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VeröffentlichungsnummerWO2002089214 A1
PublikationstypAnmeldung
AnmeldenummerPCT/US2002/007307
Veröffentlichungsdatum7. Nov. 2002
Eingetragen11. März 2002
Prioritätsdatum1. Mai 2001
Auch veröffentlicht unterCA2445592A1, CN1263152C, CN1505841A, EP1388172A1, US6369422, US6486031, US20020164856
VeröffentlichungsnummerPCT/2002/7307, PCT/US/2/007307, PCT/US/2/07307, PCT/US/2002/007307, PCT/US/2002/07307, PCT/US2/007307, PCT/US2/07307, PCT/US2002/007307, PCT/US2002/07307, PCT/US2002007307, PCT/US200207307, PCT/US2007307, PCT/US207307, WO 02089214 A1, WO 02089214A1, WO 2002/089214 A1, WO 2002089214 A1, WO 2002089214A1, WO-A1-02089214, WO-A1-2002089214, WO02089214 A1, WO02089214A1, WO2002/089214A1, WO2002089214 A1, WO2002089214A1
ErfinderBohumil Lojek
AntragstellerAtmel Corporation
Zitat exportierenBiBTeX, EndNote, RefMan
Externe Links:  Patentscope, Espacenet
Eeprom cell with asymmetric thin window
WO 2002089214 A1
Zusammenfassung  auf Englisch verfügbar
Beschreibung  auf Englisch verfügbar
Patentzitate
Zitiertes PatentEingetragen Veröffentlichungsdatum Antragsteller Titel
EP0994512A1 *15. Okt. 199819. Apr. 2000SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.Verfahren zum Herstellen von nicht selbstausgerichteten, FLOTOX-EEPROM-speicherzellen
EP1094510A1 *18. Okt. 200025. Apr. 2001Sgs-Thomson Microelectronics S.A.Herstellungsverfahren von EEPROM-Speicherstellen
US5904524 *3. März 199718. Mai 1999Altera CorporationMethod of making scalable tunnel oxide window with no isolation edges
US5953254 *4. Sept. 199714. Sept. 1999Azalea Microelectronics Corp.Serial flash memory
US5972752 *29. Dez. 199726. Okt. 1999United Semiconductor Corp.Method of manufacturing a flash memory cell having a tunnel oxide with a long narrow top profile
Klassifizierungen
Internationale KlassifikationH01L27/115, H01L21/8247, H01L29/792, H01L29/423, H01L29/788, H01L21/28
UnternehmensklassifikationH01L27/11521, H01L21/28273, H01L29/42324, H01L27/115, H01L27/11524, H01L29/7883
Europäische KlassifikationH01L27/115F4N, H01L21/28F, H01L29/423D2B2, H01L29/788B4, H01L27/115, H01L27/115F4
Juristische Ereignisse
DatumCodeEreignisBeschreibung
7. Nov. 2002AKDesignated states
Kind code of ref document: A1
Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ OM PH PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG UZ VN YU ZA ZM ZW
7. Nov. 2002ALDesignated countries for regional patents
Kind code of ref document: A1
Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG
27. Dez. 2002DFPERequest for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
2. Jan. 2003121Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
16. Okt. 2003WWEWipo information: entry into national phase
Ref document number: 2002715090
Country of ref document: EP
27. Okt. 2003WWEWipo information: entry into national phase
Ref document number: 2445592
Country of ref document: CA
28. Okt. 2003WWEWipo information: entry into national phase
Ref document number: 2002586408
Country of ref document: JP
30. Okt. 2003WWEWipo information: entry into national phase
Ref document number: 028091337
Country of ref document: CN
11. Febr. 2004WWPWipo information: published in national office
Ref document number: 2002715090
Country of ref document: EP
11. März 2004REGReference to national code
Ref country code: DE
Ref legal event code: 8642
3. Okt. 2006WWWWipo information: withdrawn in national office
Ref document number: 2002715090
Country of ref document: EP