WO1998036407A1 - Display device - Google Patents

Description

明細書 表 示 装 置 技術分野

本発明は、 有機半導体膜等の発光薄膜に駆動電流が流れるこ とによつ て発光する E L (エレク ト口ルミネッセンス） 素子または L E D (発光 ダイオー ド） 素子などの発光素子と、 この発光素子の発光動作を制御す る薄膜トランジスタ （以下、 T F Tという。 ） とを用いたアクティブマ ト リ クス型の表示装置に関するものである。 さ らに詳しく は、 このタイ プの表示装置に構成された各素子の駆動技術に関するものである。 背景技術

E L素子または L E D素子などの電流制御型発光素子を用いたァクテ イブマ ト リ クス型の表示装置が提案されている。 このタイプの表示装置 に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、 液晶表示装置と違 つてバックライ トを必要とせず、 また視野角依存性が少ないなどの利点 カ ある。

図 3 1 は、 このよ うな表示装置の一例と して、 電荷注入型の有機薄膜 E L素子を用いたアクティブマ ト リ クス型表示装置のプロ ック図である 。 この図に示す表示装置 1 Aでは、 透明基板上に、 複数の走査線 g a t e と、 これらの走査線 g a t eの延設方向に対して交差する方向に延設 された複数のデータ線 s i g と、 これらのデータ線 s i gに並列する複 数の共通給電線 c o mと、 データ線 s i g と走査線 g a t e との交差点 に対応する画素 7 とが構成されている。

画素 7の各々には、 走査線 g a t e を介して走査信号がグー ト電極 （ 第 1 のゲー ト電極） に供給される第 1 の T F T 2 0 と、 この第 1 の T F T 2 0 を介してデータ線 s i gから供給される画像信号を保持する保持 容量 c a p と、 この保持容量 c a p によって保持された画像信号がグー ト電極 （第 2のゲー ト電極） に供給される第 2の T F T 3 0 と、 第 2の T F T 3 0 を介して共通給電線 c o mに電気的に接続したときに共通給 電線 c o mから駆動電流が流れ込む発光素子 4 0 (抵抗と して表してあ る。 ） とが構成されている。

このよ う に構成された表示装置 1 Aにおいて、 第 1 の T F T 2 0およ び第 2の T F T 3 0は、 従来、 Nチャネル型を例にと ると、 製造プロセ スを簡略化するという観点から、 図 3 2にその等価回路を示すよ うに、 いずれも Nチャネル型あるいは Pチャネル型の T F T と して構成されて いる。 従って、 Nチャネル型を例にと ると、 図 3 3 ( A) 、 ( B ) に示 すよ うに、 走査線 g a t e から供給される走査信号 S gateが高電位にな つて第 1 の T F T 2 0がオン状態になったときにデータ線 s i gから保 持容量 c a pに高電位の画像信号 d a t a が書き込まれると、 第 2の T F T 3 0がオン状態に保持される。 その結果、 発光素子 4 0では、 画素 電極 4 1 から対向電極 o pに向けて矢印 Eで示す方向の駆動電流が流れ 続け、 発光素子 4 0 が発光し続ける （点灯状態） 。 これに対して、 走査 線 g a t e から供給される走査信号 S gateが高電位になって第 1 の T F T 2 0がオン状態になったときに、 データ線 s i gから保持容量 c a p に共通給電線 c o mの電位と対向電極 o pの電位の間のある電位よ り も 低い電位の画像信号 d a t a が書き込まれると、 第 2の T F T 3 0がタ ーンオフし、 発光素子 4 0が消灯する （消灯状態） 。

このよ うな表示装置 1 Aにおいて、 各素子を構成する半導体膜、 絶縁 膜、 電極などは基板上に堆積した薄膜から構成され、 かつ、 この薄膜は 基板の耐熱性などを考慮して低温プロセスで形成されるこ とが多い。 従 つて、 薄膜とバルク との物性の差異などに起因して欠陥が多いなど膜品 質が劣る

ため、 T F Tなどでは絶縁破壊や経時劣化などの問題が表面化しやすい _c 液晶を光変調素子として用いた液晶表示装置でも薄膜を用いるという 点で共通するが、 この場合には光変調素子を交流駆動するので、 液晶だ けでなく、 T F Tの経時劣化も抑えることができる。 これに対して、 電 流制御型発光素子を用いた表示装置 1 Aでは直流駆動せざるを得ないと いう点では、 液晶表示装置より も T F Tに経時劣化が起きやすい。 この ような問題点を解消するため、 電流制御型発光素子を用いた表示装置 1 Aでも T F Tの構造やプロセス技術に改良が加えられているものの、 未 だ、 十分に改良されたとはいえない。

また、 液晶を光変調素子として用いた場合には、 この光変調素子を電 圧によ り制御するので、 個々の素子には電流が瞬間的に流れるだけであ るので、 消費電力が小さい。 これに対して、 電流制御型発光素子を用い た表示装置 1 Aでは、 発光素子を点灯させ続けるには駆動電流を定常的 に流す必要があるので、 消費電力が高くなり、 絶縁破壊や経時劣化が起 きやすい。

さらに、 液晶表示装置では 1画素当たり 1つの T F Tで液晶を交流駆 動することができるが、 電流制御型発光素子を用いた表示装置 1 Aでは 、 1画素当たり 2つの T F T 2 0 、 3 0で発光素子 4 0を直流駆動する ので、 駆動電圧が高くなり、 前記の絶縁破壊や消費電力が大きいという 問題が顕著である。 たとえば、 図 3 3 ( A ) に示すように、 画素を選択 する際の第 1の T F T 2 0のゲート電圧 V g は、 走査信号 S gateの高 電位に相当する電位と電位保持電極 s t の電位 （保持容量 c a pの電位 、 または第 2の T F T 3 0のゲート電極の電位） との電位差に相当する ため、 発光素子 4 0を高い輝度で点灯させよ う と電位保持電極 s tの電 位を高めて第 2の T F T 3 0のゲ一 ト電圧 V g cur を高めたときには、 その分、 第 1の T F T 2 0のゲー ト電圧 V g swが低くなつてしまうので 、 走査信号 S gateの振幅を大きくする必要が生じ、 表示装置 1 Aの駆動 電圧が高くなつてしまう。 また、 前記の表示装置 1 Aでは、 発光素子 4 0を消灯させる際に画像信号 d a t aの電位を共通給電線 c o mの電位 と対向電極 o pの電位の間のある電位よ りも低く して第 2の T F T 3 0 をターンオフさせるため、 画像信号 d a t aの振幅が大きいという問題 点もある。 従って、 この種の表示装置 1 Aでは、 液晶表示装置と比較し て、 消費電力や T F Tの耐電圧などに格段の配慮が必要であるが、 従来 の表示装置 1 Aではかかる配慮が十分になされていない。

そこで、 本発明の課題は、 電流駆動型の発光素子の発光動作を制御す る T F Tの導電型を考慮した駆動方式を採用して、 駆動電圧の低電圧化 による消費電力、 絶縁破壊、 経時劣化の低減と表示品位の向上とを併せ て図ることができる表示装置を提供することにある。 発明の開示

上記課題を解決するため、 請求項 1 に係る発明では、 基板上に、 複数 の走査線と、 該走査線に交差する複数のデータ線と、 複数の共通給電線 と、 前記データ線と前記走査線とによりマ ト リ クス状に形成された画素 とを有し、 該画素の各々には、 前記走査線を介して走査信号が第 1のゲ 一ト電極に供給される第 1 の T F Tと、 該第 1 の T F Tを介して前記デ —タ線から供給される画像信号を保持する保持容量と、 該保持容量によ つて保持された前記画像信号が第 2のグート電極に供給される第 2の T F Tと、 前記画素毎に形成された画素電極が前記第 2の T F Tを介して 前記共通給電線に電気的に接続したときに前記画素電極と発光薄膜を介 して対向する対向電極との間に流れる駆動電流によって前記発光薄膜が 発光する表示装置において、 前記第 2の T F Tが Nチャネル型の場合に は、 前記共通給電線は前記対向電極よりも低電位に設定されていること を特徴とする。

本発明に係る表示装置では、 第 2の T F Tのオン時のゲート電圧は、 共通給電線の電位および画素電極の電位のうちの一方の電位と、 ゲート 電極の電位 （画像信号の電位） との差に相当するので、 第 2の T F Tの 導電型に応じて、 共通給電線の電位と発光素子の対向電極の電位との相 対的な高低を最適化し、 第 2の T F Tのゲート電圧は、 共通給電線の電 位と電位保持電極の電位との差に相当するように構成してある。 たとえ ば、 第 2の T F Tが Nチャネル型であれば、 発光素子の対向電極の電位 に対して共通給電線の電位を低く してある。 この共通給電線の電位につ いては、 画素電極の電位と相違して、 十分に低い値に設定することがで きるため、 第 2の T F Tで大きなオン電流が得られ、 高い輝度で表示を 行うことができる。 また、 画素を点灯状態とする際に、 第 2の T F Tに おいて高いゲ一ト電圧が得られるのであれば、 画像信号の電位を下げる ことができるので、 画像信号の振幅を小さく し、 表示装置における駆動 電圧を下げることができる。 それ故、 消費電力を低減できるともに、 薄 膜で構成された各素子で懸念されていた耐電圧の問題が顕在化しないと いう利点がある。

本発明において、 上記第 2の T F Tが Nチャネル型の場合には点灯状 態とすべき画素に対して前記データ線から供給される画像信号の電位は 、 前記対向電極の電位と比較して低電位、 あるいは等電位であることが 好ましい。 このよ う に構成した場合も、 第 2の T F Tをオン状態に保つ たまま、 画像信号の振幅を小さくすることができ、 表示装置における駆 動電圧を下げることができる。

本発明において、 第 2の T F Tが Nチャネル型の場合には、 消灯状態 とすべき ·画素に対して前記データ線から供給される画像信号の電位は、 前記共通給電線の電位と比較して高電位、 あるいは等電位であるこ とが 好ましい （請求項 5 ) 。 すなわち、 画素を消灯状態にするときには、 第 2の T F Tを完全にターンオフさせるほどのゲー ト電圧 （画像信号） を 印加しない。 発光素子の非線型電気特性とあいまって、 消灯状態は実現 できる。 それ故、 画像信号の振幅を小さくすることができ、 表示装置に おける駆動電圧を下げ、 また画像信号の高周波化を図るこ とができる。 本発明において、 上記の各構成とは逆に、 前記第 2の T F Tが Pチヤ ネル型の場合には、 各電位の相対的な関係を逆転させる。 すなわち、 前 記第 2の T F Tが Pチャネル型の場合には、 前記共通給電線は前記対向 電極よ り も高電位に設定されているこ とを特徴とする （請求項 2 ) 。 こ の場合には、 点灯状態とすべき画素に対して前記データ線から供給され る画像信号の電位は、 前記対向電極の電位と比較して高電位、 あるいは 等電位であるこ とが好ましい （請求項 4 ) 。 また、 消灯状態とすべき画 素に対して前記データ線から供給される画像信号の電位は、 前記共通給 電線の電位と比較して低電位、 あるいは等電位であるこ とが好ましい （ 請求項 6 ) 。

本発明において、 前記第 1 の T F T と前記第 2の T F Tとは、 逆導電 型の T F Tで構成されているこ とが好ましい （請求項 7 ) 。 すなわち、 第 1 の T F Tが Nチャネル型であれば、 第 2の T F Tは Pチャネル型で あり、 第 1 の T F Tが Pチャネル型であれば、 第 2の T F Tは Nチヤネ ル型であるこ とが好ましい。 詳しく は請求項 8 に関連して後述するが、 このよ うに構成すると、 表示装置の駆動電圧レンジの範囲内で、 点灯の ための画像信号の電位を、 第 1 の T F Tのオン時の抵抗が小さ く なる方 向に変更するだけで、 表示動作の高速化を図るこ とができ る。 また、 こ の時には画素を点灯させるための画像信号の電位が第 2の T F Tのオン 時の抵抗が小さ く なる方向に変更したことになるので、 輝度の向上を図 ることができ る。 よって、 駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併 せて達成することができる。

本発明の別の形態 （請求項 8 ) では、 基板上に、 複数の走査線と、 該 走査線に交差する複数のデータ線と、 複数の共通給電線と、 前記データ 線と前記走査線とによ りマ ト リ クス状に形成された画素とを有し、 該画 素の各々には、 前記走査線を介して走查信号が第 1 のゲ一 ト電極に供給 される第 1 の T F Tと、 該第 1 の T F Tを介して前記データ線から供給 される画像信号を保持する保持容量と、 該保持容量によって保持された 前記画像信号が第 2 のグー ト電極に供給される第 2 の T F丁と、 前記画 素毎に形成された画素電極と該画素電極に対向する対向電極との層間に おいて前記画素電極が前記第 2の T F Tを介して前記共通給電線に電気 的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れる駆動電 流によつて発光する発光薄膜を具備する発光素子とを備える表示装置に おいて、 前記第 1 の T F Tと前記第 2の T F T とは、 逆導電型の T F T で構成されているこ とを特徴とする。

本発明では、 例えば第 1 の T F Tが N型であれば、 第 2 の T F Tが P 型であるよ うに、 第 1 の T F Tと第 2の T F Tとが逆導電型であるため 、 第 1 の T F Tの書き込み能力を上げるためには、 走査信号の選択パル ス高を高く し、 第 2の T F Tのオン抵抗を下げて発光輝度を上げるため には、 画像信号の電位を低くするこ とになる。 このよ うな走査信号およ び画像信号の最適化は、 第 1 の T F Tのゲー ト電圧に対して、 画素の選 択期間中、 発光素子を点灯させる レベルの画像信号が保持容量に書き込 まれていく につれて、 当該 T F Tのオン電流が増大する方にシフ ト させ るのに効く。 それ故、 デ一タ線から第 1 の T F Tを介して保持容量に画 像信号がスムーズに書き込まれる。 こ こで、 画素を選択する際の第 1 の T F Tのゲ ト電圧は、 走査信号の高電位に相当する電位と点灯時の電 位保持電極の電位 （点灯のための画像信号の電位、 保持容量の電位、 ま たは第 2の T F Tのゲー ト電極の電位） との差に相当し、 第 2の T F T のグー ト電圧は、 点灯時の電位保持電極の電位と共通給電線の電位との 差に相当し、 このときの電位保持電極の電位を基準にしたときには、 走 査信号の高電位に相当する電位と共通給電線の電位は同じ極性である。 従って、 点灯時の電位保持電極の電位 （点灯のための画像信号の電位） を変更すれば、 その分、 第 1 の T F Tのゲー ト電圧および第 2の T F T のゲー ト電圧の双方が同じ方向に同じ分だけシフ トする。 それ故、 表示 装置の駆動電圧レンジの範囲内で、 点灯のための画像信号の電位を、 第 1 の T F Tのオン時の抵抗が小さ く なる方向にシフ ト させれば、 表示動 作の高速化を図るこ とができる。 また、 この時には点灯のための画像信 号の電位が第 2の T F Tのオン時の抵抗が小さ く なる方向にシフ ト した こ とになるので、 輝度の向上を図るこ とができる。 よって、 駆動電圧の 低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成するこ とができる。

本発明において、 消灯状態にある画素における前記第 2の T F Tに印 加されるグー ト電圧は、 該第 2の T F Tがオン状態となるときの極性と 同じで、 かつ、 該第 2の T F Tのしきい値電圧を越えない値であるこ と が好ま しい （請求項 9 ) 。 すなわち、 画素を消灯状態にするときには、 第 2の T F Tを完全にターンオフさせるほどのグー ト電圧 （画像信号） を印加しない。 それ故、 画像信号の振幅を小さくするこ とができ、 画像 信号の高周波化を実現できる。

このよ うに構成した場合において、 前記第 1 の T F Tが Nチャネル型 、 前記第 2の T F Tが Pチャネル型であれば、 前記第 1 の T F Tをオン 状態にするときの走査信号の電位と前記共通給電線の電位とが等しく 、 かつ、 消灯状態にある画素の前記第 2の T F Tに印加されるゲー ト電極 の電位は、 前記第 1 の T F Tをオン状態にするときの走査信号の電位か ら当該第 1 の T F Tのしきい値電圧を差し引いた電位よ り も低電位であ るこ とが好ましい （請求項 1 0 ) 。 それとは逆に、 前記第 1 の T F Tが Pチャネル型、 前記第 2の T F Tが Nチャネル型であれば、 前記第 1 の T F Tをオン状態にするときの走査信号の電位と前記共通給電線の電位 とが等しく 、 かつ、 消灯状態にある画素の前記第 2の T F Tに印加され るゲー ト電極の電位は、 前記第 1 の T F Tをオン状態にするときの走査 信号の電位に当該第 1 の T F Tのしきい値電圧を加えた電位よ り も高電 位であるこ とが好ましい （請求項 1 1 ) 。 このよ うに第 1 の T F Tをォ ン状態にするときの走査信号の電位と共通給電線の電位とを等しくする と、 各駆動信号のレベルの数が減るため、 表示装置への信号入力端子の 数を減らすこ とができ ると と もに、 電源数を減らすこ とができ るので、 低消費電力となる。

本発明では、 前記保持容量の両電極のう ち、 前記第 2の T F Tの第 2 のゲ一 ト電極に電気的に接続する電極とは反対側の電極には、 前記走查 信号の選択パルスよ り遅延して該選択パルスとは電位が逆方向に振れる パルスが供給されるこ とが好ま しい （請求項 1 2 ) 。 このよ う に構成す ると、 保持容量への画像信号の書き込みを補う こ とができるので、 画像 信号の振幅を大き くせずに、 第 2の T F Tのグー ト電極に印加される画 像信号の電位を高輝度化の方向にシフ ト させるこ とができる。

本発明のさ らに別の形態においては、 基板上に、 複数の走査線と、 該 走査線に交差する複数のデータ線と、 複数の共通給電線と、 前記データ 線と前記走査線とによ りマ ト リ クス状に形成された画素とを有し、 該画 素の各々には、 前記走査線を介して走査信号が第 1 のゲー ト電極に供給 される第 1 の T F Tと、 該第 1 の T F Tを介して前記データ線から供給 される画像信号を保持する保持容量と、 該保持容量によつて保持された 前記画像信-号が第 2のグー ト電極に供給される第 2の T F Tと、 前記画 素毎に形成された画素電極と該画素電極に対向する対向電極との層間に おいて前記画素電極が前記第 2の T F Tを介して前記共通給電線に電気 的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れる駆動電 流によって発光する発光薄膜を具備する発光素子とを備える表示装置に おいて、 前記保持容量の両電極のうち、 前記第 2の T F Tの第 2のゲー ト電極に電気的に接続する電極とは反対側の電極には、 前記走査信号の 選択パルスよ り遅延して該選択パルスとは電位が逆方向に振れるパルス が供給されることを特徴とする （請求項 1 3 ) 。

このように構成すると、 保持容量への画像信号の書き込みを補うこと ができるので、 画像信号の振幅を大きくせずに、 第 2の T F Tのゲー ト 電極に印加される画像信号の電位を高輝度化の方向にシフ トさせること ができる。

上記のいずれの発明においても、 前記発光薄膜と しては、 たとえば、 有機半導体膜を用いることができる （請求項 1 4 ) 。

本発明では、 上記のいずれの発明においても、 第 2の T F Tについて は、 その飽和領域で動作させることにより、 発光素子に異常電流が流れ 、 電圧降下等により他画素にク ロス トーク等が発生するのを防止するこ とができる （請求項 1 5 ) 。

また、 その線形領域で動作させることによりそのしきい値電圧のばら つきが表示動作に影響を及ぼすことを防止することができる （請求項 1 6 ) 。 図面の簡単な説明

図 1は、 本発明を適用した表示装置を模式的に示す平面図である。 図 2は、 本発明を適用した表示装置の基本的な構成を示すブロック図 である。 - . - 図 3は、 図 2に示す表示装置の画素を拡大して示す平面図である。 図 4は、 図 3の A— A' 線における断面図である。

図 5は、 図 3の B— B' 線における断面図である。

図 6 ( A) は、 図 3の C— 線における断面図であり、 図 6 ( B ) は、 図 6 ( A) に示すよ うに構成したときの効果を説明するための説明 図である。

図 7 (A) 、 (B ) はそれぞれ、 図 2に示す表示装置に用いる発光素 子の断面図である。

図 8 (A) 、 (B ) はそれぞれ、 図 7に示す発光素子と別の構造を有 する発光素子の断面図である。

図 9は、 図 7 (A) 、 図 8 (B ) に示す発光素子の電流一電圧特性を 示すグラフである。

図 1 0は、 図 7 (B ) 、 図 8 ( A) に示す発光素子の電流一電圧特性 を示すグラフである。

図 1 1は、 Nチャネル型 T F Tの電流—電圧特性を示すグラフである _c 図 1 2は、 Pチャネル型 T F Tの電流一電圧特性を示すダラフである _c 図 1 3は、 本発明を適用した表示装置の製造方法を示す工程断面図で ある。

図 1 4 ( A) 、 ( B ) はそれぞれ、 図 3から図 6に示す表示装置の画 素とは異なる構成の画素の平面図、 および断面図である。

図 1 5は、 本発明の実施の形態 1に係る表示装置の画素構成を示す等 価回路図である。

図 1 6 (A) 、 （B ) はそれぞれ、 図 1 5に示す画素に構成された各 素子の電気的な接続状態を示す説明図、 および駆動信号などの電位変化 を示す波形図である。

図 1 -7.は、 本発明の実施の形態 1の変形例に係る表示装置の画素構成 を示す等価回路図である。

図 1 8 (A) , (B ) はそれぞれ、 図 1 7に示す画素に構成された各 素子の電気的な接続状態を示す説明図、 および駆動信号などの電位変化 を示す波形図である。

図 1 9は、 本発明の実施の形態 2に係る表示装置の画素構成を示す等 価回路図である。

図 2 0 (A) 、 （B ) はそれぞれ、 図 1 9に示す画素に構成された各 素子の電気的な接続状態を示す説明図、 および駆動信号などの電位変化 を示す波形図である。

図 2 1は、 本発明の実施の形態 2の変形例に係る表示装置の画素構成 を示す等価回路図である。

図 2 2 (A) 、 (B ) はそれぞれ、 図 2 1に示す画素に構成された各 素子の電気的な接続状態を示す説明図、 および駆動信号などの電位変化 を示す波形図である。

図 2 3は、 本発明の実施の形態 3に係る表示装置の画素構成を示す等 価回路図である。

図 2 4 (A) , (B ) はそれぞれ、 図 2 3に示す画素を駆動するため の信号の波形図、 これらの信号と等価回路との対応を示す説明図である 図 2 5は、 本発明の実施の形態 2に係る表示装置の画素を駆動するた めの信号の波形図である。

図 2 6は、 本発明の実施の形態 3の変形例に係る表示装置の画素構成 を示す等価回路図である。

図 2 7 (A) , (B ) はそれぞれ、 図 2 6に示す画素を駆動するため の信号の波形図、 これらの信号と等価回路との対応を示す説明図である 図 2 8 ( A ) 、 ( B ) はそれぞれ、 本発明の実施の形態 4に係る表示 装置の画素の等価回路図、 それを駆動するための信号の波形図である。 図 2 9は、 図 2 8に示す信号を発生させるための走查側駆動回路のブ ロック図である。

図 3 0は、 図 2 9に示す走査側駆動回路から出力される各信号の波形 図である。

図 3 1は、 表示装置のブロ ック図である。

図 3 2は、 図 3 1に示す表示装置における従来の画素構成を示す等価 回路図である。

図 3 3 ( A ) 、 （B ) はそれぞれ、 図 3 2に示す画素を駆動するため の信号の波形図、 これらの信号と等価回路との対応を示す説明図である 図 3 4 ( A ) 、 ( B ) はそれぞれ、 隣接するゲート線を用いて容量を 形成する構成のブロック図と、 そのゲ一ト電圧の信号波形である。

[符号の説明]

表示装置

2 表示部

3 データ側駆動回路

4 走査側駆動回路

5 検査回路

6 実装用パッ ド

7 画素

1 0 透明基板

2 0 第 1 の T F T

2 1 第 1 の T F Tのゲ' ト電極

3 0 第 2の T F T 3 1 第 2の T F Tのゲ' ト電極

4 0 発光素子

4 1 画素電極

4 2 正孔注入層

4 3 有機半導体膜

5 0 グー ト絶縁膜

b a n k バンク層

c a p 保持容量

c 1 i n e 容里

c o m 共通給電線

g t e 走査線

o p 対向電極

s i g データ線

s t 電位保持電極 発明を実施するための最良の形態

図面を参照して、 本発明の実施の形態を説明する。 なお、 本発明の各 実施の形態を説明する前に、 各形態で共通の構成について説明しておく 。 ここで、 各形態で共通の機能を有する部分については、 同一の符合を 付して説明の重複を避けることとする。

(アクティブマ ト リ クス基板の全体構成）

図 1は、 表示装置の全体のレイアウ トを模式的に示すブロック図、 図 2は、 それに構成されたアクティブマ トリ タスの等価回路図である。 図 1に示すよ うに、 本形態の表示装置 1では、 その基体たる透明基板 1 0の中央部分が表示部 2 とされている。 透明基板 1 0の外周部分のう ち、 図面に向かって上下の側には、 データ線 s i gに対して画像信号を 出力するデータ側駆動回路 3、 および検査回路 5がそれぞれ構成され、 図面に向かって左右の側には、 走査線 g a t eに対して走査信号を出力 する走査側駆動回路 4が構成されている。 これらの駆動回路 3、 4では 、 N型の T F Tと P型の T F Tとによって相補型 T F Tが構成され、 こ の相補型 T F Tは、 シフ ト レジスタ回路、 レベルシフタ回路、 アナログ スィ ッチ回路などを構成している。 透明基板 1 0上において、 データ側 駆動回路 3より も外周領域には、 画像信号や各種の電位、 パルス信号を 入力するための端子群とされる実装用パッ ド 6が形成されている。 表示装置 1では、 液晶表示装置のアクティブマ ト リ ク ス基板と同様、 透明基板 1 0上に、 複数の走査線 g a t e と、 該走査線 g a t eの延設 方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線 s i g とが構成 され、 図 2に示すように、 これらのデータ線 s i gと走査線 g a t e と の交差によりマ トリクス状に画素 7が多数、 構成されている。

これらの画素 7のいずれにも、 走査線 g a t eを介して走査信号がゲ — ト電極 2 1 (第 1 のゲー ト電極） に供給される第 1 の T F T 2 0が構 成されている。 この T F T 2 0のソ一ス ' ドレイ ン領域の一方は、 デ一 タ線 s i gに電気的に接続し、 他方のソース · ドレイ ン領域は電位保持 電極 s tに電気的に接続している。 すなわち、 走査線 g a t eに対して は容量線 c 1 i n eが並列配置され、 この容量線 c 1 i n e と電位保持 電極 s t との間には保持容量 c a pが形成されている。 従って、 走查信 号によって選択されて第 1の T F T 2 0がオン状態になると、 データ線 s i gから画像信号が第 1 の T F T 2 0を介して保持容量 c a pに書き 込まれる。

電位保持電極 s tには第 2の T F T 3 0のゲート電極 3 1 (第 2のゲ ー ト電極） が電気的に接続し、 第 2の T F T 3 0のソース ' ドレイ ン領 域の一方は-、 共通給電線 c o mに電気的に接続する一方、 他方のソース • ドレイン領域は発光素子 4 0の一方の電極 （後述する画素電極） に電 気的に接続している。 共通給電線 c o mは定電位に保持されている。 第

2の T F T 3 0がオン状態になったときに、 第 2の T F T 3 0 を介して 共通給電線 c o mの電流が発光素子 4 0を流れ、 発光素子 4 0 を発光さ せる。

このよ う に構成した表示装置 1 において、 駆動電流は、 発光素子 4 0 、 第 2の T F T 3 0、 および共通給電線 c o mから構成される電流経路 を流れるため、 第 2の T F T 3 0がオフ状態になると、 流れなく なる。 但し、 本形態の表示装置 1 では、 走査信号によって選択されて第 1 の T F T 2 0がオン状態になると、 データ線 s i gから画像信号が第 1 の T F T 2 0 を介して保持容量 c a pに書き込まれる。 従って、 第 2の T F T 3 0のゲー ト電極は、 第 1 の T F T 2 0がオフ状態になっても、 保持 容量 c a pによつて画像信号に相当する電位に保持されるので、 第 2の T F T 3 0 はオン状態のままである。 それ故、 発光素子 4 0には駆動電 流が流れ続け、 この画素は点灯状態のままである。 この状態は、 新たな 画像データが保持容量 c a pに書き込まれて、 第 2の T F T 3 0がオフ 状態になるまで維持される。

表示装置 1 において共通給電線 c o m、 画素 7、 およびデータ線 s i gについては各種の配列が可能であるが、 本形態では、 共通給電線 C O mの両側に、 該共通給電線 c o mとの間で駆動電流の供給が行われる発 光素子 4 0 を有する複数の画素 7が配置され、 これらの画素 7 に対して 共通給電線 c o mとは反対側を 2本のデータ線 s i gが通っている。 す なわち、 データ線 s i g、 それに接続する画素群、 1本の共通給電線 c o m、 それに接続する画素群、 および該画素群に画素信号を供給するデ ータ線 s i gを 1つの単位と してそれを走査線 g a t e の延設方向に操 り返して.あ-り、 共通給電線 c o mは、 1本で 2列分の画素 7 に対して駆 動電流を供給する。 そこで、 本形態では、 共通給電線 c o mを挟むよう に配置された 2つの画素 7の間では、 第 1 の T F T 2 0、 第 2の T F T 3 0、 および発光素子 4 0が当該共通給電線 c o mを中心に線対称に配 置され、 これらの素子と各配線層との電気的な接続を容易なものにして ある。

このよ う に、 本形態では、 1本の共通給電線 c o mで 2列分の画素を 駆動するので、 1列の画素群ごとに共通給電線 c o mを形成する場合と 比較して、 共通給電線 c o mの数が 1 / 2で済むとともに、 同一の層間 に形成される共通給電線 c o mとデータ線 s i g との間に確保していた 隙間が不要である。 それ故、 透明基板 1 0上において配線のための領域 を狭くすることができるので、 輝度、 コントラス ト比などの表示性能を 向上させることができる。 なお、 このように 1本の共通給電線 c o mに 2列分の画素が接続される構成と したため、 データ線 s i gは 2本ずつ 並列する状態にあって、 それぞれの列の画素群に対して画像信号を供給 することになる。

(画素の構成）

このよ うに構成した表示装置 1 の各画素 7の構造を、 図 3ないし図 6 を参照して詳述する。

図 3は、 本形態の表示装置 1に形成されている複数の画素 7のうちの 3つの画素 7を拡大して示す平面図、 図 4、 図 5、 および図 6はそれぞ れは、 その A— A' 線における断面図、 B — B ' 線における断面図、 お よび C— C ' 線における断面図である。

まず、 図 3における A— A ' 線に相当する位置では、 図 4に示すよう に、 透明基板 1 0上には各画素 7の各々に、 第 1 の T F T 2 0を形成す るための島状のシリ コン膜 2 0 0が形成され、 その表面にはゲー ト絶縁 膜 5 0が形成されている。 ゲー ト絶縁膜 5 0の表面にはゲート電極 2 1 (走査線 g a t eの一部） が形成され、 該ゲート電極 2 1に対して自己 整合的にソース ' ド レイ ン領域 2 2、 2 3が形成されている。 グート絶 縁膜 5 0の表面側には第 1 の層間絶縁膜 5 1が形成され、 この層間絶縁 膜に形成されたコンタク トホール 6 1 、 6 2を介して、 ソース ' ド レイ ン領域 2 2、 2 3にはデータ線 s i g、 および電位保持電極 s tがそれ ぞれ電気的に接続している。

各画素 7には走査線 g a t e と並列するように、 走査線 g a t eゃゲ ― ト電極 2 1 と同一の層間 （ゲート絶縁膜 5 0 と第 1の層間絶縁膜 5 1 との間） には容量線 c 1 i n eが形成されており、 この容量線 c 1 i n eに対しては、 第 1の層間絶縁膜 5 1 を介して電位保持電極 s tの延設 部分 s t 1が重なっている。 このため、 容量線 c 1 i n e と電位保持電 極 s tの延設部分 s t 1 とは、 第 1の層間絶縁膜 5 1 を誘電体膜とする 保持容量 c a pを構成している。 なお、 電位保持電極 s tおよびデータ 線 s i gの表面側には第 2の層間絶縁膜 5 2が形成されている。

図 3における B — B ' 線に相当する位置では、 図 5に示すよ うに、 透 明基板 1 0上に形成された第 1 の層間絶縁膜 5 1および第 2の層間絶縁 膜 5 2の表面に各画素 7に対応するデータ線 s i gが 2本、 並列してい る状態にある。

図 3における C一 線に相当する位置では、 図 6 ( A ) に示すよう に、 透明基板 1 0上には共通給電線 c o mを挟む 2つの画素 7に跨がる ように、 第 2の T F T 3 0を形成するための島状のシリ コン膜 3 0 0が 形成され、 その表面にはゲート絶縁膜 5 0が形成されている。 ゲー ト絶 縁膜 5 0の表面には、 共通給電線 c o mを挟むように、 各画素 7の各々 にゲ一 ト電極 3 1がそれぞれ形成され、 このゲート電極 3 1に対して自 己整合的にソース · ド レイ ン領域 3 2、 3 3が形成されている。 ゲート 絶縁膜 5. 0—の表面側には第 1 の層間絶縁膜 5 1が形成され、 この層間絶 縁膜に形成されたコンタク トホール 6 3 を介して、 ソース · ドレイ ン領 域 6 2に中継電極 3 5が電気的に接続している。 一方、 シリ コ ン膜 3 0 0の中央の 2つの画素 7において共通のソース · ドレイン領域 3 3 とな る部分に対しては、 第 1 の層間絶縁膜.5 1 のコンタク トホール 6 4 を介 して、 共通給電線 c o mが電気的に接続している。 これらの共通給電線 c o m , および中継電極 3 5の表面には第 2の層間絶縁膜 5 2が形成さ れている。 第 2の層間絶縁膜 5 2の表面には I T O膜からなる画素電極 4 1 が形成されている。 この画素電極 4 1 は、 第 2 の層間絶縁膜 5 2に 形成されたコ ンタク トホール 6 5 を介して中継電極 3 5に電気的に接続 し、 この中継電極 3 5 を介して第 2 の T F T 3 0 のソース ' ドレイ ン領 域 3 2に電気的に接続されている。

(発光素子の特性）

発光素子 4 0 と しては、 いずれの構造のものを用いた場合でも本発明 を適用でき るので、 その代表的なものを以下に説明する。

まず、 前記の I T O膜からなる画素電極 4 1 は、 図 7 ( A ) に示すよ う に、 発光素子 4 0の一方の電極 （正極） を構成している。 この画素電 極 4 1 の表面には正孔注入層 4 2および発光薄膜と して有機半導体膜 4 3が積層され、 さ らに有機半導体膜 4 3の表面には、 リ チウム含有アル ミ ニゥムまたはカルシウムなどの金属膜からなる対向電極 o p (負極） が形成されている。 この対向電極 o pは、 透明基板 1 0の全面、 あるい はス トライプ状に形成された共通電極となるべきもので、 一定の電位に 保持されている。 これに対して、 図 7 ( A ) に示す発光素子 4 0 とは逆 の方向に駆動電流を流す場合には、 図 7 ( B ) に示すよ う に、 下層側か ら上層側に向かって、 I T O膜からなる画素電極 4 1 (負極） 、 透光性 をもつほど薄いリ チウム含有アルミ ニゥム電極 4 5、 有機半導体層 4 3 、 正孔注入層 4 2 、 I T O膜層 4 6、 リ チウム含有アルミ ニウムまたは カルシウムなどの金属膜からなる対向電極 o p (正極） をこの順に積層 して、 発光素子 4 0を構成する場合もある。 このよ う に構成すると、 図 7 ( A ) 、 ( B ) に示す各発光素子 4 0においてそれぞれ逆極性の駆動 電流が流れる場合でも、 正孔注入層 4 2および有機半導体層 4 3が直接 、 接する電極層の構成が同一であるため、 発光特性が同等である。 これ らの図 7 ( A ) 、 ( B ) に示した発光素子 4 0は、 いずれも下層側 （基 板の側） に I T O膜からなる画素電極 4 1 を有し、 光は、 矢印 h vで示 すよ うに、 画素電極 4 1および透明基板 1 0を透過して透明基板 1 0の 裏面側から射出される。

これに対して、 図 8 ( A ) 、 ( B ) に示すように発光素子 4 0を構成 すると、 光は、 矢印 h vで示すよ うに、 対向電極 o pを透過して透明基 板 1 0の表面側に射出される。 すなわち、 図 8 ( A ) に示すように、 リ チウム含有アルミニウムなどの金属膜からなる画素電極 4 1 (負極） の 表面には有機半導体膜 4 3および正孔注入層 4 2が積層され、 さらに正 孔注入層 4 2の表面には I T O膜からなる対向電極 o p (正極） が形成 されている。 この対向電極 o pも、 全面に一枚板で、 あるいはス トライ プ状に形成された共通電極で、 一定の電位に保持されている。 これに対 して、 図 8 ( A ) に示す発光素子とは逆の方向に駆動電流を流すには、 図 8 ( B ) に示すよ うに、 下層側から上層側に向かって、 リチウム含有 アルミニウムなどの金属膜からなる画素電極 4 1 (正極） 、 I T O膜層 4 6、 正孔注入層 4 2、 有機半導体層 4 3、 透光性をもつほど薄いリチ ゥム含有アルミニウム電極 4 5、 I T O膜からなる対向電極 o p (負極 ) をこの順に積層して、 発光素子 4 0を構成する場合もある。

いずれの構造を有する発光素子 4 0を形成するにあたっても、 正孔注 入層 4 2および有機半導体膜 4 3は、 後述するように、 イ ンクジェッ ト 法によりノ ンク層 b a n kの内側に形成すれば、 上下位置が反対でも製 造工程が複雑になることはない。 また、 透光性をもつほど薄いリ チウム 含有アルミ二ゥム電極 4 5、 および I T O膜層 4 6 を追加する場合でも 、 リ チウム含有アルミ二ゥム電極 4 5は画素電極 4 1 と同じ領域で積層 している構造になっていても表示に支障がなく、 I T O膜層 4 6 も対向 電極 o p と同じ領域で積層している構造になっていても表示に支障がな レ、。 それ故、 リ チウム含有アルミニウム電極 4 5 と画素電極 4 1 とはそ れぞれ別々にパターニングしてもよいが、 同じレジス トマスクで一括し てパターニングしてもよレ、。 同様に、 I T O膜層 4 6 と対向電極 o p と はそれぞれ別々にパターニングしてもよいが、 同じレジス トマスクで一 括してパターエングしてもよレ、。 リ チウム含有アルミニウム電極 4 5お よび I T O膜層 4 6 はバンク層 b a n kの内側領域のみに形成してもよ いこ とは勿論である。

さ らに、 対向電極 o pの方を I T O膜で形成し、 画素電極 4 1 の方を 金属膜で構成してもよい。 いずれも場合でも透明な I T O膜の方から光 が射出されるこ とになる。

このよ う に構成された発光素子 4 0は、 対向電極 o pおよび画素電極 4 1 をそれぞれ正極おょぴ負極と して電圧が印加され、 図 9 (図 7 ( A ) 、 図 8 ( B ) に示す発光素子 4 0の電流一電圧特性） 、 図 1 0 (図 7 ( B ) 、 図 8 ( A ) に示す発光素子 4 0の電流一電圧特性） にそれぞれ 示すよ うに、 印加電圧 （横軸 画素電極 4 1 に対する対向電極 o pの電 位） がしきい値電圧を越えた領域でオン状態、 すなわち、 低抵抗状態に なって有機半導体膜 4 3 に流れる電流 （駆動電流） が急激に増大する。 その結果、 発光素子 4 0 は、 エレク ト ロルミネ ッセンス素子あるいは L E D素子と して発光し、 発光素子 4 0の射出光は、 対向電極 o p に反射 され、 透明な画素電極 4 1および透明基板 1 0 を通して射出される。 そ れとは反.対-に、 印加電圧 （横軸ノ画素電極 4 1 に対する対向電極 o p の 電位） がしきい値電圧を下回る領域ではオフ状態、 すなわち、 高抵抗状 態になって有機半導体膜 4 3に電流 （駆動電流） が流れず、 発光素子 4 0は消灯する。 なお、 図 9、 図 1 0に示す例ではそれぞれ + 2 V付近、 一 2 V付近がしきい値電圧である。

ここで、 発光効率はやや低下する傾向にあるものの、 正孔注入層 4 2 を省略することもある。 また、 正孔注入層 4 2を用いずに、 有機半導体 層 4 3に対して正孔注入層 4 2が形成されている位置とは反対側の位置 に電子注入層を設ける場合もある。 また、 正孔注入層 4 2および電子注 入層の両方を設ける場合もある。

(T F Tの特性）

このよ うに構成した発光素子 4 0での発光を制御するための T F T ( 図 2における第 1の T F T 2 0および第 2の T F T 3 0 ) として、 Nチ ャネル型、 および Pチャネル型の T F Tの電流電圧特性を図 1 1および 図 1 2 (いずれの図においても、 ドレイン電圧が 4 V、 8 Vの例を示し てある。 ） に示す。 これらの図からわかるように、 T F Tは、 ゲート電 極に印加するゲート電圧によってオン、 オフ動作を行う。 すなわち、 ゲ ー ト電圧がしきい値電圧を越えると、 T F Tはオン状態 （低抵抗状態） になってドレイ ン電流が増大する。 これに対して、 ゲート電圧がしきい 値電圧を下回ると、 T F Tはオフ状態 （高抵抗状態） になってドレイ ン 電流が低減する。

(表示装置の製造方法）

このよ うに構成した表示装置 1の製造方法において、 透明基板 1 0上 に第 1 の T F T 2 0およぴ第 2の T F T 3 0を製造するまでの工程は、 液晶表示装置 1 のァクティブマ ト リ クス基板を製造する工程と略同様で あるため、 簡単に図 1 3を参照してその概要を説明する。

図 1 3は _、 表示装置 1 の各構成部分を 6 0 0 °C以下の温度条件下で形 成していく過程を模式的に示す工程断面図である。

すなわち、 図 1 3 (A) に示すよ う に、 透明基板 1 0に対して、 必要 に応じて、 T E O S (テ トラエ トキシシラン） や酸素ガスなどを原料ガ スと してプラズマ C VD法によ り厚さが約 2 0 0 0〜5 0 0 0オングス ト ロームのシリ コ ン酸化膜からなる下地保護膜 （図示せず。 ） を形成す る。 次に基板の温度を約 3 5 0 °Cに設定して、 下地保護膜の表面にブラ ズマ C VD法によ り厚さが約 3 0 0〜7 0 0オングス ト ロームのァモル ファスのシリ コン膜からなる半導体膜 1 0 0 を形成する。 次にァモルフ ァスのシリ コ ン膜からなる半導体膜 1 0 0 に対して、 レーザァニールま たは固相成長法などの結晶化工程を行い、 半導体膜 1 0 0 をポリ シリ コ ン膜に結晶化する。 レーザァニール法では、 たとえば、 エキシマ レーザ でビーム形状の長寸が 4 0 0 mmのライ ンビームを用い、 その出力強度 はたとえば 2 0 0 m J / c m² である。 ラインビームについてはその短 寸方向における レーザ強度のピーク値の 9 0 %に相当する部分が各領域 毎に重なるよ う にライ ンビームを走査していく。

次に、 図 1 3 (B ) に示すよ う に、 半導体膜 1 0 0 をパターニングし て島状の半導体膜 2 0 0、 3 0 0 と し、 その表面に対して、 T E O S ( テ トラエ トキシシラン） や酸素ガスなどを原料ガスと してプラズマ C V D法によ り厚さが約 6 0 0〜 1 5 0 0オングス ト ロームのシリ コ ン酸化 膜または窒化膜からなるグー ト絶縁膜 5 0 を形成する。

次に、 図 1 3 ( C ) に示すよ う に、 アルミニウム、 タンタル、 モリ ブ デン、 チタン、 タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法 によ り形成した後、 パターエングし、 走査線 g a t e の一部と してのゲ 一ト電極 2 1、 3 1 を形成する。 この工程では容量線 c 1 i n e も形成 する。 なお、 図中、 3 1 0 はゲー ト電極 3 1 の延設部分である。

この拔態-で高濃度のリ ンイオンあるいはボロンイオンなどの不純物を 打ち込んで、 シリ コ ン薄膜 2 0 0、 3 0 0にはゲート電極 2 1 、 3 1 に 対して自己整合的にソース ' ドレイ ン領域 2 2、 2 3、 3 2、 3 3を形 成する。 なお、 不純物が導入されなかった部分がチャネル領域 2 7、 3 7 となる。 本形態では、 後述するよ うに、 同一の基板上に導電型の異な る T F Tを製造する場合があるので、 その場合には、 不純物導入工程に おいて逆導電型の T F T形成領域をマスクで覆いながら不純物の導入を すすめていく。

次に、 図 1 3 (D) に示すように、 第 1の層間絶縁膜 5 1 を形成した 後、 コンタク トホーノレ 6 1 、 6 2、 6 3、 6 4、 6 9を形成し、 データ 線 s i g、 容量線 c 1 i n eおよびゲー ト電極 3 1の延設部分 3 1 0に 重なる延設部分 s t 1 を備える電位保持電極 s t、 共通給電線 c o m、 および中継電極 3 5を形成する。 その結果、 電位保持電極 s tはコ ンタ ク トホール 6 9および延設部分 3 1 0を介してゲート電極 3 1に電気的 に接続する。 このようにして第 1の T F T 2 0およぴ第 2の T F T 3 0 を形成する。 また、 容量線 c 1 i n e と電位保持電極 s tの延設部分 _s t 1 とによって保持容量 c a pが形成される。

次に、 図 1 3 (E) に示すように、 第 2の層間絶縁膜 5 2を形成し、 この層間絶縁膜には、 中継電極 3 5に相当する部分にコンタク トホール 6 5を形成する。 次に、 第 2の層間絶縁膜 5 2の表面全体に導電膜を形 成した後、 パターニングし、 コンタク トホール 6 5を介して第 2の T F T 3 0のソース ' ドレイン領域 3 2に電気的に接続する画素電極 4 1 を 形成する。

次に、 図 1 3 ( F ) に示すよ うに、 第 2の層間絶縁膜 5 2の表面側に 黒色のレジス ト層を形成した後、 この レジス トを発光素子 4 0の有機半 導体膜 4 3、 および正孔注入層 4 2を形成すべき領域を囲むように残し 、 バンク層- b a n kを形成する。 こ こで、 有機半導体膜 4 3は、 各画素 毎に独立して箱状に形成される場合、 データ線 s i gに沿ってス トライ プ状に形成される場合のいずれであっても、 それに対応する形状にバン ク層 b a n kを形成するだけで、 本形態に係る製造方法を適用できる。 次に、 バンク層 b a n k の内側領域に対してィンクジェッ トヘッ ド I Jから、 有機半導体膜 4 3を構成するための液状の材料 （前駆体） を吐 出し、 バンク層 b a n kの内側領域に有機半導体膜 4 3を形成する。 同 様に、 バンク層 b a n k の内側領域に対してイ ンクジェッ トヘッ ド I J から、 正孔注入層 4 2を構成するための液状の材料 （前駆体） を吐出し 、 バンク層 b a n kの内側領域に正孔注入層 4 2を形成する。 なお、 図 7 ( A ) 、 ( B ) およぴ図 8 ( A ) 、 ( B ) を参照して発光素子 4 0の 構造を説明したように、 その構造によっては、 有機半導体膜 4 3および 正孔注入層 4 2を形成していく順序が入れ替わることもある。

ここで、 ノ ンク層 b a n kはレジス トから構成されているため、 撥水 性である。 これに対して、 有機半導体膜 4 3ゃ正孔注入層 4 2の前駆体 は親水性の溶媒を用いているため、 有機半導体膜 4 3の塗布領域はバン ク層 b a n kによって確実に規定され、 隣接する画素にはみ出ることが ない。 また、 バンク層 b a n kを十分高く形成しておく と、 イ ンクジェ ッ ト法を用いなくてもス ピンコー ト法などといった塗布法を用いた場合 でも、 所定領域に有機半導体膜 4 3ゃ正孔注入層 4 2を形成できる。 本形態では、 有機半導体膜 4 3ゃ正孔注入層 4 2をイ ンクジエツ ト法 により形成する際の作業効率を高めるために、 図 3に示すよ うに、 走査 線 g a t eの延設方向に沿って隣接するいずれの画素 7間でも、 前記有 機半導体膜 4 3の形成領域の中心のピツチ Pを等しく してある。 従って 、 矢印 Qで示すように、 走査線 g a t eの延設方向に沿って等間隔の位 置にィンクジェッ トヘッ ド I Jから有機半導体膜 4 3 の材料などを吐出 すればよ.い-という利点がある。 また、 等ピッチの移動でよいため、 イン クジェ ッ トヘッ ド I J の移動機構が簡易になり、 かつ、 イ ンクジェ ッ ト へッ ド I J の打ち込み精度を上げるこ とも容易となる。

しかる後には、 図 1 3 (G) に示すよ うに、 透明基板 1 0の表面側に 対向電極 o p を形成する。 こ こで、 対向電極 o pは全面またはス トライ プ状に形成されるが、 対向電極 o p をス トライプ状に形成する場合には 、 透明基板 1 0の表面全体に導電膜を形成した後、 それをス ト ライプ状 にパタ一ニングする。

なお、 図 1 に示すデータ側駆動回路 3や走査側駆動回路 4にも T F T が形成されるが、 これらの T F Tは前記の画素 7に T F Tを形成してい く 工程の全部あるいは一部を援用して行われる。 それ故、 駆動回路を構 成する T F Tも、 画素 7の T F Tと同一の層間に形成されるこ とになる 本形態において、 バンク層 b a n kは黒色で絶縁性のレジス トカゝら構 成されているので、 そのまま残し、 ブラ ックマ ト リ クス BM、 および寄 生容量を低減するための絶縁層と して利用する。

すなわち、 図 1 に示すよ うに、 透明基板 1 0の周辺領域に対しても前 記のバンク層 b a n k (形成領域に斜線を付してある。 ） を形成する。 従って、 データ側駆動回路 3および走査側駆動回路 4はいずれも、 バン ク層 b a n k によつて覆われているため、 これらの駆動回路の形成領域 に対して対向電極 o pが重なる状態にあっても、 駆動回路の配線層と対 向電極 o p との間にバンク層 b a n kが介在することになる。 それ故、 駆動回路 3、 4に容量が寄生することを防止できるので、 データ側駆動 回路 3の負荷を低減でき、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化を図 るこ とができ る。

また、 本形態では、 図 3ないし図 5に示すよ うに、 データ線 s i gに 重なるよ.う-にバンク層 b a n k を形成してある。 従って、 データ線 s i g と対向電極 o p との間にバンク層 b a n kが介在することになるので 、 データ線 s i gに容量が寄生するこ とを防止できる。 その結果、 駆動 回路の負荷を低減できるので、 低消費電力化あるいは表示動作の高速化 を図るこ とができる。

さ らに、 本形態では、 図 3、 図 4、 および図 6 ( A ) に示すよ うに、 画素電極 4 1 と中継電極 3 5 とが重なる領域にもバンク層 b a n k を形 成するとよい。 すなわち、 図 6 ( B ) に示すよ う に、 画素電極 5 1 と中 継電極 3 5 とが重なる領域にバンク層 b a n kが形成されていない場合 、 たとえ画素電極と対向電極 o p との間に駆動電流が流れて有機半導体 膜 4 3が発光しても、 この光は中継電極 3 5 と対向電極 o p とに挟まれ ているため出射されず、 表示に寄与しない。 かかる表示に寄与しない部 分で流れる駆動電流は、 表示という面からみて無効電流といえる。 しか るに本形態では、 このよ うな無効電流が流れるはずの部分にバンク層 b a n k を形成し、 そこに駆動電流が流れることを防止するので、 共通給 電線 c o mに無駄な電流が流れるこ とが防止できる。 それ故、 共通給電 線 c o mの幅はその分狭く てよい。

また、 前記のよ うに黒色のレジス トで構成したバンク層 b a n k を残 しておく と、 バンク層 b a n kはブラ ックマ ト リ クスと して機能し、 輝 度、 コ ン トラス ト比等の表示の品位が向上する。 すなわち、 本形態に係 る表示装置 1 では、 対向電極 o pが透明基板 1 0の表面側の全面、 ある いは広い領域にわたってス トライプ状に形成されるため、 対向電極 o p での反射光がコン トラス ト比を低下させる。 しかるに本形態では、 有機 半導体膜 4 3 の形成領域を規定しながら寄生容量を抑える機能を有する ノくンク層 b a n k を黒色のレジス トで構成したため、 バンク層 b a n k はブラ ックマ ト リ クスと しても機能し、 対向電極 o pからの無駄な反射 光を遮るの-で、 コ ン ト ラス ト比が高いという利点がある。 また、 バンク 層 b a n kを利用して自己整合的に発光領域を規定することができるの で、 バンク層 b a n kをブラックマ ト リ クスとして用いずに別の金属層 などをブラックマ ト リ クスとして用いたときに問題となる発光領域との ァライメント余裕が不要である。

(アクティブマ ト リ クス基板の別の構成）

なお、 本発明は上記の構成に限らず、 各種のアクティブマ ト リ クス基 板に適用できる。 たとえば、 図 3 1 を参照して説明したように、 透明基 板 1の上において、 1本のデータ線 s i g、 1本の共通給電線 c o m、 1列の画素 7を 1つの単位として走査線 g a t eの延設方向に繰り返し た構成の表示装置 1 Aについても本発明を適用できる。

また、 保持容量 c a pについては、 容量線を用いずに、 共通給電線 c o mと電位保持電極 s t との間に構成してもよい。 この場合には、 図 1 4 ( A ) 、 ( B ) に示すように、 電位保持電極 s t とゲート電極 3 1 と を電気的に接続させるためのグート電極 3 1の延設部分 3 1 0を共通給 電線 c o mの下層側にまで拡張し、 この延設部分 3 1 0 と共通給電線 c o mとの間の位置する第 1の層間絶縁膜 5 1 を誘電体膜とする保持容量 c a pを構成する。

さらに、 保持容量 c a pについては、 図示を省略するが、 丁 F Tを構 成するためのポリシリ コ ン膜を利用して構成してもよく、 また、 容量線 や共通給電線に限らず、 前段の走査線との間に構成することも可能であ る。

[実施の形態 1 ]

図 1 5は、 本形態の表示装置 1 の画素構成を示す等価回路図である。 図 1 6 ( A ) 、 ( B ) はそれぞれ、 各画素に構成された各素子の電気的 な接続状態を示す説明図、 および駆動信号などの電位変化を示す波形図 である。 - - 図 1 5、 図 1 6 (A) 、 ( B ) に示すように、 本形態では、 第 1の T F T 2 0は Nチャネル型である。 従って、 走査線 g a t eから供給され る走査信号 S gateが高電位になったときに、 第 1 の T F T 2 0がオン状 態になって、 データ線 s i gから第 1の T F T 2 0を介して保持容量 c a pに画像信号 d a t aが書き込まれ、 走査線 g a t eから供給される 走査信号 S gateが低電位になつている間は、 保持容量 c a pに保持され た画像信号 d a t aによつて第 2の T F T 3 0が駆動制御される。 本形態では、 第 2の T F T 3 0も Nチャネル型である。 従って、 デー タ線 s i gからは、 点灯状態とすべき画素の保持容量 c a pには高電位 側の画像信号 d a t eが書き込まれ、 消灯状態とすべき画素の保持容量 c a pには低電位側の画像信号 d a t eが書き込まれ、 それに応じて、 電位保持電極 s tの電位が変化する。

ここで、 第 2の T F T 3 0のゲー ト電圧 V g cur は、 共通給電線 c o mの電位、 および画素電極 3 0の電位のうちの低い方の電位と、 電位保 持電極 s tの電位との差に相当する。 しかるに本形態では、 発光素子 4 0の対向電極 o pの電位に対して共通給電線 c o mの電位を低く して、 第 2の T F T 3 0がオン状態になったときには、 矢印 Fで示すよ うに、 発光素子 4 0の方から共通給電線 c o mの方に電流が流れるように構成 してある。 このため、 第 2の T F T 3 0のグート電圧 V g cur は、 共通 給電線 c o mの電位と電位保持電極 s tの電位との差に相当する。 この 共通給電線 c o mの電位については、 共通給電線 c o mの電位と対向電 極 o pの電位との間の電位に相当する画素電極 3 0の電位と相違して、 十分に低い値に設定することができる。 従って、 本形態では、 第 2の T F T 3 0のゲート電圧 V g cur を十分、 高い値とすることができるため 、 第 2の T F T 3 0のオン電流が大きいので、 高い輝度で表示を行うこ とができ.る-。 また、 画素を点灯状態とする際に、 第 2の T F T 3 0のゲ ート電圧 V g cur と して高い値が得られるのであれば、 その分、 そのと きの電位保持電極 s t の電位、 すなわち、 画像信号 d a t a の高電位側 の電位を下げることができ るので、 画像信号 d a t a の振幅を小さく し 、 表示装置 1における駆動電圧を下げることができる。

なお、 第 2の T F T 3 0のオン電流は、 ゲー ト電圧 V g cur に限らず 、 ドレイ ン電圧にも依存するが、 上記の結論が変わることはない。 また、 本形態では、 第 2の T F T 3 0のオン電流が共通給電線 c o m の電位と電位保持電極 s tの電位との差に規定され、 対向電極 o pの電 位から直接的な影響を受けないので、 画素を点灯状態とするための画像 信号 d a t aの高電位側の電位を、 対向電極 o pの電位より低い電位に まで下げ、 画像信号 d a t aの振幅を小さく して、 表示装置 1における 駆動電圧の低電圧化を図ってある。 なお、 画素を点灯状態とするための 画像信号 d a t aの高電位側の電位を、 対向電極 o p と等電位にまで下 げ、 画像信号 d a t aの振幅を小さく してもよい。

さらに、 本形態では、 消灯状態とすべき画素に対してデータ線 s i g から供給される画像信号 d a t aの電位を、 共通給電線 c o mの電位と 比較してやや高電位側にしてある。 第 2の T F丁 3 0は Nチャネル型で あるため、 それを完全にターンオフさせるには、 第 2の T F T 3 0のゲ 一ト電圧 V g cur を負 （共通給電線 c o mより低い電位） とすることに なる。 または、 第 2の T F T 3 0のゲ一 ト電圧 V g cur の絶対値が第 2 の T F T 3 0のしきい値電圧の絶対値に相当するレベルよ りやや低い電 位となるなるよ うに、 画像信号 d a t aの低電位側の電位を高めに設定 する。 このときは、 消灯状態にある画素 7において第 2の T F T 3 0の ゲート電圧を、 第 2の T F T 3 0がオン状態となるときの極性と同じで 、 かつ、 第 2の T F T 3 0のしきい値電圧を下回る値に設定する。 この 時、 画像信号 d a t aの低電位側の電位を上記の通りに高めに設定した 場合でも、 第 2の T F T 3 0は高抵抗状態にあって、 オン電流が極めて 小さいので、 発光素子 4 0は消灯にある。 なお、 消灯状態とすべき画素 に対してデータ線 s i gから供給される画像信号 d a t aの電位を、 共 通給電線 c o mと等電位にして画像信号 d a t aの振幅を小さく しても よい。

このよ うに画像信号 d a t a の低電位側の電位を第 2の T F T 3 0の しきい値を越えない程度に高めに設定すると、 画像信号 d a t aの振幅 を小さくできるので、 画像信号 d a t aの駆動電圧を下げることができ る。 しかも、 前記のとおり、 画素を点灯状態とするための面像信号 d a t aの高電位側の電位を、 対向電極 o pの電位より低い電位にまで下げ てあるので、 画像信号 d a t aの電位は、 対向電極 o p と共通給電線 c o mとで規定されるレンジ内におさまる。 それ故、 表示装置 1における 駆動電圧を下げることができ、 表示装置 1の消費電力を下げることがで きる。 また、 このよ う に構成しても、 画質の低下、 動作の異常、 動作可 能な周波数の低下を招く ものではなく、 表示装置 1の駆動電圧が低い分 、 薄膜から構成した各素子で懸念されていた耐電圧 （絶縁耐圧） の問題 が顕在化しないという利点もある。

[実施の形態 1の変形例]

図 1 7は、 本形態の表示装置 1の画素構成を示す等価回路図である。 図 1 8 ( A ) 、 ( B ) はそれぞれ、 各画素に構成された各素子の電気的 な接続状態を示す説明図、 および駆動信号などの電位変化を示す波形図 である。 なお、 本形態では、 実施の形態 1 とは反対に、 第 1の T F T 2 0および第 2の T F T 3 0のいずれをも Pチャネル型の T F Tで構成し てある。 但し、 本形態は、 実施の形態 1 と同一の技術的思想のもとで各 素子を駆動制御することとし、 実施の形態 1で説明した駆動信号の極性 を反転させてあるだけであり、 その他の点については同様な構成を有す るものであるため、 構成については簡単に説明するだけとする。

図 1 7、 図 1 8 ( A) 、 ( B ) に示すよ うに、 本形態では、 第 1の T F T 2 0は Pチヤネル型であるため、 走査線 g a t eから供給される走 査信号 S gateが低電位になったときに、 第 1 の T F T 2 0がオン状態に なる。

本形態では、 第 2の T F T 3 0も Pチャネル型である。 従って、 デー タ線 s i gからは、 点灯状態とすべき画素の保持容量 c a pに低電位側 の画像信号 d a t eが書き込まれ、 消灯状態とすべき画素の保持容量 c a pには高電位側の画像信号 d a t eが書き込まれる。

ここで、 第 2の T F T 3 0のゲ一 ト電圧 V g cur は、 共通給電線 c o mの電位、 および画素電極 3 0の電位のうちの高い方の電位と、 電位保 持電極 s tの電位との差に相当する。 しかるに本形態では、 発光素子 4 0の対向電極 o pの電位に対して共通給電線 c o mの電位を高く して、 第 2の T F T 3 0がオン状態になつたときには、 矢印 Eで示すように、 共通給電線 c o mの方から発光素子 4 0の方に電流が流れるように構成 してある。 このため、 第 2の T F T 3 0のゲート電圧 V g cur は、 共通 給電線 c o mの電位と電位保持電極 s t の電位との差に相当する。 この 共通給電線 c o mの電位については、 共通給電線 c o mの電位と対向電 極 o pの電位との間の電位に相当する画素電極 3 0の電位と相違して、 十分に高い値に設定することができる。 従って、 本形態では、 第 2の T F T 3 0のゲー ト電圧 V g cur を十分、 高い値とすることができるため 、 第 2の T F T 3 0のオン電流が大きいので、 高い輝度で表示を行う こ とができる。 また、 画素を点灯状態とする際に、 第 2の T F T 3 0のゲ ー ト電圧 V g cur として高い値が得られるのであれば、 その分、 そのと きの電位保持電極 s t の電位、 すなわち、 画像信号 d a t a の低電位側 の電位を上げることができるので、 画像信号 d a t aの振幅を小さくで き る。

また、 本形態では、 第 2の T F T 3 0のオン電流が対向電極 o p の電 位から直接的には影響を受けないので、 画素を点灯状態とするための画 像信号 d a t a の低電位側の電位を、 対向電極 o pの電位よ りやや高い 電位まで上げ、 画像信号 d a t a の振幅を小さく してある。 なお、 画素 を点灯状態とするための画像信号 d a t a の低電位側の電位を、 対向電 極 o p と等電位にまで上げ、 画像信号 d a t a の振幅を小さ く してもよ い

さ らに、 本形態では、 消灯状態とすべき画素に対してデータ線 s i g から供給される画像信号 d a t a の電位を、 共通給電線 c o mの電位と 比較してやや低電位にまで下げてある。 すなわち、 第 2の T F T 3 0の ゲ一 ト電圧 V g cur の絶対値がこの T F Tのしきい値電圧の絶対値に相 当する レベルよ りやや低い電位となるなるよ うに、 画像信号 d a t aの 高電位側の電位を低めに設定してある。 これによ り、 第 2の T F T 3 0 ではオン電流が極めて小さ く なり 、 発光素子 4 0 は消灯にある。 なお、 消灯状態とすべき画素に対してデータ線 s i gから供給される画像信号 d a t a の電位を、 共通給電線 c o mと等電位にして画像信号 d a t a の振幅を小さく してもよい。

このよ う に画像信号 d a t a の低電位側の電位を高めに設定し、 かつ 、 画素を点灯状態とするための画像信号 d a t a の高電位側の電位を低 めに設定してあるので、 画像信号 d a t a の電位は、 対向電極 o p と共 通給電線 c o mとで規定される レンジ内におさまる。 それ故、 表示装置

1 における駆動電圧を下げることができ、 表示装置 1 の消費電力を下げ るこ とができるなど、 実施の形態 1 と同様な効果を奏する。

[実施の形態 2 ]

図 1 9は、 本形態の表示装置 1 の画素構成を示す等価回路 [¾ "である。 図 2 0 (A) 、 ( B ) はそれぞれ、 各画素に構成された各素子の電気的 な接

続状態を示す説明図、 および駆動信号などの電位変化を示す波形図である 図 1 9、 図 2 0 ( A) 、 ( B ) に示すように、 本形態では、 第 1の T F T 2 0を Nチャネル型の T F Tで、 第 2の T F T 3 0を Pチャネル型 の T F Tで構成してある。 第 2の T F T 3 0は Pチャネル型であるため 、 データ線 s i gからは、 点灯状態とすべき画素の保持容量 c a pには 低電位側の画像信号 d a t eが書き込まれ、 消灯状態とすべき画素の保 持容量 c a pには高電位側の画像信号 d a t eが書き込まれる。 第 2の T F T 3 0のゲート電圧 V g cur は、 共通給電線 c o mの電位、 および 画素電極 3 0の電位のうちの高い方の電位と、 電位保持電極 s tの電位 との差に相当する。

本形態では、 発光素子 4 0 の対向電極 o pの電位に対して共通給電線 c o mの電位を高く して、 第 2の T F T 3 0のゲート電圧 V g cur は、 共通給電線 c o mの電位と電位保持電極 s t の電位との差に相当するよ うに構成してある。 この共通給電線 c o mの電位については、 画素電極 4 1 と比較して十分に高い値に設定することができるので、 第 2の T F T 3 0のオン電流が大きく、 高い輝度で表示を行うことができる。 また 、 その分、 そのときの電位保持電極 s tの電位、 すなわち、 画像信号 d a t aの低電位側の電位を上げることができるので、 画像信号 d a t a の振幅を小さくできる。 また、 第 2の T F T 3 0のオン電流が対向電極 o pの電位から直接的には影響を受けないので、 画素を点灯状態とする ための画像信号 d a t aの低電位側の電位を、 対向電極 o pの電位より 高い電位、 あるいは等電位にまで上げ、 画像信号 d a t aの振幅を小さ く してある。 さらに、 本形態では、 消灯状態とすべき画素に対してデー タ線 s i .gから供給される画像信号 d a t a の電位を、 共通給電線 c o mの電位と比較してやや低電位、 あるいは等電位にして画像信号 d a t a の振幅を小さく してある。 それ故、 画像信号 d a t a の電位を、 対向 電極 o p と共通給電線 c o mとで規定されるレンジ内におさめ、 ひいて は表示装置 1における駆動電圧を下げてあるので、 表示装置 1 の消費電 力を下げることができるなど、 実施の形態 1、 あるいはその変形例と同 様な効果を奏する。

本形態では、 第 1の T F T 2 0は Nチャネル型で、 第 2の T F T 3 0 と逆導電型であるため、 画素を選択するときの走査線 g a t eの電位 （ 走査信号 S gate) は高電位である。 このときの第 1 の T F T 2 0のグー ト電圧 V g swは、 走査信号 S gateの高電位にある電位と電位保持電極 s t (保持容量 s tの電位、 第 2の T F T 3 0のゲー ト電極の電位） との 電位差に相当する。 ここで、 第 2の T F T 3 0は Pチャネル型であるた め、 画素 7を点灯させるための画像信号 d a t aは低電位側であり、 画 素 7の選択期間中、 電位保持電極 s t の電位は低下していく。 従って、 第 1 の T F T 2 0のゲート電圧 V g swは、 オン電流が増大する方にシフ トしていく。

一方、 第 2の T F T 3 0のゲート電圧 V g cur は、 共通給電線 c o m と電位保持電極 s t との電位差に相当し、 選択した画素 7が点灯状態に あるときには、 選択期間中、 電位保持電極 s t の電位は低下する傾向に あるため、 第 2の T F T 3 0のゲート電圧 V g cur は、 オン電流が増大 する方にシフ トしていく。

このよ う に、 本形態では、 第 1 の T F T 2 0 と第 2の T F T 3 0 と力； 逆導電型である,ため、 第 1の T F T 2 0の書き込み能力を上げるために は走査信号 S gateの選択パルス高を高く し、 発光素子 4 0 の輝度を上げ るために第 2の T F T 3 0のオン抵抗を下げるべく画像信号 d a t aを 低くすることになる。 このよ うな走査信号 S gateの選択パルス高と画像 信号 d a t a とに対する最適化は、 画素 7の選択期間中、 発光素子 4 0 を点灯させるレベルの画像信号 d a t aが保持容量 c a pに書き込まれ ていくにつれて、 第 1 の T F T 2 0のゲート電圧に対して、 当該 T F T のオン電流が増大する方にシフ ト させるのに効く。 それ故、 データ線 s i gから第 1の T F T 2 0を介して保持容量 c a pに画像信号 d a t a がスムーズに書き込まれる。 ここで、 画素 7を選択する際の第 1の T F T 2 0のグー ト電圧 V g swは、 走査信号 S gateの高電位に相当する電位 と電位保持電極 s t の電位 （保持容量 c a pの電位、 または第 2の T F T 3 0のゲート電極の電位） との差に相当し、 第 2の T F T 3 0のゲー ト電圧 V g cur は、 共通給電線 c o mの電位と電位保持電極 s t の電位 との差に相当し、 電位保持電極 s tの電位を基準にしたときには、 走査 信号 S gateの高電位に相当する電位と共通給電線 c o mの電位は同じ極 性である。 従って、 電位保持電極 s t の電位を変更すれば、 その分、 第

1 の T F T 2 0のゲート電圧 V g swおよび第 2の T F T 3 0のゲ一ト電 圧 V g cur の双方が同じ方向に同じ分だけシフ トする。 それ故、 表示装 置 1の駆動電圧レンジの範囲内で、 点灯のための画像信号 d a t aの電 位を、 第 1の T F T 2 0のオン時の抵抗が小さくなる方向に変更すれば 、 表示動作の高速化を図ることができるとともに、 このときには第 2の T F T 3 0のオン時の抵抗が小さくなる方向に点灯のための画像信号 d a t aの電位が変更したことになるので、 輝度の向上を図ることができ る。 よって、 駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成する ことができる。

[実施の形態 2の変形例]

図 2 1は、 本形態の表示装置 1の画素構成を示す等価回路図である。 図 2 2 ( A) 、 ( B ) はそれぞれ、 各画素に構成された各素子の電気的 な接続状態を示す説明図、 および駆動信号などの電位変化を示す波形図 である。 なお、 本形態では、 実施の形態 2とは反対に、 第 1の T F T 2 0を Pチャネル型と し、 第 2の T F T 3 0を Nチャネル型の T F Tで構 成してある。 但し、 本形態は、 実施の形態 2と同一の技術的思想のもと で各素子を駆動制御することと し、 実施の形態 2で説明した駆動信号の 極性を反転させ

てあるだけであるため、 その構成を簡単に説明するに止める。

図 2 1、 図 2 2 (A) 、 ( B ) に示すように、 本形態では、 実施の形 態 1 と同様、 第 2の T F T 3 0は Nチャネル型であるため、 データ線 s i gからは、 点灯状態とすべき画素の保持容量 c a pには高電位側の画 像信号 d a t eが書き込まれ、 消灯状態とすべき画素の保持容量 c a p には低電位側の画像信号 d a t eが書き込まれる。 ここで、 第 2の T F T 3 0のゲー ト電圧 V g cur は、 共通給電線 c o mの電位、 および画素 電極 3 0の電位のうちの低い方の電位と、 電位保持電極 s tの電位との 差に相当する。 しかるに本形態では、 発光素子 4 0の対向電極 o pの電 位に対して共通給電線 c o mの電位を低く してあるため、 第 2の T F T 3 0のゲー ト電圧 V g cur は、 共通給電線 c o mの電位と電位保持電極 s tの電位との差に相当する。 この共通給電線 c o mの電位については 十分に低く電位とすることができるので、 第 2の T F T 3 0のオン電流 が大きく、 高い輝度で表示を行うことができる。 または、 輝度が高い分 、 そのときの電位保持電極 s tの電位、 すなわち、 画像信号 d a t aの 高電位側の電位を上げて、 画像信号 d a t aの振幅を小さくできる。 ま た、 第 2の T F T 3 0のオン電流が对向電極 o pの電位から直接的には 影響を受けないので、 画素を点灯状態とするための画像信号 d a t aの 高電位側の電位を、 対向電極 o pの電位より低い電位、 あるいは等電位 にまで下げ、 画像信号 d a t aの振幅を小さく してある。 さらに、 本形 態では、 - .消灯状態とすべき画素に対してデータ線 s i gから供給される 画像信号 d a t aの電位を、 共通給電線 c o mの電位と比較してやや高 電位、 あるいは等電位にして画像信号 d a t aの振幅を小さく してある 。 それ故、 画像信号 d a t a の電位を、 対向電極 o p と共通給電線 c o mとで規定されるレンジ内におさめ、 表示装置 1 における駆動電圧を下 げてあるので、 表示装置 1の消費電力を下げることが

できるなど、 実施の形態 1、 あるいはその変形例と同様な効果を奏する。 本形態では第 1の T F T 2 0は Pチャネル型で、 第 2の T F T 3 0 と 逆導電型であるため、 画素を選択するときの走査線 g a t e の電位 （走 査信号 S gate) は低電位である。 これに対して、 第 2の T F T 3 0は N チャネル型であるため、 画素 7を点灯させるための画像信号 d a t aは 高電位側である。

このように、 本形態では、 第 1の T F T 2 0 と第 2の T F T 3 0 と力 S 逆導電型であるため、 第 1 の T F T 2 0の書き込み能力を上げるために は走査信号 S gateの選択パルスの電位を低く し、 発光素子 4 0の輝度を 上げるために第 2の T F T 3 0のオン抵抗を下げるベく画像信号 d a t aの電位を低くすることになる。 このような走査信号 S gateの選択パル ス高と画像信号 d a t a とに対する最適化は、 画素 7の選択期間中、 発 光素子 4 0を点灯させるレベルの画像信号 d a t aが保持容量 c a pに 書き込まれていくにつれて、 第 1の T F T 2 0のゲ一 ト電圧に対して、 当該 T F Tのオン電流が増大する方にシフ トさせるのに効く。 従って、 電位保持電極 s tの電位を基準にしたときには、 走查信号 S gateの低電 位に相当する電位と共通給電線 c o mの電位は同じ極性であるため、 電 位保持電極 s t.の電位を変更すれば、 その分、 第 1の T F T 2 0のゲー ト電圧 V g swおよぴ第 2の T F T 3 0のゲー ト電圧 V g cur の双方が同 じ方向に同じ分だけシフ トする。 それ故、 表示装置 1の駆動電圧レンジ の範囲内.で-、 点灯のための画像信号 d a t aの電位を、 第 1の T F T 2 0のオン時の抵抗が小さ く なる方向に変更すれば、 表示動作の高速化を 図るこ とができ る。 このときには第 2の T F T 3 0 のオン時の抵抗が小 さ く なる方向に点灯のための画像信号 d a t a の電位を変更したこ とに なるので、 輝度の向上を図るこ ともできる。 よって、 実施の形態 2 と同 様、 駆動電圧の低電圧化と表示品位の向上とを併せて達成するこ とがで きる。

尚、 上述の実施の形態 2及ぴ実施の形態 2の変形例において、 最適な駆 動方法について図 2 5 を用いて説明する。

実施の形態 2においては、 第 1 の T F Tは Nチャネル型であり、 第 2 の T F Tは Pチャネル型である。 図 2 5に示されるよ う に、 発光素子 4 0 を消灯させる際には、 画像信号 d a t a の電位を共通給電線 c o mの 電位よ り も高く して Pチャネル型の第 2の T F T 3 0 をターンオフさせ ているが、 本形態では、 図 2 5に示すよ うに、 発光素子 4 0 を消灯させ る場合でも、 第 2の T F T 3 0 を完全にターンオフさせない。 すなわち 、 本形態では、 第 2の T F T 3 0が Pチャネル型であるため、 それを完 全にターンオフさせるには、 ゲー ト電圧 V g cur を O V (共通給電線 c o mと同電位） 、 あるいは正の電位 （共通給電線 c o mよ り高い電位） とすることになるが、 本形態では、 第 2の T F T 3 0のゲー ト電圧 V g cur がこの T F Tのしきい値電圧 V thp(cur)に相当する レベルよ りやや 高い電位となるなるよ うに、 画像信号 d a t a の消灯時の電位を低めに 設定してある。 従って、 消灯状態にある画素 7 において第 2の T F T 3 0に印加されるゲー ト電圧は、 第 2の T F T 3 0がオン状態となるとき の極性と同じであるが、 第 2の T F T 3 0のしきい値電圧 （Vthp(cur) ) を上回るよ うな値である。 例えば、 第 2の T F T 3 0のしきい値電圧 ( Vthp(cur)) を一 4 Vと したとき、 消灯状態で第 2の T F T 3 0 に印 加されるゲ一 ト電圧は一 3 Vとする。 このよ う に第 1 の T F Tが N型、 第 2の T F Tが P型の場合、 画像信 号 d a t aの消灯側の電位を従来より低めに設定すると、 画像信号 d a t a の振幅を小さくできるので、 画像信号 d a t a の低電圧化および高 周波化を図ることができる。 また、 このよ うに画像信号 d a t aの消灯 側の電位を低めに設定した場合でも、 Pチャネル型の第 2の T F T 3 0 では、 しきい値電圧 Vthp (cur)に相当するレベルよりやや高めの電位で あるので、 消灯時に流れる電流は極めて小さい。 また、 発光素子 4 0に かかる電圧が低ければ、 極めて小さい駆動電流しか流れ込まない。 それ 故、 発光素子 4 0を消灯させるのに実質上、 問題点がない。

また、 本形態では、 画像信号 d a t aの消灯時の電位が共通給電線 c o mの電位を越える必要がなければ、 共通給電線 c o mの電位を比較的 高めに設定できる。 そこで、 本形態では、 共通給電線 c o mの電位を、 第 1の T F T 2 0をオン状態にするときの走查信号 S gateの電位と等し く してある。 それ故、 走查側駆動回路において、 走查信号 S gateの高電 位として用いた信号レベルをそのまま共通給電線 c o mに供給すればよ いので、 本形態の表示装置 1では、 使用する駆動信号のレベルの数が少 なくて済み、 表示装置 1に駆動信号を入力するための端子数を減らすこ とができる。 また、 電源数を減らすことができるため、 電源回路の低消 費電力化、 省スペース化を図ることができる。

この場合には、 第 1の T F T 2 0が Nチャネル型で、 第 2の T F T 3 0が Pチャネル型なので、 消灯状態にある画素 7の第 2の T F T 3 0に 印加されるゲー ト電極の電位は、 第 1の T F T 2 0をオン状態にすると きの走查信号 g_a t e の電位から当該第 1 の T F T 2 0 のしきい値電圧 Vthn(sw) を差し引いた電位より も低電位にする。 すなわち、 画素 7を 消灯状態にするときの画像信号 d a t a (電位保持電極 s t の電位） と 共通給電線 c o mとの電位差 Voff の絶対値を下式 V thn(sw) < I Voff I

に示すように、 第 1の T F T 2 0のしきい値電圧 Vthn(sw) よ り も大き く設定し、 画素 7を選択する際の第 1の T F T 2 0の書き込み動作に支 障が発生することを防止すればよい。 .

なお、 実施の形態 2の変形例の第 1の T F T 2 0が Pチヤネル型で、 第 2の T F T 3 0が Nチャネル型の場合には、 図 2 6および図 2 7 ( A ) 、 (B ) を参照して後述するように、 本形態で説明した各信号の相対 的な高低を入れ換えて、 第 1 の T F T 2 0や第 2の T F T 3 0に印加さ れる電圧の極性を反転させることになる。 この場合でも、 本形態のよう に、 発光素子 4 0を消灯させる際に第 2の T F T 3 0を完全にターンォ フさせなければ、 画像信号 d a t aの低電圧化および高周波化を図るこ とができる。 また、 共通給電線 c o mの電位を、 第 1の T F T 2 0をォ ン状態にするときの走查信号 S gateの電位と等しくすることにより、 電 源数を減らすことができる。 この場合には、 画素 7を選択する際の第 1 の T F T 2 0の書き込み動作に支障がないように、 消灯状態にある画素 7の第 2の T F T 3 0に印加されるゲ一 ト電極の電位は、 第 1の T F T 2 0をオン状態にするときの走査信号 g a t eの電位に当該第 1 の T F T 2 0のしきい値電圧 Vthn(sw) を加えた電位よ り も高電位にする。

[実施の形態 3 ]

本形態は、 図 2 3にその等価回路を示すように、 実施の形態 2 と同様 、 いずれの画素 7においても第 1の T F T 2 0を Nチャネル型とし、 第 2の T F T 3 0を Pチャネル型と した構成の一例である。 また、 本形態 に係る表示装置 1でも、 第 2の T F T 3 0が Pチャネル型なので、 発光 素子 4 0の対向電極 o p の電位に対して共通給電線 c o mの電位を高く してある。 従って、 第 2の T F T 3 0がオン状態になったときには、 矢 印 Eで示すよ うに、 共通給電線 c o mの方から発光素子 4 0の方に電流 が流れる。 尚、 実施の形態 2 と同様であるため、 共通する点については 説明を省略し、 異なる点についてのみ記載する。 実施の形態 2では保持 容量が設けられていたが、 本実施の形態では、 保持容量 c a pが無い点 で異なる。 このよ うな構成とするこ とによ り、 出に保持電極 s t の電位 の変化を大き くするこ とができる。

なお、 第 1 の T F T 2 0が Pチャネル型で、 第 2の T F T 3 0が N チャネル型の場合には、 図 2 6および図 2 7 (A) , (B ) を参照して 後述するよ うに、 本形態で説明した各信号の相対的な高低を入れ換えて 、 第 1 の T F T 2 0や第 2の T F T 3 0 に印加される電圧の極性を反転 させるこ とになる。 この場合でも、 第 1 の T F T 2 0の書き込み能力を 上げるために走查信号の選択パルスの電位を低く し、 第 2の T F T 3 0 のオン抵抗を下げて発光輝度を上げるためには画像信号の電位を高くす るこ とになる。

[実施の形態 3の変形例]

なお、 上記実施の形態 3では、 いずれの画素 7 においても、 第 1 の T F T 2 0が Nチャネル型で、 第 2の T F T 3 0が Pチャネル型の場合を 説明したが、 図 2 6 に等価回路を示すよ う に、 第 1 の T F T 2 0が Pチ ャネル型で、 第 2の T F T 3 0が Nチャネル型と して構成してもよい。 この図に示す例では、 発光素子 4 0の対向電極 o pの電位に対して共通 給電線。 o mの電位を低く して、 第 2の T F T 3 0 がオン状態になった ときには、 矢印 Fで示すよ うに、 発光素子 4 0の対向電極 o pの方から 共通給電線 c o mの方に電流が流れるよ う に構成してある。

このよ う に画素 7 を構成した場合には、 図 2 7 ( A) 、 (B ) に示す よ うに、 図 2 4 ( A) に示した波形の各駆動信号の極性を反転させるこ とになる。

なお、- 実-施の形態 3においては、 第 1 の T F T 2 0が Nチャネル型で 、 第 2の T F T 3 0が Pチャネル型のときには、 発光素子 4 0の対向電 極 o pの電位に対して共通給電線 c o mの電位を低く して、 第 2の T F T 3 0がオン状態になったときは、 発光素子 4 0の対向電極 o p の方か ら共通給電線 c o mの方に電流が流れるように構成する場合もあり、 こ のよ うに構成した場合でも、 第 1の T F T 2 0およぴ第 2の T F T 3 0 を逆導電型にしたことの効果については得ることができる。 それとは逆 に、 第 1の T F T 2 0が Pチャネル型で、 第 2の T F T 3 0が Nチヤネ ル型のときには、 発光素子 4 0の対向電極 o pの電位に対して共通給電 線 c o mの電位を高く して、 第 2の T F T 3 0がオン状態になったとき は、 共通給電線 c o mの方から発光素子 4 0の方に電流が流れるように 構成した場合も、 第 1の T F T 2 0および第 2の T F T 3 0を逆導電型 にしたことの効果については得ることができる。

[実施の形態 4 ]

上記のいずれの形態 1 、 2、 3においても、 図 2 8 ( A) 、 ( B ) を 参照して説明するように、 保持容量 c a pの両電極のうち、 第 2の T F T 3 0のゲー ト電極に電気的に接続する電極とは反対側の電極には、 走 查信号 g a t e の選択パルスよ り遅延して該選択パルスとは電位が逆方 向に振れるパルスが供給されるよ うに構成してもよい。

ここに示す例では、 図 2 8 ( A) に示すように、 保持容量 c a pの両 電極のうち、 第 2の T F T 3 0のゲ一ト電極に電位保持電極 s t を介し て電気的に接続する電極とは反対側の電極が、 走査線 g a t e と並列す るよ うに延設された容量線 c 1 i n eで構成されている。

この容量線 c 1 i n eには、 図 2 8 ( B ) に示すように、 走査信号 S gateの選択パルス P gateより遅延して該選択パルス P gateとは電位が逆 方向に振れるパルス信号 P stg を含む電位 s t gが供給されるように構 成されて.い-る。 パルス信号 P stg は、 該選択パルス P gateが非選択状態になった後、 保持容量 c a pの容量結合を利用して画像信号 d a t a の電位をシフ ト させる。 このため、 画素 7が消灯状態の保持容量 c a pには画像信号 d a t a の電位にパルス信号 P stg の電位を加算した分の信号が保持され る。 画像信号 d a t a の高電位側の信号は第 1 の T F T 2 0のオン抵抗 が大きいため、 書き込みを限られた時間で十分に行う は難しい。 この例 では、 書き込みが十分でない場合、 点灯できないこ とになる。 しかし、 本形態の実施例を用いるこ とによ り、 保持容量 c a pへの画像信号 d a t a の書き込みを捕う こ とができる。 それでいて、 駆動信号の電位の最 大レンジが拡がるこ とがない。

このよ う にして、 容量線 c 1 i n e にパルス信号 P stg をのせるにあ たっては、 図 2 9に示すよ うに、 容量線 c 1 i n e を走査側駆動回路 4 から引き出すと と もに、 走査側駆動回路 4においては、 いずれのゲー ト 段にもシフ ト レジスタ 4 0 1 からの出力信号を N A N Dグー ト回路およ ぴインバータを介して走査線 g _a t e に走查信号 S gateと して出力する 一方、 シフ ト レジスタ 4 0 1 からの出力信号を N A N Dゲー ト回路およ び 2段のイ ンバータを介して遅延させながら、 図 3 0 に示すよ うに、 高 電位側の電源レベルを V d dから電位 V c c y にレベルシフ ト して容量 線 c 1 i n e に出力すればよい。

上述の実施の形態及びそれらの変形例においては、 保持容量を付加す る場合は、 容量線 c 1 i n e を設けたタイプの発光素子について説明し た。 しかしながら、 本実施の形態はこのよ うな容量線 c 1 i n e を設け る構成に限るものではなく 、 保持容量の一方の電極を隣接するゲー ト線 によ り構成にしてもよい。 かかる構成の一例を図 3 4 ( A) に回路プロ ック図を、 ゲー ト線の走査方向に対するゲー ト電極の電圧波形を図 3 4

( B ) に.そ-れぞれ示す。 このよ うに、 当該画素に対して、 隣接するゲー ト線を保持容量の一方の電極として構成することにより、 容量線 c 1 i n eをわざわざ設ける必要がないという効果を有するものである。

[その他の実施の形態]

上記のいずれの形態についても、 第 2の T F T 3 0の電流一電圧特性 のいずれの領域で動作させるかについて記載しなかったが、 第 2の T F T 3 0をその飽和領域で動作させれば、 T F Tの弱い定電流特性を利用 して発光素子 4 0に異常電流が流れることを防止することができる。 例 えば、 発光素子 4 0を構成する有機半導体膜等にピンホール欠陥が生じ ていることがあるが、 その場合でも、 欠陥のある発光素子に流れる電流 は制限され、 発光素子 4 0の電極間で完全ショートになることがない。 これに対して、 第 2の T F T 3 0をその線形領域で動作させれば、 そ のしきい値電圧のばらつきが表示動作に影響を及ぼすことを防止するこ とができる。

なお、 T F Tの構造についても、 トップゲート型に限らず、 ボトムゲ ート型でもよく、 その製造方法に関しても低温プロセスに限定されるも のではない。 発明の利用可能性

以上説明したよ うに、 本発明の請求項第 1項から第 7項に係る表示装 置では、 第 2の T F Tのオン時のゲート電圧は、 共通給電線の電位およ び画素電極の電位のうちの一方の電位と、 ゲート電極の電位 （画像信号 の電位） との差に相当するので、 第 2の T F Tの導電型に応じて、 共通 給電線の電位と,発光素子の対向電極の電位との相対的な高低を設定し、 第 2の T F Tのゲート電圧は、 共通給電線の電位と電位保持電極の電位 との差に相当するように構成してある。 たとえば、 第 2の T F Tが Nチ ャネル型であれば、 発光素子の対向電極の電位に対して共通給電線の電 位を低く してある。 この共通給電線の電位については、 画素電極の電位 と相違して、 十分に低い値に設定することができるため、 第 2の T F T で大きなオン電流が得られ、 高い輝度で表示を行うことができる。 また 、 画素を点灯状態とする際に、 第 2の T F Tのとして高いゲー ト電圧が 得られるのであれば、 その分、 そのときの画像信号の電位を下げること ができるので、 画像信号の振幅を小さく し、 表示装置における駆動電圧 を下げることができる。 それ故、 消費電力を低減できるともに、 薄膜で 構成された各素子で懸念されていた耐電圧の問題が顕在化しないという 利点がある。

また、 本発明の請求項第 7項から第 1 1項に係る表示装置では、 第 1 の T F Tと第 2の T F Tとが逆導電型であるため、 画素を選択するため の走查信号のパルスと、 発光素子を点灯させるための画像信号の電位と は逆にふれる関係にある。 従って、 点灯時の電位保持電極の電位 （点灯 のための画像信号の電位） を基準にしたときには、 走査信号の高電位に 相当する電位と共通給電線の電位は同じ極性であるため、 点灯時の電位 保持電極の電位 （点灯のための画像信号の電位） を変更すれば、 その分 、 第 1の T F Tのゲ一ト電圧および第 2の T F Tのゲー ト電圧の双方が 同じ方向に同じ分だけシフ トする。 それ故、 表示装置の駆動電圧レンジ の範囲内で、 点灯のための画像信号の電位を、 第 1の T F Tのオン時の 抵抗が小さくなる方向にシフ トさせれば、 表示動作の高速化を図ること ができるとともに、 このときには第 2の T F Tのオン時の抵抗が小さく なる方向に点灯のための画像信号の電位がシフ トしたことになるので、 輝度の向上を図ることができる。 よって、 駆動電圧の低電圧化と表示品 位の向上とを併せて達成することができる。

さらに、 本発明の請求項第 1 1項または第 1 2項に係る表示装置では 、 保持容量の両電極のうち、 第 2の T F Tの第 2のゲート電極に電気的 に接続する電極とは反対側の電極には、 走査信号の選択パルスより遅延 して該選択パルスとは電位が逆方向に振れるパルスが供給されるので、 保持容量への画像信号の書き込みを補うことができる。 それ故、 画像信 号の振幅を大きくせずに、 第 2の T F Tのゲート電極に印加される画像 信号の電位を高輝度化の方向にシフ トさせることができる。

Claims

請求の範囲

1 . 基板上に、 複数の走査線と、 該複数の走査線に交差する複数のデ ータ線と、 複数の共通給電線と、 前記データ線と前記走査線とによ りマ ト リ クス状に形成された画素とを有し、 該画素の各々には、 前記走査線 を介して走査信号が第 1 のゲー ト電極に供給される第 1 の薄膜トランジ スタ と、 該第 1 の薄膜トランジスタを介して前記データ線から供給され る画像信号を保持する保持容量と、 該保持容量によって保持された前記 画像信号が第 2のゲ一 ト電極に供給される第 2の薄膜 トランジスタ と、 前記画素毎に形成された画素電極と該画素電極に対向する対向電極との 間において前記画素電極が第 2の薄膜トランジスタを介して前記共通給 電線に電気的に接続した時に前記画素電極と前記対向電極との間に流れ る駆動電流によって発光する発光素子とを備える表示装置において、 前記第 2の薄膜トランジスタは Nチャネル型であり 、 前記共通給電線 は前記対向電極よ り も低電位に設定されているこ とを特徴とする表示装 置。

2 . 基板上に、 複数の走査線と、 該走査線に交差する複数のデータ線 と、 複数の共通給電線と、 前記データ線と前記走査線とによ りマ ト リ ク ス状に形成された画素とを有し、 該画素の各々には、 前記走査線を介し て走査信号が第 1 のゲ一 ト電極に供給される第 1 の薄膜トランジスタ と 、 該第 1 の薄膜トランジスタを介して前記データ線から供給される画像 信号を保持する保持容量と、 該保持容量によつて保持された前記画像信 号が第 2のグー ト電極に供給される第 2の薄膜トランジスタ と、 前記画 素毎に形成された画素電極と該画素電極に対向する対向電極との間にお いて前記.画 *電極が前記第 2の薄膜トランジスタを介して前記共通給電 線に電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流れ る駆動電流によつて発光する発光薄膜を具備する発光素子とを備える表 示装置において、

前記第 2 の薄膜 トランジスタは Pチャネル型であり、 前記共通給電線 は前記対向電極よ り も高電位に設定されているこ とを特徴とする表示装 置。

3 . 請求の範囲第 1項において、 点灯状態とすべき画素に対して前記 データ線から供給される画像信号の電位は、 前記対向電極の電位と比較 して低電位、 あるいは等電位であるこ とを特徴とする表示装置。

4 . 請求の範囲第 2項において、 点灯状態とすべき画素に対して前記 データ線から供給される画像信号の電位は、 前記対向電極の電位と比較 して高電位、 あるいは等電位であるこ と を特徴とする表示装置。

5 . 請求の範囲第 1項または第 3項において、 消灯状態とすべき画素 に対して前記データ線から供給される画像信号の電位は、 前記共通給電 線の電位と比較して高電位、 あるいは等電位であることを特徴とする表 示装置。

6 . 請求の範囲第 2項または第 4項において、 消灯状態とすべき画素 に対して前記データ線から供給される画像信号の電位は、 前記共通給電 線の電位と比較して低電位、 あるいは等電位であることを特徴とする表 示装置。

7 . 請求の範囲第 1項ないし第 6項のいずれかにおいて、 前記第 1 の 薄膜 トランジスタ と前記第 2の薄膜 ト ラ ンジスタ とは、 逆導電型の薄膜 トランジスタで構成されているこ とを特徴とする表示装置。

8 . 基板上に、 複数の走査線と、 該走査線に交差する複数のデータ線 と、 複数の共通給電線と、 前記データ線と前記走査線とによ りマ ト リ ク ス状に形成された画素とを有し、 該画素の各々には、 前記走査線を介し て走査信号が第 1 のゲ一 ト電極に供給される第 1 の薄膜 トランジスタ と 、 該第 1 の薄膜トランジスタを介して前記データ線から供給される画像 信号を保持する保持容量と、 該保持容量によつて保持された前記画像信 号が第 2のゲ一 ト電極に供給される第 2の薄膜トランジスタ と、 前記画 素毎に形成された画素電極と該画素電極に対向する対向電極との層間に おいて前記画素電極が前記第 2の薄膜トランジスタを介して前記共通給 電線に電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流 れる駆動電流によって発光する発光薄膜を具備する発光素子とを備える 表示装置において、

前記第 1 の薄膜トランジスタ と前記第 2の薄膜トランジスタ とは、 互 いに逆導電型の薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とする表 示装置。

9 . 請求の範囲第 8項において、 消灯状態にある画素における前記第 2の薄膜トランジスタに印加されるゲー ト電圧は、 該第 2の薄膜 トラン ジスタがオン状態となるときの極性と同じで、 かつ、 該第 2の薄膜トラ ンジスタのしきい値電圧を越えない値であることを特徴とする表示装置

1 0 . 請求の範囲第 9項において、 前記第 1 の薄膜トランジスタは Nチ ャネル型、 前記第 2の薄膜 トランジスタは Pチャネル型であって、 前記第 1 の薄膜トランジスタをオン状態の走査信号の電位と前記共通 給電線の電位とが等しく 、 かつ、

消灯状態にある画素の前記第 2の薄膜 トランジスタに印加されるゲ一 ト電極の電位は、 前記第 1 の薄膜 トランジスタをオン状態にするときの 走査信号の電位から当該第 1 の薄膜 トランジスタのしきい値電圧を差し 引いた電位よ り も低電位であるこ とを特徴とする表示装置。

1 1 . 請求の範囲第 9項において、 前記第 1 の薄膜トランジスタは Pチ ャネル型、 前記第 2の薄膜トランジスタは Nチャネル型であつて、 前記第 1 の薄膜トランジスタをオン状態にするときの走査信号の電位 と前記共通給電線の電位とが等しく 、 かつ、

消灯状態にある画素の前記第 2の薄膜トランジスタに印加されるゲー ト電極の電位は、 前記第 1 の薄膜 トランジスタをオン状態にするときの 走査信号の電位に当該第 1 の薄膜 トランジスタのしきい値電圧を加えた 電位よ り も高電位であるこ とを特徴とする表示装置。

1 2 . 請求の範囲第 1項ないし第 1 1項のいずれかにおいて、 前記保持 容量の両電極の う ち、 前記第 2の薄膜トランジスタの前記第 2のゲー ト 電極に電気的に接続する電極とは反対側の電極には、 前記走査信号の選 択パルスよ り遅延して該選択パルスとは電位が逆方向に振れるパルスが 供給されるよ う に構成されているこ とを特徴とする表示装置。

1 3 . 基板上に、 複数の走査線と、 該走査線に交差する複数のデータ線 と、 複数の共通給電線と、 前記データ線と前記走査線とによ りマ ト リ ク ス状に形成された画素とを有し、 該画素の各々には、 前記走査線を介し て走査信号が第 1 のグー ト電極に供給される第 1 の薄膜 トランジスタ と 、 該第 1 の薄膜 トランジスタを介して前記データ線から供給される画像 信号を保持する保持容量と、 該保持容量によって保持された前記画像信 号が第 2のゲー ト電極に供給される第 2の薄膜トランジスタ と、 前記画 素毎に形成された画素電極と該画素電極に対向する対向電極との層間に おいて前記画素電極が前記第 2の薄膜 トランジスタを介して前記共通給 電線に電気的に接続したときに前記画素電極と前記対向電極との間に流 れる駆動電流によって発光する発光薄膜を具備する発光素子とを備える 表示装置において、

前記保持容量の両電極のうち、 前記第 2の薄膜 トランジスタのゲー ト 電極に電気的に接続する電極とは反対側の電極には、 前記走査信号の選 択パルスより遅延して該選択パルスとは電位が逆方向に振れるパルスを 供給することを特徴とする表示装置。

1 4 . 請求の範囲第 1項ないし第 1 3項のいずれかにおいて、 前記発光 薄膜が有機半導体膜であることを特徴とする表示装置。

1 5 . 請求の範囲第 1項ないし第 1 4項のいずれかにおいて、 前記第 2 の薄膜トランジスタは飽和領域で動作するように構成されていることを 特徴とする表示装置。

1 6 . 請求の範囲第 1項ないし第 1 4項のいずれかにおいて、 前記第 2 の薄膜トラ ンジスタは線形領域で動作するように構成されていることを 特徴とする表示装置。