WO1981000641A1 - Error correction system - Google Patents

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WO1981000641A1
WO1981000641A1 PCT/JP1980/000199 JP8000199W WO8100641A1 WO 1981000641 A1 WO1981000641 A1 WO 1981000641A1 JP 8000199 W JP8000199 W JP 8000199W WO 8100641 A1 WO8100641 A1 WO 8100641A1
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PCT/JP1980/000199
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M Takahashi
G Nagano
Original Assignee
Fujitsu Ltd
M Takahashi
G Nagano
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    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
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Description

明 細 書
発明の名称
エ ラ—訂正シス テ ム
技術分野
本発明はエ ラ 一訂正 シス テ ム に関し、 特にコ ン ビ ュ ,タ システ ム における メ ィ ン メ モ リ 内に発生した ェ ラ ーを訂正するためのシステ ムに関する。
冃 示技
近年、 大半のメ モ リ は半導体メ モ リ デバイ スを用 て形成されるため、 大容量の メ モ リ が得られると 共に、 低価格のメ モ リ が実現される 。 一般に、 メ モ リ 容量が大になれば る程、 メ モ リ 内に発生するェ ラーが多 く なる力 a ら、 この よ う な大容量メ モ リ にお いては、 該メ モ リ 内に発生する エ ラーを監視する こ とは非常に重要な こ と である。 この よ う なエ ラ一の 発生を監視すべ く 、 ECC ( Error Correction
Code : エラ一訂正コ 一 ド ) 論理回路が既に提案され ている。 こ の ECC論理回路は通常、 コ ン ビ ユ ー タ シ ス テ ムの メ イ ン メ モ リ と協働し、 メ モ リ 内に発生す る II ( n は 自然数 ) ビ ッ ト エ ラーを 自動的に訂正す る と共に、 該メ モ リ 内の ( n + 1 ) ビ ッ ト エ ラ ーの 発生を検出する。
現在、 極めて大容量のメ モ リ が実用に供されつつ ある。 例えば、 RAM ( Random Ac c es s Memory )にお
OMPI てはその ビ ッ ト 密度は 6 4 K ( キ ロ ) ビ ッ トから
2 5 6 K ビ ッ ト へと拡大 しつつあ る。 従って、
2 5 6 K ビ ッ ト RAMが広 く 一般の実用に供されるの も間近であ る。
と ころが、 ビ ッ ト 密度が例えば 2 5 6 K ビ ッ ト の よ う に非常に高密度 と ¾ る と、 ある問題が起きて く る。 こ の間題 とは、 いわゆる ソ フ ト エ ラ一の出現で ある。 この " ソ フ ト エ ラー "るる用語は極めて最近 の語である。 と い う のは、 このソ フ ト エ ラ一 ¾る現 象が発見されたのが、 つい 2、 3 年前の こ とだか ら である。 この よ う る ソ フ ト エ ラ一 ¾ る現象が現われ るのは次の理由によ る も の と考え られて る。 メ モ リ の ビ ッ ト密度が非常に増大して く る と、 こ の メ モ リ は、 多数の メ モ リ セ ル上に布線される極めて微細 な導体を用いて構成されなければな らな く な る。 す る と、 これ ら微細 導体に沿 って形成される寄生キ ャ ハ °シタにス ト ァされるべき電荷は非常に少量に る。 この よ う る非常に少量の電荷とい う のは、 高密 度のメ モ リ セ ル上に印加される放射線、 と ]) わけ 0: 線、 の如き外力に よ って飛散せしめ られ易い。 する わち、 も し 線がメ モ リ セ ル群の 1 つを貫通 した と する と、 この Ct線が通過 した部分における メ モ リ セ ル のデータ ( ス ト ァされた電荷 ) の論理は簡単に反 対の論理のデータ に反転されて しま う。 か く して、 上述の ソ フ ト エ ラ ーは、 高密度のメ モ リ デバ、 イ スに
お て しば しば発生する こ と と る る。 お、 こ の ソ
フ ト エ ラーは、 メ モ リ デバイ ス内で単一 ビ ッ ト エ ラ
— と して発生し、 又、 同一メ モ リ セルで繰 ]3返 し発
生する こ と のないエ ラ一である こ と に注目すべ き で ある。
こ の " ソ フ ト ェ ラ "が最近の用語であるのに対
し、 " ハー ドエ ラー "なる用語は既に周知である。
と のハー ドエ ラ—は、 メ モ リ デパィ ス内における故
障若し く は劣化に起因 して生ずる ものであ る。 こ の
よ う な ハー ドエ ラ一はヽ 同一 メ モ リ セ ルで繰 ]) 返 し 発生する と共に、 該ハ ドエ ラ一を有する メ モ リ セ
ルのデー タ の論理は 《 1 "又は 《 0 "のいずれかに
固定される。 我々 は、 経験則上、 該ハ 一 ドエ ラ 一力 ΐ 2 0 0 ~ 2 5 0 FI T の確率で発生する こ と を確めて
お ]) 、 こ こ に、 2 0 0 〜 2 5 0 F I T とは、 1 時間当
Ϊ)
2 0 0 〜 2 5 0
9
0 の確率でハー ドエ ラ一が発生する と い う こ とを意味
する。 一般には次の こ とが良 く 知 られている。 す
わち、 通常、 例えば単位時間当 ]? に生ずる全ての ェ
ラ ーの う ち、 ハ 一 ドエ ラ 一に属する も のの約 3 0 %
程度が、 複数のア ド レス にわたるか、 又は、 1 メ モ
OMPI
,. WIPO— < リ デパ イ ス の全ァ ド レス にわたる故障である。
さ らに、 次の こ と も 了知してお く こ とが重要であ る。 す ¾わち、 例えば 2 5 6 K ビ ッ 卜 の高 ビ ッ ト 密 度を有する メ モ リ デパ イ ス にお て、 ソ フ ト エ ラー の発生頻度が、 ハ 一 ドエ ラ一の発生頻度よ ]) も 約 1 0 0 0 倍以上も高 と う こ と である。 このため に、 次の よ う る問題が起る。
(A)第 1 に、 書込み操作にお てある メ モ リ セ ルに 対しある固定のデータが既に書き込ま れていたと し ても、 該書込み操作後ある時間が経過する と、 ある ヮ ー ドの各々 における 2 ビ グ ト位置でソ フ ト エ ラ ー が生ずる こ と がある。 然 しるがら、 この場合、 前述 した ECC 論理回路はこの よ う な 2 ビ ッ ト エ ラーを訂 正する こ とができ ない。 なぜな ら、 前述したよ う に 該 ECC 論理回路は、 n ビ ッ ト エ ラーを訂正する 共 に ( n + 1 ) ビ ッ ト エ ラ ーの発生を検出する よ う に 機能するか らである。 一般に、 この正の整数 n は、 コ ン ピ ュ ー タ シス テ ムを構成する ハ一 ド ウ エ ア の経 済上の観点か ら して 1 、 すなわち n = l 、 に定め ら れているか ら、 該 ECC 論理回路は 常上述の 2 ビ ッ ト のソ フ ト エ ラーは訂正できず、 単にその発-生を検 知する に止ま る。
(B)第 2 に、 ハー ドエ ラーが複数ア ド レス の ビ ッ ト 群にわたって発生した場合、 非常に多数の ヮ 一 ド、群
OMPI
WIPO の各々 が同時に 1 ビ ッ ト エ ラ 一を有する状態と ¾る< 6 4 ビ ッ ト の RAMデパィ スを例に と る と、 最大 6 4, 0 0 0 ヮー ドの各々 の中に 1 ビ グ ト ェ ラーを含む 可能性がある。 この場合、 も しこれらの 9 - ドの各 各が 8 パイ ト で構成されている とすれば、 こ の よ う 1 ビ ッ ト エ ラーが、 0. 5 M ( メ ガ ) パィ ト の容量 を持つメ モ リ デハ * イ ス の全ヮ一 ドにわたつ て 1 ビ ッ ト エ ラーを有する こ と になる。 も しメ モ リ デパィ ス にお て この よ う 事態になれば、 前述した如 く 、 ソ フ ト エ ラ—の発生頻度が非常に高いか ら、 約 1 0 数時間後には 2 ビ ッ ト エ ラーが 0. 5 M パィ ト の中の どこかに しば しば生ずる こ と と な る。 この よ う な場 合においては、 ECC 論理回路に よ ってその よ う な 2 ビ ッ ト エ ラ —を最早訂正でき い こ とを了知すべき である。
上記 2 ビ ッ ト エ ラ一に関 し、 該 2 ビ ッ ト エ ラ一を 2. つのモ ー ドに分類する こ とができ る。 第 1 のモ ー ドは、 該 2 ビ ッ ト エ ラ—が、 第 1 の 1 ビ ッ ト ソ フ ト エ ラー と第 2 の 1 ビ ッ ト ソ フ ト エ ラー とか らな る。 又、 第 2 のモー ドは、 該 2 ビ ッ ト エ ラ一が、 1 ビ ッ ト ハ一 ドェ ラー と 1 ビ ッ ト ソ フ ト エ ラー とか らなる 上記第 1 のモー ドに関 してみる と、 ECC 論理回路に と っ て この よ う な 2 ビ ッ ト ソ フ ト エ ラーを訂正する こ とは容易であ る。 ¾ぜ ¾ ら、 既述の と お !) 、 ソ フ ト エ ラーは同一の メ モ リ セ ル にお て繰 ]? 返し発生 する こ とがないか らであ る。 従っ て、 も し ECC 論理 回路が各ソ フ ト エ ラーを検出 し且つこれを訂正した らば、 その後は訂正データ を当該メ モ リ セ ル に再 書込み してお く こ と に よ ]? 、 当該ソ フ ト エ ラ一は修 正されるのである。 あ るいは、 この よ う な ソ フ ト ェ ラーは ECC論理回路自身に よ っ て も又訂正でき る。 す ¾わち、 通常の メ モ リ ア ク セ ス操作中に、 ECC 論 理回路がこの よ う な ソ フ ト エ ラ一を検出 したとする と、 該 ECC論理回路は当該メ モ リ セ ル に訂正デー タ を再書込み して、 当該ソ フ ト エ ラーを訂正する。 さ らに、 次の よ う こ と も 可能である。 すなわち、 初 めに ECC論理回路がある周期を も つてメ モ リ デパイ ス を ス キ ヤ ン し全ァ ド レ ス の デー _-順次読み出 し そして次に、 も しソ フ ト エ ラ 一が発見されたとする と、 当該メ モ リ セ ル に訂正データ を再書込みする と い う 方法である。
然しながら、 ビ ク ト ハ 一 ド エ ラ 一 と ビ 'ッ 卜 ソ フ ト エ ラーと を含んで る よ う な上記第 2 のモ ー ド においては、 上述した如き、 ソ フ ト エ ラ一のみを含 んで る よ う な上記第 1 のモ ー ドにおいて された のと 同様の再書込み操作を実施して も該 ECC 論理は この種のエ ラ一を訂正する こ とができ ない。 このた め、 も しメ モ リ デバ、イ ス中に この よ う な第 2 のモ ー
OMPI
、 - , VIPO ドのエ ラーが発生したとする と、 こ の種のエ ラーは 次の定期保守が行 ¾われるま で、 そのま ま放置され る こ と に る。 この よ う なエ ラーをそのま ま しば ら く 放置する こ と の効果は、 比較的小容量の メ イ ン メ モ リ を有する コ ン ピ ュ ー タ シ ス テ ム にと って、 それ 程重大ではない。 と ころが 、 この よ う なエ ラーをそ のま ま しば ら く 放置する こ とは、 例えば 8 〜 1 0 M パイ ト以上の非常に大容量 ¾ メ イ ン メ モ リ を有する コ ン ヒ。 ュ - タ シ ス テ ム に と つ ては極めて好ま し く な い効果を も たらす。 ぜ ら、 こ の よ う に非常に大 容量の メ イ ン メ モ リ においては、 上述した第 2 の モ
— ドに相当する 2 ビ ッ ト ェ ラーが極めて頻繁に発生 するカゝ らである。 か く して、 大形コ ン ビ ュ ー タ シ ス テ ム における信頼度向上のために、 こ の よ う 2 ビ ッ ト エ ラーは無視 し得ない も の と な る
発明の開示
従っ て本発明の 目 的は、 上述した如き、 ソ フ ト ェ ラーな らびにハ 一 ドエ ラ一を含む第 2 のモ ー ドの ェ ラ一を訂正する こ と のでき る、 エ ラ—訂正シ ス テ ム を提案する こ と である。 さ らに又、"¾明の 目 的とす る と こ ろ は、 こ の よ う ¾ ェ ラー訂正シ ス テ ム を非常 に単純なハ ー ド ウ エアを用いて構成する こ と である 上記目 的に従い、 本発明において提案する エ ラ一 訂正シ ス テ ムは、 エ ラーがソ フ ト エ ラー力 ハー ド、ェ ラーかを識別するための第 1 の手段と、 ハー ドエ ラ 一を有する メ モ リ セ ル の デー タ を ス ト ァする第 2 の 手段と、 ハー ドエ ラーが発見されたと き 当該メ モ リ セ ルを前記第 2 の手段に切 ]?換える第 3 の手段と、 該第 2 の手段にス ト ァされたデータ に対してパ リ デ — シ ョ ン操作を加える第 4 の手段とか ら構成される 好ま し く は、 該エ ラ一訂正シ ス テ ムは、 前記パ リ デ ー シ ヨ ン操作中に ( n + 1 ) ビ ッ ト エ ラーが発見さ れた場合、 前記第 2 の手段か らの出力デー タ の論理 を反転させる こ と に よ っ て該 ( n + 1 ) ビ ッ ト エ ラ 一を n ビ ッ ト エ ラ一ヘ レ ペ ルダ ウ ンする と共に、 該 第 2 の手段におい て、 ECC 論理回路に よ !) 訂正され たデー タ を再書込みする操作を実行する第 5 の手段 をさ らに有する。
図面の簡単 説明
第 1 図は本発明のェ ラー訂正シ ス テ ム が採用され る コ ン ヒ。 ュ一 タ シ ス テ ム を図解的に表わしたプ ロ ッ ク図 ;
第 2 A 図は交替ビ ッ ト メ モ リ を有 し い一般的な メ モ リ における メ モ リ ア レ イ 構成を図解的に示す図; 第 2 B 図は本発明に基づ く 交替ビ ッ ト メ モ リ を有 する メ モ リ の メ モ リ ア レ イ 構成を図解的に示す図 ; 第 3 図は第 1 図に示 した本発明に基づ く エ ラー訂 正シ ス テ ム 1 2 の一例の詳細を示す図 ; 第 4 A , 4 Β お よび 4 C 図は本発明に基づ く エ ラ -訂正シ ス テ ム 1 2 の動作を説明するために用いる フ ロ ー チ ャ ー ト , お よび ;
第 5 図は第 3 図に示 したゲー ト 3 5 , 3 6 お よび 5 3 7 の構成の他の一例を示すプ π ッ ク図である。
発明を実施するための最良の形態
以下添付図面を参照 し がら本発明の好実施例を 説明する。
第 1 図におい て、 コ ン ピ ュ ー タ シ ス テ ム 1 0 は主 0 と して、 メ イ ン メ モ リ ( MEM ) 1 1 の如き メ モ リ と エ ラー訂正シ ス テ ム 1 2 と CPU ( セ ン ト ラ ル プ ロ セ ッ シ ン グ ュ ニ ッ ト ) 1 3 とか ら ¾ る 。 エ ラ ー訂 正シ ス テ ム 1 2 は、 2 ビ ッ ト エ ラー訂正シ ス テ ム と して機能する。 シ ス テ ム 1 2 は、 主と して信号ラ イ5 ン L 1 および L 2 を介し、 又、 信号ラ イ ン L 8 およ び L 9 を介 して CPU 1 3 と連係する。 ラ イ ン L 1 は メ モ リ 1 1 に対 して書込みデータ を転送し、 一方、
· - ラ イ ン L 2 はメ モ リ 1 1 か らの読出 しデー タ を転送 する。 こ の 2 ビ ッ ト エ ラ 一訂正シ ス テ ムは、 交替ビ0 ッ ト メ モ リ 1 2 1 と ECC 論理回路 ( ECC ) 1 2 2 と ス ィ ツ チ ン グ回路 1 2 3 と訂正制御回路 1 2 4 ヒ ら構成される。 交替ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 はメ モ リ 11 に組み込ま れて る。 ECC 論理回路 1 2 2 は、 1 ビ4 ッ ト エ ラ一を訂正する と共に 2 ビ ッ ト エ ラ ー の出現 を検出する よ う に動作する 。 ECC 論理回路 1 2 2 は、 CPU 1 3 か らの書込みデータ を、 エ ラ一訂正コ ー ド と共に、 信号ラ イ ン L 3 、 回路 1 2 3 よび信号ラ イ ン L 5 を経由 して、 メ モ リ 1 1 又は 1 2 1 に転送 する。 一方、 £。0 論理回路 1 2 2 は、 メ モ リ 1 1 又 は 1 2 1 か らの読出 しデータ を、 エ ラー訂正コー ド と共に、 信号ラ イ ン : L 6 、 回路 1 2 . 3 お よび信号ラ イ ン L 4 を経由 して受信 し、 さ らに該読出 しデータ か ら該エ ラー訂正コ ー ドを除ました後、 生の該読出 しデー タ のみを、 信号ラ イ ン L 2 を介して、 CPU 1 3 へ転送する。 同時に、 ECC論理回路 1 2' 2は、 1 ビ ッ ト 又は 2 ビ ッ ト エ ラ一検出信号を送出 し、 又、 1 ビ ト ェ の発生が検出されたと き には、 該 ECC 論理回路 1 2 2 はエ ラ一位置信号を も 又送出する。 こ の エ ラ ー位置信号は、 メ モ リ 1 1 内でェ ラ Tの発 生したァ ド レ スを表示する。 ヱ ラ ー検出信号は、 信 号ラ イ ン : L 9 を介して、 該回路 1 2 2 よ J? 、 訂正制 御回路 1 2 4 お よび CPU 1 3 の双方に転送される。 一方、 エ ラ一位置信号は、 信号ラ イ ン L 8 を介して、 該回路 1 2 2 よ ]?、 回路 1 2 4 お よ び CPU 1 3 の 方に転送される。 次に、 訂正制御回路 1 2 4 は、 信 号ラ イ ン : L 7 を介して、 ス ィ ツ チ ン グ回路 1 2 3 に 対し、 交替ビ ッ ト選択信号な らびに制御信号 ( 後述) を供給する o 本図において、 通常且つ一般的る ア ド レ ス入力信号ラ イ ン 、 書込み制御ラ イ ン ぉ よび読出 し制御信号ラ イ ンにつ て描かれて な が、 これ らの ラ イ ンは CPU 1 3 と メ モ リ 1 1 および 1 2 1 と の間に直接布線されている こ と を了解されたい。
本発明に基づ く メ モ リ 1 1 お よび交替ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 の メ モ リ 了 レ イ 構成は、 第 2 B 図を参照し なが ら、 交眷ビ ッ ト メ モ リ を有し い通常の メ モ リ のメ モ リ ア レイ 構成を示 した第 2 A 図 と比較する こ と に よ ]? 明白 と るろ う 。 第 2 A 図において、 各ヮ一 ドカ 8パイ ト 構成と ¾ つ ている こ とか ら、 データ( 2 1 は例えば第 0 〜第 6 3 ビ ッ ト データか ら構成さ れる。 こ のデータ 2 1 に対し、 第 6 4 〜第 7 1 ビ ッ ト デー タ のエ ラ 一訂正コ ー ド ( e c c ) 2 2 が付加さ れる。 か く して、 各ヮ ー ドの完全な構成は、 7 2 ( 6 4 + 8 ) ビ ッ ト :^ ら る。
第 2 B 図において、 メ モ リ 1 1 ( 第 1 図参照 ) は 例えば 0. 5 Mパイ ト メ モ リ ; ^ ら る。 こ の 0. 5 Mパ イ ト メ モ リ は 6 4 K ワー ド; ^ ら ]? 、 こ の 6 4 K ヮ 一 ドの各々 は 7 2 ビ ッ ト か らな る。 従って、 特定の 1 つの ヮ ー ド、 例えば図中点線で示したヮ 一 ド 2 3 が、 ECC 論理回路 1 2 ( 第 1 図参照 ) 内で行なわれ る各操作毎に処理されるべき デー タ単位と な る。
本発明に よ る交替 ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 ( 第 1 図参 照 ) は、 1 以上の交替ビ ッ ト メ モ リ か らな る。 本実
Figure imgf000013_0001
施例では、 メ モ リ 1 1 における第 0 〜第 7 1 ビ ッ ト が、 6 個にダ ル プ分けされる。 すなわち G O ( 第 0 〜第 1 1 ビ ッ ト ) 、 G 1 ( 第 1 2 〜第 2 3 ビ ッ ト) G 2 ( 第 2 4 〜第 3 5 ビ ッ ト ) 、 G 3 ( 第 3 6 〜第 4 7 ビ ッ ト ) 、 G 4 ( 第 4 8 〜第 5 9 ビ ッ ト ) およ び G 5 ( 第 6 0 〜第 7 1 ビ ッ ト ) である。 従って、 これらのグループ G O 〜 G 5 に対して、 それぞれ交 替ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 - 0 〜 1 2 1 - 5 が割 ]? 当て られる 。 これ ら交替ビ ッ ト メ モ リ ( 1 2 1 - 0 〜 1 2 1 - 5 ) の各々 は、 1 ビ ッ ト 幅 ( 第 2 図中の w 1 ビ ッ ト " 参照 ) 且つ 6 4 K ビ ッ ト 長 ( 第 2 図中 の " 6 4 K ビ ッ ト " 参照 ) で構成される。 従って、 メ モ リ 1 1 が 6 4 K ワー ドに対応するア ド レ スを有 する こ とか ら、 交替ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 - 0 -121 - 5の各々 は、ァ ド レ ス ビ ッ ト の中の 1 ビ ッ ト であ つ て且つグ ル ー : 7° G 0 〜 G 5 内の対応する 1 グ ループ に含ま れる 6 4 K ヮ 一 ドを、 交替可能とする。 か く して、 交替ビ 'ソ ト メ モ リ 1 2 1 - 0 〜 1 2 1 - 5 の 各々 は、 ク、ル一 プ G 0 〜 G 5 中の対応する 1 ク、ルー プ内に出現する メ モ リ 1 1 内のハー ドエ ラ ー ビ ッ ト を交替する よ う に機能する 。
第 1 図に示したエ ラ ー訂正シ ス テ ム 1 2 の詳細は 第 3 図に示されている。 第 3 図において、 一点鎖線 の領域 1 2 2 , 1 2 3 お よび 1 2 4 は、 それぞれ、 第 1 図に示した ECC 論理回路 1 2 2 、 ス ィ ツ チ ン グ . 回路 1 2 3 お よび訂正制御回路 1 2 4 に相当する。 さ らに、 信号ラ イ ソ ( L 3 ― 0 , L 3 - 1~L 3 - 11) ( L 4 - 0 , L 4 - 1 〜: L 4 - 1 1 ) , ( L 5 - 0 , L 5 - 1 〜: L 5 - 1 1 ) , ( L 6 0 , L 6 - 1 〜
L 6 - 1 1 ) ぉ よび ( L 7 - G 0 , L 7 - D ) は、 それぞれ第 1 図において布線されている信号ラ イ ン L 3 , L 4 , L 5 , L 6 お よび L 7 に相当する。 お、 第 3 図の構成は、 交簦ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 - 0 〜 1 2 1 - 5 ( 第 2 B 図参照 ) の う ちの 1 つ、 例え ばグ ループ G 0 ( 第 2 B 図参照 ) に割 ]) 当て られた メ モ リ 1 2 1" - 0 に関 してのみ示されたも のである こ と を了解されたい。 それゆえ、 も しエ ラー訂正シ ス テ ム 1 2 ( 第 1 図参照 ) が 5: ( k は正の整数 ) 個 の交替ビ ッ ト メ モ リ を含むとするな らば、 第 3 図に 示したの と 同一構成の も のが k 個採用されなければ
¾ ら ¾い 。 第 3 図におい て、 グ ル ー プ G O の メ モ リ 1 1 - G 0 は、 その中に 1 1 のメ モ リ ビ ッ ト(0) , (1) 〜(^を含み、 これ らは第 2 B 図に示 した第 0 〜第 11 ビ ッ 卜 に対応する。 グループ G O の メ モ リ 1 1 - G 0 は交替ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 - 0 と連係動作する。 信 号ラ イ ン L 3 - 0 , L 3 - 1 〜 L 3 - 1 1 を介して
ECC 論理回路 1 2 2 か ら転送された書込みデータは ス ィ ツ チン グ回路 1 2 3 を通過して、 信号ラ イ ン
ΟΜΡΙ
ノ. V/IPOリ . *
¾¾ΑΤ10 L 5 - 0 , L 5 - 1 〜: L 5 - 1 1 を介しメ モ リ 11 - G 0 に供給される。 信号ラ イ ン L 7 - 0 , L 7 一 1 〜 L 7 - 1 1 上を転送された交替ビ グ ト 選択信号の 1 つに よ っ て、 ANDゲー ト 3 0 — 0 , 3 0 - 1 〜
3 0 - 1 1 の 1 つが開成されたと き、 前記書込みデ ータ の 1 つは、 今交替ビ ッ ト選択信号に よ っ て開成 された ANDゲー ト お よび 0 Rゲー ト 3 1 を介 して、 交簪ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 - 0 に供給される。 ラ イ ン L 7 - 0 , L 7 - 1 〜 L 7 - 1 1 上を転送された交 替ビ ッ ト 選択信号は、 ラ イ ン L 4 - 0 , L 4 - 1 〜
L 4 - 1 1 上を転送された読出 しデー タ の読出 し操 作中において ECC 論理回路 1 2 2 がビ ッ ト エ ラーを 検出 した場合、 メ モ リ ビ ッ ト ( (0) , (1)〜 W ) を交替 ビ ッ ト メ モ リ に切 ]? 換えるため、 該 ECC 論理回路
1 2 2 よ !?送出される。 も し ビ ッ ト エ ラーが-メ モ リ ビ ッ ト (1)で発生したとする と、 論理 " 1 " の交替ビ ッ ト 選択信号はラ イ ン L 7 - 1 を通 して供給される。 —方、 読出 し操作中にあ っ ては、 こ の読出 しデー タ は、 O Rゲー ト 3 4 - 0 , 3 4 - 1 〜 3 4 〜 : 1 1 , 信号ラ イ ン : L 4 - 0 , L 4 - 1 〜 L 4 〜 1 1 および ECC 論理回路 1 2 2 を介 して CPU ( 第 1 図の 1 3参 照 ) に供給される。 この場合、 O R ゲー ト 3 4 - 0 , 3 4 - 1 〜 3 4 - 1 1 の各 々 は、 対応する メ モ リ ビ y ト ( (0) , (1)〜(! $ ) らのデータ か又は、 0 Rゲ一
_ OMPI · ト 3 7 を経由 した交替ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 - 0 か ら のデー タかの ずれかを送出する。 も し、 例えばメ モ リ ビ ッ ト (1)にエ ラ一 ビ ッ ト を含むとすれば、 ラ イ
ン L 7 一 1 に論理 " 1 " の交替ビ ッ ト 選択信号が送
出され、 従っ て AND グー ト 3 2 - 1 は開成せず、AND ゲー ト 3 3 - 1 が開成する 。 この結果、 メ モ リ 121
- 0 か らのデータが運択され、 O Hグー ト 3 7 を介
して、 O R ゲ一 ト 3 一 1 に供給される。 か く して、 ビ ッ ト エ ラ ーを含むメ モ リ ビ ッ ト (1)のデー タ が 0 H
3 4 - 1 よ ]? 出力される こ と が防止される。 論理
" 1 " の交替ビ ッ ト 選択信号 ( エ ラ ー位置信号 ) が
ラ イ ン L 7 - 1 にのみ送出されるか ら、 AND ゲ一 ト
3 2 ― 1 以外の AND ゲー ト 3 2 - 0 〜 3 2 - 1 1 は
開成される。 従って、 メ モ リ ビ ッ ト (1)か らのデータ
以外のデータ群はメ モ リ 1 1 G O か ら送出される
こ と に る。
交替ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 - 0 についてみる と、 該
メ モ リ 1 2 1 - 0 はその中に訂正されたデータ をス
ト ァする こ とが必要であ る。 すなわち、 訂正された
データは、 も しハー ドエ ラーが ¾かったと した ら メ
モ リ ビ ッ ト ( (0) , (1)〜な ) における当該ビ ッ ト にス
ト ァされて たであろ う データ と 同 じでなければな
ら 。 従っ て、 交替ビ ッ ト メ モ リ に訂正デー タ を
ス ト アするため、 メ モ リ ビ ッ ト ( (0) , (1)〜な ) か ら
O PI
Λ,― WIPO―
* 交替ビ ッ ト メ モ リ への切換え操作が完了 した後、 バ リ デ一 シ ヨ ン操作が実行されなければ らない。 こ のパ リ デ一 シ ヨ ン操作は ECC論理回路 1 2 2 に よ つ て 自動的に実行される。 ビ ッ ト エ ラ一が例えばメ モ リ ビ ッ ト (1)において発生した場合、 メ モ リ ビ ッ ト(1) は交眷ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 - 0 に切 ])換え られる。 そして、 メ モ リ ビ ッ ト(1)を除 く メ モ リ ビ ッ ト群(0) (^カ らのデータ な らびに交替ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 - 0 か らのデータが、 O R ゲー ト 3 4 - 0 , 3 4 - 1 ~ 3 4 - 1 1 か ら送出される。 上記デー タ な らびにグ ループ G 1 G 5 に対応するデータは、 完全な構成 ワー ド ( 第 2 B 図の 2 3 ) を形成して、 ECC 論理回 路 1 2 2 に供給される。 この場合、 メ モ リ 1 2 1 - 0 のデー タ の論理は不明である。 と ころが、 ECC 論理 回路 1 2 2 は、 エ ラー訂正コー ドを用いて、 該メ モ リ 1 2 1 - 0 のデータ が正しいか否か判別する こ と カ でき る。 さ らに、 も しメ モ リ 1 2 1 - 0 にス ト ア されていたデータが正し く な な らば、 このエ ラー 訂正コ ー ドを用いて該メ モ リ 1 2 1 - 0 のデータ を 訂正する こ と ができ る 。 その後、 訂正されたデータ がメ モ リ 1 2 1 - 0 に再書込みされ、 こ こにパ リ デ ー シ ヨ ン操作が完了する。
既述 した よ う に、 ソ フ ト エ ラ一の発生頻度は
ドエ ラ 一のそれに比 して相当高いので、 前記パ リ デ
OMPI ー シ ヨ ン操作中に 2 ビ ッ ト エ ラーが発生するであろ う こ と は十分考え られる。 も しこの よ う な事態が起 る とすれば、 ECC 論理回路は 2 ビ ッ ト エ ラ一に関 し てその発生のみを検出するに止ま るか ら、 最早叙上 のパ リ デ— シ ョ ン操作は遂行不能と ¾ る 。 然 しなが ら、 本発明に よ る と、 その よ う ¾ 2 ビ ッ ト エ ラーが 発生したと して も、 エ ラー訂正シ ス テ ム 1 2 は HU §己 パ リ デー シ ヨ ン操作を遂行可能である。 その理由は 次の と お ]) であ る。 パ、 リ デー シ ヨ ン操作中に 2 ビ ッ ト エ ラ一が発生したとする と、 該 2 ビ ッ ト エ ラ ーの う ち 1 ビ ッ ト エ ラーは交替 ビ ッ ト メ モ リ か ら生成さ れたも のである可能性が十分大である。 それゆえ、 CPU 1 3 ( 第 1 図 ) 若 し く はサー ビ スプ ロ セ ッ サ ( 図示せず ) の助けを借 ]) て、 交替ビ ッ ト メ モ リ か らの出力デー タ の論理を強制的に且つ順番に " 1 " 又は " 0 " に設定したとすれば、 ECC 論理回路 1 2 2 の 1 ビ ッ ト 訂正操作機能に よ ]? 、 前記 2 ビ ッ ト エ ラ を ビ ヅ ト エ ラーに レ ベ ルダ ウ ン し得る可能性は 十分大であ る。 第 3 図を参照する と、 パ リ デー ン ョ ン操作中に 2 ビ ッ ト エ ラ ーが発生した場合、 訂正制 御回路 1 2 4 には ECC 論理回路 1 2 2 よ ヽ エ ラー 位置信号が与え られる。 も し こ のエ ラ 一位置信号が メ モ リ 1 1 - G 0 の メ モ リ ビ ッ ト (1)を表示 していた とする と、 論理 " 1 " のゲー ト 制御信号が Λ L 7 - G 0 に送出される。 それゆえ、 AJNTD グー ト 35 は閉成され、 同時に AND ゲー ト 3 6 は開成される。
次に、 O Rゲー ト 3 7 か らの出力データ は、 信号ラ イ ン L 7 - D の出力に よ ]? 、 強制的に論理 又 は β 0 " に設定される。 既述の とお ]?、 バ リ デー シ ヨ ン操作中における前記 2 ビ ッ ト エ ラ 一の う ちその
1 つは O Rゲー ト 3 7 か らの出力データ に起因する 可能性が十分大であるか ら、 該 0 R ゲー ト 3 7 か ら の論理を適当に β 1 " 又は " 0 " とすれば、 ECC 論 理回路 1 2 2 は 2 ビ ッ ト エ ラ ーを 1 ビ ッ ト エ ラ ーに レ ベ ル ダ ウ ン し得る。 その後、 訂正デー タ 力 、 メ モ リ ビ ッ ト(1)を除 く メ モ リ ビ ッ ト (0)〜(^ らびに交替 ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 - 0 に再書込みされる。
ゲー ト 3 5 , 3 6 お よび 3 7 についてみる と、 そ の搆成は第 3 図の場合に限 らず他の溝成とする こ と も でき る。 これについては後に第 5 図を参照 して説 明する。
訂正シ ス テ ム 1 2 の動作は、 第 4 Α , 4 Β および
4 C 図に表わ したフ ロ ー チ ヤ 一 ト か ら明 らかと るろ う 。 メ モ リ 1 1 ( 第 1 図 ) に 1 ビ ッ ト若し く はそれ 以上の ビ ッ ト エ ラ ーが発生したと き 、 ECC 論理回路
1 2 2 ( 第 1 図お よび第 3 図 ) は、 その ビ ッ ト エ ラ
—を検出する ( ス テ ッ プ①の η メ モ リ エ ラ ー検出 " 参照 ) 。 次に、 ECC 論理回路 1 2 2 は、 そのエ ラ 一 ΟΜΡΙ
ft WiP。 が 1 ビ ッ ト エ ラ 一か否かを識別する ( ス テ ッ プ③の Λ 1 ビ ッ ト エ ラ ー力 ? " 参照 ) 。 も しその識別結果 が Ν Ο " であれば、 そのエ ラ ーは 2 ビ ッ ト エ ラ 一 て'あ る。 ECC 論理回路 1 2 2 はその よ う る 2 ビ ッ ト エ ラ 一の訂正ができ ないから、 ア ラ ー ム を発生する ( ス テ ッ プ③の " ア ラ ー ム発生 " 参照 ) 。 逆に、 前 記の識別結果が " YES " であれば、 ECC 論理回路は その 1 ビ ッ ト エ ラ ーを訂正 し、 引き 続いてその訂正 デ ー タ を、 当該 1 ビ ッ ト エ ラ ーに対応する メ モ リ セ ルに再書込みする ( ス テ ッ プ④の β 1 ビ ッ ト エ ラ ー 訂正お よ び訂正デー タ の再書込み " 参照 ) 。 そして ECC 論理回路は、 再び、 当該メ モ リ セ ル の デ ー タ を メ モ リ 1 1 の対応ア ド レ ス よ 読み出す ( ス テ ッ プ ⑤の 11 再読出 し " 参照 ) 。 それゆえ、 ECC 論理回路 は、 既に再書込みされていたデー タ に含ま れるエ ラ 一の発生を検出する こ と にるる ( ス テ ッ プ⑥の β 1 ビ ッ ト エ ラ ーか ? " 参照 ) 。 こ こで次の こ と を想起 すべき であ る 。 ソ フ ト エ ラ 一 と い う のは同一のメ モ リ セ ル において繰 ]?返すこ と のないェ ラ ーであるか ら、 も し前述の 1 ビ ッ ト エ ラ ーがソ フ ト エ ラ 一に起 因する も のであれば、 その よ う な 1 ビ ッ ト エ ラ 一は 前述したス テ ッ プ④で実行された再書込み操作に よ 消去されている答であ る。 別言すれば、 も し該 1 ビ ッ ト エ ラ ー が ソ フ ト エ ラ ー に よ る も ので く 、ハー
O PI ドエ ラ 一に よ る も のであ る とすれぱ、 該ステ ッ プ④ の再書込み操作に拘わ らず、 該 1 ビ ッ ト エ ラ ーは依 然と して維持されたま ま と る。 すなわち、 も しス テ ツ プ⑥の結果が β YES " らば当該 1 ビ ッ ト エ ラ 一は ドエ ラ 一に よ る も のである と い う結論が得 られる 。 他方、 その ス テ ッ プ⑥の結果が w N O " で あれば、 当該エ ラ ーは 2 ビ ッ ト 以上エ ラ ーか又は β エ ラ 一 ¾ し " であ る 。 こ の判別はス テ ッ プ⑦の κ 2 ビ ッ ト 以上エ ラ 一か ? " に よ っ てなされる。 も しス テ ッ プ⑦の結果が Λ Ν Ο " であれば、 当該 " ェ ラ ーな し " は ソ フ ト エ ラ ーの修正を したと い う こ と に る る 。 こ の ソ フ ト エ ラ 一は、 ス テ ッ プ⑧でエ ラ ー が訂正された こ と が表示される。 か く して、 ステ ツ プ②〜⑦に よ ])規定されるプ ロ セ ス 〔I〕は、 ドエ ラ ー又は ソ フ ト エ ラ 一識別プ ロ セ ス と称する こ と が で き る 。
ス テ ッ プ⑥の結果が YES " と る る と 、 前述した、 メ モ リ 1 1 カ ら交眷 ビ ッ ト メ モ リ 1 2 1 ( 第 1 図 ) への切換え操作がなされる ( ステ ツ プ⑨の 交替メ モ リ への切換え " 参照 ) 。 力 く して、 プ ロ セ ス 〔U〕 においては、 ー ドエ ラ 一を有する欠陥メ モ リ セ ル が、 対応する交簪ビ ッ ト メ モ リ に よ ]?交替せしめ ら れる。 その後、 前述したバ リ デ 一 シ ヨ ン操作を行 う ためのプ ロ セ ス 〔ΠΙ〕 が遂行される。 こ の 〔ΠΙ〕 は、 訂正データ を対応する交替ビ ッ ト メ モ リ-に ス ト ア す るためのプ ロ セ スである。 β 訂正デ ー タ " と は、 も しこのメ モ リ セ ル に ハ ー ド エ ラ 一がなかった と した ら ス ト 了されていたであろ う デー タ の こ と を意味す る。
プロ セ ス 〔m〕 において、 初めに、 交替ビ ッ ト メ モ リ か らの出力デー タ の論理が強制的に Λ 0 " に設定 される ( ス テ ツ 7° © の 交替メ モ リ の出力を論理 Λ 0 " にセ ッ ト :) 。 この論理 β 0 " は、 第 3 図において示 した前述の信号 ラ ィ ン L 7 - D か ら送 出される。 次に、 該欠陥 メ モ リ -k ノレに対応するァ ド レ ス に おけるデ—タ が ECC 論理回路に よ っ て読出さ れる ( ス テ ツ プ @ の w データ の読出 し " 参照 ) 。 こ こで次の こ と を想起すべき で ¾ る。 するわち、 ソ フ ト エ ラ 一はハ一 ドエ ラ ーに比 して極めて頻繁に発 生するか ら、 ソ フ ト ェ ラ ーがこのプ ロ セ ス 〔II〕 のバ リ デ一 シ ヨ ン操作中に も発生する であろ う 、 とい う こ と であ る 従つて、 次のス テ ッ プ © が重要と ¾ る。 し 1 ビ ッ 卜 ドエ ラ 一に対 して この よ う な ソ フ ト ェ ラ 一が重畳したとする とヽ 2 ビ ッ ト エ ラ ー と な るであろ う 。 も しス テ ッ プ の結果が " N O " であ るな らぱ、 その よ う ソ フ ト エ ラ 一は発生して い い とい う こ と に る。 そ して、 該 1 ビ ッ ト ノ、 一 ドエ ラ 一は訂正され、 この訂正デー タ は対応する交 替 ビ ッ ト メ モ リ に再書込みさ れる ( ス テ ッ プ @ の κ 1 ビ ッ ト エ ラ ーの訂正お よび訂正デー タ の再書込 み " 参照 ) 。
ス テ ッ プ ά に戻る と、 こ の ス テ ッ プ @ の結果 が Λ YES " である と する と、 バ リ デー シ ヨ ン操作中 に 2 ビ ッ ト エ ラ 一が発生 している と う こ と にる る この場合は、 該 2 ビ ッ ト エ ラ ーの う ちの 1 つはステ ツ プ @ でセ ッ ト された固定の論理 ¾ 0 * に起因す る も のであ ]? 又残 ]3 の 1 つはソ フ ト エ ラ ーに起因す る も のであろ う 。 する と、 交替ピ ッ ト メ モ リ の論理 は、 今度は先の Λ 0 " か ら 1 " へと 変更される ( ス テ ッ プ @ 参照 ) 。 こ の論理 " 1 " は第 3 図に 示した前述の信号 ラ イ ン L 7 - D から供給される。 そとで、 ECC 論理回路は欠陥メ モ リ に対応するア ド レ ス か らデー タ を読み出す ( ス テ ッ プ @ の デ一 タ の読出 し " 参照 ) 。 こ の ス テ ッ プ (¾ における読 出 し操作において、 も し ECC 論理回路が、 2 ビ ッ ト エ ラ 一の い こ と を検出する と ( ス テ ッ プ d¾ の « 2 ビ ッ ト エ ラ 一か ? " の " N O " 参照 ) 、 対応す る交替ビ ッ ト メ モ リ に ス ト ア さ れるべき デー タ の論 理は Λ 1 " である と い う こ と にな る。 か ぐ して、 2 ビ ッ ト エ ラ ーは 1 ビ ジ ト エ ラ ^と レ ベル ダ ウ ンせ しめ られる。 この場合、 こ の 1 ビ ッ ト ヱ ラ ーは ソ フ ト エ ラ ー であ る 。 こ のため、 こ の 1 ビ ッ ト ソ フ ト ェ ラ ーはス テ ッ プ © の再書込み操作に よ ]) 簡単に消 去される。 おこのス テ ッ プ © は前述のス テ ッ プ
@ と 同 じである。 これとは逆に、 も しス テ ッ プ @ の結果が w YES " であ る と、 既にス テ ッ プ @ にお いて検出された 2 ビ ッ ト エ ラ ーは、 2 ビ ッ ト ソ フ ト エ ラ ーか若し く は 1 ビ ッ ト ソ フ ト エ ラ 一 と交替ビ ッ ト メ モ リ で交替せしめ られている メ モ リ セ ル以外の メ モ リ セ ル で生にている ビ ト ドエ と の 組み合わせ よ ]? る る 2 ビ ッ ト エ ラ ーかのいずれかで ある。 この場合、 ECC 論理回路に と ってこの よ う な 2 ビ ッ ト エ ラ 一を訂正する こ と は不可能である。 本 発明のエ ラ 一訂正シ ス テ ム に お い ては、 ECC 論理回 路自 身が 2 ビ ッ ト エ ラ 一を訂正でき いに も拘らず、 該シ ス テ ム が、 該 2 ビ ッ ト エ ラ ー の 1 つを、 交替ビ y ト メ モ リ の出力において論理 " 1 " 又は " 0 " に 選択的に設定する こ と に よ ]? 、 当該 2 ビ ッ ト エ ラ ー の 1 つを訂正可能と する。 .も し、 2 ビ ッ ト エ ラ ーの も う —方がソ フ ト エ ラ ーであれば、 この ソ フ ト エ ラ 一は、 訂正デ ー タ の再書込み操作に よ っ て、 簡単に 消去可能である。 ス テ ッ プ @ に戻る と、 も し該 ス テ ツ プ @ の結果が Λ TES " であ るな らぱ、 処理は ス テ ッ プ③へ移 ]? 、 ア ラ ー ム が発生される 。
叙上 の シ ー ケ ン ス 、 するわちス テ ッ プ 〜 @ 又はス テ ッ プ do) 〜 @ そ して Q^} 〜 @ は、 全ァ ド レ ス に亘って ^えば 64, 0 0 0 回 ( 第- 2 B 図の 6 4 K ワ ー ド参照 ) 、 ステ ッ プ ) ( β ノ リ デ 一 シ ヨ ン 終了か ? " :) お よ びス テ ッ プ @ ( " メ モ リ ァ ド レ ス の更新 " ) を通じて繰!) 返し実行される 。 ステ ツ プ @ の結果が " YES " であ る と、 バ リ デ 一 シ ヨ ン 操作は完了 し、 ス テ ツ プ @) が開始する 。 該ステ ツ プ @ ( " 交替メ モ リ の解除 " ) においては、 固定 の論理 0 " ( ス テ ッ プ @ :) 又は固定の論理 Λ1" ( ス テ ッ プ @ ) を解除する。 すなわち、 第 3 図を 参照する と 、 信号 ラ イ ン : L 7 - G 0 の論理を 1 " か ら " 0 " へ変更する。 交蒈ビ ッ ト メ モ リ の解除後 は、 ス テ ッ プ③に移 ])、 通常の読出 しお よび書込み 操作が開始する。
第 3 図に示 したゲー ト 3 5 , 3 6 お よび 3 7 の構 成は、 第 5 図に示す如き 別の構成で置き換えて も 良 い。 ゲー ト 3 5 , 3 6 お よ び 3 7 の構成に よれば、 論理 " 1 " 又は " ^ 0 " の信号は、 信号 ラ イ ン L 7 - D を通 して、 外部よ 与え られる。 然しながら、 第 5 図の構成に よれば、 この よ う 論理 ¾ 1 " 又は n 0 " の信号は、 交替ビ ッ ト メ モ リ の出力デ ー タそ の も の とする こ と ができ る。 するわち、 この よ う る 信号は EOR ( Exclusive O R : イ ク ス ク ル 一 シ ブ オ ア ) ゲ 一 ト 5 1 カ ら送出される。 こ の EOR ゲ一 ト 5 1 は、 第 3 図のメ モ リ 1 2 1 - 0 の出力データ と
Y/IFO 第 3 図の信号 ラ イ ン L 7 - G 0 か らのゲ一 ト 制御信 号の双方を受信 る。 こ のゲ一 ト 5 1 の出力は第 3 図の信号ラ ィ ン L 1 0 へ印加される。 該 EOR ゲ一 ト 5 1 は、 イ ン バー タ 5 2 , 5 3 、 AND ゲ一 ト 5 4 , 5 5 お よ び 0 Rグ一 ト 5 6 か ら構成する こ とができ る 。 も しゲー ト 制御信号が論理 ¾ 0 " であ る ¾ らば、 メ モ リ 1 2 1 - 0 の出力 デ ー タ その も のカ 、 AND ゲ — ト 5 4 を介 して 0 R ゲー ト 5 6 か ら出力される この場合、 も し 理回路 1 2 2 ( 第 1 図お よ び 第 3 図 ) が依然と して 2 ビ ッ ト エ ラ ーを検出 してい る な らぱ、 今度はゲ一 ト 制御信号は論理 " 0 " か ら 1 " へと変更される。 する と、 メ モ リ 1 2 1 - 0 の反転した出力デー タ が、 イ ン パー タ 5 2 お よ び
AND ゲー ト 5 5 を介 して、 O R ゲー ト 5 6 よ 出力 される。
以上図面を も とに説明 したと お ]? 、 n ビ ッ ト のハ - ドぉ よ び ソ フ ト エ ラ ー訂正な らびに ( n + 1 ) ビ ッ ト のハー ドお よ び ソ フ ト エ ラ 一検出 しかでき ない
ECC 論理回路を採用 して るに も拘 らず、 ( n + 1 ) ビ ッ ト のノ、 — ドお よ び ソ フ ト ェ ラ 一訂正シ ス テ ム カ 実現される。
O PI _ 、 θ

Claims

求 の 範 囲
1. メ モ リ と CPU ( セ ン ト ラ ル プ ロ セ ッ シ ン グ ュニ ッ ト ) と の間に配置されていて且つ ECC ( ェ ラ 一訂正コ ー ド ) 論理回路を備え、 n ( n は正の整数) ビ ッ ト エ ラ 一を訂正する と共に ( n + 1 ) ビ ツ ト ェ ラ ーを検出可能なエ ラ 一訂正シ ス テ ム で あ っ て :
前記メ モ リ 内に生 じたエ ラ ーが、 ソ フ ト エ ラ ーか ハー ドエ ラ ーかを識別する第 1 の手段 と ; 前記ハー ドエ ラ ーを生 じている、 前記メ モ リ 内の メ モ リ セ ル に関するデ ー タ を ス ト ァする第 2 の手段 と ί
前記第 1 の手段を用いてハ ー ドエ ラ 一であ る と 識 別された場合、 前記欠陥 メ モ リ セ ル .を前記第 2 の手 段へ切 ]?換える第 3 の手段と ;
前記第 2 の手段にス ト アされるデー タ に対してバ リ デー シ ョ ン操作を加える第 4 の手段と、 を有 して る る こ と を特徵とするエ ラ ー訂正シ ス テ ム 。
2. 前記エ ラ ー訂正シ ス テ ム が、 前記パ、 リ デー シ ヨ ン操作中において ( η + 1 ) ビ ッ ト エ ラ ーが発見 された場合に、 その ( η + 1 ) ビ ッ ト エ ラ ーを前記 ECC論理回路を用いて η ビ ッ ト エ ラ ーに レ ベ ルダ ウ ンせしめる第 5 の手段をさ らに有する請求の範囲第 1 項記載のエ ラ 一訂正シ ス テ ム 。
3. 前記第 1 の手段は、 前記 ECC 論理回路を用い
OIA
、 ν ι? て ソ フ ト 又はハ ー ド エ ラ 一 に係る訂正デ ー タ を生成 し、 さ ら に ソ フ ト 又はハ ー ド エ ラ ーの発生 して る メ モ リ セ ル に対 して該訂正デー タ を再書込み し、 次 にその再書込みされたデー タ を該メ モ リ セ ルか ら再 読出 し し、 も し ECC 論理回路が、 その第 2 番 目 の読 出 しデー タ が依然エ ラ ー を含んでいる こ と を検出す る と 、 前記第 1 の手段は当該エ ラ 一がハー ド エ ラ ー であ る も の と 識別 し、 他方、 も し ECC 論理回路がそ の第 2 番 目 の読出 しデー タ にはエ ラ 一を含んでい い こ と を検出する と 、 該第 1 の手段は ソ フ ト エ ラ ー の発生を識別する請求の範囲第 1 項記载のェ ラ —訂 正シ ス テ ム 。
4. 前記第 2 の手段が、 前記 メ モ リ 内の欠陥 メ モ リ セ ル と交替可能な 1 又はそれ以上の交替 ビ ッ ト メ モ リ か ら な る請求の範囲第 1 項記載のェ ラ 一訂正 シ ス テ ム 。
5. 前記 メ モ リ を溝成する k ( k は正の整数 ) ヮ ー ド の各 々 が複数のグ ルー プに区分さ れ、 前記交替 ビ ト メ モ リ は これ らグ ルー プにそれぞれ割 ]? 当て られ、 これ ら交眷 ビ ッ ト メ モ リ の各 々 は 1 ビ ッ ト 幅 且つ k ビ ッ ト 長を も っ て形成される請求の範囲第 4 項記載のェ ラ ー訂正 シ ス テ ム 。
6- 前記第 3 の手段は、 第 1 お よ び第 2 の ス イ ツ チ ン グゲー ト 力 ら 、 且つ これ ら ス ィ ッ チ ン グゲ一 ト は ビ ッ ト 対応で配列されてお ]) 、 該第 1 の ス イ ツ チ ングゲー ト の各 々 は、 その第 1 入力において、 前 記 ECC 論理回路か ら の書込みデ ー タ を受信 し、 そ し てその第 2 入力において、 該 ECC 論理回路か ら のェ ラ ー位置表示信号を受信 し、 そ して、 該エ ラ ー位置 表示信号に よ って指定さ れた 1 つの前記第 1 の ス ィ ツ チ ン ク、 ゲ ー ト は前記交替 ビ ッ ト メ モ リ への書込み デー タ を転送可能であ ]? 、 他方、 前記第 2 の ス イ ツ チ ングゲー ト の各 々 は、 その第 1 入力において、 前 記 メ モ リ か らの読出 しデ ー タ を受信 し、 又、 その第 2 入力において、 前記交替 ビ ッ ト メ モ リ に ス ト 了さ れている デー タ を受信 し、 その第 3 入力において、 前記エラ ー位置表示信号を受信 し、 該エ ラ ー位置表 示信号に よ っ て指定された 1 つの該第 2 の ス ィ ツ チ ン ググー ト は前記 ECC 論理回路か らの読出 しデー タ を転送可能であ る請求の範囲第 1 項記載の ェ ラ ー訂 正シ ス テ ム 。
7. 前記第 4 の手段は訂正制御回路か ら ]? 、 該 訂正制御回路は前記 ECC 論理回路 と 違係動作する と 共に前記第 3 の手段を制御 し、 該第 4 の手段は、 ハ - ドエ ラ 一に係る訂正デー タ を前記第 2 の手段に ス ト 了する よ う に機能する請求の範囲第 1 項記載のェ ラ ー訂正シ ス テ ム 。
8. 前記第 5 の手段は、 前記 ECC 論理回路の助け を借 て前 I己 n + 1 ) ビ ッ ト エ ラ ーを n ビ ッ ト ェ ラ ー に レ ペ ルダ ウ ンするま で、 論理 " 0 " および
を前記第 2 の手段の出力において設定可能で ある 3 求の範囲第 2 項記載の エ ラ ー訂正シ ス テ ム 。
9. Bd Bra S ^ 0 " お よび 1 " が外部から前記 第 2 の手段の出力に供給される請求の範囲第 8 項記 载のェ ラ ー訂正シ ス テ ム 。
1 0. 前記論理 0 " お よび w 1 " 力 、 EOR ( イ ク ス ク ノレ ー シ ブ 才 ァ ) ゲ ー ト を用いて前記第 2 の手 段の出力デ ー タ その も の の論理に よ っ て又はこれを 反転した論理に よ つ て生成される請求の範囲第 8 項 記載のエ ラ 一訂正シ ス テ ム
ΟΜΡΙ
' V IPO
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Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57150197A (en) * 1981-03-11 1982-09-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Storage circuit
US4450559A (en) * 1981-12-24 1984-05-22 International Business Machines Corporation Memory system with selective assignment of spare locations
US4458349A (en) * 1982-06-16 1984-07-03 International Business Machines Corporation Method for storing data words in fault tolerant memory to recover uncorrectable errors
US4562576A (en) * 1982-08-14 1985-12-31 International Computers Limited Data storage apparatus
US4506364A (en) * 1982-09-30 1985-03-19 International Business Machines Corporation Memory address permutation apparatus
JPS59117800A (ja) * 1982-12-25 1984-07-07 Fujitsu Ltd バツフア・ストレ−ジの1ビツトエラ−処理方式
JPS59165300A (ja) * 1983-03-10 1984-09-18 Fujitsu Ltd メモリ障害訂正方式
US4608687A (en) * 1983-09-13 1986-08-26 International Business Machines Corporation Bit steering apparatus and method for correcting errors in stored data, storing the address of the corrected data and using the address to maintain a correct data condition
US4625312A (en) * 1983-10-06 1986-11-25 Honeywell Information Systems Inc. Test and maintenance method and apparatus for investigation of intermittent faults in a data processing system
US4544850A (en) * 1983-12-05 1985-10-01 Gte Automatic Electric Incorporated Race condition mediator circuit
US4646312A (en) * 1984-12-13 1987-02-24 Ncr Corporation Error detection and correction system
US4654847A (en) * 1984-12-28 1987-03-31 International Business Machines Apparatus for automatically correcting erroneous data and for storing the corrected data in a common pool alternate memory array
JPS61264599A (ja) * 1985-05-16 1986-11-22 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS623499A (ja) * 1985-06-28 1987-01-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ装置
US4710934A (en) * 1985-11-08 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Random access memory with error correction capability
US4719627A (en) * 1986-03-03 1988-01-12 Unisys Corporation Memory system employing a low DC power gate array for error correction
JPS6324428A (ja) * 1986-07-17 1988-02-01 Mitsubishi Electric Corp キヤツシユメモリ
US5128943A (en) * 1986-10-24 1992-07-07 United Technologies Corporation Independent backup mode transfer and mechanism for digital control computers
JPS63245529A (ja) * 1987-03-31 1988-10-12 Toshiba Corp レジスタ退避復元装置
US4980850A (en) * 1987-05-14 1990-12-25 Digital Equipment Corporation Automatic sizing memory system with multiplexed configuration signals at memory modules
US4955024A (en) * 1987-09-14 1990-09-04 Visual Information Technologies, Inc. High speed image processing computer with error correction and logging
US4931990A (en) * 1987-11-19 1990-06-05 Bruce C. Perkin Hardened bubble memory circuit
JPH0290816A (ja) * 1988-09-28 1990-03-30 Hitachi Ltd 誤り訂正方法および回路
US5199033A (en) * 1990-05-10 1993-03-30 Quantum Corporation Solid state memory array using address block bit substitution to compensate for non-functional storage cells
FR2751083B1 (fr) * 1996-07-12 1998-10-30 Sextant Avionique Procede et dispositif pour quantifier l'impact des rayonnements cosmiques sur un equipement electronique a memoire
JP3871471B2 (ja) 1999-07-12 2007-01-24 松下電器産業株式会社 Ecc回路搭載半導体記憶装置及びその検査方法
CN1261941C (zh) * 2000-06-23 2006-06-28 索尼株式会社 记录介质的再现装置和再现方法、数据输出控制方法、数据输出方法、检错方法以及数据输出和再现方法
US7069494B2 (en) * 2003-04-17 2006-06-27 International Business Machines Corporation Application of special ECC matrix for solving stuck bit faults in an ECC protected mechanism
US7392347B2 (en) * 2003-05-10 2008-06-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Systems and methods for buffering data between a coherency cache controller and memory
US7320100B2 (en) * 2003-05-20 2008-01-15 Cray Inc. Apparatus and method for memory with bit swapping on the fly and testing
US7184916B2 (en) * 2003-05-20 2007-02-27 Cray Inc. Apparatus and method for testing memory cards
US7278083B2 (en) * 2003-06-27 2007-10-02 International Business Machines Corporation Method and system for optimized instruction fetch to protect against soft and hard errors
US7642813B2 (en) * 2004-07-27 2010-01-05 International Business Machines Corporation Error correcting logic system
US7336102B2 (en) * 2004-07-27 2008-02-26 International Business Machines Corporation Error correcting logic system
WO2006039556A2 (en) * 2004-10-02 2006-04-13 Wms Gaming Inc. Gaming device with error correcting memory
JP4734003B2 (ja) * 2005-03-17 2011-07-27 富士通株式会社 ソフトエラー訂正方法、メモリ制御装置及びメモリシステム
US9459960B2 (en) 2005-06-03 2016-10-04 Rambus Inc. Controller device for use with electrically erasable programmable memory chip with error detection and retry modes of operation
US7831882B2 (en) 2005-06-03 2010-11-09 Rambus Inc. Memory system with error detection and retry modes of operation
US8205146B2 (en) * 2005-07-21 2012-06-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Persistent error detection in digital memory
US7562285B2 (en) 2006-01-11 2009-07-14 Rambus Inc. Unidirectional error code transfer for a bidirectional data link
JP2007257791A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US7292950B1 (en) * 2006-05-08 2007-11-06 Cray Inc. Multiple error management mode memory module
WO2007132456A2 (en) 2006-05-12 2007-11-22 Anobit Technologies Ltd. Memory device with adaptive capacity
CN103280239B (zh) 2006-05-12 2016-04-06 苹果公司 存储设备中的失真估计和消除
KR101202537B1 (ko) 2006-05-12 2012-11-19 애플 인크. 메모리 디바이스를 위한 결합된 왜곡 추정 및 에러 보정 코딩
US8352805B2 (en) 2006-05-18 2013-01-08 Rambus Inc. Memory error detection
US20070271495A1 (en) * 2006-05-18 2007-11-22 Ian Shaeffer System to detect and identify errors in control information, read data and/or write data
WO2008053472A2 (en) 2006-10-30 2008-05-08 Anobit Technologies Ltd. Reading memory cells using multiple thresholds
US8151163B2 (en) 2006-12-03 2012-04-03 Anobit Technologies Ltd. Automatic defect management in memory devices
US8151166B2 (en) 2007-01-24 2012-04-03 Anobit Technologies Ltd. Reduction of back pattern dependency effects in memory devices
CN101715595A (zh) 2007-03-12 2010-05-26 爱诺彼得技术有限责任公司 存储器单元读取阈的自适应估计
WO2008139441A2 (en) * 2007-05-12 2008-11-20 Anobit Technologies Ltd. Memory device with internal signal processing unit
US8234545B2 (en) 2007-05-12 2012-07-31 Apple Inc. Data storage with incremental redundancy
US8259497B2 (en) * 2007-08-06 2012-09-04 Apple Inc. Programming schemes for multi-level analog memory cells
US8174905B2 (en) 2007-09-19 2012-05-08 Anobit Technologies Ltd. Programming orders for reducing distortion in arrays of multi-level analog memory cells
WO2009050703A2 (en) 2007-10-19 2009-04-23 Anobit Technologies Data storage in analog memory cell arrays having erase failures
WO2009063450A2 (en) 2007-11-13 2009-05-22 Anobit Technologies Optimized selection of memory units in multi-unit memory devices
US8225181B2 (en) * 2007-11-30 2012-07-17 Apple Inc. Efficient re-read operations from memory devices
US8209588B2 (en) 2007-12-12 2012-06-26 Anobit Technologies Ltd. Efficient interference cancellation in analog memory cell arrays
US8456905B2 (en) * 2007-12-16 2013-06-04 Apple Inc. Efficient data storage in multi-plane memory devices
US8156398B2 (en) 2008-02-05 2012-04-10 Anobit Technologies Ltd. Parameter estimation based on error correction code parity check equations
US8230300B2 (en) 2008-03-07 2012-07-24 Apple Inc. Efficient readout from analog memory cells using data compression
US8493783B2 (en) 2008-03-18 2013-07-23 Apple Inc. Memory device readout using multiple sense times
US8400858B2 (en) 2008-03-18 2013-03-19 Apple Inc. Memory device with reduced sense time readout
US8498151B1 (en) 2008-08-05 2013-07-30 Apple Inc. Data storage in analog memory cells using modified pass voltages
US8949684B1 (en) 2008-09-02 2015-02-03 Apple Inc. Segmented data storage
US8169825B1 (en) 2008-09-02 2012-05-01 Anobit Technologies Ltd. Reliable data storage in analog memory cells subjected to long retention periods
US8482978B1 (en) 2008-09-14 2013-07-09 Apple Inc. Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals
US8239734B1 (en) 2008-10-15 2012-08-07 Apple Inc. Efficient data storage in storage device arrays
US8261159B1 (en) 2008-10-30 2012-09-04 Apple, Inc. Data scrambling schemes for memory devices
US8208304B2 (en) 2008-11-16 2012-06-26 Anobit Technologies Ltd. Storage at M bits/cell density in N bits/cell analog memory cell devices, M>N
US8248831B2 (en) 2008-12-31 2012-08-21 Apple Inc. Rejuvenation of analog memory cells
US8397131B1 (en) 2008-12-31 2013-03-12 Apple Inc. Efficient readout schemes for analog memory cell devices
US8924661B1 (en) 2009-01-18 2014-12-30 Apple Inc. Memory system including a controller and processors associated with memory devices
US8228701B2 (en) * 2009-03-01 2012-07-24 Apple Inc. Selective activation of programming schemes in analog memory cell arrays
US8259506B1 (en) 2009-03-25 2012-09-04 Apple Inc. Database of memory read thresholds
US8832354B2 (en) 2009-03-25 2014-09-09 Apple Inc. Use of host system resources by memory controller
US8238157B1 (en) 2009-04-12 2012-08-07 Apple Inc. Selective re-programming of analog memory cells
US8479080B1 (en) 2009-07-12 2013-07-02 Apple Inc. Adaptive over-provisioning in memory systems
US8495465B1 (en) 2009-10-15 2013-07-23 Apple Inc. Error correction coding over multiple memory pages
US8677054B1 (en) 2009-12-16 2014-03-18 Apple Inc. Memory management schemes for non-volatile memory devices
US8694814B1 (en) 2010-01-10 2014-04-08 Apple Inc. Reuse of host hibernation storage space by memory controller
US8677203B1 (en) 2010-01-11 2014-03-18 Apple Inc. Redundant data storage schemes for multi-die memory systems
US8694853B1 (en) 2010-05-04 2014-04-08 Apple Inc. Read commands for reading interfering memory cells
US8572423B1 (en) 2010-06-22 2013-10-29 Apple Inc. Reducing peak current in memory systems
US8595591B1 (en) 2010-07-11 2013-11-26 Apple Inc. Interference-aware assignment of programming levels in analog memory cells
US9104580B1 (en) 2010-07-27 2015-08-11 Apple Inc. Cache memory for hybrid disk drives
US8645794B1 (en) 2010-07-31 2014-02-04 Apple Inc. Data storage in analog memory cells using a non-integer number of bits per cell
US8856475B1 (en) 2010-08-01 2014-10-07 Apple Inc. Efficient selection of memory blocks for compaction
US8493781B1 (en) 2010-08-12 2013-07-23 Apple Inc. Interference mitigation using individual word line erasure operations
US8694854B1 (en) 2010-08-17 2014-04-08 Apple Inc. Read threshold setting based on soft readout statistics
US9021181B1 (en) 2010-09-27 2015-04-28 Apple Inc. Memory management for unifying memory cell conditions by using maximum time intervals
US9235466B2 (en) * 2012-07-03 2016-01-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory devices with selective error correction code
CN103942119A (zh) * 2013-12-26 2014-07-23 杭州华为数字技术有限公司 一种存储器错误的处理方法和装置
EP3776207B1 (en) 2018-03-26 2023-08-09 Rambus Inc. Command/address channel error detection
US11269720B2 (en) * 2019-08-11 2022-03-08 Winbond Electronics Corp. Memory storage apparatus and data access method
US11556416B2 (en) 2021-05-05 2023-01-17 Apple Inc. Controlling memory readout reliability and throughput by adjusting distance between read thresholds
US11847342B2 (en) 2021-07-28 2023-12-19 Apple Inc. Efficient transfer of hard data and confidence levels in reading a nonvolatile memory

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3949208A (en) * 1974-12-31 1976-04-06 International Business Machines Corporation Apparatus for detecting and correcting errors in an encoded memory word
JPS51137335A (en) * 1975-05-22 1976-11-27 Yoshihiro Toma Faulty memory permissible control system

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3656107A (en) * 1970-10-23 1972-04-11 Ibm Automatic double error detection and correction apparatus
US3917933A (en) * 1974-12-17 1975-11-04 Sperry Rand Corp Error logging in LSI memory storage units using FIFO memory of LSI shift registers
JPS5381036A (en) * 1976-12-27 1978-07-18 Hitachi Ltd Error correction-detection system
JPS592057B2 (ja) * 1979-02-07 1984-01-17 株式会社日立製作所 エラ−訂正・検出方式
US4255808A (en) * 1979-04-19 1981-03-10 Sperry Corporation Hard or soft cell failure differentiator
US4319356A (en) * 1979-12-19 1982-03-09 Ncr Corporation Self-correcting memory system
US4359771A (en) * 1980-07-25 1982-11-16 Honeywell Information Systems Inc. Method and apparatus for testing and verifying the operation of error control apparatus within a memory

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3949208A (en) * 1974-12-31 1976-04-06 International Business Machines Corporation Apparatus for detecting and correcting errors in an encoded memory word
JPS51137335A (en) * 1975-05-22 1976-11-27 Yoshihiro Toma Faulty memory permissible control system

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JOHO SHORI, Vol. 16, No. 4 FUJIWARA EIJI, AOKI KATSUHIKO "Main Memory no Shinraisei" P.296-301 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE3072083D1 (en) 1988-04-21
EP0034188B1 (en) 1988-03-16
JPS5637896A (en) 1981-04-11
EP0034188A4 (en) 1984-08-10
JPS6051749B2 (ja) 1985-11-15
AU6226180A (en) 1981-03-19
AU530666B2 (en) 1983-07-21
EP0034188A1 (en) 1981-08-26
CA1165893A (en) 1984-04-17
US4394763A (en) 1983-07-19

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