WO2000015015A1

WO2000015015A1 - Carte imprimee multicouches et son procede de fabrication

Info

Publication number: WO2000015015A1
Application number: PCT/JP1999/004142
Authority: WO
Inventors: Naohiro Hirose; Kouta Noda; Hiroshi Segawa; Honjin En; Kiyotaka Tsukada; Naoto Ishida; Kouji Asano; Atsushi Shouda
Original assignee: Ibiden Co., Ltd.
Priority date: 1998-09-03
Filing date: 1999-07-30
Publication date: 2000-03-16
Also published as: KR20070086858A; EP1843650A2; DE69939221D1; KR100855530B1; US8148643B2; KR20070086859A; US6591495B2; KR20070086864A; US20040025333A1; US20120125680A1; US7832098B2; US20010042637A1; EP1843650B1; EP1121008A4; US20080173473A1; EP1121008A1; EP1843649A3; EP1121008B1; EP1843650A3; KR100855528B1

Description

明細書多層プリント配線板及びその製造方法技術分野

この発明は、多層プリント配線板及びその製造方法に関し、特にレーザにより開口部を穿設し、該開口部にめっき膜を生成することでバイァホール、ソルダ —レジスト層の開口、スルーホール用開口を形成する多層プリント配線板の製造方法に関するものである。また、本発明は、コアとなる基板の構成に関するのものである。背景技術

樹脂絶縁層の表面に導体層を形成し、その導体層の一部にエッチングにより開口を設け、この開口にレーザを照射して樹脂絶縁層に孔を開ける、いわゆるコンフォーマルマスクを用いる多層プリント配線板の製造方法として、特開平 9— 1 3 0 0 3 8号が提案されている。

しかしながら、上述した技術では、 1 2 m〜l 8 mと厚みのある銅箔をコンフォーマルマスクとして使用するため、銅箔の熱伝導率が大きく、熱が拡散し易いため、高い出力のレーザ、或いは、パルス状のレーザを多数回照射すること力 S必要となる。このため、樹脂絶縁層に孔を形成する際に、孔が横方向へ広がるアンダーカツトが発生し、該孔に電解銅めつき膜及び無電解銅めつき膜を配設してバイァホールを形成しても、電解銅めつき膜及び無電解銅めつき膜の剥離が発生し易くなり、接続信頼性が低かった。

更に、上記技術では、ファインピッチの導体回路を形成することができなかつた。製造工程において、電解銅めつき膜を形成した後、レジスト下の無電解銅めつき膜（0 . l〜5 m) 及び銅箔（1 2 /i m〜1 8 m) を除去しなければならないため、導体回路の幅を狭くすることができなかった。

同様に、厚みのある銅箔をコンフォーマルマスクとして使用するため、微細な孔径のバイァホールを形成することができなかった。即ち、製造工程において、レジスト下の無電解銅めつき膜（2 m) 及び銅箔（1 2 / m〜 1 8 / m) を除去しなければならないため、バイァホールの直径を小さくすることが困難であった。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、コンフォーマルマスクを用いてもアンダーカットの発生しない多層プリント配線板の製造方法を提案することにある。

一方、特公平 4— 3 6 7 6号に示すような「コンフォーマルマスク」を用いる方法では、絶縁樹脂層上に金属層を形成しておき、バイァホール形成部分の金属層をエッチングにより取り除いて開口を設けておき、この開口部分にレーザ光を照射して開口により露出した絶縁棚旨層のみを除去する。この技術によれば、絶縁樹脂層に複数のバイァホール用開口を設けることができるため、生産性に優れる。

しかし、本発明者の研究によれば、このような技術においては、バイァホール用開口に樹脂が残存し、冷熱サイクルにより、残留樹脂が膨張してバイァホ —ルを押し上げてしまい、上層と下層との間を電気的に絶縁するという問題があることが解明された。

また、本発明者の研究によって、開口周縁部の脂がもり上がり、バイァホ —ルが断線してしまうという問題が見られた。

本発明は、バイァホール部における接続信頼性がより一層向上した、多層プリント配線板を得ることを目的とする。

一方、ビルドアップ多層プリント配線板として、いわゆる R C C (R E S I N C OAT E D C O P P E R：樹脂付銅箔）を使用した多層化技術が提案されている。この技術は、 R C Cを回路基板に積層し、銅箔をエッチング除去して、バイァホール形成部位に貫通孔を設け、この貫通孔部分の樹脂層にレ一ザ光を照射し、樹脂層を除去することにより開口部を形成し、開口部をめつき充填することにより、バイァホールを形成する技術である。

更に、特開平 9— 3 6 5 5 1号公報に記載されているような、スルーホールに導電性物質が充填された片面回路基板を、接着剤層を介して積層し、多層化する技術も開発されている。このような多層プリント配線板では、下層導体回路表面と層間樹脂絶縁層との密着性を確保するため、下層導体回路表面の粗化処理を行う。

粗化処理の方法としては、例えば、導体回路表面を C u— N i _ P合金よりなる針状または多孔質のめっき層で被覆して粗ィ匕する方法（以下、 C u - N i 一 Pめっき処理法という）、導体回路表面を黒化（酸化）一還元処理することにより粗化する方法（以下、黒化一還元処理法という）、導体回路表面を過酸化水素—硫酸の混合水溶液等を用いてソフトエッチングすることにより粗化する方法（以下、ソフトエッチング法という）、導体回路表面にサンドペーパー等により引つ搔き傷を付け粗ィ匕する方法（以下、スクラッチ法という）等が挙けられる。

しかしながら、 C u— N i—Pめっき処理法または黒ィ匕—還元処理法により導体回路を粗化した後、層間樹脂糸縁層を形成し、続いて、レーザ光を照射して層間樹脂絶縁層にバイァホール用開口を形成しょうとすると、レーザ光の照射により導体回路の粗化面が消失して平坦化してしまい、その上に形成するバィァホールとの密着性が不良となるという問題があった。

これは、上記処理により形成された粗化面は、着色しているため、レーザ光を吸収してしまうからである。

また、ソフトエッチング法やスクラッチ法により、導体回路に粗化面を形成した場合には、粗ィ匕面はレーザ光を吸収しない。しかしながら、粗化面が充分に粗化されていないため、導体回路と層間樹脂絶縁層との密着性が充分でないという問題があった。

本発明は、このような従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、導体回路上に形成する層間樹脂絶縁層との密着性に優れるとともに、層間樹脂絶縁層にバイァホールを形成するためにレーザ光を照射した際にも、導体回路表面の粗化層が平坦ィ匕されず、下層の導体回路との密着性に優れたバイァホール（導体回路）が形成された多層プリント配線板およびその製造方法を提供することにある。

一方、従来技術でバイァホールは、層間樹脂纖層に貫通孔を穿設し、該貫通孔に金属膜を配設することにより形成される。従来、該貫通孔は、層間樹脂糸禄層として感光性樹脂を用い、貫通孔に相当する位置に黒円の描かれたマスクを介して露光して該層間樹脂絶縁層を感光させ、黒円位置に相当する未感光部分を溶解することで形成していた。

しかし、上記フォトリソグラフィ一による方法では、最も小径の貫通孔として直径 8 0 / m程度が限界であり、多層プリン卜配線板の高密度化の要求に応え得なくなりつつある。このため、本発明者は、レーザにより貫通孔を形成するとの着想を得て、実験を行った結果、 8 0 m径以下の貫通孔が形成できることが判明した。

しかしながら、 8 0 / m以下の貫通孔によりバイァホールを形成した際に、ノィァホールの信頼性が低いことが分かった。この原因を研究したところ、貫通孔と無電解めつき膜との密着性に問題があることを突き止めた。即ち、無電解めつき膜を析出させてバイァホールとするが、レーザで穿設した小径の貫通孔と無電解めつき膜との密着性が低く、貫通孔から無電解めつき膜が剥離することで断線が生じていること力袢幌した。

一方、従来技術のフォトリソグラフィ一は、露光'現像により通孔を穿設していたため、感光性の材料しか用いることができず、多層プリント配線板に要求される性能を満たし得ないことがある。

また、従来技術の多層プリント配線板では、半田バンプの接続信頼性力 ¾かつた。この原因を研究したところ、貫通孔と金属膜との密着性に問題があることが分かった。即ち、開口下の導体回路にニッケルめっき膜を析出させた上に半田を充填して半田バンプとするが、該導体回路とニッケルめっき膜との密着性が低く、導体回路からニッケルめつき膜が剥離することで半田バンプの断線が生じていることが判明した。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、高い信頼性の小径バイァホールを形成できる多層プリント配線板及びその製造方法を提供することにある。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ソルダーレジストに高性能な材料を選択できる多層プリント配線板及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の目的は、高い信頼性の半田バンプを形成し得る多層：配線板及びその製造方法を提供することにある。

一方、コア基板に設けられるスルーホールは、微細化が要求されており、直径 1 0 0 m未満のスルーホールは、ドリルによる削孔は極めて困難であり、銅張積層板にレーザ加工により削孔する。

使用されるレーザ光としては、炭酸ガスレーザがコストも安く、工業生産としては最適である。しかしながら、炭酸レーザ光では、銅箔表面で反射されてしまい、レーザ加工により直接銅張積層板に貫通孔を形成することは不可能というのが技術的な常識であった。このため、銅張積層板の銅箔表面を黒化処理 (酸化処理）してレーザ光を照射する技術が特開 S 6 1— 9 9 5 9 6号として提案されている。

しかし、このような技術においては、最初に黒化処理が必要であり、工程が長くなるという問題がある。

本発明者らは鋭意研究した結果、銅箔を薄くすることにより、表面での反射にもかかわらず、銅箔に開口を形成できるという意外な事実を発見した。本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、銅張積層板を直接レーザで穿孔できる技術とともに、このような方法で得られたスルーホール形成基板および多層プリント配線板を提案することにある。

一方、近年の高密度多層化の要求により、ビルドアップ多層プリント配線板が注目されている。この多層配線板は、コア基板上に導体回路と層間樹脂層が交互に積層された多層配線板であり、各層の導体回路がバイァホールで接続されている。

このようなビルドアップ多層配線板のコア基板としては、従来より、 F R— 4グレードのガラスェポキシ基板が採用されてきた。

しかしながら、このような F R— 4グレードのガラスエポキシ基板は、 HA S T試験やスチーム試験などでめつきスルーホール間の絶縁抵抗値が低下したり、ヒ一トサイクル試験によりめつきスルーホールチェーンの抵抗値が大きく変化してしまうという問題が発生した。即ち、長期使用した際の信頼性が低かつた。

このような問題を解決すべく、 BT (ビスマレイミド―トリアジン）樹脂を用いたコア基板が提案されているが、価格の高いものであった。

本発明者らは、 BT樹脂のような価格の高い樹脂ではなく、エポキシ樹脂のような低価格の樹脂により、スルーホール間の絶縁抵抗値の低下、スルーホール間を接続する導体回路の抵抗値の変動を抑制できないかと考え、このような問題は、樹脂の T g点に起因するという意外な事実を知見するに至つた。

本発明は、低価格で HAS T試験やスチーム試験などでスルーホール間の絶縁抵抗値が低下したり、ヒ一トサイクル試験によりスルーホール間を接続する導体回路の抵抗値の変動がない多層プリント配線板を提案する。

一方、プリント配線板の製造方法は、サブトラクティブ法 (Sub t r a c t i v e P r oc e s s と、ァアイティブ法 (Add i t i ve P r o c e s s) とに大別される。サブトラクティブ法はエッチング法とも呼ばれ、銅張積層板の表面銅箔を化学的に腐食することを特徴とする。ここで、プリント配線板（両面板）をサブトラクティブ法により製造する方法を簡単に説明する。

まず、絶縁基材の両面に厚さ数十 mの銅箔を貼着してなる銅張積層板を用意する。この銅張積層板の所定箇所に、ドリリング等によってスルーホ一ル形成用孔を形成する。穴あけ工程を行うとスルーホール形成用孔内にスミアが生じるため、それを溶解して除去すべくデスミア液で銅張積層板を処理する。デスミア工程の後、銅箔に由来する下地層の全体及びスルーホール形成用孔の内壁面に、無電解銅めつきによって薄付けめつき層を形成する。このようなめつき工程の後、薄付けめつき層上にマスクを形成する。そして、マスクの開口部から露出している箇所に、電解銅めつきによって厚付けめつき層を形成する。このようなめっき工程の後、マスクを剥離し、はんだめつき等により厚付けめつき層上にエッチングレジストを形成した状態でエッチングを行う。このエツチングにより薄付けめつき層及び下地層を除去し、導体パターン同士を分断する。そして、最後にエッチングレジストを剥離すれば、所望のプリント配線板が完成する。ところが、このような方法では形状のよいファインパターンを正確に形成することができず、エッチングの特性上、ボトムのほうがトップよりも長くなつた、いわゆる裾広がり形状の導体パターンになりやすかった。従って、フアイン化 '高精度化が要求される部分（例えばボンディングパッド部分）のパターンを形成することが困難であった。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、形状のよいフアインな導体パターンを形成することが可能なプリント配線板の製造方法等を提供することにある。

発明の開示

請求項 1の多層プリント配線板の製造方法は、上記目的を達成するため、以下の（1) 〜（5) の工程を含むことを技術的特徴とする。

(1) 導体回路形成基板に、金属膜を形成した層間棚旨纖層形成用棚旨を圧着する工程。

(2) 前記金属膜をエッチングにより薄くする工程。

(3) 前記金属膜に開口を設ける工程。

(4) レーザを照射して開口から露出する層間棚旨絶縁層形成用樹脂を除去してバイァホール形成用の開口を設ける工程。

(5) 前記バイァホール形成用の開口にめっき導体を析出し、バイァホールを形成する工程。

請求項 1の発明では、エッチングにより薄膜化し熱伝導率を低下させた金属膜をコンフォーマルマスクとして用いるため、小出力のレーザで開口を形成でき、層間樹脂絶縁層を形成する棚旨にアンダー力ットを発生させることがない。また、請求項 2の多層プリント配線板の製造方法は、以下の（1) 〜（8) の工程を含むことを技術的特徴とする。

(1) 導体回路形成基板に、金属膜を形成した層間樹脂絶縁層形成用棚旨を圧着する工程。

(2) 前記金属膜をエッチングにより薄くする工程。 ( 3 ) 前記金属膜に開口を設ける工程。

( 4 ) レーザを照射して開口から露出する層間樹脂糸觸層形成用樹脂を除去してバイァホール形成用の開口を設ける工程。

( 5 ) 無電解めつき膜を前記導体回路形成基板に形成する工程。

( 6 ) 前記導体回路形成基板にめっきレジストを形成する工程。

( 7 ) 前記めつきレジスト非形成部に電解めつきを施す工程。

( 8 ) 前記めつきレジストを除去し、めっきレジスト下の金属膜、及び無電解銅めつき膜をエッチングして除去する工程。

また、請求項 2の発明では、エッチングにより薄膜化し熱伝導率を低下させた金属膜をコンフォーマルマスクとして用いるため、小出力のレーザで開口を形成でき、層間樹脂絶縁層を形成する樹脂にアンダ一カツトを発生させることがない。

また、バイァホール用開口を設けた後、金属膜上に無電解めつき層を形成し、さらに無電解めつき層の上に電解めつき層を設ける。導体回路及びバイァホ一ルを形成する際に、レジスト下層の無電解めつき層をエッチングで除去するが、金属膜、無電解めつき層が薄い膜であり容易に除去できるので、該エッチングの際に導体回路及びバイァホールを形成する電解めつき層を浸食することがなレ^ このため、ファインピッチな配線及び微細な孔径のバイァホールを形成することが可能となる。

請求項 3の多層プリント配線板の製造方法では、請求項 1又は 2において、前記金属膜が銅箔であることを技術的特徴とする。

請求項 4の多層プリント配線板の製造方法では、請求項 1又は 2において、前記金属膜をエッチングで薄くする工程において、金属膜の厚みを 5〜0 . 5 mにすることを技術的特徴とする。

請求項 4では、金属膜の厚みを 5〜0. 5 i mにする。これは、金属膜の厚みが 5 mを越えるとアンダーカットが発生し、他方、 0. 5 m以下では、コンフォーマルマスクとしての役割を果たし得ないからである。

請求項 5では、導体回路形成基板に厚み 5〜0. 5 mの金属膜を形成した層間樹脂絶縁層形成用樹脂を圧着するものである。この発明では、あらかじめ薄い金属膜を形成した樹脂フィルムを圧着するため、可撓性に優れ、導体回路形成基板に圧着し易い。

本発明は、基板上に下層導体回路が形成され、その下層導体回路上に絶縁樹脂層と上層導体回路が設けられ、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバィァホ一ルにて接続されてなる多層プリント配線板を得るにあたり、前記基板上に前記下層導体回路を形成し、ついで前記下層導体回路上に前記絶縁樹脂層を設け、さらに前記絶縁樹脂層の表面に粗化面を形成するとともに、前記粗化面上に、該粗化面の一部を露出するような開口を設けた金属層を形成し、前記開口から露出した前記粗化面にレーザ光を照射して前記絶縁樹脂層を除去してバイァホール用開口を形成した後、前記上層導体回路および前記バイァホールを設けることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法に係るものである。また、本発明は、基板上に下層導体回路が形成され、その下層導体回路上に絶縁樹脂層と上層導体回路が設けられ、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイァホールにて接続されてなる多層プリント配線板を得るにあたり、前記基板上に前記下層導体回路を形成し、ついで、片面に粗ィ匕層を設けてなりその粗ィ匕層上に前記絶縁樹脂層を形成した金属箔を、前記絶縁樹脂層が前記下層導体回路と接するように積層、加熱圧縮することによって一体化し、さらに前記金属箔の一部をエッチングして開口を設けて前記絶縁樹脂層の粗化面を露出させ、前記開口から露出した前記粗化面にレーザ光を照射して前記絶縁樹脂層を除去してバイァホ一ル用開口を形成した後、前記上層導体回路および前記バィァホールを設けることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法に係るものである。

本発明者らは鋭意研究した結果、バイァホール用開口の残渣の原因が、レーザ照射面が鏡面になっており、レーザ光が反射して fe縁棚旨層が完全に除去されないためであることを知見した。

本発明では、このような知見に基づき、レーザ照射面を粗化面としておくことにより、レーザ光の反射を抑制したものである。

本発明では、レーザ光に対するレジストとして金属層あるいは金属箔を用い、金属層あるいは金属箔に開口を設ける。この開口に開口径よりも大きなスポット径のレーザ光を照射して絶縁樹脂層にバイァホール用開口を形成する。

本発明では、金属層等の開口から露出する絶縁樹脂層表面が粗化面となっているため、レーザ光の反射を抑制でき、絶縁樹脂層を完全に除去できる。また、紙禄樹脂層の周縁部のもり上がりを抑制できるため、バイァホールの断線もない。

もり上がりを抑制できる理由は、明確ではないが、粗化面のレーザ光の吸収率が高く、樹脂がプラズマ化しやすいからではないかと推定している。

本発明者らは、上記目的の実現に向け鋭意研究した結果、第二銅錯体と有機酸を含むエッチング液を用いて導体回路をエッチング処理することにより、導体回路表面にレ一ザ光を照射した際にも平坦化されず、かつ、導体回路上に形成する層間樹脂絶縁層やバイァホールとの密着性に優れた粗化面を形成することができることを見いだし、以下に示す内容を要旨構成とする本発明に想到した。

請求項 1 2は、基板上に導体回路が形成され、該導体回路上に層間棚旨絶縁層が設けられてなるとともに、該層間樹脂絶縁層にバイァホール用開口が形成され、さらに上記層間樹脂絶縁層上にバイァホールを含む別の導体回路が形成されてなる多層プリント配線板であって、

上記導体回路表面は、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて粗化処理されてなるとともに、

上記バイァホール用開口の内壁には、縞状の凹凸が形成されてなることを特徴とする多層プリント配線板にある。

また、請求項 1 3は、 ①導体回路を形成する工程、 ②上記導体回路上に層間樹脂絶縁層を設ける工程、 ③レ一ザ光を照射することにより上記層間樹脂絶縁層にバイァホール用開口を設ける工程、および、 ④上記層間樹脂絶縁層上にバイァホールを含む別の導体回路を形成する工程を含む多層プリント配線板の製造方法であって、

上記②の工程の前に、第二銅錯体と有機酸とを含有するェッチング液を用いて上記導体回路表面を粗化処理する多層プリント配線板の製造方法である。上記多層プリント配線板の製造方法においては、上記第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を上記導体回路表面にスプレーすることにより、または、バブリング条件下で上記エッチング液に上記導体回路を浸漬することにより、上記導体回路表面を粗化処理することが好ましい。

請求項 1 5は、層間翻旨紙縁層と導体層とを交互に積層し、前記層間樹脂絶縁層に形成した貫通孔に金属膜を形成してなるバイァホールにて導体層間を接続する多層プリント配線板において、

前記貫通孔の側壁に縞状の凹凸を形成したことを技術的特徴とする。

請求項 1 5の発明では、貫通孔の側壁に縞状の凹凸を形成することで、金属膜との接続面積が増しているため密着性が高くなり、高い信頼性のバイァホ一ルを形成することができる。

また、孔方向に沿って縞状の凹凸を設けるため、バイァホールの上下方向に力が加わってもバイァホールが剥離したりしないため、バイァホール用の貫通孔に樹脂が残さとして残り、加熱でこの残さが膨張してバイァホールを押し上げた場合でも剥離が生じず、接続信頼性が確保される。

また、バイァホールにバンプ形成するが、 I Cチップのように樹脂とは熱膨張率が異なる部品を搭載すると、ヒートサイクルによりバイァホ一ルの上下方向に力が加わる。このような場合でも孔方向に沿って縞状の凹凸を設けるためノィァホールが剥離したりしないのである。

縞状の凹凸は、凸と凸（あるいは凹と凹）との間隔が 1〜2 0 i mが望ましい。小さすぎても、大きすぎても金属膜との密着効果が低下してしまうからである。この間隔はレーザ光の波長の 1 / 2に概ね一致する。

ノィァホールを構成する金属膜は、貫通孔側壁に近い側から無電解めつき膜、電解めつき膜の順で形成されていることが望ましい。無電解めつき膜は電解めつき膜に比べて硬く、また縞伏の凹凸が擬似的な粗面となっているため、弓 Iきはがしの力が加わつた場合でも金属膜の破断によりバイァホールが貫通孔から剥離することがない。

さらに前記縞状の凹凸の表面に平均表面粗さ R aが 0. 0 5〜5 m程度の粗化面が形成されていること（第 3 1図（A) の拡大図）が最適である。密着性をさらに改善できるからである。貫通孔側壁の粗化面を複雑にすると、高周波数の信号線を伝搬させた場合、表皮効果により伝搬遅延やノイズが発生するが、本発明の縞状の凹凸は 1〜 2 0 mの間隔であり、表皮効果は殆ど問題とならず、しかも密着性を改善できる。

貫通孔が至る導体回路表面は電解めつき膜が最適である。電解めつき膜は、無電解めつき膜に比べて結晶粒子が小さく、光沢性に優れ、レーザ光を反射させやすく、後述するようなレーザ光の入射光と反射光を干渉させる場合には最適である。

前記貫通孔が至る導体回路表面は、金属粗化層を有することが望ましい。導体回路表面に金属粗ィ匕層を設けることにより、金属粗化層表面でレーザ光が反射しレーザ光の入射波と反射波を千渉させることができ、層間樹脂絶縁層の貫通孔の壁面に、孔方向にそって縞状に凹凸を設けることが可能である。また、粗化層により、レーザ光の反射を一定限度以下に抑制できるため、導体回路表面の樹脂のこりの発生を防止できるのである。さらに、粗化層により層間樹脂絶縁層との密着を確保できるため、レーザ光の熱衝撃による劣化で層間樹脂絶縁層が剥離することを防止できる。

なお、粗化層を設けない場合は反射率が高すぎて樹脂のこりが生じやすく、また酸ィ匕（黒化）処理により粗化層を設けても、レーザ光を吸収してしまい、反射させることができない。

粗化層の R jは、 0 . 0 5 m〜2 0 mが望ましい。 0. 0 5 m未満では裏面が黒色となりレーザ光を吸収してしまい、 2 0 mを越えるとレーザ光が散乱していずれにせよ、入射波と反射波を干渉させることができないからである。

このような粗ィ匕層としては、研磨処理などの物理的粗化、酸化（黒化）一還元処理、硫酸—過酸化水素水溶液処理、第二銅錯体と有機酸からなるエツチング液による酸素共存下での粗化処理などの非酸化性の化学的粗化、 C u - N i — P、 C u— C o— Pなどの合金めつきを施すめつき処理などで得られる粗化層がましい。これらはいずれも金属粗化層であり、レーザ光を反射しうるからである。前記 Cu— N i— Pのめつきとしては例えば硫酸鋼 (0. 1 X 1 0— ²〜25 X 10— ²mo 1 / 1), 硫酸ニッケル（0. 1 X 10— ³〜40 X 10— ³mo \/ 1)、クェン酸（1 X 1 0— ²〜2 OX 1 0一² mo 1/ 1)、次亜リン酸ナトリウム（1 X 1 0―¹〜 10 X 10— 1/ 1), ホウ酸（1 X 1 0―¹〜 1 0. 0 X 1 O^mo 1 / 1), 界面活性剤（日信化学工業社製、サ一フィノール 465) (0. 1〜： L 0g/ 1) の水溶液からなる pH= 9の無電解めつき浴を使用でさる。

また、本願発明に用いる第二銅錯体は、ァゾ一ル類の第二銅錯体がよい。このァゾ一ル類の第二銅錯体は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。ァゾール類としてはジァゾ一ル、トリァゾール、テトラゾ一ルがよい。中でも、イミダゾ一ル、 2—メチルイミダゾ一ル、 2—ェチルイミダゾール、 2—ェチルー 4一メチルイミダゾ一ル、 2 _フエ二ルイミダゾール、 2—ゥンデシルイミダゾ一ル等がよい。ァゾ一ル類の第二銅錯体の添加量は、 1〜15重量％がよい。溶解性及び安定性に優れ、また、触媒核を構成する Pdなどの貴金属をも溶解させることができるからである。

また、酸化銅を溶解させるために、有機酸をァゾール類の第二銅錯体に配合する。

具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カブロン酸、 7 クリル酸、クロトン酸、シユウ酸、マロン酸、コハク酸、ダルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸からなる群より選ばれる少なくとも 1種がよい。有機酸の含有量は、 0. ：!〜 30重畳％がよい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ溶解安定性を確保するためである。

発生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体となつて、再び銅の酸化に寄与する。

また、銅の溶解ゃァゾール類の酸化作用を補助するために、ハロゲンイオン、例えばフッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン等をエッチング液に加えてもよレ^ 本発明では、塩酸、塩化ナトリウム等を添加して、ハロゲンイオンを供給することができる。ハロゲンイオン量は、 0. 01〜20重量％がよい。形成された粗ィ匕面と層間翻旨絶縁層との密着性に優れるからである。

ァゾ一ル類の第二銅錯体と有機酸泌要に応じてハロゲンイオン）を、水に溶解してエッチング液を調整する。

酸化—還元処理としては、 Na〇Hl〜100g/l、 NaC lO₂l〜10 0 gZl、 Na₃P〇₄1〜50 gZ 1の酸化浴と NaOH 1〜100 1、 NaBH₄1〜50 g/ 1の還元浴を使用できる。

前記金属粗化層はさらに、 T i、 Al、 Cr、 Zn、 Fe、 I n、 T l、 C o、 N i、 Sn、 Pb、 B i、貴金属から選ばれる少なくとも 1種以上の金属で被覆されていてもよい。光沢度確保とソルダーレジストとの密着性を改善するためである。これらの金属は、その厚さが 0. 01〜10 /mであることが望ましい。

本発明では、特にバイァホール用の貫通孔は、その直径が 80/ m以下であること力 s望ましい。このような微細なバイァホールは、バイァホールを構成する金属膜とバイァホール用貫通孔の側壁との接触面積が小さく、極めて剥離しやすい。このため従来の粗化面の形成では、剥離を充分に防止できないからである。また、粗化面を複雑にし過ぎると前述した表皮効果により、伝搬遅延、ノイズの問題が発生する。本発明は、このような矛盾する問題を解決することができるのである。

また、請求項 16は、請求項 15において、前記層間樹脂絶縁層が、讀化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体からなることを技術的特徴とする。

請求項 16の発明では、層間樹脂絶縁層が、熱硬化性樹脂又は»ィ匕性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体からなるため、レーザの干渉により縞状の凹凸を容易に形成することができる。なお、熱可塑性樹脂のみでは、樹脂が溶融して明確な縞状の凹凸を形成できない。

請求項 17は、請求項 15において、アクリル系モノマ一を含むことを技術的特徴とする。

請求項 17の発明では、層間樹脂絶縁層が、アクリル系モノマーを含むことが望ましい。樹脂残さを低減できるからである。アクリル系モノマ一は、熱硬化性樹脂（一部感光化されたものを含む）のモノマーまたはオリゴマーを架橋する。

アクリル系モノマーは、レーザ光により比較的分解しやすいため、このようなアクリル系モノマーを分子鎖中に有していると、レーザ光により、アクリル系モノマーが分解し、纏化性棚旨を低分子ィ匕し、さらに低分子となった棚旨をさらにレーザ光で分解することになるため、ブラズマ化が容易で樹脂残さが殆どなくなるものと推定される。

アクリル系モノマ一としては、各種市販品を使用することができるが、例えば、日本化薬製の DPE— 6A、 KAYAMAER PM— 2、 PM— 21、共栄社化学製の R— 604、東亜合成製のァロニクス M— 315、 M— 325、 M-215などである。

DPE— 6 Aは第 59図に示すィ匕学式 1に、 R— 604はィ匕学式 2に、ァロニクス M— 315は化学式 3に、 M— 215は第 60図に示す化学式 4に、 K AYAMAER PM— 2、 PM— 21は化学式 5にそれぞれ開示する。

また、請求項 18は、少なくとも（a) 〜（d) の工程を有することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法にある：

(a) 導体回路を形成する工程、

(b) 前記導体回路上に樹脂を塗布する工程、

(c) 炭酸ガスレーザを前記樹脂に照射し、前記導体回路へ至る貫通孔を形成する工程であって、当該炭酸ガスレーザを樹脂下の前記導体回路に垂直に照射し、該導体回路からの反射波と入射波との干渉を生ぜしめることで、当該貫通孔の側壁に縞状の凹凸を形成する工程、

(d) 前記貫通孔に金属を被覆して、バイァホールを形成する工程。

請求項 18の発明では、炭酸ガスレーザを樹脂下の導体回路に垂直に照射し、該導体回路からの反射波と入射波との干渉を生ぜしめるため、貫通孔の側壁に縞状の凹凸を形成することが可能となる。このため、金属との密着性が高くなり、高い信頼性のバイァホールを形成できる。

請求項 19は、請求項 18において、前記樹脂は、讀化性樹脂又は麵化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体からなることを技術的特徴とする。請求項 1 9の発明では、層間樹脂絶縁層が、歷化性樹脂又は麵化性翻旨と熱可塑性樹脂との複合体からなるため、レーザ光により縞状の凹凸を容易に形成することができる。

請求項 2 0は、請求項 1 8又は 5において、前記バイァホールを形成するェ程は、貫通孔に無電解銅めつき膜を施した後、レジストを形成し、無電解めつき膜を介して通電して該レジスト非形成部に電解めつき膜を形成する工程を含むことを技術的特徴とする。

請求項 2 0の発明では、貫通孔に無電解銅めつき膜を施した後、レジストを形成し、無電解めつき膜を介して通電して該レジスト非形成部に電解めつき膜を形成することでバイァホールを形成する。貫通孔の側壁にレーザ干渉による縞状の凹凸を形成してから無電解めつき膜を形成するため、該無電解めつき膜と層間樹脂絶縁層の貫通孔との密着性が高くなり、高い信頼性のバイァホールを形成することができる。

請求項 2 1は、請求項 1 8〜6において、前記層間棚旨絶縁層はアクリル系モノマ一を含むことを技術的特徴とする。

上記目的を達成するため、請求項 2 2は、少なくとも以下の（a；)、 (b) の工程を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法にある：

( a) 導体回路の形成された基板の表面にソルダーレジスト層を形成するェ程、

( b) 前記ソルダ一レジスト層にレーザを照射し、前記導体回路に至る貫通孔を穿設する工程。

請求項 2 2の発明では、ソルダーレジスト層にレーザで貫通孔を穿設するため、感光性樹脂に限定されることなく、ソルダ一レジスト層として種々の材料を用いることが可能となる。

また、ソルダーレジストの樹脂残りによる導通不良を低減させることができる。

導体回路表面は電解めつき膜が最適である。電解めつき膜は無電解めつき膜に批ベて結晶粒子が大きく、光沢性に優れ、レーザ光を反射させやすぐ後述するようなレーザ光の入射光と反射光を干渉させる場合には最適である。また、請求項 2 3は、請求項 2 2におて、前記導体回路表面は、金属粗化層を有することを技術的特徴とする。

請求項 2 3の発明では、導体回路表面は、金属粗化層を有することが特徴である。

導体回路表面に金属粗化層を設けるため、金属粗化層表面でレーザ光が反射し、後述するように、レーザ光の入射波と反射波を干渉させることができ、ソルダ —レジスト層の貫通孔の壁面に、孔方向にそって縞状に凹凸を設けることが可能である。

請求項 2 4は、請求項 2 2において、前記工程（b) の後に、（c ) 前記貫通孔に低融点金属からなるバンプを設ける工程を行うことを技術的特徴とする。請求項 2 4の発明では、ソルダーレジスト層貫通孔に低融点金属からなるバンプを形成する。このようなバンプに I Cチップの電極を接続させたり、あるいは、このようなバンプを利用してプリント基板を他のプリント基板へ実装することができる。

また、請求項 2 5は、請求項 2 2にて、前記貫通孔を形成する工程において、シングルモードのレーザを照射することで、直径 3 0 0 m〜6 5 0 ΠΊの貫通孔を形成することを技術的特徴とする。

請求項 2 5の発明では、ビーム径を大きくすることができるシングルモードのレ一ザを照射するため、直径 3 0 0 M m〜 6 5 0 mの貫通孔、即ち、他のプリント配線板（例えば、マザ一ボード）への接続用のバンプを形成するための貫通孔をソルダーレジスト層に形成することが可能になる。

請求項 2 6は、請求項 2 2にて、前記貫通孔を形成する工程において、マルチモードのレーザを照射することで、直径 5 0 ΙΏ〜3 0 0 mの貫通孔を形成することを技術的特徴とする。

請求項 2 6の発明では、ビーム径を小さくできるマルチモードのレーザを照射するため、直径 5 0 ΐτ！〜 3 0 0 /z mの貫通孔、即ち、 I Cチップへの接続用のバンプを形成するための貫通孔をソルダーレジスト層に形成することが可能になる。

請求項 2 7は、請求項 2 2〜2 6にて、前記貫通孔を形成する工程において、炭酸ガスレーザをソルダーレジスト層下の前記導体回路に垂直に照射し、該導体回路からの反射波と入射波との千渉を生ぜしめることで、当該貫通孔の側壁に縞状に凹凸を形成することを技術的特徴とする。

請求項 2 7の発明では、貫通孔を形成する工程において、炭酸ガスレーザの反射波と入射波との干渉を生ぜしめることで、当該貫通孔の側壁に縞状の凹凸を形成するため、該貫通孔に金属膜を形成する際に、当該貫通孔に密着させることができる。

請求項 2 8は、請求項 2 7において、前記バンプを形成する工程では、側壁に縞状に凹凸を形成した貫通孔に金属膜を設けた後、低融点金属を充填することを技術的特徴とする。

請求項 2 8の発明では、側壁を形成した貫通孔に金属膜を形成した後、低融点金属を充填することでバンプを形成するため、該金属膜を縞状の凹凸が形成された貫通孔に密着させることで、バンプを強固に導体回路に接続させることができる。

請求項 2 9は、導体回路の配設された基板の表面にソルダーレジスト層を形成してなるプリント配線板であって、

前記ソルダーレジスト層に穿設した貫通孔の側壁に、縞状に凹凸が形成されてなることを技術的特徴とする。

請求項 2 9の発明では、ソルダーレジスト層に穿設した貫通孔の側壁に縞状の凹凸を形成してあるため、該貫通孔に金属膜を形成する際に、当該貫通孔に密着させることができる。

また、ヒートサイクルにより、金属膜とソルダーレジスト層の熱膨張率の相違により、ソルダーレジスト層にクラックが発生する場合があるが、本発明では、金属膜とソルダ一レジスト層の貫通孔壁面が密着するため、クラックが発生しにくレ^

また、貫通孔壁面に孔方向にそって縞伏に凹凸を設けたことにより、壁面と低融点金属との接触が面接触ではなく線接触になるため、高温多湿条件下で低融点金属がイオン化して拡散する現象（マイグレーション）を抑制できる。使用される低融点金属、金属膜は前述ものと同じである。前記導体回路表面は電解めつき膜が最適である。電解めつき膜は、無電解めつき膜に比べて結晶粒子が小さく、光沢性に優れ、また、めっき焼けと呼ばれる変色が少ないためレ —ザ光を反射させやすく、壁面に孔方向にそって縞状に凹凸を設けることができるからである。

縞状の凹凸は、凸と凸（あるいは凹と凹）との間隔が 1〜20 mが望ましレ^ 小さすぎても、大きすぎても金属膜との密着効果が低下し、また面と殆どかわらなくなるため前述の効果が得られないからである。この間隔はレ一ザ光の波長の 1 / 2に概ね一致する。

低融点金属としては Sn//Pb、 AgZSn、 A gZS n/C uなどの半田を使用することができる。また、このようなバンプは、 N i/Au、 N iZP dZAu、 Cu/N i /Au C uZN i /P dZA uなどの金属膜を介して形成することができる。 Cu、 N i層は0· 1〜： L 0 m、 Pd、 Au層は 0. 01〜丄 0 mに調整される。

請求項 30は、請求項 29において、前記貫通孔内に金属膜を介して、低融点金属からなるバンプが形成されていることを技術的特徴とする。

請求項 30の発明では、貫通孔に金属膜を介して、低融点金属を充填することでバンプを形成するため、該金属膜を縞状の凹凸が形成された貫通孔に密着させることで、バンプを強固に導体回路に接続させることができる。

請求項 31は、請求項 29又は 30において、前記ソルダーレジスト層として、熱硬化性樹脂又は讀化性棚旨と熱可塑性棚旨との複合体からなることを技術的特徴とする。

請求項 31の発明では、ソルダーレジスト層が、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体からなるため、レ一ザにより貫通孔側面に縞状の凹凸を形成し易いのである。なお、熱可塑性樹脂のみの場合は、樹脂が溶融してしまし、明確な凹凸形状の形成が困難である。

請求項 32は、請求項 29〜 31において、前記導体回路表面に粗化層が形成されてなることを技術的特徴とする。

請求項 32の発明では、導体回路表面は、金属粗化層を有することが特徴である。導体回路表面に金属粗化層を設けるため、金属粗化層表面でレーザ光が反射し、後述するように、レーザ光の入射波と反射洩を干渉させることができ、ソルダ —レジスト層の貫通孔の壁面に、孔方向にそって縞状に凹凸を設けることが可能である。

本発明では、上記層間樹脂絶縁層として無電解めつき用接着剤を用いること力 S望ましい。この無電解めつき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは謝匕剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。

酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のァンカーからなる粗化面を形成できる。

上記無電解めつき用接着剤において、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、 ①平均粒径が 10 / m以下の耐熱性樹脂粉末、 ②平均粒径が 2 m 以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、 ③平均粒径が 2〜： lOj mの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が 2 以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、 ④平均粒径が 2〜： 10 ^ mの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が 2 u m以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも 1種を付着させてなる疑似粒子、 ⑤平均粒径が 0. 1〜0. 8 の耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が 0 . 8 mを越え、 2 m未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、 ⑥平均粒径が 0. 1〜1 . 0 mの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることがましい。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからである。

粗化面の深さは、 R j = 0. 0 1〜2 0 mがよい。密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、 0. ：!〜 5 mがよい。密着性を確保しつつ、無電解めつき膜を除去できるからである。

前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹脂としては、「變化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者については耐熱性が高い。前記熱硬化性棚旨としては、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用できる。特にエポキシ樹脂のァクリレートが最適である。

エポキシ樹脂としては、フエノ一ルノポラック型、クレゾ一ルノポラック型、などのノポラック型エポキシ樹脂、ジシクロペン夕ジェン変成した脂環式ェポキシ樹脂などを使用することができる。

熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（P E S )、ポリスルフォン (P S F) , ポリフエ二レンスルフォン（P P S )、ポリフエ二レンサルフアイド（P P E S )、ポリフエ二ルェ一テル（P P E)、ポリエーテルイミド（P I ) などを使用できる。

熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂） /熱可塑性樹脂 = 9 5ノ 5〜 5 0 / 5 0がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靭性値を確保できるからである。

前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して 5〜5 0重量％、望ましくは 1 0〜4 0重量％がよい。

耐熱性樹脂粒子は、ァミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂)、エポキシ樹脂などがよい。更に、アクリル系モノマーを含ませることができる。なお、接着剤は、組成の異なる 2層により構成してもよい。

なお、多層プリント配線板の表面に付加するソルダーレジスト層としては、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体を使用でき、例えば、ビスフエノ一ル A型エポキシ樹脂、ビスフエノール A型ェポキシ樹脂のァクリレート、ノポラック型エポキシ樹脂、ノポラック型エポキシ樹脂のァクリレートをアミン系硬化剤ゃィミダゾール硬ィ匕剤などで硬化させた樹脂を使用できる。 —方、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じることがある。このため、補強層を設けることでソルダーレジスト層の剥離を防止することもできる。

ここで、上記ノポラック型エポキシ樹脂のァクリレートとしては、フエノールノボラックゃクレゾールノポラックのダリシジルェ一テルを、アタリル酸ゃメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。

上記イミダゾール硬化剤は、 25°Cで液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。

このような液状ィミダゾール硬化剤としては、 1-ベンジル— 2-メチルイミダゾール（品名： 1B2MZ ) 1-シァノエチルー 2-ェチル—4-メチルイミダゾール（品名： 2E4MZ-CN)、 4-メチルー 2-ェチルイミダゾ一ル（品名： 2E4MZ ) を用いることができる。

このイミダゾ一ル硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して 1〜10重量％とすることがましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしゃすいからである。

上記ソルダーレジス卜の硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。

このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸ィ匕させない。また、人体に対する有害性も少ない。

このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（DMD G) およびトリヱチレングリコ一ルジメチルエーテル（DMT G) から選ばれるいずれか少なくとも 1種を用いる。これらの溶剤は、 30〜50°C程度の加温により反応開始剤であるべンゾフエノンゃミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。

CH 3 O - (CH 2 CH 2 O) n 一 CH 3 (n= l〜5 ) このダリコールエーテル系の溶媒は、ソルダ一レジスト組成物の全重量に対して 1 0〜7 0wt%がよい。

以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレペリング剤、耐熱性ゃ耐塩基性の改善と可撓性付与のために讀化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。

例えば、レペリング剤としてはァクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のィルガキュア I 9 0 7、光増感剤としては日本化薬製の D E T X— Sがよい。

さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いること力 S望ましい。

添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフエノ一ル型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフエノール型エポキシ樹脂には、ビスフエノール A型ェポキシ樹脂とビスフエノール F型ェポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。

添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価ァクリル系モノマーを用いることができる。 ^ffiアクリル系モノマ一は、解像度を向上させることができるからである。例えば、 ^アクリル系モノマ一として、日本化薬製の D P E— 6 A、共栄社化学製の R— 6 0 4を用いることができる。

また、これらのソルダ一レジスト組成物は、 2 5 °Cで 0. 5〜1 0 P a ' s、より望ましくは 1〜1 O P a · sがよい。ロールコ一夕で塗布しやすい粘度だからである。

また、請求項 3 4の多層プリント配線板の製造方法は、両面銅張積層板にレ一ザ加工により貫通孔を設け、その内壁を導電化してスルーホールを形成してコア基板とし、

該コア基板上に層間棚旨総層および導体回路を形成する多層配線板の製造方法において、

前記両面銅張積層板の銅箔の厚さを 1 2 m未満とすることを技術的特徴とする。

更に、請求項 3 7のスル一ホール形成基板は、両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、その内壁を導電化してスルーホールが形成された基板において、前記貫通孔にはテ一パが形成されてなることを技術的特徴とする。

また、請求項 4 0の多層プリント配線板は、両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、その内壁を導電化してスルーホールが形成された基板の少なくとも一方の面に層間樹脂絶縁層および導体回路が形成されてなる多層プリント配線板において、

前記貫通孔にはテ一パが形成されてなることを技術的特徴とする。

本発明者らは鋭意研究した結果、炭酸ガスレ一ザ光により 1 2 m以上の銅箔に穿孔できない理由は、表面での反射ではなく、銅箔が厚くなることにより熱伝導しやすくなり、レーザ光のエネルギーが熱となって伝搬してしまうからであることを知見した。さらに、銅箔の厚さを 1 2 m未満、望ましくは 1〜1 0 /im程度とすることにより、レーザ光のエネルギーが熱となって伝搬することを抑制し、レーザ光による穿孔を実現した。

本発明で使用される銅張積層板は、ガラス布エポキシ樹脂、ガラス布ビスマレイミド―トリアジン樹脂、ガラス布フッ素樹脂などのプリプレダに銅箔を貼付した銅張積層板を使用することができる。

銅箔の厚さは、 1〜 1 0； mが望ましい。 1 0 tm以下ならばレーザ光で穿孔しゃすく、他方、 1 / m未満ではふくれなどが生じ易いからである。

銅箔の厚さの調整は、エッチングにより行う。具体的には、硫酸—過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニゥム、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液を用いた化学ェツチング、イオンビームエツチングなどの物理工ッチングで行う。

銅張積層板の厚さは、 0. 5〜1 . 0 mmが望ましい。厚すぎると穿孔できず、薄すぎると反りなどが発生しやすいからである。

本発明で使用される炭酸ガスレーザは、 2 0〜4 0 mJ、 1 0— ⁴〜1 0— ⁸ 秒の短パルスレーザであることが望ましい。

ショット数は、 5〜1 0 0ショットである。

形成される貫通孔の直径は、 5 0〜： L 5 0 mが望ましい。 5 0 m未満では、めっき等により壁面を導電ィ匕できず、また 1 5 0 /z mを越えるとドリルカロェの方が有利だからである。

貫通孔の直径が、 1 0 0 mを越えると貫通孔にテ一パが生じる。レーザ光の入射側に貫通孔の直径が大きくなるようなテーパが生じる。

また、レーザ光を表面および裏面から照射すると、断面がつつみ形の貫通孔が生じる。

この貫通孔を導電化する。導電化の方法としては、電気めつき、無電解めつき、スパッ夕、蒸着、導電性べ一ストの充填などの方法による。

導電性ペーストを充填する場合には、貫通孔にはテ一パが形成されていることが望ましい。ペーストを充填しやすいからである。

電気めつき、無電解めつき、スパッ夕、蒸着などにより、内壁面を金属化することによりスルーホールを形成した場合にも、このスルーホールに充填材を充填することができる。

また、金属化されたスルーホール内壁は、粗ィ匕されていてもよい。

スルーホール内壁を金属ィ匕する場合は、銅箔および金属化層（たとえば無電解めつき層）の厚さは、 1 0〜 3 0 x mであることがましい。

充填材としては、ビスフエノ一ル F型エポキシ樹脂およびシリカ、アルミナ等の無機粒子からなるもの、また、金属粒子および樹脂からなるものなど各種のものを使用できる。

このようにして形成されたスルーホール形成基板に導体回路を設ける。導体回路はエッチング処理により形成する。

導体回路表面は、密着性改善のため粗化処理することが望ましい。

ついで糸觸樹脂からなる層間樹脂絶縁層を設ける。

前記絶縁樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいはこれらの複合樹脂が用いられる。本発明では、層間樹脂絶縁層は、無電解めつき用接着剤でもよレ^ このような層間樹脂絶縁層は、レーザ光や露光、現像処理で開口を設けることができる。

請求項 4 5は、スル一ホール及び導体回路が設けられた基板上に層間樹脂絶縁層および導体回路が交互に積層形成されてなり、異なる層の導体回路同士が層間樹脂絶縁層に設けられたバイァホールで電気的に接続されてなるビルドアップ多層配線板において、

前記基板は、 T g点 1 9 0 °C以上のエポキシ樹脂を使用したガラスエポキシ基板であることを特徴とする多層プリント配線板である。

本発明者らは鋭意研究した結果、 H A S T試験やスチーム試験などでスルーホール間の絶縁抵抗値が低下するのは、スルーホ一ルを構成する銅などの金属がイオン化してスルーホール間を移動（マイグレーション）し、絶縁抵抗値を低下させてしまうためであることを知見した。

また、ヒ一トサイクル試験によりスルーホール間を接続する導体回路の抵抗値が変動するのは、熱膨張収縮により、導体回路またはめつきスルーホールが破断するためであることも併せて知見した。

-ションゃ熱膨張収縮を低減させるためには、エポキシ樹脂の架橋密度を上げて、 T g点を上げればよいことに想達した。

エポキシ樹脂の Tg点が 190°C以上であれば、これらの問題を抑制できる。これにより、めっきスルーホールを構成する銅などの金属がイオン化してスル —ホール間を移動（マイグレーション）し、 HAST試験やスチーム試験などで、めっきスルーホール間の絶縁抵抗値を低下させることがなくなる。また、ヒ一トサイクル試験で熱膨張収縮により、導体回路またはめつきスルーホールが破断することによる抵抗値変動がなくなる。

また、エポキシ樹脂は、 BT樹脂に比べて低コストである。

丁8点が190で以上（DMA法（昇温： 2。 CZ分)）のガラスエポキシ基板としては、マスラミネーシヨン方式の多層配線板用に開発された既存の基板を流用できる。

例えば、三菱瓦斯化学 HL 830 (丁_§点217° C) HL 830 FC (丁8点212° C) 日立化成工業 MCL— E— 679 LD (Tg点 20 5〜215° C) MCL— E— 679 F (Tg点 205〜217° C) 松下電工 R—5715 (Tg点 190° C) などである。

このようなガラスエポキシ基板あるいはこの銅張積層板に、レーザやドリルで孔を明け、電気めつき、無電解めつき、スパッ夕、蒸着などにより、内壁面を金属化することによりスル一ホールを形成する。このスルーホールに充填材を充填することができる。

また、金属化されたスルーホール内壁は、粗化されていてもよい。

充填材としては、ビスフエノール F型エポキシ樹脂およびシリカ、アルミナ等の無機粒子からなるもの、また、金属粒子および樹脂からなるものなど各種のものを使用できる。

このようにして形成されたスルーホール形成基板に導体回路を設ける。導体回路はェッチング処理により形成する。

ついで層間棚旨絶縁層を設ける。禄樹脂は、麵化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいはこれらの複合樹脂が用いられる。

上記の課題を解決するために、請求項 46に記載の発明では、サブトラクティブ法により形成されためつきスルーホール及び導体パターンを備えるプリン卜配線板の製造方法において、絶縁基材の両面に厚さ 0 . 5 / m〜7 . 0 mの導電性金属箔を貼着してなる金属張積層板の所定箇所に、スルーホール形成用孔を形成する穴あけ工程と、前記スルーホール形成用孔内にあるスミアを溶解除去するデスミア工程と、前記導電性金属箔に由来する下地層及び前記スルーホール形成用孔の内壁面に薄付けめつき層を形成する第 1のめつき工程と、前記薄付けめつき層上にマスクを形成するとともに、同マスクの開口部から露出している箇所に厚付けめつき層を形成する第 2のめつき工程と、前記マスクを剥離してからェッチングを行うことにより、同マスク下にあつた前記薄付けめっき層及ぴ地層を除去して導体パターン同士を分断することを特徴とするプリン卜配線板の製造方法をその要旨とする。

請求項 4 6の発明によると、穴あけ工程時に発生したスミアは、デスミアェ程を経ることによつて溶解除去されるとともに、このとき導電性金属箔も溶解 P余去されてさらに薄くなる。そして、第 1のめつき工程により薄付けめつき層が形成され、さらに第 2のめつき工程によって厚付けめつき層が形成されることにより、後に導体パターンとなるべき部分のみが選択的に厚くなる。この後、エッチングを行って、マスク下にあった薄付けめつき層及び下地層を除去することにより、導体パターン同士が分断される。本発明の場合、薄付けめつき層及び下地層はともに薄いため、導体パターン分断工程においてエッチングにより除去すべき厚さ分も相当少ない。従って、分断されてできあがった導体パ夕一ンが裾広がり形状になりにくく、形状のよいファインパターンを正確に形成することができる。

導電性金属箔は、銅、アルミニウム、スズ、金、銀、白金、ニッケルを用いることができ、その中でも銅あるいは銅を主とする金属であることがましい。請求項 4 8に記載の発明は、請求項 4 7において、前記第 1のめつき工程では無電解めつき浴が用いられ、前記第 2のめつき工程では電解めつき浴が用いられるとした。

請求項 4 8に記載の発明によると、スルーホール形成用孔の内壁面にめっき層を形成するときのみ無電解めつき浴を用い、その後は安価であってめっき析出速度の速い電解めつき浴を用いている。このため、コスト性及び生産性を向上させることができる。

請求項 4 9に記載の発明では、請求項 4 7において、前記第 1のめつき工程では、無電解銅めつき浴を用いて厚さ 0 . 2 i m〜2 . 5 mの薄付け銅めつき層が形成され、前記第 2のめつき工程では、電解銅めつき浴を用いて厚さ 8 . 0 i m以上の厚付け銅めつき層が形成されるとした。

請求項 4 9に記載の発明によると、スルーホール形成用孔の内壁面にめっき層を形成するときのみ無電解銅めつき浴を用い、その後は極めて安価であってめっき析出速度の速い電解銅めつき浴を用いている。このため、コスト性及び生産性をよりいっそう向上させることができる。また、第 1のめつき工程において極めて薄い銅めつき層が形成されることから、導体パターン分断工程においてエッチングにより除去すべき厚さ分も極めて少なくなる。ゆえに、形状のよいファインパターンをよりいっそう正確に形成することができる。

請求項 5 0に記載の発明は、請求項 4 7乃至 4 9のいずれか 1項において、前記エッチングによる導体パターン分断工程は、前記第 2の工程により形成される厚付けめつき層上にエッチングレジストを設けない状態で行われるとした。請求項 5 0に記載の発明によると、導体パターン分断工程において、エッチングレジストを形成 ·剥離する工程が不要となる結果、工数が減り、生産性が向上する。また、このときのエッチングに伴って厚付けめつき層が除去される厚さ分も極めて少なぐパターン形成精度等に特に悪影響を及ぼすこともない。請求項 5 1に記載の発明では、例えばサブトラクティブ法などにより形成された導体パターンを備えるプリント配線板において、前記導体パターンは、絶縁基材に設けられた厚さ 0 . 2 ^ m〜3 . 0 z mの金属下地層と、前記金属下地層上に形成されためつき層とを含んで構成されていることを特徴とするプリント配線板をその要旨とする。

請求項 5 2に記載の発明では、例えばサブトラクティブ法などにより形成された導体パターンを備えるプリント配線板において、前記導体パターンは、絶縁基材に設けられた犀さ 0 . 2 ^ m〜2 . 5 の金属下地層と、前記金属下地層上に形成された厚さ 0 . 2 i m〜2 . 5 のめつき層と、前記めつき層上に形成された厚さ 8 . 0 m以上のめっき層とを含んで構成されていることを特徴とするプリント配線板をその要旨とする。

図面の簡単な説明

第 1図（A)、第 1図（B)、第 1図（C)、第 1図（D) は、本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 2図（E)、第 2図（F)、第 2図（G)、第 2図（H) は、本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 3図（1 )、第 3図（J )、第 3図（K)、第 3図（L) は、本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 4図（Μ)、第 4図（Ν)、第 4図（0)、第 4図（Ρ) は、本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 5図（Μ' )、第 5図（Ν' )、第 5図（0 ' )、第 5図（Ρ ' ) は、本発明の第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 6図（Q)、第 6図（R) は、本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

第 7図（A)、第 7図（B)、第 7図（C) は、本発明の第 2実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 8図（D)、第 8図（E)、第 8図（F) は、第 2実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 9図（G)、第 9図（H)、第 9図（I ) は、第 2実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 1 0図（J )、第 1 0図（K)、第 1 0図（L) は、第 2実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 1 1図（Μ)、第 1 1図（Ν) は、第 2実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 1 2図（Α；)、第 1 2図（Β)、第 1 2図（C) は、第 2実施形態の第 1改変例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。第 1 3図は、第 2実施形態の第 1改変例に係る多層プリント配線板の製造ェ程図である。

第 1 4図は、本発明の第 3実施形態に係る基板上の導体回路に、本発明の粗ィ匕処理方法により粗化面を形成した際の粗化面の一例を示す平面図である。第 1 5図は、第 1 4図に示した導体回路表面の A— A線縦断面図である。第 1 6図は、第 1 4図に示した導体回路表面の他の部分の縦断面図である。第 1 7図（A)、第 1 7図（B)、第 1 7図（C)、第 1 7図（D) は、本発明の第 3実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程の一部を示す縦断面図である。

第 1 8図（A)、第 1 8図（B)、第 1 8図（C)、第 1 8図（D) は、本発明の第 3実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程の一部を示す縦断面図である。

第 1 9図（A)、第 1 9図（B)、第 1 9図（C)、第 1 9図（D) は、本発明の第 3実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程の一部を示す縦断面図である。

第 2 0図は、本発明の第 3実施形態に係るプリント配線板におけるバイァホール用開口の斜視図である。

第 2 1図は、本発明の第 3実施形態に係るプリント配線板における粗化後のバイァホール用開口の断面図である。

第 2 2図（A)、第 2 2図（B)、第 2 2図（C)、第 2 2図（D) は、本発明の第 4実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 2 3図（E)、第 2 3図（F)、第 2 3図（G)、第 2 3図（H) は、本発明の第 4実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 2 4図（1 )、第 2 4図（J )、第 2 4図（K)、第 2 4図（L) は、本発明の第 4実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 2 5図（Μ)、第 2 5図（Ν)、第 2 5図（0)、第 2 5図（Ρ) は、本発明の第 4実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 2 6図（Q)、第 2 6図（R)、第 2 6図（S) は、本発明の第 4実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。第 2 7図は、本発明の第 4実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。

第 2 8図は、本発明の第 4実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。

第 2 9図は、第 2 4図（I ) の C部の拡大図である。

第 3 0図（A) は層間樹脂絶縁層に穿設した貫通孔の拡大写真のスケッチであって貫通孔を斜め上から見た状態を、第 3 0図（B) は真上から見た状態を示している。

第 3 1図（A) は、第 2 6図（R) の A部の拡大図であり、第 3 1図（B) は、第 2 6図（R) の B部の拡大図である。

第 3 2図（A) はソルダ一レジストに穿設した貫通孔（上側）の拡大写真のスケッチであって、貫通孔を斜め上から見た状態を、第 3 2図（B) は真上から見た状態を示している。

第 3 3図（A) はソルダーレジストに穿設した貫通孔（下側）の拡大写真のスケッチであって真上から見た状態を、第 3 3図（B) は貫通孔の側壁を側方力ら見た状態を、第 3 3図（C) は貫通孔を斜め上から見た状態を示している。第 3 4図は、貫通孔を形成するレーザ装置の説明図である。

第 3 5図（A)、第 3 5図（B)、第 3 5図（C)、第 3 5図（D) は、第 5実施形態の第 1改変例に係るスルーホ一ル形成基板の製造工程図である。

第 3 6図（A)、第 3 6図（B)、第 3 6図（C)、第 3 6図（D) は、第 5実施形態の第 2改変例に係るスルーホール形成基板の製造工程図である。

第 3 7図（A)、第 3 7図（B)、第 3 7図（C)、第 3 7図（D) は、第 5実施形態の第 3改変例に係るスルーホール形成基板の製造工程図である。

第 3 8図（A)、第 3 8図（B)、第 3 8図（C)、第 3 8図（D)、第 3 8図 (E)、第 3 8図（F) は、第 5実施形態の第 4改変例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 3 9図（G)、第 3 9図（H)、第 3 9図（1 )、第 3 9図（J )、第 3 9図 (K) は、第 5実施形態の第 4改変例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。第 40図（L)、第 40図（M)、第 40図（N)、第 40図（〇）、第 40図 (P) は、第 5実施形態の第 4改変例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 41図（Q)、第 41図（R)、第 41図（S)、第 41図（T) は、第 5実施形態の第 4改変例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 42図（U)、第 42図（V)、第 42図（W) は、第 5実施形態の第 4改変例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 43図は、第 5実施形態の第 4改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。

第 44図は、第 5実施形態の第 6改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。

第 45図（A)、第 45図（B)、第 45図（C)、第 45図（D)、第 45図 (E)、第 45図（Ε') は、本発明の第 6実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 46図（F)、第 46図（G)、第 46図（H)、第 46図（1)、第 46図 (J)、第 46図（K) は、本発明の第 6実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 47図（L)、第 47図（M)、第 47図（N)、第 47図（0)、第 47図 (P) は、本発明の第 6実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 48図（Q)、第 48図（R)、第 48図（S)、第 48図（T) は、本発明の第 6実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

第 49図（U)、第 49図（V) は、本発明の第 6実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。

第 50図は、本発明の第 6実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。

第 51図（A)、第 51図（B)、第 51図（C) は、第 7実施形態に係るプリント配線板の製造に用いられる銅張積層板の部分概略断面図である。

第 52図（A)、第 52図（B) は、第 7実施形態に係るプリント配線板の製造に用いられる銅張積層板の部分概略断面図である。

第 53図（A)、第 53図（B) は、第 7実施形態に係るプリント配線板の製造に用いられる銅張積層板の部分概略断面図である。

第 54図は、第 7実施形態の第 1改変例に係る多層プリント配線板の部分概略断面図である。

第 55図は、第 7実施形態の第 1改変例に係る多層プリント配線板の部分概略断面図である。

第 56図は、第 2実施形態と比較例との比較を示す図表である。

第 57図は、第 3実施形態と比較例との比較を示す図表である。

第 58図は、第 6実施形態と比較例との比較を示す図表である。

第 59図は、化学式を示す図である。

第 60図は、化学式を示す図である。

発明を実施するための最良の形態

〔第 1実施形態〕

以下、本発明の第 1実施形態に係る多層：配線板の製造方法について図を参照して説明する。

(1) 厚さ lmmのガラスエポキシ樹脂または BT (ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板 30の両面に 18 mの銅箔 32がラミネートされている銅張積層板 3 OAを出発材料とする（第 1図（A) 参照)。まず、この銅張積層板 3 OAをドリル削孔し、無電解めつき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板 30の両面に内層銅パターン 34とスルーホール 36を形成する（第 1図（B))。

(2) 内層銅パターン 34およびスルーホール 36を形成した基板 30を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、 NaOH (lOg/1), NaCIO ₂ (40 g/1), Na₃ P0₄ (6 g/l)、還元浴として、 NaOH(10g/l), NaBH₄ (6 gZl) を用いた酸化一還元処理により、内層銅パターン 34およびスルーホ —ル 36の表面に粗ィ匕層 38を設ける（第 1図（C) 参照)。 ( 3 ) 下記の樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得る。 t樹脂組成物①〕

ビスフエノール F型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量 310、 YL983U) 100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6 mの Si〇₂ 球状粒子（アドマテック製、 CRS1101— CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15 m) 以下とする） 170重量部、レべリング剤（サンノプコ製、ペレノール S 4) 1.5重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を 23± 1°Cで 45,000〜49,000cps に調整して得る。

〔硬化剤組成物②〕

イミダゾ一ル硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-CN) 6.5重量部。

(4) 前記（3) で得た樹脂充填剤 40を、調製後 24時間以内に基板 30の両面にロールコ一夕を用いて塗布することにより、導体回路（内層銅パターン）

34と導体回路 34との間、及び、スルーホール 36内に充填し、 70°C, 20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤 40を導体回路 34 間あるいはスルーホール 36内に充填し、 70°C, 20分間で加熱乾燥させる（第 1図 (D) 参照)。

(5) 前記（4) の処理を終えた基板 30の片面を、 #600のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン 34の表面やスルーホール 36のランド 36 a表面に樹脂充填剤 40が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行う（第 2 図（E) 参照)。

次いで、 100 °Cで 1時間、 120 °Cで 3時間、 150°Cで 1時間、 180°Cで 7時間の加熱処理を行って樹脂充填剤 40を硬化した。

(6) 導体回路 34を形成した基板 30にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジゥゥムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、 Pd 触媒を付与し、この触媒を活性ィ匕した後、硫酸銅 3. 2X 10 ² mo 1/1、硫酸ニッケル 3· 9X 10— ³mo 1ノ1、錯化剤 5. 4 X 10 ²mo 1 Z 1、次亜りん酸ナトリウム 3. 3 X 10— 1 Z 1、ホウ酸 5. 0 X 1 O^mo 1/ 界面活性剤（日信化学工業製、サ一フィ一ル 465) 0. 1 g/K PH=9 カゝらなる無電解めつき液に浸積し、浸漬 1分後に、 4秒当たり 1回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路 34およびスルーホール 36のランド 36 a の表面に Cu— N i _Pからなる針状合金の被覆層と粗化層 42を設けた（第 2図（F) 参照)。

さらに、ホウフっ化スズ 0. lmo 1Z1、チォ尿素 1. 0mo l/l、温度 35°C、 PH=1. 2の条件で Cu— Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ 0. 3 mSn層（図示せず）を設けた。

(7) 引き続き、樹脂付き銅箔（日立化成工業製：商品名 MCF— 6000E 樹脂 20の厚みが 60 m、銅箔 22の厚みが 12 m) 20 Aを、上記厚さ

0. 8mmの基板 30の両面に真空プレスにより圧着する（第 2図（G)。ここで、真空プレスは、 175° C · 9 Omin 圧力 30 Kg /cm² 真空度 < 5 Otorrにて行う。

(8) 次に、表面の銅箔 22を、エッチング液（三菱瓦斯化学製：商品名 SE -07)を用いて、厚さが 3 zmとなるまで全面エッチングをする（第 2図（H))。

(9) ドライフィルムレジスト（日合モートン製：商品名 N I T— 215) を銅箔 22に張り付け、マスクを載置して、 10 OmJZcm² で露光、 0. 8% 炭酸ナトリウムで現像処理し、バイァホール形成部に開口 43 aを有するエツチングレジスト 43を設ける（第 3図（1))。

(10) 該開口 43 a内の銅箔 22を塩化第 2銅エッチング液にて除去した後 (第 3図（J))、エッチングレジスト 43を水酸化ナトリウム水溶液で剥離し、コンフォーマルマスクとなる銅箔 22を完成する（第 3図（K))。

(1 1) 炭酸ガスレーザ照射装置（三菱電機製：商品名 605GTX) を用いて、銅箔の開口 22 a毎に 2ショットの短パルスのレ一ザを照射し、層間樹脂絶縁層（樹脂） 2 0に 6 Ο ΠΊΦの通孔 2 0 aを形成する（第 3図（L))。即ち、厚み 3 mの銅箔 22をコンフォーマルマスクとして用い、レーザにより開口 22 aを穿設する。ここで、該炭酸ガスレーザの照射は、上述したように、それぞれの銅箔 22の開口 22 aに向けて、一穴毎に照射することも、或いは、 '配線板全体を走査するようにレーザを照射し、銅箔 22の各開口 22 a下の樹脂 20を除去することも可能である。

またビーム径は、開口径の 1. 3倍以上がよい。さらに開口 20 aを形成した後、残さ除去を行ってもよい。例えば、クロム酸、過マンガン酸、カリウムの 7K溶液に浸漬したり、〇₂ プラズマ、 CF₄ プラズマ、もしくは、 0₂ と CF₄ 混合ガスのプラズマを使用して、樹脂残さを除去できる。特に、フッ素樹脂を層間樹脂絶縁層として使用した場合は、プラズマ処理が最適である。

(12) まず、基板 30の表面に通常の無電解めつきにより無電解銅めつき膜 52を形成した後（第 4図（M))、更に、硫酸銅めつきにより 10 mの電解銅めつき膜 56を形成する（第 4図（N))。

(13) ドライフィルムレジスト（日合モートン製：商品名 N I T—215) を銅箔 22に張り付け、所定位置にパターンの形成されたマスク（図示せず）を載置して、 10 OmJZcm² で露光する。その後、 0. 8%炭酸ナトリウムで現像処理し、バイァホール形成部及び回路形成部を覆う L i ne/Sp ac e ： 30/30 mのエッチングレジスト 54を設ける（第 4図（〇））。） (14) その後、塩ィ匕第二銅を用いてパターンエッチングを行い、更に、 2% の NaOHにて、エッチングレジスト 54を剥離して、バイァホール 60及び導体回路 58を形成する（第 4図（P))。

なお、上述した（12) 〜（14) では、電解銅めつき膜 56を形成した後にレジスト 54を形成したが、この代わりに、レジスト 54の形成後に電解銅めっき膜 56を構成することもできる。この第 1改変例に係る製造工程を第 5 図を参照して説明する。

先ず、第 3図（L) に示す樹脂 20に開口 20 aを形成した基板 30を以下の組成の無電解銅めつき浴中に基板 20を浸漬して、厚さ 0. 5/1 mの無電解銅めつき膜 52を形成する（第 5図（M'))。

無電解めつき液

EDTA 150 g/1

硫酸銅 20 g/1

HCHO 30 m 1 /1

NaOH 40 g/1 ひ、 —ビビリジル 80mgZl

PEG 0. l g/1

無電解めつき条件

70°Cの液温度で 30分

ドライフィルムレジスト（日合モートン製：商品名 NI T— 215) 54を銅箔 22に張り付け、所定位置にパターンの形成されたマスク（図示せず）を載置して、 10 OmJZcm² で露光する。その後、 0. 8%炭酸ナトリウムで現像処理し、バイァホール形成部及び回路形成部に開口 54 aを有するエッチングレジスト 54を設ける（第 5図（N'))。

ついで、以下の条件で電解銅めつきを施し、厚さ 20 mの電解銅めつき膜 56を形成する（第 5図（〇'））。

電解めつき液

硫酸 180 g/1

硫酸銅 80 g/1

添加剤（アトテックジャパン製商品名カバラシド GL)

lml/1

電解めつき条件

電流密度 1 A/dm²

時間 30分

温度室温

めっきレジスト 54を 5 %KOHで剥離除去し、その後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングを行い、めっきレジスト 54の下側にあった無電解銅めつき膜 52、銅箔 22を溶解除去して銅箔 20、無電解銅めつき膜 30、 40と電解銅めつき膜 44からなる厚さ 18 mの導体回路 58、バイァホール 60 を形成する（第 5図（P'))。

(15) 最後に、上述した（6) と同様の処理を行い、導体回路 58及びバイァホール 60の表面に Cu-Ni-Pからなる粗化面 62を形成し、さらにその表面に Sn置換を行う（第 6図（Q) 参照)。

(16) 前記（7) 〜（15) の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路 8 8及びバイァホール 9 0を形成し、多層配線基板を得る（第 6図（R) 参照)。但し、該導体回路 8 8及びバイァホール 9 0の表面に形成した粗化面では、 Sn置換を行わない。

この第 1実施形態では、エッチングにより薄膜 ( 3 m) 化し熱伝導率を低下させた金属膜（銅箔） 2 2をコンフォーマルマスクとして用いるため、小出力のレーザで開口 2 0 aを形成できる。具体的には、従来技術の製造方法では、上述した炭酸ガスレーザ装置で樹脂 2 0に 1つの開口 2 0 aを設ける際に、 3 回短パルスレ一ザを照射する必要があつたのに対して、第 1実施形態では、 2 回の短パルスレ一ザで開口 2 0 aを形成することができる。

また、第 1実施形態では、上述したように小出力のレーザ、或いは、パルスレーザの照射回数を少なくして開口 2 0 aを形成できるため、層間樹脂絶縁層を形成する樹脂 2 0にアンダーカットを発生させることがない（第 3図（L) 参照)。従って、バイァホールの接続信頼性を高めることができる。なお、金属膜の厚みは、エッチングにより 5〜0. 5 mまで薄くすることがましい。これは、金属膜の厚みが 5 mを越えるとアンダーカットが発生し、他方、 0. 5 m以下では、コンフォーマルマスクとしての役割を果たし得ないからである。

また、導体回路形成基板に、金属膜を形成した層間樹脂絶縁層形成樹脂を圧着した後エッチングする場合は、圧着するまでは厚い金属膜が補強材として存在しており、ハンドリング性に優れる。

なお、この実施形態では、金属膜を形成した層間樹脂絶縁層形成樹脂を圧着した後エッチングしているが、厚み 5〜0. 5 の薄い金属膜を形成した層間樹脂絶縁層形成樹脂を圧着してもよい。

この第 1実施形態では、コンフォーマルマスクに用レ ^る金属膜をェツチングを行い薄くする。導体回路 5 8及びバイァホール 6 0を形成する際に、不要部分のコンフォーマルマスク 3 0をエッチングで除去するが、薄く形成してあるため容易に除去でき、該エッチングの際に導体回路 5 8及びバイァホール 6 0を形成する電解銅めつき膜 5 6を大きく浸食することがない。このため、フアインピッチな配線及び微細な孔径のバイァホールを形成することが可能となる。即ち、従来技術の製造方法では、配線の形成能力が 75 mであったのに対して、本第 1実施形態では、 50 mまで向上する。更に、コンフォーマルマスクの形成能力が、上記従来技術では、 50 Φ ΠΙであったのに対して、第 1実施形態では、 1 3 φ πιの開口を設けることが可能になり、微細径のバイァホ —ルを形成できる。

引き続き、第 1実施形態の第 2改変例に係る多層プリント配線板の製造方法について説明する。この第 2改変例は、用いる基材を除き第 1実施形態の製造方法とほぼ同じ工程を採用しているため、第 1図〜第 6図を参照して説明を行う。

上述した（1) 〜（6) の工程により第 2図（F) に示す厚さ 0. 4mmのコア基板 30を形成する。引き続き、樹脂付き銅箔（松下電子工業製：商品名 ARCC R— 0880 樹脂 20の厚みが 60 τη, 銅箔 22の厚みが 1 2 πύ 2 OAを、基板 30の両面に真空プレスにより圧着する（第 2図（G))。ここで、真空プレスは、 1 30° C · 3 Ominで更に 1 7 5° Cで 9 Omin 圧力 30 Kg/cm² 真空度 < 50 torr にて行う。

次に、表面の銅箔 22を、エッチング液（三菱瓦斯化学製：商品名 SE— 0 7) を用いて、厚さが 3 mになるまで全面エッチングをする（第 2図（H))。ドライフィルムレジスト（日合モートン製：商品名 N I T— 2 1 5) を銅箔 22に張り付け、マスクを載置して、 10 OmJZcm² で露光、 0. 8%炭酸ナトリゥムで現像処理し、バイァホール形成部に開口 44 aを有するエツチングレジス卜 44を設ける（第 3図（1))。

該開口 44 a内の銅箔 22を塩化第 2銅エッチング液にて除去した後（第 3 図（J)、エッチングレジスト 44を水酸化ナトリウム水溶液で剥離し、コンフォ一マルマスクとなる銅箔 22を完成する（第 3図（K))。

炭酸ガスレーザ照射装置（三菱電機製：商品名 605 GTX) を用いて、銅箔の開口 22 a毎に 2ショットの短パルスのレーザを照射し、層間樹脂絶縁層 (樹脂） 20に 60 πιφの通孔 20 aを形成する（第 3図（L))。

基板 30の表面に通常の無電解めつきにより無電解銅めつき膜 52を形成した後（第 4図（M))、更に、硫酸銅めつきにより 10 mの電解銅めつき膜 5 6を形成する（第 4図（N))。

ドライフィルムレジスト（日合モートン製：商品名 N IT— 215) を銅箔 22に張り付け、所定位置にパターンの形成されたマスク（図示せず）を載置してで露光する。その後、 0. 8%炭酸ナトリウムで現像処理し、バイァホ一ル形成部及び回路形成部を覆う L i ne/Spac e ： 50/50 /mのエツチングレジスト 54を設ける（第 4図（0))。）

その後、塩化第二銅を用いてパターンエッチングを行い、更に、 2%のNa OHにて、エッチングレジスト 54を剥離して、バイァホール 60及び導体回路 58を形成する（第 4図（P))。更に、同様な工程を繰り返し、両面併せて 6層のプリント配線板を完成する（第 6図（R))。

引き続き、第 1実施形態の第 3改変例に係る多層プリント配線板の製造方法について説明する。この第 3改変例は、用いる基材を除き第 1実施形態の製造方法とほぼ同じ工程を採用しているため、第 1図〜第 6図を参照して説明を行ラ。

上述した（1) 〜（6) の工程により第 2図（F) に示す厚さ 0. 6mmのコア基板 30を形成する。引き続き、ガラスクロス入り樹脂付き銅箔（三菱瓦斯化学製：商品名 CCL一 HL830LS ガラスクロス Z樹脂 20の厚みが 60 rn, 銅箔 22の厚みが 12 xm) 2 OAを、基板 30の両面に真空プレスにより圧着する（第 2図（G))。ここで、真空プレスは、 150° C · 3 Omin で更に 175 ° Cで 12 Omin 圧力 30 Kg /cm² 真空度く 5 Otorr にて行う。

次に、表面の銅箔 22を、エッチング液（三菱瓦斯化学製：商品名 SE— 0 7) を用いて、厚さが 3 mとなるまで全面エッチングをする（第 2図（H))。ドライフィルムレジスト（日合モートン製：商品名 NIT—215) を銅箔 22に張り付け、マスクを載置して、 10 OmJZcm² で露光、 0. 8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、バイァホール形成部に開口 44 aを有するエツチングレジスト 44を設ける（第 3図（1))。

該開口 44 a内の銅箔 22を塩化第 2銅エッチング液にて除去した後（第 3 図（J)、エッチングレジスト 44を水酸ィ匕ナトリウム水溶液で剥離し、コンフォ一マルマスクとなる銅箔 2 2を完成する（第 3図（K))。

炭酸ガスレーザ照射装置（三菱電機製：商品名 6 0 5 GTX) を用いて、銅箔の開口 2 2 a毎に 2ショッ卜の短パルスのレーザを照射し、層間樹脂絶縁層 (樹脂） 2 0に 6 O ιηφの通孔 2 0 aを形成する（第 3図（L))。

基板 3 0の表面に通常の無電解めつきにより無電解銅めつき膜 5 2を形成した後（第 4図（M))、更に、硫酸銅めつきにより 1 0 mの電解銅めつき膜 5 6を形成する（第 4図（N))。

ドライフィルムレジスト（日合モートン製：商品名 N I T— 2 1 5 ) を銅箱 2 2に張り付け、所定位置にパターンの形成されたマスク（図示せず）を載置してで露光する。その後、 0. 8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、バイァホ一ル形成部及び回路形成部を覆う L i n e ZS p a c e ： 5 0 / 5 0 zmのエツチングレジスト 5 4を設ける（第 4図（〇））。）

その後、塩化第二銅を用いてパターンエッチングを行い、更に、 2 %のN a 〇Hにて、エッチングレジスト 5 4を剥離して、バイァホール 6 0及び導体回路 5 8を形成する（第 4図（P))。更に、同様な工程を繰り返し、両面併せて 6層のプリント配線板を完成する（第 6図（R))。

なお、上述した実施形態では、予め樹脂に銅箔が付着されたものを用いたが、脂に銅箔等の金属膜を後から接着させて用いることも可能である。更に、第 1、第 2改変例では、測旨に銅箔力寸着されたものを用い、第 3改変例では、ガラスクロスを含む樹脂に銅箔が付着されたものを用いたが、樹脂に種々の材質（例えば、不織布等）が加えられたものを用いることができる。

以上のように、第 1実施形態によれば、小出力のレーザ、或いは、パルスレ一ザの照射回数を少なくしてバイァホール用の開口を形成できるため、層間樹脂紙縁層を形成する樹脂にアンダーカツトを発生させることがなくなり、バイァホールの接続信頼性を高めることができる。

〔第 2実施形態〕

以下、本発明の第 2実施形態に係る多層プリント配線板及びその製造方法について説明する。第 2実施形態で使用される基板として、ガラス布エポキシ基板、ガラス布ビスマレイミドートリアジン樹脂基坂、ガラス布フッ素樹脂基板などの樹脂基板、これらの樹脂基板に銅箔を貼付した銅張積層板、金属基板、セラミック基板などを使用することができる。

基坂上に導体回路を設ける。導体回路は、無電解めつき、電解めつき、あるいは銅張積層板の場合は、エッチング処理により形成することができる。

ついで絶縁測旨層を設けるが、第 2実施形態では、縁樹脂層にレーザ光を照射して、ノィァホール用開口部を形成する。このため、かかる絶縁樹脂層には、レーザ光を照射することで、開口部が設けられるような材料が選択される。かかる材料には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいはこれらの複合翻旨が用いられる。

例えば、 «化性樹脂を基剤とする無電解めつき用接着剤を用いることができる。塑化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミド樹月旨等が用いられる。また、熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（P E S )、ポリスルフォン（P S F)、ポリフエ二レンスルフォン（P P S )、ポリフエ二レンサルファイド（P P E S )、ポリフエ二ルェ一テル（P P E)、ポリエーテルイミド（P I )、フッ素樹脂などを使用できる。

第 2実施形態では、金属層あるいは金属箔から露出した絶縁樹脂の粗化面は、次のような方法で形成される。

具体的には、絶縁樹脂層中に予め、酸、酸化剤等によって溶解する粒子を含ませておき、この粒子を酸や酸化剤で溶解することで、紙禄樹脂層の表面に形成することができる。この場合は、粗化面を形成した後、金属層を設ける必要がある。

かかる耐熱性樹脂粒子としては、アミノ樹 fl旨（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹旨等)、エポキシ樹旨（ビスフエノール型エポキシ樹脂をァミン系硬ィ匕剤で硬化させたものが最適)、ビスマレイミドートリァジン樹脂等からなる耐熱性樹脂粒子を用いることができる。

また、カゝかる無電解めつき用接着剤には、特に、硬化処理された耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維質フイラ一等を、必要により含ませることができる。かかる耐熱性樹脂粒子には、（1) 平均粒径が 10 m以下の耐熱性樹脂粉末、（2) 平均粒径が 2 m以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、

( 3 ) 平均粒径が 2〜 10 mの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が 2 it m未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、（ 4 ) 平均粒径が 2〜； L 0 ^ mの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が 2 m以下の耐熱性樹脂粉末及び無機粉末の少なくとも 1種を付着させた疑似粒子、（5) 平均粒子径が 0. 8を超え 2. 未満の耐熱性樹脂粉末と平均粒子径が 0. 1〜 0. 8/i mの耐熱性樹脂粉末との混合物、及び（6) 平均粒径が 0. 1〜1. 0 zmの耐熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少なくとも 1種の粒子を用いるのが望ましい。これらの粒子は、より複雑な粗化面を形成するからである。

また、第 2実施形態にかかる絶縁樹脂層の粗化面は、いわゆる RCC (RE S IN COATED COPPER：樹脂付銅箔）などの粗化層が形成された金属箔を用いて形成することができる。この場合、金属箔の片面に粗化層を設け、粗化層上に絶縁棚旨層を設けて、金属箔を作製する。

力、かる金属表面の粗ィ匕層は、種々の粗化処理を用いて形成することができる。かかる粗化処理としては、例えば、マット処理、酸化処理、酸化還元処理、黒化—還元処理、硫酸—過酸化水素処理、第二銅錯体と有機酸とを含有する溶液による処理等のエッチング処理や、銅—ニッケルーリンの針状合金めつき等のめっき処理等を挙げることができる。

このようにして作製された金属箔は、コア基板に設けられている下層導体回路上に積層する。この際、絶縁樹脂層の面と下層導体回路とを接触させ、コア基板と金属箔とを加熱圧縮すれば、これらを一体化させることができる。前記金属箔をエッチング除去することによって、絶縁樹脂層上に、露出した糸縁樹脂層の表面に、粗化層に由来する粗化面を転写することができる。銅箔の場合のエッチング液としては、硫酸一過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニゥム水溶液、塩化第二鉄などを使用できる。

禄樹脂層の表面に形成される粗化面又は銅箔表面に形成される粗化層は、

0. 01〜5 mの最大粗度 (R j ) を有するのが好ましい。 0. 01 zm 未満の最大粗度では、絶縁樹脂層の表面に形成される粗化面又は絶縁樹脂層表面に転写される粗ィ匕面がレーザ光を反射し易くなり、縁棚旨層を十分に除去することができなくなる。また、 5 を超える最大粗度では、粗化層がェツチング除去し難くなる。

第 2実施形態では、このようにして形成された粗化面にレーザ光を照射し、絶縁樹脂層を除去し、バイァホール用開口部を形成し、かかる開口部をめつきして、バイァホールを形成することができる。

かかるレーザ光には、炭酸ガスレーザ光、紫外線レーザ、エキシマレ一ザ等を用いることができる。特に、炭酸ガスレーザ光は、安価な装置で発生させることができ、好ましい。

第 2実施形態では、下層導体回路と絶縁樹脂層の密着性や、下層導体回路とバイァホール導体との密着性を向上させるため、下層導体回路の表面に、粗ィ匕面が設けられているのが好ましい。

かかる粗化面は、種々の粗ィ匕処理を用いて形成することができる。かかる粗化処理としては、例えば、酸化処理、酸化還元処理、黒化—還元処理、硫酸一過酸化水素処理、第二銅錯体と有機酸とを含有する溶液による処理等のエッチング処理や、銅一ニッケル—リン合金めつき等のめっき処理等が挙げられる。かかる下層導体回路では、バイァホール用開口部を開ける際、粗化面に樹脂が残存し易いが、第 2実施形態の方法では、絶縁樹脂層の表面に粗化面を設けれるため、この粗化面にレーザ光を照射すれば、下層導体回路の粗化面に樹脂を残すことなく、絶縁棚旨層を除去することができる。

次いで、 P d触媒などの無電解めつき用の触媒を付与し、バイァホール用開口内をめつきしてバイァホールを設け、また、絶縁樹脂層表面に導体回路を設ける。無電解めつき膜を開口内壁、絶縁樹脂層表面全体に形成し、めっきレジストを設けた後、電気めつきして、めっきレジストを除去し、エッチングにより導体回路を形成する。

引き続き、第 2実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について、第 7図〜第 1 1図を参照して説明する。

無電解めつき用接着剤の調製

( 1 ) クレゾ一ルノポラック型エポキシ樹脂（日本化薬製：分子量 2 5 0 0 ) の 25重量％アクリル化物を 35重量部、感光性モノマ一（東亜合成製：商品名ァロニックス M315) 3. 15重量部、消泡剤（サンノプコ製 S— 65) 0. 5重量部、 N—メチルピロリドン（NMP) 3. 6重量部を攪拌混合した。

(2) ポリエーテルスルフォン（PES) 12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製：商品名ポリマ一ポール）の平均粒径 1. のものを 7. 2重量部、平均粒径 0. 5^mのものを 3. 09重量部を混合した後、更に NM P 30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合した。

( 3 ) イミダゾ一ル硬化剤（四国化成製：商品名 2E4MZ— CN) 2重量部、光開始剤（チバガイギ一製：ィルガキュア I一 907) 2重量部、光増感剤（日本化薬製： DETX— S) 0. 2重量部、 NMP 1. 5重量部を攪拌混合した。

(4) 混合物（1) 〜（3) を混合して、無電解めつき用接着剤組成物を得た。樹脂充填剤の調整

(1) ビスフエノール F型エポキシモノマ一（油化シェル製： ^^量 310、商品名 YL 983U) 100重量部と平均粒径 1. 6 ; mで表面にシラン力ップリング剤がコ一ティングされた S i 0₂球状粒子〔ァドマテック製： CR S 1101— CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15/ m) 以下とする。〕 170重量部、レべリング剤（サンノプコ製：商品名ペレノール S 4) 1. 5重量部を 3本ロールにて混練し、その混合物の粘度を23± 1°(：で45， 000〜49, 000 c p sに調整した。

(2) イミダゾ一ル硬化剤（四国化成製、商品名： 2E4MZ— CN) 6. 5 重量部。

(3) 混合物 (1) と（2) とを混合して、樹脂充填剤を調製した。

プリン卜配線板の製造

(1) 第 7図（A) に示すように、第 2実施形態では、厚さ lmmのガラスェポキシ樹脂又はビスマレイミドー卜リアジン（BT) 樹脂からなる基板 230 の両面に 18 mの銅箔 232がラミネートされている銅張積層板 23 OA を出発材料とした。

(2) まず、この銅張積層板 23 OAに、第 7図（B) に示すようなドリル孔 233を開け、無電解めつき、電解めつきを施し、更に銅箔 232を常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基板 2 3 0の両面に厚さ 2 5 mの内層銅パターン（下層導体回路） 2 3 4及びスルーホール 2 3 6を形成した。

次に、内層銅パターン 2 3 4の表面と、スル一ホール 2 3 6のランド表面と内壁とに、それぞれ、粗ィ匕面 2 3 8を設けて、第 7図（B) に示すような基板 2 3 0を製造した。粗化面 2 3 8は、前述の基板を水洗し、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、内層銅パターン 2 3 4の表面とスルーホール 2 3 6のランド表面と内壁とをエッチングすることによって形成した。エッチング液には、イミダゾール銅 ( I I ) 錯体 1 0重量部、グリコ一ル酸 7重量部、塩ィ匕カリゥム 5重量部、イオン交換水 7 8重量部を混合したものを用いた。

( 3 ) 次いで、第 7図（C) に示すような樹脂層 2 4 0を配線基板 2 3 0の内層銅パターン 2 3 4間とスルーホール 2 3 6内とに設けた。樹脂層 2 4 0は、予め調製した樹脂充填剤を、口一ルコ一夕により配線基板 2 3 0の両面に塗布し、内層銅パターン 2 3 4の間とスル一ホール 2 3 6内に充填し、 1 0 0 で 1時間、 1 2 0 :で 3時間、 1 5 0 °Cで 1時間、 1 8 0 °Cで 7時間、それぞれ加熱処理することにより硬ィ匕させて形成した。

(4 ) ( 3 ) の処理で得た基板の片面を、ベルトサンダー研磨した。この研磨で、 # 6 0 0のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い、内層銅パ夕一ン 2 3 4の粗ィ匕面 7やスルーホール 2 3 6のランド表面に樹脂充填剤が残らないようにした。次に、このベルトサンダー研磨による傷を取り除くために、パフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行い、第 7図（C) に示すような配線基板 2 3 0を得た。

得られた配線基板 2 3 0は、内層銅パターン 2 3 4間に樹脂層 2 4 0が設けられ、スルーホール 2 3 6内に樹脂層 2 4 0が設けられている。内層銅パターン 2 3 4の粗化面 2 3 8とスルーホール 2 3 6のランド表面の粗化面 2 3 8が除去されており、基板両面が樹脂充填剤により平滑化されている。樹脂層 2 4 0は内層銅パターン 2 3 4の側面の粗ィ匕面 2 3 8 a又はスルーホール 2 3 6のランド部側面の粗化面 2 3 8 aと密着し、また、樹脂層 2 4 0はスル一ホール 236の内壁の粗化面 238と密着している。

(5) 更に、第 8図（D) に示すように、露出した内層銅パターン 234とスルーホール 236のランド上面を（2) のエッチング処理で粗化して、深さ 3 mの粗ィ匕面 242を形成した。

この粗化面 242をスズ置換めつきして、 0. 3 mの厚さの Sn層を設けた。置換めつきは、ホウフッ化スズ 0. 1モル ZL、チォ尿素 1. 0モル Z L、温度 50°C、 pH= 1. 2の条件で、粗化面 242を Cu— Sn置換反応させた（Sn層については図示していない）。

(6) 得られた配線基板の両面に、無電解めつき用接着剤をロールコ一夕を用いて塗布した。この接着剤は、基板を水平状態で 20分間放置してから、 60°C で 30分乾燥し、第 8図（E) に示すような厚さ 35 の接着剤層 250 を形成した。

(7) 得られた配線基板の両面を超高圧水銀灯により 50 OmJZcm²で露光し、 150°Cで 5時間加熱した。

(8) 得られた基板をクロム酸に 1分間浸潰し、接着剤層 250の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去した。この処理によって、第 8図（F) に示すような粗化面 250 aを、接着剤層 250の表面に形成した。その後、得られた基板を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した。

(9) ついで、第 9図（G) に示すように、基板の全面に厚さ 0. 6 mの無電解銅めつき膜 251を施した。

(10) 得られた基板にエッチングレジストを設けて、硫酸一過酸化水素水溶液でエッチングして、第 9図（H) に示すように、バイァホール形成部分に 5 0 / mの開口 251 aを設けた。

(11) 開口 251 a上から短パルス（10-4秒）のレーザ光（三菱電機 ML 605GTL) を照射し、第 9図（I) に示すように、接着剤層 250に開口

248を設けた。

更に、粗面化処理した配線基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、無電解めつき膜 251の表面およびバイァホール用開口 248の粗化面に触媒核を付けた。 (12) 得られた基板を第 1実施形態と同じ条件の無電解銅めつき浴中に浸漬し、第 10図（J) に示すような厚さ 1. 6 /xmの無電解銅めつき膜 252 を粗化面全体に形成した。

(13) 次に、第 10図（K) に示すように、市販の感光性ドライフィルム 2 54を無電解銅めつき膜 252に張り付け、パターン 255 Aが印刷されたマスクフィルム 255を載置した。この基板を、 10 OmJZcm²で露光し、その後 0. 8%炭酸ナトリウムで現像処理して、第 10図（L) に示すように、厚さ 15 /mのめつきレジスト 254を設けた。

(14) 次いで、得られた基板に第 1実施形態と同じ条件で電解銅めつきを施し、厚さ 15 mの電解銅めつき膜 256を形成した。

(15) めっきレジスト 254を 5 %KOHで剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、めっきレジスト 254下の無電解銅めつき膜 25 2を溶解除去し、第 11図（N) に示すような無電解銅めつき膜 252と電解銅めつき膜 25とからなる厚さ 18 mの導体回路 258 (バイァホール 2 60を含む）を得た。

更に、 70°Cで 80 gZLのクロム酸に 3分間浸漬して、導体回路 258 間の無電解めつき用接着剤層 250の表面を 1 エッチング処理し、表面のパラジウム触媒を除去して、第 11図（N) に示すような多層プリント配線板を製造した。

引き続き、第 2実施形態の第 1改変例について第 12図及び第 13図を参照して説明する。

第 1実施形態の（1) および（2) の工程を実施して、第 7図（B) に示すような下層導体回路表面が粗化されたコア基板 230を作製した。その一方、第 12図（A) に示すような樹脂付銅箔 229を作製した。

この樹脂付銅箔 229は、厚さが 12 imの銅箔 232の片面を、第 2実施形態の（2) で示したようなエッチング処理で粗化し、深さ 3 の粗化層 232 aを形成した。この粗ィ匕面に、エポキシ樹脂 220を塗布し、 60°C で 3時間加熱して Bステージとした。

第 12図（B) に示すように、 2枚の樹脂付銅箔 229をコア基板 230の両面に載置して、 1 5 0 ^で 1 0 k g / c m 2の圧力で加圧して一体化し、第 1 2図（C) に示すような基板を得た。この際、第 1 2図（A) に示す樹脂付銅箔のエポキシ樹脂からなる接着剤層 2 2 0がコア基板 2 3 0の下層導体回路 2 3 4と接触するようにした。

次に、この基板 2 3 0を、第 2実施形態の（1 0 ) の処理と同様にして、銅箔 2 3 2の表面にドライフィルムを貼付し、紫外線で露光現像処理して、エツチングレジストを設け、硫酸—過酸化水素からなる水溶液を用いて、バイァホール形成予定部分の銅箔 2 3 2をエッチング除去して、第 1 3図に示すような開口 2 3 3を設けた。これにより、銅箔 2 3 2の粗化層 2 3 2 aの形状が転写された粗化面 2 2 0 aを接着剤層 2 2 0の表面に露出させた。

この粗化面に、第 2実施形態の（1 1 ) と同様にして、炭酸ガスレーザ光を照射して、直径 5 のバイァホール用開口部を形成し、この積層基板上に、第 2実施形態の（1 3 ) 〜（1 5 ) と同様の条件で無電解めつき膜、電解めっき膜を形成し、パターン状に無電解めつき膜を溶解除去し、無電解銅めつき膜と電解銅めつき膜とからなるバイァホールを含む多層プリント配線板を製： taし/こ。

比較例 1 - 接着剤層の表面に粗化面を設けずにレーザ光を照射した以外、第 2実施形態と同様にして、多層プリント配線板を製造した。

比較例 2

樹脂付き銅箔表面に粗化層を設けなかった。

加熱試験びヒ一トサイクル試験

第 2実施形態及び第 2実施形態の改変例、比較例 1で得られた配線板について、 — 5 5 °C〜1 2 5 °Cで 5 0 0回のヒートサイクル試験を実施した。各試験後に、バイァホール部分の抵抗変化率を測定した。また、開口周縁部の樹脂のもり上がりの有無を光学顕微鏡で確認した。その結果を第 5 6図中の表に示す。

第 2実施形態の製造方法によれば、バイァホール接続部の下層導体回路の表面に樹脂が残存しない。このため、第 2実施形態によれば、ヒートサイクル時においても、下層導体回路とバイァホール導体とが剥離せず、バイァホール部における接続不良が発生せず、接続信頼性に優れた多層プリント配線板を得ることができる。〔第 3実施形態〕

引き続き、本発明の第 3実施形態に係る多層プリント配線板及びその製造方法について説明する。第 3実施形態の多層プリント配線板の製造方法では、 ①導体回路を形成する工程、 ②上記導体回路上に層間樹脂絶縁層を設けるェ程、 ③レーザ光を照射することにより上記層間樹脂絶縁層にバイァホール用開口を設ける工程、および、 ④上記層間樹脂絶縁層上にバイァホールを含む別の導体回路を形成する工程を含む多層プリント配線板の製造方法であって、上記②の工程の前に、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて上記導体回路表面を粗化処理する多層プリント配線板の製造方法である。このような製造方法により得られる多層プリント配線板は、導体回路表面が、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて粗化処理されてなるとともに、その導体回路上に層間樹脂 «層が設けられ、さらに該層間樹脂 » 層にバイァホール用開口を有し、その開口の内壁には縞状の凹凸が形成されてなるものである。

このような第 3実施形態の構成によれば、上記第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて導体回路表面を粗化処理するので、上記導体回路表面には、第 1 4図〜第 1 6図に示すような、複雑な形状の粗化面が形成される。この粗化面は、その上に形成される層間樹脂絶縁層との密着性に優れる。また、この粗化面は、レーザ光を反射し、レーザ光の照射によってもその形状は変化せず、平坦ィ匕されない。従って、導体回路上に層間樹脂絶縁層を形成した後、レーザ光を照射することにより、上記導体回路を平坦化させることなく、バイァホール用開口を形成することができる。

また、上記第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて形成された粗化面は、レーザ光により開口した場合でも樹脂のこりが少ない。このため、加熱時に残つた棚旨が膨張してバイァホールとの接続を破壊することもない。さらに、レーザ光を反射させやすくなるため、レ一ザ光の入射光と反射光を干渉させることができ、バイァホール用開口の内壁に縞状の凹凸を形成しやすいという利点を有する。

開口の内壁に縞状の凹凸を形成すると、ノ ^ィァホールを構成する金属が接する面はすべてアンカー効果を有することになり、バイァホールの接続信頼性を向上させることができる。

従って、第 3実施形態の多層プリント配線板は、ノィァホ一ル部分を含む導体回路と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるとともに、導体回路とその上に形成されるバイァホール（導体回路）との密着性にも優れる。

第 1 4図は、第 3実施形態の粗化処理方法により形成された導体回路の粗化面を模式的に示した平面図であり、第 1 5図は、第 1 4図における A— A線縦断面図であり、第 1 6図は、他の部分における縦断面図である。また、図中、 3 2 1はエッチングされない表面部分が残っている部分（以下、錨状部という）、 3 2 2は窪み部、 3 2 3は窪み部 3 2 2と窪み部 3 2 2との間に形成された稜線を示す。

第 3実施形態の粗化処理方法を用いると、例えば、第 1 4図〜第 1 6図に示すような形状の粗化面が形成される。即ち、錨状部 3 2 1では、上部の幅が下部の幅よりも大きい部分も多数存在する。

また、第 3実施形態におけるバイァホール用開口の内壁には第 2 0図に示すように縞状の凹凸が形成されてなる。

凹凸の壁面方向の深さは 0 . l〜5 m、凹凸の間隔は 1〜2 0 mが望ましい。大きすぎても小さすぎてもバイァホールを構成する金属との密着性に劣るからである。

また、第 2 1図に示すように、この縞状の凹凸の表面にさらに平均粗さ R a = 0 . 0 5〜 5 m程度の粗化面が形成されていてもよい。アンカ一効果が増してバイァホールとの密着性に優れるからである。

このような粗化面を有する導体回路上にバイァホールを形成すると、粗化面の錨状部 3 2 1等においてアンカ一効果が生じ、その結果、下層の導体回路との密着性に優れたバイァホールを形成することができる。特に、めっきによりバイァホールを形成すると、粗化面へのめっきのつきまわりがよいため、窪み部 3 2 2や錨状部 3 2 1等にもしつかりとめつき層が形成され、下層の導体回路とより密着性に優れたバイァホールを形成することができる。

また、レーザ光で開口した場合、樹脂のこりも少ない粗化構造になっているため、バイァホールの接続信頼性にも優れる。

次に、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて上記導体回路表面を粗化処理する方法について説明する。

上記第二銅錯体としては特に限定されないが、ァゾ一ル類の第二銅錯体が好ましい。この種の第二銅錯体は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。ァゾール類としては、ジァゾ一ル、トリァゾール、テトラゾ一ルが好ましい。なかでも、ィミダゾ一ル、 2—メチルイミダゾール、 2—ェチルイミダゾ一ル、 2—ェチル—4 _メチルイミダゾ一ル、 2 _フエ二ルイミダゾ一ル、 2—ゥンデシルイミダゾ一ル等が好ましい。上記第二銅錯体の添加量は、 1〜1 5重量％が好ましい。上記範囲の添加量では、第二銅錯体の溶解性及び安定性に優れるからである。

有機酸は、酸化銅を溶解させるために、上記第二銅錯体とともに配合する。ァゾール類の第二銅錯体を用いる場合には、有機酸は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉相酸、カブロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シユウ酸、マロン酸、コハク酸、ダルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸からなる群より選ばれる少なくとも 1種が好ましい。また、有機酸の含有量は、 0. 1〜3 0重量％が好ましい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ、溶解安定性を確保するためである。

上記エッチング液には、銅の溶解ゃァゾール類の酸化作用を補助するために、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン等のハロゲンイオンを加えてもよい。上記ハロゲンイオンは、塩酸、塩化ナトリウム等として供給することができる。ハロゲンイオンの添加量は、 0. 0 1〜2 0重量％が好ましい。層間樹脂絶縁層との密着性に優れた粗化面を形成することができるからである。

上記ェッチング液は、上記第二銅錯体と有機酸と必要に応じてハロゲンィォンとを、水に溶解することにより調製することができる。また、市販のエッチング液として、例えば、メック社製、商品名「メックエッチポンド」を用いることができる。

上記エッチング液を用いて導体回路に粗化処理を施す際には、エッチング液を上記導体回路表面にスプレーすること（以下、スプレー法という）により、または、バブリング条件下で上記エッチング液に上記導体回路を浸漬すること (以下、バブリング法という）により行う。上記処理により、酸素がエツチング液中に共存することになり、下記の（1) 式および（2) 式で示す化学反応により、エッチングが進行する。 C υ + C u (I I ) An→ 2Cu (I) An/2 · · · ( 1 )

I

→2Cu (I I) An +n/2H2 O · · · (2)

(式中、 Aは錯化剤（キレート剤として作用）、 nは配位数を示す。）上記化学式で示すように、発生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素によて酸化されて第二銅錯体となり、再び銅の酸化に寄与する。

上記エッチング液によるエッチングの程度は、エッチング部の深さが 1〜 1 0 /xmとなる程度が好ましい。エッチングの程度が上記範囲を超えると、形成された粗化面とバイァホール導体との接続不良を起こすからである。

上記方法により導体回路表面の粗化処理を行つた後、上記導体回路上に眉間樹脂絶縁層を形成する。

第 3実施形態において形成する層間棚旨絶縁層は、讀化性觀旨、熱可塑性樹脂またはこれらの複合樹脂で構成されていることが望ましい。

上記熱硬化性樹脂としては、例えば、化型または熱可塑型のポリオレフイン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フエノール樹脂、ビスマレイミド一トリァジン樹脂から選ばれる少なくとも 1種以上を用いることがましい。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリメチルペンテン（PMP)、ポリスチレン（PS)、ポリエーテルスルフォン（PES)、ポリフエ二レンェ一テル（P P F)、ポりフエ二レンスルフイド（P P S ) 等のエンジニアリングプラスチックを用いることが望ましい。

第 3実施形態においては、層間樹脂絶縁層として、上記熱硬化型または熱可塑型のポリオレフィン系樹脂を用いることがましい。

上記熱硬化型または熱可塑型のポリオレフイン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソプチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。

上記ポリオレフイン系樹脂の市販品としては、例えば、住友スリーェム社製の商品名： 1 5 9 2等が挙げられる。また、融点が 2 0 0 °C以上の熱可塑型ポリオレフイン系翩旨の市販品としては、例えば、三井石油化学工業社製の商品名： T P X (融点 2 4 0 °C)、出光石油化学社製の商品名： S P S (融点 2

7 0 °C) 等が挙げられる。

この層間樹脂絶縁層は、未硬化液を塗布したり、フィルム状の棚旨を熱圧してラミネートすることにより形成される。

この後、層間樹脂絶縁層にレーザ光を照射することにより、バイァホール用開口を設ける。このとき、使用されるレーザ光としては、例えば、炭酸ガス（C

0 2 ) レーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられるが、これらのなかでは、短パルスの炭酸ガスレーザが好ましい。短パルスの炭酸ガスレーザは、開口内の樹脂残りが少なく、また、開口周縁の樹脂に対するダメージが小さいからである。

炭酸ガスレーザのパルスの間隔は、 1 0 ·⁴〜1 0·⁸秒であることがましい。また、開口を形成するためにレーザを照射する時間は、 1 0〜 5 0 0 秒であることが望ましい。

また、ビーム径は l〜2 0 mm、マルチモード（いわゆるトップハットモードを含む）で 1〜1 0ショットにて加工することが望ましい。マルチモードは、レーザ光の照射面のエネルギー密度が均一であり、大きな開口は得られないものの、真円に近く、樹脂のこりが少ないバイァホール用の開口が形成されるからである。

なお、レーザ光のスポット形状を真円にするために、レーザ光をマスクと呼ばれる真円の穴を透過させるが、この穴径は 0. 1〜 2 mm程度がましい。炭酸ガスレーザ光にて孔明けした場合は、デスミア処理を行うことが望ましい。

上記デスミア処理は、クロム酸、過マンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うことができ、また、酸素プラズマ、 C F 4と酸素の混合プラズマやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、表面改質することもできる。

この後、後述するような無電解めつき処理や電気めつき処理等を施すことにより、上記導体回路上にバイァホールを含む上層導体回路を形成する。

以下、第 3実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法の一例を説明する。

( 1 ) まず、樹脂基板の表面に下層導体回路を有する配線基板を作製する。樹脂基板としては、無機繊維を有する樹脂基板が望ましく、具体的には、例えば、ガラス布エポキシ基板、ガラス布ポリイミド基板、ガラス布ビスマレイミド―トリアジン樹脂基板、ガラス布フッ素樹脂基板等が挙げられる。

また、上記樹脂基板の両面に銅箔を貼った銅張積層板を用いてもよい。

通常、この樹脂基板にドリルで貫通孔を設け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めつきを施してスルーホールを形成する。無電解めつきとしては銅めっきが好ましい。さらに、銅箔の厚付けのために電気めつきを行ってもよい。この電気めつきとしては銅めつきが好ましい。

この後、スルーホール内壁等に粗化処理を施し、スルーホールを樹脂ペースト等で充填し、その表面を覆う導電層を無電解めつきもしくは電気めつきにて形成してもよい。

上記工程を経て、基板上の全面に形成された銅のベ夕パターン上にフォトリソグラフィ一の手法を用いてエッチングレジストを形成し、続いて、エツチングを行うことにより、下層導体回路を形成する。

( 2 ) 次に、下層導体回路に粗化処理を施す。即ち、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用い、スプレー法またはバブリング法により、下層導体回路に粗化面を形成する。

( 3 ) 次に、上記 ( 2 ) で作製した下層導体回路を有する配線基板の両面に、上記したポリオレフィン樹脂等により構成される層間樹脂絶縁層を、未硬化液を塗布することにより、または、フィルム状の樹脂を熱圧してラミネートすることにより形成し、形成した層間樹脂絶縁層に、下層導体回路との電気的接続を確保するため、レーザ光を照射することによりバイァホール用開口を設ける。

(4) 次に、上記層間樹脂絶縁層をプラズマ処理するか、または、酸等で処理することにより、その表面を粗化する。

プラズマ処理を行った場合には、上層として形成する導体回路と層間樹脂絶縁層との密着性を確保するために、層間樹脂絶縁層との密着性に優れた N i、 T i、 P d等の金属を中間層として形成してもよい。上記金属からなる中間層は、スパッタリング等の物理的蒸着法（P VD) により形成することが望ましく、その厚さは、 0. 1〜2. 0 m程度であることが望ましい。

( 5 ) 上記（4) の工程を経た基板に無電解めつきを施す。

無電解めつきとしては銅めつきが最適である。また、無電解めつきの膜厚は、 0 . ：!〜 5 mが好ましい。このような膜厚とするのは、後に行う電気めつきの導電層としての機能を損なうことなく、エッチング除去できるようにするためである。なお、この無電解めつき処理は必須ではなく、省略することもでさる。

( 6 ) 上記（5 ) で形成した無電解めつき膜上にめっきレジストを形成する。このめつきレジストは、感光性ドライフィルムをラミネートした後、露光、現像処理を行うことにより形成される。

( 7 ) 次に、無電解めつき膜等をめつきリードとして電気めつきを行い、導体回路を厚付けする。電気めつき膜の膜厚は、 5〜3 0 mが好ましい。

この時、バイァホール用開口を電気めつきで充電してフィルドビア構造としてもよい。

( 8 ) 電気めつき膜を形成した後、めっきレジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた無電解めつき膜と上記中間層とをエッチングにより除去し、独立した導体回路とする。上記電気めつきとしては、銅めつきを用いることが望ましい。

エッチング液としては、例えば、硫酸—過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニゥム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫酸等が挙げられる。また、前述した第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて、導体回路間のエッチングと同時に粗ィ匕面を形成してもよい。

( 9 ) この後、上記（2 ) の場合と同様に、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用い、スプレー法またはバブリング法により、上層導体回路に粗化面を形成する。

( 1 1 ) さらに、上記（3 ) 〜（9 ) の工程を繰り返して上層の上層導体回路を設け、例えば、片面 3層の 6層両面多層プリント配線板を得る。

以下、図を参照して第 3実施形態の多層プリント配線板の製造方法について説明する。

( 1 ) 厚さ l mmのガラスエポキシ樹脂または B T (ビスマレイミド一トリァジン）樹脂からなる基板 3 3 0の両面に 1 8 mの銅箔 3 3 2がラミネ一卜されている銅貼積層板を出発材料とした（第 1 7図（A) 参照)。まず、この銅貼積層板をドリル削孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板に無電解銅めつき処理を施してスルーホール 3 3 6を形成し、さらに、銅箔を常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層銅バターン（下層導体回路） 3 3 4を形成した。

( 2 ) 下層導体回路 3 3 4を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、エツチングを基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路 3 3 4の表面とスルーホール 3 3 6のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路 3 3 4の全表面に粗ィ匕面 3 3 8を形成した（第 1 7図（B) 参照)。エッチング液として、イミダゾール銅 ( I I ) 錯体 1 0重量部、グリコール酸 7重量部、塩化カリウム 5重量部およびイオン交換水 7 8重量部を混合したものを使用した。

( 3 ) エポキシ樹脂を主成分とする樹脂充填剤 3 4 0を、基板の両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回路 3 3 4間またはスルーホール 3 3 6内に充填し、加熱乾燥を行った。即ち、この工程により、樹脂充填剤 3 4 0 が下層導体回路 3 3 4の間あるいはスルーホ一ル 3 3 6内に充填される（第 1 7図（C) 参照)。

(4) 上記（3) の処理を終えた基板の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路 334の表面やスルーホール 336のランド表面に樹脂充填剤 340が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのパフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。そして、充填した翻旨充填剤 340を加觀化させた（第 17図（D) 参照)。

(5) 次に、上記（4) の処理を終えた基板の両面に、上記 (2) で用いたェツチング液と同じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体回路 334の表面とスルーホール 336のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路 334の全表面に粗化面 342を形成した（第 18 図（A) 参照)。この後、この粗化面 342をスズ置換めつきし、表面に厚さ 0. 3 mの Sn層を設けた。但し、 S n層については図示しない。

(6) 次に、上記工程を経た基板の両面に、厚さ 50 imの熱硬化型ポリオレフイン系樹脂シート（住友 3M社製、商品名： 1592) を温度 50〜18

0°Cまで昇温しながら圧力 10 kgZcm²で加熱プレスして積層し、ポリオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層 350を設けた（第 18図（B)参照)。

(7) 次に、波長 10. 4 mの C02ガスレーザにて、ビ一ム径 5mm、トップハットモード、パルス幅 50 秒、マスクの穴径 0. 5mm、 3ショッ卜の条件でポリオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層 350に直径 80 mのバイァホール用開口 348を設けた（第 18図（C) 参照)。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。

(8) 次に、日本真空技術株式会社製の SV—4540を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層 350の表面を粗化した（第 18図（D) 参照)。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力 200W、ガス圧 0. 6Pa、温度 70 °Cの条件で、 2分間プラズマ処理を実施した。

(9) 次に、同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、 N iを夕一ゲットにしたスパッタリングを、気圧 6P a、温度 80°C、電力 200 W、時間 5分間の条件で行い、 N i金属層 351をポリオレフィン系層間樹脂絶縁層 350の表面に形成した。このとき、形成された N i金属層 351の厚さは 0. 1 mであった。また、 N i金属層 351上に、同様の条件にて厚さ 0. 1 の銅金属層 352をスパッタリングにより形成した。

(10) さらに、（ 9 ) で金属層 351および中間金属層 352が形成された基板に、上記（1) に記載した条件と同様の条件で無電解めつきを施し、厚さ 0. 7 mの無電解めつき膜 353を形成した（第 19図（A) 参照)。なお、第 19図（B) 以降においては、 N i金属層 351、中間金属層 352および無電解めつき膜 253をそれぞれ明確に記載するのが困難なため、これら 3層を合わせて 1層として描き、 352の符号を付している。

(11) 上記処理を終えた基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、 10 OmJZcm²で露光した後、 0. 8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ 15 mのめつきレジスト 35 4のパターンを形成した（第 19図（B) 参照)。

(12) 次に、第 1実施形態と同様の条件で電気めつきを施して、厚さ 15 imの電気めつき膜 356を形成した。なお、この電気めつき膜 356により、後述する工程で導体回路 358となる部分の厚付けおよびバイァホール 3 60となる部分のめっき充填等が行われたことになる。

(13) さらに塩化ニッケル（30 g/ 1)、次亜りん酸ナトリウム（10 g Zl)、クェン酸ナトリウム（l OgZl) の水溶液（90°C) の無電解ニッケル浴に浸潰し、電気銅めつき膜上に厚さ 1. のニッケル膜 357を形成した（第 19図（C) 参照)。

(14) そしてさらに、めっきレジスト 3を 5%NaOHで剥離除去した後、そのめつきレジスト 3の下に存在していた N i金属層 351、中間金属層 35 2および無電解めつき膜 353を硝酸おょぴ酸と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、電気銅めつき膜 356等からなる厚さ 16 mの導体回路 358 (バイァホール 360を含む）を形成した（第 19図 (D) 参照)。

(15) その後、図示はしていないが、（5) 〜（14) の工程を繰り返すことにより、片面 3層の多層化を行った。その後、開口を有するソルダーレジスト層の形成、ニッケルめっき膜および金めつき膜の形成を行った後、はんだバンプを形成し、はんだバンプを有する多層プリント配線板を得た。

加熱試験およびヒートサイクル試験

得られた多層プリント配線板について、 128°Cで 48時間の加熱処理試験と、一 55°C〜125°Cで 1000回のヒートサイクル試験を実施した。そして、各試験を実施した後、層間樹脂絶縁層と下層導体回路との剥離、バイァホール部分の抵抗変化率を測定した。結果を第 57図の表に示した。

引き続き、第 3実施形態の第 1改変例について説明する。

(2) と（5) の工程において、バブリング法を用い、以下の条件で、下層導体回路 334の表面に粗化面を形成した以外は、上記第 3実施形態と同様にして、多層プリント配線板を製造し、得られた多層プリント配線板について、カロ熱試験およびヒートサイクル試験を行った。結果を第 57図の表に示した。粗化層を形成する際には、第 3実施形態の（2) と（5) の工程において使用したエッチング液に導体回路を浸漬した後、エアーをバブリングさせながら粗化処理を行った。

(比較例 3)

(2) と（5) の工程において、 Cu— N i— Pめっき処理法を用い、以下の条件で、下層導体回路 334の表面に C U— N i—P合金からなる粗化層を形成した以外は、上記第 3実施形態と同様にして、多層プリント配線板を製造し、得られた多層プリント配線板について、加熱試験およびヒートサイクル試験を行った。結果を第 57図の表に示した。

粗化層を形成する際には、まず、基板をアルカリ脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸とからなる触媒溶液で処理して、 Pd触媒を付与し、この触媒を活性化した。

次に、この基板に、硫酸銅 (3. 2X 10"²mo 1/1), 硫酸ニッケル（2. 4X 10-³mo 1/1)、クェン酸（5. 2X 10"²mo 1 1)、次亜リン酸ナトリウム（2. 7X 1 (^mo 1/1)、ホウ酸（5. OX 1 O^mo 1/1), 界面活性剤（日信化学工業社製、サ一フイノ一ル 465) (1. OgZl) の水溶液からなる p H= 9の無電解めつき浴にて無電解めつきを施し、導体回路の全表面に Cu_N i一 P合金からなる粗化層を形成した。

(比較例 4)

(2) と（5) の工程において、黒化一還元処理法を用い、以下の条件で導体回路表面に粗化面を形成した以外は、上記第 3実施形態と同様にして、多層プリント配線板を製造し、得られた多層プリント配線板について、加熱試験およびヒートサイクル試験を行った。結果を第 57図の表に示した。

粗化処理を行う際には、 Na〇H (10g/l)、 NaC 10₂ (40 g/l)、 Na₃P〇₄ (6g/l) を含む水溶液を酸化浴（黒化浴）とし、 NaOH (1 0 g/ 1 ), NaBH₄ (6 g/1) を含む水溶液を還元浴とする黒化還元処理を行い、深さ 3 mの粗化面を形成した。

(比較例 5)

(2) と（5) の工程において、過酸化水素と硫酸との混合水溶液をエツチング液として用いるソフトエッチング法により、導体回路表面に粗化面を形成した以外は、上記第 3実施形態と同様にして、多層プリント配線板を製造し、得られた多層プリント配線板について、加熱試験およびヒートサイクル試験を行つた。結果を第 57図の表に示した。

(比較例 6)

(2) と（5) の工程において、スクラッチング法を用い、以下の条件で、導体回路表面に粗化面を形成した以外は、上記第 3実施形態と同様にして、多層プリント配線板を製造し、得られた多層プリント配線板について、加熱試験およびヒートサイクル試験を行った。結果を第 57図中の表に示した。

粗化処理を行う際には、アルミナ研磨材（平均粒子径 5 /m) を圧力 l k gZmm²で深さ 2〜6 の粗化面を形成した。

上記表の結果より明らかなように、第 3実施形態の多層プリント配線板は、加熱試験やヒートサイクル試験を行った後も、導体回路とバイァホールとの間の抵抗変化率は小さく、導体回路と層間樹脂絶縁層との剥離は見られなかったのに対し、比較例の多層プリント配線板は、抵抗変化率が大きいか、または、試験後に剥離が発生していた。

以上説明したように第 3実施形態の多層プリント配線板の製造方法によれば、層間樹脂絶縁層にレーザ光によりバイァホール用開口を設けても、導体回路とその上に形成する層間樹脂総層との密着性が大きく、また、導体回路上に形成するバイァホールとの密着性も大きい多層プリント配線板を製造することができる。

また、第 3実施形態の多層プリント配線板は、バイァホ一ル部分を含む導体回路と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるとともに、導体回路とその上に形成されるバイァホールとの密着性にも優れる。

〔第 4実施形態〕

本発明の第 4実施形態に係る多層プリント配線板及びその製造方法について図を参照して説明する。

先ず、第 4実施形態に係る多層プリント配線板 1 0の構成について、第 2 7 図、第 2 8図を参照して説明する。

第 2 7図は、 I Cチップ搭載前の多層プリント配線板 1 0の断面図を示し、第 2 8図は、第 2 7図に示す多層プリント配線板 1 0に I Cチップ 9 0を載置し、ドー夕ボード 9 4へ取り付けた状態を示している。

第 2 7図に示すように多層プリント配線板 1 0では、コア基板 3 0内にスル —ホール 3 6が形成され、該コア基板 3 0の両面には導体回路 3 4が形成されている。また、該コア基板 3 0の上には、バイァホール 6 0及び導体回路 5 8 の形成された下層側層間樹脂縁層 5 0が配設されている。該下層層間樹脂絶縁層 5 0の上には、バイァホール 1 6 0及び導体回路 1 5 8が形成された上層層間樹脂絶縁層 1 5 0が配置されている。

第 2 8図に示すように多層プリント配線板の上面側には、ソルダ一レジスト 7 0の開口部 7 1 Uに、 I Cチップ 9 0のランド 9 2へ接続するための半田バンプ 7 6 Uが配設されている。下面側の開口部 7 1 Dには、ド一ターボ一ド 9 4のランド 9 6へ接続するための半田バンプ 7 6 Dが配設されている。該半田バンプ 7 6 Uは、層間樹脂絶縁層 1 5 0に形成されたバイァホール 1 6 0及び層間樹脂絶縁層 5 0に形成されたバイァホール 6 0を介してスルーホール 3 6 へ接続されている。一方、該半田バンプ 7 6 Dは、層間樹脂絶縁層 1 5 0に形成されたバイァホール 1 6 0及び層間樹脂絶縁層 5 0に形成されたバイァホ一ル 6 0を介してスルーホール 3 6へ接続されている。

バイァホール 6 0は、層間樹脂椽層 5 0に貫通孔 4 8を穿設し、該貫通孔 4 8に無電解めつき膜 5 2及び電解めつき膜 5 6を析出させることにより形成してある。第 4実施形態では、該貫通孔 4 8を炭酸レーザにて穿設するため、微細径（6 0 m) に形成することができる。更に、レーザにて穿設する際に、後述するように貫通孔 4 8の側壁にレーザの干渉による縞状の凹凸を形成するため、無電解めつき膜 5 2を密着させることができ、バイァホールの信頼性を高めている。

一方、半田バンプ 7 6 U, 7 6 Dは、ソルダーレジスト 7 0に穿設した開口 7 1 U、 7 I D下の導体回路 1 5 8及びバイァホール 1 6 0に、ニッケルめつき層 7 2及び金めつき層 7 4を介して配設される。ソルダ一レジスト 7 0の開口 7 1 U、 7 I Dは、レ一ザにより穿設されている。即ち、第 4実施形態では、ソルダ一レジスト 7 0にレーザで開口を穿設するため、感光性樹脂に限定されることなく、ソルダ一レジストとして電気特性に優れた種々の材料を用いることが可能となる。また、レーザにて穿設する際に、後述するように貫通孔（開口） 7 1 U、 7 I Dの側壁にレーザの干渉による縞状の凹凸を形成するため、ニッケルめっき層 7 2を密着させることができ、半田バンプ 7 6 U、 7 6 Dの接続信頼性を高めている。

以下、第 4実施形態に係る多層多層プリント配線板の製造方法について図を参照して説明する。

ここでは、先ず、層間棚旨絶縁層及びソルダ一レジストに貫通孔を穿設する炭酸ガスレーザ装置の概略構成について、第 3 4図を参照して説明する。

第 3 4図は、第 4実施態様に係る多層プリント配線板に貫通孔を穿設するためのレーザ装置の概略構成を示している。このレーザ装置としては、三菱電機製の ML 5 0 5 GTを用いる。また、 C 02レーザ発信器 1 8 0としては、層間樹脂絶縁層の貫通孔 ( 6 0 m) 4 8を形成する際、及び、ソルダ一レジストの上側に I Cチップ接続用の貫通孔 ( 1 3 3 u m) 7 1 Uを形成する際には、三菱電機製の ML 5 0 0 3 Dを、ソルダーレジストの下側にマザ一ポード接続用の貫通孔 ( 6 5 0 u rn) 7 1 Dを形成する際には、三菱電機製の ML 5 0 0 3 D 2を用いる。

レーザ発振器 1 8 0から出た光は、基板上の焦点を鮮明にするための転写用マスク 1 8 2を経由してガルバノへッド 1 7 0へ入射する。ガルバノへッド 1 7 0は、レーザ光を X方向にスキャンするガルバノミラ一 1 7 4 Xと Y方向にスキャンするガルバノミラー 1 7 4 Yとの 2枚で 1組のガルバノミラーから構成されており、このミラー 1 7 4 X、 1 7 4 Yは制御用のモータ 1 7 2 X、 1 7 2 Yにより駆動される。モータ 1 7 2 X、 1 7 2 Yは図示しない制御装置からの制御指令に応じて、ミラー 1 7 4 X、 1 7 4 Yの角度を調整すると共に、内蔵しているエンコーダからの検出信号を該コンピュータ側へ送出するよう構成されている。

レーザ光は、ガルバノミラ一 1 7 4 X、 1 7 4 Yを経由してそれぞれ X— Y 方向にスキャンされて f 一 0レンズ 1 7 6を通り、基板 3 0の後述する層間樹脂絶縁層に当たってビアホール用の開口（貫通孔） 4 8を形成する。同様に、ソルダ一レジスト 7 0に半田バンプ用の開口（貫通孔） 7 1 U、 7 I Dを形成する。基板 3 0は、 X— Y方向に移動する X— Yテ一カレ 1 9 0に載置されている。

引き続き、多層プリント配線板の製造方法について説明を続ける。ここでは、第 4実施形態の多層多層プリント配線板の製造方法に用いる A. 無電解めつき用接着剤、 B. 層間樹脂絶縁剤、 C. 樹脂充填剤、 D. ソルダ一レジスト組成物の組成について説明する。

A. 無電解めつき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）

〔樹脂組成物①〕

クレゾ一ルノポラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量 2500) の 25%ァクリル化物を 80wt%の濃度で DMD Gに溶解させた樹脂液を 35重量部、感光性モノマ一（東亜合成製、ァロニックス M315 ) 3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、 S— 65) 0.5重量部、 NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。必要に応じて感光性モノマーである^ Kアクリルモノマー（日本化薬製、 R604 ) を混合する。〔樹脂組成物②〕

ポリエーテルスルフォン（P E S) 12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0 mのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5 mのものを 3.09重量部、を混合した後、さらに NMP 30重量部を添カロし、ビーズミルで攪拌混合して得た。

〔硬化剤組成物③〕

イミダゾール硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-CN) 2重量部、光開始剤（チバガイギ一製、ィルガキュア 1—907 ) 2重量部、光増感剤（日本化薬製、 DETX-S) 0.2重量部、 NMP 1.5重量部を攪拌混合して得た。

B . 層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）

C樹脂組成物①〕

クレゾールノポラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量 2500) の 25%ァクリル化物を 80wt%の濃度で DMD Gに溶解させた樹脂液を 35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、ァロニックス M315 ) 4重量部、消泡剤（サンノブコ製、 S— 65) 0.5重量部、 NMP 3.6重量部を攪拌混合して得た。

〔樹脂組成物②〕

ポリエーテルスルフォン（P E S ) 12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマ一ポール）の平均粒径 0.5 mのものを 14.49重量部、を混合した後、さらに NMP30重量部を添カ卩し、ビーズミルで攪拌混合して得た。

〔硬化剤組成物③〕

イミダゾ一ル硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-CN) 2重量部、光開始剤（チバガイギ一製、ィルガキュア 1—907 ) 2重量部、光増感剤（日本化薬製、 DETX-S) 0.2重量部、 NM P 1.5重量部を攪拌混合して得た。

C . 樹脂充填剤調製用の原料組成物

第 2実施形態と同様な組成物を用いる。

D. ソルダーレジスト組成物

DMD Gに溶解させた 60重量％のクレゾ一ルノポラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基 50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量 4000) を 46.67 g、メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビスフエノール A型エポキシ樹脂（油化シェル製、ェピコート 1001) 15.0g、イミダゾ —ル硬化剤（四国化成製、 2E4MZ-CN) 1.6 g、感光性モノマーであるァクリルモノマ一（日本化薬製、 R604 ) 3 g、同じく^ ffiアクリルモノマ一（共栄社化学製、 DPE6A ) 1.5 g、分散系消泡剤（サンノプコ社製、 S-65) 0.71 gを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフエノン（関東化学製）を 2g、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2g加えて、粘度を 25°Cで 2.0Pa · sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、 B型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 60rpmの場合は口一ター No.4、 6rpmの場合は口一夕一 No.3によった。

引き続き、第 4実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程について第 22 図乃至第 27図を参照して説明する。この第 4実施形態では、多層プリント配線板をセミアディティブ方により形成する。

(1) 第 22図（A) に示すように厚さ 0. 8mmのガラスエポキシ樹脂または BT (ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板 30の両面に 12 m の銅箔 32がラミネートされている銅張積層板 3 OAを出発材料とした。まず、この銅張積層板 3 OAをドリル削孔し、無電解めつき処理を施し、パターン状にエッチングすることによりスルーホール 36及び導体回路 34を形成し、第

22図（B) に示すコア基板 30を形成する。

(2) プレーン層 34およびスルーホール 36を形成した基板 30を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、 NaOH (lOg/1), NaCIO 2 (40 g/1), Na3 P04 (6 g/ 1 )、還元浴として、 NaOH (lOgZ 1 )， NaBH 4 (6g/l) を用いた酸化—還元処理により、導体回路 34およびスルーホール 36の表面に粗化層 38を設けた（第 22図（C) 参照)。

(3) Cの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。 (4)前記 (3)で得た樹脂充填剤 40を、調製後 24時間以内に基板 30の両面に口一ルコ一夕を用いて塗布することにより、導体回路 34と導体回路 34との間、及び、スルーホール 36内に充填し、 70°C， 20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤 40を導体回路 34間あるいはスルーホール

36内に充填し、 70°C， 20分間で加熱乾燥させた（第 22図（D) 参照)。 (5)前記 (4)の処理を終えた基板 30の片面を、 #600のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路 34の表面やスルーホール 36のランド 36 a表面に樹脂充填剤 40が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った（第 23図 (E) 参照)。

次いで、 100でで 1時間、 120 °Cで 3時間、 150°Cで 1時間、 180°Cで 7時間の加熱処理を行って樹脂充填剤 40を硬化した。

このようにして、スルーホール 36等に充填された樹脂充填剤 40の表層部および導体回路 34上面の粗化層 38を除去して基板 30両面を平滑化した上で、樹脂充填剤 40と導体回路 34の側面とが粗化層 38を介して強固に密着し、またスルーホール 36の内壁面と樹脂充填剤 40とが粗化層 38を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤 40の表面と導体回路 34の表面が同一平面となる。

(6)導体回路 34を形成した基板 30にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジゥゥムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、 Pd触媒を付与し、この触媒を活性ィ匕した後、硫酸銅 3. 2X 10— ²mo 1/1、硫酸ニッケル 3· 9X 10^{_ 3}mo 1ノ1、錯化剤 5. 4X 10~^mo \/

1、次亜りん酸ナトリウム 3. 3X 10— ¹mo 1Z1、ホウ酸 5. 0X 10 ^{_ 1}1110171、界面活性剤（日信化学ェ業製、サ一フィ一ル465) 0. 1 g ノ 1、 PH= 9からなる無電解めつき液に浸積し、浸漬 1分後に、 4秒当たり

1回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路 34、スルーホール 36のランド 36 a及びバイァホールの底部 60 aの表面に Cu— N i— Pからなる針状合金の被覆層と粗化層 42を設けた（第 23図（F) 参照)。

さらに、ホウフっ化スズ 0. lmo 1ノ1、チォ尿素 1. 0mo l/l、温度 35° (：、 PH=1. 2の条件で Cu_Sn置換反応させ、粗ィ匕層の表面に厚さ 0. 3 mSn層（図示せず）を設けた。

(7) Bの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 1.5 Pa · sに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。次いで、 Aの無電解めつき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度 7 Pa · sに調整して無電解めつき用接着剤溶液（上層用）を得た。

(8)前記 (6)の基板の両面に、前記 (7)で得られた粘度 1.5Pa · sの層間樹脂絶縁剤（下層用） 4 4を調製後 24時間以内に口一ルコ一夕で塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30分の乾燥（プリべ一ク）を行い、次いで、前記 (7)で得られた粘度 7 Pa · sの感光性の接着剤溶液（上層用） 4 6を調製後 24 時間以内に塗布し、水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30分の乾燥（指触乾燥）を行い、厚さ 35 zmの接着剤層 5 0ひを形成した（第 2 3図（G) 参照)。

(9)前記 (8)で接着剤層を形成した基板 3 0の両面に、 P E Tフィルム 5 1を密着させ（第 2 4図（H))、超高圧水銀灯により 500mJZcm ² で露光した。さらに、当該基板 3 0を超高圧水銀灯により 3000mJZcm ² で露光し、 100 °C で 1時間、 120 で 1時間、その後 150°Cで 3時間の加熱処理（ポストべ一ク）をすることにより、厚さ 35 mの層間樹脂絶縁層（2層構造） 5 0を形成した。その後、 P E Tフィルム 5 1を剥離した。

(10)引き続き、層間樹脂絶縁層 5 0を形成した基板 3 0に第 3 4図を参照して上述したレーザ装置の X— Yテーブル 1 9 0に載置し、炭酸ガスレーザを照射することにより貫通孔 4 8を形成した（第 2 4図（1 ))。なお、バイァホールとなる貫通孔 4 8には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。ここでは、直径 6 0 mの貫通孔を形成するため、レーザ装置のレーザ発振器として ML 5 0 0 3 Dを用い、 1パルスエネルギー 0. 3 m J、パルス幅 5 0 sec, マスク径 0. 5 mm、パルスモードとしてバ一ストで、マルチモードで、波長 1 0. 6 a mの炭酸ガスレーザを 3ショット照射した。

ここで、第 2 4図（I ) 中の C部を拡大して第 2 9図に示す。第 4実施形態の多層プリント配線板においては、炭酸ガスレーザを層間樹脂絶縁層 5 0下の導体回路 3 4に対して垂直に照射し、該導体回路からの反射波と入射波とを干渉させることで、貫通孔 4 8に無電解めつき 4 8の側壁 4 8 aに縞状の凹凸 4 9を形成してある。即ち、炭酸ガスレーザの半波長（5 m) 毎に、波腹の重畳する部分ができ、当該部分においては相対的に高い熱が発生して、リング状に側壁 4 8 aがえぐられる。このえぐられている部分の深さ Dは、 0. 1〜5 m程度である。

層間樹脂絶縁層 5 0に炭酸ガスレーザで穿設した貫通孔 4 8の拡大写真のスケツチを第 3 0図（A) 及び第 3 0図（B) に示す。ここで、第 3 0図（A) は、貫通孔を斜め上から見た状態を、第 3 0図（B) は、真上から見た状態を示している。

ここで、層間樹脂絶縁層としては、讀化性樹脂又は齊鞭化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体あることが望ましい。これは、レーザの干渉による縞状の凹凸を容易に形成することができるからである。また、該熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体には、ァクリル系モノマ一を含むことが好適である。即ち、アクリル系モノマーを入れることで、容易にプラズマ化でき、貫通孔内の樹脂残さの発生を抑制することが可能となる。

(11)引き続き、貫通孔 4 8が形成された基板 3 0を、クロム酸に 19分間浸漬し、層間樹脂纖層 5 0の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間翻旨絶縁層 5 0の表面を粗化し（第 2 4図（J ) 参照)、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。

(12)前記 (10)の行程で表面を粗化した基盤 3 0の表面に、パラジウム触媒（ァトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層 5 0の表面に触媒核を付ける。その後、第 1実施形態と同様な条件の無電解銅めつき水溶液中に基板 3 0を浸漬して、全体に厚さ 0. 6 mの無電解めつき膜 5 2を形成する（第 2 4図（K) 参照)。

第 4実施形態では、層間樹脂絶縁層 5 0の貫通孔 4 8の側壁 4 8 aにレーザの干渉による縞状の凹凸を形成してあるため、側壁 4 8 aに無電解めつき膜 5 2を密着せさることができる。

(13)前記 (11)で形成した無電解銅めつき膜 5 2上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、 lOO mJZcm ² で露光、 0.8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ 15 x mのめつきレジスト 5 4を設けた（第 2 4図（L) 参照)。

(14)ついで、レジスト非形成部分に第 1実施形態と同様な条件で電解銅めつきを施し、厚さ 15 mの電解銅めつき膜 5 6を形成した（第 2 5図（M) 参照)。

(15)めっきレジスト 5 4を 5 %K〇Hで剥離除去した後、そのめつきレジスト下の無電解めつき膜 5 2を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めつき膜 5 2と電解銅めつき膜 5 6からなる厚さ 18 mの導体回路 5 8及びバイァホール 6 0を形成した（第 2 5図（N))。

(16) (6) と同様の処理を行い、導体回路 5 8及びバイァホール 6 0の表面に Cu- Ni-Pからなる粗化面 6 2を形成し、さらにその表面に Sn置換を行った（第 2 5図（O) 参照)。

(17) (7)〜(16)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層 1 5 0及びバイァホ一ル 1 6 0、導体回路 1 5 8を形成することで、多層プリント配線板を完成する（第 2 5図（P) 参照)。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、 S n置換は行わなかった。また、 R jは、 3 / mであった。

(18)そして、上述した多層プリント配線板に半田バンプを形成する。前記 (16) で得られた基板 3 0両面に、上記 D. にて説明したソルダーレジスト組成物を 4 5 zmの厚さで塗布する。次いで、 70°Cで 20分間、 70でで 30分間の乾燥処理（指触乾燥）を行った後、 P E Tフィルムを（図示せず）を密着させ、 lOOOmJ

/cm " の紫外線で露光し、そしてさらに、 80°Cで 1時間、 100でで 1時間、 120°Cで 1時間、 150°Cで 3時間の条件で加熱処理してから P E Tフィルムを剥離して、ソルダーレジスト層（厚み 20 z m) 7 0を形成する（第 2 6図（Q))。 (19)その後、ソルダーレジスト 7 0を形成した基板 3 0に第 3 4図を参照して上述したレーザ装置の X— Yテーブル 1 9 0に載置し、炭酸ガスレーザを照射することにより貫通孔（開口） 7 1 U、 7 I Dを形成した（第 2 6図（R) )。ここでは、上面側 ( I Cチップへの接続側）に直径 1 3 3 mの貫通孔 7 1

Uを形成するため、レーザ装置 (ML 5 0 5 GT) に、レーザ発振器として M L 5 0 0 3 Dを用い、 1パルスエネルギー 2. O m J、パルス幅 5 0 M sec、マスク径 2. Omm、パルスモードとしてバーストで、マルチモードを設定し、波長 1 0 . 6 zmの炭酸ガスレーザを 2ショット照射した。

ここで、第 2 6図（R) 中の A部、即ち、 I Cチップ接続側の貫通孔 7 1 U を拡大して第 3 1図（A) に示す。第 4実施形態の多層プリント配線板においては、炭酸ガスレーザをソルダーレジスト 7 0下の導体回路 1 5 8に対して垂直に照射し、該導体回路からの反射波と入射波との干渉を生ぜしめることで、貫通孔 7 1 Uの側壁 7 1 aに孔の孔方向に沿って縞状の凹凸を形成してある。即ち、炭酸ガスレーザの半波長（5 m) 毎に、波腹の重畳する部分ができ、当該部分においては相対的に高い熱が発生して、リング状に側壁 7 1 aがえぐられる。このえぐられている部分の深さは、 0. 1〜5 ΓΤΙ程度である。また、凹凸の間隔（凸ー凸間距離）は、写真のスケッチから判るように約 5. 5 u m である。第 4実施形態では、ビーム径を小さくできるマルチモードのレーザを照射するため、 I Cチップへの接続用のバンプを形成するための相対的に小径 ( 5 0〜3 0 0 / m) の貫通孔を形成することができる。

ソルダーレジスト 7 0に炭酸ガスレーザで穿設した貫通孔（上側） 7 1 Uの拡大写真のスケッチを第 3 2図（A) 及び第 3 2図（B) に示す。ここで、第 3 2図（A) は、貫通孔を斜め上から見た状態を、第 3 2図（B) は、真上から見た状態を示している。

ここで、第 2 6図（R) 中の B部、即ち、下側（マザ一ポ一ド接続側）の貫通孔 7 1 Dを拡大して第 3 1図（B) に示す。この下面側に直径 6 5 0 mの貫通孔 7 1 Dを形成するため、レーザ装置に、（ML 5 0 5 GT) に、レーザ発振器として ML 5 0 0 3 D 2を用い、 1パルスエネルギー 1 4mJ、パルス幅 1 6 sec, マスク径 1 0 . 0 mm、パルスモードとしてバーストでシングルモ一ド、波長 1 0. 6 β mの炭酸ガスレーザを 5ショット照射した。

第 4実施形態の多層プリント配線板においては、炭酸ガスレーザをソルダーレジスト層 7 0下の導体回路 1 5 8に対して垂直に照射し、該導体回路からの反射波と入射波との干渉を生ぜしめることで、貫通孔 7 1 Dの側壁 7 1 aに干渉による縞状の凹凸（干渉縞と称する）を形成してある。該干渉縞のえぐられている部分の深さは、 0. ：！〜 5 m程度である。第 4実施形態では、ビーム径を大きくできるシングルモードのレ一ザを照射するため、マザ一ポ一ドへの接続用のバンプを形成するための相対的に大径（3 0 0〜6 5 0 u rn) の貫通孔を形成することができる。

ソルダ一レジスト 7 0に炭酸ガスレーザで穿設した貫通孔 7 1 D (下側）の拡大写真のスケッチを第 33図（A：)、第 33図（B) 及び第 33図（C) に示す。ここで、第 33図（A) は、真上から見た状態を、第 33図（B) は、貫通孔の側壁を側方から見た状態を、第 33図（C) は、貫通孔を斜め上から見た状態を示している。

第 4実施形態では、ソルダ一レジストにレーザで貫通孔を穿設するため、ソルダ一レジストとして種々の材料を用いることが可能となる。即ち、従来技術においては、フォトリソグラフィ一により貫通孔を穿設するため、ソルダーレジストとして感光性樹脂しか使用できなかったが、第 4実施形態では、レーザを用いるため、電気特性に優れた種々の材質をソルダーレジストに用いることができる。更に、層間樹脂絶縁層と同じレーザ装置を用いて貫通孔を形成できるので、多層プリント配線板を廉価に製造することができる。なお、ソルダ一レジストとしては、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体を用いることがましい。これは、レ一ザ干渉により縞状の凹凸を容易に形成することができるからである。

(20)次に、塩化ニッケル 2.31X10— ¹ mo 1 1、次亜リン酸ナトリウム 2.8 X

10~ ¹mo 1 / 1 , クェン酸ナトリウム 1.85X10— ¹ mo 1ノ 1、からなる p H=4. 5の無電解ニッケルめっき液に該基板 30を 20分間浸漬して、開口部 71U、 7 IDに厚さ 5 mのニッケルめっき層 72を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム 4.1 X10— ²molZl、塩化アンモニゥム 1.87X10— ¹ mo 1 Z 1、クェン酸ナトリウム 1.16X10— ¹ mo 1 Z 1、次亜リン酸ナトリウム 1.7 X10^{_ 1}mo 1 / 1からなる無電解金めつき液に 80°Cの条件で 7分 20秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ 0.03 mの金めつき層 74を形成することで、バイァホール 160及び導体回路 158に半田パッド 75を形成する（第 26図（S) 参照)。

(21)そして、ソルダーレジスト層 70の開口部 71 U、 7 IDに、低融点金属として半田ペーストを印刷して 200°Cでリフ口一することにより、半田バンプ

(半田体） 76U、 76Dを形成し、多層プリント配線板 10を完成した（第

27図参照)。第 4実施形態では、ニッケルめっき層 72及び金めつき層 74を介して、半田を充填することで半田バンプ 76 U、 76Dを形成するため、該ニッケルめっき層 72及び金めつき層 74を縞状の凹凸の形成された貫通孔 7 1U、 7 IDに密着させることで、半田バンプ 76 U、 76Dを強固に導体回路 158へ接続させることができる。

完成した多層プリント配線板 10の半田バンプ 76Uに、 I Cチップ 90のパッド 92が対応するように載置し、リフ口一を行い I Cチップ 90を搭載する。この I Cチップ 90を搭載した多層プリント配線板 10を、ド一夕ボード 94側のバンプ 96に対応するように載置してリフローを行い、ド一夕ポ一ド 94へ取り付ける（第 28図参照)。

得られたプリント配線板について、加熱試験（温度 121°Cで 48時間加熱）を実施、バイァホール部分の抵抗変化率を調べた。

また、 I Cチップを実装し、 TS試験（一 125°Cで 30分、 55 で 30 分放置する試験）を 1000回繰り返し、バイァホール部分の抵抗変化率を調ベた。

さらに、比較のために、実施形態のソルダーレジストを紫外線露光し、ジェチレンダリコールジメチルェ一テルで現像処理して貫通孔を設けたプリント配線についても同様の試験を行った。

その結果、第 4実施形態のプリント配線板では、加熱試験、 TS試験とも抵抗変ィ匕率は 1%であった。

これに対して比較例では 5 %であった。

以上説明のように、第 4実施形態のプリント配線板は、微細なバイァホールの接続信頼性に優れる。

一方、得られたプリント配線板について、 I Cチップを実装し、 HAST試験（相対湿度 100%、印加電圧 1. 3V、温度121°〇で48時間放置）を実施、クロスカツトを蛍光 X線分析装置 (R i g aku R I X2100) により、ソルダ一レジスト層に拡散した Pbを確認した。

また、 TS試験（― 125°Cで 30分、 5' 5 °Cで 30分放置する試験）を 1 000回線り返し、 N iZAu層の剥離、ソルダーレジスト層のクラックの有無を調べた。

さらに、比較のために、実施形態のソルダーレジスト層を紫外線露光し、ジエチレンダリコールジメチルェ一テルで現像処理して貫通孔を設けたプリント配線についても同様の試験を行った。

その結果、第 4実施形態のプリント配線板では、 Pbマイグレーションは殆どなかった。

これに対して比較例のプリント配線板では、ショートには至らないものの、 P bマイグレーションが確認された。また、 TS試験では、実施形態では剥離、クラックは確認されなかった。これに対して比較例ではバンプが N i層ごと剥離したり、ソルダーレジスト層にクラックが発生していた。

以上説明のように、第 4実施形態のプリント配線板は、 N iめっき膜の剥離防止の他、バンプからの金属イオン拡散を防止し、また、ソルダ一レジスト層のクラックを抑制できる。

〔第 5実施形態〕

本発明の第 5実施形態に係る多層プリント配線板について説明する。

第 1改変例

( 1 ) 基板 1 30に厚さ 12 mの銅箔 1 32が貼付された厚さ 0. 6 mmの両面銅張積層板（松下電工 R 57 1 5) 1 3 OAを用意した（第 35図（A) 参照)。

(2) この銅箔 1 32を硫酸一過酸化水素水溶液でエッチングして厚さを 5 j mとした（第 35図（B) 参照)。

(3) この両面銅張積層板 1 3 OAに炭酸ガスレーザ（三菱電機 ML 605 GTL) を用いて、 30mJ、 52 X 1 0—⁶秒のパルス条件で 10ショットにて直径 1 50 m (上径 D 1 ： 160 m 下径 D 2 : 140 mのテ一パあり）の孔 1 16を設けた（第 35図（C))。このように、レーザにての銅箔 1 32を貫通して基板 1 30に孔を明けることができる。

(3) 該孔 1 1 6内に無電解銅めつきを行い、めっきスルーホール 1 36を形成した（第 35図（D))。

第 2改変例

( 1 ) 基板 230に厚さ 1 2 pi m銅箔 232が貼付された厚さ 0. 6 mmの両面銅張積層板（松下電工 R 5715) 23 OAを用意した（第 36図（A))。

( 2 ) この銅箔 232を硫酸—過酸化水素水溶液でエッチングして厚さを 9 mとした（第 36図（B))。

(3) この両面銅張積層板 23 OAに炭酸ガスレーザ（三菱電機 ML 605 GTL) を用いて、 30mJ、 52 X 10— ⁶秒のパルス条件で 15ショットにて直径 150 m (上径 D 1 ： 160 zm 下径 D 2 : 140 mのテーパあり）の孔 216を設けた（第 36図（C))。このように、レーザにて 9 mの銅箔 132を貫通して基板 130に孔を明けることができる。

( 4 ) 第 1改変例と同様にして無電解銅めつきを施してめつきスルーホール 2 36を形成した（第 36図（D)。

第 3改変例

( 1 ) 基板 330に厚さ 12 m銅箔 332が貼付された厚さ 0. 6 mmの両面銅張積層板（松下電工 R 5715) 33 OAを用意した（第 37図（A))。

(2) この銅箔 332を硫酸一過酸化水素水溶液でエッチングして厚さを 5 mとした（第 37図（B))。

(3) この両面銅張積層板 33 OAに炭酸ガスレーザ（三菱電機 ML 605 GTL) を用いて、 30mJ、 52 X 10—⁶秒のパルス条件で 15ショットにて表面および裏面から照射して直径 150 (最大径 D 3 ： 160 / m 最小径 D4： 140 zzmのテーパあり）の孔 316を設けた。孔 316の断面はつつみ形状である（第 37図（C))。

( 4 ) 第 1改変例と同様にして無電解銅めつきを施してめつきスルーホール 3 36を形成した（第 37図（D))。この第 4改変例では、表及び裏面からレーザを照射するため、基板の厚さが厚くともスルーホールを形成できる。

比較例 7

(1) 厚さ 12 m銅箔が貼付された厚さ 0. 6 mmの両面銅張積層板（松下電工 R 5715) を用意した。

(2) この両面銅張積層板に炭酸ガスレーザ（三菱電機 ML605GTL) を用いて、 30mJ、 52X 10—⁶秒のパルス条件で 15ショットの条件でレーザを照射したが、穿孔できなかった。この例から、銅箔の厚みが 12 /xmを越えるとスルーホールが形成できないことが分かった。

第 4改変例

引き続き、レーザによりスル一ホールを形成して多層プリント配線板を製造する第 4実施形態について、第 3 8図〜第 4 4図を参照して説明する。

先ず、第 4改変例に係る多層プリント配線板 1 0の構成について、第 4 3図を参照して説明する。多層プリント配線板 1 0では、コア基板 3 0の表面及び裏面にビルドアツフ¾線層 8 O A, 8 0 Bが形成されている。該ビルトアップ層 8 0 Aは、バイァホール 6 0及び導体回路 5 8の形成された層間樹脂絶縁層 5 0と、バイァホール 1 6 0及び導体回路 1 5 8の形成された層間樹脂絶縁層 1 5 0とからなる。また、ビルドアッフ 12線層 8 0 Bは、バイァホール 6 0及び導体回路 5 8の形成された層間樹脂絶縁層 5 0と、ノ'ィァホール 1 6 0及び導体回路 1 5 8の形成された層間樹脂絶縁層 1 5 0とからなる。

多層プリント配線板 1 0の上面側には、 I Cチップのランド（図示せず）へ接続するための半田バンプ 7 6 Uが配設されている。半田バンプ 7 6 Uはバイァホール 1 6 0及びバイァホール 6 0を介してスルーホール 3 6へ接続されている。一方、下面側には、ド一夕一ポ一ドのランド（図示せず）に接続するための半田バンプ 7 6 Dが配設されている。該半田バンプ 7 6 Dは、バイァホ一ル 1 6 0及びバイァホール 6 0を介してスルーホール 3 6へ接続されている。引き続き、多層プリント配線板 1 0の製造方法について説明する。

プリント配線板の製造

(1)厚さ 0. 6 mmのガラスエポキシ樹脂からなる基板 3 0の両面に 1 2 の銅箔 3 2がラミネートされている銅張積層板 3 O Aを出発材料とした（第 3 8 図（A))。これをエッチングして厚さを 5 mに調整した（第 3 8図（B) )。 (2) この銅張積層板 3 O Aに、炭酸ガスレーザ（三菱電機 ML 6 0 5 GT L) を用いて、 3 0 m J、 5 2 X 1 0 秒のパルス条件で 1 5ショットの条件でレ一ザを照射して、直径 1 0 0 m (上径 D 1 ： 1 1 0 zm 下径 D 2 ： 9 0 m のテ一パあり）の貫通孔 1 6を設けた（第 3 8図（C))。

次に無電解めつき、電解めつきを施し（第 3 8図（D))、更に銅箔を常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基板の両面に厚さ 1 5 mの内層銅パターン（下層導体回路） 3 4及びスルーホール 3 6を形成した（第 3 8 図（E))。

次に、内層銅パターン 3 4の表面と、スルーホール 3 6のランド 3 6 A表面と内壁とに、それぞれ、粗化面 3 8を設けて、配線基板を製造した（第 3 8図 (F))。粗化面 3 8は、前述の基板 3 0を水洗し、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、内層銅パターン 3 4の表面とスルーホ —ル 3 6のランド 3 6 a表面と内壁とをエッチングすることによって形成した。エツチング液には、ィミダゾ一ル銅 (II) 錯体 1 0重量部、グリコ一ル酸 7重量部、塩化カリウム 5重量部、イオン交換水 7 8重量部を混合したものを用いた。 (3)次いで、樹脂層 4 0を配線基板の内層銅パターン 3 4間とスルーホール 3 6内とに設けた（第 3 9図（G))。樹脂層 4 0は、予め調製した第 4実施形態と同様の樹脂充填剤を、ロールコ一夕により配線基板の両面に塗布し、内層銅パターンの間とスルーホール内に充填し、加熱処理することにより硬化させて形成した。

(4) (3)の処理で得た基板 3 0の片面を、ベルトサンダー研磨した。この研磨で、 #600のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い、内層銅パターン 3 4の粗化面 3 8やスルーホール 3 6のランド 3 6 a表面に樹脂充填剤 4 0が残らないようにした（第 3 9図（H))。次に、このベルトサンダー研磨による傷を取り除くために、パフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。

(5)更に、露出した内層銅パターン 3 4とスルーホール 3 6のランド 3 6 a上面を (2) のエッチング処理で粗化して、深さ 3 z mの粗化面 4 2を形成した（第 3 9図（1 ))。

この粗ィ匕面 4 2をスズ置換めつきして、 0.3 mの厚さの S n層（図示せず）を設けた。置換めつきは、ホウフッ化スズ 0.1モル/し、チォ尿素 1.0モルし、温度 50° (：、 pH=1.2の条件で、粗化面を C u— S n置換反応させた。

(6)得られた配線基板 3 0の両面に、第 4実施形態と同様の無電解めつき用接着剤を口一ルコ一夕を用いて塗布した。この接着剤は、基板を水平状態で 20分間放置してから、 60°Cで 30分乾燥し、厚さ 35 ^mの接着剤層 5 0を形成した (第 3 9図（J ))。

(7)得られた配線基板 3 0の両面を超高圧水銀灯により 500mJZcm² で露光し、 1 5 0 °Cで 5時間加熱した。

(8)得られた基板 3 0をクロム酸に 1分間浸潰し、接着剤層 5 0の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去した。この処理によって、粗化面を、接着剤層 5 0の表面に形成した。その後、得られた基板 3 0を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した（第 3 9図（K))。

(9)ついで、基板 3 0の全面に厚さ 0. 6 mの無電解銅めつき 4 4を施した (第 4 0図（L))。

(10)エッチングレジスト（図示せず）を設けて、硫酸—過酸化水素水溶液でェツチングシて、無電解銅めつき 4 4のバイァホール形成部分に φ 5 0 mの開口 4 4 aを設けた（第 4 0図（M))。

(11)上記無電解銅めつき 4 4をコンフォーマルマスクとして用い、短パルス（1 0一⁴秒）のレーザ光（三菱電機 ML 6 0 5 GTL ) により、開口 4 4 a下の接着剤層 5 0を除去してバイァホール用開口 4 8を設けた（第 4 0図（N))。更に、配線基板 3 0の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、無電解めつき膜 4 4表面およびバイァホール用開口 4 8の粗化面に触媒核を付けた。

(12)得られた基板 3 0を無電解銅めつき浴中に浸漬し、厚さ 1.6 mの無電解銅めつき膜 5 2を基板 3 0の全体に形成した（第 4 0図（〇)）。

(13)次に、市販の感光性ドライフィルム（図示せず）を無電解銅めつき膜 5 2 に張り付け、パターンが印刷されたマスクフィルム（図示せず）を載置した。この基板 3 0を、 100mJ/cm²で露光し、その後 0. 8 %炭酸ナトリウムで現像処理して、厚さ 15 mのめつきレジスト 5 4を設けた（第 4 0図（P))。

(14)次いで、得られた基板に電解銅めつきを施し、厚さ 15/z mの電解銅めつき膜 5 6を形成した（第 4 1図（Q))。

(15)めっきレジスト 5 4を 5 %KOHで剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、めっきレジスト下の無電解めつき膜 5 2を溶解除去し、銅箔 3 2、無電解めつき 4 4、無電解銅めつき膜 5 2と電解銅めつき膜 5 6とからなる厚さ 18 m (10 m〜30 zm) の導体回路 58及びバイァホ一ル 60を得た（第 41図（R))。ここで、厚みを 10 _im〜30 zmにすることで、ファインピッチと接続信頼性とを両立させる。

更に、 70°Cで 80g/Lのクロム酸に 3分間浸漬して、導体回路 58間の無電解めつき用接着剤層 50の表面を 1 mエッチング処理し、表面のパラジウム触媒を除去した。

(16)(5) と同様の処理を行い、導体回路 58及びバイァホール 60の表面に Cu- Ni-Pからなる粗化面 62を形成し、さらにその表面に Sn置換を行った（第 4 1図 (S) 参照)。

(17)(6)〜(16)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層 16 0とバイァホール 160及び導体回路 158を形成する。さらに、バイァホ一ル 160及び該導体回路 158の表面に粗化層 162を形成し、多層プリント配線板を完成する（第 40図（T))。なお、この上層の導体回路を形成するェ程においては、 Sn置換は行わなかった。

(18)そして、上述した多層プリント配線板にはんだバンプを形成する。前記 (17) で得られた基板 30両面に、第 4実施形態と同様のソルダーレジスト組成物を 45 /xmの厚さで塗布する。次いで、 70°Cで 20分間、 70 :で 30分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパ夕一ン）が描画された厚さ 5mmのフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、 lOOOmJZcm² の紫外線で露光し、 DMTG現像処理する。そしてさらに、 80 :で 1時間、 100°Cで 1時間、 120°Cで 1時間、 150°Cで 3時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイァホールとそのランド部分を含む）に開口（開口径 200 m) 71を有するソルダ一レジスト層（厚み 20/zm) 70を形成する（第 42図（U))。

(19)次に、ニッケルめっき層 72を形成した。さらに、ニッケルめっき層上に厚さ 0.03 mの金めつき層 74を形成することで、バイァホール 160及び導体回路 158に半田パッド 75を形成する（第 42図（V))。

(22)そして、ソルダーレジスト層 70の開口部 71に、半田ペーストを印刷して 200°Cでリフローすることにより、半田バンプ（半田体） 76U、 76Dを形成し、多層プリント配線板 10を形成した（第 42図（W) 参照)。 (第 5改変例）

第 4改変例と同様であるが、第 3改変例で得られたつつみ型スルーホール 3 3 6を有するスルーホール形成基板 3 3 0をコア基板として使用した。

(第 6改変例）

第 4 4図は、第 6改変例に係る多層プリント配線板の構成を示している。このプリント配線板においては、スルーホル 3 6の通孔 1 6の直径 Dは、レーザにより 1 0 0〜2 0 0 mに形成されている。この例では、通孔 1 6にはテ一パが設けられていない。そして、多層プリント配線板 1 0では、コア基板 3 0 に形成されたスルーホール 3 6の通孔 1 6を塞ぐようにバイァホール 6 0が形成することで、スルーホール 3 6の直上にバイァホール 6 0を配置している。このため、多層プリント配線板内の配線長が最短になり、 I Cチップの高速ィ匕に対応することができる。

また、スルーホール 3 6直上の領域を内層パッドとして機能せしめることでデッドスペースが無くなる。しかも、スルーホール 3 6からバイァホール 6 0 に接続するための内層パッドを配線する必要もないので、スルーホール 3 6のランド 3 6 aの形状を真円とすることができる。その結果、多層コア基板 3 0 中に設けられるスルーホール 3 6の配置密度が向上しする。なお、本実施形態では、バイァホール 6 0の底面の内の 2 0 %〜 5 0。ん 1 スル一ホール 3 6のランド 3 6 aと接触しておれば、十分な電気的接続を達成できる。

以上説明のように、第 5実施形態では、直接銅張積層板を炭酸ガスレーザで穿孔できるため、低コストで微細なスルーホールを形成できる。

〔第 6実施形態〕

以下、本発明の第 6実施形態に係る多層プリント配線板について説明する。プリン卜配線板の製造

(1)厚さ 0. 6 mmのガラスエポキシ樹脂からなる基板（松下電工 R 5 7 1 5 T g： 1 9 0 ° C) 3 0の両面に 1 2 t mの銅箔 3 2がラミネートされている銅張積層板 3 O Aを出発材料とした（第 4 5図（A))。これをエッチングして厚さを 5 mに調整した（第 4 5図（B))。 (2) この銅張積層板 3 O Aに、炭酸ガスレーザ（三菱電機 ML 6 0 5 GT L) を用いて、 3 0 m J、 5 2 X 1 0—⁶秒のパルス条件で 1 5ショットの条件でレ一ザを照射して、直径 D： 1 0 0 / mの貫通孔 1 6を設けた（第 4 5図（C))。貫通孔 1 6はテ一パ状になっていなかった。

次に無電解めつき、電解めつきを施し（第 4 5図（D))、更に銅箔を常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基板の両面に厚さ 1 5 z mの内層銅パターン（下層導体回路） 3 4及びスルーホール 3 6を形成した（第 4 5 図（E))。

次に、内層銅パターン 3 4の表面と、スルーホール 3 6のランド 3 6 A表面と内壁とに、それぞれ、粗化面 3 8を設けて、配線基板を製造した（第 4 6図 (F) )。粗化面 3 8は、前述の基板 3 0を水洗し、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、内層銅パターン 3 4の表面とスルーホ —ル 3 6のランド 3 6 a表面と内壁とをエッチングすることによって形成した。エッチング液には、イミダゾール銅 (II) 錯体 1 0重量部、グリコール酸 7重量部、塩化カリウム 5重量部、イオン交換水 7 8重量部を混合したものを用いた。

(3)次いで、樹脂層 4 0を配線基板の内層銅パターン 3 4間とスルーホール 3 6内とに設けた（第 4 6図（G))。樹脂層 4 0は、第 4実施形態と同様の樹脂充填剤を、口一ルコ一夕により配線基板の両面に塗布し、内層銅パターンの間とスルーホール内に充填し、 100 で 1時間、 120 °Cで 3時間、 150でで 1時間、 180°Cで 7時間、それぞれ加熱処理することにより硬化させて形成した。

(4) (3) の処理で得た基板 3 0の片面を、ベルトサンダー研磨した。この研磨で、 #600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い、内層銅パターン 3 4の粗化面 3 8やスルーホール 3 6のランド 3 6 a表面に樹脂充填剤 4 0が残らないようにした（第 4 6図（H))。次に、このベルトサンダー研磨による傷を取り除くために、バフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。

(5)更に、露出した内層銅パターン 3 4とスルーホール 3 6のランド 3 6 a上面を (2)のエッチング処理で粗化して、深さ 3 2を形成した（第 4 6図（1 ))。この粗化面 4 2をスズ置換めつきして、 0.3 mの厚さの S n層（図示せず）を設けた。置換めつきは、ホウフッ化スズ 0.1モル ZL、チォ尿素 1.0モル Z L、温度 50°C、 pH=1.2 の条件で、粗化面を C u— S n置換反応させた。

(6)得られた配線基板 3 0の両面に、第 4実施形態の無電解めつき用接着剤をロールコ一夕を用いて塗布した。この接着剤は、基板を水平状態で 20分間放置して力、 60" で 30分乾燥し、厚さ 35 mの接着剤層 5 0を形成した（第 4 6図 ( J ) ) o

(7)得られた配線基板 3 0の両面を超高圧水銀灯により 500mJZcm² で露光し、 1 5 O t:で 5時間加熱した。

(8)得られた基板 3 0をクロム酸に 1分間浸漬し、接着剤層 5 0の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去した。この処理によって、粗化面を、接着剤層 5 0の表面に形成した。その後、得られた基板 3 0を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した（第 4 6図（K))。

(9)ついで、基板 3 0の全面に厚さ 0. 6 mの無電解銅めつき 4 4を施した (第 4 7図（L))。

(10)エッチングレジスト（図示せず）を設けて、硫酸—過酸化水素水溶液でェツチングシて、無電解銅めつき 4 4のバイァホール形成部分に (/) 5 0 mの開口 4 4 aを設けた（第 4 7図（M))。

(11)上記無電解銅めつき 4 4をコンフォーマルマスクとして用い、短パルス（1 0— ⁴秒）のレーザ光（三菱電機 ML 6 0 5 GTL ) により、開口 4 4 a下の接着剤層 5 0を除去してバイァホール用開口 4 8を設けた（第 4 7図（N))。更に、配線基板 3 0の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、無電解めつき膜 4 4表面およびバイァホール用開口 4 8の粗化面に触媒核を付けた。

(12)得られた基板 3 0を無電解銅めつき浴中に浸潰し、厚さ 1.6 mの無電解銅めつき膜 5 2を基板 3 0の全体に形成した（第 4 7図（〇））。

(13)次に、市販の感光性ドライフィルム（図示せず）を無電解銅めつき膜 5 2 に張り付け、パターンが印刷されたマスクフィルム（図示せず）を載置した。この基板 3 0を、 lOOmJ/cm²で露光し、その後 0. 8 %炭酸ナトリウムで現像処理して、厚さ 15 mのめつきレジスト 5 4を設けた（第 4 7図（P))。

(14)次いで、得られた基板に電解銅めつきを施し、厚さ 15 mの電解銅めつき膜 5 6を形成した（第 4 8図（Q))。

(15)めっきレジスト 5 4を 5 %KOHで剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、めっきレジスト下の無電解めつき膜 5 2を溶解除去し、銅箔 3 2、無電解めつき 4 4、無電解銅めつき膜 5 2と電解銅めつき膜 5 6と力、らなる厚さ 1 8 m ( 1 0 _t m〜3 0 m) の導体回路 5 8及びバイァホ一ル 6 0を得た（第 4 8図（R))。ここで、厚みを 1 0 m〜3 O zmにすることで、ファインピッチと接続信頼性とを両立させる。

更に、 70°Cで 80gZLのクロム酸に 3分間浸漬して、導体回路 5 8間の無電解めつき用接着剤層 5 0の表面を 1 mエッチング処理し、表面のパラジウム触媒を除去した。

(16) (5) と同様の処理を行い、導体回路 5 8及びバイァホール 6 0の表面に Cu- Ni-Pカ^なる粗化面 6 2を形成し、さらにその表面に Sn置換を行った（第 4 8図（S ) 参照)。

(17) (6)〜ひ 6)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層 1 6 0とバイァホール 1 6 0及び導体回路 1 5 8を形成する。さらに、バイァホ一ル 1 6 0及び該導体回路 1 5 8の表面に粗化層 1 6 2を形成し、多層プリント配線板を完成する（第 4 7図（T))。なお、この上層の導体回路を形成するェ程においては、 S n置換は行わなかった。

(18)そして、上述した多層プリント配線板にはんだバンプを形成する。前記 (17) で得られた基板 3 0両面に、第 4実施形態のソルダーレジスト組成物を 4 5 n mの厚さで塗布する。露光'処理し、はんだパッド部分（バイァホールとそのランド部分を含む）に開口（開口径 200 m) 7 1を有するソルダーレジスト層（厚み 20 / m) 7 0を形成する（第 4 9図（U))。

(19)次に、開口部 7 1に厚さ 5 mのニッケルめっき層 7 2を形成した。さらに、ニッケルめっき層上に厚さ 0.03 mの金めつき層 7 4を形成することで、バイァホール 1 6 0及び導体回路 1 5 8に半田パッド 7 5を形成する（第 4 9 図（V))。 (22)そして、ソルダーレジスト層 70の開口部 71に、半田ペーストを印刷して 200°Cでリフ口一することにより、半田バンプ（半田体） 76U, 76Dを形成し、多層プリント配線板 10を形成した（第 50図参照)。

比較例 8

コァ基板の出発材料として松下電工製 R— 1705 ( F R— 4グレード：丁_§点165° C) なる両面銅張積層板を使用して上述した第 6実施形態と同様に多層プリント配線板を製造した。

第 6実施形態の多層プリント配線板と比較例の多層プリント配線板とに対し、 HAST, STEAM, TS試験を実施した。この結果を第 58図中の表に示す。

ここで、 HAST試験では、 10個の多層プリント配線板に対して、条件 1 30° C、 85%Rh、 1. 3 a tmで、 1. 8 Vを印加し、この状態を 10 0時間持ち、めつきスルーホール間の絶縁抵抗を測定した。

一方、 STEAM試験では、 10個の多層プリント配線板に対して、条件 1 21° C、 100%Rh、 2. 1 a t mの状態を 336時間持ち、めっきスル —ホール間の絶縁抵抗を測定した。

他方、 TS試験では、 10個の多層プリント配線板に対して、 —55° じでの 3分間、 125° Cでの 3分間の加熱 · 7令却を 1000回繰り返して、めつきスルーホールチェーンの抵抗変化を測定した。なお、めっきスルーホ一ルチェ一ンとは、第 45図（E，）に示すように隣接するスルーホ一ル 36をコア基板の表面側の導体回路 34と裏面側の導体回路 34とで鎖状に電気接続したものを言う。

第 58図中の表の結果のように、比較例の多層プリント配線板では、絶縁性が大幅に低下している。

なお、本第 6実施形態では、基板 30として松下電工 R5715 (Tg： 190° C) を用いることで、多層プリント配線板として要求される信頼性を得た。この第 6実施形態と同様に Tg点 190° C以上の次のガラスエポキシ基板 (1) 〜（4) について上記 HAS T、 STEAM, TS試験を実施したところ、第 6実施形態と同等の信頼性が得られることが判明した。この結果から Tg : 190° C以上のガラスエポキシ基板を用いることで、必要とされる信頼性が得られることが判明した。

(1) 三菱瓦斯化学 HL 830 (丁_§点217° C)

(2) 三菱瓦斯化学 HL 830 FC ( 点212° C)

(3) 日立化成工業 MCL-E-679LD (Tg点 205〜215° C)

(4) 日立化成工業 MCL— E—679F (Tg点 205〜217° C) 以上説明のように、第 6実施形態では、廉価なガラスエポキシ基板製のコア材をコア基板として用い、めっきスルーホール間の絶縁抵抗性、ヒートサイクル特性として十分な性能を得ることができる。

〔第 7実施形態〕

以下、本発明の第 7実施形態に係るプリント配線板及びその製造方法を図を参照して説明する。

第 53図（B) に示されるように、第 7実施形態のプリント配線板 701は、サブトラクティブ法により形成された導体パターン 702及びめつきスルーホ —ル 703を絶 1¾材704の表裏に備えた、いわゆる両面板である。即ち、このプリント配線板 701は導体層を 2層有するものとなっている。絶縁基材 704としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、 BT (ビスマレイミドトリアジン）樹脂等をガラスクロス基材に含浸したものが用いられる。第 7 実施形態では、比較的安価なエポキシ樹脂を含浸した基材（いわゆるガラスェポキシ基材）を選択している。なお、この禄基材 704は、金属張積層板としての銅張積層材 705に由来する。

絶縁基材 704の表裏に形成された導体パターン 702は、厚さ 0. 2 L m〜3. 0 mの下地層としての銅下地層 706と、銅下地層 706上に形成された薄付け銅めつき層 707と、薄付け銅めつき層 707上に形成された厚付け銅めつき層 708とからなる。即ち、前記導体パターン 702は、 3層構造になっている。なお、銅下地層 706は、極薄の導電性金属箔である極薄の銅箔 709に由来する。ここでは、隣接する導体パターン 702間のスぺ一スは約 35 mに設定され、導体パターン 702のライン幅（トップ部分の幅）は約 7 0 z mに設定されている。

絶禄基材 7 0 4の表裏に形成された導体パターン 7 0 2同士は、絶縁基材 7 0 4を貫通するように形成されためつきスルーホール 7 0 3を介して電気的に接続されている. めっきスルーホール 7 0 3内の導体層は、スルーホール形成用孔 7 1 0の内壁面に形成された薄付け銅めつき層 7 0 7と、薄付け銅めつき層 7 0 7上に形成された厚付け銅めつき層 7 0 8とからなる。即ち、めっきスリレーホール 7 0 3内の導体層は、 2層構造になっている。めっきスルーホール 7 0 3のランド 3 aは、導体パターン 7 0 2と同じ構造、つまり 3層構造になつている。

次に、第 7実施形態のプリント配線板 7 0 1を製造する手順を説明する。まず、金属張積層板としての銅張積層材 7 0 5を用意する。第 5 1図（A) に示されるように、銅張積層材 7 0 5の絶;禄基材 7 0 4の両面には、極薄の銅箔 7 0 9が貼着されている。具体的にいうと、銅箔 7 0 9の厚さは、 0 . 5 ！〜 7 . 0 であることがよく、特には 1 . 0 // m〜3 . 0 mであることがよい。銅箔 7 0 9を薄くしすぎると、箔自体の取扱性が悪くなり接着作業が困難になる。逆に、銅箔 7 0 9が厚くなりすぎると、後述する導体パ夕一ン分断工程においてエッチングにより除去すべき厚さ分を十分に減じることができなくなる。従って、ここでは厚さ 3 . O mの銅箔 7 0 9 (純度 9 9 . 8 %以上の電解銅箔 λを用いている。

銅范 7 0 9以外の金属箔としては、例えばアルミニウム箔、スズ箔、金范、銀箔、白金箔、ニッケル箔等が使用可能である。ただし、安価でありエツチング性も優れているという点を考慮すると、やはり第 7実施形態のごとく銅箔 7 0 9を選択することが'好ましい。

続く穴あけ工程では、用意しておいた銅張積層材 7 0 5の所定箇所に、ドリル加ェによって直径 0 . l mm〜0 . 2 z mのスルーホール形成用孔 7 1 0 を形成する（第 5 1図（B) 参照)。より小径のスルーホール形成用孔 7 1 0 を形成したい場合、ドリル加工に代えてレーザ一加工を実施してもよい。このような穴あけ工程を行うと、発熱によってスルーホール形成用孔 7 1 0 内にスミアが生じる。そのため、発生したスミアを溶解して除去すべく、デスミア液で銅張積層材 7 0 5を処理する. なお、プラズマ法によりデスミア処理を行うことも可能である。

上記デスミア工程では、極薄の銅箔 7 0 9が消失しない程度の条件下、具体的には銅箔 7 0 9の厚さが当初の 1 / 1 0〜 1 Z 2に減少する程度の条件下でデスミア液を処理することがよい。この場合、デスミア液として、硫酸、クロム酸、アルカリ過マンガン酸塩等の溶液が用いられる。第 7実施形態では、酸化力のあまり強くない過マンガン酸ナトリウム溶液を、 3 0 °C〜7 0 °Cで 5 分〜 2 0分処理した。このようなデスミア処理によって、スミアをほぼ完全に除去するとともに、銅箔 7 0 9の厚さを当初の厚さの 1 / 3程度に減少させた。その結果、第 5 1図（B) に示されるように、極薄の銅箔 7 0 9に由来する厚さ約 1 . 0 の下地層 7 0 6を形成した。下地層 7 0 6の厚さは 0 . 2 m〜3. 0 mの範囲内であることがよい。

デスミア工程の後、次いでスルーホール形成用孔 7 1 0の内壁面にめっきを析出させるための触媒核付与を行い、さらにその触媒核を活性化処理する。触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金属コロイドなどが用いられ、一般的には塩化パラジウムやパラジウムコロイド等が使用される。

触媒核付与及びその活性化処理を行った後、次いで下地層 7 0 6の表面全体及びスルーホール形成用孔 7 1 0の内壁面に、無電解銅めつきによって薄付け銅めつき層 7 0 7を形成する（第 5 1図（C) 参照)。

第 1のめつき工程では、無電解めつき浴の一種である無電解銅めつき浴が用いられるとともに、それを用いて厚さ 0 . 5 m〜2 . 5 mの薄付け銅めつき層 7 0 7が形成される。第 7実施形態では、同層 7 0 7の厚さを約 1 . 0 mに設定している。この層 7 0 7が薄すぎると、後のめっき工程においてスルーホール形成用孔 7 1 0の内壁面全体に電解めつきを確実に析出させることができなくなるおそれがある。従って、めっきスルーホール 7 0 3の導通不良につながり、十分に信頼性向上を図ることができなくなるおそれがある。逆に、この層 7 0 7を厚く形成しすぎると、生産性の低下やコスト高につながることに加え、導体パターン分断工程においてエッチングにより除去すべき厚さ分を十分に減じることができなくなるおそれがある。第 1のめつき工程の後、次いで薄付け銅めつき層 7 0 7上にめっきレジストとなる所定のマスク 7 1 1を形成する。この場合、マスク 7 1 1は市販のドラィフィルムフォトレジストを用いて形成されることがよい。感光性を有する材料の使用は、パターン形成精度の向上に貢献するからである。そして、このようなドライフィルムフォトレジストをラミネートした後、常法に従って露光 · 現像を行う。その結果、第 5 2図（A) に示されるように、所定箇所に開口部 7 1 2を有する厚さ 3 5 mのマスク 7 1 1が形成される。

マスク形成工程の後、電解めつきの一種である電解銅めつき浴を用いて、開口部 7 1 2から露出している箇所に厚付け銅めつき層 7 0 8を形成する（第 5 2図（B) 参照)。このような厚付け銅めつき層 7 0 8を形成すると、後に導体パターン 7 0 2となるべき部分のみが選択的に厚くなる。前記電解銅めつき浴として、第 7実施形態では硫酸銅めつき浴を用いている。第 2のめつきの結果、露出箇所に位置する薄付け銅めつき層 7 0 7上には、厚さ 1 5 m〜5 0 / m程度の厚付け銅めつき層 7 0 8が形成される。なお、同層 7 0 8を薄くしすぎると、最終的に得られる導体パターン 7 0 2の厚さを十分に確保することができなくなる。逆に、同層 7 0 8を厚くしすぎると、生産性の低下ゃコスト高につながるおそれがある。第 7実施形態では、厚付け銅めつき層 7 0 8 の厚さを約 2 0 mに設定した。

第 2のめつき工程の後、不要となったマスク 7 1 1を剥離し、その下に位置している薄付け銅めつき層 7 0 7を露出させる（第 5 3図（A) 参照)。そして、銅を溶解しうるエツチャントを用いてエッチング処理を行い、当該薄付け銅めつき層 7 0 7及び銅下地層 7 0 6を完全に除去する。ここでは厚付け銅めつき層 7 0 8上に特にエッチングレジストを設けない状態で処理を実施しているため、厚付け銅めつき層 7 0 8の表層も約 2 m程度エッチングされる。そして、以上の工程を経ることにより、導体パターン 7 0 2同士を分断し、第 5 3図（B) に示すプリント配線板 7 0 1を完成させた。

従って、第 7実施形態によれば以下のような効果を得ることができる。 ( 1 ) 薄付け銅めつき層 7 0 7及び銅下地層 7 0 6が、ともに極めて薄く形成される。そのため、導体パターン分断工程においてエッチングにより除去すベき厚さ分も、約 2 z mと従来に比べて相当少なくて済む。従って、同工程により分断されてできあがった導体パターン 7 0 2は、裾広がり形状になりにくく、形状のよいファインパターンを正確に形成することができる。

( 2 ) 第 1のめつき工程にて無電解銅めつき浴を用い、かつ第 2のめつき工程にて電解銅めつき浴を用いることにより、プリント配線板 7 0 1を製造している。言い換えると、スルーホール形成用孔 7 1 0の内壁面にめっきを析出させるときのみ無電解銅めつき浴を用い、その後は極めて安価であってめっき析出速度の速い電解銅めつき浴を用いている。このため、コスト性及び生産性をよりいつそう向上させることができる。

また、極めて薄い薄付け銅めつき層 7 0 7が形成されることから、導体パ夕一ン分断工程においてエッチングにより除去すべき厚さ分も極めて少なくなる。ゆえに、これらのめっき浴の選択は、形状のよいファインパターンをよりいつそう正確に形成するうえで確実に貢献する。

( 3 ) 第 7実施形態における導体パターン分断工程は、犀付け銅めつき層 7 0 8上にエッチングレジストを設けないエッチングにより行われる。従って、当該工程においてエッチングレジストを形成 ·剥離する工程は、基本的に不要となる。その結果、全体の工数が減り、よりいつそう生産性を向上させることができる。また、このときのエッチングに伴って厚付け銅めつき層 7 0 8が除去される厚さ分は、約 2 mと極めて少ない。よって、上記エッチングを実施したとしても、パターン形成精度やコスト性に特に悪影響を及ぼすことはない。

( 4) 上記製造方法を経て得られるプリント配線板 7 0 1は、銅箔 7 0 9に由来する厚さ約 1 . 0 mの銅下地層 7 0 6と、厚さ約 1 . 0 z mの薄付け銅めっき層 7 0 7と、厚さ 2 0 mの厚付け銅めつき層 7 0 8とからなる導体パターン 7 0 2を備えている。また、これら 3層を形成する金属は、同種のもの（即ち銅）である。そして、このような導体パターン 7 0 2には、導電部分としての十分な厚さ、形状、導電性等が確保されているほか、高い接続信頼性も確保されているという利点がある。

( 5 ) 第 7実施形態では、絶縁基材 7 0 4の両面に厚さ 0 . 5 m〜 7 . 0 mの銅箔 7 0 9を貼着してなる銅張積層材 7 0 5を用いて、プリント配線板 7 0 1の製造を行っている。このような銅張積層材 7 0 5を用いた場合、ソフ卜なデスミア処理によって、スミアをほぼ完全に除去可能であるとともに、好適な厚さの銅下地層 7 0 6を容易にかつ確実に形成することができる。従つて、この銅張積層材 7 0 5は、上記の製造方法により優れたプリント配線板 7 0 1を得るにあたって極めて好適な材料である、といえる。

なお、第 7実施形態は以下のように変更してもよい。

第 7実施形態は、実施形態のような両面板に具体化されるのみにとどまらない。例えば、実施形態のプリント配線板 7 0 1をコア基板として用い、第 5 4 図に示される第 1改変例のような多層プリント配線板 2 1を作製してもよい。また、同プリント配線板 7 0 1をべ一ス基板として用い、第 9図に示される第 2改変例のようなビルドァップ多層プリント配線板 3 1を作製してもよい。銅張積層材 7 0 5以外のもの、例えばアルミニウム箔、スズ箔、金箔、銀箔、白金箔、ニッケル箔等が張り付けられた各種の金属張積層板を用いて、プリント配線板 7 0 1の製造を行うことも可能である。

第 7実施形態において述べたような湿式法に代え、例えばプラズマ法などに代表される乾式法によるデスミア工程を行ってもよい。

第 1のめつき工程において、無電解銅めつき浴以外の無電解めつき浴を用いることにより、例えば無電解はんだめつき層、無電解金めつき層、無電解パラジゥムめっき層等を薄付け形成してもよい。

第 2のめつき工程において、電解銅めつき浴以外の電解めつき浴を用いることにより、例えば無電解ニッケルめっき層、無電解クロムめつき層、無電解金めっき層等を厚付け形成してもよい。

薄付け無電解めつき層、厚付け電解めつき層及び下地層は、実施形態のように、必ずしも全て同種の金属からなるものでなくてもよく、異種金属の組み合わせからなるものでもよい。

次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を、必要に応じその効果とともに以下に列挙する。

( 1 ) (例えばサブトラクティブ法などにより形成された）導体パ夕一ンを備えるプリント配線板において、前記導体パターンは、絶縁基材に貼着された厚さ 0. 5 m〜7. 0 mの銅箔に由来する厚さ 0. 2 zm〜2. 5 mの銅下地層と、前記銅下地層上に形成された厚さ 0. 2^m〜2. 5 mの薄付け無電解銅めつき層と、前記薄付け無電解銅めつき層上に形成された厚さ 8. 0 m以上の厚付け電解銅めつき層とによって構成されていることを特徴とするプリント配線板。従って、この技術的思想 1に記載の発明によれば、信頼性、コスト性及びパターン形成精度に極めて優れ、高密度に配線されたプリント配線板を提供できる。

( 2 ) 技術的思想 1のいずれか 1つに記載のプリント配線板をコア基板として用いた多層プリント配線板。従って、この技術的思想 2に記載の発明によれば、信頼性、コスト性及びパターン形成精度に優れ、かつ高機能 ·高密度のプリント配線板を提供できる。

( 3 ) 技術的思想 1のいずれか 1つに記載のプリント配線板をベース基板として用いたビルドアップ多層プリント配線板。従って、この技術的思想 3に記載の発明によれば、信頼性、コスト性及びパターン形成精度に優れ、かつ高機能 · 高密度のプリント配線板を提供できる。

(4) 絶縁基材の両面に厚さ 0. 5 m〜7. 0 の銅箔を貼着してなる銅張積層板。従って、この技術的思想 4に記載の発明によれば、上記の製造方法を実施して優れたプリント配線板を得るにあたって好適な材料を提供できる。

(5) エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂または BT樹脂を含浸したガラスクロス基材の両面に厚さ 1. 0 zm〜3. 0 mの銅箔を貼着してなる銅張積層板。従って、この技術的思想 5に記載の発明によれば、上記の製造方法を実施して優れたプリント配線板を得るにあたって好適な材料を提供できる。

(6) 技術的思想 1, 2のいずれか 1つにおいて、前記デスミア工程では、前記導電性金属箔が消失しない程度の条件下でデスミァ液を処理すること。

(7) 前記デスミア工程では、前記導電性金属箔の厚さが当初の 1Z10〜1 / 2に減少する程度の条件下でデスミァ液を処理すること。

(8) サブトラクティブ法により形成された導体パターンを備えるプリント配線板において、前記導体パターンは、絶籠材に貼着された極薄の導電性金属箔に由来する厚さ 0. 2 /m〜2. の下地層と、前記下地層上に形成されためっき層とを含んで構成されていることを特徴とするプリント配線板。 (9) サブトラクティブ法により形成された導体パターンを備えるプリント配線板において、前記導体パターンは、絶縁基材に貼着された厚さ 0. 5 m 〜5. 0 mの導電性金属箔に由来する厚さ 0. 2 m〜2. 0 mの下地層と、前記下地層上に形成された薄付けめつき層と、前記薄付けめつき層上に形成された厚付けめつき層とを含んで構成されていることを特徴とするプリン卜配線板。

Claims

請求の範囲

1. 以下の（1) 〜（5) の工程を少なくとも含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。

(1) 導体回路形成基板に、金属膜を形成した層間樹脂絶縁層形成用樹脂を圧着する工程。

(2) 前記金属膜をエッチングにより薄くする工程。

(3) 前記金属膜に開口を設ける工程。

( 4 ) レ一ザを照射して開口から露出する層間樹脂総層形成用樹脂を除去してバイァホール形成用の開口を設ける工程。

2. 以下の（1) 〜（8) の工程を少なくとも含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。

(2) 前記金属膜をエッチングにより薄くする工程。

(3) 前記金属膜に開口を設ける工程。

(4) レーザを照射して開口から露出する層間樹脂纖層形成用樹脂を除去してバイァホール形成用の開口を設ける工程。

(5) 無電解めつき膜を前記導体回路形成基板に形成する工程。

( 6 ) 前記導体回路形成基板にめつきレジストを形成する工程。

(8) 前記めつきレジストを除去し、めっきレジスト下の金属膜、及び無電解銅めつき膜をエッチングして除去する工程。

3. 前記金属膜が銅箔であることを特徴とする請求項 1又は 2に記載の多層プリン卜配線板の製造方法。

4. 前記金属膜をエッチングで薄くする工程において、金属膜の厚みを 5〜0. 5 mにすることを特徴とする請求項 1又は 2に記載の多層プリント配線板の製造方法。

5. 以下の（1 ) 〜（4) の工程を少なくとも含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。

( 1 ) 導体回路形成基板に、厚み 5〜 0. 5 /z mの金属膜を形成した層間樹脂終禄層形成用樹脂を圧着する工程。

( 2 ) 前記金属膜に開口を設ける工程。

( 3 ) レーザを照射して開口から露出する層間觀旨纖層形成用樹脂を除去してバイァホール形成用の開口を設ける工程。

(4 ) 前記バイァホール形成用の開口にめっき導体を析出し、バイァホールを形成する工程。

6. 基板上に下層導体回路が形成され、その下層導体回路上に絶縁樹脂層と上層導体回路が設けられ、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイァホ —ルにて接続されてなる多層プリント配線板を得るにあたり、

前記基板上に前記下層導体回路を形成し、ついで前記下層導体回路上に前記禄樹脂層を設け、さらに前記 «樹脂層の表面に粗化面を形成するとともに、前記粗化面上に、該粗化面の一部を露出するような開口を設けた金属層を形成し、前記開口から露出した前記粗化面にレ一ザ光を照射して前記絶縁榭脂層を除去してバイァホール用開口を形成した後、前記上層導体回路および前記バイァホールを設けることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。

7 . 前記絶縁樹脂層が酸又は酸化剤によって溶解する粒子を含んでおり、前記粒子を前記酸又は前記酸ィ匕剤によって溶解し、前記縁樹脂層の表面に前記粗化面を設けることを特徴とする、請求項 6記載の多層プリント配線板の製造方法。

8 . 基板上に下層導体回路が形成され、その下層導体回路上に絶縁樹脂層と上層導体回路が設けられ、前記下層導体回路と前記上層導体回路とがバイァホ —ルにて接続されてなる多層プリント配線板を得るにあたり、

前記基板上に前記下層導体回路を形成し、ついで、片面に粗化層を設けてなりその粗化層上に前記絶縁樹脂層を形成した金属箔を、前記絶縁樹脂層が前記下層導体回路と接するように積層、加熱圧縮することによって一体化し、さらに前記金属箔の一部をエッチングして開口を設けて前記絶縁樹脂層の粗化面を露出させ、前記開口から露出した前記粗化面にレーザ光を照射して前記絶縁樹脂層を除去してバイァホール用開口を形成した後、前記上層導体回路および前記バイァホールを設けることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。

9 . 前記粗化面が、 0 . 0 1〜5 mの最大粗度（R j ) を有していることを特徴とする請求項 7または 8に記載の多層プリント配線板の製造方法。

1 0. 前記レーザ光が炭酸ガスレーザ光であることを特徴とする、請求項 6 〜 9のいずれか一項記載の多層プリント配線板の製造方法。

1 1 . 前記下層導体回路の表面に粗化面が設けられていることを特徴とする、請求項 6〜 1 0のいずれか一項記載の多層プリント配線板の製造方法。

1 2. 基板上に導体回路が形成され、該導体回路上に層間樹脂絶縁層が設けられてなるとともに、該層間樹脂絶縁層にバイァホール用開口が形成され、さらに前記層間樹脂絶縁層上にバイァホールを含む別の導体回路が形成されてなる多層プリント配線板であって、

前記導体回路表面は、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて粗化処理されてなるとともに、

前記バイァホール用開口の内壁には、縞状の凹凸が形成されてなることを特徴とする多層プリント配線板。

1 3 . ①導体回路を形成する工程、 ②前記導体回路上に層間樹脂絶縁層を設ける工程、 ③レ一ザ光を照射することにより前記層間樹脂絶縁層にバイァホール用開口を設ける工程、および、 ④前記層間樹脂絶縁層上にバイァホ一ルを含む別の導体回路を形成する工程を含む多層プリント配線板の製造方法であって、

前記②の工程の前に、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用レ^て前記導体回路表面を粗化処理することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。

1 4. 前記第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を前記導体回路表面にスプレーすることにより、または、パブリング条件下で前記エッチング液に前記導体回路を浸漬することにより、前記導体回路表面を粗化処理する請求項 1 2記載の多層プリント配線板の製造方法。

1 5. 層間樹脂繊層と導体層とを交互に積層し、前記層間樹脂絶禄層に形成した貫通孔に金属膜を形成してなるバイァホールにて導体層間を接続する多層プリント配線板において、

前記貫通孔の側壁に縞状の凹凸を形成したことを特徴とする多層プリント配線板

1 6. 前記層間樹脂絶縁層が、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体からなることを特徴とする請求項 1 5の多層プリント配線板。

1 7. 前記層間樹脂 »層が、アクリル系モノマーを含むことを特徴とする請求項 1 5又は 1 6の多層プリント配線板。

1 8. 少なくとも（a) 〜（d) の工程を有することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：

( a) 導体回路を形成する工程、

(b) 前記導体回路上に樹脂を塗布する工程、

( c ) 炭酸ガスレーザを前記樹脂に照射し、前記導体回路へ至る貫通孔を形成する工程であって、当該炭酸ガスレーザを樹脂下の前記導体回路に垂直に照射し、該導体回路からの反射波と入射波との千渉を生ぜしめることで、当該貫通孔の側壁に縞状の凹凸を形成する工程、

1 9. 前記樹脂は、化性樹脂又は«化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体からなることを特徴とする請求項 1 8の多層プリント配線板の製造方法。

2 0. 前記バイァホールを形成する工程は、貫通孔に無電解銅めつき膜を施した後、レジストを形成し、無電解めつき膜を介して通電して該レジスト非形成部に電解めつき膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項 1 8又は 1 9の多層プリント配線板の製造方法。

2 1 . 前記層間樹脂椽層はアクリル系モノマ一を含む請求項 1 8〜2 0のいずれか 1に記載の多層プリント配線板。

2 2. 少なくとも以下の（a)、 (b) の工程を含むことを特徴とするプリン卜配線板の製造方法：

( b) 前記ソルダーレジスト層にレーザを照射し、前記導体回路に至る貫通孔を穿設する工程。

2 3. 前記導体回路表面は、金属粗化層を有する請求項 2 2に記載のプリント配線板の製造方法。

2 4. 前記工程（b) の後に、（c ) 前記貫通孔に低融点金属からなるバンプを設ける工程を行う請求項 2 2に記載のプリント配線板の製造方法。

2 5 . 前記貫通孔を形成する工程において、シングルモードのレーザを照射することで、直径 3 0 0 / m〜6 5 0 / mの貫通孔を形成することを特徴とする請求項 2 2のプリント配線板の製造方法。

2 6 . 前記貫通孔を形成する工程において、マルチモ一ドのレーザを照射することで、直径 5 0 / m〜3 0 0 mの貫通孔を形成することを特徴とする請求項 2 2のプリント配線板の製造方法。

2 7 . 前記貫通孔を形成する工程において、炭酸ガスレーザをソルダ一レジスト層下の前記導体回路に垂直に照射し、該導体回路からの反射波と入射波との干渉を生ぜしめることで、当該貫通孔の側壁に縞状に凹凸を形成することを特徴とする請求項 2 2〜 2 6のいずれか 1に記載のプリント配線板の製造方法。

2 8. 前記バンプを形成する工程では、側壁に縞状に凹凸を形成した貫通孔に金属膜を設けた後、低融点金属を充填することを特徴とする請求項 2 7のプリント配線板の製造方法。

2 9. 導体回路の配設された基板の表面にソルダーレジスト層を形成してなるプリント配線板であって、

前記ソルダーレジスト層に穿設した貫通孔の側壁に、縞状に凹凸が形成されてなることを特徴とするプリント配線板。

3 0 . 前記貫通孔内に金属膜を介して、低融点金属からなるバンプが形成されていることを特徴とする請求項 2 9のプリント配線板。

3 1 . 前記ソルダーレジスト層として、熱硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体からなることを特徴とする請求項 2 9又は 3 0のプリン卜配線板。

3 2. 前記導体回路表面に粗化層が形成されてなる請求項 2 9 - 3 1のいずれか 1に記載のプリント配線板。

3 3. 前記低融点金属として、 S nZP b、 A g/S n、 A g/S n/C u の内の少なくとも 1つを用いることを特徴とする請求項 2 4、 2 8、 3 0のいずれか 1のプリント配線板。

3 4. 両面銅張積層板にレーザ加工により貫通孔を設け、その貫通孔を導電化してスルーホールを形成してコア基板とし、

該コア基板上に層間樹脂絶縁層および導体回路を形成する多層配線板の製造方法において、

前記両面銅張積層板の銅箔の厚さを 1 2 m未満とすることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。

3 5. 前記レーザ加工は、炭酸ガスレーザによる請求項 3 4に記載の多層プリント配線板の製造方法。

3 6. 前記レーザ加工は、 2 0〜 4 0 mJ、 1 0— ⁴〜： L 0 ⁸秒の短パルス炭酸ガスレーザである請求項 3 4または 3 5に記載の多層プリント配線板の製造方法。

3 7. 両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、その貫通孔を導電化してスルーホールが形成された基板において、

前記貫通孔にはテ一パが形成されてなることを特徴とするスルーホールの形成基板。

3 8 . 前記テーパは、基板の一方向に向けて貫通孔の径が大きくなるように形成されている請求項 3 7に記載のスルーホールの形成基板。

3 9. 前記テ一パは、スルーホールの断面がつつみ型になるように形成されている請求項 3 7に記載のスルーホールの形成基板。

4 0. 両面銅張積層板に貫通孔が設けられ、その貫通孔が導電化されてスル —ホールが形成された基板の少なくとも一方の面に層間棚旨絶縁層および導体回路が形成されてなる多層配線板において、

前記貫通孔にはテーパが形成されてなることを特徴とする多層プリント配線板。

4 1 . 前記銅張積層板の銅箔及びめつき層の厚さは、 1 0〜 3 0 mである請求項 4 0に記載の多層プリント配線板。

4 2. 前記テ一パは、基板の一方向に向けて貫通孔の径が大きくなるように形成されている請求項 4 0または 4 1に記載の多層プリント配線板。

4 3. 前記テ一パは、スルーホールの断面がつつみ型になるように形成されている請求項 4 0又は 4 1に記載の多層プリント配線板。

4 4. 前記スルーホール内には、充填材が充填されてなる請求項 4 0〜4 3 のいずれか 1に記載の多層プリント配線板。

4 5. スル一ホール及び導体回路が形成された基板上に層間樹脂絶縁層および導体回路が交互に積層形成されてなり、異なる層の導体回路同士が層間樹脂 I&禄層に設けられたバイァホールで電気的に接続されてなるビルドアツプ多層配線板において、

前記基板は、 T g点 1 9 0で以上のエポキシ樹脂を使用したガラスエポキシ基板であることを特徴とする多層プリント配線板。

4 6. サブトラクティブ法により形成されためつきスルーホール及び導体パターンを備えるプリント配線板の製造方法において、

絶縁基材の両面に厚さ 0 . 5 z m〜7 . 0 /z mの導電性金属箔を貼着してなる金属張積層板の所定箇所に、スルーホール形成用孔を形成する穴あけ工程と、

前記スルーホール形成用孔内にあるスミアを溶解除去するデスミア工程と、前記導電性金属箔に由来する下地層及び前記スルーホール形成用孔の内壁面に薄付けめつき層を形成する第 1のめつき工程と、

前記薄付けめつき層上にマスクを形成するとともに、同マスクの開口部から露出している箇所に厚付けめつき層を形成する第 2のめつき工程と、

前記マスクを剥離してからエッチングを行うことにより、同マスク下にあつた前記薄付けめつき層及び下地層を除去して導体パターン同士を分断することを特徴とするプリント配線板の製造方法。

4 7 . 前記金属箔は、 C u、 N i、 S n、 A u、 A g、 P t；、 Al が少なくとも 1種類以上配合されていることを特徴とする請求項 4 6のプリント配線板の製造方法。

48. 前記第 1のめつき工程では無電解めつき浴が用いられ、前記第 2のめつき工程では電解めつき浴が用いられることを特徴とする請求項 46に記載のプリント配線板の製造方法。

49. 前記第 1のめつき工程では、無電解銅めつき浴を用いて厚さ 0. 2 m〜2. 5 mの銅めつき層が形成され、前記第 2のめつき工程では、電解銅めつき浴を用いて厚さ 8. 0 u m以上の銅めつき層が形成されることを特徴とする請求項 46に記載のプリント配線板の製造方法。

50. 前記エッチングによる導体パターン分断工程は、前記第 2のめつきェ程により形成される厚付けめつき層上にエッチングレジストを設けない状態で行われることを特徴とする請求項 46乃至 49のいずれか 1項に記載のプリン卜配線板の製造方法。

51. 導体パターンを備えるプリント配線板において、前記導体パターンは、絶縁基材に設けられた厚さ 0. 2 _im〜3. 0 /mの金属下地層と、前記金属下地層上に形成されためつき層とを含んで構成されていることを特徴とするプリント配線板。

52. 導体パターンを備えるプリント配線板において、前記導体パターンは、絶縁基材に設けられた厚さ 0. 2 zm〜2. 5 imの金属下地層と、前記金属下地層上に形成された厚さ 0. 2 /m〜2. 5^mのめつき層と、前記めつき層上に形成された厚さ 8. 0 m以上のめっき層とを含んで構成されていることを特徴とするプリント配線板。