WO2002067266A2 - Verfahren zum beschreiben magnetoresistiver speicherzellen und mit diesem verfahren beschreibbarer magnetoresistiver speicher - Google Patents

Verfahren zum beschreiben magnetoresistiver speicherzellen und mit diesem verfahren beschreibbarer magnetoresistiver speicher Download PDF

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Definitions

  • a magnetoresistive memory cell lies at the intersection of two conductors, a bit line BL and a word line WL, which are generally arranged orthogonally to one another. At the intersection between these conductors there is a multilayer system, which consists of the stacking of a soft and hard magnetic material (ML-free and ML-fixed), between which there is a tunnel oxide (TL) (crosspoint concept).
  • ML-free and ML-fixed tunnel oxide
  • the information is stored by rotating the magnetization of the soft magnetic layer (ML-free) in relation to the direction of magnetization of the hard magnetic layer (ML-fixed).
  • the magnetic fields required for this are generated by currents I WL and I BB , which each flow through the word line WL ' and the bit line BL and overlap at their crossing point.
  • FIG. 1 shows a section of an MRAM memory arrangement constructed in this way, which consists of a matrix arrangement of the memory cells described above.
  • the magnetic field In order to ensure that only a selected cell MTJ is written, the magnetic field must be selected so large that the superimposition of the magnetic fields of the currents I WL and I BL by the selected word line and bit line is sufficient for switching the magnetization, but chosen so small - are switched that neither neighboring cells nor cells that are on the selected lines are switched become. This process is also known as the "half-select" process).
  • MRAM cells are read by determining the resistance of the respective MTJs. If the magnetization directions of ML-free and ML-fixed are oriented in parallel, the (tunnel) spacing of the cell is small, whereas if the orientation is anti-parallel, this resistance is high. Thus, as indicated in FIG. 1, a logical "1" can be assigned to the parallel orientation of the magnetization directions of ML-free and ML-fixed and a logical "0" to the anti-parallel orientation of the magnetization directions.
  • a magnetic field with a component H x and H y is generated by a current I WL flowing in the word line WL and a current I BL flowing in the bit line BL (dashed arrow in FIG. 2b).
  • This field must be present until the direction of magnetization (solid arrow) is oriented along the direction of the magnetic field generated by I L and I BL (Fig. 2c).
  • both currents I WIj and I BL are switched off, and there is no longer any magnetic field from outside (FIG. 2d). It is then hoped that the direction of magnetization (strongly drawn arrow) now assumes the orientation sketched in FIG. 2e, antiparallel to the initial state (the rest magnetization direction according to FIG. 2a).
  • the object of the invention is to enable a method for writing to magnetoresistive memory cells of an MRAM memory which avoids the aging phenomenon so that the lifespan of an MRAM memory is increased and switches more reliably compared to the conventional half-select method and to specify an MRAM memory that can be written to using a method according to the invention.
  • a generic method for writing to magnetoresistive memory cells of an MRAM memory is characterized in that the write currents I WL and I BL are connected to the word line WL and the bit line BL at different times so that the direction of magnetization of the selected memory cell in several successive steps in the direction desired for writing a logical "0" or "1".
  • the method according to the invention can advantageously be developed further in that the write currents I WL and I BI) of the selected memory cell are in each case applied in approximately the same pulse duration and offset in time with respect to one another.
  • the method according to the invention can be carried out in such a way that for writing a logic “1” the write current I BL in the bit line BL flows in the same current flow direction as the write current I WL in the word line WL and with respect to the write current I WL of the word line WL is activated with a delay.
  • An MRAM memory that can be written with this method, with an array of magnetoresistive memory cells and with
  • Word lines and bit lines are provided with a write control circuit which is set up to apply write currents I WL and I B L to the word lines WL and bit line BL of a memory cell MTJ selected for writing, and is characterized in that the
  • Write control circuit has circuit means which connect the write currents I WL and I BL to the word line WL and the bit line BL at a time offset from one another in such a way that the magnetization direction of the selected memory cell in several successive steps into the Writing a logical "0" or "1" direction is rotated.
  • FIG. 1 shows schematically and in perspective the basic structure of an MRAM memory arrangement
  • FIG. 4 shows the implementation of the method shown graphically in FIG. 3 in a pulse-time diagram, which illustrates the current pulses through the word line and the bit line which are staggered relative to one another each time a logical "1" and a logical "0" are written.
  • MRAM memory arrangement constructed in accordance with FIG. 1.
  • the method according to the invention can also be used in MRAMs of a different design, in which the magnetoresistive memory cell is not arranged directly at the point of intersection of the bit line with the word line, and in which a selection transistor or a selection diode are additionally driven by a corresponding selection line.
  • the field components H x and H y or the times of switching on the word line and bit line currents I WL and I BI) are precisely controlled in such a way that this takes place in the known half-select method "Switching" the magnetization is converted into a rotation process of the magnetization that works much more reliably and with a longer service life.
  • FIGS. 3a to 3h which illustrate the chronological sequence of the rotation of the magnetization when writing a logical "1"
  • the asteroids have been omitted for simplification and only the light axis is indicated by a dashed line.
  • the magnetization of the memory cell MTJ is represented by an arrow drawn in black and the magnetic field which is composed of the magnetic field components H y and H x and is induced by the word line current I WL and the bit line current I BL by a double-dashed arrow.
  • FIG. 3a illustrates the initial situation which corresponds to the initial situation shown in FIG. 2a.
  • 3f and 3g is rotated further by a magnetic field which has a component H x pointing only in the x direction until it is finally rotated in the x direction (180 °).
  • 3h shows the currentless final state, which indicates the information content according to a logical "1" of the MRAM memory cell MTJ.
  • the left half of the time diagram in FIG. 4 shows the time sequence a - h of the word line current I WL and the bit line current I BL for writing a logic 1, and the times a - h correspond to the sequence shown in FIGS. 3a - h rotating magnetization as described above.
  • FIG. 4 shows steps a '- h' of the time sequence of the currents I WL and I BL for writing a logical "0" in an MRAM memory cell MTJ. It can be seen that between the times i 'and h' the bit line current I BL flows in the opposite direction through the bit line BL.
  • the current I L through the word line WL and the current I BL through the bit line BL are offset from one another in a defined time. If, for example, the word line current and the bit line current have the same duty cycle, the bit line current I BL can, for example, be applied with a delay of about half the duty cycle compared to the word line current I WL , the direction of current flow of the bit line current I BL being reversed when a logical "0" is written is opposite to the current flow direction of I BL when writing a logic "1".

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen eines MRAM-Speichers, bei dem Schreibströme (I?WL#191, I?BL#191) jeweils einer Wortleitung (WL) und einer Bitleitung (BL) aufgeschaltet werden, wobei eine Überlagerung der durch die Schreibströme erzeugten Magnetfelder in jeder durch die entsprechende Wort- und Bitleitung selektierten Speicherzelle zur Änderung ihrer Magnetisierungsrichtung führt. Bei dem Verfahren werden die Schreibströme (I?WL#191, I?BL#191) zeitlich gegeneinander versetzt der jeweiligen Wortleitung (WL) und Bitleitung (BL) so aufgeschaltet, dass die Magnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten (a - h) in die zum Schreiben einer logischen '0' oder '1' gewünschte Richtung gedreht wird.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen und mit diesem Verfahren beschreibbarer magnetoresistiver Speicher
Bei magnetoresistiven Speichern (MRAM) liegt der Speichereffekt im magnetisch veränderbaren elektrischen Widerstand der Speicherzelle (MTJ) . Bei einer Ausführung liegt eine magne- toresistive Speicherzelle an der Kreuzung zweier Leiter, einer Bitleitung BL und einer Wortleitung WL, die im allgemeinen orthogonal zueinander angeordnet sind. An der Kreuzungsstelle zwischen diesen Leitern befindet sich ein Mehrschichtsystem, welches aus der Übereinanderstapelung eines weich- und hartmagnetischen Materials (ML-free und ML-fixed) besteht, zwischen denen sich ein Tunneloxid (TL) befindet (Crosspoint-Konzept) . Die Informationsspeicherung geschieht dadurch, dass die Magnetisierung der weichmagnetischen Schicht (ML-free) gegenüber der Magnetisierungsrichtung der hartmagnetischen Schicht (ML-fixed) gedreht wird. Die hierzu erforderlichen Magnetfelder werden durch Ströme IWL und IBB erzeugt, die jeweils durch die Wortleitung WL'und die Bitleitung BL fließen und sich an deren Kreuzungspunkt überlagern.
In der beiliegenden Fig. 1 ist ein Abschnitt einer derart aufgebauten MRAM-Speicheranordnung gezeigt, die aus einer Matrixanordnung der oben beschriebenen Speicherzellen besteht. Um sicherzustellen, dass nur eine gewählte Zelle MTJ beschrieben wird, muss das Magnetfeld genau so groß gewählt werden, dass die Überlagerung der Magnetfelder der Ströme IWL und IBL durch die selektierte Wortleitung und Bitleitung zum Schalten der Magnetisierung ausreicht, jedoch so klein gewählt -werden, dass weder benachbarte Zellen, noch Zellen, die sich an den selektierten Leitungen befinden, geschaltet werden. Dieses Verfahren wird auch als "Half-Select"- Verfahren) bezeichnet.
Das Lesen von MRAM-Zellen erfolgt über die Bestimmung des Widerstands der jeweiligen MTJs. Bei paralleler Orientierung der Magnetisierungsrichtungen von ML-free und ML-fixed ist der (Tunnel-) iderstand der Zelle klein, während bei antiparalleler Orientierung dieser Widerstand groß ist. Somit kann man, wie in Fig. 1 angedeutet, der parallelen Orientie- rung der Magnetisierungsrichtungen von ML-free und ML-fixed eine logische "1" und der antiparallelen Orientierung der Magnetisierungsrichtungen eine logische "0" zuordnen.
Bei häufigem Beschreiben eines MTJs wurde eine Alterung der Zellen registriert. Dies bedeutet, dass mit steigender Anzahl von Schreibzyklen der Unterschied des Widerstands der MTJs jeweils zwischen paralleler Orientierung ("1") und antiparalleler Orientierung ("0") sinkt und somit der Informationsinhalt der Zelle immer schwieriger zu bestimmen wird. Außerdem wird häufig beobachtet, dass zu beschreibende Zellen nicht zuverlässig schalten. Diese Probleme lassen sich mit dem bisher verwendeten "Half-Select"-Verfahren nicht lösen, und es sind auch keine anderen Lösungen bekannt.
Nachstehend werden die im Stand der Technik auftretenden Probleme noch genauer bezogen auf die Fig. 2 beispielhaft beim Einschreiben einer logischen "1" erläutert. Ohne äußeres Feld ist die Magnetisierung in dünnen magnetischen Schichten (hier von ML-free) entlang einer ausgezeichneten Richtung orientiert, der sogenannten leichten Achse, die in Fig. 2 gestrichelt gezeichnet ist. Der stark ausgezogen gezeichnete Pfeil in den Fig. 2a und 2b gibt somit die Magnetisierungsrichtung (von ML-free) der magnetoresistiven Speicherzelle MTJ solange keine Einwirkung eines durch einen Strom in der Bitleitung BL und/oder der Wortleitung WL erzeugten äußeren Magnetfeldes auftritt. Um die durch den stark ausgezogenen Pfeil in Fig. 2a und 2b angedeutete (Ruhe-) Magnetisierungsrichtung zu ändern, uss ein äußeres Feld angelegt werden, welches außerhalb des durch die schraffierte Fläche angedeuteten Schaltbereichs (der sogenannten Aste- roide) liegt. Schaltet man mit nur einer Feldkomponente
(beispielsweise Hx) benötigt man relativ große Felder. Nutzt man dagegen beide Feldkomponenten Hx und Hy, benötigt man betragsmäßig kleinere Felder zum Schalten.
Somit wird gemäß den Fig. 2b und 2c ein Magnetfeld mit einer Komponente Hx und Hy durch einen in der Wortleitung WL fließenden Strom IWL und einen in der Bitleitung BL fließenden Strom IBL erzeugt (gestrichelter Pfeil in Fig. 2b) . Dieses Feld muss solange anliegen, bis die Magnetisierungsrichtung (stark ausgezogener Pfeil) entlang der Richtung des durch IL und IBL erzeugten Magnetfelds orientiert ist (Fig. 2c) . Dann werden beide Ströme IWIj und IBL ausgeschaltet, und es liegt kein Magnetfeld mehr von außen an (Fig. 2d) . Man hofft dann, dass die Magnetisierungsrichtung (stark ausgezogener Pfeil) nun die in Fig. 2e skizzierte Ausrichtung, antiparallel zum Ausgangszustand (der Ruhe-Magnetisierungsrichtung gemäß Fig. 2a) einnimmt.
Da dieses Verfahren, wie schon erwähnt, nicht zuverlässig ist und zum Altern der Zelle führt, ist es Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen eines MRAM-Speichers zu ermöglichen, welches das Alterungsphänomen vermeidet, damit die Lebensdauer eines MRAM-Speichers vergrößert und verglichen mit dem üblichen Half-Select-Verfahren zuverlässiger schaltet sowie einen mit einem erfindungsgemäßen Verfahren beschreibbaren MRAM- Speicher anzugeben.
Diese Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst. Ein gattungsgemäßes Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen eines MRAM-Speichers zeichnet sich gemäß einem wesentlichen Aspekt der Erfindung dadurch aus, dass die Schreibströme IWL und IBL zeitlich gegeneinander versetzt der Wortleitung WL und der Bitleitung BL so aufgeschaltet werden, dass die Magnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten in die zum Schreiben einer logischen "0" oder "1" gewünschte Richtung gedreht wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann dadurch vorteilhaft weitergebildet werden, dass die Schreibströme IWL und IBI) der gewählten Speicherzelle j eweils in annähernd gleicher Impulsdauer und zeitlich gegeneinander versetzt aufgeschaltet wer- den.
Dann kann das erfindungsgemäße Verfahren so durchgeführt werden, dass zum Schreiben einer logischen "1" der Schreibstrom IBL in der Bitleitung BL in der gleichen Strom- flussrichtung wie der Schreibstrom IWL in der Wortleitung WL fließt und gegenüber dem Schreibstrom IWL der Wortleitung WL verzögert aufgeschaltet wird.
Ein mit diesem Verfahren beschreibbarer MRAM-Speicher mit einem Array aus magnetoresistiven Speicherzellen und mit
Wortleitungen und Bitleitungen ist mit einer Schreibsteuerschaltung versehen, die zum Aufschalten von Schreibströmen IWL und IBL j eweils auf die Wortleitung WL und Bitleitung BL einer zum Schreiben ausgewählten Speicherzelle MTJ einge- richtet ist, und zeichnet sich dadurch aus , dass die
Schreibsteuerschaltung Schaltungsmittel aufweist, die die Schreibströme IWL und IBL zeitlich gegeneinander versetzt der Wortleitung WL und der Bitleitung BL so aufschalten, dass die Magnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten in die zum Schreiben einer logischen "0" oder "1" gewünschte Richtung gedreht wird.
Nachstehend wird das erfindungsgemäße Verfahren in einem Ausführungsbeispiel bezogen auf die Zeichnung näher erläutert. Die Zeichnungsfiguren zeigen im einzelnen:
Fig. 1 schematisch und perspektivisch den grundsätzlichen Aufbau einer MRAM-Speicheranordnung,
Fig. 2a-2e grafisch das Schalten der Magnetisierungsrichtung beim bekannten Half-Select-Verfahren,
Fig. 3a-3h ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Schreibverfahrens durch Anlegen eines zeitgesteuerten äußeren Magnetfeldes, und
Fig. 4 die Umsetzung des in Fig. 3 grafisch dargestellten Verfahrens in ein Impuls-Zeitdiagramm, wel- ches die gegeneinander zeitversetzten Stromimpulse durch die Wortleitung und die Bitleitung jeweils beim Schreiben einer logischen "1" und einer logischen "0" veranschaulicht.
Die nachstehende Beschreibung setzt beispielhaft eine gemäß Fig. 1 aufgebaute MRAM-Speicheranordnung voraus. Es muß jedoch bemerkt werden, dass das erfindungsgemäße Verfahren auch bei anders aufgebauten MRAMs anwendbar ist, bei denen die magnetoresistive Speicherzelle nicht ummittelbar am Kreuzungspunkt der Bitleitung mit der Wortleitung angeordnet ist und bei denen zusätzlich ein Auswahltransistor oder eine Auswahldiode durch eine entsprechende Auswahlleitung angesteuert werden.
Bei dem in Fig. 3 grafisch und in Fig. 4 durch ein Impuls- Zeitdiagramm veranschaulichten erfindungsgemäßen Schreibver- fahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen eines MRAM-Speichers werden die Feldkomponenten Hx und Hy bzw. die Zeiten des Aufschaltens der Wortleitungs- und Bitleitungsströme IWL und IBI) exakt so kontrolliert, dass das im be- kannten Half-Select-Verfahren stattfindende "Schalten" der Magnetisierung in einen Rotationsprozess der Magnetisierung überführt wird, der wesentlich zuverlässiger und langlebiger arbeitet.
In den grafischen Darstellungen der Fig. 3a bis Fig. 3h, die die zeitliche Abfolge der Rotation der Magnetisierung beim Schreiben einer logischen "1" veranschaulichen, ist zur Vereinfachung die Asteroide weggelassen und nur die leichte Achse durch eine gestrichelte Gerade angedeutet. Wie in Fig. 2 ist die Magnetisierung der Speicherzelle MTJ durch einen stark schwarz gezeichneten Pfeil und das sich aus den Magnetfeldkomponenten Hy und Hx zusammensetzende durch den Wortleitungsstrom IWL und den Bitleitungsstrom IBL induzierte Magnetfeld durch einen doppelt gestrichelten Pfeil darge- stellt. Fig. 3a veranschaulicht die Ausgangssituation, die der in Fig. 2a dargestellten Ausgangssituation entspricht. In den Fig. 3b und 3c liegt zunächst, induziert durch die Ströme IWL und IBL, ein Magnetfeld Hy nur in y-Richtung an, welches die Magnetisierung der MRAM-Speicherzelle MTJ zu- nächst um einen Winkel zwischen 0° und 90° dreht (Fig. 3c) . Dann wird, wenn beide Ströme IWL und IB fließen, das Magnetfeld mit etwa gleich großen Komponenten Hx und Hy in x- und y-Richtung erzeugt, wodurch sich die Magnetisierungsrichtung (starker Pfeil) weiter dreht und einen Winkel im Bereich zwischen 90° und 180° annimmt (Fig. 3e) . Endlich wird durch ein Magnetfeld, das eine lediglich in x-Richtung weisende Komponente Hx hat, die Magnetisierungsrichtung gemäß den Fig. 3f und 3g weiter gedreht, bis sie schließlich in x-Richtung (180°) gedreht ist. Fig. 3h zeigt den stromlosen Endzustand, der den Informationsgehalt gemäß einer logischen "1" der MRAM-Speicherzelle MTJ angibt. Das Zeitdiagramm in Fig. 4 zeigt in seiner linken Hälfte die Zeitfolge a - h des Wortleitungsstroms IWL und des Bitleitungsstroms IBL zum Schreiben einer logischen 1, und die Zeitpunkte a - h entsprechen der in Fig. 3a - h gezeigten Folge der dadurch sich drehenden Magnetisierung, wie sie oben beschrieben wurde.
Die rechte Hälfte der Fig. 4 zeigt in gleicher Weise Schrit- te a' - h' der zeitlichen Abfolge der Ströme IWL und IBL zum Schreiben einer logischen "0" in eine MRAM-Speicherzelle MTJ. Es ist ersichtlich, dass zwischen den Zeitpunkten i' und h' der Bitleitungsstrom IBL in umgekehrter Richtung durch die Bitleitung BL fließt.
Zur Durchführung der erfindungsgemäß vorgeschlagenen schrittweisen Rotation der Magnetisierung ist es somit unbedingt nötig, dass der Strom IL durch die Wortleitung WL und der Strom IBL durch die Bitleitung BL zeitlich gegeneinander definiert versetzt sind. Wenn zum Beispiel der Wortleitungsstrom und der Bitleitungsstrom gleiche Einschaltdauer haben, so kann der Bitleitungsstrom IBL z.B. etwa um die halbe Einschaltdauer gegenüber dem Wortleitungsstrom IWL verzögert angelegt werden, wobei die Stromflussrichtung des Bitleitungs- Stroms IBL beim Schreiben einer logischen "0" umgekehrt ist gegenüber der Stromflussrichtung von IBL beim Schreiben einer logischen "1".
Die erfindungsgemäße und oben anhand der Figuren beschriebe- ne kontrollierte Rotation der Magnetisierung der MRAM- Speicherzelle MTJ vermeidet das beim bekannten Half-Select- Verfahren auftretende Alterungsphänomen, verlängert dadurch die Lebensdauer der MRAM-Zellen und schaltet zuverlässiger im Vergleich mit dem herkömmlichen Verfahren. P>
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Bezugszeichenliste
BL Bitleitung
WL Wortleitung
ML-free freie Magnetlage (weichmagnetische Schicht)
ML-fixed feste Magnetlage (hartmagnetische Schicht)
TL Tunnellage (Tunneloxid)
MTJ Magnetic Tunnel Junction (magnetoresistive
Speicherzelle) IBL Strom durch die Bitleitung BL
IW Strom durch die Wortleitung WL
Hx Magnetfeldkomponente in x-Richtung
Hy Magnetfeldkomponente in y-Richtung a - h aufeinander Schritte beim Drehen der Magnetisierungsrichtung aufeinander Schritte beim Drehen der Magnetisierungsrichtung

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Beschreiben magnetoresistiver Speicherzellen eines MRAM-Speichers, bei dem Schreibströme (IWL, IBL) je- weils einer Wortleitung (WL) und einer Bitleitung (BL) so aufgeschaltet werden, dass eine Überlagerung der durch die Schreibströme erzeugten Magnetfelder (HX(IBL) , Hy(IL)) in jeder durch die entsprechende Wort- und Bitleitung (WL, BL) selektierten Speicherzelle (MTJ) zur Änderung ihrer Magneti- sierungsrichtung führt, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Schreibströme (IWL, IBL) zeitlich gegeneinander ver- ' setzt der jeweiligen Wortleitung (WL) und Bitleitung (BL) so aufgeschaltet werden, dass die Magnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle (MTJ) in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten in die zum Schreiben einer logischen "0" oder "1" gewünschte Richtung gedreht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Schreibströme (IW / IBL) für die gewählte Speicherzelle (MTJ) jeweils in annähernd gleicher Dauer und gegeneinander zeitlich versetzt aufgeschaltet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass zum Schreiben einer logischen "1" in die gewählte Speicherzelle (MTJ) der Schreibstrom (IBTj) in der Bitleitung (BL) in der gleichen Stromflussrichtung wie der Schreibstrom (IWL) der Wortleitung (WL) fließt und gegenüber dem Schreibstrom (IWL) der Wortleitung (WL) verzögert aufgeschaltet wird.
4. MRAM-Speicheranordnung mit einem Array aus magnetoresistiven Speicherzellen (MTJ) und mit Wortleitungen (WL) und Bitleitungen (BL) , wobei eine Schreibsteuerschaltung zum
Aufschalten von Schreibströmen (IWL und IBL) jeweils auf die Wortleitung (WL) und Bitleitung (BL) einer zum Schreiben ausgewählten Speicherzelle (MTJ) eingerichtet ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Schreibsteuerschaltung Schaltungsmittel aufweist, die die Schreibströme (IWL, IBL) zeitlich gegeneinander versetzt jeweils der entsprechenden Wortleitung (WL) und der entsprechenden Bitleitung (BL) so aufschalten, dass die Magnetisierungsrichtung der selektierten Speicherzelle in mehreren aufeinanderfolgenden Schritten in die zum Schreiben einer logischen "0" oder "1" gewünschte Richtung gedreht wird.
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