärtenden Harzes,
Drücken
der Stempel und einer Aushärtbehandlung,
d.h. ein 2P-Verfahren (Photopolymerisation), gebildet werden.
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Die
ersten und die zweiten Lichttransmissionssubstrate 1f und 1s sind
als Substrate, deren Doppelbrechung weniger als 50 nm beträgt, durch
Auswählen
einer Temperatur der Form, eines Drucks, einer Zeit zum Aufrechterhalten
des Drucks und dergleichen zur Zeit des Spritzgießens strukturiert.
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Dann
wird die erste Informationsschicht 4f durch Ablagerung
eines reflektierenden Metallfilms 3s mittels Aufdampfen,
Sputtern und dergleichen auf der gesamten Oberfläche gebildet, auf welcher das
erste Informationspit 2f des ersten Lichttransmissionssubstrats 1f gebildet
wird. Auch wird eine Schutzschicht 6 gebildet, welche vollständig die
erste Informationsschicht 4f abdeckt.
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Ein
halbtransparenter reflektierender Film 3s wird vollständig auf
einer Oberfläche
des zweiten Lichttransmissionssubstrats 1s abgelagert,
auf welcher das zweite Informationspit 2s gebildet wird,
wodurch die zweite Informationsschicht 4s gebildet wird.
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Die
mehrschichtige optische Platte ist so strukturiert, dass die Oberfläche des
ersten Lichttransmissionssubstrats 1f gegenüberliegend
einer Seite, wo die erste Informationsschicht 4f gebildet
wird, und die Oberfläche
des zweiten Lichttransmissionssubstrats 1s auf der Seite,
wo die zweite Informationsschicht 4s gebildet wird, miteinander
mit einem transparenten Klebstoff 5 verbunden werden, wie
beispielsweise ein mittels ultravioletter Strahlen aushärtender
Harz.
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In
dieser Struktur wird die Summe der Dicken der ersten und zweiten
Lichttransmissionssubstrate 1f und 1s ausgewählt, so
dass sie 1,1–1,3
mm wird. Zum Beispiel ist es wünschenswert,
dass die gesamte Dicke auf 1,25 mm eingestellt wird unter der Voraussetzung,
dass jede der Dicken der ersten und zweiten Lichttransmissionssubstrate 1f und 1s hergestellt
werden, um 0,6 mm zu betragen, und die Dicke des transparenten Klebstoffs 5 0,05
mm ist.
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Auslesen,
d.h. das Lesen oder Reproduzieren der Informationen von der ersten
Informationsschicht 4f der mehrschichtigen optischen Platte
gemäß der vorliegenden
Erfindung, wird auf solch eine Weise durchgeführt, dass, wie in 1 gezeigt
ist, ein erstes Reproduktionslicht Lf mit einer ersten Wellenlänge, z.B.
ein Halbleiterlaserlicht des Reproduktionslichts in einem z.B. Mehrzweckreproduktions-CD-Spieler,
welches einen Wellenlängenbereich
von 770 nm–830
nm aufweist, wird von der Rückseite
des zweiten Lichttransmissionssubstrats 1s gestrahlt und
das Reflexionslicht von dem reflektierenden Metallfilm 3f wird
detektiert.
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Auch
wird die Reproduktion der Information von der zweiten Informationsschicht 4s auf
solch eine Weise durchgeführt,
dass ein zweites Reproduktionslicht Ls mit einer zweiten Wellenlänge, d.h.
ein Halbleiterlaserlicht mit einer Wellenlänge von 615 nm–655 nm
in gleicher Weise auf der zweiten Informationsschicht 4s von
der Rückseite
des zweiten Lichttransmissionssubstrats 1s fokussiert wird
und dessen Reflexionslicht wird ausgelöscht, um dadurch ein Reproduktionssignal
zu erhalten.
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Dann,
insbesondere gemäß der vorliegenden
Erfindung, wird der reflektierende Metallfilm 3f, welcher die
erste Informationsschicht 4f bildet, aus einem reflektierenden
Metallfilm gebildet, welcher einen Reflexionsfaktor von mehr als
60 % relativ zu dem ersten Reproduktionslicht mit dem Wellenlängenbereich
von 770 nm–830
nm aufweist.
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Die
Metalle, welche den reflektierenden Metallfilm 3f bilden,
werden durch Aufdampfen, Sputtern und dergleichen von Metall, z.B.
Au, Ag, Cu oder einer Legierung davon, gebildet. Eine Filmdicke
des reflektierenden Metallfilms 3f muss eingestellt werden,
um mehr als 50 nm zu betragen, um in der Lage zu sein, sicher einen
hohen Reflexionsfaktor oder vorzugsweise mehr als 70 nm zu erhalten.
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Der
Schutzfilm 6, welcher auf dem reflektierenden Metallfilm 3f gebildet
ist, kann durch Aufstreichen und Aushärten des unter ultravioletter
Strahlung aushärtenden
Harzes strukturiert sein.
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Der
halbtransparente reflektierende Film 3s, welcher die zweite
Informationsschicht 4s bildet, ist in seinem Transmissionsfaktor
Ts1 für
das Licht mit der ersten Wellenlänge
hoch, d.h., er ist in seinem Lichtabsorptionsfaktor As1 des
Lichts mit der ersten Wellenlänge
gering und ist in seinem Reflexionsfaktor Rs1 gegen
das Licht mit der ersten Wellenlänge
gering und macht auch einen Reflexionsfaktor Rs2 gegen
das zweite Reproduktionslicht Ls mit der zweiten Wellenlänge größer, d.h.
Rs2–Rs1. Um noch genauer zu sein, wird in einem dünnen Film
je größer ein
Refraktionsindex ist, umso größer wird
der Reflexionsfaktor und je kleiner der Refraktionsindex ist, umso
kleiner wird der Reflexionsfaktor. Daher, wenn die Refraktionsindizes
des halbtransparenten reflektierenden Films 3s gegen die
Lichte mit den ersten und zweiten Wellenlängen auf ns1 und
ns2 eingestellt sind, dann wird ns2/ns1 groß gemacht,
insbesondere ein Verhältnis
zwischen jeweiligen realen Zahlenteilen des Refraktionsindex ns1 und Refraktionsindex ns2 oder
ns2/ns1 wird auf
mehr als 1,05 eingestellt.
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Auch
wird der halbtransparente reflektierende Film 3s aus einem
halbtransparenten reflektierenden Filmmaterial gebildet, dessen
imaginärer
Zahlenteil des Refraktionsindex gegen das erste Reproduktionslicht weniger
als 0,05 ist.
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Der
halbtransparente reflektierende Film 3s wird als eine Einzelschichtstruktur
aus einem amorphen Film gebildet, welcher aus einem einzigen Material
von amorphem SiH, amorphem SiO, amorphem SiN oder einem gemischten
Material von mehr als zwei von ihnen und amorphem Si aufgebaut ist,
z.B. Si(HO), Si(HNO).
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Auch
kann der halbtransparente reflektierende Film 3s mit einem
amorphen Film gebildet werden, welcher aus Ge hergestellt ist, amorphem
Ge, amorphem GeH, amorphem GeO, amorphen GeN oder einem gemischten
Material von mehr als zwei von ihnen, z.B. Ge (HNO); einem amorphen
Film, welcher aus amorphem SiGe, amorphem SiGeH, amorphem SiGeO,
amorphem SiGeN oder gemischten Materialien von mehr als zwei von
ihnen aufgebaut ist, wie beispielsweise SiGe (HON) oder einem amorphen
Film, welcher aus amorphem SiC, amorphem SICH, amorphem SiCO, amorphem
SiCN oder gemischten Materialien von mehr als zwei von ihnen aufgebaut
ist, wie beispielsweise SiC (HON).
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Auch
wird die Dicke des halbtransparenten reflektierenden Films 3s eingestellt,
um weniger als 22 nm zu betragen, d.h. vorzugsweise gebildet in
einer Zone 1 auf einer Seite, wo die Dicke des Films klein ist,
und wobei ein Filmdickentoleranzwert, der in der Lage ist, den erforderlichen
Reflexionsfaktor zu erhalten, hinsichtlich der Filmdickenabhängigkeit
einer spektralen Eigenschaft, die später beschrieben wird, erhalten
werden kann.
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Als
nächstes
wird eine Ausführungsform
des halbtransparenten reflektierenden Films 3s beschrieben werden.
Der halbtransparente reflektierende Film 3s wird als ein amorpher
Si-(im Folgenden als a-Si beschrieben)-Film mittels Sputtern oder
Aufdampfen im Vakuum unter Verwendung von z.B. kristallinem Silicium
(Si) oder polykristallinem Silicium als Rohmaterial gebildet, und
Sauerstoff oder Wasserstoff wird damit vermischt, wenn der Film
gebildet wird.
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Zum
Beispiel wird in dem Fall des Aufdampfens unter Vakuum, nachdem
ein Inneres einer Vakuumkammer, in welcher die Vakuumaufdampfung
ausgeführt
werden soll, eingestellt wird, um einen hohen Grad eines Vakuumzustandes
in einem Ausmaß des
Erreichens einer Größenordnung
von z.B. 10–4 Pa
anzunehmen, eine geringe Menge des Sauerstoffs oder Wasserstoffs
oder beide von ihnen dann in die Vakuumkammer eingeführt und
die Verdampfung im Vakuum wird auf einer Oberfläche des zweiten Lichttransmissionssubstrats 1s ausgeführt, auf
welchem das zweite Informationspit 2s gebildet wird, wodurch
ein halbtransparenter reflektierender Ziel-Film 3s gebildet
wird.
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Auch
werden in dem Fall des Sputterns in ähnlicher Weise eine geringe
Menge von Sauerstoff oder Wasserstoff oder beide von ihnen, außer inerte
Gase wie beispielsweise Ar und dergleichen, in das Innere der Kammer
eingeführt,
in welcher das Sputtern durchgeführt
wird, um ein so genanntes reaktives Sputtern auszuführen, wodurch
ein halbtransparenter reflektierender Ziel-Film 3s gebildet
wird.
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Zwischenzeitlich
ist gut bekannt, dass nachdem Si vollständig mit Sauerstoff oder Wasserstoff
reagiert, SiO2 oder SiFH4 hergestellt
wird, jedoch bei der Bildung des halbtransparenten Reflexionsfilms 3s gemäß der vorliegenden
Erfindung wird solch eine vollständige
Reaktion nicht ausgeführt,
sondern es wird eine Struktur vorgesehen, in welcher Sauerstoff
und Wasserstoff zu einer so genannten freien Bindung verbunden werden, wobei
das Si-Atom selbst nicht in einem Zustand einer kovalenten Verbindung
ist, um die Absorption des Lichts zu unterdrücken und bezüglich des
Zusetzens des Sauerstoffs und Wasserstoffs zu diesem Zweck wird
ein Verhältnis
von Sauerstoff und Wasserstoff zu dem Si-Atom ausgewählt, um
soviel wie 2–30
Atomprozent zu betragen.
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Die
ersten und zweiten Lichttransmissionssubstrate 1f und 1s,
in welchen die ersten und die zweiten Informationsschichten 4f und 4s jeweils
auf diese Weise gebildet werden, werden auf solch einer Weise gebildet,
dass eine Oberfläche
des ersten Lichttransmissionssubstrats 1f auf einer gegenüberliegenden
Seite zu einer Seite, wo die erste Informationsschicht 4f gebildet
wird, und eine Oberfläche
des zweiten Lichttransmissionssubstrats auf einer Seite, wo die
zweite Informationsschicht 4s gebildet wird, mit dem transparenten
Klebstoff 5 verbunden werden.
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Die
Verbindung mit dem transparenten Klebstoff 5 wird auf eine
Weise durchgeführt,
dass der transparente Klebstoff 5, welcher aus einem flüssigen in
UV-Licht aushärtendem
Harz aufgebaut ist, z.B. auf den halbtransparenten Reflexionsfilm 3s aufgestrichen
wird, beide der Substrate 1f und 1s mit einer
vorbestimmten positionellen Beziehung dazwischen laminiert werden
und eine Bestrahlung mit den ultravioletten Strahlen durchgeführt wird,
um den transparenten Klebstoff 5 auszuhärten, um dadurch die Substrate 1f und 1s zu
verbinden.
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Als
nächstes
wird eine optische Eigenschaft des halbtransparenten Reflexionsfilms 3f betrachtet.
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In
diesem Fall werden auf jeweiligen Hauptoberflächen, wie eine Spiegeloberfläche mit
weder konkaven noch konvexen Punkten von jeweiligen PC-Substraten,
amorphes SiO (a-SiO), amorphes SiH (a-SiH), amorphes SiHO (a-SiHO)
gemäß der Struktur
der vorliegenden Erfindung und weiterhin amorphes Si und kristallines
Si (a-Si) jeweils zu Vergleichszwecken hergestellt, um jeweils einen
Film zu bilden, und jeweilige Testproben sind durch Aufstreichen
einer Schutzschicht darauf, welche so dick wie 30 μm ist, aus
dem in UV-Licht aushärtendem
Harz, welcher zum Verbinden mit dem oben erwähnten anderen Substrat verwendet
wird, hergestellt worden. Auch sind in den Testproben durch Bilden
jeweiliger Filme in einem Bereich von 10 nm–100 nm Dicke Doppelbrechungsindizes
in den Fällen
einer Wellenlänge
von 780 nm und einer Wellenlänge
von 650 nm durch die Messung einer Filmbreite, eines Lichttransmissionsfaktors
und eines Reflexionsfaktors davon erhalten worden. Ergebnisse davon
werden in einer Tabelle 1, welche unten beschrieben wird, gezeigt werden.
Zwischenzeitlich werden in der Tabelle 1, obwohl eine Darstellung
des kristallinen Si als ein Beispiel zum Vergleich vorgenommen worden
ist, die Werte davon von denen der Literatur zitiert. Auch werden
in der Tabelle 1 die Verhältnisse n2/n1 zwischen realen
Zahlenteilen und Refraktionsindizes von jeweiligen Testproben gemeinsam
dargestellt.
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Durch
Verwenden der Refraktionsindizes basierend auf der Tabelle 1 werden
ein Reflexionsfaktor R1 der ersten Informationsschicht
relativ zu der Wellenlänge
von 780 nm und ein Reflexionsfaktor R2 der
zweiten Informationsschicht relativ zu der Wellenlänge von
650 nm in dem Fall, wo die jeweiligen Film-bildenden Materialien
als halbtransparenter Reflexionsfilm der zweiten Informationsschicht
hergestellt werden, mittels der Berechnung erhalten. In dem Fall,
unter der Annahme, dass der reflektierende Metallfilm 3f der
ersten Informationsschicht 4f derartig strukturiert ist,
um aus einem Au-Film in einer Dicke von 100 nm gebildet zu werden, wird
der Reflexionsfaktor auf einer Grenzfläche zwischen dem ersten Lichttransmissionssubstrat 1f und
dem reflektierenden Metallfilm 3f auf 95 % eingestellt.
Eine Filmdickenabhängigkeit
der spektroskopischen Eigenschaft durch Berechnung um jede der Proben
ist jeweilig in 2 bis 6 gezeigt.
Das heißt, 2 ist
ein Fall von a-SiO, 3 ist ein Fall a-SiH, 4 ist
ein Fall von a-SiHO, 5 ist ein Fall von a-Si, welches
nicht Sauerstoff und Wasserstoff enthält, und 6 ist ein
Fall von kristallinem Si.
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In
dem Fall des kristallinen Si der 6 nimmt,
während
die Filmdicke davon dicker als 0 wird, der Reflexionsfaktor R1 ab,
während
R2 zunimmt. Dann, in der Nähe
von einer Dicke von 13 nm, wird R1 größer als
70 % (R1 > 70 %) und
gleichzeitig wird R2 größer als 18 % (R2 > 18 %) (im Folgenden
wird auf die Dickenzone als Zone 1 Bezug genommen), was den Index,
welcher am Anfang erwähnt
wurde, erfüllt,
was zu einem Erlangen eines exzellenten Reproduktionssignals führt. Dann,
wenn die Filmdicke weiter zunimmt, wiederum in der Nähe von 130
nm, ist die oben erwähnte
Bedingung erfüllt,
d.h. R1 ist größer als 70 % und gleichzeitig ist
R2 größer als
18 % (im Folgenden wird auf die Dickenzone als Zone 2 Bezug genommen).
Dann wird die Zunahme und Abnahme auf Wiederholung gehalten, jedoch
ist es bevorzugt, dass eine Zone, welche dicker als die zweite Zone
ist, praktisch vermieden wird wegen eines Problems, was die Herstellung
begleitet. Daher wird ein Bereich zwischen der oberen Grenze und
der unteren Grenze der Filmdicke, wobei der erforderliche Reflexionsfaktor
oder R1 > 70
% und gleichzeitig R2 > 18 % in der Zone 1 und der Zone 2 der
jeweiligen Einzelschichtmaterialien erhalten werden kann, zusammen
mit einer Rate von einem Mittenwert gezeigt, welcher in einer Klammer
als ein Filmdickentoleranzwert gezeigt ist [%].
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In
dem Fall beträgt
ein gewünschter
Toleranzwert von einem praktischen Gesichtspunkt aus ungefähr ± 5 %,
von welchem verständlich
ist, dass a-SiH, a-SiHO und weiterhin das kristalline Si vorzugsweise
verwendet werden. Jedoch, wie am Anfang beschrieben wurde, ist kristallines
Si nicht praktisch, weil es schwierig für das kristalline Si ist, einen
Film auf dem Lichttransmissionssubstrat zu bilden. Auch ist ein
praktischer Toleranzwert einer Filmdicke von a-Si in 5,
wie ersichtlich ist, wenn mit 6 verglichen,
relativ klein, weil seine Lichtabsorption verglichen mit dem kristallinen
Si größer wird.
Im Gegensatz zu diesen, in dem Fall des a-SiO, welches mit Sauerstoff
gemischt wird, wird die Lichtabsorption kleiner bei 780 nm verglichen
mit a-Si und n2/n1 wird
größer, so
dass der Reflexionsfaktor R1 in der Zone
2 größer wird
und als ein Ergebnis der Toleranzwert der Filmdicke in der Zone
2 einen höheren
Wert als ± 5
% kennzeichnet. Ähnlich
ist in dem Fall des a-SiH, welches mit Wasserstoff gemischt wird,
weil die Lichtabsorption abnimmt und n2/n1 größer wird
verglichen mit dem Sauerstoff, welcher damit gemischt wird, ein
ausreichender Filmdickentoleranzwert erhalten worden, sogar in der
Zone 1. Dann macht die Tatsache, dass der ausreichende Filmdickentoleranzwert
sogar in der Zone 1 erhalten wird, wobei die Filmdicke klein ist,
es möglich,
den halbtransparenten Reflexionsfilm 3s in der Zone 1 von
geringer Filmdicke zu bilden, mit dem Ergebnis von großen praktischen
Vorzügen,
welche von der Reduzierung der Zeit des Bildens des Films und dergleichen
herrühren.
Weiterhin gemäß dem a-SiHO,
welches sowohl mit Sauerstoff und Wasserstoff gemischt wird, besteht
eine weitere Abnahme in der Lichtabsorption, so dass der Filmdickentoleranzwert
weiterhin in der Zone 1 sowie in der Zone 2 erweitert wird, was
zur Wirtschaftlichkeit hinsichtlich der Produktion beiträgt.
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Wie
aus der Tabelle 1 und der Tabelle 2 erkannt werden kann, ist ein
Wert des imaginären
Zahlenteils des Refraktionsindex, welcher die Lichtabsorption auf
dem Teil des halbtransparenten Reflexionsfilms 3s, welcher
die zweite Informationsschicht 4s aufweist, vorzugsweise
geringer als 0,05 bei 780 nm. Auch sei verstanden, dass ein Verhältnis n2/n1 zwischen den
realen Zahlenteilen der Refraktionsindizes, d.h. ns1/ns2 als die zweite Informationsschicht 4s vorzugsweise
mehr als 1,05 ist.
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Dann,
in diesem Zusammenhang, wenn der reflektierende Metallfilm 3f der
ersten Informationsschicht 4f aus z.B. Al wie in dem konventionellen
Fall hergestellt ist, werden R1-Werte der
Filme in den jeweiligen Materialien Werte, welche durch Multiplizieren
der R1-Werte in 2 bis 6 erhalten
werden und ein Verhältnis eines
Reflexionsfaktors des Al's
von 81 % gegen die Wellenlänge
von 780 nm zu einem ähnlichen
Reflexionsfaktor von Au von 95 %, d.h. 0,85 wird erhalten. Das heißt, in dem
Fall eines Al-Reflexionsfilms kann, wenn R1 um
15 % niedriger wird verglichen mit einem Au-Film, der Filmdickentoleranzwert
nicht größer gemacht
werden.
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Zwischenzeitlich
sind die oben erwähnten
Beispiele Fälle,
bei welchen der halbtransparente Reflexionsfilm 3s der
zweiten Informationsschicht 4s aus zusammensetzenden Materialien
gebildet ist, wobei Sauerstoff oder Wasserstoff oder beide von ihnen
in das a-Si-System eingeführt
werden, jedoch die gleichen Effekte können erhalten werden durch
Bilden der gleichen solcher zusammensetzender Materialien, wobei
oben erwähntes
Ge, SiGe oder a-Ge-System oder ein a-SiGe-System eingeführt wird, welche ähnlich mit
entweder Sauerstoff oder Wasserstoff oder den beiden eingeführt werden.
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Wie
oben erwähnt,
gemäß der vorliegenden
Erfindung, durch Spezifizieren jeweiliger optischer Charakteristika
des reflektierenden Metallfilms 3f der ersten Informationsschicht 4f und
des halbtransparenten Reflexionsfilms 3s, welcher die zweite
Informationsschicht 4s aufbaut, wird das zweite Reproduktionslicht
mit der zweiten Wellenlänge
für die
zweite Informationsschicht 4s mit 18 % geleitet, was ein
Index ist, so dass ein Reproduktionslicht einer exzellenten Qualität erhalten
werden kann und gleichzeitig, durch Bewirken, dass das erste Reproduktionslicht
mit der ersten Wellenlänge
die zweite Informationsschicht 4s ausreichend durchdringt und
weiterhin durch Bewirken, dass der reflektierende Metallfilm mehr
als 90 % des Reflexionsfaktors aufweist, kann das erste Reproduktionslicht,
welches auf die erste Informationsschicht 4f gerichtet
ist, geleitet werden, um mit ausreichend hoher Effizienz zu reflektieren,
obwohl das erste Reproduktionslicht zu einem gewissen Ausmaß in der
zweiten Informationsschicht 3s abnimmt. So kann das Reproduktionssignal,
welches ausgezeichnet in der Qualität ist, gemäß der Reproduktion durch das
erste Reproduktionslicht der Information von der ersten Informationsschicht 4f erhalten
werden.
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Dann,
während
das erste Reproduktionslicht mit der ersten Wellenlänge in einem
Bereich von 770 nm–830
nm in der Wellenlänge
ist, kann z.B. ein Mehrzweck-CD-Spieler
verwendet werden. Das heißt,
die Reproduktion der ersten Informationsschicht 4f wird
ermöglicht.
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Auch
passiert in der Struktur der 1 das erste
Reproduktionslicht für
die erste Informationsschicht 4f viermal durch die Oberflächen der
ersten und zweiten Lichttransmissionssubstrate 1f und 1s,
jedoch, wie oben erwähnt,
da deren Doppelbrechung eingestellt ist, um weniger als 50 nm zu
betragen, kann ein gleichwertiges Reproduktionssignal, welches mit
dem Doppelbrechungswert von 100 nm in der konventionellen CD und
DVD vergleichbar ist, erhalten werden.
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Auch
ist das oben erwähnte
Beispiel ein Fall, wobei zwei Lagen der Lichttransmissionssubstrate
verwendet werden, jedoch gibt es einige Fälle, auf welche das Beispiel,
wie in der Zeichnung gezeigt, nicht beschränkt ist, wodurch verschiedene
Abänderungen
der Formen möglich
sind, in welchen die Pits der ersten und der zweiten Informationsschichten
auf einer Platte des Lichttransmissionssubstrats mittels des zwei-p-Verfahrens
gebildet sind oder das Pit von einer Informationsschicht wird gleichzeitig
gebildet, wenn ein Spritzgießen
des Lichttransmissionssubstrats ausgeführt wird, während das Pit der anderen Informationsschicht
durch das zwei-p-Verfahren gebildet wird. Auch ist in der Struktur
der 1 die Aufzeichnungsdichte der zweiten Informationsschicht 4s höher als
diejenige der ersten Informationsschicht 4f.
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Wie
oben erwähnt,
wird gemäß der vorliegenden
Erfindung durch Spezifizieren der jeweiligen optischen Charakteristika
des reflektierenden Metallsfilms 3f der ersten Informationsschicht 4f und
des halbtransparenten Reflexionsfilms 3s, welcher die zweite
Informationsschicht 4s aufbaut, das zweite Reproduktionslicht mit
der zweiten Wellenlänge
für die
zweite Informationsschicht 4s durch einen Reflexionsfaktor
geleitet, welcher als ein Index von mehr als 18 % eingestellt ist,
so dass ein Reproduktionslicht einer exzellenten Qualität erhalten
werden kann und gleichzeitig, durch Bewirken, dass das erste Reproduktionslicht
mit der ersten Wellenlänge
ausreichend die zweite Informationsschicht 4s durchdringt
und weiterhin kann durch Bewirken, dass der reflektierende Metallfilm
mehr als 90 % des Reflexionsfaktors aufweist, das erste Reproduktionslicht,
welches zu der ersten Informationsschicht 4f führt, geleitet
werden, um mit ausreichend hoher Effizienz zu reflektieren, obwohl
das erste Reproduktionslicht zu einem gewissen Ausmaß in der
zweiten Informationsschicht 3s abnimmt. So kann das Reproduktionssignal,
welches exzellent in der Qualität
ist gemäß der Reproduktion durch
das erste Reproduktionslicht der Information von der ersten Informationsschicht 4f erhalten
werden.
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Dann
kann, wenn das erste Reproduktionslicht mit der ersten Wellenlänge in einem
Wellenlängenbereich
von 770 nm–830
nm ist, z.B. ein Mehrzweck-CD-Spieler verwendet werden. Das heißt, dadurch
wird die Reproduktion der ersten Informationsschicht 4f ermöglicht.
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Auch
passiert in der Struktur der 1 das erste
Reproduktionslicht für
die erste Informationsschicht 4f durch die Oberflächen der
ersten und zweiten Lichttransmissionssubstrate 1f und 1s viermal,
jedoch, wie oben erwähnt,
da die Doppelbrechung davon eingestellt ist, um weniger als 50 nm
zu betragen, kann ein gleichwertiges Reproduktionssignal, welches
vergleichbar mit dem Doppelbrechungswert von 100 nm in der konventionellen
CD und DVD ist, erhalten werden.
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Auch
kann in der Struktur, welche die vorliegende Erfindung verkörpert, während die
zweite Informationsschicht 4s aus einem Einzelschichtfilm
hergestellt ist, verglichen mit einem Fall des Einsetzens einer Struktur,
in welcher dielektrische Substanzfilme in mehreren Schichten laminiert
sind, eine Vereinfachung des Designs und der Produktion der Informationsschicht
und dementsprechend eine Verbesserung der Produktivität implementiert
werden.
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Mit
den beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen sei verstanden,
dass die vorliegende Erfindung nicht auf die oben erwähnten Ausführungsformen
beschränkt
ist, und dass verschiedene Änderungen
und Modifikationen daran durch einen Fachmann bewirkt werden können ohne
von dem Umfang der vorliegenden Erfindung, wie in den angefügten Ansprüchen definiert,
abzuweichen.