WO2003003430A3 - Film oder schicht aus halbleitendem material und verfahren zur herstellung des films oder der schicht - Google Patents

Film oder schicht aus halbleitendem material und verfahren zur herstellung des films oder der schicht Download PDF

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf einen Film oder eine Schicht aus halbleitendem Material mit einer geringen Defektdichte in der dünnen Schicht sowie auf eine SOI-Scheibe mit einer dünnen Siliciumschicht, die eine geringe Oberflächenrauhigkeit, Defektdichte und Dickenvariation aufweist. Die Erfindung bezieht sich auch auf ein Verfahren zuir Herstellung eines Films oder einer Schicht aus Halbleitendem Material, das folgende Schritte umfasst: a) Erzeugung von Strukturen aus sich periodisch wiederholenden Vertiefungen vorgegebener Geometrien auf der Oberfläche eines halbleitenden Materials, b) thermische Behandlung des oberflächenstrukturierten Materials, bis sich eine Schicht mit sich periodisch wiederholenden Hohlräumen unter einer geschlossenen Schicht an der Oberfläche des Materials gebildet hat, c) Trennung der geschlossenen Schicht an der Oberfläche entlang der Schicht von Hohlräumen vom Rest des halbleitenden Materials.
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