WO1999060700A1 - Filtre a onde acoustique de surface, dispositif de partage d'antenne comprenant ce filtre et terminal de communication mobile comprenant ce filtre - Google Patents

Filtre a onde acoustique de surface, dispositif de partage d'antenne comprenant ce filtre et terminal de communication mobile comprenant ce filtre Download PDF

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WO1999060700A1
WO1999060700A1 PCT/JP1999/002558 JP9902558W WO9960700A1 WO 1999060700 A1 WO1999060700 A1 WO 1999060700A1 JP 9902558 W JP9902558 W JP 9902558W WO 9960700 A1 WO9960700 A1 WO 9960700A1
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WO
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arm
filter
resonator
saw
series
Prior art date
Application number
PCT/JP1999/002558
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Naoki Yuda
Toru Sakuragawa
Ryouichi Takayama
Kozo Murakami
Yuki Satoh
Original Assignee
Matsushita Eletric Industrial Co., Ltd.
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Filing date
Publication date
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/6483Ladder SAW filters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/18Networks for phase shifting
    • H03H7/19Two-port phase shifters providing a predetermined phase shift, e.g. "all-pass" filters

Definitions

  • the present invention relates to a SAW filter used for a mobile phone and the like, an antenna duplexer using the same, and a mobile communication terminal using the same.
  • a ladder-type circuit configuration is used for a SAW filter used in a high-frequency section of a mobile phone in order to configure a small-sized, high-selectivity band-pass filter.
  • a conventional ladder-type S AW filter of this type had a configuration as shown in FIG. 17 as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-102728.
  • a series arm S AW resonator 12-1 is arranged on the left side of the drawing on the piezoelectric substrate 13 and the elements 12-4 are arranged, and each is arranged by the series arm wiring patterns 16-1 to 16-3.
  • the parallel arm SAW resonators 1 2—5 to 1 2—7 are arranged on the right side, and the parallel arm wiring patterns 16—4 to 16—6 form the serial arm wiring patterns 16—1 to 16—3, respectively.
  • a seven-element ladder-type SAW finoletor 11 is formed.
  • This SAW filter 11 has a circuit configuration in which the input electrodes 16-8 start with the series arm SAW resonator 12-1.
  • such a circuit configuration is referred to as a series arm input type.
  • the input side is a parallel arm S AW
  • the circuit configuration starting with the resonator will be called a parallel arm input type.
  • Fig. 18 shows the reflection coefficient as viewed from input electrode 16-8 on a polar coordinate chart, taking as an example a reception filter for AMPS, a mobile phone system in the United States.
  • the reception band which is a passband, is 869 MHz to 89.4 MHz (markers M1 to M2), and the transmission band to be blocked is 824 MHz to 849 MHz (markers M3 to M4).
  • the reflection coefficient is only about 0.8 at the upper end M4 of the transmission band.
  • the cause of this will be described in detail in Examples below, but is due to the inductance component of the parallel arm wiring patterns 16-4 to 16-6.
  • the SAW resonators 12-1 to 12-7 are configured as shown in Fig. 17, the arrangement is good, so the parallel arm wiring pattern becomes longer and this tendency is increased. It is noticeable.
  • An antenna duplexer is a branching circuit having a transmission terminal, an antenna terminal, and a reception terminal.
  • a transmission filter is interposed between the transmission terminal and the antenna terminal, and a reception filter is provided between the antenna terminal and the reception terminal. The filter is interposed.
  • phase shift circuit is provided between the antenna terminal and the transmission filter and between the antenna terminal and the reception filter to make the impedance seen from the antenna terminal high impedance in a frequency band to be blocked.
  • the transmission signal is prevented from leaking to the reception terminal or the reception signal from leaking to the transmission terminal (that is, isolation is secured).
  • the transmission signal input from the transmission terminal is output to the antenna terminal without leaking to the reception terminal, and the reception signal input from the antenna terminal is output to the reception terminal without leaking to the transmission terminal. is there.
  • a band rejection filter is often used as a transmission-side filter because only the reception band needs to be blocked.
  • a band near the local oscillation frequency or the reception image frequency is used as the reception-side filter. Therefore, a band-pass filter is used because it is necessary to block the noise.
  • a ladder-type S AW filter having a small size and high selectivity has characteristics optimal as the above-mentioned reception filter.
  • power close to 1 watt is added to the transmission band, which is the lower stop band, so that it must be able to withstand power.
  • the circuit configuration is a serial arm input type, the withstand power with respect to the transmission power is improved, and there is no practical problem.
  • the present invention solves the above-mentioned problems, and can secure a large reflection coefficient in a stop band even when a series arm input type having high power durability is used, and can reduce transmission power even when used as a reception filter for an antenna duplexer.
  • High power durability and sufficient isolation between transmission and reception S An object of the present invention is to realize an AW filter, an antenna duplexer using the same, and a mobile communication terminal using the same.
  • the present invention provides a series arm having at least one SAW resonator connected in series to a signal path, and at least one series arm connected between the signal path and ground.
  • a ladder-type SAW filter in which parallel arms having two SAW resonators are alternately connected to each other, wherein the size of the wiring pattern of the parallel arm is smaller than that of the series arm. I have.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a S AW filter according to a first embodiment of the present invention.
  • Fig. 2 is a circuit diagram showing the configuration of the S AW filter.
  • Fig. 3 is a characteristic diagram showing the pass characteristics of the S AW filter.
  • Fig. 4 is a polar coordinate chart showing the behavior of the input end reflection coefficient of the S AW filter.
  • Fig. 5 (a) is a circuit diagram showing a two-element L-shaped circuit, and (b) is a circuit diagram showing an equivalent circuit in the low-frequency stopband.
  • Fig. 6 is a polar coordinate chart showing the behavior of the reflection coefficient at the input end of an L-shaped circuit.
  • Fig. 7 is a block diagram showing an antenna duplexer using the S AW filter.
  • Fig. 8 is a polar coordinate chart showing the behavior of the reception side reflection coefficient of the S AW filter.
  • FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a SAW filter according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a configuration diagram showing the configuration of another SAW filter in the embodiment.
  • FIG. 11 is a configuration diagram showing the configuration of another SAW filter in the embodiment.
  • FIG. 12 is a comparative example of the embodiment. Configuration diagram showing the configuration of the S AW filter
  • Fig. 13 is a block diagram showing the configuration of a SAW filter of another comparative example in the embodiment.
  • FIG. 14 is a block diagram showing the configuration of the SAW filter according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a configuration diagram showing a S AW filter of a comparative example in the embodiment.
  • FIG. 16 is an enlarged view of a vent processing portion in the embodiment.
  • Fig. 17 is a block diagram showing the configuration of a conventional S AW filter.
  • Fig. 18 is a polar chart showing the behavior of the input end reflection coefficient of the SAW filter.
  • a S AW filter according to the present invention includes a series arm having at least one SAW resonator connected in series to a signal path, and at least one S AW resonator connected between the signal path and ground.
  • a ladder-type S AW filter comprising alternately connected parallel arms having the same size. The size of the wiring pattern of the parallel arm is made smaller than that of the serial arm. Even in the case of the serial arm input type, the inductance component of the parallel arm wiring pattern can be reduced, so that a large reflection coefficient can be obtained in the stop band, and the power durability is high even when used in a duplexer. In addition, it is possible to realize a SAW filter with sufficient isolation between transmission and reception.
  • the wiring pattern of the parallel arm is straight, and the wiring pattern of the serial arm is bent at a connection point with the wiring pattern of the parallel arm, so that the SAW filter can be efficiently arranged on the piezoelectric substrate. It can be a small filter.
  • a series arm SAW resonator and a parallel arm SAW resonator are alternately arranged on one side of the piezoelectric substrate, and a parallel arm SAW resonator and a series arm SAW resonator are alternately arranged on the other side,
  • the first-stage series arm resonator functions as a capacitive impedance element, so that part of the input power is reflected there and the electrode is destroyed. No problem occurs and stable characteristics can be maintained.
  • the input-side first stage is composed of a series arm SAW resonator
  • the input-side first stage serial arm SAW resonator is composed of a plurality of stages, so that the input-side first stage serial arm is formed.
  • Such high-frequency voltage can be distributed to a plurality of SAW resonators and reduced, thereby suppressing the occurrence of discharge and realizing stable power durability even with high high-frequency power.
  • the first stage on the input side is composed of a series arm SAW resonator and
  • high power is applied by configuring the number of SAW resonators in the series arm connected to the SAW resonator located closest to the input side among the row arm SAW resonators to multiple stages
  • the high-frequency power is applied near the resonance point to the SAW resonator of the parallel arm closest to the input electrode connected to the resonator of the first-stage series arm, and pyroelectricity generated by the heat generated at that portion causes the parallel arm to This prevents discharge from occurring in the SAW resonator of the series arm connected to the SAW resonator and realizes stable power durability even with high high-frequency power.
  • the first stage on the input side is composed of a series arm SAW resonator, and the signal path connecting the parallel arm SAW resonator located closest to the input side to the series arm SAW resonator is provided with high impedance.
  • the signal path connecting the parallel arm SAW resonator located closest to the input side to the series arm SAW resonator is provided with high impedance.
  • the wiring pattern of the SAW filter described above is subjected to vent processing to reduce reflection in the wiring, to have a stable power durability even with high high-frequency power, and to have a low insertion loss. Can be realized.
  • the above-described SAW filter is interposed between the antenna terminal and the reception terminal to form an antenna duplexer, so that the antenna duplexer having high power resistance and sufficient isolation between transmission and reception is reduced in size. It can be realized in. o
  • a high-pass filter-type phase shift circuit is provided between the antenna terminal and the receiving filter to form an antenna duplexer.
  • the input impedance indicates capacitive, this configuration allows the impedance to be shifted in the forward direction from the antenna terminal to the receiving filter, minimizing the number of elements in the phase shift circuit. Therefore, a small antenna duplexer can be realized.
  • the phase shift circuit is formed by a ⁇ -type circuit of a series capacitor and a shunt inductor, thereby minimizing the blockage of the phase shift circuit and realizing a small antenna duplexer. It is.
  • the phase shift circuit is formed by a ⁇ -type circuit of a series capacitor and a shunt inductor, so that the prevention of the phase shift circuit can be minimized, and a small antenna duplexer can be realized. It is. It is also desirable to use the above-described antenna duplexer in the antenna duplexer of a mobile communication device terminal, in which a large dielectric coaxial filter was conventionally used due to the problem of power durability. It is possible to realize a small size and light weight.
  • FIG. 1 is a structural diagram showing a SAW filter of the present embodiment.
  • 1 is a piezoelectric substrate
  • 2 is an input terminal
  • 3 is an output terminal
  • 4 & to 40 ⁇ are first to third series arm SAW resonators
  • 5a to 5c are 1st to 5th, respectively.
  • the third parallel arm SAW resonator, 6a to 6c are first to third series arm wiring patterns
  • 7a to 7c are first to third parallel arm wiring patterns, respectively.
  • the piezoelectric substrate 1 is a 36 ° Y-cut lithium tantalate substrate, and all SAW resonators and wiring patterns are formed of alloy electrodes of aluminum and 1% by weight of copper.
  • the configuration of FIG. 1 forms the six-element ladder-type SAW filter circuit shown in FIG.
  • the present invention is not limited to the material of the present embodiment, and a 39 ° C.-cut lithium tantalate substrate may be used as the piezoelectric substrate 21, or the electrode structure may be more power-resistant.
  • a configuration in which titanium and aluminum are alternately laminated a configuration in which titanium and A 1 —Cu alloy are alternately laminated, or a configuration in which titanium and A 1 —S c—Cu alloy. The same effect as that of the present embodiment can be obtained even if the configuration is alternately laminated.
  • this S AW filter has a circuit configuration of a series arm input type in which an input terminal 2 side starts with a first series arm S AW resonator 4a.
  • the arrangement of the SAW resonator is such that a first series arm SAW resonator 4a, a second parallel arm SAW resonator 5b, and a third series arm SAW resonator 4c are arranged above the piezoelectric substrate 1 in the drawing.
  • a first parallel arm SAW resonator 5a, a second series arm SAW resonator 4b, and a third parallel arm SAW resonator 5c are arranged on the lower side.
  • the first to third series arm wiring patterns 6 a to 6 c are wired in a zigzag manner so as to sequentially connect the first to third series arm SAW resonators 4 a to 4 c, respectively. It has a bent shape at the connection point with the third parallel arm wiring patterns 7a to 7c.
  • the first to third parallel arm wiring patterns 7a to 7c are linear, and their lengths are equal to those of the first to third series arm wiring patterns 6a to 6c. Each is shorter than the length. Furthermore, since the first to third series arm SAW resonators 4 a to 4 c and the first to third parallel arm SAW resonators 5 a to 5 c are efficiently arranged on the piezoelectric substrate 1, i.
  • the size of the substrate 1 was 1.6 x 2.2 mm, the same as that of the configuration of the conventional example.
  • FIG. 3 is a characteristic diagram showing the pass characteristic of the S AW filter
  • FIG. 4 is a polar coordinate chart showing the reflection coefficient at the input terminal 2.
  • this filter is a band-pass filter with a pass band from 869 MHz to 894 MHz (markers Ml to M2), and received by the U.S. mobile phone system AMPS.
  • the settings correspond to the filters.
  • the transmission band to be blocked is 824 MHz to 849 MHz (markers M3 to M4) on the lower side of the reception band, and the attenuation in this band is 40 dB or more. I have.
  • the polar coordinate chart shown in FIG. 4 is a plot of the reflection coefficient at the input terminal 2, where the distance from the center represents the magnitude of the reflection, and the angle represents the phase of the reflection.
  • the reception band between M1 and M2 is matched with a reflection coefficient of 0.3 or less to form a pass band.
  • the transmission band (markers M3 to M4), which corresponds to the lower stopband, has a reflection coefficient of 0.9 or more. This is an improvement of more than 10% compared to the reflection coefficient of the conventional SAW filter (Fig. 18).
  • this L-shaped circuit has a parallel arm S AW resonator connected to the input terminal 8 side via the parallel arm wiring pattern 10 on the output side. 11 is a configuration in which one end is grounded and connected. Output terminals 1 and 2 have a negative ⁇
  • the reflection coefficient at the center point O of the polar coordinate chart at the output terminal 1 2 is calculated by the shunt inductor L p on the isoconductance circle in a counterclockwise direction with a reflection coefficient of 1 and a phase of 180 ° (ie, short). spin.
  • Lp the shunt inductor
  • the series capacitor C s rotates counterclockwise on the circle of equal resistance to point ⁇ when L ⁇ is small and to point B 'when L p is large. This point is the reflection coefficient at the input terminal 8.
  • the configuration of the S AW filter of this embodiment shown in Fig. 1 has the parallel arm wiring patterns 7a to 7c as short as possible. The reflection coefficient has been obtained.
  • FIG. 7 is a block diagram of an antenna duplexer using the SAW filter of the present embodiment.
  • 13 is a transmission terminal
  • 14 is an antenna terminal
  • 15 is a reception terminal
  • 16 is a transmission filter
  • 17 is a reception filter
  • 18 is a phase shift circuit.
  • the transmission filter 16 is a filter interposed between the transmission terminal 13 and the antenna terminal 14 and has a function of passing the transmission frequency ft and blocking the reception frequency fr. Detailed description is omitted because there is no direct relationship.
  • the reception filter 17 is a filter interposed between the antenna terminal 14 and the reception terminal 15 and has a function of passing the reception frequency fr and blocking the transmission frequency ⁇ t. A filter is used.
  • the transmission frequency ⁇ t is on the lower side than the reception frequency fr, so the input side of the reception filter 17 has a lower stopband on the input side of the AM filter 3, usually about 1 ⁇ ⁇
  • the S AW filter of this embodiment has a high power durability due to the series arm input, and has a reflection coefficient of 0.9 or more in the lower stop band as described above. It is the best filter for this application.
  • the W resonator 11 is almost in a short state because of series resonance. Therefore, in the case of the parallel arm input type, the applied electric power is directly applied to it, so that an excessive current flows, and the comb-shaped electrodes constituting the resonator cause migration and deteriorate the characteristics.
  • the first-stage series-arm SAW resonator 9 functions as a capacitive impedance element and reflects a part of the input power, which is excessive to the parallel-arm SAW resonator 11. In order to prevent the flow of a large amount of current, it is possible to maintain stable characteristics without causing migration of the comb-shaped electrode.
  • the phase shift circuit 18 is for increasing the impedance Zr when the reception side is viewed from the antenna terminal 14 to a high impedance.
  • the reflection coefficient in the low-frequency stop band viewed from the input side exists at the point B on the polar coordinate chart in FIG. This indicates that the input impedance Z f in this band is capacitive.
  • the phase shift circuit must turn the phase to point C, which is close to the reflection coefficient 1 and the phase 0 ° (ie, open).
  • the phase can be turned clockwise (ie, lag phase) as shown by the dotted line in FIG. 8 or counterclockwise (ie, lead phase) as shown by the solid line in FIG. There is a way to turn.
  • the circuit that turns to the lag phase is a low-pass filter type, and the circuit that turns to the advance phase is a high-pass filter type.
  • the number of elements is 3 if the phase to be turned is 180 ° or less, and 3 if it is 180 ° or more. For example, 5 elements are required. Therefore, with regard to the capacitive input impedance as in this case, using a high-pass filter type phase shift circuit and turning it toward the phase side requires only three elements. , ⁇
  • a three-element high-pass filter type phase shift circuit 18 of a shunt inductor and a series capacitor is used for the serial arm input type reception filter 17. Since the number of elements in the phase shift circuit 18 is small, a small and low-cost antenna duplexer can be realized, and further, the insertion loss is small because the signal loss due to the elements is small.
  • the isolation between the transmitting and receiving of the antenna duplexer is 45 dB or more, and furthermore, the withstand power that does not degrade the characteristics even if 1-bit transmitting power is applied for 10,000 hours Sex was obtained.
  • the number of elements of the ladder type S AW filter is set to 6, but may be other numbers.
  • the attenuation characteristic becomes steeper as the number of elements increases, but the insertion loss decreases as the number of elements decreases, so it may be determined according to the required characteristics.
  • the high out-of-band reflection coefficient and power durability, which are the effects of the present invention, are exhibited regardless of the number of elements.
  • the phase shift circuit 18 is configured as a ⁇ -type high-pass filter, but similar effects can be obtained by using a ⁇ -type high-pass filter.
  • FIGS. 12 and 13 are diagrams showing comparative examples.
  • 21 is a piezoelectric substrate
  • 22 is an input terminal
  • 23 is an output terminal
  • 24a to 24c are first to third series arm SAW resonators
  • 25a to 25c respectively.
  • 26a to 26c are the first to third series arm wiring patterns, respectively
  • 27a to 27c are the first to third parallel arms, respectively.
  • Arm wiring flap "
  • the first series arm S AW resonator 24a in FIGS. 9 to 12 is provided at the first stage on the input side, and the first series arm S AW resonator in FIGS. 9 and 11 is provided.
  • 24a two SAW resonators 24a-1, 24a-2 are connected in series.
  • the two S AW resonators 24a-1 and 24a-2 correspond to the characteristics of the first series arm S AW resonator 24a in Figs. a—1 and 24 a—2 are divided so that they can be reproduced by connecting them in series.
  • the S AW resonators 24 a—1 and 24 a—2 are identical. It is composed of At that time, the capacitance of one resonator must be doubled in order to maintain the original characteristics by having two stages in series, but the logarithm of IDT must be doubled. Increases the capacitance value.
  • the second series arm SAW resonator 24b in FIG. 9 is configured by connecting two SAW resonators 24b-1 and 24b-2 in series.
  • the characteristics of the second series arm resonator 24b in FIG. 3 are divided so that they can be reproduced by connecting two S AW resonators 24b-1 and 24b-2 in series.
  • the SAW resonators 24b-1 and 24b-2 are the same.
  • the capacitance of one resonator must be doubled to maintain the original characteristics by using two stages in series, but the logarithm of the IDT must be doubled. Increases the capacitance value.
  • the SAW resonators having the same numbers in the other SAW resonators in FIGS. 9 to 13 are constituted by the same SAW resonator.
  • the first parallel arm S AW resonator 25 a and the first and second series arm SAW resonators 24 a and 24 b arranged closest to the input side are connected.
  • a zigzag meander pattern 28 is provided in a part of the first serial arm wiring pattern 26 a as a signal path to be connected, and is connected to the ground electrode with high impedance.
  • a 36 ° Y-cut lithium tantalate substrate was used as the piezoelectric substrate 21, and an A 1-1 wt% Cu alloy was used as the electrode material.
  • the present invention is not limited to the material of the present embodiment, and a 39 ° Y-cut lithium tantalate substrate may be used as the piezoelectric substrate 21, or a more power-resistant type may be used as the electrode configuration.
  • a configuration in which titanium and aluminum are alternately laminated, a configuration in which titanium and A 1 — Cu alloy are alternately laminated, or an alternate configuration in which titanium and A 1 — S c — Cu alloy are alternated The same effect as in the present embodiment can be obtained even if the configuration is stacked.
  • the S AW filter shown in FIGS. 9 to 12 has a series arm input type circuit configuration in which the input terminal 22 side starts with a first series arm S AW resonator 24a.
  • the first to third series arm wiring patterns 26a to 26c are wired in a zigzag manner so as to connect the first to third series arm SAW resonators 24a to 24c, respectively. Further, it has a curved shape at the connection point with the first to third parallel arm wiring patterns 27a to 27c.
  • the first to third parallel arm wiring patterns 27a to 27c are linear, and their lengths are the first to third serial arm wiring patterns 26a. ⁇ 26 c are shorter than each. Further, by adopting such a layout, the first to third series arm S AW resonators 24a to 24c and the first to third parallel The arm S AW resonators 25a to 25c were efficiently arranged on the piezoelectric substrate 21, and the chip size could be made the same as the conventional example.
  • Table 1 shows the results of these tests and when the electrodes deteriorate, the resonators that have deteriorated and the state of the deterioration are shown in Table 1.
  • () indicates the deteriorated SAW resonator and the state of its deterioration.
  • a so-called protruding so-called "hiccup” was observed on the surface and side surface of the comb-shaped electrode of the first parallel arm S AW resonator 25a. It turned out to be due to the child's migration.
  • the electrode surface was observed after the same test, but no occurrence of mouth opening was observed.
  • the results of the power durability test in Table 1 show that the series arm input type S AW filter has high power durability.
  • the electric power applied to the lower stop band is directly applied to the first parallel arm S AW resonator 25a in the first stage, so that the comb-shaped electrodes constituting the resonator cause migration and the characteristics are degraded. .
  • the first-stage first series-arm S AW resonator 24a on the low-pass side is capacitive. It functions as an impedance element and reflects a part of the input power, which is excessive in the first parallel arm S AW resonator 25 a located closest to the input terminal among the parallel arm S AW resonators. To prevent the flow of a large current. Therefore, the series arm input type S AW filter has higher power durability than the parallel arm input type S AW filter for the same power input.
  • the first parallel arm S AW resonator 25a closest to the input terminal among the resonators in the parallel arm is directly energized. Later heat generation is large, and it is considered that a pyroelectric charge is generated.
  • the resonator of the parallel arm is generally a resonator having a lower resonance frequency than the resonator of the series arm. The capacitance of the resonator is also large.
  • the portion connected to the first serial arm wiring pattern 26a in DC is not grounded anywhere but is floating. Therefore, the discharge between the comb-shaped electrodes due to the pyroelectric charge is more likely to occur at the input terminal of the parallel arm resonator than at the first parallel arm S AW resonator 25a closest to the input terminal among the parallel arm resonators. It is likely to occur in the first series arm S AW resonator 24a connected to the near first parallel arm S AW resonator 25a.
  • the filter shown in Fig. 11 shows that, when 38 dBm power is applied, the series arm connected to the first parallel arm SAW resonator 25a closest to the input terminal among the parallel arm resonators Out of the resonators, the second series arm S AW resonator 24 b on the output side is deteriorated by the discharge.
  • the second series arm SAW resonator 24b also has the first stage on the input side. It is composed of two stages of S AW resonators 24 b-1 and 24 b-2 as in the case of 1 series arm S AW resonator 24 a, and the high frequency voltage is improved by reducing it to about 1/2. As shown in (Table 1), it is probable that discharge did not occur even at an applied power of 38 dBm.
  • the first parallel arm S AW resonator 25a and the first and second series arm S AW resonators 24a, 24a which are arranged closest to the input side.
  • a meander pattern 28 is provided in a part of the first serial arm wiring pattern 26a as a signal path connecting 4b, it can be connected to the ground electrode with high impedance. Only the generated pyroelectric charges can be released to the ground without giving a high-frequency signal, and the generation of discharge can be suppressed even when a large power of 38 dBm is applied.
  • the first and second series arm S AW resonators 24 a and 24 b are respectively replaced by the same S AW resonators 24 a-1, 24 a-2 and the same S AW resonators.
  • Force divided into two stages each with 24 b-1 and 24 b-2 The number of stages is not limited to two, and each does not need to be the same resonator.
  • the number of stages and setting of each resonator May be configured so that discharge does not occur depending on the magnitude of the input high-frequency power.
  • a high impedance line was realized with a meander pattern 28, but the present invention is not limited to this.
  • the first series arm wiring pattern 26a is connected to the duland electrode with high impedance. It just needs to be configured to do so.
  • the series arm SAW resonator when the capacity is increased to a certain power or more, discharge may occur in the parallel arm S AW resonator closest to the input side.
  • the parallel arm S AW resonator is multi-staged, and as a whole, Two
  • the applied power value at which discharge occurs can be increased, and as a result, the power durability can be improved.
  • FIG. 14 is a structural diagram of the SAW filter of the present embodiment, and a SAW filter as shown in FIGS. 9 and 15 is used as a comparative example.
  • Both filters are band-pass filters with passbands from 869 MHz to 894 MHz (markers Ml to M2), and are set to correspond to the reception filter of U.S. mobile phone system AMPS.
  • 21 is a piezoelectric substrate
  • 22 is an input terminal
  • 23 is an output terminal
  • 24a to 24c are first to third series arm S AW resonators
  • 5 a to 25 c are the first to third parallel arm S AW resonators, 26 a to 2
  • 6c is the first to third series arm wiring patterns
  • 27a to 27c are the first to third parallel arm wiring patterns, respectively.
  • the SAW resonators in FIGS. 14 and 15 the SAW resonators with the same numbers are constituted by the same SAW resonators as in FIG.
  • a cut-off lithium tantalate substrate was used as an electrode material, which was an A1-1 wt% Cu alloy.
  • each of the SAW filters has a series arm input type circuit configuration in which the input terminal 22 side starts with a first series arm SAW resonator 24a.
  • the first to third series arm wiring patterns 26a to 26c are the first to third series arm SAW resonators 24a to 24c, respectively. 4c are connected in a zigzag pattern so as to be connected in order, and are bent at connection points with the first to third parallel arm wiring patterns 27a to 27c.
  • the first to third series arm wiring patterns 26a to 26c and the first to third parallel arm wiring patterns 27a to 27c always have a constant wiring thickness. It is configured as follows. In FIG. 14, venting was performed on corners 29a to 29c of the first to third series arm wiring patterns 26a to 26c in which the wiring was bent. Note that this venting treatment is performed so that the width W becomes 1.6 W with respect to the thickness W of the wiring as shown in FIG.
  • Table 2 shows the minimum and maximum values of the insertion loss of each of the filters in Figs. 14, 9 and 15.
  • the filters shown in Fig. 14 are the first to third series arm wiring patterns 26A to 26C, and the first to third series arm S AW resonators 24a to 24c are respectively. 24c are connected in a zigzag pattern so that they are connected in order, and the arm is bent at the connection point with the parallel arm wiring patterns 27a to 27c.
  • the insertion loss is worse than that of the SAW filter in Fig. 15, but it can be seen that it can be improved by venting as shown in the filter in Fig. 14. .
  • the width W of the wiring pattern is fixed, but it is not always necessary to make the width constant, and the vent portion is set to 1.6 W.
  • the present invention is not limited to this. It is only necessary to vent the corners of the pattern so as to reduce the insertion loss.
  • the present invention relates to a series arm having at least one SAW resonator connected in series to a signal path, and at least one SAW resonator connected between the signal path and ground.
  • a ladder-type SAW filter in which a parallel arm having a parallel arm is alternately connected, wherein the size of the wiring pattern of the parallel arm is smaller than the wiring pattern of the serial arm. Since a large reflection coefficient can be ensured in the stop band even when the filter is of the type, a S AW filter with high power durability and sufficient isolation between transmission and reception, an antenna duplexer using the same, and The mobile communication terminal used can be realized.

Description

明 細 書
S AWフィルタおよびそれを用いたアンテナ共用器およびそれを用いた 移動体通信端末 技術分野
本発明は、 携帯電話等に用いられる S A Wフィルタおよびそれを用い たアンテナ共用器およびそれを用いた移動体通信端末に関するものであ る。 背景技術
一般に、 携帯電話の高周波部に用いられる S AWフィルタは、 小型化 で高選択性を有する帯域通過型フィルタに構成するために、 梯子型回路 の構成が用いられている。 従来のこの種の梯子型 S AWフィルタは、 特 開平 9— 1 0 2 7 2 8号公報に示されるように、 第 1 7図に示すような 構成を有していた。
すなわち、 圧電基板 1 3上の図面左側に直列腕 S AW共振子 1 2— 1 力、ら 1 2— 4を配列し、 直列腕配線パターン 1 6— 1から 1 6— 3によ りそれぞれを接続している。 一方並列腕 S A W共振子 1 2— 5から 1 2 一 7は右側に配列し、 並列腕配線パターン 1 6— 4から 1 6— 6により それぞれ直列腕配線パターン 1 6— 1から 1 6— 3 と接続している。 この構成によって 7素子の梯子型 S AWフィノレタ 1 1が形成されてい る。 この SAWフィルタ 1 1は、 入力電極 1 6― 8側が直列腕 SAW共 振子 1 2— 1で始まる回路構成である。 以後、 このよ うな回路構成を直 列腕入力型と呼ぶことにする。 またこれに対し、 入力側が並列腕 S AW 共振子で始まる回路構成を並列腕入力型と呼ぶことにする。
上記従来の梯子型回路 S AWフィルタ 1 1は、 入力電極 1 6 _ 8にお ける反射係数が通過帯域外でもあまり大きくならない傾向がある。 第 1 8図は、 米国の携帯電話システムである AMP S用の受信フィルタを例 にとつて、 入力電極 1 6— 8から見た反射係数を極座標チヤ一トに示し たものである。 通過域である受信帯域は 8 6 9 MH zから 8 9 4MH z (マーカ M 1〜M2)、 阻止すべき送信帯域は 8 2 4MH zから 8 4 9 MH z (マーカ M3〜M4) である。
第 1 8図よりわかるように、 送信帯域の上端 M4において反射係数は 0. 8程度しか得られていない。 この原因は後述の実施例で詳述するが、 並列腕配線パターン 1 6— 4から 1 6— 6が有するィンダクタンス成分 である。 特に直列腕入力型の場合、 S AW共振子 1 2— 1から 1 2— 7 を第 1 7図のような構成とすると配置がよいために、 並列腕配線パター ンが長くなってこの傾向が顕著に出るものである。
ここで、 この梯子型 S AWフィルタ 1 1をアンテナ共用器に用いた場 合について説明する。 アンテナ共用器とは、 送信端子、 アンテナ端子お よび受信端子を有する分波回路であって、 送信端子とアンテナ端子との 間に送信フィルタを介在させ、 ァンテナ端子と受信端子との間に受信フ ィルタを介在させたものである。
またアンテナ端子と送信フィルタとの間およびアンテナ端子と受信フ ィルタとの間には、 それぞれ阻止すべき周波数帯においてアンテナ端子 から見たインピーダンスを高ィンピーダンスとするための移相回路が設 けられ、 これにより送信信号が受信端子へ、 あるいは受信信号が送信端 子へ漏れることを抑制している (すなわちアイソレーションを確保して いる)。 ―
この構成によって、 送信端子から入力された送信信号は受信端子に漏 れることなくアンテナ端子に出力され、 またアンテナ端子から入力され た受信信号は送信端子に漏れることなく受信端子に出力されるものであ る。
一般に、 送信側フィルタとしては受信帯域のみを阻止すれば良いため 帯域阻止フィルタが用いられる場合が多く、 受信側フィルタと しては送 信周波数以外にも局部発振周波数や受信ィメージ周波数等の近傍帯域を 阻止する必要があるため帯域通過フィルタが用いられる。
従って、 小型で高選択性を有する梯子型 S A Wフィルタは、 上記の受 信フィルタと して最適な特徴を有するものである。 但し、 受信フィルタ に S AWフィルタを用いる場合、 低域側阻止域である送信帯域に 1 ヮッ ト近い電力が加わるため、 それに対する耐電力が必要となる。 後述の実 施例で詳述するように、 回路構成を直列腕入力型とすれば送信電力に対 する耐電力が向上し、 実用上の問題はなくなる。
しかしながら、 従来の S A Wフィルタ 1 1を上記アンテナ共用器の受 信フィルタと して用いた場合、 阻止すべき送信周波数における反射係数 が小さいために、 アンテナ端子から移相回路を介して受信側フィルタを 見たインピーダンスを充分に高ィンピーダンスとすることができず、 送 受信間のアイソレーションが確保できなくなるという問題があった。 発明の開示
本発明は上記課題を解決するもので、 耐電力性の高い直列腕入力型と した場合でも阻止域において大きな反射係数が確保できるとともに、 ァ ンテナ共用器用受信フィルタとして用いた場合にも送信電力に対する耐 電力性が高く、 また送受信間のアイ ソレーショ ンも充分に確保される S A Wフィルタおよびそれを用いたアンテナ共用器およびそれを用いた移 動体通信端未を実現することを目的とする。
上記課題を解決するために本発明は、 信号経路に直列に接続された少 なく とも一つの S AW共振子を有する直列腕と、 前記信号経路とグラン ドとの間に接続された少なく とも一つの S A W共振子を有する並列腕と を交互に接続してなる梯子型 S A Wフィルタであって、 前記並列腕の配 線パターンの大きさを前記直列腕の配線パターンより も小さく した構成 を有している。
この構成により、 直列腕入力型と した場合でも並列腕配線パターンの ィンダクタンス成分を小さくすることができるため阻止域において大き な反射係数を得ることができ、 耐電力性が高く、 かつ送受信間のアイソ レーションを充分に確保した S A Wフィルタおよびそれを用いたアンテ ナ共用器およびそれを用いた移動体通信端末を実現することができるも のである。 図面の簡単な説明
第 1図は本発明の第 1の実施例における S A Wフィルタの構成を示す 構成図
第 2図は同 S A Wフィルタの構成を示す回路図
第 3図は同 S A Wフィルタの通過特性を示す特性図
第 4図は同 S A Wフィルタの入力端反射係数の挙動を示す極座標チヤ 一ト
第 5図 ( a ) は 2素子 L型回路を示す回路図、 (b ) は低域側阻止域 における等価回路を示す回路図
第 6図は L型回路の入力端反射係数の挙動を示す極座標チヤ一ト 第 7図は同 S AWフィルタを用いたアンテナ共用器を示すプロック図 第 8図は同 S AWフィルタの受信側反射係数の挙動を示す極座標チヤ 一ト
第 9図は本発明の第 2の実施例における S AWフィルタの構成を示す 構成図
第 1 0図は同実施例における他の S AWフィルタの構成を示す構成図 第 1 1図は同実施例における他の SAWフィルタの構成を示す構成図 第 1 2図は同実施例における比較例の S AWフィルタの構成を示す構 成図
第 1 3図は同実施例における他の比較例の S AWフィルタの構成を示 す構成図
第 1 4図は本発明の第 3の実施例における S AWフィルタの構成を示 す構成図
第 1 5図は同実施例における比較例の S AWフィルタを示す構成図 第 1 6図は同実施例におけるベント処理部分の拡大図
第 1 7図は従来例の S AWフィルタの構成を示す構成図
第 1 8図は同 S AWフィルタの入力端反射係数の挙動を示す極座標チ ヤー ト 発明を実施するための最良の形態
本発明の S AWフィルタは、 信号経路に直列に接続された少なく とも 一つの S A W共振子を有する直列腕と、 前記信号経路とグランドとの間 に接続された少なく とも一つの S AW共振子を有する並列腕とを交互に 接続してなる梯子型 S AWフィルタであって、 前記並列腕の配線パター ンの大きさを前記直列腕の配線パターンよりも小さくすることにより、 直列腕入力型と した場合でも並列腕配線パターンのィンダクタンス成分 を小さくすることができるため阻止域において大きな反射係数を得るこ とができ、 アンテナ共用器に用いた場合にも耐電力性が高く、 かつ送受 信間のアイソレーションを充分に確保した S A Wフィルタを実現するこ とができるものである。
また望ましくは、 並列腕の配線パターンを直線とし、 直列腕の配線パ ターンを前記並列腕の配線パターンとの接続点において曲げることによ り、 上述した S A Wフィルタを圧電基板上に効率よく配置でき、 小型の フィルタとすることができるものである。
また望ましくは、 圧電基板上の一方側に直列腕 S A W共振子と並列腕 S A W共振子とを交互に配列し、 他方側に並列腕 S A W共振子と直列腕 S AW共振子と交互に配列し、 直列腕配線パターンとこれらの直列腕 S A W共振子を順に接続するようジグザグ状に配することにより、 梯子型 S A Wフィルタ回路を圧電基板上に効率よく配置でき、 小型のフィルタ とすることができるものである。
また望ましくは、 入力端子側が直列腕から始まるように構成すること により、 初段の直列腕共振子が容量性のインピーダンス素子と して機能 するため、 入力電力の一部がそこで反射され、 電極の破壊が起こらず安 定した特性を維持することができるものである。
また望ましくは、 入力側初段を直列腕の S A W共振子で構成しかつ前 記入力側初段の直列腕の S AW共振子の段数を複数段で構成することに より、 入力側初段の直列腕にかかる高周波電圧を複数の S A W共振子に 分配し低減することが可能となり、 放電の発生を抑制し高い高周波電力 に対しても安定した耐電力性を実現することができるものである。 また望ましくは、 入力側初段を直列腕の S A W共振子で構成しかつ並 列腕の S A W共振子のうち入力側に最も近い位置に配置された S A W共 振子と接続された直列腕の S AW共振子の段数を複数段で構成すること により、 大電力が印加された場合、 初段の直列腕の共振子に接続された 入力電極に最も近い並列腕の S A W共振子にはその共振点付近に大きな 高周波電力が印加され、 その部分の発熱により発生した焦電気によって その並列腕の S A W共振子と接続された直列腕の S A W共振子において 放電がおこることを抑制し、 高い高周波電力に対しても安定した耐電力 性を実現することができるものである。
また望ましくは、 入力側初段を直列腕の S A W共振子で構成しかつ入 力側に最も近い位置に配置された並列腕の S A W共振子と直列腕の S A W共振子をつなぐ信号経路をハイインピーダンスでグランド電位と接続 することにより、 高周波信号を漏洩することがなく、 大電力が印加され た際に、 初段の直列腕の共振子に接続された入力電極に最も近い並列腕 の S A W共振子に発生する焦電気をグランドに逃がすことができ、 その 並列腕の S AW共振子と接続された直列腕の S AW共振子において発生 する放電を抑制し、 高い高周波電力に対しても安定した耐電力性を実現 することができるものである。
また望ましくは、 上述した S A Wフィルタの配線パターンにベント処 理を施すことにより、 配線内での反射を低減し、 高い高周波電力に対し ても安定した耐電力性をもち、 かつ低挿入損失のフィルタを実現するこ とができるものである。
また望ましくは、 上述した S A Wフィルタをアンテナ端子と受信端子 との間に介在させてアンテナ共用器を構成することにより、 耐電力が高 く、 送受信間アイソレーションが充分確保されたアンテナ共用器を小型 に実現することができるものである。 o
o
また望ましくは、 アンテナ端子と受信側フィルタとの間に高域通過フ ィルタ型の移相回路を設けてアンテナ共用器を構成することにより、 直 列腕入力型の場合、 阻止すべき送信帯域における入力インピーダンスは 容量性を示すことになるが、 この構成によりアンテナ端子から受信側フ ィルタを見たインピーダンスの移相を進み方向に回すことができ、 移相 回路の素子数を最小限とすることができ、 小型のアンテナ共用器を実現 することができるものである。
また望ましくは、 移相回路を直列キャパシタとシャントインダクタと の π型回路により形成することにより、 移相回路の阻止を最小限にする ことができ、小型のアンテナ共用器を実現することができるものである。 また望ましくは、 移相回路を直列キャパシタとシャントインダクタと の τ型回路により形成することにより、 移相回路の阻止を最小限にする ことができ、小型のアンテナ共用器を実現することができるものである。 また望ましくは、 従来耐電力性の問題から大型の誘電体同軸フィルタ 一が用いられていた、 移動体通信機器端末のアンテナ共用器部分に、 上 述したアンテナ共用器を用いることにより、 移動体端末の小型 ·軽量化 を実現することができるものである。
(実施例 1 )
以下、 本発明の第 1の実施例について図面を用いて説明する。 第 1図 は本実施例の S A Wフィルタを示す構造図である。 第 1図において、 1 は圧電基板、 2は入力端子、 3は出力端子、 4 &〜4 0^はそれぞれ第 1 〜第 3の直列腕 S A W共振子、 5 a〜 5 cはそれぞれ第 1〜第 3の並列 腕 S A W共振子、 6 a〜 6 cはそれぞれ第 1〜第 3の直列腕配線パター ン、 7 a〜 7 cはそれぞれ第 1〜第 3の並列腕配線パターンである。 圧電基板 1は 3 6 ° Yカッ トのリチウムタンタレート基板を用い、 全 ての S A W共振子および配線パターンはアルミ二ゥムと 1重量%の銅と の合金電極で形成している。 第 1図の構成により、 第 2図に示す 6素子 の梯子型 S AWフィルタ回路が形成される。
なお、 本発明は本実施例の材料に限定されるものではなく、 圧電基板 2 1 と して 3 9 ° Υカッ トのリチウムタンタレート基板を用いたり、 あ るいは電極構成としてより耐電力性を高めるために、 チタンとアルミ二 ゥムとを交互に積層した構成や、 チタンと A 1 — C u合金とを交互に積 層した構成や、 あるいはチタンと A 1 — S c— C u合金とを交互に積層 した構成と しても、 本実施例と同様の効果が得られる。
図において、 この S A Wフィルタは、 入力端子 2側が第 1 の直列腕 S AW共振子 4 aで始まる直列腕入力型の回路構成である。 S A W共振子 の配置は、 圧電基板 1 の図面上方側に第 1 の直列腕 S A W共振子 4 a、 第 2の並列腕 S A W共振子 5 b、 第 3の直列腕 S A W共振子 4 cを配列 し、 同じく下方側に第 1の並列腕 S AW共振子 5 a、 第 2の直列腕 S A W共振子 4 b、 第 3の並列腕 S A W共振子 5 cを配列している。 第 1〜 第 3の直列腕配線パターン 6 a〜 6 cは、 それぞれ第 1〜第 3の直列腕 S A W共振子 4 a ~ 4 cを順に接続するようにジグザグ状に配線され、 さらに第 1〜第 3の並列腕配線パターン 7 a〜 7 c との接続点において 曲がった形状となっている。
以上の構成の結果と して、 第 1〜第 3の並列腕配線パターン 7 a〜 7 cは直線状となり、 かつその長さは第 1〜第 3の直列腕配線パターン 6 a〜 6 cの長さに比べそれぞれ短いものとなっている。 さらに、 第 1〜 第 3の直列腕 S A W共振子 4 a〜 4 cおよび第 1〜第 3の並列腕 S A W 共振子 5 a〜 5 cが圧電基板 1上に効率よく配置されているため、 圧電 i。
基板 1のサイズは従来例の構成の場合と同一の 1. 6 X 2. 2 mmとな つた。
次に、 上記構成の S AWフィルタの特性について説明する。 第 3図は この S AWフィルタの通過特性を表す特性図、 第 4図は同じく入力端子 2における反射係数を表す極座標チヤ一トである。第 3図に示すように、 このフィルタは 8 6 9MH z力 ら 8 94MH z (マーカ M lから M2) までを通過域とする帯域通過型フィルタであり、 米国の携帯電話システ ム AMP Sの受信フィルタに対応した設定となっている。 阻止すべき送 信帯域は受信帯域の低域側の 8 2 4 MH zから 84 9 MH z (マーカ M 3から M4) であり、 この帯域における減衰量は 4 0 d B以上が確保さ れている。
第 4図に示す極座標チヤ一トは、 入力端子 2における反射係数をプロ ッ トしたものであり、 中心からの距離が反射の大きさを表し、 角度が反 射の位相を表している。 第 4図に示すように、 受信帯域であるマ一力 M 1から M2の間は反射係数 0. 3以下で整合されて通過帯域を形成して いる。 低域側の阻止域にあたる送信帯域 (マーカ M 3から M4) は、 反 射係数 0. 9以上が得られている。 これは従来例の構成の S AWフィル タの反射係数 (第 1 8図) と比較すれば 1 0%以上の向上である。
以下、 この送信帯域の反射係数について考察する。 回路を簡略化する ために、 第 5図に示す 2素子の L型回路について考える。 第 2図の 6素 子梯子型回路はこの L型回路の集まり と考えることができるため、 反射 係数の挙動は同じものと考えてよい。 第 5図 ( a ) に示すようにこの L 型回路は、 入力端子 8側に直列腕 SAW共振子 9が接続され、 その出力 側に並列腕配線パターン 1 0を介して並列腕 S AW共振子 1 1が片端を 接地して接続された構成である。 出力端子 1 2には信号源と整合した負
荷 R 1が接続されている。この L型回路の低域側阻止域 8 4 9MH z (第 4図のマーカ M4) における等価回路は第 5図 (b) のようになる。 すなわち、 直列腕 S AW共振子 9は低域側で容量性のィンピーダンス 素子となるため等価的にコンデンサ C sで表され、 並列腕配線パターン 1 0はインダクタンス性であるため等価的にインダクタ L pで表される。 さらに並列腕 S AW共振子 1 1は直列共振状態となるためにショートと なり、 インダクタ L pは直接接地されることになる。 この L型回路の反 射係数の挙動を示したのが第 6図である。
出力端子 1 2において極座標チヤ一トの中心点 Oにある反射係数は、 シャントインダクタ L pにより等コンダクタンス円上を反時計周りに反 射係数 1、 位相 1 8 0° (すなわちショート) に向かって回る。 このと き、 L pが小さレ、ほどショートに近くなるため、 L pが小さい場合には A点に、 L pが大きい場合には Α' 点に至る。 次にシリーズコンデンサ C sによって等抵抗円上を反時計周りに回って、 L ρが小さい場合 Β点 に、 L pが大きい場合 B' 点に至る。 この点が入力端子 8における反射 係数となる。
第 6図より明らかなように、 反射係数は並列腕配線パターン 1 0によ るインダクタンス成分 L pが小さいほど極座標チヤ一トの外側となり、 大きな反射係数が得られることになる。 従って、 並列腕配線パターン 1 0の長さを短く してシャントインダクタンス L pを小さくすることによ り、 帯域外での反射係数を大きくすることができる。 第 1図に示す本実 施例の S AWフィルタの構成は並列腕配線パターン 7 aから 7 cを極力 短く したものであるため、直列腕入力型であっても送信帯域において 0. 9以上の反射係数が得られているのである。
次に、 本実施例の S AWフィルタを用いたアンテナ共用器について説 ^ 2
明する。 第 7図は、 本実施例の S AWフィルタを用いたアンテナ共用器 のブロック図である。 第 7図において、 1 3は送信端子、 1 4はアンテ ナ端子、 1 5は受信端子、 1 6は送信フィルタ、 1 7は受信フィルタ、 1 8は移相回路である。
送信フィルタ 1 6は送信端子 1 3 とアンテナ端子 1 4との間に介在す るフィルタで、 送信周波数 f tを通過させ受信周波数 f rを阻止する機 能を有するものであるが、 本実施例とは直接関係が無いため詳細な説明 は省略する。 受信フィルタ 1 7はアンテナ端子 1 4と受信端子 1 5 との 間に介在するフィルタで、 受信周波数 f r を通過させ送信周波数 ί tを 阻止する機能を有するもので、 この箇所に本実施例の SAWフィルタを 用いている。
AMP Sや G SMの場合、 送信周波数 ί t は受信周波数 f r より も低 域側にあるため、 受信フィルタ 1 7の入力側には低域側の阻止域に AM ? 3で通常 1 ^¥程度、 瞬間 2 W近くの送信電力が、 また G SMにおいて は入力側には低域側の阻止域に 1 / 8デューティのバース ト波が 4. 6 4m s間、通常 2W程度、瞬間 4 W近くの送信電力が加わることになる。 従って受信フィルタ 1 7 としては、 低域側の阻止域に印加される送信 電力に耐えうる耐電力性を有するとともに、 その印加された送信電力を ロスなく反射させる (即ち反射係数が大きい) ことが要求される。 本実 施例の S AWフィルタは、 直列腕入力であるために耐電力性が高く、 か つ前述のごとく低域側の阻止域における反射係数が 0. 9以上確保され たものであるため、 この用途に最適なフィルタである。
ここで、 直列腕入力型が低域側阻止域における耐電力性に優れている ことを第 5図で示した基本的な L型回路を用いて説明する。 第 5図に低 域側阻止域における等価回路を示したように、 この帯域では並列腕 SA 丄 o
W共振子 1 1は直列共振となるためにほぼショー トの状態となる。 従つ て並列腕入力型とした場合には、 印加された電力が直接そこに加わるた めに過大な電流が流れ、 共振子を構成する櫛形電極がマイグレーション を起こして特性を劣化させてしまう。
これに対し直列腕入力型とすれば、 初段の直列腕 S A W共振子 9が容 量性のィンピーダンス素子として機能して入力電力の一部を反射し、 並 列腕 S A W共振子 1 1に過大な電流が流れることを阻止するため、 櫛形 電極のマイグレーションを起こさず安定した特性を維持することができ るのである。
移相回路 1 8はアンテナ端子 1 4から受信側を見たインピーダンス Z rを高インピーダンスとするためのものである。 前述のように本実施例 の S AWフィルタを用いた受信フィルタ 1 7は、 入力側から見た低域側 阻止域における反射係数が第 8図の極座標チヤ一トの点 Bに存在する。 これはこの帯域における入カインピーダンス Z f が容量性であることを 表している。
これを高インピーダンスとするためには移相回路により反射係数 1、 位相 0 ° (すなわちオープン) に近い点 Cへ位相を回さなければならな レ、。 位相を回す方法と しては、 第 8図の点線で示すように時計回り (す なわち遅れ位相) に回す方法と、 第 8図の実線で示す反時計回り (すな わち進み位相) に回す方法とがある。 遅れ位相に回す回路は低域通過フ ィルタ型、 進み位相に回す回路は高域通過フィルタ型となり、 その素子 数は、 回す位相が 1 8 0 ° 以下ならば 3素子、 1 8 0 ° 以上ならば 5素 子が必要となる。 従って、 今回のように容量性の入力インピーダンスに 対しては、 高域通過フィルタ型の移相回路を用いて進み位相側に回せば 3素子で済むことになる。 , Λ
1 4
以上の理由により、 本実施例では、 直列腕入力型の受信フィルタ 1 7 に対し、 シャントインダクタとシリーズキャパシタとの 3素子高域通過 フィルタ型移相回路 1 8を用いている。 移相回路 1 8の素子数が少ない ため、 小型で低コス トなアンテナ共用器が実現でき、 さらに素子による 信号の損失が少ないため挿入損失も小さいものとなった。
以上の構成とすることによって、 アンテナ共用器の送受信間のアイソ レーショ ンは 4 5 d B以上が得られ、 さらに 1 ヮッ 卜の送信電力を 1万 時間印加しても特性劣化が起こらない耐電力性が得られた。
なお、 本実施例において、 梯子型 S A Wフィルタの素子数を 6 と した が、 それ以外の素子数でもよい。 減衰特性は素子数が多いほど急峻とな るが、 挿入損失は素子数が少ないほど小さくなるため、 求められる特性 に応じて決定すればよい。 本発明の効果である高い帯域外反射係数と耐 電力性は素子数に関係なく発揮されるものである。
また、 本実施例において、 移相回路 1 8を π型高域通過フィルタの構 成と したが、 それ以外に Τ型の高域通過フィルタ構成としても同様の効 果が得られる。
(実施例 2 )
以下本発明の第 2の実施例について図面を用いて説明する。 第 9図〜 第 1 1図は本実施例の S A Wフィルタを示す構造図であり、 第 1 2図、 第 1 3図は比較例を示した図である。 それぞれの図において 2 1は圧電 基板、 2 2は入力端子、 2 3は出力端子、 2 4 a〜 2 4 cはそれぞれ第 1〜第 3の直列腕 S A W共振子、 2 5 a〜 2 5 cはそれぞれ第 1〜第 3 の並列腕 S A W共振子、 2 6 a〜 2 6 cはそれぞれ第 1〜第 3の直列腕 配線パターン、 2 7 a〜 2 7 cはそれぞれ第 1〜第 3の並列腕配線バタ , 「
15
ーンである。
このうち第 9図〜第 1 2図における第 1の直列腕 S AW共振子 2 4 a は入力側初段に設けられるとともに、 第 9図および第 1 1図における第 1の直列腕 S AW共振子 24 aは、 2つの S A W共振子 24 a— 1, 2 4 a - 2が直列に接続されている。この 2つの S AW共振子 24 a— 1, 24 a— 2は、 第 1 2図および第 1 3図における第 1の直列腕 S AW共 振子 24 aの特性を 2つの S AW共振子 2 4 a— 1 , 2 4 a— 2を直列 に接続することで再現できるように分割したものであり、 本実施例にお いては S AW共振子 2 4 a— 1 と 2 4 a _ 2は同一のもので構成してい る。 その際、 直列に 2段と したことで元の特性を維持するために 1つの 共振子の容量を 2倍と しなければならないが、 これに対しては I DTの 対数を 2倍にふやすことで容量値を増加させている。
また第 9図における第 2の直列腕 S AW共振子 24 bは、 2つの S A W共振子 24 b— 1, 24 b— 2が直列に接続されて構成され、 第 1 0 図〜第 1 3図における第 2の直列腕共振子 24 bの特性を 2つの S AW 共振子 2 4 b— 1, 2 4 b— 2を直列に接続することで再現できるよう に分割したものであり、 本実施例においては S AW共振子 2 4 b— 1 と 24 b— 2は同一のもので構成している。 その際、 直列に 2段としたこ とで元の特性を維持するために 1つの共振子の容量を 2倍と しなければ ならないが、 これに対しては I D Tの対数を 2倍にふやすことで容量値 を増加させている。
また第 9図〜第 1 3図におけるその他の S AW共振子については同一 の番号の S A W共振子は同一の S A W共振子で構成している。 また第 1 0図においては入力側に最も近い位置に配置された第 1の並列腕 S AW 共振子 2 5 a と第 1および第 2の直列腕 S A W共振子 24 a、 24 bを ― „
つなぐ信号経路と しての第 1の直列腕配線パターン 2 6 aの一部にジグ ザグのメアンダパターン 2 8が設けられており、 ハイインピーダンスで グランド電極と接続されている。
本実施例では圧電基板 2 1 として 3 6 ° Yカツ トのタンタル酸リチウ ム基板を、 電極材料と して A 1 — 1 w t % C u合金を用いた。 なお、 本 発明は本実施例の材料に限定されるものではなく、 圧電基板 2 1 と して 3 9 ° Yカッ トのリチウムタンタレート基板を用いたり、 あるいは電極 構成と してより耐電力性を高めるために、 チタンとアルミニウムとを交 互に積層した構成や、 チタンと A 1 — C u合金とを交互に積層した構成 や、 あるいはチタンと A 1 — S c—C u合金とを交互に積層した構成と しても、 本実施例と同様の効果が得られる。
第 9図〜第 1 2図の S A Wフィルタは、 入力端子 2 2側が第 1の直列 腕 S A W共振子 2 4 aで始まる直列腕入力型の回路構成である。 第 1〜 第 3の直列腕配線パターン 2 6 a〜 2 6 cはそれぞれ第 1から第 3の直 列腕 S A W共振子 2 4 a〜 2 4 cを順に接続するようにジグザグ状に配 線され、 さらに第 1〜第 3の並列腕配線パターン 2 7 a〜 2 7 c との接 続点において曲がった形状となっている。
以上の構成の結果と して、 第 1〜第 3の並列腕配線パターン 2 7 a〜 2 7 cは直線状となり、 かつその長さは第 1〜第 3の直列腕配線パター ン 2 6 a 〜 2 6 cに比べてそれぞれ短いものとなっている。 さらに、 こ のようなレイアウ トにすることで、 第 9図〜第 1 1図においては第 1〜 第 3の直列腕 S AW共振子 2 4 a〜 2 4 cおよび第 1〜第 3の並列腕 S AW共振子 2 5 a〜 2 5 cが圧電基板 2 1上に効率良く配置され、 チッ プサイズとしては従来例と同一にすることができた。
これら第 9図〜第 1 3図の S A Wフィルタに対して 8 4 9 M H z (送 信帯域の上端の周波数) の連続信号を 3 1 d Bmの電力で 1 0 0時間印 加して耐電力性試験を行った。 また、 第 9図〜第 1 2図の S AWフィル タについては 3 1 d B mから 0. 5 d Bmステツプで 3 8 d B mまで、 各電力の信号に対し 3分間の電力印加を 2分間隔で計 5回ずつ行い、 瞬 間入力電力試験を行った。
それらの試験結果と電極が劣化した場合、 その劣化の発生した共振子 およびその劣化の様子を (表 1 ) に示す。
表 1
Figure imgf000019_0001
注: ( ) 内は劣化した S AW共振子とその劣化の様子を示す 試験開始 4時間後にフィルタの特性の劣化が観測された第 1 3図のフ ィルタについてその試験後の電極表面の様子を観察したところ、 第 1 の並列腕 S AW共振子 2 5 aの櫛形電極の表面および側面に突起状のい わゆるヒ口ックが観測され、 通常電極の劣化の原因とされている A I原 子のマイグレーショ ンによるものとわかった。 第 9図〜第 1 2図のフィ ルタについても同様の試験後にその電極表面を観察したがヒ口ックの発 生は認められなかった。 この (表 1 ) の耐電力性試験の結果から直列腕 入力型 S AWフィルタが高い耐電力性を有していることが分かる。
このことについては次のように説明される。 梯子型 S AWフィルタの 場合、 低域側阻止域では並列腕の S AW共振子は直列共振となり、 ほぼ ショートの状態となる。 従って第 1 3図のような並列腕入力型の S AW 1 o
フィルタでは低域側の阻止域に印加された電力は初段の第 1 の並列腕 S AW共振子 2 5 aに直接加わり、 そのため共振子を構成する櫛形電極 がマイグレーションを起こし特性が劣化してしまう。
し力、し、 第 9図〜第 1 2図のような直列腕入力型 S AWフィルタの場 合、 低域側阻止側では初段の第 1 の直列腕 S AW共振器 24 aが容量 性のインピーダンス素子と して機能し入力電力の一部を反射し、 並列腕 の S AW共振子のうち最も入力端子に近い位置に配置された第 1 の並 列腕 S AW共振子 2 5 aに過大な電流が流れるのを阻止する。そのため、 同一電力の入力に対し直列腕入力型 S A Wフィルタのほうが並列腕入力 型 S AWフィルタに比べ耐電力性が高くなるのである。
また、 (表 1 ) から第 9図、 第 1 0図のフィルタは高い電力の信号を 瞬間的に印加しても特に変化しないのに対し、 第 1 1図、 第 1 2図のフ ィルタについてはそれぞれ 3 8 d Bm, 3 6 d B mの電力で S AW共振 子が放電により劣化してしまうことがわかる。 これは直列腕入力型とし た事で帯域の低域側の阻止域に印加された電力に対し容量性のインピー ダンス素子と して機能している初段の第 1の直列腕 S AW共振子 2 4 a の櫛形電極に高い高周波電圧が印加され、 このためある電圧以上になる とこの直列腕の S AW共振子中のどこかの櫛形電極間で放電が発生し、 しかもこの初段の第 1の直列腕 S AW共振子 2 4 a全体には高い高周波 電圧がかかっているため、 その放電がトリガーとなってこの S AW共振 子全体が放電により劣化するといったことが起こるものと考えられる。 また S AW共振子全体の放電のトリガーとなる櫛形電極間の放電につ いては通電した際の発熱によって発生した焦電荷による静電破壊も考え られる。 特に低域側阻止域に電力が印加した場合、 並列腕の共振子のう ち最も入力端子に近い第 1の並列腕 S AW共振子 2 5 aにおいて通電直 後の発熱が大きく、 焦電荷が発生することが考えられる。 しかも梯子形 S AWフィルタの場合、 一般的に直列腕の共振子より も並列腕の共振子 のほうが共振周波数が低い周波数の共振子であるため、 櫛形電極の電極 間距離が広く、 しかも 1つの共振子の容量も大きい。
また、 直列腕入力型の場合、 D C的には第 1の直列腕配線パターン 2 6 a とつながっている部分はどこにも接地されておらず浮いている状態 である。 そのためこの焦電荷による櫛形電極間での放電は並列腕の共振 子のうち最も入力端子に近い第 1の並列腕 S AW共振子 2 5 a より も、 並列腕の共振子のうち最も入力端子に近い第 1の並列腕 S AW共振子 2 5 aに接続されている第 1の直列腕 S AW共振子 2 4 aにおいて発生し やすい。
■ この放電による S AW共振子の劣化は櫛形電極間にかかる高周波電圧 の高さおよび、 大きな印加電力の通電の際の発熱によって発生する焦電 荷が大きく関わっており、 そのため第 1 2図のフィルタは高い高周波電 圧がかかる入力側初段の第 1の直列腕 S AW共振子 2 4 aにおいて、 3 6 d Bmで放電による劣化が発生し、 入力側初段の第 1の直列腕 S AW 共振子 2 4 a を 2段の S AW共振子 2 4 a — 1, 2 4 a — 2で構成した 第 9図のフィルタでは、 1つの共振子にかかる高周波電圧が分割前の 1 / 2となったために 3 6 d Bmによる印加電力では放電しなかったと考 えられる。
しかし、 第 1 1図のフィルタは 3 8 d B mの電力印加では、 並列腕の 共振子のうち最も入力端子に近い第 1の並列腕 S A W共振子 2 5 aに接 続されている直列腕の共振子のうちより出力側の第 2の直列腕 S AW共 振子 2 4 bが放電により劣化している。 これについては、 第 9図のフィ ルタのようにこの第 2の直列腕 S A W共振子 2 4 bにも入力側初段の第 1の直列腕 S AW共振子 24 a と同様に 2段の S AW共振子 24 b— 1 , 24 b - 2で構成し、 かかる高周波電圧を約 1 / 2とすることで改善さ れたため、 (表 1 ) に示すように 3 8 d B mの印加電力においても放電 しなかったと考えられる。
また第 1 0図のフィルタのように、 入力側に最も近い位置に配置され た第 1の並列腕 S AW共振子 2 5 a と第 1および第 2の直列腕 S AW共 振子 24 a、 2 4 bをつなぐ信号経路と しての第 1の直列腕配線パター ン 2 6 aの一部にメアンダパターン 2 8が設けられていると、 ハイイン ピ一ダンスでグランド電極と接続することができ、 高周波信号をもらす ことなく発生した焦電荷のみをグランドに逃がすことができ、 3 8 d B mの大電力の印加においても放電の発生を抑制することができる。
なお本実施例においては、 第 1および第 2の直列腕 S AW共振子 24 a , 24 bをそれぞれ同一の S AW共振子 24 a— 1, 24 a— 2およ び同一の S AW共振子 24 b— 1 , 24 b— 2で各 2段構成に分割した 力 この段数は 2段に限られるものではなく、 またそれぞれが同一の共 振子である必要もなく、 段数および各共振子の設定は入力される高周波 電力の大きさによって放電が発生しないように構成すればよい。 また第 1 0図のフィルタにおいては、 メアンダパターン 2 8でハイインビーダ ンスな線路を実現したがこれに限られるものではなく、 第 1の直列腕配 線パターン 2 6 aがハイインピーダンスでダランド電極と接続されるよ うに構成されてさえいればよい。
さらに、 本実施例のように直列腕 SAW共振子を多段にすると、 容量 が増加してある電力以上になると入力側に最も近い並列腕 S AW共振子 の方で放電が発生してしまう可能性があるが、 その際は直列腕 SAW共 振子と同様にその並列腕 S AW共振子を多段にすることで、 全体と して 2
放電の発生する印加電力値を高めることができ、 結果と して耐電力性を 向上させることができる。
(実施例 3 )
以下、 本発明の第 3の実施例について図面を用いて説明する。 第 1 4 図は本実施例の S AWフィルタの構造図であり、 比較例として第 9図、 第 1 5図のような S AWフィルタを用いる。 いずれのフィルタも 8 6 9 MH z〜 8 9 4MH z (マーカー M lから M2) までを通過域とする帯 域通過型フィルタであり、 米国の携帯電話システム AMP Sの受信フィ ノレタに対応した設定と した。
それぞれの図において 2 1は圧電基板、 2 2は入力端子、 2 3は出力 端子、 2 4 a〜 24 cはそれぞれ第 1〜第 3の直列腕 S AW共振子、 2
5 a〜 2 5 cはそれぞれ第 1〜第 3の並列腕 S AW共振子、 2 6 a〜 2
6 cはそれぞれ第 1〜第 3の直列腕配線パターン、 2 7 a〜 2 7 cはそ れぞれ第 1〜第 3の並列腕配線パターンである。 また第 1 4図、 第 1 5 図における S A W共振子については第 9図と同様に同一の番号の S AW 共振子は同一の S AW共振子で構成するとともに、 圧電基板 1 として 3 6° Yカッ トのタンタル酸リチウム基板を、 電極材料と しては A 1 — 1 w t % C u合金を用いた。
なお、 本発明は本実施例の材料に限定されるものではなく、 圧電基板 2 1 と して 3 9。 Yカッ トのリチウムタンタレート基板を用いたり、 あ るいは電極構成としてより耐電力性を高めるために、 チタンとアルミ二 ゥムとを交互に積層した構成や、 チタンと A 1 一 C u合金とを交互に積 層した構成や、 あるいはチタンと A 1 — S c— C u合金とを交互に積層 した構成と しても、 本実施例と同様の効果が得られる。 図において、 いずれの S A Wフィルタも、 入力端子 2 2側が第 1の直 列腕 S A W共振子 2 4 aで始まる直列腕入力型の回路構成である。 但し 第 1 4図および第 9図の S A Wフィルタは第 1〜第 3の直列腕配線パタ ーン 2 6 a〜 2 6 cはそれぞれ第 1〜第 3の直列腕 S A W共振子 2 4 a 〜 2 4 cを順に接続するようにジグザグ状に配線され、 さらに第 1〜第 3の並列腕配線パターン 2 7 a〜 2 7 c との接続点において曲がった形 状となっている。
本実施例においてはこの第 1〜第 3の直列腕配線パターン 2 6 a〜 2 6 cおよび第 1〜第 3の並列腕配線パターン 2 7 a〜 2 7 cは常に配線 の太さが一定であるように構成している。 また、 第 1 4図においては第 1〜第 3の直列腕配線パターン 2 6 a〜 2 6 cにおける配線の曲がるコ ーナー 2 9 a〜 2 9 cについてベン ト処理を行った。 なお、 このベント 処理としては第 1 6図に示すように配線の太さ Wに対して 1 . 6 Wとな るように行っている。
第 1 4図、 第 9図、 第 1 5図それぞれのフィルタの挿入損失の最小値 と最大値を (表 2 ) に示す。
表 2
Figure imgf000024_0001
この (表 2 ) から第 1 4図のフィルタは第 1〜第 3の直列腕配線バタ —ン 2 6 a〜 2 6 cはそれぞれ第 1から第 3の直列腕 S AW共振子 2 4 a〜 2 4 cを順に接続するようにジグザグ状に配線され、 さらに並列腕 配線パターン 2 7 a〜 2 7 c との接続点において曲がった形状としたた r
めに、 第 1 5図の S A Wフィルタと比べ挿入損失が悪くなっているが、 第 1 4図のフィルタに示されているようにベント処理をすることによつ て改善することができることがわかる。
なお、 本実施例においては配線パターンの幅 Wを一定としたが、 必ず しも一定にする必要がなく、 またベント部分を 1 . 6 Wとしたが、 これ に限定されるものではなく、 配線パターンのコーナーにおいて挿入損失 が小さくなるようにベント処理が施されてさえいればよい。 産業上の利用可能性
以上のように本発明は、 信号経路に直列に接続された少なく とも一つ の S A W共振子を有する直列腕と、 前記信号経路とグランドとの間に接 続された少なく とも一つの S A W共振子を有する並列腕とを交互に接続 してなる梯子型 S A Wフィルタであって、 前記並列腕の配線パターンの 大きさを前記直列腕の配線パターンよりも小さく したものであり、 これ により、 直列腕入力型とした場合でも阻止域において大きな反射係数を 確保することができるため、 耐電力性が高く、 かつ送受信間のアイソレ ーシヨンを充分に確保した S AWフィルタおよびそれを用いたアンテナ 共用器およびそれを用いた移動体通信端末を実現することができるもの である。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 信号経路に直列に接続された少なく とも一つの SAW共振子を有 する直列腕と、 前記信号経路とグランドとの間に接続された少なく とも 一つの S A W共振子を有する並列腕とを交互に接続してなる梯子型 S A Wフィルタであって、 前記並列腕の配線パターンの大きさを前記直列腕 の配線パターンより も小さく した S AWフィルタ。
2. 並列腕の配線パターンを直線とし、 直列腕の配線パターンを前記 並列腕の配線パターンとの接続点において曲げた請求の範囲第 1項に記 載の S AWフイノレタ。
3. 圧電基板上の一方側に直列腕 S A W共振子と並列腕 S AW共振子 とを交互に配列し、 他方側に並列腕 S A W共振子と直列腕 S A W共振子 と交互に配列し、 直列腕配線パターンとこれらの直列腕 S AW共振子を 順に接続するようジグザグ状に配した請求の範囲第 1項に記載の S AW フイノレタ。
4. 入力端子側が直列腕から始まる請求の範囲第 1項に記載の S AW フィルタ。
5. 入力側初段を直列腕の S AW共振子で構成し、 かつ前記入力側初 段の直列腕の S AW共振子の段数を複数段で構成した請求の範囲第 1項 に記載の S AWフィルタ。
6. 入力側初段を直列腕の S AW共振子で構成し、 かつ並列腕の S A W共振子のうち入力側に最も近い位置に配置され SAW共振子と接続さ れた直列腕の S AW共振子の段数を複数段で構成した請求の範囲第 1項 に記載の S AWフィルタ。
7. 入力側初段を直列腕の SAW共振子で構成し、 かつ入力側に最も 乙 o
近い位置に配置された並列腕の S A W共振子と直列腕の S A W共振子を つなぐ信号経路をハイインピーダンスでグランド電位と接続した請求の 範囲第 1項に記載の S A Wフィルタ。
8 · 配線パターンにベント処理を施した請求の範囲第 2項に記載の S A Wフィノレタ。
9 . 請求の範囲第 1項に記載の S A Wフィルタをアンテナ端子と受信 端子との間に介在させたアンテナ共用器。
1 0 . アンテナ端子と受信側フィルタとの間に高域通過フィルタ型の 移相回路を設けた請求の範囲第 9項に記載のアンテナ共用器。
1 1 . 移相回路を直列キャパシタとシャントインダクタとの π型回路 により形成した請求の範囲第 1 0項に記載のアンテナ共用器。
1 2 . 移相回路を直列キャパシタとシャントインダクタとの Τ型回路 により形成した請求の範囲第 1 0項に記載のアンテナ共用器。
1 3 . 請求の範囲第 9項に記載のアンテナ共用器を用いた移動体通信 ¾末。
補正書の請求の範囲
[1999年 10月 1 8日 (18. 10. 99 ) 国際事務局受理:出願当初の請求の範囲 1は 補正された;他の請求の範囲は変更なし。 (2頁)]
1. (補正後) 信号経路に直列に接続された S AW共振子を有する直列 腕と、 前記信号経路とグラン ドとの間に接続された S A W共振子を有す 5 る並列腕とを交互に複数接続してなる梯子型 S AWフィルタであって、 全ての並列腕の配線パターンの大きさを全ての直列腕の配線パターンょ りも小さ く した S A Wフィルタ。
2. 並列腕の配線パターンを直線とし、 直列腕の配線パターンを前記 並列腕の配線パターンとの接続点において曲げた請求の範囲第 1項に記
10 載の S AWフィルタ。
3. 圧電基板上の一方側に直列腕 S AW共振子と並列腕 S AW共振子 とを交互に配列し、 他方側に並列腕 S AW共振子と直列腕 S AW共振子 と交互に配列し、 直列腕配線パターンとこれらの直列腕 S A W共振子を 順に接続するようジグザグ状に配した請求の範囲第 1項に記載の S AW
15 フ ィ ノレ夕。
4. 入力端子側が直列腕から始まる請求の範囲第 1項に記載の S AW フ イ ノレタ。
5. 入力側初段を直列腕の S A W共振子で構成し、 かつ前記入力側初 段の直列腕の S AW共振子の段数を複数段で構成した請求の範囲第 1項
20 に記載の S AWフィルタ。
6. 入力側初段を直列腕の S A W共振子で構成し、 かつ並列腕の S A W共振子のうち入力側に最も近い位置に配置され S A W共振子と接続さ れた直列腕の S A W共振子の段数を複数段で構成した請求の範囲第 1項 に記載の S AWフイルク。
25 7. 入力側初段を直列腕の S AW共振子で構成し、 かつ入力側に最も
補正された用紙 (条約第 19条) 近い位置に配置された並列腕の S A W共振子と直列腕の S A W共振子を つなぐ信号経路をハイインピーダンスでグラン ド電位と接続した請求の 範囲第 1項に記載の S A Wフィルタ。
8 . 配線パターンにベント処理を施した請求の範囲第 2項に記載の S A Wフィルタ。
9 . 請求の範囲第 1項に記載の S A Wフィルタをァンテナ端子と受信 端子との間に介在させたアンテナ共用器。
1 0 . アンテナ端子ご受信側フィルヌとの間に高域通過フィルタ型の 移相回路を設けた請求の範囲第 9項に記載のァンテナ共用器。
1 1 . 移相回路を直列キャパシタとシャントインダクタとの 7Γ型回路 により形成した請求の範囲第 1 0項に記載のアンテナ共用器。
1 2 . 移相回路を直列キャパシタとシャン トインダクタとの T型回路 により形成した請求の範囲第 1 0項に記載のァンテナ共用器。
1 3 . 請求の範囲第 9項に記載のアンテナ共用器を用いた移動体通信 端末。
補正された用紙 (条約第 I9条)
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