WO2001048799A1 - Procédé permettant de produire un semi-conducteur à base de composé nitrure du groupe iii, et dispositif à semi-conducteurs à base de composé nitrure du groupe iii - Google Patents

Procédé permettant de produire un semi-conducteur à base de composé nitrure du groupe iii, et dispositif à semi-conducteurs à base de composé nitrure du groupe iii Download PDF

Info

Publication number
WO2001048799A1
WO2001048799A1 PCT/JP2000/009121 JP0009121W WO0148799A1 WO 2001048799 A1 WO2001048799 A1 WO 2001048799A1 JP 0009121 W JP0009121 W JP 0009121W WO 0148799 A1 WO0148799 A1 WO 0148799A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group iii
layer
iii nitride
compound semiconductor
based compound
Prior art date
Application number
PCT/JP2000/009121
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masayoshi Koike
Akira Kojima
Toshio Hiramatsu
Yuta Tezen
Original Assignee
Toyoda Gosei Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co., Ltd. filed Critical Toyoda Gosei Co., Ltd.
Priority to US10/168,629 priority Critical patent/US6830948B2/en
Priority to AU24006/01A priority patent/AU776768B2/en
Priority to EP00987700A priority patent/EP1263031A1/en
Priority to CA002398525A priority patent/CA2398525A1/en
Publication of WO2001048799A1 publication Critical patent/WO2001048799A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0062Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367Substrates
    • H01L21/0237Materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367Substrates
    • H01L21/0237Materials
    • H01L21/02373Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381Silicon, silicon germanium, germanium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367Substrates
    • H01L21/0237Materials
    • H01L21/0242Crystalline insulating materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439Materials
    • H01L21/02455Group 13/15 materials
    • H01L21/02458Nitrides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494Structure
    • H01L21/02496Layer structure
    • H01L21/02502Layer structure consisting of two layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
    • H01L21/02538Group 13/15 materials
    • H01L21/0254Nitrides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/0257Doping during depositing
    • H01L21/02573Conductivity type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02636Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02639Preparation of substrate for selective deposition
    • H01L21/02642Mask materials other than SiO2 or SiN
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02636Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02647Lateral overgrowth
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0062Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2304/00Special growth methods for semiconductor lasers
    • H01S2304/12Pendeo epitaxial lateral overgrowth [ELOG], e.g. for growing GaN based blue laser diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP

Description

明 細 書
I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 及 び I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 素 子 技 術 分 野
本 発 明 は 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に 関 す る 。 特 に 、 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 ( E L 〇 ) 成 長 を 用 い る 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に 関 す る 。 尚 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と は 、 例 え ば A 1N、 GaN、 InN の よ う な 2 元 系 、 Al xGa i -X , A 1 x I n , - N , G ax In ,— XN ( レ、 ず れ も 0< χ< 1 ) の よ う な 3 元 系 、 Al xGa , I n i -y ( 0 < χ< 1 , 0 < y < 1 , 0 < x + y < 1 ) の 4 元 系 を 包 括 し た 一 般 式 Aし Gay lri i— xyN ( 0≤ x≤ l , 0≤ y≤ 1 , 0≤ χ + y≤ 1 ) で 表 さ れ る も の が あ る 。 な お 、 本 明 細 書 に お い て は 、 特 に 断 ら な い 限 り 、 単 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と 言 う 場 合 は 、 伝 導 型 を p 型 あ る い は n 型 に す る た め の 不 純 物 が ド ー プ さ れ た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を も 含 ん だ 表 現 と す る 。
背 景 技 術.
I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 は 、 例 え ば ¾ 光 素 子 と し た 場 合 、 発 光 ス ぺ ク ト ル が 紫 外 か ら 赤 色 の 広 範 囲 に 渡 る 直 接 遷 移 型 の 半 導 体 で あ り 、 発 光 ダ イ ォ ー ド ( LED )や レ — ザ ダ イ ォ 一 ド ( L D )等 の 発 光 素 子 に 応 用 さ れ て い る 。 ま た 、 そ の ノ ン ド ギ ャ ッ プ が 広 い た め 、 他 の 半 導 体 を 用 い た 素 子 よ り も 高 温 に お い て 安 定 し た 動 作 を 期 待 で き る こ と か ら 、 F E T 等 ト ラ ン ジ ス タ へ の 応 用 も 盛 ん に 閧 発 さ れ て い る 。 ま た 、 ヒ 素 ( A s ) を 主 成 分 と し て レ、 な い こ と で 、 環 境 面 か ら も 様 々 な 半 導 体 素 子 一 般 へ の 開 発 が 期 待 さ れ て い る 。 こ の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 で は 、 通 常 、 サ フ ァ イ ア を 基 板 と し て 用 い 、 そ の 上 に 形 成 し て レ、 る 。 発 明 の 開 示
し か し な が ら 、 サ フ ァ イ ア 基 板 上 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 形 成 す る と 、 サ フ ァ イ ア と I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と の 格 子 定 数 の ミ ス フ ィ ッ ト に よ り 転 位 が 発 生 し 、 こ の た め 素 子 特 性 が 良 く な い と い う 問 題 が あ る 。 こ の ミ ス フ ィ ッ ト に よ る 転 位 は 半 導 体 層 を 縦 方 向 ( 基 板 面 に 垂 直 方 向 ) に 貫 通 す る 貫 通 転 位 で あ り 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 中 に 1 0 9 c m 2 程 度 の 転 位 が 伝 搬 し て し ま う と い う 問 題 が あ る 。 こ れ は 組 成 の 異 な る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 各 層 を 最 上 層 ま で 伝 搬 す る 。 こ れ に よ り 例 え ば 発 光 素 子 の 場 合 、 L D の 閾 値 電 流 、 L D 及 び L E D の 素 子 寿 命 な ど の 素 子 特 性 が 良 く な ら な い と レゝ う 問 題 が あ っ た 。 ま た 、 他 の 半 導 体 素 子 と し て も 、 欠 陥 に よ り 電 子 が 散 乱 す る こ と か ら 、 移 動 度 ( モ ピ リ テ ィ ) の 低 い 半 導 体 素 子 と な る に と ど ま っ て い た 。 こ れ ら は 、 他 の 基 板 を 用 い る 場 合 も 同 様 で あ っ た 。
こ れ に つ い て 、 図 1 1 の 模 式 図 で 説 明 す る 。 図 1 1 は 、 基 板 9 1 と 、 そ の 上 に 形 成 さ れ た ノ ッ フ ァ 層 9 2 と 、 更 に そ の 上 に 形 成 さ れ た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 9 3 を 示 し た も の で あ る 。 基 板 9 1 と し て は サ フ ァ イ ア な ど 、 ノ ッ フ ァ 層 9 2 と し て は 窒 ィ匕 ア ル ミ ニ ウ ム ( A 1 N )な ど が 従 来 用 い ら れ て い る 。 窒 ィ匕 ア ル ミ ニ ゥ ム ( A 1 N ) の ノ ッ フ ァ 層 9 2 は 、 サ フ ァ イ ア 基 板 9 1 と I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 9 3 と の ミ ス フ ィ ッ ト を 緩 和 さ せ る 目 的 で 設 け ら れ て い る も の で あ る が 、 そ れ で も 転 位 の 発 生 を 0 と す る こ と は で き な い 。 こ の 転 位 発 生 点 9 0 0 か ら 、 縦 方 向 ( 基 板 面 に · 直 方 向 ) に 貫 通 転 位 9 0 1 が 伝 播 し 、 そ れ は バ ッ フ ァ 層 9 2 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 9 3 を も 貫 い て い く 。 こ う し て 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 9 3 の 上 層 に 、 所 望 の 様 々 な I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 積 層 し て 半 導 体 素 子 を 形 成 し ょ う と す る と 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 9 3 の 表 面 に 達 し た 転 位 9 0 2 か ら 、 半 導 体 素 子 を 貫 通 転 位 が 更 に 縦 方 向 に 伝 搬 し て い く こ と と な る 。 こ の よ う に 、 従 来 の 技 術 で は 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 形 成 す る 際 、 転 位 の 伝 搬 を 阻 止 で き な い と い う 問 題 が あ っ た 。
本 発 明 は 上 記 の 課 题 を 解 決 す る た め に な さ れ た も の で あ り 、 そ の 目 的 は 、 貫 通 転 位 の 発 生 を 抑 制 し た I I I 族 窒 ィ匕 物 系 化 合 物 半 導 体 を 製 造 す る こ と で あ る 。
上 記 の 課 題 を 解 決 す る た め 、 第 1 の 手 段 は 、 I I I 族 窒 ィ匕 物 系 ィ匕 合 物 半 導 体 を ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 得 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に お い て 、 マ ス ク を 用 い 、 少 な く と も 1 層 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 か ら 成 り 、 最 上 層 を 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と す る 基 底 層 を 点 状 、 ス ト ラ イ プ 状 又 は 格 子 状 等 の 島 状 態 に エ ッ チ ン グ す る 工 程 と 、 前 記 エ ツ チ ン グ に よ り 形 成 さ れ た 点 状 、 ス ト ラ イ プ 状 又 は 格 子 状 等 の 島 状 態 の 前 記 基 底 層 の 段 差 の 上 段 の 上 面 の 前 記 マ ス ク を 有 し た ま ま 、 側 面 を 核 と し て 、 前 記 マ ス ク 上 に は ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し な い 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 縦 及 び 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 さ せ る 工 程 と を 有 す る こ と を 特 徴 と す る 。 尚 、 本 明 細 書 で 基 底 層 と は 、 単 層 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 の 場 合 と 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 少 な く と も 1 層 含 む 多 重 層 を 一 括 し て 表 現 す る た め に 用 い る 。 ま た 、 マ ス ク 上 に は ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し な レヽ 第 2 の I I I 族 窒 ィ匕.物 系 化 合 物 半 導 体 と は 、 ほ と ん ど 成 長 し な い の 意 味 で あ り 、 実 質 的 に 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 ( E L 0 ) で 覆 わ れ る と 観 測 で き れ ば 充 分 で あ る 。 尚 、 こ こ で 島 状 態 と は 、 エ ッ チ ン グ に よ り 形 成 さ れ た 段 差 の 上 段 の 様 子 を 概 念 的 に 言 う も の で あ っ て 、 必 ず し も 各 々 が 分 離 し た 領 域 を 言 う も の で な く 、 ウ ェ ハ 上 全 体 を ス ト ラ イ プ 状 又 は 格 子 状 に 形 成 す る な ど の よ う に 極 め て 広 い 範 ω に お い て 段 差 の 上 段 が 連 続 し て い て も 良 い も の と す る 。 ま た 、 段 差 の 側 面 と は 必 ず し も 基 板 面 及 び I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 表 面 に 対 し て 垂 直 と な る も の を 言 う も の で な く 、 斜 め の 面 で も 良 い 。 こ の 際 、 段 差 の 底 部 に 底 面 の 無 い 、 断 面 が V 字 状 の も の で も 良 い 。 こ れ ら は 特 に 言 及 さ れ な い 限 り 以 下 の 請 求 項 で も 同 様 と す る 。
ま た 、 第 2 の 手 段 は 、 前 記 基 底 層 は 基 板 上 に 形 成 さ れ て お り 、 前 記 エ ッ チ ン グ は 前 記 基 板 が 露 出 す る ま で 行 わ れ る こ と を 特 徴 と す る 。
ま た 、 第 3 の 手 段 は 、 請 求 項 1 に 記 載 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に お い て 、 段 差 の 深 さ と 幅 と の 関 係 は 、 底 部 か ら の 縦 方 向 成 長 に よ り 段 差 が 埋 め ら れ る よ り も 、 側 面 か ら の 横 方 向 成 長 に よ り 段 差 が 塞 が れ る 方 が 早 レ、 よ う 形 成 さ れ る こ と を 特 徴 と す る 。 尚 、 こ こ で エ ッ チ ン グ の 際 断 面 が V 字 状 の 底 面 の 無 い 段 差 の 場 合 は ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 の 際 に 形 成 さ れ る 底 部 ( 底 面 ) を 言 9 。
ま た 、 第 4 の 手 段 は 、 段 差 の 側 面 は 、 略 全 部 が { 1 1 一 2 0 } 面 で あ る こ と を 特 徴 と す る 。
ま た 、 第 5 の 手 段 は 、 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と が 同 組 成 で あ る こ と を 特 徴 と す る 。 尚 、 こ こ で 同 組 成 と は 、 ド 一 プ 程 度 の 差 ( モ ル 比 1 ノ 一 セ ン ト 未 満 の 差 ) は 無 視 す る も の と す る 。
ま た 、 第 6 の 手 段 は 、 前 記 基 底 層 は 、 前 記 基 板 上 に 形 成 さ れ た ノ ッ フ ァ 層 、 及 び こ の ノ ヅ フ ァ 層 上 に ェ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 し た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 1 周 期 と し て 、 複 数 周 期 形 成 さ れ た 層 で あ る こ と を 特 徴 と す る 。
ま た 、 第 7 の 手 段 は 、 前 記 基 底 層 に お い て 、 前 記 バ ッ フ ァ 層 と 隣 り 合 う 前 記 I I I 族 窒 化 系 化 合 物 半 導 体 層 と は 、 組 成 又 は 形 成 温 度 が 異 な る こ と を 特 徴 と す る 。
ま た 、 第 8 の 手 段 は 、 前 記 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 に は 、 主 た る 構 成 元 素 よ り 原 子 半 径 の 大 き な 元 素 に よ り 一 部 置 換 さ れ て い る 又 は ド 一 プ さ れ て い る こ と を 特 徴 と す る 。 こ こ で 主 た る 構 成 元 素 と は 、 窒 素 と 、 I I I 族 元 素 を 言 う 。 原 子 半 径 が 大 き い 元 素 と は 、 例 え ば 窒 素 に 対 し て は リ ン ( P )、 ヒ 素 ( A s )、 ビ ス マ ス ( B i )で あ り 、 I I I 族 元 素 は 原 子 半 径 の 小 さ い 方 か ら 大 き い 方 に ア ル ミ ニ ゥ ム ( A l )、 ガ リ ゥ ム ( G a )、 ィ ン ジ ゥ ム ( I n )、 夕 リ ゥ ム ( T 1 )で あ る 。
ま た 、 第 9 の 手 段 は 、 請 求 項 1 乃 至 請 求 項 8 の い ず れ か 1 項 に 記 載 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に お い て 、 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を ェ ピ 夕 キ シ ャ ル 成 長 さ せ る 前 に 、 段 差 の 下 段 面 を 覆 う よ う 、 第 2 の マ ス ク を 形 成 す る 工 程 を 含 む こ と を 特 徴 と す る 。
ま た 、 第 1 0 の 手 段 は 、 請 求 項 1 乃 至 請 求 項 9 の い ず れ か 1 項 に 記 載 の 製 造 方 法 に よ り 製 造 し た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 の 、 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し た 部 分 の 上 層 に 、 半 導 体 素 子 と し て 機 能 す る 単 層 又 は 複 数 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 か ら 成 る 素 子 層 を 形 成 す る こ と に よ り 得 ら れ た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 素 子 で あ る 。
ま た 、 第 1 1 の 手 段 は 、 請 求 項 1 乃 至 請 求 項 9 の い ず れ か 1 項 に 記 載 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に 力 Π え て 、 横 方 向 ェ ピ 夕 キ シ ャ ル 成 長 し た 部 分 の 上 層 以 外 を 略 全 部 除 去 す る こ と に よ り 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 得 る こ と を 特 徴 と す る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 で あ る 。
本 発 明 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 の 概 略 を 図 1 を 参 照 し な が ら 説 明 す る 。 尚 、 図 1 で は 、 従 属 請 求 項 の 説 明 及 び 理 解 を 助 け る た め 基 板 1 及 び ノ ッ フ ァ 層 2 を 有 す る 図 を 示 し て い る 力 s 、 本 発 明 は 、 縦 方 向 に 貫 通 転 位 を 有 す る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 か ら 、 縦 方 向 の 貫 通 転 位 の 軽 減 さ れ た 領 域 を 有 す る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 得 る も の で あ り 、 基 板 1 及 び ノ ヅ フ ァ 層 2 は 本 発 明 に 必 須 の 要 素 で は な い 。 以 下 、 基 板 1 面 上 に 、 ノ ッ フ ァ 層 2 を 介 し て 形 成 さ れ た 、 縦 方 向 ( 基 板 面 に 垂 直 方 向 ) に 貫 通 転 位 を 有 す る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 3 1 を 用 い て 本 発 明 を 適 用 す る 例 で 、 本 発 明 の 作 用 効 果 の 要 部 を 説 明 す る 。
図 1 の ( a ) の よ う に 、 マ ス ク 4 を 用 レ、 て 、 基 底 層 と し て の 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 3 1 を 点 状 ス ドラ イ ブ 状 又 は 格 子 状 等 の 島 状 態 に ±· ツ チ ン グ し 、 段 差 を 設 け る 。 こ う し て 、 段 差 の 上 段 の 上 面 の マ ス ク 4 を 除 か ず に 、 側 面 を 核 と. し て 、 マ ス ク 4 上 に は ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し な い 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 3 2 を 縦 及 び 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 さ せ る こ と で 段 差 部 分 を 埋 め つ つ 、 上 方 に も 成 長 さ せ る こ と が で き る 。 こ の と き 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 3 2 が 横 方 向 ェ . ピ 夕 キ シ ャ ル 成 長 し た 部 分 の 上 部 は 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 3 1 が 有 す る 貫 通 転 位 の 伝 搬 が 抑 制 さ れ 、 埋 め ら れ た 段 差 部 分 に 貫 通 転 位 の 軽 減 さ れ た 領 域 を 作 る こ と が で き る ( 請 求 項 1 )。 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 3 2 を 縦 及 び 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 さ せ る 際 図 1 の ( b ) の よ う に 、 段 差 の 側 面 を 核 と し て 成 長 す る 部 分 の 他 、 段 差 の 下 段 ( 底 部 ) を 核 と し て 成 長 す る 部 分 が 存 在 す る 。 縦 方 向 と 横 方 向 の 成 長 速 度 は ほ ぼ 等 し い 。 よ っ て 本 発 明 は 段 差 の 側 面 を 核 と し て 成 長 す る 部 分 が 明 か に 存 在 す る よ う に ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 す る こ と で あ る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 3 1 と 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 3 2 と は ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 不 連 続 面 が ほ と ん ど 無 い の で 構 造 的 に も 安 定 し た も の と す る こ と が で き る 。 こ の の ち 縦 及 び 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 を 続 け る こ と で マ ス ク 4 を も 覆 う よ う に 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 3 2 を 形 成 す る こ と が で き る ( 図 1 の ( d )、 ( e ) )。 マ ス ク 4 上 の 第 2 の I I I 族 窒 ィ匕 物 系 化 合 物 半 導 体 層 3 2 は マ ス ク 4 の 上 面 か ら ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し た の で は な い の で 、 新 た な 転 位 が 生 じ る こ と は 無 い 。
エ ッ チ ン グ は 基 底 層 を エ ッ チ ン グ し 、 基 板 面 を 露 出 さ せ る か 、 更 に は 一 部 基 板 自 体 を も エ ッ チ ン グ す る 深 さ と す れ ば 、 上 部 の 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 が 確 実 で あ る 。 こ れ は 基 板 面 を 核 と し て は 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 が 成 長 し に く い か ら で あ る 。 こ れ に よ り 基 底 層 に 残 っ て い る 貫 通 転 位 の 影 響 を 理 想 的 に 排 除 し 、 横 方 向 ェ ピ 夕 キ シ ャ ル 成 長 さ れ る 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 結 晶 性 を 確 実 に 良 く す る こ と が で き る ( 請 求 項 2 ) こ の と き 、 段 差 部 分 を 埋 め る 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 3 2 が 、 段 差 の 下 段 ( 底 部 ) か ら 縦 方 向 に ェ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 し て 元 の 段 差 の 上 段 ま で 成 長 す る よ り も 、 段 差 の 側 面 か ら 横 方 向 に ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し て 向 ' か い 合 う 段 差 の 側 面 か ら の 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 面 と 合 体 す る 方 が 早 い な ら ば 、 段 差 を 埋 め た 部 分 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 3 2 上 部 に は 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 3 1 か ら 伝 搬 す る 貫 通 転 位 は 著 し く 抑 制 さ れ 、 極 め て 良 質 な 結 晶 領 域 と す る こ と が で き る ( 請 求 項 3 )。 こ の 場 合 、 図 1 の ( c ) の よ う に 段 差 の 底 部 を 核 と し て 成 長 し た 部 分 が 表 面 に 出 る こ と な く 空 洞 と し て 残 る こ と と な る 。 そ の 上 部 は 両 側 の 段 差 の 側 面 を 核 と し て 成 長 し て き た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 3 2 の 成 長 面 の 合 体 が 生 じ て お り 、 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 か ら 伝 搬 す る 貫 通 転 位 は こ の 空 洞 で 止 め ら れ る こ ^ t t G) - m \ ^ ^ ^ ^ ^ m in
° ( v ) ω 9 m Ύ ^ - 。( a本 籠 ) ¾ ¾;
¾ π ¾ ¥5 X If ¥5 ^ ϋ ¾ ft ^ (¾ ^ q ¾ (¾ q s ¾ I I 9Z
I ii 乙 , 、 ¾ι ω r ° ( 9 a * isg ) ^ ^ m ^
m m Q T » 乙 ^ ^ ^ -2 ^ Έ m M M- ^ ^ m ネ ¾ 古 呦 ^ ^ 呦 ¾ ¾ I I I w $ ¾ ^ 4 ^ 3 ェ
Figure imgf000011_0001
° ¾r ¾ i (Ml i Kl ? ® 止 « ¾ w
Γ ° ^ 0 09 5^ Λ 據 ¾ i If: ^ ¾ 5Qi ω m ^ ^ o ^ 、 ¾ ® コ 。 、 ^ ^ 西 © Q? 博 : n 画 m ω ¾ 、 ^ w 翊 W 油 ¾ * 、 つ φ § 4
¾i ¾ ¾ C- ¾ ¾ Iffi ¾ 扉 羅- ® S « ^ τ I ^ 。 ?
^ ^ ¾ -. ¾ z ε * * (¾ q> ¾ (¾ q ¾ ¾ 111
i ¾; q ¾ ¾ ]f ¾ ¾ T 1 ffi ¾ ik ¾ -- ^ ω ^
¾ ¾ ¾ n i¾ » η fi$ djf ¾ ¾ ? ® M <§- ¾t ¾ ^ T ε 匾
* % ^ q> ^ f q> ¾ ¾ 111 ¾ ^ ø T ^
。( s
Mr f m ) ¾ ¾ a- ¾| Ik SE ¾ r) ^ § W ^ ^ 4^ ^ ^ l"J 01
¾ ¾ ¾ ¾ i ¾ Ol ^ ^ ¾ ft c# ^ q ¾ 呦 q> ¾ ¾
111 ø ε ¾ ^ *} ¾ * <¾ ^ ^> ^ i¾ q ii ¾ i i i ω T ¾ ¾ ^
° ' ^ コ ¾ ¥ ^ 厘 { 0 2 - ΐ ΐ } ¾ ilS T ^
> ¾ ø m ¾ ø Φ ¾ く、 ^ ェ igj 骈 Ϊ) Ύ \ §
^ ω - 。( gr 本 廳 ) ¾ ¾ 1Μ lE li ¾ 玆 ^ ^ ¾ '2· 面
{ o z - ΐ ΐ } S » ω ¾ ΐ ε ΐί t> ft c# ^ q> ¾ t¾
^ m in 、 : 蒼 ^ ^ 3 工 ^ ^ 褂 ¾ τ
° § ^
TZl60/00df/X3d 66.817/Ϊ0 OAV 結 晶 の 拡 張 歪 み が 生 じ て い る の で 、 主 た る 構 成 元 素 よ り も 原 子 半 径 の 大 き な 元 素 を ド ー プ す る と 圧 縮 歪 み が 生 じ 結 晶 性 が 良 く な る ( 請 求 項 8 )。 例 え ば 組 成 に ィ ン ジ ゥ ム ( I n ) , ヒ 素 ( A s )を 有 し な い I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 で あ る Al xGa ^ - χ Ν ( 0 ≤ χ≤ 1 ) に 、 ア ル ミ ニ ウ ム (Al )、 ガ リ ゥ ム ( G a )よ り も 原 子 半 径 の 大 き な ィ ン ジ ゥ ム (' I n )、 又 は 窒 素 ( N )よ り も 原 子 半 径 の 大 き な ヒ 素 ( A s )を ド ー ブ す る こ と で 、 窒 素 原 子 の 抜 け に よ る 結 晶 の 拡 張 歪 み を 圧 縮 歪 み で 補 償 し 結 晶 性 が を 良 く な る 。 こ の 場 合 は ァ ク セ プ 夕 不 純 物 が I I I 族 原 子 の 位 置 に 容 易 に 入 る た め 、 p 型 結 晶 を ァ ズ グ ロ ー ン で 得 る こ と も で き る 。 こ の よ う に し て 結 晶 性 を 良 く す る こ と で 本 願 発 明 と 合 わ せ て 更 に 貫 通 転 位 を 1 ◦ 0 乃 至 1 0 0 0 分 の 1 程 度 に ま で 下 げ る こ と も で き る 。 基 底 層 が ノ ッ フ ァ 層 と I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 と が 2 周 期 以 上 で 形 成 さ れ て い る 場 合 、 各 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 に 主 た る 構 成 元 素 よ り も 原 子 半 径 の 大 き な 元 素 を ド 一 プ す る と 更 に 良 い 。
ま た 、 段 差 の 下 段 面 を 第 2 の マ ス ク で 覆 え ば 、 基 板 面 か ら の 縦 方 向 成 長 を も 確 実 に 排 除 す る こ と が で き る ( 請 求 項 9 )。 こ れ を 例 え ば 図 6 の ( c ) 及 び ( d ) に 示 す 。
上 記 の 工 程 で 得 ら れ た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 の 、 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し た 部 分 の 上 層 に 半 導 体 素 子 、 例 え ば 発 光 素 子 、 F E T を 形 成 す る こ と で 、 素 子 寿 命 、 移 動 度 、 或 い は L D で あ れ ば 閾 値 の 改 善 さ れ た 発 光 素 子 と す る こ と が で き る ( 請 求 項 1 0 )。
ま た 、 上 記 の 工 程 で 得 ら れ た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 の 、 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し た 部 分 の 上 層 の み を そ の 他 の 層 か ら 分 離 す る こ と で 、 転 位 等 結 晶 欠 陥 の 著 し く 抑 制 さ れ た 結 晶 性 の 良 い I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 得 る こ と が で き る ( 請 求 項 1 1 )。 尚 「 略 全 部 除 去 」 と は 、 製 造 上 の 簡 便 さ か ら 、 一 部 貫 通 転 位 の 残 っ た 部 分 を 含 ん で い た と し て も 本 発 明 に 包 含 さ れ る こ と を 示 す も の で あ る 。 . 図 面 の 簡 単 な 説 明
第 1 図 は 、 本 発 明 の 第 1 の 実 施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 工 程 を 示 す 断 面 図 。
第 2 図 は 、 本 究 明 の 第 2 の 実 施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 究 光 素 子 の 構 造 を 示 す 断 面 図 。
第 3 図 は 、 本 究 明 の 第 3 の 実 施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 発 光 素 子 の 構 造 を 示 す 断 面 図 。
第 4 図 は 、 本 発 明 の 第 4 の 実 施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 究 光 素 子 の 構 造 を 示 す 断 面 図 。
第 5 図 は 、 本 究 明 の 第 5 の 実 施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物. 系 化 合 物 半 導 体 発 光 素 子 の 構 造 を 示 す 断 面 図 。
第 6 図 は 、 本 発 明 の 第 6 乃 至 第 9 の 実 施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 工 程 を 示 す 断 面 図 。
第 7 図 は 、 本 発 明 の 第 6 乃 至 第 9 の 実 施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 発 光 素 子 の 構 造 を 示 す 断 面 図 。
第 8 図 は 、 本 発 明 の 第 1 0 の 実 施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 工 程 を 示 す 断 面 図 。
第 9 図 は 、 本 発 明 の 第 1 0 の 実 施 例 に 係 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 発 光 素 子 の 構 造 を 示 す 断 面 図 。
第 1 0 図 は 、 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の ェ ッ チ ン グ の 別 の 例 を 示 す 模 式 図 。
第 1 1 図 は 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 .を 伝 搬 す る 貫 通 転 位 を 示 す 断 面 図 。 発 明 を 実 施 す る た め の 最 良 の 形 態
図 1 に 本 究 明 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 の 実 施 の 形 態 の 一 例 の 概 略 を 示 す 。 基 板 1 と 、 バ ッ フ ァ 層 2 と 、 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 3 1 と を 形 成 し 、 マ ス ク 4 を 形 成 し て 、 マ ス ク が 形 成 さ れ て い な い 部 分 を ト レ ン チ 状 に ェ ヅ チ ン グ を す る ( 図 1 の ( a ) ) こ の 際 、 エ ッ チ ン グ に よ り 段 差 が 生 じ 、 エ ッ チ ン グ さ れ な か っ た 部 分 を 上 段 と し て 、 側 面 及 び 段 差 の 底 部 ( 下 段 ) が 形 成 さ れ る 。 側 面 は 例 え ば. { 1 1 — 2 0 } 面 で あ る 。 次 に 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 す る 条 件 で 、 段 差 の 側 面 を 核 と し て 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 3 2 の ェ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 を 行 う 。 マ ス ク 4 は 予 め 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 3 2 が ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し な,レ、 も の を 用 い る 。 有 機 金 属 成 長 法 を 用 い れ ば 、 成 長 面 を { 1 1 - 2 0 } 面 に 保 っ た ま ま 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 力 s 容 易 に 可 能 で あ る 。 こ う し て 、 段 差 の 側 面 の 横 方 向 成 長 が 生 じ る な ら ば 、 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 3 2 の そ の 部 分 に つ い て は 、 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 か ら の 貫 通 転 位 が 伝 搬 し な い ( 図 1 の ( b ) )。 こ う し て 、 段 差 の 底 部 の 縦 方 向 の 成 長 に よ り エ ッ チ ン グ さ れ た 部 分 が 埋 ま る 前 に 、 段 差 の 両 側 面 の 横 方 向 成 長 が エ ッ チ ン グ さ れ た 部 分 の 上 方 で 合 体 す る よ う 、 エ ツ チ ン グ 形 状 と 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 条 件 と を 設 定 す る こ と で 、 エ ッ チ ン グ さ れ た 上 部 の 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 3 2 に は 貫 通 転 位 が 抑 制 さ れ た 領 域 を 形 成 す る こ と が で き る ( 図 1 の ( c ) )。 こ の の ち 縦 及 び 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 を 続 け れ ば 、 マ ス ク 4 を も 覆 う よ う に 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 3 2 が 形 成 さ れ る 。
上 記 の 発 明 の 実 施 の 形 態 と し て は 、 次 の 中 か ら そ れ そ れ 選 択 す る こ と が で き る 。
基 板 上 に I I I 族 窒 化 物 系 化.合 物 半 導 体 を 順 次 積 層 を 形 成 す る 場 合 は 、 基 板 と し て は サ フ ァ イ ア 、 シ リ コ ン ( S i )、 炭 ィ匕 ケ ィ 素 ( S i C )、 ス ピ ネ ル ( M g A 1204 )、 Z n 0、 M g 0 そ の 他 の 無 機 結 晶 基 板 、 リ ン ィヒ ガ リ ウ ム 又 は 砒 ィ匕 ガ リ ウ ム の よ う な I I I _ V 族 ィ匕 合 物 半 導 体 あ る レ、 は 窒 ィ匕 ガ リ ウ ム ( G a N ) そ の 他 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 等 を 用 い る こ と が で き る 。
I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 形 成 す る 方 法 と し て は 有 機 金 属 気 相 成 長 法 ( M 0 C V D 又 は M 0 V P E ) が 好 ま し い が 、 分 子 線 気 相 成 長 法 ( M B E )、 ハ ラ イ ド 気 相 成 長 法 ( H a 1 i d e VPE)、 液 相 成 長 法 ( LPE) 等 を 用 い て も 良 く 、 各 層 を 各 々 異 な る 成 長 方 法 で 形 成 し て も 良 い 。
例 え ば サ フ ア イ ァ 基 板 上 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 積 層 す る 際 、 結 晶 性 良 く 形 成 さ せ る た め 、 サ フ ァ イ ア 基 板 と の 格 子 不 整 合 を 是 正 す べ く バ ッ フ ァ 層 を 形 成 す る こ と が 好 ま し い 。 他 の 基 板 を 使 用 す る 場 合 も バ ッ フ ァ 層 を 設 け る こ と が 望 ま し い 。 ノ ッ フ ァ 層 と し て は 、 低 温 で 形 成 さ せ た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 Aし G a y I η ,— xy N ( 0≤ x≤ 1 , 0≤ y≤ 1 , 0≤ x + y≤ 1 ) , よ り 好 ま し く は A1 XG a , -xN ( 0≤ x≤ l ) が 用 レ、 ら れ る 。 こ の バ ッ フ ァ 層 は 単 層 で も 良 く 、 組 成 等 の 異 な る 多 重 層 と し て も 良 い 。 ノ ッ フ ァ 層 の 形 成 方 法 は 、 380〜 420 °C の 低 温 で 形 成 す る も の で も 良 く 、 逆 に 1000〜 1180 °C の 範 囲 で 、 M O C V D 法 で 形 成 し て も 良 い 。 ま だ 、 D C マ グ ネ ト ロ ン ス ノ ッ タ 装 置 を 用 い て 、 高 純 度 金 属 ア ル ミ ニ ウ ム と 窒 素 ガ ス を 原 材 料 と し て 、 リ ア ク テ ィ ブ ス ノ ッ タ 法 に よ り A 1 N か ら 成 る ノ ッ フ ァ 層 を 形 成 す る こ と も で き る 。 同 様 に 一 般 式 Al xGay In - y N ( 0≤ ≤ 1 , 0≤ y≤ 1 , 0≤ x + y≤ Κ 組 成 比 は 任 意 ) の ノ ッ フ ァ 層 を 形 成 す る こ と が で き る 。 更 に は 蒸 着 法 、 イ オ ン プ レ ー テ ィ ン グ 法 、 レ ー ザ ア ブ レ ー シ ヨ ン 法 、 Ε C R 法 を 用 レ、 る こ と が で き る 。 物 理 蒸 着 法 に よ る ノ ' ッ フ ァ 層 は 、 200〜 600 °C で 行 う の 力 望 ま し い 。 さ ら に 望 ま し く は 300〜 500 °C で あ り 、 さ ら に 望 ま し く は 400〜 500 °C で あ る 。 こ れ ら の ス ノ ッ 夕 リ ン グ 法 等 の 物 理 蒸 着 法 を 用 い た 場 合 に は 、 ノ ッ フ ァ 層 の 厚 さ は 、 100〜 3000 A が 望 ま し レヽ 。 さ ら に 望 ま し く は 、 100〜 400A が 望 ま し く 、 最 も 望 ま し く は 、 100〜 300 A で あ る 。 多 重 層 と し て は 、 例 え ば A 1 x G a! - x N ( 0≤ x≤ 1 ) か ら 成 る 層 と GaN 層 と を 交 互 に 形 成 す る 、 組 成 の 同 じ 層 を 形 成 温 度 を 例 え ば 600 °C 以 下 と 1 000 °C 以 上 と し て 交 互 に 形 成 す る な ど の 方 法 が あ る 。 勿 論 こ れ ら を 組 み 合 わ せ て も 良 く 、 多 重 層 は 3 種 以 上 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 Al xGay ln ,— yN( 0≤ x≤ l , 0≤ y ≤ 1 , 0≤ x + y≤ 1 ) を 積 層 し て も 良 い 。 一 般 的 に は ノ ヅ フ ァ 層 は 非 晶 質 で あ り 、 中 間 層 と し て 単 結 晶 層 を 形 成 す る 。 ノ ッ フ ァ 層 と 中 間 層 を 1 周 期 と し て 複 数 周 期 形 成 し て も 良 く 、 繰 り 返 し は 任 意 周 期 で 良 い 。 繰 り 返 し は 多 い ほ ど 結 晶 性 が 良 く な る 。
バ ッ フ ァ 層 及 び 上 層 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 は I I I 族 元 素 の 組 成 の 一 部 は 、 ボ ロ ン ( B )、 タ リ ウ ム ( T 1 )で 置 き 換 え て も 、 ま た 、 窒 素 ( N )の 組 成 一 部 を リ ン ( P )、 ヒ 素 (As )、 ア ン チ モ ン ( Sb )、 ビ ス マ ス ( B i )で 置 き 換 え て も 本 発 明 を 実 質 的 に 適 用 で き る 。 ま た 、 こ れ ら 元 素 を 組 成 に 表 示 で き な い 程 度 の ド 一 プ を し た も の で も 良 い 。 例 え ば 組 成 に イ ン ジ ウ ム ( I n )、 ヒ 素 ( A s )を 有 し な レ、 I I I 族 窒 ィ匕 物 系 ィ匕 合 物 半 導 体 で あ る A l x Ga ,— χ Ν ( 0≤ χ≤ 1 ) に 、 ァ ル ミ ニ ゥ ム ( A 1 )、 ガ リ ウ ム ( G a )よ り も 原 子 半 径 の 大 き な ィ ン ジ ゥ ム ( I n )、 又 は 窒 素 ( N )よ り も 原 子 半 径 の 大 き な ( A s )を ド ー プ す る こ と で 、 窒 素 原 子 の 抜 け に よ る 結 晶 の 拡 張 歪 み を 圧 縮 歪 み で 補 償 し 結 晶 性 を 良 く し て も 良 い 。 こ の 場 合 は ァ ク セ プ 夕 不 純 物 が I I I 族 原 子 の 位 置 に 容 易 に 入 る た め 、 p 型 結 晶 を ァ ズ グ ロ ー ン で 得 る こ と も で き る 。 こ の よ う に し て 結 晶 性 を 良 く す る こ と で 本 願 発 明 と 合 わ せ て 更 に 貫 通 転 位 を 1 0 0 乃 至 1 0 0 0 分 の 1 程 度 に ま で 下 げ る こ と も で き る 。 ノ ッ フ ァ 層 と I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 と が 2 周 期 以 上 で 形 成 さ れ て い る 基 底 層 の 場 合 、 各 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 に 主 た る 構 成 元 素 よ り も 原 子 半 径 の 大 き な 元 素 を ド ー プ す る と 更 に 良 い な お 、 発 光 素 子 の 発 光 層 或 い は 活 性 層 と し て 構 成 す る 場 合 は 、 本 来 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 2 元 系 、 若 し く は 3 元 系 を 用 レヽ る こ と が 望 ま し い 。
n 型 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 形 成 す る 場 合 に は 、 n 型 不 純 物 と し て 、 S i、 Ge、 Se、 Te、 C 等 IV 族 元 素 又 は V I 族 元 素 を 添 加 す る こ と が で き る 。 ま た 、 p 型 不 純 物 と し て は 、 Zn、 Mg、 Be、 Ca、 Sr、 Ba 等 I I 族 元 素 又 は I V 族 元 素 を 添 加 す る こ と が で き る 。 こ れ ら を 複 数 或 い は n 型 不 純 物 と p 型 不 純 物 を 同 一 層 に ド ー プ し て も 良 い 横 方 向 ェ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 と し て は 成 長 面 が 基 板 に 垂 直 と な る も の が 望 ま し い が 、 基 板 に 対 し て 斜 め の フ ァ セ ッ ト 面 の ま ま 成 長 す る も の で も 良 い 。 こ の 際 、 段 差 の 底 部 に 底 面 の 形 成 さ れ な い 、 断 面 が V 字 状 の も の で も 良 い < 横 方 向 ェ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 と し て は 、 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 面 の 少 な く と も 上 部 と 基 板 面 と は 垂 直 で あ る こ と が よ り 望 ま し く 、 更 に は い ず れ も I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の { 1 1 - 2 0 } 面 で あ る こ と が よ り 望 ま し い
エ ッ チ ン グ す る 際 は 、 深 さ と 幅 の 関 係 か ら 、 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 塞 が れ る よ う に 段 差 を 設 け る 。 基 板 面 を 露 出 さ せ る 場 合 は 、 基 板 面 か ら の 縦 方 向 成 長 が 少 な く と も 初 期 段 階 に お い て 遅 い こ と も 利 用 す る 。
基 底 層 の バ ッ フ ァ 層 を A1N、 Al xGa!— xN 又 は Al xGay In i - x - y N ( x≠ 0 ) か ら な る 層 と し 、 最 上 層 で あ る 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を G a N と す る な ら ば 、 A 1 N、 Aし Ga , N 又 は Al xGay ln t yN( x≠ 0 )力 ら な る 異 な る 層 は 、 C 1 、 BC 1 な ど の 塩 素 を 含 む プ ラ ズ マ ェ ヅ チ ン グ の 際 ス ト ッ ノ 層 と し て 働 く の で 好 都 合 で あ る 。 勿 論 、 エ ツ チ ン グ 条 件 に よ り 、 こ れ ら の 層 を も エ ッ チ ン グ す る こ と も 可 能 で あ る 。
基 板 上 に 積 層 す る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 の 結 晶 軸 方 向 が 予 想 で き る 場 合 は 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 の a 面 ({ 1 1 — 2 0 } 面 ) 又 は m 面 ({ 1 — 1 0 0 } 面 ) に 垂 直 と な る よ う ス ト ラ イ プ 状 に マ ス ク 或 い は エ ッ チ ン グ を 施 す こ と が 有 用 で あ る 。 な お 、 鳥 状 、 格 子 状 等 に 、 上 記 ス ト ラ イ プ 及 び マ ス ク を 任 意 に 設 計 し て 良 い 。 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 面 は 、 基 板 面 に 垂 直 な も の の 他 、 基 板 面 に 対 し 斜 め の 角 度 の 成 長 面 で も 良 い 。 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 の a 面 ど し て ( 1 1 一 2 0 ) 面 を 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 面 と す る に は 例.え ば ス ト ラ イ プ の 長 手 方 向 は I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 の m 面 で あ る ( 1 — 1 0 0 ) 面 に -垂 直 と す る 。 例 え ば 基 板 を サ フ ァ イ ア の a 面 又 は c 面 と す る 場 合 は 、 ど ち ら も サ フ ア イ ァ の m 面 が そ の 上 に 形 成 さ れ る I I I 族 窒.ィヒ 物 系 化 合 物 半 導 体 層 の a 面 と 通 常 一 致 す る の で 、 こ れ に 合 わ せ て エ ッ チ ン グ を 施 す 。 点 状 、 格 子 状 そ の 他 の 島 状 と す る 場 合 も 、 輪 郭 ( 側 壁 ) を 形 成 す る 各 面 が { 1 1 — 2 0 } 面 と す る こ と が 望 ま し レ、 。
エ ッ チ ン グ マ ス ク は 、 多 結 晶 シ リ コ ン 、 多 結 晶 窒 化 物 半 導 体 等 の 多 結 晶 半 導 体 、 酸 化 珪 素 ( S i ( )、 窒 化 珪 素 ( S i N ) , 酸 化 チ タ ン ( T i 0 )、 酸 ィ匕 ジ ル コ ニ ウ ム ( Z r 0 )等 の 酸 化 物 、 窒 化 物 、 チ タ ン ( T i )、 タ ン グ ス テ ン ( W )の よ う な 高 融 点 金 属 、 或 い は こ れ ら の 多 層 膜 を も ち い る こ と が で き る 。 こ れ ら の 成 膜 方 法 は 蒸 着 、 ス ノ ッ 夕 、 C V D 等 の 気 相 成 長 法 の 他 、 任 意 で あ る 。
エ ッ チ ン グ を す る 場 合 は 反 応 性 イ オ ン ビ ー ム エ ツ チ ン グ ( R I B E ) が 望 ま し レ、 が 、 任 意 の エ ッ チ ン グ 方 法 を 用 い る こ と が で き る 。 基 板 面 に 垂 直 な 側 面 を 有 す る 段 差 を 形 成 す る の で な い も の と し て 、 異 方 性 エ ッ チ ン グ に よ り 例 え ば 段 差 の 底 部 に 底 面 が 形 成 さ れ な い 、 断 面 が V 字 状 の も の を 形 成 し て も 良 い 。
上 記 の 貫 通 転 位 の 抑 制 さ れ た 領 域 を 宥 す る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 、 全 体 或 い は 貫 通 転 位 の 抑 制 さ れ た 領 域 を 中 心 と し て そ の 上 部 に F E T 、 発 光 素 子 等 の 半 導 休 素 子 を 形 成 す る こ と が で き る 。 発 光 素 子 の 場 合 は 、 発 光 層 は 多 重 量 子 井 戸 構 造( M Q W )、 単 一 量 子 井 戸 構 造( S Q W ) の 他 、 ホ モ 構 造 、 ヘ テ ロ 構 造 、 ダ ブ ル へ テ ロ 構 造 の も の が 考 え ら れ る が 、 p i n 接 合 或 い は p n 接 合 等 に よ り 形 成 し て も 良 い 。
上 述 の 、 貫 通 転 位 の 抑 制 さ れ た 領 域 を 有 す る I I I 族 窒 ィ匕 物 系 化 合 物 半 導 体 を 、 例 え ば 基 板 1 、 ノ ッ フ ァ 層 2 '及 び エ ッ チ ン グ に よ り 段 差 を 設 け た 貫 通 転 位 の 抑 制 さ れ て い な い 部 分 を 除 去 し て 、 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 基 板 と す る こ と が で き る 。 こ の 上 に I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 素 子 を 形 成 す る こ と が 可 能 で あ り 、 或 い は よ り 大 き な I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 結 晶 を 形 成 す る た め の 基 板 と し て 用 レ、 る こ と が で き る 。 除 去 方 法 と し て は 、 メ カ ノ ケ ミ カ ル ポ リ ヅ シ ン グ の 他 、 任 意 で あ る 。
以 下 、 発 明 の 具 体 的 な 実 施 例 に 基 づ い て 説 明 す る 。 実 施 例 と し て 発 光 素 子 を あ げ る が 、 本 発 明 は 下 記 実 施 例 に 限 定 さ れ る も の で は な く 、 任 意 の 素 子 に 適 用 で き る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 を 開 示 し て い る 。
本 発 明 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 は 、 有 機 金 属 化 合 物 気 相 成 長 法 ( 以 下 「 M 0 V P E」 と 示 す ) に よ る 気 相 成 長 に よ り 製 造 さ れ た 。 用 い ら れ た ガ ス は 、 ア ン モ ニ ア ( N H 3 ) と キ ヤ リ ァ ガ ス ( H 又 は N 2 ) と ト リ メ チ ル ガ リ ゥ ム ( G a ( C H 3 ) , 以 下 「 T M G」 と 記 す ) と ト リ メ チ ル ア ル ミ ニ ウ ム ( A 1 ( CH 3 ) , 以 下 「 TMA」 と 記 す )、 ト リ メ チ ル イ ン ジ ゥ ム ( I n ( CH , 以 下 「 TM I」 と 記 す )、 ビ ス シ ク ロ ペ ン 夕 ジ ェ ニ ル マ グ ネ シ ウ ム ( Mg( C sH5 ) 2、 以 下 「 Cp 2Mg」 と 記 す ) で あ る 。
〔 第 1 実 施 例 〕
有 機 洗 浄 及 び 熱 処 理 に よ り 洗 浄 し た a 面 を 主 面 と し 、 単 結 晶 の サ フ ァ イ ア 基 板 1 上 に 、 温 度 を 400 °C ま で 低 下 さ せ て 、 H2 を 10L/mi n、 NH3 を 5L/mi n、 TMA を 20〃 mo l / mi n で 約 3 分 間 供 給 し て A1 N の ノ ッ フ ァ 層 2 を 約 40nm の 厚 さ に 形 成 し た 。次 に 、 サ フ ァ イ ア 基 板 1 の 温 度 を 1000 °C に 保 持 し 、 H2 を 20L/mi n、 1^3 を 10L/m i n、 TMG を 300〃 m 0 mi n で 導 入 し 、膜 厚 約 3〃 皿 の GaN 層 3 1 を 形 成 し た 。
夕 ン グ ス テ ン ( W )を ス ノ ヅ 夕 に よ り 形 成 し マ ス ク 4 を 形 成 し た 。 反 応 性 イ オ ン ビ ー ム エ ッ チ ン グ ( R I B E ) を 用 い た 選 択 ド ラ イ エ ッ チ ン グ に よ り 、 幅 1〃 m、 間 隔 1 〃 m、 深 さ 2〃 m の ス ト ラ イ ブ 状 に エ ッ チ ン グ し た 。 こ れ に よ り 、 マ ス ク 4 で 覆 わ れ た GaN 層 3 1 の 幅 l m、 段 差 2〃 m の 上 段 と 、 幅 の 下 段 ( 底 部 ) と が 交 互 に 形 成 さ れ た ( 図 1 の ( a ) )。 こ の 時 、 深 さ 2〃 m の 段 差 を 形 成 す る 側 面 は 、 GaN 層 3 1 の { 1 1 — 2 0 } 面 と し た 。
次 に 、 サ フ ァ イ ア 基 板 1 の 温 度 を 1150 °C に 保 持 し 、 H 2 を 20L/mi n、 NH3 を 10L/m in、 TMG を 5〃 mo l /ni i n で 導 入 し 、 GaN 層 3 1 の 深 さ 2 z m の 段 差 を 形 成 す る 側 面 で あ る { 1 1 - 2 0 } 面 を 核 と し て GaN 層 3 2 を 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 形 成 し た 。 こ の 時 、 段 差 の 底 部 か ら も ェ ピ 夕 キ シ ャ ル 成 長 が 生 じ た ( 図 1 の ( b ) )。 こ う し て 主 に { 1 1 - 2 0 } 面 を 成 長 面 と す る 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 段 差 が 埋 め ら れ 、 表 面 が 平 坦 と な っ た ( 図 1 の ( c ) )。 こ の の ち 、 H2 を 20L/mi n、 NH:i を 10L/mi n、 TMG を 300〃 mo l /niin で 導 入 し 、 GaN 層 3 2 を 成 長 さ せ 、 G aN 層 3 1 と GaN 層 3 2 と を 合 計 4 m の 厚 さ と し た 。 GaN 層 3 2 の 、 G a N 層 3 1 の 深 さ 2〃 m の 段 差 の 底 部 上 方 に 形 成 さ れ た 部 分 は 、 段 差 の 上 段 の 上 方 に 形 成 さ れ た 部 分 に 比 し て 貫 通 転 位 が 著 し く 抑 え ら れ た 。
〔 第 2 実 施 例 〕
図 2 は 、 本 発 明 の 第 2 の 実 施 例 に 係 る レ ー ザ ダ イ ォ ー ド ( L D ) 1 0 0 の .構 造 を 示 す 断 面 図 で あ る 。 第 1· 実 施 例 と 同 様 に 形 成 し た ウ エ ノヽ 上 に 、 次 の よ う に し て レ ー ザ ダ イ オ ー ド ( L D ) を 形 成 し た 。 但 し 、 GaN 層 3 2 の 形 成 の 際 、 シ ラ ン ( SiH4 ) を 導 入 し て 、 GaN 層 3 3 を シ リ コ ン ( Si ) ド 一 プ の n 型 GaN か ら 成 る 層 と し た 。 尚 、 図 .を 簡 略 と す る た め 、 マ ス ク 4 を 含 む 、 GaN 層 3 1 と GaN 層 3 2 を 合 わ せ て 単 に GaN 層 1 0 3 と 記 載 す る 。
サ フ ァ イ ア 基 板 1 0 1 、 A 1 N か ら 成 る ノ ッ フ ァ 層 1 0 2 、 GaN 層 と n 型 GaN 層 の 2 段 の GaN 層 1 0 3 か ら 成 る ウ エ ノヽ 上 に 、 シ リ コ ン ( S i ) ド 一 プ の A 1。 . 。 8 G a。 . 9 2 N 力 ら 成 る n ク ラ ッ ド 層 1 0 4 、 シ リ コ ン ( S i ) ド 一 プ の G a N 力 ら 成 る n ガ イ ド 層 1 0 5 、 M Q W 構 造 の 発 光 層 1 0 6 、 マ グ ネ シ ウ ム ( M g ) ド ー プ の G a N か ら 成 る p ガ イ ド 層 1 0 7 、 マ グ ネ シ ウ ム (Mg) ド ー ブ の Al。. 。 aGa。 . 9 2N 力 ら 成 る p ク ラ ッ ド 層 1 0 8 、 マ グ ネ シ ウ ム ( M g ) ド 一 プ の G a N 力 ら 成 る p コ ン タ ク ト 層 1 0 9 を 形 成 し た 。 次 に p コ ン タ ク ト 層 1 0 9 上 に 金 (Au)か ら 成 る 電 極 1 1 O A を 、 GaN 層 と n 型 GaN 層 の 2 段 の GaN 層 1 0 3 が 露 出 す る ま で 一 部 エ ッ チ ン グ し て ア ル ミ ニ ウ ム (Al )か ら 成 る 電 極 1 1 0 B を 形 成 し た ( 図 2 )。 こ の よ う に し て 形 成 し た レ ー ザ ダ ィ オ ー ド ( L D ) は 素 子 寿 命 及 び 発 光 効 率 が 向 上 し た 。 〔 第 3 実 施 例 〕
図 3 は 、 本 発 明 の 第 3 の 実 施 例 に 係 る 発 光 ダ イ オ ー ド ( L E D ) 2 0 0 の 構 造 を 示 す 断 面 図 で あ る, 。 第 1 実 施 例 と 同 様 に 形 成 し た ウ エ ノヽ 上 に 、 次 の よ う に し て 発 光 ダ ィ オ ー ド ( L E D ) を 形 成 し た 。 但 し 、 GaN 層 3 2 の 形 成 の 際 、 シ ラ ン ( SiH4 ) を 導 入 し て 、 GaN 層 3 2 を シ リ コ ン ( Si ) ド ー プ の n 型 GaN か ら 成 る 層 と し た 。 尚 、 図 を 簡 略 と す る た め 、 マ ス ク 4 を 含 む GaN 層 3 1 と GaN 層 3 2 を 合 わ せ て 単 に GaN 層 2 0 3 と 記 載 す る 。
サ フ ァ イ ア 基 板 2 0 1 、 A1N か ら 成 る ノ ヅ フ ァ 層 2 0 2 、 GaN 層 と n 型 GaN 層 の 2 段 の GaN 層 2 0 3 か ら 成 る ウ エ ノヽ 上 に 、 シ リ コ ン ( S i ) ド 一 ブ の A 1。 . 。 8 G a。 . 2 N カ ら 成 る n ク ラ ッ ド 層 2 0 4 、 発 光 層 2 0 5 、 マ グ ネ シ ウ ム (M ) ド 一 プ の 八1。 . 。 80&。. !) 2 1^ か ら 成 る ク ラ ヅ ド 層 2 0 6 、 マ グ ネ シ ウ ム ( Mg ) ド 一 プ の GaN か ら 成 る p コ ン タ ク ト 層 2 0 7 を 形 成 し た 。 次 に p コ ン タ ク ト 層 2 0 7 上 に 金 (A u)か ら 成 る 電 極 2 0 8 A を 、 GaN 層 と n 型 GaN 層 の 2 段 の GaN 層 2 0 3 が 露 出 す る ま で 一 部 エ ッ チ ン グ し て ア ル ミ ニ ゥ ム ( A 1 )か ら 成 る 電 極 2 0 8 B を 形 成 し た ( 図 3 )。 こ の よ う に し て 形 成 し た 発 光 ダ イ オ ー ド ( L E D ) は 素 子 寿 命 及 び 発 光 効 率 が 向 上 し た 。
〔 第 4 実 施 例 〕
図 4 は 、 本 発 明 の 第 4 の 実 施 例 に 係 る レ ー ザ ダ イ ォ 一 ド ( L D ) 3 0 0 の 構 造 を 示 す 断 面 図 で あ る 。 本 実 施 例 で は 基 板 と し て n 型 シ リ コ ン ( S i )基 板 を 用 レ、 た 。 n 型 シ リ コ ン ( S i )基 板 3 0 1 上 に 温 度 1150。C で 、 H 2 を 10 L / m i n、 NH を 10L/mi n、 TMG を 100〃 m o 1 / m i n、 TMA を 10〃 mo l /in i n, H 2 ガ ス に よ り 0.86 p p m に 希 釈 さ れ た た シ ラ ン ( S i H ., ) を 0.2〃 m o 1 / m i n で 供 給 し 、 膜 厚 3〃 m の シ リ コ ン ( S i ) ド — プ の A 1。 . , 5 G a。 . 8 5 N か ら 成 る 層 3 0 2 1 を 形 成 し た 。 次 に 、 タ ン グ ス テ ン ( W )を ス ノ ッ タ に よ り 形 成 し マ ス ク 4 を 形 成 し た 。 反 応 性 イ オ ン エ ッ チ ン グ ( R I E ) を 用 い た 選 択 ド ラ イ エ ッ チ ン グ に よ り 、 幅 1 m、 間 隔 1〃 m、 深 さ 2 m の ス ト ラ イ プ 状 に エ ッ チ ン グ し た 。 こ れ に よ り 、 マ ス ク 4 に 覆 わ れ た n - A 1。 . ! 5 G a。 . 8 5 N 層 3 0 2 1 の 幅 1 m, 段 差 2〃 πι の 上 段 と 、 幅 l〃 m の 下 段 ( 底 部 ) と が 交 互 に 形 成 さ れ た 。 こ の 時 、 深 さ 2 m の 段 差 を 形 成 す る 側 面 は 、 n-A l。 . 1 5 Ga。 . s 5N 層 3 0 2 1 の { 1 1 - 2 0 } 面 と し た 。
次 に 、 n 型 シ リ コ ン 基 板 3 0 1 の 温 度 を 1150°C に 保 持 し 、 H a を 20L/m i n、 NH 3 を 10 L / m i n、 TMG を 5〃 m o 1 / m i n、 TMA を 0.5 // mo l /niin、 H2 ガ ス に よ り 希 釈 さ れ た た シ ラ ン ( S iH4 ) を 0.01〃 mo l /in i n で 供 給 し 、 n_Al。 . 1 5 Ga。 . 8 5N 層 3 0 2 1 の 深 さ 2 m の 段 差 を 形 成 す る 側 面 で あ る { 1 1 - 2 0 } 面 を 核 と し て n- Al。 . 1 5 Ga。 . 8 S N 層 3 0 2 2 を 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 形 成 し た 。 こ の 時 、 段 差 の 上 段 の 上 面 と 底 部 か ら も ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 が 生 じ た 。 こ う し て 主 に { 1 1 - 2 0 } 面 を 成 長 面 と す る 横 方 向 ェ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 段 差 が 埋 め ら れ 、 表 面 が 平 坦 と な っ た の ち 、 H2 を 10L/mi n、 NH:i を 10L/ini n、 TMG を 100 j mo 1 /m i n, TMA を 10 mo l /iai n、 H2 ガ ス に よ り 希 釈 さ れ た た シ ラ ン ( SiH4 )を 0.2〃 mol /min で 供 給 し 、 n-Al。 . l sGa 。 . B 5N 層 3 0 2 2 を 成 長 さ せ 、 n-Al。. 1 5Ga。. 8 5N 層 3 0 2 1 と 11 - 1。 . 1 56&。 . 8 5 層 3 0 2 2 を 合 計 3〃 πι の 厚 さ と し た 。 以 下 、 4〃 m の 厚 さ の 、 n-Al。 . 1 5Ga。. 《 sN 層 3 0 2 1 と n- Al。 . 1 5Ga。. 8 5N 層 3 0 2 2 及 び マ ス ク 4 と を 合 わ せ て n_Al。. , sGa。. 8 5N 層 3 0 2 と 記 載 す る 。 …
上 記 の よ う に n 型 シ リ コ ン 基 板 3 0 1 に 形 成 さ れ た n - Al。 . 1 5Ga。 . 》 5N層 3 0 2 上 に シ リ コ ン ( Si ) ド ー プ の GaN ? ら 成 る n ガ イ ド 層 3 0 3 、 M Q W 構 造 の 発 光 層 3 0 4 、 マ グ ネ シ ウ ム ( M g ) ド ー プ の G a N か ら 成 る p ガ イ ド 層 3 0 5 、 マ グ ネ シ ウ ム ( M g ) ド 一 プ の A 1。 . 。 》 G a。 . n 2 N 力 ら 成 る P ク ラ ッ ド 層 3 0 6 、 マ グ ネ シ ウ ム ( M g ) ド ー プ の G a N か- ら 成 る p コ ン タ ク ト 層 3 0 7 を 形 成 し た 。 次 に p コ ン 夕 ク ト 層. 3 0 7 上 に 金 (Au)か ら 成 る 電 極 3 0 8 A を 、 n 型 シ リ コ ン 基 板 3 0 1 裏 面 に ア ル ミ ニ ウ ム ( A 1 )か ち 成 る 電 極 3 0 8 B を 形 成 し た ( 図 4 )。 こ の よ う に し て 形 成 し た レ ー ザ ダ イ オ ー ド ( L D ) は 素 子 寿 命 及 び 発 光 効 率 が 向 上 し た 。
〔 第 5 実 施 例 〕
図 5 は 、 第 5 の 実 施 例 に 係 る 発 光 ダ イ オ ー ド ( L E D ) 4 0 0 の 構 造 を 示 す 断 面 図 で あ る 。 本 実 施 例 で も 基 板 と し て n 型 シ リ コ ン ( Si )基 板 を 用 い た 。 第 5 実 施 例 の n 型 シ リ コ ン 基 板 3 0 1 に 形 成 さ れ た n - A 1。 . , 5 G a。 . 8 s N 層 3 0 2 と 同 様 に 、 n 型 シ リ コ ン 基 板 4 0 1 に 形 成 さ れ た n - Al。 . 1 5Ga。 . 8 5N 層 4 0 2 の ウ ェ ハ を 用 意 し 、 発 光 層 4 0 3 、 マ グ ネ シ ウ ム ( M g ) ド ー プ の A 1。 . i 5 G a。 . 8 5 N か ら 成 る p ク ラ ッ ド 層 4 0 4 を 形 成 し た 。 次 に p ク ラ ッ ド 層 4 0 4 上 に 金 (Au )か ら 成 る 電 極 4 0 5 A を 、 n 型 シ リ コ ン 基 板 4 0 1 裏 面 に ア ル ミ ニ ウ ム (A1 )か ら 成 る 電 極 4 0 5 B を 形 成 し た 。 こ の よ う に し て 形 成 し た 発 光 ダ イ オ ー ド ( L E D ) は 素 子 寿 命 及 び 究 光 効 率 が 向 上 し た 。
〔 第 6 実 施 例 〕
本 実 施 例 で は 、 図 6 の よ う な 多 重 層 か ら 成 る 基 底 層 を 用 い た 。 有 機 洗 浄 及 び 熱 処 理 に よ り 洗 浄 し た a 面 を 主 面 と し 、 単 結 晶 の サ フ ァ イ ア 基 板 1 上 に 、 温 度 を 400 °C ま で 低 下 さ せ て 、 Η2 を 10L/min、 NH3 を 5L/min、 TMA を 20 / mol/min で 約 3 分 間 供 給 し て 第 1 の A1N 層 ( 第 1 の 緩 衝 層 ) 2 1 を 約 40 n m の 厚 さ に 形 成 し た 。 次 に 、 サ フ ア イ ァ 基 板 1 の 温 度 を 1000 °C に 保 持 し 、 H2 を 20L/min、 NH 3 を 10L/min、 TMG を 300〃 mol/min で 導 入 し 、 膜 厚 約 0.3 / m の GaN 層 ( 中 問 層 ) 2 2 を 形 成 し た 。 次 に 温 度 を 40 0°C ま で 低 下 さ せ て 、 H を 10L/min、 NH3 を 5L/min、 TMA を 20 m o 1 / m i n で 約 3 分 間 供 給 し て 第 2 の A 1 N .層 ( 第 2 の 緩 衝 層 ) 2 3 を 約 40 n m の 厚 さ に 形 成 し た 。 次 に 、 サ フ ア イ ァ 基 板 1 の 温 度 を 1000 °C に 保 持 し 、 H 2 を 20 L / m i n、 NH3 を 10L/min、 TMG を 300 mol/min で 導 入 し 、 膜 厚 約 1 〃 瓜 の GaN 層 3 1 を 形 成 し た 。 こ う し て 、 膜 厚 約 40nm の 第 1 の A1N 層 ( 第 1 の 緩 衝 層 ) 2 1 、 膜 厚 約 0.3〃 m の G aN 層 ( 中 間 層 ) 2 2 、 膜 厚 約 40nm の 第 2 の A1N 層 ( 第 2 の 緩 衝 層 ) 2 3 、 膜 厚 約 2〃 m の GaN 層 3 1 か ら 成 る 基 底 層 2 0 を 形 成 し た 。
一 般 的 に は 緩 衝 層 は 非 晶 質 で あ り 、 中 間 層 は 単 結 晶 で あ る 。 緩 衝 層 と 中 間 層 を 1 周 期 と し て 複 数 周 期 形 成 し て も 良 く 、 繰 り 返 し は 任 意 周 期 で 良 い 。 繰 り 返 し は 多 い ほ ど 結 晶 性 が 良 く な る 。
次 に タ ン グ ス テ ン ( W )力 ら 成 る 層 を 形 成 し 、 ゥ エ ツ ト ェ ツ チ ン グ に よ り ス ト ラ イ ブ 状 に ノ 夕 一 ニ ン グ し 、 マ ス ク 4 を 形 成 し た 。 夕 ン グ ス テ ン ( W )マ ス ク 4 を 用 い て 反 応 性 イ オ ン ビ ー ム エ ッ チ ン グ ( R I B E ) を 用 い た 選 択 ド ラ ィ エ ッ チ ン グ に よ り 、 G a N 層 3 1 基 底 層 を 幅 1〃 m、 間 隔 1〃 πι の ス ト ラ イ プ 状 に エ ッ チ ン グ し 、 基 板 1 面 を 露 出 さ せ た 。 こ れ に よ り 、 基 底 層 2 0 の 幅 l m、 段 差 約 2.3 z m の 上 段 と 、 基 板 1 面 ( 下 段 の 底 部 ) と が 交 互 に 形 成 さ れ た ( 図 6 の ( a ) )。 こ の 時 、 GaN 層 3 1 の 深 さ 2〃 m の 段 差 を 形 成 す る 側 面 は 、 { 1 1 - 2 0 } 面 と し た 。
次 に 、 サ フ ァ イ ア 基 板 1 の 温 度 を 1150 °C に 保 持 し 、 H 2 を ZOL/mi ru NH を 10L/min、 TMG を 5 mol /mi n で 導 入 し 、 GaN 層 3 1 の 深 さ 2 m の 段 差 を 形 成 す る 側 面 で あ る { 1 1 — 2 0 } 面 を 核 と し て GaN 層 3 2 を 横 方 向 ェ ピ 夕 キ シ ャ ル 成 長 に よ り 形 成 し た 。 こ の 時 、 基 板 1 面 、 基 底 層 2 0 の 最 側 面 か ら も 一 部 ェ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 が 生 じ た 。 こ う し て 主 に GaN 層 3 1 か ら の { 1 1 — 2 0 } 面 を 成 長 面 と す る GaN 層 3 2 の 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 に よ り 段 差 が 埋 め ら れ 、 表 面 が 平 坦 と な っ た 。 こ の の ち 、 H2 を 2 0L/mi n、 N H を 10L/min、 TMG を 300 z niol/min で 導 入 し 、 GaN 層 3 2 を 成 長 さ せ 、 GaN 層 3 1 と GaN 層 3 2 と を 合 計 3〃 m の 厚 さ と し た 。 GaN 層 3 2 の 、 GaN 層 3 1 の 深 さ I 〃 m の 段 差 の 底 部 上 方 に 形 成 さ れ た 部 分 は 、 段 差 の 上 段 上 方 に 形 成 さ れ た 部 分 に 比 し て 貫 通 転 位 が 著 し く 抑 え ら れ た 。
こ の よ う に し て 形 成 さ れ た ウ エ ノヽ を 用 い て 、 図 7 の よ う な レ ー ザ ダ イ オ ー ド 5 ◦ 0 を 形 成 し た 。 但 し 、 GaN 層 3 2 の 形 成 の 際 、 シ ラ ン ( S iH,, ) を 導 入 し て 、 GaN 層 3 2 を シ リ コ ン ( S i ) ド 一 プ の n 型 G a N か ら 成 る 層 と し た 。 尚 、 図 を 簡 略 と す る た め 、 マ ス ク 4 よ り も 上 層 の n 型 Ga N 層 3 2 を 単 に GaN 層 5 0 3 と 記 載 す る 。 ス ト ラ イ ブ 状 に エ ッ チ ン グ さ れ た 基 底 層 2 0 と マ ス ク 4 と 段 差 を 埋 め た 部 分 の n 型 GaN 層 3 2 を 合 わ せ て 基 底 層 5 0 2 と す る サ フ ァ イ ア 基 板 5 0 1 、 ス ト ラ イ プ 状 に エ ッ チ ン グ さ れ た 基 底 層 5 0 2 、 GaN 層 5 0 3 カゝ ら 成 る ウ エ ノ、 上 に 、 シ リ コ ン ( S i ) ド ー プ の A 1。 . 。 8 G a。 . 。 2 N 力 ら 成 る n ク ラ ッ ド 層 5 0 4 、 シ リ コ ン ( S i ) ド 一 プ の GaN か ら 成 る n ガ イ ド 層 5 0 5 、 M Q W 構 造 の 発 光 層 5 0 6 、 マ グ ネ シ ウ ム ( M g ) ド 一 プ の G a N か ら 成 る p ガ イ ド 層 5 0 7 、 マ グ ネ シ ゥ ム ( M g ) ド 一 プ の A 1。 . 。 8 G a。 . 。 2 N か ら .成 る p ク ラ ッ ド 層 5 0 8 、 マ グ ネ シ ウ ム ( M g ) ド 一 プ の G a N か ら 成 る p コ ン 夕 ク ト 層 5 0 9 を 形 成 し た 。 次 に p コ ン タ ク 卜 層 5 0 9 上 に 金 ( Au )か ら 成 る 電 極 5 1 O A を 、 GaN 層 と n 型 GaN 層 の 2 段 の GaN 層 5 0 3 が 露 出 す る ま で 一 部 エ ッ チ ン グ し て ア ル ミ ニ ウ ム ( A 1 )か ら 成 る 電 極 5 1 0 B を 形 成 し た 。 こ の よ う に し て 形 成 し た レ ー ザ ダ イ オ ー ド ( L D ) は 素 子 寿 命 及 び 発 光 効 率 が 向 上 し た 。
〔 第 7 実 施 例 〕
本 実 施 例 で は 図 6 の ( b ) に 示 す よ う に 、 第 6 実 施 例 と 同 様 に 単 結 晶 の サ フ ア イ ァ 基 板 1 上 に 、 膜 厚 約 40nm の 第 1 の A1 N 層 ( 第 1 の 緩 衝 層 ) 2 1 、 膜 厚 約 0.3〃 m の G aN 層 ( 中 間 層 ) 2 2 、 膜 厚 約 40nm の 第 2 の A1 N 層 ( 第 2 の 緩 衝 層 ) 2 3 、 膜 厚 約 2 / m の GaN 層 3 1 を 形 成 し た の ち 、 夕 ン グ ス テ ン ( W )か ら 成 る マ ス ク 4 を 形 成 し 、 第 2 の. A1 N 層 ( 第 2 の 緩 衝 層 ) 2 3 を 残 す よ う 、 エ ッ チ ン グ を し た 。 こ の の ち 、 第 6 実 施 例 と 同 様 に し て GaN 層 3 2 を 横 方 向 ェ ビ タ キ シ ャ ル 成 長 さ せ 、 ウ エ ノ、 を 得 た 。 こ の ウ エ ノヽ を 用 い て 、 図 7 に 示 す 第 6 実 施 例 の レ ー ザ ダ イ ォ — ド ( L D ) 5 0 0 と 同 様 に レ 一 ザ ダ イ オ ー ド ( L D ) を 形 成 し た 。 素 子 特 性 は 第 6 実 施 例 の レ ー ザ ダ イ ォ 一 ド と ほ ぼ 同 等 で あ っ た 。
〔 第 8 実 施 例 〕
本 実 施 例 で は 図 6 の ( c ) に 示 す よ う に 、 第 6 実 施 例 と 同 様 に 単 結 晶 の サ フ ア イ ァ 基 板 1 上 に 、 膜 厚 約 40nm の 第 1 の A 1 N 層 ( 第 1 の 緩 衝 層 ) 2 .1 、 膜 厚 約 0.3〃 m の G aN 層 ( 中 間 層 ) 2 2 、 膜 厚 約 40nm の 第 2 の A 1 N 層 ( 第 2 の 緩 衝 層 ) 2 3 、 膜 厚 約 2〃 m の G a N 層 3 1 を 形 成 し た の ち 、 タ ン グ ス テ ン ( W )か ら 成 る マ ス ク 4 を 形 成 し 、 基 板 1 面 が 露 出 す る 迄 エ ッ チ ン グ を し た 。 こ の の ち 、 露 出 し た 基 板 1 面 に タ ン グ ス テ ン ( W )か ら 成 る マ ス ク 5 を 形 成 し た 。 こ の の ち 第 6 実 施 例 と 同 様 に し て GaN 層 3 2 を 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 さ せ 、 ウ エ ノヽ を 得 た 。 こ の ゥ ェ ハ を 用 い て 、 図 7 に 示 す 第 6 実 施 例 の レ ー ザ ダ イ オ ー ド
( L D ) 5 0 0 と 同 様 に レ ー ザ ダ イ オ ー ド ( L D ) を 形 成 し た 。 素 子 特 性 は 第 6 実 施 例 の レ ー ザ ダ イ オ ー ド と ほ ぼ 同 等 で あ っ た 。
〔 第 9 実 施 例 〕
本 実 施 例 で は 図 6 の ( d ) に 示 す よ う に 、 第 6 実 施 例 と 同 様 に 単 結 晶 の サ フ ア イ ァ 基 板 1 上 に 、 膜 厚 約 40 n m の 第 1 の A1 N 層 ( 第 1 の 緩 衝 層 ) 2 1 、 膜 厚 約 0.3〃 m の G a N 層 ( 中 間 層 ) 2 2 、 膜 厚 約 40ηπι の 第 2 の A1 N 層 ( 第 2 の 緩 衝 層 ) 2 3 、 膜 厚 約 2〃 m の G a N 層 3 1 を 形 成 し た の ち 、 タ ン グ ス テ ン ( W )か ら 成 る マ ス ク 4 を 形 成 し 、 第 2 の A1 N 層 ( 第 2 の 緩 衝 層 ) 2 3 を 残 す よ う 、 エ ッ チ ン グ を し た 。 こ の の ち 、 露 出 し た 第 2 の A1 N 層 ( 第 2 の 緩 衝 層 ) 2 3 面 に タ ン グ ス テ ン ( W )か ら 成 る マ ス ク 5 を 形 成 し た 。 こ の の ち 第 6 実 施 例 と 同 様 に し て GaN 層 3 2 を 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 さ せ 、 ウ ェ ハ を 得 た 。 こ の ウ ェ ハ を 用 い て 、 図 7 に 示 す 第 6 実 施 例 の レ ー ザ ダ イ ォ 一 ド ( L D ) 5 0 0 と 同 様 に レ ー ザ ダ イ オ ー ド ( L D ) を 形 成 し た 。 素 子 特 性 は 第 6 実 施 例 の レ ー ザ ダ イ オ ー ド と ほ ぼ 同 等 で あ っ た 。
〔 第 1 0 実 施 例 〕
本 実 施 例 で は 図 1 に 示 す 第 1 実 施 例 の ウ エ ノ、 形 成.の 際 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と し て 、 イ ン ジ ウ ム ( I n )の ド ー プ さ れ た 窒 ィ匕 ガ リ ゥ ム ( G a N: I n )を 用
レヽ た ( 図 8 ( a ) )。 イ ン ジ ウ ム ( I n )の ド 一 プ 量 は 約 1 X 1 0 1 6 / c m 3 と し た 。 こ の の ち 、 シ リ コ ン ド 一 プ の 窒 化 ガ リ ゥ ム を 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 さ せ て 、 第 1 実 施 例 同 様 に ウ エ ノヽ を 得 て 、 図 9 に 示 す レ ー ザ ダ イ オ ー ド 6 0 0 を 形 成 し た 。 レ ー ザ ダ イ ォ 一 ド 6 0 0 の 素 子 特 性 は 第 6 実 施 例 の レ ー ザ ダ イ ォ 一 ド と ほ ぼ 同 等 で あ っ た 。
全 実 施 例 の 基 底 層 に イ ン ジ ウ ム ( In )を ド 一 プ し て 、 基 底 層 の 結 晶 性 を 改 善 す る こ と が で き る 。 基 底 層 の 結 晶 性 が 良 く な れ ば 、 そ の 上 に 横 方 向 成 長 に よ り 形 成 さ れ る 層 の 結 晶 性 は 更 に 良 く な る 。
〔 エ ッ チ ン グ の 変 形 〕
υτ
° 9r 4 * ¾ ¾ 魔 ω ¾ 8 3 ® ¾ η ½ 2ΐ ® - ω ¾ ¾ ω ¾ ¾ 、 Ώ ςι ( q ) ø 0 ΐ I 雛 胆 ¾ ε « 3 ¾ ^ί ^ ¾
、 つ ::) ¾ τ ω ^ ¾ © 暂 ¥1 . ( -Β ) ω ο ι H 。 、 草 っ ^ ¾ ^ ^ 去 « Q ¾ EJE tc 4 ·¾ 丁 ω著 ¾ί ^ 暂 《 D
、 ¾ '2- in 嶎 つ q>剁 靱 《 ¾ S « W v s<? ¾ i z n ^ ^ ¾ ^i i^ 9r ^ ^ ¥i¾ i a { o 2 - I T } ω if ε
、 ( B ) o ΐ 図 。 S W 4 ¾ί ¾ ¾ T © ¾ ¥k
W q i ffl { o s - ΐ I } ω ¾ ε v o ΐ in ¾ ^
lZT60/00df/X3d 66ん8謂 OAV

Claims

請 求 の 範 囲
1 . I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を ェ ピ 夕 キ シ ャ ル 成 長 に よ り 得 る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に お い て 、 マ ス ク を 用 い 、 少 な く と も 1 層 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 か ら 成 り 、 最 上 層 を 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と す る 基 底 層 を 点 状 、 ス ド ラ イ ブ 状 又 は 格 子 状 等 の 島 状 態 に エ ッ チ ン グ す る 工 程 と 、 前 記 エ ッ チ ン グ に よ り 形 成 さ れ た 点 状 、 ス ト ラ イ ブ 状 又 は 格 子 状 等 の 島 状 態 の 前 記 基 底 層 の 段 差 の 上 段 の 上 面 の 前 記 マ ス ク を 有 し た ま ま 、 側 面 を 核 と し て 、 前 記 マ ス ク 上 に は ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し な い 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を 縦 及 び 横 方 向 ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 さ せ る 工 程 と を 有 す る こ と を 特 徴 と す る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 。
2 . 前 記 基 底 層 は 基 板 上 に 形 成 さ れ て お り 、 前 記 エ ツ チ ン''グ は 前 記 基 板 が 露 出 す る ま で 行 わ れ る こ と を 特 徴 と す る 請 求 項 1 に 記 載 の I I I 族 窒 化 物 系 ィヒ 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 。
3 . 前 記 段 差 の 深 さ と 幅 と の 関 係 は 、 段 差 の 底 部 か ら の 縦 方 向 成 長 に よ り 段 差 が 埋 め ら れ る よ り も 、 側 面 か ら の 横 方 向 成 長 に よ り 段 差 が 塞 が れ る 方 が早 い よ う 形 成 さ れ る こ と を 特 徴 と す る 請 求 項 1 又 は 請 求 項 2 に 記 載 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 。
4 . 前 記 段 差 の 側 面 は 、 略 全 部 が { 1 1 一 2 0 } 面 で あ る こ と を 特 徴 と す る 請 求 項 1 乃 至 請 求 項 3 の い ず れ か 1 項 に 記 載 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法
5 . 前 記 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と 前 記 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 と が 同 組 成 で あ る こ と を 特 徴 と す る 請 求 項 1 乃 至 請 求 項 4 の い ず れ か 1 項 に 記 載 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 。
6 . 前 記 基 底 層 は 、 前 記 基 板 上 に 形 成 さ れ た バ ッ フ ァ 層 、 及 び こ の ノ ヅ フ ァ 層 上 に ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 し た I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 を 1 周 期 と し て 、 複 数 周 期 形 成 さ れ た 層 で あ る こ と を 特 徴 と す る 請 求 項 2 乃 至 請 求 項 5 の い ず れ か 1 項 に 記 載 の I I I 族窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 。
7 . 前 記 基 底 層 に お い て 、 前 記 ノ ッ フ ァ 層 と 隣 り 合 う 前 記 I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 と は 、 組 成 又 は 形 成 温 度 が 異 な る こ と を 特 徴 と す る 請 求 項 6 に 記 載 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 。
8 . 前 記 第 1 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 層 に は 主 た る 構 成 元 素 よ り 原 子 半 径 の 大 き な 元 素 に よ り 一 部 置 換 さ れ て い る 又 は ド 一 プ さ れ て い る こ と を 特 徴 と す る 請 求 項 1 乃 至 請 求 項 7 の い ず れ か 1 項 に 記 載 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 。
9 . 請 求 項 1 乃 至 請 求 項 8 の い ず れ か 1 項 に 記 載 の
I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に お い て 、 第 2 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 を ェ ピ タ キ シ ャ ル 成 長 さ せ る 前 に 、 段 差 の 底 部 を 覆 う よ う 、 第 2 の マ ス ク を 形 成 す る 工 程 を 含 む こ と を 特 徴 と す る I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 。
1 0 . 請 求 項 1 乃 至 請 求 項 9 の い ず れ か 1 項 に 記 載 の I I I 族 窒 化 物 系 化 合 物 半 導 体 の 製 造 方 法 に よ り 製 造 し
° m.
ø tl 6# ^ q> ^ (¾ q ^ in § ; 襯 ¾ ¾ ^ ¾ ¾ 01
^ ^ ^ ^ m i in HI q i ^ 2 ' ¾ - 剁 ^ 剁 W li T ® ^ つ ¥ K ^ エ ^ ^
Ύ 7 ^ ω ^ ^ ^ ^ ^ m wi 111 m si i¾ ΐ 1: j- ^ G9 6 a * 11 s i a * 11 - τ τ
。 丄 - 案 ¾ ¾ 古 (¾ ¾ 呦 ¾ I I I ?- 4- s » 章 ¾ 余 呦 ^ q 呦 ¾ 111 © ¾ ¾ x » ¾
繳 っ 士 案 ^ ホ - 71 m τ ω ^ ¾ ¾ n w- · ^ ^ ェ ! ^ 褂 o ii ^ q> ¾ f# q ¾ M ill 01 m
TZl60/00df/X3d 66.817/Ϊ0 OAV
PCT/JP2000/009121 1999-12-24 2000-12-21 Procédé permettant de produire un semi-conducteur à base de composé nitrure du groupe iii, et dispositif à semi-conducteurs à base de composé nitrure du groupe iii WO2001048799A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/168,629 US6830948B2 (en) 1999-12-24 2000-12-21 Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device
AU24006/01A AU776768B2 (en) 1999-12-24 2000-12-21 Method for producing group III nitride compound semiconductor and group III nitride compound semiconductor device
EP00987700A EP1263031A1 (en) 1999-12-24 2000-12-21 Method for producing group iii nitride compound semiconductor and group iii nitride compound semiconductor device
CA002398525A CA2398525A1 (en) 1999-12-24 2000-12-21 Method for fabricating group iii nitride compound semiconductors and group iii nitride compound semiconductor devices

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-367613 1999-12-24
JP36761399A JP2001185493A (ja) 1999-12-24 1999-12-24 Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2001048799A1 true WO2001048799A1 (fr) 2001-07-05

Family

ID=18489757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2000/009121 WO2001048799A1 (fr) 1999-12-24 2000-12-21 Procédé permettant de produire un semi-conducteur à base de composé nitrure du groupe iii, et dispositif à semi-conducteurs à base de composé nitrure du groupe iii

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6830948B2 (ja)
EP (1) EP1263031A1 (ja)
JP (1) JP2001185493A (ja)
KR (1) KR100500863B1 (ja)
CN (1) CN1189920C (ja)
AU (1) AU776768B2 (ja)
CA (1) CA2398525A1 (ja)
WO (1) WO2001048799A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7579263B2 (en) * 2003-09-09 2009-08-25 Stc.Unm Threading-dislocation-free nanoheteroepitaxy of Ge on Si using self-directed touch-down of Ge through a thin SiO2 layer

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265289B1 (en) * 1998-06-10 2001-07-24 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from sidewalls into trenches, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
JP2001267242A (ja) 2000-03-14 2001-09-28 Toyoda Gosei Co Ltd Iii族窒化物系化合物半導体及びその製造方法
JP2003092426A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
KR100504180B1 (ko) * 2003-01-29 2005-07-28 엘지전자 주식회사 질화물 화합물 반도체의 결정성장 방법
DE10320160A1 (de) * 2003-02-14 2004-08-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterkörper und elektronischer Halbleiterkörper
TWI255052B (en) * 2003-02-14 2006-05-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method to produce a number of semiconductor-bodies and electronic semiconductor-bodies
FR2853141A1 (fr) * 2003-03-26 2004-10-01 Kyocera Corp Appareil a semi-conducteur, procede pour faire croitre un semi-conducteur a nitrure et procede de production d'un appareil a semi-conducteur
KR100525545B1 (ko) * 2003-06-25 2005-10-31 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8562738B2 (en) 2004-03-11 2013-10-22 Epistar Corporation Nitride-based light-emitting device
US9524869B2 (en) 2004-03-11 2016-12-20 Epistar Corporation Nitride-based semiconductor light-emitting device
US7928424B2 (en) * 2004-03-11 2011-04-19 Epistar Corporation Nitride-based light-emitting device
US20080163814A1 (en) * 2006-12-12 2008-07-10 The Regents Of The University Of California CRYSTAL GROWTH OF M-PLANE AND SEMIPOLAR PLANES OF (Al, In, Ga, B)N ON VARIOUS SUBSTRATES
KR100580751B1 (ko) * 2004-12-23 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TW200703463A (en) 2005-05-31 2007-01-16 Univ California Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO)
JP5128075B2 (ja) * 2006-01-30 2013-01-23 浜松ホトニクス株式会社 化合物半導体基板、その製造方法及び半導体デバイス
KR20070079528A (ko) * 2006-02-02 2007-08-07 서울옵토디바이스주식회사 질화물 반도체 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
JP2008177525A (ja) * 2006-12-20 2008-07-31 Showa Denko Kk Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
US7663148B2 (en) * 2006-12-22 2010-02-16 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced strain light emitting layer
TW200828624A (en) * 2006-12-27 2008-07-01 Epistar Corp Light-emitting diode and method for manufacturing the same
WO2008115135A1 (en) 2007-03-16 2008-09-25 Sebastian Lourdudoss Semiconductor heterostructures and manufacturing thereof
JP4714712B2 (ja) * 2007-07-04 2011-06-29 昭和電工株式会社 Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
CN100530726C (zh) * 2007-11-30 2009-08-19 华南师范大学 Ⅲ-ⅴ族金属氧化物半导体发光场效应晶体管及其制备方法
JP2009277882A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Showa Denko Kk Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法及びiii族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
US8377796B2 (en) * 2008-08-11 2013-02-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. III-V compound semiconductor epitaxy from a non-III-V substrate
US8803189B2 (en) * 2008-08-11 2014-08-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. III-V compound semiconductor epitaxy using lateral overgrowth
GB0911134D0 (en) * 2009-06-26 2009-08-12 Univ Surrey Optoelectronic devices
WO2011022724A1 (en) * 2009-08-21 2011-02-24 The Regents Of The University Of California Semipolar nitride-based devices on partially or fully relaxed alloys with misfit dislocations at the heterointerface
WO2011022730A1 (en) 2009-08-21 2011-02-24 The Regents Of The University Of California Anisotropic strain control in semipolar nitride quantum wells by partially or fully relaxed aluminum indium gallium nitride layers with misfit dislocations
GB2488587B (en) * 2011-03-03 2015-07-29 Seren Photonics Ltd Semiconductor devices and fabrication methods
US8946788B2 (en) * 2011-08-04 2015-02-03 Avogy, Inc. Method and system for doping control in gallium nitride based devices
TWI617045B (zh) * 2012-07-06 2018-03-01 晶元光電股份有限公司 具有奈米柱之發光元件及其製造方法
TWI535055B (zh) 2012-11-19 2016-05-21 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
TWI524551B (zh) 2012-11-19 2016-03-01 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
US10153394B2 (en) 2012-11-19 2018-12-11 Genesis Photonics Inc. Semiconductor structure
CN108565319B (zh) * 2013-01-25 2020-10-02 新世纪光电股份有限公司 氮化物半导体结构及半导体发光元件
US9064699B2 (en) * 2013-09-30 2015-06-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming semiconductor patterns including reduced dislocation defects and devices formed using such methods
US9640422B2 (en) * 2014-01-23 2017-05-02 Intel Corporation III-N devices in Si trenches
WO2015163908A1 (en) 2014-04-25 2015-10-29 The Texas State University-San Marcos Material selective regrowth structure and method
CN107170666A (zh) * 2017-05-25 2017-09-15 东南大学 一种非极性ⅲ族氮化物外延薄膜
CN109360875A (zh) * 2018-12-04 2019-02-19 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 半导体构件及其制造方法
CN113964043A (zh) * 2020-07-20 2022-01-21 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
CN113964252A (zh) * 2020-07-21 2022-01-21 苏州晶湛半导体有限公司 半导体结构及其制备方法
CN113380603B (zh) * 2021-05-18 2022-05-17 厦门大学 高硼组分二维iii族多元氮化物混合晶体及其制备方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07249830A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Hitachi Ltd 半導体発光素子の製造方法
JPH1131864A (ja) * 1997-07-11 1999-02-02 Nec Corp 低転位窒化ガリウムの結晶成長方法
JPH11191659A (ja) * 1997-10-09 1999-07-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JPH11219910A (ja) * 1997-11-26 1999-08-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JPH11312825A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JPH11329971A (ja) * 1998-05-18 1999-11-30 Sharp Corp 結晶基板およびGaN系結晶膜の製造方法
JPH11340508A (ja) * 1998-05-28 1999-12-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP2000021789A (ja) * 1997-08-29 2000-01-21 Toshiba Corp 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
JP2000124500A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Toshiba Corp 窒化ガリウム系半導体装置
JP2000232239A (ja) * 1998-12-08 2000-08-22 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP2000244061A (ja) * 1998-12-21 2000-09-08 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP2000277437A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP2000299497A (ja) * 1999-02-09 2000-10-24 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5143944B2 (ja) 1972-03-15 1976-11-25
JPS51137393A (en) 1975-05-22 1976-11-27 Mitsubishi Electric Corp Manufacturing method for semiconductor light emitting device
JPS5534646A (en) 1978-08-30 1980-03-11 Sumitomo Metal Ind Ltd Heating method for furnace body in blowing-in of shaft furnace
JPS57115849A (en) 1981-01-12 1982-07-19 Fujitsu Ltd Manufacture of substrate for semiconductor device
JPS5833882A (ja) 1981-08-21 1983-02-28 Mitsubishi Electric Corp 発光ダイオ−ドの製造方法
JPH01316459A (ja) 1988-06-15 1989-12-21 Murata Mfg Co Ltd インラインスパッタリング装置およびその方法
JP2768988B2 (ja) 1989-08-17 1998-06-25 三菱電機株式会社 端面部分コーティング方法
JPH06105797B2 (ja) 1989-10-19 1994-12-21 昭和電工株式会社 半導体基板及びその製造方法
JP2623464B2 (ja) 1990-04-27 1997-06-25 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH0484418A (ja) 1990-07-27 1992-03-17 Nec Corp 異種基板上への3―v族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法
JPH04303920A (ja) 1991-03-29 1992-10-27 Nec Corp Iv族基板上の絶縁膜/iii −v族化合物半導体積層構造
JP2954743B2 (ja) 1991-05-30 1999-09-27 京セラ株式会社 半導体発光装置の製造方法
JPH05110206A (ja) 1991-10-16 1993-04-30 Kubota Corp 半導体発光素子の製造方法及びその製造装置
JP3352712B2 (ja) 1991-12-18 2002-12-03 浩 天野 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
JPH05283744A (ja) 1991-12-20 1993-10-29 Toshiba Corp 半導体素子
JP2751963B2 (ja) 1992-06-10 1998-05-18 日亜化学工業株式会社 窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
JPH07273367A (ja) 1994-04-01 1995-10-20 Mitsubishi Cable Ind Ltd 半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法
JP3974667B2 (ja) 1994-08-22 2007-09-12 ローム株式会社 半導体発光素子の製法
JPH0864791A (ja) 1994-08-23 1996-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd エピタキシャル成長方法
JP3326545B2 (ja) 1994-09-30 2002-09-24 ローム株式会社 半導体発光素子
JPH08222812A (ja) 1995-02-17 1996-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
JPH08274411A (ja) 1995-03-31 1996-10-18 Hitachi Ltd 半導体レーザ素子
DE69633203T2 (de) 1995-09-18 2005-09-01 Hitachi, Ltd. Halbleiterlaservorrichtungen
JP3396356B2 (ja) 1995-12-11 2003-04-14 三菱電機株式会社 半導体装置,及びその製造方法
US5798536A (en) 1996-01-25 1998-08-25 Rohm Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device and method for manufacturing the same
FR2747064B1 (fr) 1996-04-03 1998-05-15 Air Liquide Procede et dispositif de reduction des emissions d'ozone produites lors d'une operation de soudage a l'arc sous gaz de protection
JP3139445B2 (ja) 1997-03-13 2001-02-26 日本電気株式会社 GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜
JPH11191657A (ja) 1997-04-11 1999-07-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
ATE550461T1 (de) 1997-04-11 2012-04-15 Nichia Corp Wachstumsmethode für einen nitrid-halbleiter
DE19715572A1 (de) 1997-04-15 1998-10-22 Telefunken Microelectron Verfahren zum Herstellen von epitaktischen Schichten eines Verbindungshalbleiters auf einkristallinem Silizium und daraus hergestellte Leuchtdiode
JPH10321954A (ja) 1997-05-15 1998-12-04 Fuji Electric Co Ltd Iii 族窒化物半導体素子およびその製造方法
JP3551751B2 (ja) 1997-05-16 2004-08-11 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法
JP2002511831A (ja) 1997-07-03 2002-04-16 シービーエル テクノロジーズ エピタキシャル蒸着により自立形基板を形成する熱的不整合の補償
JPH1143398A (ja) 1997-07-22 1999-02-16 Mitsubishi Cable Ind Ltd GaN系結晶成長用基板およびその用途
JPH11135770A (ja) 1997-09-01 1999-05-21 Sumitomo Chem Co Ltd 3−5族化合物半導体とその製造方法および半導体素子
JPH11145519A (ja) 1997-09-02 1999-05-28 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置
JPH11135832A (ja) 1997-10-26 1999-05-21 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
JP3036495B2 (ja) 1997-11-07 2000-04-24 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP3620269B2 (ja) 1998-02-27 2005-02-16 豊田合成株式会社 GaN系半導体素子の製造方法
US6051849A (en) 1998-02-27 2000-04-18 North Carolina State University Gallium nitride semiconductor structures including a lateral gallium nitride layer that extends from an underlying gallium nitride layer
JP3839580B2 (ja) 1998-03-09 2006-11-01 株式会社リコー 半導体基板の製造方法
JPH11274082A (ja) 1998-03-24 1999-10-08 Fuji Electric Co Ltd Iii 族窒化物半導体およびその製造方法、およびiii 族窒化物半導体装置
US6500257B1 (en) 1998-04-17 2002-12-31 Agilent Technologies, Inc. Epitaxial material grown laterally within a trench and method for producing same
JPH11330546A (ja) 1998-05-12 1999-11-30 Fuji Electric Co Ltd Iii族窒化物半導体およびその製造方法
KR100580307B1 (ko) 1998-07-14 2006-05-16 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 레이저 및 반도체 장치
US6319742B1 (en) 1998-07-29 2001-11-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of forming nitride based semiconductor layer
JP3316479B2 (ja) 1998-07-29 2002-08-19 三洋電機株式会社 半導体素子、半導体発光素子および半導体素子の製造方法
JP3987660B2 (ja) 1998-07-31 2007-10-10 シャープ株式会社 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
JP2000044121A (ja) 1998-08-03 2000-02-15 Murata Mach Ltd 紡績機のスライバ案内クリール
JP3201475B2 (ja) 1998-09-14 2001-08-20 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2000150959A (ja) 1998-11-18 2000-05-30 Hitachi Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2000174393A (ja) 1998-12-04 2000-06-23 Fuji Electric Co Ltd Iii族窒化物半導体およびその製造方法、およびiii族窒化物半導体装置
JP2000261106A (ja) 1999-01-07 2000-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置
JP3594826B2 (ja) 1999-02-09 2004-12-02 パイオニア株式会社 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US6940098B1 (en) 1999-03-17 2005-09-06 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method
JP4231189B2 (ja) 1999-04-14 2009-02-25 パナソニック株式会社 Iii族窒化物系化合物半導体基板の製造方法
TW464953B (en) 1999-04-14 2001-11-21 Matsushita Electronics Corp Method of manufacturing III nitride base compound semiconductor substrate
JP2001044121A (ja) 1999-06-07 2001-02-16 Agilent Technol Inc エピタキシャル層構造及びその製造方法
JP3786544B2 (ja) 1999-06-10 2006-06-14 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子の製造方法及びかかる方法により製造された素子
JP3791246B2 (ja) 1999-06-15 2006-06-28 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法、及びそれを用いた窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体レーザ素子の製造方法
JP2000357820A (ja) 1999-06-15 2000-12-26 Pioneer Electronic Corp 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
JP4005275B2 (ja) 1999-08-19 2007-11-07 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP4274504B2 (ja) 1999-09-20 2009-06-10 キヤノン株式会社 半導体薄膜構造体
JP2001111174A (ja) 1999-10-06 2001-04-20 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体素子用基板およびその製造方法およびその半導体素子用基板を用いた半導体素子
JP4055304B2 (ja) 1999-10-12 2008-03-05 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP2001122693A (ja) 1999-10-22 2001-05-08 Nec Corp 結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法
JP3518455B2 (ja) 1999-12-15 2004-04-12 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体基板の作製方法
US6380108B1 (en) * 1999-12-21 2002-04-30 North Carolina State University Pendeoepitaxial methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on weak posts, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
US6355497B1 (en) 2000-01-18 2002-03-12 Xerox Corporation Removable large area, low defect density films for led and laser diode growth
JP3988018B2 (ja) 2001-01-18 2007-10-10 ソニー株式会社 結晶膜、結晶基板および半導体装置

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07249830A (ja) * 1994-03-10 1995-09-26 Hitachi Ltd 半導体発光素子の製造方法
JPH1131864A (ja) * 1997-07-11 1999-02-02 Nec Corp 低転位窒化ガリウムの結晶成長方法
JP2000021789A (ja) * 1997-08-29 2000-01-21 Toshiba Corp 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
JPH11191659A (ja) * 1997-10-09 1999-07-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JPH11219910A (ja) * 1997-11-26 1999-08-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JPH11312825A (ja) * 1998-04-28 1999-11-09 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JPH11329971A (ja) * 1998-05-18 1999-11-30 Sharp Corp 結晶基板およびGaN系結晶膜の製造方法
JPH11340508A (ja) * 1998-05-28 1999-12-10 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP2000124500A (ja) * 1998-10-15 2000-04-28 Toshiba Corp 窒化ガリウム系半導体装置
JP2000232239A (ja) * 1998-12-08 2000-08-22 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP2000244061A (ja) * 1998-12-21 2000-09-08 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP2000299497A (ja) * 1999-02-09 2000-10-24 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体素子
JP2000277437A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7579263B2 (en) * 2003-09-09 2009-08-25 Stc.Unm Threading-dislocation-free nanoheteroepitaxy of Ge on Si using self-directed touch-down of Ge through a thin SiO2 layer
US7888244B2 (en) 2003-09-09 2011-02-15 Stc.Unm Threading-dislocation-free nanoheteroepitaxy of Ge on Si using self-directed touch-down of Ge through a thin SiO2 layer

Also Published As

Publication number Publication date
AU2400601A (en) 2001-07-09
EP1263031A1 (en) 2002-12-04
JP2001185493A (ja) 2001-07-06
CN1413358A (zh) 2003-04-23
US20030092230A1 (en) 2003-05-15
CN1189920C (zh) 2005-02-16
KR100500863B1 (ko) 2005-07-14
KR20020073484A (ko) 2002-09-26
AU776768B2 (en) 2004-09-23
CA2398525A1 (en) 2001-07-05
US6830948B2 (en) 2004-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2001048799A1 (fr) Procédé permettant de produire un semi-conducteur à base de composé nitrure du groupe iii, et dispositif à semi-conducteurs à base de composé nitrure du groupe iii
US6489636B1 (en) Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
JP4432180B2 (ja) Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法、iii族窒化物系化合物半導体素子及びiii族窒化物系化合物半導体
US6841808B2 (en) Group III nitride compound semiconductor device and method for producing the same
US6635904B2 (en) Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices
US6635901B2 (en) Semiconductor device including an InGaAIN layer
JP4332720B2 (ja) 半導体素子形成用板状基体の製造方法
JP2001313259A (ja) Iii族窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び半導体素子
WO2001069663A1 (fr) Procede de production de semiconducteur a base de compose de nitrure iii et element en semiconducteur a base de compose de nitrure iii
EP1052684A1 (en) A method for manufacturing group III nitride compound semiconductor and a light-emitting device using group III nitride compound semiconductor
WO2001069662A1 (fr) Semi-conducteur a base d&#39;un compose nitrure du groupe iii et procede de fabrication correspondant
JP2011084469A (ja) GaN単結晶基板の製造方法及びインゴット
WO2002080242A1 (en) Method for manufacturing group-iii nitride compound semiconductor, and group-iii nitride compound semiconductor device
JP2010232464A (ja) Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにレーザダイオード
US20080296626A1 (en) Nitride substrates, thin films, heterostructures and devices for enhanced performance, and methods of making the same
JPWO2018051772A1 (ja) Iii族窒化物積層体、及び該積層体を有する半導体デバイス
JP4406999B2 (ja) Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子
WO2002080243A1 (fr) Methode de production d&#39;un semi-conducteur a base d&#39;un compose de nitriture iii, et element de semi-conducteur a base d&#39;un compose de nitriture iii obtenu par cette methode
JP5065625B2 (ja) GaN単結晶基板の製造方法
WO2002099859A1 (fr) Procede de production d&#39;un semiconducteur au nitrure iii
JP3884969B2 (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP3634255B2 (ja) 窒化物半導体素子のエピタキシャル成長
TW538460B (en) Production method for group III nitride compound semiconductor, group III nitride compound semiconductor device and group III nitride compound semiconductor light-emitting device
JP4051892B2 (ja) Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子
JP4016566B2 (ja) Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CR CU CZ DE DK DM DZ EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TR TT TZ UA UG US UZ VN YU ZA ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GW ML MR NE SN TD TG

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2000987700

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2398525

Country of ref document: CA

Ref document number: 1020027008100

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 008177147

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 24006/01

Country of ref document: AU

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10168629

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020027008100

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2000987700

Country of ref document: EP

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 24006/01

Country of ref document: AU

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1020027008100

Country of ref document: KR